JPH08298345A - チップ型発光ダイオード - Google Patents
チップ型発光ダイオードInfo
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- JPH08298345A JPH08298345A JP7102050A JP10205095A JPH08298345A JP H08298345 A JPH08298345 A JP H08298345A JP 7102050 A JP7102050 A JP 7102050A JP 10205095 A JP10205095 A JP 10205095A JP H08298345 A JPH08298345 A JP H08298345A
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- light emitting
- emitting diode
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- type light
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- H10H20/85—Packages
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W72/01—Manufacture or treatment
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 チップ型発光ダイオードとして要求される機
械的および熱的信頼性を具備しながら、チップ型発光ダ
イオードの薄型化を達成する。 【構成】 絶縁基板２２の上面に一対の電極２３，２４
を設け、一方の電極２３の表面側に発光ダイオード素子
２７を実装し、該発光ダイオード素子２７と他方の電極
２４の表面側とを金属細線２８にてワイヤボンディング
し、これらの発光ダイオード素子２７及び金属細線２８
を透光性樹脂２９にて封止する一方、上記一対の電極２
３，２４の各裏面側の一部を絶縁基板２２から露出さ
せ、該露出面を前記電極２３，２４の外部接続用端子２
５，２６とすることで、従来のチップ型発光ダイオード
に比べて薄型化を図る。
械的および熱的信頼性を具備しながら、チップ型発光ダ
イオードの薄型化を達成する。 【構成】 絶縁基板２２の上面に一対の電極２３，２４
を設け、一方の電極２３の表面側に発光ダイオード素子
２７を実装し、該発光ダイオード素子２７と他方の電極
２４の表面側とを金属細線２８にてワイヤボンディング
し、これらの発光ダイオード素子２７及び金属細線２８
を透光性樹脂２９にて封止する一方、上記一対の電極２
３，２４の各裏面側の一部を絶縁基板２２から露出さ
せ、該露出面を前記電極２３，２４の外部接続用端子２
５，２６とすることで、従来のチップ型発光ダイオード
に比べて薄型化を図る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、携帯電話やポケットベ
ルなど小型の電子機器に搭載される薄型タイプのチップ
型発光ダイオードに関する。
ルなど小型の電子機器に搭載される薄型タイプのチップ
型発光ダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種のチップ型発光ダイオー
ドは、小さな絶縁基板の上面に一対の電極を設け、一方
の電極の表面側に発光ダイオ−ド素子を実装し、該発光
ダイオ−ド素子と他方の電極の表面側とを金属細線によ
ってワイヤボンディングしたのち、これらの発光ダイオ
ード素子及び金属細線を透光性樹脂にて封止する一方、
絶縁基板の下面側に上記一対の電極の外部接続用端子を
設けた構成からなる。
ドは、小さな絶縁基板の上面に一対の電極を設け、一方
の電極の表面側に発光ダイオ−ド素子を実装し、該発光
ダイオ−ド素子と他方の電極の表面側とを金属細線によ
ってワイヤボンディングしたのち、これらの発光ダイオ
ード素子及び金属細線を透光性樹脂にて封止する一方、
絶縁基板の下面側に上記一対の電極の外部接続用端子を
設けた構成からなる。
【０００３】ところで、上記一対の電極に設けられた外
部接続用端子の形式としては、従来、例えば図１６及び
図１７に示されるようなタイプのもの（実開平６−６０
１５７号公報参照）と、図１８に示されるようなタイプ
（特開平６−６１５２９号公報参照）の２種類が知られ
ている。
部接続用端子の形式としては、従来、例えば図１６及び
図１７に示されるようなタイプのもの（実開平６−６０
