WO1992009110A1 - Procede de dissolution d'un materiau cristallin - Google Patents

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WO1992009110A1
WO1992009110A1 PCT/FR1991/000876 FR9100876W WO9209110A1 WO 1992009110 A1 WO1992009110 A1 WO 1992009110A1 FR 9100876 W FR9100876 W FR 9100876W WO 9209110 A1 WO9209110 A1 WO 9209110A1
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solution
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Etienne Philippot
Aline Goiffon
Maurice Maurin
Olivier Cambon
Alain Ibanez
Jean-Pierre Aubry
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F21/00—Dissolving
    • B01F21/02—Methods
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/08—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies
    • H10N30/082—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by etching, e.g. lithography

Definitions

  • the present invention relates to a process for the chemical dissolution of a crystalline material. It applies in particular to the chemical machining of piezoelectric materials.
  • a resonator is produced from a blade of piezoelectric material. On each main face of the blade, at least one electrode is deposited.
  • the resonator is characterized by its resonant frequency. This frequency corresponds to a well-determined thickness of the blade, between two electrodes. The state of the surface of the blade must be as good as possible, so as not to disturb the frequency response of the resonator. To give the blade the desired thickness, it is machined at least in its central part. Various machining methods are known. The higher the frequency of the resonator, the lower the thickness of the blade. At low frequency, the machining can be mechanical.
  • the blade is lapped with an abrasive. For example, for the AT cut of quartz a thickness of 40 micrometers corresponds approximately to a frequency of 40
  • a berlinite blade is immersed in a solution of hydrofluoric acid (HF) or ammonium bifluoride (NH 4 HF 2 ). This process is less expensive than ionic machining but it does not always give any satisfaction from the point of view of surface condition.
  • HF hydrofluoric acid
  • NH 4 HF 2 ammonium bifluoride
  • the dissolution by the solvent is preferably initialized at the level of the dislocations. It then forms on the surface of the pitting material ("etch pits" in Anglo-Saxon literature). They dig and
  • the present invention provides a method of controlled dissolution of a crystalline material formed of several kinds of ions, allowing
  • This dissolution process is inexpensive. This process consists in using a solution containing, before dissolution, a solvent for the crystalline material and at least two kinds of ions of the material
  • the molar ion concentration of each kind is on the one hand, greater than zero and on the other hand less than the molar ion concentration of each kind that the saturation solution would have, if it contained all of the constituent ions of the crystalline material, under the conditions of
  • the dissolution takes place at a temperature between 20 ° C and 150 ° C and at atmospheric pressure.
  • the material is not necessarily berlinite, we can consider that the crystalline material is 1 Gallium orthophosphate.
  • the method can be used to cut the edges of a blade of crystalline material, to thin at least one area of the blade or to dig at least one opening through the thickness of the blade.
  • the method can be used to partially dissolve a blade of the crystalline material, the blade being covered with a mask intended to protect part of the blade.
  • a solution supersaturated with ions constituting the crystalline material is used.
  • the solution contains a molar concentration Ce in ions constituting the crystalline material greater than the molar concentration Co.
  • Ce is much higher than the molar concentration Co
  • a very rapid and even anarchic growth of the crystalline material is recorded, especially at the level of the inevitable structural defects. Growth is no longer under control.
  • Thermodynamic relationships show that good growth of the crystalline material can only take place when the molar concentration Ce is closer to the molar concentration Co.
  • the controlled dissolution process according to the invention consists in using a solution containing, before dissolution, a solvent for the crystalline material and at least two kinds of ions of the crystalline material.
  • the solution before dissolution is
  • the molar ion concentration of each kind is lower than the molar concentration that the saturation solution would have, if it contained all of the ions of the crystalline material (under the pressure and temperature conditions of the dissolution).
  • the following examples relate to berlinite for which the invention is particularly advantageous.
  • the constituent ions of berlinite are the 3 + 3_ aluminum Al ions and the phosphate ions (PO.)
  • Berlinite blades were used which were sawn in a block and then lapped with a grain abrasive of about 3 micrometers. Their initial roughness is of the order of 0.17 micrometer.
