WO1994014183A1 - Verfahren zur durchführung von stabilen niederdruck-glimmprozessen - Google Patents

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WO1994014183A1
WO1994014183A1 PCT/DE1993/001206 DE9301206W WO9414183A1 WO 1994014183 A1 WO1994014183 A1 WO 1994014183A1 DE 9301206 W DE9301206 W DE 9301206W WO 9414183 A1 WO9414183 A1 WO 9414183A1
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Volker Kirchhoff
Jonathan Reschke
Bert Scheffel
Klaus Goedicke
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • H01J37/3299—Feedback systems

Definitions

  • the invention relates to a method for stabilizing the discharge in low-pressure glitter processes, in particular for
  • the method is used in the field of plasma treatment of surfaces, the deposition of layers from the plasma and plasma-assisted surface cleaning. Such processes are used len preferably for surface finishing of Bautei ⁇ , tools, semi-finished and finished products in optics, mechanical engineering, m packaging and glass industries and electric ⁇ industry.
  • PECVD plasma-assisted chemical vapor deposition
  • PVD plasma-assisted physical vapor deposition
  • AC alternating voltage
  • a further solution for reducing the damage caused by undesired arc discharges and for increasing the process stability is to supply the energy with periodically repeated DC pulses (DE 37 00 633 C 1).
  • this does not prevent arch formation, but only limits the energy input into the arch to one period.
  • the energy content within a period is so large that it is inevitable in the case of a
  • the energy which is stored in the plasma is generally dissipated during the transition from the glow discharge to the arc discharge via the arc to the electrodes or substrates. There are physical limits for minimizing the time between sheet formation and its detection and for the reaction time until the energy continues, which cannot be fallen short of.
  • the well-known use of RF generators in principle avoids the above-mentioned problems of turning over the glow discharge in an arc discharge, but it has the disadvantages of the high cost, the high expenditure on equipment and the problem of impedance matching between the process and the HF generator
  • the invention has for its object to provide a method for carrying out stable low-pressure glow discharges, which prevents the formation of arcs in advance and keeps the glow process stable for a long time.
  • the effort should be relatively low.
  • the method is said to be applicable for all smoldering processes such as plasma-assisted coating and the plasma treatment of surfaces, in particular plasma-assisted surface cleaning.
  • a particular advantage of the method according to the invention is that the point in time before the glow discharge changes to an arc discharge or before the occurrence of instabilities of the glow discharge is detected by the detection of the plasma state.
  • a physical cause of the instabilities can be local charges from isolated areas within the plasma space. If a certain charge density is exceeded in these areas, an electrical breakthrough would occur without the inventive method, which would be the starting point for an arc discharge.
  • the solution according to the invention initiates a regeneration phase which eliminates the causes for the formation of an arc.
  • the level of the charging potential is decisive for the initiation of a regeneration phase. This is determined by the energy that is introduced into the plasma, the characteristics of the insulation and the local plasma density. Surprisingly, by monitoring one or more of these parameters, a characteristic quantity can be obtained which reveals this state and gives the possibility to intervene in the low-pressure glow process in a forward-looking manner. These parameters can also be determined under conditions of stable low-pressure glow discharge. The transition from the glow discharge to the arc discharge is not waited for and the critical unstable discharge state is detected from the analysis of the current-voltage characteristic, as is the case with conventional methods. This change from glow discharge to arc discharge no longer occurs in the method according to the invention. If the energy introduced into the plasma is used to characterize the plasma, it is expedient to determine the electrical discharge parameters by integration over time.
  • a known method for monitoring the local plasma density is based on the analysis of the optical emission of the plasma and can also be used effectively for this method according to the invention.
  • a further advantageous embodiment of the method consists in that the regeneration phase is effected by interchanging the polarity on the glow electrodes and thus regeneration takes place via an oppositely polarized plasma.
  • This procedure is particularly suitable for sputtering processes with two dustable electrodes, which are alternately connected as cathode and anode.
  • the effectiveness of the embodiments of the method described in the subclaims depends on the special low-pressure glow process and the application, and known means can be used for this. It has been shown that times of at least 1 ⁇ s are necessary for these forms of regeneration.
  • Fig. 2 a device for reactive atomization.
  • the electrode 2 of the plasma assembly is located in a vacuum chamber 1.
  • a substrate 3 is at ground potential above the electrode 2.
  • a gas inlet valve 4 for supplying argon as a process gas is arranged on the vacuum chamber 1.
