EP0865663A1 - Hf-plasmabehandlungskammer bzw. pecvd-beschichtungskammer, deren verwendungen und verfahren zur beschichtung von speicherplatten - Google Patents

Hf-plasmabehandlungskammer bzw. pecvd-beschichtungskammer, deren verwendungen und verfahren zur beschichtung von speicherplatten

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EP0865663A1
EP0865663A1 EP96937971A EP96937971A EP0865663A1 EP 0865663 A1 EP0865663 A1 EP 0865663A1 EP 96937971 A EP96937971 A EP 96937971A EP 96937971 A EP96937971 A EP 96937971A EP 0865663 A1 EP0865663 A1 EP 0865663A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
chamber
substrate
coating
generator
arrangement
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP96937971A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Jürgen WEICHART
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
OC Oerlikon Balzers AG
Original Assignee
Balzers AG
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Filing date
Publication date
Application filed by Balzers AG filed Critical Balzers AG
Publication of EP0865663A1 publication Critical patent/EP0865663A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/32238—Windows
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma

Definitions

  • the present invention is based on problems and needs which have arisen in the production of CDs.
  • the resulting solutions can, however, be used in a fundamental way for other applications. Therefore, in the present description, the needs and problems in CD production are specifically taken as a starting point. Approaches according to the invention are described in order to then, generally speaking, show how the principles found can generally be used.
  • the aforementioned coating is also foreign to the species.
  • the above-mentioned problems are dealt with in their formation according to the Characteristic of claim 1 solved, ie in that the high-frequency discharge circuit also includes the substrate as a capacitive coupling element.
  • a metal-coated dielectric substrate also acts as an electrode with respect to high-frequency plasmas in the lower frequency range.
  • the basic finding according to claim 1 is that the required high-frequency power can thereby be kept low, which solves the problem of the temperature load. At the same time, however, such high coating rates are achieved that the required effective protective layers can be removed in extremely short coating times, even of one second.
  • deposited protective layers with a comparable layer thickness are even harder than conventional lacquer layers. Furthermore, the layers are deposited practically exclusively on the high-frequency coupling surface acting substrate surface to be coated.
  • a chamber which is optimized in every respect results from the simultaneous implementation of the coupling technique according to claim 1 on the chamber with minimum volume according to claim 2.
  • a protective coating method according to the invention for storage disks, in particular optical storage disks, such as CDs, is therefore also created, which is embodied in the continuous production process as a vacuum coating method and is therefore of the same type as the fast sputtering method usually provided for metal coating .
  • a high-frequency PECVD method is preferably used, in which the high-frequency plasma discharge energy is coupled into the process space via the substrate.
  • PECVD designed coating chamber according to the invention schematically and in cross section;
  • FIG. 2 shows a further coating chamber according to the invention specifically designed for the Hf-PECVD protective coating of CDs
  • FIG. 4 schematically, in a representation analogous to FIG. 3, the coupling technique used in the chamber according to FIG. 2 on a substrate without a metal coating;
  • FIG. 5 in a representation analogous to Figs. 3 and 4, a further coupling technique according to the invention
  • FIG. 6 schematically, an Hf-PECVD coating chamber according to the invention, which, combined, has the features according to the invention of the chamber according to FIG. 1 and the chamber according to FIG. 2.
  • the chamber according to the invention around the central axis C is extremely flat, in the special case as a flat cylinder.
  • the two-dimensional chamber walls 5 lying opposite each other with respect to the central axis C are essentially identical and carry, centrally, each pumping nozzle 7, a receptacle 9 for the periphery of the substrates to be coated 1. Because the chamber itself is designed according to the invention, which is not the case when the substrates 1 to be coated are picked up, the substrates 1 are shown in dashed lines.
  • the receptacles 9 each define receptacle surfaces 11 for the substrates 1 to be raised.
  • the pump nozzles 7 are designed such that they protrude through the openings provided in the substrate and, if necessary, also serve to hold or position the substrate with the receptacles 9.
  • the chamber walls 5 are spaced such that the receiving surfaces 11 for the substrates 1 are at a distance A which must be at least large enough to avoid uncontrollable cavity discharges between the plates, which is at least 10 mm.
  • the deposition on the cylinder jacket surfaces should be as small as possible, so that the distance A should be smaller than the plate radius.
  • gas feeds 13 which are connected to a reactive gas tank (not shown), open into the area of both walls 5, preferably distributed.
  • Pump units (not shown) are connected to the pumping nozzle 7.
  • the latter is connected to a generator 19 for maintaining the plasma discharge in the process space 20, as are preferably both walls 5.
  • the generator 19 can be designed as a DC generator or as an AC generator or emit a superimposition of the DC + AC signal or can emit a pulsating signal.
  • the layer thickness measured on a measuring circle with a radius of 20 mm on the CD, was 430 nm, and 436 nm on a measuring circle with a radius of 55 mm.
  • the polycarbonate CD substrate showed no thermal impairment whatsoever.
  • a disadvantage of the chamber presented in FIG. 1 is that the preferably annular electrode 17 is also coated.
  • the coating rate determined on the electrode 17 in the example mentioned above was approximately three times higher than on the substrate. In the event of prolonged operation without cleaning, problems can therefore arise as a result of flaking layers from the electrode, which can contaminate the substrate coating and / or disrupt the plasma discharge.
  • FIG. 1 This shows the chamber according to the invention, again specifically for the protective coating of circular disk-shaped dielectric substrates, in particular storage disks with plastic substrates, again in particular for CDs.
  • the pumping nozzle 7 is designed such that it protrudes through the center opening of the inserted substrate 1.
  • the reactive gas inlets 13 open, preferably distributed, whereby in the embodiment shown here, in contrast to that according to FIG. 1, which is not mandatory, however, a separate gas inlet 13a for the reactive gas 0 2 is provided with a separate pump nozzle 7a.
