WO2004013886A1 - 画像表示装置の製造方法および製造装置 - Google Patents

Description

明 細 書

画像表示装置の製造方法および製造装置

技術分野

本発明は、 対向配置された一対の基板を備えた画像表示装 置の製造方法および製造装置に関する。

背景技術

近年、 次世代の画像表示装置と して、 電子放出素子を多数 並べ、 蛍光面と対向配置させた平面型の画像表示装置が開発 され進めている。 電子放出素子には様々な種類があるが、 い ずれも基本的には電界放出を用いてお り 、 これらの電子放出 素子を用いた表示装置は、 一般に、 フ ィ ール ド ■ ェ ミ ツ シ ョ ン ' ディスプレイ （以下、 F E D と称する） と呼ばれている。

F E Dの内、 表面伝導型電子放出素子を用いた表示装置は、 表面伝導型電子放出ディ スプレイ （以下、 S E D と称する） と も呼ばれているが、 本願においては S E Dも含む総称と し て F E D と し、う用語を用いる。

F E Dは、 一般に、 所定の隙間を置いて対向配置された前 面基板および背面基板を有 し、 これらの基板は、 矩形枠状の 側壁を介して周縁部同士を互いに接合する こ とによ リ真空外 囲器を構成している。 真空外囲器の内部は、 真空度が 1 0 一 ⁴ P a程度以下の高真空に維持されている。 背面基板および 前面基板に加わる大気圧荷重を支えるために、 これらの基板 の間には複数の支持部材が配設されている。

前面基板の内面には赤、 青、 緑の蛍光体層を含む蛍光面お よびメ タルバックが形成され、 背面基板の内面には、 蛍光体 を励起 して発光させる電子を放出する多数の電子放出素子が 設けられている。 多数の走査線および信号線がマ ト リ ック ス 状に形成され、 各電子放出素子に接続されている。 このよ う な電子放出素子が形成された領域のこ と をマク ロ に見て電子 放出面と 称する。 蛍光面にはアノ ー ド電圧が印加され、 電子 放出素子から出た電子ビームがァノ ー ド電圧によ リ 加速され て蛍光面に衝突する こ と によ り 、 蛍光体が発光 し映像が表示 される。

F E D では、 外囲器内部の残留ガス及び各基板の放出ガス を吸着するため、 ゲッ タ と呼ばれるガス吸着特性を持った金 属がメ タ ルバッ ク上に蒸着 （ゲッ タ フラ ッ シュ） されている。

このよ う な F E Dでは、 前面基板と背面基板と の隙間を 1 〜 3 m m程度に設定する こ と ができ、 現在のテ レ ビやコ ン ビ ユ ータ のディ スプレイ と して使用されている陰極線管 （ C R T ) と比較 して、 大幅な軽量化、 薄型化を達成する こ とがで き る。

上記 F E D において、 実用的な表示特性を得るためには、 輝度、 色再現性、 蛍光体劣化な どの点から、 発光効率が高 く 、 色純度の良好な C R T用の蛍光体を用い、 更に、 蛍光面の上 にメ タ ルバック と呼ばれるアル ミ薄膜を形成する こ とが必要 と なる。 蛍光面に印加するァノ ー ド電圧は最低でも数 k V 、 できれば 1 0 k V以上にする こ とが望まれる。

これらの F E Dでは電子 ビームが蛍光体に衝突する こ と で 発光 して いるが、 この時、 多 く の放出ガスが発生 し F E D内 部の真空度を劣化させ、 背基板上に形成された電子放出素子 にダメ ージを与える。 その結果、 電子放出素子の電子放出特 性の劣化を招き、 輝度の低下、 色再現性の劣化、 および寿命 の短命化が発生する こ とが知 られている。 これは F E Dの表 示特性の輝度を高 く しょ う と した場合、 電子放出素子からの 電子 ビームがよ り 多 く 必要と な り この傾向は大き く な リ 表示 性能に優れた長寿命の画像表示装置の実現が困難と なる。

この対策と しては、 製品と なった状態での F E D内部の放 出ガス量を少な く する こ とが必要である。 従来、 製品 と なる 前に前面基板および背面基板を高温処理する こ と によ リ脱ガ ス効果を得て いたが、 高温処理後、 前面基板および背面基板 を大気中での移動および保留する時間があるため、 こ こでの ガスの再吸着が発生 し十分な効果が得られていなかった。

また、 放出 ガスを F E D内部で吸収する方法と しては、 T i 、 B a などのガス吸着特性の大きい金属を前面基板の蛍光 面または周囲に配置 し放出ガスを吸着する こ と によ リ F E D 内部の真空度を維持させている。 しか しながら 、 これらの材 料のガス吸着量には許容量があ リ 、 ある一定量以上のガス量 に対 しては効力 を失って しまい長時間での特性維持は困難と なる。 また、 ゲッ タ膜形成時の蒸着工程で発生する発麈や、 メ タ ルバック と ゲッタ膜の付着強度不足によ るゲッ タ膜の欠 落等が発生 している。

一方、 前面基板と背面基板と の間の隙間は、 解像度や電子 放出効率の特性などの観点か ら あま り 大き く する こ とはでき ず、 1 ~ 3 m m程度に設定する必要がある。 従って、 F E D では、 前面基板と背面基板と の小さ い隙間に強電界が形成さ れる こ と を避け られず、 両基板間の放電 （絶縁破壊） が問題 と なる。 放電が起こ る と 、 瞬間的に 1 0 0 A以上の電流が流 れ、 電子放出素子や蛍光面の破壊ある いは劣化が起こ る。 放 電によ り 、 F E D を動作させるための駆動回路が破壊される こ と も ある。 これらをま とめて放電によ るダメ ージと呼ぶこ と にする。

放電によ る ダメ ージは致命的な製品不良、 例えば、 無表示 領域の発生によ る情報の欠落、 輝度及び色再現性の低下、 電 子放出素子の劣化によ り 表示性能の劣化を生 じ、 も ち ろん画 像表示装置の寿命をも短 く して しま う 。 そのため、 F E D を 実用化するためには、 これらのダメ ージが長期に渡 り起こ ら ないよ う に しなければな らない。 しか しながら、 放電を完全 に抑制するのは非常に難 しい。

