WO2002017483A1

WO2002017483A1 - Surface acoustic wave filter device

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Publication number: WO2002017483A1
Application number: PCT/JP2001/007042
Authority: WO
Inventors: Norio Taniguchi; Toshiaki Takata; Mitsuo Takeda
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-08-21
Filing date: 2001-08-15
Publication date: 2002-02-28
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Also published as: EP2284998A2; JP2002141771A; KR100500006B1; EP1313218A4; EP2284998A3; CN1196258C; KR20020043236A; US20030058066A1; EP1313218A1; EP1313218B1; US6919777B2; DE60144236D1; CN1394389A

Description

明細書

弾性表面波フィルタ装置技術分野

本発明は、弾性表面波フィルタ装置に関し、特に、梯子型回路を有する弾性表面波フィルタ装置に関する。背景技術

複数の一端子対弾性表面波共振子が梯子状に接続された梯子型回路を有するパンドパスフィルタが知られている（例えば特開平 5— 1 8

3 3 8 0号公報等）。

このバンドパスフィルタでは、入力端子と出力端子の間に複数の一端子対弾性表面波共振子が直列腕共振子として直列に接続されており、直列腕を構成している。また、複数一端子対弾性表面波共振子が並列腕共振子として直列腕とグランドとの間に並列に接続されており、並列腕を構成している。

梯子型回路を有するバンドパスフィルタは、小さい挿入損失と広い通過帯域を備えており、携帯電話機におけるバンドパスフィルタなどに広く用いられている。

特開平 5— 1 8 3 3 8 0号公報には、上記直列腕共振子または並列腕共振子にィンダクタンス成分を直列に接続すれば、フィルタ特性の広帯域化が図られることが記載されている。

また、特開平 1 0— 9 3 3 8 2号公報には、梯子型回路を有する弾性表面波フィルタ装置において、並列腕共振子にインダクタンスを付加した構造が開示されている。図 1 8は、この先行技術に記載の弾性表面波フィルタ装置の構成回路を示している。弾性表面波フィルタ装置 5 0 1では、直列腕共振子 S 1 , S 2と並列腕共振子 P 1〜P 3とが梯子型回路を構成をするように接続されている。ここでは、並列腕共振子 P 1〜P 3とアース電位との間に、ィンダクタンス Lが挿入されており、これにより、広通過帯域化及び通過帯域近傍における減衰量の拡大が図られている。

他方、特開平 4— 6 5 9 0 9号公報には、弾性表面波フィルタ素子をフェイスダウン工法によりパッケージに接続した構造が開示されている。従来、弾性表面波フィルタ素子を収納したパッケージでは、パッケージの電極と弾性表面波フィルタ素子の電極とがボンディングヮィャにより接続されていた。これに対して、この先行技術に記載の弾性表面波フィルタ装置では、'フヱイスダウン工法を採用することにより小型化が図られている。図 1 9は、. このフェイスダウン工法を用いて収納された弾性表面波フィルタ素子のパッケージの断面を模式的に示している。

弾性表面波フィルタ装置 6 0 1では、パッケージ 6 0 2内に弾性表面波フィルタ素子 6 0 3が収納されている。パッケージ 6 0 2は、ベース基板 6 0 2 a , 側壁 6 0 2 b及ぴキヤップ 6 0 2 cを有している _c ベース基板 6 0 2 a上には、弾性表面波フィルタ素子 6 0 3に電気的に接続される複数の電極パッドを有するダイァタツチ部 6 0 2 dが形成されている。弾性表面波フィルタ素子 6 0 3は、圧電基板 6 0 3 aを有し、圧電基板 6 0 3 aの下面に弾性表面波フィルタ素子を構成するための電極等が形成されている。そして、圧電基板 6 0 3 aの下面に形成されている電極がバンプ 6 0 4により、ダイアタッチ部 6 0 2 d中の電極パッドに電気的に接続されると共に、該バンプ 6 0 4に' より、弾性表面波フィルタ素子 6 0 3がダイァタツチ部 6 0 2 dに機械的に固定されている。

このようなフイスダウン工法、すなわち、圧電基板の弾性表面波フィルタ素子を構成する電極等が形成されている面をバンプ 6 0 4によりパッケージに接合する方法では、ボンディングワイヤを必要としないので、小型の弾性表面波装置を作ることができる。

ところで、特開平 5— 1 8 3 3 8 0号公報ゃ特開平 1 0— 9 3 3 8 2号公報に記載のように、梯子型回路を有する弾性表面波フィルタ装置において、直列腕共振子または並列腕共振子にィンダクタンスを付加した場合、フィルタ特性が向上する。また、ボンディングワイヤにより弾性表面波フィルタ素子とパッケージの電極とを接続する場合には、該ボンディングワイヤを利用して上記ィンダクタンスを付加することができる。

しかしながら、前述したフェイスダウン工法によりパッケージ化されている弾性表面波フィルタ装置 6 0 1では、ボンディングワイヤを有しないので、ボンディングワイヤによりィンダクタンス成分を弾性表面波フィルタ装置 6 0 1に付加することはできない。パッケージに設けられた外部電極と、ダイアタッチ部とを接続している引回し電極によりわずかなィンダクタンス成分を得ることが可能ではあるが、このような引回し電極では大きなインダクタンスを得ることができない _c 従って、特開平 4 - 6 5 9 0 9号公報に記載の弾性表面波フィルタ装置では、インダクタンスの付加により、広帯域化及び通過帯域近傍における減衰量の増大を図ることが困難であった。 '

なお、特開平 4 _ 6 5 9 0 9号公報には、パッケージ内の入出力信号端子とアース端子との間にィンダクタンス成分を付加すれば、外部素子を用いることなく入出力のィンピーダンス整合を図ることができると記載されている。この記載は、弾性表面波フィルタ外で入出力ィンピーダンスのマッチングを図らなければならない構造の弾性表面波フィルタに関するものである。従って、本質的に 5 0 Ωに整合せずともよい梯子型回路を有する弾性表面波フィルタでは、このようなパッケージ内の入出力信号端子と、アース端子との間でインピーダンス整合を図る必要はない。

また、特開平 4一 6 5 9 0 9号公報では、ダイアタッチ部においてインダクタンス成分が構成されているが、この構造では、弾性表面波フィルタ素子の圧電基板上の配線等とダイァタツチ部との電磁界的な結合が生じ、フィルタ特性が低下する。また、ダイアタッチ部においてィンダクタンス成分を形成するためには、弾性表面波フィルタ素子とパッケージとを電気的に接続し機械的に固定するためのバンプの位置や個数を調整する必要がある。しかし、インダクタンス成分を形成するためのバンプの位置や個数が、必ずしも電気的接続及び機械的固定も十分に果たし得るとは限らないため、弾性表面波フィルタ装置の信頼性を低下させることになる。発明の開示

