WO2006054005A1 - Composant a protuberances conductrices ductiles enterrees et procede de connexion electrique entre ce composant et un composant muni de pointes conductrices dures - Google Patents

Composant a protuberances conductrices ductiles enterrees et procede de connexion electrique entre ce composant et un composant muni de pointes conductrices dures Download PDF

Info

Publication number
WO2006054005A1
WO2006054005A1 PCT/FR2005/050795 FR2005050795W WO2006054005A1 WO 2006054005 A1 WO2006054005 A1 WO 2006054005A1 FR 2005050795 W FR2005050795 W FR 2005050795W WO 2006054005 A1 WO2006054005 A1 WO 2006054005A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
component
protuberances
tips
conductive
buried
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/FR2005/050795
Other languages
English (en)
Inventor
Cécile DAVOINE
Manuel Fendler
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat a lEnergie Atomique CEA filed Critical Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Priority to JP2007534065A priority Critical patent/JP5583324B2/ja
Priority to EP05802576.8A priority patent/EP1797748B1/fr
Priority to US11/662,940 priority patent/US8586409B2/en
Publication of WO2006054005A1 publication Critical patent/WO2006054005A1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0364—Conductor shape
    • H05K2201/0367—Metallic bump or raised conductor not used as solder bump
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0364—Conductor shape
    • H05K2201/0373—Conductors having a fine structure, e.g. providing a plurality of contact points with a structured tool
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10954—Other details of electrical connections
    • H05K2201/10977—Encapsulated connections
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/02—Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
    • H05K2203/0278—Flat pressure, e.g. for connecting terminals with anisotropic conductive adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
    • H10W72/01231—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps using blanket deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
    • H10W72/01231—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps using blanket deposition
    • H10W72/01233—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps using blanket deposition in liquid form, e.g. spin coating, spray coating or immersion coating
    • H10W72/01235—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps using blanket deposition in liquid form, e.g. spin coating, spray coating or immersion coating by plating, e.g. electroless plating or electroplating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
    • H10W72/01251—Changing the shapes of bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
    • H10W72/01251—Changing the shapes of bumps
    • H10W72/01255—Changing the shapes of bumps by using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07331—Connecting techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
    • H10W72/221—Structures or relative sizes
    • H10W72/222—Multilayered bumps, e.g. a coating on top and side surfaces of a bump core
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
    • H10W72/241—Dispositions, e.g. layouts
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
    • H10W72/251—Materials
    • H10W72/252—Materials comprising solid metals or solid metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H10W72/351—Materials of die-attach connectors
    • H10W72/352—Materials of die-attach connectors comprising metals or metalloids, e.g. solders
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/921—Structures or relative sizes of bond pads
    • H10W72/923—Bond pads having multiple stacked layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/941—Dispositions of bond pads
    • H10W72/9415—Dispositions of bond pads relative to the surface, e.g. recessed, protruding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H10W74/15—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition on active surfaces of flip-chip devices, e.g. underfills
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
    • H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49126—Assembling bases