  • the thickness of material removed on both sides of the blade is controlled by measuring the resonance frequency of the blade, with a frequency meter.
  • the following arrangement can be used, for example: a three-tube flask containing the solution is immersed in an oil bath. The temperature of the solution is homogenized by magnetic stirring. One of the tubes contains a thermocouple which controls the temperature of the solution. The temperature range is from between 20 ° C and 150 ° C.
  • the second tubing contains a refrigerant which prevents evaporation of the solution.
  • At least one blade intended to be machined is introduced into the flask through the third tube and is immersed in the solution. It is attached to a platinum eye by means of a teflon clamp or any other fixing means resistant to the solution.
  • the dissolution is preferably carried out at atmospheric pressure.
  • a first variant consists in dissolving aluminum phosphate (ALPO., Berlinite or commercial aluminum phosphate) in one of the acids mentioned above,
  • phosphoric acid another variant consists in dissolving aluminum hydroxide Al (OH) _,.
  • the hydroxide reacts with the acid to form dissolved aluminum phosphate.
  • a third variant consists in dissolving a mixture of commercial aluminum sulphate and phosphoric acid; a reaction takes place and aluminum phosphate and sulfuric acid are formed.
  • EXAMPLE 1 The tested solution contains, before dissolution, hydrochloric acid (HC1) and aluminum phosphate (ALPO.). The acid concentrations varied between 1M / 1 and 12 M / 1. The concentrations of phosphate ions and aluminum ions, before dissolution, are always lower than those which the saturated solution would have.
  • HC1 hydrochloric acid
  • APO. aluminum phosphate
  • the tested blades are lapped. It can be seen that the roughness Ra increases first with the depth of attack P, then decreases. The maximum roughness is obtained for an attack depth P of approximately 7 micrometers. This value corresponds to the surface layer of berlinite disturbed by running in and sawing. The best final roughness obtained is of the order of 0.08 micrometer.
  • EXAMPLE 2 The tested solution contains, before dissolution, sulfuric acid (HriftS0.) And aluminum phosphate (A1PO.). The acid concentrations varied between 1 M / 1 and 18 M / 1. The concentrations of phosphate ions and aluminum ions, before dissolution, are always lower than those which the saturated solution would have. The tested blades are lapped. The same variation in the roughness Ra is observed as in the previous example.
  • Curve (A) represents the variation of the roughness Ra as a function of the attack depth P, for the above concentrations.
  • EXAMPLE 3 The solution tested contains, before dissolution, phosphoric acid (H PO.) And aluminum phosphate (A1PO.).
  • the phosphoric acid concentrations varied 1 between 1 M / 1 and 15 M / 1.
  • concentrations of phosphate ions and aluminum ions, before dissolution, are always lower than those which the saturated solution would have.
  • Curves (B) and (C) respectively represent the variation of the roughness Ra with a ground blade and a polished blade for the concentrations mentioned above.
  • EXAMPLE 4 The tested solution contains, before ê ; dissolution, phosphoric acid alone (HriftPO.). The acid concentrations varied between 1 M / 1 and 15 M / 1. The solution contains only the berlinite phosphate ions.
  • 35 phosphate ion concentration is, before dissolution, always lower than the saturation solution would have if it contained all of the constituent ions of berlinite.
  • Curve (D) represents the evolution of the roughness curve with a sulfuric acid solution.
  • All the blades machined by the process according to the invention have shown a sufficient machining quality for an industrial application.
  • gallium orthophosphate chemically, it is possible to use the berlinite solvents, under the same conditions of temperature and pressure.
  • the constituent ions of gallium orthophosphate 3+ 3- are the gallium Ga ions and the phosphate ions (PO.)
  • the controlled dissolution process according to the invention can be used to produce piezoelectric resonator blades.
  • the blade of crystalline material can be thinned in at least one area to achieve a desired resonant frequency. These resonators can in particular be used as filters.
  • the controlled dissolution process according to the invention can be used to dig at least one opening through a blade of the crystalline material.
  • a blade can serve as a sensor.
  • the main areas are temperature, force, pressure, etc. . .
  • the controlled dissolution process according to the invention can also be used to cut the edges of a blade of crystalline material at the desired ribs. If the blade is to be partially attacked, it can be covered with a mask intended to protect part of the latter.
  • the mask can be made of resin, metal or other materials which are not attacked by the solution.