本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、梯子型回路を有する弾性表面波フィルタ素子がフヱイスダウン工法でパッケージに収納されている弾性表面波フィルタ装置において、並列腕共振子及び /または直列腕共振子にィンダクタンスが付加されており、かつ弾性表面波フィルタ素子上の電極とパッケージに設けられたィンダクタンスとの電磁界的な結合によるフィルタ特性の悪化が生じ難く、バンプの位置や個数の制限が少ない、良好なフィルタ特性を有する弾性表面波フィルタ装置を提供することにある。

本発明の広い局面によれば、圧電性基板、及び前記圧電性基板上に形成された複数の一端子対弾性表面波素子を有し、前記一端子対弾性表面波素子が梯子型回路の並列腕共振子及び直列腕共振子を構成するように接続されている弾性表面波フィルタ素子と、前記弾性表面波フィルタ素子を収納しているパッケージとを備え、前記弾性表面波フィルタ素子が複数のバンプにより接続されるフェイスダウン工法で前記パッケージに収納されており、前記パッケージの内に設けられており、前記直列腕共振子及び並列腕共振子の少なくとも一方に接続されているマイクロストリップラインのィンダクタンス成分をさらに備えることを特徴とする、弾性表面波フィルタ装置が提供される。

本発明のある特定の局面では、前記パッケージが、弾性表面波フィルタ素子のいずれかの信号端子及びアース端子にバンプにより接続される複数の電極パッドを有するダイアタッチ部と、いずれかの電極パッドと電気的に接続されており、かつ弾性表面波フィルタ装置外の信号ラインまたはアースラインに接続される複数の外部電極とを備える c 本発明のより限定的な局面では、前記マイクロストリップラインが. 前記直列腕共振子の信号端子に接続されている前記電極パッドと、前記弾性表面波装置外の信号ラインに接続される前記外部電極との間に接続されている。

本発明の他の限定的な局面では、前記マイクロストリップラインが. 少なくとも 1つの前記並列腕共振子のアース端子にバンプにより接続されている前記電極パッドと、アースラインに接続される前記外部電極との間に設けられている。

本発明の他の特定の局面では、少なくとも 2個の前霄己並列腕共振子を備え、全ての並列腕共振子のアース端子が前記圧電性基板上で共通接続されており、前記並列腕共振子のアース端子が共通接続されている部分と、前記パッケージの外部電極との間に、前記マイクロストリップラインが接続されている。

本発明のさらに別の特定の局面では、少なくとも 2個の前記並列腕共振子を備え、全ての並列腕共振子のアース端子に接続されるパッケージ側の前記電極パッドが共通とされており、前記共通とされている電極パッドと、前記外部電極との間の経路に前記マイクロストリップラインが設けられている。

本発明のさらに他の限定的な局面によれば、少なくとも 3個以上の前記並列腕共振子を備え、前記圧電性基板上に形成されており、少なくとも 2個の並列腕共振子のアース端子が接続される電極ランドをさらに備え、前記電極ランドと、前記電極ランドが接続される外部電極との間の経路に前記マイクロストリップラインが設けられており、前記少なくとも 2個の並列腕共振子以外の並列腕共振子が、圧電性基板上において、前記少なくとも 2個の並列腕共振子と電気的に分離されており、前記少なくとも 2個の並列腕共振子に接続されているパッケージ側の外部電極以外の外部電極に電気的に接続されている。

本発明の他の特定の局面では、少なくとも 3個'の前記並列腕共振子を備え、前記複数の電極パッドが、前記並列腕共振子のうち少なくとも 2個の並列腕共振子のアース端子に接続される共通電極パッドを有し、前記マイクロストリップラインが共通電極パッドと、該共通電極パッドが接続される'前記外部電極と間の経路に設けられており、前記少なくとも 2個の並列腕共振子以外の並列腕共振子が、前記複数の電極パッドを含むダイアタッチ部において、前記少なくとも 2個の並列腕共振子と電気的に分離されており、前記少なくとも 2個の並列腕共振子に接続されているパッケ一ジ側の外部電極以外の外部電極に電気的に接続されている。

本発明のさらに他の限定的な局面では、前記マイクロストリップラインが、パッケージ内において、ダイアタッチ部以外に配置されている。

本発明の他の特定の局面では、前記パッケージが、前記弾性表面波フィルタ素子が搭載されるベース基板と、該ベース基板内に設けられた環状の側壁と、環状の側壁の上端を,閉成するように取り付けられたキャップ材とを備え、前記マイクロストリップラインの主要部が、前記側壁と前記ベース基板との間に配置されている。

本発明に係る弾性表面波フィルタ装置のさらに別の特定の局面では- 前記パッケージが、前記弾性表面波フィルタ素子が搭載される第 1のケース材と、第 1のケース材に搭載されている弾性表面波フィルタ素子を囲繞する第 2のケース材とを備え、前記第 1のケース材の内部にマイクロストリップラインの主要部が設けられている。

なお、本明細書において「マイクロストリップラインの主要部」とは、マイクロストリップラインの全長の 5 0パーセント以上をいうものとする。

本発明に係る弾性表面波フィルタ装置の他の特定の局面では、前記弾性表面波フィルタ素子の入出力端の信号端子と少なくとも 1つのァース端子とが、前記複数の外部電極のうち入出力端の信号ラインに接続される外部電極と少なくとも 1つのアース電位に接続される外部電極に対し、前記弾性表面波フィルタ素子の圧電性基板の中心を通り、圧電性基板に直交する仮想線の周りに 9 0度回転させたような位置関係とされている。

本発明に係る通信機は、本発明に係る弾性表面波フィルタ装置を有することを特徴とする。図面の簡単な説明

図 1は、本発明の第 1の実施例に係る弾性表面波フィルタ装置の模式的断面である。

図 2は、本発明の第 1の実施例に係る弾性表面波フィルタ装置に用いられる弾性表面波フィルタ素子の電極構造を示す平面図である。図 3は、本発明の第 1の実施例に係る弾性表面波フィルタ装置のパッケージのベース基板上面の複数の電極パッドを含むダイァタツチ部を示す平面図である。