Definitions

  • the present invention relates to a buried ductile conductive protuberance component and a method of electrical connection between this component and a component having hard conductive tips.
  • the main advantage of such an insertion electrical connection method is to be able to do without the flow, unlike conventional hybridization methods (solder protrusions and thermo-compression) which involve the use of a solution of chemical etching, the flux, to remove the native oxide layer on the surface of the alloy.
  • the step of rinsing the flow is difficult to achieve at low pitch. Flux residues are in fact an obstacle to the spreading of the coating adhesive used to protect the balls during the thinning steps or during use of the hot or cold device by reinforcing the thermomechanical coupling between the chip. and the substrate, which results in the presence of bubbles that are harmful to a stack from a thermomechanical point of view.
  • this known method as illustrated schematically in FIG.
  • the mechanical maintenance between the two components is ensured by bonding at the interface between the components, between the protuberances, for example by molecular adhesion sealing performed at room temperature by plasma passivation or by an adhesive.
  • the electrical connections are thus made at a topological level different from that of the mechanical contact.
  • the coating that was used to mechanically protect the connections is no longer necessary.
  • the invention also relates to a component comprising, on one face, a set of pads and a set of ductile conductive protuberances adapted to be electrically connected with another component provided on one side with a set of pads and a set hard conductive tips, characterized in that the protuberances are buried.
  • Each protuberance is made of electrically conductive material such as a solder paste or a conductive adhesive.
  • the level of connection is dissociated from that of mechanical support.
  • This new hybridization concept makes it compatible with the technique of insertion and direct transfer from one component to the other, and thus eliminates the coating step, which is difficult from a low-tech point of view. . It offers the advantage of being at ambient temperature, "flux-free" because the tip pierces the native oxide crust on the surface of a protrusion, and requires a low mechanical pressure.
  • FIG. 1 illustrates a method of the prior art.
  • FIGS. 2A and 2B illustrate the realization of a connection by insertion of a set of points into buried protuberances according to the method of the invention.
  • Figures 3A-7C illustrate several embodiments of the method of the invention.
  • this connection is made between the pads 8 of a first component 10 and the pads 9 of a second component 11, for example a substrate, by insertion of a set of hard conducting tips 13 disposed on one face of this first component 10 in a set of buried ductile conductive protrusions 14 disposed on one side of the second component, as shown in Figures 2A and 2B.
  • Hybridization can be done at room temperature. Indeed, if the tips are sufficiently sharp and the material of the protrusions sufficiently ductile, the insertion can be done only by application of mechanical pressure.
  • Such an insertion can be made by playing on the Young's modules of the respective materials constituting the points 13 and the protuberances 14, and / or on the shape of points 13.
  • the tips 13 must be sufficiently hard and thin (for example, a vertex angle less than 30 °, a ratio greater than 10 between the two Young's modules) to be able to pierce the oxide crust and to penetrate into the protuberances 14 with a minimal mechanical pressure.
  • the surface adhesion bonding (SAB) molecular adhesion seal contemplated above for bonding between the two components, has the following advantages.
  • the direct transfer of one component to the other by a molecular adhesion seal at room temperature is possible. There is therefore no shift of the pads vis-à-vis during hybridization.
  • sealing by molecular adhesion was not possible in the "flip chip” technology because of the high temperature heat treatment (1000 ° C.) that it required to consolidate the bonds. Thanks to surface activated bonding (SAB) surfaces, we are now able to seal at room temperature.
  • the "conventional" molecular adhesion seal (that is to say without surface activation) consists in bringing two materials into contact at room temperature after physicochemical treatment of their surface, then in carrying out a high temperature heat treatment in order to consolidate the crystalline structure by creating atomic bonds.
  • Plasma activation allows a physico-chemical cleaning of surfaces on the atomic scale by bombardment of excited particles. Bonds break on the surface and dangling bonds are created. The surfaces are then sufficiently reactive so that the seal quality obtained at room temperature is mechanically acceptable and consolidation by heat treatment is not essential. Thus hybridization can be carried out at room temperature. We avoid the problems of offset of pads during hot hybridizations (due to the difference in coefficient of thermal expansion of the chip and the substrate).
  • the buried ductile protuberances can be made for example by electrolytic growth at the bottom of the cavities formed in a passivation layer.
  • the passivation layer may be SiO 2 and the boxes may be indium or aluminum.
  • a step of depositing a resin mask 25 an electrolytic growth step, for example of indium 24 (FIG. 3C) or of any ductile conductive material,
  • the set of tips can be obtained in several ways, for example by deposition by metal, etching, electrolytic growth, electrodeposition process ("electroless”), metal nanoimpresion or growth of aligned carbon nanotubes ...
  • a first technique is to perform a metal deposition by spraying over cavities of resin. As the deposit is deposited, the opening becomes clogged and the amount of metal deposited at the bottom of the cavity decreases. Thus the shape obtained at the bottom of the cavity becomes conical.
  • a second technique consists in carrying out the deposition step on the entire plate, depositing a resin mask and then etching the metal by chemical etching.
  • the nanoimpre- sion technique is used to mold polymers, but it is also possible to mold alloys provided they are heated to around the melting temperature. Alloys with low melting point must be selected. We thus have the following steps:
  • the patterns of the mold can be made in several ways: a mold, made of silicon for example, can be used and the pyramidal holes can be made by anisotropic chemical etching (KOH) along crystalline planes. It is also possible to make the mold by hot stamping. The material must be thermally and mechanically strong enough not to cleave under the application of force.
  • Nanotubes can be grown under an electric field to orient them. This technique is described in the document referenced [2]. This document contemplates the direct growth of vertically aligned carbon nanotube arrays on flexible plastic substrates using a chemical vapor deposition.
  • these nanotubes can grow locally by means of a masking process during the deposition of the different layers necessary for their preparation (FIG. 7C).

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)

Abstract

L'invention concerne un procédé de connexion électrique entre un premier composant (10) comportant, sur une face, un ensemble de premiers plots (8) et un ensemble de pointes conductrices dures (13) et un second composant (11) comportant, sur une face, un ensemble de second plots (9) et un ensemble de protubérances conductrices ductiles (14) , dans lequel on met en vis-à-vis les deux faces et on les rapproche de telle façon que les pointes (13) puissent pénétrer dans ces protubérances (14) , dans lequel les protubérances sont enterrées. L'invention concerne également un composant muni d'un ensemble de protubérances conductrices ductiles enterrées.

