WO2002025787A1 - Halbleiter-laser - Google Patents

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Günther TRÄNKLE
Hans Wenzel
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Ams Osram International GmbH
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
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    • H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure

Definitions

  • the invention relates to a semiconductor laser with reduced vertical beam divergence.
  • Semiconductor lasers with high optical output power are used for numerous applications. Such applications can be found, for example, in optical communications technology, cancer treatment in medicine, optical pumping of solid-state lasers and in direct material processing. Semiconductor lasers are particularly suitable for this application because of their small size, their high degree of efficiency, the possibility of electrical control and the possibility of inexpensive production in large quantities.
  • semiconductor lasers with an emission wavelength of 808 nm are used to pump Nd: YAG solid-state lasers.
  • Semiconductor lasers are generally semiconductor components in which at least one active layer and two inner and two outer boundary layers are deposited on a substrate, the active layer being arranged between the two inner boundary layers.
  • the layers are usually deposited using liquid phase epitaxy (LBE), organometallic gas phase epitaxy (MOCVD) or molecular beam epitaxy (MBE).
  • the boundary layers are of opposite conductivity type, so that when a suitable electrical voltage is applied, holes from the p-type boundary layers and electrons from the n-type boundary layers are injected into the active layer and recombine there.
  • the end faces or crystal facets of the semiconductor laser form a resonator. Above a certain electrical current, the so-called threshold current, there is stimulated emission and it becomes almost monochromatic bundled light beam that emerges from a semi-transparent crystal facet.
  • the outer confinement layers usually have a lower refractive index than the inner confinement layers and the active layer, so that an optical waveguide is formed, the inner confinement layers together with the active layer forming the waveguide core.
  • the waveguide is usually constructed in such a way that only the so-called basic mode and no higher modes are guided in the waveguide core.
  • basic mode is understood to mean the mode whose only intensity maximum is in the active layer. Higher modes are distinguished by the fact that they have several intensity maxima.
  • the optical output power of semiconductor lasers is limited by the thermally induced degradation of the crystal facets serving as a resonator mirror.
  • the thermal load on the crystal facets of the semiconductor laser must accordingly be kept as low as possible. There is therefore an interest in keeping the beam cross section at the crystal facets as large as possible.
  • the antiresonant reflecting waveguide has a waveguide core which is laterally delimited by reflection regions, with waveguide outer regions adjoining the reflection regions. Seen in cross section, the waveguide core, the reflection regions and the waveguide outer regions lie side by side in one layer.
  • the waveguide core and the waveguide outer areas each have lower refractive indices than the reflection areas.
  • the width of the reflection areas corresponds to an odd multiple of a quarter of the wavelength of light projected onto the cross section.
  • the width of the waveguide outer regions corresponds to an odd multiple of half the width of the waveguide core.
  • the basic mode only has high amplitudes in the waveguide core, while higher-order modes also have high amplitudes in the outer waveguide regions. This effectively attenuates the higher order modes.
  • semiconductor lasers with a waveguide core with a width between 4 and 8 ⁇ can be produced.
  • the divergence of the laser beam generated with the known semiconductor laser is in the range from 4 ° to 8 ° in the lateral direction.
  • a disadvantage of the known semiconductor laser is the still very high divergence in the vertical direction from 30 ° to 40 °.
  • the vertical direction is understood to mean the growth direction of the epitaxially applied layers. Due to the high half-width of 30 ° to 40 °, even very complex optical devices can only use 80% to 90% of the light emitted by the semiconductor laser.
  • the object of the invention is to specify a simple-to-produce single-mode semiconductor laser with low vertical beam divergence.
  • the outer waveguide regions, the reflection regions and the waveguide core are formed by a layer sequence applied to a substrate with an active layer embedded in the waveguide core.
  • the layer sequence in the semiconductor laser according to the invention is selected such that an antiresonant reflecting waveguide is formed in the vertical direction.
  • the waveguide core, the reflection regions and the outer waveguide regions are each formed by layers.
  • the waveguide core can have a thickness of more than 2 ⁇ m.
  • the vertical beam divergence can be significantly reduced.
  • a thickness of 3 ⁇ m has a vertical beam divergence of approximately 18 ° full half-value width in the wavelength range around 800 nm.
  • the large thickness of the waveguide core distributes the optical power over a larger cross section, so that the thermal load on the crystal facets decreases and a higher optical output power can be achieved.
  • the differences in refractive index between the individual layers are so high that large manufacturing tolerances are possible. Furthermore, the fact that the waveguide core has a low refractive index, that is to say generally consists of a semiconductor material with a larger energy gap, provides better inclusion of the charge carriers and reduces absorption by heating at the crystal facets.
  • the active layer preferably comprises two so-called spacer layers, between which an active quantum well is arranged.
  • the spacer layers improve the interfaces of the quantum well and thus the laser properties.
  • the reflection layers of the arrangements according to the invention are particularly preferably highly doped (for example 2 ⁇ 10 18 cm "3 ). This measure in itself is based on an inventive step, which alone leads to improved performance data independently of the other structural measures.
  • the heterojunctions of the structures according to the invention can be graded (graded hetero junctions).
