WO2000057491A1 - Chip light-emitting device - Google Patents

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Rohm Co Ltd
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    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Definitions

  • the present invention relates to an ultra-compact chip-type light emitting device using a light emitting diode (LED) chip, which can obtain a symmetrical luminous intensity distribution in the length direction of a substrate and can improve the reliability of wire bonding.
  • LED light emitting diode
  • FIG. 2 is a perspective view showing an example of such a chip type light emitting device.
  • a pair of electrode patterns 3 and 4 made of a conductive layer such as a copper (Cu) plating layer are formed at both ends of a substrate 2.
  • One of the electrode patterns 3 is a surface electrode 3a and a side electrode. 3b and a back side electrode 3c.
  • the other electrode pattern 4 also includes a front surface side electrode 4a, a side surface electrode 4b, and a back side electrode 4c.
  • the side electrodes 3b and 4b of the pair of electrode patterns 3 and 4 are formed by forming a plurality of elongated through holes in parallel on the original large substrate from which the substrate 2 is obtained by being divided.
  • the inner wall surfaces of the hole-shaped through holes are formed by applying a plating such as Cu, and the front side electrodes 3a, 4a of the pair of electrode patterns 3, 4 are connected to the rear side electrodes 3c, 4c.
  • a pad 3p is formed on the surface side electrode 3a of the negative electrode pattern 3, and the LED chip ⁇ is mounted by die bonding.
  • One end 5a of the metal wire 5 is electrically connected to the electrode “la” of the LED chip 1 by wire bonding.
  • the other end 5b of the metal wire 5 is wire-bonded to the front electrode 4a of the other electrode pattern 4. Ultrasonic waves are used for this wire bonding process.
  • the LED chip ⁇ ⁇ mounted by connecting the lower electrode to the surface electrode 3a of one electrode pattern 3 on the substrate 2 by die bonding, the upper electrode 1a of the LED chip 1 and the surface electrode 4a of the other electrode pattern 4
  • the metal wires 5 electrically connected by wire bonding are sealed by a translucent resin mold 6.
  • the positions of both ends of this translucent resin mold 6 are It is formed apart from the inner edge of the edge.
  • the chip type light emitting device 20 is formed.
  • the chip-type light emitting device 20 is transported by chucking the portion of the translucent resin mold 6 by a chuck during handling such as transportation during automatic mounting on a printed circuit board or the like.
  • both ends of the translucent resin mold 6 are located inside the surface-side electrodes 3 a and 4 a of the pair of electrode patterns 3 and 4. Therefore, the length of the translucent resin mold 6 is shorter than the length of the substrate 2 of the chip type light emitting device 20 and the number of suction surfaces is reduced, and the size (length ⁇ width) of the substrate 2 is, for example, 1.6 mm When the size is reduced to X 0.8 mm or less, there is a problem that the handling process cannot be performed in a circular manner.
  • FIGS. 3 and 4 are perspective views showing another conventional example of a chip-type light emitting device, in which semicircular notches 7 and 8 are formed at both end edges of a substrate 2.
  • FIG. FIG. 5 is a characteristic diagram showing a distribution of luminous intensity I of the chip-type light emitting device of FIG. 3 and 4, the same parts as those in FIG. 2 or corresponding parts are denoted by the same reference numerals.
  • the side electrodes 3 b and 4 b of the pair of electrode butters 3 and 4 are formed on the inner peripheral surfaces of the cutouts 7 and 8 formed in both ends of the substrate 2 in a semicircular shape. Is performed.
  • the front electrodes 3a and 4a of the pair of electrode patterns 3 and 4 extend to positions covering the upper surfaces of the cutouts 7 and 8, respectively. It is aligned with the position of both edges in the length direction of 2.
  • the chip-type light emitting device 30 is downsized. Also, there is an advantage that the surface area of the translucent resin mold 6 can be ensured to such an extent that the handling process can be performed smoothly.
  • the LED chip 1 is shifted to the center in the length direction of the substrate 2.
  • the other end 5 b of to our 1-_ metal wire 5 mounted in position is Wye Yapondengu at a position close to the end of.