Description

COMPOSANT A PROTUBERANCES CONDUCTRICES DUCTILES
ENTERREES ET PROCEDE DE CONNEXION ELECTRIQUE ENTRE CE
COMPOSANT ET UN COMPOSANT MUNI DE POINTES CONDUCTRICES
DURES.
DESCRIPTION
DOMAINE TECHNIQUE
La présente invention concerne un composant à protubérances conductrices ductiles enterrées et un procédé de connexion électrique entre ce composant et un composant muni de pointes conductrices dures.
ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE
Dans le domaine de la connectigue utilisant la technique « flip chip », la tendance actuelle est à la réduction du « pas », c'est-à-dire de la distance entre les interconnexions reliant puce et substrat. Dans une telle technique un substrat a tous les contacts, sous forme de protubérances ou de protubérances (« bump ») métalliques, situés sur une seule face. La puce est retournée de telle sorte que les protubérances puissent être soudées à des conducteurs appropriés sur cette puce. Cependant les méthodes d'hybridation conventionnelles telles que la brasure de protubérances ou la thermo-compression de plots, ainsi que des méthodes plus récentes telles que les ACF (« Anisotropic Conductive Films ») ou l'utilisation de polymères conducteurs montrent leurs limites en termes de réduction du pas. La réalisation de connexions électriques par insertion de mi-cro-pointes ou « pointes » conductrices dures dans des protubérances conductrices ductiles apparaît être une solution compatible avec une telle réduction du pas dans la mesure où elle est « sans-flux », nécessite une faible pression mécanique et permet de rattraper les flèches éventuelles de la puce ou du substrat .
Le document référencé [1] en fin de description décrit, ainsi, un procédé de connexion par insertion d'une première pièce munie de plusieurs pointes avec une seconde pièce munie de plots surmontés de protubérances de soudure sans utiliser de flux. Ce procédé comprend les étapes consistant à aspirer sous vide la première pièce, presser au moins une pointe de la première pièce contre un plot de la seconde pièce, percer à l'aide de cette pointe la croûte d'oxyde natif en surface de la protubérance de soudure en chauffant au dessus de la température de fusion du matériau constituant la protubérance, refroidir, et solidifier la protubérance de soudure fondue. La surface de la protubérance de soudure est, en effet, revêtue par un film en oxyde comme un enrobage dur, de telle sorte que, même si la pointe est pressée fermement contre la protubérance de soudure en chauffant au dessus de la température de fusion du matériau constituant la protubérance, la soudure ne coule pas sur le côté, et il n'y a pas production d'un pont de soudure. Le maintien mécanique est assuré par la brasure. Cependant, à faible pas, il est nécessaire de protéger les connexions du cisaillement mécanique du à la différence de coefficient de dilatation thermique par un enrobage.
Le principal avantage d'un tel procédé de connexion électrique par insertion est de pouvoir se passer du flux, contrairement aux méthodes d'hybridation conventionnelles (brasure de protubérances et thermo-compression) qui font appel à l'utilisation d'une solution d'attaque chimique, le flux, permettant d'éliminer la couche d'oxyde natif en surface de l'alliage. Dans ces méthodes l'étape de rinçage du flux est délicate à réaliser à faible pas . Des résidus de flux font, en effet, obstacle à la propagation de la colle d'enrobage servant à protéger les billes lors des étapes d'amincissement ou lors d'utilisation du dispositif à chaud ou à froid en renforçant le couplage thermomécanique entre la puce et le substrat, ce qui entraîne la présence de bulles qui sont néfastes à un empilement d'un point de vue thermomécanique. Ainsi dans ce procédé l'art connu, comme illustré schématiquement sur la figure 1, on réalise une connexion entre les plots 6 d'un premier composant 17 et les plots 7 d'un second composant 19, par exemple un substrat, par insertion d'un ensemble de pointes conductrices dures 16 disposé sur une face de ce premier composant 17 dans un ensemble de protubérances conductrices ductiles 18 disposé sur une face du second composant 19, chaque pointe 16 du premier composant 17 correspondant à une protubérance 18 du second composant 19. Le maintien mécanique est assuré par une colle d'enrobage 15. L'objet de l'invention est de permettre un scellement direct entre composants en éliminant l'étape d'enrobage, difficile a faible pas.
EXPOSE DE L'INVENTION
La présente invention concerne un procédé de connexion électrique entre un premier composant comportant, sur une face, un ensemble de premiers plots et un ensemble de pointes conductrices dures et un second composant comportant, sur une face, un ensemble de seconds plots et un ensemble de protubérances conductrices ductiles, dans lequel on met en vis-à-vis les deux faces et on les rapproche de telle façon que les pointes puissent pénétrer dans ces protubérances, caractérisé en ce que les protubérances sont enterrées.
Avantageusement le maintien mécanique entre les deux composants est assuré par collage à l'interface entre les composants, entre les protubérances, par exemple par scellement par adhésion moléculaire réalisé à la température ambiante grâce à une passivation plasma ou par une colle.
On réalise ainsi les connexions électriques à un niveau topologique différent de celui du contact mécanique. L'enrobage qui servait à protéger mécaniquement les connexions n'est plus nécessaire.