  • Figure 1 is a schematic representation of a cross section through a layer sequence of a semiconductor laser according to the invention
  • Figure 2 is a schematic representation of a diagram showing the course of the refractive index through the layer sequence
  • FIG. 3 shows a schematic representation of a diagram with the course of the optical intensity of the basic mode, the course of the refractive index being underlaid;
  • FIG. 4 shows a schematic illustration of a diagram with the course of the far field intensity of the laser beam emitted by the semiconductor laser
  • Figure 5 is a schematic representation of a diagram with the course of the optical intensity of a higher order mode, the course of the refractive index is highlighted;
  • Figure 6 is a schematic representation of a cross section through a further layer sequence of a semiconductor laser according to the invention.
  • the same or equivalent components are each provided with the same reference numerals.
  • FIG. 1 shows a cross section through a semiconductor laser which has a substrate 1 with a refractive index ni made of single-crystal semiconductor material.
  • a first outer waveguide layer 2 with a refractive index n 2 and a thickness d 2 is located on the substrate 1.
  • the outer waveguide layer 2 is followed by a first reflection layer 3 with a refractive index n 3 and the thickness d 3 .
  • a second reflection layer 7 with the refractive index n and the thickness d 7 a second outer waveguide layer 8 with the refractive index n 8 and the thickness d 8 and a contact layer 9 with the refractive index n 9 .
  • the layers form an anti-resonant waveguide 10, in whose active waveguide core 11 is formed by the inner waveguide layers 4 and 6.
  • a possible course of a refractive index profile 12 is shown in FIG.
  • the transition from two refractive index levels need not be sudden, but can have a ramp-shaped, continuous course. It is essential for the function of the antiresonant reflecting waveguide 11 that the refractive indices n 3 and n 7 of the reflection layers 3 and 7 are greater than the refractive indices n 2 and n 8 of the outer waveguide layers 2 and 8 and the refractive indices n 4 and n s of the inner waveguide layers 4 and 6 are.
  • the refractive indices of the outer boundary layers 2 and 8, the reflection layers 3 and 7 and the inner waveguide layers 4 and 6 can each be the same. The same can be done for each Layer thicknesses apply so that an almost symmetrical layer sequence with respect to the active layer 5 is produced.
  • Refractive indices n s and n 8 of the second inner and outer waveguide layers 6 and 8 are almost the same.
  • the thickness of the reflection layers 3 and 7 is chosen so that it makes up an odd multiple of a quarter of the wavelength of the basic mode projected onto the vertical direction. If one considers the reflection layers as Fabry-Perot cavities, this corresponds to an anti-resonance of the cavity.
  • the thicknesses d 3 and d 7 of the middle boundary layers 3 and 7 must be chosen so that the radiation losses of the basic mode are minimal, and in addition the maximum of the optical intensity of the basic mode should run along the active layer 5.
  • the thicknesses d 2 and d 8 of the outer waveguide layers 2 and 8 are expediently chosen so that the radiation losses of the basic mode do not exceed a certain value.
  • the thicknesses d2 and d8 of the outer waveguide layers 2 and 8 are preferably an odd multiple of half the thickness of the waveguide core 11.
  • the choice of the layer thickness of the reflection layers 3 and 7 has the consequence that the basic mode is reflected anti-resonantly on the reflection layers.
  • the modes of higher order are reflected resonantly, so that they suffer significantly greater radiation losses and consequently do not reach the laser threshold.
  • the radiation losses of the basic mode can be reduced to ⁇ 1 / cm, while the radiation losses of higher order are more than 100 / cm. This means that these modes cannot reach the laser threshold.
  • a concrete exemplary embodiment of the semiconductor laser will now be presented with reference to FIG. The following information for the refractive indices relates to a wavelength of 808 nm.
  • FIG. 3 shows the calculated course of the optical intensity of the basic mode 13, the course of the refractive index profile 12 being highlighted.
  • the refractive index profile 12 shown in FIG. 2 acts as an antiresonant reflecting optical waveguide for the basic mode 13, the thickness of 0.5 ⁇ m of the reflection layers 3 and 7 corresponding to approximately three quarters of the wavelength of the laser light projected in the waveguide core 11.
  • the radiation loss of the basic mode 13 is approximately 1 / cm.
  • the calculated course of the far field intensity 14 of the basic mode 13 is shown in FIG.
  • the diagram in FIG. 4 therefore shows the intensity distribution of the laser beam as a function of the vertical angle.
  • the full half-width of the laser beam is 18.6 °. This means that the vertical beam divergence is only about half the vertical beam divergence of conventional semiconductor lasers.
  • FIG. 5 shows the calculated course of the optical intensity of a mode 5 of higher order, the course of the Refractive index profile 12 of the representation is highlighted.
  • the higher order mode 15 is not reflected in an antiresonant manner on the reflection layers 3 and 7. Due to the expansion of the higher order mode 15 into the substrate 1 and the contact layer 9, the higher order mode 15 is associated with higher losses than the basic mode 13. The radiation losses of this mode 15 of higher order are 600 / cm.
  • the active layer 5 comprises two so-called spacer layers 51 and 52, between which an active quantum well 50 is arranged.
  • An example of a layer sequence of such an embodiment is shown in the following table:
  • bragg reflector can be used.
  • the low beam divergence in the vertical direction and the large beam cross-section at the location of the crystal facets are always advantageous.

