WO1993011275A1 - Verfahren und vorrichtung zur hartstoffbeschichtung von substratkörpern - Google Patents

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    • H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]

Definitions

  • the invention relates to a process for hard material coating of substrate bodies using a CVD process activated by a glow discharge at temperatures above 300 ° and pressures below 10,000 Pa.
  • the invention further relates to a device for unfold ⁇ tion of said method comprising at least one gas inlet and at least one connected to a pump outlet reactor having, in its interior, one or meh ⁇ eral substrate body and one or more this, spaced connected to a voltage source Electrode (s).
  • a device for unfold ⁇ tion of said method comprising at least one gas inlet and at least one connected to a pump outlet reactor having, in its interior, one or meh ⁇ eral substrate body and one or more this, spaced connected to a voltage source Electrode (s).
  • High-temperature coating processes have the disadvantage that losses in toughness of the composite body consisting of a substrate body and a hard material coating applied thereon cannot always be avoided.
  • indexable inserts that were coated with titanium carbide
  • higher wear was consistently observed when machining high-alloy steels in an interrupted cut if the coating was applied using a high-temperature process at approx. 1000 ° C.
  • Such temperatures can occur at sufficiently low temperatures adverse effects of the coating process on the body can be avoided.
  • the plasma CVD process is of importance in addition to the PVD process. If a non-equilibrium plasma is superimposed on the reaction gas in a low-pressure glow discharge, the charge carriers present in the gas are accelerated under the influence of the existing electric field.
  • the low-pressure plasmas can in principle be generated by applying a constant DC voltage to a workpiece connected as a cathode, by a high-frequency AC voltage or by a pulsed DC voltage.
  • the high-frequency excitation in which the energy can be inductively or capacitively introduced into the reaction vessel from the outside / is frequently used for the deposition of very pure layers in electrical engineering, for example in microchips. Since it works without electrodes that are directly connected to the substrates, it does not matter whether the material itself is conductive or non-conductive. This method is disadvantageously very complex.
  • the simplest way to generate a low-pressure discharge is to switch the workpiece to be coated as a cathode and to use the recipient or its walls as an anode or earth potential.
  • the substrate temperature is a function of the voltage and the current.
  • the DC voltage can be pulsed, the substrate temperature being a function of the peak voltage and the peak current as well as the pulse duration and pulse frequency.
  • the coating temperature can advantageously be set independently of the low-pressure discharge parameters, the voltage and the current.
  • CVD reactors essentially have to meet two requirements: Firstly, they should enable the simultaneous coating of as many substrates as possible, that is to say a high absorption have capacity, on the other hand shading effects or uneven coatings should be avoided.
  • US-A-4 909 183 first describes an evacuable chamber, in the center of which a rotatable holder for the coating substrate is arranged.
  • the substrate itself is surrounded by a cylindrical cathodic electrode, which is connected to an RF voltage source.
  • the substrate serves as an anode so that when the voltage is applied to the cathode, a low-pressure plasma is produced.
  • the coating material disadvantageously deposits not only on the substrate alone, but also on the cathode and other walls which enclose the plasma and are present in the room. This results in large losses of gases.
  • the TJS-A-4,991,542 also describes a reaction chamber, connected to an RF source Substrat ⁇ body is disposed in the center thereof, diametrically to its standing sides opposite ⁇ are arranged simultaneously as gas supply means serving electrodes.
  • the electrodes are funnel-shaped and have several gas outflow holes on the side facing the substrate, for example in the form of a shower.
  • ⁇ at the voltage source location with the substrate or the Sub ⁇ strathalter to combine, it can also be connected to the Gitterelektro ⁇ , the strat on either side between the sub ⁇ and the gas shower-like electrodes are arranged ange ⁇ .
  • the object is achieved by the method described in claim 1, the characterizing part of which is that an adjacent glow seam is produced in a cage which envelops the substrate body or bodies on the inner surface facing the substrate body, while one for forming the hard material -Coating suitable reactive gas mixture is passed through the interior of the cage.