  • the plasma set arrangement is fed by a DC power supply 5 via a switching unit 6.
  • an optical Sensor 7 for determining the intensity of an emission line the plasma state is measured in situ and fed via an optical fiber 8 to an electronics unit 9 known per se.
  • an experimentally determined comparison value is entered into the electronics unit 9 via the reference input 10.
  • DC power supply 5 operates in constant power mode with an electrical power of 2 kW and a voltage of approximately 3.6 kV.
  • the total pressure in the vacuum chamber 1 is 2.4 Pa.
  • the intensity of the argon line at 420 nm is converted into an equivalent electrical voltage signal in
  • Range between 0 and 10 V converted and integrated over time The point in time at which the regeneration process is started by means of the switching unit is determined by comparison with the setpoint value at reference input 10. For this arrangement, the comparison value of 0.2 mVs was determined, with which a stable, arc-free plasma etching process worked without interference for 5 hours.
  • the bias device was connected to ground potential over a period of 30 ⁇ s.
  • the length of the etching phases change from an initial 20 ⁇ s to approx. 50 ⁇ s towards the end of the processing time.
  • FIG. 2 shows a device with the aid of which a coating is carried out by means of a stabilized glow process for reactive sputtering using a known sputtering device for aluminum oxide.
  • the atomization device consisting of the two electrodes 11a; 11b made of aluminum.
  • the substrate 3 which is connected to ground potential, is located at a distance of 100 mm above the atomizing device.
  • a gas outlet valve 4 for supplying an argon / oxygen mixture with a mixing ratio of 50/50 at constant flow.
  • the atomization device is fed by a DC power supply 5 via a switching unit 12.
  • the plasma state is m-situ at a distance of 5 mm from the associated electrodes 11a; 11 b measured and via an optical fiber 8 of an electronics unit 9 known per se fed.
  • the electronics unit 9 receives an experimentally determined comparison value from the reference input 10.
  • the DC power supply 5 operates in constant power mode with an electrical power of 12 kW and a voltage of approximately 600 V.
  • the total pressure in the vacuum chamber 1 is 0.4 Pa.
  • the intensity of the aluminum film at 396 nm is converted into an equivalent electrical voltage signal in the range between 0 and 10 V, integrated over time and the measured value is formed therefrom.
  • the point in time is determined after which the electrode 11a is switched from cathode potential to anode potential or the electrode 11b is switched from anode potential to cathode potential. If the electrode 11a works as an anode, the potential areas of the plasma space and the electrode itself are regenerated with the additional support of the polarity-reversed plasma.
  • the point in time is determined after which the electrode 11b is switched from cathode potential to anode potential and the aluminum electrode 11a is switched from anode potential to cathode potential.
  • the regeneration of the plasma space of the electrode surroundings of the electrode 11b proceeds analogously.
  • a plasma is generated in parallel with the regeneration of an electrode environment by means of a second electrode, so that practically no interruption of the coating process occurs.
  • the comparison value of '0.18 mVs was determined, with which a stable, sheet-free coating process continued to operate without problems even after 72 hours.
  • the length of the regeneration phase for the electrode 11a changed from an initial 30 ⁇ s to 25 ⁇ s after a coating time of 72 hours and that of the electrode 11b in the same period from 28 ⁇ s to 26 ⁇ s.
  • the different coating times resulting from the process control with the process electrodes 11a; 11b, which would lead to inhomogeneities of the layers applied to the substrate 3, are excluded by the fact that either the substrate 3 is subject to a relative movement or the two electrodes 11a; 11b in relation to the substrate 3 so are arranged so that a vapor cloud forms in each case, which spreads over the entire substrate 3.

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Abstract

Bekannte Verfahren und Einrichtungen überwachen die Bogenentladung durch Kontrolle der elektrischen Parameter. Bei Abweichungen erfolgt eine Abschaltung der Energiezufuhr. Mit der Erfindung soll erreicht werden, dass der Bogen bereits im Vorfeld der Entstehung verhindert wird, und der Glimmprozess über lange Zeit stabil ist. Erfindungsgemäss wird der Glimmprozess durch eine Regenerierungsphase unterbrochen. Der Zeitpunkt für deren Beginn und Ende wird durch die in-situ-Messung eines Wertes, der mit einem experimentell ermittelten Sollwert des Plasmazustandes verglichen wird, bestimmt. Die Erfindung findet bei der Plasmabehandlung von Oberflächen, Abscheidung von Schichten aus dem Plasma und der plasmagestützten Oberflächenreinigung Anwendung.