一方、 放電が発生 しないよ う にするのではな く 、 放電が起 きても電子放出素子への影響を無視できる よ う 、 放電の規模 を抑制する と い う対策がある。 このよ う な考え方に関連する 技術と して、 例えば、 特開 2 0 0 0 — 3 1 1 6 4 2号公報に は、 蛍光面に設けられたメ タ ルバッ ク に切 り 欠きを入れて ジ グザグなどのパターンを形成 し、 蛍光面の実効的なイ ンダク タ ンス ■ 抵抗を高める技術が開示されている。 特開平 1 0 — 3 2 6 5 8 3 号公報には、 メ タ ルバッ ク を分割する技術、 さ ら に特開 2 0 0 0 — 2 5 1 7 9 7 号公報には、 分割部での沿 面放電を抑制するために、 分割部に導電性材料の被覆を設け る と いう技術が開示されている。

しか し、 このよ う な技術を用いる場合でも、 放電によ る ダ メ ージを完全に抑制する こ と は困難である。

一般に、 放電が生 じる電圧 （以後、 放電電圧と称する） に はばらつきがある。 また、 F E D を長期間使用 した後に放電 が起こ る こ と も ある。 放電を抑制する と いう こ と は、 ァノ ー ド電圧印加時に放電が全 く 起こ らないよ う にするか、 放電確 率を実用上許容できる程度まで小さ く する こ と を意味する。 印加 し う るァノ ー ド一カ ソー ド間の電位差を耐圧と称する こ と とする。

放電の要因にはいろいろなものがある。 第 1 は、 力 ソー ド 側の微小な突起や異物などからの電子放出が ト リ ガと なる も のである。 第 2 は、 力 ソー ドあるいはアノ ー ドに付着 した微 粒子、 ある いはそれらの一部がはがれたものが対向面に衝突 する こ とが ト リ ガと なる ものである。 と り わけ、 F E Dでは、 蛍光面に重ねてメ タ ルバッ ク と いう強度の弱い膜およびゲッ タ膜が形成されているため、 その一部がはがれる こ とが放電 の ト リ ガと な り う る。

更に、 このゲッ タ膜はゲッ タ の基盤となる金属にガス吸着 特性の大きい B a ， T i などの金属を固定 し金属基盤を加熱 する こ と によ り 蒸着膜と してメ タ ルバック上に形成される。 この際、 金属基盤の加熱によ る蒸着工程で金属基盤の一部及 ぴゲッ タ 電極の一部が溶解 し、 前面基板および背面基板上に 落下する こ とがあ り 、 これが放電源と な り 放電を拡大する大 きな要因と なっている。

耐圧を向上させるための技術と して、 コ ンディ シ ョ ニング と いう 手法が周知である。 この手法は、 例えば、 放電ハン ド ブッ ク （オーム社、 1 9 9 8 ) の 3 0 2 ページに記載されて いる。 これは、 対向面間に電位差を印加 し、 耐圧を向上させ る ものである。 放電を起す場合と起さない場合があるが、 狭 義では、 放電 （スパーク ） を起すスパーク コ ンディ シ ョ ニン グをコ ンディ シ ョ ニングと称する こ と も ある。 スパーク コ ン ディ シ ョ ニングによ り 耐圧が向上するメ カ ニズムは詳細には わかっていないが、 微小突起や異物等の放電源が放電によ り 溶けて除去される こ と 、 ある いは、 付着 した微粒子が電界に よ り 除去される こ と によ る と考え られている。

例えば、 C R T では、 電子銃の電極間に動作時電圧の 4倍 程度のパルス電圧を印加 し、 千回程度放電を起すと いう処理 が広 く 行われている。 これはスパーク コ ンディ シ ョ ニングに 相当する。

と こ ろが、 F E Dでは、 このよ う なス / 一ク コ ンディ シ ョ ニングを行う と 、 蛍光面や電子放出素子が破壊ない し劣化 し て しま う 。 そのため、 単純に この手法を F E D に用いる こ と ができない。

コ ンディ シ ョ ニング以外の耐圧向上策と しては、 材料、 構 造、 製造プロセスの最適化、 製造環境のク リ ーン化、 洗浄、 エア一ブロー等が考え られる。 しか し、 このよ う な対策だけ では耐圧を望ま し い値まで高める こ とが困難であ り 、 よ り 効 果の大きな耐圧改善策が強 く 望まれている。 また、 コス ト低 減の観点から も、 ク リ ーン度を非常に高 く した り 、 徹底的な 微粒子除去をする よ う な方向は望ま し く ない。

発明の開示 以上述べたよ う に、 F E D においては、 内部の高真空維持 と放電対策が重要な課題と なっている。 そ こで、 蛍光面等の 構造物の脱ガス を行う ために、 真空中で高温べ一キングを行 つているが、 充分な脱ガス効果を得る こ と が難 しい。 また、 放電が起きないよ う にする 目 的で、 動作電圧であるアノ ー ド 電圧を下げた り 、 前面基板と背面基板と のギャ ッ プを大き く した りする と 、 輝度や解像度などの性能を犠牲にせざる をえ ず、 製品 と して望まれる性能を満たすこ と が困難と なる。 F E Dは真空中で封着されるため、 前面基板および背面基板を 真空槽に投入する際に付着する異物ゃゲッ タ フ ラ ッ シュ時に 発生する発麈を除去する手段がない。

本発明は、 このよ う な課題を解決するためのものであ り 、 その目的は、 耐圧性が高 く 、 表示性能および信頼性に優れた 画像表示装置を製造する こ と が可能な画像表示装置の製造方 法および製造装置を提供する こ と にある。

上記目 的を達成するため、 この発明の形態に係る画像表示 装置の製造方法は、 蛍光面が形成された前面基板と 、 複数の 電子放出素子が設け られた背面基板と を備えた画像表示装置 の製造方法において、

真空雰囲気中で、 上記前面基板および背面基板の少な く と も一方の基板と処理電極と を対向 させ、 上記少な く と も一方 の基板と処理電極との間に電界を印加 して上記少な く と も一 方の基板を電界処理 し、 上記電界処理の後、 上記前面基板と 背面基板と を真空雰囲気中に維持 した状態で互いに封着する。

この発明の他の態様に係る画像表示装置の製造方法は、 蛍 光面が形成された前面基板と 、 複数の電子放出素子が設け ら れた背面基板と を備えた画像表示装置の製造方法において、 真空雰囲気中で、 上記前面基板と開孔部を有する処理電極 と を対向 させ、 上記前面基板と処理電極と の間に電界を印加 して上記前面基板を電界処理 し、 上記電界処理の後、 上記前 面基板と背面基板と を真空雰囲気中に維持 した状態で互いに 封着する。