  • the remaining metallic parts of the chamber are connected to the reference potential, in particular ground potential.
  • both socket 7 and flange 13a are preferably electrically insulated from the chamber wall or formed as an insulator (not shown), the chamber wall is at reference potential.
  • the electrode 21 on the one hand, the plastic body of the substrate 1 on the other hand and the metal coating 3 act as coupling capacitance, through which the high-frequency energy is transmitted into the Reaction space 20 is coupled.
  • the metal layer 3 or its surface acts as an equipotential surface, the uniformity of the coating thickness distribution is very good, for example with deviations of at most 4% from the mean.
  • the deposition rate on reactor parts not to be coated was measured at a distance of 1/30 of the CD coating rate at a distance from the CD surface to be coated.
  • optical storage disks such as CDs
  • Base pressure ⁇ 8Pa, which can be achieved in a very short time with a two-stage rotary vane pump.
  • Process pressure 30 to 10OPa, preferably approx. 60Pa.
  • Monomer preferably a siloxane compound, such as, for example, hexamethyldisiloxane or divinyltetramethyldisiloxane c, preferably supplied on the circumference of the substrate to be coated.
  • siloxane compound such as, for example, hexamethyldisiloxane or divinyltetramethyldisiloxane c
  • Another reactive gas preferably oxygen, not necessarily supplied at the periphery of the substrate to be coated.
  • Plasma operating frequency 1 to 500 MHz, preferably 13.56 MHz for reasons of availability.
  • Process time 1 to 15sec.
  • a plasma pretreatment in pure oxygen is preferably carried out for a process time of 0.1 to isec.
  • the coating process carried out with the chambers according to the invention runs at relatively high pressure and is not sensitive to residual air, i.e. as mentioned, a two-stage rotary vane pump is sufficient for pumping.
  • the high-frequency power required is low, for example 600W, which enables corresponding savings, inter alia when the generator is provided.
  • Effective corrosion protection layers can be produced in very short process cycle times of lsec. With a comparable layer thickness, the layers are harder than wet-applied lacquer layers. The deposition takes place practically only as desired on the substrate.
  • the chambers, both according to Fig. 1 and Fig. 2 can be easily set up for automatic handling.
  • the procedure according to FIG. 2 with high-frequency coupling through the substrate can be used for many other high-frequency plasma treatment methods, e.g. be used for reactive etching processes of the substrate, further e.g. for the deposition of dielectric intermediate layers or metal organic compounds as metallic layers on dielectric substrates.
  • microwave energy can be injected into the process space 20 through the dielectric substrate 1, provided that it is not metallically coated, where the substrate 1 is non-conductively coated or etched.
  • a non-metallic precoated substrate 1 can be treated by coupling the high-frequency energy of the generator 19 into the process space 20 via the electrode 21 and thereby acting as a capacitance counterelectrode with respect to the electrode 21. It should be emphasized that, as shown specifically in FIG. 5, in the chamber according to FIG. 2 as well as in FIG. 4 the electrode 21 does not have to be exposed against the process space 20 in order to contact the substrate 1 directly. It can be covered electrically.
  • the coupling method according to the invention can also be carried out if, as with the CD, the surface to be coated and / or the back of the substrate is metal-coated.
  • the dielectric carrier of the substrates takes on the function of a coupling capacitance in an HF discharge.
  • the resulting soap-bias voltage on the metal layer has an advantageous effect on increasing the coating rate and its uniformity - by forming an equipotential surface.
  • the electrode surface or its projection should not be larger than the surface of the metal layer.
  • FIG. 6 shows a further preferred embodiment of a chamber according to the invention, which results from the consideration of FIGS. 1 and 2 without further explanation.
  • the coupling principle via the substrate 1 according to FIG. 2 is used on the chamber according to FIG. 1.
  • the two coupling electrodes 21 provided on the chamber according to FIG. 6 are preferably operated by the same high-frequency generator if a symmetrical discharge, as in the vast majority of cases, is to be achieved, as shown in dashed lines at 19a.
  • the flanges 13a and the connecting piece 7, what has been said in relation to FIG. 2 applies.

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Abstract

Um unter Einhalt für Kunststoff geeigneter Temperaturen dielektrische Substrate innerhalb kurzer Zykluszeiten schutzzubeschichten, wird eine Beschichtungskammer vorgeschlagen, bei der ein Hochfrequenzplasma durch Einkoppeln von Hochfrequenzenergie ab einem Generator (19) durch das Substrat (1) erstellt wird und bei der sich gegenüberliegende Berandungsflächen des Prozessraumes (20) im wesentlichen abschliessend durch die zu beschichtenden Substratflächen gebildet werden.

Description

Hf-Plasmabehandlungskainmer bzw. PECVD-Beschichtungska-.ra.er, deren Verwendungen und Verfahren zur Beschichtung von Spei¬ cherplatten
Die vorliegende Erfindung geht von Problemen und Bedürfnissen aus, welche sich bei der Fertigung von CDs ergeben haben. Die resultierenden Lösungen sind aber in grundsätzlicher Art für andere Anwendungen einsetzbar. Deshalb wird in der vorliegen¬ den Beschreibung erst spezifisch von den Bedürfnissen und Problemen bei der CD-Fertigung ausgegangen, erfindungsgemässe Lösungsansätze werden beschrieben, um darnach, verallgemei¬ nernd, aufzuzeigen, wie die gefundenen Prinzipien generell einsetzbar sind.
In der Fertigung von CDs hat sich durchgesetzt, die einzelnen Kunststoffsubstrate mit sehr kurzen Zykluszeiten pro Bearbei¬ tungsschritt, im Sekundenbereich, zu behandeln. Zum Aufbrin¬ gen der reflektierenden Metallschicht hat sich dabei die Va- kuumsputtertechnik durchgesetzt. Die anschliessende Lackie¬ rung mit einem Schutzlack erfolgt dabei in einem Nassbe- schichtungsverfahren.