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Abstract

La présente invention concerne un procédé de dissolution contrôlée d'un matériau cristallin formé de plusieurs sortes d'ions, dans une solution contenant un solvant du matériau cristallin. La solution contient, avant dissolution, au moins deux sortes d'ions du matériau cristallin. La concentration molaire en ion de chaque sorte est supérieure à zéro et inférieure à la concentration molaire en ion de chaque sorte qu'aurait la solution à saturation, si elle contenait l'ensemble de ions constitutifs du matériau cristallin, dans les conditions de température et de pression de la dissolution. Application: usinage chimique de matériaux piézoélectriques notamment de berlinite.

Description

PROCEDE DE DISSOLUTION D'UN MATERIAU CRISTALLIN
La présente invention concerne un procédé de dissolution chimique d'un matériau cristallin. Elle s'applique notamment à l'usinage chimique de matériaux piézoélectriques .
La multiplication des dispositifs de radiocommunication dont le dispositif de base est un résonateur piézoélectrique, a provoqué un développement rapide des matériaux piézoélectriques . Le quartz (SiO„) est le matériau le plus utilisé actuellement. De nombreuses études sont menées sur d'autres matériaux, notamment la berlinite (A1PO . ) ou l'orthophosphate de gallium (GaPO -) , car ils possèdent des propriétés légèrement différentes de celles du quartz .
Un résonateur est réalisé à partir d'une lame de matériau piézoélectrique . Sur chaque face principale de la lame, on dépose au moins une électrode . Le résonateur est caractérisé par sa fréquence de résonance . Cette fréquence correspond à une épaisseur bien déterminée de la lame, entre deux électrodes . L'état de la surface de la lame doit être aussi bon que possible, pour ne pas perturber la réponse en fréquence du résonateur . Pour donner à la lame l'épaisseur souhaitée , on l'usine au moins dans sa partie centrale . Divers procédés d'usinage sont connus . Plus la fréquence du résonateur est élevée plus l'épaisseur de la lame est faible . A fréquence basse, l'usinage peut être mécanique . La lame est rodée avec un abrasif . Par exemple, pour la coupe AT du quartz une épaisseur de 40 micromètres correspond environ à une fréquence de 40
MHz . Pour des fréquences plus élevées, il n'est plus possible de faire un usinage mécanique . On peut utiliser un procédé ionique . La lame est bombardée par des ions d'argon accélérés . Le procédé donne de bons résultats, au point de vue état de surface, mais est onéreux . On peut aussi utiliser un procédé de dissolution qui utilise, en solution, un solvant du matériau à attaquer. Par exemple, une lame de berlinite est immergée dans une solution d'acide fluorhydrique (HF) ou de bifluorure d'ammonium (NH4HF2) . Ce procédé est moins coûteux que l'usinage ionique mais il ne donne pas toujours toute satisfaction au point de vue état de surface .
En effet, les matériaux cristallins n'ont pas une structure parfaite . Ils comportent de façon inévitable des
10 défauts structuraux tels que des dislocations qui affleurent à la surface du matériau. La dissolution par le solvant s'initialise de préférence au niveau des dislocations . Il se forme alors en surface du matériau des piqûres ("etch pits" dans la litérature anglo-saxonne) . Elles se creusent et se
- - transforment en canaux ("etch channels" dans la litérature anglo-saxonne) qui traversent totalement la lame . En définitive, l'état de surface de la lame ne s'améliore pas . Les piqûres et les canaux entraînent de graves perturbations au niveau de la réponse en fréquence du résonateur. Ce procédé ne peut être
™ utilisé qu'avec des lames de haute qualité cristalline et de haute pureté .
Pour remédier à ces inconvénients, la présente invention propose un procédé de dissolution contrôlée d'un matériau cristallin formé de plusieurs sortes d'ions, permettant
25 d'obtenir un état de surface correct, même avec un matériau cristallin présentant des défauts structuraux. Ce procédé de dissolution est peu onéreux. Ce procédé consiste à utiliser une solution contenant, avant dissolution, un solvant du matériau cristallin et au moins deux sortes d'ions du matériau
