WO2006030908A1 - 基板保持装置、露光装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents

基板保持装置、露光装置、及びデバイス製造方法 Download PDF

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Makoto Shibuta
Katsushi Nakano
Yuichi Yoshida
Hiroaki Takaiwa
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Definitions

  • the present invention relates to a substrate holding apparatus that holds a processing substrate, an exposure apparatus that exposes the processing substrate, and a device manufacturing method.
  • an exposure apparatus that projects a pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate is used.
  • This exposure apparatus has a mask stage for supporting a mask and a substrate stage for supporting a substrate, and projects a mask pattern onto a substrate via a projection optical system while sequentially moving the mask stage and the substrate stage.
  • miniaturization of patterns formed on a substrate is required in order to increase the density of devices.
  • a projection as disclosed in Patent Document 1 below.
  • An immersion exposure apparatus has been devised that performs exposure processing in a state where the gap between the optical system and the substrate is higher than that of gas and is filled with liquid.
  • Patent Document 1 Pamphlet of International Publication No. 99Z49504
  • the immersion area AR2 ′ covering the projection area AR1 ′ of the projection optical system. May be formed outside the substrate P.
  • the liquid passes through the gap between the substrate and the substrate stage. May enter the back side of the board and penetrate between the board and the board stage (board holder).
  • the substrate stage is the substrate May not be held well.
  • liquid that has entered between the back surface of the substrate and the substrate stage acts as a foreign substance, which may lead to deterioration of the flatness of the supported substrate.
  • the adhesion S (hereinafter referred to as a watermark even when the liquid is not water) force S is formed by vaporization of the liquid that has entered. Since the watermark also acts as a foreign object, the flatness of the supported substrate may be degraded. Further, there is a possibility that inconveniences such as thermal deformation of the substrate stage may occur due to the heat of vaporization when the liquid that has entered between the substrate and the substrate stage is vaporized.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and is a substrate holding device and an exposure device that can prevent liquid from entering the back side of the processing substrate, and a device manufacture using the exposure device It aims to provide a method.
  • the present invention employs the following configurations corresponding to FIGS. 1 to 18 shown in the embodiments.
  • the reference numerals in parentheses attached to each element are merely examples of the element and do not limit each element.
  • a substrate holding device for holding a processing substrate (P) exposed through a liquid (LQ), which comprises a base material (PHB) and a base material (PHB). ) And the periphery of the processing substrate (P) formed on the base material (PHB) and held by the first holding portion (PH1).
  • a second holding portion (PH2) that holds the plate member (T) so as to surround the plate member, and the second holding portion (PH2) has a space (32) formed on the back surface (Tb) side of the plate member (T).
  • the plate member (T) is held and the processing substrate (P) and the second holding portion (PH2) held by the first holding portion (PH1) are disposed on the back surface (Tb) of the plate member (T).
  • a substrate holding device (PH) is provided in which an absorbing member (100) that absorbs the liquid (LQ) that has also entered the gap (A) force between the plate member (T) held by The
  • the substrate holding device can hold the processing substrate satisfactorily.
  • the processing substrate (P) exposed through the liquid (LQ) is held.
  • a substrate holding device that is formed on a base material (PHB) and a base material (PHB), is formed on a base material (PHB), a first holding part (PH1) that holds a processing substrate (P), A second holding part (PH2) for holding the plate member (T) so as to surround the periphery of the processing substrate (P) held by the first holding part (PH1), and the object of the plate member (T)
  • the gap force between the object such as the processing substrate and the plate member enters the liquid via the recovery port provided on the side surface of the plate member facing the object. Therefore, liquid can be prevented from entering the space on the back side of the object. Therefore, the substrate holding device can hold the object satisfactorily.
  • a substrate holding apparatus for holding a processing substrate (P) exposed through a liquid (LQ), the substrate (PHB) and the substrate (PHB).
  • a liquid (LQ) liquid
  • the substrate (PHB) and the substrate (PHB) And the periphery of the processing substrate (P) formed on the base material (PHB) and held by the first holding portion (PH1).
  • a second holding portion (PH2) that holds the plate member (T) so as to surround the first holding portion (PH1).
  • the first holding portion (PH1) is a convex first supporting the back surface (Pb) of the processing substrate (PH2).
  • the first peripheral wall portion includes a support portion (46) and a first peripheral wall portion (42) formed to face the back surface (Pb) of the processing substrate (P) and surround the first support portion (46).
  • the upper surface (42A) facing the back surface (Pb) of the processing substrate (P) is roughened to provide a substrate holding device (PH).
  • the upper surface of the first circumferential wall portion subjected to the rough surface treatment prevents movement of the liquid, so that the rear surface of the processing substrate and the upper surface of the first circumferential wall portion subjected to the rough surface treatment It is possible to prevent liquid from entering the space on the back side of the processing substrate through the gap. Therefore, the substrate holding device can hold the processing substrate satisfactorily.
  • a substrate holding device for holding a processing substrate (P) exposed through a liquid (LQ), the substrate (PHB) and the substrate (PHB). ) And the periphery of the processing substrate (P) formed on the base material (PHB) and held by the first holding portion (PH1). And a second holding portion (PH2) that holds the plate member (T) so as to surround the first holding portion (PH1).
  • the first holding portion (PH1) is a convex first supporting the back surface (Pb) of the processing substrate (P).
  • a liquid repellent member (450) having liquid repellency with respect to the liquid (LQ) is provided on the outside of the first peripheral wall portion (42).
  • a substrate holding device (PH) is provided.
  • the liquid that has also entered the gap force between the processing substrate and the plate member is repelled by the liquid repellent member provided on the outside of the first peripheral wall portion. Intrusion of liquid into the space on the back side of the substrate can be prevented. Therefore, the substrate holding device can hold the processing substrate satisfactorily.
  • a substrate holding device for holding a processing substrate (P) exposed through a liquid (LQ), the substrate (PHB) and the substrate (PHB).
  • a liquid (LQ) liquid
  • a second holding portion (PH2) that holds the plate member (T) so as to surround the first holding portion (PH1).
  • the first holding portion (PH1) is a convex first supporting the back surface (Pb) of the processing substrate (P).
  • the first peripheral wall has a support part (46) and a first peripheral wall part (42) formed to face the back surface (Pb) of the processing substrate (P) and surround the first support part (46).
  • the gap (A) between the processing substrate (P) held by the first holding part (PHI) and the plate member (T) held by the second holding part (PH2) is formed outside the part (42). )
  • a porous member (500) that holds the liquid (LQ) that has also entered force is provided !, and a substrate holding device (PH) is provided.
  • the liquid that has also entered the gap force between the processing substrate and the plate member is a porous member that is disposed outside the first peripheral wall portion that holds the processing substrate. Since it is absorbed, it is possible to prevent liquid from entering the space on the back surface side of the processing substrate. Therefore, the substrate holding device can hold the processing substrate satisfactorily.
  • a substrate holding apparatus for holding a processing substrate (P) exposed through a liquid (LQ), the substrate (PHB) and the substrate (PHB). ) And the periphery of the processing substrate (P) formed on the base material (PHB) and held by the first holding portion (PH1). And a second holding portion (PH2) that holds the plate member (T) so as to surround the first holding portion (PH1).
  • the first holding portion (PH1) is a convex first supporting the back surface (Pb) of the processing substrate (P).
  • the first peripheral wall has a support part (46) and a first peripheral wall part (42) formed to face the back surface (Pb) of the processing substrate (P) and surround the first support part (46).
  • Part (42) is at least partially porous ( 600, 700) is provided.
  • the liquid that has also entered the gap force between the processing substrate and the plate member is held by the porous body constituting a part of the first peripheral wall portion. Intrusion of liquid into the space on the back side of the can be prevented. In addition, the intruded liquid can be sucked and collected through the porous body, or there can be any time when the gas is blown out through the porous body to prevent the liquid from entering the back side of the processing substrate. . Therefore, the substrate holding device can hold the processing substrate satisfactorily.
  • a substrate holding apparatus for holding a processing substrate (P) exposed through a liquid (LQ), the substrate (PHB) and the substrate (PHB). ) And the periphery of the processing substrate (P) formed on the base material (PHB) and held by the first holding portion (PH1). And a second holding portion (PH2) that holds the plate member (T) so as to surround the first holding portion (PH1).
  • the first holding portion (PH1) is a convex first supporting the back surface (Pb) of the processing substrate (P).
  • the first peripheral wall has a support part (46) and a first peripheral wall part (42) formed to face the back surface (Pb) of the processing substrate (P) and surround the first support part (46).
  • a substrate holding device (PH) provided with a gas supply mechanism (701, 801) for blowing gas from at least a part of the section (42).
  • the gas supply mechanism blows out gas from the first peripheral wall portion, so that the gap force between the processing substrate and the plate member enters the liquid force on the back side of the processing substrate. It is possible to prevent entry into the space. Therefore, the substrate holding device can hold the processed substrate satisfactorily.
  • the substrate holding apparatus (PH) of the above aspect is provided, and the processing substrate (P) held by the substrate holding apparatus (PH) is passed through the liquid (LQ).
  • An exposure apparatus (EX) for exposure is provided.
  • the substrate can be satisfactorily exposed in a state in which liquid intrusion to the back side of the processing substrate is suppressed.
  • FIG. 1 is a schematic block diagram that shows an exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a side sectional view showing a substrate holder.
  • FIG. 3 is a plan view showing a substrate holder.
  • FIG. 4 is a plan view of the substrate stage.
  • FIG. 5 is an enlarged sectional view of a main part of the substrate holder according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a substrate holder according to a second embodiment.
  • FIG. 7 is a view showing a modification according to the second embodiment.
  • FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a substrate holder according to a third embodiment.
  • FIG. 9 is a view showing a modification according to the third embodiment.
  • FIG. 10 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a substrate holder according to a fourth embodiment.
  • FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a substrate holder according to a fifth embodiment.
  • FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a substrate holder according to a sixth embodiment.
  • FIG. 13 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a substrate holder according to a seventh embodiment.
  • FIG. 14 is an enlarged sectional view of a main part of a substrate holder according to an eighth embodiment.
  • FIG. 15 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a substrate holder according to a ninth embodiment.
  • FIG. 16 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a substrate holder according to a tenth embodiment.
  • FIG. 17 is an enlarged sectional view of a main part of a substrate holder according to an eleventh embodiment.
  • FIG. 18 is a flowchart showing an example of a semiconductor device manufacturing process.
  • FIG. 19 is a schematic diagram for explaining a conventional problem.
  • Gas supply mechanism 801 ... Gas supply mechanism, AR1 ... Projection area , AR2- -W immersion area, EL ... exposure light, EX ... exposure device, LQ ... liquid, P ... substrate (processing substrate), PH ... substrate holder, ⁇ 1 ⁇ First holding portion, ⁇ 2 ⁇ 2 holding part, PHB ... base material, PL ... projection optical system, PST ... substrate stage, T ... plate member, Ta ... front surface, Tb ... back surface, Tc ... side surface BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • the direction (vertical direction) that coincides with the optical axis AX of the projection optical system PL is the Z-axis direction
  • the predetermined direction in the plane perpendicular to the Z-axis direction is the X-axis direction, the Z-axis direction, and the X-axis direction.
  • Are the Y axis direction, and the rotation (tilt) directions around the X axis, Y axis, and Z axis are the 0 X, 0 Y, and 0 Z directions, respectively.
  • FIG. 1 is a schematic block diagram that shows the first embodiment of an exposure apparatus according to the present invention.
  • the exposure apparatus EX has a mask stage MST that can move while supporting the mask M, and a substrate holder (substrate holding apparatus) PH that holds the substrate P, and is held by the substrate holder PH.
  • a substrate stage PST that can move the substrate P, a mask M that is supported by the mask stage MST, an illumination optical system IL that illuminates the exposure light EL, and a non-turn image of the mask M that is illuminated by the exposure light EL.
  • the projection stage includes a projection optical system PL that performs projection exposure on the substrate P supported by the substrate stage PST, and a control device CONT that controls the overall operation of the exposure apparatus EX.
  • the “substrate” here is a processing substrate subjected to various process processes including an exposure process, and includes a semiconductor wafer coated with a photoresist, which is a photosensitive material.
  • the “mask” includes a reticle on which a device pattern that is reduced and projected onto a substrate is formed.
  • the exposure apparatus EX of the present embodiment is an immersion exposure apparatus to which an immersion method is applied in order to substantially shorten the exposure wavelength to improve the resolution and substantially increase the depth of focus.
  • Immersion machine for forming liquid LQ immersion area AR2 between projection optical system PL and substrate P Structure 1 is provided.
  • the liquid immersion mechanism 1 includes a liquid supply mechanism 10 that supplies the liquid LQ onto the substrate P, and a liquid recovery mechanism 20 that recovers the liquid LQ on the substrate P. Further, a nozzle member 70 constituting a part of the liquid immersion mechanism 1 is provided in the vicinity of the tip of the projection optical system PL.
  • the nozzle member 70 is an annular member provided so as to surround the optical element 2 at the image plane side tip of the projection optical system PL, and includes a supply port 12 for supplying the liquid LQ onto the substrate P, and the liquid body A recovery port 22 is provided for recovering LQ.
  • pure water is used as the liquid LQ.
  • the exposure apparatus EX uses the liquid LQ supplied from the liquid supply mechanism 10 on the substrate P including the projection area AR1 of the projection optical system PL.
  • a liquid immersion area AR2 that is larger than the projection area AR1 and smaller than the substrate P is locally formed on at least a part thereof.
  • the exposure apparatus EX fills the liquid LQ between the optical element 2 at the image surface side tip of the projection optical system PL and the surface (exposure surface) of the substrate P, and this projection optical system PL and the substrate P
  • the substrate P is exposed by projecting the pattern image of the mask M onto the substrate P held by the substrate holder PH via the liquid LQ between and the projection optical system PL.
  • the illumination optical system IL is supported by the mask stage MST !, and the mask M is illuminated with the exposure light EL.
  • the exposure light source that emits the exposure light EL
  • the exposure light source power There is an optical integrator that equalizes the illuminance of the light EL, a condenser lens that collects the exposure light EL from the optical integrator, a relay lens system, and a field stop that sets the illumination area on the mask M by the exposure light EL. is doing.
  • the predetermined illumination area on the mask M is illuminated with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution by the illumination optical system IL.
  • Exposure light EL emitted from the illumination optical system IL includes, for example, far ultraviolet light (DUV light) such as bright lines (g-line, h-line, i-line) and KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) that are also emitted by mercury lamp force And vacuum ultraviolet light such as Ar F excimer laser light (wavelength 193 nm) and F laser light (wavelength 157 nm)
  • DUV light far ultraviolet light
  • KrF excimer laser light wavelength 248 nm
  • mercury lamp force And vacuum ultraviolet light such as Ar F excimer laser light (wavelength 193 nm) and F laser light (wavelength 157 nm)
  • VUV light is used.
  • ArF excimer laser light is used.
  • the liquid LQ in the present embodiment is pure water and can be transmitted even if the exposure light EL is ArF excimer laser light. Pure water can also transmit ultraviolet rays (g-line, h-line, i-line) and far-ultraviolet light (DUV light) such as KrF excimer laser light (wavelength 248 nm).
  • Mask stage MST is movable while holding mask M, and for example, mask M is fixed by vacuum suction (or electrostatic suction).
  • the mask stage MST can move two-dimensionally in a plane perpendicular to the optical axis AX of the projection optical system PL, that is, in the XY plane, and can rotate slightly in the ⁇ Z direction.
  • a movable mirror 91 for the laser interferometer 92 is provided on the mask stage MST, and the position of the mask M on the mask stage MST in the two-dimensional direction (XY direction) and the rotation angle in the ⁇ Z direction (in some cases) (Including rotation angles in the ⁇ X and ⁇ Y directions) are measured in real time by the laser interferometer 92.
  • the control device CONT controls the position of the mask M supported by the mask stage MST by driving the mask stage driving device MSTD including a linear motor and the like.
  • the projection optical system PL projects and exposes the pattern of the mask M onto the substrate P at a predetermined projection magnification 13.
  • the projection optical system PL is composed of a plurality of optical elements including the optical element 2 provided at the front end portion on the substrate P side, and these optical elements are supported by the lens barrel PK.
  • the projection optical system PL is a reduction system having a projection magnification j8 of 1Z4, 1/5, or 1Z8, for example.
  • the projection optical system PL may be either an equal magnification system or an enlargement system.
  • the liquid LQ in the immersion area AR2 is in contact with the optical element 2 at the tip of the projection optical system PL of the present embodiment.
  • the substrate stage PST includes a substrate holder PH that holds the substrate P by suction, and a plate member T that is held by the substrate holder PH.
  • the substrate stage PST can be two-dimensionally moved in the XY plane on the base BP. It can be rotated slightly in the direction. Furthermore, the substrate stage PST can also move in the Z-axis direction, ⁇ X direction, and ⁇ Y direction. That is, the substrate P held by the substrate holder PH is movable in the Z-axis direction, 0 X, 0 Y direction (tilt direction), two-dimensional direction (XY direction), and 0 Z direction.
  • a movable mirror 93 for the laser interferometer 94 is provided on the side surface of the substrate holder PH.
  • the position of the substrate holder PH (substrate stage PST) in the two-dimensional direction and the rotation angle in the ⁇ Z direction are determined by the laser interferometer 94. Measured in real time. Further, the force exposure apparatus EX (not shown) detects positional information on the surface of the substrate P held by the substrate holder PH of the substrate stage PST, as disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 8-37149. Focus' leveling detection system. The focus leveling detection system detects the position information of the substrate P surface in the Z-axis direction and the tilt information of the substrate P in the ⁇ X and ⁇ Y directions.
  • the control device CONT drives the substrate stage PST via the substrate stage drive device PSTD, thereby driving the substrate stage PST. Controls the position (focus position) in the Z-axis direction of the substrate P held by the holder PH, the position in the tilt direction, the position in the XY direction, and the position in the ⁇ Z direction.
  • the moving mechanism of the substrate stage PST is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open Nos. 9-5463 and 59-101835.
  • the liquid supply mechanism 10 is for supplying the liquid LQ to the image plane side of the projection optical system PL, and includes a liquid supply unit 11 capable of delivering the liquid LQ, and one end of the liquid supply unit 11 And a supply pipe 13 for connecting the two. The other end of the supply pipe 13 is connected to the nozzle member 70.
  • the liquid supply unit 11 includes a tank that stores the liquid LQ, a pressure pump, a filter unit that removes foreign substances and bubbles contained in the liquid LQ, and the like.
  • the liquid recovery mechanism 20 is for recovering the liquid LQ on the image plane side of the projection optical system PL, and includes a liquid recovery unit 21 that can recover the liquid LQ, and one end of the liquid recovery unit 21. And a recovery pipe 23 for connecting the The other end of the recovery pipe 23 is connected to the nozzle member 70.
  • the liquid recovery unit 21 includes, for example, a vacuum system (a suction device) such as a vacuum pump, a gas-liquid separator that separates the recovered liquid LQ and gas, and a tank that stores the recovered liquid LQ.
  • a vacuum system it is possible to use the vacuum system of the factory where the exposure apparatus EX is installed without providing the exposure apparatus EX with a vacuum pump.