Insbesondere die nachfolgende schnelle Härtung des Lacks un¬ ter ultraviolettem Licht stellt ein Problem bei der Zuverläs¬ sigkeit der CD-Fertigung dar.
Bezüglich der Vakuumbeschichtungstechnik, die üblicherweise für die Metallbeschichtung eingesetzt wird, ist die erwähnte Lackierung auch artfremd.
Damit die sehr kurzen Metallbeschichtungs-Zykluszeiten nicht durch weit längere Nasslack-Beschichtungsprozess-Zykluszeiten zunichte gemacht werden, sind für den Lackierungsprozess hohe technische Aufwendungen zu betreiben.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vakuumbehand¬ lungskarπmer zu schaffen, die es ermöglicht, die erwähnten Schutzschichten in einem der Sputtertechnik artverwandten Va- kuumprozess mit den geforderten kurzen Zykluszeiten zu reali¬ sieren.
Aus der Vakuumbeschichtungstechnik sind nun durchaus Verfah¬ ren bekannt, nichtleitende Schichten, wie Korrosionsschutz¬ schichten, abzulegen. Dabei sind aber üblicherweise wesent¬ lich längere Beschichtungszeiten in Kauf zu nehmen als die oben angegebenen geforderten wenigen Sekunden.
Sind wie beispielsweise bei bekannten, sogenannten plasma en- hanced chemical vapor deposition (PECVD) -Verfahren mit Mikro¬ wellen-Plasmaentladungen im Innern der Plasmaentladung Be- schichtungsraten von ca. 40nm/sec möglich, so sind doch die hierzu notwendigen Plasmadichten derart hoch, dass die resul¬ tierenden Temperaturbelastungen eine Beschichtung an Kunst¬ stoffSubstraten nicht erlauben. Das Substrat müsste zur Ein¬ haltung der Kunststoff (z.B. PMMA oder Polycarbonat) -erträgli¬ chen Temperaturen so weit aus dem Bereich höchster Plasma¬ dichte gefahren werden, dass dann wiederum, aufgrund der dort geringeren Beschichtungsrate, die geforderten kurzen Zyklus¬ zeiten nicht eingehalten werden könnten.
Zudem sind Schichten, die im Randbereich von Mikrowellenent¬ ladungen mit hoher Rate abgeschieden werden, erfahrungsgemass häufig von lockerem Aufbau und damit für den Einsatz als Kor¬ rosionssperrschichten nicht geeignet.
Zusammenfassend kann mithin ausgesagt werden, dass die ge- meinsame Erfüllung der kurzen Zykluszeiten, im Sekundenbe¬ reich bei geforderter Beschichtungsdicke, und der einzuhal¬ tenden Temperaturbelastung sowie der Erhalt einer ausreichen¬ den Schichtqualität bis anhin als mit Vakuumbeschichtungsver- fahren nicht erfüllbar angesehen wurde.
Weniger grundsätzlicher Art haben weiter bekannte Hochfre¬ quenz-CVD-Verfahren den Nachteil, dass nicht nur das Sub¬ strat, sondern auch Hf-Einkopplungsanordnungen beschichtet werden, seien dies, bei Mikrowellenplasmen, dielektrische Einkopplungsfenster oder, bei tieferen Frequenzen, metalli¬ sche Einkopplungselektroden. Das Reinigen mit Austausch der erwähnten Teile oder durch plasmachemisches in situ-Reinigen ist mit der Forderung über lange Zeiten einzuhaltender kurzer Zykluszeiten nicht vereinbar.
Damit ist es weiter Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vorrichtung und ein Verfahren für eine rasche und wirtschaft¬ liche Abscheidung von Schichten aus der Gasphase zu ent¬ wickeln, wobei ein geringer Schichtmaterialverlust und eine hohe Homogenität gefordert sind.
An einer Hochfrequenz-Plasmabehandlungskammer nach dem Ober¬ begriff von Anspruch 1, mit Blick auf die CD-Produktionspro- bleme, dann als Beschichtungskammer ausgebildet, in diesem Fall auch insbesondere für ein PECVD-Verfahren ausgelegt, werden die obgenannten Probleme bei deren Ausbildung nach dem Kennzeichen von Anspruch 1 gelöst, d.h. dadurch, dass der Hochfrequenz-Entladestromkreis das Substrat als kapazitives Einkopplungselement mitumfasst.
Während bei der spezifischen Anwendung auf metallbeschichtete dielektrische, insbesondere KunststoffSubstrate, wie bei der CD-Produktion, eine Verwendung des Substrates als Mikrowel- len-Einkopplungsfenster nicht in Frage kommt, ist, unter ei¬ nem generellen Aspekt der vorliegenden Erfindung nach An¬ spruch 1, die Mikrowelleneinkopplung durch das dielektrische Substrat dann durchaus möglich, wenn auch die vorgenommene Beschichtung dielektrisch ist.
Grundsätzlich übernimmt erfindungsgemäss auch ein metallbe¬ schichtetes dielektrisches Substrat bezüglich Hochfrequenz¬ plasmen im tieferen Frequenzbereich Elektrodenfunktion.
Die grundlegende Erkenntnis nach Anspruch 1 ist, dass dadurch die erforderliche Hochfrequenzleistung niedrig gehalten wer¬ den kann, womit das Problem der Temperaturbelastung gelöst ist. Dabei werden aber gleichzeitig derart hohe Beschich- tungsraten erzielt, dass sich in äusserst kurzen Beschich- tungsZeiten, gar von einer Sekunde, die geforderten wirkungs¬ vollen Schutzschichten ablegen lassen.