  • the position where the other end 5b of the metal wire 5 is wire-bonded is on the front-side electrode 4b that covers the upper surface of the cutout 8. Therefore, when the wire bonding process is performed by the ultrasonic wave, the mechanical strength of the portion supporting the horn is reduced due to the presence of the notch 8 below the portion to be subjected to the wire bonding process.
  • the configuration shown in FIG. 3 is adopted.In the example of FIG. 3 , the LED chip 1 is mounted at a position eccentric from the center of the substrate 2. ing.
  • the ED chip 1 cannot be mounted at the center of
  • the LED chip 1 is also shifted from the center with respect to the translucent resin mold 6. For this reason, as shown in the luminous intensity characteristic diagram of FIG. 5, there is a problem that a symmetrical luminous intensity distribution cannot be obtained in the longitudinal direction of the substrate. Disclosure of the invention
  • the present invention has been made in view of such a problem, and even if the size of the substrate is reduced, a symmetrical luminous intensity distribution can be obtained in the length direction of the substrate, and the reliability of wire bonding is improved. It is an object of the present invention to provide an ultra-compact chip-type light-emitting device that can be used.
  • a chip-type light emitting device includes a substrate having a substantially rectangular shape in a plan view, first and second electrode patterns formed at both ends of a substrate surface, and the first pack electrode pattern.
  • a light emitting diode (LED) chip to be mounted a metal wire connected to the LED chip and the second electrode pattern by wire bonding, and a translucent resin mold for sealing the ED chip and the metal wire.
  • one notch is formed at the edge of the substrate on the first electrode pattern side, and two notches are formed on both sides of the edge of the substrate on the second pack electrode pattern side. It is characterized in that both ends of the light-transmitting resin mold are formed and extended to positions of both ends in the longitudinal direction of the substrate.
  • the LED is mounted substantially at the center of the substrate.
  • the size of the substrate is 1.6 mm ⁇ 0.8 mm or less.
  • the gold wire is located at the center of two notches formed on both sides of the edge of the substrate on the side of the LED chip and the second electrode pattern. It is characterized in that it is connected by wire bonding to the surface side electrode of the positive electrode pattern.
  • one notch formed at an edge of the substrate on the first electrode pattern side is a semi-cylindrical shape, and an edge of the substrate on the second electrode pattern side is provided. It is characterized in that the two notches formed on both sides are in the shape of one cylinder and four cylinders. According to the above feature of the present invention, two notches are formed on both sides of one edge of the substrate.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a chip-type light emitting device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic perspective view of a conventional chip type light emitting device.
  • FIG. 3 is a schematic perspective view of a conventional chip type light emitting device.
  • FIG. 4 is a schematic perspective view of a conventional chip type light emitting device.
  • FIG. 5 is a characteristic diagram showing the luminous intensity in the length direction of the conventional chip type light emitting device.
  • FIG. 6 is a characteristic diagram showing luminous intensity in the length direction of the chip-type light emitting device according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a perspective view of a chip-type light emitting device 10 according to an embodiment of the present invention.
  • a pair of electrode patterns 13 and 14 made of a conductive layer such as a copper (Cu) plating layer are formed at both ends of the substrate 12.
  • One electrode pattern 13 includes a front surface side electrode 13a, a side surface electrode 13b, and a back side electrode 13c.
  • the other electrode pattern 14 also includes a front-side electrode 14a, a side-surface electrode 14tu, and a back-side electrode 14c.
  • the side electrodes 13b and 14b of the pair of electrode patterns 13 and 14 are formed by forming a plurality of elongated through holes in parallel on the original large substrate from which the substrate 2 is obtained by being divided. is a formed by performing plated such as Cu on the inner wall surface of the through hole. connects the pair of electrodes '' turns 13, 14 of the surface ffilj electrodes 13a, 14a and a back ffllj electrode 13c, 14 C.
  • a pad portion 13p is formed on the surface-side electrode 13a of one electrode pattern 13, and the LED chip 1 is mounted by die bonding.
  • the LED chip 1 "One end 15a of the metal wire 1 5 to the electrode 1 1 a of I are electrically connected by wire Bonn dengue.
  • the other end 15b of the metal wire 15, the surface-side electrode of the other electrode pattern 14 14a is electrically connected by wire bonding, and the wire bonding process uses ultrasonic waves.