１５７号公報参照）と、図１８に示されるようなタイプ
（特開平６−６１５２９号公報参照）の２種類が知られ
ている。
【０００４】図１６及び図１７に示した前者のチップ型
発光ダイオード１は、絶縁基板２の上面に形成される一
対の電極３，４と、絶縁基板２の下面に形成される外部
接続用端子５，６とが絶縁基板２の側面を回り込むよう
にコの字状をなしてメッキ配線されたものである。そし
て、一方の電極３上に発光ダイオード素子７が実装され
ると共に、この発光ダイオード素子７から他方の電極４
の上面に金属細線８がワイヤボンディングされ、さらに
発光ダイオード素子７と金属細線８とを覆う形で、電極
３，４上を透光性樹脂９が封止している。一方、上記電
極３，４がそれぞれ絶縁基板２の側面に回り込んで形成
した外部接続用端子５，６は、図示外のプリント基板の
導体パターンに半田付け等により接続される。
発光ダイオード１は、絶縁基板２の上面に形成される一
対の電極３，４と、絶縁基板２の下面に形成される外部
接続用端子５，６とが絶縁基板２の側面を回り込むよう
にコの字状をなしてメッキ配線されたものである。そし
て、一方の電極３上に発光ダイオード素子７が実装され
ると共に、この発光ダイオード素子７から他方の電極４
の上面に金属細線８がワイヤボンディングされ、さらに
発光ダイオード素子７と金属細線８とを覆う形で、電極
３，４上を透光性樹脂９が封止している。一方、上記電
極３，４がそれぞれ絶縁基板２の側面に回り込んで形成
した外部接続用端子５，６は、図示外のプリント基板の
導体パターンに半田付け等により接続される。
【０００５】また、図１８に示した後者のチップ型発光
ダイオード１０は、一対の導電性樹脂体１１，１２と、
これらの間に介在される絶縁樹脂体１３とを一体的に金
型成形（二色成形）し、一対の導電性樹脂体１１，１２
の各上面および各下面にそれぞれ金属膜１４，１５，１
６，１７を施し、上面側の金属膜１４，１５には発光ダ
イオ−ド素子１８とボンディングワイヤ１９を形成し、
その上を透光性樹脂２０で封止すると共に、下面側の金
属膜１６，１７を外部接続用端子として構成したもので
ある。
ダイオード１０は、一対の導電性樹脂体１１，１２と、
これらの間に介在される絶縁樹脂体１３とを一体的に金
型成形（二色成形）し、一対の導電性樹脂体１１，１２
の各上面および各下面にそれぞれ金属膜１４，１５，１
６，１７を施し、上面側の金属膜１４，１５には発光ダ
イオ−ド素子１８とボンディングワイヤ１９を形成し、
その上を透光性樹脂２０で封止すると共に、下面側の金
属膜１６，１７を外部接続用端子として構成したもので
ある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のチップ型発光ダイオードにあっては、いずれも
絶縁基板又は導電樹脂体を挟むようにして、その上面に
電極を下面に外部接続用端子を設けた３層構造となって
いたために、発光ダイオードの薄型化には自ずと限界が
あった。即ち、発光ダイオードの薄型化を達成するため
には、絶縁基板、上面の電極及び下面の外部接続用端子
の各厚みをそれぞれ薄くする必要がある。ところが、前
記各々の厚みを薄くしていくほど発光ダイオードとして
の機械的、熱的信頼性が低下してしまうために、薄型化
を計る場合にはどうしても構造上の限界があり期待する
薄型化が実現できなかったからである。
た従来のチップ型発光ダイオードにあっては、いずれも
絶縁基板又は導電樹脂体を挟むようにして、その上面に
電極を下面に外部接続用端子を設けた３層構造となって
いたために、発光ダイオードの薄型化には自ずと限界が
あった。即ち、発光ダイオードの薄型化を達成するため
には、絶縁基板、上面の電極及び下面の外部接続用端子
の各厚みをそれぞれ薄くする必要がある。ところが、前
記各々の厚みを薄くしていくほど発光ダイオードとして
の機械的、熱的信頼性が低下してしまうために、薄型化
を計る場合にはどうしても構造上の限界があり期待する
薄型化が実現できなかったからである。
【０００７】また、上述した前者のチップ型発光ダイオ
ード１にあっては、絶縁基板２の上面及び下面に電極
３，４と外部接続用端子５，６とを形成する両面配線の
基板構造としなければならないために、スルーホールを
利用したメッキ工程が必要となって基板自体が高価にな
ってしまい、結果的にチップ型発光ダイオードの低価格
化の妨げにもなっていた。
ード１にあっては、絶縁基板２の上面及び下面に電極
３，４と外部接続用端子５，６とを形成する両面配線の
基板構造としなければならないために、スルーホールを
利用したメッキ工程が必要となって基板自体が高価にな
