WO1997007588A1 - Convertisseur de courant electrique - Google Patents

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    • H03K17/79Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar semiconductor switches with more than two PN-junctions, or more than three electrodes, or more than one electrode connected to the same conductivity region

Definitions

  • the present invention relates to a power converter that converts alternating current into direct current or direct current into alternating current.
  • Fig. 2 shows an example of the configuration of a power converter equipped with a thyristor valve and its control device.
  • the power converter shown in the figure has a plurality of optical direct firing thyristors (hereinafter simply referred to as thyristors) LTT in series as switch elements having the characteristic of passing current only in one direction. Equipped with a connected thyristor valve.
  • a voltage divider circuit is connected in parallel to each thyristor LTT in order to equalize the voltage sharing of each thyristor in this thyristor: /.
  • Each voltage divider consists of a series circuit of a capacitor C and a resistor R.
  • Reactors L provided at both ends of the series thyristor limit the current flowing into the thyristor LTT when the thyristor LTT turns on. Reactor L also serves to reduce the rising speed of the surge voltage applied to thyristor LTT when external surge voltage V S is applied to thyristor LTT.
  • Light emitting diodes LEDF and LEDR that emit light when a forward voltage and a reverse voltage are applied to each thyristor LTT are connected in parallel to each thyristor LTT.
  • the resistor RD limits the current flowing through the light emitting diodes LEDF and LEDR.
  • the pulse generator PG includes a photoelectric converter LEC that converts signals from the light emitting diodes LEDF and LEDR into a forward voltage signal FV and a reverse voltage signal RV.
  • the forward voltage signal FV and the reverse voltage signal RV are used to determine the timing of the gate pulse that controls the gate of the thyristor LTT.
  • the pulse generator PG light emitting diodes LED connected in series in the same number as the series number of thyristors LTT are provided.
  • the serially connected light emitting diode LED is connected to a power supply E through a switching device S1 and a series impedance Z1.
  • each light-emitting diode LED emits light simultaneously.
  • Light emitted from each light emitting diode LED is input to a gate of each thyristor LTT through a light guide LG. That is, by turning on the switching device S1, the series-connected thyristors LTT can be simultaneously turned on.
  • LG1 is a logic circuit for controlling the switching device S1, and AMP1 receives the output of the logic circuit LG1 and outputs a signal for controlling the switching device S1 on and off.
  • Amplifier -This thyristor valve is provided with an Ares valve. The arrester Ar limits the peak value of the extraneous surge voltage V S to achieve insulation coordination with the withstand voltage (V D RM) of the thyristor L LTT.
  • FIG. 3 is a waveform diagram showing a relationship between a voltage / current waveform and a gate pulse during thyristor valve operation.
  • the waveform diagram shown in FIG. 2 is a waveform diagram in a case where the thyristor valve shown in FIG. 2 is connected to a three-phase prism and the inverter is operated by an inverter.
  • AA is the voltage between the terminals of the thyristor LTT
  • I ⁇ is the thyristor valve current.
  • ⁇ and ⁇ show the transient withstand voltage after the thyristor valve current I ⁇ is cut off and before the forward voltage withstand voltage recovers to the rated value VDRM.
  • the thyristor L ⁇ ⁇ requires a certain period of time TF ⁇ from when the thyristor valve current I ⁇ ⁇ is cut off until the withstand voltage in the forward direction completely recovers and can withstand an external voltage equivalent to VDR ⁇ . It is. In normal operation, there is no problem because the transient withstand voltage ⁇ ⁇ > terminal voltage A ⁇ is designed.
  • PHS is a gate pulse command input from a controller (not shown) to the logic circuit LGI of the pulse generator PG.
  • the logic circuit LGI in the pulse generator PG turns on the switching device S1 when the AND condition with the forward voltage signal FV such as the gate pulse command PHS is satisfied.
  • the surge voltage VS1 becomes silenced during the period T1 after the current IT is cut off.
  • the thyristor LTT cannot withstand the surge voltage VS 1 and may break down.
  • the AND condition of the gate pulse command PHS and the forward voltage signal FV The current I 1 is passed to the switching device S 1 by establishing the condition.
  • all the thyristors LTT are turned on by causing the light emitting diodes LED to emit light simultaneously at time t1 and inputting the protection gate power to all the thyristors LTT.
  • the terminal voltage AA (thyristor voltage) applied to the thyristor LTT is a forward voltage.
  • the LTT turns on and normal operation is no longer possible.
  • the protection gate power In order to protect the thyristor LTT from the surge voltage VS2, the protection gate power must be applied to all thyristors LTT under the condition that the surge voltage VS2> AA10 ⁇ ⁇ ⁇ ( ⁇ ⁇ ⁇ is the voltage margin). Must be entered. However, unless ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ is set so that ⁇ ⁇ + ⁇ AA and BB, thyristor LTT cannot be protected. Since the transient withstand voltage BB has an inherent difference due to the thyristor LTT, a judgment function must be provided for determining whether to input the protection gate power for each thyristor LTT individually.
