WO1991010120A3 - Dispositif semiconducteur a cavite avec un conducteur electrique - Google Patents

Dispositif semiconducteur a cavite avec un conducteur electrique Download PDF

Info

Publication number
WO1991010120A3
WO1991010120A3 PCT/GB1990/002035 GB9002035W WO9110120A3 WO 1991010120 A3 WO1991010120 A3 WO 1991010120A3 GB 9002035 W GB9002035 W GB 9002035W WO 9110120 A3 WO9110120 A3 WO 9110120A3
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
cavity
semiconductor
electrode
insulating layer
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/GB1990/002035
Other languages
English (en)
Other versions
WO1991010120A2 (fr
Inventor
Tony William James Rogers
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Research Development Corp UK
Original Assignee
National Research Development Corp UK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from GB898929276A external-priority patent/GB8929276D0/en
Priority claimed from GB898929307A external-priority patent/GB8929307D0/en
Application filed by National Research Development Corp UK filed Critical National Research Development Corp UK
Publication of WO1991010120A2 publication Critical patent/WO1991010120A2/fr
Publication of WO1991010120A3 publication Critical patent/WO1991010120A3/fr
Priority to GB9212939A priority Critical patent/GB2255229B/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
    • G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

Un procédé permet de produire un dispositif semiconducteur ayant une cavité avec une électrode agencée dans sa cavité et un conducteur électrique qui pénètre dans la cavité, en continuité électrique avec l'électrode contenue dans celle-ci. Selon le procédé, on dépose du métal, sous forme du conducteur et de l'électrode, sur un substrat non conducteur, puis on forme une couche isolante annulaire sur le substrat, de manière à délimiter la cavité, y compris si nécessaire sur le métal dont se compose le conducteur, mais non sur le métal dont se compose l'électrode, puis on place (de préférence sous vide) sur la couche isolante un semiconducteur qui définit le reste de la cavité et on applique une tension entre le substrat et le semiconducteur, de manière à renforcer la liaison électrostastique entre la couche isolante et le semiconducteur.
PCT/GB1990/002035 1989-12-28 1990-12-28 Dispositif semiconducteur a cavite avec un conducteur electrique Ceased WO1991010120A2 (fr)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB9212939A GB2255229B (en) 1989-12-28 1992-06-18 Semiconductor cavity device with electric lead

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB8929276.7 1989-12-28
GB898929276A GB8929276D0 (en) 1989-12-28 1989-12-28 Semiconductor cavity device with electric lead
GB8929307.0 1989-12-29
GB898929307A GB8929307D0 (en) 1989-12-29 1989-12-29 Semiconductor cavity device with electric lead

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO1991010120A2 WO1991010120A2 (fr) 1991-07-11
WO1991010120A3 true WO1991010120A3 (fr) 1991-09-19

Family

ID=26296438

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/GB1990/002035 Ceased WO1991010120A2 (fr) 1989-12-28 1990-12-28 Dispositif semiconducteur a cavite avec un conducteur electrique

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0507813A1 (fr)
JP (1) JPH05505024A (fr)
WO (1) WO1991010120A2 (fr)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5528452A (en) * 1994-11-22 1996-06-18 Case Western Reserve University Capacitive absolute pressure sensor
TWI706911B (zh) 2017-06-15 2020-10-11 聯華電子股份有限公司 微機電系統元件及其靜電接合方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0156757A2 (fr) * 1984-03-12 1985-10-02 United Technologies Corporation Capteur de pression capacitif avec une capacité parasitaire basse
EP0302654A2 (fr) * 1987-08-06 1989-02-08 United Technologies Corporation Procédé pour sceller une connexion électrique dans un dispositif semi-conducteur

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0156757A2 (fr) * 1984-03-12 1985-10-02 United Technologies Corporation Capteur de pression capacitif avec une capacité parasitaire basse
EP0302654A2 (fr) * 1987-08-06 1989-02-08 United Technologies Corporation Procédé pour sceller une connexion électrique dans un dispositif semi-conducteur

Also Published As

Publication number Publication date
EP0507813A1 (fr) 1992-10-14
JPH05505024A (ja) 1993-07-29
WO1991010120A2 (fr) 1991-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW337035B (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
WO1999013514A3 (fr) Dispositifs electriques et leur procede de fabrication
EP1202348A3 (fr) Dispositif semi-conducteur et son procédé de fabrication
JPS5544786A (en) Pressure sensor
EP1306897A3 (fr) Procédé de formation d'une structure de liason électrode vers électrode et structure de liason électrode vers électrode ainsi obtenue
WO2001008744A8 (fr) Fil de stimulateur cardiaque comprenant des electrodes isolees definissant des zones
TW350071B (en) Chip resistor and a method of producing the same
TW324843B (en) Compound electrode stack capacitor
TW344903B (en) Wafer fabricated electroacoustic transducer
EP0975072A3 (fr) Dispositif ayant une fonction optique avec des électrodes d'interconnexion spéciales et méthode de fabrication
EP0395017A3 (fr) Méthode d'attaque par plasma
ES487701A1 (es) Procedimiento para aplicar un contacto electricamente con- ductor a la superficie de una celula fotovoltaica
EP0671629A3 (fr) Détecteur d'accélération et procédé pour sa fabrication
EP0161690A3 (fr) Paire d'électrodes sélectives aux ions et procédé pour sa fabrication
MY131896A (en) Solid electrolytic capacitor and process for making the same
ES533300A0 (es) Un metodo de formar una estructura de contacto electrico
DE3460837D1 (en) Process for producing an electrically conductive layer on a solid electrolyte surface, and electrically conductive layer
EP0307671A3 (fr) Procédé pour la fabrication d'un circuit intégré électroprogrammable avec des fusibles de contacts
EP0887870A3 (fr) Méthode de fabrication d'un couvercle d'accumulateur rendu conductrice dans des zones prédéterminées
EP0370605A3 (fr) Couche supraconductrice et son substrat support
DE3464295D1 (en) Electric discharge tube and method of manufacturing an electrically conductive layer on a wall portion of the envelope of such a tube
GB1552036A (en) Aluminium electrode having an electrical contact and method of making the electrical contact
GB8904218D0 (en) Method and device for determination of the condition of the insulation of an object made of an electrically conducting material,coated with an electrical insu
GB2255229A (en) Semiconductor cavity device with electric lead
GB2181367B (en) A method of manufacturing an electrically conductive layer

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): GB JP US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FR GB GR IT LU NL SE

AK Designated states

Kind code of ref document: A3

Designated state(s): GB JP US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A3

Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FR GB GR IT LU NL SE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1991901456

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1991901456

Country of ref document: EP

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Ref document number: 1991901456

Country of ref document: EP