WO2006039850A1 - Attenuateur variable - Google Patents

Attenuateur variable Download PDF

Info

Publication number
WO2006039850A1
WO2006039850A1 PCT/CN2005/000872 CN2005000872W WO2006039850A1 WO 2006039850 A1 WO2006039850 A1 WO 2006039850A1 CN 2005000872 W CN2005000872 W CN 2005000872W WO 2006039850 A1 WO2006039850 A1 WO 2006039850A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
conductive sheet
diaphragm
resistor
variable attenuator
diaphragm resistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/CN2005/000872
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Yuejun Yan
Yuepeng Yan
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to EP05755038A priority Critical patent/EP1804329A4/en
Priority to JP2007540477A priority patent/JP2008516568A/ja
Publication of WO2006039850A1 publication Critical patent/WO2006039850A1/zh
Priority to US11/733,205 priority patent/US8089338B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Priority to US12/703,859 priority patent/US8212648B2/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/22—Attenuating devices
    • H01P1/227—Strip line attenuators

Definitions

  • the present invention relates to a variable attenuator for electronics and communications, and more particularly to a variable attenuator that can be used in a variety of high frequency and microwave circuits and systems. Background technique
  • variable attenuators are one of the basic components commonly used in circuits and systems.
  • the existence of variable attenuators makes circuit fabrication and system debugging more flexible and convenient.
  • Variable attenuators have been widely used in circuits and systems below a few hundred MHz.
  • the existing structure is a three-dimensional variable attenuator made of a contact reed, a slider, a lead screw or the like, which has a large parasitic parameter and a low frequency characteristic. Summary of the invention
  • the technical problem to be solved by the present invention is to provide a variable attenuator that has good broadband characteristics and is suitable for use in high frequency and microwave circuits and systems.
  • the technical solution adopted by the present invention is: Providing a variable attenuator comprising: a substrate 11 further comprising a first diaphragm resistor 1 on the substrate 11 and connected to the first An input end 9 and an output end 10 of the diaphragm resistor 1; the two ends of the first diaphragm resistor 1 are also electrically connected to one end of the third diaphragm resistor 6 and one end of the fourth diaphragm resistor 7; The other ends 14 of the diaphragm resistor 6 and the fourth diaphragm resistor 7 are electrically connected to one end of the second diaphragm resistor 2, and the other end of the second diaphragm resistor 2 is electrically connected to the ground terminal 13;
  • the device further includes a first conductive sheet 3 that can be electrically contacted with the first diaphragm resistor 1 and the second diaphragm resistor 2, respectively, and used to change the impedance of the first diaphragm resistor 1
  • the invention has the beneficial effects that: according to the invention, the printed film resistor is formed on the substrate suitable for the high frequency and micro planar structure, and the contact area of the conductive sheet and the film resistor is changed by the insulator and the conductive sheet. In order to change the impedance of the diaphragm resistor, a variable attenuator function is realized.
  • the invention has the advantages of small volume, convenient adjustment, and is applicable to various miniaturized circuits and communication circuits; c. The invention has simple structure and low production cost;
  • FIG. 1 is a schematic view showing the structure of a variable attenuator of the present invention.
  • Figure 2 is an exploded view of the variable attenuator of the present invention.
  • FIG. 3 is a basic schematic diagram of the variable attenuator of the present invention.
  • Fig. 4 is a theoretical characteristic curve of impedance values of the first diaphragm resistor 1 and the second diaphragm resistor 2 when the insulator drives the conductive sheet to rotate clockwise after the variable attenuator of the present invention is applied.