  • the pulse generator PG provided on the ground potential side and the high potential side thyristor
  • the light guide LG is directly connected to the gate part of the lithium LTT, and it is not necessary to provide an electronic circuit in the gate part of the thyristor LTT on the high potential side.
  • This enables the realization of highly reliable and simple thyristor valves. Therefore, providing a complex protection circuit for the thyristor valve loses the advantage of the optical direct firing thyristor LTT. Attempts have been made to incorporate a self-protection function for the forward voltage in the period T2 into the thyristor itself, but this has not been successful at present.
  • the forward withstand voltage of the thyristor LTT has recovered to the rated value V DRM, so that no protection is required if the protection level of the arrestor Ar is coordinated. It is extremely difficult and impossible to achieve protection against forward overvoltage during the period T 2 in the light direct firing thyristor bulb.
  • the distribution of the residual carrier at the joint surface is random, and when an overvoltage is applied, it turns on from the part with the lowest withstand voltage (the part with more residual carrier). In this case, if the carrier is not replenished enough to turn on electricity, local heating will occur, leading to destruction.
  • An object of the present invention is to provide a power supply in the transition period from when the thyristor valve current flowing through the thyristor LTT is cut off until when the forward withstand voltage is restored to the rated value.
  • An object of the present invention is to provide a power converter including a thyristor valve that does not destroy a thyristor LTT even when a forward overvoltage exceeding a withstand voltage is applied. Disclosure of the invention
  • the present invention includes a pulse generator that can output two different types of gate power, turns on the thyristor LTT with the first gate power, and sets a forward withstand voltage after the thyristor valve current is cut off.
  • the second gate line is given to the thyristor LTT during the transition period when the power returns to the rated value.
  • This second gate power is set to a low power that cannot turn on the thyristor LTT with a normal applied voltage.
  • a small number of carriers can exist in the gate portion during the transition period, and the portion having the lowest forward withstand voltage in the junction plane can be the gate portion. If a forward overvoltage is applied to the thyristor LTT in this state, the thyristor LTT is always turned on from the gate. When turned on from the gate section, the carrier increases due to the amplification action of the gate current, and the state shifts to a conductive state safely, thereby avoiding destruction.
  • the second gate gate is too large, the thyristor LLT T will be turned on with a normal applied voltage, and normal operation will be impeded. If the gate size is too small, the protection effect will be insufficient. It is effective to select the second gate power from 1% to 10% of the minimum gate trigger power.
  • the second gateno The period during which the key is continuously provided is slightly longer than the turn-off time of the thyristor LLT T. As a result, the rated forward withstand voltage can be restored immediately after the second gate power is turned off.
  • the second gate power input period is set with the detected time as a starting point. By doing so, the second gate power can be reliably provided during the recovery period of the transient forward voltage of the thyristor LTT.
  • Two electronic switches are provided for controlling the current flowing to a light source (for example, a light emitting diode) that applies gate power to the optical thyristor LTT, and the first gate switch is operated by the operation of the first electronic switch. And a second gate power is generated by the operation of the second electronic switch.
  • the first gate power can be applied by interruption regardless of the voltage value. Can provide better protection
  • the initial period (TI) of the recovery period of the transient forward voltage is a period in which the residual carrier is large
  • the withstand voltage of the portion other than the gate portion is reduced, and the portion other than the gate portion is reduced. May occur. It is safer to apply the first gate power to turn on from the gate part avoiding the ON phenomenon in parts other than the gate part.
  • FIG. 1 is a configuration diagram of a power conversion device including a thyristor valve control device according to the present invention.
  • Fig. 2 shows the configuration of a conventional thyristor valve.
  • Fig. 3 shows the relationship between the voltage and current waveforms and the gate pulse during thyristor valve operation.
  • FIG. 1 shows the configuration of a power conversion device provided with a thyristor valve to which the present invention is applied.
  • FIG. 1 portions denoted by the same reference numerals as those in FIG. 2 have the same functions.
  • pg is a pulse generator installed at the ground potential, and applies an optical gate pulse to the light direct firing thyristor LTT.
  • the series circuit of the light emitting diode LED which is the light source of the gate power, is turned on and off by the switching devices S I and S 2 to and from the power source E, and the currents I 1 and I 2 flow, respectively, to output the optical gate power.
  • Z 1 and Z 2 are series impedances for determining the currents I I and 12, respectively.
  • LG1 and LG2 are logic circuits for operating the switching devices SI and S2, respectively.
  • AMPI and AMP2 are amplifiers that amplify the output signals of the logic circuits LG1 and LG2, respectively, and drive the switching devices SI and S2 with their outputs.
  • the forward voltage signal FV and the reverse voltage signal RV which indicate that the forward voltage and the reverse voltage are applied to the thyristor LTT, are respectively connected to the logic circuits LG1 and L1 to determine the driving conditions of the switching devices S1 and S2. Taken into LG 2.
  • Figure 3 shows the voltage and current waveforms during thyristor valve operation and the relationship between the thyristor valve and the present invention. This shows the relationship between the gate pulses.
  • the logic circuit LG2 extends the reverse voltage signal RV and outputs the protection period setting signal STFP as shown in FIG.
