WO1996031927A1 - Ultraviolet laser and method of producing the same - Google Patents

Ultraviolet laser and method of producing the same Download PDF

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Toshiharu Hayashi
Hiroto Urakata
Hironori Nakamuta
Eiichiro Otsuki
Koji Inamoto
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    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/03Constructional details of gas laser discharge tubes
    • H01S3/034Optical devices within, or forming part of, the tube, e.g. windows, mirrors

Definitions

  • the glass substrate 26 for the mirror on the laser output side is sufficient in this wavelength range to transmit the laser light of 37.1 nm, which is the oscillation wavelength of the nitrogen laser, with as little loss as possible. It must be made of a material with high transmittance. Therefore, in the past, quartz glass such as synthetic quartz has generally been used as the glass substrate for the mirror on the laser output side. Quartz glass has a high transmittance of 85% or more up to the ultraviolet region around 27 Onm and is easily available.
  • the present invention solves the above-described disadvantages, and is a compact ultraviolet light source capable of maintaining highly reliable operating characteristics for a long period of time.
  • the present invention aims to provide a laser device and a method of manufacturing the same.
  • the present invention provides a glass substrate for an output mirror having a transmittance of 337 nm wavelength laser light at a thickness of 5 mm. 8 is in the range of 0% to 9 6%, and 0-3 0 0 thermal expansion coefficient in the hand is in the range of 4 4 1 0 _ 7 / ° C to 5 5 X 1 0 ⁇ 1 Z ° C glass.
  • a metal sealing ring is hermetically bonded to the opening end of the vacuum vessel, and the glass substrate for the output mirror and the metal sealing ring are hermetically sealed with low melting point solder glass. Ultraviolet laser device.
  • the invention of the manufacturing method includes disposing a discharge electrode inside a cylindrical ceramics vacuum vessel, and hermetically joining a metal sealing ring to an open end, and if necessary, a A part of the inner surface of the mirror glass substrate with the mirror film is abutted against the opening end surface of the vacuum vessel, and a low melting point is located near the metal sealing ring and the mirror glass substrate. Solder glass is supplied, heated and baked, and the metal sealing ring and the glass substrate for the mirror are hermetically sealed, and then the gas of the laser medium is sealed inside the vacuum container. ing. BRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES
  • FIG. 1 is a schematic diagram of a general nitrogen gas laser tube device.
  • FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a main part showing a conventional structure.
  • a cathode 17 and an anode 18 are opposed to each other across the laser light path and in the axial direction of the tube. It is arranged in parallel to.
  • the cathode 17 and the anode 18 are fixed to and supported by two support rods 34, 35, 36, and 37, respectively, provided through the vacuum vessel 31 in an airtight manner.
  • a metallization layer M is attached to the area of the outer peripheral wall at the opening end of the vacuum container 31 made of alumina ceramics, which should be in contact with the outer wall.
  • This consists mainly of applying molybdenum and manganese powder in a slurry with an appropriate solvent, applying it, heating and firing, and then coating the surface with a nickel plating layer. It is.
  • the open end face 31a of the vacuum vessel is polished at right angles to a central axis, that is, a laser beam path axis C, to finish the surface.
  • a central axis that is, a laser beam path axis C
  • the substrate sealing ring 39 and the silver solder are arranged in the region of the metallization layer on the outer peripheral wall of the opening end of the vacuum vessel 31 to about 780 °. Heat to C and seal tightly.
  • the electrode support rods to which the cathode 17 and the anode 18 are fixed in advance and an exhaust pipe (not shown) are simultaneously hermetically contacted with the corresponding positions of the vacuum vessel.
  • the glass substrate for the mirror and the mirror film deposited on the surface are heated to a temperature at which the mirror film is deteriorated. The process is performed without glass substrates, that is, with only a vacuum container.
  • the inside of the vacuum vessel is evacuated from an exhaust pipe (not shown), and the vacuum vessel and the electrodes in the pipe are heated to an appropriate temperature to release gas and exhaust. Subsequently, nitrogen gas is introduced from the exhaust pipe so as to have a predetermined internal pressure, and then the exhaust pipe is sealed off. Then, if necessary, it is assembled in a case together with a power supply device to complete the nitrogen laser device having the configuration shown in FIG.
  • the output mirror glass substrate 32 has a transmittance of laser light of a wavelength of 337 nm in a thickness of 5 mm in the range of 80% to 96% and 0 ° C.
  • thermal expansion coefficient of ⁇ 3 0 0 ° C is 4 4 x 1 0 - composed of 7 / glass material in the range of ° C - 7 / ° C to 5 5 x 1 0.
  • the glass substrate for the output mirror is more preferably a glass material having a transmittance of laser light having a wavelength of 337 nm in the range of 85 to 94% at a thickness of 5 mm. It is.
  • borosilicate glass is suitable, and a specific example thereof is a material code 084 glass (common name) manufactured by Toshiba Glass Co., Ltd. FP-3) and material code C GW-7056 manufactured by Coatings Co., Ltd. are easily available and suitable.