  • Fig. 5 is a graph showing the variation of the attenuation amount of the variable attenuator when the insulator drives the conductive piece to rotate clockwise after the variable attenuator of the present invention is applied.
  • variable attenuator of the present invention comprises a substrate 11 and an input end 9 on the substrate 11, an arc-shaped first microstrip signal line 5 connected at one end to the input end 9, one end and the first An arc-shaped first diaphragm resistor 1 connected to the other end of the microstrip signal line 5 and an output terminal 10 connected to the other end of the first diaphragm resistor 1 are connected.
  • both ends of the first diaphragm resistor 1 are electrically connected to one end of the third diaphragm resistor 6 and one end of the fourth diaphragm resistor 7, respectively, and the other end 14 and the fourth diaphragm of the third diaphragm resistor 6
  • the other end 14 of the resistor 7 is simultaneously electrically connected to one end of the second diaphragm resistor 2
  • the other end of the second diaphragm resistor 2 is connected to the ground terminal 13, or is connected to the ground terminal 13 through the second microstrip signal line 8. .
  • the first diaphragm resistor 1, the second diaphragm resistor 2, the third diaphragm resistor 6 and the fourth diaphragm resistor 7 referred to above are all printed film resistors, the bottom of which is connected to the substrate 11, and the top is electrically conductive. Resistive material without insulation.
  • the impedance values of the third diaphragm resistor 6 and the fourth diaphragm resistor 7 are preferably the same.
  • the third diaphragm resistor 6 and the fourth diaphragm resistor 7 generally employ a diaphragm resistor having the same impedance value as the input and output impedance Zo. Usually 50 ⁇ .
  • a second conductive sheet 4 is also fixed to the board 12 and the insulator 12.
  • the first conductive sheet 3 and the second conductive sheet 4 are respectively fixed under the insulator 12 (i.e., the force-shifting plate).
  • the first conductive sheet 3 functions to change the impedance value of the first diaphragm resistor 1
  • the second conductive sheet 4 functions to change the impedance value of the second diaphragm resistor 2; the first conductive sheet 3 and the second The conductive sheets 4 are not in contact.
  • the first conductive sheet 3 and the second conductive sheet 4 rotate as the insulator 12 rotates. For example, when the insulator 12 (forced displacement plate) rotates clockwise, the first conductive sheet 3 simultaneously rotates in contact with the first microstrip signal line 5 and the first diaphragm resistor 1.
  • the first conductive sheet 3 is in contact with the first diaphragm resistor 1
  • the product becomes smaller from the small one, so that the impedance value of the first diaphragm resistor 1 becomes larger and smaller; the second conductive sheet 4 simultaneously rotates on the second microstrip signal line 8 and the second diaphragm resistor 2.
  • the contact area of the second conductive sheet 4 and the second diaphragm resistor 2 is greatly reduced, so that the impedance value of the second diaphragm resistor 2 is changed from small to large; by the change of the geometric area, that is, the conductive sheet and the resistive surface of the diaphragm
  • the change in contact can change the effective resistance values of the first diaphragm resistor 1 and the second diaphragm resistor 2, that is, the actual effect resistance values of the first diaphragm resistor 1 and the second diaphragm resistor 2 are changed.
  • the maximum rotation angle should be maintained such that the first conductive sheet 3 completely shorts or nearly completely shorts the first diaphragm resistor 1, the first conductive sheet 3
  • the length should cover or close to cover the first diaphragm resistor 1 and avoid contact with the second diaphragm resistor 2; when the second conductive sheet 4 rotates clockwise, the design is not required
  • a microstrip signal line 5 is in contact with the input terminal 9.