Zudem wurde gefunden, dass die so, d.h. in einem Hochfre¬ quenz-PECVD-Beschichtungsverfahren mit der Kammer nach An¬ spruch 1, abgelegten Schutzschichten bei vergleichbarer Schichtdicke gar härter sind als konventionelle Lackschich¬ ten. Im weiteren erfolgt dabei die Schichtabscheidung prak¬ tisch ausschliesslich auf der als Hochfrequenz-Einkopplungs- flache wirkenden, zu beschichtenden Substratfläche.
Spezifischer an einer PECVD-Beschichtungskammer nach dem Oberbegriff von Anspruch 2 lassen sich die oben erwähnten Probleme, vorerst unabhängig vom Vorschlag nach Anspruch 1, durch deren Ausbildung nach dem Kennzeichen von Anspruch 2 beheben. Diese Ausbildung zielt vorerst darauf ab, die Be¬ schichtung von Prozesskammer-Wandbereichen, ausser den zu be- schichtenden Substraten, so gering wie möglich zu halten. Nachteilig bleibt aber bei diesem Lδsungsansatz, für sich allein betrachtet, dass die Beschichtungsrate an nicht sub¬ stratbelegten Prozesskammerwänden weiterhin hoch bleibt, so dass sich bei längerem Betrieb ohne Reinigung Probleme durch abplatzende Schichten ergeben. Anderseits werden aber auch bei dieser Kammer hohe Beschichtungsraten bei den geforderten tiefen Belastungstemperaturen erzielt.
Eine in jeder Beziehung optimierte Kammer ergibt sich durch gleichzeitige Realisation der Einkopplungstechnik nach An¬ spruch 1 an der Kammer mit Minimalvolumen nach Anspruch 2.
Es wird mithin auch ein erfindungsgemässes Schutzbeschich- tungsverfahren für Speicherplatten, insbesondere optische Speicherplatten, wie CDs, nach Anspruch 11 geschaffen, wel¬ ches im Durchlauf-Herstellungsverfahren als Vakuumbeschich¬ tungsverfahren ausgebildet ist und mithin artgleich ist wie das für die Metallbeschichtung üblicherweise vorgesehene schnelle Sputterverfahren. Es wird, dem Wortlaut von Anspruch 12 folgend, bevorzugterweise ein Hochfrequenz-PECVD-Verfahren eingesetzt, bei dem die Hochfrequenz-Plasmaentladungsenergie über das Substrat in den Prozessraum eingekoppelt wird.
Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung werden anschlies¬ send anhand von Figuren erläutert, davon ausgehend, anhand weiterer Figuren und abrückend von der spezifischen CD- bzw. Speicherplatten-Herstellung, den erfindungsgemässen Prinzi¬ pien folgende weitere Ausführungsformen der Erfindung vorge¬ stellt.
Besonders bevorzugte Ausführungsformen sind in den Ansprüchen 3 bis 8 bezüglich der erfindungsgemässen Behandlungskammer spezifiziert, deren bevorzugte Verwendungen in den Ansprüchen 9 und 10.
In den Figuren zeigen:
Fig. 1 eine spezifisch für die CD-Schutzbeschichtung mit
PECVD ausgelegte erfindungsgemässe Beschichtungskam¬ mer, schematisch und im Querschnitt;
Fig. 2 eine spezifisch für die Hf-PECVD-Schutzbeschichtung von CDs ausgelegte, weitere erfindungsgemässe Be¬ schichtungskammer;
Fig. 3 ausgehend von der Beschichtungskammer nach Fig. 2, schematisch, die erfindungsgemässe Hf-Einkopplungs- technik für die Behandlung von nichtmetallbeschich¬ teten dielektrischen Substraten im Mikrowellen-Plas¬ ma;
Fig. 4 schematisch, in Darstellung analog zu Fig. 3, die bei der Kammer nach Fig. 2 eingesetzte Einkopplungs- technik an einem Substrat ohne Metallbeschichtung;
Fig. 5 in Darstellung analog zu den Fig. 3 und 4, eine weitere erfindungsgemässe Einkopplungstechnik;
Fig. 6 schematisch, eine erfindungsgemässe Hf-PECVD-Be- schichtungskammer, welche, kombiniert, die erfin¬ dungsgemässen Merkmale der Kammer nach Fig. 1 und der Kammer nach Fig. 2 aufweist.
Gemäss Fig. 1 ist als ein erstes Beispiel spezifisch für die Schutzbeschichtung kreisscheibenförmiger Substrate 1 mit ei- ner Zentrumsöffnung, nämlich insbesondere von Speicherplat¬ ten, dabei insbesondere optischer Speicherplatten, wie CDs, mit Metall-, beispielsweise Aluminiumbeschichtung 3, die er¬ findungsgemässe Kammer um die Zentralachse C äusserst flach, im speziellen Fall als flacher Zylinder aufgebaut. Die sich bezüglich der Zentralachse C gegenüberliegenden, flächigen Kammerwände 5 sind im wesentlichen identisch ausgebildet und tragen, zentral, je Abpumpstutzen 7, weiter eine Aufnahme 9 für die Peripherie der zu beschichtenden Substrate 1. Weil die Kammer an sich erfindungsgemäss ausgebildet ist, was nicht erst bei Aufnahme der zu beschichtenden Substrate 1 er¬ kenntlich ist, sind die Substrate 1 gestrichelt dargestellt.
Die Aufnahmen 9 definieren je Aufnahmeflächen 11 für die auf¬ zunehmenden Substrate 1. Die Pumpstutzen 7 sind so ausgelegt, dass sie durch die vorgesehenen Substratzentrumsöffnungen durchragen und gegebenenfalls mit zur Substrathalterung bzw. -positionierung mit den Aufnahmen 9 dienen.
Die Kammerwände 5 sind so beabstandet, dass die Aufnahmeflä¬ chen 11 für die Substrate 1 einen Abstand A aufweisen, wel¬ cher mindestens so gross sein muss, dass unkontrollierbare Hohlraumentladungen zwischen den Platten vermieden werden, der also mindestens 10mm beträgt. Anderseits sollte die Ab¬ scheidung auf den Zylindermantelflächen möglichst gering sein, so dass der Abstand A kleiner als der Plattenradius sein sollte.