  • the nozzle member 70 The annular member is provided so as to surround the side surface of the optical element 2. A gap is provided between the nozzle member 70 and the optical element 2, and the nozzle member 70 is supported by a predetermined support mechanism so as to be vibrationally separated from the optical element 2.
  • a supply port 12 for supplying the liquid LQ onto the substrate P is provided on the lower surface 70A of the nozzle member 70 facing the substrate P.
  • a supply channel through which the liquid LQ supplied onto the substrate P flows is formed inside the nozzle member 70.
  • One end of the supply flow path of the nozzle member 70 is connected to the other end of the supply pipe 13, and the other end of the supply flow path is connected to the supply port 12.
  • a recovery port 22 for recovering the liquid LQ on the substrate P is provided on the lower surface 70A of the nozzle member 70.
  • the recovery port 22 is formed on the lower surface 70A of the nozzle member 70.
  • the projection optical system PL is formed in a ring shape so as to surround the optical element 2 (projection area AR1) and the supply port 12.
  • a recovery flow path through which the liquid LQ recovered through the recovery port 22 flows is formed inside the nozzle member 70.
  • One end of the recovery flow path of the nozzle member 70 is connected to the other end of the recovery pipe 23, and the other end of the recovery flow path is connected to the recovery port 22.
  • the operation of the liquid supply unit 11 is controlled by the control device CONT.
  • the control device CONT sends out the liquid LQ from the liquid supply unit 11, and the substrate P is supplied via the supply flow path formed in the supply pipe 13 and the nozzle member 70.
  • a predetermined amount of liquid LQ is supplied onto the substrate P from the supply port 12 provided above!
  • the operation of the liquid recovery unit 21 is also controlled by the control device CONT.
  • the controller CONT can control the liquid recovery amount per unit time by the liquid recovery unit 21.
  • the liquid LQ on the substrate P recovered from the recovery port 22 provided above the substrate P is recovered by the liquid recovery unit 21 via the recovery flow path formed inside the nozzle member 70 and the recovery pipe 23.
  • FIG. 2 is a side sectional view of the substrate holder PH holding the substrate P and a plate member T described later
  • FIG. 3 is a plan view of the substrate holder PH viewed from the upper force
  • FIG. 4 is a plan view of the substrate stage PST viewed from the upper force. It is.
  • the substrate holder PH is formed on the base material PHB, the base material PHB, the first holding portion PH1 that adsorbs and holds the substrate P, and the base material PHB.
  • a second holding portion PH2 that holds the plate member T by suction so as to surround the periphery of the substrate P sucked and held by the first holding portion PH1.
  • the plate member T is a member different from the base material PHB, and is provided so as to be detachable (exchangeable) with respect to the base material PHB of the substrate holder PH. Further, as shown in FIG. 4, the plate member T is a substantially annular member, and a substantially circular hole TH in which the substrate P can be placed is formed at the center thereof.
  • the plate member T held by the second holding part PH2 is disposed so as to surround the periphery of the substrate P held by the first holding part PH1.
  • the outer shape of the plate member T is formed in a rectangular shape in plan view so as to follow the shape of the base material PHB.
  • the state in which the plate member T is attracted and held on the base material PHB is referred to as a substrate stage PST.
  • each of the front surface Ta and the rear surface Tb of the plate member T is a flat surface (flat portion).
  • the plate member T has substantially the same thickness as the substrate P.
  • the surface (flat surface) Ta of the plate member T held by the second holding part PH2 and the surface Pa of the substrate P held by the first holding part PH1 are substantially flush. That is, the plate member T held by the second holding portion PH2 forms a flat surface Ta that is substantially flush with the surface Pa of the substrate P around the substrate P held by the first holding portion PH1.
  • the upper surface of the substrate stage PST is formed so that when the substrate P is held, the entire surface, including the surface Pa of the held substrate P, is V and flat (full flat surface). Being! RU
  • the first holding portion PH1 of the substrate holder PH includes a convex first support portion 46 formed on the base material PHB, and a periphery of the first support portion 46. And an annular first peripheral wall portion 42 formed on the base material PHB so as to surround it.
  • the first support portion 46 supports the back surface Pb of the substrate P, and a plurality of the first support portions 46 are uniformly formed inside the first peripheral wall portion 42.
  • the first support portion 46 includes a plurality of support pins.
  • the first peripheral wall portion 42 is formed in a substantially annular shape according to the shape of the substrate P, and the upper surface 42A of the first peripheral wall portion 42 is formed to face the peripheral region (edge region) of the back surface Pb of the substrate P. Has been. On the back surface Pb side of the substrate P held by the first holding portion PH1, a first space 31 surrounded by the base material PHB, the first peripheral wall portion 42, and the back surface Pb of the substrate P is formed.
  • a first suction port 41 is formed on the base material PHB inside the first peripheral wall portion 42.
  • the first suction port 41 is for holding the substrate P by suction, and is provided at a plurality of predetermined positions other than the first support portion 46 on the upper surface of the base material PHB inside the first peripheral wall portion 42. ing.
  • a plurality of the first suction ports 41 are uniformly arranged inside the first peripheral wall portion 42.
  • Each of the first suction ports 41 is connected to the first vacuum system 40 via a flow path 45.
  • the first vacuum system 40 is for making negative pressure in the first space 31 surrounded by the base material PHB, the first peripheral wall portion 42, and the back surface Pb of the substrate P, and includes a vacuum pump.
  • the first support portion 46 includes a support pin, and the first holding portion PH1 in the present embodiment constitutes at least a part of a so-called pin chuck mechanism.
  • the first peripheral wall portion 42 functions as an outer wall portion that surrounds the outside of the first space 31 including the first support portion 46, and the control device CONT drives the first vacuum system 40 to connect the substrate PHB and the first First space 31 surrounded by peripheral wall 42 and substrate P 31
  • the substrate P is adsorbed and held on the first support portion 46 by sucking the internal gas (air) and making the first space 31 have a negative pressure.
  • the second holding part PH2 of the substrate holder PH includes a substantially annular second peripheral wall part 62 formed on the base material PHB so as to surround the first peripheral wall part 42 of the first holding part PH1, and a second An annular third peripheral wall portion 63 formed on the substrate PHB so as to surround the second peripheral wall portion 62 and provided between the second peripheral wall portion 62 and the third peripheral wall portion 63. And a convex second support part 66 formed on the base material PHB.
  • the second support portion 66 supports the back surface Tb of the plate member T, and a plurality of second support portions 66 are uniformly formed between the second peripheral wall portion 62 and the third peripheral wall portion 63.
  • the second support portion 66 is also configured to include a plurality of support pins, like the first support portion 46.
  • the second peripheral wall 62 is provided outside the first peripheral wall 42 with respect to the first space 31, and the third peripheral wall 63 is provided further outside the second peripheral wall 62.
  • the second peripheral wall portion 62 is formed in a substantially annular shape according to the shape of the hole TH of the plate member T.
  • the third peripheral wall 63 is formed in a substantially rectangular ring shape according to the outer shape of the plate member T.
  • the upper surface 62A of the second peripheral wall portion 62 is formed so as to face the inner edge region (inner edge region) in the vicinity of the hole TH in the rear surface Tb of the plate member T.
  • the upper surface 63A of the third peripheral wall 63 is formed to face the outer edge region (outer edge region) of the rear surface Tb of the plate member T.
  • a second suction port 61 is formed on the base material PHB between the second peripheral wall 62 and the third peripheral wall 63.
  • the second suction port 61 is for adsorbing and holding the plate member T.
  • the second suction port 61 is other than the second support portion 6 6 on the upper surface of the base material PHB.
  • a plurality of the second suction ports 61 are uniformly arranged between the second peripheral wall portion 62 and the third peripheral wall portion 63.
  • Each of the second suction ports 61 is connected to the second vacuum system 60 via a flow path 65.
  • the second vacuum system 60 is used to create a negative pressure in the second space 32 surrounded by the base material PHB, the second and third peripheral wall portions 62 and 63, and the back surface Tb of the plate member T. Includes pump.
  • the second support portion 66 includes a support pin
  • the second holding portion PH2 in the present embodiment also constitutes at least a part of a so-called pin chuck mechanism, like the first holding portion PH1.
  • the second and third peripheral wall portions 62 and 63 function as outer wall portions surrounding the outside of the second space 32 including the second support portion 66, and the control device CONT drives the second vacuum system 60, By sucking the gas (air) in the second space 32 surrounded by the base material PHB, the second and third peripheral wall portions 62, 63 and the plate member T, the second space 32 is made negative pressure. The plate member T is sucked and held on the second support portion 66.
  • a pin chuck mechanism is used for suction holding of the substrate P, but other chuck mechanisms may be used.
  • a force using a pin chuck mechanism or another chuck mechanism may be used.
  • a vacuum suction mechanism is used to hold the substrate P and the plate member T, but at least one of them may be held using another mechanism such as an electrostatic suction mechanism. .
  • the first vacuum system 40 for negative pressure in the first space 31 and the second vacuum system 60 for negative pressure in the second space 32 are independent of each other.
  • the controller CONT can individually control the operations of the first vacuum system 40 and the second vacuum system 60.
  • the controller CONT can perform the suction operation on the first space 31 by the first vacuum system 40 and the second vacuum system 60.
  • the suction operation for the two spaces 32 can be performed independently.
  • the control device CONT controls the first vacuum system 40 and the second vacuum system 60, respectively, and makes the pressure in the first space 31 and the pressure in the second space 32 different from each other.
  • the outer edge portion of the substrate P held by the first holding portion PH1 and the inner side of the plate member T provided around the substrate P (on the side of the hole TH) ) Is formed with a gap (gap) A of about 0.1 to 1. Omm.
  • the gap A is about 0.3 mm.
  • the substrate P in the present embodiment is provided with a notch portion NT that is a notch portion for alignment.
  • the shape of the plate member T depends on the outer shape of the substrate P (the shape of the notch NT) so that the gap between the substrate P and the plate member T at the notch NT is also set to about 0.1 to 1. Omm. Is set.
  • the plate part The material T is provided with a protruding portion 150 that protrudes toward the inside of the hole TH so as to correspond to the shape of the notch NT of the substrate ridge.
  • a gap A of about 0.1 to 1. Omm is secured between the entire edge portion of the substrate P including the notch portion NT and the plate member T.
  • a convex portion 62N corresponding to the shape of the protrusion 150 of the plate member T is formed on the second peripheral wall portion 62 and the upper surface 62A of the second holding portion PH2.
  • the first peripheral wall portion 42 of the first holding portion PH1 and the upper surface 42A thereof are formed with a concave portion 42N corresponding to the shape of the convex portion 62N of the second peripheral wall portion 62 and the notch portion NT of the substrate P. Yes.
  • the concave portion 42N of the first peripheral wall portion 42 is provided at a position facing the convex portion 62N of the second peripheral wall portion 62, and a predetermined gap is formed between the concave portion 42N and the convex portion 62N.
  • the notch portion NT described as an example of the notch portion NT is not provided as the notch portion of the substrate P, or when the orientation flat portion (orientation flat portion) is formed on the substrate P as the notch portion.
  • the plate member 1 ⁇ the first peripheral wall portion 42 and the second peripheral wall portion 62 are each shaped according to the outer shape of the substrate P, and V is predetermined between the substrate P and the surrounding plate member T. If we try to secure a gap A,
  • FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of a main part of the substrate holder PH holding the substrate P and the plate member T.
  • the gap A of about 0.1 to 1. Omm is secured between the side surface Pc of the substrate P and the side surface Tc of the plate member T facing the side surface Pc as described above.
  • the upper surface 42A of the first peripheral wall portion 42 and the upper surface 62A of the second peripheral wall portion 62 are flat surfaces.
  • the upper surface 63A of the force third peripheral wall portion 63 (not shown in FIG. 5) is also a flat surface.
  • the first support part 46 is formed to have the same height force as the first peripheral wall part 42 and slightly higher than the first peripheral wall part 42. Then, the back surface Pb of the substrate P is supported on the upper surface 46A of the first support portion 46.
  • an absorbing member 100 capable of absorbing the liquid LQ is disposed on the back surface Tb of the plate member T.
  • the absorbing member 100 is for absorbing the liquid LQ in which the gap A force has also entered, and is formed of a porous member including a sponge-like member.
  • the absorbing member 100 may be provided in almost the entire back surface Tb of the plate member T, or may be provided only in the inner edge region in the vicinity of the hole TH of the back surface Tb of the plate member T. ! / [0057]
  • the second support part 66 is formed slightly higher than the second peripheral wall part 62, and the plate member T is moved to the second support part by making the second space 32 negative pressure.
  • a predetermined gap B is formed between the back surface Tb of the plate member T (including the lower surface of the absorbing member 100) and the upper surface 62A of the second peripheral wall portion 62.
  • the gap B is about several times smaller than the gear A / zm (eg 3 m). Since the gap B is small, the negative pressure in the second space 32 is maintained.
  • the second holding portion PH2 includes a recovery mechanism 101 that sucks and recovers the liquid LQ that is absorbed by the absorbing member 100 and held in the absorbing member 100.
  • the recovery mechanism 101 includes a convex portion 102 formed at a predetermined position on the base material PHB between the second peripheral wall portion 62 and the third peripheral wall portion 63, and a recovery port 103 formed on the upper surface 102A of the convex portion 102. And a vacuum system 105 connected to the recovery port 103 via a flow path 104.
  • the recovery port 103 is formed at each of a plurality of predetermined positions on the upper surface 102A of the convex portion 102.
  • the convex portion 102 is provided so that the upper surface 102A of the convex portion 102 and the absorbing member 100 on the back surface Tb of the plate member T held by the second support portion 66 are in contact with each other.
  • the vacuum system 105 is driven, the liquid LQ held in the absorbent member 100, which is a porous member, is sucked and collected by the vacuum system 105 through the recovery port 103 that is in contact with the absorbent member 100. It is stored in a predetermined tank. Since the recovery port 103 is formed on the upper surface 102A in contact with the absorption member 100, the liquid LQ held by the absorption member 100 can be recovered smoothly.
  • a gas-liquid separator is provided in the middle of the flow path 104 between the recovery port 103 and the vacuum system 105 to separate the liquid LQ recovered from the recovery port 103 from the gas.
  • the liquid LQ is prevented from flowing into the vacuum system 105.
  • the convex portion 102 may be provided so that the upper surface 102A thereof and the absorbing member 100 on the rear surface Tb of the plate member T are in contact with each other, for example, it may be formed in an annular shape in plan view. However, it may be divided into a plurality of predetermined positions on the substrate PHB. Furthermore, the upper surface 102A does not necessarily need to be in contact with the absorbing member 100 as long as the liquid LQ held by the absorbing member 100 can be recovered through the recovery port 103.
  • a gap C is formed between the first peripheral wall portion 42 and the second peripheral wall portion 62.
  • the gap C is larger than the gap A, for example, about 2.5 mm.
  • out of the first holding part PH1 The outer diameter of the annular first peripheral wall portion 42 is formed smaller than the diameter of the substrate P, and the peripheral region of the substrate P overhangs a predetermined amount outside the first peripheral wall portion 42.
  • the inner diameter of the annular second peripheral wall portion 62 of the second holding portion PH2 is formed larger than the inner diameter of the hole portion TH of the plate member T, and the inner edge region in the vicinity of the hole portion TH of the plate member T is the first. 2 Overhang a predetermined amount inside the peripheral wall 62.
  • a predetermined gap D is formed between the back surface Pb of the substrate P and the upper surface 42 A of the first peripheral wall portion 42.
  • the negative pressure of the gap B, the gap D, the first space 31 and the negative pressure of the first space 31 so that the suction force of the liquid LQ to the gap B is larger than the suction force of the liquid LQ to the gap D.
  • Negative pressure in the second space 32 is set.
  • the second suction port 61 formed on the base material PHB is provided between the substrate P held by the first holding part PH1 and the plate member T held by the second holding part PH2. It functions as a liquid recovery port that recovers liquid LQ that has entered through gap A. That is, even when the gap A force enters the second space 32 via the liquid LQ force gap B that has also entered, the liquid LQ is sucked and collected from the second suction port 61.
  • a gas-liquid separator is also provided in the middle of the flow path 65 connecting the second suction port 61 and the second vacuum system 60, and the liquid LQ recovered from the second suction port 61 is discharged. Inflow to the second vacuum system 60 is prevented.
  • the upper surface 63 A of the third peripheral wall 63 is a flat surface, and the third peripheral wall 63 is formed slightly lower than the second support 66.
  • a predetermined gap K is formed between the upper surface 63A of the third peripheral wall 63 and the lower surface Tb of the plate member T.
  • the plate member T is formed larger than the outer shape of the third peripheral wall portion 63, and the outer edge region of the plate member T overhangs a predetermined amount outside the third peripheral wall portion 63. If the liquid LQ on the plate member T flows out to the outside of the plate member T, it may adhere to the movable mirror 93 provided on the side surface of the substrate holder PH.
  • the liquid LQ that has flowed out to the outside of the plate member T is prevented from adhering to the movable mirror 93 because it overhangs outside and thus outside the movable mirror 93.
  • the second space 32 is made negative by the second vacuum system 60. From outside of space 32 to inside A gas flow through the gap K is generated. Therefore, the liquid LQ that has flowed out of the plate member ⁇ is drawn into the second space 32 through the gap ⁇ before flowing to the side surface of the substrate holder ⁇ ⁇ including the movable mirror 93 (before adhering). The inconvenience that the liquid LQ adheres to the movable mirror 93 can be prevented more reliably.
  • Each of the surface Ta, the back surface Tb, and the side surface Tc of the plate member ridge is coated with a liquid repellent material having liquid repellency with respect to the liquid LQ.
  • the liquid repellent material include fluorine-based resin materials such as polytetrafluoroethylene and acrylic resin materials.
  • the plate member T having a quartz force is coated with “CYTOP” manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.
  • HMDS hexamethyldisilazane
  • the plate member T itself may be formed of a liquid repellent material (such as a fluorine-based material)!
  • the surface Pa which is the exposure surface of the substrate P, is coated with a photoresist (photosensitive material).
  • the photosensitive material is a photosensitive material for ArF excimer laser and has liquid repellency with respect to the liquid LQ.
  • the back surface Pb and the side surface Pc of the substrate P are also coated with a liquid repellent material having liquid repellency with respect to the liquid LQ. Examples of the liquid repellent material that covers the back surface Pb and the side surface Pc of the substrate P include the above photosensitive materials.
  • a protective layer called a topcoat layer (a film that protects the photosensitive material from the liquid) may be applied to the upper layer of the photosensitive material applied to the surface Pa, which is the exposed surface of the substrate P.
  • the top coat layer forming material is used as the liquid repellent material for covering the back surface Pb and the side surface Pc of the substrate P. May be used.
  • HMDS hexamethyldisilazane
  • this HMDS may be coated on the surface Pa of the substrate P as a top coat layer forming material.
  • liquid repellency treatment may be applied to the liquid LQ by performing liquid repellency treatment on at least a part of the surface of the base material PHB of the substrate holder PH.
  • the upper surface 42A and the outer surface (the surface facing the second peripheral wall portion 62) 42C of the first peripheral wall portion 42 of the first holding portion PH1 and the first support portion The upper surface 46A of 46 has liquid repellency.
  • the upper surface 62A and the inner side surface of the second peripheral wall portion 62 of the second holding portion PH2 (as opposed to the first peripheral wall portion 42).