  • the maximum rotation angle of the second conductive sheet 4 should be maintained such that the second conductive sheet 4 does not contact the output end 10; the first conductive sheet 3 is reversed When the hour hand is rotated, it is not designed to be in contact with the ground terminal 13.
  • the first conductive sheet 3 and the second conductive sheet 4 may also be diaphragm resistors, and the two diaphragm resistors overlap and can be electrically contacted, which can be regarded as a parallel connection of two resistors, and can also change the impedance value of the diaphragm resistor. The effect is the same.
  • the first conductive sheet 3 is required to be in electrical contact with the first diaphragm resistor 1 for changing the impedance value of the first diaphragm resistor 1, and is not directly in contact with other microstrip signal lines or other diaphragm resistors;
  • the second conductive sheet 4 is required to be in electrical contact with the second diaphragm resistor 2 for changing the impedance value of the second diaphragm resistor 2, and is not directly in contact with other microstrip signal lines or other diaphragm resistors.
  • the first diaphragm resistor 1 and the second diaphragm resistor 2 can be formed on the level of the substrate 11 different from the other microstrip signal lines, the input and output terminals, and other diaphragm resistors.
  • the goal is to maintain the basic principle structure of the variable attenuator.
  • FIG. 3 is a basic schematic diagram of the variable attenuator of the present invention. Its principle of operation is equivalent to a continuously variable bridge T-type attenuator. It is a symmetrical broadband network with interchangeable inputs and outputs.
  • Figure 4 shows the ideal theoretical variation of the first diaphragm resistance 1 and the second diaphragm resistance 2 when the insulator 12 (i.e., the force displacement plate) is rotated clockwise.
  • the variation of the magnitude of the impedance of the first diaphragm resistor 1 and the second diaphragm resistor 2 is opposite.
  • Figure 5 shows the attenuation curve of the variable attenuator produced by the above-mentioned Fig. 4 variation curve when the insulator 12 (i.e., the force displacement plate) is rotated clockwise.
  • the first diaphragm resistance 1 and the second diaphragm resistance 2 are selected according to the variation curve of Fig. 4, and the amount of change in the amount of attenuation required for the displacement of the variable attenuator can be realized.
  • variable attenuator can be made in a variety of package types, such as surface mount type, lead type or plug type structure.
  • the present invention can add a silicone rubber film which can conduct electricity in the vertical direction between the substrate 11 and the insulator 12, and achieve stable contact between the film resistance and the conductive sheet, and prevent wear between the film resistance and the conductive sheet. effect.
  • the present invention can also process the trenches on the insulator 12, the first conductive sheet 3 and the second conductive sheet 4 are located in the trenches, and the first conductive sheets 3 and the second which are in contact with the short circuit in the trenches.
  • An elastic substance is added between the conductive sheets 4, and the substance has little influence on the high-frequency microwave characteristics, and the film resistance is stably contacted with the conductive sheets, and the wear between the film resistance and the conductive sheets is prevented.
  • the greatest feature of the present invention is that in one plane (which may be a plurality of layers), the impedance value of the first diaphragm resistor 1 and the second diaphragm resistor 2 is skillfully passed through the short circuit of the conductive sheet (ie, the resistance)
  • the value of the first conductive sheet 3, the second conductive sheet 4, the first diaphragm resistor 1 and the second diaphragm resistor 2 may be a circular arc shape, a rectangular shape or other geometric shapes. It realizes miniaturization of variable attenuators, low cost, and can be used in very high microwave frequency bands.