  • An LED chip 11 mounted by connecting the lower electrode to the surface side electrode 13a of the electrode patterns 13 of the by Lee side to the substrate 12 in Daipondengu, and the surface of the upper electrode 1 1a and the other electrodes pattern 14 of ED chip 11
  • the metal wire 15 electrically connected to the side electrode 14a by wire bonding is sealed by a translucent resin mold 16.
  • the shape of the substrate 12 is a substantially rectangular shape in a plan view (for example, the size of length X width is “!. Omm X 0.5 mm”).
  • An electrode pattern 13 and a second electrode pattern 14 are formed, and a semi-cylindrical cutout 17 penetrating in the thickness direction is formed at one central portion of a pair of short side edges of the substrate 2.
  • the other short side of the substrate 12 At the edge on the hand side, there are formed notch portions 18a and 18b each having a cylindrical shape at two locations on both sides as viewed in the width direction, and having a thickness in the thickness direction.
  • the surface-side electrodes 13a and 14a of the first and second compressing electrode patterns 13 and 14 protrude like eaves, respectively.
  • side electrodes 13b and 14b connected to the front-side electrode 13a and the front-side electrode 14a are formed and exposed on the side walls of the inner peripheral surfaces of the notch 1f and the notches 18a and 18b.
  • backside electrodes 13c and 14c are formed at both ends of the backside of the substrate 2.
  • a plurality of LED chips are mounted on one large substrate to manufacture a plurality of chip-type light emitting devices.
  • the position where the notch is to be formed is transparent, and this large substrate is cut vertically and horizontally to form an individual chip-type light emitting device. , 18b.
  • the LED chip 1 is mounted with its lower electrode connected to the surface electrode 13a.
  • the upper electrode 1 la of the ED chip 1 is made of a metal wire such as gold (Au).
  • One end 15a of the wire 15 is wire-bonded to the front electrode 14a.
  • the metal wire 15 extends from the center of the substrate 2 to the center of the other short edge of the substrate 2, that is, the notches 18a and 18b.
  • the front-side electrodes 13a and 14a of the first electrode pattern 13 and the second electrode pattern 14 are formed on the notch portion and the notch portions 18a and 18 on the first electrode pattern 13 and the second electrode pattern 14, respectively.
  • the ends are formed at both ends of the substrate 12. Further, the positions of both ends of the translucent resin mold 16 extend to the positions of both ends of the substrate 12.
  • the substrate 12 is located at the center between the notches 18a and 18b. Therefore, the connection position between the other end 15b of the metal wire 15 and the front surface electrode 14b of the electrode pattern 4 is formed. Is formed on the substrate 2.
  • the horn of the ultrasonic device is supported from below by this substrate, so that a sufficient pressing force can be applied and the other end 15b of the metal wire 15 and the compress can be compressed.
  • the ultrasonic bonding with the electrode 14b on the front side of the pole pattern 14 can be performed favorably, so that the reliability of wire bonding can be improved.
  • FIG. 6 is a characteristic diagram showing a distribution of luminous intensity I of the chip-type light emitting device of FIG. As shown in Figure 6, In the chip-type light emitting device 10 of FIG. 1, by mounting the LED chip 1 at the center of the substrate 12, an ideal luminous characteristic that is symmetrical in the longitudinal direction of the substrate 12 can be obtained. Further, even if the position of the other end 15b of the metal wire 15 is extended to a position near the end of the substrate 2, wire bonding can be stably performed.
  • a notch 7 is formed at one edge of the substrate 12 and two notches 8 are formed at the other edge.
  • Polarity can be easily determined.
  • the translucent resin mold 16 is milky white, the LED chip 11 sealed in the translucent resin mold 16 is difficult to see. Polarity can be easily identified from the appearance of the ten.
  • the suction surface can be increased, and the chip-type light emitting device can be made extremely small. In this case, the handling process can be performed smoothly.