Bezüglich der Aufnahmen 9 peripher, münden im Bereich beider Wände 5, vorzugsweise verteilt, Gaszuführungen 13 ein, welche mit einem Reaktivgastank (nicht dargestellt) verbunden sind. An den Abpumpstutzen 7 sind (nicht dargestellt) Pumpaggregate angeschlossen. Die Beabstandung der Wände 5 wird sichergestellt durch Isola¬ tionspartien 15, zwischen welchen, vorzugsweise umlaufend, eine metallische Elektrode 17 eingebettet ist. Letztere ist an einem Generator 19 für den Unterhalt der Plasmaentladung im Prozessraum 20 angeschlossen, ebenso wie vorzugsweise bei¬ de Wände 5.
Je nach beabsichtigtem Beschichtungsprozess kann der Genera¬ tor 19 als DC-Generator oder als AC-Generator ausgebildet sein oder eine Ueberlagerung von DC+AC-Signal abgeben oder kann ein pulsierendes Signal abgeben.
Wie aus Fig. 1 ohne weiteres ersichtlich, ergibt sich entlang der hier durch PECVD zu beschichtenden Substrate eine homoge¬ ne, radial nach innen gerichtete Strömung erst unverbraucht eingelassenen Reaktivgases hin zur Abpumpung verbleibenden Reaktivgases und gasförmiger, nicht abgelegter Reaktionspro¬ dukte.
Mit einer Kammer, wie sie schematisch in Fig. 1 dargestellt ist, wurde eine Schutzbeschichtung an AI-beschichteten Poly¬ carbonat-CD-Substraten unter Einhalt folgender Grossen reali¬ siert :
Abstand der zu beschichtenden Substratflächen: 50mm
Reaktivgase:
a) Monomer: Hexamethyldisiloxan Fluss: ΘOsccm
b) 02 :
Fluss : 40sccm Totaldruck: 42Pa
Generatorfrequenz: 100kHz
Generatorleistung: 250W an der Last
Prozesszeit: 15sec
Resultate:
Die Schichtdicke, gemessen auf einem Messkreis mit Radius 20mm an der CD, betrug 430nm, auf einem Messkreis von 55mm Radius 436nm.
Dies entspricht einer Aufwachs- bzw. Beschichtungsrate von 29nm/sec.
Berücksichtigt man, dass Schichtdicken von bereits ca. 140nm ausreichen, so ist ersichtlich, dass mit der erfindungsgemäs¬ sen Kammer nach Fig. 1 innerhalb von ca. 5sec die geforderte Beschichtung möglich ist.
Das CD-Substrat aus Polycarbonat zeigte keinerlei thermische Beeinträchtigung auf.
Nachteilig an der in Fig. 1 vorgestellten Kammer ist, dass die vorzugsweise ringförmige Elektrode 17 mitbeschichtet wird. Die beim obenerwähnten Beispiel ermittelte Beschich¬ tungsrate an der Elektrode 17 war ca. dreimal höher als auf dem Substrat. Bei längerem Betrieb ohne Reinigung können sich mithin Probleme durch abplatzende Schichten von der Elektrode ergeben, welche die Substratbeschichtung verunreinigen können und/oder die Plasmaentladung stören können. Diese Probleme werden an der zweiten bevorzugten erfindungs¬ gemässen Kammer nach Fig. 2 gelöst.
Diese zeigt die erfindungsgemässe Kammer, wiederum spezifisch für die Schutzbeschichtung kreisscheibenförmiger dielektri¬ scher Substrate, insbesondere von Speicherscheiben mit Kunst¬ stoffSubstraten, dabei wiederum insbesondere für CDs. Das Substrat 1 mit der Metallbeschichtung 3, wiederum, da nicht zur erfindungsgemässen Kammer gehörend, gestrichelt eingetra¬ gen, liegt auf der Aufnahmefläche 11 der für die Aufnahme des Substrates 1 vorgesehenen Aufnahme 9 entlang dem Peripherie¬ bereich der Kammer. Der Abpumpstutzen 7 ist so ausgebildet, dass er durch die Zentrumsδffnung des eingelegten Substrates 1 ragt. An der Peripherie, im Bereich der Aufnahme 9, münden, vorzugsweise verteilt, die Reaktivgaseinlässe 13 ein, wobei bei der hier dargestellten Ausführungsform, im Unterschied zu derjenigen nach Fig. 1, was jedoch nicht zwingend ist, ein separater Gaseinlass 13a für das Reaktivgas 02 mit separatem Abpumpstutzen 7a vorgesehen ist.
Die Hochfrequenzeinkopplung vom Generator 19, bei dem es sich in diesem Fall um einen Hochfrequenzgenerator handeln muss, bis hin in den Mikrowellenbereich arbeitend, ist mit einer Ankopplungselektrode 21 verbunden, welche an der Aufnahmeflä¬ che 11 für das Substrat 1 freiliegt und, vorzugsweise ring¬ förmig, in einen Isolationsträger 22 eingebettet ist. Wie dargestellt, sind die übrigen metallischen Kammerpartien auf Bezugspotential, insbesondere Massepotential, gelegt. Dabei sind bevorzugterweise sowohl Stutzen 7 wie auch Flansch 13a elektrisch von der Kammerwand isoliert bzw. als Isolator aus¬ gebildet (nicht dargestellt) , die Kammerwand liegt auf Be¬ zugspotential. Weil das Material des Substrates dielektrisch ist, d.h. im speziellen Fall aus Kunststoff, wie insbesondere PMMA oder Polycarbonat, besteht, wirken die Elektrode 21 einerseits, der Kunststoffkörper des Substrates 1 anderseits und die Me¬ tallbeschichtung 3 als Kopplungskapazität, durch welche die Hochfrequenzenergie in den Reaktionsraum 20 eingekoppelt wird. Die Kammer gemäss Fig. 2, die eine bevorzugte Form der Erfindung wiedergibt, wurde wie folgt betrieben:
Reaktivgase:
a) Monomer: lOOsccm 1,3 Divinyl-1, 1,3, 3-tetramethyldisi- loxan
b) Sauerstoff:
Fluss: lOOsccm
Totaldruck: 60Pa
Generatorfrequenz: 13,56MHz
Generatorleistung an der Last (Reflexion ca. 5%) : 450W
Prozesszeit: lsec
Als Resultat wurde eine Schicht mit einer Dicke von 140nm ab¬ gelegt, was einer Beschichtungsrate von 140nm/sec entspricht.