Landscapes

  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
  • Attenuators (AREA)

Description

可变衰减器 技术领域
本发明涉及一种电子及通信的可变衰减器， 尤其涉及一种可用于各 种高频和微波电路及系统的可变衰减器。 背景技术
在电子部件家族里， 可变衰减器是电路和系统中常用的基本部件之 一。 可变衰减器的存在， 使电路制作和系统的调试变得更加灵活， 方便。 在几百 MHz以下的电路和系统中， 可变衰减器已得到广泛地应用。 如 CATV系统和微波电路系统中， 用于测试， 调节电平， 增加隔离等等。 可 是当使用频率在较高频带时， 现有结构由接触簧片， 滑块， 丝杆等制成 的立体结构的可变衰减器， 其寄生参数大， 高频特性较差。 发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种具有良好宽频带特性， 适 合高频和微波电路及系统中的可变衰减器。
为解决上述技术问题， 本发明所采用的技术方案是： 提供一种可变 衰减器， 其包括： 基板 11， 其还包括位于该基板 11上的第一膜片电阻 1和 连接到该第一膜片电阻 1两端的输入端 9和输出端 10; 该第一膜片电阻 1的 两端还分别与第三膜片电阻 6的一端及第四膜片电阻 7的一端相电连接； 第三膜片电阻 6和第四膜片电阻 7的另一端 14分别与第二膜片电阻 2的一 端相电连接， 第二膜片电阻 2的另一端与接地端 13相电连接； 该可变衰减 器还包括能分别与第一膜片电阻 1和第二膜片电阻 2相电接触并分别用来 改变第一膜片电阻 1、第二膜片电阻 2的阻抗大小的第一导电片 3和第二导 电片 4; 该可变衰减器还包括绝缘物 12， 该第一导电片 3、 第二导电片 4固 定在绝缘物 12上。 .
本发明的有益效果是： 由于本发明在适合于高频及微 的平面结构 的基板上形成印刷膜片电阻， 借助绝缘物， 加上导电片， 使导电片与膜 片电阻的接触面积发生变化， 以此改变膜片电阻的阻抗大小， 从而实现 可变衰减器作用。
因此本发明具有以下优点：
a.由于采用微带基板结构，其使用频率范围极广。可以在高频及微波 频带广范围实现信号的连续可变衰减；
b.本发明的体积小， 调节方便， 适用各种小型化电路及通信电路中； c.本发明构造简单， 制作成本低；
d.适用于各种均衡电路；
e.适用于各种隔离电路；
f.适用于各种调整电路， 控制及安定电路中， 以及耦合量的调节用电 路；
g.适用于要求衰减精度高，而实际电路系统偏差大，有时需要各个环 节调整用以满足全体电路特性的情况；
h.插入损耗小；
i.可作为试验室的研究开发用的调整， 测试设备。 附图说明
图 1是本发明可变衰减器的结构示意图。
图 2是本发明可变衰减器的分解图。
图 3是本发明可变衰减器的基本原理图。
图 4是本发明可变衰减器受力后绝缘物带动导电片顺时针转动时， 第 一膜片电阻 1与第二膜片电阻 2的阻抗值的理论特性变化曲线。 图 5是本发明可变衰减器受力后绝缘物带动导电片顺时针转动时， 可 变衰减器的衰减量变化曲线。 ' 具体实施方式
请参阅图 1和图 2， 本发明的可变衰减器包括基板 11以及位于基板 11 上的输入端 9、 一端与输入端 9连接的圆弧状第一微带信号线 5、 一端与第 一微带信号线 5的另一端连接的圆弧状第一膜片电阻 1和与第一膜片电阻 1的另一端连接的输出端 10。 另外， 第一膜片电阻 1的两端还分别与第三 膜片电阻 6的一端和第四膜片电阻 7的一端相电连接， 第三膜片电阻 6的另 一端 14和第四膜片电阻 7的另一端 14同时与第二膜片电阻 2的一端相电连 接， 第二膜片电阻 2的另一端与接地端 13相连接， 或通过第二微带信号线 8连接到接地端 13。 上述所指的第一膜片电阻 1、 第二膜片电阻 2、 第三膜 片电阻 6和第四膜片电阻 7都是印刷薄膜电阻， 其底部与基板 11相连接， 顶部是可以导电的没有绝缘的电阻材料。
