WO2004049381A1 - 偏向ヨークおよび陰極線管装置 - Google Patents

Description

明細書

発明の名称 偏向ヨークおよび陰極線管装置 技術分野

本発明は、 偏向ヨーク および陰極線管装置に関し、 特に、 ラ ス タ ー歪 みを補正するための技術に関する。 背景技術

テ レビジ ョ ン等に用いられる陰極線管 （以下、 「 C R T」 という。 ） 装置では、 電子銃から射出された電子ビームを C R Tにおけるフ ァ ンネ ル部の外周に設けられた偏向ヨーク が発生する磁界によ り偏向 し、 パネ ル部を走査させる こ とによ って画像が表示される。 こ こで、 電子ビーム の照射面となるス ク リ ーンを備えるパネル部は、 電子ビームの偏向点を 中心とする球面を有さず、 ス ク リ ー ン周辺に行く ほど偏向点から ビーム 照射点までの距離が長く なる形状となっている。 このため、 電子ビーム の振れは、 ス ク リ ー ンの四隅で最も大き く なり、 図 9 ( a ) に示すよう な、 ラスター歪みの一種であるピンク ッ シ ョ ン歪みを生ずるこ とになる, 図 9 ( a ) に示すピンク ッ シ ョ ン歪みの内、 X方向の歪み （左右ピン ク ッ シ ョ ン歪み） については、 通常、 左右ピンク ッ シ ョ ン歪み補正回路 に よ り補正がなされる。 一方、 Y方向の歪み （上下ピン ク ッ シ ョ ン歪 み） については、 偏向ヨークの枠体におけるパネル側の前縁上下に一対 の永久磁石を配する こ とによ り、 解消あるいは低減が図られている （例 えば、 特公昭 5 8— 2 0 4 5 5号公報、 特公昭 6 3— 1 8 8 3 6号公報 参照） 。 その補正原理について、 図 9 ( b ) を用いて説明する。 図 9

( b ) は、 C R Tの管軸よ り も上の部分での、 永久磁石が電子ビームに 対して及ぼす影響を示す模式図である。

図 9 ( b ) に示すよう に、 永久磁石は図面に向かって X方向右側に N 極、 左側に S極となる よ う に配置されている。 永久磁石は、 管軸方向

(図面の手前に向けた方向） に飛翔して く る R， G， Bに対応する各電 子ビームに対して、 その飛翔領域に管軸方向と直交する左向きの磁界を 発生させる。 この磁界の影響によって、 電子ビームには、 上向きの口一 レンツ力が作用する こ とになる。 そして、 磁石は、 C R T装置における Y軸上に設け られている こ とから、 パネル部のス ク リ ー ンの左右方向 ( X方向に相当） の中央部を走査する電子ビームほど大きな口一 レンツ 力が作用する こ とになり、 ピンク ッ シ ョ ン歪みの補正を図る こ とが可能 となる。

なお、 図示は していないが、 永久磁石は、 磁極が偏向ヨーク の上側に 配された永久磁石とは管軸に対し対称な状態で、 偏向ヨークの前縁下側 にも配されている。 スク リ ーンの下側のピンク ッ シ ョ ン歪みについては こ の下側に配された永久磁石によ って補正される。

C R T装置は、 その駆動において、 起動時点から装置の温度が上昇す る。 .その温度差は、 C R T装置のおかれた環境温度にもよるが、 例えば 数十 （°C ) にもなる こ とがある。 このよう に、 駆動によ って装置の温度 が上昇した場合には、 永久磁石の着磁量は負の温度特性をも って変化す る。 このよう に負の温度特性をも って永久磁石の着磁量が変化する と、 適正なピンク ッ シ ョ ン歪みの補正が維持できなく なる。

これに対して、 偏向ヨー ク の枠体に装着された永久磁石の外側側面に 負の温度特性をも って透磁率が変化するような特性を有する合金からな る磁性体を装着するこ とで、 装置の温度変化によ っても ピンク ッ シ ョ ン 歪みの補正が維持されるような技術が開発されている （特開 2 0 0 1 ― 1 2 6 6 4 2号公報参照） 。 と こ ろで、 近年、 C R T装置においては、 そのパネル部のフラ ッ ト化 が進んできているが、 このようなフラ ッ ト なパネル部を有する C R T装 置に対しては、 ピンク ッ シ ョ ン歪みを補正するために、 よ り着磁量の大 きな永久磁石を装着する必要がある。 例えば、 こ のよ う なパネル部を有 する C R T装置では、 永久磁石の着磁量を、 従来型の C R T装置に比べ て 3〜 5倍大き く する こ とが必要となる。 よ って、 このよう な C R T装 置では、 温度変化に伴う永久磁石の着磁量変化も大き く なるので、 上記 特開 2 0 0 1 — 1 2 6 6 4 2号公報の歪み補正方法では、 装置の温度変 化に対して十分にピンク ッ シ ョ ン歪みの補正ができないという問題も生 じる。 即ち、 着磁量の大きな永久磁石にあっては、 温度の変化に伴う着 磁量の変化も大き く 、 上述のよう に、 負の温度特性をも って透磁率が変 化するよう な特性を有する合金からなる磁性体を装着しても、 永久磁石 の着磁量変化に伴う ラスタ歪み補正能力の変化を十分に補正する こ とが できない。

さ らに、 別の課題と して、 永久磁石は、 着磁量を大き く すればするほ ど、 そのバラツキも増大して しまう。 よって、 これを C R T装置に用い る場合には、 適正なピンク ッ シ ョ ン歪みの補正ができなく なって しまう という問題が生じる。 このような永久磁石の着磁量のバラツキという問 題に対しては、 C R T装置の製造段階において、 永久磁石の選別を行い 最適な永久磁石だけを用いる という工数のかかる方法を採用するならば 理論上は解決する こ とが出来る ものの、 コス ト面などを考慮する と き、 このような方法を採用するこ とは現実的ではない。 発明の開示