  • the surface 62B and the upper surface 66A of the second support 66 have liquid repellency.
  • the liquid repellency treatment of the substrate holder PH include a treatment for coating the fluorine-based resin material, the acrylic resin material, the photosensitive material, the topcoat layer forming material, HMDS, and the like as described above.
  • the exposure apparatus EX in the present embodiment is a scanning exposure apparatus (so-called scan ninder stepper) that projects a pattern image of the mask M onto the substrate P while moving the mask M and the substrate P in the X-axis direction (scanning direction).
  • scan ninder stepper a scanning exposure apparatus that projects a pattern image of the mask M onto the substrate P while moving the mask M and the substrate P in the X-axis direction (scanning direction).
  • scan ninder stepper that projects a pattern image of the mask M onto the substrate P while moving the mask M and the substrate P in the X-axis direction (scanning direction).
  • scan ninder stepper that projects a pattern image of the mask M onto the substrate P while moving the mask M and the substrate P in the X-axis direction (scanning direction).
  • a part of the pattern image of the mask M is projected into the projection area AR1 via the liquid LQ in the immersion area AR2 and the projection optical system PL, and the mask M is in
  • a plurality of shot areas are set on the substrate ⁇ , and after the exposure to one shot area is completed, the next shot area is moved to the scanning start position by the stepping movement of the substrate ⁇ .
  • the scanning exposure process for each shot area is sequentially performed while moving the substrate by the “and” scanning method.
  • a part of the immersion region AR2 formed on the image plane side of the projection optical system PL is a substrate.
  • a state is formed outside P.
  • an immersion area AR2 of liquid LQ is formed on gap A.
  • the liquid LQ in the liquid immersion area AR2 may enter through the gap A and wrap around the back side Pb of the substrate P.
  • the substrate P held by the first holding part PH1 and the second holding part PH2 Since the gap A between the held plate member T is set to about 0.1 to 1. Omm, the liquid LQ is prevented from entering the gap A by the surface tension of the liquid LQ. .
  • the surface Ta and the side surface Tc of the plate member T are liquid repellent, and the side surface Pc of the substrate P is also liquid repellent, so that the liquid LQ can be more reliably infiltrated from the gap A. Has been prevented. Therefore, even when the edge region E of the substrate P is exposed, the liquid LQ can be held under the projection optical system PL by the plate member T.
  • the liquid LQ absorbed (held) by the absorbing member 100 is recovered by the recovery mechanism 101, the liquid LQ drops from the absorbing member 100 onto the base material PHB inside the second space 32, etc. This prevents inconvenience. Even if the liquid LQ is dripped from the absorbing member 100, as described above, the second suction port 61 formed on the base material PHB has a function as a liquid recovery port for recovering the liquid LQ. Therefore, the liquid LQ can be collected through the second suction port 61.
  • the suction force of the liquid LQ to the gap B is larger than the suction force of the liquid LQ to the gap D. Since the negative pressure in the space 31 and the negative pressure in the second space 32 are set, the liquid LQ that has entered through the gap A can be smoothly drawn into the back surface Tb side of the plate member T, and the liquid that has entered the gap A force as well. The inconvenience that LQ goes to the back side Pb side of the substrate P can be prevented.
  • the back surface Pb of the substrate P and the upper surface 42A of the first peripheral wall portion 42 are brought into close contact with each other, and the gap D is made almost zero, so that the liquid LQ force intruded from the gap A
  • the back surface Pb of the substrate P and the first peripheral wall portion It is possible to more reliably prevent intrusion into the first space 31 through the space between the upper surface 42A of 42.
  • the liquid LQ held by the absorbing member 100 is provided so that the force absorbing member 100 recovered by the recovery mechanism 101 can be attached to and detached from the plate member T (replacement).
  • the absorbing member 100 provided on the back surface Tb of the plate member T holds a predetermined amount of the liquid LQ, it may be replaced with a new one.
  • a recovery port 300 for recovering the liquid LQ is provided on the side surface Tc facing the substrate P of the plate member T held by the second holding part PH2.
  • an internal flow path 301 is formed which is connected to the recovery port 300 and through which the liquid LQ flows.
  • the recovery port 300 is connected to one end of the internal flow path 301, and the other end of the internal flow path 301 is connected to an opening 302 provided at a predetermined position on the back surface Tb of the plate member T.
  • the opening 302 is formed at a position where it is disposed in the second space 32 when the second holding part PH2 holds the plate member T. That is, the internal flow path 301 of the plate member T is provided so as to connect the recovery port 300 and the second space 32.
  • a plurality of recovery ports 300 are formed at predetermined intervals in the circumferential direction on the side surface Tc of the plate member T, and a plurality of internal flow paths 301 are also provided according to the number of recovery ports 300. Further, in FIG. 6, one opening 302 is provided for each collection port 300! /, But a plurality of openings 302 are provided for one collection port 300.
  • the internal flow path 301 is divided into a plurality of portions by directing the other end, and each of the branch flow paths and a plurality of openings 302 are connected.
  • the control device CONT drives the second vacuum system 60 to make the second space 32 have a negative pressure, thereby making the internal flow path 301 of the plate member T connected to the second space 32 have a negative pressure. can do. Due to the negative pressure in the internal channel 301, the liquid LQ that has entered from the gap A between the substrate P held by the first holding part PH1 and the plate member T held by the second holding part PH2 Is recovered through the recovery port 300. The liquid LQ recovered via the recovery port 300 flows through the internal flow path 301 and then flows into the second space 32 via the opening 302.
  • the second suction port 61 provided inside the second space 32 has a function as a liquid recovery port for recovering the liquid LQ. The liquid LQ recovered through the recovery port 300 of the member T and flowing through the internal channel 301 is sucked and recovered by the second suction port 61 (second vacuum system 60).
  • the liquid LQ can be recovered more smoothly by making the vicinity of the recovery port 300 in the side surface Tc of the plate member T and the inner wall of the internal flow path 301 lyophilic with respect to the liquid LQ. it can .
  • two tube members made of lyophilic material are used to form the plate member T (or Can be formed between the plate members T by forming a lyophilic internal flow path 301 between them.
  • the recovery port 300 and the second space 32 are connected by the internal flow path 301, and the second space 32 is made negative by using the second vacuum system 60.
  • the liquid LQ that has entered through the gap A is recovered through the recovery port 300.
  • the other end of the internal channel 301 is connected to the side surface of the plate member T that does not face the substrate P. May be connected to the opening 303 formed at a predetermined position of the plate member T or a predetermined position of the surface Ta of the plate member T, and the vacuum system 304 may be connected to the opening 303.
  • the control device CONT drives the vacuum system 304 to make the internal flow path 301 have a negative pressure, and can recover the liquid LQ through the recovery port 300.
  • the liquid LQ recovered through the recovery port 300 flows through the internal channel 301 and is then recovered into the vacuum system 304 through the opening 303.
  • the top surface 42A of the first peripheral wall portion 42 that faces the back surface Pb of the substrate P is roughened.
  • the upper surface 42A of the first peripheral wall portion 42 subjected to the rough surface treatment prevents the liquid LQ from moving in the gap D formed between the rear surface Pb of the substrate P and the liquid LQ has entered from the gap A.
  • the liquid LQ can be prevented from entering the first space 31 on the back surface Pb side of the substrate P through the gap D from the gap A.
  • a technique such as sand blasting may be used as the rough surface treatment of the upper surface 42A.
  • a groove 320 is formed in the upper surface 42A of the first peripheral wall 42 along the circumferential direction. You may do it.
  • a plurality of groove portions 320 are formed concentrically.
  • a sheet-like member 400 having a liquid repellent material force is provided near the gap A in the back surface Pb of the substrate P.
  • the liquid repellent material forming the sheet-like member 400 include a fluorine-based resin material and an acrylic resin material.
  • “Gortex (trade name)” is used for the sheet-like member 400.
  • the sheet-like member 400 is formed in an annular shape corresponding to the peripheral region of the substrate P, and the peripheral region of the back surface Pb of the substrate P Is arranged.
  • the peripheral region of the substrate P has a certain amount of overhang outside the first peripheral wall portion 42
  • the sheet-like member 400 includes the region including the overhang portion Pbh of the back surface Pb of the substrate P, and the first The peripheral wall portion 42 is disposed so as to include a part of the region facing the upper surface 42A.
  • the sheet-like member 400 may be disposed only on the overhanging portion Pbh of the back surface Pb of the substrate P so as to face the upper surface 42A of the first peripheral wall portion 42!
  • the first peripheral wall portion 42 may be disposed over a wide area in the peripheral region of the back surface Pb of the substrate P so as to face the entire upper surface 42A of the first peripheral wall portion 42.
  • the sheet-like member 400 can prevent the liquid LQ from entering.
  • a liquid repellent member 450 having liquid repellency with respect to the liquid LQ is provided outside the first peripheral wall portion 42 on the substrate PHB.
  • the liquid repellent member 450 is annularly formed between the first peripheral wall portion 42 and the second peripheral wall portion 62 so as to surround the outside of the first peripheral wall portion 42.
  • the liquid repellent material for forming the liquid repellent member 450 include a fluorine-based resin material and an talyl-based resin material.
  • “Gortex (trade name)” is used for the liquid repellent member 450.
  • the liquid repellent member 450 is provided under the overhang portion Pbh of the back surface Pb of the substrate P.
  • the liquid repellent member 450 by disposing the liquid repellent member 450 in the region near the gap A and outside the gap D, the liquid LQ that has entered from the gap A is on the back surface Pb side of the substrate P. Even if it tries to enter the first space 31 side, the liquid LQ can be prevented from entering by the liquid repellent member 450.
  • a porous material capable of holding the liquid LQ is provided on the outer side of the first peripheral wall portion 42 on the base material PHB.
  • a material member 500 is provided on the outer side of the first peripheral wall portion 42 on the base material PHB.
  • the porous member 500 is for holding the liquid LQ that has entered from the gap A.
  • the porous member 500 is formed in an annular shape so as to surround the outside of the first peripheral wall portion 42 between the first peripheral wall portion 42 and the second peripheral wall portion 62.
  • the porous member 500 is disposed under the gap A.
  • the porous member 500 is large so as to be disposed in each of a region under the overhang portion Pbh of the back surface Pb of the substrate P and a region under the overhang portion Tbh of the back surface Tb of the plate member T. Formed! The top surface 500A of the porous member 500, the back surface Pb (overhang portion Pbh) of the substrate P held by the first holding portion PH1, and the back surface Tb of the plate member T held by the second holding portion PH2. (Overhang Tbh)
  • the substrate holder PH includes a collection mechanism 501 that sucks and collects the liquid LQ held by the porous member 500.
  • the recovery mechanism 501 is connected to the recovery port 503 formed at a predetermined position on the base material PHB between the second peripheral wall portion 62 and the third peripheral wall portion 63, and to the recovery port 503 via the flow path 504. Vacuum system 505.
  • the recovery port 503 is formed at each of a plurality of predetermined positions on the base material PHB between the second peripheral wall portion 62 and the third peripheral wall portion 63.
  • the lower surface 500B of the porous member 500 is provided with a recovery port 503 so as to be in contact with the base material PHB between the second peripheral wall portion 62 and the third peripheral wall portion 63.
  • the liquid LQ held in the porous member 500 is sucked and collected by the vacuum system 505 through the recovery port 503 in contact with the porous member 500, and is stored in a predetermined tank. Be contained. Since the collection port 503 is formed on the upper surface of the base material PHB that is in contact with the porous member 500, the liquid LQ held by the porous member 500 can be smoothly collected. In addition, a gas-liquid separator that separates the liquid LQ recovered from the recovery port 503 from the gas is provided in the middle of the flow path 504 between the collection port 503 and the vacuum system 505. The liquid LQ is prevented from flowing into the 505.
  • the porous member 500 As described above, by disposing the porous member 500 in the region below the gap A and outside the gap D, the liquid LQ that has entered from the gap A is held by the porous member 500. Therefore, it is possible to prevent the inconvenience that the liquid LQ that has entered from the gap A enters the back surface Pb side of the substrate P.
  • the liquid LQ held by the porous member 500 is a recovery mechanism.
  • the porous member 500 is provided so as to be detachable (replaceable) with respect to the base material PHB, and after the porous member 500 holds a predetermined amount of liquid LQ, it is replaced with a new one. Also good.
  • a seventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
  • a part of the upper surface 42 A of the first peripheral wall portion 42 faces the back surface Pb of the substrate P, and the remaining part is disposed below the gap A. That is, in this embodiment, the substrate P is not provided with an overhang portion, and the upper surface 42A of the first peripheral wall portion 42 has a relatively wide width (size in the radial direction of the first peripheral wall portion) 42H. It is formed to be large (wide).
  • the upper surface 42A of the first peripheral wall portion 42 is formed to be large and the upper surface 42A of the first peripheral wall portion 42 and the back surface Pb of the substrate P face each other without providing an overhang portion. Since the size (distance) of 42H ′ is increased, the liquid LQ that has entered through the gap A does not easily enter the first space 31 through the gap D. Therefore, it is possible to prevent the inconvenience that the liquid LQ that has also entered the gap A force flows into the back surface Pb side of the substrate P.
  • the first peripheral wall portion 42 is formed of the porous body 600.
  • the first peripheral wall portion 42 is made of the same material (for example, metal) as the base material PHB, and is opposed to the inner side surface 42B provided on the first space 31 side and the second peripheral wall portion 62.
  • An outer side surface 42C is provided, and a porous body 600 is provided between the inner side surface 42B and the outer side surface 42C. Therefore, in the present embodiment, the upper surface 42 A of the first peripheral wall portion 42 is also formed by the multi-hole body 600. Since at least a part of the first peripheral wall portion 42 is formed of the porous body 600, even when the liquid LQ enters from the gap A, the liquid LQ is held by the porous body 600. Prevents liquid LQ from entering the side
  • the substrate holder PH is disposed on the upper surface 600A of the porous body 600 by forming the surface of the porous body 600, in this embodiment, the upper surface 42A of the first peripheral wall portion 42! Liquid LQ, that A recovery mechanism 601 for sucking and recovering through the porous body 600 is provided.
  • the recovery mechanism 601 includes a recovery port 603 formed on the base material PHB that contacts the lower surface 600B of the porous body 600, and a vacuum system 605 connected to the recovery chamber 603 via a flow path 604. Yes.
  • the liquid LQ placed on the upper surface 600A of the porous body 600 moves by moving the porous body 600 from the upper surface 600A force to the lower surface 600B, and contacts the lower surface 600B of the porous body 600.
  • the vacuum system 605 sucks and collects through the recovery port 603.
  • the first peripheral wall portion 42 is formed by the porous body 700.
  • the substrate holder PH includes a gas supply mechanism 701 that blows out gas from the surface of the porous body 700 through the porous body 700.
  • the gas supply mechanism 701 includes a blower outlet 703 formed on the base material PHB that contacts the lower surface 700B of the porous body 700, and a gas supply system 705 connected via the blower outlet 703 and the corrugated flow path 704. I have. When the gas supply system 705 is driven, the gas sent from the gas supply system 705 flows through the flow path 704 and is then blown onto the lower surface 700B of the porous body 700 through the outlet 703.
  • the upper surface 700A of the porous body 700 that is, the upper surface 42A of the first peripheral wall portion 42
  • the inner surface 700C of the porous body 700 that is, the first surface
  • the outer wall 42B) of the peripheral wall 42, the outer surface 700D of the porous body 700 (that is, the outer surface 42C of the first peripheral wall 42), and the like are blown out. Therefore, even if an attempt is made to enter the first space 31 through the liquid LQ force gap D that has entered from the gap A, the flow of the gas blown from the upper surface 700A, the outer surface 700D, etc. of the porous body 700 to the first space 31 Intrusion of liquid LQ can be prevented.
  • a gas supply mechanism 701 may be connected to the porous body 600 constituting the first peripheral wall portion 42 shown in FIG. 14, and the force of the upper surface 600A of the porous body 600 may be blown out, as shown in FIG.
  • the recovery mechanism 601 is connected to the porous body 700 constituting the first peripheral wall portion 42 so that the liquid LQ disposed on the surface of the porous body 700 including the upper surface 700A, the inner surface 700C, and the outer surface 700D is recovered.
  • a blower outlet 803 for blowing out gas is provided on the surface of the first peripheral wall portion 42.
  • the B outlet 803 is formed on each of the upper surface 42A, the inner side surface 42B, and the outer side surface 42C of the first peripheral wall portion 42.
  • a gas supply system 805 is connected to the outlet 803 via a flow path 804. When the gas supply system 805 is driven, the gas delivered from the gas supply system 805 flows through the flow path 804 and then blows out to the outside of the first peripheral wall portion 42 via the air outlet 803. Therefore, even if it tries to enter the first space 31 through the liquid LQ force gap D that has entered from the gap A, the flow of the gas blown from the outlet 803 prevents the liquid LQ from entering the first space 31. be able to.
  • the gap A force between the plate member T and the substrate P is the force described in the case of processing the infiltrated liquid LQ.
  • the substrate holder PH There may be a case where an optical measuring unit 900 for measuring the irradiation state of the exposure light EL through the projection optical system PL and the liquid LQ is provided above, for example.
  • An optical measurement unit 900 in FIG. 17 schematically shows an illuminance unevenness sensor as disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 57-117238, and includes an upper plate 901 having light transmittance, And an optical element 902 provided under the plate 901.
  • a thin film 960 containing a light-shielding material such as chromium is provided on the upper plate 901, and a pinhole portion 970 that allows light to pass is provided in a part of the thin film 960.
  • the upper plate 901 and the optical element 902 are supported by a support member 903 provided on the base material PHB.
  • the support member 903 has a continuous wall portion surrounding the upper plate 901 and the optical element 902.
  • An optical sensor 950 that receives light (exposure light EL) that has passed through the pinhole portion 970 is disposed below the optical element 902.
  • the optical sensor 950 is disposed on the substrate PHB.
  • a predetermined gear A ′ is formed between the upper plate 901 (support member 903) and the plate member T. Further, the upper surface 901A of the upper plate 901 of the optical measurement unit 900 and the surface Ta of the plate member T held by the second holding unit PH2 are substantially flush with each other.
  • the recovery port 300 as described in the second embodiment is formed on the side surface Tc of the plate member T facing the upper plate 901.
  • the force that liquid LQ may enter from the gap A '
  • the liquid LQ that has entered can be recovered through the recovery port 300.
  • the absorbing member 100 as in the first embodiment described above can be disposed in the vicinity of the gap A ′ of the back surface Tb of the plate member T, and has been described with reference to FIGS. 11 and 12.
  • Such a liquid repellent member (450) and a porous member (500) may be provided so as to surround the support member 903.
  • the liquid LQ in the present embodiment is pure water.
  • Pure water has the advantage that it can be easily obtained in large quantities at semiconductor manufacturing factories and the like, and has no adverse effect on the photoresist or optical elements (lenses) on the substrate P.
  • pure water has no adverse effects on the environment, and the impurity content is extremely low. it can. If the purity of pure water supplied by the factory is low, the exposure apparatus may have an ultrapure water production device.
  • the refractive index n of pure water (water) for exposure light EL with a wavelength of about 193 nm is said to be approximately 1. 44, and ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) is used as the light source of exposure light EL.
