WO2002054470A2 - Verfahren zur kontaktierung eines dotiergebiets eines halbleiterbauelements - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to a method for contacting a doping region of a semiconductor component.
- Semiconductor components are formed, for example, in a silicon substrate.
- capacitors, resistors or transistors are formed in the semiconductor substrate.
- conductive regions are produced in the semiconductor substrate by introducing dopant into the semiconductor substrate.
- the doped regions have an increased conductivity and are used as electrical connections for the components formed in the semiconductor substrate.
- different doping regions are electrically connected to one another by means of conductor tracks.
- the electrical wiring is usually formed in such a way that an insulating layer is first deposited on a surface of the semiconductor substrate and contact holes are then formed in the insulating layer.
- the contact holes usually extend from the surface of the insulating layer to a surface of a doped region to be connected, the surface of the doped region to be connected being exposed by means of the contact hole.
- a metal-containing layer is deposited on the insulating layer and in the contact hole on the doping region.
- a temperature step is usually carried out in a nitrogenous atmosphere, in which two process goals are achieved at the same time. First, part of the metal-containing layer reacts with the silicon of the doping region to form a silicide layer, and secondly, the non-siliconized part of the reacts 1 1 1 1 4 1
- the object is achieved by a method for contacting a doping region of a semiconductor component with the steps:
- a second atmosphere which may contain H 2 or argon, for a second period of time, the second atmosphere containing a greater proportion of nitrogen than the first atmosphere, the remaining remainder of the metal-containing layer being metal nitride is converted.
- two temperature steps are carried out in a first atmosphere which contains H 2 (hydrogen) or argon, the first temperature step being more advantageous
- the first and second atmosphere contain the inert gases H 2 or argon.
- H 2 or argon For example, hydrogen has the positive property that defects in a substrate during a
- the metal-containing layer is deposited on the surface area of the doping region with an increased layer thickness and an improved conformity. This advantageously leads to a reduced contact resistance.
- the exposed surface area is cleaned by means of wet chemical cleaning.
- Wet chemical cleaning has the advantage that any insulating layers that may be present are removed from the surface area of the doping area. This results in a reduced contact resistance.
- FIG. 1 shows a substrate with a doping region, a contact hole and a metal-containing layer
- FIG. 2 shows the arrangement from FIG. 1, a metal silicide layer having been formed
- FIG. 3 shows the arrangement according to FIG. 2, the metal-containing layer being converted into a metal-nitride-containing layer
- Figure 4 shows the relative resistance of the contacting of a doping region for four different manufacturing processes.
- a doping region 3 is arranged in the substrate 1 on the substrate surface 2.
- a layer 8 containing titanium nitride Suitable for 50 seconds to form a layer 8 containing titanium nitride.
- a temperature step in a process chamber at a temperature of 550 ° C. in an atmosphere with 10% hydrogen and 90% nitrogen for a period of 25 minutes is suitable for forming a titanium silicide and a titanium nitride layer.
- FIG. 4 shows the relative resistance for four different processing methods P1, P2, P3 and P4 for two different sputtering methods for forming the metal-containing layer 6.
- the first curve K 1 connects the sputter deposition processes for the metal-containing layer, which have been formed by means of an ionized metal plasma deposition.
- the curve K2 connects points at which the metal-containing layer 6 was formed using a standard sputtering method.
- the process P1 carries out a one-step temperature step at a temperature of 550 ° C. in an atmosphere with 4% hydrogen and 96% nitrogen for a period of 25 minutes. It can be seen that curve K 1 and curve K 2 give the same resistance value.
- the resistance of the process control P1 is used as a reference value with 100% as a basis for comparison for the other process controls P2 to P4.
- Process control P2 initially introduces a first temperature step for 10 minutes in a hydrogen-containing atmosphere
- a temperature step is then carried out at a temperature of 550 ° C. for 15 minutes in a forming gas atmosphere with 4% hydrogen and 96% nitrogen.
