WO2004055235A1 - CVD-BESCHICHTUNGSVERFAHREN FÜR ZRBxCyNz-SCHICHTEN (x+y+z=1) SOWIE BESCHICHTETES SCHNEIDWERKZEUG - Google Patents

CVD-BESCHICHTUNGSVERFAHREN FÜR ZRBxCyNz-SCHICHTEN (x+y+z=1) SOWIE BESCHICHTETES SCHNEIDWERKZEUG Download PDF

Info

Publication number
WO2004055235A1
WO2004055235A1 PCT/EP2003/013289 EP0313289W WO2004055235A1 WO 2004055235 A1 WO2004055235 A1 WO 2004055235A1 EP 0313289 W EP0313289 W EP 0313289W WO 2004055235 A1 WO2004055235 A1 WO 2004055235A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
zirconium
layer
halide
coating method
cutting tool
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2003/013289
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Helga Holzschuh
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Walter AG
Original Assignee
Walter AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Walter AG filed Critical Walter AG
Priority to EP03775393A priority Critical patent/EP1570105B1/de
Priority to AU2003283428A priority patent/AU2003283428A1/en
Priority to DE50303995T priority patent/DE50303995D1/de
Publication of WO2004055235A1 publication Critical patent/WO2004055235A1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/006—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterized by the colour of the layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C30/00—Coating with metallic material characterised only by the composition of the metallic material, i.e. not characterised by the coating process
    • C23C30/005—Coating with metallic material characterised only by the composition of the metallic material, i.e. not characterised by the coating process on hard metal substrates

