WO2000075963A3 - Thyristor mit integriertem freiwerdezeitschutz und herstellungsverfahren dafür - Google Patents

Thyristor mit integriertem freiwerdezeitschutz und herstellungsverfahren dafür Download PDF

Info

Publication number
WO2000075963A3
WO2000075963A3 PCT/DE2000/001609 DE0001609W WO0075963A3 WO 2000075963 A3 WO2000075963 A3 WO 2000075963A3 DE 0001609 W DE0001609 W DE 0001609W WO 0075963 A3 WO0075963 A3 WO 0075963A3
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
anode
commutated
recovery time
cathode
semiconductor body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/DE2000/001609
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2000075963A2 (de
Inventor
Hans-Joachim Schulze
Franz Josef Niedernostheide
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens AG
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG, Siemens Corp filed Critical Siemens AG
Priority to US10/018,592 priority Critical patent/US6723586B1/en
Priority to EP00945534A priority patent/EP1218924A2/de
Priority to JP2001502143A priority patent/JP2003501825A/ja
Publication of WO2000075963A2 publication Critical patent/WO2000075963A2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Publication of WO2000075963A3 publication Critical patent/WO2000075963A3/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P34/00—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P34/40—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices with high-energy radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D18/00—Thyristors
    • H10D18/221—Thyristors having amplifying gate structures, e.g. cascade configurations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/17—Semiconductor regions connected to electrodes not carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. channel regions
    • H10D62/192—Base regions of thyristors
    • H10D62/199—Anode base regions of thyristors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/50—Physical imperfections
    • H10D62/53—Physical imperfections the imperfections being within the semiconductor body 

Landscapes

  • Thyristors (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft einen Thyristor bestehend aus einem Halbleiterkörper (1) mit einer anodenseitigen Basiszone (2) von einem ersten Leitungstyp und einer kathodenseitigen Basiszone (3) von dem zweiten entgegengesetzten Leitungstyp sowie mit kathodenseitigen und anodenseitigen Emitterzonen (4, 5). Damit der Thyristor bereits innerhalb der Freiwerdezeit wieder mit einem Spannungsstoß belastet werden kann, ohne dabei durch eine in der Kathodenfläche auftretende Stromfilamentierung zerstört zu werden, wird eine anodenseitige Defektzone (10) mit verminderter Lebensdauer der freien Ladungsträger mit einer vorgegebenen Dicke von mindestens 20 νm innerhalb der anodenseitigen Basiszone (2) vorgeschlagen. Die Defektzone (10) kann durch anodenseitige Bestrahlung von vorgegebenen Bereichen des Halbleiterkörpers (1) mit geladenen Teilchen und Temperung des Halbleiterkörpers (1) zur Stabilisierung der Defektzone (10) hergestellt werden.
PCT/DE2000/001609 1999-06-08 2000-05-19 Thyristor mit integriertem freiwerdezeitschutz und herstellungsverfahren dafür Ceased WO2000075963A2 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/018,592 US6723586B1 (en) 1999-06-08 2000-05-19 Thyristor provided with integrated circuit-commutated recovery time protection and production method therefor
EP00945534A EP1218924A2 (de) 1999-06-08 2000-05-19 Thyristor mit integriertem freiwerdezeitschutz und herstellungsverfahren dafür
JP2001502143A JP2003501825A (ja) 1999-06-08 2000-05-19 リカバリタイム保護機能が集積されたサイリスタ及びその製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19926104.0 1999-06-08
DE19926104 1999-06-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2000075963A2 WO2000075963A2 (de) 2000-12-14
WO2000075963A3 true WO2000075963A3 (de) 2002-05-02

Family

ID=7910555

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/DE2000/001609 Ceased WO2000075963A2 (de) 1999-06-08 2000-05-19 Thyristor mit integriertem freiwerdezeitschutz und herstellungsverfahren dafür

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6723586B1 (de)
EP (1) EP1218924A2 (de)
JP (1) JP2003501825A (de)
WO (1) WO2000075963A2 (de)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10330571B8 (de) * 2003-07-07 2007-03-08 Infineon Technologies Ag Vertikale Leistungshalbleiterbauelemente mit Injektionsdämpfungsmittel im Rand bereich und Herstellungsverfahren dafür
DE102004025082B4 (de) * 2004-05-21 2006-12-28 Infineon Technologies Ag Elektrisch und durch Strahlung zündbarer Thyristor und Verfahren zu dessen Kontaktierung
DE102004062183B3 (de) * 2004-12-23 2006-06-08 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH Thyristoranordnung mit integriertem Schutzwiderstand und Verfahren zu deren Herstellung
DE102006035630B4 (de) * 2006-07-31 2012-12-06 Infineon Technologies Austria Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
DE102007041124B4 (de) * 2007-08-30 2009-06-04 Infineon Technologies Ag Thyristor mit verbessertem Einschaltverhalten, Thyristoranordnung mit einem Thyristor, Verfahren zur Herstellung eines Thyristors und einer Thyristoranordnung
DE102009051828B4 (de) * 2009-11-04 2014-05-22 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit Rekombinationszone und Graben sowie Verfahren zu dessen Herstellung
US8835975B1 (en) * 2013-05-10 2014-09-16 Ixys Corporation Ultra-fast breakover diode
US9312135B2 (en) 2014-03-19 2016-04-12 Infineon Technologies Ag Method of manufacturing semiconductor devices including generating and annealing radiation-induced crystal defects

