WO1998024123A1 - Procede et appareil de transport de substrats en feuilles minces - Google Patents

Procede et appareil de transport de substrats en feuilles minces Download PDF

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WO1998024123A1
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transfer
substrate
chamber
thin plate
inert gas
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PCT/JP1997/004242
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French (fr)
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Masayuki Toda
Tadahiro Ohmi
Yoshio Ishihara
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Japan Oxygen Co Ltd
Taiyo Nippon Sanso Corp
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Japan Oxygen Co Ltd
Nippon Sanso Corp
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    • H10P72/3222Loading to or unloading from a conveyor

Definitions

  • the present invention relates to a transfer method for transferring a thin plate-like substrate used for a semiconductor integrated circuit, a liquid crystal panel, or a solar cell panel between processes using a transfer robot. And transport equipment.
  • Semiconductor devices such as semiconductor integrated circuits and semiconductor lasers, active matrix liquid crystal cells, solar cells, and solar cells have highly-cleaned surfaces. It is manufactured by sequentially laminating various predetermined thin films on a silicon substrate, a gallium arsenide substrate, a glass substrate, or the like. Extremely high precision is required in the manufacture of these components, and even small amounts of impurities adhere to or adhere to the surface of the substrate to be treated, that is, the surface of the thin plate-shaped substrate. This makes it difficult to produce high quality products.
  • the sheet-like substrate may become charged during transportation or by undergoing various kinds of processing, and as a result, impurities in the atmosphere may be attracted and attached. Let's put it on.
  • a-Si amorphous silicon
  • the gate oxide film process for manufacturing of an integrated circuit the was n unit or that exist moisture on the surface of the p unit, S at the interface S i 0 2 and S i i O x Once the film is formed, the MOS transistor does not function as a switch. Similarly, if moisture is present on the surface of the capacitor, a SiOx film is formed on the interface, and the charge to the capacitor electrode is reduced. It cannot function as a storage element.
  • the wiring process before forming the tungsten (W) film, it is necessary to prevent the snow and the sink by using tungsten stainless steel. Although a TiN film is formed, the presence of moisture on the substrate causes problems such as a decrease in the adhesion of the TiN film.
  • the surface of the substrate (silicon) is reduced.
  • the carbon and silicon react to form a SiC film, which causes a malfunction in the operating characteristics of the device.
  • various processing devices used for manufacturing semiconductor integrated circuits and the like perform many processing steps such as semiconductor integrated circuits, which are arranged in a clean room from which fine particles have been removed. Since the wafers are manufactured through a process, the work (sheet-like substrate) is conveyed one after another from one processing apparatus to a processing apparatus of the next process in order to perform each process operation. For this reason, during this transfer, the thin plate-shaped base is exposed to the air in the clean room.
  • the clean room is maintained at a temperature of 20 to 25 ° C and a relative humidity of about 50%, and although particulates have been removed, gaseous impurities remain. Present in large quantities. As a result, impurities present in the clean room air will be adsorbed on the surface of the sheet-like substrate. For example, moisture adsorbs instantaneously on the surface of the sheet-like substrate. In order to prevent the adsorption of this water, it is practically difficult to remove the entire water in the clean room.
  • the sheet-like substrate is transferred under an inert gas atmosphere using a special transfer robot.
  • the following transport system has been proposed.
  • the transfer robot in this case is provided with a storage box (storage room) capable of storing the thin plate-shaped substrate under an inert gas atmosphere, and a transfer mechanism for movement. Yes. Also perform each process work
  • a processing apparatus is provided with a transfer chamber capable of transferring a thin plate-like substrate under an inert gas atmosphere.
  • a transport robot is driven to transfer a thin plate-shaped base housed in an inert gas atmosphere in a storage box in a certain process. Transfer from the chamber to the transfer chamber of the next process. Then, when the transfer robot arrives in front of the transfer chamber, the storage box of the transfer robot and the transfer chamber are connected, and each gate is opened. Then, the thin substrate is transferred between the storage box and the transfer chamber. For example, after the sheet-like substrate is carried into the transfer chamber from the storage box, the sheet-like substrate is moved from the transfer chamber to the processing device, and a predetermined process is performed. When the processing is completed, return the sheet-shaped substrate to the transfer chamber and return it to the storage box again. Then, the gate is closed and the feeding robot is driven to convey the thin plate-shaped substrate to the next step.
  • a transfer board is provided at each gate of the storage box and the transfer chamber. It will go through a gating gate valve, but the gate valve has a recess in its front that is structurally inevitable. As a result, air in the clean room accumulates in the recess, and as a result, air that has accumulated in the recess at the same time as the loading and unloading of the sheet-like substrate is performed. There is a problem that it gets into the transfer room or storage box.
  • the transfer robot holds a container (filled container) filled with high-purity inert gas.
  • Their to, housed ball Tsu impurities eyes were One or such monitors in click scan, the filled container or Tsune Luo required amount or more of gas this flow was aerated with (As a result, There was a problem in that the size of the filling container became larger and the transfer robot itself became larger, and if the gas flow rate was reduced to reduce the size of the filling container, high cleanliness was obtained. Another problem was that the atmosphere was difficult to maintain.
  • the present invention is directed to a case in which a transfer robot having a storage box transports a thin plate-like substrate from one process to the next process, and collects the thin substrate in a recess in the front of the gate valve. Further, it is an object of the present invention to provide a transfer method and a transfer device capable of preventing air from being mixed.
  • the method for transporting a thin plate-like substrate of the present invention comprises using a transfer robot provided with a storage chamber capable of storing a thin plate-like substrate in an inert gas atmosphere, using a transfer robot, and attaching a processing apparatus thereto. Maintained in a gas atmosphere In the method for transferring a thin substrate between the transfer chambers, the transfer of the thin substrate between the storage room of the transfer robot and the transfer chamber on the processing apparatus side may be performed.
  • a connection chamber is disposed between the storage chamber and the transfer chamber, and after the connection chamber is depressurized and an inert gas is introduced into the connection chamber, the gate of the storage chamber and the transfer chamber is opened. It is characterized by carrying in and out of a thin substrate.
  • the inert gas is measured by a semiconductor laser detector, and from the result, the impurity abundance ratio of each of the chambers is calculated. It is desirable to control the flow rate of the inert gas introduced into each room and the loading / unloading operation of the thin-plate base on the basis of the data.
  • each volume of the storage chamber, the transport chamber, and the connection chamber is represented by V i [cm 3 ] .V 2 [cm : i ], V If 3 is a [cm 3], the impurity exists ratio ⁇ i of the indoor, ⁇ 2, and ⁇ 3, the entire surface area of the thin plate substrate is S [cm 2],
  • the thin plate-shaped substrate is carried in and out between the storage chamber and the transfer chamber.
  • a mixed gas of an inert gas and an oxygen gas is used in place of the inert gas. Everything is possible.
  • the transfer device for a thin plate-like substrate of the present invention is provided with an airtight transfer chamber in the processing device for the thin plate-like substrate, and a loading / unloading port for loading / unloading the thin plate-like substrate between the transfer chamber and the outside.
  • a gate valve is provided at the loading / unloading port to hermetically block the loading / unloading port, while the thin-plate-like base is stored in a transport robot capable of moving between the transporting chambers.
  • An airtight storage chamber is provided, and a loading / unloading port is provided in the storage chamber for loading / unloading the sheet-like base body with the outside, and the loading / unloading port is hermetically shielded at the loading / unloading port.
  • a gate valve is provided, and the gate valve is opened in a state where the storage chamber and the transfer chamber are connected to each other.
  • An airtight connection room is provided between the storage room and the transfer room,
  • Each of the storage chamber, transfer chamber and connection chamber is provided with a gas inlet and an exhaust port for venting inert gas, and a vacuum exhaust means for ventilating under reduced pressure.
  • This is a device for transporting a thin plate-shaped substrate characterized by this.