  • the substrate body to be coated thus forms the center of the cage. In particular, this center is surrounded by a spherically symmetrical glow seam.
  • the cage also prevents a preferred flow direction of the reacting gases or a preferred location for the precipitation of the reaction products as a coating.
  • the cage structure in particular solves the problem that reactive tion gas share evenly ver ⁇ over the cage interior.
  • the substrate body either be electrically insulated and floating disposed in the cage or electrically conductively with the acting as an anode reactor (vessel) ⁇ be connected, for example such that the substrate and the reac ⁇ be torgefäß to ground potential.
  • Another possibility is to connect the substrate body to the voltage source producing the glow seam on the cage in an electrically conductive manner, ie to place the substrate on the cathode potential (of the cage).
  • the glow discharge is generated on the inner surfaces of the cage by a pulsed direct current, in particular ⁇ sondere which may have characteristic described in DE 38 41 731.
  • the substrate body is heated to temperatures of a maximum of 1100 ° C., but the temperature should preferably be between 400 to 600 ° C.
  • the set pressures should be at least 100 Pa to 1000 Pa in the reaction vessel.
  • the device for solving the above object is described in claim 9.
  • the innovation consists in the fact that the electrode is designed as a cage which envelops the substrate body or bodies on all sides and which is preferably essentially spherical. Further developments of the device are described in claims 10 to 20.
  • the substrate body can be mounted in the cage in an electrically insulated manner and / or can be connected in an electrically conductive manner to the outer reactor vessel acting as an anode or to the cage.
  • the substrate body can also be connected to a second voltage source, so that in each case independent potentials are generated on the substrate and on the cage. This allows, for example, high-frequency voltages to be superimposed on DC components.
  • the cage has a degree of perforation of 10 to 60%; this means the ratio of the openings to the entire inner surface of the cage.
  • the degree of perforation is preferably 30 to 40%.
  • the defined degree of perforation of the cage has an influence on the result of the coating. If it is chosen too small, the inflow of the reaction gas into the interior of the cage is hindered. However, if it is chosen too large, the cathode area for forming the glow discharge on the inner surfaces of the cage becomes relatively small. In this case, the density of the activated molecules in the reaction gas also decreases, and, as a result, the growth rate of the hard material layer forming on the substrate.
  • the ratio of the inner surface " covered with a glow seam " to the surface of the substrate body or the total surface of the substrate body is greater than 4.
  • the ratio of the perforated inner surface of the cage to that specified surface or the total surface area can be selected to be greater than 4.
  • the surfaces of the substrate body or substrates to be coated should be at least 5 mm away from the inner surface of the cage be arranged to avoid shading.
  • One or more substrates can be arranged in each cage.
  • the gas supply or the gene are Gaszu 1500un ⁇ and / or the facing apertures in the cage so court ⁇ tet that there inflowing gas is directed into the cage interior.
  • the gas flowing into the cage should have no preferred flow direction.
  • Fig. 6 shows a detail of a view of the cage.
  • This device essentially consists of a reaction vessel 10, which serves as an outer vessel and has at least one gas inlet 11 and at least one gas outlet 12.
  • the reaction vessel 10 can optionally also be heated by an external heating device, not shown, if the heat released by the glow discharge is not sufficient to heat the substrate body 14 to a specific temperature.
  • a spherical cage 13 which surrounds the substrate body 14 to be coated on all sides, but via inlet openings 15 allows reaction gases to flow freely into the interior of the cage.
  • the area defined by the inflow openings 15 relative to the total surface of the cage 13 is approximately 30 to 40%. In the present case and as shown in FIG. 6 using a section of the cage 13, an advantageous degree of perforation of 33% was chosen.
  • the substrate body 14 and the cage 13 are at cathode potential, the speaking supply lines are led through insulators 16 to the voltage source 17.
  • the reaction vessel 10 is at ground potential 19 and thus forms the anode.
  • the substrate like the reaction vessel 10, is also at ground potential 19.
  • the reaction vessel 10 is at ground potential 19, while the cage 13 is connected to the voltage source 17 and forms the cathode.