30 cristallin. La concentration molaire en ion de chaque sorte est d'une part, supérieure à zéro et d'autre part inférieure à la concentration molaire en ion de chaque sorte qu'aurait la solution à saturation, si elle contenait l'ensemble des ions constitutifs du matériau cristallin, dans les conditions de
35 pression et de température de la dissolution. On a constaté selon l'invention que ce procédé permettait d'obtenir des résultats très satisfaisants avec comme matériau cristallin de la berlinite (A1PO ,) , le solvant étant notamment de l'acide chlorhy drique , de l'acide sulfurique ou de l'acide phosphorique . De préférence, la dissolution se fait à une température comprise entre 20°C et 150° C et à pression atmosphérique .
Le matériau n'est pas forcément de la berlinite, on peut envisager que le matériau cristallin soit de 1 Orthophosphate de gallium.
Le procédé peut être utilisé pour découper les bords d'une lame du matériau cristallin, pour amincir au moins une zone de la lame ou pour creuser au moins une ouverture à travers l'épaisseur de la lame .
Le procédé peut être utilisé pour dissoudre partiellement une lame du matériau cristallin, la lame étant recouverte d'un masque destiné à protéger une partie de la lame .
L'invention sera mieux comprise et d'autres caractéristiques et avantages apparaîtront à la lecture de la description suivante, illustrée de la figure unique annexée qui représente : l'évolution de la rugosité Ra d'un échantillon de berlinite en fonction de la profondeur P d'attaque, l'échantillon étant immergé dans diverses solutions . Lorsqu'un matériau cristallin est immergé dans une solution susceptible de le dissoudre, il se produit un flux d'entités du matériau cristallin vers la solution. Lorsqu'un matériau cristallin est immergé dans une solution susceptible de le faire croître, il se produit un flux d'entités de la solution vers le matériau cristallin. Lorsque les deux flux s'annulent, la solution est dite saturée . Elle renferme, dans les conditions de pression et de température de l'expérience, une concentration molaire Co en ions constitutifs du matériau à cristallin appelée solubilité . Pour obtenir une croissance contrôlée d'un matériau cristallin, on utilise une solution sursaturée en ions constitutifs du matériau cristallin. La solution renferme une concentration molaire Ce en ions constitutifs du matériau cristallin supérieure à la concentration molaire Co . Lorsque la concentration molaire Ce est très supérieure à la concentration molaire Co, on enregistre une croissance très rapide et même anarchique du matériau cristallin, surtout au niveau des inévitables défauts structuraux. La croissance n'est plus maîtrisée . Des relations thermodynamiques montrent qu'une bonne croissance du matériau cristallin ne peut avoir lieu que lorsque la concentration molaire Ce est plus proche de la concentration molaire Co .
On a remarqué que les phénomènes de croissance et de dissolution de matériaux cristallins sont réciproques .
Le procédé de dissolution contrôlée selon l'invention consiste à utiliser une solution contenant, avant dissolution, un solvant du matériau cristallin et au moins deux sortes d'ions du matériau cristallin. La solution avant dissolution est
"sous -saturée" . Avant dissolution, la concentration molaire en ion de chaque sorte est inférieure à la concentration molaire qu'aurait la solution à saturation, si elle contenait l'ensemble des ions du matériau cristallin (dans les conditions de pression et de température de la dissolution) . Les exemples suivants concernent la berlinite pour laquelle l'invention est particulièrement intéressante .
Les ions constitutifs de la berlinite sont les ions 3+ 3_ aluminium Al et les ions phosphate (PO .)
On a utilisé des lames de berlinite sciées dans un bloc, puis rodées avec un abrasif à grains d'environ 3 micromètres . Leur rugosité initiale est de l'ordre de 0, 17 micromètre .
D'autres lames ont été polies avec un abrasif à grains d'environ 0, 3 micromètre . Leur rugosité initiale est de l'ordre de 0, 01 micromètre . Dans tous les essais réalisés , la rugosité Ra moyenne de l'échantillon a été mesurée avant dissolution, puis de nombreuses fois pendant la dissolution, avec un rugosimètre . Les mesures ont été faites en plusieurs endroits de la