Dans un mode de réalisation les protubérances sont obtenues par croissance électrolytique ou dépôt au fond de cavités réalisées dans une couche de passivation ou par gravure. Dans un mode de réalisation les pointes sont obtenues par dépôt métallique, gravure, croissance électrolytique, nanoimpression métallique, ou croissance de nanotubes alignés.
L'invention concerne également un composant comportant, sur une face, un ensemble de plots et un ensemble de protubérances conductrices ductiles apte à être connecté électriquement avec un autre composant muni, sur une face, d'un ensemble de plots et d'un ensemble de pointes conductrices dures, caractérisé en ce que les protubérances sont enterrées. Chaque protubérance est en matériau conducteur électrique comme par exemple une pâte à brasure ou une colle conductrice.
Chaque pointe peut être en métal, plus généralement en matériau conducteur. Chaque pointe peut aussi être un nanotube ou un nanofil.
En enterrant les protubérances dans un composant (par exemple un substrat ou une puce) , on dissocie le niveau de connectique de celui de maintien mécanique. Ce nouveau concept d'hybridation rend compatible la technique d'insertion et de report direct d'un composant sur l'autre, et permet ainsi d'éliminer l'étape d'enrobage, difficile d'un point de vue technologique à faible pas. Elle offre l'avantage d'être à température ambiante, « sans-flux » car la pointe vient percer la croûte d'oxyde natif en surface d'une protubérance, et nécessite une faible pression mécanique.
BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 illustre un procédé de l'art connu. Les figures 2A et 2B illustrent la réalisation d'une connexion par insertion d'un ensemble de pointes dans des protubérances enterrées selon le procédé de l'invention. Les figures 3A à 7C illustrent plusieurs modes de réalisation du procédé de l'invention.
EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS
Le procédé de l'invention est un procédé de connexion électrique de plots utilisant la technique « flip chip » sans flux.
Dans le procédé de l'invention on réalise cette connexion entre les plots 8 d'un premier composant 10 et les plots 9 d'un second composant 11, par exemple un substrat, par insertion d'un ensemble de pointes conductrices dures 13 disposé sur une face de ce premier composant 10 dans un ensemble de protubérances conductrices ductiles enterrées 14 disposées sur une face du second composant, comme illustré sur les figures 2A et 2B.
Les connexions électriques sont réalisées par insertion de pointes conductrices dures dans des protubérances conductrices ductiles enterrées . On peut ainsi reporter directement un composant sur l'autre, par exemple une puce sur un substrat. Le maintien mécanique est assuré par un collage à l'interface entre les protubérances. Il s'agit par exemple d'un collage traditionnel ou d'un scellement par adhésion moléculaire, réalisé à température ambiante grâce à une activation plasma. Comme la partie dans laquelle on insère la pointe est enterrée, on réalise un scellement direct des deux composants et on élimine l'étape d'enrobage de l'art connu.
De plus, le maintien mécanique se faisant non plus par les connexions mais par la surface entre les composants, il n'est plus nécessaire de chauffer. L'hybridation peut se faire à température ambiante. En effet, si les pointes sont suffisamment aiguisées et le matériau des protubérances suffisamment ductile, l'insertion peut se faire uniquement par application d'une pression mécanique.
Une telle insertion peut être réalisée en jouant sur les modules d'Young des matériaux respectifs constituant les pointes 13 et les protubérances 14, et/ou sur la forme de pointes 13. En effet, plus le rapport des modules d'Young entre les deux matériaux est élevé, plus l'insertion est facile. On peut donc choisir n'importe quel couple de matériaux conducteurs : par exemple une pointe en métal ou en un matériau quelconque recouvert d'une couche métallique et une protubérance en pâte à brasure (In, SnPb,
AuSn...) . De même, plus la pointe a une forme pointue, moins la pression à exercer est importante. Les pointes 13 doivent être suffisamment dures et fines (par exemple angle au sommet inférieur à 30°, rapport supérieur à 10 entre les 2 modules d'Young) pour pouvoir percer la croûte d'oxyde et s'enfoncer dans les protubérances 14 avec une pression mécanique minimale.
Le scellement par adhésion moléculaire avec activation de surface SAB (« Surface Activated Bonding ») , envisagé ci-dessus pour le collage entre les deux composants, présente les avantages suivants. Le report direct d'un composant sur l'autre par un scellement par adhésion moléculaire à température ambiante est possible. Il n'y a donc pas de décalage des plots en vis-à-vis lors de l'hybridation. Jusqu'alors, le scellement par adhésion moléculaire n'était pas envisageable dans la technologie « flip chip » du fait du traitement thermique haute température (10000C) qu'il nécessitait pour consolider les liaisons. Grâce à l'activation des surfaces par plasma SAB (« Surface Activated Bonding ») , on est aujourd'hui capable de réaliser des scellements à température ambiante.
Le scellement par adhésion moléculaire « classique » (c'est-à-dire sans activation de surface) consiste à mettre en contact deux matériaux à température ambiante après traitement physico-chimique de leur surface, puis à réaliser un traitement thermique haute température afin de consolider la structure cristalline par création de liaisons atomiques.