Insbesondere bei Vorbeschichtung mit einer metallischen Schicht aus AI ist es angezeigt, vor der erwähnten PECVD- Schutzbeschichtung, eine kurze Sauerstoffbehandlung von ca. 0,2sec vorzuschalten; sogar Schichtdicken von mehr als 7μm können auf diese Weise auf CD-Substrate, in einem pulsieren¬ den Betriebsmodus, haftfest aufgebracht werden. Im kontinu¬ ierlichen Betriebsmodus ist die Prozesszeit für CDs, aus thermischen Gründen, auf 10 bis 20 Sekunden begrenzt. Dies ist verständlich, wenn man davon ausgeht, dass, wenn nur ein Bruchteil von 100W in eine CD mit einer Masse von 16g für 15sec eingekoppelt wird, sich deren Temperatur um 80° erhöht.
Weil, wie sich aus Fig. 2 ergibt, die Metallschicht 3 bzw. deren Oberfläche als Aequipotentialflache wirkt, ist die Gleichmässigkeit der Beschichtungsdickenverteilung sehr gut, beispielsweise mit Abweichungen von höchstens 4% vom Mittel¬ wert. Die Abscheidungsrate an nicht zu beschichtenden Reak¬ torteilen wurde in lern Abstand von der zu beschichtenden CD- Fläche mit höchstens 1/30 der CD-Beschichtungsrate gemessen.
Folgende Prozessgrδssenbereiche werden insbesondere für die Schutzbeschichtung optischer Speicherscheiben, wie CDs, ange¬ raten:
Basisdruck: < 8Pa, was bereits mit einer zwei¬ stufigen Drehschieberpumpe in kürze¬ ster Zeit erreichbar ist.
Pumpquerschnitt: entsprechend der Zentrumsöffnung der
Speieherscheibe sowie, gemäss Fig. 2, gegebenenfalls über zusätzliche Pumpleitungen oberhalb des zu be¬ schichtenden Substrates.
Prozessdruck: 30 bis lOOPa, vorzugsweise ca. 60Pa.
Monomer: vorzugsweise eine Siloxanverbindung, wie z.B. Hexamethyldisiloxan oder Divinyltetramethyldisiloxanc bevor¬ zugterweise zugeführt am Umfang des zu beschichtenden Substrates.
Weiteres Reaktivgas: vorzugsweise Sauerstoff, nicht not¬ wendigerweise zugeführt am Umfang des zu beschichtenden Substrates.
Plasmabetriebsfrequenz: 1 bis 500MHz, aus Gründen der Ver¬ fügbarkeit vorzugsweise 13,56MHz.
Leistung: 200 bis 1000W RF.
Prozesszeit: 1 bis 15sec. Bevorzugterweise er¬ folgt eine Plasmavorbehandlung in reinem Sauerstoff während einer Pro¬ zesszeit von 0,1 bis lsec.
Das mit den erfindungsgemässen Kammern durchgeführte Be- schichtungsverfahren läuft bei relativ hohem Druck und ist nicht restluftempfindlich, d.h. es genügt, wie erwähnt, eine zweistufige Drehschieberpumpe zum Abpumpen.
Die erforderliche Hochfrequenzleistung ist tief, beispiels¬ weise 600W, was entsprechende Einsparungen, u.a. bei der Be¬ reitstellung des Generators, ermöglicht. In sehr kurzen Pro¬ zesszykluszeiten von lsec lassen sich wirkungsvolle Korro¬ sionsschutzschichten herstellen. Die Schichten sind bei ver¬ gleichbarer Schichtdicke härter als nass aufgetragene Lack¬ schichten. Die Abscheidung findet praktisch nur, wie er¬ wünscht, am Substrat statt. Die Kammern, sowohl nach Fig. 1 wie auch nach Fig. 2, lassen sich leicht für das automatische Handling aufbauen.
Insbesondere das Vorgehen nach Fig. 2 mit Hochfrequenzein¬ kopplung durch das Substrat kann für viele andere Hochfre¬ quenz-Plasma-Behandlungsverfahren, wie z.B. für reaktive Aetzverfahren des Substrates eingesetzt werden, weiter z.B. für die Ablegung dielektrischer Zwischenschichten oder me¬ tallorganischer Verbindungen als metallische Schichten auf dielektrischen Substraten.
Verglichen mit den bekannten Schutzlackierungstechniken, ins¬ besondere für CDs, ergibt sich eine höhere Zuverlässigkeit und höhere Schichthärte; dabei resultiert ein geringerer Be- schichtungsmaterialverbrauch und eine geringere Umweltbela¬ stung.
Wie der Fachmann sofort erkennt, ergeben sich durch die Hf- Einkopplungstechnik, wie sie spezifisch für die CD-Anwendung anhand von Fig. 2 erläutert wurde, grundsätzlich verschieden¬ ste Möglichkeiten.