ってしまい、結果的にチップ型発光ダイオードの低価格
化の妨げにもなっていた。
【０００８】一方、後者のチップ型発光ダイオード１０
にあっては、導電性樹脂体１１，１２と絶縁樹脂体１３
とを二色成形しているために、金型の製作費用が嵩んだ
り作業工数も掛かってしまい、先の場合と同様にチップ
型発光ダイオードの低価格化の妨げになっていた。
にあっては、導電性樹脂体１１，１２と絶縁樹脂体１３
とを二色成形しているために、金型の製作費用が嵩んだ
り作業工数も掛かってしまい、先の場合と同様にチップ
型発光ダイオードの低価格化の妨げになっていた。
【０００９】そこで、本発明は、チップ型発光ダイオー
ドとして必要とされる機械的および熱的信頼性を具備し
ながら薄型化を達成し、且つ安価なチップ型発光ダイオ
ードを提供することを目的とする。
ドとして必要とされる機械的および熱的信頼性を具備し
ながら薄型化を達成し、且つ安価なチップ型発光ダイオ
ードを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係るチップ型発
光ダイオードは、上記課題を解決するために、絶縁基板
の上面に一対の電極を設け、一方の電極の表面側に発光
ダイオード素子を実装し、該発光ダイオード素子と他方
の電極の表面側とを金属細線にてワイヤボンディング
し、これらの発光ダイオード素子及び金属細線を透光性
樹脂にて封止する一方、上記一対の電極の各裏面側の一
部を絶縁基板から露出させ、該露出面を前記電極の外部
接続用端子としたことを特徴とし、
光ダイオードは、上記課題を解決するために、絶縁基板
の上面に一対の電極を設け、一方の電極の表面側に発光
ダイオード素子を実装し、該発光ダイオード素子と他方
の電極の表面側とを金属細線にてワイヤボンディング
し、これらの発光ダイオード素子及び金属細線を透光性
樹脂にて封止する一方、上記一対の電極の各裏面側の一
部を絶縁基板から露出させ、該露出面を前記電極の外部
接続用端子としたことを特徴とし、
【００１１】また、前記電極の裏面側を露出させるた
め、絶縁基板に切欠部又は孔部を設けたことを特徴と
し、
め、絶縁基板に切欠部又は孔部を設けたことを特徴と
し、
【００１２】さらに、前記絶縁基板に設けた切欠部又は
孔部に金属メッキを施して導体を形成したことを特徴と
し、
孔部に金属メッキを施して導体を形成したことを特徴と
し、
【００１３】そして、上記絶縁基板は、厚さ２０〜５０
μｍのポリイミドフィルムであることを特徴とする。
μｍのポリイミドフィルムであることを特徴とする。
【００１４】
【作用】上述の手段によれば、本発明のチップ型発光ダ
イオードは、絶縁基板の上面に一対の電極を形成し、こ
の電極の裏面側を絶縁基板から露出させて外部接続用端
子とした２層構造であり、プリント基板には前記電極の
裏面側が直接固着されるため、従来の３層構造のものに
比べて発光ダイオードが薄型となる
イオードは、絶縁基板の上面に一対の電極を形成し、こ
の電極の裏面側を絶縁基板から露出させて外部接続用端
子とした２層構造であり、プリント基板には前記電極の
裏面側が直接固着されるため、従来の３層構造のものに
比べて発光ダイオードが薄型となる
【００１５】また、絶縁基板の切欠部や孔部は、エッチ
ング加工やレーザ加工等によって絶縁基板の一部を除去
することで形成することができる。
ング加工やレーザ加工等によって絶縁基板の一部を除去
することで形成することができる。
【００１６】さらに、前記絶縁基板に設けた切欠部又は
孔部に金属メッキを施して導体を形成することで、外部
接続用端子と絶縁基板下面との間の段差がなくなってフ
ラットとなり、プリント基板に塗布した半田などの接合
材に外部接続用端子が密着して接合時の半田濡れ性が更
に向上する。
孔部に金属メッキを施して導体を形成することで、外部
接続用端子と絶縁基板下面との間の段差がなくなってフ
ラットとなり、プリント基板に塗布した半田などの接合
材に外部接続用端子が密着して接合時の半田濡れ性が更
に向上する。
【００１７】そして、上記絶縁基板に厚さ２０〜５０μ
ｍのポリイミドフィルムを用いることにより、機械的お
よび熱的信頼性を損なうことなく、従来のガラスエポキ
シ樹脂基板に比べて極めて薄くすることができ、さらに
絶縁基板に切欠部又は孔部を形成する際のエッチング又
はレーザ加工が容易となる。
ｍのポリイミドフィルムを用いることにより、機械的お
よび熱的信頼性を損なうことなく、従来のガラスエポキ
シ樹脂基板に比べて極めて薄くすることができ、さらに
絶縁基板に切欠部又は孔部を形成する際のエッチング又
はレーザ加工が容易となる。