  • the substrate body is potential-free, which is ensured by the insulator 16.
  • the substrate body 14 and the cage 13 are each connected to mutually independent voltage sources 17 and -18.
  • the voltage output by the voltage source 17 or the voltage sources 17 and 18 is set in such a way that, at a predetermined pressure, a spherical shell-shaped glow seam 20 is formed around the substrate body / as is shown in FIG. 2.
  • This transition zone also "penetrates" into the cage interior / when, for example, a scarf ⁇ processing of FIG. 1 is selected or 3.
  • a glow seam is also formed on the outer surfaces of the cages 13.
  • the glow seam 20 it is necessary that the glow seam 20 be present on the inside of the cage 13, ie on the surfaces facing the substrate body 14.
  • the ratio of the inner surface of the cage 13 covered with a glow seam 20 to the surface of the substrate body or the substrate body 14 should be selected to be greater than 4.
  • FIG. 5 it is provided that a plurality of interconnected cages are arranged in the reaction vessel 10. This allows the recording assets for substrate body 14 to be coated can be increased in a simple manner. From Fig. 5 is further seen that provide a plurality of side by side or one above the other angeord ⁇ designated substrate body 14 per cage 13 and can be simultaneously tet beschich ⁇ .

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein durch eine Glimmentladung aktiviertes CVD-Verfahren zur Beschichtung von Substratkörpern (14), die sich in einem allseitig umhüllenden Käfig (13) befinden, wobei durch eine Spannungsquelle (17) auf der dem Substratkörper zugewandten Innenfläche des Käfigs ein Glimmsaum (20) erzeugt wird, während der Kathodeninnenraum zur Bildung der gewünschten Hartstoffschicht von einem geeigneten Gasgemisch bei einer vorgewählten Temperatur und einem vorgewählten Druck durchströmt wird.

Description

Beschreibung
Verfahren und Vorrichtung zur Hartstoffbeschichtung von Sub¬ stratkörpern
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Hartstoffbeschich¬ tung von Substratkörpern unter Anwendung eines durch eine Glimmentladung aktivierten CVD-Verfahrens bei Temperaturen oberhalb von 300° und Drücken unter 10000 Pa.
Die Erfindung betrifft ferner eine Vorrichtung zur Durchfüh¬ rung des genannten Verfahrens mit mindestens einem Gaseinlaß und mindestens einem mit einer Pumpe verbundenen Gasauslaß aufweisenden Reaktor, in dessen Innenraum sich ein oder meh¬ rere Substratkörper und eine oder mehrere hierzu im Abstand angeordnete mit einer Spannungsquelle verbundene Elektrode(n) befinden.
Hochtemperaturbeschichtungsverfahren haben den Nachteil, daß Zähigkeitsverluste des aus einem Substratkörper und einer hierauf aufgetragenen Hartstoffbeschichtung bestehenden Ver¬ bundkörpers nicht immer vermieden werden können. So sind beispielsweise bei Wendeschneidplatten, die mit Titancarbid beschichtet waren, bei der Bearbeitung von hochlegierten Stählen im unterbrochenen Schnitt durchweg höhere Verschleiße dann festgestellt worden, wenn die Beschichtung mit einem Hochtemperaturverfahren bei ca. 1000°C aufgetragen worden war.Bei hinreichend niedrigen Temperaturen können solche nachteiligen Auswirkungen des Beschichtungsverfahrens auf den Grundkörper jedoch vermieden werden. Von den Beschich- tungsverfahren, die bei niedrigen Temperaturen durchführbar sind, ist neben dem PVD-Verfahren das Plasma-CVD-Verfahren von Bedeutung. Überlagert man dem Reaktionsgas in einer Nie¬ derdruckglimmentladung ein Nichtgleichgewichtsplasma, so werden die in dem Gas vorhandenen Ladungsträger unter dem Einfluß des bestehenden elektrischen Feldes beschleunigt. Abhängig von der Teilchendichte bzw. dem Druck bestimmt sich auch die freie Weglänge zwischen zwei Zusammenstößen. Reicht die Teilchenenergie bei der angelegten Spannung aus, können Moleküle oder Atome zur Dissozierung oder Ionisierung angeregt werden. Hierdurch werden chemische Reaktionen mög¬ lich/ die ansonsten nur bei relativ höheren Temperaturen ab¬ laufen könnten. Die Niederdruckplasmen können prinzipiell durch Anlegen einer konstanten Gleichspannung an einem als Kathode geschalteten Werkstück, durch eine hochfrequente Wechselspannung oder durch eine gepulste Gleichspannung er¬ zeugt werden.