  • a semiconductor laser detector for measuring the impurity concentration in each of the chambers, and an impurity content ratio in each chamber are calculated from the impurity concentration, and the calculation result is obtained. It is desirable to provide control means for controlling the loading and unloading of the thin plate-like base between the storage room and the transfer room based on the above.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an external perspective view of the transfer robot according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a main part of the gate valve according to the embodiment of the present invention, in which (a) shows a state when closed, and (b) shows a state when opened.
  • Fig. 4 is an enlarged view of the main part of Fig. 1.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing a state in which the transfer robot 30 is connected to a transfer chamber 2 attached to the processing apparatus 1
  • FIG. 2 is an external view of the transfer robot.
  • an air-tight transfer chamber 2 is additionally provided in a processing apparatus 1 for a thin plate-shaped substrate S.
  • the processing apparatus 1 performs a predetermined processing on the sheet-like substrate S.
  • the processing apparatus 1 performs a predetermined processing on the sheet-like substrate S.
  • substrate processing apparatuses such as plasma etching apparatuses, fall into this category.
  • a transfer hand 5 is provided in the transfer chamber 2, and the transfer hand 5 is provided between the storage box 3 and the transfer chamber 2 and between the transfer chamber 2 and the processing apparatus 1. In this way, the thin substrate S can be taken in and out.
  • the transfer chamber 2 is provided with a loading / unloading port 2a for loading / unloading the thin plate-shaped substrate S with the outside, and the loading / unloading port 2a is airtightly shielded from the loading / unloading port 2a.
  • a gate valve GV2 that can be operated is provided outside the gate valve GV2, a connection pipe 4a constituting the connection chamber 4 is joined by an internal space. As shown in FIG. 4, the connecting pipe 4a is attached to the transfer chamber 2 side by a flange 4b at one end, and a flange 4 at the other end.
  • the front end face of the gate valve GV1 (described later) on the transfer robot 30 side can be airtightly connected to b.
  • the transfer robot 30 can be freely moved between the plurality of transfer chambers 2, and is provided with a portable thin plate-shaped base storage box (storage room) 3. Yes.
  • the transport robot 30 is guided along a magnet rail 31 on a floor on which a dust-free sheet 36 is spread, as shown in FIG. Then, it drives itself by driving the motor 33.
  • the storage box 3 can be kept airtight.
  • a loading / unloading port 3a for loading / unloading the sheet-like substrate S between the inside and the outside of the storage room 3 is provided, and the loading / unloading port 3a is provided at the loading / unloading port 3a.
  • a gate valve GV1 is provided to hermetically shield the loading / unloading port 3a.
  • Gate valves GV1 and GV2 are provided with appropriate ports with inlet / outlet ports 2a and 3a as shown in Fig. 3 (a) and (b) when they are closed and open.
  • a gate plate 8c By mounting a gate plate 8c on the slide itself on the thick casing 8a, and operating the gate plate 8c by the drive mechanism 8b.
  • the gates 8c can be opened and closed, and the gate plate 8c can be opened and closed as shown in FIG. 3 (a) with the gate plate 8c closed.
  • a recess 8d is formed on the front side of the.
  • the inside of the storage box 3 of the transfer robot 30 is ventilated by inert gas using an inert gas.
  • the gas inlet 11 and the exhaust 21 are provided for the purpose.
  • the gas inlet 11 is provided with a valve V 1. When the gas inlet 11 is connected to the gas supply source, the valve V 1 is opened. Thus, inert gas can be introduced into the storage box 3.
  • the gas inlets 12 and 13 through which the inert gas is ventilated.
  • outlets 22 and 23 are provided.
  • Norelev V2, V3 When these valves V2 and V3 are opened while the gas inlets 12 and 13 are connected to the gas supply source, the gas inlet becomes inactive.
  • the gas can be introduced into the transfer chamber 2 and the connection chamber 4 individually.
  • Flow control devices C 1 C 2 and C 3 are provided upstream of valves VI, V 2 and V 3 at the gas inlets, respectively.
  • Each gas outlet 21, 22, 23 is connected to a vacuum exhaust means (a part is shown as a vacuum pump 25), and the exhaust line of each chamber has An impurity measuring means for measuring impurities, for example, a semiconductor laser detector Kl, ⁇ 2, ⁇ 3 is provided.
  • a semiconductor laser detector Kl, ⁇ 2, ⁇ 3 is provided according to the measurement results of the semiconductor laser detectors ⁇ 1, ⁇ 2, ⁇ 3, the flow control devices C1, C2 at each gate valve GV1, GV2, each gas inlet A control means 10 is provided to control the operation of the transfer hand 5, C3 and the transfer hand 5.
  • a semiconductor laser detector impurity measuring means
  • windows are provided in each room and lasers are passed through these windows. If an oscillator and a photodetector that receives laser light from the oscillator are provided, in-situ measurement can be performed.
  • the inert gas introduced here is a gas that does not react with the sheet-like substrate S and from which fine particles and moisture have been removed.
  • the inert gas may be, for example, a gas. , Nitrogen gas, argon gas, helium gas, etc. can be used.
  • the transport robot and the processing equipment are damaged in the unlikely event that a large amount of As a safety measure, use inert gas to which oxygen gas is added in advance as a safety measure in case active gas leaks out. You can.
  • the oxygen gas to be added at this time should be one from which fine particles, moisture and gas-like impurities have been removed.
  • the oxygen concentration in the above mixed gas is less than 18%, a large amount of gas with low oxygen concentration may flow into the clean room, and the oxygen concentration may decrease. If more than 22% of the gas flows into the cleanroom, it may be ignited by a small amount of static electricity. It is desirable that the oxygen concentration be 18% by volume to 22% by volume.
  • the semiconductor laser detectors K1, K2, and K3 receive an oscillator that oscillates laser light having an oscillation wavelength in the infrared region, and receive and receive the oscillated laser light. And at least a light receiver for measuring the absorption spectrum of the laser light.
  • the oscillator or the light receiver oscillates or receives laser light having a wavelength described later, but is not limited to an oscillator, but is used as an oscillator.
  • the DFB semiconductor laser does not require a monochromator or other spectrometer because the diffraction grating is in the current injection region and has a single mode oscillation. Light loss is small, and the device can be downsized.
  • DBRs distributed Bragg Reflection
  • the receiver is a photodetector that has sensitivity to the wavelength of the laser light of the oscillator to be used, and is composed of, for example, Ge and InGaAs.
  • a solid-state photodetector is preferred.
  • the exhaust line from each of the storage box, the connection room, and the transfer room, or the semiconductor line is provided in each room.
  • By providing a window through which laser light can pass, and installing an oscillator and a receiver in that window it is possible to measure impurities in the atmosphere in each room. This makes it possible to detect trace impurities (0.1 ppm level). Adjustment of the oscillation wavelength is also easy.
  • the concentration of impurities can be detected instantaneously, it is suitable for utilizing the impurity data by feeding it back.
  • the oscillation wavelength may be set to 1.35 to 1.42 ⁇ m.
  • the oscillation wavelength from the oscillator is 0.75 If the sweep range of 1-2 ⁇ m, this you measure H 2 Ru Oh at this is found gaseous impurities, C 0 2, CH 4, S i H 4, HF, HB r, the ⁇ 2 or the like at the same time And become ⁇ .
  • Quantification of impurities using a semiconductor laser may be performed by applying various known methods, for example, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-99845. The law can be applied.
  • the absorption spectrum of the inert gas in the storage box 3, connection chamber 4, and transport chamber 2 is subtracted from the measured absorption spectrum, and subtracted. Identify and identify absorption peaks related to impurities, select absorption peaks that have almost no interference peaks as close as possible, and quantify impurities based on their absorption intensities. You should.
  • the wavelength can be easily swept by changing the current injected into the oscillator or the temperature of the oscillator.