この発明の態様に係る画像表示装置の製造装置は、 蛍光面 が形成された前面基板と 、 複数の電子放出素子が設けられた 背面基板と を備えた画像表示装置の製造装置において、 内部 が真空に維持されている と と も に上記前面基板および背面基 板の少な く と も一方の基板を収納可能な真空チャ ンバと 、 上 記真空チャ ンバ内に上記少な く と も一方の基板と対向 して配 置された処理電極と 、 上記少な く と も一方の基板と処理電極 との間に電界を印加する電界印加部と 、 上記真空チャ ンバ内 に設けられ上記少な く と も一方の基板にゲッ タ 膜を形成する ゲッ タ 装置と 、 を備えている。

この発明の態様に係る画像表示装置の製造装置は、 蛍光面 が形成された前面基板と、 複数の電子放出素子が設けられた 背面基板と を備えた画像表示装置の製造装置において、 内部 が真空に維持されている と と も に上記前面基板を収納可能な 真空チャ ンバと 、 上記真空チャ ンバ内に上記前面基板と対向 して配置され開孔部を有 した処理電極と 、 上記前面基板と処 理電極と の間に電界を印加する電界印加部と を備えている。

上記のよ う に構成された画像表示装置の製造方法および製 造装置によれば、 真空雰囲気中で基板と対向 して配置された 処理電極と基板とに電界を印加 して電界処理するこ とによ リ 、 基板に残留 した異物、 突起等を除去 し、 放電発生の要因を取 リ 除く こ とができる。 これによ り 、 耐圧特性に優れ、 表示性 能および信頼性の向上 した画像表示装置を製造する こ とがで きる o

図面の簡単な説明

図 1 は、 この発明の第 1 の実施形態に係る製造方法および 製造装置によ リ 製造される F E Dの一例を示す斜視図。

図 2 は、 図 1 の線 1 1一 1 1 に沿った上記 F E Dの断面図。 図 3 は、 本発明の第 1 の実施形態に係る製造方法および製 造装置を概略的に示す断面図。

図 4は、 本発明の第 2の実施形態に係る製造方法および製 造装置を概略的に示す断面図。

図 5 は、 本発明の第 3の実施形態に係る製造方法および製 造装置を概略的に示す断面図。

図 6 は、 本発明の第 4の実施形態に係る製造方法および製 造装置を概略的に示す断面図。

図 7 は、 本発明の第 5の実施形態に係る製造方法および製 造装置を概略的に示す断面図。

図 8 は、 本発明の第 6の実施形態に係る製造方法および製 造装置を概略的に示す断面図。

図 9 は、 本発明の第 7の実施形態に係る製造方法および製 造装置を概略的に示す断面図。

図 1 0 は、 本発明の第 8の実施形態に係る製造方法および 製造装置を概略的に示す断面図。

発明を実施するための最良の形態

以下図面を参照 しながら、 この発明の実施形態に係る画像 表示装置の製造方法および製造装置について詳細に説明する。

始めに、 本製造方法および製造装置によ り 製造される画像 表示装置と して、 表面伝導型の電子放出素子を備えた F E D を例にと って説明する。

図 1 および図 2 に示すよ う に、 この F E Dは、 絶縁基板と してそれぞれ板厚が 1 〜 3 m m程度の矩形状のガラス板か ら なる前面基板 1 1 、 および背面基板 1 2 を備え、 これらの基 板は 1 〜 2 m mの隙間を置いて対向配置されている。 前面基 板 1 1 および背面基板 1 2 は、 矩形枠状の側壁 1 3 を介 して 周縁部同士が接合され、 内部が 1 0 — 4 p _a 程度の高真空に 維持された扁平な矩形状の真空外囲器 1 0 を構成 している。

真空外囲器 1 0 の内部には、 前面基板 1 1 および背面基板 1 2 に加わる大気圧荷重を支えるため、 複数のスぺーサ 1 4 が設けられている。 スぺーサ 1 4 と しては、 板状あるいは柱 状のスぺーサ等を用いる こ とができる。

前面基板 1 1 の内面上には、 蛍光面と して、 赤、 緑、 青の ス ト ライ プ状の蛍光体層 1 6 と マ ト リ ックス状の黒色光吸収 層 1 7 と を有 した蛍光体スク リ ーン 1 5 が形成されている。 蛍光体層 1 6 は ドッ ト状に形成されて も よ い。 蛍光体スク リ —ン 1 5 上には、 アルミ ニウム膜等からなるメ タ ルバッ ク 2 0 が形成され、 更に、 メ タ ルバッ ク に重ねてゲッ タ 膜 2 2 が 形成されている。 背面基板 1 2の内面上には、 蛍光体スク リ ーン 1 5 の蛍光 体層 1 6 を励起する電子源と して、 それぞれ電子ビームを放 出する多数の表面伝導型の電子放出素子 1 8 が設けられてい る。 これらの電子放出素子 1 8 は、 画素毎に対応 して複数列 および複数行に配列されている。 各電子放出素子 1 8 は、 図 示 しない電子放出部、 この電子放出部に電圧を印加する一対 の素子電極等で構成されている。 背面基板 1 2 の内面には、 電子放出素子 1 8 に電位を供給する多数本の配線 2 1 がマ 卜 リ ック状に設けられ、 その端部は真空外囲器 1 0の外部に引 出されている。

このよ うな F E Dでは、 画像を表示する場合、 蛍光体スク リーン 1 5 およびメ タルバック 2 0 にァノ一 ド電圧を印加 し、 電子放出素子 1 8から放出された電子ビームをアノ ー ド電圧 によ り加速して蛍光体スク リ ーンへ衝突させる。 これによ り 、 蛍光体スク リーン 1 5の蛍光体層 1 6が励起されて発光 し、 力ラー画像を表示する。

次に、 上記のよ う に構成された F E Dの製造装置および製 造方法について説明する。 図 3 に示すよう に、 製造装置は、 真空処理槽で構成された真空チャ ンバ 3 0 を備え、 この真空 チャ ンバには、 内部を真空排気する排気ポンプ 3 2 が接続さ れている。

真空チャ ンバ 3 0 内には、 第 1 処理電極 3 4 、 第 2処理電 極 3 6 、 およびゲッタ装置 3 8が設けられている。 第 1 およ び第 2処理電極 3 4 、 3 6 は、 それぞれ処理対象となる基板 とほぼ等 しい寸法の板状に形成されている。 第 1 および第 2 処理電極 3 4 、 3 6 は、 ほぼ水平に、 かつ、 隙間をおいて並 んで設けられている。 第 1 および第 2処理電極 3 ⁴ 、 3 6 は、 それぞれ接地電位に接続されている。