Die Hochfrequenzanregung, bei der die Energie induktiv oder kapazitiv von außen in das Reaktionsgefäß eingeführt werden kann/ wird zur Abscheidung von sehr reinen Schichten in der Elektrotechnik, z.B. bei Mikrochips, häufig verwendet. Da es ohne direkt mit den Substraten verbundene Elektroden arbei¬ tet, kommt es nicht darauf an, ob der Werkstoff selbst lei¬ tend oder nichtleitend ist. Nachteiligerweise ist dieses Verfahren sehr aufwendig.
Der einfachste Weg zur Erzeugung einer Niederdruckentladung ist der, das zu beschichtende Werkstück als Kathode zu schal¬ ten und den Rezipienten bzw. dessen Wände als Anode bzw. Erd¬ potential zu benutzen. Die Substrattemperatur ist hierbei eine Funktion der Spannung und des Stromes.
Weiterhin kann die Gleichspannung gepulst werden, wobei die Substrattemperatur eine Funktion der Peak-Spannung sowie des Peak-Stromes als auch der Pulsdauer und Pulsfrequenz ist. Vorteilhafterweise kann bei diesem Verfahren die Beschich- tungstemperatur unabhängig von den Niederdruckentladungspa¬ rametern, der Spannung und dem Strom eingestellt werden.
CVD-Reaktoren müssen im wesentlichen zwei Forderungen erfül¬ len: Zum einen sollen sie die gleichzeitige Beschichtung mög¬ lichst vieler Substrate ermöglichen, also eine hohe Aufnahme- kapazität besitzen, zum anderen sollen Schattierungseffekte bzw. ungleichmäßige Beschichtungen vermieden werden.
Im Hinblick auf die zweite zuvor gestellte Forderung wird be¬ reits in der DE 22 51 571 C3 vorgeschlagen, die reaktionsfä¬ higen Gase in den Reaktor vom gesamten Randbereich des Sub¬ stratträgers aus nach innen über den Substratträger und die hierauf angebrachten Substrate strömen zu lassen, wo die Gase mittig abgezogen werden. Hiermit soll eine laminare Radial¬ strömung erzielt werden. Der Reaktor enthält eine Deckplatte, die als erste Elektrode gegenüber der Substrataufnahmeplatte als zweiter Elektrode geschaltet ist. Zur Plasmaerzeugung wird eine Hochfreq enzspannung verwendet.
In der US-A-4 909 183 wird zunächst eine evakuierbare Kammer beschrieben, in deren Mitte eine rotationsfähige Halterung für das Beschichtungssubstrat angeordnet ist. Das Substrat selbst wird von einer zylinderförmigen kathodischen Elektrode umgeben, die mit einer HF-Spannungsquelle verbunden ist. Das Substrat dient als Anode, so daß bei angelegter Spannung an der Kathode ein Niederdruckplasma entsteht. Nachteiligerweise scheidet sich der Beschichtungswerkεtoff nicht nur auf dem Substrat allein ab, sondern auch auf der Kathode sowie ande¬ ren im Raum vorhandenen, das Plasma einschließenden Wänden. Hierdurch ergeben sich große Verluste an Gasen. Nachteilig sei schließlich auch, daß sich bisweilen von der Elektrode bzw. weiteren Wänden in dem Reaktorgefäß dort niedergeschla¬ gene Beschichtungsteile lösen und auf das Werkstück fallen, wo sie unerwünschte. Defekte verursachen.