Definitions

  • the invention relates to a CND coating method for producing a hard material layer containing zirconium, nitrogen and / or carbon and boron.
  • ZrB x C y ⁇ -, - layers for example on tungsten carbide bodies
  • PND or PACND as used for the production of ZrB ⁇ , ZrBC ⁇ or ZrBC layers
  • MT-CVD medium temperature process
  • This process is used to produce boron carbonitrides from titanium and is also said to be suitable for producing boron carbonitrides from hafnium, niobium, vanadium, zirconium or tantalum.
  • the CVD process runs at a medium temperature (e.g. between 550 ° C and 900 ° C) under a pressure of 5 to 800 Torr.
  • a mixture of a carbon / nitrogen precursor, for example CH 3 CN, boron chloride or another boron halide, titanium chloride, nitrogen and hydrogen is used as the process gas.
  • the process is carried out in a reaction room, in which the process gases sweep over all substrates one after the other (serially).
  • the process atmosphere contains large amounts (1% to 30%) of hydrogen chloride (HCl) to make the deposition reaction more uniform and to increase the deposition rate. This results in titanium boron nitride layers. It is stated that a zirconium halide can be used instead of titanium chloride, so that a zirconium boron carbonitride layer is formed.
  • the TiCl 4 content of the process atmosphere is between 0.9 vol% and 2.1 vol% in all exemplary embodiments.
  • the use of acetonitrile or other nitrogenous hydrocarbon compounds determines the C / N ratio.
  • a gaseous atmosphere ' whose gas inlet is formed by a wasserstoffhalogenidgets gas mixture.
  • the process gases include a zirconium halide with a proportion of 5% by volume to 12% by volume.
  • a boron halide is from 0.02 vol% to 5 vol%, a carbon / nitrogen precursor from 0 vol% to 5 vol%, nitrogen from 0 vol% to 20 vol% and an inactive residue, for example in the form of a molecular Contain hydrogen H 2 .
  • the process is preferably carried out at relatively low deposition pressures between, for example, 40 and 150 mbar, which favors high deposition speeds.
  • the boron content of the process atmosphere is preferably set so low that a cubic ZrC ⁇ matrix is formed in the hard material layer, in which boron is incorporated without ZrB 2 crystals being formed. This can be achieved with the gas flows mentioned and other process parameters. Even without the addition of HCl to the process gas, very uniform layers result.
  • the deposition reaction forms HC1 in the process atmosphere.
  • the zirconium halide introduced as the process gas is preferably zirconium chloride.
  • zirconium fluoride, zirconium iodide or zirconium bromide and any mixture of the halides mentioned can also be used.
  • Boron chloride is preferred as the boron halide.
  • Other boron halides or mixtures of these are possible. in the Incidentally, it is preferred to derive both zirconium halide and boron halide from the same halogen. However, it is also possible to mix zirconium chloride with boron bromide, for example.
  • Methane can be provided as the carbon carrier.
  • the precursor used can be CH 3 CN, CH 3 NH 2 , (CH 3 ) 2 NH, (CH 3 ) 3 N, HCN, CH 3 (NH) 2 CH 3 .
  • the process atmosphere can also contain molecular nitrogen, but does not have to.
  • any suitable substrate can be coated with the coating method according to the invention. It is compatible with another CVD process. It can be used to coat ceramics, carbide hard materials, cerets, high-speed steels and other steels as well as silicon nitride (Si 3 , N 4 ).
  • the coating method for applying a ZrBCN layer, a ZrBC layer or a ZrBN layer on TiN, TiCN, TiC, ZrCN, ZrC, ZrN, HfCN, HfC, HfN etc. as well as aluminum oxide (Al 2 0 3 ) or one another layer can be applied.
  • Binding layers can be used if necessary, but the adhesion to the nitrides, carbides, carbonitrides of Ti, Zr, Hf and to aluminum oxide is good in each case.
  • further layers can be deposited on the ZrBCN layer. The layers prove to be hard and wear-resistant.
  • the ZrBCN layers can also be used as decorative cover layers.
  • ZrBCN deposited with the precursors CH 3 CN, ZrCl 4 , BC1 3 / gives a metallic shiny purple.
  • the color can be adjusted from yellow to gray.
  • ZrBN layers give a light champagne tone with a metallic sheen.
  • ZrBC layers appear shiny metallic gray.
  • ZrBj-C y N z , ZrB x N-, and ZrB x C y are particularly suitable for coating cutting tools.
  • different sealing cover layers were examined in the milling test.
  • ZrBCN coatings show the best wear behavior.
  • TiCN when comparing the flank wear of a cutting tool, a ZrBCN layer is far more wear-resistant than TiCN, which in turn is more wear-resistant than ZrCN. The latter is again far superior to TiBCN.
  • TiBCN >>ZrCN>TiCN> ZrBCN.
  • parts of the zirconium can be replaced by titanium and / or hafnium.
  • the process gas is added to the zirconium halide or with the replacement of fractions of the same halides of titanium or hafnium.
  • These halides are preferably based on the same halogen as the zirconium halide. It is also contemplated to supplement and / or partially replace the zirconium halide with a chloride, fluoride, bromide or iodide of niobium, vanadium or tantalum.