5 lame sur les deux faces .
Au cours de la dissolution, l'épaisseur de matériau enlevé sur les deux faces de la lame (ou profondeur P d'attaque) est contrôlée en mesurant la fréquence de résonance de la lame, avec un fréquencemètre .
10 On peut utiliser, par exemple, le montage suivant : on immerge dans un bain d'huile, un ballon à trois tubulures contenant la solution . La température de la solution est homogénéisée par agitation magnétique . Une des tubulures contient un thermocouple qui contrôle la température de la solution. La plage des températures est comprise de
Figure imgf000007_0001
entre 20° C et 150° C .
La seconde tubulure contient un réfrigérant qui évite l'évaporation de la solution. Au moins une lame destinée à être usinée est introduite dans le ballon par la troisième tubulure et est immergée dans la solution . Elle est accrochée à un £il— e platine par l'intermédiaire d'une pince en téflon ou tout autre moyen de fixation résistant à la solution . La dissolution se fait de préférence, à pression atmosphérique . Ces conditions de température et de pression facilitent la mise en oeuvre du
2-> procédé . Cela permet d'en abaisser le coût. L'épaisseur de matériau à retirer sur une lame de résonateur est généralement faible . On peut envisager de réaliser la dissolution dans un autoclave à faible pression et température supérieure à 150° C lorsque que l'on veut augmenter la vitesse d'attaque . t ^0 Les solvants de la berlinite qui ont été utilisés sont les acides chlorhy drique , sulfurique et phosphorique . D'autres
* solvants peuvent être utilisés .
Plusieurs variantes existent pour préparer une solution dissolvant la berlinite, conformément au procédé selon 35 l'invention. Une première variante consiste à dissoudre du phosphate d'aluminium (ALPO . , berlinite ou phosphate d'aluminium du commerce) dans un des acides cités ci-dessus ,
Dans l'acide phosphorique, une autre variante consiste à dissoudre de l'hydroxyde d'aluminium Al(OH) _, . L'hydroxyde réagit avec l'acide pour former du phosphate d'aluminium dissous .
Une troisième variante consiste à dissoudre un mélange de sulfate d'aluminium du commerce et d'acide phosphorique ; une réaction se produit et il se forme du phosphate d'aluminium et de l'acide sulfurique .
Toutes ces solutions contiennent l'ensemble des ions constitutifs de la berlinite (ions aluminium et ions phosphate) .
EXEMPLE N° 1 : La solution testée contient, avant dissolution, de l'acide chlorhydrique (HC1) et du phosphate d'aluminium (ALPO .) . Les concentrations en acide ont varié entre 1M/1 et 12 M/1. Les concentrations en ions phosphate et en ions aluminium, avant dissolution, sont toujours inférieures à celles qu'aurait la solution à saturation.
Les lames testées sont rodées . On constate que la rugosité Ra croît d'abord avec la profondeur d'attaque P, puis décroît. Le maximum de rugosité est obtenu pour une profondeur d'attaque P d'environ 7 micromètres . Cette valeur correspond à la couche superficielle de berlinite perturbée par le rodage et le sciage . La meilleure rugosité finale obtenue est de l'ordre de 0, 08 micromètre .
Les meilleurs résultats sont obtenus avec des concentrations de 2 M/1 d'AlPO . et de 6 M/1 d'HCL Quelques piqûres apparaissent au cours de la dissolution .
EXEMPLE N° 2 : La solution testée contient, avant dissolution, de l'acide sulfurique (H„S0.) et du phosphate d'aluminium (A1PO . ) . Les concentrations en acide ont varié entre 1 M/1 et 18 M/1. Les concentrations en ions phosphate et en ions aluminium, avant dissolution, sont toujours inférieures à celles qu'aurait la solution à saturation. Les lames testées sont rodées . On observe la même i variation de la rugosité Ra que dans l'exemple précédent .
Quelques piqûres apparaissent au cours de la dissolution . ^ Les meilleurs résultats sont obtenus avec des
5 concentrations de 8 M/1 d'acide et de 3, 6 M/1 de phosphate d'aluminium. La courbe (A) représente la variation de la rugosité Ra en fonction de la profondeur d'attaque P, pour les concentrations ci-dessus .
Une courbe de rugosité, dans le cas de l'exemple n° 10 1, aurait été pratiquement identique à la courbe (A) .