Zur Abhilfe der vorgenannten Nachteile wird in der US-A-4 909 183 daher vorgeschlagen, die anodisch geschalteten Substratkörper auf einer Kreisbahn im Abstand von der Reak¬ torwand nebeneinander und in der Reaktormitte die mit der HF-. Quelle verbundene Kathode anzuordnen. Das Reaktionsgas soll an einer Einlaßöffnung im Reaktormantel einströmen. Die Substratkörper befinden sich auf einer Vielzahl von Rotati- onsantrieben, die eine ausreichende Beschichtung der Sub¬ strate gewährleisten sollen.
Die TJS-A-4 991 542 beschreibt ebenfalls eine Reaktionskammer, in deren Mitte ein mit einer HF-Quelle verbundener Substrat¬ körper angeordnet ist, zu dessen Seiten diametral gegenüber¬ stehende, gleichzeitig als Gaszufuhreinrichtungen dienende Elektroden angeordnet sind. Die Elektroden sind trichterför¬ mig aufgebaut und besitzen etwa in Form einer Dusche mehrere Gasausströmlöcher an der dem Substrat zugewandten Seite. An¬ stelle die Spannungsquelle mit dem Substrat bzw. dem Sub¬ strathalter zu verbinden, kann diese auch mit Gitterelektro¬ den verbunden sein, die jeweils beidseitig zwischen dem Sub¬ strat und der gasduschenartig ausgebildeten Elektrode ange¬ ordnet sind.
Alle bisher beschriebenen Verfahren bzw. Vorrichtungen konn¬ ten jedoch nur unbefriedigende Ergebnisse hinsichtlich einer gleichmäßigen Beschichtung der Substratkörper liefern. Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren und eine Vorrichtung anzugeben, welche diesen Mangel abstellen.
Die Aufgabe wird durch das im Anspruch 1 beschriebene Verfah¬ ren gelöst, dessen kennzeichnender Teil darin besteht, daß in einem den oder die Substratkörper allseitig umhüllenden Käfig auf der dem Substratkörper zugewandten Innenfläche ein an¬ grenzender Glimmsaum erzeugt wird, während ein zur Bildung der Hartstoff-Beschichtung geeignetes reaktives Gasgemisch durch den Käfiginnenraum geleitet wird. Im wesentlichen bil¬ det somit der zu beschichtende Substratkörper das Zentrum des Käfigs. Insbesondere wird dieses Zentrum durch einen sich kugelsymmetrisch umhüllenden Glimmsaum umgeben. Der Käfig verhindert auch eine bevorzugte Strömungsrichtung der rea¬ gierenden Gase bzw. einen bevorzugten Ort des Niederschlages der Reaktionsprodukte als Beschichtung. Durch die Kä¬ figstruktur wird insbesondere das Problem gelöst, das Reak- tionsgas über den ganzen Käfiginnenraum gleichmäßig zu ver¬ teilen.
Weitere Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens sind in den Ansprüchen 2 bis 8 beschrieben.
Somit kann der Substratkörper entweder elektrisch isoliert und potentialfrei in dem Käfig angeordnet sein oder mit dem als Anode wirkenden Reaktor (Gefäß) elektrisch leitend ver¬ bunden sein, etwa dergestalt, daß das Substrat und das Reak¬ torgefäß auf Massepotential gelegt werden. Eine weitere Mög¬ lichkeit ist dadurch gegeben, den Substratkörper mit der den Glimmsaum am Käfig erzeugenden Spannungsquelle elektrisch leitend zu verbinden, d.h., das Substrat auf das Kathodenpo¬ tential (des Käfigs) zu legen.
Nach einer weiteren Variante der Erfindung kann auch eine von der Spannungsquelle des Käfigs unabhängige zweite Spannungs¬ quelle an dem Substratkörper anliegen und ein vom Käfigpoten¬ tial unabhängiges Potential erzeugen.
Vorzugsweise wird die Glimmentladung auf den Innenflächen des Käfigs durch einen gepulsten Gleichstrom erzeugt, die insbe¬ sondere die in der DE 38 41 731 beschriebene Charakteristik aufweisen kann. Der Substratkörper wird auf Temperaturen von maximal 1100°C erhitzt, vorzugsweise sollte die Temperatur jedoch zwischen 400 bis 600°C liegen. Die eingestellten Drücke sollten mindestens 100 Pa bis 1000 Pa in dem Reakti¬ onsgefäß betragen.