図 4は、第 1の実施例の弾性表面波フィルタ装置を示す回路図である。

図 5は、比較のために用意した従来の弾性表面波装置のパッケージのベース基板の上面の電極パターンを示す平面図である。

図 6は、第 1の実施例及び従来例の弾性表面波装置の減衰量一周波数特性を示すグラフである。

図 7は、本発明の第 2の実施例に係る弾性表面波フィルタ装置を示す回路図である。，

図 8は、第 2の実施例の弾性表面波フィルタ装置で用いられるパッケージのベース基板の上面の電極構造を示す平面図である。

図 9は、第 2の実施例及び従来例の弾性表面波フィルタ装置の減衰量一周波数特性を示すグラフである。

図 1 0は、本発明の第 3の実施例に係る弾性表面波フィルタ装置を示す回路図である。

図 1 1は、第 3の実施例の弾性表面波フィルタ装置のパッケージのベース基板の上面の電極構造を示す平面図である。

図 1 2は、第 3の実施例及ぴ従来例の弾性表面波フィルタ装置の減衰量ー周波数特性を示すグラフである。

図 1 3は、本発明の第 4の実施例の弾性表面波フィルタ装置を示す回路図である。

図 1 4は、第 4の実施例の弾性表面波フィルタ装置の模式的断面図である。，

図 1 5は、第 4の実施例の弾性表面波フィルタ装置におけるパッケージのベース基板上面の電極構造を示す平面図である。

図 1 6は、第 4の実施例の弾性表面波フィルタ装置に用いられるパッケージのベース基板内の電極構造を示す平面図である。

図 1 7は、第 4の実施例及び従来の弾性表面波フィルタ装置の減衰量一周波数特性を示すグラフである。

図 1 8は、従来の梯子型回路を有する弾性表面波フィルタ装置の一例を示す回路図である。

図 1 9は、従来の他の弾性表面波フィルタ装置を示す断面図である _c 発明を実施するための最良の形態

以下、図面を参照しつつ、本発明に係る弾性表面波フィルタ装置の詳細を説明する。

図 1に示すように、本実施例の弾性表面波装置 1は、パッケージ 2 およびパッケージ 2内に収納された弾性表面波フィルタ素子 3を含む ₍ なお、図 1では、弾性表面波フィルタ素子 3は模式的にその外形のみが示されている。

パッケージ 2は、矩形板状のベース基板 4と、ベース基板 4上に接合された矩形枠状の側壁 5と、側壁 5の上方開ロを閉成するように取り付けられた矩形板状のキャップ材 6とを有する。側壁 5は、矩形板状以外の円環状等の他の環状構造を有するものであってもよい。

ベース基板 4及び側壁 5は、例えばアルミナなどの絶縁性セラミツタスあるいは合成樹脂により構成することができる。キャップ材 6についても同様の材料で構成することができ、あるいはキャップ材 6は電磁シールド性を付与するために金属等により構成されていてもよい _c ベース基板 4は、基板 4 b及ぴ 4 cを含む多層基板により構成されており、基板 4 a及ぴ 4 bの間には、後述するマイクロストリップラィンのためのグランド電極 5 0が、基板 4 bの下面のほぼ全面に形成されている。基板 4 b及び 4 cは絶縁性の材料からなり、所定の誘電率を有している。

図 2に示すように、弾性表面波フィルタ素子 3は、圧電性基板としての矩形板状の圧電基板 7を有する。圧電基板 7は、本実施例では 3 6 ° Y c u t X伝搬 L i T a 0 ₃ 基板により構成されている。圧電基板 7は、他の圧電単結晶、あるいはチタンジルコン酸鉛系セラミックスのような圧電セラミックスにより構成されていてもよい。また、圧電基板や絶縁基板上に Z n O等からなる圧電薄膜を形成してなる圧電性基板を用いてもよい。

圧電基板 7の上面 7 aには、金属膜を全面に形成した後、フォトリソグラフィ一およびェツチングにより、図示の電極パターンが形成されている。この電極パターンを形成する金属材料についても特に限定されないが、本実施例では A 1により構成されている。なお、電極形成はフォトリソグラフィーおよぴリフトオフ法で行ってもよい。

図 2を参照して上記電極構造を説明する。

圧電基板 7の上面 7 a上には、梯子型回路を実現するために、それぞれがー端子対弾性表面波素子からなる直列腕共振子 8， 9及び並列腕共振子 1 0〜 1 2が形成されている。直列腕共振子 8 , 9及び並列腕共振子 1 0〜： 1 2は、いずれも、 1つの I D Tと、 I D Tの表面波伝搬方向両側に配置された一対の反射器とを有する。直列腕共振子 8 を代表して説明すると、直列腕共振子 8は、 I D T 8 a と、反射器 8 b , 8 c とを有する。

また、圧電基板 7の上面 Ί a上には、電極ランド 1 3〜 1 7が形成されている。電極ランド 1 3〜 1 7は、弾性表面波フィルタ素子 3を外部と電気的に接続するための部分であり、ある程度の面積を有する金属膜により構成されている。なお、電極ランド 1 3〜 1 7上に描かれている円形の部分は、バンプにより接合される部分を意味する。電極ランド 1 3は、弾性表面波フィルタ素子 3の入力端として用いられ、該電極ランド 1 3が導電路 1 8により第 1の直列腕共振子 8の一端に接続されている。導電路 1 8は、電極ランド 1 3と、直列腕共振子 8の一端と、第 1の並列腕共振子 1 0の一端とを電気的に接続している。並列腕共振子 1 0の導電路 1 8が接続されている側とは反対側の端部は、導電路 1 9を介して電極ランド 1 4に接続されている。電極ランド 1 4は、アース電位に接続される電極ランドである。

また、直列腕共振子 8の導電路 1 8が接続されている側とば反対側の端部は、導電路 2 0に接続されている。導電路 2 0は、第 2の直列腕共振子 9の一端及び第 2の並列腕共振子 1 1の一端にも接続されている。第 2の並列腕共振子 1 1の導電路 2 0が接続されている側とは反対側の端部は、電極ランド 1 5に接続されている。電極ランド 1 5 はアース電位に接続される電極ランドである。

第 2の直列腕共振子 9の他端には、導電路 2 1が接続されており、導電路 2 1は、電極ランド 1 7及び第 3の並列腕共振子 1 2の一端に接続されている。電極ランド 1 7は、出力端子として用いられる。また、並列腕共振子 1 2の導電路 2 1に接続されている側とは反対側の端部は、導電路 2 2を介して電極ランド 1 6に接続されている。電極ランド 1 6はアース電位に接続される電極ランドである。

従って、弾性表面波フィルタ素子 3において、上記第 1 , 第 2の直列腕共振子 8 , 9及ぴ第 1〜第 3の並列腕共振子 1 0〜 1 2は、図 4 に示す梯子型回路を構成するように接続されている。図 4におけるィンダクタンス L 1〜 L 5については後述する。

図 3は、図 1に示したパッケージ 2におけるベース基板 4の上面に形成されている電極構造を示す。ベース基板 4の上面 4 a上において、破線 Xで示す部分に弾性表面波フィルタ素子 3が搭載される。この部分において、前述した弾性表面波フィルタ素子 3が圧電基板 7の上面 7 aが下方を向くようにしてバンプにより接合される。すなわち、図 2に示した弾性表面波フィルタ素子 3が圧電基板 7の上面 7 aが下面を向くようにして、図 3に示すベース基板 4の上面 4 a上に重ねられ、両者の間がバンプにより接合され、弾性表面波フィルタ素子 3が固定される。