第三膜片电阻 6和第四膜片电阻 7的阻抗值要求相同为佳。 第三膜片 电阻 6和第四膜片电阻 7—般采用与输入输出阻抗 Zo值相同的阻抗值的膜 片电阻。 一般为 50 Ω。在第一微带信号线 5的上面有一段与第一微带信号 线 5相同形状的起接触短路作用的第一导电片 3， 它固定在绝缘物 12上， 绝缘物 12可以是受力位移板， 绝缘物 12上还固定有第二导电片 4。 第一导 电片 3和第二导电片 4分别固定在绝缘物 12 (即受力移位板） 的下面。 第 一导电片 3的作用是用来改变第一膜片电阻 1的阻抗值， 第二导电片 4的作 用是用来改变第二膜片电阻 2的阻抗值； 第一导电片 3与第二导电片 4不相 接触。 第一导电片 3和第二导电片 4随绝缘物 12的转动而转动。 例如当绝 缘物 12 (受力位移板）顺时针转动时， 第一导电片 3同时在第一微带信号 线 5和第一膜片电阻 1上接触转动。 第一导电片 3与第一膜片电阻 1接触面 积由小变大， 因此第一膜片电阻 1的阻抗值随之由大变小； 第二导电片 4 同时在第二微带信号线 8和第二膜片电阻 2上接触转动。第二导电片 4与¼ 二膜片电阻 2的接触面积由大变小， 因此第二膜片电阻 2阻抗值由小变大; 通过这种几何面积的变化， 即导电片与膜片电阻表面接触的变化， 可以 使第一膜片电阻 1和第二膜片电阻 2的实效电阻值发生了变化， 即第一膜 片电阻 1和第二膜片电阻 2实际效果电阻值变化了。
当绝缘物 12 (即受力移位板）顺时针转动时， 最大转动角度应保持 在使第一导电片 3将第一膜片电阻 1完全短路或接近完全短路为佳， 第一 导电片 3的长度 (弧长)的应能覆盖或接近覆盖第一膜片电阻 1为佳，并且要 避免与第二膜片电阻 2相接触； 第二导电片 4顺时针转动时， 设计得不要 与第一微带信号线 5和输入端 9相接触。
同样， 绝缘物 12 (即受力移位板）逆时针转动时， 第二导电片 4的最 大转动角度应保持在使第二导电片 4不与输出端 10相接触； 第一导电片 3 逆时针转动时， 设计得不要与接地端 13相接触。
第一导电片 3和第二导电片 4也可以是膜片电阻， 两个膜片电阻相重 叠并能电接触， 可看作两个电阻的并联， 同样可改变膜片电阻的阻抗值， 起到的作用是相同的。 但要求第一导电片 3只用来与第一膜片电阻 1相电 接触， 用来改变第一膜片电阻 1的阻抗值， 不要直接与其它微带信号线或 其它膜片电阻相接触； 要求第二导电片 4只用来与第二膜片电阻 2相电接 触， 用来改变第二膜片电阻 2的阻抗值， 不要直接与其它微带信号线或其 它膜片电阻相接触。 为此， 可将第一膜片电阻 1和第二膜片电阻 2制作在 与其它微带信号线、 输入输出端及其它膜片电阻不同的基板 11层面上。 目的是要保持可变衰减器的基本原理结构。
第一膜片电阻（1 ) 和第一导电片 （3 ) 的共同平面， 与第二膜片电 阻（2)和第二导电片 （4) 的共同平面可以不在同一平面。 请参阅图 3， 是本发明可变衰减器的基本原理图。 其动作原理相当于 一支连续可变桥 T型衰减器。它是一个对称的宽频网络， 其输入端和输出 端是可以互换的。
图 4显示了当绝缘物 12 (即受力位移板）顺时针转动时， 第一膜片电 阻 1与第二膜片电阻 2的理想的理论变化曲线。第一膜片电阻 1与第二膜片 电阻 2阻抗值大小的变化规律呈相反的特性。
图 5显示了当绝缘物 12 (即受力位移板）顺时针转动时按上述图 4变 化曲线制作出的可变衰减器的衰减量曲线。设计制作时按图 4的变动曲线 选择第一膜片电阻 1和第二膜片电阻 2， 就可以实现可变衰减器的位移变 动时所需要的衰减量的变化量。
当其中一个膜片电阻的阻抗值变大时， 另一个膜片电阻的阻抗值同 时变小， 反之亦然。 参照图 3原理和图表变化规律， 可做出连续可变衰减 器。
该可变衰减器可制成各种封装类型， 如表面实装型， 引线型或插接 型的结构。
另外， 本发明可以在基板 11与绝缘物 12之间加入能在垂直方向导电 的硅橡胶薄膜， 起到膜片电阻与导电片间的稳定接触， 防止膜片电阻与 导电片之间的磨损的作用。
另外， 本发明还可以在绝缘物 12上加工上槽沟， 第一导电片 3和第二 导电片 4位于槽沟内， 在槽沟内与起接触短路作用的第一导电片 3和第二 导电片 4之间加入具有弹性的物质， 这种物质对高频微波特性影响极小， 起到膜片电阻与导电片稳定接触， 以及防止膜片电阻与导电片之间的磨 损的作用。
本发明最大的特点就是在一个平面内 （可以是多层）， 通过导电片的 短路作用， 巧妙地将第一膜片电阻 1与第二膜片电阻 2的阻抗值 （即电阻 值） 同时呈相反方向变动， 第一导电片 3、 第二导电片 4、 第一膜片电阻 1 和第二膜片电阻 2之几何形状可以是圆弧形、 长方^或其它几何形状， 其 实现可变衰减器的小型化， 低成本， 并且可以用在非常高的微波频段。