  • borosilicate glass BK-7 which is known to be suitable for brazing and fusion welding with Kovar, has a transmittance curve indicated by a chain line B in FIG. At a wavelength of 1 nm, a transmittance of only 73% is obtained, and at a wavelength of 308 nm, only a transmittance of 22% is obtained, which cannot be used in such an ultraviolet laser device.
  • the glass substrate for an output mirror applicable to an excimer laser device in the ultraviolet region has a transmittance of 75% to 92% for a laser beam having a wavelength of 300 nm at a thickness of 5 mm. and 0 Te ⁇ 3 0 0 thermal expansion coefficient in ° C is glass material in the range of 4 4 X 1 0- 7 Z Te to 5 5 X 1 0 ⁇ ⁇ / ° C. More preferably, similarly, similarly, similarly, similarly, similarly, similarly, similarly, similarly, similarly, similarly, a glass element having a transmittance of a laser beam having a wavelength of 308 ⁇ m in a range of 80% to 90% at a thickness of 5 mm. Material.
  • the low melting point hang glass of de LS—0 1 1 1 is 0 to 300
  • the coefficient of thermal expansion at about 50 ° C is about 50 x 10 " 7 Z ° C.
  • the sealing metal ring for the board is connected to ceramics such as Kovar or similar aluminum. Select a material with good properties, and provide a thinned and curved strain absorbing part as necessary ..
  • Kovar is generally 45 to 52 X 10 — 7. C. if 5 0 X 1 0 - 7 are have a thermal expansion coefficient.
  • the temperature of the low-melting-point solder glass in the sealing process can be increased or decreased. Since the thermal expansion and shrinkage rates of these materials are close to each other, a highly reliable hermetically sealed state with little distortion can be obtained.
  • the sealing portion of the vacuum vessel of the laser device is hermetically sealed with inorganic hang glass, the vacuum hermeticity does not deteriorate in a normally encountered use environment. rare.
  • the material is hermetically sealed with a material having a similar thermal expansion coefficient, it is possible to exhaust while performing baking at a relatively high temperature before exhausting the laser device, that is, before enclosing the laser medium. As a result, impurity gases or impurities adhering to or built into the inner wall or electrodes of the laser device are exhausted by high-temperature baking. Can be sufficiently removed.