ベース基板 4の上面 4 a上には、電極ペーストを印刷 ·焼成して、図示の電極が形成されている。すなわち、この複数の電極パッド 2 3 〜 2 7がダイアタッチ部を構成している。電極パッド 2 3 〜 2 7が互いに分離して形成されている。このうち、電極パッド 2 3は、バンプ 2 8により、図 2に示した電極ランド 1 3に電気的に接続されるとともに、機械的に接合される。同様に、電極パッド 2 4 〜 2 6は、それぞれ、図 2に示した電極ランド 1 4 〜： L 6に、ノンプ 2 9 ， 3 0 , 3 1により接続される。さらに電極パッド 2 7は、ノンプ 3 2を介して. 図 2に示した電極ランド 1 7に電気的に接続される。

上記電極パッド 2 3 〜 2 7のうち、電極パッド 2 3 ， 2 7が、外部の信号ラインに接続される電極パッドであり、電極パッド 2 4 〜 2 6 は外部のアースラインに接続される電極パッドである。

また、ベース基板 4の上面には、外部電極 4 1 〜 4 4が形成されている。外部電極 4 1 〜 4 4は、ベース基板 4の上面 4 aだけでなく、図 1では図示されていない部分において、ベース基板 4の側面及び下面に至るように形成されている。すなわち、外部電極 4 1 〜 4 4は、図 1に示した弾性表面波装置 1を外部と電気的に接続するための電極として機能する。

外部電極 4 4は、マイクロストリップライン 4 5を介して電極パッド 2 3に接続されている。同様に、外部電極 4 1は、マイクロストリップライン 4 6を介して電極パッド 2 7に接続されている。また、外部電極 4 2は、マイクロストリップライン 4 7を介して電極パッド 2 4に接続されており、外部電極 4 3はマイクロストリップライン 4 8 : 4 9を介して、電極パッド 2 5 , 2 6の双方に電気的に接続されている。

従って、外部電極 4 2 , 4 3は、外部のアースラインに接続される外部電極であり、外部電極 4 1 , 4 4が信号ラインに接続される外部電極である。

上記マイクロストリップライン 4 5〜 4 9は、図 3において破線で示すように、基板 4 bを介してグランド電極 5 0と対向しており、細い帯状の導電性パターンがマイクロストリップラインとして機能する _c 図 3では、グランド電極 5 0は基板 4 bのほぼ全面にわたって形成されているが、マイクロストリップライン 4 5〜4 9に対向する部分においてグランド電極 5 0が形成されておればよい。マイクロストリツプライン 4 5〜4 9はベース基板 4と側壁との間に存在している。本実施例では、上記マイクロストリップライン 4 5〜 4 9によりィンダクタンス分が得られる。すなわち、マイクロストリップライン 4 5により、図 4に示すィンダクタンス L 1が、マイクロストリップライン 4 6 にインダクタンス L 2がマイクロストリップライン 4 7〜 4 9により、インダクタンス L 3〜L 5が構成されている。

言い換えれば、梯子型回路を有する各並列腕共振子とアースラインに接続される外部電極との間に、インダクタンス成分として働くマイクロストリップライン 4 7〜4 9が接続されている。同様に、直列腕共振子と、外部の信号ラインに接続される外部電極 4 1， 4 4との間にも、それぞれ、マイクロストリップラインのインダクタンス成分 4 6 , 4 5が接続されている。

本実施例では、 2個の直列腕共振子 8 , 9及び 3個の並列腕共振子 1 0〜 1 2からなる梯子型のフィルタ回路が実現されている弾性表面波装置において、並列腕共振子 1 0〜 1 2に、それぞれ、独立に、上記マイクロストリップライン 4 7〜 4 9によりィンダクタンス成分が付加されている。従って、広帯域化を図ることができるとともに、通過帯域近傍の減衰量を大きくすることができる。これをより具体的な実験例に基づき説明する。

図 6の実線は、本実施例の弾性表面波装置の減衰量一周波数特性を示し、破線は比較のために用意した従来の弾性表面波装置の減衰量一周波数特性を示す。

なお、図 6において破線で示した従来例の弾性表面波装置は、パッケージのベース基板の上面の電極構造を図 5に示したように形成したことを除いては、上記実施例と同様とした。すなわち、図 5に示すベ一ス基板 1 04の上面 1 0 4 a上には、電極パッド 1 0 5〜 1 0 7が形成されている。また、四隅には、外部電極 1 1 1〜 1 1 4が形成されている。外部電極 1 1 1〜 1 1 4は、ベース基板 1 0 4の上面から側面を経て、下面にも至るように形成されており、外部と電気的に接続する部分に相当する。外部電極 1 1 2， 1 1 3は、幅の太い導電路 1 0 8， 1 0 9により電極パッド 1 0 5， 1 0 6にそれぞれ電気的に接続されている。

ベース基板 1 0 4の導電路 1 0 8， 1 0 9に対向する位置には、グランド電極が形成されていないので、導電路 1 0 8 , 1 0 9はマイクロストリップラインとしては機能しない。また、面積の大きな電極パッド 1 0 7が、外部電極 1 1 1 , 1 1 4に直接接続される。電極パッド 1 0 7は、弾性表面波フィルタ素子 3のアースラインに接続される電極ランド 1 4〜 1 6にバンプにより接合され、電極パッド 1 0 5， 1 0 6は、それぞれ、：信号端子に接続される電極ランド 1 3 , 1 7に接続される部分である。

従って、比較のために用意した従来の弾性表面波装置では、並列腕共振子 1 0〜 1 2とアースラインに接続される外部電極 1 1 1， 1 1 4との間に、マイクロストリップラインが独立に形成されておらず、マイクロストリップラインによるインダクタンス分は挿入されていない。

同様に、直列腕共振子 8 , 9と外部電極 1 1 2 , 1 1 3との間にも、パッケージ側において、マイクロストリップラインは接続されておらず、従ってマイクロストリップラインによるインダクタンス成分は挿入されていない。

なお、上記実施例及び従来例において用いた弾性表面波フィルタ素子 3の仕様は以下の通りである。

直列腕共振子 8 , 9…電極指交差幅 = 1 7 m、 I D Tにおける電極指の対数 = 1 0 0、反射器の電極指の本数 = 1 0 0、電極指ピッチ 0. 9 9 m (弾性表面波の波長 λ = 1 . 9 9 μ m)₀

第 1，第 3の並列腕共振子 1 0， 1 2…電極指交差幅 = 5 0 μ m、 I D Tの電極指の対数 = 4 0対、反射器の電極指の本数 = 1 0 0、電極指ピッ,チ 1 . 0 4 μ m (弾性表面波の波長； L = 2. 0 7 μ m) ₀ 第 2の並列腕共振子 1 1…電極指交差幅 == 5 2 μ m、 I D Tの電極指の対数 = 9 0対、反射器の電極指の本数 = 1 0 0本、電極指ピッチ = 1 . 0 4 μ πι (弾性表面波の波長； L = 2. 0 8 μ πι)。 ■