EXEMPLE N° 3 : La solution testée contient, avant dissolution, de l'acide phosphorique (H PO .) et du phosphate d'aluminium (A1PO .) .
Les concentrations en acide phosphorique ont varié 1 entre 1 M/1 et 15 M/1. Les concentrations en ions phosphate et en ions aluminium, avant dissolution, sont toujours inférieures à celles qu'aurait la solution à saturation .
Les tests ont été faits avec des lames rodées et avec des lames polies . On constate que la rugosité Ra décroît lorsque 20 la profondeur d'attaque P croît. Une rugosité finale Ra de l'ordre de 0, 05 micromètre peut être obtenue avec une lame rodée . Avec une lame polie, la rugosité Ra est sensiblement constante . Le nombre de piqûres a considérablement diminué et même dans le meilleur cas les piqûres ont disparu . 25 Les meilleurs résultats ont été obtenus avec des concentrations de 5, 2 M/1 d'acide et de 2 M/1 de phosphate d'aluminium.
Les courbes (B ) et (C) représentent respectivement la variation de la rugosité Ra avec une lame rodée et une lame 30 polie pour les concentrations citées précédemment.
EXEMPLE N°4 : La solution testée contient, avant ê; dissolution, de l'acide phosphorique seul (H„PO .) . Les concentrations en acide ont varié entre 1 M/1 et 15 M/1. La solution ne contient que les ions phosphate de la berlinite . La
35 concentration en ions phosphate est, avant dissolution, toujours inférieure à celle qu'aurait la solution à saturation si elle contenait l'ensemble des ions constitutifs de la berlinite .
Les tests ont été effectués avec des lames rodées . On constate que la rugosité Ra croît d'abord avec la profondeur d'attaque P, puis décroît. La meilleure rugosité finale obtenue est de l'ordre de 0, 08 micromètres avec une concentration en acide de 12 M/1. Quelques piqûres apparaissent. La courbe (E) représente la variation de la rugosité Ra en fonction de la profondeur d'attaque P pour la concentration en acide ci-dessus . Cette courbe est comparable à la courbe (A) .
D'autres tests ont été réalisés en guise de comparaison, sur des lames rodées, avec une solution contenant de l'acide sulfurique seul. Cette solution est dépourvue, avant dissolution, d'ion constitutif du matériau cristallin . Les concentrations en acide sulfurique sont comprises entre 1 M/1 et 18 M/1. On constate que la rugosité Ra de la lame croît d'abord puis décroît légèrement. La rugosité finale est supérieure à la rugosité initiale . L'état de surface de la lame s'est dégradé . Cette détérioration s'accompagne d'un grand nombre de piqûres qui se développent en canaux traversant de part en part la lame.
La courbe (D) représente l'évolution de la courbe de rugosité avec une solution d'acide sulfurique .
Tous ces exemples montrent que les solutions contenant, avant dissolution, au moins deux sortes du matériau cristallin donnent de bien meilleurs résultats que si elles en sont dépourvues .
Toutes les lames usinées par le procédé conforme à l'invention ont montré une qualité d'usinage suffisante pour une application industrielle .
Pour dissoudre chimiquement de l'orthophosphate de gallium, il est possible d'utiliser les solvants de la berlinite, dans les mêmes conditions de température et de pression. Les ions constitutifs de l'orthophosphate de gallium 3+ 3- sont les ions gallium Ga et les ions phosphate (PO .) Le procédé de dissolution contrôlée selon l'invention peut servir pour réaliser des lames de résonateur piézoélectrique . La lame de matériau cristallin peut être amincie dans au moins une zone pour atteindre une fréquence de résonance désirée . Ces résonateurs peuvent notamment être utilisés en tant que filtres .
Le procédé de dissolution contrôlée selon l'invention peut servir à creuser au moins une ouverture à travers une lame du matériau cristallin. Une telle lame peut servir de capteur. Les principaux domaines sont les capteurs de température, de force, de pression, etc . . .
Le procédé de dissolution contrôlée selon l'invention peut être utilisé aussi pour découper aux côtes désirées les bords d'une lame de matériau cristallin. Si la lame doit être attaquée partiellement, on peut la recouvrir d'un masque destiné à protéger une partie de cette dernière .
Le masque peut être en résine, en métal ou en d'autres matériaux n'étant pas attaqués par la solution.