  • the structure is relatively simple, the number of components is small, the length of the vacuum vessel is increased, and there are almost no elements that increase the diameter. be able to.
  • the laser medium sealed in the vacuum vessel can maintain its initial state for a long time. Further, the transmittance of the laser output light of the mirror substrate is sufficiently high, and almost no deterioration of the mirror film occurs. In this way, a highly reliable ultraviolet laser device without a decrease in laser output for a long period of time can be obtained.
  • an ultraviolet laser device capable of maintaining a compact and highly reliable operating characteristic for a long period of time.

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Description

明細書 発明の名称
紫外域レーザ装置及びその製造方法
技術分野
本発明は、 窒素ガス レーザやエキシマ レーザ等の紫外域レ 一ザ装置及びその製造方法に関する。 背景技術
窒素ガス レーザやエキ シマ レーザ等の紫外域レーザ発振装 置は、 各種の化学実験、 分析、 生物化学、 或いは色素レーザ の励起光源等と して広く 利用されている。 例えば主と して 3 3 7 . l n mの紫外域レーザ光を発振する窒素ガス レーザ装 置は、 パルス発振動作であり、 比較的簡略な構造で高い ピー ク 出力が得られる特長を備えている。 エキシマレーザ装置は、 3 0 8 n mやその他の紫外域又は真空紫外域波長の高出カレ 一ザ光の発振源と して周知である。
一般的な横方向放電励起方式の窒素ガス レーザ装置を例に 採る と、 図 1 にその概略構成を示すよ う に、 窒素ガス レーザ 管装置 1 1 及びそれに動作電圧を供給するよ う に電気的に接 铳された電源装置 1 2 を備えている。 電源装置 1 2 は、 高電 圧発生器 1 3 を有し、 それにスパー クギャ ッ プ又はサイ ラ ト ロ ンのよ う なスィ ツ チ素子 1 4 が接続される と共にス ト レー ジコ ンデンサ 1 5 を介してガス レーザ管装置 1 1 に接铳され ている。
ガス レーザ管装置 1 1 の真空容器の内部には、 レーザ媒質 と して窒素ガスが所定の圧力で封入さ れ、 さ らに一対の放電 用電極 1 6 , 1 7 が対向配置されている。 なお、 放電発生時 に一方の電極 1 6 は陽極と して、 他方の電極 1 7 は陰極と し て機能するので、 これらを陽極 1 6、 陰極 1 7 と称する。 ま た、 陽極及び陰極間に、 ピーキ ングコ ンデンサ 2 2及び充電 抵抗 2 3が並列接続されている。
このよ う な窒素ガス レーザ管装置は、 動作においてスィ ッ チ素子 1 4が開いている状態で高電圧発生器 1 3からス 卜 レ ージコ ンデ ンサ 1 5 に充電される。 こ の充電終了の後、 スィ ツ チ素子 1 4 が閉じ られる と、 ス ト レー ジコ ンデンサ 1 5 に 蓄積されている電荷はこのスィ ツ チ素子を通してピーキング コ ンデンサ 2 2 に移行する。 この電荷の移行によ り、 陽極及 び陰極間に所定のパルス状高電圧が加わってグロ一放電が発 生する。 それによ り、 図示しない高反射ミ ラ ーと出力 ミ ラ ー との間で光共振が起こ り、 出力 ミ ラー側から レーザ光が出力 される。
と こ ろで、 従来の窒素ガス レーザ管装置の光共振器を形成 する ミ ラー部は、 図 2 に示すよ う に、 ガラス又はセラ ミ ッ ク スからなる円筒状の真空容器 2 4の開口端部に、 ミ ラー膜 2 5が蒸着された ミ ラー用ガラス基板 2 6が気密封着されてい る。 図示しない高反射側の ミ ラ ー部は、 窒素レーザの発振波 長の レーザ光を 9 9 . 5 %以上反射させるよ う に、 アル ミ 二 ゥ ムまたは誘電体多層膜からなる高反射 ミ ラ ー膜を付着させ た ミ ラー用基板を有する。 この高反射側の ミ ラー用基板は レ 一ザ光を透過させる必要がないので、 比較的任意の材料で構 成し得る。
それに対して、 レーザ出力側の ミ ラー用ガラス基板 26は、 窒素レーザの発振波長である 3 3 7. 1 n mの レーザ光をで き るだけ損失な く 透過させるために、 この波長域で十分高い 透過率を有する材料で構成する必要がある。 そのため従来は、 レーザ出力側の ミ ラー用ガラ ス基板と して一般的に合成石英 のよ う な石英ガラ スが使用されてきた。 石英ガラスは、 2 7 O n m付近の紫外域まで 8 5 %以上という高い透過率を有し ており、 且つ入手が容易である。