Die Vorrichtung zur Lösung der vorgenannten Aufgabe wird im Anspruch 9 beschrieben. Die Neuerung besteht darin, daß die Elektrode als ein den oder die Substratkörper allseitig um¬ hüllender Käfig ausgebildet ist, der vorzugsweise im wesent¬ lichen kugelförmig ist. Weiterbildungen der Vorrichtung sind in den Ansprüchen 10 bis 20 beschrieben.
So kann der Substratkörper elektrisch isoliert in dem Käfig angebracht sein und/oder mit dem als Anode wirkenden äußeren Reaktorgefäß oder dem Käfig elektrisch leitend verbunden sein. Alternativ hierzu kann der Substratkörper auch mit ei¬ ner zweiten Spannungsquelle verbunden sein, womit jeweils un¬ abhängige Potentiale am Substrat und am Käfig erzeugt werden. Hierdurch lassen sich beispielsweise Hochfrequenzspannungen mit Gleichstromanteilen überlagern.
Der Käfig besitzt nach einer konkreten Ausgestaltung der Er¬ findung einen Perforationsgrad von 10 bis 60 %; hierunter wird das Verhältnis der Öffnungen zur gesamten Innenfläche des Käfigs verstanden. Vorzugsweise beträgt der Perforations- grad jedoch 3O bis 40 %. Der definierte Perforationsgrad des Käfigs hat einen Einfluß auf das Ergebnis der Beschichtung. Wird er zu klein gewählt, so wird die Einströmung des Reak¬ tionsgases in das Käfiginnere behindert. Wird er jedoch zu groß gewählt, wird die Kathodenfläche zur Ausbildung der Glimmentladung an den Innenflächen des Käfigs relativ klein. In diesem Fall nimmt auch die Dichte der aktivierten Moleküle im Reaktionsgas ab, und als Folge davon auch die.Wachstumsge¬ schwindigkeit der sich auf dem Substrat bildenden Hartstoff¬ schicht.
Weiterhin hat sich als günstige Bemaßung der Käfiginnenfläche ergeben, daß das Verhältnis der mit einem Glimmsaum überzoge¬ nen Innenfläche"des Käfigs zur Oberfläche des Substratkörpers oder der Gesamtoberfläche der Substratkörper größer als 4 ist. Alternativ hierzu kann das Verhältnis der perforierten Innenfläche des Käfigs zu der genannten Oberfläche bzw. der Gesamtoberfläche größer als 4 gewählt werden.
Die zu beschichtenden Flächen des oder der Substratkörper sollten mindestens 5 mm von der Käfiginnenfläche entfernt angeordnet sein, um Abschattierungen zu vermeiden. In jedem Käfig können ein oder mehrere Substrate angeordnet sein. Vorzugsweise ist die Gaszuführung bzw. sind die Gaszuführun¬ gen und/oder die in den Käfig weisenden Öffnungen so gerich¬ tet, daß dort einströmendes Gas in das Käfiginnere geleitet wird. Auch hierbei soll das in den Käfig einströmende Gas keine Vorzugsströmungsrichtung aufweisen.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt. Es zeigen
Fig. 1 bis 5 jeweils schematische Ansichten einer erfin¬ dungsgemäßen Vorrichtung und
Fig. 6 einen Ausschnitt einer Ansicht des Käfigs.
Diese Vorrichtung besteht im wesentlichen aus einem Reakti¬ onsgefäß 10, der als äußeres Gefäß dient und mindestens einen Gaseinlaß 11 sowie mindestens einen Gasauslaß 12 aufweist. Das Reaktionsgefäß 10 kann ggf. zusätzlich noch durch eine äußere nicht dargestellte Heizvorrichtung beheizt werden, wenn die durch die Glimmentladung freigesetzte Wärme nicht ausreicht, um den Substratkörper 14 auf eine bestimmte Tempe¬ ratur zu erwärmen.