Claims

REVENDICATIONS
1. Procédé de dissolution contrôlée d'un matériau cristallin formé de plusieurs sortes d'ions, dans une solution contenant un solvant du matériau cristallin, caractérisé en ce que la solution, avant dissolution, contient au moins deux sortes d'ions du matériau cristallin, la concentration molaire en ion de chaque sorte étant supérieure à zéro et inférieure à la concentration molaire en ion de chaque sorte qu'aurait la solution à saturation, si elle contenait l'ensemble des ions constitutifs du matériau cristallin, dans les conditions de température et de pression de la dissolution.
2. Procédé de dissolution selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau cristallin est de la berlinite (AlPO4) , les ions constitutifs de la berlinite étant les ions aluminium et les ions phosphate .
3. Procédé de dissolution selon la revendication 2, caractérisé en ce que le solvant est de l'acide chlorhy drique, de l'acide sulfurique ou de l'acide phosphorique.
4. Procédé de dissolution selon l'une des revendications 2 ou 3, caractérisé en ce que la dissolution se fait à température comprise entre 20°C et 150°C .
5. Procédé de dissolution selon l'une des revendications 2 à 4, caractérisé en ce que la dissolution se fait à pression atmosphérique .
6. Procédé d'attaque selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau cristallin est de l'orthophosphate de gallium (GaPO4) constitué d'ions gallium et d'ions phosphate, le solvant étant choisi parmi l'acide chlorhy drique, l'acide sulfurique, l'acide phosphorique .
7. Procédé de dissolution selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'il est utilisé pour découper les bords d'une lame du matériau cristallin.
8. Procédé de dissolution selon l'une des „ revendications 1 à 7, caractérisé en ce qu'il est utilisé pour amincir au moins une zone d'une lame du matériau cristallin. Ç
9. Procédé de dissolution selon l'une des
5 revendications 1 à 8 caractérisé en ce qu'il est utilisé pour creuser au moins une ouverture à travers une lame du matériau cristallin.
10. Procédé de dissolution selon l'une des revendications 1 à 9 caractérisé en ce qu'il est utilisé pour
10 dissoudre partiellement une lame du matériau cristallin, cette lame étant recouverte d'un masque destiné à protéger une partie de la lame .
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5688317A (en) * 1992-08-27 1997-11-18 Cabot Corporation Carbon blacks

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT401837B (de) * 1993-03-04 1996-12-27 Avl Verbrennungskraft Messtech Piezoelektrisches kristallelement
JP3948089B2 (ja) * 1998-01-22 2007-07-25 セイコーエプソン株式会社 圧電体素子及びそれを用いたインクジェット式記録ヘッド

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0069112A1 (fr) * 1981-06-24 1983-01-05 List, Hans Elément piezoélectrique

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4411731A (en) * 1982-12-27 1983-10-25 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of contouring crystal plates
FR2562352B1 (fr) * 1984-03-30 1989-10-20 Cepe Resonateur piezo-electrique
FR2568443B1 (fr) * 1984-07-27 1986-11-14 Cepe Boitier a fermeture a froid supportant les hautes temperatures
FR2612021A1 (fr) * 1987-03-06 1988-09-09 Cepe Ressorts de suspension d'une lame vivrante piezoelectrique
JPH0692263B2 (ja) * 1989-02-16 1994-11-16 伊藤忠商事株式会社 記録ディスク基板及びその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0069112A1 (fr) * 1981-06-24 1983-01-05 List, Hans Elément piezoélectrique

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PROCEEDINGS OF THE 39TH ANNUAL FREQUENCY SYMPOSIUM,29-31 MAY 1985,PHILADELPHIA(US) pages 301 - 308; J.DOWSET ET AL.: 'ETCH PROCESSING OF BULK AND SURFACE WAVE DEVICES' *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5688317A (en) * 1992-08-27 1997-11-18 Cabot Corporation Carbon blacks

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