- the resistance has been reduced to about 93% for the ionized sputtering process and to about 82% of the original resistance for the standard sputtering process. This means an advantage of the temperature process method according to the invention over the standard method.
- the temperature process sequence P3 provides that a temperature step is first carried out at 550 ° C. in a hydrogen-containing atmosphere for a period of 20 minutes. A temperature process is then carried out at a temperature of 550 ° C. and for a period of 5 minutes in a forming gas atmosphere with 4% hydrogen and 96% nitrogen. The process P3 leads to a reduction in the resistance to approximately 88% for the ionized sputtering process and 79% for the standard sputtering process.
- the process sequence P4 provides that a temperature step is carried out for a period of 25 minutes at a temperature of 550 ° C. in a hydrogen-containing atmosphere. This results in a reduction to 88% of the original resistance for the ionized sputtering process and to 78% for the standard sputtering process. Method P4, however, does not nitride the metal-containing layer 6, so that no nitride barrier is formed.
Landscapes
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Abstract
Das Verfahren kontaktiert ein Doteirgebiet (3), welches an einer Substratoberfläche (2) eines Substrats (1) gebildet ist. Es wird eine isolierende Schicht (5) auf der Substratoberfläche (2) aufgebracht und ein Kontaktloch (16) in der isolierenden Schicht (5) gebildet. Anschliessend wird eine metallhaltige Schicht (6) auf der isolierenden Schicht (5) und dem mittels des Kontaktlochs (16) freigelegten Oberflächenbereichs (4) des Dotiergebiets (3) abgeschieden. In einem nachfolgenden, zweischrittigen Temperaturprozess wird zunächst die metallhaltige Schicht (6) mit dem Silizium des Dotiergebiets (3) zu einer Metallsilizidschicht (7) verreagiert und anschliessend in einem zweiten Temperaturschritt die übrige metallhaltige Schicht (6) in eine metall-nitrid-haltige Schicht (8) umgewandelt.
Description
Beschreibung
Verfahren zur Kontaktierung eines Dotiergebiets eines Halbleiterbauelements
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Kontaktierung eines Dotiergebiets eines Halbleiterbauelements.
Halbleiterbauelemente werden beispielsweise in einem Sili- ziumsubstrat gebildet. In dem Halbleitersubstrat werden dazu unter anderem Kondensatoren, Widerstände oder Transistoren gebildet. Weiterhin werden in dem Halbleitersubstrat leitfähige Gebiete erzeugt, indem Dotierstoff in das Halbleitersubstrat eingebracht wird. Die dotierten Gebiete weisen eine er- höhte Leitfähigkeit auf und werden als elektrische Anschlüsse für die in dem Halbleitersubstrat gebildeten Bauelemente verwendet . In nachfolgenden Prozessierungsschritten werden unterschiedliche Dotiergebiete mittels Leiterbahnen elektrisch miteinander verbunden.
Die elektrische Verdrahtung wird üblicherweise so gebildet, daß zunächst eine isolierende Schicht auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats abgeschieden wird und in der isolierenden Schicht anschließend Kontaktlöcher gebildet werden. Die Kontaktlöcher erstrecken sich üblicherweise von der Oberfläche der isolierenden Schicht bis zu einer Oberfläche eines anzuschließenden dotierten Gebiets, wobei die Oberfläche des anzuschließenden dotierten Gebiets mittels des Kontaktlochs freigelegt ist. Anschließend wird beispielsweise eine metall- haltige Schicht auf der isolierenden Schicht und in dem Kontaktloch auf dem Dotiergebiet abgeschieden. Nachfolgend wird üblicherweise ein Temperaturschritt in stickstof haltiger Atmosphäre durchgeführt, bei dem zwei Prozessziele gleichzeitig erreicht werden. Erstens reagiert ein Teil der metallhaltigen Schicht mit dem Silizium des Dotiergebiets zu einer Silizid- schicht und zweitens reagiert der nicht silizierte Teil der