  • Bordoped zirconium carbonitride (ZrB x C y N z ) has a cubic lattice. Vanadium, niobium or tantalum can, however, lead to other lattice structures if it completely or partially replaces zirconium.
  • the process atmosphere is also preferably free of carbon monoxide or carbon dioxide.
  • no hydrogen halides in particular no HCl, are introduced into the reaction space.
  • HCl can arise in the CVD process.
  • the ZrBCN layers produced in accordance with the exemplary embodiments described below differ from conventional ZrCN layers in that they have an increased hardness, a shiny metallic color and a refinement of the crystal structure. Therefore, the boron is believed to be in a cubic ZrCN lattice.
  • XRD and TEM analyzes confirm that no ZrB 2 is formed, ie that the rB x C y N .. layer is largely ZrB 2 -free.
  • the cubic ZrCN lattice can therefore be regarded as doped with boron.
  • the boron content is between 0.001 and 0.05, preferably between 0.005 and 0.02.
  • the layers are particularly suitable as wear protection layers for coating tools for cutting steel.
  • the good wear properties of these layers are attributed to the high hardness of up to 3,000 HV, the smooth surface and the good friction properties.
  • the metallic, purple, glossy layer obtained in this way is particularly suitable as a decorative layer and as a top layer in steel machining.
  • a suitable carrier for example a tungsten carbide insert
  • the CVD process is then carried out with the parameters according to the following table:
  • the coated insert shines metallic gray.
  • the cover is hard and wear-resistant.
  • the crystals are refined compared to ZrC.
  • a ZrBN layer is applied to a cutting plate carrying a 0.5 ⁇ m thick TiN layer.
  • the insert is first coated with TiN in a CVD process. Then a coating is carried out with the following parameters.
  • the process pressure can be varied between 60 and 950 mbar if necessary.
  • the temperature can be set in a range from 850 to 1,100 ° C and the BCl 3 concentration in the supplied process gases fluctuate between 0.05 and 5 vol%. BCl 3 concentrations below 1% by volume are preferred, which ensures that a cubic ZrB 2 -free lattice is obtained.
  • a cutting insert with the following layer sequence is produced, the first layer being the base layer and the last layer being the outer decorative layer:
  • Tie layer e.g. TiAlCNO: 0.8 ⁇ m
  • All of the layers mentioned can be produced in one and the same reaction mold using the CVD process.
  • the last layer can be produced using the following process parameters:
  • the process parameters can also be set as follows:
  • the process pressures can be between 40 and 950 mbar and the separation temperatures can be set between 850 and 110 ° C.
  • the zirconium tetrachloride can be replaced by another halide.
  • it can be at least partially replaced by a titanium halide, hafnium halide or another halide, such as vanadium haiogenide, niobium halide or tantalum halide.
  • This also enables mixed phases (Zr, Ti) (BCN), (Zr, Hf) (BCN) or (Zr, Ti, Hf) (BCN) to be obtained.
  • Zr, Ti BCN
  • Zr, Hf BCN
  • Zr, Ti, Hf BCN
  • These have in common that there is a lattice in which boron is incorporated like a doping, without a second phase being present as a boride compound.
  • the single-phase cubic structure distinguishes the layers produced in the CVD process from layers that are in the PVD processes or other processes have
  • a process gas which contains over 5 vol% Zr halide and less than 5 vol% boron halide. However, no braking hydrogen halide is added to the process gas.
  • the resulting layers are suitable as wear protection or as a decorative layer.
  • All of the ZrB x C y N 2 layers discussed above can be provided on or below an Al 2 0 3 layer or alternatively on or below a Zr0 2 layer.
  • Adhesion-improving intermediate layers can be provided to improve the adhesion between the zirconium boron carbonitride layers mentioned and an aluminum oxide layer or a zirconium oxide layer. Titanium aluminum carbonitride oxide layers (TiAlCNO), zirconium carbonitride oxide layers (ZrCNO) or zirconium aluminum carbonitride oxide layers (ZrAlCNO) are particularly suitable for this purpose.
  • the aluminum-containing intermediate layers contain aluminum, which contains crystallization nuclei and thus anchoring points for an Al 2 O 3 layer to be applied.
  • the ZrCNO layer is proposed in particular for improving the adhesion of a Zr0 2 layer.
  • the TiAlCNO layers and the ZrAlCNO layers are preferably in a pseudobrookit structure. This contains Al 2 Ti0 5 and Al 2 Zr0 5 as well as titanium carbonitride (T ⁇ CJ $ y ) and zirconium carbonitride (ZrC ⁇ ).
  • Al 2 Ti0 5 and the TiCN exist side by side as macroscopic crystals.
  • Al 2 Zr0 5 and ZrCN are also present side by side as macroscopic crystals.
  • the bonding layer thus consists of titanium carbonitride or zirconium carbonitride with a cubic lattice and nitrogen on a third of all carbon sites.
  • This grid is oxygen free.
  • the oxygen is completely bound by aluminum titanate crystals or aluminum zirconate crystals.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)