Inmitten des Reaktionsgefäßes befindet sich ein kugelförmiger Käfig 13, der den zu beschichtenden Substratkörper 14 allsei¬ tig umhüllt, jedoch über Einströmöffnungen 15 erlaubt, daß Reaktionsgase, in das Käfiginnere ungehindert einströmen kön¬ nen. Die durch die Einströmöffnungen 15 definierte Fläche re¬ lativ zur Gesamtoberfläche des Käfigs 13 beträgt etwa 30 bis 40 %. Im vorliegenden Fall und wie in Fig. 6 anhand eines Teilstückes des Käfigs 13 dargestellt, wurde ein vorteilhaf¬ ter Perforationsgrad von 33 % gewählt.
In der Ausführungsform nach Fig. 1 liegen der Substratkör¬ per 14 und der Käfig 13 auf Kathodenpotential, wobei die ent- sprechenden Zuführleitungen durch Isolatoren 16 zu der Span¬ nungsquelle 17 geführt werden. Das Reaktionsgefäß 10 liegt auf Massepotential 19 und bildet somit die Anode.
Alternativ hierzu befindet sich nach Fig. 2 das Substrat ebenfalls wie das Reaktionsgefäß 10 auf Massepotential 19.
Nach Fig. 3 liegt das Reaktionsgefäß 10 auf Massepoten¬ tial 19, während der Käfig 13 mit der Spannungsquelle 17 verbunden ist und die Kathode bildet. Der Substratkörper ist potentialfrei, was durch den Isolator 16 gewährleistet ist. Nach Fig. 4 sind der Substratkörper 14 sowie der Käfig 13 mit jeweils voneinander unabhängigen Spannungsquellen 17 und -18 verbunden. Die durch die Spannungsquelle 17 bzw. die Spannungsquellen 17 und 18 ausgegebene Spannung wird so ein¬ gestellt, daß bei fest vorgegebenem Druck ein kugelschalen- förmiger Glimmsaum 20 rund um den Substratkörper entsteht/ wie dies in Fig. 2 dargestellt ist. Dieser Glimmsaum "dringt" auch dann in das Käfiginnere/ wenn beispielsweise eine Schal¬ tung nach Fig. 1 oder 3 gewählt wird. Der Vollständigkeit halber sei angemerkt, daß bei den beschriebenen Anordnungen auch an den Außenflächen der Käfige 13 ein Glimmsaum ent¬ steht. Für die Erzielung einer gleichmäßigen Schichtdicke auf dem Substraktkörper 14 ist es jedoch notwendig, daß der Glimmsaum 20 auf der Innenseite des Käfigs 13, d.h. auf der dem Substratkörper 14 zugewandten Flächen vorhanden ist.
Um mit den beschriebenen Anordnungen ausreichend hohe Schichtwachstumsraten von mehr als etwa 1 μm pro Stunde zu erhalten, sollte das Verhältnis der mit einem Glimmsaum 20 überzogenen Innenfläche des Käfigs 13 zur Oberfläche des Sub¬ stratkörpers oder der Substratkörper 14 größer als 4 gewählt werden.