本発明は、 上述のような問題を解決しょう となされたものであって、 永久磁石の個体差による着磁量パラツキを補正し、 また、 装置の温度変 化に対しても適正なラスター歪みの補正を維持するこ とができる偏向ョ ークおよびこれを備える C R T装置を提供するこ とを 目的とする。 上記目的を達成するために、 本発明に係る偏向ヨークおよび C R T装 置は、 以下の特徴を有する。

( 1 ) C R Tの外周に配され、 C R Tのネ ッ ク部に収納された電子銃か らス ク リ ー ンに向け出射される電子ビームに対して偏向磁界を作用させ て、 当該電子ビームをスク リ ーン上で走査する偏向ヨークであって、 ス ク リ ーン上における電子ビームの照射位置を補正するための磁石を有し 当該磁石は、 S極および N極の両端面の内の少なく とも一方の面上に、 負の温度特性をも って透磁率が変化する磁性体が装着されているこ とを 特徴とする。

本発明に係る偏向ヨークにおいては、 ピンク ッ シ ョ ン歪みを補正する ために設けられた磁石に対し、 その磁極 （ S極、 N極） である端面に負 の温度特性をも って透磁率が変化するような特性を有する磁性体を装着 した構成と したので、 当該磁性体と磁石の他方の磁極との間に磁力線の バイパスが形成されるに至り、 磁石からの磁力線を上記バイパスへ.と集 中させる こ とによって、 電子ビームに対し影響を与える磁力線の補正が 効率よ く なされる。 よって、 こ の偏向ヨークでは、 温度上昇によって磁 石の着磁量が減少し、 これによ つて磁石からの ト ータルと しての磁力線 が低下するが、 磁性体の装着によって形成されるバイ パスを通る磁力線 の割合も低下する こ とか ら ラ ス タ ー歪みを補正する機能が維持され、 且 つ、 上記のよう に磁性体を磁石の端面に装着する こ と に よ り温度上昇に 伴ってバイパスを通る磁力線の割合が低下する度合いも大き く なるので 磁石からの磁力線の温度変化を補正する効果が大きい。

従って、 本発明に係る偏向ヨークでは、 周 り の温度に影響を受ける こ となく 、 常に安定したラスター歪みの補正がなされる。

また、 本発明に係る偏向ヨークでは、 フ ラ ッ ト なパネル部を有する C R T装置のピンク ッ シ ョ ン歪みの補正に対処すべく 、 大きな着磁量を有 する磁石を偏向ヨークに装着する場合にあっても、 磁石の個体差による 着磁量のバラツキを効果的に低減する こ とができる。 即ち、 透磁率およ びその温度特性が異なる磁性体を数種類用意しておき、 磁石の着磁量に 応じて最適な特性を有する磁性体を選択して装着するこ とで、 バラツキ の低減を図る こ とが出来る。

この場合には、 バラツキを小さ く すべく磁石の選択を行う場合に比べ て、 偏向ヨークを作製する際の工数の上昇を抑制するこ とが可能となり コ ス ト の低減に効果を奏する。

また、 本発明に係る偏向ヨークは、 磁石の磁極に相当する端面に磁性 体を装着する こ とによ り、 温度変化による磁石の着磁量の変化を効果的 に補正する こ とが可能となる。 即ち、 上記特開 2 0 0 1 — 1 2 6 6 4 2 号公報の偏向ヨークのよう に、 磁石における磁極ではない側面に磁性体 を装着する場合に比べて、 磁束密度の高い部分での着磁量補正が可能で ある。 よ って、 フラ ッ ト なパネル部を有する C R T装置に対応すべく 、 大きな着磁量を有する磁石を用いる場合にも、 温度変化に伴う着磁量の 変化の補正を十分に行う こ とが出来る。

従って、 本発明に係る偏向ヨークは、 永久磁石の個体差による着磁量 パラツキを補正し、 また、 装置の温度変化に対しても適正なラスタ一歪 みの補正が持続させるこ とができる C R T装置を構成する上で効果を奏 する。

( 2 ) 上記 （ 1 ) の偏向ヨークにおいて、 磁石は、 その両端面の外縁間 を結ぶ側面を有する柱状体であり、 磁石の側面を平面視する と き、 磁性 体は、 略コの字状を しており、 磁石における外縁を挟む端面と側面の一 部領域を覆っているこ とを特徴とする。

( 3 ) 上記 （ 2 ) の偏向ヨークにおいて、 磁石は、 矩形断面を有してお り、 磁性体は、 磁石の 4側面全てに対して、 その一部領域を覆う状態で 装着されているこ とを特徴とする。

( 4 ) 上記 （ 1 ) の偏向ヨーク において、 磁性体は、 F e、 N i 、 C r の少なく と も 1種を含む合金からなる ものである こ とを特徴とする。 具 体的には、 F e _ N i 系合金や F e — N i - C r系合金などである。

( 5 ) 上記 （ 1 ) の偏向ヨーク において、 磁性体が装着されてなる磁石 は、 当該偏向ヨークにおける C R Tのスク リ ーン側縁部に配されている こ とを特徴とする。

( 6 ) 上記 （ 5 ) の偏向ヨーク において、 磁性体が装着されてなる磁石 は、 対をな して設けられており、 この対をなす磁石は、 互いに C R Tの 管軸に対して線対称となるよう に配置されている こ とを特徴とする。