  • lZn that is, the wavelength is shortened to about 134 nm to obtain a high resolution.
  • the projection optical system PL can be used if it is sufficient to ensure the same depth of focus as in the air.
  • the numerical aperture can be increased further, and the resolution is improved in this respect as well.
  • the numerical aperture NA of the projection optical system may be 0.9 to 1.3. In this way, when the numerical aperture NA of the projection optical system becomes large, it has been used as exposure light from the past! Because random polarization light, the imaging performance may be deteriorated due to the polarization effect. It is desirable to use polarized illumination.
  • the mask (record (Line) of line pattern of “and” and “space pattern” is linearly polarized illumination, and from the pattern of mask (reticle), S polarization component (TE polarization component), that is, the longitudinal direction of line pattern It is desirable to emit a lot of diffracted light of the polarization direction component along.
  • the space between the projection optical system PL and the resist coated on the surface of the substrate P is filled with liquid
  • the space between the projection optical system PL and the resist coated on the surface of the substrate P is filled with air (gas).
  • the numerical aperture NA of the projection optical system is 1.0. Even in such a case, high imaging performance can be obtained. Further, it is more effective to appropriately combine the phase shift mask with an oblique incidence illumination method (particularly a dipole illumination method) or the like according to the longitudinal direction of the line pattern as disclosed in JP-A-6-188169.
  • the combination of the linear polarization illumination method and the dipole illumination method is used when the periodic direction of the line 'and' space pattern is limited to a predetermined direction V, or the hole pattern is formed along the predetermined direction. It is effective when there is a crowd. For example, when a halftone phase shift mask with a transmittance of 6% (a pattern with a noise pitch of about 45 nm) is illuminated using both the linear polarization illumination method and the dipole illumination method, the dipole is illuminated on the pupil plane of the illumination system.
  • the depth of focus (DOF) can be increased by about 150 nm.
  • a fine line-and-space pattern for example, a line 'and' space of about 25 to 50 nm
  • the mask M acts as a polarizing plate due to the wave guide effect, and the P-polarized component reduces the contrast.
  • the diffracted light of the S-polarized component (TE-polarized component) is larger than the diffracted light of the (TM-polarized component), and the mask M force is emitted.
  • the mask M is illuminated with randomly polarized light. Even if the numerical aperture NA of the projection optical system PL is large, such as 0.9 to 1.3, high resolution performance can be obtained.
  • a projection optical system can be obtained by using both the polarization illumination method that linearly polarizes in the tangential direction of the circle centered on the optical axis and the annular illumination method. High imaging performance can be obtained even when the numerical aperture NA is large.
  • a polarization illumination method and an annular illumination method in which a half-tone phase shift mask with a transmittance of 6% (a pattern with a noise pitch of about 63 nm) is linearly polarized in the tangential direction of a circle centered on the optical axis
  • the depth of focus (DOF) is 250 nm rather than using randomly polarized light.
  • the optical element 2 is attached to the tip of the projection optical system PL, and the optical characteristics of the projection optical system PL, for example, aberration (spherical aberration, coma aberration, etc.) are adjusted by this lens. be able to.
  • the optical element attached to the tip of the projection optical system PL may be an optical plate used for adjusting the optical characteristics of the projection optical system PL. Alternatively, it may be a plane parallel plate that can transmit exposure light EL.
  • the space between the projection optical system PL and the surface of the substrate P is filled with the liquid LQ.
  • a cover glass having parallel plane plate force is attached to the surface of the substrate P. It may be configured to fill liquid LQ in a wet state.
  • the liquid LQ of the present embodiment may be a liquid other than water, which is water.
  • the light source of the exposure light EL is an F laser
  • the F laser light does not pass through water.
  • liquid LQ for example, perfluorinated polyether (PFPE) and F laser light can be transmitted.
  • PFPE perfluorinated polyether
  • F laser light can be transmitted.
  • the part that comes into contact with the liquid LQ may be a fluorine-based fluid such as fluorine-based oil.
  • the part that comes into contact with the liquid LQ for example, has a small polarity including fluorine!
  • the film is made lyophilic by forming a thin film with a molecular structure.
  • the liquid LQ is stable to the projection optical system PL that is transmissive to the exposure light EL and has a refractive index as high as possible, and to the photoresist applied to the surface of the substrate P (for example, Cedar). Oil) can also be used.
  • the surface treatment is performed according to the polarity of the liquid LQ used.
  • the substrate P in each of the above embodiments is not limited to a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, but also a glass substrate for a display device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or a mask used in an exposure apparatus.
  • Reticle masters synthetic quartz, silicon wafers are applied.
  • an exposure apparatus EX in addition to a step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper) that performs mask exposure by scanning the mask M and the substrate P in synchronization with each other, a mask is used. With the M and the substrate P stationary, the mask M pattern is batch exposed and The present invention can also be applied to a step-and-repeat projection exposure apparatus (steno) that sequentially moves the plate P.
  • steno step-and-repeat projection exposure apparatus
  • a reduced image of the first pattern is projected with the first pattern and the substrate P substantially stationary (for example, a refraction type including a reflective element at a 1Z8 reduction magnification). It can also be applied to an exposure apparatus that uses a projection optical system) to perform batch exposure on the substrate P. In this case, after that, with the second pattern and the substrate P almost stationary, a reduced image of the second pattern is collectively exposed on the substrate P by partially overlapping the first pattern using the projection optical system. It can also be applied to a stitch type batch exposure apparatus. In addition, the stitch type exposure apparatus can also be applied to a step 'and' stitch type exposure apparatus in which at least two patterns are partially overlapped and transferred on the substrate P, and the substrate P is sequentially moved.
  • the present invention relates to JP-A-10-163099, JP-A-10-214783, special table.
  • the present invention can also be applied to a twin stage type exposure apparatus disclosed in 2000-505958.
  • the present invention can also be applied to an exposure apparatus provided with a substrate stage and a measurement stage as disclosed in JP-A-11-135400.
  • the type of exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern onto a substrate P, but an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display, a thin film magnetic head, It can be widely applied to an exposure device for manufacturing an imaging device (CCD) or a reticle or mask.
  • CCD imaging device
  • each stage PST, MST may be a type that moves along the guide or a guideless type that does not have a guide.
  • each stage PST, MST is such that a magnet mute with a two-dimensional magnet and an armature unit with a two-dimensional coil are opposed to each other by electromagnetic force.
  • either the magnet unit or the armature unit is connected to the stages PST and MST, and the magnet unit and the armature unit are connected.
  • the other side of the knit should be on the moving surface of the stage PST and MST!
  • reaction force generated by the movement of the substrate stage PST is not transmitted to the projection optical system PL, as described in JP-A-8-166475 (USP 5,528,118). May be mechanically released to the floor (ground).
  • a frame member is used so that the reaction force generated by the movement of the mask stage MST is not transmitted to the projection optical system PL. You can mechanically escape to the floor (ground).
  • the exposure apparatus EX can provide various subsystems including the constituent elements recited in the claims of the present application with predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Manufactured by assembling to keep. In order to ensure these various accuracies, before and after this assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, various electrical systems Adjustments are made to achieve electrical accuracy.
  • Various subsystem powers The assembly process to the exposure equipment includes mechanical connections, electrical circuit wiring connections, and pneumatic circuit piping connections between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. It is desirable to manufacture the exposure apparatus in a clean room where the temperature and cleanliness are controlled.
  • a microdevice such as a semiconductor device includes a step 201 for designing the function and performance of the microdevice, a step 202 for producing a mask (reticle) based on this design step, Step 203 for manufacturing a substrate as a base material, substrate processing step 204 including processing for exposing the mask pattern onto the substrate by the exposure apparatus EX of the above-described embodiment, device assembly step (dicing process, bonding process, and knocking process) 205), manufactured through inspection step 206 and the like.

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Abstract

　基板の裏面側への液体の浸入を防止できる基板保持装置を提供する。基板保持装置（ＰＨ）は、基材（ＰＨＢ）と、基材（ＰＨＢ）に形成され、基板（Ｐ）を保持する第１保持部（ＰＨ１）と、基材（ＰＨＢ）に形成され、第１保持部（ＰＨ１）で保持された処理基板（Ｐ）の周囲を囲むようにプレート部材（Ｔ）を保持する第２保持部（ＰＨ２）とを備えている。第２保持部（ＰＨ２）は、プレート部材（Ｔ）の裏面（Ｔｂ）側に第２空間（３２）が形成されるようにプレート部材（Ｔ）を保持している。プレート部材（Ｔ）の裏面（Ｔｂ）には、第１保持部（ＰＨ１）で保持された基板（Ｐ）と第２保持部（ＰＨ２）で保持されたプレート部材（Ｔ）との間のギャップ（Ａ）から浸入した液体（ＬＱ）を吸収する吸収部材（１００）が配置されている。