  • the protection period setting signal STPF is amplified by the amplifier AMP2, and then the switching device S2 is turned on to supply the current I2 to the light emitting diode LED. Since the current I 2 is limited to a value sufficiently lower than the current I 1 by the series impedance Z 2, it is possible to input a desired weak optical gate power to the thyristor LTT only during the period TPF. .
  • CC indicated by a dashed line indicates the forward withstand voltage of the thyristor LTT when the current I 2 is supplied to the light emitting diode LED and the second gate power is applied to the thyristor LTT.
  • the forward withstand voltage CC is lower than the forward withstand voltage BB when the second gate power is not applied to the thyristor LTT. This is because a weak gate power is input to the thyristor LTT, and as a result, the withstand voltage of the gate section decreases.
  • the characteristic of the forward withstand voltage CC of the thyristor LTT when the second gate power is given to the thyristor LTT is that when the external surge voltage exceeds the forward withstand voltage CC, the gate turns on from the gate. It is to be. By turning on from the gate, there is an advantage that the thyristor LTT is not destroyed. If the current I 2 is set so that C C> A A10 ⁇ ⁇ ⁇ , normal operation can be performed without any problem even if I 2 is present.
  • the thyristor LTT By turning off the current I2 flowing through the switching device S2 after the elapse of the period TFP, the thyristor LTT rapidly recovers the breakdown voltage to the rated value VDMR of the forward withstand voltage.
  • the forward breakdown voltage of the thyristor LTT is not fully recovered, but according to the present invention, if an overvoltage exceeding the breakdown voltage is applied during this period, the thyristor LTT will not be detected. It breaks over but is protected without being destroyed.
  • the impedance Z2, switching device S2, logic circuit LG2, and amplifier AMP2 shown in Fig. 1 are added to the pulse generator PG of the thyristor valve shown in Fig. 2.
  • VDRM the rated value
  • the process of restoring the forward breakdown voltage after the thyristor valve current is cut depends on the thyristor junction temperature T j and the thyristor valve current IT. Therefore, the recovery time becomes longer as the thyristor valve current IT becomes larger and the junction temperature Tj becomes higher.Therefore, if the thyristor valve current IT and the junction temperature Tj become larger, the protection period setting signal STFP is also increased. If the valve current IT and the junction temperature T j become smaller, the protection period setting signal STFP becomes shorter. By varying the protection period setting signal STFP in this manner, comprehensive protection can be achieved.
