UA95506U - Спосіб одержання напівпровідникових халькогінідних монокристалів - Google Patents
Спосіб одержання напівпровідникових халькогінідних монокристалівInfo
- Publication number
- UA95506U UA95506U UAU201407820U UAU201407820U UA95506U UA 95506 U UA95506 U UA 95506U UA U201407820 U UAU201407820 U UA U201407820U UA U201407820 U UAU201407820 U UA U201407820U UA 95506 U UA95506 U UA 95506U
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- carried out
- annealing
- hours
- synthesis
- chalkoginid
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 abstract 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract 2
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 abstract 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Спосіб одержання напівпровідникових халькогенідних монокристалів включає складання шихти з елементарних компонентів, синтез сплаву, відпал, кристалізацію та охолодження до кімнатної температури. Синтез сплаву проводять з нагрівом до температури 1320 К із здійсненням в процесі синтезу гомогенізуючих відпалів при 1110 К протягом 240 год. та при 820 К протягом 300 год., а процес вирощування монокристала здійснюють методом збірної рекристалізації у попередньо нагрітій двозонній печі при температурному градієнті вздовж кристала 2-3 К/мм з використанням в цьому процесі двох операцій відпалу, першу з яких здійснюють при 1110 К протягом 48 год. та другу при 820 К протягом 100 год., при цьому у проміжку між останніми відпалами охолодження монокристала здійснюють зі швидкістю 0,1-0,15 мм/год.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UAU201407820U UA95506U (uk) | 2014-07-11 | 2014-07-11 | Спосіб одержання напівпровідникових халькогінідних монокристалів |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UAU201407820U UA95506U (uk) | 2014-07-11 | 2014-07-11 | Спосіб одержання напівпровідникових халькогінідних монокристалів |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA95506U true UA95506U (uk) | 2014-12-25 |
Family
ID=52680711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UAU201407820U UA95506U (uk) | 2014-07-11 | 2014-07-11 | Спосіб одержання напівпровідникових халькогінідних монокристалів |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| UA (1) | UA95506U (uk) |
-
2014
- 2014-07-11 UA UAU201407820U patent/UA95506U/uk unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2010130676A (ru) | Способ и устройство для получения монокристалла сапфира | |
| MX2018008999A (es) | Metodo para obtener cristales de una solucion madre, y dispositivo de cristalizacion adecuado para este proposito. | |
| UA95506U (uk) | Спосіб одержання напівпровідникових халькогінідних монокристалів | |
| PL411695A1 (pl) | Sposób wytwarzania długich kryształów węglika krzemu z fazy gazowej | |
| RU2014108691A (ru) | Способ получения термоэлектрических материалов | |
| JP2019019200A5 (uk) | ||
| UA95507U (uk) | СПОСІБ ОДЕРЖАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ (Ga55, In45)2S300 | |
| UA115208U (uk) | СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ РbВr1,2І0,8 | |
| UA115210U (uk) | СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Tl3PbBr2,5I2,5 | |
| UA116899U (uk) | СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ AgxGaxGe1-xSe2 (X=0,333; 0,250; 0,200; 0,167) | |
| RU2017131286A (ru) | Новые полиморфные формы миноциклинового основания и способы их получения | |
| UA111911U (uk) | СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Ag0,5Pb1,75GeS4 | |
| UA115209U (uk) | СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Tl4HgBr6 З РОЗЧИНУ-РОЗПЛАВУ | |
| UA122980C2 (uk) | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ ТЕТРАТАЛІЮ(І) ТРИТІОСТАНАТУ(ІІ) (Тl<sub>4</sub>SnS<sub>3</sub>) МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ-РОЗЧИНУ | |
| MD4266B1 (en) | Method for producing the ZnSe single crystal | |
| UA115207U (uk) | СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ TlPb2BrI4 | |
| UA115555U (xx) | СПОСІБ ОДЕРЖАННЯ МОНОКРИСТАЛУ Ga5,94ln3,96Er0,1Se15 | |
| MD402Z (ro) | Procedeu de creştere rapidă a monocristalului de bismut | |
| UA115554U (xx) | СПОСІБ ОДЕРЖАННЯ МОНОКРИСТАЛУ Ga5,46ln4,47Er0,07S15 | |
| UA113185C2 (xx) | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ CdTe ТА ЙОГО ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ CdXZn1-XTe, CdXMn1-XTe | |
| UA152375U (uk) | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ ГЕКСАБРОМОТЕЛУРАТУ 2-АНІЛІНО-6,6-ДИМЕТИЛ-3-ФЕНІЛ-5,6-ДИГІДРО-[1,3]ТІАЗОЛО[3,2-b][1,2,4]ТРИАЗОЛ-7-ІЮ З РОЗЧИНУ | |
| UA115226U (uk) | СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Tl10Hg3Cl16 | |
| UA153137U (uk) | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АРГЕНТУМ(І) БІСМУТ(ІІІ) ГЕКСАСЕЛЕНОГІПОДИФОСФАТУ AgBiP<sub>2</sub>Se<sub>6</sub> МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ | |
| UA105367U (uk) | ПРОЦЕС ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ In2Hg3Te6 | |
| PL407357A1 (pl) | Proces wzrostu kryształów azotku galu metodą HVPE |