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Abstract

Ein Halbleiter-Laser weist einen antiresonanten Wellenleiter (10) auf, der von einer auf einem Substrat (1) aufgebrachten Schichtfolge gebildet ist. Die Schichtfolge weist äussere Wellenleiterbereiche (2, 8), Reflexionsschichten (3, 7) und einen Wellenleiterkern (11) mit einer aktiven Schicht (5) auf. Mit dieser Struktur lassen sich Halbleiter-Laser mit einer geringen vertikalen Strahldivergenz und grossem Strahlquerschnitt herstellen.

Description

Beschreibung
Halbleiter-Laser
Die Erfindung betrifft einen Halbleiter-Laser mit reduzierter vertikaler Strahldivergenz.
Halbleiter-Laser mit hoher optischer Ausgangsleistung werden für zahlreiche Anwendungen gebraucht. Derartige Anwendungen sind beispielsweise in der optischen Nachrichtentechnik, bei der Krebsbehandlung in der Medizin, beim optischen Pumpen von Festkörper-Lasern und bei der unmittelbaren Materialbearbeitung zu finden. Für diese Anwendung sind Halbleiter-Laser wegen ihrer geringen Größe, ihrem großen Wirkungsgrad, der Mög- lichkeit der elektrischen Ansteuerung und der Möglichkeit der preiswerten Fertigung in großen Stückzahlen besonders geeignet .
Insbesondere dienen Halbleiter-Laser mit der Emissionswellen- länge von 808 nm zum Pumpen von Nd: YAG-Festkörperlasern.
Halbleiter-Laser sind im allgemeinen Halbleiterbauelemente, bei denen auf einem Substrat mindestens eine aktive Schicht und je zwei innere und zwei äußere Begrenzungsschichten abge- schieden werden, wobei die aktive Schicht zwischen den beiden inneren Begrenzungsschichten angeordnet ist. Die Abscheidung der Schichten erfolgt üblicherweise mit Flüssigphasen-Epitaxie (LBE) , metallorganischer Gasphasen-Epitaxie (MOCVD) oder Molekularstrahl -Epitaxie (MBE) . Die Begrenzungsschichten sind von gegensätzlichem Leitungstyp, so daß beim Anlegen einer geeigneten elektrischen Spannung Löcher aus den p-leitenden Begrenzungsschichten und Elektronen aus den n-leitenden Begrenzungsschichten in die aktive Schicht injiziert werden und dort rekombinieren. Die Stirnflächen oder Kristallfacetten des Halbleiter-Lasers bilden einen Resonator. Oberhalb eines bestimmten elektrischen Stroms, des sogenannten Schwellenstroms, findet stimulierte Emission statt, und es wird ein nahezu monochromatischer gebündelter Lichtstrahl erzeugt, welcher aus einer halbdurchläßig gehaltenen Kristallfacette austritt.
Die äußeren Begrenzungsschichten haben üblicherweise eine geringere Brechzahl als die inneren Begrenzungsschichten und die aktive Schicht, so daß ein optischer Wellenleiter gebildet wird, wobei die inneren Begrenzungsschichten zusammen mit der aktiven Schicht den Wellenleiterkern bilden. Durch die Führung des Lichts im Wellenleiterkern soll eine möglichst große Überlappung des Lichtfeldes mit der aktiven Schicht erreicht werden. Üblicherweise wird der Wellenleiter so konstruiert, daß nur die sogenannte Grundmode und keine höheren Moden im Wellenleiterkern geführt werden. In diesem Zusammen- hang wird unter Grundmode die Mode verstanden, deren einziges Intensitätsmaximum sich in der aktiven Schicht befindet. Höhere Moden sind dadurch ausgezeichnet, daß sie mehrere Inten- sitätsmaxima besitzen.
Unter anderem wird die optische Ausgangsleistung von Halbleiter-Lasern durch die thermisch bedingte Degradation der als Resonatorspiegel dienenden Kristallfacetten beschränkt. Um eine möglichst hohe optische Ausgangsleistung zu erzielen, muß dementsprechend die thermische Belastung der Kristallfa- cetten des Halbleiter-Lasers möglichst klein gehalten werden. Es besteht daher ein Interesse, den Strahlquerschnitt an den Kristallfacetten möglichst groß zu halten.
Aus der US 5,272,711 A ist bekannt, oberhalb der aktiven Schicht einen antiresonant reflektierenden Wellenleiter vorzusehen. Der antiresonant reflektierende Wellenleiter weist einen von Reflexionsbereichen seitlich begrenzten Wellenleiterkern, wobei sich an die Reflexionsbereiche Wellenleiteraußenbereiche anschließen. Im Querschnitt gesehen liegen der Wellenleiterkern, die Reflexionsbereiche und die Wellenleiteraußenbereiche in einer Schicht nebeneinander. Der Wellenleiterkern und die Wellenleiteraußenbereiche weisen jeweils geringere Brechungsindizes als die Reflexionsbereiche auf. Die Breite der Reflexionsbereiche entspricht einem ungeradzahligen Vielfachen eines Viertels der auf den Querschnitt projizierten Wellenlänge des Lichts. Die Breite der Wellen- leiteraußenbereiche entspricht einem ungeradzahligen Vielfachen der halben Breite des Wellenleiterkerns. Im antiresonant reflektierenden Wellenleiter weist die Grundmode lediglich im Wellenleiterkern hohe Amplituden auf, während Moden höherer Ordnung auch in den Wellenleiteraußenbereichen hohe Amplitu- den aufweisen. Dadurch werden die Moden höherer Ordnung wirksam gedämpft. Mit einer derartigen Anordnung lassen sich Halbleiterlaser mit einem Wellenleiterkern mit einer Breite zwischen 4 bis 8 μ erzeugen. Die Divergenz des mit dem bekannten Halbleiter-Laser erzeugten Laserstrahls liegt im Be- reich von 4° bis 8° in seitlicher Richtung.