  • the storage box 3 When the transport robot 30 in which the thin plate-shaped substrate S is stored in the storage box 3 is transported to a certain process, the storage box 3 is connected. Connected to transfer room 2 via connecting room 4. Then, according to the command of the control means 10, the connection chamber 4 is depressurized, the inert gas is ventilated, and at the same time, the storage box is opened. The impurity concentration in the space 3, the connection room 4, and the transfer room 2 is measured by the semiconductor laser detectors K1, K2, and K3. Then, the control unit 10 calculates the impurity abundance ratio of each chamber from the impurity concentration, and based on the data, determines the amount of the purge gas (inert gas) to be introduced. Flow rate is controlled.
  • the gate valves GV1 and GV2 are opened, and the storage box 3 is connected to the storage box 3 via the connection chamber 4. Loading and unloading of the sheet-like substrate S is performed between the transfer chambers 2.
  • the flow rate of the purge gas is always controlled such that the abundance ratio of impurities in the storage box 3 and the transfer chamber 2 is equal to or less than a specified value.
  • the storage box 3 and the transfer chamber 2 are connected via the connection chamber 4, and the thin substrate S is loaded while the connection chamber 4 is in a gas-tight state.
  • the storage box 3 and The air in the clean room which has accumulated in the recesses 8d of the gate valves GV1 and GV2 of the transfer chamber 2 (see FIG. 3), accompanies the loading and unloading of the sheet-like substrate S. So that it does not enter the transfer chamber 2. Therefore, it is possible to avoid adverse effects due to impurities mixed in at the same time as the loading of the sheet-like substrate S.
  • the flow rate of the purge gas in each of the chambers 2, 3, and 4 is controlled by the impurity data obtained by the semiconductor laser detectors K1, K2, and K3. Then, when the abundance of impurities within the specified value is reached, the gate valves GV1 and GV2 are opened, and at the same time, the transfer of the sheet-like substrate S by the transfer hands 5 and 6 is performed. Since the process is performed, the sheet-like substrate S can always be transferred under a highly clean atmosphere.
  • the carrier gas is filled with the gas (inert gas or a mixture of inert gas and oxygen gas) held in the transfer robot. Some containers can be made smaller.
  • the impurities are moisture or organic carbon
  • loading and unloading are performed in the next stage.
  • the amount of impurities adsorbed in the transport system is 10 13 XS or less.
  • the amount of impurities is 10 XS
  • the adsorption of impurities on the surface of the sheet-like substrate is less than the adsorption of monolayers. You can do it.
  • monolayer adsorption when the impurity is water, only a gas molecule is present around the water molecule, so that a natural oxide film is not formed even in the presence of oxygen.
  • organic contaminants organic carbonaceous materials
  • the sheet-like substrate S that satisfies the above (formula a) and is carried into the transfer chamber 2 is taken into the predetermined processing apparatus 1 by the transfer hand 5, and is processed by the processing hand 5.
  • the predetermined processing is performed by 1.
  • the sheet-like substrate S is transferred again from the transfer chamber 2 to the storage box 3 by the transfer hand 5 and drives the transfer robot 30. By doing so, it is transported to the next process.
  • the thin substrate s was transported using the transport device of the present invention, and the presence or absence of a natural oxide film on the surface of the thin substrate s and organic contaminants were measured.