Gemäss Fig. 3 kann durch das dielektrische Substrat 1, sofern nicht metallisch beschichtet, Mikrowellenenergie in den Pro¬ zessraum 20 eingekoppelt werden, wo das Substrat 1 nichtlei¬ tend beschichtet oder geätzt wird.
Gemäss Fig. 4 kann ein nicht metallisch vorbeschichtetes Sub¬ strat 1 dadurch behandelt werden, dass über die Elektrode 21 die Hochfrequenzenergie des Generators 19 in den Prozessraum 20 eingekoppelt wird und dabei letzterer bezüglich der Elek¬ trode 21 als Kapazitätsgegenelektrode wirkt. Dabei ist zu betonen, dass, wie dies eigens in Fig. 5 darge¬ stellt ist, bei der Kammer nach Fig. 2 wie auch nach. Fig. 4 die Elektrode 21 nicht gegen den Prozessraum 20 freiliegen muss, um direkt das Substrat 1 zu kontaktieren. Sie kann di¬ elektrisch abgedeckt sein.
Selbstverständlich kann das erfindungsgemässe Einkopplungs- verfahren auch dann vorgenommen werden, wenn, wie bei der CD, die zu beschichtende Oberfläche und/oder die Rückseite des Substrates metallbeschichtet ist. Hier übernimmt der dielek¬ trische Träger der Substrate die Funktion einer Koppelkapazi¬ tät in einer Hf-Entladung. Die sich ergebende Seif-Bias-Span¬ nung auf der Metallschicht wirkt sich vorteilhaft auf die Er¬ höhung der Beschichtungsrate und deren Gleichmässigkeit - durch die Ausbildung einer Aequipotentialflache - aus.
Bezüglich der Dimensionierung der Elektrodenflächen der Elek¬ troden 21 sowie der zwischen letzterer und dem Prozessraum 20 liegender Dielektrika und ihrer Dicken sowie der verwendeten Betriebsfrequenzen kennt der Fachmann die entsprechenden Ge- setzmässigkeiten. Um insbesondere die Einkopplung in der Me- tallschicht auf der CD zu erreichen, sollte die Elektroden¬ fläche bzw. deren Projektion nicht grösser als die Fläche der Metallschicht sein.
In Fig. 6 ist eine weitere bevorzugte Ausführungsform einer erfindungsgemässen Kammer dargestellt, die sich ohne weitere Erläuterung aus Betrachtung von Fig. 1 und Fig. 2 ergibt.-
An der Kammer gemäss Fig. 1 wird das Einkopplungsprinzip über das Substrat 1 gemäss Fig. 2 eingesetzt. Dadurch entfällt, mit Blick auf Fig. 1, die Elektrode 17, welche an der Ausfüh¬ rung nach Fig. 1 übermässig stδrbeschichtet wird. Selbstverständlich werden an der Kammer nach Fig. 6 beide vorgesehenen Einkopplungselektroden 21 bevorzugt vom selben Hochfrequenzgenerator betrieben, wenn eine symmetrische Ent¬ ladung, wie in der weitaus überwiegenden Anzahl Fälle, er- • reicht werden soll, wie gestrichelt bei 19a dargestellt. Be¬ züglich der Potentiallegung eines (hier nicht dargestellten) Kammergehäuses, der Flansche 13a sowie der Stutzen 7 gilt be¬ vorzugt das zu Fig. 2 Ausgeführte.

Claims

Patentansprüche:
1. Hf-Plasmabehandlungskammer für mindestens ein dielektri¬ sches Substrat (1) mit einem Hf-Generator (19) für die Plas¬ maentladung sowie einer damit verbundenen Einkopplungsanord- nung für Hf-Energie in die Kammer (20) sowie mindestens einer eine Aufnähmefläche für das Substrat (1) definierenden Sub¬ strataufnahme (9) , dadurch gekennzeichnet, dass die Aufnahme (9) sowie die Hf-Verbindung zum Generator (19) so angeordnet sind, dass der Hf-Entladestromkreis das Substrat (1) als ka¬ pazitives Einkopplungselement mitumfasst.
2. PECVD-Beschichtungskammer für mindestens zwei flächige Substrate mit einem Generator (19) für die Plasmaentladung sowie einer damit verbundenen Einkopplungsanordnung für die Entladungsenergie in die Kammer (20) sowie mit mindestens zwei je eine Aufnahmefläche (11) für eines der Substrate (1) definierenden Substrataufnahmen (9) und mit einer Gasein- lass(13)- sowie einer Gasabpump(7) -Anordnung an der Kammer, dadurch gekennzeichnet, dass die Aufnahmeflächen (11) sich gegenüberliegen und, im wesentlichen abschliessend, sich ge¬ genüberliegende Prozessraum-Begrenzungsflächen definieren, dass weiter für den Abstand A dieser Flächen gilt:
A < 10mm.
3. Behandlungskammer nach den Merkmalen von Anspruch 1 mit Substrataufnahmen nach Anspruch 2.
4. Kammer nach einem der Ansprüche 1 oder 3, dadurch gekenn¬ zeichnet, dass der Hf-Generator (19) ein Mikrowellengenerator ist und das Substrat das Einkopplungsfenster bildet.
5. Kammer nach einem der Ansprüche 1, 3 oder 4, dadurch ge¬ kennzeichnet, dass die Einkopplungsanordnung eine im Bereich der Aufnahmefläche (11) angeordnete, hierzu im wesentlichen planparallele, metallische Elektrodenfläche (21) aufweist, welche gegen das Kammerinnere (20) freiliegt oder dielek¬ trisch abgedeckt ist.
6. Kammer nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekenn¬ zeichnet, dass die Aufnahme (9) oder die Aufnahmen (9) für kreisscheibenförmige Substrate (1) ausgebildet ist bzw. sind, eine Gaseinlassanordnung (13) im Peripheriebereich der jewei¬ ligen aufnahmedefinierten Aufnähmetlache (11) , vorzugsweise verteilt, einmündet und eine Gasabpumpanordnung (7) zentral bezüglich der Aufnähmetlachen (11) in die Kammer einmündet.
