WO2007000984A1 - 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents

露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 Download PDF

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Kiyoshi Uchikawa
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    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891—Temperature

Definitions

  • Exposure method Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
  • the present invention relates to an exposure method, an exposure apparatus, and a device manufacturing method. More specifically, the present invention relates to an exposure method and an exposure method used in a lithosphere process for manufacturing electronic devices such as semiconductor elements (integrated circuits) and liquid crystal display elements. The present invention relates to an exposure apparatus, and an exposure method and a device manufacturing method using the exposure apparatus.
  • Step-and-repeat reduction projection It is used mainly as an exposure apparatus (so-called stepper) and step-and-scan type projection exposure apparatus (so-called scanning “stetsuno”).
  • immersion exposure apparatus In this type of projection exposure apparatus, with the miniaturization of patterns due to the high integration of integrated circuits, higher resolution (resolution) has been required year by year.
  • the utilized exposure apparatus hereinafter referred to as “immersion exposure apparatus”.
  • the aperture on the reticle side of the projection optical system increases as the numerical aperture (NA) substantially increases.
  • NA numerical aperture
  • the lens near the object plane and the image plane of the projection optical system uses a light beam as shown in FIG.
  • the optical path of the illumination light (illumination region ⁇ ') is set at a location deviated from the axis. For this reason, the lens has a temperature distribution as shown in the contour map of FIG. Aberration occurs in the projection optical system due to the generation of the degree distribution.
  • the aberration variation due to the temperature distribution as shown in the contour diagram of FIG. 16B is caused by an imaging characteristic correction mechanism generally employed in an exposure apparatus, for example, projection optics. It is difficult to correct with a mechanism that raises or lowers the lens that forms part of the system. For example, when the lens is moved up and down, the aberration can be changed around the optical axis AX, but it is difficult to correct the aberration fluctuation centered at the point decentered from the optical axis AX as described above. . In addition, two points with different distances from the optical axis AX in Fig.
  • an exposure method in which an object is exposed with a first energy beam through an optical system to form a predetermined pattern on the object, the optical system
  • a correction step in which at least one movable optical element including the movable optical element irradiated with the second energy beam is powered to adjust the optical characteristics of the optical system.
  • the order of the irradiation step and the correction step is not particularly limited, and the irradiation step and the correction step may be performed simultaneously in parallel.
  • an exposure method in which an object is exposed with an energy beam through an optical system to form a predetermined pattern on the object, and the optical system includes at least An energy beam passes through a region that is decentered with respect to the optical axis at a plurality of locations including one refractive optical element and at least one reflective optical element, including the end on the object side and the opposite end.
  • a catadioptric system is used, and among the plurality of optical elements of the optical system, a predetermined optical element that passes through a position where the energy beam is decentered with respect to the optical axis has a concentric temperature distribution around the optical axis.
  • the second exposure method includes a step of adjusting the optical characteristics of the optical system by at least adjusting the temperature of the predetermined optical element.
  • the predetermined optical element that passes through the position where the energy beam is decentered with respect to the optical axis is concentric around the optical axis.
  • the optical characteristics of the optical system are adjusted by adjusting the temperature of a predetermined optical element so as to have a circular temperature distribution.
  • fluctuations in the optical characteristics of the optical system corresponding to the concentric temperature distribution around the optical axis of the optical element after adjustment of the optical characteristics can be easily corrected, and as a result, fluctuations in the optical characteristics.
  • an exposure method in which an object is exposed with an energy beam through an optical system to form a predetermined pattern on the object, and the optical system includes at least An energy beam passes through a region that is decentered with respect to the optical axis at a plurality of locations including one refractive optical element and at least one reflective optical element, including the end on the object side and the opposite end.
  • a catadioptric system is used, and among the plurality of optical elements of the optical system, a predetermined optical element that passes through a position where the energy beam is decentered with respect to the optical axis is viewed from one side within a plane orthogonal to the optical axis.
  • a third exposure method includes a step of adjusting the optical characteristics of the optical system by at least adjusting the temperature of the predetermined optical element so as to have a temperature distribution that gradually changes to the other side.
  • the energy beam The temperature of a given optical element is such that the given optical element passing through a position decentered with respect to its optical axis has a temperature distribution that gradually changes from one side to the other in a plane perpendicular to the optical axis.
  • fluctuations in the optical characteristics of the optical system corresponding to the temperature distribution that gradually changes from one side to the other in the plane perpendicular to the optical axis of the optical element after adjustment of the optical characteristics can be easily corrected.
  • a predetermined pattern can be accurately formed on the object by exposing the object with the energy beam through the optical system in which the fluctuation of the optical characteristics is corrected.
  • an exposure method in which an object is exposed with a first energy beam via an optical system to form a predetermined pattern on the object, the optical system
  • a reflection bending system including at least one refractive optical element and at least one reflective optical element is used, and the optical system constituting part of the optical system is used to adjust the optical characteristics of the optical system.
