WO2000024063A1 - Dispositif emetteur de lumiere a longueur d'onde variable et son procede de fabrication - Google Patents

Dispositif emetteur de lumiere a longueur d'onde variable et son procede de fabrication Download PDF

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    • H10H20/818—Bodies characterised by the crystal structures or orientations, e.g. polycrystalline, amorphous or porous within the light-emitting regions

Definitions

  • the present invention relates to a wavelength tunable light emitting device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a wavelength tunable light emitting device using a magnetic moment inside a semiconductor iron silicide ( ⁇ -FeSi 2 ) and a method of manufacturing the same.
  • a ferromagnetic metal is used for an electrode because a magnetic field needs to be applied to an active layer of the optical device even when an external magnetic field is removed.
  • the magnetic field continues to be applied in the active layer even after the external magnetic field is removed, so that it seems that a wavelength tunable light emitting device can be produced by current injection. There's a problem.
  • the barrier layer that separates the ferromagnetic metal electrode from the active layer is only about 0.1 m apart, the magnetic field applied to the active layer by the magnetic moment in the ferromagnetic metal electrode will be extremely small. Need to be thin. However, when the barrier layer is thin, electrons and holes in the active layer are susceptible to non-radiative recombination centers at the interface between the ferromagnetic electrode and the barrier layer. Therefore, electrons and holes in the active layer disappear without emitting light.
  • G aM nAs is a direct transition type semiconductor having a magnetic moment. This is one in which several percent of the Ga atoms in GaAs are replaced by Mn atoms, which are transition metals having a magnetic moment, and a magnetic moment due to Mn exists inside. However, due to the difference in atomic radius between Ga and Mn, GaMnAs is greatly distorted and is not suitable for an active layer of a light emitting device. Disclosure of the invention
  • the present invention eliminates the above-mentioned problems and achieves stable characteristics as an active layer of a light-emitting element by using a direct transition type semiconductor having a magnetic moment as a semiconductor itself as an active layer, thereby reducing crystal distortion.
  • An object of the present invention is to provide a wavelength tunable light emitting element that can be held and a method for manufacturing the same.
  • an active layer made of a direct transition type semiconductor having a magnetic moment, and an upper and lower S ⁇ - ⁇ ⁇ junction region above and below the active layer, which have a lower energy than the direct transition type semiconductor. And the active layer.
  • the direct transition semiconductor is a semiconductor silicide.
  • the semiconductor silicide is FeSi 2.
  • [4] In the method for manufacturing a wavelength tunable light emitting device, (a) a step of forming a ⁇ -FeSi 2 epitaxial layer as an active layer on a Si substrate of the first conductivity type; and (b) ⁇ — A step of agglomerating the Fe Si 2 epitaxial layer into islands; and (c) heating the Si substrate to grow a non-conductive Si by molecular beam epitaxy. (A) the step of embedding the non-doped Si layer into a single crystal by deforming the Fe-Si 2 into a spherical shape; and (d) growing the Si layer of the second conductivity type by Si molecular beam epitaxy. And embedded in the S i -P n junction depletion layer with ⁇ — F e S i 2 .
  • the number of atoms is 1/10 to 1/100 of the number of Fe atoms deposited at the time of the Fe deposition.
  • the magnetic impurities are added.
  • FIG. 1 is a schematic view of a semiconductor light emitting device showing an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic view illustrating a process for manufacturing a semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention.
  • a semiconductor iron Shirisai de is a direct transition type semiconductor bandgap 0. 83 e V as the active layer of the semiconductor light emitting element (P- F e S i z) .
  • ⁇ I FeSi 2 will be taken as an example of a semiconductor silicide, and an embodiment will be described.
  • the metal and Si are commonly linked by a covalent bond, so the following method can be applied to semiconductor silicides other than ⁇ -FeS ⁇ 2 .
  • FIG. 1 is a schematic diagram of a semiconductor light emitting device showing an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing a manufacturing process of the semiconductor light emitting device showing an embodiment of the present invention.
  • 1 is an n-type (first conductivity type) Si substrate
  • 2 is a spherically deformed active layer /? — FeSi 2
  • 3 is a non-doped Si layer
  • 4 is P Type (second conductivity type) Si layer
  • 5 is a positive electrode
  • 6 is a single electrode.