( 7 ) 上記 （ 6 ) の偏向ヨークにおいて、 一対の磁石に装着される磁性 体は、 温度変化に対し略同一の透磁率の変化特性を有するこ とを特徴と する。

なお、 こ こでいう略同一とは、 磁石が有する温度特性を実質的に補正 しう る範囲での同一である。

( 8 ) スク リ ーンを内面に有するパネル部と、 当該パネル部に対向する 位置に配置された電子銃を収納するネ ッ ク部と、 パネル部とネ ッ ク部と を連接するフ ァ ンネル部とからなり、 電子銃からス ク リ ーンに向けて電 子ビームが射出される C R Tと、 C R Tの外周に配され、 ネ ッ ク部に収 納された電子銃からス ク リ ーンに向け出射される電子ビームに対して偏 向磁界を作用させて、 当該電子ビームをスク リ ーン上で走査する偏向ョ 一ク とを有する C R T装置であって、 偏向ヨークは、 ス ク リ ー ン上にお ける電子ビームの照射位置を補正するための磁石を有し、 当該磁石は、 S極および N極の両端面の内の少なく と も一方の面上に、 負の温度特性 をも って透磁率が変化する磁性体が装着されているこ とを特徴とする。 本発明に係る C R T装置においては、 上記のよう に、 ピンク ッ シ ョ ン 歪みを補正するために設けられた磁石に対し、 負の温度特性をも って透 磁率が変化する よ う な特性を有する磁性体を、 磁石の磁極 （ S極、 N 極） である端面に装着した構成の偏向ヨークを備えているので、 当該磁 性体と磁石における他方の磁極との間で磁力線のバィパスを形成される に至り、 磁石からの磁力線に対して大きな影響度合いをも って、 温度変 化に伴う磁石の着磁量の変化を補正する こ とが出来る。 よって、 本発明 に係る C R T装置では、 温度変化に関わらずラスター歪みの補正が良好 になされる。

また、 上記のよ う に磁石の端面に磁性体を装着するこ とによって、 磁 性体が磁石からの磁力線に大きな影響を有するので、 着磁量のバラツキ の大きい磁石に対しても、 その着磁量の補正が良好になされる。

従って、 本発明に係る C R T装置では、 永久磁石の個体差による着磁 量バラツキを補正し、 また、 装置の.温度変化に対しても適正なラスター 歪みの補正が持続させる こ とができ、 高い品質性能を有する。

( 9 ) 上記 （ 8 ) の C R T装置において、 磁石は、 その両端面の外縁間 β を結ぶ側面を有する柱状体であり、 磁石の側面を平面視するとき、 磁性 体は、 略コの字状を しており、 磁石における外縁を挟む端面と側面の一 部領域を覆っている こ とを特徴とする。

( 1 0 ) 上記 （ 9 ) の C R T装置において、 磁石は、 矩形断面を有して おり、 磁性体は、 磁石の 4側面全てに対して、 その一部領域を覆う状態 で装着されている こ とを特徴とする。

( 1 1 ) 上記 （ 1 4 ) の C R T装置において、 磁性体は、 F e、 N i 、

C r の少なく とも 1種を含む合金からなる ものである こ とを特徴とする , 具体的には、 F e _ N i 系合金や F e — N i 一 C r系合金などである。

( 1 2 ) 上記 （ 8 ) の C R T装置において、 磁性体が装着されてなる磁 石は、 当該偏向ヨーク における C R Tのスク リ ーン側縁部に配されてい る こ とを特徴とする。

( 1 3 ) 上記 （ 1 2 ) の C R T装置において、 磁性体が装着されてなる 磁石は、 対をなして設けられており、 こ の対をなす磁石は、 互いに C R Tの管軸に対して線対称となるよう に配置されている こ とを特徴とする

( 1 4 ) 上記 （ 1 3 ) の C R T装置において、 一対の磁石に装着される 磁性体は、 温度変化に対し略同一の透磁率の変化特性を有する こ とを特 徴とする。

なお、 こ こ でいう略同一とは、 磁石が有する温度特性を実質的に補正 しう る範囲での同一である。

( 1 5 ) 上記 （ 8 ) に係る C R T装置であって、 パネル部に配されたス ク リ ーンに近接してシ ャ ドウマスクが設けられており、 当該シ ャ ドウマ ス クは、 テ ンシ ョ ンが付加された状態で保持されているこ とを特徴とす る。 即ち、 本発明は、 フラ ッ ト なパネルを備える C R T装置に対しても 有効である。 図面の簡単な説明

図 1 ； 本発明の実施の形態に係る C R T装置 1 の要部側面図である。 図 2 ； C R T装置 1 における偏向ヨーク 3 0を示す斜視図である。 図 3 ； 偏向ヨーク 3 0を正面方向から矢視したときの正面図である。 図 4 ； ( a ) は、 偏向ヨーク 3 0に備えられる補正ユニッ ト 3 4 0の 斜視図を示し、 （ b ) は、 その側面図である。

図 5 ； ( a ) は、 従来の補正ユニッ ト 8 4 0が作用を及ぼす磁界分布 を示す概念図であり、 （ b ) 、 偏向ヨーク 3 0の補正ユニッ ト 3 4 0が 作用を及ぼす磁界分布を示す概念図である。

図 6 ； ( a ) は、 永久磁石 3 4 1 の飽和磁束密度のパラツキを示す分 布図であり、 （ b ) は、 永久磁石 3 4 1 に磁性体 3 4 2を装着した補正 ュニッ ト 3 4 0 と しての飽和磁束密度のパラツキを示す分布図である。

図 7 ； 永久磁石 3 4 1 および補正ュニッ ト 3 4 0の各々 において、 温度変化に応じた飽和磁束密度の変化を示す特性図である。

図 8 ; ( a ) 〜 （ c ) は、 変形例に係る補正ユニッ ト 4 4 0、 5 4 0 6 4 0の各形態を示す斜視図である。

図 9 ； ( a ) は、 C R T装置において発生する ピンク ッ シ ョ ン歪みの 形態を示す模式図であり、 （ b ) は、 偏向コ イ ルに備え られた永久磁石 が電子ビームに対して及ぼす影響を示す概念図である。 発明を実施するための最良の形態