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Description

明細書 チップ型発光装置 技術分野
本発明は、基板の長さ方向で左右対称の光度分布が得られると共に、ワイヤボンデン グの信頼性を高めることができる、発光ダイオード（LED)チップを用いた超小型のチップ 型発光装置に関する。 背景技術
従来，発光源として発光ダイオード（LED)チップを用いた小型めチップ型発光装置が 知られている。図 2はこのようなチップ型発光装置の一例を示す斜視図である。図 2にお いて、基板 2の両端部に銅（Cu〉メツキ層等の導電層よりなる一対の電極バターン 3、 4が 形成される。一方の電極パターン 3は、表面側電極 3a、側面電極 3b、裏面側電極 3cで 構成される。
他方の電極パターン 4も、表面側電極 4a、側面電極 4b,裏面側電極 4cで構成されて いる。一対の電極パターン 3、 4の側面電極 3b、側面電極 4bは、分割されることによリ基 板 2が得られる元の大きな基板に長穴状のスルーホールを複数平行に形成し、この長穴 状のスルーホールの内壁面に Cu等のメツキを施して形成され、一対の電極パターン 3、 4 の表面側電極 3a、 4aと裏面側電極 3c、 4cとを接続する。
—方の電極パターン 3の表面側電極 3aには，パッド部 3pを形成し、 LEDチップ Ίをダイ ポンデングにより搭載する。 LEDチップ 1の電極 "laに金属線 5の一方端 5aをワイヤポン デングにて電気的に接 する。金属線 5の他方端 5bは、他方の電極パターン 4の表面 側電極 4aにワイヤポンデングにて電気的に接続する。このワイヤポンデング処理には、 超音波が用いられる。
基板 2にダイボンデングにより一方の電極パターン 3の表面側電極 3aに下部電極を接 続して搭載された LEDチップ Ίと、 LEDチップ 1の上部電極 1aおよび他方の電極パターン 4の表面側電極 4aにワイヤポンデングにて電気的に接続された金属線 5は、透光性樹 脂モールド 6により封止される。この透光性樹脂モールド 6の両端の位置は、基板 2の両 端縁より内側の位置に離間して形成されている。このようにして、チップ型発光装置 20が 形成される。
チップ型発光装置 20は、プリント基板等への自動実装時の搬送等のハンドリングの際 に、チャックにより透光性樹脂モールド 6の部分が吸着されて移送される。図 2の構成で は、一対の電極パターン 3、 4の表面側電極 3 a、 4 aの内側に透光性樹脂モールド 6の両 端部が位置している。このため、チップ型発光装置 20の基板 2の長さよりも透光性樹脂 モールド 6の長さが短く吸着面が少なくなリ、基板 2のサイズ（長さ X幅）が、例えば 1 . 6 m m X 0. 8 m m以下の小型になると.前記ハンドリング処理が円; に行えないという問 題がある。
図 3、図 4は他のチップ型発光装置の従来例を示す斜視図であり、基板 2の両端縁に 半円形状の切欠部 7、 8が形成された例である。また、図5は図 3のチップ型発光装置の 光度 Iの分布を示す特性図である。図 3、図 4において、図 2と同じところまたは対応する 部分には同じ符号を付している。図 3の例では、一対の電極バタ一ン 3、 4の側面電極 3 b、 4 bは、基板 2の両端縁に半円形状に形成されている切欠部 7 , 8の内周面に形成され る。
また，一対の電極パターン3、 4の表面側電極 3 a、 4 aは、切欠部 7、 8の上面を覆う位 置まで延在しており、透光性樹脂モールド 6の両端の位置は基板 2の長さ方向の両端縁 の位置と揃えられている。図 3の例では、切欠部 7、 8の表面は、一対の電極パターン 3 , 4の表面側電極 3 a、 43で¾われているので、透光性樹脂モ一ルド6のモールド処理の際 に、樹脂が切欠部フ 8内に侵入しない。
このように図 3の例では、透光性樹脂モールド 6の両端の位置は基板 2の長さ方向の両 端縁の位置に延在しているので、チップ型発光装置 30が小型化されても透光性樹脂モ 一ルド 6の表面面積を、前記ハンドリング処理が円滑に行える程度に確保できるという利 点がある。
しかしながら、図 3に示したような、透光性樹脂モ一ルド 6の両端の位置を基板 2の長 さ方向の両端縁の位置に延在した構造とした塌合に、基板のサイズが、例えば 1 . 6 m m X O . 8 m mのように小型になると、図 4に示すように、基板 2の中心に LE Dチップを搭載 する構成とすることはできなくなる。