Prinzipiell ähnliche Anordnungen sind in C. Zmudzinski et al . , IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Vol. 1, No. 2, June 1995, 129 - 137, und in T. L. Koch et al., Applied Physics Letters 50 (6) 9 February 1987, 307 - 309, beschrieben.
Ein Nachteil des bekannten Halbleiter-Lasers ist die nach wie vor sehr hohe Divergenz in vertikaler Richtung von 30° bis 40°. Unter vertikaler Richtung wird dabei die Aufwachsrichtung der epitaktisch aufgebrachten Schichten verstanden. Durch die hohe Halbwertsbreite von 30° bis 40° können auch sehr aufwendige optische Vorrichtungen nur 80 % bis 90 % des vom Halbleiter-Laser emittierten Lichts nutzen.
Aus dem Artikel von D. Botez "Design considerations and ana- lytical approximations for high continuous-wave power, broad- waveguide diode laser", Applied Physics Letters, Band 74, Seite 3102 - 3104, 1999, ist bekannt, daß die Strahldivergenz durch eine Verbreiterung des Wellenleiterkerns und durch die Verringerung der Differenz der Brechzahlen zwischen dem Wellenleiterkern und den angrenzenden Reflexionsschichten ver- ringert werden kann. Die AufWeitung des Wellenleiterkerns hat jedoch zur Folge, daß durch den Wellenleiterkern nicht nur die Grundmoden, sondern zusätzlich auch höhere Moden geführt werden und unter Umständen die Laserschwelle erreichen kön- nen. Damit verbunden ist eine drastische Verschlechterung der Qualität des Laserstrahls. Die Dicke des Wellenleiterkerns ist daher in der Praxis auf Werte <2 μm beschränkt. Dies entspricht einer Strahldivergenz in vertikale Richtung von mehr als 30° Halbwertsbreite. Auch die Verringerung der Brechzahl- differenz zwischen dem Wellenleiterkern und den Reflexionsschichten ist in der Praxis nur schwer durchführbar. Um auf eine Strahldivergenz mit einer Halbwertsbreite <20° zu kommen, ist ein sehr hoher technologischer Aufwand für die Einstellung der sehr kleinen Brechzahldifferenz notwendig.
Weitere Ansätze zur Reduzierung der Strahldivergenz eines Halbleiterlasers sind in US 5,289,484, in US 5,815,521 sowie in Heonsu Jeon et al . , IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Vol. 3, No. 6, Dec . 1997, 1344 - 1350, beschrieben.
Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, einen einfach herstellbaren einmodigen Halbleiter-Laser mit geringer vertikaler Strahldivergenz an- zugeben.
Diese Aufgabe wird durch ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen und Weiterbildungen des Bauelements sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche 2 bis 25.
Erfindungsgemäß ist vorgesehen, daß die Wellenleiteraußenbereiche, die Reflexionsbereiche und der Wellenleiterkern von einer auf ein Substrat aufgebrachten Schichtfolge mit in den Wellenleiterkern eingebetteter aktiver Schicht gebildet sind. Zur weiteren Erhöhung der optischen Ausgangsleistung und zur Verbesserung der Strahlqualität wird bei dem Halbleiter-Laser gemäß der Erfindung die Schichtfolge so gewählt, daß ein antiresonant reflektierender Wellenleiter in vertikaler Rich- tung gebildet wird. Der Wellenleiterkern, die Reflexionsbereiche und die äußeren Wellenleiterbereiche werden erfindungsgemäß jeweils von Schichten gebildet. Dadurch kann der Wellenleiterkern eine Dicke von mehr als 2 μm aufweisen. Dadurch kann die vertikale Strahldivergenz wesentlich verrin- gert werden. Insbesondere ein Wellenleiterkern mit einer
Dicke von 3 μm weist im Wellenlängenbereich um 800 nm eine vertikale Strahldivergenz von etwa 18° volle Halbwertsbreite auf .
Außerdem wird durch die große Dicke des Wellenleiterkerns die optische Leistung über einen größeren Querschnitt verteilt, so daß die thermische Belastung der Kristallfacetten sinkt und eine höhere optische Ausgangsleistung erzielt werden kann.
Bei dem Halbleiter-Laser gemäß der Erfindung sind die Brechzahldifferenzen zwischen den einzelnen Schichten so hoch, daß große Fertigungstoleranzen möglich sind. Weiterhin ist dadurch, daß der Wellenleiterkern eine geringe Brechzahl be- sitzt, also in der Regel aus einem Halbleitermaterial mit größerer Energielücke besteht, ein besserer Einschluß der Ladungsträger gegeben und die Absorption durch Erwärmung an den Kristallfacetten verringert.
Bevorzugt umfaßt die aktive Schicht zwei sogenannte Spacer- Schichten, zwischen denen ein aktiver Quantentrog angeordnet ist. Die Spacer-Schichten führen zu einer Verbesserung der Grenzflächen des Quantentrogs und damit der Lasereigenschaften.