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Es ist die Aufgabe der Erfindung ein verbessertes Verfahren zur Kontaktierung eines Dotiergebiets eines Halbleiterbauelements anzugeben.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe gelöst durch ein Verfahren zur Kontaktierung eines Dotiergebiets eines Halbleiterbauelements mit den Schritten:
- Einbringen von Dotierstoff in ein Siliziumsubstrat mit einer Substratoberfläche, wobei ein Dotiergebiet an der Sub- stratoberflache in dem Substrat gebildet wird;
- Abscheiden und Strukturieren einer isolierenden Schicht auf der Substratoberfläche, wobei ein Oberflächenbereich des Dotiergebiets freigelegt wird;
- Abscheiden einer metallhaltigen Schicht auf der isolieren- den Schicht und dem Oberflächenbereich;
- Prozessieren des Substrats in einer Prozeßkammer bei einer ersten Temperatur in einer ersten Atmosphäre, die H2 oder Argon enthalten kann, für eine erste Zeitdauer, so daß aus einem Teil der Metallschicht und Silizium Metallsilizid entsteht, und
- Prozessieren des Substrats bei einer zweiten Temperatur in einer zweiten Atmosphäre, die H2 oder Argon enthalten kann, für eine zweite Zeitdauer, wobei die zweite Atmosphäre einen größeren Stickstoffanteil enthält als die erste Atmo- sphäre, wobei der verbleibende Rest der metallhaltigen Schicht zu Metallnitrid umgewandelt wird.
Erfindungsgemäß werden zwei Temperaturschritte durchgeführt in einer ersten Atmosphäre, die H2 (Wasserstoff) oder Argon enthält, wobei der erste Temperaturschritt in vorteilhafter
Weise dazu geeignet ist, zunächst einen Teil der abgeschiedenen metallhaltigen Schicht mit dem Silizium des Dotiergebiets zu einer Silizidschicht zu verreagieren, die einen niede- rohmigen Kontakt zu dem Dotiergebiet ermöglicht. Die erste und zweite Atmosphäre enthalten die inerten Gase H2 oder Argon. Wasserstoff weist beispielsweise die positive Eigenschaft auf, daß Störstellen in einem Substrat während einer
lieh wird die metallhaltige Schicht auf dem Oberflächenbereich des Dotiergebiets mit einer erhöhten Schichtdicke und einer verbesserten Konformität abgeschieden. Dies führt in vorteilhafter Weise zu einem verringerten Kontaktwiderstand.
Weiterhin ist vorgesehen, daß der freigelegte Oberflächenbereich mittels einer naßchemischen Reinigung gereinigt wird. Die naßchemische Reinigung hat den Vorteil, daß evtl. vorhandene isolierende Schichten von dem Oberflächenbereich des Do- tiergebiets entfernt werden. Hierdurch wird ein verringerter Kontaktwiderstand erreicht .
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der jeweiligen Unteransprüche.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen und Figuren näher erläutert.
In den Figuren zeigen:
Figur 1 ein Substrat mit einem Dotiergebiet, einem Kontakt- loch und einer metallhaltigen Schicht;
Figur 2 die Anordnung aus Figur 1, wobei eine Metallsili- zidschicht gebildet wurde;
Figur 3 die Anordnung gemäß Figur 2, wobei die metallhaltige Schicht in eine metall-nitrid-haltige Schicht umgewandelt wurde;
Figur 4 den relativen Widerstand der Kontaktierung eines Dotiergebiets für vier unterschiedliche Herstellungsverfahren .
In Figur 1 ist ein Substrat 1 mit einer Substratoberfläche 2 dargestellt. In dem Substrat 1 ist an der Substratoberfläche 2 ein Dotiergebiet 3 angeordnet. Auf der Substratoberflä-
50 Sekunden dazu geeignet, eine titan-nitrid-haltige Schicht 8 zu bilden.
Weiterhin ist ein Temperaturschritt in einer Prozeßkammer bei einer Temperatur von 550°C in einer Atmosphäre mit 10% Wasserstoff und 90% Stickstoff für eine Zeitdauer von 25 Minuten dazu geeignet, eine Titansilizid- und eine Titannitridschicht zu bilden.