  • Moisture organic contaminant storage box 4 0 2 x 10 0 Transfer room 3 x 10 2 X 0 Connection room 3 x 10 0 1.2 x 10 0 Under these conditions, the thin plate substrate S is stored in the storage box.
  • a transfer experiment was carried out to transfer the wafer from 3 to the transfer chamber 2, and the natural oxide film and organic contaminants on the surface of the thin substrate S returned to the storage box 3 were examined by X-ray photoelectron spectroscopy. Analyzer and FT-IR (Fourier transform Infrared spectrometer), neither was confirmed.
  • the storage chamber of the transfer robot and the transfer chamber on the processing device side are connected via the connection chamber, and the connection chamber is gas purged.
  • the thin substrate is loaded and unloaded in the state of being closed, so that the inside of the clean room that has accumulated in the recesses of the storage box and the gate valve of the transfer chamber is set. This prevents air from entering the transfer chamber as the thin substrate is carried in and out. Therefore, it is possible to prevent the adverse effects due to impurities mixed in at the same time as the loading of the sheet-like substrate.

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Feeding Of Articles By Means Other Than Belts Or Rollers (AREA)

Description

明 細 薄板状基体の搬送方法及び搬送装置 技術分野
本発明 は、 例 え ば半導体集積 回路、 液晶パ ネ ル、 太陽電 池パ ネ ル に 用 い ら れ る 薄板状基体 を、 搬送 ロ ボ ッ ト を 用 い て 工程 間 で 搬送す る 搬送方法及び搬送装置 に 関 す る。
本 明細書 は 曰 本国 への特許 出願 ( 特願平 8 — 3 1 5 1 9 3 号 ) に基づ く も の で あ り、 当 該 日 本 出願の記載 内容は本 明細書の一部 と し て 取 り 込 ま れ る も の と す る。 背景技術
半導体集積回路、 半導体 レ ーザな どの半 導体素子、 ァ ク テ ィ ブマ ト リ ク ス 型液晶 ネ ル、 太陽電池ノ、' ネ ル な どは、 表面 が高度 に 清浄化 さ れ た シ リ コ ン 基板、 ガ リ ウ ム ヒ 素基 板、 ガ ラ ス 基板な どの 上 に、 種々 の所定の 薄膜な ど を 順次 積層処理 し て 製造 さ れ る。 こ れ ら の 各部品 の製造 に は極め て 高 い精度 が要求 さ れ、 処理の施 さ れ る 基板、 す な わ ち 薄 板状基体の 表面 に 僅 かで も 不純物が付着、 吸着 し て い る と、 高品 質の 製品 の製造が 困難 に な る。 ま た、 薄板状基体は、 搬送 中 に、 あ る い は 各種の処理 を 経 る こ と に よ り 帯電す る こ と があ り、 そ の結果、 雰囲気 中 の 不純物 を 引 き 寄せ、 付 着 さ せや す レ、。
例 え ば、 不純物 と な る 水分が製造工程 中 の 半導体基板の 表面 に 吸着 し て い る と、 製造工程 に 障害が起 き て し ま う。 さ ら に、 こ の水分が 多 く、 そ の雰囲気 中 に 酸素 が存在 す る と、 基板表面 に 自 然酸化膜が形成さ れ、 そ の後の所定の薄 膜形成な ど が行 え な く な る。 ま た、 液晶パ ネ ル に使用 さ れ る 薄膜 ト ラ ン ジ ス タ ( T F T ) の製造工程 に お い て、 S i N X な どか ら な る 絶縁膜の表面 に水分が存在 し て い る と、 そ の 上 に ァ モ ノレ フ ァ ス シ リ コ ン ( a — S i ) 膜 を 均 一 の厚 さ に 精度良 く 形成で き な く な る。 ま た、 集積回路 ( I C ) の製造の ゲー ト 酸化膜工程で は、 n部 ま た は p部の表面 に 水分が存在 す る と、 S i 0 2 と S i の 界面 に S i O x 膜が 形成 さ れて し ま レ、、 M O S ト ラ ン ジ ス タ が ス イ ッ チ と し て 機能 し な く な る。 同様 に、 キ ャ パ シ 夕 の表面 に水分が存在 す る と、 そ の 界面 に S i 0 X 膜が形成 さ れて し ま レ、、 キ ヤ パ シ 夕 電極への チ ャ ー ジ がで き ず、 記憶素子 と し て 機能 し な く な る。
ま た、 配線工程で は、 タ ン グ ス テ ン ( W ) 膜 を 形成す る 前 に、 タ ン グ ス テ ン シ リ サ イ ド に よ る ス ノ、' イ ク 防止の た め に T i N膜 を 形成す る が、 基板上 に 水分が存在す る と、 T i N膜の密着性 が低下 す る な どの不具合 を 生 じ る。
さ ら に、 水以外の 不純物、 例 え ば メ タ ン 等の有機系 不純 物の存在下 で 熱処理等 を 行 う と、 基板 ( シ リ コ ン ) 表面で 炭素 と シ リ コ ン が反応 し て、 S i C 膜が形成 さ れて し ま い. デバ イ ス の 動作特性 に 不具合 を 生 じ る。
通常、 半 導体集積 回路 な どの 製造 に 用 い ら れ る 各種処理 装置 は、 微粒子 を 除去 し た ク リ ー ン ルー ム 内 に 配置 さ れ る, 半導体集積 回路 な ど は 多 く の処理工程 を 経て 製造さ れ る の で、 各工程作業 を施 す た め に、 あ る 処理装置か ら 次工程の 処理装置へ と 次 々 に ワ ー ク ( 薄板状基体) が搬送 さ れ る。 そ の た め、 こ の搬送時 に、 薄板状基体は ク リ ー ン ルー ム 内 の空気に 晒 さ れ る こ と に な る。
ク リ ー ン ル ー ム 内 は、 通常、 温度 2 0 〜 2 5 °C、 相対湿 度約 5 0 % に 保 た れ、 微粒子 は 除去 さ れて い る も の の、 ガ ス 状不純物 は多量 に 存在 す る。 そ の た め、 ク リ ー ン ル ー ム 空気 中 に 存在 す る 不純物 が、 薄板状基体の 表面 に 吸着 す る こ と に な る。 例 え ば、 水分は瞬時 に 薄板状基体の表面 に 吸 着 す る。 こ の水分の 吸着 を 防止 す る た め に、 ク リ ー ン ルー ム 内 全体の水分 を 除去す る こ と は実際上困難で あ る。
そ こ で、 処理装置 か ら 次の処理装置へ と 薄板状基体 を 搬 送す る 際に、 特殊な 搬送 ロ ボ ッ ト を利用 し て 不活性 ガ ス 雰 囲気下 で、 薄板状基体を 移送す る 搬送 シ ス テ ム が提案 さ れ て い る。
こ の場合の搬送 ロ ボ ッ ト は、 薄板状基体 を 不活性 ガ ス雰 囲気下で 収容 し 得 る 収納 ボ ッ ク ス ( 収納室) と、 移動の た めの搬送機構 と を 備 え て い る。 ま た、 各工程作業 を 実施す る 処理装置 に は、 不活性 ガス 雰囲気下 で 薄板状基体の 受 け 渡 し がで き る 搬送室 が付設 さ れて い る。