In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung nach Fig. 5 ist vorgesehen, daß in dem Reaktionsgefäß 10 mehrere, miteinander verbundene Käfige angeordnet sind. Dadurch kann das Aufnahme- vermögen für zu beschichtende Substratkörper 14 in einfacher Weise erhöht werden. Aus Fig. 5 ist ferner ersichtlich, daß pro Käfig 13 auch mehrere neben- oder übereinander angeord¬ nete Substratkörper 14 vorgesehen und gleichzeitig beschich¬ tet werden können.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Hartstoff-Beschichtung von Substratkör¬ pern unter Anwendung eines durch eine Glimmentladung aktivierten CVD-Verfahrens bei Temperaturen oberhalb von 300°C und Drücken unter 10000 Pa, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß in einem den oder die Substratkörper allseitig umhüllenden Käfig auf der dem Substratköper zuge¬ wandten Innenfläche ein Glimmsaum erzeugt wird, wäh¬ rend ein zur Bildung der Hartstoff-Beschichtung ge¬ eignetes reaktives Gasgemisch durch den Käfiginnen¬ raum geleitet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Substratkörper elektrisch isoliert in dem Kä¬ fig angeordnet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet/ daß der Substratkörper mit dem als Anode wirkenden Reaktionsgefäß elektrisch leitend verbunden ist.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Substratkörper mit der den Glimmsaum am Käfig erzeugenden Spannugsquelle elektrisch leitend verbun¬ den ist.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß durch eine von der Spannungsquelle des Käfigs un¬ abhängige zweite Spannungquelle an dem Substratkörper ein von dem Käfigpotential unabhängiges Potential er¬ zeugt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Glimmentladung auf der Innen¬ fläche des Käfigs durch einen gepulsten Gleichstrom erzeugt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Substratkörper auf Temperatu¬ ren bis 1100°C, vorzugsweise zwischen 400 bis 600°C, erhitzt wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 1 , dadurch gekennzeichnet, daß ein Druck von mindestens 100 Pa bis 1000 Pa in dem Reaktionsgefäß eingestellt wird.
9. Vorrichtung zur Hartstoffbeschichtung von Substrat¬ körpern (14) mittels eines durch eine Glimmentladung aktivierten CVD-Verfahrens, mit mindestens einen Gaseinlaß (11) und mindestens einen mit einer Pumpe verbundenen Gasauslaß aufweisendes Reaktionsge¬ fäß (10), in dessen Innenraum sich ein oder mehrere Substratkörper (14) und eine oder mehrere hier im Ab¬ stand angeordnete, mit einer Spannungsquelle (17) verbundene Elektroden befinden, dadurch gekennzeich¬ net, daß die Elektrode oder jede Elektrode als ein den oder die Substratkörper (14) allseitig umhüllen¬ der Käfig (13) ausgebildet ist.
10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Käfig (13) im wesentlichen kugelförmig ausge¬ bildet ist.
11. Vorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekenn¬ zeichnet, daß der Substratkörper (14) elektrisch iso¬ liert in dem Käfig (13) angeordnet ist.
12. Vorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekenn¬ zeichnet, daß der Substratkörper (14) mit dem als An¬ ode wirkenden äußeren Reaktionsgefäß (10) elektrisch leitend verbunden ist.
13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Substratkörper (14) mit der den Glimmsaum am Käfig (13) erzeugenden Span¬ nungsquelle (17) elektrisch leitend verbunden ist.
14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Käfig (13) und der oder die Substratkörper (14) jeweils mit voneinander getrennten Spannungsquellen (17) verbunden sind.
15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß der Käfig einen Perfora¬ tionsgrad, d.h. ein Verhältnis der Öffnungen zur ge¬ samten Innenfläche des Käfigs von 10 bis 60 %, vor¬ zugsweise von 30 bis 40 %, besitzt.
16. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 15, dadurch gekennzeichnet/ daß das Verhältnis der perfo¬ rierten Innenfläche des Käfigs 13 zur Oberfläche des Substratkörpers 14 oder der Substratkorper 14 größer als 4 ist.
17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis der mit einem Glimmsaum 20 überzogenen Innenfläche des Kä¬ figs 14 zur Oberfläche des Substratkörpers oder der Substratkörper größer als 4 ist.
18. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 17/ dadurch -gekennzeichnet, daß die zu beschichtenden Flächen des oder der Substratkörper(s) (14) minde¬ stens 5 mm, vorzugsweise 10 mm oder mehr von der Kä¬ figinnenfläche entfernt angeordnet sind.
19. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß in dem Reaktionsge¬ fäß (10) mehrere, vorzugsweise miteinander verbundene Käfige (13) angeordnet sind.
20. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Gaszuführung (11) und/oder die in den Käfig weisenden Öffnungen (15) so gerichtet oder angeordnet ist/sind, daß dort ein¬ strömendes Gas in das Käfiginnere geleitet wird.
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