Description

VERFAHREN ZUR DURCHFÜHRUNG VON STABILEN NIEDERDRÜCK-GLIM PROZES- SEN
Die Erfingung betrifft ein Verfahren zur Stabilisierung der Entladung bei Niederdruck-Glirπrrprozessen, insbesondere zur
Vermeidung von Bogenentladungen und damit verbundenen Störungen des Gesamtprozesses, insbesondere bei Verwendung von Reaktivga¬ sen. Das Verfahren findet Anwendung auf dem Gebiet der Plasmabe- handlung von Oberflachen, der Abscheidung von Schichten aus dem Plasma und der plasmagestutzten Oberflachenreimgung. Derartige Prozesse dienen vorzugsweise zur Oberflächenveredlung von Bautei¬ len, Werkzeugen, Halbzeugen und Fertigteilen in der Optik, im Maschinenbau, m der Verpackungs- und Glasindustrie und Elektro¬ industrie.
Es sind eine Vielzahl von Verfahren und Einrichtungen für die Plasmadiffusion, die plasmagestutzte chemische Dampfphasenab- scheidung (PECVD) und die plasmagestutzte physikalische Dampfab¬ scheidung (PVD) , die Plasmapolymerisation und das Plasmaatzen bekannt. Bei all diesen Prozessen werden Elektroden eingesetzt, zwischen denen eine Glimmentladung gezündet wird. Die Energie wird dabei m Form von Gleichspannung (DC, DC gepulst) oder Wechεelspannung (AC, HF) dem Niederdruckprozeß zugeführt. Sowohl beim Einsatz von DC- als auch gepulsten DC-Stromversorgungen zur Speisung des Plasmas tritt prozeßbedingt das Umschlagen der
Glimmentladung in eine Bogenentladung auf. Solche Bogenentladun¬ gen fuhren zu Instabilitäten bei der gesamten Prozeßfuhrung wie auch zu lokalen Zerstörungen an den betreffenden Oberflachen der Elektroden und Substrate.
Es ist bekannt, zur Reduzierung der Schädigung der betreffenden Oberflachen durch die Bogenentladungen verschiedene Verfahren und Einrichtungen einzusetzen. Eine dazu in der Plasmatechnik weit verbreitete Losung ist die automatische Überwachung der Bogenen - ladung durch die Kontrolle der elektrischen Entladungsparameter. Werden Abweichungen der Parameter einer Niederdruckglimmentladung durch die Ausbildung einer Bogenentladung erkannt, erfolgt eine Abschaltung der Energiezufuhr. Nach einer Mindestzeit, die zur Loschung des Bogens notwendig ist, wird die Energie erneut zugeschaltet (DD 122 160 A 1) .
Eine weitere Losung zur Reduzierung der Schaden durch ungewollte Bogenentladungen und zur Erhöhung der Prozeßstabilitat besteht darin, die Energie mit periodisch wiederholten Gleichstromimpul- sen zuzuführen (DE 37 00 633 C 1) . Damit wird jedoch die Bogenausbildung nicht verhindert, sondern nur der Energieeintrag in den Bogen auf eine Periode begrenzt. Besonders bei großen Entladungsleistungen ist der Energieinhalt innerhalb einer Periode noch so groß, daß es unweigerlich im Falle einer
Bogenen ladung zu Instabilitäten des Gesamtprozesses und zu Oberflachenschädigungen kommt. Deshalb ist es auch für diese Losung mit gepulster Energiezufuhr unumgänglich, automatisch die Bogenentladung mit den oben genannten Mitteln oder mittels einer speziellen Lichtbogensensorschaltung zu erkennen und die Energie¬ zufuhr zu unterbrechen.
Es ist darüber hinaus bekannt, z. B. für das Zerstauben nach dem Magnetron-Prinzip über einem Magnetsystem mindestens zwei Elek- troden anzuordnen, die aus dem zu zerstaubenden Material beste¬ hen. Diese Elektroden werden so geschaltet, daß sie wechselweise Katode und Anode der Niederdruckentladung sind, oder sie werden an eine Wechselspannung angeschlossen (DD 252 205 A I) . Auch diese Losung verhindert nicht prinzipiell das Umschlagen der Glimmentladung in eine Bogenentladung, sondern der Energieeintrag in den Bogen wird auf eine Periode begrenzt.
