WO2003060893A1

WO2003060893A1 - Optical pickup

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Description

明細書

光学ピックアップ技術分野

本発明は、光ファイバ一モジュールを用いた光学ピックアップに係わる。背景技術

従来、光学ピックアップを小型化するためには、光源の半導体レーザやその周辺回路から発せられる熱や電磁波の不要輻射の問題を回避する必要があることから、半導体レーザと光へッドとを分離することがなされている。

上述のように光へッドと半導体レーザとを分離し、かつ光へッドに半導体レ一ザからの光ビームを導くための光配線としては、光ファイバ一が有用であり、利用されている。

近年、半導体レーザと光フアイバ一との力ップリング効率を高めたり、カツプリング部におけるァライメント精度を緩くするための工夫がなされてきた。

例えば、半導体レーザと結合する光フアイバー端のコア径を大きくして、他端に向けて徐々にコア径を小さくし、光ファイバ一本来のコア径に狭める方法があった。この方法によって、半導体レーザと光ファイバ一とのァライメント精度を緩くすることができるため、ァライメントが容易になった。

しかしながら、この方法では、半導体レーザと結合する光ファィバ一端のコアの形状が円形であるため、半導体レ一ザから光フアイバーへのカツプリング効率を大きくするためには、半導体レ

—ザから出射する断面楕円形のレーザ光を断面円形に変換するァナモルフィックプリズム等の光学系が必要であつた。このようなアナモルフィックプリズム等の光学系を組み込むと、光学ピックァップの小型化が困難になつてしまう。

また、通常の光ファイバ一は偏波面無依存型であるため、光学ピックアップとしての光の利用効率を高めることが困難であった o

このような問題を解決するために、半導体レーザのレーザビ一ムに合わせて光ファイバ一端におけるレーザビームの形状を断面楕円形としてカツプリング効率を大きくして、かつ断面楕円形のレーザビームを断面円形のシンダルモ一ドの光ビームに変換することを可能にする構成の光フアイバーが提案されている。

即ちコアの周りをクラッドで覆って形成される光ファイバ一において、光軸を Zとし、互いに直交する X， Υ , Zの直交 3軸の X方向と Y方向におけるコアの屈折率分布形状をいずれも二乗分布形状とし、 X方向と Y方向の屈折率分布の勾配を互いに異なる値とする第 1の光ファイバ一と、この第 1の光ファイバ一の一端に装着された、コアの周りをクラッドで覆って形成されるシングルモ一ド光ファイバ一から成る第 2の光ファイバ一とから成る光フアイバ—を構成する。

しかしながら、この光ファイバ一も、第 2の光ファイバ一を構成するシングルモ一ド光ファィバーが偏光面無依存型であるため

、依然として光学ピックアップとしての光の利用効率を充分に高めることは困難であつた。

上述した問題の解決のために、本発明においては、光ファイバ —を備えた光ファイバ一モジュールを用いて、小型化を図ると共に光源からの光を高い効率で利用することができる光学ピックァップを提供するものである。発明の開示本発明の光学ピックアップ装置は、半導体レーザと、コアの周りをクラッドで覆って形成される光ファイバ一において、光軸を

Zとし、互いに直交する X , Υ , Zの直交 3軸の X方向と Y方向におけるコアの屈折率分布形状がいずれも二乗分布形状とされ、 X方向と Y方向の屈折率分布の勾配を互いに異なる値とされた第

1 の光ファイバ一と、コアの周りをクラッドで覆って形成される光ファイバ一において、コアが複屈折を有する第 2の光ファイバ一とが、それぞれ一端を互いに接続されて成る光ファイバ一と、対物レンズを少なくとも有する光へッドと、光検出器とを有し、半導体レーザから出射されるレーザ光が第 1の光フアイバーの他端に入射するように、半導体レーザ及び光フアイバーが配置されて光フアイバ一モジユールが構成され、光フアイバーが半導体レ —ザから出射されるレーザ光を光へッドへ導く光配線として用いられるものである。

上述の本発明の光学ピックアップの構成によれば、光軸を Z軸とし、互いに直交する X， Υ , Zの直交 3軸の X方向と Y方向におけるコアの屈折率分布形状がいずれも二乗分布形状とされ、 X 方向と Y方向の屈折率分布の勾配を互いに異なる値とされた第 1 の光ファイバ一は、入射した光の界分布（電磁界分布）を変換する、界分布変換ファイバ—であり、例えば楕円形の界分布の入射光を、円形の界分布の光に変換する。