以下では、 発明を実施するための裁量の形態と して、 C R T装置 1 を 一例に説明する。

( 1 ) C R T装置 1 の全体構成

C R T装置 1 の全体構成について、 図 1 を用いて説明する。 図 1 は、 C R T装置 1 の要部を抜き出 して示した要部側面図である。

図 1 に示すよう に、 C R T装置 1 は、 密閉容器である C R T 1 0 と、 この外周に配置された偏向ヨーク 3 0 とを有している。 この内、 C R T 1 0は、 内側に蛍光スク リ ーン （不図示） が設けられたパネル部 1 1 と 電子銃 2 0が収納されたネ ッ ク部 1 3、 パネル部 1 1 とネッ ク部 1 3 と を連接するフ ァ ンネル部 1 2 とから構成されている。

電子銃 2 0は、 イ ンラ イ ン型のものであり、 青 （B) 、 緑 （G) 、 赤 (R) に対応する 3つの電子ビーム出射部から構成されている。

偏向ヨーク 3 0の構成については、 後述するが、 C R T 1 0のフ ァ ン ネル部 1 2からネ ッ ク部 1 3 にかけての領域において、 その外周に沿う ように配されている。

( 2 ) 偏向ヨーク 3 0の構成

上記 C R T装置 1 を構成する要素の内、 本実施の形態の特徴部分であ る偏向ヨーク 3 0の構成について、 図 2および図 3を用いて説明する。 図 2は、 偏向ヨーク 3 0の斜視図であり、 図 3は、 偏向ヨーク 3 0をパ ネル部 1 1側よ り矢視した正面図である。

図 2に示すよう に、 偏向ヨーク 3 0は、 上記図 1 に示す C R T 1 0に おけるフ ァ ンネル部 1 2からネッ ク部 1 3の外周形状に沿う よう に漏斗 状に形成された枠体 3 0 0 と、 枠体 3 0 0の内側面に沿って配されたサ ドル型の水平偏向コ イル 3 1 0 と、 枠体 3 0 0の外側面にそって配され たサ ドル型の垂直偏向コ イ ル 3 2 0 と、 垂直偏向コ イ ル 3 2 0の外側を 覆う よう に配されたフ ヱ ライ ト コア 3 3 0 とから構成されている。

なお、 フ ヱ ライ ト コア 3 3 0は、 一対の対称な半環状のコ ア部材 3 3 1 、 3 3 2を組み合わせる こ とによ り構成されている。

偏向ヨーク 3 0の構成要素の内、 枠体 3 0 0は、 全体にわたって略均 一な厚みの板状絶縁体 （樹脂成型品） で構成されており、 上記漏斗状に 形成された部分に続く ス ク リ ーン側部分は、 略方形を した額縁状に形成 されている。 以下においては、 こ の額縁状に形成された部分を前面フ レ —ム部 3 0 0 a という。

こ の前面フ レーム 3 0 0 a における Y方向の上下端部から Z方向前方 (上記図 1 におけるパネル部 1 1 に向けた方向） に突き出すよう に、 棚 部分 3 0 0 bが形成されている。 各棚部分 3 0 0 bからは、 それぞれ 4 本の爪部 3 0 0 cが Y方向に延設されている。 そ して、 各棚部分 3 0 0 bの面上には、 各爪部 3 0 0 cに挟まれた状態で、 柱状の補正ユニッ ト 3 4 0が載置され、 接着剤などで接合されている。

図 3に示すよう に、 補正ユニッ ト 3 4 0は、 前面フ レーム 3 0 0 aの 上下にそれぞれ 1 つずつ装着されている。 各補正ユニ ッ ト 3 4 0は、 長 手方向中程に配された永久磁石 3 4 1 と、 その両端面 3 4 1 a、 3 4 1 bに接合され、 上記図 2の Y軸方向に見たときに略コの字状の磁性体 3 4 2 とから構成されている。 永久磁石 3 4 1 と磁性体 3 4 2 とは、 接着 剤などを用いて接合されている。 こ こで、 図 2、 3に示すよう に、 磁性 体 3 4 2は、 永久磁石 3 4 1 の端面 3 4 1 a、 3 4 1 b と側面 3 4 1 c の各面の一部領域を覆う状態で接合されている。

磁性体 3 4 2が接合された永久磁石 3 4 1 の端面 3 4 1 a、 3 4 1 b は、 それぞれ N極と S極となっている。

前面フ レーム 3 0 0 aの上下に対をなして装着されている 2つの補正 ュニッ ト 3 4 0は、 C R T 1 0の管軸に対して線対称で配されている。 即ち、 図 3に示すよう に、 前面フ レーム 3 0 0 aの上側に装着された補 正ユニッ ト 3 4 0 と、 下側に装着された補正ユニ ッ ト 3 4 0 とは、 各永 久磁石 3 4 1 の磁性が紙面の左右で反対となるような配置関係を有する なお、 本実施の形態に係る C R T装置 1 においては、 各補正ユニ ッ ト 3 4 0の永久磁石 3 4 1 における端面 3 4 1 aが N極、 端面 3 4 1 bが S極となっている。

( 3 ) 補正ユニッ ト 3 4 0の構成

補正ユニッ ト 3 4 0について、 図 4を用いて少し詳しく 説明する。 図 4 ( a ) は、 補正ユニ ッ ト 3 4 0 の構成を示す斜視図であ り 、 図 4

( b ) は、 （ a ) に示す補正ユニッ ト 3 4 0を A方向から矢視した端面 図である。

図 4 ( a ) に示すよう に、 補正ユニ ッ ト 3 4 0は、 角柱状を した永久 磁石 3 4 1 と磁性体 3 4 2 とから構成されているが、 この内、 磁性体 3 4 2は、 上記のよう に平面視で略コの字状を有している。 即ち、 各々 の 磁性体 3 4 2は、 永久磁石 3 4 1 の両端面 3 4 1 a、 3 4 l bの一部領 域を覆う第 1 部分 3 4 2 a、 3 4 2 b と、 側面 3 4 1 cの一部領域を覆 う第 2部分 3 4 2 c とから構成されている。 これによ つて、 磁性体 3 4 2は、 互いの第 2部分 3 4 2 c間に永久磁石 3 4 1 からの磁力線のバイ パスを形成する状態となっている。