Besonders bevorzugt sind die Reflexionsschichten der erfindungsgemäßen Anordnungen hoch dotiert (z.B. 2xl018cm"3) . Die- ser Maßnahme liegt für sich alleine schon eine erfinderische Tätigkeit zugrunde, die unabhängig von den übrigen strukturellen Maßnahmen alleine bereits zu verbesserten Leistungsdaten führt .
Zur Reduzierung des Bahnwiderstandes können die Heterogrenzen der erfindungsgemäßen Strukturen gradiert sein (graded He- terojunctions) .
Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausführungsformen ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen. Es zeigen:
Figur 1 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch eine Schichtfolge eines Halbleiter-Lasers gemäß der Erfindung;
Figur 2 eine schematische Darstellung eines Diagramms, das den Verlauf der Brechzahl durch die Schichtenfolge zeigt;
Figur 3 eine schematische Darstellung eines Diagramms mit dem Verlauf der optischen Intensität der Grundmode, wobei der Verlauf der Brechzahl unterlegt ist;
Figur 4 eine schematische Darstellung eines Diagramms mit dem Verlauf der Fernfeldintensität des vom Halbleiter-Laser emittierten Laserstrahls;
Figur 5 eine schematische Darstellung eines Diagramms mit dem Verlauf der optischen Intensität einer Mode höherer Ordnung, wobei der Verlauf der Brechzahl unterlegt ist; und
Figur 6 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch eine weitere Schichtfolge eines Halbleiter- Lasers gemäß der Erfindung. In den Beschreibungen der verschiedenen Ausführungsbeispiele sind gleiche oder gleichwirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
Figur 1 zeigt einen Querschnitt durch einen Halbleiter-Laser, der ein Substrat 1 mit einer Brechzahl ni aus einkristallinem Halbleitermaterial aufweist. Auf dem Substrat 1 befindet sich eine erste äußere Wellenleiterschicht 2 mit einer Brechzahl n2 und der Dicke d2. Der äußeren Wellenleiterschicht 2 ist eine erste Reflexionsschicht 3 mit einer Brechzahl n3 und der Dicke d3 nachgeordnet. Daran schließt sich eine innere Wellenleiterschicht 4 mit einer Brechzahl n und der Dicke d4, eine Photonen emittierende, aktive Schicht 5 mit der Brechzahl n5 und der Dicke d5 und eine zweite innere Wellenleiter- schicht 6 an. Im weiteren folgen eine zweite Reflexionsschicht 7 mit dem Brechungsindex n und der Dicke d7, eine zweite äußere Wellenleiterschicht 8 mit der Brechzahl n8 und der Dicke d8 sowie eine Kontaktschicht 9 mit der Brechzahl n9. Zusammen bilden die Schichten einen antiresonanten Wel- lenleiter 10, in dessen von den inneren Wellenleiterschichten 4 und 6 gebildeten Wellenleiterkern 11 die aktive Schicht 5 eingebettet ist .
In Figur 2 ist ein möglicher Verlauf eines Brechzahlenprofils 12 dargestellt. In der Praxis braucht der Übergang von zwei Brechzahlenniveaus durchaus nicht sprunghaft zu erfolgen, sondern kann einen rampenförmigen, kontinuierlichen Verlauf aufweisen. Wesentlich für die Funktion des antiresonant reflektierenden Wellenleiters 11 ist, daß die Brechzahlen n3 und n7 der Reflexionsschichten 3 und 7 größer als die Brechzahlen n2 und n8 der äußeren Wellenleiterschichten 2 und 8 sowie der Brechzahlen n4 und ns der inneren Wellenleiterschichten 4 und 6 sind. Dabei können die Brechzahlen der äußeren Begrenzungsschichten 2 und 8, der Reflexionsschichten 3 und 7 sowie der inneren Wellenleiterschichten 4 und 6 jeweils gleich sein. Das gleiche kann auch für die jeweiligen Schichtdicken gelten, so daß eine nahezu symmetrische Schichtfolge bezüglich der aktiven Schicht 5 entsteht.
Weiterhin können auch die Brechzahlen n2 und n4 der ersten äußeren und inneren Wellenleiterschicht 6 und 8 sowie die
Brechzahlen ns und n8 der zweiten inneren und äußeren Wellenleiterschicht 6 und 8 nahezu gleich sein.
Die Dicke der Reflexionsschichten 3 und 7 ist so gewählt, daß sie in etwa ein ungeradzahliges Vielfaches von einem Viertel der auf die vertikale Richtung projizierten Wellenlänge der Grundmode ausmacht. Faßt man die Reflexionsschichten jeweils als Fabry-Perot-Kavität auf, entspricht dies einer Antireso- nanz der Kavität . Allgemein müssen die Dicken d3 und d7 der mittleren Begrenzungsschichten 3 und 7 so gewählt werden, daß die Strahlungsverluste der Grundmode minimal werden, wobei außerdem das Maximum der optischen Intensität der Grundmode entlang der aktiven Schicht 5 verlaufen sollte.
Die Dicken d2 und d8 der äußeren Wellenleiterschichten 2 und 8 werden zweckmäßigerweise so gewählt, daß die Strahlungsverluste der Grundmode einen bestimmten Wert nicht übersteigen. Vorzugsweise betragen die Dicken d2 und d8 der äußeren Wellenleiterschichten 2 und 8 ein ungeradzahliges Vielfaches der Hälfte der Dicke des Wellenleiterkerns 11.