第 1 および第 2処理電極 3 4 、 3 6間にはゲッタ蒸着位置 4 0が規定され、 このゲッタ蒸着位置 4 0の下方にゲッタ装 置 3 8 が配置されている。 ゲッタ装置 3 8 は、 ゲッ タ蒸着位 置 4 0 に向かって開放したカバー 4 2、 カバ一内の底部に設 けられたゲッタ材 4 4 、 およびゲッタ材を加熱する加熱機構 4 5 を備えている。 加熱機構 4 5 と しては、 高周波加熱方式 あるいは抵抗加熱方式の加熱機構を用いる こ とができる。

製造装置は、 処理対象となる基板に電圧を印加する電源 4 6 、 並びに、 真空チャ ンバ 3 0 内において、 基板を第 1 処理 電極 3 4 と対向する第 1 電界処理位置、 ゲッ タ蒸着位置 4 0 、 および第 2処理電極 3 6 と対向する第 2電界処理位置の間で 搬送する図示しない基板搬送機構を備えている。

次に、 製造装置によ り基板を処理する方法について説明す る。 こ こでは、 蛍光体スク リーン 1 5 およびメ タ ルバック 2 0が形成された前面基板 1 1 を処理する場合について説明す る。

図 3 に示すよ う に、 まず、 排気ポンプ 3 2 によ り真空チヤ ンバ 3 0 内を所望の真空度まで真空排気し、 真空チャ ンバ内 を真空雰囲気とする。 続いて、 真空チャ ンバ 3 0 内に前面基 板 1 1 を搬入 し、 第 1 電界処理位置に設置する。 この第 1 電 界処理位置において、 前面基板 1 1 は、 メ タルバック 2 0側 の表面全体が第 1 処理電極 3 4 と所望の隙間を置いて対向配 置される。

次に、 電界印加部と して機能する電源 4 6 をメ タ ルバック 2 0 に電気的に接続 し、 電源 4 6から メ タ ルバッ ク に電圧を 印加する。 メ タ ルバック 2 0 に印加する電圧は、 メ タ ルバッ ク と第 1 処理電極 3 4 との間でプラスある いはマイナスの電 位差が生 じる よ う に設定する。 これによ り 、 前面基板 1 1 と 第 1 処理電極 3 4 との間に電界が発生 し、 前面基板 1 1 が電 界処理される。 この電界処理によ り 、 前面基板 1 1 上に残留 していた麈、 埃等の異物を第 1 処理電極 3 4 に吸着 し除去す る と と もに、 前面基板の生産過程で形成された不用な突起な どを除去する。

電界処理が完了 した後、 第 1 処理電極 3 4 と前面基板 1 1 との間に電位差を与えたまま、 かつ第 1 処理電極 3 4 との間 隔を保ちながら 、 前面基板をゲッ タ蒸着位置 4 0 に搬送する。 このよ う に電位差を維持する こ とによ り 、 第 1 処理電極 3 4 で吸着した異物あるいは除去された突起を第 1 処理電極上に 保持 し、 前面基板 1 1 側に再度付着する こ と を防止する。

ゲッタ蒸着位置 4 0 において、 前面基板 1 1 はそのメ タル バッ ク 2 0側の表面が下を向いた状態でゲッ タ 装置 3 8 の力 バー 4 2 の上部開口 と対向する。 この状態で、 カバー 4 2の 底部上に設け られたゲッ タ材 4 4 を加熱機構 4 5 によ り 加熱 して蒸発させ、 ゲッ タ フラ ッ シュを行う 。 これによ り 、 前面 基板 1 1 のメ タ ルバック 2 0上にゲッ タ を蒸着 しゲッタ膜 2 2 を形成する。 なお、 前面基板 1 1 の下方に位置 したゲッタ 材 4 4 を用いて、 下から上に向かってゲッ タ フ ラ ッ シュする こ と によ り 、 ゲッタ フラ ッシュに伴って発生する粉塵等が前 面基板 1 1 側に付着する こ とが防止される。

ゲッ タ膜 2 2 の成膜後、 電源 4 6 との接続を維持 した状態 で、 前面基板 1 1 をゲッ タ蒸着位置 4 0 から第 2 電界処理位 置に搬送する。 第 2 電界処理位置において、 前面基板 1 1 は、 ゲッ タ膜 2 2側の表面全体が第 2 処理電極 3 6 と所望の隙間 を置いて対向配置される。

続いて、 電源 4 6 から メ タ ルバッ ク 2 0 およびゲッタ 膜 2 2 に電圧を印加する。 印加する電圧は、 前面基板 1 1 と 第 2 処理電極 3 6 との間でプラスある いはマイナスの電位差が生 じる よ う に設定する。 これによ り 、 前面基板 1 1 と第 2 処理 電極 3 6 との間に電界を発生させ、 前面基板 1 1 を再び電界 処理する。 電界処理によ り 、 ゲッ タ 蒸着工程で発生 した塵や 真空チャ ンバ 3 0 内の浮遊物質等の前面基板に付着 した塵、 埃等の異物を第 2処理電極 3 6 に吸着 し除去する と と も に、 ゲッ タ蒸着工程で前面基板に形成された不用な突起などを除 去する。

その後、 前面基板 1 1 と第 2 処理電極 3 6 と の間に電位差 を与えたまま、 かつ、 処理電極 3 4 との間隔を保ちながら 、 前面基板を第 2 処理電極から遠ざける。 一方、 配線 2 1 お よび電子放出素子 1 8 等が形成された背面基板 1 2 は、 ゲッ タ蒸着を除いて上記と 同様の工程によ り 電界処理される。 た だ し、 背面基板 1 2 の電界処理は少な く と も 1 回行えばよ い。

電界処理された前面基板 1 1 および背面基板 1 2 を大気に 晒すこ と な く 真空雰囲気中に維持 した状態で図示 しない封着 位置へ搬送し、 こ こで互いに封着 して真空外囲器 1 0 を形成 する。 これによ り 、 F E Dの真空外囲器が完成する。 なお、 基板の封着は、 上述した電界処理を行う真空チャ ンバ 3 0 と 同一の真空チャ ンバ内、 あるいは、 真空チャ ンバ 3 0 と真空 状態で連通した他の真空チャンバ内のいずれで行っても よい。