こ の搬送 シ ス テ ム で は、 搬送 ロ ボ ッ ト を 駆動す る こ と で、 収納 ボ ッ ク ス 内 に 不活性 ガス 雰囲気下 で 収納 し た 薄板状基 体 を、 あ る 工程の搬送室か ら 次の工程の搬送室 ま で搬送す る。 そ し て、 搬送室の前 に 搬送 ロ ボ ッ ト が到着 し た段階で、 搬送 ロ ボ ッ ト の収納 ボ ッ ク ス と 搬送室 と を 接続 し、 そ れそ れの ゲ一 ト を 開 口 さ せて、 収納ボ ッ ク ス と 搬送室 と の 間で 薄板状基体の 受 け渡 し を 行 う。 例 え ば、 収納ボ ッ ク ス か ら 搬送室に 薄板状基体 を 搬入 し た ら、 そ の薄板状基体を 搬送 室か ら 処理装置 に移動 し、 所定の処理 を 行 う。 処理が終了 し た ら、 薄板状基体 を 搬送室に 戻 し て、 再び収納 ボ ッ ク ス に戻 す。 そ し て、 ゲー ト を 閉 じ て、 送 ロ ボ ッ ト を 駆動す る こ と に よ り、 薄板状基体を 次工程へ と 搬送す る。
と こ ろ で、 搬送 ロ ボ ッ ト の収納 ボ ッ ク ス と 処理装置側の 搬送室 と の 間で 薄板状基体 を 受 け渡す場合、 収納 ボ ッ ク ス と 搬送室の各ゲー ト に 設 け た ゲー ト 弁 を 介 し て 行 う こ と に な る が、 ゲ ー ト 弁は そ の前面 に、 構造上避 け ら れな い 凹部 を 有 し て い る。 そ の た め、 こ の 凹部 に ク リ ー ンルー ム 内 の 空気が溜 ま り、 そ の結果、 薄板状基体の搬入及び搬出 の際 に、 同時 に そ の 凹部 に 溜 ま っ た 空気が、 搬送室や収納 ボ ッ ク ス 内 に 混入 し て し ま う と い う 問題が あ る。 し た が っ て、 た と え 収納 ボ ッ ク ス 内、 搬送室 内、 処理装置 内 を、 微粒子 や水分、 ガ ス 状不純物等の ほ と ん どな い高清浄な雰囲気に 保持 し た と し て も、 薄板状基体の搬入、 搬 出の際 に、 前記 の僅 か な 空気の混入 が避 け ら れ ず、 薄板状基体に施す 各処 理 に 悪影響 を 及 ぼす おそ れ があ っ た。
ま た、 収納 ボ ッ ク ス に 薄板状基体 を 収納 し て 薄板状基体 を 次工程 に 搬送す る 際 に、 収納 ボ ッ ク ス 内 を 高清浄な雰囲 気に 保持 す る た め に、 搬送 ロ ボ ッ ト に は高純度不活性 ガス を 充填 し た 容器 ( 充填容器) を 保持 さ せ て い る。 そ し て、 収納 ボ ッ ク ス 内 の 不純物 を 監視 し て い な か つ た た め、 こ の 充填容器か ら 常 に 必要量以上の ガス の流量で通気 し て い た ( そ の結果、 充填容器が大型化 し、 搬送 ロ ボ ッ ト 自 身が大 き く な る と い う 問題が あ っ た。 充填容器の 小型化の た め に、 ガ ス 流量 を 低下 さ せ る と 高清浄雰囲気が保持 し難 く な る と い う 問題 も 生 じ て い た。 発明 の開示
本発 明 は、 収納ボ ッ ク ス を 備 え た 搬送 ロ ボ ッ ト に よ っ て 薄板状基体 を あ る 工程 か ら 次工程へ搬送す る 場合 に、 ゲー ト 弁 の前面 の 凹部 に 溜 ま る 空気の混入 を 防止す る こ と がで き る 搬送方 法及び搬送装置 を 提供す る こ と を 目 的 と す る。
本発明 の 薄板状基体の搬送方法は、 不活性 ガ ス 雰囲気下 で 薄板状基体 を 収納 し得 る 収納室 を 備 え た 搬送 ロ ボ ッ ト を 用 い て、 処理装置 を 付設 し且つ 不活性 ガ ス 雰囲気 に保持 さ れ る 搬送室相 互 間で 薄板状基体 を 搬送す る 方法 に お い て、 前記搬送 ロ ボ ッ ト の収納室 と 処理装置側 の搬送室間で の薄 扳状基体の搬入 出時 に、 収納室 と 搬送室 と の 間 に 接続室 を 配置 し、 該接続室 を 減圧状態 に し て 内部 に 不活性 ガス を 導 入 し た後で、 収納室 と 搬送室の ゲー ト を 開 口 し て、 薄板状 基体の搬入 出 を 行 う こ と を 特徴 と し て い る。
こ の薄板状基体の搬送方法 に お い て、 前記不活性 ガ ス を 半導体 レ ーザ検出器に て 測定 し、 そ の結果 か ら 前記各々 の 室の 不純物存在比 を 算 出 し、 そ の デ一 夕 に 基づ い て、 各室 への 不活性 ガ ス 導入流量及び薄板状基体の搬入出動作 を 制 御 す る こ と が望 ま し い。
さ ら に、 本発 明 に よ る 薄板状基体の搬送方法 に お い て、 前記収納室、 搬送室、 接続室の 各体積 を V i 〔 c m 3 ) . V 2 〔 c m :i 〕 、 V 3 〔 c m 3 〕 と し、 前記各室内 の 不純物 存在比 を ァ i 、 ァ 2 、 ァ 3と し、 前記薄板状基体の全表面 積 を S 〔 c m 2 〕 と し た 場合、
2. 7 X 1 0 19 C molecules / c m 〕
X ( V 1 X 7 1 + V 2 X ァ 2 + V 3 X ァ 3 )
≤ 1 0 13 C molecules / c m 2 〕 x S
を 満足 し て い る 時 に、 前記薄板状基体 を 前記収納室 と 前記 搬送室 と の 間 で 搬入 出 す る 構成 と す る の が望 ま し い。
上記本発 明の薄板状基体の搬送方法 に お い て、 前記不活 性 ガ ス に 代 え て、 不活性 ガ ス と 酸素 ガ ス と の混合 ガス を 用 い る こ と も 可會 で あ る。
ま た 本発 明 の 薄板状基体の搬送装置 は、 薄板状基体の処 理装置 に 気密な搬送室 を 付設 し、 該搬送室 に 外部 と の 間で 薄板状基体 を 搬入 出 す る 搬入 出 口 を 設 け、 こ の搬入 出 口 に 該搬入 出 口 を 気密 に 遮蔽 す る ゲー ト 弁 を 設 け、 一方、 前記 搬送室間 を 移動 し得 る 搬送 ロ ボ ッ ト に、 薄板状基体 を 収納 す る 気密な 収納室 を 設け、 該収納室 に 外部 と の間 で 薄板状 基体 を 搬入 出 す る 搬入 出 口 を 設 け、 こ の搬入 出 口 に 該搬入 出 口 を 気密 に 遮蔽す る ゲ ー ト 弁 を 設 け、 収納室 と 搬送室 を 接続 し た状態で ゲー ト 弁 を 開 く こ と に よ り、 薄板状基体 を 搬入 出 す る 薄板状基体の搬送装置 に お い て、 前記収納室 と 搬送室 と の 間 に 介在 さ れ る 気密 な接続室 を 設け、 前記収納 室、 搬送室、 接続室の そ れそれ に、 不活性 ガ ス を 通気す る た め の ガス 導入 口 及 び排気 口、 通気 を 減圧 下 で 行 う た めの 真空排気手段 を 設 け た こ と を 特徴 と す る 薄板状基体の搬送 装置 で あ る。
こ の搬送装置 に お い て、 前記各室の 不純物濃度 を 測定す る 半 導体 レ ーザ検出器 と、 前記不純物濃度 か ら 各室の 不純 物存在比 を 算 出 し、 そ の算 出結果 に 基づ い て 収納室 と 搬送 室 と の 間 で の薄板状基体の搬入 出 を 制御す る 制御手段 と を 備 え た 構成 と す る の が望 ま し い。
こ れ ら の 薄板状基体の搬送装置 に お い て、 前記不活性 ガ ス に 代え て、 不活性 ガ ス と 酸素 ガス と の混合ガ ス を用 い る こ と も 可能で あ る。 図面 の簡単 な説明
図 1 は本発 明 の実施形態の概略平面 図で あ る。
図 2 は 本発 明 の実施形態 に お け る 搬送 ロ ボ ッ ト の外観斜 視図 で あ る。
図 3 は本発明 の実施形態 に お け る ゲー ト 弁の要部断面図 で、 ( a ) は閉鎖時 の状態、 ( b ) は開放時の状態 を 示 す 図 で あ る。
図 4 は 図 1 の要部 の拡大図 で あ る。 発明 を 実施 す る た め の最良の形態
以下、 本発 明 の実施形態 を 図 面 に基づ い て 説明 す る。 ま ず、 本発 明 の搬送装置の概要 に つ い て 説明す る。 こ の 搬送装置 は、 製造過程 に お い て 幾つ も の処理 が施 さ れ る 薄 板状基体 を、 搬送 ロ ボ ッ ト を 用 い て 搬送す る も の で あ る。 図 1 は、 搬送 ロ ボ ッ ト 3 0 を、 処理装置 1 に付設 し た 搬送 室 2 に接続 し た 状態 を 示 す概略平面図、 図 2 は搬送 ロ ボ ッ ト の外観図 で あ る。