Die Wahl der Schichtdicke der Reflexionsschichten 3 und 7 hat zur Folge, daß die Grundmode an den Reflexionsschichten antiresonant reflektiert wird. Die Moden höherer Ordnung hingegen werden resonant reflektiert, so daß diese wesentlich größere Strahlungsverluste erleiden und folglich die Laserschwelle nicht erreichen. Bei optimaler Wahl der Dicke der Reflexions- schichten 3 und 7 lassen sich die Strahlungsverluste der Grundmode auf <l/cm reduzieren, während die Strahlungsverlu- ste höherer Ordnung mehr als 100/cm betragen. Damit können diese Moden die Laserschwelle nicht erreichen. Anhand von Figur 2 soll nun ein konkretes Ausführungsbeispiel des Halbleiter-Lasers vorgestellt werden. Die folgenden Angaben für die Brechzahlen beziehen sich dabei auf Wellenlänge von 808 nm.
Bei dem Ausführungsbeispiel besteht das Substrat 1 aus n- leitfähigem GaAs mit einer Brechzahl ni = 3,67. Die äußeren Wellenleiterschichten 2 und 8 sind aus n-leitendem Al0,5Ga0,5As der Dicke d2 = d8 = 1 μm mit einer Brechzahl n = n8 = 3,29. Die Reflexionsschichten 3 und 7 bestehen aus n-leitendem Alo,i5Ga0,85As der Dicke d3 = d7 = 0,5 μm mit einer Brechzahl n3 = n7 = 3,57. Die inneren Wellenleiterschichten 4 und 6 bestehen aus n-leitendem Al0/5Ga0,5As der Dicke d4 = d6 = 1 μm mit einer Brechzahl n = n6 = 3,29. Für die undotierte, 17 nm dicke aktive Schicht 5 wird schließlich GaAs0,5Po,2 mit einer Brechzahl n5 = 3,61 verwendet.
Figur 3 zeigt den berechneten Verlauf der optischen Intensität der Grundmode 13, wobei der Verlauf des Brechzahlenpro- fils 12 unterlegt ist. Das in Figur 2 dargestellte Brechzahlenprofil 12 wirkt als antiresonant reflektierender optischer Wellenleiter für die Grundmode 13, wobei die Dicke von 0,5 μm der Reflexionsschichten 3 und 7 ungefähr drei Viertel der in den Wellenleiterkern 11 projizierten Wellenlänge des Laser- lichts entspricht. Der Strahlungsverlust der Grundmode 13 beträgt etwa 1/cm.
In Figur 4 ist der berechnete Verlauf der Fernfeldintensität 14 der Grundmode 13 dargestellt. Das Diagramm aus Figur 4 zeigt daher die Intensitätsverteilung des Laserstrahls als Funktion des vertikalen Winkels. Die volle Halbwertsbreite des Laserstrahls beträgt 18,6°. Damit beträgt die vertikale Strahldivergenz nur noch etwa die Hälfte der vertikalen Strahldivergenz von herkömmlichen Halbleiter-Lasern.
Figur 5 zeigt den berechneten Verlauf der optischen Intensität einer Mode 5 höherer Ordnung, wobei der Verlauf des Brechzahlenprofils 12 der Darstellung unterlegt ist. Wie an den Intensitätsmaxima in den äußeren Wellenleiterschichten 2 und 8 erkennbar ist, wird die Mode 15 höherer Ordnung an den Reflexionsschichten 3 und 7 nicht antiresonant reflektiert. Durch die Ausdehnung der Mode 15 höherer Ordnung in das Substrat 1 und die Kontaktschicht 9 ist die Mode 15 höherer Ordnung im Vergleich zur Grundmode 13 mit höheren Verlusten behaftet. Die Strahlungsverluste dieser Mode 15 höherer Ordnung betragen 600/cm.
Bei einer anderen Ausführungsform (Figur 6) umfaßt die aktive Schicht 5 zwei sogenannte Spacer-Schichten 51 und' 52, zwischen denen ein aktiver Quantentrog 50 angeordnet ist. Eine beispielhafte Schichtenfolge einer solchen Ausführungsform ist in folgender Tabelle aufgezeigt:
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bragg reflector) verwendet werden. Von Vorteil ist dabei stets die geringe Strahldivergenz in vertikaler Richtung und der große Strahlquerschnitt am Ort der Kristallfacetten.
Die Erläuterung der Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele ist selbstverständlich nicht als Einschränkung der Erfindung auf diese zu verstehen. Die Erfindung bezieht sich insbesondere auch auf geeignete andere als die oben genannten Materialsysteme. Darüber hinaus können in den Strukturen neben den explizit beschriebenen Halbleiterschichten weitere ergänzende Halbleiterschichten vorhanden sein.

Claims

Patentansprüche
1. Halbleiter-Laser bei dem
- auf einem Substrat eine Schichtenfolge aufgebracht ist, in der gesehen vom Substrat nacheinander eine erste Wellenleiteraußenschicht (2) , eine erste Reflexionsschicht (3) , ein Wellenleiterkern (11) , in dem eine Photonen emittierende aktive Schicht (5) eingebettet ist, eine zweite Reflexionsschicht (7) und eine zweite Wellenleiteraußenschicht (8) an- geordnet sind,
- die erst und die zweite Reflexionsschicht (3, 7) Brechzahlen aufweisen, die größer als die Brechzahlen des Wellenleiterkerns (11) und der jeweils benachbarten Wellenleiteraußenschicht (2, 8) sind, und - die Schichtenfolge in vertikaler Richtung einen antiresonant reflektierenden Wellenleiter (10) aufweist.