また、 磁性体 3 4 2は、 負の温度特性をも って透磁率が変化するよう な特性を有する。 このよう な特性を有する磁性体と しては、 例えば、 N i 、 F e、 C r を含む合金で構成される合金から形成されている ものを 用いるこ とが出来る。 具体的には、 F e— N i 系合金、 F e _ N i — C r系合金 （例えば、 住友特殊金属株式会社、 商品名 ： 整磁合金、 品番 ： M S— 1 、 M S— 2、 M S - 3 ) を用いる こ とが出来る。

また、 永久磁石 3 4 1 の種類については制限がないが、 例えば、 B a 〇 · 6 F e ₂0₃を主原料とする ものを用いる こ となどが出来る。

図 4 ( a ) 、 ( b ) に示すよう に、 接合する磁性体 3 4 2のサイ ズに ついては、 永久磁石 3 4 1 の着磁量に応じて設定する必要がある。 例え ば、 磁性体 3 4 2の厚み T = l . 0 (mm) に設定し、 永久磁石 3 4 1 の端面 3 4 1 &の寸法を11 1 =¥ 1 = 9 (mm) に設定すると き、 磁性 体 3 4 2の高さ H 2は、 4. 0 (mm) に設定されている。

図 4 ( b ) に示すよう に、 永久磁石 3 4 1 の幅 W 1 に対応する磁性体 3 4 2の幅は、 例えば、 （ W 1 + 2 T ) に設定されている。

なお、 磁性体 3 4 2については、 必ずしも平面視コの字状に設定する 必要はなく 、 永久磁石 3 4 1 の磁極をなす端面 3 4 1 a、 3 4 1 bの表 面上に接合できる ものであれば用いる こ とが可能である。 これについて は、 後述する。

( 4 ) 補正ユニッ ト 3 4 0 における磁界補正

次に、 C R T装置 1 の偏向ヨーク 3 0に備え られている補正ュニ ッ ト 3 4 0が発生する磁界について、 図 5を用いて説明する。 図 5 ( a ) は. 上記特開 2 0 0 1 — 1 2 6 6 4 2号公報 （以下、 「従来の技術」 とい う。 ） の偏向ヨークに備え られた形態の補正ユニッ ト 8 4 0が発生する 磁界を示す概念図であり、 図 5 (b ) は、 本実施の形態に係る偏向ョー ク 3 0に備えられている補正ュニッ ト 3 4 0が発生する磁界を示す概念 図である。

図 5 ( a ) に示すよう に、 従来の技術に係る補正ユニッ ト 8 4 0は、 永久磁石 8 4 1 の一方の側面に対して、 磁性体 8 4 2が接合されている , この補正ュニッ ト 8 4 0において、 永久磁石 8 4 1 からの磁力線を分析 する と、 主に、 永久磁石 8 4 1 の磁極面以外の部分、 即ち、 永久磁石 8 4 1 の側面からの磁力線成分 5 0 1 と、 N極から S極に向けての磁力線 成分 5 0 2 とに概念上分路されている。 そ して、 磁力線成分 5 0 1 は、 磁力線成分 5 0 2に比べて小さ く 、 C R T装置において実際に電子ビー ムに対して及ぼす影響が大きいのは、 磁力線成分 5 0 2である。

従って、 図 5 ( a ) に示すよう に、 従来の技術に係る補正ユニッ ト 8 4 0では、 永久磁石 8 4 1 の側面に磁性体 8 4 2を接合しているので、 電子ビームに対する影響の小さい磁力線成分 5 0 1 に影響を及ぼすこ と によ つ.て、 磁界の強さを補正していたこ とになる。

これに対して、 図 5 ( b ) に示すよう に、 本実施の形態に係る偏向ョ —ク 3 0 に備え られた補正ユニ ッ ト 3 4 0では、 磁性体 3 4 2を、 永久 磁石 3 4 1 の両磁極 （N極、 S極） に相当する両端面 3 4 1 a、 3 4 1 b と側面 3 4 1 cの一部領域を覆う ように接合しているので、 両磁性体 3 4 2間で永久磁石 3 4 1 からの磁力線のバイパスが形成された状態を 有する。 よ って、 永久磁石 3 4 1 からの磁力線は、 両磁極である端面 3 4 1 a、 3 4 1 bおよび側面 3 4 1 c を覆う よう に装着された 2つの磁 性体 3 4 2 によ り、 バイパスに集中する磁力線成分 5 0 1 と、 実質的に 電子ビームに対して影響を及ぼす磁力線成分 5 0 2 とに分路される。

本実施の形態に係る補正ユニ ッ ト 3 4 0では、 図 5 ( b ) に示すよう に永久磁石 3 4 1 の両端面 3 4 1 a、 3 4 l bを覆っているので、 永久 磁石 3 4 1 からの磁力線に対して大きな影響を与える こ とができる。 よ つて、 補正ユニ ッ ト 3 4 0では、 永久磁石 3 4 1 からの磁力線を磁性体 3 4 2で一旦吸収させ、 その内の磁力線成分 5 0 1 を磁性体 3 4 2の第 2部分 3 4 2 c間に形成されたパイパスに導く こ とが出来、 電子ビーム を補正するのに実質的に効果を有する磁界に対して高い影響をも って効 率よ く補正できる。

従って、 本実施の形態に係る補正ユニッ ト 3 4 0においては、 パネル 部のフ ラ ッ ト化に伴って大きな着磁力を有する永久磁石 34 1 を用いた 場合にも、 永久磁石 34 1 の着磁量のパラツキの補正、 および温度変化 に伴う永久磁石 34 1の着磁量の変化を効率よ く補正する こ とが可能と なる。

なお、 上記図 3に示すよう に、 補正ユニ ッ ト 340を偏向ヨーク 3 0 の上下に一対で装着する場合には、 永久磁石 34 1の着磁量、 磁性体 3 42の特性などを含めた補正ュニ ッ ト 34 0の特性が略同一である もの を用いる こ とが望ま しい。