上記のよ う に構成された製造方法および製造装置によれば、 真空チャ ンバへ投入される前に前面基板 1 1 、 背面基板 1 2 に付着した粉塵などの異物および前面基板、 背面基板の生産 過程で形成された不用な突起などを除去する こ とができる。 また、 これらの基板を真空チャンバへ投入した後、 ゲッタ蒸 着工程で発生 した塵や真空チャンバ内の浮遊物質等の基板に 付着 した塵、 埃等の異物を除去する こ とができる。 これによ リ 、 放電発生の ト リ ガとなる要因を取り 除き、 耐圧特性の向 上 した F E D を得ることができる。 特に、 前面基板、 背面基 板の電界処理、 およびゲッタ蒸着処理を真空チャンバ内で行 つた後、 これらの基板を大気に晒すこ とな く 互いに封着 して 真空外囲器を形成するこ と によ り 、 大気中の粉塵などが基板 に再付着する恐れがなく 、 初期放電および長期に渡る放電の 抑制を実現する こ とができる。

その結果、 放電に伴う蛍光面や電子放出素子の破壊、 劣化、 更には、 駆動回路の破壊を防止し、 F E Dの信頼性向上およ び長寿命化を図る ことができる。 同時に、 アノー ド電位を高 く 設定する こ とが可能とな り 、 高輝度で表示性能の高い F E D を得る こ とができる。

上述した第 1 の実施形態では、 処理電極をゲッタ装置 3 8 の前後にそれぞれ設ける構成と したが、 図 4 に示す第 2 の実 施形態のよ う に、 処理電極を 1 個 と しても実施可能である。 この場合、 処理電極 3 4 によ り 前面基板 1 1 の電界処理を行 つた後、 前面基板をゲッ タ 蒸着位置 4 0 に搬送 しゲッ タ 蒸着 を行な う 。 その後、 前面基板 1 1 を再び処理電極 3 4 と対向 する位置に戻 し、 電界処理を行う 。

このよ う な構成によれば、 上述 した第 1 の実施形態と 同様 の作用効果が得られる と と も に、 製造装置の簡略化を図る こ とができる。

図 5 に示す第 3 の実施形態のよ う に、 処理電極 3 4 を 1 個 と し、 ゲッ タ膜を形成 した後にのみ、 前面基板 1 1 を処理電 極 3 4 と対向する電界処理位置に搬送 し、 前面基板の電界処 理を行う構成と しても よい。 この場合においても 、 最終的に 真空外囲器内に露出 して背面基板 1 2 と対向するゲッ タ膜 2 2 を電界処理するこ と によ り 、 ゲッ タ膜に付着 した粉塵な ど の異物および製造過程で形成された不用な突起などを除去す る こ と ができる。 その結果、 F E Dの耐圧特性を充分に向上 させる こ とが可能となる。

ある いは、 処理電極を 1 つ と し、 ゲッ タ膜蒸着前にのみ電 界処理を行う構成と しても よ く 、 この場合でも耐圧特性の向 上を図る こ とができる。

更に、 上述 した実施形態では、 基板の下方に配置されたゲ ッ タ 材を用いて、 下から上に向かってゲッ タ フ ラ ッ シュする こ と によ り 、 ゲッ タ フ ラ ッ シュに伴って発生する粉塵の基板 への付着を低減する構成と したが、 図 6 に示す第 4 の実施形 態のよ う に、 ゲッタ材 4 4 を含むゲッ タ 装置 3 8 を処理対象 と なる基板の上方に配置 し、 上から下に向かってゲッ タ フラ ッ シュ を行う構成とする こ と もできる。 ゲッ タ フ ラ ッ シュの 方向は、 上下方向に限らず、 他の方向か らでも実施可能であ る こ と は言う までもない。

図 7 に示す第 5の実施形態のよ う に、 電界処理を行う 際、 基板側を接地電位と し、 電源 4 6 から処理電極 3 4 、 3 6 自 体に電圧を印加する構成と して も よい。 この構成によれば、 高電圧印加が可能と な り 、 電界処理の効果を高める こ とがで きる。 例えば、 処理電極 3 4 、 3 6 にマイナスの電位を印加 する こ とで、 前面基板 1 1 または背面基板 1 2 に プラスの電 位を印加 した事にな り 、 前述 した実施形態と 同様の効果を得 られる と と もに、 高電圧が印加できるメ リ ッ トがある。 もち ろん、 処理電極にプラス電位を印加 しても同様の効果が得ら れる こ と は言う までもない。

なお、 上述 した第 2 ない し第 5 の実施の形態において、 他 の構成は前述 した第 1 の実施の形態と 同一であ り 、 同一の部 分には同一の参照符号を付 してその詳細な説明を省略する。

次に、 この発明の第 6 の実施形態に係る F E Dの製造装置 および製造方法について説明する。 図 8 に示すよ う に、 製造 装置は、 真空処理槽で構成された真空チャ ンバ 3 0 を備え、 この真空チャ ンバには、 内部を真空排気する排気ポンプ 3 2 が接続されている。

真空チャ ンバ 3 0 内には、 ゲッ タ膜を形成するゲッ タ 装置 3 8 が配置されている。 ゲッ タ 装置 3 8 は、 下端に開口 3 7 を有 したほぼ箱状のカバー 4 2 を備えている。 カバー 4 2 内 の天井壁にはゲッ タ 材 4 4 が設け られ、 開口 3 7 と対向 して いる。 更に、 ゲッ タ装置 3 8 は、 ゲッ タ材 4 4 を加熱する力□ 熱機構 4 5 を備えている。 加熱機構 4 5 と しては、 高周波加 熱方式あるいは抵抗加熱方式の加熱機構を用いる こ とができ る。

カバー 4 2 の開口 3 7 は、 処理対象と なる基板と ほぼ等 し い寸法に形成されている。 そ して、 この開口 3 7 を覆う よ う に して処理電極 3 4 が設けられ、 カバ一 4 2 に取 リ 付けられ ている。 処理電極 3 4 には、 ゲッ タが通過するための多数の 透孔が全体に渡って形成され、 開孔部を構成 している。

製造装置は、 処理対象と なる基板に電圧を印加する電源 4 6 、 並びに、 真空チャ ンバ 3 0 内において、 基板を処理電極 3 4 と対向する処理位置、 すなわち、 電界処理位置おょぴゲ ッ タ蒸着位置、 に搬送する図示 しない基板搬送機構を備えて いる。