In Figur 4 ist der relative Widerstand für vier unterschiedliche Prozessierungsverfahren P1,P2,P3 und P4 für jeweils zwei unterschiedliche Sputter-Verfahren zur Bildung der metallhaltigen Schicht 6 dargestellt. Die erste Kurve Kl verbindet die Sputter-Abscheideverfahren für die metallhaltige Schicht, die mittels einer ionisierten Metallplasma- Abscheidung gebildet worden sind. Die Kurve K2 verbindet Punkte, bei denen die metallhaltige Schicht 6 mit einem Standard-Sputter-Verfahren gebildet wurde.
Das Verfahren Pl führt einen einschrittigen Temperaturschritt bei einer Temperatur von 550°C in einer Atmosphäre mit 4% Wasserstoff und 96% Stickstoff für eine Zeitdauer von 25 Minuten durch. Dabei zeigt sich, daß die Kurve Kl und die Kurve K2 den gleichen Widerstandswert ergeben. Als Ver- gleichsbasis für die anderen Prozeßführungen P2 bis P4 wird der Widerstand der Prozeßführung Pl als Referenzwert mit 100% verwendet .
Die Prozeßführung P2 führt zunächst einen ersten Temperatur- schritt für 10 Minuten in Wasserstoffhaltiger Atmosphäre bei
550°C durch. Anschließend wird ein Temperaturschritt bei einer Temperatur von 550°C für 15 Minuten in einer Formiergasatmosphäre mit 4% Wasserstoff und 96% Stickstoff durchgeführt. Für das ionisierte Sputter-Verfahren ist der Wider- stand auf etwa 93% und für das Standard-Sputter-Verfahren auf etwa 82% des ursprünglichen Widerstandes abgesenkt worden.
Dies bedeutet einen Vorteil des erf ndungsgemäßen Temperatur- Prozeß-Verfahrens gegenüber dem Standardverfahren.
Die Temperaturprozeßabfolge P3 sieht vor, daß zunächst ein Temperaturschritt bei 550°C in Wasserstoffhaltiger Atmosphäre für eine Zeitdauer von 20 Minuten durchgeführt wird. Anschließend wird ein Temperaturprozeß bei einer Temperatur von 550°C und einer Zeitdauer von 5 Minuten in einer Formiergasatmosphäre mit 4% Wasserstoff und 96% Stickstoff durchge- führt. Das Verfahren P3 führt zu einer Herabsenkung des Widerstandes auf etwa 88% für das ionisierte Sputter-Verfahren und 79% für das Standard-Sputter-Verfahren.
Die Prozeßabfolge P4 sieht vor, daß ein Temperaturschritt für eine Zeitdauer von 25 Minuten bei einer Temperatur von 550°C in Wasserstoffhaltiger Atmosphäre durchgeführt wird. Dabei ergibt sich für das ionisierte Sputter-Verfahren eine Herabsenkung auf 88% und für das Standard-Sputter-Verfahren auf 78% des ursprünglichen Widerstands. Das Verfahren P4 führt allerdings keine Nitridierung der metallhaltigen Schicht 6 durch, so daß keine Nitridbarriere gebildet wird.