  • P-type S i layer 4 is carried out by simultaneously irradiating the metaborate (HB0 2) when S i molecular beam Epitakisharu growth.
  • Carrier concentration of the P layer may be adjusted by the ratio of S i and HB0 2 deposition rate.
  • the deposition rate of 0. 4 AZS of S i by setting the K Nudsen cell temperature of metaborate (H BO z) and about 40 (TC, Kiyaria concentration of P-type S i layer 4 is about 1 0 ' 8 cm— 3.
  • Si by molecular beam epitaxy, it is possible to embed a direct-transition semiconductor? FeSiz (2 ") in the Si-pn junction depletion layer. Can be.
  • the diameter of the embedded ⁇ -1 F e S i 2 (2 ") depends on the thickness of the ⁇ 1 F e S i 2 film 2 that grows first.
  • a ball with a diameter of about 90 nm is formed because the surrounding iron silicide gathers when it becomes spherical, and the diameter of the sphere is much greater than that of a film-like iron silicide. Also, as the film thickness decreases, the diameter of the ball decreases.
  • the magnetic impurities are added simultaneously with the deposition of Fe atoms during the growth of the first FeS i 2 film, and the number of Fe atoms in F e S i z It can be added by evaporating a few% (10 2 ° or more per lcm 3 ).
  • the optimum growth temperature is almost on the Si substrate. This is the substrate temperature when growing. Even when Mn is added by 17% of the number of Fe atoms, epitaxy can be achieved at 470'C. At this time, the amount of Mn is determined by the ratio of the deposition rate of 1? 6 and ⁇ 11. When 6 deposition rate 0. 1 A / s, configuring and about 850 hands Kn Udsen cell temperature of Mn, Mn added amount is 1 0 2 ° about per 1 cm 3. Will now be described the measurement of? One F e magnetic transport properties of S i 2.
  • Electrode was formed by I n the 9 one F e S i 2 film having a thickness of 2 0 0 0 A, to measure the magnetic transport properties at 6 Tanhari method.
  • the magnetic moment is small, it can be increased by adding another transition metal.
  • semiconductor silicides originally have a very large number of transition metal atoms, and since the atomic radii are close to those of other magnetic metals, even if they are added in large amounts, they are hardly distorted. Therefore, even after the addition of the magnetic metal, it can be used as an active layer of a light emitting device.
  • the active layer is magnetized by applying a magnetic field from the outside, so that the emission wavelength can be changed after the device is manufactured. Further, the changed emission wavelength can be maintained even after the removal of the external magnetic field.
  • Semiconductor silicides contain a large number of transition metal atoms.Because their atomic radii are close to those of other magnetic metals, even when a large amount of transition metal atoms are added, the crystal distortion is small, and they are stable as active layers in light emitting devices. Properties can also be retained.
  • the shift of the emission wavelength due to the application of an external magnetic field can be stably maintained even after the magnetic field is removed.
  • variable wavelength light emitting device is suitable as a light emitting wavelength conversion device capable of multiplex optical communication, and is effective as a component for transmitting and receiving large amounts of information such as images at high speed.