  • the signal ITS that links to the thyristor valve current IT and the signal TjS that links to the thyristor junction temperature Tj are input to the pulse generator pg, and the signals are input to the logic circuit LG2.
  • the thyristor valve when the forward overvoltage exceeding the withstand voltage of the thyristor is applied during the transient period until the thyristor recovers the forward withstand voltage, The thyristor is always turned on from the gate part to protect the thyristor from destruction, and this thyristor valve can realize a highly reliable AC / DC converter.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Description

明 細 書 電力変換装置 技術分野
この発明は、 交流を直流に又は直流を交流に変換する電力変換装置に 関する。 背景技術
第 2図にサイ リ ス夕バルブ及びその制御装置を備えた電力変換装置の 構成例を示す。 同図に示す電力変換装置は、 一方向にのみ電流を通じる 特性を持ったスィ ツチ素子と して複数個の光直接点弧サイ リ スタ (以下、 単にサイ リ ス夕と呼ぶ) L T Tを直列接続してなるサイ リ スタバルブを 備えている。 このサイ リ スタバル:/における各サイ リ ス夕の電圧分担を 均等化するため各サイ リ スタ L T Tに分圧回路が並列接続されている。 各分圧回路はコ ンデンサ Cと抵抗 Rの直列回路からなる。 直列サイ リ ス 夕の両端に設けた リ アク トル Lにより、 サイ リ ス夕 L T Tがターンオン した時にサイ リ スタ L T Tに突入する電流を制限している。 リ アク トル Lは外来サージ電圧 V Sがサイ リ スタ L T Tに印加された時、 サイ リ ス 夕 L T Tに加わるサージ電圧の立上がり俊度を緩和する役目もはたして いる。
また、 個々のサイ リ ス夕 L TTに対して該サイ リス夕 L T Tに順電圧、 逆電圧が印加された時に発光する発光ダイォー ド L E D F , L E D Rが 並列接続されている。 発光ダイオー ド L E D F, L E D Rに流れる電流 を抵抗 R Dが制限する。 各発光ダイオー ド L E D F、 L E D Rの光出力 はライ トガイ ド L G Sにより大地電位に設置されたパルス発生装置 P G に伝送される。
パルス発生装置 P Gは、 発光ダイオー ド L E D F, L E D Rからの信 を順電圧信号 F V, 逆電圧信号 R Vに変換する光電変換器 L E Cを備 えている。 順電圧信号 F V, 逆電圧信号 R Vは、 サイ リ スタ L T Tのゲ 一トを制御するゲー トパルスのタイ ミ ングを決定するのに用いる。
パルス発生装置 P G内に、 サイ リ ス夕 L T Tの直列数と同じ数だけ直 列接続された発光ダイォー ド L E Dが設けられている。 この直列接続の 発光ダイオー ド L E Dはスイ ッ チ ングデバイ ス S 1 , 直列イ ン ピーダン ス Z 1を通して電源 Eに接続される。
スィ ッチングデバイス S 1をオンすることにより直列接続の発光ダイ オー ド L E Dに電流 I 1が流れ、 それにより各発光ダイォー ド L E Dが 同時に発光する。 各発光ダイオー ド L E Dから発した光はライ トガイ ド L Gを通して各サイ リ スタ L T Tのゲー トに入力される。 即ち、 スイ ツ チングデバイス S 1をオンするこ とにより、 直列接続されたサイ リ ス夕 L T Tを同時にターンオンさせる ことができる。 L G 1 はスイ ッチング デバイス S 1を制御するためのロ ジッ ク回路であり、 AM P 1はロジッ ク回路 L G 1の出力を受けてスィ ツチングデバイス S 1をオン Zオフ制 御する信号を出力する増幅器である。 - このサイ リス夕バルブはア レス夕 A rが設けられている。 ア レスタ A rは外来サージ電圧 V Sの波高値を制限し、 サイ リ ス夕 L T Tの耐電圧 (V D RM) との絶縁協調を図っている。
第 3図は、 サイ リ スタバルブ動作時の電圧 · 電流波形とゲ— トパルス の関係を示す波形図である。 同図に示す波形図は、 第 2図に示すサイ リ スタバルブを三相プリ ッ ジ接続し、 それをイ ンバ一タ運転をした場合の 波形図である。 A Aはサイ リ スタ L T Tの端子間電圧であり、 I Τはサイ リ スタバル ブ電流を示す。 Β Βはサイ リ スタバルブ電流 I Τが切れた後、 順電圧耐 量が定格値 V D RMまで回復するまでの過渡耐電圧を示している。