Abstract

Zur Herstellung einer Zr (BxCyNz)-Schicht mit x+y+z = 1 und x: 0,001 bis 0,05, y von 0 bis 0,95 und z von 0 bis 0,95 im CVD-Verfahren wird ein Prozessgas verwendet, das über 5 Vol % Zr-Halogenid und weniger als 5 Vol % Borhalogenid enthält. Die entstehenden Schichten eignen sich als Verschleißschutz oder als Dekorschicht.

Description

CVO-Beschichtungsverfahren für ZrBτC--Nz-Schichten (x+y+z = 1) sowie beschichtetes Schneidwerkzeug
Die Erfindung betrifft ein CND-Beschichtungsverfahren zur Erzeugung einer HartstoffSchicht , die Zirkonium, Stickstoff und/oder Kohlenstoff und Bor enthält .
ZrBxCyΝ-,-Schichten, beispielsweise auf Wolframcarbid- Körpern, sind aus dem Stand der Technik bekannt. Die Benutzung von PND oder PACND wie es zur Herstellung von ZrBΝ- , ZrBCΝ- oder ZrBC-Schichten benutzt wird, wird jedoch häufig abgelehnt . Aus der US-PS 6146697 ist ein CND-Verfahren zur Erzeugung von ZrBxCyΝa-Schichten mit y, z > 0 auf Substraten, wie beispielsweise Wolfram-Carbid bekannt. Es handelt sich hier um ein Mitteltemperaturverfahren (MT-CVD) das in einem Temperaturbereich von 700°C bis 900°C arbeitet. Dieses Verfahren dient zur Herstellung von Borcarbonitriden von Titan und soll sich auch zur Herstellung von Borcarbonitriden von Hafnium, Niob, Vanadium, Zirkonium oder Tantal eignen. Der CVD-Prozess läuft bei einer mittleren Temperatur (z.B. zwischen 550 °C und 900 °C) unter einem Druck von 5 bis 800 Torr ab. Als Prozessgas dient ein Gemisch aus einem Kohlenstoff/Stickstoff-Precursor, z.B. CH3CN, Borchlorid oder einem anderen Borhalogenid, Titanchlorid, Stickstoff und Wasserstoff. Der Prozess wird in einem Reaktionsraum durchgeführt, in dem die Prozessgase alle Substrate nacheinander (seriell) überstreichen. Zur Vergleichmäßigung der Abscheidungsreaktion und zur Vergrößerung der Abscheidungsrate enthält die Prozessatmosphäre große Mengen (1 % bis 30 %) Chlorwasserstoff (HCl) . Dies ergibt Titanborcarbonitridschichten. Es wird angegeben, dass anstelle von Titanchlorid ein Zirkoniumhalogenid verwendet werden kann, so dass eine Zirkoniumborcarbonitrid- schicht entsteht. Der TiCl4-Gehalt der Prozessatmosphäre liegt bei allen Ausführungsbeispielen zwischen 0,9 Vol% und 2,1 Vol%. Durch die Verwendung von Acetonitril oder anderen stickstoffhaltigen Kohlenwasserstoffverbindungen ist das C/N-Verhältnis festgelegt .
Es ist Aufgabe der Erfindung, ein abweichendes Verfahren zur Erzeugung von Zirkoniumborcarbonitridschichten, Zirkoniumborcarbidschichten und Zirkoniumbornitridschich- ten anzugeben. Außerdem ist es Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren anzugeben, mit dem sich glatte, matellisch glänzende und verschleißfeste Zirkoniumborcarbonitridschich- ten, Zirkoniumborcarbidschichten oder Zirkoniumbornitrid- schichten erzeugen lassen.
Bei dem erfindungsgemäßen CVD-Beschichtungsverfahren wird mit einer Gasatmosphäre aufgebaut, 'deren Gaszufluss durch ein wasserstoffhalogenidfreies Gasgemisch gebildet wird. Zu den Prozessgasen gehören ein Zirkoniumhalogenid mit einem Anteil von 5 Nol% bis 12 Vol%. Außerdem ist ein Borhalogenid von 0,02 Vol% bis 5 Vol%, ein Kohlenstoff/- Stickstoff-Precursor von 0 Vol% bis 5 Vol%, Stickstoff von 0 Vol% bis 20 Vol% und ein inaktiver Rest, z.B. in Form von molekularem Wasserstoff H2 enthalten. Durch den hohen Zirkoniuhalogenidgehalt von bis 12 Vol% wird eine wirtschaftliche Abscheidungsgeschwindigkeit erreicht, die den Aufbau ausreichend dicker und gleichmäßiger ZrBCΝ-, ZrBΝ- und ZrBC-Schichten ermöglicht. Dabei wird vorzugsweise bei relativ geringen Abscheidedrücken zwischen beispielsweise 40 und 150 mbar gearbeitet, was hohe Abscheidegeschwindigkeiten begünstigt. Der Borgehalt der Prozessatmosphäre wird vorzugsweise so gering eingestellt, dass sich in der Hartstoffschicht eine kubische ZrCΝ-Matrix ausbildet, in die Bor eingelagert ist, ohne dass sich ZrB2-Kristalle bilden. Mit den genannten Gasflüssen und sonstigen Prozessparametern lässt sich dies erreichen. Es ergeben sich ohne HCl-Zusatz zu dem Prozessgas trotzdem sehr gleichmäßige Schichten. In der Prozessatmosphäre bildet sich durch die Abscheidungsreaktion HC1.
Das als Prozessgas in den Reaktionsraum eingeführte Zirkoniumhalogenid ist vorzugsweise Zirkoniumchlorid. Ersatzweise kann jedoch auch Zirkoniumfluorid, Zirkoniumjo- did oder Zirkoniumbromid sowie eine beliebige Mischung aus den genannten Halogeniden zur Anwendung kommen.
Als Borhalogenid wird Borchlorid bevorzugt. Andere Borhalogenide oder Mischungen aus diesen sind möglich. Im Übrigen wird bevorzugt, sowohl Zirkoniumhalogenid als auch das Borhalogenid von dem gleichen Halogen abzuleiten. Es ist jedoch auch möglich, beispielsweise Zirkoniumchlorid mit Borbromid zu mischen.
Als Kohlenstoffträger kann Methan vorgesehen werden. Als gemischter Kohlenstoff/Stickstoff-Träger kann als Precursor CH3CN, CH3NH2, (CH3)2NH, (CH3)3N, HCN, CH3 (NH) 2CH3 verwendet werden. In letzterem Fall kann die Prozessatmosphäre zusätzlich molekularen Stickstoff enthalten, muss es aber nicht.