【００１８】
【実施例】以下、添付図面に基づいて本発明に係るチッ
プ型発光ダイオードの実施例を詳細に説明する。図１及
び図２は本発明に係るチップ型発光ダイオード２１の第
１実施例を示したものである。この実施例において、基
板としての絶縁フィルム２２は２０〜５０μｍ程度の厚
みを有するポリイミドフィルムによって構成されてい
る。この程度の厚さは、従来の一般的なガラスエポキシ
樹脂基板が２００〜３００μｍ程度の薄さが限界であっ
たのに比べてかなり薄型となっており、またこの程度の
厚さがあれば基板としての強度も十分であり、容易に取
扱うことができる。このようなポリイミドフィルムによ
って構成された絶縁フィルム２２の上面側には銅箔など
の金属薄膜からなる一対の電極２３，２４が形成される
が、これらの電極２３，２４はその両端が前記絶縁フィ
ルム２２から大きくはみ出し、各電極２３，２４の裏面
側の一部が絶縁フィルム２２から露出しており、この露
出面を上記電極２３，２４の外部接続用端子２５，２６
として構成した構造となっている。なお、電極２３，２
４及び外部接続用端子２５，２６は、銅箔の上にニッケ
ルメッキ又は金メッキが施してある。このようにして形
成された配線基板には、従来と同様に、上記一方の電極
２３上に発光ダイオード素子７が実装され、この発光ダ
イオード素子７から他方の電極２４の上面に金属細線８
がワイヤボンディングされると共に、発光ダイオード素
子７及び金属細線８を覆う形で、電極２３，２４上を透
光性樹脂９が封止している。
プ型発光ダイオードの実施例を詳細に説明する。図１及
び図２は本発明に係るチップ型発光ダイオード２１の第
１実施例を示したものである。この実施例において、基
板としての絶縁フィルム２２は２０〜５０μｍ程度の厚
みを有するポリイミドフィルムによって構成されてい
る。この程度の厚さは、従来の一般的なガラスエポキシ
樹脂基板が２００〜３００μｍ程度の薄さが限界であっ
たのに比べてかなり薄型となっており、またこの程度の
厚さがあれば基板としての強度も十分であり、容易に取
扱うことができる。このようなポリイミドフィルムによ
って構成された絶縁フィルム２２の上面側には銅箔など
の金属薄膜からなる一対の電極２３，２４が形成される
が、これらの電極２３，２４はその両端が前記絶縁フィ
ルム２２から大きくはみ出し、各電極２３，２４の裏面
側の一部が絶縁フィルム２２から露出しており、この露
出面を上記電極２３，２４の外部接続用端子２５，２６
として構成した構造となっている。なお、電極２３，２
４及び外部接続用端子２５，２６は、銅箔の上にニッケ
ルメッキ又は金メッキが施してある。このようにして形
成された配線基板には、従来と同様に、上記一方の電極
２３上に発光ダイオード素子７が実装され、この発光ダ
イオード素子７から他方の電極２４の上面に金属細線８
がワイヤボンディングされると共に、発光ダイオード素
子７及び金属細線８を覆う形で、電極２３，２４上を透
光性樹脂９が封止している。
【００１９】上記電極２３，２４の裏面側を露出させる
手段としては、例えば図５及び図６に示したように、集
合型配線フィルム（絶縁フィルム２２）を用いて上記チ
ップ型発光ダイオード２１を複数個取りする場合に、先
ず片面が銅箔張りされた絶縁フィルム２２の上にエッチ
ング等により電極２３，２４を形成し、次いで絶縁フィ
ルム２２の一部をエッチング加工によって溶かし落とす
か又はレーザ加工によって焼き切ることで、電極２３，
２４の裏面側が露出する切欠部３３，３４を形成するこ
とができる。この実施例では絶縁フィルム２２としてポ
リイミドフィルムを用いることで、エッチングまたはレ
ーザー加工等によるフィルムの除去を容易に且つ精度良
く行うことができる。
手段としては、例えば図５及び図６に示したように、集
合型配線フィルム（絶縁フィルム２２）を用いて上記チ
ップ型発光ダイオード２１を複数個取りする場合に、先
ず片面が銅箔張りされた絶縁フィルム２２の上にエッチ
ング等により電極２３，２４を形成し、次いで絶縁フィ
ルム２２の一部をエッチング加工によって溶かし落とす
か又はレーザ加工によって焼き切ることで、電極２３，
２４の裏面側が露出する切欠部３３，３４を形成するこ
とができる。この実施例では絶縁フィルム２２としてポ
リイミドフィルムを用いることで、エッチングまたはレ
ーザー加工等によるフィルムの除去を容易に且つ精度良
く行うことができる。
【００２０】このようにして形成した一対の電極２３，
２４に対して、図７に示したように一方の電極２３の上
に発光ダイオード素子２７を並列させ銀ペースト等の導
電性接着剤を用いて接着したのち、発光ダイオード素子