コアが複屈折を有する第 2 の光ファイバ一は、偏光ファイバ一又は偏波面保持フアイバーとして作用し、直線偏光の光を出射する

そして、これら第 1 の第 2 の光ファイバ一が一端を互いに接続されていることにより、第 1の光ファイバ一.により例えば楕円形の界分布の入射光を円形の界分布の光に変換して、第 2の光ファイノく一に効率よく伝播させることが可能になると共に、第 2の光ファイバ一から光学ピックァップに用いて好適な（効率よく光を利用することができる）直線偏光の光を出射させることが可能になる。

さらに、この構成の光ファイバ一と半導体レーザとを備え、半導体レーザから出射されるレーザ光が第 1の光ファイバ一の他端に入射するように、半導体レーザ及び光ファィバーが配置されて光ファイバ一モジュールが構成されたことにより、第 1の光ファィバーが上述した界分布変換フアイバ一となっていて、半導体レ —ザから出射される楕円形の界分布の光を、第 1の光ファイバ一の他端に入射させる際の効率を高くすることができる。これにより、半導体レーザと光ファイバ一とのカツプリング効率を高くして、半導体レ一ザから出射されるレーザ光を効率よく利用することができる。

また、第 2の光ファイバ一から光学ピックァップに用いて好適な（効率よく光を利用することができる）直線偏光の光を出射させることが可能になる。

さらに、上述の構成の光ファィバを光配線として用いたことにより、半導体レーザと光ファイバ一とのカツプリング効率を高くして、かつ光学ピックァップにおいて効率よく光を利用することができる直線偏光の光を出射させることができるため、半導体レ

—ザから出射される光を効率よく光へッドに使用することが可能になる。図面の簡単な説明

図 1 は、本発明に係る光ファイバ一の一実施の形態の概略構成図であり、図 2 は、半導体レーザ及び図 1の光ファイバ一を備えた光ファイバ一モジュールの概略構成図であり、図 3は、図 1及び図 2 の構成を適用した本発明の光学ピックアツプの一実施の形態の概略構成図である。発明を実施するための最良形態

本発明は、半導体レーザと、コアの周りをクラッドで覆って形成される光ファイバ一において、光軸を Zとし、互いに直交する

X , Υ , Zの直交 3軸の X方向と Y方向におけるコアの屈折率分布形状がいずれも二乗分布形状とされ、 X方向と Y方向の屈折率分布の勾配を互いに異なる値とされた第 1の光ファイバ一と、コァの周りをクラッドで覆つて形成される光ファィバ一において、コアが複屈折を有する第 2 の光ファイバ一とが、それぞれ一端を互いに接続されて成る光フアイバーと、対物レンズを少なくとも有する光へッドと、光検出器とを有し、半導体レーザから出射されるレーザ光が第 1の光ファィバーの他端に入射するように、半導体レーザ及び光フアイバーが配置されて光フアイバーモジュ一ルが構成され、光ファイバ一が半導体レ一ザから出射されるレーザ光を光へッドへ導く光配線として用いられる光学ピックアップである。

•また本発明は、上記光学ピックアップにおいて、光ファイバ一と対物レンズの間に、偏光分離素子及び 1 / 4波長板が配置された構成とする。

また本発明は、上記光学ピックアップにおいて、第 1の光ファィバーのコアの横断面形状が略楕円状又は長円形状又は略矩形形状とされ、半導体レーザから出射される光の偏光方向と第 1の光フアイバーのコアの横断面形状の長軸方向とが略一致する構成とす。

本発明に係る光フアイバーの一実施の形態の概略構成図を図 1 にす。

この光ファイバ一 1 0 は、第 1の光ファイバ一 1 1及び第 2の光フアイバ一 1 2が、その一端で互いに接続されて成る。

第 1 の光ファイバ一 1 1 は、コア 1 1 Aの周りをクラッド 1 1 Bで覆つて形成される光フアイバ一 1 1において、光軸を Zとし、互いに直交する X， Υ , Zの直交 3軸の X方向と Y方向におけるコア 1 1 Aの屈折率分布形状をいずれも二乗分布形状とし、 X 方向と Y方向の屈折率分布の勾配を互いに異なる値とするものである。

このような光ファイバ一は、 G I 0ファイバ一又は G I F ( Gr aded Index Fiber) と称されている。上述のようにコアの屈折率分布の勾配の値が X方向と Y方向で異なり、コアの屈折率分布が