Claims

权利要求书
1. 一种可变衰减器， 其包括： 基板 （11 )， 其特征在于： 其还包括 位于该基板（11 )上的第一膜片电阻（1 )和连接到该第一膜片电阻（1 ) 两端的输入端（9)和输出端（10); 该第一膜片电阻（1 ) 的两端还分别 与第三膜片电阻（6) 的一端及第四膜片电阻（7) 的一端相电连接； 第 三膜片电阻（6)和第四膜片电阻（7) 的另一端 （14) 分别与第二膜片 电阻（2) 的一端相电连接， 第二膜片电阻（2) 的另一端与接地端（13) 相电连接； 该可变衰减器还包括能分别与第一膜片电阻（1 )和第二膜片 电阻（2)相电接触并分别用来改变第一膜片电阻（1 )、第二膜片电阻（2) 的阻抗大小的第一导电片 （3)和第二导电片（4); 该可变衰减器还包括 绝缘物 （12)， 该第一导电片 （3)、 第二导电片 （4) 固定在绝缘物（12) 上。
2. 根据权利要求 1所述的可变衰减器， 其特征在于： 第三膜片电阻 (6) 与第四膜片电阻（7) 的阻抗值相同。
3. 根据权利要求 1或 2所述的可变衰减器，其特征在于：绝缘物（12) 受力后可改变第一导电片 （3 ) 和第二导电片 （4) 的位置， 使第一导电 片（3)和第二导电片（4)分别与第一膜片电阻（1 )和第二膜片电阻（2) 相接触的面积发生变化。
4. 根据权利要求 1或 2所述的可变衰减器， 其特征在于： 第一导电 片 （3)、 第二导电片 （4)、 第一膜片电阻（1 )和第二膜片电阻（2) 的 几何形状可以是圆弧形或长方形； 第一导电片 （3 ) 和第二导电片 （4) 也可以是膜片电阻。
5. 根据权利要求 1或 2所述的可变衰减器， 其特征在于： 第一膜片电 阻（1 )和第一导电片 （3) 的共同平面， 与第二膜片电阻（2)和第二导 电片 （4) 的共同平面不在同一平面； 基板 11是多层基板。
6. 根据权利要求 3所述的可变衰减器， 其特征在于： 使第一导电片 (3)和第二导电片（4)几何位置发生变化的力可以是机械手动的外力， 也可以是自动控制的机械力、 电磁力、 热及温度变化引起的力、 流体物 流动或膨胀或收缩引发的力、 光电激励引发的力。
7.根据权利要求 1所述的可变衰减器， 其特征在于： 该可变衰减器可 制成表面实装型、 引线型或插接型的封装结构。
8. 根据权利要求 7所述的可变衰减器， 其特征在于： 基板 （11 ) 与 绝缘物 （12)之间加入有能在垂直方向导电的硅橡胶薄膜。
9. 根据权利要求 7所述的可变衰减器， 其特征在于： 绝缘物 （12) 上加工有槽沟， 第一导电片 3和第二导电片 4位于该槽沟内， 在槽沟内与 起接触短路作用的第一导电片 （3 ) 和第二导电片 （4)之间具有弹性的 物质。
PCT/CN2005/000872 2004-10-13 2005-06-17 Attenuateur variable Ceased WO2006039850A1 (fr)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP05755038A EP1804329A4 (en) 2004-10-13 2005-06-17 VARIABLE ATTENUATOR
JP2007540477A JP2008516568A (ja) 2004-10-13 2005-06-17 可変減衰器
US11/733,205 US8089338B2 (en) 2004-10-13 2007-04-10 Variable attenuator
US12/703,859 US8212648B2 (en) 2004-10-13 2010-02-11 Variable attenuator

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200410051879.9 2004-10-13
CN 200410051879 CN1282303C (zh) 2004-10-13 2004-10-13 可变衰减器

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US11/733,205 Continuation US8089338B2 (en) 2004-10-13 2007-04-10 Variable attenuator
US11/733,205 Continuation-In-Part US8089338B2 (en) 2004-10-13 2007-04-10 Variable attenuator

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2006039850A1 true WO2006039850A1 (fr) 2006-04-20

Family

ID=35046702

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2005/000872 Ceased WO2006039850A1 (fr) 2004-10-13 2005-06-17 Attenuateur variable