Mit all diesen Losungen wird nur ein sich ausbildender bzw. schon vorhandener Bogen detektiert, d. h. der Bogen wird nicht vermie- den, sondern es wird versucht, die entstehenden schädlichen
Auswirkungen zu minimieren. Die Energie, die im Plasma gespei¬ chert ist, wird grundsätzlich beim Übergang von der Glimm- in die Bogenentladung über den Bogen auf die Elektroden oder Substrate abgeführt. Für die Minimierung der Zeit zwischen Bogenausbildung und dessen Erkennung und für die Reaktionszeit bis zur Fortschal¬ tung der Energie gibt es physikalische Grenzen, die nicht unter¬ schritten werden können. Der weiterhin bekannte Einsatz von HF-Generatoren umgeht die obengenannten Probleme des Umschlagens der Glimmentladung m eine Bogenentladung vom Prinzip her, aber er hat den Nachteil der hohen Kosten, des hohen apparativen Aufwandes und des Problems der Impedanzanpassung zwischen dem Prozeß und dem HF-Generator
Daher ist diese Art der Energiezufuhr auf spezielle Anwendungsge¬ biete beschrankt.
Es ist weiterhin bekannt, das Plasma bei der Niederdruck-Glimm- entladung mittels Analyse der optischen Emission zu detektieren und damit bei der reaktiven Beschichtung die Steuerung der Schichtzusammensetzung vorzunehmen (U.S.Patent 4,166,784; U.S.Pa¬ tent 4,407,709) . Dabei wird die Intensität der optischen Emission des Plasmas als Stellgroße für den Reaktivgasfluß bzw. für die Stromversorgung genutzt. Diese Verfahren bewirken eine Stabili¬ sierung der reaktiven Prozeßfuhrung beim Abscheiden von Schichten mit definierter Schichtzusammensetzung. Auch diese Verfahren schaffen keine Möglichkeit, die Ausbildung von Bogenentladungen zu erkennen und darauf zu reagieren, sondern benotigen zusätzlich eine oben beschriebene Bogenfortschaltung mit den genannten
Nachteilen. Doch gerade bei diesen Prozessen ist die Neigung zum Umschlagen in eine Bogenentladung besonders stark, bedingt durch die Unterschiede in der elektrischen Leitfähigkeit zwischen dem zu zerstäubenden Material und der abgeschiedenen Schicht
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Durchfuhrung von stabilen Niederdruck-Glimmentladungen zu schaf¬ fen, das die Entstehung von Bogen bereits im Vorfeld verhindert und den Glimmprozeß über lange Zeit stabil halt . Der Aufwand soll relativ gering sein. Das Verfahren soll für alle Glimmprozesse wie das plasmagestutzte Beschichten und die Plasmabehandlung von Oberflachen, insbesondere die plasmagestutzte Oberflachenreini- gung, anwendbar sein.
Erfmdungsgemaß wird die Aufgabe nach den Merkmalen des Anspru¬ ches 1 gelost. Vorteilhafte Ausgestaltungen des Verfahrens sind m den Ansprüchen 2 bis 14 beschrieben Ein besonderer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, daß durch die Detektierung des Plasmazustandes der Zeit¬ punkt vor dem Übergang der Glimmentladung in eine Bogenentladung bzw. vor dem Auftreten von Instabilitäten der Glimmentladung erkannt wird. Eine physikalische Ursache für die Instabilitäten können lokale Aufladungen von isolierten Bereichen innerhalb des Plasmaraumes sein. Beim Überschreiten einer bestimmten Ladungs¬ dichte in diesen Bereichen kommt es ohne das erfindungsgemäße Verfahren zu einem elektrischen Durchbruch, der Ausgangspunkt einer Bogenentladung wäre. Durch die erfindungsgemäße Lösung wird eine Regenerierungsphase eingeleitet, die die Ursachen für das Entstehen eines Bogens beseitigt.