また、実施例において、ベース基板 4上に形成されているマイクロストリップライン 4 5〜 4 9によるィンダクタンス成分は以下の通りである。

マイクロストリップライン 4 5 , 4 6 ■·· 0 . 8 η Η

マイクロストリップライン 4 7， 4 9 ··· 0 . 8 η Η

マイクロストリップライン 4 8— 0. 5 η Η

図 6から明らかなように、減衰量が 4 d Βである'通過帯域の幅は、従来例では 7 8 MH zであるのに対し、本実施例では 8 6 MH z と広げられていることがわかる。また、通過帯域近傍における減衰極は従来例と実施例とではほぼ同じ周波数に位置するが、これは、ダイァタツチ部のアース電位に接続される電極パッドがそれぞれ分離されているので、共通インダクタンス成分が存在しないためと考えられる。すなわち、第 1〜第 3の並列腕共振子 1 0〜 1 2に独立にィンダクタンス成分が、上記マイクロストリップライン 4 7〜 4 9により付加されていることによる。さらに、上記ィンダクタンス成分を付加するためのマイクロストリップライン 4 5〜 4 9力 S、ベース基板と側壁との間に存在しているので、マイクロストリップライン 4 5〜 4 9 と弾性表面波フィルタ素子 3 との電磁界的な結合があまり生じず、従って良好なフィルタ特性のられることがわかる。さらに、上記マイクロストリップライン 4 5 〜 4 9は、ダイアタッチ部には存在していないので、バンプの位置や個数に制限を与えることがない。従って、弹性表面波フィルタ素子 3 をベース基板 4に十分な接合強度で接合することができる。

また、マイクロストリップラインを形成する基板 4 bの誘電率、マイクロストリップラインとグランド電極 5 0 との間隔などを変化させることにより、マイクロストリップラインの単位長あたりのインダクタンス成分を設計ることができる。従って、弾性表面波フィルタの特性を改善するために必要なィンダクタンス成分を、マイクロストリツプラインのインダクタンス成分で設計して弾性表面波フィルタに揷入することができる。さらに、マイクロストリップラインは外界の影響に強いため、マイクロストリップラインのインダクタンス成分が、弾性 ¾面波フィルタ素子をフェースダウン工法によってベース基板に取り付けられても変化することがほとんどないので、所望のィンダクタンス成分を設計どおり弾性表面波フィルタに揷入することができる。

(第 2の実施例）

図 7は、本発明の第 2の実施例に係る弾性表面波フィルタ装を示す回路図である。

本実施例においても、第 1の実施例と同様の弾性表面波フィルタ素子 3が用いられている。図 7に示すように、 2個の直列腕共振子 8 ， 9と、 3個の並列腕共振子 1 0〜 1 2とが梯子型回路構成を有するように接続されている。

もっとも、図 7から明らかなように、本実施例では、 3個の並列腕共振子 1 0〜 1 2のアース電位に接続される端部が共通接続されており、共通接続されている部分と外部のアースラインに接続される外部電極との間に、インダクタンス L 6， L 7が接続されている。なお、 3個の並列腕共振子 1 0〜1 2のアース電位に接続される端部、すなわちアース端子は、圧電性基板上で共通接続されていてもよい。

上記ィンダクタンス L 6， L 7は、パッケージ内で形成されたマイクロストリップラインにより構成されている。

図 8は、第 2の実施例で用いられるパッケージのベース基板 5 4の上面の電極構造を示す平面図である。

第 2の実施例は、ベース基板 5 4の上面の電極構造が異なることを除いては、第 1 の実施例と同様に構成されている。従って、弾性表面波フィルタ素子 3の構造及びパッケージ 2の他の構造については第 1 の実施例の説明を授用することとする。

本実施例においても、ベース基板 5 4の上面の破線 Xで囲まれている領域に、弾性表面波フィルタ素子 3が圧電基板 4の上面 4 a (図 2 参照) が下面を向くようにしてフェイスダウン工法でバンプにより接合される。

ベース基板 5 4の上面 5 4 a上には、電極パッド 5 5〜 5 7からなるダイアタッチ部が構成されている。電極パッド 5 5， 5 6は、それぞれ、図 2に示した電極ランド 1 3， 1 7にバンプ 5 5 a , 5 6 aによりそれぞれ接合されている。また、電極パッド 5 7は、図 2に示したアース電位に接続される電極ランド 1 4 , 1 5， 1 6とバンプ 5 7 a〜5 7 dにより接合される。

外部電極 6 1 ~ 6 4が第 1 の実施例と同様にベース基板 5 4のコーナ一部分に設けられており、外部電極 6 1〜 6 4は、ベース基板 5 4 の上面 5 4 a上だけでなく、側面を経て下面にも至るように形成されている。上記電極パッド 5 5， 5 6が、それぞれ、マイクロストリツプライン 6 5 , 6 6を介して外部電極 6 4 , 6 1に接続されている。また、電極パッド 5 7は、マイクロストリップライン 6 7 , 6 8を介して外部電極 6 2 , 6 3に接続されている。

すなわち、パッケージ 2のダイァタツチ部の電極パッド 5 7により 3個の並列腕共振子のアース電位に接続される端子が共通接続されており、かつ電極パッ K 5 7が、それぞれ、マイクロストリップライン 6 7， 6 8を介して異なる外部電極 6 2， 6 3に接続されている。また、圧電基板 4上の入出力信号端子となる電極ランド 1 3， 1 7 とアース端子となる電極ランド 1 4〜 1 6 とは、パッケージの外部の信号ラインに接続される外部電極 6 1， 6 4及びアースラインに接続される外部電極 6 2， 6 3に対して、圧電基板 4の中央を通る垂線の周りに 9 0度回転するように位置されている。

第 1 の実施例と同様、マイクロストリップライン 6 5 , 6 6， 6 7 , 6 8はグランド電極 5 0と対向している,。その他の構成については、第 1の実施例と同様である。'

第 2の実施例の弾性表面波フィルタ装置の減衰量周波数特性を図 9 に実線で示す。比較のために、第 1の実施例の比較例として用意した従来例の弾性表面波フィルタ装置の減衰量周波数特性を破線で示す。なお、実施例において、上記マイクロストリップライン 6 5， 6 6 により付加されるインダクタンス成分は、それぞれ、 0 . 8 n Hであり、マイクロストリップライン 6 7， 6 8により付加されるインダクタンス成分は、それぞれ、 0 . 3 n H程度である。

なお、外部のアースラインに接続される外部電極 6 2 , 6 3に接続されるマイクロストリップライン 6 7 , 6 8は、外部のアースラインに対して並列に接続されるため、実際には、 0 . I n H程度の共通ィンダクタンス成分が揷入されることになる。