２７と他方の電極２４とを金属細線２８でワイヤボンデ
ィングする。さらに、発光ダイオード素子２７と金属細
線２８を覆うようにして、電極２３，２４上を透光性樹
脂２９によって封止する。
２４に対して、図７に示したように一方の電極２３の上
に発光ダイオード素子２７を並列させ銀ペースト等の導
電性接着剤を用いて接着したのち、発光ダイオード素子
２７と他方の電極２４とを金属細線２８でワイヤボンデ
ィングする。さらに、発光ダイオード素子２７と金属細
線２８を覆うようにして、電極２３，２４上を透光性樹
脂２９によって封止する。
【００２１】次の工程において、図７に示したように、
各発光ダイオード素子２７間をダイシングマシン等など
を用いて切断し、図１に示したような個々のチップ型発
光ダイオード２１に分離する。
各発光ダイオード素子２７間をダイシングマシン等など
を用いて切断し、図１に示したような個々のチップ型発
光ダイオード２１に分離する。
【００２２】次に、上記構成からなるチップ型発光ダイ
オード２１を、プリント基板上に実装する場合について
説明する。図３及び図４において、符号３０は絶縁基
材、３１は絶縁基材３０上に配線された導体パターンで
ある。この場合、図３に示したように、導体パターン３
１上に予め半田や銀ペースト等の導電性接合材３２を塗
布しておき、その上に上記チップ型発光ダイオード２１
を載置する。導電性接合材３２上には絶縁フィルム２２
の両端が載置され、一対の電極２３，２４の各裏面側に
形成された外部接続用端子２５，２６が導体パターン３
１と対面する形になる。この時、両者間には絶縁フィル
ム２２の厚み分だけの隙間ができることになるが、この
実施例に係る絶縁フィルム２２はポリイミドフィルムで
形成されていて、厚みが５０μｍと非常に薄いため、上
記切欠部３３，３４の厚みが半田濡れ性や半田付け安定
性を阻害するには至らない。
オード２１を、プリント基板上に実装する場合について
説明する。図３及び図４において、符号３０は絶縁基
材、３１は絶縁基材３０上に配線された導体パターンで
ある。この場合、図３に示したように、導体パターン３
１上に予め半田や銀ペースト等の導電性接合材３２を塗
布しておき、その上に上記チップ型発光ダイオード２１
を載置する。導電性接合材３２上には絶縁フィルム２２
の両端が載置され、一対の電極２３，２４の各裏面側に
形成された外部接続用端子２５，２６が導体パターン３
１と対面する形になる。この時、両者間には絶縁フィル
ム２２の厚み分だけの隙間ができることになるが、この
実施例に係る絶縁フィルム２２はポリイミドフィルムで
形成されていて、厚みが５０μｍと非常に薄いため、上
記切欠部３３，３４の厚みが半田濡れ性や半田付け安定
性を阻害するには至らない。
【００２３】次に、この状態でプリント基板を加熱炉に
入れると、予め導体パターン３１上に塗布してあった導
電性接合材３２が軟化し、図４に示したように、上記電
極２３，２４の裏面側に濡れ上がって切欠部３３，３４
を埋め、外部接続用端子２５，２６に固着する。そのた
め、外部接続用端子２５，２６は導電性接合材３２を介
して導体パターン３１と電気的に接続することになる。
入れると、予め導体パターン３１上に塗布してあった導
電性接合材３２が軟化し、図４に示したように、上記電
極２３，２４の裏面側に濡れ上がって切欠部３３，３４
を埋め、外部接続用端子２５，２６に固着する。そのた
め、外部接続用端子２５，２６は導電性接合材３２を介
して導体パターン３１と電気的に接続することになる。
【００２４】図８及び図９は本発明に係るチップ型発光
ダイオードの第２実施例を示したものである。このチッ
プ型発光ダイオード３５は、先の実施例における外部接
続用端子２５，２６の切欠部３３，３４に金属メッキ等
を施し、導体３６，３７を形成することで絶縁フィルム
２２の下面と外部接続用端子２５，２６との間の段差を
無くしてフラットにしたものである。即ち、上述の実施
例で絶縁フィルム２２の一部をエッチングまたはレーザ
加工等により除去し、電極２３，２４の裏面側を露出さ
せたのち、上記切欠部３３，３４全体に金属メッキを施
して導体３６，３７を形成し、最後に電極２３，２４及
び導体３６，３７にニッケルメッキ、金メッキまたは半
田メッキ等を施し、絶縁フィルム２２の下面と段差のな
いフラットな外部接続用端子２５，２６を形成すること
ができる。
ダイオードの第２実施例を示したものである。このチッ
プ型発光ダイオード３５は、先の実施例における外部接
続用端子２５，２６の切欠部３３，３４に金属メッキ等
を施し、導体３６，３７を形成することで絶縁フィルム