X方向と Y方向で異なるため、コアが断面楕円形に見える。

そして、このコアの X方向と Y方向の各屈折率分布の違いによつて、光ファイバ一を透過する光ビームの界分布（電磁界分布）を楕円形から円形に変換することができ、いわゆる界分布変換フアイバ一となっているものである。 - 即ちアナモルフィックプリズムと同じ作用を有する。

この界分布変換フアイバ一は、通常の光ファイバ一と同じ製法で製造することができるため、安価に製造することができる。

また、第 2 の光ファイバ一 1 2 は、コア 1 2 Aの周りをクラッド 1 2 Bで覆って形成される光ファイバ一 1 2において、（伝播する光ビームに対して）コア 1 2 Aが複屈折を有する構成とする o

第 2 の光ファイバ一 1 2 は、コア 1 2 Aが複屈折を有しているので、高速軸（ f a s t - a x i s ) '低速軸（ s l o w— a x i s ) と呼ばれる特別の方向がある。

高速軸は屈折率が低い軸であり、低速軸は屈折率が高い軸である。即ちこれら高速軸と低速軸では光の伝播速度が異なる。

そして、高速軸の方向に偏光した光ビームは、その光ファイバ —が有する最も低い有効屈折率を感じる。一方、.低速軸の方向に '偏光した光ビームは、その光フアイバーが有する最も高い有効屈折率を感じる。

従って、入力される光ビームの偏光方向によって、光ビームの伝播速度が異なつてくる。

また、光ビームの波長と、光ファイバ一内の光ビームの伝播状態との関係は、長波長側から短波長側へ、伝播しない—シングルモ一ドー >マルチモードと変化する。そして、この伝播状態が変化する波長は、高速軸の方向と低速軸の方向とでは異なる値となり、低速軸の方が長い波長で伝播状態が変化する。

従って、ある波長範囲内の光は、高速軸方向では伝播せず、低速軸方向ではシングルモードで伝播する。この場合は、第 2の光フアイバー 1 2 は、一方に偏光した光ビームのみが伝播できる偏光フアイバーとして動作する。

また、上述の波長範囲の短波長側のある波長範囲内の光は、高速轴方向でも低速軸方向でも共にシンダルモ一ドで伝播する。この場合は、両軸方向の偏波が保持され伝播するため偏波面保持フアイバーとして動作する。

ここで、例えば高速軸及び低速軸に対していずれも斜め方向に偏光した光を入力させると、偏光ファイバ一として動作する波長範囲では低速軸方向に偏光した光が出力され、偏波面保持フアイバーとして動作する波長範囲では両軸方向が保持されるため高速軸及び低速軸に対して斜め方向に偏光した光（偏光の量が保持されるのではないので各軸の比率即ち軸との角度が変わることがある）が出力される。

従って、第 2 の光ファイバ一 1 2に、偏光ファイバ—又は偏波面保持フアイバーとして動作する波長範囲の光を入力すると、直線偏光した光が出力'される。尚、第 2 の光ファイバ一 1 2 のコア 1 2 Aは、複屈折を有するが、コア 1 2 Aの断面形状は通常のシングルモ一ドフアイバ―と同様に略円形となっている。

このため、例えば断面円形の光を第 2の光ファイバ一 1 2に入射させた場合には、断面円形の光が出力され、偏光方向が変化しても断面形状は円形となる。

第 1の光フアイバ一 1 1及び第 2の光フアイバー 1 2 は、従来公知の光ファィバーの接続方法を用いることにより接続することができる。

上述した図 1 の光ファイバ一 1 0 の構成によれば、界分布変換ファイバーから成る第 1の光フアイバー 1 1 と、コア 1 2 Aが複屈折を有する第 2 の光ファイバ一 1 2 とが一端を互いに接続されていることにより、第 1 の光ファイバ一 1 1の界分布変換作用により楕円形の界分布を円形の界分布に変換して、第 2の光フアイノ一 1 2 に効率よく入力させることができる。さらに、第 2の光ファイバ一 1 2 のコア 1 2 Aが複屈折を有することにより、偏光フアイバー又は偏波面保持フアイバーとして動作させて、直線偏光の光を出力させることが可能になる。

これにより、光学ピックアップの半導体レーザと光へッドの間の光配線に用いた場合に、光の利用効率を高めることが可能になまた、半導体レーザと図 1の光ファイバ一 1 0 とを結合した光ファイバ—モジユールの概略構成図を図 2 に示す。