しかしながら、 石英ガラ スからなる ミ ラー用基板の熱膨張 係数が約 5. 5 X 1 0— 7 Z°Cであるのに対して、 真空容器 24に一般的に使用されるアル ミ ナセラ ミ ッ ク スの熱膨張係 数は、 約 7 0 x l O _ 7 Z。Cであって 1桁以上大きい。 その ため、 両者をハー ドシール構造で強固に安定に気密接台する こ とが困難である。
そこで、 図 2に示すよ う に、 アル ミ ナセラ ミ ッ ク ス力、らな る真空容器 2 4の開口端部と石英ガラスからなる出力 ミ ラ ー 用ガラス基板 2 6とを、 比較的弾力性のあるエポキシ系の接 着剤 2 7によって気密に接着する構造が多く採用されてきた。 この気密封着は、 一般的にソフ ト シールと呼ばれている。 前述したよ う に、 ミ ラ ー用ガラ ス基板の気密封着をェポキ シ系接着剤で行っ たソフ ト シール構造の従来の窒素レーザ装 置では、 周囲の湿気などによ り経時的に気密封着力が劣化し 易く 、 これが原因で外気が混入して、 比較的短期間でレーザ 出力が低下する不都合ある。 特に、 エポキシ系接着剤は湿気 に弱く 、 湿度が高い気候や環境下での動作の信頼性の低下が 顕著である。
このよ うな不都合を解消 し、 レーザ装置を初期のガス封入 状態のま まで長時間保ち、 長期にわたり高い信頼性を維持で き る レーザ装置とするためには、 この気密封着部分を外気環 境の影響を受けない構造、 すなわちハー ドシール構造にする こ とが望ま しい。 その一例は、 特開平 4 — 3 4 8 0 9 1号公 報に開示されている。 それは、 真空容器側にコバール (商品 名) 及びコバールガラスを気密接合し、 さ らに中間的な熱膨 張係数を有するガラスを介して石英ガラスを接合し、 これに 同じ石英ガラスからなる ミ ラー用ガラ ス基板を溶着する構成 である。
しかしながら、 これは構造が極めて複雑であり、 したがつ て製造が煩雑になる と と もにそれだけ信頼性が乏し く なり易 く 、 しかも長大又は径大になって しま う不都合がある。
なお、 紫外域の レーザ装置でない場合には、 例えば U S P 4 7 2 7 6 3 8に対応する特開昭 6 3 - 1 0 5 7 8号公報や、 実公平 7 — 1 1 4 7 7号公報等に開示されるよ うに、 真空容 器の一部を構成する金属部材と ミ ラー用ガラ ス基板とを低融 点ハ ンダガラスによつて気密接合するこ とが開示されている。 なお前者の公報には、 B K— 7 (商品表示) などの光学用の 硼珪酸ガラ スをレーザ ミ ラ ー用基板に使用する例が記載され ている。 しかし、 このよ う な光学用ガラ ス基板は、 窒素ガス レーザ等の比較的短い波長側の紫外域レーザ装置の出力側 ミ ラー用基板と しては、 後述するよ う に透過率が低く て使用で きない。 発明の開示
こ の発明は、 以上のよ うな不都合を解消し、 コ ンパク 卜で 長期にわたって信頼性の高い動作特性を維持し得る紫外域レ
—ザ装置、 及びその製造方法を提供する こ とを目的とする c この発明は、 出力 ミ ラ ー用ガラス基板が 5 m mの厚さにお ける波長 3 3 7 n mの レーザ光の透過率が 8 0 %乃至 9 6 % の範囲であり、 且つ 0 〜 3 0 0てにおける熱膨張係数が 4 4 1 0 _ 7 / °C乃至 5 5 X 1 0 ~ 1 Z °Cの範囲であるガラ ス素材からなり、 さ らに真空容器の開口端部に金属封着リ ン グが気密接合され且つ出力ミ ラー用ガラス基板と金属封着リ ングとが低融点ハ ンダガラスによ り気密封着されている紫外 域レーザ装置である。
また製造方法の発明は、 筒状のセラ ミ ッ ク ス製真空容器の 内部に放電用電極を配置する と と もに開口端部に金属封着リ ングを気密接合し、 必要によ り予め ミ ラ ー膜を付着した ミ ラ 一用ガラス基板の内面の一部を真空容器の開口端面に突き当 てる と と もに金属封着リ ングと ミ ラー用ガラス基板との近接 部に低融点ハンダガラスを供給し、 これを加熱焼成して金属 封着リ ン グと ミ ラー用ガラス基板とを気密封着 、 その後真 空容器の内部に レーザ媒質のガスを封入する こ とを特徴と し ている。 図面の簡単な説明
図 1 は、 一般的な窒素ガス レーザ管装置の概略構成図。 図 2 は、 従来の構造を示す要部縦断面図。
図 3 は、 この発明の実施例を示す要部縦断面図。
図 4 は、 図 3の製造工程中の状態を示す要部縦断面図。 図 5 は、 図 4の次の製造工程中の状態を示す要部縦断面図, 図 6 は、 図 5の次の製造工程中の状態を示す要部縦断面図, 図 7 は、 ガラス基板の分光透過率の特性図。 発明を実施するための最良の形態 以下、 この発明の実施例を図面を参照して説明する。 なお、 同一部分は同一符号であらわす。 窒素ガスレーザ装置にこの 発明を適用し完成した状態を図 3に示す。 この実施例の窒素 ガスレーザ装置は、 略円筒状のアルミ ナセラ ミ ッ クスからな る真空容器 3 1 の一方の開口端部にハ ー ドシール構造により 気密接合された出力 ミ ラー用ガラス基板 3 2、 他方の開口端 部に同じ く ハ ー ドシール構造により気密接合された高反射ミ ラー用ガラス基板 3 3を備えている。