7. Kammer nach einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekenn¬ zeichnet, dass die Einkopplungsanordnung eine Elektrode (17) umfasst, die an einem die Aufnähmeflächen (11) beabstandenden Kammerwandabschnitt (15, 17) angeordnet ist, vorzugsweise als umlaufende Ringelektrode (15) .
8. Kammer nach einem der Ansprüche 1, 3 bis 7, dadurch ge¬ kennzeichnet, dass sie als PECVD-Kammer ausgebildet ist und hierzu eine Gaseinlassanordnung (13) sowie eine Gasabpumpan¬ ordnung (7) aufweist.
9. Verwendung der Kammer nach einem der Ansprüche 1 bis 8 zur Behandlung von Substraten mit einem Kunststoff-Grundkör¬ per.
10. Verwendung nach Anspruch 9 für die Schutzbeschichtung einer metallbeschichteten Substratfläche, vorzugsweise an ei¬ ner optischen Speicherplatte, vorzugsweise an einer CD.
11. Verfahren zur Schutzbeschichtung von metallisch be¬ schichteten Speicherplatten im Durchlaufverfahren, dadurch gekennzeichnet, dass hierzu ein Vakuumbeschichtungsverfahren eingesetzt wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass ein PECVD-Verfahren eingesetzt wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass für die Beschichtung ein Hf-Plasma er¬ zeugt wird und die Hf-Energie hierfür in den Prozessraum über das Substrat eingekoppelt wird.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7387081B2 (en) * 2003-01-23 2008-06-17 3M Innovative Properties Company Plasma reactor including helical electrodes
US20040146262A1 (en) * 2003-01-23 2004-07-29 3M Innovative Properties Company Frozen-fluid fiber guide
EP2256782B1 (de) * 2009-05-25 2018-08-29 Applied Materials, Inc. Plasmaablagerungsquelle und Verfahren zum Ablagern von Dünnfilmen
US8741394B2 (en) 2010-03-25 2014-06-03 Novellus Systems, Inc. In-situ deposition of film stacks
US9028924B2 (en) 2010-03-25 2015-05-12 Novellus Systems, Inc. In-situ deposition of film stacks
KR102025441B1 (ko) 2012-04-06 2019-09-25 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 증착 후 소프트 어닐링
US9117668B2 (en) 2012-05-23 2015-08-25 Novellus Systems, Inc. PECVD deposition of smooth silicon films
US9388491B2 (en) 2012-07-23 2016-07-12 Novellus Systems, Inc. Method for deposition of conformal films with catalysis assisted low temperature CVD
US8895415B1 (en) 2013-05-31 2014-11-25 Novellus Systems, Inc. Tensile stressed doped amorphous silicon
CN106282973A (zh) * 2015-06-26 2017-01-04 核工业西南物理研究院 用于管内壁镀膜的装置及方法
US10802588B2 (en) * 2015-09-17 2020-10-13 Qualcomm Incorporated Deflecting film with mechanical protrusion for actuation and tactile feedback
CN109801824B (zh) * 2017-11-15 2022-07-22 北京北方华创微电子装备有限公司 介质窗组件及反应腔室

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5930130B2 (ja) * 1979-09-20 1984-07-25 富士通株式会社 気相成長方法
JPS60119784A (ja) * 1983-12-01 1985-06-27 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 絶縁金属基板の製法およびそれに用いる装置
JP2635021B2 (ja) * 1985-09-26 1997-07-30 宣夫 御子柴 堆積膜形成法及びこれに用いる装置
US5275850A (en) * 1988-04-20 1994-01-04 Hitachi, Ltd. Process for producing a magnetic disk having a metal containing hard carbon coating by plasma chemical vapor deposition under a negative self bias
US4877641A (en) * 1988-05-31 1989-10-31 Olin Corporation Process for plasma depositing silicon nitride and silicon dioxide films onto a substrate
US5192717A (en) * 1989-04-28 1993-03-09 Canon Kabushiki Kaisha Process for the formation of a polycrystalline semiconductor film by microwave plasma chemical vapor deposition method
DE4022708A1 (de) * 1990-07-17 1992-04-02 Balzers Hochvakuum Aetz- oder beschichtungsanlagen
JP3008038B2 (ja) 1991-08-09 2000-02-14 住友金属工業株式会社 平行平板型プラズマ装置
JPH05243160A (ja) * 1992-02-28 1993-09-21 Nec Yamagata Ltd 半導体デバイス製造用プラズマｃｖｄ装置
DE4301189C2 (de) * 1993-01-19 2000-12-14 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten von Substraten
CH687986A5 (de) * 1993-05-03 1997-04-15 Balzers Hochvakuum Plasmabehandlungsanlage und Verfahren zu deren Betrieb.
EP0626683B1 (de) 1993-05-27 1999-08-11 Canon Kabushiki Kaisha Bearbeitungsgerät mittels Mikrowellen und Verfahren zur Herstellung eines anorganischen dielektrischen Films
DE69408405T2 (de) * 1993-11-11 1998-08-20 Nissin Electric Co Ltd Plasma-CVD-Verfahren und Vorrichtung
JPH07161493A (ja) * 1993-12-08 1995-06-23 Fujitsu Ltd プラズマ発生装置及び方法
JP3571785B2 (ja) * 1993-12-28 2004-09-29 キヤノン株式会社 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置
JP3387616B2 (ja) * 1994-04-18 2003-03-17 キヤノン株式会社 プラズマ処理装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO9722136A1 *

Also Published As

Publication number Publication date
US6432492B2 (en) 2002-08-13
JP2000501785A (ja) 2000-02-15
WO1997022136A1 (de) 1997-06-19
US20010007245A1 (en) 2001-07-12

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