図 4のチップ型発光装置 40の例では、 LE Dチップ 1を基板 2の長さ方向の中心にずら した位置に搭載してお1 ·_ 金属線 5の他方端 5 bは.基板 2の端部に近づいた位置でワイ ャポンデングされる。すなわち金属線 5の他方端 5bは、電極パターン 4の表面側電極 4 b が切欠部 8を覆う部分の位置でワイヤボンデングされる。
このように、金属線 5の他方端 5bをワイヤポンデングする位置は、切欠部 8の上面を覆 う表面側電極 4bの上になっている。したがって、超音波でワイヤポンデング処理する際に、 ワイヤボンデング処理される部分の下部には切欠部 8が存在するために、ホーンを支持 する部分の機械的強度が低下することになる。
このために、超音波処理の際に接合部に超音波を伝達するホーンに十分な押圧力が 印加できず、電極パターン 4の表面側電極 4 bと金属線 5の他方端 5bとの超音波による 接合が不十分となる。前記超音波による接合の信頼性を高めるためには、図 3に示す構 成を採用することになるが、図3の例では、 LEDチップ 1は基板 2の中心から偏心した位 置に搭載されている。
図 3の例では、し EDチップ 1を基板 2の中心に搭載できないので、その結果
、 LEDチップ 1は透光性樹脂モールド 6に対しても中心からずれて配置されることになる。 このため、図 5の光度の特性図に示すように、基板の長さ方向で左右対称の光度分布が 得られないという問題があった。 発明の開示
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであり、基板のサイズが小型化されても、 基板の長さ方向で左右対称の光度分布が得られると共に、 ワイヤボンデングの信頼性を 高めることができる超小型のチップ型発光装置の提供を目的とする。
本発明により提供されるチップ型発光装置は、平面視略矩形状の基板と、基板表面の 両端部に形成される第 1および第 2の電極パターンと、前記第 1の罨極パターン上に搭 載される発光ダイオード（LED )チップと，前記 LEDチップと第 2の電極パターンにワイヤ ボンデングで接続される金属線と、前記し EDチップおよび金属線を封止する透光性樹脂 モールドとを備えるチップ型発光装置において、前記第 1の電極パターン側の基板の端 縁に一個所の切欠部を形成する一方、前記第 2の罨極パターン側の基板の端縁両側に 二個所の切欠部を形成し前記透光性樹脂モールドの両端の位置を基板の長さ方向の 両端の位置に延在させたことを特徴としている。 本発明の好ましい実施の形態においては.前記 LE Dは、前記基板のほぼ中央に搭載 されていることを特徴としている。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記基板が 1 . 6 m m X 0. 8 m m以下であ ることを特徴としている。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記金線が、前記 LEDチップと前記第 2の 電極パターン側の基板の端縁両側に形成された二個所の切欠部の中央部に位置する 第 2の鼋極パターンの表面側電極にワイヤボンディング接続されることを特徴としている。 本発明の好ましい実施の形態においては、前記第 1の電極パターン側の基板の端縁に 形成された一個所の切欠部が半円筒形状であり、前記第 2の電極パターン側の基板の 端縁両側に形成された二個所の切欠却が 1ノ 4円筒形状であることを特徴としている。 本発明の上記特徴によれば、基板の一方端縁両側には二個所に切欠部を形成してい る。このため.ワイヤボンデングの位置が基板端部に近づいたとしても、当該二個所の切 欠部に挟まれている基板上で第 2の電極パターンと金属線とのワイヤボンデングを行なう ので、ワイヤポンデングを安定して行なえ、 LE Dチップを基板の中央に搭載することがで きる。このため、基板の長さ方向でみて左右対称となる理想的な光度特性が得られる。 また、基板の一方端縁には切欠部は一個所形成され、他方の端縁には切欠部は二個 所形成されているので、 LEDチップの極性判別が容易となる。特に透光性樹脂モールド が乳白色の場合には、透光性樹脂モールド内に封止されているし EDチップが見にくくなつ ているが、基板に形成されている切欠部の数が一方端縁では一個所であり、他方端緣で は二個所であることから、非対称な電極構造であり.チップ型発光装置の外観から極性 判別が簡単に行える。