真空容器 3 1の内部の中央部には、 ニッケル又は真ち ゆ う のロ ッ ドからなる主放電用電極すなわち陰極 1 7及び陽極 1 8が、 レーザ光路を挟んで相対向し且つ管軸方向に平行に配 置されている。 これら陰極 1 7及び陽極 1 8 は、 真空容器 3 1を気密に貫通して設けられたそれぞれ 2本の支持棒 3 4 , 3 5 , 3 6 , 3 7 に固定され、 支持されている。
さて、 出力 ミ ラー用ガラ ス基板 3 2 の内面 3 2 a の中心部 には、 出力 ミ ラー膜 3 8が付着されており、 この基板面の外 周付近が真空容器 3 1 の開口端面 3 1 a に突き当てられてい る。 真空容器 3 1 の開口端部の外周壁には、 コバール又は鉄 • ニ ッ ケル合金のよ うな基板用封着リ ング 3 9がメ タ ラィ ズ 層 M及び銀ろ う材層 4 0により真空気密にろう接されている。 基板用封着リ ング 3 9 には、 真空容器の開口端面位置から軸 方向に沿って少し延長され、 応力緩和用の屈曲部 3 9 aが形 成され、 さ らにそ こから外方に拡大された先端のフ ラ ン ジ部 3 9 bが設け られている。 この先端フ ラ ン ジ部 3 9 b は、 出 カ ミ ラー用ガラス基板 3 2の外周壁 3 2 bの厚さ方向の中間 部に近接して位置している。 なお、 基板用封着リ ングの屈曲 部 3 9 a の内径寸法は、 ガラ ス基板 3 2 の外径と同等又はご く わずか大きい寸法になっている。 それによつて、 ガラス基 板 3 2 を挿入して真空容器の開口端面 3 1 a に突き合わせる 際に、 ミ ラー膜を レーザ光路軸に正確に位置合わせする こ と が容易である と と もに、 後述する低融点ハンダガラ スの焼成 工程で、 ハ ンダガラス材料がガラス基板面 3 2 a と真空容器 の開口端面 3 1 a との接触面に不所望に流動して入り込まな いよ う にする こ とができ る。
そ して、 出力 ミ ラー用ガラス基板 3 2 の外周壁 3 2 b と基 板用封着リ ングのフ ラ ン ジ部 3 9 b とは、 両者間に盛られた 低融点ハ ンダガラス 4 1 によって真空気密に封着されている。 なお、 高反射 ミ ラー膜 4 2が付着された高反射側の ミ ラー用 ガラ ス基板 3 3 は、 同様にメ タ ラィズ層及び銀ろ う材 4 3 に より真空容器の開口端部外周に気密接合された基板用の金属 封着 リ ン グ 4 4、 及び低融点ハ ンダガラ ス 4 5 によ っ て真空 容器 3 1 に真空気密に気密封着されている。 なお、 真空容器 の内部には、 レーザ媒質の窒素ガスが所定の圧力で封入され ている。 そ して、 パルス電圧を陰極及び陽極に供給する電源 装置 1 2が接続され、 これらが図示しないケー ス内に収容さ れて レーザ発振装置が構成される。
次に、 こ のレーザ管装置の好ま しい製造手順を説明する。 まず、 図 4 に示すよ う に、 アル ミ ナセラ ミ ッ ク スか らな る真 空容器 3 1 の開口端部の外周壁のろ う接すべき領域に、 メ タ ライ ズ層 Mを付着形成する。 これは、 主と してモ リ ブデン及 びマ ンガ ン粉末を適当な溶媒でスラ リ ー状に して塗布し、 加 熱焼成した後、 その表面にニッ ケルめっ き層を被覆したもの であ る。
その後、 この真空容器の開口端面 3 1 a を、 中心軸すなわ ち レーザ光路軸 Cに対して直角に研磨して面仕上げをする。 この面仕上げによ って、 開口端面 3 l a にまでメ タ ライズ層 Mがはみ出 していても、 はみ出 した部分は除去される。
そ して、 図 5 に示すよ うに、 真空容器 3 1 の開口端部外周 壁のメ タラィズ層の領域に、 基板用封着リ ング 3 9及び銀ろ うを配置して約 7 8 0 °Cまで加熱して気密ろ う接する。 なお このろ う接工程では、 陰極 1 7及び陽極 1 8 を前も って固着 した各電極支持棒や図示しない排気管を同時に真空容器のそ れぞれ対応する位置に気密ろ う接する。 この真空容器への各 金属部品のろ う接工程は、 ミ ラ ー用ガラス基板やその面に蒸 着した ミ ラー膜が変質する温度まで加熱するので、 ミ ラー用 ガラ ス基板を着けない状態、 すなわち真空容器のみの状態で 処理する。
—方、 後述する材料からな り、 円板状に加工した出力 ミ ラ 一用ガラ ス基板 3 2の一方の面に、 予め誘電体多層膜からな る出力 ミ ラ ー膜 3 8 を蒸着によ り付着してお く 。 その後、 図 6 に示すよ う に、 真空容器 3 1 の中心軸を鉛直方向に置き、 基板用封着リ ングのフ ラ ン ジ部 3 9 b の方から ミ ラー用ガラ ス基板 3 2 を挿入する。 この工程では、 前述のよ う に、 ガラ ス基板 3 2 は封着 リ ングの屈曲部 3 9 a の内側に し つ く り入 り、 正確に位置決めされる。 そ して、 ガラス基板 3 2の ミ ラ 一膜のない内面外周部を、 真空容器の開口端面 3 1 a の内周 側に突き当て、 この状態を維持するための耐熱性のある重り 4 6 を基板上に載せる。 なお、 重りの代わり に適当な固定治 具と弾性体で両者を密着させるよ うに してもよい。