(5) 補正ュニッ ト 340における着磁量のバラツキ補正方法

上述のよう に、 永久磁石においては、 通常、 その着磁量を大き く しょ う とすればするほど、 個体差による着磁量のバラツキも大き く なる。 こ れをそのまま偏向ヨーク に用いた場合には、 設計通り にピンク ッ シ ョ ン 歪みの補正ができなく なって しまう。 この場合に、 複数の永久磁石を用 意しておき、 所望の着磁量を有する永久磁石を選別して用いるという方 法は、 製造工数の面などから実際に採用する こ とは出来ない。

そこで、 .本実施の形攀においては、 透磁率の異なる磁性体 342を数 種類用意しておき、 永久磁石 34 1の着磁量に応じて、 最適な透磁率を 有する磁性体 342を装着する、 という方法を採っている。 着磁量のバ ラツキを補正する方法の一例について、 図 6を用いて説明する。 図 6は ( a ) が永久磁石 34 1単体での飽和磁束密度のバラツキを示す分布図 であり、 （b) が永久磁石 34 1 に磁性体 34 2を装着した補正ュニ ッ ト 34 0と しての飽和磁束密度のバラツキを示す分布図である。 こ こ で 着磁量のバラツキをみる指標と して、 飽和磁束密度を用いた。

なお、 永久磁石 34 1および磁性体 34 2の使用材料については、 上 記同様であ り、 B a〇 ' 6 F e ₂〇 ₃を主とする材料と、 F e— N i 系 あるいは F e - N i - C r系の合金からなる合金である。

図 6 ( a ) に示すよう に、 永久磁石 34 1単体では、 その製造時にお ける個体差な どの原因に よ り 、 ± 6 0 0 0 ( Ύ ) 、 即ち、 ± 1 0 (%) の飽和磁束密度のパラツキを有している。 これに対して、 本実施の形態においては、 上記図 6 ( a ) の永久磁石 3 4 1 の飽和磁束密度およびそのバラツキを考慮した上で、 最適となる 磁性体 3 4 2をその両端面 3 4 1 a、 3 4 l bに装着している。 その結 果、 図 6 ( b ) に示すよ う に、 補正ユニ ッ ト 3 4 0では、 ± 1 0 0 0 ( T) 、 即ち、 士 2. 5 { % ) にまで、 そのパラツキの低減を図る こ とが出来る。

以上のよう に して、 製造段階における永久磁石 3 4 1 の個体差による 着磁量 （飽和磁束密度） のバラツキを補正するこ とが可能となり、 所望 の飽和磁束密度を有するに至った補正ュニッ ト 3 4 0を偏向ヨーク 3 0 に備える こ とで、 C R T装置 1 における ピンク ッ シ ョ ン歪みの補正が確 実に実施可能となる。

なお、 実際の補正ユニ ッ ト 3 4 0の作製においては、 上記の永久磁石 3 4 1 の個体差による着磁量のバラツキだけを補正するだけでなく 、 装 置温度が変化したと きに永久磁石 3 4 1 の着磁量の変化を補正するこ と も、 磁性体 3 4 2の選択にあたっては重要な因子となる。

( 6 ) 装置温度が変化した場合の補正ユニ ッ ト 3 4 0の飽和磁束密度の 変化

次に、 装置の温度が変化した場合において、 永久磁石 3 4 1単体の飽 和磁束密度の変化と、 補正ユニッ ト 3 4 0の飽和磁束密度の変化との差 異について、 図 7を用いて説明する。

上記のよ う に、 B a O ' 6 F e ₂0₃を主原料とする永久磁石 3 4 1 においては、 通常、 着磁量 （飽和磁束密度） がー 0. 2 ( % / °C ) の温 度特性を有している。 このため、 図 7に示すよう に、 装置の温度を上昇 させて行く と き、 温度に応じて永久磁石 3 4 1 が有する着磁量は減少し て行く 。

これに対して、 磁性体 3 4 2は、 上記合金から構成されているため、 負の温度特性をも って透磁率が変化する特性を有している。 よって、 永 久磁石 3 4 1 の両端面 3 4 1 a、 3 4 1 bおよび側面 3 4 1 cの各一部 領域を覆う ように磁性体 3 4 2を装着して形成された補正ュニッ ト 3 4 0では、 その飽和磁束密度は、 温度の変化によ ってもほとんど変化する こ とはなく 、 4 5 0 0 0 ( μ Ύ ) で安定となる。

即ち、 図 7 に示すよう に、 温度が 0 (°C) の状態においては、 永久磁 石 3 4 1 単体の飽和磁束密度は約 5 5 0 0 0 ( μ Ύ ) であり、 対して補 正ュニッ ト 3 4 0 の飽和磁束密度は、 磁性体 3 4 2 による磁束打ち消し の影響を受けて、 約 4 5 0 0 0 ( Τ ) である。 そして、 上述のよう に. 温度が上昇して行く と、 永久磁石 3 4 1 単体の飽和磁束密度は、 一 0. 2 (% /°C ) の割合で変化して行く 。

一方、 負の温度特性をも って透磁率が変化する特性を有する磁性体 3 4 2は、 温度の上昇に伴って、 透磁率が低下して行き、 磁束打ち消 しの 影響度合いが小さ く なつて行く。 本実施の形態においては、 図 7 に示す よう に、 温度上昇に伴う永久磁石 3 4 1 の飽和磁束密度の減少と、 磁性 体 3 4 2の透磁率の減少とをバランス させるこ とによ って、 補正ュニッ ト 3 4 0 と しては、 温度変化に関わり なく 安定した飽和磁束密度を維持 するこ とが出来る ものである。

以上のよう に、 補正ユニ ッ ト 3 4 0 を備える C R T装置 1 では、 駆動 開始から装置の温度が上昇した場合に も、 ピンク ッ シ ョ ン歪みの補正が 持続して、 且つ、 確実に行われる。 よ って、 C R T装置 1 は、 温度変化 に影響を受けるこ となく 、 常に高い画像品質.が維持されるこ とになる。