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  • Led Devices (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Description

明 細 書 波長可変発光素子及びその製造方法 枝術分野
本発明は、 波長可変発光素子及びその製造方法に係り、 特に半導体鉄シリサイ ド （^— F e S i 2 ) 内部の磁気モーメントを利用した波長可変発光素子及びそ の製造方法に関する。 背景技術
磁場印加によるゼーマン効果により、 半導体の吸収スぺク トルが変化すること はよく知られており、 これを積極的に利用した半導体光変調素子が、 既に提案さ れている （特開平 9 一 2 4 6 6 6 9号公報参照） 。
このような半導体光変調素子は、 外部磁場を取り去っても光素子の活性層に磁 場が印加されたままである必要があるため、 電極に強磁性金属を用いている。 しかしながら、 上記した半導体光変調素子の構造では、 外部磁場を取り去った 後でも、 活性層内に磁場が印加され続けるため、 電流注入による波長可変発光素 子は出来そうに思えるが、 次のような問題がある。
強磁性金属電極と活性層を隔てる障壁層が 0 . 1 m程度離れるだけで、 強磁 性金属電極内の磁気モ一メ ン卜が活性層に与える磁場が極端に小さくなるため、 障壁層は薄い必要がある。 しかし、 障壁層が薄い場合は、 活性層内の電子と正孔 は、 強磁性電極と障壁層界面にある非発光再結合中心の影響を受けやすい。 この ため、 活性層内の電子と正孔は発光すること無しに消滅してしまう。
因みに、 磁気モ一メ ントを持つ直接遷移型半導体としては、 G a M n A sがあ る。 これは、 G a A sの G a原子の数％を磁気モーメ ン トを有する遷移金属であ る M n原子で置換したものであり、 内部に M nに起因する磁気モーメントが存在 する。 しかし、 G aと M nの原子半径の違いから、 G a M n A sは大きく歪んで おり、 発光素子の活性層には向かない。 発明の開示
本発明は、 上記問題点を除去し、 活性層となる半導体自体に磁気モーメ ン トを 持つ直接遷移型半導体を用いることにより、 結晶の歪みが少なく、 発光素子の活 性層として安定な特性を保持することができる波長可変発光素子及びその製造方 法を提供することを目的とする。
本発明は、 上記目的を達成するために、
〔 1〕 波長可変発光素子において、 磁気モーメントを持つ直接遷移型半導体か らなる活性層と、 この活性層の上下に前記直接遷移型半導体よりエネルギ一禁止 带幅の大きな S ί - Ρ η接合領域に前記活性層を有するようにしたものである。
〔 2〕 上記 〔 1〕 記載の波長可変発光素子において、 前記直接遷移型半導体は 半導体シリサイ ドである。
〔 3〕 上記 〔 2〕 記載の波長可変発光素子において、 前記半導体シリサイ ドは ?一 F e S i 2 である。
〔 4〕 波長可変発光素子の製造方法において、 （ a ) 第 1導電型の S i基板上 へ活性層としての^一 F e S i 2 ェピタキシャル層を形成する工程と、 （b ) 前 記^ — F e S i 2 ェピタキシャル層を島状に凝集する工程と、 （ c ) 前記 S i基 板を加熱して、 ノ ンド一プの S iを分子線ェピタキシャル成長させ、 前記島状の ^一 F e S i 2 を球状に変形して、 ノンド一プの S i層の単結晶内に埋め込むェ 程と、 （ d ) 第 2導電型 S i層を S i分子線ェピタキシャル成長により形成し、 S i - P n接合空乏層内に^ — F e S i 2 を埋め込むようにしたものである。
〔 5〕 上記 〔 4〕 記載の波長可変発光素子の製造方法において、 前記 （ a ) ェ 程における /9一 F e S i z ェピタキシャル層の形成は、 超高真空中で第 1導電型 S i基板を 4 7 0てに熱し、 その上に F eを蒸着速度 0 . 1人ノ sで 3 2 A蒸着 し、 F e蒸着膜厚の約 3 . 2倍の膜厚の ー F e S i 2 層をェピタキシャル成長 させるようにしたものである。
〔 6〕 上記 〔 5〕 記載の波長可変発光素子の製造方法において、 前記 F e蒸着 時に蒸着される F e原子数に比べて数 1 0分の 1から 1 0 0分の 1の原子数の磁 性不純物を添加するようにしたものである。