また、 下方の図示しない高反射ミ ラー側も、 同様に真空容 器と ミ ラー用基板とを当接して位置決めする。 なお前述した よ う に、 高反射ミ ラー側の ミ ラ ー用基板は、 任意の材質例え ば金属であってもよいが、 好ま し く は出力 ミ ラー用ガラス基 板 3 2 と同様の材質にすれば、 両側の ミ ラ一用基板と真空容 器とを 1 回の気密封着工程で且つ信頼性の高い封着が得られ る
そ して、 ミ ラー用ガラ ス基板 3 2の外周側壁と基板用封着 リ ングのフラ ン ジ部 3 9 b との近接した隅部の全周に、 低融 点粉末ガラスを適当な溶媒でスラ リ ー伏に した低融点ハンダ ガラ ス材料 4 1 a を、 塗布装置のノ ズル 4 7 から適当な量を — i U 一
供給 し、 乾燥して仮に固化する。 高反射 ミ ラ ー側に も、 同様 に低融点ハンダガラス材料を塗布する。
その後、 同図の状態を保ちながら図示 しない封着用加熱炉 に入れ、 徐々 に温度上昇させ、 低融点ハ ングガラス材料の焼 成温度である例えば 4 6 0 °Cまで上げて所定時間維持した後、 徐冷する。 それによ つて、 低融点ハンダガラ ス材料は焼成す なわち溶融した後凝固し、 ミ ラ ー用ガラ ス基板の外周壁 3 2 b と基板用封着リ ン グの フ ラ ン ジ部 3 9 b と は真空気密に且 つ強固に封着される。 なお、 こ の封着工程での上記加熱温度 は、 ミ ラー用ガラス基板及び誘電体多層膜からなる ミ ラー膜 カ 、 全く 又はほとんど変質しない温度である。
こ のよ う に組み立てた後、 真空容器内を図示しない排気管 から排気し、 また真空容器や管内電極を適当な温度に加熱し てガス放出させて排気をする。 続いて、 窒素ガスを所定の管 内圧力になるよ う に排気管から導入し、 そ り後この排気管を 封止切りする。 そ して、 必要によ り電源装置と と もにケース 内に組み入れて、 図 3 に示した構成の窒素レーザ装置を完成 する。
さて、 出力 ミ ラ ー用のガラス基板 3 2 は、 5 mmの厚さ に おける波長 3 3 7 n mの レーザ光の透過率が 8 0 %乃至 9 6 %の範囲であって、 且つ 0 °C〜 3 0 0 °Cにおける熱膨張係数 が 4 4 x 1 0 — 7 /°C乃至 5 5 x 1 0 — 7 /°Cの範囲のガラ ス素材で構成する。 なお、 この出力 ミ ラー用ガラス基板は、 より好ま し く は同様に 5 mmの厚さ における波長 3 3 7 n m の レーザ光の透過率が 8 5〜 9 4 %の範囲にあるガラス素材 である。 そ してこのよ う なガラ ス基板と しては、 硼珪酸ガラ スが適しており、 その具体的な例と しては東芝硝子株式会社 製の材質コー ド 0 8 4ガラ ス (慣用名 F P— 3 ) や、 コ一二 ング社製の材質コ ー ド C GW - 7 0 5 6等が容易に入手可能 であ り、 好適である。
前者の材質コー ド 0 8 4ガラ スは、 熱膨張係数が約 5 2 X 1 0 — 7 であ り、 紫外域の分光透過率を測定する と、 図 7の実線曲線 Aの結果が得られた。 試料は 5 m mの厚さの同 ガラ ス素材で、 何らの熱的化学的処理や被膜形成等を してい ないものである。 その結果、 窒素レーザの出力波長 ( L a ) である 3 3 7. l n mでは、 9 2 %の透過率を示し、 Xe2C 1 エキシマ レーザの 3 0 8 n mの波長 ( L b ) では 8 5 %の 透過率である。 比較と して、 コバールとのろ う接や融接が適 する ものと して知られている硼珪酸ガラス B K— 7 は、 同図 に一点鎖線 Bで示す透過率曲線であり、 3 3 7. 1 n mの波 長では 7 3 %、 3 0 8 n mの波長ではわずか 2 2 %の透過率 しか得られず、 このよ う な紫外域レーザ装置には使用できな い。
なお、 紫外域のエキシマ レーザ装置に適用でき る出力 ミ ラ 一用ガラス基板は、 5 m mの厚さ における波長 3 0 8 n mの レーザ光の透過率が 7 5 %乃至 9 2 %の範囲であり、 且つ 0 て〜 3 0 0 °Cにおける熱膨張係数が 4 4 X 1 0— 7 Zて乃至 5 5 X 1 0 ~ · /°Cの範囲であるガラス素材である。 また、 よ り好ま し く は、 同様に 5 mmの厚さ における波長 3 0 8 η mの レーザ光の透過率が 8 0 %乃至 9 0 %の範囲のガラス素 材である。
本発明者らの種々の検討の結果、 出力 ミ ラ ー用のガラ ス基 板の材質と しては、 S i 〇 2が 6 5. 0 - 7 0. 0 %の範囲、 A 1 Q 0 。 が 2. 0〜 8. 0 %の範囲、 K 2 0が 6. 0〜 1 0. 0 %の範囲、 L i 9 0が、 0. 5 ~ 1. 5 %の範囲、 B り 0が、 1 5. 0〜2 2. 0 %の範囲、 他の元素の合計が 2. 0 %以下の成分及びそれらの相対的質量比で構成された硼珪 酸ガラ スが実用になる こ とを見いだした。
出力 ミ ラー膜 3 8は、 酸化シ リ コ ン及び酸化ハフニウ ムの 誘電体多層膜がよ く 、 また波長 3 3 7 n mの レーザ光の反射 率が 1 0〜 5 0 %の範囲が適する。 なお、 このような紫外域 のパルス レーザ装置では、 ガラ ス基板自身の両面での反射率 が約 1 0 %又はそれ以上あれば、 出力 ミ ラー膜がな く てもよ い o