こ の搬送装置で は、 薄板状基体 S の処理装置 1 に、 気密 な搬送室 2 を 付設 し て い る。 こ の例 で は、 搬送室 2 に は、 2 つ の処理装置 1 が そ れ それゲ一 ト 弁 1 a を 介 し て 接続さ れて い る。 処理装置 1 は、 薄板状基体 S に所定の処理 を施 す も の で あ り、 例 え ば薄膜形成工程 で 使用 さ れ る C V D 装 置や真空蒸着装置、 不純物 ド ー ピ ン グ工程で使用 さ れ る 拡 散炉、 エ ッ チ ン グ工程て 使用 さ れ る プラ ズ マ エ ッ チ ン グ装 置な どの多 く の基板処理装置が そ れ に 該 当 す る。 搬送室 2 に は移送ハ ン ド 5 が設け ら れて お り の移送ハ ン ド 5 に よ っ て、 収納ボ ッ ク ス 3 と 搬送室 2 間及び搬送室 2 と 処理 装置 1 間 に お い て 薄板状基体 S の取 り 入れや取 り 出 し が行 え る よ う に な っ て い る。
搬送室 2 に は、 外部 と の 間 で 薄板状基体 S を 搬入 出 す る 搬入 出 口 2 a が設け ら れ、 こ の搬入 出 口 2 a に は、 該搬入 出 口 2 a を 気密 に 遮蔽 し得 る ゲー ト 弁 G V 2 が設 け ら れて い る。 ま た、 の ゲー ト 弁 G V 2 の外側 に は、 内部空間 に よ っ て 接続室 4 を構成す る接続管 4 a が接合 さ れて い る。 接続管 4 a は、 図 4 に 示 す よ う に、 端の フ ラ ン ジ 4 b に よ っ て 搬送室 2 側 に 取 り 付 け ら れて お り、 他端の フ ラ ン ジ 4 b に、 搬送 ロ ボ ッ ト 3 0 側の ゲー ト 弁 G V 1 (後述 ) の 前端面 を 気密 に接続で き る よ う に な っ て い る。
一方、 搬送 ロ ボ ッ ト 3 0 は、 複数の搬送室 2 間 を 自 由 に 移動 し得 る も の で、 可搬型の薄板状基体収納ボ ッ ク ス (収 納室 ) 3 を 具備 し て い る。 こ の搬送 ロ ボ ッ ト 3 0 は、 図 2 に 示 す よ う に、 無発麈 シ ー ト 3 6 を 敷 い た 床上の マ グ ネ ッ ト レ 一ル 3 1 に 沿 っ て 誘導さ れ、 モ 一 夕 3 3 を 駆動す る こ と に よ り 自 走す る。 収納 ボ ッ ク ス 3 は気密保持が可能 な も の で あ り、 そ の前面 に は、 収納室 3 の 内部 と 外部 と の 間 で 薄板状基体 S を 搬入 出 す る 搬入 出 口 3 a が設け ら れ、 こ の 搬入 出 口 3 a に は搬入 出 口 3 a を 気密 に 遮蔽す る ゲー ト 弁 G V 1 が設 け ら れて い る。
ゲ ー ト 弁 G V 1、 G V 2 は、 図 3 ( a ) 、 ( b ) に 閉鎖 時及 び開放時 を 示 す よ う に、 搬入 出 口 2 a、 3 a を 確保 し た 適 当 な板厚の ケ ー シ ン グ 8 a に、 ス ラ イ ド 自 在 に ゲー ト 板 8 c を 設 け、 ゲー ト 板 8 c を 駆動機構 8 b に よ っ て 動作 さ せ る こ と に よ り、 前記搬入 出 口 2 a、 3 a を 開閉 し得 る も の で あ り、 ゲー ト 板 8 c を 閉 じ た 状態で 図 3 ( a ) に 示 す よ う に、 ゲ一 ト 板 8 c の前面側 に 凹部 8 d が形成さ れて い る。
ま た、 図 1 に 示 す よ う に、 前記搬送 ロ ボ ッ ト 3 0 の収納 ボ ッ ク ス 3 に は、 不活性 ガス に よ っ て 収納 ボ ッ ク ス 3 の 内 部 を 通気 ( パ ー ジ ) す る た めの ガ ス 導入 口 1 1 及び排気 口 2 1 が設 け ら れて い る。 ガ ス 導入 口 1 1 に は バル ブ V 1 が 設け ら れて お り、 ガ ス 導入 口 1 1 を ガ ス 供給源 に接続 し た 状態で こ の バル ブ V 1 を 開 く こ と に よ り、 不活性 ガ ス を 収 納ボ ッ ク ス 3 内 に 導入で き る よ う に な っ て レ、 る。
さ ら に、 搬送室 2 及び接続室 4 に も、 そ れそれ個別 に、 高清浄な雰囲 気 を 形成す る た め、 不活性 ガ ス を 通気さ せ る ガス 導入 口 1 2、 1 3 お よ び排 出 口 2 2、 2 3 が設け ら れ て い る。 各 ガス 導入 口 1 2、 1 3 に は、 ノ ノレ ブ V 2、 V 3 が設 け ら れ て お り、 ガ ス 導入 口 1 2、 1 3 を ガス 供給源に 接続 し た状態で こ れ ら の バル ブ V 2、 V 3 を 開 く こ と に よ り、 不活性 ガス を 搬送室 2、 接続室 4 に個別 に 導入で き る よ う に な つ て い る。 な お、 そ れ それの ガス 導入 口 のバル ブ V I, V 2 , V 3 の 上流 に は、 そ れ ぞれ流量制御機器 C 1 C 2, C 3 が設 け ら れて い る。
各 ガ ス 排 出 口 2 1、 2 2、 2 3 は真 空排気手段 ( 一部 を 真空 ポ ン プ 2 5 と し て 図 示 ) に 接続さ れ、 各室の排気 ラ イ ン に は、 不純物 を 測 定す る 不純物測 定手段、 例 え ば半導体 レ ーザ検出器 K l、 Κ 2、 Κ 3 が設 け ら れて い る。 ま た、 半導体 レ ーザ検出器 Κ 1、 Κ 2、 Κ 3 の測 定結果 に応 じ て、 各ゲー ト 弁 G V 1、 G V 2、 各 ガ ス 導入 口 の流量制御機器 C 1 , C 2, C 3 や移送ハ ン ド 5 の動作制御 を 行 う べ く、 制御手段 1 0 が設 け ら れて い る。 排気 ラ イ ン に、 半導体 レ —ザ検出器 ( 不純物測定手段 ) を 設 け た オ ン ラ イ ン計測 の 他、 各室 に 窓部 を 設 け、 こ の 窓部 を 介 し て レ ーザ発振器、 発振器か ら の レ ーザ光 を 受光 す る 受光器を 設ければ、 そ の 場計測 ( i n - s i t u計測 ) を 行 う こ と も で き る。
こ こ で 導入 す る 不活性 ガ ス は、 薄板状基体 S と 反応せず 且つ微粒子 や水分の 除去 さ れ た ガ ス で あ っ て、 こ の不活性 ガ ス と し て は、 例 え ば、 窒素 ガ ス、 ァ ル ゴ ン ガス、 へ リ ウ ム ガ ス 等 を 利用 す る こ と がで き る。 ま た、 万 が一搬送 ロ ボ ッ ト ゃ処理装置等 が破損 し、 ク リ ー ン ルー ム 内 に 大量の不 活性 ガ ス が流出 し て し ま う 場合 に そ な え て、 安全対策 と し て あ ら か じ めパ ー ジ ガ ス に、 酸素 ガ ス を 添加 し た 不活性 ガ ス を 使用 す る こ と も で き る。 そ の 際 に 添加 す る 酸素 ガ ス は. 微粒子、 水分、 ガ ス 状不純物 を 除去 し た も の を 使用 す る。 な お、 上記混合ガ ス 中 の酸素濃度 は、 1 8 %未満 の場合ク リ ー ン ルー ム 内 に 酸素濃度の低 い ガ ス が大量 に 流れ る お そ れ が あ り、 ま た 酸素 濃度 が 2 2 % 以上 の ガ ス が ク リ ー ンル — ム 内 に 流れ た 場合、 わ ず か な 静電気力 に よ っ て 発火 す る お そ れ があ る こ と な どか ら、 混合ガ ス 中 の酸素濃度は 1 8 容量 % か ら 2 2 容量 % と す る こ と が望 ま し い。
半導体 レ ーザ検出器 K 1、 K 2、 K 3 は赤外領域に 発振 波長 を 持つ レ ーザ光 を 発振す る 発振器 と、 そ の発振 さ れ た レ ーザ光 を 受光 し、 受光 し た レ ーザ光 の吸収ス ぺ ク ト ル を 測定 す る 受 光器 と を 少 な く と も 具備 し て 構成 さ れて い る。
発振器 ま た は 受光器は、 後述 す る 波長の レ ーザ光 を 発振 し、 ま た は 受光 す る も の で あ れ ば、 限定 さ れ る も の で は な い が、 発振器 と し て は、 波長可変 レ ーザで あ っ て、 I n G a A s P 系 の D F B ( Distributed Feedback) 半導体 レ 一 ザが好適で あ る。 D F B 半導体 レ ーザ は回 折格子 が電流注 入領域内 に あ り、 ま た 単一モ ー ド 発振で あ る た め、 モ ノ ク ロ メ 一 夕 等の分光器 を 必要 と せ ず、 光量の損失 も 小 さ く、 ま た 装置の 小型化 を 図れ る。