なお、 フ ラ ッ ト なパネル部を有する C R T装置にあっては、 通常、 シ ャ ドウマスクにテ ンシ ョ ンをかけた状態と しているが、 このよう な場合 には、 ピンク ッ シ ョ ン歪みを補正するために、 偏向ヨーク 3 0 に用いる 補正ュニッ ト 3 4 0 の永久磁石 3 4 1 に着磁量の大きいものを用いる必 要が生じる。 このような場合においても、 上記本実施の形態に係る補正 ュニッ ト 3 4 0 の構成を採用すれば、 上記効果を得るこ とが可能となる ( 7 ) 変形例

上記 C R T装置 1 においては、 上記図 4 に示すような形態を有する補 正ユニッ ト 3 4 0 を用いる こ と と したが、 図 8 ( a ) 〜 （ c ) に示すよ うな形態の補正ュニッ ト 4 4 0、 5 4 0、 6 4 0などを用いるこ とによ つても、 上記効果を奏する こ とが可能である。

図 8 ( a ) に示すよう に、 補正ユニ ッ ト 4 4 0は、 永久磁石 4 4 1 の 磁極である両端面 4 4 1 a、 4 4 1 bに磁性体 4 4 2が各々装着されて いる。 即ち、 本変形例に係る補正ユニ ッ ト 4 4 0 と上記実施の形態に係 る補正ュニ ッ ト 3 4 0 との相違点は、 磁性体 4 4 2が永久磁石 4 4 1 の. 側面 4 4 1 cの一部領域を覆う よう に装着されていない点にある。

補正ュニ ッ ト 4 4 0における磁性体 4 4 2のサイ ズについて、 望ま し いサイ ズの一例を表 1 に示す。 ただし、 表 1 は、 永久磁石 4 4 1 の端面 4 4 1 a、 4 4 1 bのサイ ズを H l = 9. 0 (mm) 、 W 1 = 9. 0 (mm) 、 磁性体 4 4 2の厚みを 1 (mm) と したときのものである。 【表 1 】

上記表 1 に示すよう に、 磁性体 3 4 2の断面サイ ズ （H 2 W 2 ) は 永久磁石 3 4 1 の着磁量に比例して大き く 設定するこ とが望ま しい。 た だし、 上記表 1 に示す一例では、 磁性体 3 4 2の厚み Tと高さ H 2 とを それぞれ 1 . 0 (mm) と 4. 0 (mm) に固定して、 幅 W 2を変化さ せたが、 厚み Tおよび高さ H 2を変化させてもよい。 この場合には、 用 いる磁性体 3 4 2の有する透磁率と、 永久磁石 3 4 1 の有する着磁量と の関係、 および温度変化に対する関係の変化などを考慮して設定するこ とが出来る。

また、 図 8 ( b ) に示すよ う に、 2つ目の変形例に係る補正ュニッ ト 5 4 0は、 永久磁石 5 4 1 の磁極である両端面 5 4 1 a、 5 4 1 b と、 4つの側面 5 4 1 c、 5 4 1 e、 · · の各面の一部領域を覆う状態で磁 性体 5 4 2が装着されている。 即ち、 永久磁石 5 4 1 の端面 5 4 1 a , 5 4 1 bを平面視すると きに、 磁性体 5 4 2は略十字状をしている。

1β さ らに、 図 8 ( c ) に示すよう に、 補正ユニッ ト 6 4 0は、 永久磁石 6 4 1 の両端面における Y方向下側に偏った状態でコの字状の磁性体 6 4 2が装着されている。 こ こで、 図 8 ( c ) における Y方向下側は、 偏 向ヨーク に装着した際に管軸側に相当する。 こ の構成を採る こ と によ つ て、 C R T装置において、 電子ビームに近い側における永久磁石 6 4 1 の端面に磁性体 6 4 2 を装着した補正ュニッ ト 6 4 0 を用いる場合には. 電子ビームに対して及ぼす影響の大きい端面の下側を通過する磁束を効 率よ く磁性体 6 4 2で補正する こ とが可能となる。

なお、 以上の変形例は、 本発明の一例であり、 永久磁石に対する磁性 体の装着形態などについては、 種々 のタイ プの採用が可能である。 その 際に注意を要するのは、 上述のよう に、 永久磁石に対する磁性体の影響 度合いを高く するためには、 永久磁石における磁極をなす端面を覆う状 態で磁性体を装着するこ とが必要である。

( 8 ) その他の事項

なお、 上記実施の形態においては、 偏向ヨーク 3 0 の前面フ レーム 3 0 0 a に対し、 上下一対の補正ュニ ッ ト 3 4 0 を装備するこ と と したが 必ずしも一対である必要はな く 、 1 つの補正ュニッ ト を装着する こ とと しても良いし、 また、 2対以上の補正ユニッ ト を装着するこ と と しても 良い。 ただし、 ピンク ッ シ ョ ン補正におけるバランス という観点からは 対と して装着する こ とが望ま しい。 なお、 上記実施の形態においては、 上記のピンク ッ シ ョ ン歪みの内、 パネル部の上下方向における歪み補正 のために補正ュニッ ト 3 4 0 を設けたが、 左右方向の歪みを補正するた めに本発明に係る補正ュニ ッ ト 3 4 0 を用いる こ と と しても良い。

また、 補正ュニ ッ ト における磁性体は、 負の温度特性をも って透磁率 が変化する特性を有する ものであれば、 上記材料から構成されたものに 限定を受ける ものではない。