Mit dem erfindungsgemäßen Beschichtungsverfahren lässt sich jedes geeignete Substrat beschichten. Es ist mit einem sonstigen CVD-Prozess kompatibel. Es kann zur Beschichtung von Keramik, carbidischen Hartstoffen, Cer- mets, Hochgeschwindigkeitsstählen und anderen Stählen sowie Siliziumnitrid (Si3, N4) verwendet werden. Außerdem kann das Beschichtungsverfahren zur Aufbringung einer ZrBCN-Schicht , einer ZrBC-Schicht oder einer ZrBN-Schicht auf TiN, TiCN, TiC, ZrCN, ZrC, ZrN, HfCN, HfC, HfN etc. sowie Aluminiumoxid (Al203) oder einer anderen Schicht angewendet werden. Gegebenenfalls können Bindungsschichten Anwendung finden, jedoch ist die Haftung auf den Nitriden, Carbiden, Carbonitriden von Ti, Zr, Hf und auf Aluminiumoxid jeweils gut. Außerdem lassen sich auf der ZrBCN- Schicht weitere Schichten abscheiden. Die Schichten erweisen sich als hart und verschleißfest. ZrBxCy z erreicht bei x = 0.01 = Härten von 3.000 HV, während eine reine ZrCN-Schicht ohne Bor (x = 0) lediglich eine Härte von 2.500 HV erreicht.
Außerdem lassen sich die ZrBCN-Schichten als dekorative Deckschichten verwenden. ZrBCN abgeschieden mit den Precursoren CH3CN, ZrCl4, BC13/ ergibt einen metallisch glänzenden Lilaton. Mit den Precursoren bzw. Gasanteilen CH4 und N2 lässt sich der Farbton von Gelb bis zu Grau einstellen. ZrBN-Schichten geben einen hellen Champagnerton mit Metallglanz. ZrBC-Schichten erscheinen metallisch grau glänzend.
ZrBj-CyNz, ZrBxN-, und ZrBxCy eignet sich jeweils besonders zur Beschichtung von Schneidwerkzeugen. Beispielsweise wurden unterschiedliche Verschließdeckschichten im Frästest untersucht. Das beste Verschleißverhalten zeigen ZrBCN-Schichten. Beispielsweise ist eine ZrBCN-Schicht beim Vergleich des Freiflächenverschleißes eines Schneidwerkzeuges weitaus verschleißfester als TiCN, das wiederum verschleißfester als ZrCN ist. Letzteres ist wiederum TiBCN weit überlegen. Für den Verschleiß gilt somit: TiBCN >> ZrCN > TiCN > ZrBCN.
Weitere Einzelheiten vorteilhafter Details von Ausführungsformen der Erfindung ergeben sich aus Unteransprüchen oder der nachfolgenden Beschreibung.
In der ZrBxCyNz-Schicht (x+y+z = 1, x ≠ 0) können Teile des Zirkoniums durch Titan und/oder Hafnium ersetzt sein. Dazu werden dem Prozessgas zusätzlich zu dem Zirkoniumhalogenid oder unter Ersatz von Bruchteilen desselben Halogenide von Titan oder Hafnium beigegeben. Vorzugsweise beruhen diese Halogenide auf dem gleichen Halogen wie das Zirkoniumhalogenid. Es wird auch in Betracht gezogen, das Zirkoniumhalogenid durch ein Chlorid, Fluorid, Bromid oder Jodid des Niob, Vanadium oder Tantal zu ergänzen und/oder teilweise zu ersetzen. Bordotiertes Zirkoniumcarbonitrid (ZrBxCyNz) weist ein kubisches Gitter auf. Vanadium, Niob oder Tantal kann allerdings zu anderen Gitterstrukturen führen, wenn es Zirkonium ganz oder teilweise ersetzt. Die Prozessatmosphäre ist außerdem vorzugsweise frei von Koh- lenmonoxid oder Kohlendioxid. Es werden außerdem vorzugsweise keine Wasserstoffhalogenide, insbesondere kein HCl in den Reaktionsraum eingeleitet. Jedoch kann HCl in dem CVD-Prozess entstehen.
Die gemäß den nachfolgend beschriebenen Ausführungs- beispielen erzeugten ZrBCN-Schichten unterscheiden sich von herkömmlichen ZrCN-Schichten durch eine Erhöhung der Härte, eine metallisch glänzende Farbe und eine Verfeinerung der KristallStruktur. Deshalb wird angenommen, dass das Bor in einem kubischen ZrCN-Gitter vorliegt . XRD- und TEM-Analysen bestätigen, dass sich kein ZrB2 bildet, d.h. dass die rBxCyN..-Schicht weitgehend ZrB2-frei ist. Das kubische ZrCN-Gitter kann deshalb als mit Bor dotiert angesehen werden. In der Summenformel Zr (BxCyNz) mit x+y+z = 1 liegt der Borgehalt zwischen 0,001 und 0,05, bevorzugterweise zwischen 0,005 und 0,02. Durch die Bordotierung wird durch Verfeinerung der Kristallstruktur eine sehr gleichmäßige und glatte Oberfläche erreicht. Dies reduziert den Verschleiß auch aufgrund der Glättung der Oberfläche gegenüber von ZrC-, ZrN- oder ZrCN-Schichten ohne Bor. Die Schichten eignen sich insbesondere als Ver- schleißschutzschichten zur Beschichtung von Werkzeugen zur StahlZerspanung. Die guten Verschleißeigenschaften dieser Schichten werden auf die hohe Härte von bis zu 3.000 HV, die glatte Oberfläche und die guten Reibeigenschaften zurückgeführt .
Die Herstellung erfolgt im CVD-Verf hren bei einer Abscheidetemperatur zwischen 850°C und 1.100°C, wobei ein Temperaturbereich von oberhalb 900°C bevorzugt wird. Es werden homogene Schichten erhalten, die fest auf dem jeweiligen Träger haften. Die KristallStruktur ist sehr fein. Durch Zugabe von Titan oder Hafnium-Verbindungen zu der Prozessatmosphäre können (Zr,Ti) (BCN) -Schichten - (Zr,Hf) (BCN) -Schichten oder (Zr,Ti,HF) (BCN) -Schichten erzielt werden, die kubische Struktur haben und hart und verschleißfest sind.
Alle nachfolgenden Beispiele ausgeführter CVD-Be- schichtungen sind in einem Reaktor ausgeführt worden, der mehrere Tabletts mit zu beschichtenden Gegenständen, beispielsweise Schneidplatten aus Wolframcarbid, aufweist. Die Reaktionsgase werden parallel über alle Tabletts verteilt. Dazu ist ein zentrales Rohr vorgesehen, das alle Tabletts vertikal durchsetzt und dessen Mantel Ausströmöffnungen zur parallelen Begasung jedes Tabletts aufweist.
Beispiel 1:
Herstellung einer 5 μm dicken ZrBxCyNa-Schicht auf TiN von 0,5 μm :
Beispiel la:
Mitteltemperaturverfahren, Herstellung von 5 μm MT- ZrBCN auf einem Träger, z.B. einer Schneidplatte mit TiN- Schicht gemäß nachfolgender Tabelle:
Figure imgf000009_0001
Die so erhaltene metallisch Lila glänzende Schicht eignet sich aufgrund ihrer Eigenschaften insbesondere als Dekorschicht sowie als Deckschicht bei der Stahlzerspanung.
Beispiel lb:
Herstellung einer ZrBC-Schicht 5 μm auf TiN: Dazu wird ein geeigneter Träger, beispielsweise eine Schneidplatte aus Wolframkarbid in dem Reaktionsraum zunächst mit TiN im CVD-Verfahren beschichtet. Danach wird der CVD-Pro- zess mit den Parametern gemäß nachfolgender Tabelle durchgeführt :
Figure imgf000009_0002
Figure imgf000010_0001
Die beschichtete Schneidplatte glänzt metallisch Grau. Der Überzug ist hart und verschleißfest. Im Vergleich zu ZrC sind die Kristalle verfeinert.
Beispiel lc:
Wie bei den vorstehenden Beispielen wird auf eine Schneideplatte, die eine 0,5 μm dicke TiN-Schicht trägt, eine ZrBN-Schicht aufgebracht. Dazu wird die Schneidplatte in einem Reaktionsraum zunächst in einem CVD-Prozess mit TiN beschichtet. Danach wird eine Beschichtung mit folgenden Parametern durchgeführ .
Figure imgf000010_0002
Bei den vorgenannten Beispielen kann der Prozessdruck bedarfsweise zwischen 60 und 950 mbar variiert werden. Die Temperatur kann in einem Bereich von 850 bis 1.100°C eingestellt werden und die BCl3-Konzentration kann bei den zugeführten Prozessgasen zwischen 0,05 und 5 Vol% schwanken. Bevorzugt werden BCl3-Konzentrationen unter 1 Vol% womit sichergestellt wird, dass sich ein kubisches ZrB2- freies Gitter einstellt.
Beispiel 2:
Es wird eine Schneidplatte mit folgender Schichtfolge hergestellt, wobei die erstgenannte Schicht die Grundschicht und die letztgenannte Schicht die außenliegende Dekorschicht ist :
TiN: 0,5 μm
MT-TiCN: 8 μm
Bindungsschicht z.B. TiAlCNO: 0 , 8 μm
Al203 : 6 μm
Zr-B-C-N: 2 μm
Alle genannten Schichten können im CVD-Verfahren in ein und demselben Reaktions-tfaum hergestellt werden. Die Herstellung der letzten Schicht kann mit folgenden Prozessparametern erfolgen:
Beispiel 2a:
Figure imgf000011_0001
Figure imgf000012_0001
Die Prozessparameter können auch wie folgt festgelegt werden:
Beispiel 2b:
Figure imgf000012_0002
Die Prozessdrücke können zwischen 40 und 950 mbar und die Abscheidetemperaturen können zwischen 850 und 110°C festgelegt werden.
Bei allen vorgenannten Beispielen kann das Zirkoniumtetrachlorid durch ein anderes Halogenid ersetzt werden. Außerdem kann es zumindest teilweise durch ein Titanhalo- genid, Hafniumhalogenid oder ein anderes Halogenid, wie Vanadiumhaiogenid, Niobhalogenid oder Tantalhalogenid ersetzt sein. Dadurch lassen sich auch Mischphasen (Zr,Ti) (BCN) , (Zr,Hf) (BCN) oder (Zr,Ti,Hf) (BCN) erhalten. Diesen ist gemeinsam, dass ein Gitter vorliegt, in das Bor wie eine Dotierung eingebaut ist, ohne dass eine zweite Phase als Boridverbindung vorliegt . Zumindest wenn der Zirkoniumanteil überwiegt, liegt ein kubisches Gitter vor. Die einphasige kubische Struktur unterscheidet die im CVD- Verfahren hergestellten Schichten von Schichten, die im PVD-Verfahren oder anderen Verfahren erzeugt worden sind.
Zur Herstellung einer Zr (BxCyN2) -Schicht mit x+y+z = 1 und x: 0,001 bis 0,05, y von 0 bis 0,95 und z von 0 bis 0,95 im CVD-Verfahren wird ein Prozessgas verwendet, das über 5 Vol% Zr-Halogenid und weniger als 5 Vol% Borhalogenid enthält. Dem Prozessgas wird jedoch kein bremsend wirkendes Wasserstoffhalogenid zugesetzt. Die entstehenden Schichten eignen sich als Verschleißschutz oder als Dekorschicht .
Alle vorstehend diskutierten ZrBxCyN2-Schichten (zu denen auch ZrBN- und ZrBC-Schichten gehören) können auf oder unter einer Al203-Schicht oder alternativ auf oder unter einer Zr02-Schicht vorgesehen werden. Zur Verbesserung der Haftung zwischen den genannten Zirkoniumborcarbo- nitridschichten und einer Aluminiumoxidschicht oder einer Zirkoniumoxidschicht können haftungsverbessernde Zwischenschichten vorgesehen sein. Hierzu eignen sich insbesondere Titanaluminiumcarbonitridoxidschichten (TiAlCNO) , Zirkoni- umcarbonitridoxidschichten (ZrCNO) oder Zirkoniumalumini- umcarbonitridoxidschichten (ZrAlCNO) . Die aluminiumhalti- gen Zwischenschichten enthalten Aluminium, das Kristallisationskeime und somit Verankerungspunkte für eine aufzubringende Al203-Schicht enthält. Die ZrCNO-Schicht wird insbesondere zur Haftungsverbesserung einer Zr02-Schicht vorgeschlagen. Die TiAlCNO-Schichten und die ZrAlCNO- Schichten liegen vorzugsweise in einer Pseudobrookitstruk- tur vor. Diese enthält Al2Ti05 bzw. Al2Zr05 sowie Titancar- bonitrid (T±CJ$y) bzw. Zirkoncarbonitrid (ZrC^) . Al2Ti05 und die TiCN liegen als makroskopische Kristalle nebeneinander vor. Ebenso liegen Al2Zr05 und ZrCN als makroskopische Kristalle nebeneinander vor. Die Bindungsschicht besteht somit aus Titancarbonitrid bzw. Zirkoncarbonitrid mit kubischem Gitter und Stickstoff auf einem Drittel al- ler Kohlenstoffplätze. Dieses Gitter ist sauerstofffrei . Der Sauerstoff ist vollständig von Aluminiumtitanatkris- tallen bzw. Aluminiumzirkonatkristallen gebunden.