２２の下面と外部接続用端子２５，２６との間の段差を
無くしてフラットにしたものである。即ち、上述の実施
例で絶縁フィルム２２の一部をエッチングまたはレーザ
加工等により除去し、電極２３，２４の裏面側を露出さ
せたのち、上記切欠部３３，３４全体に金属メッキを施
して導体３６，３７を形成し、最後に電極２３，２４及
び導体３６，３７にニッケルメッキ、金メッキまたは半
田メッキ等を施し、絶縁フィルム２２の下面と段差のな
いフラットな外部接続用端子２５，２６を形成すること
ができる。
【００２５】このような構成からなるチップ型発光ダイ
オード３５を、絶縁基材３０上に実装する場合には、図
１０及び図１１に示したように、絶縁基材３０の導体パ
ターン３１上にチップ型発光ダイオード３５を載置した
ときに、導体パターン３１上に塗布した導電性接合材３
２とチップ型発光ダイオード３５の導体３６，３７とを
完全に密着させることが可能となり、載置したときの安
定性が増すと共に半田の濡れ上がりが更によくなるの
で、先の実施例よりも一段と半田付け安定性が向上す
る。
オード３５を、絶縁基材３０上に実装する場合には、図
１０及び図１１に示したように、絶縁基材３０の導体パ
ターン３１上にチップ型発光ダイオード３５を載置した
ときに、導体パターン３１上に塗布した導電性接合材３
２とチップ型発光ダイオード３５の導体３６，３７とを
完全に密着させることが可能となり、載置したときの安
定性が増すと共に半田の濡れ上がりが更によくなるの
で、先の実施例よりも一段と半田付け安定性が向上す
る。
【００２６】図１２及び図１３は本発明に係るチップ型
発光ダイオードの第３実施例を示したものである。この
実施例に係るチップ型発光ダイオード４０は絶縁フィル
ム２２の左右側に各電極２３，２４の裏面に達する一対
の孔部４１，４２を設け、これらの孔部４１，４２によ
って露出した各電極２３，２４の裏面側を外部接続用端
子４３，４４として構成したものである。このチップ型
発光ダイオード４０は、先の実施例とは異なって絶縁フ
ィルム２２が電極２３，２４と同じ大きさになっている
ので、基板強度が増して取扱いが容易となる。
発光ダイオードの第３実施例を示したものである。この
実施例に係るチップ型発光ダイオード４０は絶縁フィル
ム２２の左右側に各電極２３，２４の裏面に達する一対
の孔部４１，４２を設け、これらの孔部４１，４２によ
って露出した各電極２３，２４の裏面側を外部接続用端
子４３，４４として構成したものである。このチップ型
発光ダイオード４０は、先の実施例とは異なって絶縁フ
ィルム２２が電極２３，２４と同じ大きさになっている
ので、基板強度が増して取扱いが容易となる。
【００２７】図１４及び図１５は、上記構成からなるチ
ップ型発光ダイオード４０を、絶縁基材３０上に実装す
る場合を示したものである。先ず図１４に示したよう
に、導体パターン３１上に塗布した導電性接合材３２の
真上に前記絶縁フィルム２２の孔部４１，４２が位置す
るように載置する。次いで、この状態で加熱炉に入れ導
電性接合材３２を軟化させると、図１５に示したよう
に、導電性接合材３２の一部が孔部４１，４２の内部に
まで濡れ上がって各電極２３，２４の裏面側に位置する
外部接続用端子４３，４４に固着する。そのため、外部
接続用端子４３，４４は導電性接合材３２を介して導体
パターン３１と電気的に接続することになる。なお、こ
の実施例においても上記孔部４１，４２内に金属メッキ
を施して導体を形成してもよい。
ップ型発光ダイオード４０を、絶縁基材３０上に実装す
る場合を示したものである。先ず図１４に示したよう
に、導体パターン３１上に塗布した導電性接合材３２の
真上に前記絶縁フィルム２２の孔部４１，４２が位置す
るように載置する。次いで、この状態で加熱炉に入れ導
電性接合材３２を軟化させると、図１５に示したよう
に、導電性接合材３２の一部が孔部４１，４２の内部に
まで濡れ上がって各電極２３，２４の裏面側に位置する
外部接続用端子４３，４４に固着する。そのため、外部
接続用端子４３，４４は導電性接合材３２を介して導体
パターン３１と電気的に接続することになる。なお、こ
の実施例においても上記孔部４１，４２内に金属メッキ
を施して導体を形成してもよい。
【００２８】なお、上記実施例では絶縁フィルム２２と
してポリイミドフィルムを利用した場合について説明し
たが、本発明では当然これ以外の種類のフィルムを利用
することも可能である。また、上記実施例のような絶縁
フィルム２２に限られることなく、従来と同様のガラス
エポキシ樹脂基板を用いることも可能である。さらに上
記実施例では電極２３，２４の裏面側を露出させる手段