Maßgebend für die Einleitung einer Regenerierungsphase ist die Höhe des Aufladungspotentials. Dieses wird von der Energie, die in das Plasma eingebracht wird, der Charakteristik der Isolation und der örtlichen Plasmadichte bestimmt. Überraschenderweise kann durch die Überwachung einer oder mehrerer dieser Parameter eine charakteristische Größe gewonnen werden, die diesen Zustand erkennen läßt und die Möglichkeit gibt, vorausschauend in den Niederdruck-Glimmprozeß einzugreifen. Die Bestimmung dieser Parameter ist auch unter Bedingungen einer stabilen Nieder¬ druckglimmentladung möglich. Es wird nicht erst der Übergang von der Glimm- zur Bogenentladung abgewartet und aus der Analyse der Strom-Spannungskennlinie der kritische instabile Entladungszu¬ stand detektiert, wie das bei herkömmlichen Verfahren geschieht. Dieser Umschlag von der Glimm- in die Bogenentladung tritt bei dem erfindungsgemäßen Verfahren nicht mehr auf . Wird die eingebrachte Energie in das Plasma zur Charakterisierung des Plasmas verwendet, ist es günstig, die elektrischen Entla¬ dungsparameter durch Intergration über der Zeit zu bestimmen.
Eine bekannte Methode, die örtliche Plasmadichte zu überwachen, beruht auf der Analyse der optischen Emission des Plasmas und kann auch für dieses erfindungsgemäße Verfahren effektiv einge¬ setzt werden.
Überraschenderweise hat sich weiterhin gezeigt, daß es Möglich- keiten gibt, den Plasmaraum schnell zu regenerieren und dadurch den Ausgangszustand für die Ausbildung eines stabilen Glimmplas- mas wiederherzustellen, d. h. den Glimmprozeß wieder zu starten. Eine Variante der Regenerierung besteht darin, die Energiezufuhr m das Plasma für die Zeit zu unterbrechen, in der eine Selbst- entladung der isolierten Bereiche erfolgt, und danach den Glimm¬ prozeß erneut zu starten. Eine andere Möglichkeit zur Herstellung des Ausgangszustandes besteht darin, für die Zeit der Regenerie¬ rungsphase einen zusatzlichen Verbraucher mit der Gleichstromver- sorgung zu verbinden und darüber die Regenerierung zu bewirken. Als zweiter Verbraucher kann auch eine elektrisch leitende Verbindung zwischen den Glimmelek roden verwendet werden. Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung des Verfahrens besteht darin, daß die Regenerierungsphase durch Vertauschen der Pola- πtat an den Glimmelektroden bewirkt wird und damit über ein entgegengesetzt polarisiertes Plasma eine Regenerierung erfolgt . Diese Verfahrensweise ist besonders für Zerstaubungsverfahren mit zwei abstaubbaren Elektroden geeignet, die wechselweise als Kathode und Anode geschaltet werden. Die Effektivität der in den Unteransprüchen beschriebenen Ausge¬ staltungen des Verfahrens ist abhangig von dem speziellen Nieder- druck-Glimmprozeß und dem Anwendungsfall, wobei an sich bekannte Mittel hierfür eingesetzt werden können. Es hat sich gezeigt, daß für diese Formen der Regenerierung Zeiten von mindestens 1 μs notwendig sind.
An zwei Ausfuhrungsbeispielen wird die Erfindung naher erläutert. In der zugehörigen Zeichnung zeigen:
Fig. 1: eine Einrichtung zur Substratreinigung mittels Plasmaatz- prozeß,
Fig. 2: eine Einrichtung zum reaktiven Zerstäuben.
Gemäß Fig. 1 befindet sich in einer Vakuumkammer 1 die Elektrode 2 der Plasmaatzanordnung. Oberhalb der Elektrode 2 befindet sich ein Substrat 3 auf Massepotential. An der Vakuumkammer 1 ist ein Gaseinlaßventil 4 zur Zufuhrung von Argon als Prozeßgaε angeord¬ net. Die Plasmaatzanordnung wird von einer DC-Stromversorgung 5 über eine Schaltemheit 6 gespeist. Mittels eines optischen Sensors 7 zur Bestimmung der Intensität einer Emissionslinie wird der Plasmazustand m-situ gemessen und über eine Lichtleitfaser 8 einer an sich bekannten Elektronikemheit 9 zugeführt. Zusätzlich wird in die Elektronikemheit 9 ein experimentell ermittelter Vergleichswert über die Referenzeingabe 10 eingegeben. Die
DC-Stromversorgung 5 arbeitet im Konstant-Leistungsbetrieb bei einer elektrischen Leistung von 2 kW und einer Spannung von ca. 3,6 kV. Der Totaldruck in der Vakuumkammer 1 betragt 2,4 Pa. In der Elektronikemheit 9 wird die Intensität der Argonlinie bei 420 nm in ein äquivalentes elektrisches SpannungsSignal im
Bereich zwischen 0 und 10 V umgewandelt und über die Zeit inte¬ griert. Durch den Vergleich mit dem Sollwert an der Referenzein¬ gabe 10 wird der Zeitpunkt ermittelt, nach dem mittels der Schaltemheit der Regenerierungsprozeß gestartet wird. Für diese Anordnung wurde der Vergleichswert von 0,2 mVs ermittelt, mit dem ein stabiler bogenfreier Plasmaätzprozeß über 5 Stunden störungs¬ frei arbeitete.