この光ファイバ一モジュール 2 0 は、半導体レーザ 1 と、レンズ（集光レンズ） 2 と、図 1に示した光ファィバ一 1 0 とを備えて成る。

半導体レーザ 1からの光ビーム Lは、集光レンズ 2により第 1 の光ファイバ一（界分布変換ファイバー） 1 1の一端に結像される o

半導体レーザ 1 の出力ビームは、一般的には断面楕円形であり

、その偏光方向はファ一フィールドでの断面楕円形ビームにおける短軸方向と一致している。これは、半導体レ一ザチップにおける例えば活性層の面と平行である。

そして、第 1 の光ファイバ一 1 1 の一端に結像された光ビーム L は、半導体レーザ 1 のビーム形状に従って、一般には断面楕円形となっている。

さらに、第 1 の光ファイバ一（界分布変換ファイバ一） 1 1を伝播していくうちに断面楕円形の光ビーム Lが断面円形に変換され、第 1 の光ファイバ一（界分布変換フアイバ一） 1 1に接続された第 2の光ファイバ一 1 2 のコア 1 2 Aに集光される。

そして、第 2の光ファイバ一（偏光ファイバ一又は偏波面保持ファイバ一として動作する） 1 2を伝播して直線偏光の光ビームとして出力される。

ここで、第 1 の光ファイバ一 1 1 を構成する界分布変換フアイバーに効率よく結合するためには、入射光の偏波面の方向と界分布変換フアイバーのコァ形状の長軸方向（図 2の構成では X軸方向）とを一致させることが望ましい。

そこで、半導体レーザ 1から出射されるレーザ光 Lの偏波の方向と、第 1 の光ファイバ一（界分布変換ファイバ一） 1 1 の楕円形状のコア 1 1 Aの長軸方向とを略一致させる。即ち同一方向又はその近傍の方向とする。

このことは、結果的には、半導体レーザ 1の形状（活性層の方向等）と第 1の光ファイバ一（界分布変換ファイバー） 1 1の断面楕円形のコア 1 1 Aの長軸方向とを合わせることになる。

これにより、半導体レーザ 1 と第 1 の光ファイバ— （界分布変換ファイバー） 1 1 とを効率よく結合することができる。さらに、上述の半導体レーザ 1から出射されるレーザ光 Lの偏波の方向と、第 2の光ファイバ一 1 2の複屈折を有するコア 1 2 Aの高速軸又は低速軸の方向とを略一致させることが'望ましい。特にレーザ光 Lの波長において第 2の光ファイバ一 1 2が偏光フアイバーとして作用する場合には、半導体レーザ 1から出射されるレーザ光 Lの偏波の方向と、第 2の光ファイバ一 1 2のコア 1 2 Aの低速軸の方向と略一致させることが望ま'しい。

このように第 2 の光ファイバ一 1 2 'のコア 1 2 Aの高速軸又は低速軸の方向と略一致させることにより、第 1.の光ファイバ一 1 1から第 2 の光ファイバ一 1 2ヘレ一ザ光が伝播する際の損失を少なくして効率よく伝播させることができる。

尚、図 1及び図 2では、第 1 の光ファイバ一 1 1及び第 2の光ファイバ一 1 2がほぼ.同じ長さとなっているが、各光ファイバ一 1 1及び 1 2 の長さ及びその比率は特に限定されない。

また、図 1及び図 2では、第 1の光ファイバ一 1 1のコア 1 1

Aの断面形状が楕円形となっているが、第 1 の光ファイバ一 1 1 のコア 1 1 Aの断面形状を略楕円形、長円形、略矩形としてもよい。いずれの場合もコア 1 1 Aの長軸方向（長手方向）に半導体レーザ 1から出射されるレーザ光 Lの偏波の方向を略一致させればよい。

第 1の光ファイノく一 1 1 は、その長さが 2 0 0 〃 m程度あれば、光ビームの断面楕円形から断面円形への形状変換機能（界分布変換機能）を充分に発揮させることができる。 '

また、第 2 の光ファイバ一 1 2 は、必要に応じて長く延長することが可能である。

上述した図 2に示す光ファィバ一モジュ一ル 2 0の構成によれば、半導体レーザ 1 と図 1に示した光ファイバ一 1 0 とを備えたことにより、半導体レーザから出射される断面楕円形の光ビーム Lを光フアイバ一 1 0内で変換させて、光学ピックァップに用いて好適な直線偏光の光を出力させることが可能になる。

また、断面楕円形のコア 1 1 Aの長軸方向に半導体レーザ 1から出射されるレーザ光 Lの偏波の方向を略一致させていることにより、半導体レーザ 1 と第 1 の光ファイバ一 1 1 とのカップリング効率が良好となり、半導体レーザ 1から光ファイバ— 1 0へ効率よくレーザ光を伝播させることができる。