として、絶縁フィルム２２に切欠部３３，３４や孔部４
１，４２を形成した場合について説明したが、本発明で
はこれらの手段のみに限られるものではない。
してポリイミドフィルムを利用した場合について説明し
たが、本発明では当然これ以外の種類のフィルムを利用
することも可能である。また、上記実施例のような絶縁
フィルム２２に限られることなく、従来と同様のガラス
エポキシ樹脂基板を用いることも可能である。さらに上
記実施例では電極２３，２４の裏面側を露出させる手段
として、絶縁フィルム２２に切欠部３３，３４や孔部４
１，４２を形成した場合について説明したが、本発明で
はこれらの手段のみに限られるものではない。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るチッ
プ型発光ダイオードによれば、絶縁基板の上面に一対の
電極を形成し、この電極の裏面側を絶縁基板から露出さ
せて外部接続用端子とした２層構造として構成したた
め、チップ型発光ダイオードに要求される熱的、機械的
信頼性を損なうことなく、従来の３層構造のものに比べ
て薄型を達成することができた。特に、従来のガラスエ
ポキシ樹脂基板に代えて極薄のポリイミドフィルム等を
用いた場合には、極めて薄型のチップ型発光ダイオード
を作ることができるほか、電極の裏面側を露出させるた
めの絶縁基板の切欠部又は孔部をエッチングやレーザ加
工等によって容易に形成することができる。
プ型発光ダイオードによれば、絶縁基板の上面に一対の
電極を形成し、この電極の裏面側を絶縁基板から露出さ
せて外部接続用端子とした２層構造として構成したた
め、チップ型発光ダイオードに要求される熱的、機械的
信頼性を損なうことなく、従来の３層構造のものに比べ
て薄型を達成することができた。特に、従来のガラスエ
ポキシ樹脂基板に代えて極薄のポリイミドフィルム等を
用いた場合には、極めて薄型のチップ型発光ダイオード
を作ることができるほか、電極の裏面側を露出させるた
めの絶縁基板の切欠部又は孔部をエッチングやレーザ加
工等によって容易に形成することができる。
【００３０】また、本発明のチップ型発光ダイオード
は、片面銅箔張りの絶縁基板を使用しており、従来の両
面基板のようなスルーホールへのメッキを必要としない
ので作業工数も簡易となり、その分安価なチップ型発光
ダイオードの製造が可能となった。
は、片面銅箔張りの絶縁基板を使用しており、従来の両
面基板のようなスルーホールへのメッキを必要としない
ので作業工数も簡易となり、その分安価なチップ型発光
ダイオードの製造が可能となった。
【００３１】さらに、絶縁基板に設けた切欠部等に金属
メッキを施し、導体を形成して外部接続用端子と絶縁基
板下面との段差を極力なくしたので、プリント基板に塗
布した半田などの導電性接合材に外部接続用端子が密着
し、接合時の半田濡れ性が更に向上してより一段と安定
した半田付け実装が可能となった。
メッキを施し、導体を形成して外部接続用端子と絶縁基
板下面との段差を極力なくしたので、プリント基板に塗
布した半田などの導電性接合材に外部接続用端子が密着
し、接合時の半田濡れ性が更に向上してより一段と安定
した半田付け実装が可能となった。
【図１】本発明に係るチップ型発光ダイオードの第１実
施例を示す斜視図である。
施例を示す斜視図である。
【図２】図１に示すチップ型発光ダイオードのＡ−Ａ線
断面図である。
断面図である。
【図３】図１に示すチップ型発光ダイオードをプリント
基板に実装する前の断面図である。
基板に実装する前の断面図である。
【図４】図１に示すチップ型発光ダイオードをプリント
基板に実装した後の断面図である。
基板に実装した後の断面図である。
【図５】図１に示すチップ型発光ダイオードの製造工程
における集合型配線基板の途中工程を示す斜視図であ
る。
における集合型配線基板の途中工程を示す斜視図であ
る。
【図６】図１に示すチップ型発光ダイオードの製造工程
における集合型配線基板の完成状態を示す斜視図であ
る。
における集合型配線基板の完成状態を示す斜視図であ
る。
【図７】図１に示すチップ型発光ダイオードの製造工程
における集合型配線基板上に発光ダイオード素子を実装
した状態を示す斜視図である。
における集合型配線基板上に発光ダイオード素子を実装
した状態を示す斜視図である。
【図８】本発明に係るチップ型発光ダイオードの第２実
施例を示す斜視図である。
施例を示す斜視図である。
【図９】図８に示すチップ型発光ダイオードのＢ−Ｂ線
断面図である。
断面図である。
【図１０】図８に示すチップ型発光ダイオードをプリン