同様 に、 単一モ ー ド 発振で 回折格子 が電流注入領域外 に あ る D B R ( Distributed Bragg Ref lection) も 好適で あ る。
受 光器 と し て は、 使用 す る 発振器の レ ーザ光の波長 に感 度 を 有 す る 光検出器で あ っ て、 例 え ば、 G e や I n G a A s 等 で構成 さ れ る 固体素子光検出器が好適で あ る。 こ の よ う な 半導体 レ ーザ検出器 に よ る 測定で あ る と、 収納 ボ ッ ク ス、 接続室、 搬送室の各室か ら の排気 ラ イ ン、 も し く は各 室 に 半導体 レ ーザ光 の透過す る 窓部 を 設け、 そ の 窓部 に 発 振器や受光器 を 設け る こ と に よ っ て、 各室 内 の雰囲気 中の 不純物の測 定が 可能 と な り、 微量の 不純物の検出 ( 0. 1 p p m レ ベル ) が可能 と な る。 ま た 発振波長の調整 も 容易 で あ る。 ま た、 瞬時 に 不純物の 濃度 を 検出 す る こ と が で き る の で、 不純物 デー タ を フ ィ ー ド バ ッ ク さ せて 活用 す る の に 好適で あ る。
前記不純物 と し て H 20 を 検出 す る も の で あ れば、 発振 波長 を 1. 3 5 〜 1. 4 2 〃 m と すれ ば よ い。 同様に、
C 0 に 対 し て は 1. 4 3 〜 : L . 4 6 〃 m
C H 4 に 対 し て は 1 2 9 1. 5 0 m
S i H 4 に 対 し て は 1 1 9 2 0 j ui
H F に 対 し て は 1. 2 5 〜 : L . 3 5 m、
H B r に 対 し て は 1. 3 4 〜 1. 3 7 〃 m、 0 2 に対 し て は 0. 7 5 〜 0. 7 8 / m
と すれば よ い。 さ ら に、 発振器か ら の 発振波長 を 0. 7 5 〜 2 〃 mの 範囲 で掃引 すれば、 こ れ ら ガス 状不純物で あ る H 2 、 C 0 2 、 C H 4 , S i H 4 , H F、 H B r、 〇 2 等 を 同時 に 測定す る こ と が可會 έ と な る。
半導体 レ 一ザ を 用 い た 不純物の 定量は、 種 々 の 公知 の手 段 を 応用 すれば よ く、 例 え ば特開平 5 — 9 9 8 4 5 号公報 に 記載 さ れ て レ、 る 方 法 な ど を 適用 で き る。 簡易 に は、 測定 し た 吸収ス ペ ク ト ル か ら、 収納 ボ ッ ク ス 3、 接続室 4、 搬 送室 2 内 の 不活性 ガ ス の 吸収ス ぺ ク ト ル を 差 し 引 き、 不純 物 に 係 る 吸収 ピ ー ク を 確定、 同定 し、 な る べ く 近傍に 妨害 ピー ク が な い 吸収 ピ ー ク を 選択 し て、 そ の 吸収強度 か ら 不 純物の定量 を 行 え ば よ い。 ま た、 波長の掃引 は、 発振器へ の注入電流あ る い は発振器の温度 を 変 え る こ と に よ っ て 容 易 に 行 う こ と が で き る。
以上の よ う に、 各室内 の圧力 が大気圧以 下 の場合、 特 に 有効 な 半導体 レ ーザ検出器 を 用 い た 不純物測定手段に つ い て 説明 し た が、 各室 内 の圧力 が大気圧 を越 え る 場合、 ガス ク ロ マ ト グ ラ フ を 各室の ガス 排 出 口 に 接続 し て 設 けれ ば、 ガ ス 中 の水分な どの 不純物 を 簡 易 的 に かつ 安価 に 計測 す る こ と がで き る。
次 に 本発 明 の搬送方法 を 前記搬送装置の作用 と と も に説 明 す る。
収納ボ ッ ク ス 3 内 に 薄板状基体 S を 収納 し た搬送 ロ ボ ッ ト 3 0 を、 あ る 工程 に 搬送 し た 場合、 収納ボ ッ ク ス 3 を接 続室 4 を 介 し て 搬送室 2 に 接続 す る。 そ う す る と、 制御手 段 1 0 の指令に よ っ て、 接続室 4 が減圧状態 に さ れ た 上で、 不活性 ガ ス が通気さ れ、 そ れ と 同時 に、 収納ボ ッ ク ス 3、 接続室 4、 搬送室 2 内 の 不純物濃度が半導体 レ ーザ検出器 K 1、 K 2、 K 3 に よ っ て 測定 さ れ る。 そ し て、 制御手段 1 0 に て 前記不純物濃度 か ら 各室の 不純物存在比 が算 出 さ れ、 そ の デー タ を も と に、 導入 さ れ る パー ジ ガス ( 不活性 ガ ス ) の流量が制御 さ れ る。 ま た、 そ れ と 共に、 不純物存 在比 が所定値 に な っ た 時 に、 ゲ ー ト 弁 G V 1、 G V 2 が開 かれて、 接続室 4 を 介 し て 収納 ボ ッ ク ス 3 と 搬送室 2 間で、 薄板状基体 S の搬入 · 搬 出 が行 われ る。
と こ ろ で、 収納ボ ッ ク ス 3 内 の不純物存在比が高 く な る と、 搬送 ロ ボ ッ ト 3 0 に よ る 次工程への移動 中 に、 収納ボ ッ ク ス 3 内 で 薄板状基体 S の表面の不純物量が増大 し て し ま う。 ま た、 搬送室 2 内 の 不純物存在比が高 く な る と、 処 理 し た 薄板状基体 S の表面 に 多 量の 不純物が吸着 し て し ま い、 歩留 ま り の低下 や次工程で の悪影響 を 招 く お そ れ があ る。 そ の た め、 常 に、 収納ボ ッ ク ス 3 及び搬送室 2 の各室 の 不純物の存在比が規定値以下 と な る よ う に、 パ ー ジ ガス の流量が制御 さ れ る。
上記の よ う に、 接続室 4 を 介 し て 収納ボ ッ ク ス 3 と 搬送 室 2 を接続 し、 接続室 4 内 を ガ ス ノ、'一 ジ し た 状態で、 薄板 状基体 S の搬入 出 を 行 う こ と に よ り、 収納 ボ ッ ク ス 3 及び 搬送室 2 の ゲー ト 弁 G V 1、 G V 2 の 凹部 8 d ( 図 3 参照) に溜 ま っ て い た ク リ ー ン ルー ム 内 の空気が、 薄板状基体 S の搬入 出時 に 伴 っ て 搬送室 2 内 へ混入 し な い よ う に な る。 し た が っ て、 薄板状基体 S の搬入 と 同 時 に 混入 す る 不純物 に よ る 悪影響 を 回避 す る こ と が で き る。
特 に、 半導体 レ ーザ検 出器 K 1、 K 2、 K 3 で 得 ら れ た 不純物デ一 夕 に よ っ て 各室 2、 3、 4 内 の パ ー ジ ガ ス の流 量 を 制御 し、 規定値以 内 の 不純物の存在比 と な っ た段階で、 ゲー ト 弁 G V 1、 G V 2 を 開 き、 同時 に移送ハ ン ド 5、 6 に よ る 薄板状基体 S の搬入 出 を 実行 す る の で、 常 に 高清浄 な雰囲気下 で 薄板状基体 S を 移送す る こ と がで き る。
そ し て、 不純物デー タ に よ っ て 各室 2 , 3, 4 内 の パ一 ジ ガ ス の流量 を 制御 し て い る の で、 必要 な 量 だ け の ガ ス を 各室 内 へ導入で き、 特 に 搬送 ロ ボ ッ ト に 保持 さ れて い る ノ、 ° ー ジ ガ ス ( 不活性 ガ ス ま た は 不活性 ガ ス と 酸素 ガ ス の混合 ガ ス ) が充填 さ れて い る 容器を 小型化 す る こ と が で き る よ う に な る。
具体的 に は、 不純物が水分 ま た は有機炭素 の場合、 次の 段階で 搬入 出 を 実行 す る。
収納ボ ッ ク ス 3 の体積 を V ! 〔 c m 3 〕 、 搬送室 2 の体 積 を V 2 〔 c m 3 〕 、 接続室 4 の体積 を V 3 〔 c m 3 〕 、 収納 ボ ッ ク ス 3 内 の 不純物存在比 を "X i 、 搬送室 2 内 の不 純物存在比 を ァ 2 、 接続室 4 内 の 不純物存在比 ァ 3 、 収納 ボ ッ ク ス 3 あ る い は搬送室 2 に 収納 し て い る 薄板状基体 S の全表面積 を S 〔 c m 2 〕 と し た 場合、
2. 7 X 1 0 19 〔 molecules / c m 3
x ( V i x r i + V 2 X γ -ι + V a x ァ 3 )