Description

明 細 書
基板保持装置、露光装置、及びデバイス製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、処理基板を保持する基板保持装置、処理基板を露光する露光装置、及 びデバイス製造方法に関するものである。
本願は、 2004年 9月 17日に出願された特願 2004— 271634号に基づき優先権 を主張し、その内容をここに援用する。
背景技術
[0002] 半導体デバイスや液晶表示デバイス等のマイクロデバイスの製造工程の一つであ るフォトリソグラフイエ程では、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に投 影する露光装置が用いられる。この露光装置は、マスクを支持するマスクステージと 基板を支持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動 しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に投影するものである。マイクロ デバイスの製造においては、デバイスの高密度化のために、基板上に形成されるパ ターンの微細化が要求されている。この要求に応えるために露光装置の更なる高解 像度化が望まれており、その高解像度化を実現するための手段の一つとして、下記 特許文献 1に開示されているような、投影光学系と基板との間を気体よりも屈折率の 高 、液体で満たした状態で露光処理を行う液浸露光装置が案出されて!、る。
特許文献 1：国際公開第 99Z49504号パンフレット
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0003] ところで、図 19に示すように、基板 (処理基板) Pの周縁領域 (エッジ領域) Eを液浸 露光する場合には、投影光学系の投影領域 AR1 'を覆う液浸領域 AR2'の一部が 基板 Pの外側に形成される場合が生じる。液浸領域 AR2'の一部を基板 Pの外側に 形成した状態で基板 Pのエッジ領域 Eを露光するような場合、液体が基板と基板ステ ージとの間のギャップ (隙間）等を介して基板の裏面側に回り込み、基板と基板ステ ージ (基板ホルダ)との間に浸入する可能性がある。その場合、基板ステージが基板 を良好に保持できない可能性が生じる。例えば、基板の裏面と基板ステージとの間 に浸入した液体は異物として作用するため、支持した基板のフラットネスの劣化を招 く可能性がある。あるいは、浸入した液体が気化することで付着跡 (以下、液体が水 でない場合もウォーターマークと称する）力 S形成されることも考えられる。そのウォータ 一マークも異物として作用するため、支持した基板のフラットネスの劣化を招く可能性 がある。また、基板と基板ステージとの間に浸入した液体が気化したときの気化熱に より基板ステージが熱変形する等の不都合が生じる可能性もある。
[0004] 本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、処理基板の裏面側への液 体の浸入を防止できる基板保持装置及び露光装置、その露光装置を用いたデバイ ス製造方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0005] 上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す図 1〜図 18に対応付け した以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の 例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
[0006] 本発明の第 1の態様に従えば、液体 (LQ)を介して露光される処理基板 (P)を保持 する基板保持装置であって、基材 (PHB)と、基材 (PHB)に形成され、処理基板 (P) を保持する第 1保持部 (PH1)と、基材 (PHB)に形成され、第 1保持部 (PH1)で保 持された処理基板 (P)の周囲を囲むようにプレート部材 (T)を保持する第 2保持部（ PH2)とを備え、第 2保持部（PH2)は、プレート部材 (T)の裏面 (Tb)側に空間（32) が形成されるようにプレート部材 (T)を保持し、プレート部材 (T)の裏面 (Tb)には、 第 1保持部 (PH1)で保持された処理基板 (P)と第 2保持部 (PH2)で保持されたプレ 一ト部材 (T)との間のギャップ (A)力も浸入した液体 (LQ)を吸収する吸収部材（10 0)が配置されて ヽる基板保持装置 (PH)が提供される。
[0007] 本発明の第 1の態様によれば、処理基板とプレート部材との間のギャップ力 浸入 した液体は、吸収部材で吸収されるので、処理基板の裏面側の空間への液体の浸 入を防止できる。したがって、基板保持装置は処理基板を良好に保持することができ る。
[0008] 本発明の第 2の態様に従えば、液体 (LQ)を介して露光される処理基板 (P)を保持 する基板保持装置であって、基材 (PHB)と、基材 (PHB)に形成され、処理基板 (P) を保持する第 1保持部 (PH1)と、基材 (PHB)に形成され、第 1保持部 (PH1)で保 持された処理基板 (P)の周囲を囲むようにプレート部材 (T)を保持する第 2保持部（ PH2)とを備え、プレート部材 (T)のうち物体 (P)と対向する側面 (Tc)には、液体 (L Q)を回収する回収口（300)が設けられて ヽる基板保持装置 (PH)が提供される。
[0009] 本発明の第 2の態様によれば、処理基板等の物体とプレート部材との間のギャップ 力 浸入した液体は、プレート部材のうち物体と対向する側面に設けられた回収口を 介して回収されるので、物体の裏面側の空間への液体の浸入を防止できる。したが つて、基板保持装置は物体を良好に保持することができる。
[0010] 本発明の第 3の態様に従えば、液体 (LQ)を介して露光される処理基板 (P)を保持 する基板保持装置であって、基材 (PHB)と、基材 (PHB)に形成され、処理基板 (P) を保持する第 1保持部 (PH1)と、基材 (PHB)に形成され、第 1保持部 (PH1)で保 持された処理基板 (P)の周囲を囲むようにプレート部材 (T)を保持する第 2保持部（ PH2)とを備え、第 1保持部 (PH1)は、処理基板 (PH2)の裏面 (Pb)を支持する凸 状の第 1支持部 (46)と、処理基板 (P)の裏面 (Pb)に対向し、第 1支持部 (46)を囲 むように形成された第 1周壁部 (42)とを有し、第 1周壁部 (42)のうち処理基板 (P)の 裏面 (Pb)と対向する上面 (42A)は、粗面処理されて 、る基板保持装置 (PH)が提 供される。
[0011] 本発明の第 3の態様によれば、粗面処理された第 1周壁部の上面は液体の移動を 妨げるので、処理基板の裏面と粗面処理された第 1周壁部の上面との間を介して、 処理基板の裏面側の空間へ液体が浸入するのを防止できる。したがって、基板保持 装置は処理基板を良好に保持することができる。
[0012] 本発明の第 4の態様に従えば、液体 (LQ)を介して露光される処理基板 (P)を保持 する基板保持装置であって、基材 (PHB)と、基材 (PHB)に形成され、処理基板 (P) を保持する第 1保持部 (PH1)と、基材 (PHB)に形成され、第 1保持部 (PH1)で保 持された処理基板 (P)の周囲を囲むようにプレート部材 (T)を保持する第 2保持部（ PH2)とを備え、第 1保持部 (PH1)は、処理基板 (P)の裏面 (Pb)を支持する凸状の 第 1支持部 (46)と、処理基板 (P)の裏面 (Pb)に対向し、第 1支持部 (46)を囲むよう に形成された第 1周壁部 (42)とを有し、第 1周壁部 (42)の外側には、液体 (LQ)に 対して撥液性を有する撥液性部材 (450)が設けられて 、る基板保持装置 (PH)が提 供される。
[0013] 本発明の第 4の態様によれば、処理基板とプレート部材との間のギャップ力も浸入 した液体は、第 1周壁部の外側に設けられた撥液性部材によってはじかれるので、処 理基板の裏面側の空間への液体の浸入を防止できる。したがって、基板保持装置は 処理基板を良好に保持することができる。
[0014] 本発明の第 5の態様に従えば、液体 (LQ)を介して露光される処理基板 (P)を保持 する基板保持装置であって、基材 (PHB)と、基材 (PHB)に形成され、処理基板 (P) を保持する第 1保持部 (PH1)と、基材 (PHB)に形成され、第 1保持部 (PH1)で保 持された処理基板 (P)の周囲を囲むようにプレート部材 (T)を保持する第 2保持部（ PH2)とを備え、第 1保持部 (PH1)は、処理基板 (P)の裏面 (Pb)を支持する凸状の 第 1支持部 (46)と、処理基板 (P)の裏面 (Pb)に対向し、第 1支持部 (46)を囲むよう に形成された第 1周壁部 (42)とを有し、第 1周壁部 (42)の外側には、第 1保持部 (P HI)で保持された処理基板 (P)と第 2保持部 (PH2)で保持されたプレート部材 (T) との間のギャップ (A)力も浸入した液体 (LQ)を保持する多孔質部材 (500)が設けら れて!、る基板保持装置 (PH)が提供される。
[0015] 本発明の第 5の態様によれば、処理基板とプレート部材との間のギャップ力も浸入 した液体は、処理基板を保持する第 1周壁部の外側に配置されている多孔質部材で 吸収されるので、処理基板の裏面側の空間への液体の浸入を防止できる。したがつ て、基板保持装置は処理基板を良好に保持することができる。
[0016] 本発明の第 6の態様に従えば、液体 (LQ)を介して露光される処理基板 (P)を保持 する基板保持装置であって、基材 (PHB)と、基材 (PHB)に形成され、処理基板 (P) を保持する第 1保持部 (PH1)と、基材 (PHB)に形成され、第 1保持部 (PH1)で保 持された処理基板 (P)の周囲を囲むようにプレート部材 (T)を保持する第 2保持部（ PH2)とを備え、第 1保持部 (PH1)は、処理基板 (P)の裏面 (Pb)を支持する凸状の 第 1支持部 (46)と、処理基板 (P)の裏面 (Pb)に対向し、第 1支持部 (46)を囲むよう に形成された第 1周壁部 (42)とを有し、第 1周壁部 (42)の少なくとも一部は多孔体（ 600、 700)からなる基板保持装置 (PH)が提供される。
[0017] 本発明の第 6の態様によれば、処理基板とプレート部材との間のギャップ力も浸入 した液体は、第 1周壁部の一部を構成する多孔体で保持されるので、処理基板の裏 面側の空間への液体の浸入を防止できる。更に、浸入した液体を多孔体を介して吸 引回収したり、ある!/、は多孔体を介して気体を吹き出して処理基板の裏面側への液 体の浸入を阻止するといつたこともできる。したがって、基板保持装置は処理基板を 良好に保持することができる。
[0018] 本発明の第 7の態様に従えば、液体 (LQ)を介して露光される処理基板 (P)を保持 する基板保持装置であって、基材 (PHB)と、基材 (PHB)に形成され、処理基板 (P) を保持する第 1保持部 (PH1)と、基材 (PHB)に形成され、第 1保持部 (PH1)で保 持された処理基板 (P)の周囲を囲むようにプレート部材 (T)を保持する第 2保持部（ PH2)とを備え、第 1保持部 (PH1)は、処理基板 (P)の裏面 (Pb)を支持する凸状の 第 1支持部 (46)と、処理基板 (P)の裏面 (Pb)に対向し、第 1支持部 (46)を囲むよう に形成された第 1周壁部 (42)とを有し、第 1周壁部 (42)の少なくとも一部から気体を 吹き出す気体供給機構 (701、 801)を備えた基板保持装置 (PH)が提供される。
[0019] 本発明の第 7の態様によれば、気体供給機構が第 1周壁部より気体を吹き出すこと で、処理基板とプレート部材との間のギャップ力 浸入した液体力 処理基板の裏面 側の空間へ浸入することを阻止することができる。したがって、基板保持装置は処理 基板を良好に保持することができる。
[0020] 本発明の第 8の態様に従えば、上記態様の基板保持装置 (PH)を備え、その基板 保持装置 (PH)に保持された処理基板 (P)を、液体 (LQ)を介して露光する露光装 置 (EX)が提供される。
[0021] 本発明の第 8の態様によれば、基板保持装置で処理基板を良好に保持した状態で 精度良く液浸露光することができる。
[0022] 本発明の第 9の態様に従えば、上記態様の露光装置 (EX)を用いるデバイス製造 方法が提供される。
[0023] 本発明の第 9の態様によれば、処理基板を精度良く露光して、所望の性能を有す るデバイスを提供することができる。 発明の効果
[0024] 本発明によれば、処理基板の裏面側への液体の浸入を抑制した状態で基板を良 好に露光することができる。
図面の簡単な説明
[0025] [図 1]本発明の第 1の実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。
[図 2]基板ホルダを示す側断面図である。
[図 3]基板ホルダを示す平面図である。
[図 4]基板ステージの平面図である。
[図 5]第 1の実施形態に係る基板ホルダの要部拡大断面図である。
[図 6]第 2の実施形態に係る基板ホルダの要部拡大断面図である。
[図 7]第 2の実施形態に係る変形例を示す図である。
[図 8]第 3の実施形態に係る基板ホルダの要部拡大断面図である。
[図 9]第 3の実施形態に係る変形例を示す図である。
[図 10]第 4の実施形態に係る基板ホルダの要部拡大断面図である。
[図 11]第 5の実施形態に係る基板ホルダの要部拡大断面図である。
[図 12]第 6の実施形態に係る基板ホルダの要部拡大断面図である。
[図 13]第 7の実施形態に係る基板ホルダの要部拡大断面図である。
[図 14]第 8の実施形態に係る基板ホルダの要部拡大断面図である。
[図 15]第 9の実施形態に係る基板ホルダの要部拡大断面図である。
[図 16]第 10の実施形態に係る基板ホルダの要部拡大断面図である。
[図 17]第 11の実施形態に係る基板ホルダの要部拡大断面図である。
[図 18]半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
[図 19]従来の課題を説明するための模式図である。
符号の説明
[0026] 1· ··液浸機構、 10· ··液体供給機構、 20· ··液体回収機構、 31· ··第 1空間、 32· ··第 2空間、 40· ··第 1真空系、 42· ··第 1周壁部、 42Α· ··上面、 46…第 1支持部、 60· ··第 2真空系、 61· ··第 2吸引口、 62…第 2周壁部、 63…第 3周壁部、 66· ··第 2支持部、 100…吸収部材、 300· ··回収口、 301…内部流路、 320…溝部、 450…撥液性部 材、 500…多孔質部材、 501…回収機構、 600…多孔体、 601…回収機構、 700· ·· 多孔体、 701· ··気体供給機構、 801· ··気体供給機構、 AR1…投影領域、 AR2- -W 浸領域、 EL…露光光、 EX…露光装置、 LQ…液体、 P…基板 (処理基板)、 PH…基 板ホルダ、 ΡΗ1· ··第 1保持部、 ΡΗ2· ··第 2保持部、 PHB…基材、 PL…投影光学系 、 PST…基板ステージ、 T…プレート部材、 Ta…表面、 Tb…裏面、 Tc…側面 発明を実施するための最良の形態
[0027] 以下、本発明に係る露光装置の実施形態について図面を参照しながら説明するが 、本発明はこれに限定されない。
[0028] ここで、以下の説明にお ヽては、 XYZ直交座標系を設定し、この XYZ直交座標系 を参照しつつ説明する。そして、投影光学系 PLの光軸 AXと一致する方向 (鉛直方 向）を Z軸方向、 Z軸方向に垂直な平面内における所定方向を X軸方向、 Z軸方向及 び X軸方向に垂直な方向を Y軸方向、 X軸、 Y軸、及び Z軸まわりの回転 (傾斜)方向 をそれぞれ、 0 X、 0 Y、及び 0 Z方向とする。
[0029] <第 1の実施形態 >
図 1は本発明に係る露光装置の第 1の実施形態を示す概略構成図である。図 1に おいて、露光装置 EXは、マスク Mを支持して移動可能なマスクステージ MSTと、基 板 Pを保持する基板ホルダ (基板保持装置) PHを有し、基板ホルダ PHに保持された 基板 Pを移動可能な基板ステージ PSTと、マスクステージ MSTに支持されて ヽるマ スク Mを露光光 ELで照明する照明光学系 ILと、露光光 ELで照明されたマスク Mの ノターンの像を基板ステージ PSTに支持されている基板 Pに投影露光する投影光学 系 PLと、露光装置 EX全体の動作を統括制御する制御装置 CONTとを備えて 、る。 なお、ここでいう「基板」は、露光処理を含む各種プロセス処理を施される処理基板で あって、半導体ウェハ上に感光性材料であるフォトレジストを塗布したものを含む。ま た、「マスク」は基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含 む。
[0030] 本実施形態の露光装置 EXは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとと もに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、 投影光学系 PLと基板 Pとの間に液体 LQの液浸領域 AR2を形成するための液浸機 構 1を備えている。液浸機構 1は、基板 P上に液体 LQを供給する液体供給機構 10と 、基板 P上の液体 LQを回収する液体回収機構 20とを備えている。また、投影光学系 PLの先端部近傍には、液浸機構 1の一部を構成するノズル部材 70が設けられて ヽ る。ノズル部材 70は、投影光学系 PLの像面側先端部の光学素子 2を囲むように設け られた環状部材であって、基板 P上に液体 LQを供給するための供給口 12、及び液 体 LQを回収するための回収口 22を備えている。また、本実施形態においては、液 体 LQとして純水が用いられる。
[0031] 露光装置 EXは、少なくともマスク Mのパターン像を基板 P上に転写している間、液 体供給機構 10から供給した液体 LQにより投影光学系 PLの投影領域 AR1を含む基 板 P上の少なくとも一部に、投影領域 AR1よりも大きく且つ基板 Pよりも小さい液浸領 域 AR2を局所的に形成する。具体的には、露光装置 EXは、投影光学系 PLの像面 側先端の光学素子 2と基板 Pの表面 (露光面）との間に液体 LQを満たし、この投影光 学系 PLと基板 Pとの間の液体 LQ及び投影光学系 PLを介してマスク Mのパターン像 を基板ホルダ PHに保持された基板 P上に投影することによって、基板 Pを露光する。
[0032] 照明光学系 ILはマスクステージ MSTに支持されて!、るマスク Mを露光光 ELで照 明するものであり、露光光 ELを射出する露光用光源、露光用光源力 射出された露 光光 ELの照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレー タからの露光光 ELを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、露光光 ELによるマ スク M上の照明領域を設定する視野絞り等を有している。マスク M上の所定の照明 領域は照明光学系 ILにより均一な照度分布の露光光 ELで照明される。照明光学系 ILから射出される露光光 ELとしては、例えば水銀ランプ力も射出される輝線 (g線、 h 線、 i線)及び KrFエキシマレーザ光（波長 248nm)等の遠紫外光（DUV光）や、 Ar Fエキシマレーザ光（波長 193nm)及び F レーザ光（波長 157nm)等の真空紫外光
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(VUV光）などが用いられる。本実施形態にぉ ヽては ArFエキシマレーザ光が用い られる。上述したように、本実施形態における液体 LQは純水であって、露光光 ELが ArFエキシマレーザ光であっても透過可能である。また、純水は紫外域の輝線 (g線 、 h線、 i線)及び KrFエキシマレーザ光（波長 248nm)等の遠紫外光（DUV光)も透 過可能である。 [0033] マスクステージ MSTは、マスク Mを保持して移動可能であって、例えばマスク Mを 真空吸着 (又は静電吸着）により固定している。マスクステージ MSTは、投影光学系 PLの光軸 AXに垂直な平面内、すなわち XY平面内で 2次元移動可能及び θ Z方向 に微小回転可能である。マスクステージ MST上にはレーザ干渉計 92用の移動鏡 91 が設けられており、マスクステージ MST上のマスク Mの 2次元方向（XY方向）の位置 、及び Θ Z方向の回転角（場合によっては Θ X、 Θ Y方向の回転角も含む）はレーザ 干渉計 92によりリアルタイムで計測される。制御装置 CONTは、レーザ干渉計 92の 計測結果に基づ 、て、リニアモータ等を含むマスクステージ駆動装置 MSTDを駆動 することでマスクステージ MSTに支持されているマスク Mの位置を制御する。
[0034] 投影光学系 PLはマスク Mのパターンを所定の投影倍率 13で基板 Pに投影露光す るものである。投影光学系 PLは、基板 P側の先端部に設けられた光学素子 2を含む 複数の光学素子で構成されており、これら光学素子は鏡筒 PKで支持されている。本 実施形態において、投影光学系 PLは、投影倍率 j8が例えば 1Z4、 1/5,あるいは 1Z8の縮小系である。なお、投影光学系 PLは等倍系及び拡大系のいずれでもよい 。また、本実施形態の投影光学系 PLの先端の光学素子 2には液浸領域 AR2の液体 LQが接触する。
[0035] 基板ステージ PSTは、基板 Pを吸着保持する基板ホルダ PH、及び基板ホルダ PH に保持されたプレート部材 Tを有し、ベース BP上で、 XY平面内で 2次元移動可能及 び Θ Z方向に微小回転可能である。更に基板ステージ PSTは、 Z軸方向、 Θ X方向、 及び θ Y方向にも移動可能である。すなわち、基板ホルダ PHに保持されている基板 Pは、 Z軸方向、 0 X、 0 Y方向（傾斜方向）、 2次元方向（XY方向）、及び 0 Z方向に 移動可能である。基板ホルダ PHの側面にはレーザ干渉計 94用の移動鏡 93が設け られており、基板ホルダ PH (基板ステージ PST)の 2次元方向の位置、及び θ Z方向 の回転角はレーザ干渉計 94によりリアルタイムで計測される。また、不図示ではある 力 露光装置 EXは、例えば特開平 8— 37149号公報に開示されているような、基板 ステージ PSTの基板ホルダ PHに保持されている基板 Pの表面の位置情報を検出す るフォーカス'レベリング検出系を備えている。フォーカス'レべリング検出系は、基板 P表面の Z軸方向の位置情報、及び基板 Pの Θ X及び Θ Y方向の傾斜情報を検出す る。制御装置 CONTは、レーザ干渉計 94の計測結果、及びフォーカス'レベリング検 出系の検出結果に基づ ヽて、基板ステージ駆動装置 PSTDを駆動を介して基板ス テージ PSTを駆動することで、基板ホルダ PHに保持されて ヽる基板 Pの Z軸方向に おける位置（フォーカス位置）、傾斜方向における位置、 XY方向における位置、及び Θ Z方向における位置を制御する。なお、基板ステージ PSTの移動機構は、例えば 特開平 9— 5463号や特開昭 59— 101835号公報に開示されている。