続いて、図 1 に示した光ファイバ一 1 0及び図 2 に示した光フアイバ一モジュール 2 0を用いた本発明の光学ピックアップの一実施の形態の概略構成図を図 3 に示す。 '

この光学ピックアップは、半導体レーザ 1及びレンズ 2、並びに前述したように第 1の光ファイバ一 1 1及び第 2の光ファイバ ― 1 2がその一端で互いに接続された光フアイバー 1 0から構成きれた光ファイバ一モジュール 2 0を光配線として用いて構成され、光ファイバ一 1 0 の他端側に、レンズ 2 1、偏光ビ一ムスプリツ夕（ P B S ) 2 2、ス 7 4板（ 1 / 4波長板） 2 3、対物レンズ 2 4が配置され、偏光ビームスプリッタ 2 2 の側方に光検出器 2 5が設けられて成る。

そして、光記録媒体例えば光ディスク 3 0に対して、情報の記録ゃ再生を行う構成とされる。

偏光ビ一ムスプリッタ（ P B S ) 2 2 は、光ファイバ一 1 0からの光ビーム L 1 は透過して、光ディスク 3 0で反射して戻る光ビーム L 2 は反射されるように設定する。

次に、この光学ピックアップの動作を説明する。

半導体レ一ザ 1からの光ビーム L 0 は、レンズ（集光レンズ）

2 を介して光ファイバ一 1 0 に導入される。そして、光ファイバ一 1 0が図 1及び図 2 に示した構成即ち第 1の光ファイバ一（界分布変換ファイバ一） 1 1及び第 2 の光ファイバ一（コア 1 2 A が複屈折を有する光ファイバ一） 1 2が接続された構成となっているため、光ファイバ一 1 0中で、断面楕円形の光ビーム L 0から断面円形に変換され、さらに直線偏光の光ビーム L 1 とされて、光ファイバ一 1 0から出射される。

光ファイバ一 ί 0から出射された光ビーム L 1 は、偏光ビームスプリツタ（ P B S ) 2 2 を透過し、ス / 4板 2 3で円偏光の光ビームに変換され、対物レンズ 2 4 により光ディスク 3 0 の記録面上に集光される。これにより、光ディスク 3 0 'のデ一夕の記録再生がなされる。

光ディスク 3 0からの反射光は、対物レンズ 2 4を通って、ス

Ζ 4板 2 3で円偏光から直線偏光の光ビーム L 2 に変換される。

この光ビーム L 2の直線偏光の偏光方向は、光ファイバ— 1 0 から出射される直線偏光の光ビーム L 1 の偏光方向に対して略垂直の方向である。このため、この光ビーム L 2 は偏光ビームスプリツ夕（ P B S ) 2 2 によって反射され、光検出器 2 5において受光検出される。

このように、直線偏光の光ビーム L 1が出力される光ファイバ — 1 0 と； I Ζ 4板 2 3 と偏光ビームスプリツ夕 2 2を組み合わせて利用することにより、光ファイバ一 1 0から出力される光ビ一ム L 1の全てを光ディスク 3 0 に導くことができ、また、光ディスク 3 0からの反射光を全て光検出器 2 5に導くことができる。

このため、半導体レーザ 1からの光ビーム L 0をロスすることなく、有効に利用することが可能となる。

もちろん、必要に応じて偏光ビームスプリッタ 2 2 の例えば構成要素である多層膜の作製条件等を選ぶことにより適当な反射率と透過率に設定することも可能である。こうすることにより、例えば、往きの光ビームのごく一部を偏光ビ一ムスプリッタ 2 2で反射させモニタ一することで半導体レーザ出力パワーをコントロ —ルすることができる。

そして、光ファイバ一 1 0から出力される光ビーム L 1の形状は略円形をしており、レンズ 2 1 とのカップリング効率は良好である。

また、光ディスク 3 0 に集光される光ビームのスポット形状も略円形をしているため、良好な記録再生特性が得られる。

上述の本実施の形態の光学ピックァップによれば、前述した構成の光ファイバ一 1 0及び光ファイバ一モジュール 2 0を有して成ることにより、半導体レーザ； L と光ファイバ一 1 0 とのカップリング効率が高くなり、半導体レーザ 1からの光 L 0を無駄なく効率的に利用することが可能となる。