サイ リ スタ L Τ Τは、 端子間電圧 Α Αがサイ リ ス夕バルブ電流 I τが 切れてから順電圧に回復するまでの逆電圧期間 Τ 1内にターンオフする。 —般に、 ターンオフタイム十余裕時間 =逆電圧期間 T 1 となるように設 計されている。 サイ リ スタ L T Tはターンオフすると順方向耐電圧 Β Β が回復を始める。
サイ リ スタ L Τ Τは、 サイ リ スタバルブ電流 I Τが切れてから順方向 耐電圧が完全に回復して V D R Μに相当する外来電圧に耐え得るように なるまでに所定の時間 T F Ρが必要である。 通常の運転では、 過渡耐電 圧 Β Β >端子間電圧 A Αになるように設計されているので問題ない。
しかし、 こ?)期間 T F Pに過渡耐電圧 B Bを越えるような過電圧がサ ィ リ スタ L T Tに印加される と、 サイ リ スタ L T Tはその過電圧に耐え るこ とができず、 破壊する場合がある。
P H Sは、 図示していない制御装置からパルス発生装置 P Gのロジッ ク回路 L G I に入力されるゲー トパルス指令である。 パルス発生装置 P G内のロジッ ク回路 L G I は、 ゲー トパルス指令 P H S ど順電圧信号 F Vとの A N D条件が成立した場合に、 スイ ッチングデバイス S 1をオン させる。
第 3図では、 時刻 t oにてゲー トパルス指令 P H Sと順電圧信号 F V との A N D条件が成立して電流 I 1が流れる。 電流 I 1による発光ダイ ォ一 ド L E Dの光出力を各サイ リ ス夕 L T Tのゲ一 卜に同時に入力する こ と によ っ てサイ リ ス夕 L T Tをター ンオ ンさせ、 サイ リ ス夕バルブ電 流 I Tを流す。
電流 I Tが切れてから期間 T 1の間にサージ電圧 V S 1がサイ リ ス夕 L T Tに印加されると、 サージ電圧 V S 1 >過渡耐電圧 B Bの場合には、 サイ リスタ L T Tはサージ電圧 V S 1 に耐えることができず破壊する塲 合がある。
従来、 サイ リ スタバルブを保護するために、 期間 T 1においてサージ 電圧 V S 1 が発生した場合には、 サージ電圧 V S 1 が発生した時刻 t 1 にゲー トパルス指令 P H Sと順電圧信号 F Vの A N D条件を成立させて スイ ッチングデバイス S 1に電流 I 1を流している。 発光ダイオー ド L E Dを時刻 t 1で一斉に発光させて全てのサイ リ スタ L T Tに保護ゲ— トパワーを入力することにより、 全てのサイ リ スタ L T Tをターンオン させるこ とが行われている。
しかし、 期間 T 2にサージ電圧 V S 2が発生した場合には、 サイ リ ス タ L T Tに保護ゲー トパワーを入力してターンオンさせることはできな い。 期間 T 2にサイ リ ス夕 L TTに保護ゲー トパワーを入力することは、 次の理由で極めて困難であり、 実用化されていない。
期間 T 2の間は、 サイ リ スタ L T Tに印加されている端子間電圧 A A (サイ リ スタ電圧) が順電圧であるこ とから、 この期間 T 2でゲ一 トパ ヮ一を与えるとサイ リ スタ L T Tがタ一ンオンしてしまい通常の運転が できなく なってしま う。
サージ電圧 V S 2からサイ リ ス夕 L T Tを保護するためには、 サージ 電圧 V S 2 > A A十 Δ Α Α (Δ Α Αは電圧の余裕度) の条件で全サイ リ スタ L T Tに保護ゲー トパワーを入力する必要がある。 但し、 Α Α + Δ A Aく B Bになるよう Δ Α Αを定めなければ、 サイ リ ス夕 L T Tは保護 できない。 過渡耐電圧 B Bはサイ リスタ L T Tによる固有差があるため、 全サイ リ ス夕 L T T個別に保護ゲー トパワーを入力すべきかどうかの判 断機能を設けなければならない。 特に光直接点弧サイ リ スタ L T Tの場 合、 大地電位側に設けられているパルス発生装置 P Gと高電位側のサイ リ ス夕 L T Tのゲー 卜部とは直接ライ トガイ ド L Gで結ばれ、 高電位側 のサイ リスタ L T Tのゲー ト部には電子回路を設ける必要がないのが特 徵である。 これにより、 高信頼度でシンプルなサイ リ スタバルブの実現 を可能にしている。 したがって、 サイ リ スタバルブに複雑な保護回路を 設けることは光直接点弧サイ リ スタ L T Tの利点を失ってしま う。 サイ リ スタ自身に、 期間 T 2における順電圧に対する自己保護機能を内蔵さ せる試みはなされているが現状では成功していない
尚、 期間 T 3ではサイ リ ス夕 L T Tの順方向耐圧は定格値 V D R Mま で回復しているので、 ア レス夕 A rの保護レベルと協調を図っておけば、 何等保護は必要ない。 光直接点弧サイ リ ス夕バルブにおいて、 期間 T 2 における順方向過電圧に対する保護を実現することは極めて困難であり、 実現されていない。
サイ リ スタ L T Tのサイ リ スタバルブ電流が切れてから順方向耐電圧 が定格値に回復するまでの過渡期間に、 その耐電圧を越える順方向過電 圧がサイ リ ス夕 L T Tに印加された場合、 サイ リ スタ L T Tは過電圧に 耐えることができず、 再びオンしてしま う。 この現象は次のように説明 できる。 すなわち、 サイ リ ス夕 L T Tの電流が切れた後、 内部の接合 部にキャ リ アが残存する。 この残存キャ リ アが主に再結合して徐々に消 滅してゆく 。 サイ リ ス夕の順方向耐電圧は残存キヤ リ アの量に依存して おり、 キヤ リ ァが消滅すると定格電圧に耐えるようになる。 接合面にお ける残存キヤ リ アの分布はラ ンダムであり、 過電圧が印加された時には 最も耐電圧の低い部分 (残存キャ リ アの多い部分) からオンする。 この 場合、 オン時の通電に充分なキヤ リ アが補給されないと局部加熱が起こ り、 破壊に至る。