≤ 1 0 13 C molecules / c m 2 〕 x S ( 式 a ) を 満足 し た 時 に、 ゲ ー ト 弁 G V 1 を 開 き、 移送ハ ン ド 5 に よ っ て 収納 ボ ッ ク ス 3 か ら 搬送室 2 内 へ薄板状基体 S を 搬 入 す る。
こ の よ う に、 搬送系 内 の 不純物吸着量 を 1 0 1 3 X S 以下. 好 ま し く は 1 0 X S と すれ ば、 薄板状基体の表面の 不純 物吸着 を 単分子層 吸着以下 に す る こ と がで き る。 単分子層 吸着で あ れ ば、 不純物が水分の場合、 水分子の周 り に は ガ ス 分子 し か存在 し な い の で、 酸素存在下で も 自 然酸化膜は 形成 さ れ な い。 ま た、 有機汚染物 ( 有機炭素物 ) の場 合 も、 単分子層 吸着で あ れ ば、 わ ず か な エ ネ ル ギ ーで 除去す る こ と が可能 と な る。
そ し て、 上記 ( 式 a ) を 満足 し て 搬送室 2 内へ搬入 さ れ た 薄板状基体 S は、 所定の処理装置 1 へ移送ハ ン ド 5 に よ り 取 り 入れ ら れ、 処理装置 1 に よ っ て 所定の処理 を施 さ れ る。 所定の処理 が終 了 し た 後、 薄板状基体 S は、 移送ハ ン ド 5 に よ り 搬送室 2 か ら 収納ボ ッ ク ス 3 へ再び移送 さ れ、 搬送 ロ ボ ッ ト 3 0 を 駆動 す る こ と で、 次工程へ と 搬送 さ れ る。 [実施例 ]
本発 明の搬送装置 を 用 い て 薄板状基体 s の搬送 を 行 い、 薄板状基体 s の表面の 自 然酸化膜の有無及び有機汚染物 を 測定 し た。
但 し、 条件は以下 の通 り で あ る。
( 1 ) 体積 : 収納ボ ッ ク ス 2. 5 3 X 1 0 4 c m 3
搬送室 6. 1 2 X 1 0 4 c m 3 接続室 0 7 0 x 1 0 c m
( 2 ) 薄板状基体 : 抵抗値 :
2 〜 4 Ω · c mの η ( 1 0 0 ) 型 シ リ コ ン 基板
表面積 : 1. 4 1 X 1 0 3 〔 0 111 2 /枚〕 2 5 〔枚〕
= 3. 5 3 X 1 0 4 〔 c m 2 〕 半導体 レ ーザ検出器 K 1、 K 2、 K 3 に よ る 測定結果か ら、 次の 不純物存在比の結果 が得 ら れ た。
( 3 ) 不純物存在比
水分 有機汚染物 収納 ボ ッ ク ス 4 0 2 x 1 0 搬送室 3 x 1 0 2 X 0 接続室 3 x 1 0 1. 2 x 1 0 こ の条件で 薄板状基体 S を 収納ボ ッ ク ス 3 か ら 搬送室 2 へ搬送す る 搬送実験 を 行 い、 収納ボ ッ ク ス 3 に返還 さ れ た 薄板状基体 S の 表面 の 自 然酸化膜、 有機汚染物の付着 を、 X線光電子分光分析装置 お よ び F T — I R ( フ ー リ エ 変換 型赤外分光計) に て 測定 し た と こ ろ、 両者 と も 確認さ れな か た。 産業上の利 用 可能性
以 上説明 し た よ う に、 本発 明 に よ れ ば、 搬送 ロ ボ ッ 卜 の 収納室 と 処理装置側 の搬送室 と を接続室 を 介 し て 接続 し、 接続室内 を ガス パー ジ し た 状態で、 薄板状基体の搬入 出 を 行 う よ う に し た ので、 収納ボ ッ ク ス 及び搬送室の ゲ一 ト 弁 の 凹部 に 溜 ま っ て い た ク リ ー ン ルー ム 内 の 空気が、 薄板状 基体の搬入 出 に 伴 っ て 搬送室内 へ混入 し な い よ う に な る。 し た が っ て、 薄板状基体の搬入 と 同 時 に 混入 す る 不純物 に よ る 悪影響 を 防 ぐ こ と が で き る。
ま た、 不純物デー タ に よ っ て 収納室、 搬送室、 接続室内 の パ ー ジ ガ ス の流量 を 制御 し て い る の で、 必要な 量 だ けの ガ ス を 各室 内 へ導入で き、 特 に、 搬送 ロ ボ ッ ト に 保持 さ れ て レ、 る パー ジ ガ ス を 充填 し た 容器を 小型化 す る こ と が で き る。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 不活性 ガ ス 雰囲気下 で 薄板状基体 を 収納 し得 る 収納室 を 備 え た 搬送 ロ ボ ッ ト を 用 い て、 処理装置 を 付設 し且つ 不 活性 ガ ス 雰 囲気 に 保持 さ れ る 搬送室相 互間 で 薄板状基体 を 搬送 す る 方法 に お い て、
前記搬送 ロ ボ ッ 卜 の収納室 と 処理装置側 の搬送室間 で の 薄板状基体の搬入 出 時 に、 収納室 と 搬送室 と の 間 に接続室 を 配置 し、 該接続室 を 減圧状態 に し て 内部 に 不活性 ガ ス を 導入 し た後で、 収納室 と 搬送室の ゲー ト を 開 口 し て、 薄板 状基体の搬入 出 を 行 う こ と を 特徴 と す る 薄板状基体の搬送 方法。
2 . 前記不活性 ガス を 半導体 レ ーザ検出器に て 測定 し、 そ の結果 か ら 前記各々 の室の 不純物存在比 を 算 出 し、 そ のデ 一 夕 に基づ い て、 各室への 不活性 ガス 導入流量及び薄板状 基体の搬入 出動作 を 制御 す る こ と を 特徴 と す る 請求の範囲 第 1 項記載の薄板状基体の搬送方法。
3 . 前記収納室、 搬送室、 接続室の各体積を V 〔 c m 3 〕 、 V 2 C c m 3 〕 、 V 3 C c m 3 〕 と し、 前記各室内 の不純物 存在比 を ァ 、 ァ 2 、 ァ 3と し、 前記薄板状基体の全表面 積 を S 〔 c m 2 〕 と し た 場合、
2. 7 x 1 0 1 9 ( molecules / c m 3 )
X ( V 1 X 7 1 + V 2 X 7 2 十 V 3 X 7 3 )
≤ 1 0 13 C molecules / c m 2 〕 x S
を 満足 し て い る 時 に、 前記薄板状基体 を 前記収納室 と 前記 搬送室 と の 間で 搬入 出 す る こ と を 特徴 と す る 請求の範 囲第 1 項 ま た は第 2 項記載の 薄板状基体の搬送方法。
4. 請求の 範囲第 1 項か ら 第 3 項の い ずれ か 1 項記載 の薄 板状基体の搬送方法 に お い て、 前記不活性 ガ ス に代え て、 不活性 ガ ス と 酸素 ガ ス と の混合 ガ ス を 用 い る こ と を 特徴 と す る 薄板状基体の搬送方法。
5. 薄板状基体の処理装置 に 気密 な搬送室 を付設 し、 該 搬送室 に 外部 と の 間 で 薄板状基体 を 搬入 出 す る 搬入 出 口 を 設け、 こ の搬入 出 口 に 該搬入 出 口 を 気密 に 遮蔽す る ゲ 一 ト 弁 を 設け、 一方、 前記搬送室間 を 移動 し得 る 搬送 ロ ボ ッ ト に、 薄板状基体 を 収納す る 気密 な収納室 を 設け、 該収納室 に 外部 と の 間 で 薄板状基体 を 搬入 出 す る 搬入 出 口 を 設 け、 こ の搬入 出 口 に 該搬入 出 口 を 気密 に 遮蔽す る ゲ一 ト 弁 を 設 け、 収納室 と 搬送室 を 接続 し た 状態で ゲ一 ト 弁 を 開 く こ と に よ り、 薄板状基体 を 搬入 出 す る 薄板状基体の搬送装置 に お い て、
前記収納室 と 搬送室 と の 間 に 介在 さ れ る 気密な接続室 を 設け、
前記収納室、 搬送室、 接続室の そ れ ぞれ に、 不活性 ガス を 通気す る た め の ガ ス 導入 口 及び排気 口、 通気 を 減圧 下で 行 う た めの 真空排気手段 を 設 け た こ と を 特徴 と す る 薄板状 基体の搬送装置。
6 . 前記各室の 不純物濃度 を 測定す る 半導体 レ ーザ検出器 と、 前記不純物濃度 か ら 各室の 不純物存在比 を 算 出 し、 そ の算 出結果 に 基づ い て 収納室 と 搬送室 と の 間 で の 薄板状基 体の搬入 出 を 制御す る 制御手段 と を 備 え た こ と を 特徴 と す る 請求の範 囲第 5 項記載の 薄板状基体の搬送装置。
7 . 請求 の範 囲第 5 項 ま た は第 6 項記載の 薄板状基体の搬 送装置 に お い て、 前記不活性 ガ ス に 代 え て、 不活性 ガ ス と 酸素 ガ ス と の混合ガ ス を 用 い る こ と を 特徴 と す る 薄板状基 体の搬送装置。
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