L'activation plasma permet d'effectuer un nettoyage physico-chimique des surfaces à l'échelle atomique par bombardement de particules excitées. Des liaisons se cassent en surface et des liaisons pendantes sont créées. Les surfaces sont alors suffisamment réactives pour que la qualité de scellement obtenue à température ambiante soit mécaniquement acceptable et qu'une consolidation par traitement thermique ne soit pas indispensable. Ainsi l'hybridation peut être réalisée à température ambiante. On évite les problèmes de décalage de plots lors des hybridations chaud (dus à la différence de coefficient de dilatation thermique de la puce et du substrat) .
On peut également réaliser le report par toute autre méthode de scellement : collage polymère, scellement eutectique, brasure...
Réalisation des protubérances enterrées
Les protubérances ductiles enterrées peuvent être réalisées par exemple par croissance électrolytique au fond des cavités réalisées dans une couche de passivation. La couche de passivation peut être du Si02 et les caissons peuvent être en indium ou aluminium. On peut avoir, ainsi, les étapes suivantes : une étape de dépôt d'une couche de passivation 20 (par exemple SiO2) sur un substrat 21 muni de plots 22 puis une étape de gravure chimique (figure 3A) ,
- une étape de dépôt d'un fond continu en Ti 23 (figure 3B) ,
- une étape de dépôt d'un masque en résine 25, - une étape de croissance électrolytique par exemple d' indium 24 (figure 3C) ou de tout matériau conducteur ductile,
- une étape de gravure chimique sélective du fond continu (figure 3D) et de la résine.
Réalisation des pointes L'ensemble de pointes peut être obtenu de plusieurs manières, par exemple par dépôt par métallique, gravure, croissance électrolytique, procédé électrodéposition (« electroless ») , nanoimpresion métallique ou croissance de nanotubes de carbone alignés...
1) Dépôt métallique
Une première technique consiste à réaliser un dépôt de métal par pulvérisation au-dessus de cavités de résine. Au fur et à mesure du dépôt l'ouverture s'obstrue et la quantité de métal déposé en fond de cavité diminue. Ainsi la forme obtenue en fond de cavité devient conique. On a ainsi les étapes suivantes :
- une étape de dépôt d'un masque de résine 30 par « lift-off » sur un substrat 31 muni de plots 32 (figure 4A) ,
- une étape de dépôt d'un métal 33 (figures 4B et 4C) ,
- une étape de retrait de la résine (figure 4D) .
Une deuxième technique consiste à réaliser l'étape de dépôt sur toute la plaque, de déposer un masque en résine puis à graver le métal par gravure chimique.
2) Croissance électrolytique
On peut également réaliser une croissance électrolytique d'un métal au fond d'une cavité de résine dont les flancs sont obliques. Cette oblicité peut-être obtenue par exemple grâce a un double résinage. On dépose alors deux types de résines qui n'ont pas la même sensibilité à l'insolation. Une fois insolées, elles ne se dissolvent pas de la même façon. On a ainsi les étapes suivantes :
- une étape de double résinage par dépôt de deux résines 40 et 41 sur un substrat 42 muni de plots 43 (figure 5A) , une étape d'insolation au rayonnement ultrat-violet 44 sous masque 45 (figure 5B) , une étape de dilution des résines insolées (figure 5C) , une étape de dépôt électrolytique du matériau 46 constituant les pointes (figure 5D) , - une étape de retrait des deux résines 40 et 41 (figure 5E) .
3) Nanoimpression métallique
A l'origine, la technique de nanoimpre- ssion est utilisée pour mouler des polymères, mais il est également envisageable de mouler des alliages à condition de les chauffer aux alentours de la température de fusion. Il faut choisir des alliages à bas point de fusion. On a ainsi les étapes suivantes :
- une étape d'emboutissage d'un moule 50 sur un substrat 51 sur lequel est déposée classiquement une couche d'alliage 52, (figures 6A et 6B),
- une étape de retrait du moule (figures 6C et 6D) . Les motifs du moule peuvent être réalisés de plusieurs manières : on peut utiliser un moule, en silicium par exemple, et réaliser les trous pyramidaux par attaque chimique anisotrope (KOH) suivant des plans cristallins. On peut également réaliser le moule par emboutissage à chaud. Le matériau doit être suffisamment résistant thermiquement et mécaniquement pour ne pas cliver sous l'application d'une force.
4) Croissance de pointes en nanotubes de carbones.
On peut faire croître des nanotubes sous champ électrique afin de les orienter. Cette technique est décrite dans le document référencé [2] . Ce document envisage, en effet, la croissance directe de réseaux de nanotubes de carbone alignés verticalement sur des substrats en plastique flexible en utilisant un dépôt de vapeur chimique.
On a alors les étapes suivantes :
- une étape de dépôt de TiN 60, de dépôt de Ni 61 et de dépôt de catalyseur 62 sur un substrat 63 muni de plots 64 (figure 7A) ,
- une étape de mise en goutte du catalyseur et de croissance des nanotubes 65 à 45O0C (figure 7B) .
De façon avantageuse, ces nanotubes peuvent croître localement grâce à un procédé de masquage lors du dépôt des différentes couches nécessaires à leur élaboration (figure 7C) . REFERENCES
[1] US 6 , 179 198
[2] Article intitulé « Patterned sélective growth of carbon nanotubes and large field émission from vertically well-aligned carbon nanotube field émitter arrays » de Jung-Inn Sohn, Seonghoon-Lee ; Yoon-Ho-Song ; Sung-Yool-Choi; Kyoung-Ik-Cho; Kee-Soo- Nam (Applied physics Letters, 12/2/2001, 78(7) , pages 901-903) .