なお、 処理基板を処理電極 3 4 と対向する処理位置に配置 した状態において、 ゲッ タ材 4 4 と処理電極との間隔は、 処 理電極と処理基板との間隔よ り も広 く なる よ う に設定されて いる。

次に、 上記製造装置によ り 基板を処理する方法について説 明する。 こ こでは、 蛍光体スク リ ーン 1 5 およびメ タ ルバッ ク 2 0が形成された前面基板 1 1 を処理する場合について説 明する。

図 8 に示すよ う に、 まず、 排気ポンプ 3 2 によ り 真空チヤ ンバ 3 0内を所望の真空度まで真空排気 し、 真空チャ ンバ内 を真空雰囲気とする。 続いて、 真空チャ ンバ 3 0 内に前面基 板 1 1 を搬入 し、 図示の処理位置に配置する。 処理位置にお いて、 前面基板 1 1 は、 メ タ ルバッ ク 2 0側の表面全体が処 理電極 3 4 と所望の隙間を置いて対向配置される。

次に、 電界印加部と して機能する電源 4 6 をメ タ ルバック 2 0 に電気的に接続 し、 電源 4 6 から メ タ ルバッ ク に電圧を 印加する。 この時、 処理電極 3 4 は接地電位に接続されてい る。 メ タ ルノくッ ク 2 0 に印加する電圧は、 メ タ ルバック と処 理電極 3 4 と の間でプラスあるいはマイナスの電位差が生 じ る よ う に設定する。 これによ り 、 前面基板 1 1 と処理電極 3 4 との間に電界が発生 し、 前面基板 1 1 が電界処理される。 この電界処理によ り 、 前面基板 1 1 上に残留 していた塵、 埃 等の異物を処理電極 3 4 に吸着 し除去する と と もに、 前面基 板の生産過程で形成された不用な突起な どを除去する。

電界処理が完了 した後、 処理電極 3 4 と前面基板 1 1 との 間に電位差を与えたまま、 前面基板 1 1 を処理電極 3 4 と対 向 しない位置まで移動させる。 これによ り 、 処理電極 3 4 で 吸着 した異物あるいは除去された突起を処理電極上に保持し、 前面基板 1 1 上への異物ある いは除去された突起の落下及び 再付着を防 ぐ。 また、 電界処理後に電位差が与え られていな い状態の時、 処理電極 3 4 によ って吸着ある いは除去された 異物、 突起等は、 前面基板 1 1 上ではな く 、 真空チャ ンバ 3 0 内へ落下する事にな り 、 再度基板が搬送された時の異物あ るいは除去された突起が基板上に落下するのを防止できる。 次に再度、 前面基板 1 1 は、 メ タ ルバッ ク 2 0側の表面全 体が処理電極 3 4 と所望の隙間を置いて対向配置され、 カバ 一 4 2 の天井壁に設け られたゲッ タ材 4 4 を加熱機構 4 5 に よ り加熱 して蒸発させ、 ゲッタ フラ ッ シュ を行う 。 これによ リ 、 ゲッ タ の一部は、 処理電極 3 4 の内、 透孔が形成されて いない領域上に蒸着されてゲッ タ 膜 5 0 を形成する。 ゲッ タ の残 り の部分は処理電極 3 4 の透孔を通過 して前面基板 1 1 のメ タ ルバッ ク 2 0上に蒸着され、 ゲッ タ 膜 2 2 を形成する。

この時、 前面基板 1 1 と処理電極 3 4 と の間の間隔は処理 電極とゲッ タ 材 4 4 との間の間隔よ り も小さ 〈 設定され、 前 面基板 1 1 と処理電極 3 4 との間のコ ンダク タ ンスは、 処理 電極とゲッ タ 材 4 4 との間のコ ンダク タ ンスょ リ も小さ い。 そのため、 ゲッ タ フラ ッ シュ時にゲッ タ材 4 4 か ら放出 され たガスは、 処理電極 3 4 を先に通 り 、 この処理電極上に形成 されたゲッ タ 膜 5 0 によ り吸着され、 前面基板 1 1 に達する こ とがない。 従って、 前面基板 1 1 上に形成されたゲッ タ 膜 2 2 がこのガスによ って劣化される こ と はない。

ゲッ タ 膜 2 2 の成膜後、 電源 4 6 から メ タ ルバック 2 0 お よびゲッ タ膜 2 2 に電圧を印加する。 印加する電圧は、 前面 基板 1 1 と処理電極 3 4 との間でプラスある いはマイナスの 電位差が生 じ る よ う に設定する。 これによ り 、 前面基板 1 1 と処理電極 3 4 との間に電界を発生させ、 前面基板 1 1 を再 び電界処理する。 そ して、 電界処理によ り 、 ゲッ タ蒸着工程 で発生 した塵や真空チャ ンバ 3 0 内の浮遊物質等の前面基板 1 1 に付着 した塵、 埃等の異物を処理電極 3 4 に吸着し除去 する と と もに、 ゲッタ蒸着工程で前面基板に形成された不用 な突起などを除去する。

その後、 前面基板 1 1 と処理電極 3 4 との間に電位差を与 えたまま、 前面基板 1 1 を電極 3 4 と対向 しない位置まで移 動させる。 以上によ り 、 前面基板 1 1 の電界処理およびゲッ タ膜形成が終了する。

—方、 配線 2 1 および電子放出素子 1 8 等が形成された背 面基板 1 2 は、 ゲッタ蒸着を除いて上記と 同様の工程によ り 電界処理する。 ただ し、 背面基板 1 2 の電界処理は少な く と も 1 回行えばよい。

電界処理された前面基板 1 1 および背面基板 1 2 を大気に 晒す こ と な く 真空雰囲気中に維持 した状態で図示 しない封着 位置へ搬送 し、 こ こで互いに封着 して真空外囲器 1 0 を形成 する。 これによ り 、 F E Dの真空外囲器が完成する。 なお、 基板の封着は、 上述した電界処理を行う真空チャ ンバ 3 0 と 同一の真空チャ ンバ内、 ある いは、 真空チャ ンバ 3 0 と真空 状態で連通 した他の真空チャ ンバ内のいずれで行っても よい。