〔 7〕 上記 〔 4〕 記載の波長可変発光素子の製造方法において、 前記 （ b ) ェ 程における ^一 F e S i z ェピタキシャル層の島状の凝集は、 超高真空中におい て 700〜850 で 1時間程度のァニールによる。
〔 8〕 上記 〔 4〕 記載の波長可変発光素子の製造方法において、 前記 （ c ) ェ 程における前記島状 ー F e S 1 2 を基板温度 750てでノンドープ S iを分子 線ェピタキシャル成長させ、 更に凝集し、 球状に変形させるようにしたものであ る。
〔 9〕 上記 〔 4〕 記載の波長可変発光素子の製造方法において、 前記 （ d ) ェ 程における第 2導電型 S i層の形成は、 S i分子線ェピタキシャル成長時にメタ ほう酸 （HB02 ) を同時照射して行い、 前記第 2導電型 S i層のキャリア濃度 は、 S i とメタほう酸 （HB02 ) の蒸着速度の比で調整できるようにしたもの である。
〔 10〕 上記 〔 9〕 記載の波長可変発光素子の製造方法において、 前記 S i分 子線ェピタキシャル成長は、 S iの蒸着速度が 0. 4人 Zsの時、 メタほう酸 (H B02 ) の Kn u d s e nセル温度を約 400てと設定すると、 第 2導電型 S i のキヤリァ濃度は約 1018 c m— 3となるようにしたものである。
〔 1 1〕 上記 〔 4〕 記載の波長可変発光素子の製造方法において、 前記埋め込 まれる/?— F e S i 2 の直径は、 最初に成長する /5— F e S i z ェピタキシャル 層の膜厚に比例するようにしたものである。
このように、 半導体中に磁性原子を持ち込むことにより、 電子と光子と磁気と が相互に作用する波長可変発光素子を実現することができる。
例えば、 超高真空下で n型 S i基板を .4 70てに加熱し、 F eを 32 A蒸着す ると/?一 F e S i z が工ピタキシャル成長する。 この様に磁気モ一メ ントを持ち 直接遷移型を示す半導体鉄シリサイ ドの上下を、 禁止帯幅のより大きな半導体 P n接合で挟んだ構造を採ることにより、 そのシリサイ ド内部の磁気モ一メ ントは 外部から磁場を印加することで、 活性層を磁化し、 それにより発光波長を変化で きる波長可変発光素子を得ることができた。 図面の簡単な説明
第 1図は、 本発明の実施例を示す半導体発光素子の模式図である。 第 2図は、 本発明の実施例を示す半導体発光素子の製造工程を示す模式図であ る。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の実施の形態について詳細に説明する。
本発明では、 半導体発光素子の活性層として禁止帯幅 0. 83 e Vの直接遷移 型半導体である半導体鉄シリサイ ド (P— F e S i z ) を用いる。
以下、 半導体シリサイ ドの一例として、 ^一 F e S i 2 を取り上げ、 実施例を 示す。
半導体シリサイ ドでは、 共通して金属と S iが共有結合で結びついているため、 β -F e S \ 2 以外の半導体シリサイ ドにも以下の方法が適用できる。
第 1図は本発明の実施例を示す半導体発光素子の模式図、 第 2図は本発明の実 施例を示す半導体発光素子の製造工程を示す模式図である。
この図において、 1は n型 （第 1導電型） S i基板、 2 " は活性層としての球 状に変形した/?— F e S i 2 、 3はノ ンドープ S i層、 4は P型 （第 2導電型） S i層、 5は +電極、 6は一電極である。
以下、 この実施例の半導体発光素子の製造方法について第 2図を参照しながら 説明する。
( 1 ) まず、 第 2 ( a ) 図に示すように、 n型 S i基板 1上へェピタキシャル 成長により、 活性層としての/?— F e S i 2 ェピタキシャル層 2を形成する。 そ の — F e S i 2 ェピタキシャル成長は、 超高真空中 （ 1 0 -8T 0 r r以下） で n型 S i基板 （キャリア濃度 1 0 '8 cnr3) 1を 4 7 O'Cに熱し、 その上に F e を電子ビーム照射により加熱して蒸着速度 0. 1人/ 5で32入蒸着する。 その 結果、 F e蒸着膜厚の約 3. 2倍の膜厚の 9一 F e S i 2 ェピタキシャル層 2力く ェピタキシャル成長される。