In den Regenerierungsphasen wurde hierbei die Piasmaatzein ich- tung über eine Dauer von 30 μs mit Massepotential verbunden. Die Lange der Atzphasen andern sich dabei von anfänglich 20 μs auf ca. 50 μs gegen Ende der Bearbeitungszeit.
In Fig. 2 ist eine Einrichtung dargestellt, mit deren Hilfe eine Beschichtung mittels stabilisiertem Glimmprozeß für das reaktive Zerstäuben unter Verwendung einer bekannten Zerstäubungseinrich¬ tung für Alummiumoxid erfolgt.
In einer Vakuumkammer 1 befindet sich die Zerstaubungseinnch- tung, bestehend aus den zwei Elektroden 11a; 11b aus Aluminium. Oberhalb der Zerstaubungsemrichtung befindet sich in einem Abstand von 100 mm das Substrat 3, welches auf Massepotential gelegt ist. An der Vakuumkammer 1 befindet sich ein Gasemlaßven- til 4 zur Zufuhrung eines Argon/Sauerstoff-Gemisches mit einem Mischungsverhältnis von 50/50 bei konstantem Fluß. Die Zerstau¬ bungsemrichtung wird von einer DC-Stromversorgung 5 über eine Schaltemheit 12 gespeist. Mittels der optischen Sensoren 7 wird der Plasmazustand m-situ in einem Abstand von 5 mm von den zugehörigen Elektroden 11a; 11 b gemessen und über e ne Licht¬ leitfaser 8 einer an sich bekannten Elektronikemheit 9 zugeführt. Zusätzlich erhalt die Elektronikemheit 9 einen experimentell ermittelten Vergleichswert von der Referenzeingabe 10. Die DC-Stromversorgung 5 arbeitet im Konstant-Leistungsbe- trieb bei einer elektrischen Leistung von 12 kW und einer Span- nung von ca. 600 V. Der Totaldruck in der Vakuumkammer 1 betragt 0.4 Pa. In der Elektronikemheit 9 wird die Intensität der Alummiumlmie bei 396 nm in ein äquivalentes elektrisches Spannungssignal im Bereich zwischen 0 und 10 V umgewandelt, über die Zeit integriert und daraus der Meßwert gebildet. Durch den Vergleich des Meßwertes für die Elektrode 11a mit dem Wert aus der Referenzeingabe wird der Zeitpunkt ermittelt, nach dem die Elektrode 11a von Kathodenpotential auf Anodenpotential bzw. die Elektrode 11b von Anodenpotential auf Kathodenpotential umge¬ schaltet wird. Arbeitet die Elektrode 11a als Anode, werden die Potentialflachen des Plasmaraumes und die Elektrode selbst mit zusätzlicher Unterstützung des umgepolten Plasmas regeneriert. Durch den Vergleich des Meßwertes des Sensors 7 an der Elektrode 11b mit dem Wert aus der Referenzeingabe wird der Zeitpunkt ermittelt, nach dem die Elektrode 11b von Kathodenpotential auf Anodenpotential bzw. die Aluminiumelektrode 11a von Anodenpoten¬ tial auf Kathodenpotential umgeschaltet werden. Dabei lauft d e Regenerierung des Plasmaraumes der Elektrodenumgebung der Elek¬ trode 11b analog ab. Mit dieser Prozeßfuhrung wird parallel zur Regenerierung einer Elektrodenumgebung mittels einer zweiten Elektrode ein Plasma erzeugt, so daß praktisch keine Unterbre¬ chung des Beschichtungεprozesses auftrit . Für diese Anordnung wurde der Vergleichswert von' 0,18 mVs ermittelt, mit dem ein stabiler bogenfreier Beschichtungsprozeß auch nach 72 Stunden noch störungsfrei arbeitete. Die Lange der Regeneπerungsphase für die Elektrode 11a änderte sich dabei von anfanglich 30 μs auf 25 μs nach einer Beschichtungszeit von 72 Stunden und die der Elektrode 11b im selben Zeitraum von 28 μs auf 26 μs Die sich bei dem Verfahren durch die Prozeßfuhrung ergebenden unterschiedlichen Beschichtungszeiten mit den Elektroden 11a; 11b, die zu Inhomogenitäten der auf dem Substrat 3 aufgebrachten Schichten fuhren wurden, werden dadurch ausgeschlossen, daß entweder das Substrat 3 einer Relativbewegung unterliegt oder die beiden Elektroden 11a; 11b im Verh ltnis zum Substrat 3 so angeordnet sind, daß sich jeweils eine Dampfwolke bildet, die sich über das gesamte Substrat 3 ausbreitet.