また、光ファイバ一 1 0からの出射光 L 1が略円形となるため、光ディスク 3 0 における集光スポット形状が優れている。このため、光ディスクの記録再生特性が向上する。

また、光ファイバ一との結合効率を向上させるために、アナモフィックプリズム或いは軸対称でないレンズ等の特別なレンズを設ける必要がないため、光学ピックァップの小型化を図ることが容 7よな。

そして、本実施の形態の光学ピックアップを用いて、光記録再生装置や光ディスク装置を構成することにより、小型で良好な記録再生特性を有する装置を実現することができる。

尚、図 2の光ファイノく一モジュール 2 0及び図 3の光学ピックアップにおいて、半導体レーザ 1 と光ファイバ一 1 0 との間のレンズ（集光レンズ） 2 は、 1個のレンズによって構成されていてもよく、また複数のレンズを組み合わせて構成されていてもよい図 3に示した実施の形態の光学ピックアップでは、光フアイバ ― 1 0 と対物レンズ 2 4 との間に、偏光分離素子として偏光ビームスプリッタ ( P B S ) 2 2 と、直線偏光の光と円偏光の光との変換を行う λ Ζ 4板 2 3 とを配置している。 . そして、偏光ビ一ムスプリッタ（P B S ) 2 2 により、光ファィバ一 1 0から出射して光ディスク 3 0 に向かうレーザ光 L 1 と、光ディスク 3 0で反射して戻ったレーザ光 L 2 とを分離している

本発明の光学ピックアップでは、偏光ビ一ムスプリッタに限らず、その他の構成の偏光分離素子によりこれらのレーザ光を分離する構成としてもよい。

また、従来から、記録媒体等の被照射部に向かうレーザ光と、被照射部から反射して戻るレーザ光とを、 4板 2 3及び偏光ビームスプリッタ（P B S ) 2 2の組み合わせ以外の構成により分離する.光学ピックアップもある。

この.ような構成の光学ピックァップに対しても、本発明を適用して、半導体レーザと光へッドの間の光配線として本発明の光ファィバー及び光フアイバ一モジュ一ルの構成を用いることにより、レーザ光の利用効率の向上と光学ピックアツプの小型化を図ることが可能である。

本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。

上述の本発明によれば、光源の半導体レーザからの光を無駄なく効率的に利用することが可能となる。

また、光ファイバ一から出射される光が直線偏光となり、光学ピックアップに効率よく利用することができる。

さらに、光ファイバ一からの出射光の断面が略円形となるため

、対物レンズにより被照射部例えば光ディスク上に形成される集光スポット形状が優れている。

このため、光ディスク用の光学ピックアップにおいて、光ディスクの記録再生特性を向上することができる。

また、光ファイバ一との結合効率を向上するために、アナモルフィックプリズムやレンズ等の光学部品を必要としないため、容易に光学ピックァップの小型化を図ることができる。

従って、本発明の光学ピックアツプを用いて、光記録再生装置や光ディスク装置を構成することにより、小型で良好な記録再生特性を有する装置を実現することができる。

Claims

請求の範囲

1 . 半導体レーザと、

コアの周りをクラッドで覆って形成される光ファイバ一において、光軸を Z とし、互いに直交する X， Υ , Zの直交 3軸の X方向と Y方向におけるコアの屈折率分布形状がいずれも二乗分布形状とされ、 X方向と Y方向の屈折率分布の勾配を互いに.異なる値とされた第 1 の光ファイバ一と、コアの周りをクラッドで覆って形成される光フアイバ一において、コアが複屈折を有する第 2 の光ファイバ一とが、それぞれ一端を互いに接続されて成る光ファィバ一と、

対物レンズを少なくとも有する光へッドと、

光検出器とを有し、

上記半導体レ一ザから出射されるレーザ光が上記第 1 の光ファィバーの他端に入射するように、上記半導体レーザ及び上記光フアイバーが配置されて光ファイバ一モジュ一ルが構成され、上記光フアイバーが、上記半導体レーザから出射されるレーザ光を上記光へッドへ導く光配線として用いられる

ことを特徵とする光学ピックァップ。

2 . 上記光フアイバーと上記対物レンズの間に、偏光分離素子及び 1 Z 4波長板が配置されたことを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の光学ピックァップ。

3 . 上言己第 1 の光フアイバーのコアの横断面形状が略楕円状又は長円形状又は略矩形形状とされ、上記半導体レ一ザから出射される光の偏光方向と上記第 1 の光フアイバーのコアの横断面形状の長軸方向とが略一致することを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の光学ピックァップ。