Bezugszeichenliste
1 Substrat
2 Substratoberfläche 3 Dotiergebiet
4 Oberflächenbereich
5 isolierende Schicht
6 metallhaltige Schicht
7 Metallsilizidschicht 8 metall-nitrid-haltige Schicht
10 erste Temperatur
11 erste Atmosphäre
12 erste Zeitdauer
13 zweite Temperatur 14 zweite Atmosphäre
15 zweite Zeitdauer
16 Kontaktloch Pl erster Prozeß P2 zweiter Prozeß P3 dritter Prozeß
P4 vierter Prozeß
Kl erste Kurve
K2 zweite Kurve
Claims
1. Verfahren zur Kontaktierung eines Dotiergebiets eines Halbleiterbauelements mit den Schritten: - Einbringen von Dotierstoff in ein Siliziumsubstrat (1) mit einer Substratoberfläche (2), wobei ein Dotiergebiet (3) an der Substratoberfläche (2) in dem Substrat (1) gebildet wird;
- Abscheiden und Strukturieren einer isolierenden Schicht (5) auf der Ξubstratoberflache (2) , wobei ein Oberflächenbereich (4) des Dotiergebiets (3) freigelegt wird;
- Abscheiden einer metallhaltigen Schicht (6) auf der isolierenden Schicht (5) und dem Oberflächenbereich (4) ;
- Prozessieren des Substrats (1) in einer Prozeßkammer bei einer ersten Temperatur (10) in einer ersten Atmosphäre
(11) , die H2 oder Argon enthalten kann, für eine erste Zeitdauer (12) , so daß aus einem Teil der Metallschicht und Silizium Metallsilizid entsteht, und
- Prozessieren des Substrats (1) bei einer zweiten Temperatur (13) in einer zweiten Atmosphäre (14) , die H2 oder Argon enthalten kann, für eine zweite Zeitdauer (15) , wobei die zweite Atmosphäre (14) einen größeren Stickstoffanteil enthält als die erste Atmosphäre (11) , wobei der verbleibende Rest der metallhaltigen Schicht zu Metallnitrid umgewandelt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1 , d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die erste Zeitdauer (12) kürzer ist als die zweite Zeitdauer (15) .
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2 , d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die metallhaltige Schicht (6) Titan, Tantal, Kobalt, Mo- lybdän, Palladium, Platin, Nickel oder Wolfram enthält.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die metallhaltige Schicht (6) mittels eines ionisierten Metallplasma-Verfahrens bei einer Temperatur zwischen 180°C und 220°C abgeschieden wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der frei gelegte Oberflächenbereich (4) mittels einer naßchemischen Reinigung gereinigt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis5 , d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die metallhaltige Schicht (6) mittels eines ionisierten Metallplasma-Verfahrens bei einer Temperatur von 200°C ±5°C abgeschieden wird.
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| KR1020037009005A KR100545538B1 (ko) | 2001-01-04 | 2001-12-06 | 반도체 소자의 도핑 영역과의 컨택트 제조 방법 |
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Families Citing this family (4)
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|---|---|---|---|---|
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| US7407875B2 (en) * | 2006-09-06 | 2008-08-05 | International Business Machines Corporation | Low resistance contact structure and fabrication thereof |
| US10304773B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-05-28 | International Business Machines Corporation | Low resistance contact structures including a copper fill for trench structures |
| US9960240B2 (en) * | 2015-10-21 | 2018-05-01 | International Business Machines Corporation | Low resistance contact structures for trench structures |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4545116A (en) * | 1983-05-06 | 1985-10-08 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming a titanium disilicide |
| JPS61137367A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| US5242860A (en) * | 1991-07-24 | 1993-09-07 | Applied Materials, Inc. | Method for the formation of tin barrier layer with preferential (111) crystallographic orientation |
| KR0162673B1 (ko) * | 1994-01-11 | 1998-12-01 | 문정환 | 반도체 도전층 및 반도체소자의 제조방법 |
| US6001729A (en) * | 1995-01-10 | 1999-12-14 | Kawasaki Steel Corporation | Method of forming wiring structure for semiconductor device |
| JP3635875B2 (ja) * | 1997-06-25 | 2005-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び膜積層構造 |
| US5933741A (en) * | 1997-08-18 | 1999-08-03 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Method of making titanium silicide source/drains and tungsten silicide gate electrodes for field effect transistors |
| US5956611A (en) * | 1997-09-03 | 1999-09-21 | Micron Technologies, Inc. | Field emission displays with reduced light leakage |
| US6071782A (en) * | 1998-02-13 | 2000-06-06 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Partial silicidation method to form shallow source/drain junctions |
| US6121134A (en) * | 1998-04-21 | 2000-09-19 | Micron Technology, Inc. | High aspect ratio metallization structures and processes for fabricating the same |
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