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP1804329A4 (zh)
JP (1) JP2008516568A (zh)
CN (1) CN1282303C (zh)
WO (1) WO2006039850A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2190116B1 (en) * 2007-08-11 2018-03-21 Yantel Corporation Variable attenuator
CN101546989B (zh) * 2008-03-26 2014-09-17 深圳市研通高频技术有限公司 可变衰减器
DE102009017689A1 (de) * 2009-04-16 2010-10-21 Asc-Tec Ag Antennen-Satelliten-Communication-Technik Pegelsteller
US20110193624A1 (en) * 2010-02-08 2011-08-11 Harris Corporation Tunable impedance inverter for doherty amplifier circuit
JP5110333B2 (ja) * 2010-06-21 2012-12-26 Ｔｄｋ株式会社 減衰器
CN109703998B (zh) * 2018-12-25 2020-07-31 湖州通元石料有限公司 一种移动式石料输送下料装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2810891A (en) * 1954-03-03 1957-10-22 Itt Attenuators
US2961620A (en) 1955-10-06 1960-11-22 Sanders Associates Inc Phase shifter for high frequency transmission line
US3659233A (en) * 1970-07-07 1972-04-25 Collins Radio Co Microstrip rf variable attenuator
JPH02297902A (ja) * 1989-05-11 1990-12-10 Copal Electron Co Ltd 可変抵抗器の抵抗体
JP2000196302A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 分配可変移相器
CN1338790A (zh) * 2000-08-12 2002-03-06 Kmw株式会社 用于改变n个输入信号的相位的信号处理装置
US6522221B1 (en) * 1999-01-04 2003-02-18 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Phase shifter, attenuator, and nonlinear signal generator

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10242711A (ja) * 1997-02-25 1998-09-11 Miharu Tsushin Kk 筒型可変減衰器
KR20000075389A (ko) * 1999-05-19 2000-12-15 김덕용 입력된 신호의 위상천이 및 감쇄를 위한 신호 처리장치
GB0305619D0 (en) * 2003-03-12 2003-04-16 Qinetiq Ltd Phase shifter device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2810891A (en) * 1954-03-03 1957-10-22 Itt Attenuators
US2961620A (en) 1955-10-06 1960-11-22 Sanders Associates Inc Phase shifter for high frequency transmission line
US3659233A (en) * 1970-07-07 1972-04-25 Collins Radio Co Microstrip rf variable attenuator
JPH02297902A (ja) * 1989-05-11 1990-12-10 Copal Electron Co Ltd 可変抵抗器の抵抗体
JP2000196302A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 分配可変移相器
US6522221B1 (en) * 1999-01-04 2003-02-18 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Phase shifter, attenuator, and nonlinear signal generator
CN1338790A (zh) * 2000-08-12 2002-03-06 Kmw株式会社 用于改变n个输入信号的相位的信号处理装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1804329A4 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN1674351A (zh) 2005-09-28
EP1804329A4 (en) 2007-10-10
EP1804329A1 (en) 2007-07-04
CN1282303C (zh) 2006-10-25
JP2008516568A (ja) 2008-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2190116B1 (en) Variable attenuator
WO2006039850A1 (fr) Attenuateur variable
WO2005112256A1 (en) Temerature compensation attenuator
CN101546989B (zh) 可变衰减器
JP6054501B1 (ja) 終端装置および終端方法
US8089338B2 (en) Variable attenuator
JP2004282626A (ja) ２ポート型非可逆回路素子、複合電子部品および通信装置
TWI252606B (en) Variable attenuator
CN106711554A (zh) 一种集成式360°反射型模拟移相器
CN115911805B (zh) 一种定向耦合器及其设计方法和射频电路、电子设备
CN101789768A (zh) 温度补偿衰减器
CN104081579B (zh) 不可逆电路元件
TWI364132B (zh)
CN108899624A (zh) 一种基于新型拓扑结构的可调谐幅度均衡器
US9172125B1 (en) Non-reciprocal circuit element
CN115764216A (zh) 温度补偿衰减器及电子设备
US6614324B2 (en) Center electrode assembly, nonreciprocal circuit device, and communication apparatus
CN119766181B (zh) 一种衰减器芯片
CN206673926U (zh) 薄膜滤波器
CN206673945U (zh) 一种微型化均衡器及功放装置
JP4374544B2 (ja) ２ポートアイソレータの特性調整方法
CN221727418U (zh) 可调衰减器
US20240405741A1 (en) Distributed Attenuators With Uniform Electric Field
TW200826351A (en) Micro-band variable attenuator
CN101179260A (zh) 微带可变衰减器

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KM KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NG NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SM SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
DPE1 Request for preliminary examination filed after expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11733205

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007540477

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005755038

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2005755038

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 11733205

Country of ref document: US