[0036] 液体供給機構 10は、液体 LQを投影光学系 PLの像面側に供給するためのもので あって、液体 LQを送出可能な液体供給部 11と、液体供給部 11にその一端部を接 続する供給管 13とを備えて 、る。供給管 13の他端部はノズル部材 70に接続されて いる。液体供給部 11は、液体 LQを収容するタンク、加圧ポンプ、及び液体 LQ中に 含まれる異物や気泡を取り除くフィルタユニット等を備えている。
[0037] 液体回収機構 20は、投影光学系 PLの像面側の液体 LQを回収するためのもので あって、液体 LQを回収可能な液体回収部 21と、液体回収部 21にその一端部を接 続する回収管 23とを備えている。回収管 23の他端部はノズル部材 70に接続されて いる。液体回収部 21は例えば真空ポンプ等の真空系（吸引装置）、回収された液体 LQと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体 LQを収容するタンク等を備 えている。なお真空系として、露光装置 EXに真空ポンプを設けずに、露光装置 EX が配置される工場の真空系を用いるようにしてもょ 、。
[0038] ノズル部材 70は、
Figure imgf000012_0001
、て、光学素子 2の側面 を囲むように設けられた環状部材である。ノズル部材 70と光学素子 2との間には隙間 が設けられており、ノズル部材 70は光学素子 2に対して振動的に分離されるように所 定の支持機構で支持されている。ノズル部材 70のうち、基板 Pと対向する下面 70A には、基板 P上に液体 LQを供給する供給口 12が設けられている。また、ノズル部材 70の内部には、基板 P上に供給される液体 LQが流れる供給流路が形成されている 。ノズル部材 70の供給流路の一端部は供給管 13の他端部に接続され、供給流路の 他端部は供給口 12に接続されている。
[0039] また、ノズル部材 70の下面 70Aには、基板 P上の液体 LQを回収する回収口 22が 設けられている。本実施形態において、回収口 22は、ノズル部材 70の下面 70Aに おいて、投影光学系 PLの光学素子 2 (投影領域 AR1)及び供給口 12を囲むよう〖こ 環状に形成されている。また、ノズル部材 70の内部には、回収口 22を介して回収さ れた液体 LQが流れる回収流路が形成されて ヽる。ノズル部材 70の回収流路の一端 部は回収管 23の他端部に接続され、回収流路の他端部は回収口 22に接続されて いる。
[0040] 液体供給部 11の動作は制御装置 CONTにより制御される。基板 P上に液体 LQを 供給する際、制御装置 CONTは、液体供給部 11より液体 LQを送出し、供給管 13及 びノズル部材 70内部に形成された供給流路を介して、基板 Pの上方に設けられて!/ヽ る供給口 12より基板 P上に単位時間あたり所定量の液体 LQを供給する。また、液体 回収部 21の動作も制御装置 CONTにより制御される。制御装置 CONTは液体回収 部 21による単位時間あたりの液体回収量を制御可能である。基板 Pの上方に設けら れた回収口 22から回収された基板 P上の液体 LQは、ノズル部材 70内部に形成され た回収流路、及び回収管 23を介して液体回収部 21に回収される。
[0041] 次に、図 2、図 3、及び図 4を参照しながら、基板ステージ PST (基板ホルダ PH)に っ ヽて説明する。図 2は基板 P及び後述のプレート部材 Tを吸着保持した基板ホルダ PHの側断面図、図 3は基板ホルダ PHを上方力 見た平面図、図 4は基板ステージ PSTを上方力 見た平面図である。
[0042] 図 2にお!/、て、基板ホルダ PHは、基材 PHBと、基材 PHBに形成され、基板 Pを吸 着保持する第 1保持部 PH1と、基材 PHBに形成され、第 1保持部 PH1で吸着保持 された基板 Pの周囲を囲むようにプレート部材 Tを吸着保持する第 2保持部 PH2とを 備えている。プレート部材 Tは、基材 PHBとは別の部材であって、基板ホルダ PHの 基材 PHBに対して脱着（交換)可能に設けられている。また、図 4に示すように、プレ 一ト部材 Tは略環状部材であって、その中央部には、基板 Pを配置可能な略円形状 の穴部 THが形成されている。そして、第 2保持部 PH2に保持されたプレート部材 T は、第 1保持部 PH1に保持された基板 Pの周囲を囲むように配置される。また、プレ 一ト部材 Tの外形は基材 PHBの形状に沿うように平面視矩形状に形成されている。 本実施形態にぉ ヽては、基材 PHBにプレート部材 Tが吸着保持された状態を基板 ステージ PSTと称する。 [0043] 図 2にお 、て、プレート部材 Tの表面 Ta及び裏面 Tbのそれぞれは平坦面（平坦部 )となっている。また、プレート部材 Tは基板 Pとほぼ同じ厚さである。そして、第 2保持 部 PH2に保持されたプレート部材 Tの表面 (平坦面) Taと、第 1保持部 PH1に保持さ れた基板 Pの表面 Paとはほぼ面一となる。すなわち、第 2保持部 PH2に保持された プレート部材 Tは、第 1保持部 PH1に保持された基板 Pの周囲に、その基板 Pの表面 Paとほぼ面一の平坦面 Taを形成する。本実施形態においては、基板ステージ PST の上面は、基板 Pを保持したとき、保持した基板 Pの表面 Paを含めて、ほぼ全域にお V、て平坦面 (フルフラット面）になるように形成されて！、る。
[0044] 図 2及び図 3に示すように、基板ホルダ PHの第 1保持部 PH1は、基材 PHB上に形 成された凸状の第 1支持部 46と、第 1支持部 46の周囲を囲むように基材 PHB上に 形成された環状の第 1周壁部 42とを備えている。第 1支持部 46は、基板 Pの裏面 Pb を支持するものであって、第 1周壁部 42の内側において複数一様に形成されている 。本実施形態においては、第 1支持部 46は複数の支持ピンを含む。第 1周壁部 42は 基板 Pの形状に応じて略円環状に形成されており、その第 1周壁部 42の上面 42Aは 基板 Pの裏面 Pbの周縁領域 (エッジ領域）に対向するように形成されている。第 1保 持部 PH1に保持された基板 Pの裏面 Pb側には、基材 PHBと第 1周壁部 42と基板 P の裏面 Pbとで囲まれた第 1空間 31が形成される。
[0045] 第 1周壁部 42の内側の基材 PHB上には第 1吸引口 41が形成されている。第 1吸 引口 41は基板 Pを吸着保持するためのものであって、第 1周壁部 42の内側において 基材 PHBの上面のうち第 1支持部 46以外の複数の所定位置にそれぞれ設けられて いる。本実施形態においては、第 1吸引口 41は第 1周壁部 42の内側において複数 一様に配置されている。第 1吸引口 41のそれぞれは流路 45を介して第 1真空系 40 に接続されている。第 1真空系 40は、基材 PHBと第 1周壁部 42と基板 Pの裏面 Pbと で囲まれた第 1空間 31を負圧にするためのものであって、真空ポンプを含む。上述し たように、第 1支持部 46は支持ピンを含み、本実施形態における第 1保持部 PH1は 所謂ピンチャック機構の少なくとも一部を構成している。第 1周壁部 42は、第 1支持部 46を含む第 1空間 31の外側を囲む外壁部として機能しており、制御装置 CONTは、 第 1真空系 40を駆動し、基材 PHBと第 1周壁部 42と基板 Pとで囲まれた第 1空間 31 内部のガス (空気)を吸引してこの第 1空間 31を負圧にすることによって、基板 Pを第 1支持部 46に吸着保持する。
[0046] 基板ホルダ PHの第 2保持部 PH2は、第 1保持部 PH1の第 1周壁部 42を囲むよう に基材 PHB上に形成された略円環状の第 2周壁部 62と、第 2周壁部 62の外側に設 けられ、第 2周壁部 62を囲むように基材 PHB上に形成された環状の第 3周壁部 63と 、第 2周壁部 62と第 3周壁部 63との間の基材 PHB上に形成された凸状の第 2支持 部 66とを備えている。第 2支持部 66は、プレート部材 Tの裏面 Tbを支持するもので あって、第 2周壁部 62と第 3周壁部 63との間において複数一様に形成されている。 本実施形態においては、第 2支持部 66も、第 1支持部 46同様、複数の支持ピンを含 んで構成されている。第 2周壁部 62は第 1空間 31に対して第 1周壁部 42の外側に 設けられており、第 3周壁部 63は第 2周壁部 62の更に外側に設けられている。また、 第 2周壁部 62は、プレート部材 Tの穴部 THの形状に応じて略円環状に形成されて いる。第 3周壁部 63は、プレート部材 Tの外形に応じて略矩形環状に形成されている 。第 2周壁部 62の上面 62Aは、プレート部材 Tの裏面 Tbのうち、穴部 TH近傍の内 縁領域（内側のエッジ領域）に対向するように形成されている。第 3周壁部 63の上面 63Aは、プレート部材 Tの裏面 Tbのうち、外縁領域 (外側のエッジ領域）に対向する ように形成されて 、る。第 2保持部 PH2に保持されたプレート部材 Tの裏面 Tb側に は、基材 PHBと第 2、第 3周壁部 62、 63とプレート部材 Tの裏面 Tbとで囲まれた第 2 空間 32が形成される。
[0047] 第 2周壁部 62と第 3周壁部 63との間における基材 PHB上には第 2吸引口 61が形 成されている。第 2吸引口 61はプレート部材 Tを吸着保持するためのものであって、 第 2周壁部 62と第 3周壁部 63との間において、基材 PHBの上面のうち第 2支持部 6 6以外の複数の所定位置にそれぞれ設けられている。本実施形態においては、第 2 吸引口 61は第 2周壁部 62と第 3周壁部 63との間にお 、て複数一様に配置されて!、 る。
[0048] 第 2吸引口 61のそれぞれは、流路 65を介して第 2真空系 60に接続されている。第 2真空系 60は、基材 PHBと第 2、第 3周壁部 62、 63とプレート部材 Tの裏面 Tbとで 囲まれた第 2空間 32を負圧にするためのものであって、真空ポンプを含む。上述した ように、第 2支持部 66は支持ピンを含み、本実施形態における第 2保持部 PH2も、第 1保持部 PH1同様、所謂ピンチャック機構の少なくとも一部を構成している。第 2、第 3周壁部 62、 63は、第 2支持部 66を含む第 2空間 32の外側を囲む外壁部として機 能しており、制御装置 CONTは、第 2真空系 60を駆動し、基材 PHBと第 2、第 3周壁 部 62、 63とプレート部材 Tとで囲まれた第 2空間 32内部のガス (空気）を吸引してこ の第 2空間 32を負圧にすることによって、プレート部材 Tを第 2支持部 66に吸着保持 する。
[0049] なお、本実施形態にぉ 、ては、基板 Pの吸着保持にはピンチャック機構を採用して いるが、その他のチャック機構を採用してもよい。同様にして、プレート部材 Tの吸着 保持にはピンチャック機構を採用している力 その他のチャック機構を採用してもよい 。また、本実施形態においては、基板 P及びプレート部材 Tの吸着保持に真空吸着 機構を採用しているが、少なくとも一方を静電吸着機構などの他の機構を用いて保 持するようにしてちょい。
[0050] 第 1空間 31を負圧にするための第 1真空系 40と、第 2空間 32を負圧にするための 第 2真空系 60とは互いに独立している。制御装置 CONTは、第 1真空系 40及び第 2 真空系 60それぞれの動作を個別に制御可能であり、第 1真空系 40による第 1空間 3 1に対する吸引動作と、第 2真空系 60よる第 2空間 32に対する吸引動作とをそれぞ れ独立して行うことができる。また、制御装置 CONTは、第 1真空系 40と第 2真空系 6 0とをそれぞれ制御し、第 1空間 31の圧力と第 2空間 32の圧力とを互いに異ならせる ことちでさる。
[0051] 図 2及び図 4に示すように、第 1保持部 PH1に保持された基板 Pの外側のエッジ部 と、その基板 Pの周囲に設けられたプレート部材 Tの内側（穴部 TH側）のエッジ部と の間には、 0. 1〜1. Omm程度のギャップ（隙間) Aが形成されている。本実施形態 においては、ギャップ Aは 0. 3mm程度である。
[0052] また、図 4に示すように、本実施形態における基板 Pには、位置合わせのための切 欠部であるノッチ部 NTが形成されて 、る。ノッチ部 NTにおける基板 Pとプレート部材 Tとのギャップも 0. 1〜1. Omm程度に設定されるように、基板 Pの外形 (ノッチ部 NT の形状）に応じて、プレート部材 Tの形状が設定されている。具体的には、プレート部 材 Tには、基板 Ρのノッチ部 NTの形状に対応するように、穴部 THの内側に向力つて 突出する突起部 150が設けられている。これにより、ノッチ部 NTを含む基板 Pのエツ ジ部の全域とプレート部材 Tとの間に、 0. 1〜1. Omm程度のギャップ Aが確保され ている。また、第 2保持部 PH2の第 2周壁部 62及びその上面 62Aには、プレート部 材 Tの突起部 150の形状に応じた凸部 62Nが形成されている。
[0053] また、第 1保持部 PH1の第 1周壁部 42及びその上面 42Aには、第 2周壁部 62の凸 部 62N及び基板 Pのノッチ部 NTの形状に応じた凹部 42Nが形成されている。第 1周 壁部 42の凹部 42Nは、第 2周壁部 62の凸部 62Nと対向する位置に設けられており 、凹部 42Nと凸部 62Nとの間には所定のギャップが形成されている。
[0054] なおここでは、基板 Pの切欠部としてノッチ部 NTを例にして説明した力 切欠部が 無い場合や、切欠部として基板 Pにオリエンテーションフラット部 (オリフラ部）が形成 されている場合には、プレート部材1\第 1周壁部 42、及び第 2周壁部 62のそれぞれ を、基板 Pの外形に応じた形状にし、基板 Pとその周囲のプレート部材 Tとの間にお V、て所定のギャップ Aを確保するようにすればょ 、。
[0055] 図 5は基板 P及びプレート部材 Tを保持した基板ホルダ PHの要部拡大断面図であ る。
図 5において、基板 Pの側面 Pcと、その側面 Pcに対向するプレート部材 Tの側面 T cとの間には、上述したように 0. 1〜1. Omm程度のギャップ Aが確保されている。ま た、第 1周壁部 42の上面 42A、及び第 2周壁部 62の上面 62Aは平坦面となってい る。なお、図 5には不図示である力 第 3周壁部 63の上面 63Aも平坦面となっている 。また本実施形態においては、第 1保持部 PH1のうち、第 1支持部 46は、第 1周壁部 42と同じ高さ力、第 1周壁部 42よりも僅かに高く形成されている。そして、基板 Pの裏 面 Pbが第 1支持部 46の上面 46Aに支持される。
[0056] プレート部材 Tの裏面 Tbには、液体 LQを吸収可能な吸収部材 100が配置されて いる。吸収部材 100は、ギャップ A力も浸入した液体 LQを吸収するためのものであつ て、スポンジ状部材を含む多孔質部材によって形成されている。吸収部材 100は、プ レート部材 Tの裏面 Tbのほぼ全域に設けられて 、てもよ 、し、プレート部材 Tの裏面 Tbのうち穴部 TH近傍の内縁領域のみに設けられて 、てもよ!/、。 [0057] 第 2保持部 PH2のうち、第 2支持部 66は、第 2周壁部 62よりも僅かに高く形成され ており、第 2空間 32を負圧にしてプレート部材 Tを第 2支持部 66上に吸着保持した 状態においても、プレート部材 Tの裏面 Tb (吸収部材 100の下面を含む）と第 2周壁 部 62の上面 62Aとの間には所定のギャップ Bが形成されている。ギャップ Bはギヤッ プ Aよりも小さぐ数/ z m (例えば 3 m)程度である。ギャップ Bは僅かであるので、第 2空間 32の負圧は維持される。
[0058] また、第 2保持部 PH2は、吸収部材 100に吸収され、その吸収部材 100に保持さ れている液体 LQを吸引回収する回収機構 101を備えている。回収機構 101は、第 2 周壁部 62と第 3周壁部 63との間の基材 PHB上の所定位置に形成された凸部 102と 、凸部 102の上面 102Aに形成された回収口 103と、その回収口 103に流路 104を 介して接続された真空系 105とを備えている。回収口 103は、凸部 102の上面 102A の複数の所定位置のそれぞれに形成されている。凸部 102は、その凸部 102の上面 102Aと第 2支持部 66で保持されたプレート部材 Tの裏面 Tbの吸収部材 100とが接 触するように設けられている。真空系 105が駆動されると、多孔質部材である吸収部 材 100に保持されていた液体 LQは、その吸収部材 100に接触している回収口 103 を介して真空系 105に吸引回収され、所定のタンクに収容される。回収口 103は、吸 収部材 100に接触する上面 102Aに形成されているので、吸収部材 100に保持され ている液体 LQを円滑に回収することができる。なお不図示ではあるが、回収口 103 と真空系 105との間の流路 104の途中には、回収口 103より回収された液体 LQと気 体とを分離する気液分離器が設けられており、真空系 105に液体 LQが流入すること を防止している。
[0059] なお、凸部 102は、その上面 102Aとプレート部材 Tの裏面 Tbの吸収部材 100とが 接触するように設けられて ヽればよぐ例えば平面視環状に形成されて ヽてもよ ヽし 、基材 PHB上の複数の所定位置のそれぞれに分割して形成されていてもよい。更に は、上面 102Aは吸収部材 100に必ずしも接触している必要はなぐ要は、吸収部材 100に保持されている液体 LQを回収口 103を介して回収可能であればよい。
[0060] また、第 1周壁部 42と第 2周壁部 62との間にはギャップ Cが形成されている。ギヤッ プ Cはギャップ Aより大きぐ例えば 2. 5mm程度である。また、第 1保持部 PH1のうち 環状の第 1周壁部 42の外径は基板 Pの径より小さく形成されており、基板 Pの周縁領 域は第 1周壁部 42の外側に所定量オーバーハングしている。更に、第 2保持部 PH2 のうち環状の第 2周壁部 62の内径は、プレート部材 Tの穴部 THの内径よりも大きく 形成されており、プレート部材 Tの穴部 TH近傍の内縁領域は第 2周壁部 62の内側 に所定量オーバーハングして 、る。
[0061] また、基板 Pの裏面 Pbと第 1周壁部 42の上面 42Aとの間には所定のギャップ Dが 形成されている。本実施形態においては、ギャップ Bへの液体 LQの吸引力が、ギヤ ップ Dへの液体 LQの吸引力よりも大きくなるようにギャップ B、ギャップ D、第 1空間 3 1の負圧、及び第 2空間 32の負圧が設定されている。
[0062] また、基材 PHB上に形成されている第 2吸引口 61は、第 1保持部 PH1に保持され た基板 Pと、第 2保持部 PH2に保持されたプレート部材 Tとの間のギャップ Aから浸入 した液体 LQを回収する液体回収口としての機能を有している。すなわち、ギャップ A 力も浸入した液体 LQ力 ギャップ Bを介して第 2空間 32に浸入した場合にぉ 、ても、 その液体 LQは、第 2吸引口 61より吸引回収されるようになっている。ここで、第 2吸 引口 61と第 2真空系 60とを接続している流路 65の途中にも気液分離器が設けられ ており、第 2吸引口 61より回収された液体 LQが第 2真空系 60に流入することが防止 されている。
[0063] 図 2に戻って、第 3周壁部 63の上面 63Aは平坦面であって、第 3周壁部 63は、第 2 支持部 66よりも僅かに低く形成されている。そして、第 3周壁部 63の上面 63Aとプレ 一ト部材 Tの下面 Tbとの間には所定のギャップ Kが形成されている。また、プレート 部材 Tは、第 3周壁部 63の外形よりも大きく形成されており、プレート部材 Tの外縁領 域は第 3周壁部 63の外側に所定量オーバーハングしている。プレート部材 T上の液 体 LQがプレート部材 Tの外側に流出した場合、基板ホルダ PHの側面に設けられて いる移動鏡 93に付着するおそれがあるが、プレート部材 Tが第 3周壁部 63の外側に 、ひいては移動鏡 93の外側にオーバーハングしているので、プレート部材 Tの外側 に流出した液体 LQが移動鏡 93に付着することが防止されている。また、プレート部 材 Tと第 3周壁部 63の上面 63Aとの間にはギャップ Kが形成されているため、第 2真 空系 60によって第 2空間 32を負圧にすることで、第 2空間 32の外側から内側に向か うギャップ Kを介した気体の流れが生成される。したがって、プレート部材 Τの外側に 流出した液体 LQは、移動鏡 93を含む基板ホルダ ΡΗの側面に流れる前に (付着す る前に）、ギャップ Κを介して第 2空間 32に引き込まれるので、移動鏡 93に液体 LQ が付着する不都合を更に確実に防止することができる。
[0064] プレート部材 Τの表面 Ta、裏面 Tb、及び側面 Tcのそれぞれには、液体 LQに対し て撥液性を有する撥液性材料が被覆されている。撥液性材料としては、ポリ四フツイ匕 エチレン等のフッ素系榭脂材料やアクリル系榭脂材料等が挙げられる。本実施形態 においては、石英力もなるプレート部材 Tには、旭硝子社製「サイトップ」が被覆され ている。なお、プレート部材 Tに被覆する撥液性材料として HMDS (へキサメチルジ シラザン)を用いることもできる。あるいは、プレート部材 Tを撥液性にするために、プ レート部材 T自体を撥液性材料 (フッ素系の材料など)で形成してもよ!/、。
[0065] 基板 Pの露光面である表面 Paにはフォトレジスト (感光材）が被覆されて!、る。本実 施形態において、感光材は ArFエキシマレーザ用の感光材であって、液体 LQに対 して撥液性を有している。また、本実施形態においては、基板 Pの裏面 Pbや側面 Pc にも、液体 LQに対して撥液性を有する撥液性材料が被覆されている。基板 Pの裏面 Pbや側面 Pcに被覆する撥液性材料としては、上記感光材が挙げられる。また、基板 Pの露光面である表面 Paに塗布された感光材の上層にトップコート層と呼ばれる保 護層 (液体から感光材を保護する膜)を塗布する場合があるが、このトップコート層を 形成するための材料が、例えばフッ素系榭脂材料等の撥液性材料である場合には、 基板 Pの裏面 Pbや側面 Pcを被覆する撥液性材料として、このトップコート層形成用 材料を用いてもよい。更には、基板 Pの裏面 Pbや側面 Pcに被覆する撥液性材料とし て HMDS (へキサメチルジシラザン）を用いることもできる。また、この HMDSをトップ コート層形成用材料として基板 Pの表面 Paに被覆するようにしてもよい。
[0066] また、基板ホルダ PHの基材 PHBの少なくとも一部の表面に対して撥液ィ匕処理を施 して、液体 LQに対して撥液性を付与してもよい。本実施形態においては、基板ホル ダ PHの基材 PHBうち、第 1保持部 PH1の第 1周壁部 42の上面 42A及び外側面 (第 2周壁部 62と対向する面) 42C、第 1支持部 46の上面 46Aが撥液性を有して 、る。 また、第 2保持部 PH2の第 2周壁部 62の上面 62A及び内側面 (第 1周壁部 42と対 向する面） 62B、第 2支持部 66の上面 66Aが撥液性を有している。基板ホルダ PHの 撥液化処理としては、上述したようなフッ素系榭脂材料、アクリル系榭脂材料、感光 材、トップコート層形成用材料、 HMDS等を被覆する処理が挙げられる。