本発明の目的は、 サイ リ ス夕 L T Tに流れるサイ リ ス夕バルブ電流が 切れてから順方向耐電圧が定格値まで回復するまでの過渡期間に、 その 耐電圧を越える順方向過電圧が印加されたと してもサイ リ スタ L T Tの 破壊されないサイ リスタバルブを備えた電力変換装置を提供することに ある。 発明の開示
本発明は、 相異る 2種類のゲー トパワーを出力できるパルス発生器を 備え、 第 1のゲ一 トパワーによりサイ リ スタ L T Tをターンオンさせ、 サイ リ ス夕バルブ電流が切れてから順方向耐電圧が定格値まで回復する 過渡期間に第 2のゲー トパヮ一をサイ リ スタ L T Tに与える。 この第 2 のゲー トパワーは通常の印加電圧ではサイ リ ス夕 L T Tをターンオンさ せることができない低いパワーにする。 これにより、 過渡期間中にゲー ト部に少数のキヤ リ ァを存在させることができ、 接合面内における順方 向耐電圧の最も低い部分がゲ一 ト部となるようにすることができる。 こ の状態でサイ リ スタ L T Tに順方向過電圧が印加されると、 サイ リ ス夕 L T Tは必ずゲー ト部からターンオンするこ とになる。 ゲー ト部からォ ンするとゲー ト電流の増幅作用によりキヤ リ アが増大し、 安全に導通状 態に移行し、 破壊を免れるこ とができる。
第 2のゲー トパヮ一が大きすぎると、 通常の印加電圧でサイ リ ス夕 L T Tがオ ン してしまい正常な運転が阻害される。 またゲー トパヮ一が小 さすぎると保護の効果が不十分になる。 第 2のゲ— トパヮ一は最小ゲー ト ト リガパワーの 1 %から 1 0 %に選定するのが効果的である。
第 2のゲー トノ、。ヮーを与え続ける期間は、 サイ リ ス夕 L T Tのター ン オフ時間より少し長い期間にする。 これにより、 第 2のゲー トパワーを オフ した直後にサイ リ ス夕は定格の順方向耐電圧を回復する こ とができ る
サイ リ スタバルブ電流が切れた後に、 サイ リ スタ L T Tの端子間に現 れる逆電圧を検出し、 その検出時点を起点に して第 2のゲー トパワーの 入力期間を設定する。 このようにするこ とにより、 サイ リ ス夕 L T Tの 過渡順電圧の回復期間に確実に第 2のゲ一 トパワーを与えるこ とができ る
光サイ リ スタ L T Tにゲー トパワーを与える光源 (例えば発光ダイォ ー ド) に流す電流を制御するための電子スィ ッチを 2つ設け、 第 1の電 子スィ ツチの動作により第 1のゲー トパヮ一を発生させ、 第 2の電子ス イ ッチの動作により第 2のゲ一 トパワーを発生させる。 1つの光源によ り第 1 , 第 2のゲ一 トパワーを発生させるこ とによって簡単でかつ信頼 性の高いサイ リ ス夕バルブが実現できる。
過渡順電圧の回復期間のうち初期 (第 3図の期間 T 1 ) にサイ リ ス夕 L T Tに順方向電圧が印加された場合、 その電圧値に拘らず第 1のゲー トパワーを割り込みで与えるこ とにより保護をより確実にするこ とがで きる
過渡順電圧の回復期間の初期の期間 (T I ) は残存キャ リ アが多い期 間であるためゲ— ト部以外の部分の耐電圧が低下しており、 ゲ— ト部以 外の部分でのォン現象が起こる可能性がある。 ゲ一ト部以外の部分での オン現象を避けて必ずゲー ト部からオンさせるため第 1のゲ— トパワー を与えるのがより安全である。
サイ リ スタ L T Tの順方向耐圧の回復過程はサイ リ ス夕バルブ電流、 接合温度に依存する。 サイ リ スタバルブ電流、 接合温度が共に大き く な る程回復時間がより長く なるので、 第 2のゲー トパワーを入力する保護 期間をより長く 設定する こ とにより、 確実な保護機能を備えたサイ リ ス 夕バルブが実現できる。 図面の簡単な説明 第 1図は本発明によるサイ リ スタバルブの制御装置を備えた電力変換 装置の構成図。
第 2図は従来のサイ リスタバルブの構成図。
第 3図はサイ リ スタバルブ動作時の電圧 · 電流波形とゲー トパルスの 関係を示した図。 発明を実施するための最良の形態
本発明をより詳細に説明するために、 添付の図面にしたがつてこれを 説明する。
第 1図は本発明を適用したサイ リ スタバルブを備えた電力変換装置の 構成を示している。 第 1図において第 2図と同一符号を付した部分は同 —機能を備えたところである。
第 1図において、 p gは大地電位に設置されるパルス発生装置であり、 光直接点弧サイ リ スタ L T Tに光ゲー トパルスを与える。 ゲー トパワー の光源である発光ダイォー ド L E Dの直列回路をスィ ツチングデバイス S I , S 2で電源 Eに入り切り して夫々電流 I 1 , 1 2を流し、 光ゲ— トパワーを出力する。 Z 1 , Z 2はそれぞれ電流 I I , 1 2を決定する ための直列イ ンピーダンスである。 L G 1 , L G 2はそれぞれスィ ッチ ングデバイス S I , S 2を動作させるためのロジッ ク回路である。 A M P I , AM P 2はそれぞれロジッ ク同路 L G 1 , L G 2の出力信号を增 幅する増幅器であり、 その出力によりスイ ッチングデバイス S I , S 2 を駆動する。
サイ リ スタ L T Tに順電圧, 逆電圧が印加されているこ とを示す順電 圧信号 F V及び逆電圧信号 R Vは、 それぞれスイ ッチングデバイス S 1、 S 2の駆動条件を決めるためロジック回路 L G 1, L G 2に取込まれる。 第 3図に、 サイ リ スタバルブ動作時の電圧, 電流波形と本発明に関す るゲー トパルスの関係を示す。 サイ リ スタ L T Tに流れるサイ リ スタバ ルブ電流 I Tが切れてサイ リ ス夕 L T Tに逆電圧が現れると発光ダイォ ー ド L E D Rが発光する。 したがって、 サイ リ ス夕 L T Tに逆電圧が現 れる と光電変換器 L E Cから逆電圧信号 R Vがロジッ ク回路 L G 1 , L G 2に入力される。