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0651446A2 (de) * 1993-10-28 1995-05-03 Kabushiki Kaisha Toshiba GTO-Thyristor
EP0767500A2 (de) * 1995-10-03 1997-04-09 Hitachi, Ltd. Halbleiterleistungsbauteil mit Gitterfehlstellen
DE19650762A1 (de) * 1996-09-30 1998-07-02 Eupec Gmbh & Co Kg Thyristor mit Durchbruchbereich
US5869358A (en) * 1996-12-02 1999-02-09 Asea Brown Boveri Ag Method for the production of a gate turn-off thyristor having an anode-side stop layer and a transparent anode emitter

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0343369A1 (de) * 1988-05-19 1989-11-29 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Herstellen eines Thyristors
JPH0680820B2 (ja) * 1989-10-16 1994-10-12 株式会社東芝 過電圧保護機能付半導体装置及びその製造方法
US5243205A (en) * 1989-10-16 1993-09-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device with overvoltage protective function
WO1992017907A1 (de) * 1991-03-27 1992-10-15 Siemens Aktiengesellschaft Thyristor mit einstellbarer kippspannung und verfahren zu seiner herstellung
EP0931351B1 (de) * 1996-09-30 2004-01-28 EUPEC Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG Thyristor mit durchbruchbereich
JP3488599B2 (ja) * 1996-10-17 2004-01-19 株式会社東芝 半導体装置
US6274892B1 (en) * 1998-03-09 2001-08-14 Intersil Americas Inc. Devices formable by low temperature direct bonding

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0651446A2 (de) * 1993-10-28 1995-05-03 Kabushiki Kaisha Toshiba GTO-Thyristor
EP0767500A2 (de) * 1995-10-03 1997-04-09 Hitachi, Ltd. Halbleiterleistungsbauteil mit Gitterfehlstellen
DE19650762A1 (de) * 1996-09-30 1998-07-02 Eupec Gmbh & Co Kg Thyristor mit Durchbruchbereich
US5869358A (en) * 1996-12-02 1999-02-09 Asea Brown Boveri Ag Method for the production of a gate turn-off thyristor having an anode-side stop layer and a transparent anode emitter

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003501825A (ja) 2003-01-14
EP1218924A2 (de) 2002-07-03
US6723586B1 (en) 2004-04-20
WO2000075963A2 (de) 2000-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0718893A3 (de) MOS-gesteuerter Thyristor mit zwei Gates und Verfahren zur Herstellung desselben
JPS6449273A (en) Semiconductor device and its manufacture
WO2001088954A3 (en) Method of and apparatus for making electrical contact to wafer surface for full-face electroplating or electropolishing
WO2003005477A3 (en) Thin film battery and method of manufacture
AUPQ315499A0 (en) Fuel cell assembly
JPS5599774A (en) Electrostatic induction type thyristor
WO2000075963A3 (de) Thyristor mit integriertem freiwerdezeitschutz und herstellungsverfahren dafür
CA2108559A1 (en) Electroluminescent silicon device
JPS57117276A (en) Semiconductor device
CA1210523A (en) Self protected thyristor and method of making
WO1996002964A3 (en) A transferred electron effect device
WO2005006550A3 (en) Light-activated semiconductor switches
WO2002089168A3 (en) Silicon-based dielectric tunneling emitter
CN205582943U (zh) 一种集成保护台面晶闸管
GB0120595D0 (en) A semiconductor rectifier
EP0157207A3 (de) Mittels Steuerelektrode abschaltbarer Thyristor
EP1302963A3 (de) Elektronenemitter
KR950034827A (ko) 절연게이트 바이폴라 트랜지스터의 구조 및 그 제조방법
JPS6471185A (en) Photoelectric conversion device
CA2407364A1 (en) Bipolar transistor
WO2009077566A1 (en) Power semiconductor device and method for manufacturing such a device
JPS5615071A (en) Electrostatic induction type thyristor
EP1018769A3 (de) Halbleiterbauelement mit erhöhter Gatterisolierungslebensdauer
TW334630B (en) The low noise and high current drive MOST structure
TW365026B (en) Semiconductor cathode and electron tube comprising a semiconductor cathode

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): JP US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2000945534

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref country code: JP

Ref document number: 2001 502143

Kind code of ref document: A

Format of ref document f/p: F

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10018592

Country of ref document: US

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2000945534

Country of ref document: EP