図 9から明らかなように、本実施例では、パッケージ 2内に上記マィクロストリップライン 6 5〜 6 8によりィンダクタンス成分が付加されているので、通過帯域近傍の減衰量が高められる。また、 4 d B の減衰量の通過帯域幅は、従来例では 7 8 M H zに対し、本実施例では、 8 0 M H zであり、広帯域化も同時に図られている。

また、本実施例においても、ィンダクタンスを付加するためのマイクロストリップラインが、ベース基板 4と環状の側壁 5との間に存在しているので、弾性表面波フィルタ素子との電磁界的な結合が少なく . 従って良好なフィルタ特性を得ることができる。また、第 1の実施例と同様に本実施例においても、ダイァタツチ部にマイクロストリップラインが存在しないので、バンプの位置や個数の制限がない。従って. 弾性表面波フィルタ素子 3をベース基板 4に強固に接合することができる。

(第 3の実施例）

図 1 0は、第 3の実施例に係る弾性表面波装置の回路構成を示す図である。第 3の実施例においても、弾性表面波フィルタ素子 3は、第 1の実施例と同様に構成されてお.り、 2個の直列腕共振子 8， 9と、 3個の並列腕共振子 1 0〜 1 2とが梯子型回路構成を実現するように接続されている。

本実施例においても、パッケージ 2の側壁及ぴキヤップ材は第 1の実施例と同様に構成されている。異なるところは、図 1 1に示すように、ベース基板 7 4上に設けられた電極構造にある。従って、ベース基板 7 4上の電極構造以外の構成については、第 1の実施例の説明を授用することにより省略する。

ベース基板 7 4の上面 7 4 a上には、複数の電極パッド 7 5 , 7 6 , 7 7 , 7 8が形成されており、該複数の電極パッド 7 5〜 7 8によりダイアタッチ部が構成されている。電極パッド 7 5〜 7 8の内部に円で示されている部分は、それぞれ、弾性表面波フィルタ素子 3をフヱイスダウン工法で接合する際のバンプの位置を示す。

ベース基板 7 4のコーナー部分には、第 1 の実施例と同様にして、外部電極 8 1〜 8 4が形成されている。外部電極が 8 1， 8 4は、信号ラインに接続される外部電極であり、電極パッド 7 6， 7 5に対してマイクロストリップライン 8 6 , ' 8 5を介して接続されている。また、電極パッド 7 7 , 7 8は、アースラインに接続される外部電極 8 2， 8 3にマイクロストリップライン 8 7， 8 8を介して接続されている。また、電極パッド 7 5は、バンプ 7 5 aにより図 2に示した電極ランド 1 3に接続され、電極パッド 7 6はバンプ 7 6 aにより図 2に示した電極ランド 1 7に接続される。電極パッド 7 7は、バンプ 7 7 a , 7 7 bにより電極ランド 1 4 (図 2 ) に接続され、電極パッド 7 8は、ノンプ 7 8 a , 7 8 bにより電極ランド 1 5， 1 6 (図 2参照 ) に接続されている。なお、少なくとも 2個の並列腕共振子のアース端子が 1つの電極ランドに接続されていてもよい。すなわち、アース電位に接続される電極ランド、例えば電極ランド 1 5， 1 6が共通とされていてもよい。

従って、図 1 0に示すように、第 1 の並列腕共振子 1 0と第 2，第 3の並列腕共振子 1 1， 1 2とがダイァタツチ部において分離されている。そして、第 1の並列腕共振子 1 0と外部のアースラインに接続される外部電極 8 2との間にマイクロストリップライン 8 7によるィンダクタンス L 7が、第 2 , 第 3の並列腕共振子 1 1， 1 2とアースラインに接続される外部電極 8 3との間にマイクロストリップライン 8 8によるインダクタンス L 8が構成されている。

第 3の実施例の弾性表面波フィルタの減衰量周波数特性を図 1 2に実線で示す。また、比較のために、第 1の実施例で比較のために用意した従来例の弾性表面波装置の減衰量周波数特性を図 1 2に破線で示す。

なお、この場合、マイクロストリップライン 8 5 , 8 6によるインダクタンス分は、それぞれ、 0 . 8 n Hとし、マイクロストリップライン 8 7， 8 8によるインダクタンス分は、 0 . 3 n Hとした。その他の構成については、第 1の実施例と同様である。

図 1 2から明らかなように、本実施例においても、パッケージ 2内に、マイクロストリップライン 8 5〜 8 8によるインダクタンス分が構成されており、従って、通過帯域近傍の減衰量を従来例に比べて大幅に拡大し得ることがわかる。また、減衰量 4 d Bの通過帯域幅は、従来例では 7 8 M H zであるのに対し、本実施例では 8 5 M H zであり、広帯域化も同時に図られていることがわかる。

さらに、第 2の実施例の周波数特性（図 9 ) と比較すると、本実施例では、通過帯域近傍の減衰極 f rの周波数が高められており、従つて、通過帯域のより近い周波数域における減衰量の拡大が求められる場合、'第 3の実施例の弾性表面波装置は、第 2の実施例の弾性表面波装置に比べて有効である。

(第 4の実施例）

図 1 3は、本発明の第 4の実施例に係る弾性表面波装置の回路構成を示す図である。本実施例においても、第 1の実施例と同じ弾性表面波フィルタ素子 3が用いられており、第 1，第 2の直列腕共振子 8 , 9と、第 1〜第 3の並列腕共振子 1 0〜 1 2とが梯子型回路構成を有するように接続されている。

図 1 4に断面図で示すようにパッケージ 2は、第 1のケース材としてのベース基板 9 4を有する。また、側壁 9 5及びキヤップ 9 6からなる第 2のケース材が、第 1 の実施例と同様に構成されている。

本実施例では、ベース基板 9 4が基板 9 4 b , 9 4 c , 9 4 dを含む積層セラミック基板により構成されており、ベース基板 9 4内に、インダクタンスを付加するための後述のマイクロストリップラインが形成されている。

図 1 5は、ベース基板 9 4の上面であり、基板 9 4 bの上面である平面図であり、図 1 6は、マイクロストリップラインが形成されている基板 9 4 cの上面を示す平面図である。

図 1 5に示すように、ベース基板 9 4の上面には、図 8に示した第 2の実施例のベース基板と同様に、電極パッド 5 5〜 5 7が形成されている。しかし、本実施例では、ベース基板 9 4の上面には、外部電極およびマイクロストリップラインは形成されず、これらはベース基板 9 4の内部に設けられている。電極パッド 5 5〜 5 7には、基板 9 4 bを貫通し裏面へ達するスルーホール電極 9 ⁵ a〜 9 5 dが开成されている。スルーホール電極 9 5 a〜 9 5 dの下端は、図 1 6に示すように、基板 9 4 cの上面に設けられたマイクロストリップライン 9 7 a〜 9 7 dの一端に接続されている。マイクロストリップライン 9 7 a〜 9 7 dの他端は、基板 9 4 c上面において、外部電極 9 8 a〜 9 8 dに接続されている。外部電極 9 8 a〜 9 8 dは、コー ~ "一部分から基板 9 4 cおよび 9 4 dの側面を介してベース基板 9 4の裏面に至るように形成されている（図 1 4参照）。また、図 1 6において、破線で示されるように、マイクロストリップライン 9 7 a〜 9 7 dのためのグランド電極 5 0が基板 9 4 cの裏面のほぼ全体を覆うように形成されている。