Claims

PATENTANSPRÜCHE
1. Verfahren zur Durchfuhrung eines stabilen Niederdruck-Glimm- prozesses im Vakuum, der durch eine Gleichstormversorgung
5 gespeist wird, die die Möglichkeit zur Unterbrechung bzw
Änderung der Energieemspeisung m die Entladung besitzt und m dem die Messung des Plasmazustandes möglich ist, zur plasmagestutzten Beschichtung oder Oberflachenbehandlung eines Substrates, dadurch gekennzeichnet, daß der in an sich bekannter
10 Weise geführte Glimmprozeß durch eine Regenerierungsphase unter¬ brochen wird, nach dessen Ablauf der Glimmprozeß fortgeführt wird, daß der Zeitpunkt für den Beginn und/oder das Ende der Regenerierungsphase aus einem Vergleich eines m-situ gemessenen Wertes mit einem experimentell ermittelten Sollwert einer Große lr die den Plasmazustand charakterisiert, bestimmt wird, daß zur Einleitung der Regenlerungsphase die Energiee speisung für die Glimmentladung unterbrochen oder geändert wird, daß die Zeit für die Regenerierungsphase großer oder gleich 1 μs gewählt wird und daß der Wechsel von der Glimmphase zur Regenerierungsphase und
20 umgekehrt wahrend der Ausübung des Verfahrens ständig wiederholt wird.
2 Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dei Glimmprozeß mit zwei Elektroden und mindestens einem Substrat 25 ausgeführt wird, und an beiden Elektroden die Glimmphase und die Regenerierungsphase wechselweise durchgeführt werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Änderung der Energieemspeisung für die Glimmentladung durch das 30 Anlegen eines entgegengesetzten Potentials bis zum Ende der Regenerierungsphase bewirkt wird.
4 Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß gleichzeitig mit Unterbrechung der Energieemspeisung für die 35 Glimmentladung bis zum Ende der Regenerierungsphase Massepoten¬ tial an die Glimmemπchtung gelegt wird.
Ξ Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß gleichzeitig mit Unterbrechung der Energieeinspeisung bis zum Ende der Regenerierungsphase die Gleichstromversorgung von der Glimmeinrichtung getrennt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Änderung der Energieeinspeisung für die Glimmentladung bis zum Ende der Regenerierungsphase durch Verbindung der Gleichstromver¬ sorgung mit einem zweiten Verbraucher bewirkt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 1 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Verbraucher durch eine elektrische Verbindung zwischen den Glimmelektroden gebildet wird.
8. Verfahren nach Anspruch 1 und mindestens einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Plasmazustand durch optische Spektroskopie ermittelt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Plasmazustand durch optische Emissionsmessung ermittelt wird.
10. Verfahren nach Anspruch 1 und mindestens einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Plasmazustand durch die Produktbildung zwischen Glimmspannung, Glimmstrom und Glimmzeit ermittelt wird.
11. Verfahren nach Anspruch 1 und mindestens einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß zur Charakterisierung des Plasmazustandes das Produkt aus der Glimmspannung und der Glimm¬ zeit gebildet wird.
12. Verfahren nach Anspruch 1 und mindestens einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß zur Charakterisierung des Plasmazustandes das Produkt aus dem Glimmstrom und der Glimmzeit gebildet wird.
13. Verfahren nach Anspruch 1 und mindestens einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Plasmazustand mittels Sonden gemessen wird.
14. Verfahren nach Anspruch 1 und mindestens einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß zur Ermittlung des Plasmazu¬ standes die Temperatur im Plasma gemessen wird.
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