上記のよ う に構成された製造方法および製造装置によれば、 真空チャ ンバへ投入される前に前面基板 1 1 、 背面基板 1 2 に付着 した粉塵な どの異物および前面基板、 背面基板の生産 過程で形成された不用な突起な どを電界処理によ リ 除去する こ と ができる。 また、 これらの基板を真空チャ ンバへ投入 し た後、 ゲッ タ 蒸着工程で発生 した塵や真空チャ ンバ内の浮遊 物質等の基板に付着 した塵、 埃等の異物を電界処理によ って 除去する こ とができる。 これによ り 、 放電発生の ト リ ガと な る要因を取 り 除き、 耐圧特性の向上 した F E D を得る こ とが できる。 特に、 前面基板、 背面基板の電界処理、 およぴゲッ タ 蒸着処理を真空チャ ンバ内で行った後、 これらの基板を大 気に晒すこ と な く 真空外囲器を形成する こ と によ り 、 大気中 の粉塵などが基板に再付着する恐れがな く 、 初期放電および 長期に渡る放電の抑制を実現する こ とができる。

その結果、 放電に伴う 蛍光面や電子放出素子の破壊、 劣化、 更には、 駆動回路の破 を防止 し、 F E Dの信頼性向上およ び長寿命化を図る こ とができる。 同時に、 アノ ー ド電位を高 く 設定する こ とが可能と な り 、 高輝度で表示性能の高い F E D を得る こ と ができる。 更に、 前面基板 1 1 に形成されたゲ ッ タ膜のガス吸着特性の劣化を防止でき、 長期間に渡っ て高 い真空度を維持 し超寿命の製品を得る こ とができる。

また、 処理電極に開孔部を設ける こ と によ り 、 処理基板を 同一の位置に保持 した状態で、 電界処理およびゲッ タ 膜蒸着 を行う こ とができる。 これによ り 、 処理工程の簡略化および 製造装置の簡略化を図る こ とが可能と なる。 処理電極の開孔 部が設けられていない領域にもゲッ タ膜を形成 し、 ゲッ タ フ ラ ッ シュ時に発生するガスをこのゲッ タ膜によ り 吸着する こ とができ、 その結果、 前面基板上に形成されたゲッ タ膜は劣 化する こ と な く 高いガス吸着特性を維持する こ と が可能と な る。

上述 した第 6 の実施形態では、 ゲッ タ膜の蒸着前後で 2 回 の電界処理を行う構成と したが、 ゲッ タ膜を形成 した後のみ に、 前面基板 1 1 の電界処理を行う構成と して も よい。 この 場合においても、 最終的に真空外囲器内に露出 して背面基板 1 2 と対向するゲッ タ 膜 2 2 を電界処理する こ と によ り 、 ゲ ッ タ膜に付着 した粉塵などの異物および製造過程で形成され た不用な突起などを除去する こ とができる。 その結果、 F E Dの耐圧特性を充分に向上させる こ とができ、 上述 した実施 形態と 同様の作用効果を得る こ とができる。 あるいは、 ゲッ タ膜蒸着前にのみ電界処理を行う構成と して も よ く 、 この場 合でも耐圧特性の向上を図る こ とができる。

上述 した第 6 の実施形態では、 処理基板の上方に配置され たゲッ タ材 4 4 を用いて、 上から下に向かってゲッ タ フ ラ ッ シュする構成と したが、 図 9 に示す第 7 の実施形態のよ う に、 ゲッ タ材 4 4 を処理基板の下方に配置し、 下か ら上に向かつ てゲッ タ フラ ッ シュ を行う構成とする こ と もできる。 この場 合、 ゲッ タ フラ ッ シュに伴って発生する粉塵の基板への付着 を一層確実に低減する こ とが可能と なる。 ゲッ タ フ ラ ッ シュ の方向は、 上下方向に限らず、 他の方向からでも実施可能で ある こ と は言う までもない。

図 1 0 に示す第 8 の実施形態によれば、 処理電極 3 4 は絶 縁碍子 6 0等の絶縁部材によ リ 、 カバ一 4 2 に対 してフ ロー ティ ング状態に支持されている。 処理電極 3 4 には電源 4 6 が電気的に接続され、 前面基板 1 1 のメ タ ルバッ ク は接地電 位に接続されている。 この構成によれば、 処理電極 3 4 自体 に高電圧を印加可能と な り 、 電界処理の効果を高める こ とが できる。 例えば、 処理電極 3 4 にマイナスの電位を印加する こ と で、 前面基板 1 1 または背面基板 1 2 にプラスの電位を 印加 した事にな り 、 前述 した実施形態と 同様の効果を得られ る。 更に、 高電圧が印加できる と言ったメ リ ッ トがある。 も ち ろん、 処理電極 3 4 にプラス電位を印加 して も 同様の効果 が得られる こ と は言う までもない。

第 7 および第 8 の実施形態において、 他の構成は前述 した 第 6 の実施形態と 同一であ り 、 同一の部分には同一の参照符 号を付 してその詳細な説明を省略する。

この発明は上述 した複数の実施形態に限定される こ と な く 、 この発明の範囲内で種々変形可能である。 例えば、 上述 した 実施形態において、 処理電極は、 処理対象と なる基板と ほぼ 同一の寸法を有 した構成と したが、 基板よ り も寸法の小さ な 処理電極を用い、 この処理電極と基板と を相対的に移動させ る こ と によ り基板の全面を電界処理する構成と しても よい。

また、 上述 した実施形態では、 前面基板および背面基板の 両方を真空雰囲気中で電界処理する構成と してが、 少な く と も一方の基板を電界処理する こ と によ つても耐圧特性の向上 した画像表示装置を得る こ とができる。 この発明は、 F E D に限らず、 他の画像表示装置にも適用可能である。

産業上の利用可能性

以上詳述 したよ う に、 本発明によれば、 長寿命で耐圧特性 に優れ、 信頼性の向上 した高性能の画像表示装置を製造可能 な製造方法、 および製造装置を提供する こ とができる。

Claims

請 求 の 範 囲

1 . 蛍光面が形成された前面基板と 、 複数の電子放出素 子が設けられた背面基板と を備えた画像表示装置の製造方法 において、

真空雰囲気中で、 上記前面基板および背面基板の少な く と も一方の基板と処理電極と を対向させ、 上記少な く と も一方 の基板と処理電極との間に電界を印加 して上記少な く と も一 方の基板を電界処理 し、

上記電界処理の後、 上記前面基板と背面基板と を真空雰囲 気中に維持 した状態で互いに封着する画像表示装置の製造方 法。

2 . 真空雰囲気中で、 ゲッ タ フラ ッ シュによ り 上記前面 基板の蛍光面側にゲッ タ膜を形成した後、 上記電界処理を行 う請求項 1 に記載の画像表示装置の製造方法。