2. Halbleiterlaser nach Anspruch 1, bei dem der Wellenleiterkern (11) auf einander gegenüberliegenden Seiten von den bei- den Reflexionsschichten (3,7) begrenzt ist.
3. Halbleiterlaser nach Anspruch 1 oder 2, bei dem sich die erste und die zweite Wellenleiteraußenschicht (2,8) jeweils an die nächstliegende der beiden Reflexionsschichten (3,7) anschließt.
4. Halbleiter-Laser nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Dicke der aktiven Schicht (5) kleiner als die Dicke der angrenzenden Schichten (4, 6) des Wellen- leiterkerns (11) ist.
5. Halbleiter-Laser nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Dicke der Reflexionsschichten (3, 7) gleich einem ungeradzahligen Vielfachen von einem Viertel der in den Wellenleiterkern (11) projizierten Wellenlänge der Photonen sind.
6. Halbleiter-Laser nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Schichtenfolge hinsichtlich ihrer Dicke bezüglich der aktiven Schicht (5) symmetrisch ist.
7. Halbleiter-Laser nach Anspruch 6, bei dem die Dicke der aktiven Schicht (5) zwischen 0,01 und 0,03 μm, die Dicke des Wellenleiterkerns (11) zwischen 1,5 und 2,5 μm, die Dicken der Reflexionsschichten (3, 7) zwischen 0,4 und 0,6 μm und die Dicken der Wellenleiteraußenschichten (2, 8) zwischen 0,5 und 1,5 μm liegen.
8. Halbleiter-Laser nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem eine Brechzahl des Substrates (1) jeweils größer ist als eine Brechzahl der benachbarten Wellenleiter- außenschicht (2) und des Wellenleiterkerns (11) .
9. Halbleiter-Laser nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem auf die Schichtenfolge eine Kontaktschicht
(9) aufgebracht ist, die eine Brechzahl aufweist, die jeweils größer als eine Brechzahl der benachbarten Wellenleiteraußenschicht (8) und des Wellenleiterkerns (11) ist.
10. Halbleiter-Laser nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem eine Brechzahl der Wellenleiteraußen- schichten (2, 8) gleich einer Brechzahl des Wellenleiterkerns (11) ist.
11. Halbleiter-Laser nach Anspruch 9 oder 10, bei dem eine Brechzahl des Substrats (1) und der Kontakt- schicht (9) jeweils gleich einer Brechzahl der benachbarten Reflexionsschichten (3, 7) ist.
12. Halbleiter-Laser nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Schichtfolge hinsichtlich der Brech- zahlen bezüglich der aktiven Schicht (5) symmetrisch ist.
13. Halbleiter-Laser nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem das Substrat (1) und die Schichtfolge zwischen Substrat (1) und aktiver Schicht (5) n-leitend sind.
14. Halbleiter-Laser nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Kontaktschicht (9) und die Schichtfolge zwischen aktiver Schicht (5) und Kontaktschicht (9) p- leitend sind.
15. Halbleiter-Laser nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem das Substrat (1) und die Kontaktschicht (9) aus GaAs hergestellt sind.
16. Halbleiter-Laser nach Anspruch 15, bei dem die Schichtfolge aus einem Al , Ga und As enthaltenden Halbleiter hergestellt ist.
17. Halbleiter-Laser nach Anspruch 15, bei dem die Reflexionsschichten (3, 7) aus einem AI, Ga und As enthaltenden Halbleiter und der Wellenleiterkern (11) und die Wellenleiteraußenschichten (2, 8) aus einem In, Ga und P enthaltendem Halbleiter hergestellt sind.
18. Halbleiter-Laser nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die aktive Schicht (5) wenigstens einen in
Barriereschichten eingebetteten Quantenfilm aufweist.
19. Halbleiter-Laser nach einem der Ansprüche 1 bis 17, bei dem die aktive Schicht (5) wenigstens einen in Barriere- schichten eingebetteten Quantendraht aufweist.
20. Halbleiter-Laser nach einem der Ansprüche 1 bis 17, bei dem die aktive Schicht (5) in Barriereschichten eingebettete Quantenpunkte aufweist.
21. Halbleiter-Laser nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die aktive Schicht (5) mit dem Wellenleiterkern (11) identisch ist.
22. Halbleiter-Laser nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die aktive Schicht zwei Spacer-Schichten aufweist, zwischen denen mindestens ein Quantentrog angeordnet ist .
23. Halbleiter-Laser nach Anspruch 22, bei dem die Spacer-
Schichten vom Quantentrog zu den nachgeordneten Wellenleiterschichten hin jeweils einen zunehmenden Al-Gehalt aufweisen.