[0067] 次に、上述した構成を有する露光装置 EXの動作の一例及び基板ホルダ PHの作 用について説明する。
[0068] 本実施形態における露光装置 EXは、マスク Mと基板 Pとを X軸方向（走査方向）に 移動しながらマスク Mのパターン像を基板 Pに投影する走査型露光装置 (所謂スキヤ ニンダステッパ）であって、走査露光時には、液浸領域 AR2の液体 LQ及び投影光 学系 PLを介してマスク Mの一部のパターン像が投影領域 AR1内に投影され、マスク Mが— X方向（又は +X方向）に速度 Vで移動するのに同期して、基板 Pが投影領域 AR1に対して +X方向（又は— X方向）に速度 |8 ·ν ( |8は投影倍率)で移動する。基 板 Ρ上には複数のショット領域が設定されており、 1つのショット領域への露光終了後 に、基板 Ρのステッピング移動によって次のショット領域が走査開始位置に移動し、以 下、ステップ ·アンド'スキャン方式で基板 Ρを移動しながら各ショット領域に対する走 查露光処理が順次行われる。
[0069] 基板 Ρの表面 Paの周縁領域 (エッジ領域) Εを露光するとき、図 5に示すように、投 影光学系 PLの像面側に形成された液浸領域 AR2の一部が基板 Pの外側に形成さ れる状態が生じ、その状態においては、ギャップ Aの上に液体 LQの液浸領域 AR2 が形成される。その場合、液浸領域 AR2の液体 LQがギャップ Aより浸入し、基板 Pの 裏面 Pb側に回り込む可能性があるが、第 1保持部 PH1で保持された基板 Pと第 2保 持部 PH2で保持されたプレート部材 Tとの間のギャップ Aは、 0. 1〜1. Omm程度に 設定されているので、液体 LQの表面張力によって、ギャップ Aに液体 LQが浸入する ことが防止されている。また、本実施形態においては、プレート部材 Tの表面 Taや側 面 Tcが撥液性であるとともに、基板 Pの側面 Pcも撥液性であるため、ギャップ Aから の液体 LQの浸入が更に確実に防止されている。したがって、基板 Pのエッジ領域 E を露光する場合にも、プレート部材 Tにより投影光学系 PLの下に液体 LQを保持する ことができる。
[0070] また、仮にギャップ Aカゝら液体 LQが浸入した場合でも、プレート部材 Tの裏面 Tbに は液体 LQを吸収する吸収部材 100が設けられて 、るので、ギャップ Aから浸入した 液体 LQは、基板 Pの裏面 Pb側に回り込むことなぐプレート部材 Tの裏面 Tb側に引 き込まれて、吸収部材 100で吸収される。したがって、ギャップ Aから浸入した液体 L Qが基板 Pの裏面 Pb側に回り込む不都合を防止できる。
[0071] また、吸収部材 100で吸収 (保持)された液体 LQは、回収機構 101で回収されるの で、吸収部材 100から液体 LQが第 2空間 32の内側の基材 PHB上などに滴下すると いった不都合も防止される。なお、仮に、吸収部材 100から液体 LQが滴下しても、 上述したように、基材 PHB上に形成されている第 2吸引口 61は、液体 LQを回収する 液体回収口としての機能を有しているため、その液体 LQを第 2吸引口 61を介して回 収することができる。
[0072] また、上述したように、本実施形態においては、ギャップ Bへの液体 LQの吸引力が 、ギャップ Dへの液体 LQの吸引力よりも大きくなるようにギャップ B、ギャップ D、第 1 空間 31の負圧、及び第 2空間 32の負圧が設定されているので、ギャップ Aから浸入 した液体 LQをプレート部材 Tの裏面 Tb側に円滑に引き込むことができ、ギャップ A 力も浸入した液体 LQが基板 Pの裏面 Pb側に回り込む不都合を防止できる。なお、基 板 Pの裏面 Pbと第 1周壁部 42の上面 42Aとを密着させ、ギャップ Dをほぼゼロとする ことで、ギャップ Aから浸入した液体 LQ力 基板 Pの裏面 Pbと第 1周壁部 42の上面 4 2Aとの間を介して、第 1空間 31側に浸入することをより確実に防止できる。
[0073] なお、本実施形態にぉ ヽては、吸収部材 100で保持された液体 LQは回収機構 10 1で回収される力 吸収部材 100をプレート部材 Tに対して脱着（交換)可能に設けて おき、プレート部材 Tの裏面 Tbに設けられた吸収部材 100が液体 LQを所定量保持 した後、新しいものと交換するようにしてもよい。
[0074] <第 2の実施形態 >
次に、本発明の第 2の実施形態について図 6を参照しながら説明する。以下の説明 において、上述した実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を 付し、その説明を簡略もしくは省略する。
[0075] 図 6において、第 2保持部 PH2に保持されたプレート部材 Tのうち、基板 Pと対向す る側面 Tcには、液体 LQを回収する回収口 300が設けられている。プレート部材丁の 内部には、回収口 300に接続し、液体 LQが流れる内部流路 301が形成されている。 回収口 300は内部流路 301の一端部に接続しており、内部流路 301の他端部は、 プレート部材 Tの裏面 Tbの所定位置に設けられた開口部 302に接続されている。開 口部 302は、第 2保持部 PH2がプレート部材 Tを保持したとき、第 2空間 32に配置さ れる位置に形成されている。すなわち、プレート部材 Tの内部流路 301は、回収口 3 00と第 2空間 32とを接続するように設けられて 、る。
[0076] 回収口 300は、プレート部材 Tの側面 Tcにお 、て、周方向に所定間隔で複数形成 されており、内部流路 301も回収口 300の数に応じて複数設けられている。また図 6 では、 1つの回収口 300に対して開口部 302が 1つずつ設けられて!/、るように示され ているが、 1つの回収口 300に対して開口部 302を複数設け、内部流路 301を他端 部に向力つて複数に分岐させ、その分岐流路のそれぞれと複数の開口部 302とを接 続するようにしてちょい。
[0077] 制御装置 CONTは、第 2真空系 60を駆動して第 2空間 32を負圧にすることで、そ の第 2空間 32に接続するプレート部材 Tの内部流路 301を負圧にすることができる。 内部流路 301が負圧になることで、第 1保持部 PH1に保持されている基板 Pと第 2保 持部 PH2に保持されているプレート部材 Tとの間のギャップ Aから浸入した液体 LQ は、回収口 300を介して回収される。回収口 300を介して回収された液体 LQは、内 部流路 301を流れた後、開口部 302を介して第 2空間 32に流入する。ここで、上述し た第 1の実施形態同様、第 2空間 32の内側に設けられている第 2吸引口 61は、液体 LQを回収する液体回収口としての機能を有しているため、プレート部材 Tの回収口 3 00を介して回収され、内部流路 301を流れた液体 LQは、第 2吸引口 61 (第 2真空系 60)によって吸引回収される。
[0078] このように、ギャップ Aから液体 LQが浸入した場合でも、そのギャップ Aの内側のプ レート部材 Tの側面 Tcに設けられた回収口 300を介して回収できるので、ギャップ A 力も浸入した液体 LQが基板 Pの裏面 Pb側に回り込む不都合を防止できる。
[0079] また、プレート部材 Tの側面 Tcのうち回収口 300近傍や、内部流路 301の内壁を 液体 LQに対して親液性にしておくことで、液体 LQをより円滑に回収することができる 。例えば親液性材料からなる管部材を、プレート部材 Tを形成するための 2つ（あるい は任意の複数)の板部材で挟み込むことによって、プレート部材 Tの内部に、親液性 の内部流路 301を形成することができる。
[0080] なお、図 6の実施形態では、内部流路 301によって回収口 300と第 2空間 32とを接 続し、第 2真空系 60を使って第 2空間 32を負圧にすることで、ギャップ Aから浸入し た液体 LQを回収口 300を介して回収しているが、図 7に示すように、内部流路 301 の他端部を、プレート部材 Tのうち基板 Pと対向しない側面の所定位置、あるいはプ レート部材 Tの表面 Taの所定位置に形成された開口部 303に接続するとともに、そ の開口部 303に真空系 304を接続するようにしてもよい。制御装置 CONTは、真空 系 304を駆動することで、内部流路 301を負圧にし、回収口 300を介して液体 LQを 回収することができる。回収口 300を介して回収された液体 LQは、内部流路 301を 流れた後、開口部 303を介して真空系 304に回収される。
[0081] <第 3の実施形態 >
次に、本発明の第 3の実施形態について図 8を参照しながら説明する。図 8におい て、第 1周壁部 42のうち、基板 Pの裏面 Pbと対向する上面 42Aは、粗面処理されて いる。粗面処理された第 1周壁部 42の上面 42Aは、基板 Pの裏面 Pbとの間で形成さ れたギャップ Dにおいて、液体 LQの移動を妨げるので、ギャップ Aから液体 LQが浸 入したとしても、そのギャップ Aから液体 LQがギャップ Dを介して基板 Pの裏面 Pb側 の第 1空間 31に液体 LQが浸入することを防止できる。
[0082] なお、上面 42Aの粗面処理としては、サンドブラストなどの手法を用いてもよいし、 図 9に示すように、第 1周壁部 42の上面 42Aに周方向に沿って溝部 320を形成して もよい。図 9に示す例では、溝部 320は同心状に複数形成されている。
[0083] <第 4の実施形態 >
次に、本発明の第 4の実施形態について図 10を参照しながら説明する。図 10にお いて、基板 Pの裏面 Pbのうちギャップ Aの近くには、撥液性材料力もなるシート状部 材 400が設けられている。シート状部材 400を形成する撥液性材料としては、例えば フッ素系榭脂材料やアクリル系榭脂材料等が挙げられる。本実施形態において、シ ート状部材 400には、「ゴァテックス（商品名）」が用いられている。シート状部材 400 は、基板 Pの周縁領域に応じた環状に形成されており、基板 Pの裏面 Pbの周縁領域 に配置されている。上述したように、基板 Pの周縁領域は第 1周壁部 42の外側に所 定量オーバーハングしており、シート状部材 400は、基板 Pの裏面 Pbのオーバーハ ング部 Pbhを含む領域、及び第 1周壁部 42の上面 42Aと対向する一部の領域を含 むように配置されている。なお、シート状部材 400は、基板 Pの裏面 Pbのうち、第 1周 壁部 42の上面 42Aと対向して!/ヽな 、オーバーハング部 Pbhのみに配置されて!、て もよいし、第 1周壁部 42の上面 42Aの全域と対向するように、基板 Pの裏面 Pbの周 縁領域にぉ 、て広範囲に配置されて 、てもよ 、。
[0084] このように、基板 Pの裏面 Pbのうち、ギャップ Aの近くであって、ギャップ Dよりも外側 の領域を含む領域に、撥液性のシート状部材 400を配置することで、ギャップ Aから 浸入した液体 LQが基板 Pの裏面 Pb側の第 1空間 31側に浸入しょうとしても、その液 体 LQの浸入をシート状部材 400で阻止することができる。
[0085] <第 5の実施形態 >
次に、本発明の第 5の実施形態について図 11を参照しながら説明する。図 11にお いて、基材 PHB上における第 1周壁部 42の外側には、液体 LQに対して撥液性を有 する撥液性部材 450が設けられている。撥液性部材 450は、第 1周壁部 42と第 2周 壁部 62との間において、第 1周壁部 42の外側を囲むように環状に形成されている。 撥液性部材 450を形成する撥液性材料としては、例えばフッ素系榭脂材料やアタリ ル系榭脂材料等が挙げられる。上述した第 4の実施形態同様、撥液性部材 450には 「ゴァテックス（商品名）」が用いられている。撥液性部材 450は、基板 Pの裏面 Pbの オーバーハング部 Pbhの下に設けられており、撥液性部材 450の上面 450Aと第 1 保持部 PH1に保持された基板 Pの裏面 Pbとは対向して 、る。
[0086] このように、ギャップ Aの近くであって、ギャップ Dよりも外側の領域に、撥液性部材 4 50を配置することで、ギャップ Aから浸入した液体 LQが基板 Pの裏面 Pb側の第 1空 間 31側に浸入しょうとしても、その液体 LQの浸入を撥液性部材 450で阻止すること ができる。
[0087] <第 6の実施形態 >
次に、本発明の第 6の実施形態について図 12を参照しながら説明する。図 12にお いて、基材 PHB上における第 1周壁部 42の外側には、液体 LQを保持可能な多孔 質部材 500が設けられている。多孔質部材 500は、ギャップ Aから浸入した液体 LQ を保持するためのものである。多孔質部材 500は、第 1周壁部 42と第 2周壁部 62と の間において、第 1周壁部 42の外側を囲むように環状に形成されている。多孔質部 材 500は、ギャップ Aの下に配置されている。更に、多孔質部材 500は、基板 Pの裏 面 Pbのオーバーハング部 Pbhの下の領域、及びプレート部材 Tの裏面 Tbのオーバ 一ハング部 Tbhの下の領域のそれぞれに配置されるように大きく形成されて!、る。そ して、多孔質部材 500の上面 500Aと、第 1保持部 PH1に保持された基板 Pの裏面 P b (オーバーハング部 Pbh)及び第 2保持部 PH2に保持されたプレート部材 Tの裏面 Tb (オーバーハング部 Tbh)とは対向している。
[0088] また、基板ホルダ PHは、多孔質部材 500で保持された液体 LQを吸引回収する回 収機構 501を備えている。回収機構 501は、第 2周壁部 62と第 3周壁部 63との間の 基材 PHB上の所定位置に形成された回収口 503と、その回収口 503に流路 504を 介して接続された真空系 505とを備えている。回収口 503は、第 2周壁部 62と第 3周 壁部 63との間の基材 PHB上の複数の所定位置のそれぞれに形成されている。多孔 質部材 500の下面 500Bは、回収口 503が形成されて 、る第 2周壁部 62と第 3周壁 部 63との間の基材 PHBに接触するように設けられている。真空系 505が駆動される と、多孔質部材 500に保持されていた液体 LQは、その多孔質部材 500に接触して いる回収口 503を介して真空系 505に吸引回収され、所定のタンクに収容される。回 収口 503は、多孔質部材 500に接触する基材 PHBの上面に形成されているので、 多孔質部材 500に保持されている液体 LQを円滑に回収することができる。また、回 収口 503と真空系 505との間の流路 504の途中には、回収口 503より回収された液 体 LQと気体とを分離する気液分離器が設けられており、真空系 505に液体 LQが流 入することを防止している。
[0089] このように、ギャップ Aの下方であって、ギャップ Dよりも外側の領域に、多孔質部材 500を配置することで、ギャップ Aから浸入した液体 LQを多孔質部材 500で保持す ることできるので、ギャップ Aから浸入した液体 LQが基板 Pの裏面 Pb側に回り込む不 都合を防止できる。
[0090] なお、本実施形態にぉ ヽては、多孔質部材 500で保持された液体 LQは回収機構 501で回収されるが、多孔質部材 500を基材 PHBに対して脱着 (交換)可能に設け ておき、多孔質部材 500が液体 LQを所定量保持した後、新しいものと交換するよう にしてもよい。
[0091] <第 7の実施形態 >
次に、本発明の第 7の実施形態について図 13を参照しながら説明する。図 13にお いて、第 1周壁部 42の上面 42Aの一部は、基板 Pの裏面 Pbと対向しているとともに、 残りの一部はギャップ Aの下に配置されている。すなわち、本実施形態においては、 基板 Pにはオーバーハング部が設けられておらず、第 1周壁部 42の上面 42Aは、そ の幅 (第 1周壁部の径方向のサイズ) 42Hが比較的大きくなるように（幅広になるよう に）形成されている。
[0092] このように、第 1周壁部 42の上面 42Aを大きく形成してオーバーハング部を設けず に、第 1周壁部 42の上面 42Aと基板 Pの裏面 Pbとが対向して 、る領域の大きさ（距 離) 42H'を大きくしたので、ギャップ Aより浸入した液体 LQは、ギャップ Dを介して第 1空間 31に浸入し難くなる。したがって、ギャップ A力も浸入した液体 LQが基板 Pの 裏面 Pb側に回り込む不都合を防止できる。
[0093] <第 8の実施形態 >
次に、本発明の第 8の実施形態について図 14を参照しながら説明する。図 14にお いて、第 1周壁部 42の少なくとも一部は多孔体 600によって形成されている。本実施 形態においては、第 1周壁部 42は、基材 PHBと同じ材料 (例えば金属)からなり、第 1空間 31側に設けられた内側面 42Bと、第 2周壁部 62に対向するように設けられた 外側面 42Cとを備えており、その内側面 42Bと外側面 42Cとの間に多孔体 600が設 けられている。したがって、本実施形態においては、第 1周壁部 42の上面 42Aも多 孔体 600によって形成されている。第 1周壁部 42の少なくとも一部を多孔体 600によ つて形成したことにより、ギャップ Aから液体 LQが浸入した場合でも、その液体 LQは 多孔体 600で保持されるので、基板 Pの裏面 Pb側への液体 LQの浸入を防止できる
[0094] また、基板ホルダ PHは、多孔体 600の表面、本実施形態にぉ 、ては第 1周壁部 4 2の上面 42Aを形成して!/、る多孔体 600の上面 600Aに配置された液体 LQを、その 多孔体 600を介して吸引回収する回収機構 601を備えている。回収機構 601は、多 孔体 600の下面 600Bに接触する基材 PHB上に形成された回収口 603と、その回 収ロ 603に流路 604を介して接続された真空系 605とを備えている。真空系 605が 駆動されると、多孔体 600の上面 600Aに配置された液体 LQは、多孔体 600を上面 600A力ら下面 600B〖こ向力つて移動し、その多孔体 600の下面 600Bに接触してい る回収口 603を介して真空系 605に吸引回収される。
[0095] このように、ギャップ Aから浸入した液体 LQがギャップ Dを通過しょうとしても、多孔 体 600に保持され、更に多孔体 600の上面 600Aに配置された液体 LQは、回収機 構 601により多孔体 600を介して吸引回収されるので、第 1空間 31に液体 LQが浸 人することを防止することができる。
[0096] <第 9の実施形態 >
次に、本発明の第 9の実施形態について図 15を参照しながら説明する。図 15にお V、て、第 1周壁部 42は多孔体 700によって形成されて 、る。
[0097] また、基板ホルダ PHは、多孔体 700を介して、その多孔体 700の表面より気体を 吹き出す気体供給機構 701を備えている。気体供給機構 701は、多孔体 700の下 面 700Bに接触する基材 PHB上に形成された吹出口 703と、その吹出口 703〖こ流 路 704を介して接続された気体供給系 705とを備えている。気体供給系 705が駆動 されると、気体供給系 705から送出された気体は、流路 704を流れた後、吹出口 703 を介して多孔体 700の下面 700Bに吹き付けられる。下面 700Bに吹き付けられた気 体は、多孔体 700の内部を通過した後、多孔体 700の上面 700A (すなわち第 1周 壁部 42の上面 42A)、多孔体 700の内側面 700C (すなわち第 1周壁部 42の内側面 42B)、多孔体 700の外側面 700D (すなわち第 1周壁部 42の外側面 42C)などから 、外部に吹き出る。したがって、ギャップ Aから浸入した液体 LQ力 ギャップ Dを介し て第 1空間 31に浸入しょうとしても、多孔体 700の上面 700Aや外側面 700D等から 吹き出た気体の流れによって、第 1空間 31への液体 LQの浸入を阻止することができ る。
[0098] なお、図 14に示した第 1周壁部 42を構成する多孔体 600に気体供給機構 701を 接続し、その多孔体 600の上面 600A力も気体を吹き出してもよいし、図 15に示した 第 1周壁部 42を構成する多孔体 700に回収機構 601を接続し、上面 700A、内側面 700C、外側面 700Dのそれぞれを含む多孔体 700の表面に配置された液体 LQを 回収するようにしてもよ ヽ。
[0099] <第 10の実施形態 >
次に、本発明の第 10の実施形態について図 16を参照しながら説明する。図 16に おいて、第 1周壁部 42の表面には気体を吹き出す吹出口 803が設けられている。図 16に示す例では、 B 出口 803は、第 1周壁部 42の上面 42A、内側面 42B、及び外 側面 42Cのそれぞれに形成されている。吹出口 803には、流路 804を介して気体供 給系 805が接続されている。気体供給系 805が駆動されると、気体供給系 805から 送出された気体は、流路 804を流れた後、吹出口 803を介して第 1周壁部 42の外部 に吹き出る。したがって、ギャップ Aから浸入した液体 LQ力 ギャップ Dを介して第 1 空間 31に浸入しょうとしても、吹出口 803から吹き出た気体の流れによって、第 1空 間 31への液体 LQの浸入を阻止することができる。
[0100] く第 11の実施形態 >
上述した第 1〜第 10の実施形態においては、プレート部材 Tと基板 Pとの間のギヤ ップ A力 浸入した液体 LQを処理する場合について説明した力 図 17に示すように 、基板ホルダ PH上には、例えば投影光学系 PL及び液体 LQを介した露光光 ELの 照射状態を計測する光計測部 900が設けられている場合がある。図 17の光計測部 9 00は、例えば特開昭 57— 117238号公報に開示されているような照度ムラセンサを 模式的に示したものであって、光透過性を有する上板 901と、上板 901の下に設けら れた光学素子 902とを備えている。上板 901上には、クロムなどの遮光性材料を含む 薄膜 960が設けられており、その薄膜 960の一部に光を通過可能なピンホール部 97 0が設けられている。上板 901及び光学素子 902は、基材 PHB上に設けられた支持 部材 903に支持されている。支持部材 903は、上板 901及び光学素子 902を囲む連 続した壁部を有している。また、光学素子 902の下方には、ピンホール部 970を通過 した光（露光光 EL)を受光する光センサ 950が配置されて 、る。光センサ 950は基材 PHB上に配置されている。
[0101] プレート部材 Tの所定位置には、この光計測部 900を配置するための穴部 TH'が 形成されており、上板 901 (支持部材 903)とプレート部材 Tとの間には所定のギヤッ プ A'が形成される。また、光計測部 900の上板 901の上面 901Aと、第 2保持部 PH 2に保持されたプレート部材 Tの表面 Taとはほぼ面一となつている。
[0102] そして、プレート部材 Tのうち上板 901と対向する側面 Tcには、上述の第 2の実施 形態で説明したような回収口 300が形成されて 、る。液体 LQの液浸領域 AR2が上 板 901上に形成された状態で、光計測部 900を使った光計測が行われた場合、ギヤ ップ A'から液体 LQが浸入する可能性がある力 そのギャップ A'力 浸入した液体 L Qを回収口 300を介して回収することができる。もちろん、このプレート部材 Tの裏面 Tbのうちギャップ A'の近傍に、上述した第 1の実施形態のような吸収部材 100を配 置しておくこともできるし、図 11や図 12で説明したような撥液性部材 (450)や多孔質 部材（500)を、支持部材 903を囲むように設けることも可能である。