更に、透光性樹脂モールドの両端の位置を基板の長さ方向の両端の位置に延在させ ているので、吸着面を増大させることができ、超小型のチップ型発光装置に対しても、ハ ンドリング処理を円滑に行なうことが可能となる。 図面の簡単な説明
図 1は、本発明の実施の形態に係るチップ型発光装置を示す斜視図である。
図 2は、従来例のチップ型発光装置の概略の斜視図である。
図 3は、従来例のチップ型発光装置の概略の斜視図である。 図 4は、従来例のチップ型発光装置の概略の斜視図である。
図 5は、従来例のチップ型発光装置の長さ方向の光度を示す特性図である。
図 6は、本発明の実施の形態に係るチップ型発光装置の長さ方向の光度を示す特性図 である。 発明を実施するための最良の形態
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図 1は本発明の実施の 形態に係るチップ型発光装置 10の斜視図である。
基板 12の両端部に銅（Cu)メツキ層等の導電層よりなる一対の電極パターン 13、 14 が形成される。一方の電極パターン 13は、表面側電極 13a、側面電極 13b、裏面側電 極 13cで構成される。
他方の電極パターン 14も，表面側電極 14a、側面電極 14tu裏面側電極 14cで構成 されている。一対の電極パターン 13、 14の側面電極 13b、側面電極 14bは、分割され ることにより基板 2が得られる元の大きな基板に長穴状のスルーホールを複数平行に形 成し，この長穴状のスルーホールの内壁面に Cu等のメツキ 施して形成され.一対の電 極 '《ターン 13、 14の表面 ffilj電極 13a、 14aと裏面 ffllj電極 13c、 14Cとを接続する。 一方の電極パターン 13の表面側電極 13aには、パッド部 13pを形成し、 LEDチップ 1 をダイポンデングにより搭載する。 LEDチップ1 "Iの電極1 1 aに金属線 15の一方端 15a をワイヤボンデングにて電気的に接続する。金属線 15の他方端 15bは、他方の電極パ ターン 14の表面側電極 14aにワイヤポンデングにて電気的に接続する。このワイヤポン デング処理には、超音波が用いられる。
基板 12にダイポンデングによリー方の電極パターン 13の表面側電極 13aに下部電極 を接続して搭載された LEDチップ 11と、し EDチップ 11の上部電極11aおよび他方の電 極パターン 14の表面側電極 14aにワイヤポンデングにて電気的に接続された金属線 15 は，透光性樹脂モールド 16により封止される。
図 1において、基板 12の形状は、平面視略長方形状（例えば、長さ X幅のサイズが"!. Omm X 0. 5mm)であり、基板 12の ¾面両端部には、第 1の電極パターン 13と第 2の 電極パターン 14が形成されている。基板 2の一対の短手側の端縁の一方中央部には、 厚み方向に貫通する半円筒形状の切欠部 17が形成される。また、基板 12の他方の短 手側の端縁には、幅方向でみて両側二個所に厚み方向に莨通する" 1 4円筒形状の切 欠部 18a, 18bが形成されている。
一方側の切欠部17および他方側の二個所の切欠部 18a、 18bの上には、ひさし状に それぞれ第 1および第 2の罨極パターン 13 14の表面側電極 13a、 14aが張り出してい る。また、これら切欠部 1フおよび切欠部 18a、 18bの内周面の側壁には、表面側電極 1 3aおよび表面側電柽 14aと接続される側面電極 13b、 14bが形成されて露出している。 更に、裏面側電極 13c、 14cが基板 Ί 2の裏面両端に形成されている。
このように、基板 12の一方の端縁両側に二個所の切欠部 18a- 18bを形成するには， 一枚の大きな基板に複数の LEDチップを搭載して複数のチップ型発光装置を製造する 際に、切欠部を形成する位置を透定し、この大きな基板を個々のチップ型発光装置を形 成するために縦方向および横方向に.切断する位置を，図 1に示した切欠部 18a, 18bの 位置となるように設定することで実現できる。