(2 ) 次いで、 第 2 ( b) 図に示すように、 超高真空中 （ 1 0-8T o r r以 下） において、 7 00〜850。Cで 1時間程度のァニールを行うと、 ^一 F e S i 2 ェピタキシャル層 2は島状に凝集する。 なお、 2' は島状に凝集した /5— F e S i 2 を τ してレ、る。 (3) 次に、 第 2 ( c ) 図に示すように、 基板温度 750てでノンドープ S i を分子線ェピタキシャル成長させると、 島状^一 F e S i 2 (2 ' ) は更に凝集 し、 球状に変形してノンドープ S i層 3の単結晶内に埋め込まれる。 なお、 2 " は球状に変形した^— F e S i 2 を示している。
(4 ) 次に、 第 2 (d) 図に示すように、 P型 S i層 4の形成は、 S i分子線 ェピタキシャル成長時にメタほう酸 （HB02 ) を同時照射して行う。 この P層 のキャリア濃度は S i と HB02 の蒸着速度の比で調整することができる。 ここ で、 S iの蒸着速度が 0. 4 AZsの時、 メタほう酸 （H BOz ) の K n u d s e nセル温度を約 40 (TCと設定すると、 P型 S i層 4のキヤリァ濃度は約 1 0 '8 cm— 3となる。 このように S iを分子線ェピタキシャル成長させることにより、 直接遷移型半導体 ?一 F e S i z ( 2 " ) を S i - p n接合空乏層内に埋め込む ことができる。
また、 これら一連の過程で、 — F e S i 2 と S i基板とのェピタキシャル関 係は保持されたままである。 埋め込まれる ^一 F e S i 2 (2" ) の直径は、 最 初に成長する^一 F e S i 2 膜 2の膜厚に依存する。 1 0 OA膜厚の/?一 F e S i 2 を成長した際には、 直径約 90 nmのボールができる。 これは球状になる際 に、 周りの鉄シリサイ ドが集まるためで、 球の直径は膜状の鉄シリサイ ドに比べ て格段に大きくなる。 また、 膜厚を薄くするに従って、 ボールの直径は小さくな つていく。
次に、 ー F e S i z への磁性不純物添加について説明する。
e S i 2 内に、 磁性不純物を添加する際には、 最初の ー F e S i 2 膜 成長時に、 F e原子蒸着と同時に磁性不純物を^ - F e S i z 内の F e原子数の 数％ ( l cm3 当たり 102°以上） 蒸着させることで、 添加が可能である。
蒸着される F e原子数に比べて磁性不純物原子数は、 数 10分の 1から 1 00 分の 1であるため、 最適成長温度は、 ほぼ S i基板上に/?一 F e S i 2 を成長す る際の基板温度である。 Mnを F e原子数の 17%添加した場合でも、 470 'C でェピタキシャル成長できる。 この時、 Mnの添加量は、 1? 6と ^ 11の蒸着速度 の比で決まる。 6の蒸着速度0. 1 A/sの時、 Mnの Kn u d s e nセル温 度を約 850てと設定すると、 Mn添加量は 1 c m3 当たり 1 02°程度となる。 次に、 ?一 F e S i 2 の磁気輸送特性の測定について説明する。
膜厚 2 0 0 0 Aの 9一 F e S i 2 膜に I nで電極を形成し、 6端針法にて磁気 輸送特性を測定した。
磁気抵抗に印加磁場増加と共に 7 7 K以下で負の磁気抵抗が観察され、 またヒ ステリシス特性が得られた。 この実験から、 ?— F e S i 2 内部に磁気モ一メ ン トがあると考えられる。
また、 磁気モーメ ン トが小さい場合は、 他の遷移金属添加により大きくするこ とができる。
因みに、 半導体シリサイ ドは、 もともと非常に多数の遷移金属原子を舍み、 ま た、 他の磁性金属と原子半径も近いため、 それらを大量に添加してもほとんど歪 まない。 このため、 磁性金属添加後も発光素子の活性層として利用できる。 このように、 本発明の波長可変発光素子は、 外部から磁場を印加して活性層を 磁化し、 それにより発光波長を素子作製後に変化させることができる。 また、 外 部磁場除去後も変化した発光波長を保持することができる。
以上、 詳細に説明したように、 本発明によれば、 次のような効果を奏すること ができる。
半導体シリサイ ドは多数の遷移金属原子を舍み、 他の磁性金属と原子半径が近 いことから遷移金属原子を多量に添加しても結晶の歪みは少なく、 発光素子の活 性層として安定な特性も保持することができる。
更に、 外部磁場印加による発光波長のシフトはその磁場を除去後も安定に保持 することができる。
特に、 半導体基板である S i上に直接光素子を形成できるシリサイ ド光活性層 を得ることができ、 なかんずく、 多重光通信が可能な発光波長変換素子とするこ とにより、 画像等の大容量情報を高速に送受信することが必須な情報化社会での 中心技術となるものと思われる。