Claims

REVENDICATIONS
1. Procédé de connexion électrique entre un premier composant (10) comportant, sur une face, un ensemble de premiers plots (8) et un ensemble de pointes conductrices dures (13) et un second composant
(11) comportant, sur une face, un ensemble de seconds plots (9) et un ensemble de protubérances conductrices ductiles (14) , dans lequel on met en vis-à-vis les deux faces et on les rapproche de telle façon que les pointes (13) puissent pénétrer dans ces protubérances
(14) , caractérisé en ce que les protubérances sont enterrées.
2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le maintien mécanique entre les deux composants est assuré par un collage à l'interface entre les deux composants, entre les protubérances.
3. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le collage est un scellement par adhésion moléculaire réalisé à température ambiante grâce à une activation plasma.
4. Procédé selon la revendication 1, dans lequel les protubérances enterrées (24) sont obtenues par croissance électrolytique au fond de cavités réalisées dans une couche de passivation (20) .
5. Procédé selon la revendication 3, dans lequel on a les étapes suivantes : une étape de dépôt d'une couche de passivation (20) sur un substrat (21) muni de plots (22) puis une étape de gravure chimique,
- une étape de dépôt d'un fond continu en matériau conducteur (23) ,
- une étape de masquage pour définir les protubérances, une étape de croissance électrolytique d'un matériau ductile (24), - une étape de gravure chimique sélective pour retirer le masque et le fond continu.
6. Procédé selon la revendication 1, dans lequel les pointes sont obtenues par dépôt métallique, gravure, croissance électrolytique, nanoimpression métallique, ou croissance de nanotubes alignés.
7. Composant comportant, sur une face, un ensemble de plots (9) et un ensemble de protubérances conductrices ductiles (14) apte à être connecté électriquement avec un autre composant muni, sur une face, d'un ensemble de plots (8) et d'un ensemble de pointes conductrices dures (13), caractérisé en ce que les protubérances (14) sont enterrées.
8. Composant selon la revendication 7 comportant une couche de colle présente entre les deux composants, entre les protubérances.
9. Composant selon la revendication 7, dans lequel chaque pointe est constituée toute ou en partie par un matériau conducteur électrique.
10. Composant selon la revendication 7, dans lequel chaque pointe est constituée d'un nanotube ou d'un nanofil.
11. Composant selon la revendication 7, dans lequel chaque protubérance est constituée d'au moins un matériau conducteur électrique.
12. Composant selon la revendication 11, dans lequel le matériau de la protubérance est choisi parmi une pâte à brasure ou une colle conductrice.
PCT/FR2005/050795 2004-10-04 2005-09-29 Composant a protuberances conductrices ductiles enterrees et procede de connexion electrique entre ce composant et un composant muni de pointes conductrices dures Ceased WO2006054005A1 (fr)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007534065A JP5583324B2 (ja) 2004-10-04 2005-09-29 埋設された複数の軟質導電性バンプを備えた素子、ならびに、そのような素子と、複数の硬質導電性ポイントを備えた素子と、の電気的接続方法
EP05802576.8A EP1797748B1 (fr) 2004-10-04 2005-09-29 Composant a protuberances conductrices ductiles enterrees et procede de connexion electrique entre ce composant et un composant muni de pointes conductrices dures
US11/662,940 US8586409B2 (en) 2004-10-04 2005-09-29 Component with buried ductile conductive bumps and method of electrical connection between said component and a component equipped with hard conductive points

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0452249A FR2876243B1 (fr) 2004-10-04 2004-10-04 Composant a protuberances conductrices ductiles enterrees et procede de connexion electrique entre ce composant et un composant muni de pointes conductrices dures
FR0452249 2004-10-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2006054005A1 true WO2006054005A1 (fr) 2006-05-26

Family

ID=34982532

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/FR2005/050795 Ceased WO2006054005A1 (fr) 2004-10-04 2005-09-29 Composant a protuberances conductrices ductiles enterrees et procede de connexion electrique entre ce composant et un composant muni de pointes conductrices dures