3 . 上記電界処理を行った後、 上記封着の前に、 真空雰 囲気中で、 ゲッ タ フラ ッ シュによ り 上記前面基板の蛍光面側 にゲッ タ膜を形成する請求項 1 に記載の画像表示装置の製造 方法

4 . 真空雰囲気中で、 上記電界処理を行った後、 上記前 面基板の蛍光面側にゲッ タ フ ラ ッ シュによ リ ゲッ タ膜を形成 し、 このゲッ タ 膜の形成された前面基板に対 し再び上記電界 処理を行う請求項 1 に記載の画像表示装置の製造方法

5 . 蛍光面が形成された前面基板と 、 複数の電子放出素 子が設けられた背面基板と を備えた画像表示装置の製造方法 において、 真空雰囲気中で、 上記前面基板の蛍光面側にゲッ タ フ ラ ッ シュによ り ゲッ タ膜を形成し、

上記前面基板のゲッ タ膜側と処理電極と を対向 させ、 上記 前面基板と処理電極との間に電界を印加 して上記前面基板を 電界処理 し、

上記電界処理された前面基板を真空雰囲気中に維持 した状 態で、 前記背面基板と封着する画像表示装置の製造方法。

6 . 蛍光面が形成された前面基板と 、 複数の電子放出素 子が設け られた背面基板と を備えた画像表示装置の製造方法 において、

真空雰囲気中で、 上記前面基板の蛍光面側と処理電極と を 対向させ、 上記前面基板と処理電極との間に電界を印加 して 前面基板を電界処理 した後、 上記電界処理された前面基板の 蛍光面側にゲッ タ フ ラ ッ シュによ り ゲッ タ膜を形成 し、 上記ゲッ タ 膜の形成された前面基板を真空雰囲気中に維持 した状態で、 前記背面基板と封着する画像表示装置の製造方 法。

7 . 真空雰囲気中で、 上記前面基板のゲッ タ 膜と処理電 極と を対向 させ、 上記前面基板と処理電極との間に電界を印 加 して前面基板を電界処理した後、 上記前面基板を真空雰囲 気中に維持 した状態で、 前記背面基板と封着する請求項 6 に 記載の画像表示装置の製造方法。

8 . 真空雰囲気中で、 上記前面基板の下方に配置された ゲッ タ材を蒸発させて上記ゲッ タ膜を形成する請求項 2 ない し 7 のいずれか 1 項に記載の画像表示装置の製造方法。

9 . 蛍光面が形成された前面基板と 、 複数の電子放出素 子が設け られた背面基板と を備えた画像表示装置の製造方法 において、

真空雰囲気中で、 上記前面基板と 開孔部を有 した処理電極 と を対向 させ、 上記前面基板と処理電極との間に電界を印加 して上記前面基板を電界処理 し、

上記電界処理の後、 上記前面基板と背面基板と を真空雰囲 気中に維持 した状態で互いに封着する画像表示装置の製造方 法。

1 0 . 真空雰囲気中で、 上記処理電極を通 してゲッ タ フ ラ ッ シュ を行い上記前面基板の蛍光面側にゲッ タ膜を形成し た後、 上記電界処理を行う請求項 9 に記載の画像表示装置の 製造方法。

1 1 . 上記電界処理を行った後、 上記封着の前に、 真空 雰囲気中で、 上記処理電極を通 してゲッ タ フ ラ ッ シュ を行い 上記前面基板の蛍光面側にゲッ タ 膜を形成する請求項 9 に記 載の画像表示装置の製造方法

1 2 . 真空雰囲気中で、 上記電界処理を行った後、 上記 処理電極を通 してゲッタ フラ ッ シュ を行い上記前面基板の蛍 光面側にゲッ タ 膜を形成し、 このゲッ タ膜の形成された前面 基板に対 し再び上記電界処理を行う請求項 9 に記載の画像表 示装置の製造方法

1 3 . 上記ゲッ タ フラ ッ シュによ り 上記処理電極上にゲ ッ タ膜を形成する請求項 1 0 ない し 1 2 のいずれか 1 項に記 載の画像表示装置の製造方法。

1 4 . 上記ゲッ タ フラ ッ シュに用いるゲッ タ材と上記処 理電極との間のコ ンダク タ ンスを、 上記処理電極と前面基板 との間のコ ンダク タ ンスよ り も大き く 設定 した状態で、 上記 ゲッ タ フ ラ ッ シュを行う請求項 1 0 ない し 1 2 のいずれか 1 項に記載の画像表示装置の製造方法。

1 5 . 蛍光面が形成された前面基板と 、 複数の電子放出 素子が設けられた背面基板と を備えた画像表示装置の製造装 置において、

内部が真空に維持されている と と もに上記前面基板および 背面基板の少な く と も一方の基板を収納可能な真空チャ ンバ 上記真空チャ ンバ内に上記少な く と も一方の基板と対向 し て配置された処理電極と 、

上記少な く と も一方の基板と処理電極との間に電界を印加 する電界印加部と、

上記真空チャ ンバ内に設け られ上記少な く と も一方の基板 にゲッ タ膜を形成するゲッ タ装置と 、 を備えた画像表示装置 の製造装置。

1 6 . 蛍光面が形成された前面基板と 、 複数の電子放出 素子が設け られた背面基板と を備えた画像表示装置の製造装 置において、

内部が真空に維持されている と と もに上記前面基板を収納 可能な真空チャ ンバと 、

上記真空チャ ンバ内に上記前面基板と対向 して配置され開 孔部を有 した処理電極と 、 上記前面基板と処理電極との間に電界を印加する電界印加 部と、

を備えた画像表示装置の製造装置。

1 7 . 上記真空チャ ンバ内において、 上記処理電極を間 に挟んで上記前面基板と対向 して配置され、 上記前面基板上 にゲッ タ膜を形成するゲッ タ 装置を備えている請求項 1 6 に 記載の画像表示装置の製造装置。

1 8 . 上記ゲッタ装置は、 上記処理電極を間に挟んで上 記前面基板と対向 して配置されたゲッ タ材を備え、 ゲッ タ材 と上記処理電極との間のコ ンダク タ ンスは、 上記処理電極と 前面基板との間のコ ンダク タ ンスよ り も大き く 設定されてい る請求項 1 7 に記載の画像表示装置の製造装置。