ト基板に実装する前の断面図である。
ト基板に実装する前の断面図である。
【図１１】図８に示すチップ型発光ダイオードをプリン
ト基板に実装した後の断面図である。
ト基板に実装した後の断面図である。
【図１２】本発明に係るチップ型発光ダイオードの第３
実施例を示す斜視図である。
実施例を示す斜視図である。
【図１３】図１２に示すチップ型発光ダイオードの断面
図である。
図である。
【図１４】図１２に示すチップ型発光ダイオードをプリ
ント基板に実装する前の断面図である。
ント基板に実装する前の断面図である。
【図１５】図１２に示すチップ型発光ダイオードをプリ
ント基板に実装した後の断面図である。
ント基板に実装した後の断面図である。
【図１６】従来におけるチップ型発光ダイオードの一例
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図１７】図１６に示すチップ型発光ダイオードのＣ−
Ｃ線断面図である。
Ｃ線断面図である。
【図１８】従来におけるチップ型発光ダイオードの他の
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
２１ チップ型発光ダイオード ２２ 絶縁フィルム（絶縁基板） ２３ 電極 ２４ 電極 ２５ 外部接続用端子 ２６ 外部接続用端子 ２７ 発光ダイオード素子 ２８ 金属細線 ２９ 透光性樹脂 ３３ 切欠部 ３４ 切欠部 ３５ チップ型発光ダイオード ３６ 導体 ３７ 導体 ４０ チップ型発光ダイオード ４１ 孔部 ４２ 孔部 ４３ 外部接続用端子 ４４ 外部接続用端子
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁基板の上面に一対の電極を設け、一
方の電極の表面側に発光ダイオード素子を実装し、該発
光ダイオード素子と他方の電極の表面側とを金属細線に
てワイヤボンディングし、これらの発光ダイオード素子
及び金属細線を透光性樹脂にて封止する一方、上記一対
の電極の各裏面側の一部を絶縁基板から露出させ、該露
出面を前記電極の外部接続用端子としたことを特徴とす
るチップ型発光ダイオード。 - 【請求項２】 前記電極の裏面側を露出させるため、絶
縁基板に切欠部又は孔部を設けたことを特徴とする請求
項１記載のチップ型発光ダイオード。 - 【請求項３】 前記絶縁基板に設けた切欠部又は孔部に
金属メッキを施して導体を形成したことを特徴とする請
求項２記載のチップ型発光ダイオード。 - 【請求項４】 上記絶縁基板は、厚さ２０〜５０μｍの
ポリイミドフィルムであることを特徴とする請求項１乃
至３記載のチップ型発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10205095A JP3992301B2 (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | チップ型発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10205095A JP3992301B2 (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | チップ型発光ダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08298345A true JPH08298345A (ja) | 1996-11-12 |
| JP3992301B2 JP3992301B2 (ja) | 2007-10-17 |
Family
ID=14316945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10205095A Expired - Fee Related JP3992301B2 (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | チップ型発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3992301B2 (ja) |
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-
1995
- 1995-04-26 JP JP10205095A patent/JP3992301B2/ja not_active Expired - Fee Related
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