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8586409B2 (fr)
EP (1) EP1797748B1 (fr)
JP (1) JP5583324B2 (fr)
FR (1) FR2876243B1 (fr)
WO (1) WO2006054005A1 (fr)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009101664A1 (fr) * 2008-02-15 2009-08-20 Fujitsu Limited Procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur
EP2175485A2 (fr) 2008-09-25 2010-04-14 Commissariat A L'energie Atomique Connexion par emboitement de deux inserts soudés et sa méthode de fabrication
EP2190020A1 (fr) 2008-11-20 2010-05-26 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Procédé d'amincissement d'un bloc reporté sur un substrat
WO2011018572A1 (fr) 2009-08-13 2011-02-17 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Assemblage hermetique de deux composants et procede de realisation d'un tel assemblage
EP2287904A1 (fr) 2009-08-13 2011-02-23 Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives Procédé d'assemblage de deux composants électroniques
EP2618368A1 (fr) 2008-02-22 2013-07-24 Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives Composant de connexion muni d'inserts creux et son procédé de réalisation
EP2693468A1 (fr) 2012-07-31 2014-02-05 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procédé d'assemblage de deux composants électroniques entre eux, de type flip-chip
WO2014049551A1 (fr) 2012-09-27 2014-04-03 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede d'assemblage de deux composants electroniques, de type flip-chip, assemblage obtenu selon le procede
WO2018033689A1 (fr) 2016-08-18 2018-02-22 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procédé de connection intercomposants à densité optimisée
EP3675187A1 (fr) 2018-12-28 2020-07-01 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Procédés de fabrication optimisés d'une structure destinée à être assemblée par hybridation et d'un dispositif comprenant une telle structure

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006054468A1 (de) * 2006-11-18 2008-05-29 Braun Gmbh Vorrichtung zur Entfernung von Körperhaar
TWI320680B (en) * 2007-03-07 2010-02-11 Phoenix Prec Technology Corp Circuit board structure and fabrication method thereof
US7749887B2 (en) 2007-12-18 2010-07-06 Micron Technology, Inc. Methods of fluxless micro-piercing of solder balls, and resulting devices
FR2928032B1 (fr) * 2008-02-22 2011-06-17 Commissariat Energie Atomique Composant de connexion muni d'inserts avec cales compensatrices.
KR101022912B1 (ko) * 2008-11-28 2011-03-17 삼성전기주식회사 금속범프를 갖는 인쇄회로기판 및 그 제조방법
FR2964786B1 (fr) * 2010-09-09 2013-03-15 Commissariat Energie Atomique Procédé de réalisation d'éléments a puce munis de rainures d'insertion de fils
FR3082663B1 (fr) 2018-06-14 2022-01-07 Aledia Dispositif optoelectronique
FR3082998B1 (fr) 2018-06-25 2021-01-08 Commissariat Energie Atomique Dispositif et procedes pour le report de puces d'un substrat source vers un substrat destination
US10989735B2 (en) 2019-08-21 2021-04-27 Facebook Technologies, Llc Atomic force microscopy tips for interconnection

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020153608A1 (en) * 2001-04-19 2002-10-24 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Land grid array semiconductor device and method of mounting land grid array semiconductor devices
US20030234277A1 (en) * 2002-06-25 2003-12-25 Rajen Dias Microelectronic device interconnects
WO2004093266A1 (fr) * 2003-04-07 2004-10-28 Molex Incorporated Procede de fabrication d'un connecteur electrique

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6414506B2 (en) * 1993-09-03 2002-07-02 Micron Technology, Inc. Interconnect for testing semiconductor dice having raised bond pads
US6179198B1 (en) * 1996-09-18 2001-01-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of soldering bumped work by partially penetrating the oxide film covering the solder bumps
US5929521A (en) * 1997-03-26 1999-07-27 Micron Technology, Inc. Projected contact structure for bumped semiconductor device and resulting articles and assemblies
JP2000150701A (ja) * 1998-11-05 2000-05-30 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置並びにこれに用いる接続用基板及びその製造方法
JP2000208675A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2001257453A (ja) * 2000-03-09 2001-09-21 Shinko Electric Ind Co Ltd 配線基板、半導体装置及びそれらの製造方法
US6362087B1 (en) * 2000-05-05 2002-03-26 Aptos Corporation Method for fabricating a microelectronic fabrication having formed therein a redistribution structure
US6884313B2 (en) * 2001-01-08 2005-04-26 Fujitsu Limited Method and system for joining and an ultra-high density interconnect
US6387747B1 (en) * 2001-05-31 2002-05-14 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method to fabricate RF inductors with minimum area
JP3829325B2 (ja) * 2002-02-07 2006-10-04 日本電気株式会社 半導体素子およびその製造方法並びに半導体装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020153608A1 (en) * 2001-04-19 2002-10-24 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Land grid array semiconductor device and method of mounting land grid array semiconductor devices
US20030234277A1 (en) * 2002-06-25 2003-12-25 Rajen Dias Microelectronic device interconnects
WO2004093266A1 (fr) * 2003-04-07 2004-10-28 Molex Incorporated Procede de fabrication d'un connecteur electrique