基板 2の表面中央部には、 LEDチップ 1Ί力、'、その下面電極を表面側電極 13aと接続 して搭載され，し EDチップ 1の上面電極 1 l aは、金（Au)等の金属線 15の一方端 15aで 表面側電極 14aとワイヤポンデングされている。金属線 15は、基板 Ί 2の中央から、基 板 2の他方短手端縁の中央、すなわち、切欠部 18a、 18b
間の表面側電極 14aの位置へ向かって張設される。金属線 15の他方端 15bは、基板 1 2の端部で表面側電極 14aと接統される。
前記第 1の電極パターン 13 第2の電極パターン 14の表面側電極 13a、 14aは，切欠 部フと切欠部 18a、 18 上を¾ぃ.第 1の電極パターン 13、第 2の電極パターン 14の端 部は、基板 12の両端の位置に形成されている。また、透光性樹脂モールド 16の両端の 位置は、基板 12の両端の位置に延在させている。
図 1の構成では、切欠部 18a、 18bに挟まれた中央部に基板" 12が存在している。この ため、金属線 15の他方端 15bと電極パターン 4の表面側電極 14bとの接続位置が、基 板 2の上に形成される。超音波装置のホ ンは.この基板により下部から支持されるので、 十分な押圧力を印加することができ、金属線 15の他方端 15bと罨極パターン 14の表面 側電極 14bとの超音波による接合が良好に行える。したがってワイヤボンデングの信頼 性を高めることができる。
図 6は、図 1のチップ型発光装置の光度 Iの分布を示す特性図である。図 6に示すように、 図 1のチップ型発光装置 10は、 LEDチップ 1を基板 12の中央に搭載することにより、基 板 12の長さ方向でみて左右対称となる理想的な光度特性が得られる。また、金属線 15 の他方端 15bの位置が基板 2の端部に近い位置まで延長されても、 ワイヤポンデングを 安定して行うことができる。
また、基板 12の一方の端縁には切欠部 7がー個所形成され、他方の端縁には切欠部 8が二個所形成されているので、切欠部の個数をみることにより LEDチップ 11の極性判 別が容易に行なえる。持に透光性樹脂モールド 16が乳白色の場合には，透光性樹脂モ 一ルド 16内に封止されている LEDチップ 11が見にくくなつているが、このような場合にも チップ型発光装置 10の外観から極性判別が簡単に行える。
なお、長さと幅が 1. Omm X 0. 5mmの大きさに選定されている超小型のチップ型発光 装置においては、極性をレジストで表示することが困難であるので、前記のよう切欠部が 形成されている個数により極性が判断できると、実務上の効果が大きい。
更に、透光性樹脂モールド Ί 6の両端の位置を基板 12の長さ方向の両端の位置に延 在させているので、吸着面を増大させることができ、超小型のチップ型発光装置に対して も、ハンドリング処理を円滑に行なうことが可能となる。

Claims

請求の範囲
1 . 平面視略矩形状の基板と、基板表面の両端部に形成される第1および第 2の電極パ ターンと、前記第 1の電柽バタ一ン上に搭載される発光ダイオード（LED )チップと、前記 L EDチップと第 2の電極パターンにワイヤボンデングで接続される金属線と、前記 LE Dチッ プおよび金属線を封止する透光性樹脂モールドとを備えるチップ型発光装置において、 前記第 1の電極パターン側の基板の端縁に一個所の切欠部を形成する一方、前記第 2 の電極パターン側の基板の端縁両側に二個所の切欠部を形成し、前記透光性樹脂モ 一ルドの両端の位置を基板の長さ方向の両端の位置に延在させたことを特徴とするチッ プ型発光装置。
2. 前記 LEDが 前記基板のほぼ中央に搭載されていることを特徴とする請求項 1記載 のチップ型発光装置。
3. 前記基板が 1 . 6 mm X O . 8 mm以下であることを特徴とする請求項 1記載のチップ 型発光装置。
4. 前記金線が、前記 LEDチップと前記第 2の電極パターン側の基板の端緣両側に形成 された二個所の切欠部の中央部に位置する第 2の電極パターンの表面側電極にワイヤ ボンディング接続されることを特徴とする請求項 1記載のチップ型発光装置。
5. 前記第 1の電極パターン側の基板の端縁に形成された一個所の切欠部が半円筒形 状であり、前記第 2の電極パターン側の基板の端緣両側に形成された二個所の切欠部 が" 1 / 4円筒形状であることを特徴とする請求項 1記載のチップ型発光装置。
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