ロジッ ク回路 L G 2では、 第 3図に示すよ うに逆電圧信号 R Vを引延 ばして保護期間設定信号 S T F Pを出力する。 この保護期間設定信号 S T P Fは増幅器 A M P 2で増幅されてからスイ ッチングデバイス S 2を オンして発光ダイオー ド L E Dに電流 I 2を流す。 直列イ ンピーダンス Z 2により電流 I 2は電流 I 1に比較して充分低い値に制限されるので、 期間 T P Fに限ってサイ リ ス夕 L T Tに所望の弱い光ゲー トパワーを入 力することができる。
第 3図において、 一点鎖線で示す C Cは、 電流 I 2を発光ダイオー ド L E Dに流して第 2のゲー トパワーをサイ リ スタ L T Tに与えた場合の サイ リ スタ L T Tの順方向耐電圧を示している。 順方向耐電圧 C Cは、 第 2のゲー トパワーをサイ リ スタ L T Tに与えなかった場合の順方向耐 電圧 B Bに比較し低下する。 これは弱いゲ一 トパワーをサイ リ ス夕 L T Tに入力した結果、 ゲー ト部の耐圧が低下するからである。
第 2のゲー トパワーをサイ リ ス夕 L T Tに与えた場合のサイ リ ス夕 L T Tの順方向耐電圧 C Cの特徵は、 外来サージ電圧が順方向耐電圧 C C を越えた場合、 ゲー ト部からターンオンする こ とである。 ゲー ト部から ターンオンするこ とによりサイ リ ス夕 L T Tが破壊しない利点がある。 C C〉 A A十 Δ Α Αになるよ うに電流 I 2を設定すれば、 通常の運転は I 2が存在してもま ったく 問題な く 行われる。
なお、 I 2の通電期間を I 2 ' に示すように電流 I Tが 0になってか ら T Dなる遅れ時間をおいても同じ効果が得られる。 なぜな ら、 T Dの 期間中は通電に十分な残存キヤ リ アが存在するのでサイ リ ス夕がター ン オンしても破壊に至らないからである。
期間 T F Pの経過後、 スイ ッチングデバイス S 2を流れる電流 I 2を オフするこ とによってサイ リ スタ L T Tは急速に順方向耐電圧の定格値 V D MRまで耐圧を回復する。
例えば、 第 3図に示す時刻 t 2にて順方向耐電圧 C Cを越えるサージ 電圧 V S 2がサイ リ スタ L T Tに印加される と、 サイ リ スタ L T Tは電 流 I 2の効果によりゲー 卜部からオンするので破壌からまぬがれる。 又、 時刻 t 1 にて順方向耐電圧 C Cを越えるサ—ジ電圧 V S 1 が印加 された場合も同様にして保護されるが、 従来の保護方式により期間 T 1 の間はゲー トパルス指令 P H Sと順電圧信号 F Vとの A N D条件により スイ ッチングデバイス S 1を駆動して電流 I 1を流し、 第 1のゲー トパ ヮーをサイ リス夕 L T Tに入力すれば、 より安全に保護するこ とができ る
なお、 順方向耐電圧が定格値 V D RMに回復した以降 T 3における時 刻 t 3でサージ電圧 V S 3がサイ リ スタ L T Tに印加されても、 ア レス 夕 A rによりサイ リ スタ L T Tの順方向耐電圧の定格値 V D RM以下に 制限するので特別な保護は不用である。
期間 T F Pはサイ リ スタ L T Tの順方向耐圧が十分に回復していない 状態であるが、 本発明によればこの期間にその耐圧を越える過電圧が印 加された場合、 サイ リ ス夕 L T Tが見掛上ブレークオーバーするが破壊 されずに保護される。
第 2図に示すサイ リ ス夕バルブのパルス発生装置 P Gに、 第 1図に示 すイ ン ピーダンス Z 2、 スイ ッ チ ングデバイ ス S 2、 ロ ジ ッ ク回路 L G 2、 増幅器 A M P 2を追加するのみで、 サイ リ ス夕バルブ電流が切れて から順方向耐電圧が定格値 V D R Mまで回復するまでの過渡期間に、 そ の耐電圧を越える順方向過電圧が印加された場合にもサイ リ スタ L T T が破壊しないことを特徴とするサイ リスタバルブを実現するこ とができ る
サイ リ スタバルブ電流が切れてから順方向耐圧を回復する過程はサイ リス夕の接合温度 T j とサイ リスタバルブ電流 I Tとに依存する。 した がって、 サイ リ スタバルブ電流 I Tが大き く接合温度 T j が高い程回復 時間が長く なるので、 サイ リ スタバルブ電流 I T及び接合温度 T j が大 き く なれば保護期間設定信号 S T F Pをもより長く し、 またサイ リ ス夕 バルブ電流 I T及び接合温度 T j が小さ く なれば保護期間設定信号 S T F Pを短く する。 このよ う に保護期間設定信号 S T F Pを可変させる こ とにより合埋的な保護ができる。
パルス発生装置 p gに、 サイ リ スタバルブ電流 I Tに リ ンクする信号 I T S とサイ リ スタ接合温度 T j に リ ンクする信号 T j Sを取込み、 こ れをロジッ ク回路 L G 2に入力し、 その信号により T F Pを可変にする こ とによ り、 より合埋的な保護機能を備えたサイ リ スタバルブを実現す る こ とができ る。
産業上の利用可能性
以上のように、 本発明に係るサイ リ スタバルブは、 サイ リ ス夕が順方 向耐電圧を回復するまでの過渡期間に、 サイ リ ス夕の耐圧を越える順方 向過電圧が印加された場合、 サイ リ スタを必ずゲー ト部からター ンオ ン させてサイ リ スタを破壊から保護でき、 このサイ リ スタバルブにより高 信頼度の交直変換装置を実現できる。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . ゲー トパワーが与えられるこ とにより ターンオン して一方向にサ ィ リ スタバルブ電流を通じるサイ リ スタバルブを有する電力変換装置に おいて、
前記サイ リ スタバルブをターンオンするこ とのできる大きさの第 1 のゲー 卜パワーを前記サイ リ スタバルブに与える ト リガ信号を発生する ト リガパルス発生手段と、