本実施例では、第 1のケース材としてのベース基板 9 4内にマイクロストリップライン 9 7 a〜 9 7 dが埋設されており、該マイクロストリップライン 9 7 a〜 9 7 dにより、図 1 3に示すように、第 1〜第 3の並列腕共振子を共通接続した部分と外部のアースラインに接続される外部電極との間のインダクタンス L 9 , L 1 0と、直列腕共振子 8 , 9と外部の信号ラインに接続される外部電極との間のインダクタンス分 L 1， L 2とを構成している。

このように、本発明におけるィンダクタンスを付加するためのマイクロストリップラインは、パッケージ内であれば、.任意の位置に構成することができる。

図 1 7の実線は、第 4の実施例に係る弾性表面波装置の減衰量周波数特性を示し、破線は第 1の実施例の比較のために用意した従来例の弾性表面波装置の減衰量周波数特性を示す。なお、第 4の実施例の弾性表面波装置を構成するに際しては、. 直列腕共振子に付加されるマイクロストリップラインによるインダクタンス分は 1 · 0 n Hとし、並列腕共振子とアースラインに接続されるィンダクタンス分 L 7 , L 8 は、それぞれ、 1. O nHとした。

図 1 7から明らかなように、本実施例においても、パッケージ 2内にィンダクタンス分を付加するためのマイクロストリップラインを形成することにより、通過帯域近傍の減衰量が高められる。特に、低周波側における減衰量の改善が著しい。これは、並列に接続されたインダクタンス L 8 , L 9が大きいため、減衰極 f r の周波数が低くなつたためである。

第 4の実施例では、マイクロストリップラインがベース基板内に埋設されているので、すなわち内部電極の形態で構成されているので、マイクロストリップラインの長さを長くすることができ、より大きなインダクタンスを得ることができる。また、さらに大きなィンダクタンスを得るには、複数の層に渡りマイクロストリップラインを形成し- スルーホーノレ電極やビアホール電極により複数のマイクロストリップラインを相互に電気的に接続することにより、マイクロストリップラインの長さを大きくすればよい。

上述したように、本発明に係る弾性表面波フィルタ装置では、梯子型回路を構成している直列腕共振子及び並列腕共振子の少なくとも一方にマイクロストリップラインによるインダクタンス成分が接続されており、かつ該マイクロストリップラインがパッケージ内に設けられているので、通過帯域近傍の減衰量が拡大され、かつ広帯域のフィルタ特性を得ることができる。

また、マイクロストリップラインを形成する基板の誘電率、マイクロストリップラインの線幅及びマイクロストリップラインとグランドとの間隔などを変化させることにより、マイクロストリップラインの単位長あたりのィンダクタンス成分を設計することができる。従って、弾性表面波フィルタの特性を改善するために必要なィンダクタンス成分を、マイクロストリップラインのィンダクタンス成分で設計して弾性表面波フィルタに挿入することができる。さらに、マイクロストリップラインは外界の影響に強いため、マイクロストリップラインのィンダクタンス成分が、弾性表面波フィルタ素子をフェースダウン工法によってベース基板に取り付けられても変化することがほとんどないので、所望のィンダクタンス成分を設計どおり弾性表面波フィルタに揷入することができる。また、パッケージが、弾性表面波フィルタ素子のいずれかの信号端子及びアース端子にバンプにより接続される複数の電極パッドを有するダイァタツチ部と、いずれかの電極パッドと電気的に接続されてお' りかつ弾性表面波フィルタ装置外の信号ラインまたはアースラインに接続される複数の外部電極とを備える場合には、上記複数の電極パッドに、弾性表面波フィルタ素子を複数のバンプによりフェイスダウン工法で接続及び機械的接合が果たされる。従って、本発明に従って、通過帯域外の減衰量が大きく、広帯域のフィルタ装置を容易に構成することができる。

マイクロストリップライ.ンが、直列腕共振子の信号端子に接続されている電極パッドと、弾性表面波フィルタ装置外の信号ラインに接続される外部電極との間に接続されている場合には、直列腕共振子と信号ラインとの間に接続されているので、反射損を低減し広帯域化を図ることができる。

また、上記マイクロストリップラインが、少なくとも 1つの並列腕共振子のアース端子にバンプにより接続されている電極パッドと、パッケージ外のアースラインに接続される外部電極との間に設けられている場合には、通過帯域近傍の減衰量の拡大及び広帯域のフィルタ特性を得ることができる。，

少なくとも 2個の並列腕共振子を有し、全ての並列腕共振子のァース端子が圧電性基板上で共通接続されており、並列腕共振子のアース端子が共通接続されている部分と,パッケージに設けられた外部電極との間に上記マイクロストリップラインが接続されている場合には、より低い周波数域において減衰量を拡大することができる。

同様に、全ての並列腕共振子のアース端子に接続されるパッケージ側の電極パッドが共通とされており、共通とされている電極パッドと、外部電極との間の経路にマイクロストリップラインが設けられている場合においても、より低い周波数域で減衰量を拡大することができるさらに、パッケージ側で共通とすることでチップの配線が容易となる少なくとも 3個以上の並列腕共振子を備え、少なくとも¹ 2個の並列腕共振子のアース端子が接続される電極ランドと、該電極ランドが接続される外部電極との間の経路にマイクロストリップラインが設けられており、少なくとも 2個の並列腕共振子以外の並列腕共振子が、上記少なくとも 2個の並列腕共振子と圧電性基板上において電気的に分離されている場合には、より一層広帯域かつ通過帯域近傍の減衰量が拡大されたフィルタ特性を得ることができる。

少なくとも 3個の並列腕共振子を備え、該並列腕^振子のうち少なくとも 2個の並列腕共振子のアース端子に接続される共通電極パッドを有し、上記マイクロストリップラインが共通電極パッドと、共通電極パッドが接続される外部電極との間の経路に設けられており、それ以外の並列腕共振子が、複数の電極パッドを含むダイアタッチ部において、上記少なくとも 2個の並列腕共振子と電気的に分離されている場合には、より一層通過帯域近傍における減衰量が拡大され、かつ広帯域のフィルタ特性を得ることができる。

マイクロストリップラインがパッケージ内において、ダイァタツチ部以外に配置されている場合には、表面波フィルタ素子との電磁界的な干渉を防ぎ、フィルタ特性の劣化を招くことがない。