Claims

Patentansprüche :
1. CVD-Beschichtungsverfahren zur Erzeugung einer HartstoffSchicht, bei dem zu beschichtende Substrate in einem Reaktionsraum einer Gas-Atmosphäre ausgesetzt werden, die durch einen Wasserstoff-Halogenid-freien Gasfluss folgender Zusammensetzung aufgebaut wird:
Zirkoniumhalogenid - 3 bis 15 Vol %, Borhalogenid - 0,02 bis 5 Vol %, Kohlenstoffträger - 0 bis 5 Vol %, Stickstoff - 0 bis 20 Vol %, inaktiver Rest - als Ergänzung zu
100 Vol %,
wobei in dem Reaktionsraum eine Temperatur zwischen 850°C und 1100°C
und ein Druck von 50 mbar bis 950 mbar eingehalten wird.
2. CVD-Beschichtungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Zirkoniumhalogenid Zirkoniumchlorid ist .
3. CVD-Beschichtungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Zirkoniumhalogenid Zirkoni- umfluorid ist .
4. CVD-Beschichtungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Zirkoniumhalogenid Zirkoni- umjodid ist.
5. CVD-Beschichtungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Zirkoniumhalogenid Zirkoni- umbromid ist.
6. CVD-Beschichtungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Borhalogenid Borchlorid ist.
7. CVD-Beschichtungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Kohlenstoffträger ein aus folgender Gruppe ausgewähltes Gas oder Gasgemisch ist: CH4, CH3CN, CH3NH2, (CH3)2NH, (CH3) 3N, HCN,
CH3 (NH) 2CH3.
8. CVD-Beschichtungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Stickstoffträger ein aus folgender Gruppe ausgewähltes Gas oder Gasgemisch ist: CH3CN, CH3NH2, (CH3) 2NH, (CH3)3N, HCN, CH3(NH)2CH3, N2, NH3.
9. CVD-Beschichtungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der inaktive Rest Wasserstoff ist .
10. CVD-Beschichtungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperatur zischen 950°C und 1050°C liegt.
11. CVD-Beschichtungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein geringerer Anteil des Zirko- niumhalogenids durch ein Halogenid eines oder mehrerer Metalle aus der Gruppe Titan und Hafnium ersetzt ist .
12. Schneidwerkzeug mit einer im CVD-Verfahren hergestellten HartstoffSchicht folgender Zusammensetzung: Zr(BxCyNz) mit x+y+z=l und x: 0,001-0,05, y: 0- 0,95, z: 0-0,95.
13. Schneidwerkzeug nach Anspruch 12 , dadurch gekennzeichnet, dass y größer als Null ist.
14. Schneidwerkzeug nach Anspruch 12 , dadurch gekennzeichnet, dass z größer als Null ist.
15. Schneidwerkzeug nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass y und z größer als Null sind.
16. Schneidwerkzeug nach Anspruch 12 oder 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Zr (BxCyN-,) -Schicht Zr(CyNz) in kubischer Phase enthält, in die Bor eingelagert ist.
17. Schneidwerkzeug nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Zr (BxCyNz) -Schicht frei von ZrB2- Kristalliten ist.
18. Schneidwerkzeug nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Zr(BxCyNz) -Schicht mit einer Al203- Schicht oder mit einer Zr02-Schicht kombiniert ist.
19. Schneidwerkzeug nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass jeweils zumindest eine Zwischenschicht aus TiAlCNO, ZrCNO und/oder ZrAlCNO vorgesehen ist.
20. Schneidwerkzeug nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die ZrBxCyNz-Schicht mit weiteren Schichten kombiniert ist, die Titan, Zirkonium, Hafnium, Vanadium und/oder Tantal oder ein sonstiges Element der Gruppe IVa und Va in Form von Carbiden, Nitriden, Carbonitriden und/oder Carbooxonitriden oder Mischungen aus diesen enthalten.
PCT/EP2003/013289 2002-12-13 2003-11-26 CVD-BESCHICHTUNGSVERFAHREN FÜR ZRBxCyNz-SCHICHTEN (x+y+z=1) SOWIE BESCHICHTETES SCHNEIDWERKZEUG Ceased WO2004055235A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP03775393A EP1570105B1 (de) 2002-12-13 2003-11-26 CVD-BESCHICHTUNGSVERFAHREN FÜR ZRBxCyNz-SCHICHTEN (x+y+z=1) SOWIE BESCHICHTETES SCHNEIDWERKZEUG
AU2003283428A AU2003283428A1 (en) 2002-12-13 2003-11-26 Method for chemical vapour deposition (cvd) of zrbless thansbgreater thanxless than/sbgreater thancless thansbgreater thanyless than/sbgreater thannless thansbgreater thanz less than/sbgreater than(or x+y+z=1) layers and a cutting tool coated with said layer
DE50303995T DE50303995D1 (de) 2002-12-13 2003-11-26 CVD-BESCHICHTUNGSVERFAHREN FÜR ZRBxCyNz-SCHICHTEN (x+y+z=1) SOWIE BESCHICHTETES SCHNEIDWERKZEUG

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10258282A DE10258282A1 (de) 2002-12-13 2002-12-13 CVD-Beschichtungsverfarhen für ZrBx CyNz-Schichten (x+y+z = 1) sowie beschichtetes Schneidwerkzeug
DE10258282.3 2002-12-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2004055235A1 true WO2004055235A1 (de) 2004-07-01

Family

ID=32477611

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2003/013289 Ceased WO2004055235A1 (de) 2002-12-13 2003-11-26 CVD-BESCHICHTUNGSVERFAHREN FÜR ZRBxCyNz-SCHICHTEN (x+y+z=1) SOWIE BESCHICHTETES SCHNEIDWERKZEUG

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP1570105B1 (de)
AT (1) ATE331054T1 (de)
AU (1) AU2003283428A1 (de)
DE (2) DE10258282A1 (de)
ES (1) ES2268449T3 (de)
WO (1) WO2004055235A1 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008211090A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Ulvac Japan Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
JP2008211079A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Ulvac Japan Ltd バリア膜の形成方法及びバリア膜、並びに多層配線構造の作製方法及び多層配線構造
US8367542B2 (en) 2007-02-27 2013-02-05 Ulvac, Inc. Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus
CN116162917A (zh) * 2023-04-26 2023-05-26 赣州澳克泰工具技术有限公司 一种多层涂层刀具及制备方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005049393B4 (de) * 2005-10-15 2019-08-08 Kennametal Widia Produktions Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines beschichteten Substratkörpers, Substratkörper mit einer Beschichtung und Verwendung des beschichteten Substratkörpers
JP4753249B2 (ja) * 2006-01-13 2011-08-24 株式会社神戸製鋼所 ガラス成形用金型
DE102007058564A1 (de) * 2007-11-30 2009-06-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verschleißschutzbeschichtung für Bauteile oder Werkzeuge