前記サイ リ スタバルブ電流が切れてから所定の期間にわたつて前記 第 1のゲー トパワーより低い第 2のゲー トパヮ一を前記サイ リ スタバル ブへ与える補助パルス信号を発生する補助パルス発生手段と、 を具備し た電力変換装置。
2 . 請求項 1 に記載の電力変換装置において、
前記補助パルス発生手段は、 前記第 2 のゲー トパワーが前記第 1 の ゲ— トパワーの ι % ~ ι 0 %の大きさになる補助パルス信号を発生する ことを特徴とする電力変換装置。
3 . 請求項 1 に記載の電力変換装置において、
前記補助パルス発生手段は、 前記第 2のゲー 卜パワーが前記サイ リ スタバルブに与えられる期間が当該サイ リ スタバルブの通常のターンォ フ時間より長く なるよ うに前記補助パルス信号を発生させるこ とを特徴 とする電力変換装置。
4 . 請求項 1 に記載の電力変換装置において、 前記補助パルス発生手段は、 前記第 2のゲ— 卜パワーが前記サイ リ スタバルブに与えられる期間を、 当該サイ リ ス夕バルブに逆電圧が印加 されていることを示す逆電圧信号を用いて設定することを特徵とする電 力変換装置。
5 . 請求項 1 に記載の電力変換装置において、
前記サイ リ スタバルブは、
前記 ト リガ信号と して光 ト リガ信号が用いられる 1つ又は複数個の 光 ト リガサイ リ ス夕から構成され、
前記 ト リガパルス発生手段は、
電源と、 この電源に接続された発光素子と、 前記電源と前記発光素 子との間に介挿され前記光 ト リガサイ リ スタに前記第 1のゲー トパワー を与えるときにオンすることにより前記発光素子から前記 ト リ ガ信号を 発生させる第 1のスイ ッチング素子と、 を含み、
前記補助パルス発生手段は、
前記第 1のスイ ッチング素子に対して並列に接続され前記光 ト リガ サイ リ ス夕に前記第 2のゲー トパワーを与えるときにオンすることによ り前記発光素子から前記補助パルス信号に相当する光パルス信号を発生 させる第 2 のスィ ツチング素子と、 この第 2のスィ ツチング素子に直列 に接続され前記第 2のスイ ッチング素子がオンしたときに前記発光素子 に供給される電流を前記第 1 のスイ ッチング素子がオンしたときに前記 発光素子に供給される電流よ り も小さい値に制限するイ ン ピーダンス と を、 含むこ とを特徴とする電力変換装置。
6 . 請求項 1 に記載の電力変換装置において、
前記 ト リ ガパルス発生手段は、 前記サイ リ スタバルブ電流が切れて からほぼターンオフ時間に近い所定の期間内に前記サイ リ ス夕バルブに 順方向電圧が印加された場合、 前記補助パルス信号に割り込ませて前記 ト リガ信号を発生して前記第 1のゲ一 トパワーを前記サイ リスタバルブ に与えるこ とを特徵と した電力変換装置。
7 . 請求項 1 に記載の電力変換装置において、
前記補助パルス発生手段は、 前記サイ リ スタバルブ電流及びサイ リ スタ接合温度の両方又はいずれか 1つに応じて前記サイ リ ス夕バルブに 前記第 2のゲー トパワーを与える期間を制御するこ とを特徴と した電力 変換装置。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1119912B1 (de) 1998-09-29 2002-05-29 Siemens Aktiengesellschaft Pulsgenerator zum erzeugen eines spannungspulses und zugehöriges verfahren
US6211792B1 (en) * 1999-08-13 2001-04-03 JADRIć IVAN Method and apparatus detecting a failed thyristor
EP3812003A1 (en) 2019-10-25 2021-04-28 BIOTRONIK SE & Co. KG An electric circuit comprising a thyristor

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49107661A (ja) * 1973-02-16 1974-10-12
JPS5368558A (en) * 1976-12-01 1978-06-19 Toshiba Corp Protective device for gate turn-off thyristor

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3838332A (en) * 1973-07-30 1974-09-24 Philco Ford Corp Line connected scr regulator
US4547843A (en) * 1983-10-07 1985-10-15 Sundstrand Corporation Multiple output DC power supply
CH674781A5 (ja) * 1987-12-08 1990-07-13 Zellweger Uster Ag
JPH0793811B2 (ja) * 1990-05-14 1995-10-09 株式会社東芝 サイリスタバルブの保護装置
JPH0759256A (ja) * 1993-08-19 1995-03-03 Toshiba Corp サイリスタバルブの保護装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49107661A (ja) * 1973-02-16 1974-10-12
JPS5368558A (en) * 1976-12-01 1978-06-19 Toshiba Corp Protective device for gate turn-off thyristor

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