なお、 本発明は上記実施例に限定されるものではなく、 本発明の趣旨に基づい て種々の変形が可能であり、 これらを本発明の範囲から排除するものではない。 産業上の利用可能性 以上のように、 本発明にかかる波長可変発光素子は、 多重光通信が可能な発光 波長変換素子として好適であり、 画像等の大容量情報を高速に送受信するための 部品として有効である。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 波長可変発光素子において、
( a ) 磁気モーメントを持つ直接遷移型半導体からなる活性層と、
( b ) 該活性層の上下に前記直接遷移型半導体よりエネルギー禁止带幅の大きな S i - P ri接合領域に前記活性層を有することを特徴とする波長可変発光素子。
2 . 請求項 1記載の波長可変発光素子において、 前記直接遷移型半導体は半導体 シリサイ ドであることを特徴とする波長可変発光素子。
3 . 請求項 2記載の波長可変発光素子において、 前記半導体シリサイ ドは^一 F e S i 2 であることを特徴とする波長可変発光素子。
4 . 波長可変発光素子の製造方法において、
( a ) 第 1導電型の S i基板上へ活性層としての — F e S i z ェピタキシャル 層を形成する工程と、
( b ) 前記^一 F e S i 2 ェピタキシャル層を島状に凝集する工程と、
( c ) 前記 S i基板を加熱して、 ノンドープの S iを分子線ェピタキシャル成長 させ、 前記島状の — F e S i 2 を球状に変形して、 ノ ンド一プの S i層の単結 晶内に埋め込む工程と、
( d ) 第 2導電型 S i層を S i分子線ェピタキシャル成長により形成し、 S i 一 P n接合空乏層内に/?一 F e S i 2 を埋め込むことを特徴とする波長可変発光素 子の製造方法。
5 . 請求項 4記載の波長可変発光素子の製造方法において、 前記 （a ) 工程にお ける ^一 F e S i 2 ェピタキシャル層の形成は、 超高真空中で第 1導電型 S i基 板を 4 7 0てに熱し、 その上に F eを蒸着速度 0 . l A/ sで 3 2 A蒸着し、 F e蒸着膜厚の約 3 . 2倍の膜厚の — F e S i 2 層をェピタキシャル成長させる ことを特徴とする波長可変発光素子の製造方法。
6 . 請求項 5記載の波長可変発光素子の製造方法において、 前記 F e蒸着時に蒸 着される F e原子数に比べて数 1 0分の 1から 1 0 0分の 1の原子数の磁性不純 物を添加することを特徴とする波長可変発光素子の製造方法。
7 . 請求項 4記載の波長可変発光素子の製造方法において、 前記 （b ) 工程にお ける/?一 F e S i 2 ェピタキシャル層の島状の凝集は、 超高真空中において 7 0 0〜 850てで 1時間程度のァニールによることを特徴とする波長可変発光素子 の製造方法。
8. 請求項 4記載の波長可変発光素子の製造方法において、 前記 （ c ) 工程にお ける島状/?— F e S i 2 を基板温度 7 50てでノンド一プ S iを分子線ェピタキ シャル成長させ、 更に凝集し.、 球状に変形させることを特徴とする波長可変発光 素子の製造方法。
9. 請求項 4記載の波長可変発光素子の製造方法において、 前記 （d ) 工程にお ける第 2導電型 S i層の形成は、 S i分子線ェピタキシャル成長時にメタほう酸
(HBOz ) を同時照射して行い、 前記第 2導電型 S i層のキャリア濃度は、 S i とメタほう酸 （HB02 ) の蒸着速度の比で調整できるようにしたことを特徴 とする波長可変発光素子の製造方法。
1 0. 請求項 9記載の波長可変発光素子の製造方法において、 前記 S i分子線ェ ピタキシャル成長は、 S iの蒸着速度が 0. 4 A/sの時、 メタほう酸 （HBO 2 ) の Kn u d s e nセル温度を約 4 00てと設定すると、 第 2導電型 S iのキ ャリア濃度は約 1 0 ' 8 c m - 3となるようにしたことを特徴とする波長可変発光素 子の製造方法。
1 1. 請求項 4記載の波長可変発光素子の製造方法において、 前記埋め込まれる β-F e S I z の直径は、 最初に成長する — F e S i 2 ェピタキシャル層の膜 厚に比例するようにしたことを特徴とする波長可変発光素子の製造方法。
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