また、 上記図 4あるいは図 8 に補正ュニッ ト の形態の一例を列挙した が、 永久磁石の着磁量およびその温度特性に応じて、 面積、 厚み、 形状 装着位置を変更設定する こ とが出来る。 また、 本実施の形態では、 偏向ヨーク 3 0 内における補正ユニッ ト 3 4 0の装着箇所を上記図 2、 3 に示すよう な位置に設定したが、 装着箇 所はこれに限定を受ける ものではない。 例えば、 前面フ レーム 3 0 0 a よ り も C R T 1 0 のネ ッ ク部 1 3側に配する こ と と してもよ く 、 逆に、 前面フ レーム 3 0 0 a よ り もパネル部 1 1 側に配するこ とと しても良い ただし、 補正ユニッ ト 3 4 0 の影響度を向上させるためには、 偏向ョ一 ク 3 0 の最もパネル部 1 1 側に配するこ とが望ま しい。

さ らに、 上記実施の形態における C R T装置 1 に用いる各要素につい ては、 一例を示したものであって、 本発明がこれに限定を受ける もので はないこ とは明らかである。 また、 上記変形例において、 表 1 に示した 数値などについても、 一例を示したものである こ とから、 本発明がこれ に限定を受ける ものではないこ とはいう までもない。 産業上の利用の可能性

本発明に係る偏向ヨークおょぴ C R T装置は、 コ ンピュータゃテ レビ 等のディ スプレイ装置、 特にフラ ッ 卜 なパネル部を有するディ スプレイ 装置を実現するのに有効である。

Claims

求 の 範 囲

1 . 陰極線管の外周に配され、 前記陰極線管のネ ッ ク部に収納された 電子銃からス ク リ ー ンに向け出射される電子ビームに対して偏向磁界を 作用させて、 当該電子ビームをスク リ ーン上で走査する偏向ヨークであ つて、

前記ス ク リ ーン上における電子ビームの照射位置を補正するための磁 石を有し、 当該磁石は、 S極および N極の両端面の内の少なく と も一方 の面上に、 負の温度特性をも って透磁率が変化する磁性体が装着されて いる。

2 . 前記磁石は、 前記両端面の外縁間を結ぶ側面を有する柱状体であ り、

前記磁石の側面を平面視する とき、 前記磁性体は、 略コの字状を して おり、 前記磁石における前記外縁を挟む端面と側面の一部領域を覆って いる

こ とを特徴とする請求の範囲第 1 項に記載の偏向ヨーク。

3 . 前記磁石は、 矩形断面を有しており、

前記磁性体は、 前記磁石の 4側面全てに対して、 その一部領域を覆う 状態で装着されている

こ とを特徴とする請求の範囲第 2項に記載の偏向ヨーク。

4 . 前記磁性体は、 F e、 N i 、 C r の少な く と も 1 種を含む合金か らなる ものである

こ とを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の偏向ヨーク。 。

5 . 前記磁性体が装着されてなる磁石は、 当該偏向ヨークにおける前 記陰極線管のス ク リ ーン側縁部に配されている こ とを特徴とする請求の範囲第 1 項に記載の偏向ヨーク。

6 . 前記磁性体が装着されてなる磁石は、 対をなして設けられており 前記対をなす磁石は、 互いに前記陰極線管の管軸に対して線対称とな るよう に配置されている

こ とを特徴とする請求の範囲第 5項に記載の偏向ヨーク。

7 . 前記一対の磁石に装着される磁性体は、 温度変化に対し略同一の 透磁率の変化特性を有する

こ とを特徴とする請求の範囲第 6項に記載の偏向ヨーク。

8 . ス ク リ ー ンを内面に有するパネル部と、 当該パネル部に対向する 位置に配置された電子銃を収納するネ ッ ク部と、 前記パネル部とネ ッ ク 部とを連接するフ ァ ンネル部とからなり、 前記電子銃からスク リ ーンに 向けて電子ビームが射出される陰極線管と、 前記陰極線管の外周に配さ れ、 前記ネ ッ ク部に収納された電子銃からス ク リ ー ンに向け出射される 電子ビームに対して偏向磁界を作用させて、 当該電子ビームをスク リ ー ン上で走査する偏向ヨーク とを有する陰極線管装置であって、

前記偏向ヨークは、 ス ク リ ー ン上における電子ビームの照射位置を補 正するための磁石を有し、 当該磁石は、 S極および N極の両端面の内の 少なく と も一方の面上に、 負の温度特性をも って透磁率が変化する磁性 体が装着されている。

9 . 前記磁石は、 前記両端面の外縁間を結ぶ側面を有する柱状体であ Ό、

前記磁石の側面を平面視するとき、 前記磁性体は、 略コの字状を して おり、 前記磁石における前記外縁を挟む端面と側面の一部領域を覆って いる

こ とを特徴とする請求の範囲第 8項に記載の陰極線管装置。

1 0 . 前記磁石は、 矩形断面を有しており、

前記磁性体は、 前記磁石の 4側面全てに対して、 その一部領域を覆う 状態で装着されている

こ とを特徴とする請求の範囲第 9項に記載の陰極線管装置。

1 1 . 前記磁性体は、 F e、 N i 、 C r の少なく とも 1 種を含む合金 からなる ものである

こ とを特徴とする請求の範囲第 8項に記載の陰極線管装置。

1 2 . 前記磁性体が装着されてなる磁石は、 当該偏向ヨーク における 前記陰極線管のス ク リ ーン側縁部に配されている

こ とを特徴とする請求の範囲第 8項に記載の陰極線管装置。

1 3 . 前記磁性体が装着されてなる磁石は、 対をなして設けられてお り、

前記対をなす磁石は、 互いに前記陰極線管の管軸に対して線対称とな るよう に配置されている

こ とを特徴とする請求の範囲第 1 2項に記載の陰極線管装置。

1 4 . 前記一対の磁石に装着される磁性体は、 温度変化に対し略同一 の透磁率の変化特性を有する

こ とを特徴とする請求の範囲第 1 3項に記載の陰極線管装置。

1 5 . 前記パネル部に配されたス ク リ ー ンに近接してシ ャ ドウマ ス ク が設けられており、 当該シ ャ ドウマス クは、 テ ンシ ョ ンが付加された状 態で保持されている

こ とを特徴とする請求の範囲第 8項に記載の陰極線管装置。