24. Halbleiter-Laser nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Reflexionsschichten (3,7) hoch dotiert sind.
25. Halbleiter-Laser nach Anspruch 24, bei dem die Dotierstoffkonzentration in den Reflexionsschich- ten (3,7) zwischen 5xl017 und 5xl019cm"3 ist.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005043702A1 (en) * 2003-10-11 2005-05-12 Intense Limited Control of output beam divergence in a semiconductor waveguide device

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI290402B (en) * 2003-10-24 2007-11-21 Ind Tech Res Inst Edge-emitting laser with circular beam
JP5095260B2 (ja) * 2006-05-15 2012-12-12 富士通株式会社 半導体発光装置の製造方法
US20080009844A1 (en) * 2006-06-26 2008-01-10 Ingeborg Rolle Device for Laser Surgery
EP2015412B1 (de) * 2007-07-06 2022-03-09 Lumentum Operations LLC Halbleiter-Laser mit schmaler Strahldivergenz.
DE102007051315B4 (de) * 2007-09-24 2018-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
DE102007058950A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kantenemittierender Halbleiterlaser mit einem Wellenleiter
US7830938B2 (en) * 2008-12-15 2010-11-09 Jds Uniphase Corporation Laser diode
DE102011103952B4 (de) 2011-06-10 2022-05-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Kantenemittierender Halbleiterlaser
JP6123427B2 (ja) * 2013-03-29 2017-05-10 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61156788A (ja) * 1984-12-27 1986-07-16 Sony Corp 半導体レ−ザ−
US5260959A (en) * 1992-02-24 1993-11-09 Eastman Kodak Company Narrow beam divergence laser diode

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4715672A (en) 1986-01-06 1987-12-29 American Telephone And Telegraph Company Optical waveguide utilizing an antiresonant layered structure
JPH05275798A (ja) * 1992-03-25 1993-10-22 Eastman Kodak Japan Kk レーザダイオード
US5272711A (en) * 1992-05-12 1993-12-21 Trw Inc. High-power semiconductor laser diode
JPH07162085A (ja) * 1993-12-10 1995-06-23 Fujitsu Ltd 半導体発光装置
RO109906B1 (ro) 1994-09-09 1995-06-30 Prahova Iulian Basara Petrescu Dioda laser, de mare putere
US5528616A (en) * 1995-04-24 1996-06-18 International Business Machines Corporation Asymmetric dual waveguide laser
US5606570A (en) * 1995-05-08 1997-02-25 Wisconsin Alumni Research Foundation High power antiguided semiconductor laser with interelement loss
JPH09232692A (ja) * 1996-02-16 1997-09-05 Lucent Technol Inc 半導体レーザ装置
US6031243A (en) * 1996-10-16 2000-02-29 Geoff W. Taylor Grating coupled vertical cavity optoelectronic devices
US5818860A (en) 1996-11-27 1998-10-06 David Sarnoff Research Center, Inc. High power semiconductor laser diode
JP3549728B2 (ja) * 1998-05-15 2004-08-04 昭和電工株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶体の形成方法およびそれを含む半導体素子
JPH11354865A (ja) * 1998-06-10 1999-12-24 Fujitsu Ltd 光半導体装置
US6396865B1 (en) * 2000-10-27 2002-05-28 Wisconsin Alumni Research Foundation Vertical-cavity surface-emitting lasers with antiresonant reflecting optical waveguides
GB2371407B (en) * 2001-01-23 2003-07-09 Univ Glasgow Improvements in or relating to lasers

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61156788A (ja) * 1984-12-27 1986-07-16 Sony Corp 半導体レ−ザ−
US5260959A (en) * 1992-02-24 1993-11-09 Eastman Kodak Company Narrow beam divergence laser diode

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
LI W L ET AL: "Design of AlGaInP visible lasers with a low vertical divergence angle", SOLID STATE ELECTRONICS, ELSEVIER SCIENCE PUBLISHERS, BARKING, GB, vol. 42, no. 1, 1998, pages 87 - 90, XP004108423, ISSN: 0038-1101 *
MAWST L J ET AL: "DESIGN OPTIMIZATION OF ARROW-TYPE DIODE LASERS", IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, IEEE INC. NEW YORK, US, vol. 4, no. 11, 1 November 1992 (1992-11-01), pages 1204 - 1206, XP000328564, ISSN: 1041-1135 *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 010, no. 359 (E - 460) 3 December 1986 (1986-12-03) *
SHUN TUNG YEN ET AL: "THEORETICAL INVESTIGATION ON SEMICONDUCTOR LASERS WITH PASSIVE WAVEGUIDES", IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, IEEE INC. NEW YORK, US, vol. 32, no. 1, 1996, pages 4 - 13, XP000548674, ISSN: 0018-9197 *
SMOWTON P M ET AL: "650-NM LASERS WITH NARROW FAR-FIELD DIVERGENCE WITH INTEGRATED OPTICAL MODE EXPANSION LAYERS", IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, IEEE SERVICE CENTER, US, vol. 5, no. 3, May 1999 (1999-05-01), pages 735 - 739, XP000930556, ISSN: 1077-260X *
WENZEL ET AL.: "High-power diode lasers with small vertical beam divergence emitting at 808 nm", ELECTRONICS LETTERS, vol. 37, no. 16, 2 August 2001 (2001-08-02), pages 1024 - 1026, XP006017047 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005043702A1 (en) * 2003-10-11 2005-05-12 Intense Limited Control of output beam divergence in a semiconductor waveguide device
GB2406968B (en) * 2003-10-11 2006-12-06 Intense Photonics Ltd Control of output beam divergence in a semiconductor waveguide device
US7409134B2 (en) 2003-10-11 2008-08-05 Intense Limited Control of output beam divergence in a semiconductor waveguide device

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