さ らに、 低融点ハ ンダガラ ス、 及び真空容器にろ う接され る基板用封着リ ングは、 0 "X:〜 3 0 0 °Cにおける熱膨張係数 がいずれも 4 4 x 1 0— 7 。 C乃至 5 5 1 0— ' 。 Cの範 囲の材質が好適である。 このよ う な低融点ハ ンダガラ スの例 と しては、 日本電気硝子株式会社製の材質コー ド L S— 0 1 1 1 という電子部品用粉末ガラ スがあ り、 これを酢酸を主成 分と した溶剤を用いてスラ リ ー状と して塗布し、 焼成温度ま で加熱して溶着する。 その場合の加熱の条件は、 毎分約 1 0 °Cの割合で焼成温度である 4 6 0 °Cまで温度上昇させ、 その 後除冷する と良好な気密接合状態が得られる。 上記の材質コ ー ド L S— 0 1 1 1の低融点ハ ングガラ スは、 0て〜 3 0 0 °Cにおける熱膨張係数が約 5 0 x 1 0 " 7 Z°Cである。 また、 基板用封着金属 リ ングは、 コバールや類似のアル ミ ナ等のセ ラ ミ ッ ク ス とろ う接性のよい材質を選択し、 必要によ って薄 肉化及び湾曲化した歪吸収部を設けて使用する。 ちなみに、 コバールは一般に 4 5乃至 5 2 X 1 0 — 7 。 Cの範囲の例え ば 5 0 X 1 0 — 7 熱膨張係数を有 している。
と く に、 上述のよ うな材質のガラス基板、 低融点ハンダガ ラ ス、 及び基板用封着リ ングを使用すれば、 低融点ハ ンダガ ラスによる封着工程の昇温及び降温過程の各温度でのこれら 材料の熱膨張、 収縮率が近似しているので、 歪が少な く 信頼 性の高い気密封着状態が得られる。
なお、 上述の実施例では、 出力 ミ ラー用ガラス基板の ミ ラ 一膜が付着された側の基板面を真空容器の開口端面に直接当 接させたが、 それに限らず、 間に リ ング状のスぺーサを介在 させて突き当てる構造に してもよい。 また、 真空容器と基板 用封着リ ングとは、 ろ う接に限らず、 上記と同様の低融点ハ ンダガラスを使用 した気密接合構造に してもよい。
以上の実施例によれば、 レーザ装置の真空容器の封着部は、 無機質のハ ングガラスによ って気密封着しているので、 通常 遭遇する使用環境では真空気密性が劣化する こ とはほとんど ない。 また、 熱膨張係数が近似した材料で気密封着されてい るので、 レーザ装置の排気すなわち レーザ媒質の封入前に比 較的高温でベーキ ングを しながら排気をする こ とが可能であ る。 そのため、 高温べ一キングによる排気で、 レーザ装置の 内壁や電極などに付着又は内蔵されている不純ガスや不純物 を十分に除去でき る。 その結果、 放電動作時に管壁や管内電 極が温度上昇しても、 それらから放出される不純ガスや不純 物によ って起こ る レーザ出力低下を抑制する こ とができ る。 そ して、 比較的単純な接合構造であるため、 部品点数が少 な く 、 且つ真空容器の全長の増大ゃ径大になる要素がほとん どな く 、 コ ンパク トな構成のレーザ装置とすることができる。 また、 真空容器内に封入した レーザ媒質は、 長期にわたって 初期の状態をほぼ維持する こ とができ る。 また、 ミ ラー用基 板の レーザ出力光の透過率は十分高く 、 且つ ミ ラ一膜の変質 もほとんど生じない。 こ う して、 長期間にわたって レーザ出 力低下のない信頼性の高い紫外域レーザ装置が得られる。
なお、 上記実施例は横方向放電励起方式のパルス レーザ装 置であるが、 放電方式はこれに限る ものではな く 、 例えば、 放電方向と同軸に レーザ発振をさせる縦方向放電励起方式の 紫外域レーザ装置等について も同様に適用でき る。
以上説明 したよ う に、 この発明によれば、 コ ンパク 卜で長 期にわたって信頼性の高い動作特性を維持し得る紫外域レー ザ装置が得られる。

Claims

請求の範囲
1 . 筒状のセラ ミ ッ ク ス製真空容器の内部に少な く と も 1 対の放電用電極が配置され、 前記真空容器の一端開口側に高 反射 ミ ラー用基板、 他端開口側に出力 ミ ラー用ガラ ス基板が それぞれ気密接合される と と もに前記真.空容器の内部に レー ザ媒質が封入された紫外域レーザ装置において、 上記出力 ミ ラー用ガラ ス基板は、 5 m mの厚さ における波長 3 3 7 n m の レーザ光の透過率が 8 0 %乃至 9 6 %の範囲であ り、 且つ 0て〜 3 0 0てにおける熱膨張係数が 4 4 X 1 0 _ ' Z °C乃 至 5 5 X 1 0 — 7 Zての範囲であるガラス素材からなり、 さ らに上記真空容器の開口端部に金属封着リ ングが気密接合さ れ、 上記出力 ミ ラー用ガラス基板と前記金属封着リ ングとが 低融点ハンダガラスによ り気密封着されている こ とを特徴と する紫外域レーザ装置。