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8735274B2 (en) 2008-02-15 2014-05-27 Fujitsu Limited Manufacture method for semiconductor device with bristled conductive nanotubes
WO2009101664A1 (fr) * 2008-02-15 2009-08-20 Fujitsu Limited Procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur
US8898896B2 (en) 2008-02-22 2014-12-02 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Method of making a connection component with hollow inserts
EP2618368A1 (fr) 2008-02-22 2013-07-24 Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives Composant de connexion muni d'inserts creux et son procédé de réalisation
EP2175485A2 (fr) 2008-09-25 2010-04-14 Commissariat A L'energie Atomique Connexion par emboitement de deux inserts soudés et sa méthode de fabrication
US8093728B2 (en) 2008-09-25 2012-01-10 Commissariat A L'energie Atomique Connection by fitting together two soldered inserts
US8252363B2 (en) 2008-11-20 2012-08-28 Commissariat à l'Energie Atomique Method of thinning a block transferred to a substrate
EP2190020A1 (fr) 2008-11-20 2010-05-26 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Procédé d'amincissement d'un bloc reporté sur un substrat
US8291586B2 (en) 2009-08-13 2012-10-23 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Method for bonding two electronic components
WO2011018572A1 (fr) 2009-08-13 2011-02-17 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Assemblage hermetique de deux composants et procede de realisation d'un tel assemblage
EP2287904A1 (fr) 2009-08-13 2011-02-23 Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives Procédé d'assemblage de deux composants électroniques
EP2693468A1 (fr) 2012-07-31 2014-02-05 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procédé d'assemblage de deux composants électroniques entre eux, de type flip-chip
WO2014049551A1 (fr) 2012-09-27 2014-04-03 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede d'assemblage de deux composants electroniques, de type flip-chip, assemblage obtenu selon le procede
US9368473B2 (en) 2012-09-27 2016-06-14 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Assembly method, of the flip-chip type, for connecting two electronic components, assembly obtained by the method
WO2018033689A1 (fr) 2016-08-18 2018-02-22 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procédé de connection intercomposants à densité optimisée
CN109791920A (zh) * 2016-08-18 2019-05-21 原子能和替代能源委员会 以最佳密度连接交叉部件的方法
EP3675187A1 (fr) 2018-12-28 2020-07-01 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Procédés de fabrication optimisés d'une structure destinée à être assemblée par hybridation et d'un dispositif comprenant une telle structure
FR3091411A1 (fr) 2018-12-28 2020-07-03 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procédés de fabrication optimisés d’une structure destinée à être assemblée par hybridation et d’un dispositif comprenant une telle structure
US11289439B2 (en) 2018-12-28 2022-03-29 Commissariat Âl'Énergie Atomique Et Aux Énergies Alternatives Optimised fabrication methods for a structure to be assembled by hybridisation and a device comprising such a structure

Also Published As

Publication number Publication date
FR2876243B1 (fr) 2007-01-26
US8586409B2 (en) 2013-11-19
JP5583324B2 (ja) 2014-09-03
EP1797748B1 (fr) 2017-05-17
EP1797748A1 (fr) 2007-06-20
JP2008516424A (ja) 2008-05-15
US20080190655A1 (en) 2008-08-14
FR2876243A1 (fr) 2006-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1797748B1 (fr) Composant a protuberances conductrices ductiles enterrees et procede de connexion electrique entre ce composant et un composant muni de pointes conductrices dures
EP1797749B1 (fr) Composant muni d'un ensemble de micropointes conductrices dures et procede de connexion electrique entre ce composant et un composant muni de protuberances conductrices ductiles
EP0709886B1 (fr) Film conducteur anisotrope pour la microconnectique
EP2175485B1 (fr) Connexion par emboitement de deux inserts soudés et sa méthode de fabrication
EP1008176B1 (fr) Procede de fabrication d'un film conducteur anisotrope a inserts conducteurs
FR2742687A1 (fr) Procede de fourniture de soudure, appareil de fourniture de soudure et procede de soudage
WO2008095811A1 (fr) Procede d'interconnexion de tranches electroniques
FR3059153A1 (fr) Procede de realisation de vias sur substrat flexible
EP2976784A1 (fr) Procede d'assemblage flip chip comportant le pre-enrobage d'elements d'interconnexion
EP0793269B1 (fr) Dispositif semiconducteur incluant une puce munie d'une ouverture de via et soudée sur un support, et procédé de réalisation de ce dispositif
EP1427008B1 (fr) Procédé de fabrication d'un module électronique comportant un composant actif sur une embase
EP2636064B1 (fr) Elements de connexion pour l'hybridation de circuits electroniques
EP0642157B1 (fr) Procédé d'assemblage de composants par collage
FR2857782A1 (fr) Film conducteur anisotrope a inserts conducteurs ameliores
CN102741004A (zh) 用于将软焊料施加到部件的安装表面上的方法
WO2019170987A1 (fr) Procede de realisation d'une bille de brasure sur une face d'un substrat
FR2940798A1 (fr) Via a forte densite de nanotubes ou nanofils et leur procede de fabrication.
EP2075827A1 (fr) Procédé de fabrication de billes métalliques par plasma à partir d'une couche comportant plusieurs éléments
JP2009043904A (ja) 光電変換装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KM KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV LY MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NG NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SM SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU LV MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2005802576

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005802576

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007534065

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2005802576

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11662940

Country of ref document: US