パッケージが、ベース基板と、ベース基板上に設けられた環状の側壁と、該環状の側壁の上端を閉成するように取り付けられたキャップ材とを備え、マイクロストリップラインの主要部が、側壁とベース基板との間に配置されている場合には、余分なスペースが要らないために、パッケージのサイズを変えることなくフィルタ特性を改善することができる。

パッケージが、弾性表面波フィルタ素子が搭載される第 1 のケース材と、第 1 のケース材に搭載されている弓性表面波フィルタ素子を囲繞する第 2のケース材とを備え、第 1 のケース材の内部にマイクロストリップラインの主要部が設けられている場合には、大きなィンダクタンス成分を入れることが可能となり、フィルタ特性の大幅な改善を行うことができる。

弾性表面波フィルタ素子の入出力端の信号端子と少なくとも 1つの 'アース端子とが、複数の外部電極のうち入出力端に信号ラインに接続される外部電極と少なくとも 1つのアース電位に接続される外部電極に対し、弾性表面波フィルタ素子の圧電性基板の中心を通り、該圧電性基板に直交する仮想線の周りに 9 0度回転させたように配置されている場合には、側壁とベース基板の間にマイクロストリップラインを構成する際に、無理な曲げ部を作らずとも大きなィンダクタンス成分を入れることが可能となる。産業上の利用の可能性

本発明の弾性表面波フィルタ装置は、さまざまな通信機器や信号処理装置に応用が可能であり、特に、携帯電話などの小型の通信機器に応用される。

Claims

請求の範囲

1 . 圧電性基板、及び前記圧電性基板上に形成された複数の一端子対弾性表面波素子を有し、前記一端子対弾性表面波素子が梯子型回路の並列腕共振子及び直列腕共振子を構成するように接続されている弾性表面波フィルタ素子と、

前記弾性表面波フィルタ素子を収納しているパッケージとを備え、前記弾性表面波フィルタ素子が複数のバンプにより接続されるフニイスダウン工法で前記パッケージに収納されており、

前記パッケージ内に設けられており、前記直列腕共振子及び並列腕共振子の少なくとも一方に接続されているマイクロストリップラインのインダクタンス成分をさらに備えることを特徴とする、弾性表面波フィルタ装置。

2 . 前記パッケージが、弾性表面波フィルタ素子のいずれかの信号端子及びアース端子に前記バンプにより接続される複数の電極パッドを有するダイアタッチ部と、いずれかの前記電極パッドと電気的に接続されており、かつ弾性表面波フィルタ装置外の信号ラインまたはァースラインに接続される複数の外部電極とを備える、請求項 1に記載の弾性表面波フィルタ装置。

3 . 前記マイクロストリップラインが、前記直列腕共振子の信号端子に接続されている前記電極パッドと、前記弾性表面波フィルタ装置外の信号ラインに接続される前記外部電極との間に接続されている、請求項 2に記載の弾性表面波装置。

4 . 前記マイクロストリップラインが、少なくとも 1つの前記並列腕共振子のアース端子に前記バンプにより接続されている前記電極パッドと、パッケージ外のアースラインに接続される前記外部電極との間に設けられている請求項 2または 3に記載の弾性表面波フィルタ

5 . 少なくとも 2個の前記並列腕共振子を備え、

全ての前記並列腕共振子のアース端子が前記圧電性基板上で共通接続されており、前記並列腕共振子のアース端子が共通接続されている部分と、前記パッケージに設けられた外部電極との間に、前記マイクロストリップラインが接続されている、請求項 2に記載の弾性表面波フィルタ装置。

6 . 少なくとも 2個の前記並列腕共振子を備え、

全ての前記並列腕共振子のアース端子に接続されるパッケージ側の前記電極パッドが共通とされており、

前記共通とされている電極パッドと、前記外部電極との間の経路に前記マイクロストリップラインが設けられている請求項 2に記載の弾性表面波フィルタ装置。

7 . 少なくとも 3個以上の前記並列腕共振子を備え、

前記圧電性基板上に形成されており、少なくとも 2個の並列腕共振子のアース端子が接続される電極ランドをさらに備え、

少なくとも 2個の並列腕共振子のアース端子に接続されている前記電極ランドと、該電極ランドが接続される前記外部電極との間の経路に前記マイクロストリップラインが設けられており、

前記少なくとも 2個の並列腕共振子以外の並列腕共振子が、圧電性基板上において、前記少なくとも 2個の並列腕共振子と電気的に分離されており、前記少なくとも 2個の並列腕共振子に接続されているパッケージ側の外部電極以外の外部電極に電気的に接続されている、請求項 2に記載の弾性表面波フィルタ装置。

8 . 少なくとも 3個の前記並列腕共振子を備え、前記複数の電極パッドが、前記並列腕共振子のうち少なくとも 2個の並列腕共振子のアース端子に接続される共通電極パッドを有し、前記マイクロストリップラインが共通電極パッドと、該共通電極パッドが接続される前記外部電極との間の経路に設けられており、

前記少なくとも 2個の並列腕共振子以外の並列腕共振子が、.前記複数の電極パッドを含むダイァタツチ部において、前記少なくとも 2個の並列腕共振子と電気的に分離されており、前記少なくとも 2個の並列腕共振子に接続されているパッケージ側の外部電極以外の外部電極に電気的に接続されている、請求項 2に記載の弾性表面波フィルタ装

9 . 前記マイクロストリップラインが、パッケージ内において、前記ダイァタツチ部以外に配置されている、請求項 1〜 8のいずれかに記載の弾性表面波フィルタ装置。

1 0 . 前記パッケージが、前記弾性表面波フィルタ素子が搭載されるベース基板と、該ベース基板上に設けられた環状の側壁と、該環状の側壁の上端を閉成するように取り付けられたキャップ材とを備え、前記マイクロストリップラインの主要部が、前記側壁と前記ベース基板との間に配置されている、請求項 1〜 9のいずれかに記載の弾性表面波フィルタ装置。

1 1 . 前記パッケージが、前記弾性表面波フィルタ素子が搭載される第 1 のケース材と、第 1のケース材に搭載されている弾性表面波フィルタ素子を囲繞する第 2のケース材とを備え、

前記第 1のケース材の内部に前記マイクロストリップラインの主要部が設けられている、請求項 1〜 9のいずれかに記載の弾性表面波フィルタ装置。

1 2 . 前記弾性表面波フィルタ素子の入出力端の信号端子と少なくとも 1つのアース端子とが、前記複数の外部電極のうち入出力端の信号ラインに接続される外部電極と少なくとも 1つのアース電位に接続される外部電極に対し、前記弾性表面波フィルタ素子の圧電性基板の中心を通り、圧電性基板に直交する仮想線の周りに 9 0度回転させたように配置されている、請求項 1〜 1 1のいずれかに記載の弾性表面波フィルタ装置。

1 3 . 請求項 1〜 1 2のいずれかに記載の弾性表面波フィルタ装置を有する通信機。