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4239536A (en) * 1977-09-09 1980-12-16 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Surface-coated sintered hard body
US4629661A (en) * 1982-09-15 1986-12-16 Santrade Limited Cutting insert and method of making the same
US4895770A (en) * 1987-08-31 1990-01-23 Schwarzkopf Development Corporation Process for the manufacture of multi-layered, coated hardmetal parts
JPH10176289A (ja) * 1996-12-10 1998-06-30 Balzers Ag 被覆硬質合金
DE29818029U1 (de) * 1998-10-09 1999-03-25 Balzers Prozess Systeme Vertriebs- und Service GmbH, 81476 München Verschleißfestes Werkstück
WO2000014300A1 (en) * 1998-09-02 2000-03-16 Unaxis Trading Ag Wear-resistant workpiece and method for producing same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5948864B2 (ja) * 1978-07-05 1984-11-29 住友電気工業株式会社 被覆超硬合金部材の製造法
FR2612946B1 (fr) * 1987-03-27 1993-02-19 Chimie Metal Procede et installation pour le depot chimique de revetements ultradurs a temperature moderee
JP3424263B2 (ja) * 1993-05-27 2003-07-07 住友電気工業株式会社 被覆硬質合金部材
JP3231006B2 (ja) * 1997-08-28 2001-11-19 株式会社シマノ 自転車用変速制御装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4239536A (en) * 1977-09-09 1980-12-16 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Surface-coated sintered hard body
US4629661A (en) * 1982-09-15 1986-12-16 Santrade Limited Cutting insert and method of making the same
US4895770A (en) * 1987-08-31 1990-01-23 Schwarzkopf Development Corporation Process for the manufacture of multi-layered, coated hardmetal parts
JPH10176289A (ja) * 1996-12-10 1998-06-30 Balzers Ag 被覆硬質合金
WO2000014300A1 (en) * 1998-09-02 2000-03-16 Unaxis Trading Ag Wear-resistant workpiece and method for producing same
DE29818029U1 (de) * 1998-10-09 1999-03-25 Balzers Prozess Systeme Vertriebs- und Service GmbH, 81476 München Verschleißfestes Werkstück

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1998, no. 11 30 September 1998 (1998-09-30) *
RANDICH E ET AL: "CHEMICALLY VAPOR-DEPOSITED ZRB2 AS A SELECTIVE SOLAR ABSORBER", THIN SOLID FILMS, ELSEVIER-SEQUOIA S.A. LAUSANNE, CH, vol. 83, no. 19, 6 April 1981 (1981-04-06), pages 393 - 398, XP001079794, ISSN: 0040-6090 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008211090A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Ulvac Japan Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
JP2008211079A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Ulvac Japan Ltd バリア膜の形成方法及びバリア膜、並びに多層配線構造の作製方法及び多層配線構造
US8367542B2 (en) 2007-02-27 2013-02-05 Ulvac, Inc. Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus
CN116162917A (zh) * 2023-04-26 2023-05-26 赣州澳克泰工具技术有限公司 一种多层涂层刀具及制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1570105A1 (de) 2005-09-07
AU2003283428A1 (en) 2004-07-09
ATE331054T1 (de) 2006-07-15
DE50303995D1 (de) 2006-08-03
EP1570105B1 (de) 2006-06-21
ES2268449T3 (es) 2007-03-16
DE10258282A1 (de) 2004-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69431032T2 (de) Beschichtetes schneidwerkzeug und verfahren zu dessen herstellung
DE60105739T2 (de) Oxidbeschichtetes Schneidwerkzeug
EP1902155B2 (de) Hartstoffbeschichtete körper und verfahren zu deren herstellung
DE69213593T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines mit Aluminiumoxyd beschichteten gesinterten Formkörper
DE69017278T3 (de) Beschichteter Schneideinsatz.
EP0361542B1 (de) Verbundkörper und Verfahren zu deren Herstellung
DE69215168T2 (de) Verbesserte, mit Titancarbonitrid überzogene Schneideinsätze sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE69007885T2 (de) Mit mehreren Oxiden beschichteter Karbidkörper und Verfahren zu seiner Herstellung.
DE69509218T3 (de) Oxidbeschichtetes schneidwerkzeug
DE69518039T2 (de) Beschichtete Klinge aus Hartmetallegierung
DE69616669T2 (de) Mit Oxid beschichtetes Schneidwerkzeug
DE60000725T2 (de) Mitteltemperatur-cvd-verfahren
DE2825009A1 (de) Beschichteter hartmetallkoerper und verfahren zu seiner herstellung
DE69721600T2 (de) Beschichtetes Schneidwerkzeug
DE19518927A1 (de) Beschichtetes Schneidwerkzeug und Verfahren zu seiner Herstellung
DE69720561T2 (de) Verfahren zur Herstellung von beschichteten Schneideinsätzen
DE69631484T2 (de) Ankeroxidbeschichtungen auf hartmetallschneidwerkzeugen
DE2727250A1 (de) Oberflaechenbeschichtete sinterhartmetallgegenstaende und ein verfahren zu deren herstellung
DE3852322T2 (de) Verbundschichten.
DE102008013964A1 (de) Hartstoffbeschichteter Körper
DE19752644C2 (de) Mit Aluminiumoxid beschichtetes Werkzeug und Herstellungsverfahren dafür
DE69802035T2 (de) Beschichtetes Schneidwerkzeug
EP0229282B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines beschichteten Formkörpers
DE102015115859B4 (de) Mehrschichtig strukturierte Beschichtungen für Schneidwerkzeuge
WO2004055235A1 (de) CVD-BESCHICHTUNGSVERFAHREN FÜR ZRBxCyNz-SCHICHTEN (x+y+z=1) SOWIE BESCHICHTETES SCHNEIDWERKZEUG

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2003775393

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2003775393

Country of ref document: EP

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 2003775393

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Country of ref document: JP