[0103] 上述したように、本実施形態における液体 LQは純水である。純水は、半導体製造 工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板 P上のフォトレジストや光学素子（レ ンズ)等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がな いとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板 Pの表面、及び投影光学系 PL の先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。なお工場 等力 供給される純水の純度が低い場合には、露光装置が超純水製造器を持つよう にしてもよい。
[0104] そして、波長が 193nm程度の露光光 ELに対する純水（水）の屈折率 nはほぼ 1. 4 4と言われており、露光光 ELの光源として ArFエキシマレーザ光（波長 193nm)を用 いた場合、基板 P上では lZn、すなわち約 134nmに短波長化されて高い解像度が 得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約 n倍、すなわち約 1. 44倍に拡大され るため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、 投影光学系 PLの開口数をより増カロさせることができ、この点でも解像度が向上する。
[0105] なお、上述したように液浸法を用いた場合には、投影光学系の開口数 NAが 0. 9 〜1. 3になることもある。このように投影光学系の開口数 NAが大きくなる場合には、 従来から露光光として用いられて!/、るランダム偏光光では偏光効果によって結像性 能が悪ィ匕することもあるので、偏光照明を用いるのが望ましい。その場合、マスク (レ チクル）のライン 'アンド'スペースパターンのラインパターンの長手方向に合わせた 直線偏光照明を行い、マスク（レチクル)のパターンからは、 S偏光成分 (TE偏光成 分)、すなわちラインパターンの長手方向に沿った偏光方向成分の回折光が多く射 出されるようにするとよい。投影光学系 PLと基板 P表面に塗布されたレジストとの間が 液体で満たされて ヽる場合、投影光学系 PLと基板 P表面に塗布されたレジストとの 間が空気 (気体)で満たされている場合に比べて、コントラストの向上に寄与する S偏 光成分 (TE偏光成分)の回折光のレジスト表面での透過率が高くなるため、投影光 学系の開口数 NAが 1. 0を越えるような場合でも高い結像性能を得ることができる。 また、位相シフトマスクゃ特開平 6— 188169号公報に開示されているようなラインパ ターンの長手方向に合わせた斜入射照明法 (特にダイポール照明法)等を適宜組み 合わせると更に効果的である。特に、直線偏光照明法とダイポール照明法との組み 合わせは、ライン 'アンド'スペースパターンの周期方向が所定の一方向に限られて V、る場合や、所定の一方向に沿ってホールパターンが密集して 、る場合に有効であ る。例えば、透過率 6%のハーフトーン型の位相シフトマスク（ノヽーフピッチ 45nm程 度のパターン)を、直線偏光照明法とダイポール照明法とを併用して照明する場合、 照明系の瞳面においてダイポールを形成する二光束の外接円で規定される照明 σ を 0. 95、その瞳面における各光束の半径を 0. 125 σ、投影光学系 PLの開口数を NA= 1. 2とすると、ランダム偏光光を用いるよりも、焦点深度 (DOF)を 150nm程度 増カロさせることができる。
[0106] また、直線偏光照明と小 σ照明法 (照明系の開口数 NAiと投影光学系の開口数 Ν Apとの比を示す σ値が 0. 4以下となる照明法）との組み合わせも有効である。
[0107] また、例えば ArFエキシマレーザを露光光とし、 1Z4程度の縮小倍率の投影光学 系 PLを使って、微細なライン ·アンド'スペースパターン（例えば 25〜50nm程度のラ イン 'アンド'スペース）を基板 P上に露光するような場合、マスク Mの構造 (例えばパ ターンの微細度やクロムの厚み）によっては、 Wave guide効果によりマスク Mが偏光 板として作用し、コントラストを低下させる P偏光成分 (TM偏光成分)の回折光より S 偏光成分 (TE偏光成分)の回折光が多くマスク M力も射出されるようになる。この場 合、上述の直線偏光照明を用いることが望ましいが、ランダム偏光光でマスク Mを照 明しても、投影光学系 PLの開口数 NAが 0. 9〜1. 3のように大きい場合でも高い解 像性能を得ることができる。
[0108] また、マスク M上の極微細なライン 'アンド'スペースパターンを基板 P上に露光する ような場合、 Wire Grid効果により P偏光成分 (TM偏光成分）が S偏光成分 (TE偏光 成分)よりも大きくなる可能性もあるが、例えば ArFエキシマレーザを露光光とし、 1/ 4程度の縮小倍率の投影光学系 PLを使って、 25nmより大きいライン 'アンド'スぺー スパターンを基板 P上に露光するような場合には、 S偏光成分 (TE偏光成分)の回折 光が P偏光成分 (TM偏光成分)の回折光よりも多くマスク M力 射出されるので、投 影光学系 PLの開口数 NAが 0. 9〜1. 3のように大きい場合でも高い解像性能を得 ることがでさる。
[0109] 更に、マスク（レチクル)のラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照明（S 偏光照明）だけでなぐ特開平 6— 53120号公報に開示されているように、光軸を中 心とした円の接線 (周）方向に直線偏光する偏光照明法と斜入射照明法との組み合 わせも効果的である。特に、マスク（レチクル)のパターンが所定の一方向に延びるラ インパターンだけでなぐ複数の異なる方向に延びるラインパターンが混在 (周期方 向が異なるライン 'アンド'スペースパターンが混在)する場合には、同じく特開平 6— 53120号公報に開示されて 、るように、光軸を中心とした円の接線方向に直線偏光 する偏光照明法と輪帯照明法とを併用することによって、投影光学系の開口数 NA が大きい場合でも高い結像性能を得ることができる。例えば、透過率 6%のハーフト ーン型の位相シフトマスク（ノヽーフピッチ 63nm程度のパターン）を、光軸を中心とし た円の接線方向に直線偏光する偏光照明法と輪帯照明法 (輪帯比 3Z4)とを併用し て照明する場合、照明 σを 0. 95、投影光学系 PLの開口数を ΝΑ= 1. 00とすると、 ランダム偏光光を用いるよりも、焦点深度 (DOF)を 250nm程度増加させることがで き、ハーフピッチ 55nm程度のパターンで投影光学系の開口数 NA= 1. 2では、焦 点深度を lOOnm程度増カロさせることができる。
[0110] 更に、上述の各種照明法に加えて、例えば特開平 4— 277612号公報ゃ特開 200 1— 345245号公報に開示されている累進焦点露光法や、多波長（例えば二波長） の露光光を用いて累進焦点露光法と同様の効果を得る多波長露光法を適用するこ とも有効である。
[0111] 本実施形態では、投影光学系 PLの先端に光学素子 2が取り付けられており、この レンズにより投影光学系 PLの光学特性、例えば収差 (球面収差、コマ収差等)の調 整を行うことができる。なお、投影光学系 PLの先端に取り付ける光学素子としては、 投影光学系 PLの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露 光光 ELを透過可能な平行平面板であってもよ ヽ。
[0112] なお、液体 LQの流れによって生じる投影光学系 PLの先端の光学素子と基板 Pと の間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなぐその圧 力によって光学素子が動かな 、ように堅固に固定してもよ 、。
[0113] なお、本実施形態では、投影光学系 PLと基板 P表面との間は液体 LQで満たされ ている構成であるが、例えば基板 Pの表面に平行平面板力もなるカバーガラスを取り 付けた状態で液体 LQを満たす構成であってもよ ヽ。
[0114] なお、本実施形態の液体 LQは水である力 水以外の液体であってもよい、例えば 、露光光 ELの光源が Fレーザである場合、この Fレーザ光は水を透過しないので、
2 2
液体 LQとしては Fレーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル (PFPE)や
2
フッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体 LQと接触する部分 には、例えばフッ素を含む極性の小さ！ヽ分子構造の物質で薄膜を形成することで親 液化処理する。また、液体 LQとしては、その他にも、露光光 ELに対する透過性があ つてできるだけ屈折率が高ぐ投影光学系 PLや基板 P表面に塗布されているフオトレ ジストに対して安定なもの（例えばセダー油）を用いることも可能である。この場合も表 面処理は用いる液体 LQの極性に応じて行われる。
[0115] なお、上記各実施形態の基板 Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウェハ のみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミック ウェハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版 (合成石英、シリ コンウェハ）等が適用される。
[0116] 露光装置 EXとしては、マスク Mと基板 Pとを同期移動してマスク Mのパターンを走 查露光するステップ ·アンド'スキャン方式の走査型露光装置 (スキャニングステツパ） の他に、マスク Mと基板 Pとを静止した状態でマスク Mのパターンを一括露光し、基 板 Pを順次ステップ移動させるステップ ·アンド ·リピート方式の投影露光装置 (ステツ ノ ）にも適用することができる。
[0117] また、露光装置 EXとしては、第 1パターンと基板 Pとをほぼ静止した状態で第 1バタ ーンの縮小像を投影光学系 (例えば 1Z8縮小倍率で反射素子を含まな 、屈折型投 影光学系）を用 、て基板 P上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この 場合、更にその後に、第 2パターンと基板 Pとをほぼ静止した状態で第 2パターンの 縮小像をその投影光学系を用いて、第 1パターンと部分的に重ねて基板 P上に一括 露光するスティツチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、ステイッチ方式の露 光装置としては、基板 P上で少なくとも 2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基 板 Pを順次移動させるステップ 'アンド'ステイッチ方式の露光装置にも適用できる。
[0118] また、本発明は、特開平 10— 163099号公報、特開平 10— 214783号公報、特表
2000— 505958号公報などに開示されているツインステージ型の露光装置にも適 用できる。
[0119] また、特開平 11— 135400号公報に開示されているような基板ステージと計測ステ 一ジとを備えた露光装置にも適用できる。
[0120] 露光装置 EXの種類としては、基板 Pに半導体素子パターンを露光する半導体素 子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の 露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子 (CCD)あるいはレチクル又はマスクなどを 製造するための露光装置などにも広く適用できる。
[0121] 基板ステージ PSTやマスクステージ MSTにリニアモータ（USP5,623,853または USP 5,528,118参照）を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレン ッ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ステ ージ PST、 MSTは、ガイドに沿って移動するタイプでもよぐガイドを設けないガイド レスタイプであってもよ 、。
[0122] 各ステージ PST、 MSTの駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ュ-ッ トと、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各ステージ PST、 MSTを駆動する平面モータを用いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子 ユニットとのいずれか一方をステージ PST、 MSTに接続し、磁石ユニットと電機子ュ ニットとの他方をステージ PST、 MSTの移動面側に設ければよ!、。
[0123] 基板ステージ PSTの移動により発生する反力は、投影光学系 PLに伝わらないよう に、特開平 8— 166475号公報（USP5,528,118)に記載されているように、フレーム部 材を用いて機械的に床 (大地）に逃がしてもよい。
マスクステージ MSTの移動により発生する反力は、投影光学系 PLに伝わらないよ うに、特開平 8— 330224号公報（US S/N 08/416,558)に記載されているように、フレ 一ム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよ 、。
[0124] 以上のように、本願実施形態の露光装置 EXは、本願特許請求の範囲に挙げられ た各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的 精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、 この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調 整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系につい ては電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステム力 露光装置 への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接 続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステム力 露光装置への組 み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない 。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ 、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およ びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
[0125] 半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図 18に示すように、マイクロデバイスの機 能 ·性能設計を行うステップ 201、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル)を製 作するステップ 202、デバイスの基材である基板を製造するステップ 203、前述した 実施形態の露光装置 EXによりマスクのパターンを基板に露光する処理を含む基板 処理ステップ 204、デバイス組み立てステップ (ダイシング工程、ボンディング工程、 ノ ッケージ工程を含む） 205、検査ステップ 206等を経て製造される。

Claims

請求の範囲
[1] 液体を介して露光される処理基板を保持する基板保持装置であって、
基材と、
前記基材に形成され、前記処理基板を保持する第 1保持部と、
前記基材に形成され、前記第 1保持部で保持された処理基板の周囲を囲むよう〖こ プレート部材を保持する第 2保持部とを備え、
前記第 2保持部は、前記プレート部材の裏面側に空間が形成されるように前記プレ 一ト部材を保持し、
前記プレート部材の裏面には、前記第 1保持部で保持された処理基板と前記第 2 保持部で保持されたプレート部材との間のギャップ力 浸入した液体を吸収する吸 収部材が配置されて!ヽる基板保持装置。
[2] 前記吸収部材は多孔質部材を含み、前記多孔質部材で保持された液体を吸引回 収する回収機構を有する請求項 1記載の基板保持装置。
[3] 液体を介して露光される処理基板を保持する基板保持装置であって、
基材と、
前記基材に形成され、前記処理基板を保持する第 1保持部と、
前記基材に形成され、前記第 1保持部で保持された処理基板の周囲を囲むよう〖こ プレート部材を保持する第 2保持部とを備え、
前記プレート部材のうち物体と対向する側面には、液体を回収する回収口が設けら れている基板保持装置。
[4] 前記物体は前記第 1保持部で保持された処理基板であって、前記回収口は、前記 処理基板と前記第 2保持部で保持されたプレート部材との間のギャップ力 浸入した 液体を回収する請求項 3記載の基板保持装置。
[5] 前記プレート部材の内部には、前記回収口に接続し、液体が流れる内部流路が形 成されて!/ヽる請求項 3又は 4記載の基板保持装置。
[6] 前記第 2保持部は、前記プレート部材の裏面側に空間が形成されるように前記プレ 一ト部材を保持し、
前記空間を負圧にする吸引機構を備え、 前記プレート部材の内部流路は、前記回収口と前記空間とを接続する請求項 3〜5 の!、ずれか一項記載の基板保持装置。
[7] 液体を介して露光される処理基板を保持する基板保持装置であって、
基材と、
前記基材に形成され、前記処理基板を保持する第 1保持部と、
前記基材に形成され、前記第 1保持部で保持された処理基板の周囲を囲むよう〖こ プレート部材を保持する第 2保持部とを備え、
前記第 1保持部は、前記処理基板の裏面を支持する凸状の第 1支持部と、前記処 理基板の裏面に対向し、前記第 1支持部を囲むように形成された第 1周壁部とを有し 前記第 1周壁部のうち前記処理基板の裏面と対向する上面は、粗面処理されてい る基板保持装置。
[8] 前記第 1保持部は、前記処理基板の裏面側に空間が形成されるように前記処理基 板を保持し、
前記粗面処理された上面は、前記処理基板の裏面との間で、前記第 1保持部で保 持された処理基板と前記第 2保持部で保持されたプレート部材との間のギャップから 浸入した液体が前記空間に浸入することを阻止する請求項 7記載の基板保持装置。
[9] 前記第 1周壁部の上面には、前記粗面処理として、周方向に沿った溝部が形成さ れて 、る請求項 7又は 8記載の基板保持装置。
[10] 液体を介して露光される処理基板を保持する基板保持装置であって、
基材と、
前記基材に形成され、前記処理基板を保持する第 1保持部と、
前記基材に形成され、前記第 1保持部で保持された処理基板の周囲を囲むよう〖こ プレート部材を保持する第 2保持部とを備え、
前記第 1保持部は、前記処理基板の裏面を支持する凸状の第 1支持部と、前記処 理基板の裏面に対向し、前記第 1支持部を囲むように形成された第 1周壁部とを有し 前記第 1周壁部の外側には、前記液体に対して撥液性を有する撥液性部材が設け られている基板保持装置。
[11] 前記第 1保持部は、前記処理基板の裏面側に空間が形成されるように前記処理基 板を保持し、
前記撥液性部材は、前記第 1保持部で保持された処理基板と前記第 2保持部で保 持されたプレート部材との間のギャップ力 浸入した液体が前記空間に浸入すること を阻止する請求項 10記載の基板保持装置。
[12] 前記撥液性部材は、前記第 1周壁部の外側を囲むように環状に形成されている請 求項 10又は 11記載の基板保持装置。
[13] 液体を介して露光される処理基板を保持する基板保持装置であって、
基材と、
前記基材に形成され、前記処理基板を保持する第 1保持部と、
前記基材に形成され、前記第 1保持部で保持された処理基板の周囲を囲むよう〖こ プレート部材を保持する第 2保持部とを備え、
前記第 1保持部は、前記処理基板の裏面を支持する凸状の第 1支持部と、前記処 理基板の裏面に対向し、前記第 1支持部を囲むように形成された第 1周壁部とを有し 前記第 1周壁部の外側には、前記第 1保持部で保持された処理基板と前記第 2保 持部で保持されたプレート部材との間のギャップ力 浸入した液体を保持する多孔 質部材が設けられて ヽる基板保持装置。
[14] 前記多孔質部材は、前記第 1周壁部の外側を囲むように環状に形成されている請 求項 13記載の基板保持装置。
[15] 前記第 2保持部は、前記プレートの裏面を支持する凸状の第 2支持部と、前記プレ 一ト部材の裏面に対向し、前記第 1周壁部を囲むように設けられた第 2周壁部とを有 し、
前記多孔質部材は、前記第 1周壁部と前記第 2周壁部との間に設けられている請 求項 13又は 14記載の基板保持装置。
[16] 前記多孔質部材は、前記ギャップの下に配置されている請求項 13〜15のいずれ か一項記載の基板保持装置。
[17] 前記多孔質部材に接触し、前記多孔質部材で保持された液体を吸引回収する回 収機構を有する請求項 13〜16のいずれか一項記載の基板保持装置。
[18] 液体を介して露光される処理基板を保持する基板保持装置であって、
基材と、
前記基材に形成され、前記処理基板を保持する第 1保持部と、
前記基材に形成され、前記第 1保持部で保持された処理基板の周囲を囲むよう〖こ プレート部材を保持する第 2保持部とを備え、
前記第 1保持部は、前記処理基板の裏面を支持する凸状の第 1支持部と、前記処 理基板の裏面に対向し、前記第 1支持部を囲むように形成された第 1周壁部とを有し 前記第 1周壁部の少なくとも一部は多孔体からなる基板保持装置。
[19] 前記多孔体の表面に配置された液体を前記多孔体を介して吸引回収する回収機 構を備えた請求項 18記載の基板保持装置。
[20] 前記多孔体を介して前記多孔体の表面より気体を吹き出す気体供給機構を備えた 請求項 18記載の基板保持装置。
[21] 前記第 1周壁部は、前記処理基板の裏面と対向する上面を有し、少なくとも前記上 面が前記多孔体である請求項 18〜20のいずれか一項記載の基板保持装置。
[22] 液体を介して露光される処理基板を保持する基板保持装置であって、
基材と、
前記基材に形成され、前記処理基板を保持する第 1保持部と、
前記基材に形成され、前記第 1保持部で保持された処理基板の周囲を囲むよう〖こ プレート部材を保持する第 2保持部とを備え、
前記第 1保持部は、前記処理基板の裏面を支持する凸状の第 1支持部と、前記処 理基板の裏面に対向し、前記第 1支持部を囲むように形成された第 1周壁部とを有し 前記第 1周壁部の少なくとも一部から気体を吹き出す気体供給機構を備えた基板 保持装置。
[23] 前記プレート部材は液体に対して撥液性を有する請求項 1〜22の 、ずれか一項 記載の基板保持装置。
請求項 1〜請求項 23のいずれか一項記載の基板保持装置を備え、その基板保持 装置に保持された処理基板を、液体を介して露光する露光装置。
請求項 24記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
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