2 . 筒状のセラ ミ ッ ク ス製真空容器の内部に少な く と も 1 対の放電用電極が配置され、 前記真空容器の一端開口側に高 反射ミ ラー用基板、 他端開口側に出力 ミ ラー用ガラス基板が それぞれ気密接合される と と もに前記真空容器の内部にレー ザ媒質が封入された紫外域レーザ装置において、 上記出力 ミ ラー用ガラ ス基板は、 5 m mの厚さにおける波長 3 0 8 n m のレーザ光の透過率が 7 5 %乃至 9 2 %の範囲であり、 且つ CTC〜 3 0 0 °Cにおける熱膨張係数が 4 4 X 1 0 — ' Z °C乃 至 5 5 1 0 — ' Z °Cの範囲であるガラス素材からなり、 さ らに上記真空容器の開口端部に金属封着リ ングが気密接合さ れ、 上記出力 ミ ラー用ガラス基板と前記金属封着リ ングとが 低融点ハンダガラスによ り気密封着されている こ とを特徴と する紫外域レーザ装置。
3. 上記出力 ミ ラー用ガラ ス基板は、 5 m mの厚さ におけ る波長 3 3 7 n mの レーザ光の透過率が 8 5 %乃至 9 4 %の 範囲のガラ ス素材である請求項 1記載の紫外域レーザ装置。
4. 上記出力 ミ ラ一用ガラ ス基板は、 5 m mの厚さ におけ る波長 3 0 8 n mの レーザ光の透過率が 8 0 %乃至 9 0 %の 範囲のガラス素材である請求項 2記載の紫外域レーザ装置。
5. 出力 ミ ラ一用ガラ ス基板は、 硼珪酸ガラスである請求 項 1又は請求項 2記載の紫外域レーザ装置。
6. 上記出力 ミ ラー用ガラス基板は、 下記 ( 1 ) から (6) に記載された成分及びそれらの相対的質量比で構成された硼 珪酸ガラスである請求項 1又は請求項 2記載の紫外域レーザ 装置。
( 1 ) S i 0 2が、 6 5. 0〜 7 0. 0 %の範囲
( 2 ) Α 1 。 〇 3力く、 2. 0〜 8 , 0 %の範囲
( 3 ) Κ。 0が、 6. 0〜 1 0. 0 %の範囲
( 4 ) L i 2 0が、 0. 5〜 1. 5 %の範囲
(5) B n Oが、 1 5. 0 - 2 2. 0 %の範囲
( 6 ) 他の元素の合計が、 2. 0 %以下
7. 上記出力 ミ ラー用ガラス基板の内面上に出力 ミ ラー膜 が付着されており、 該出力 ミ ラー膜は酸化シ リ コ ン及び酸化 ハフニウムを含む誘電体多層膜からなる請求項 1又は請求項
2記載の紫外域レーザ装置。
8. 出力 ミ ラー用ガラス基板の内面上に出力 ミ ラー膜が付 着されており、 該出力 ミ ラー膜は波長 3 3 7 n mのレーザ光 の反射率が 1 0 ~ 5 0 %の範囲である請求項 1又は請求項 2 記載の紫外域レーザ装置。
9. 出力 ミ ラー用ガラス基板の内面上に出力ミ ラー膜が付 着されており、 該出力ミ ラー膜は波長 3 3 7 n mのレーザ光 の反射率が 2 0〜 4 0 %の範囲である請求項 1又は請求項 2 記載の紫外域レーザ装置。
1 0. 上記出力 ミ ラー用ガラス基板の内面の一部が上記真 空容器の開口端面に直接又はスぺーサを介して突き当てられ ている請求項 1又は請求項 2記載の紫外域レーザ装置。
1 1. 上記真空容器の開口端面はレーザ光路軸に対して垂 直に面仕上げされている請求項 1 0記載の紫外域レーザ装置。
1 2. 上記金属封着リ ング及び低融点ハングガラスは、 0 °C〜 3 0 0 °Cにおける熱膨張係数が、 いずれも 4 4 X 1 0 _ 7 〜 5 5 1 0 _ 7 Z°Cの範囲である請求項 1又は請求 項 2記載の紫外域レーザ装置。
1 3. 上記請求項 1乃至請求項 1 2のいずれかに記載の装 置の放電用電極に、 パルス波形の動作電圧を供給する電源装 置を接続した紫外域レーザ装置。
1 4. 筒状のセラ ミ ッ クス製真空容器の内部に少なく と も 1対の放電用電極を配置すると と もに開口端部に金属封着リ ングを気密接合し、 ミ ラ一用ガラス基板の一方の面の一部を 上記真空容器の開口端面に直接又はスぺーサを介して突き当 てるとと もに上記金属封着リ ングと ミ ラー用ガラス基板との 近接部に低融点ハ ングガラ ス材料を供給し、 このハ ンダガラ ス材料を加熱焼成して前記金属封着リ ングと ミ ラー用ガラ ス 基板とを気密封着し、 その後上記真空容器の内部に レーザ媒 質を封入する こ とを特徴とする紫外域レーザ装置の製造方法。
1 5 . 予め上記真空容器の開口端面を レーザ光路軸に対し て垂直に面仕上げする請求項 1 4記載の紫外域レーザ装置の 製造方法。
1 6 . 筒状のセラ ミ ッ ク ス製真空容器の開口端部の外周壁 にろ う接用のメ タ ライ ズ層を付着し、 その後上記真空容器の 開口端面を レーザ光路軸に対して垂直に面仕上げし、 その後 上記真空容器の内部に放電用電極を配置する と と もに開口端 部の外周の上記メ タラィ ズ層に金属封着 リ ングを気密ろ う接 し、 その後ミ ラー用ガラス基板の内面の一部を上記真空容器 の開口端面に直接又はスぺーサを介して突き当てる と と もに 上記金属封着リ ングと ミ ラー用ガラス基板との近接部に低融 点ハ ングガラ ス材料を供給し、 こ のハ ンダガラ ス材料を加熱 焼成して前記金属封着リ ングと ミ ラー用ガラ ス基板とを気密 封着し、 その後上記真空容器の内部に レーザ媒質を封入する こ とを特徴とする紫外域レーザ装置の製造方法。
1 7 . 予め上記 ミ ラー用ガラス基板の内面に ミ ラー膜を付 着しておく 請求項 1 4又は請求項 1 6記載の紫外域レーザ装 置の製造方法。
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