  • a fourth exposure method includes a step of irradiating a refractive energy element that the first energy beam reciprocates with a second energy beam having a wavelength region different from that of the first energy beam.
  • a refractive optical element in which the first energy beam constituting a part of the optical system reciprocates in other words, the energy absorption of the irradiated first energy beam is only once for the first energy beam. Because the second energy beam with a wavelength range different from that of the first energy beam is irradiated to a refractive optical element that is larger than the optical element that does not pass, fluctuations in the optical characteristics of the optical system due to irradiation of the first energy beam are effectively prevented. It becomes possible to correct. Further, by exposing the object with the first energy beam through the optical system whose optical characteristics are corrected, it is possible to form a predetermined pattern on the object with high accuracy.
  • an exposure method in which a predetermined pattern is formed on the object by exposing the object with a first energy beam via the optical system.
  • a catadioptric system including at least one refractive optical element and at least one reflective optical element and having a plurality of optically conjugate pupils is used to adjust the optical characteristics of the optical system.
  • a fifth step includes irradiating a second energy beam having a wavelength region different from that of the first energy beam to an optical element located in the vicinity of the pupil other than the pupil closest to the object among the plurality of pupils. Exposure method.
  • NA numerical aperture
  • the optical element closer to the object tends to increase in size, but in the present invention, the optical characteristics of the optical system are increased.
  • a second energy beam having a wavelength region different from that of the first energy beam is irradiated to an optical element positioned near the pupil other than the pupil closest to the object among the plurality of pupils.
  • a relatively small optical element can be irradiated with the second energy beam, and the second energy beam can be efficiently irradiated.
  • by exposing the object with the first energy beam through the optical system whose optical characteristics have been corrected it becomes possible to form a predetermined pattern on the object with high accuracy.
  • an exposure apparatus that exposes an object with a first energy beam to form a predetermined pattern on the object, and includes at least one movable optical element.
  • An optical system for emitting the first energy beam to the object; and for adjusting an optical characteristic of the optical system, the at least one movable optical element has a wavelength range different from that of the first energy beam.
  • a first exposure apparatus including:
  • the optical characteristic of the optical system is adjusted by irradiation of the second energy beam to at least one movable optical element by the irradiation device, and at least one movable optical element is adjusted by the optical characteristic adjustment device.
  • the optical characteristic adjustment device In combination with adjustment of the optical characteristics of the optical system by moving it, it becomes possible to correct the fluctuation of the optical characteristics of the optical system due to the temperature distribution of the optical element with high accuracy.
  • the irradiation device and the optical property correcting device may adjust the optical property of the optical system in parallel, either of which may adjust the optical property of the optical system first. Also good.
  • the exposure apparatus is an exposure apparatus that exposes an object with an energy beam to form a predetermined pattern on the object, and includes at least one refractive optical element and at least one refractive optical element.
  • the second exposure apparatus includes: an optical property adjusting device that adjusts the optical property of the optical system by at least adjusting the temperature of the predetermined optical element.
  • a predetermined optical element passing through a position where the energy beam is decentered with respect to the optical axis among the plurality of optical elements of the optical system including the catadioptric system is obtained by the optical characteristic adjusting device.
  • the temperature of a predetermined optical element is adjusted so as to have a concentric temperature distribution around the optical axis, and the optical characteristics of the optical system are adjusted. In this case, fluctuations in the optical characteristics of the optical system corresponding to the concentric temperature distribution around the optical axis of the optical element after adjustment of the optical characteristics can be easily corrected.
  • an exposure apparatus that exposes an object with an energy beam to form a predetermined pattern on the object, and includes at least one refractive optical element and at least one refractive optical element.
  • An optical system comprising an energy beam passing through a region decentered with respect to the optical axis at a plurality of locations including the object-side end and the opposite end. And a predetermined optical element passing through a position where the energy beam is decentered with respect to the optical axis is gradually moved from one side to the other side in a plane perpendicular to the optical axis among the plurality of optical elements of the optical system.
  • An optical property adjusting device that adjusts the optical properties of the optical system by at least adjusting the temperature of the predetermined optical element so as to have a changing temperature distribution.
  • the predetermined optical element that passes through the position where the energy beam is decentered with respect to the optical axis is selected from the plurality of optical elements of the optical system including the catadioptric system by the optical characteristic adjusting device.
  • the temperature of a predetermined optical element is adjusted so that the temperature distribution gradually changes from one side to the other side in a plane orthogonal to the optical axis, and the optical characteristics of the optical system are adjusted.
  • fluctuations in the optical characteristics of the optical system corresponding to the temperature distribution that gradually changes from one side to the other in the plane perpendicular to the optical axis of the optical element after adjustment of the optical characteristics can be easily corrected. It is.
  • the object is exposed with the first energy beam, and the object is exposed.
  • An exposure apparatus for forming a predetermined pattern thereon, an optical system comprising a catadioptric system that includes at least one refractive optical element and at least one reflective optical element and emits the first energy beam toward the object The system; for adjusting the optical properties of the optical system
  • a irradiating device for irradiating a refractive energy element which constitutes a part of the optical system, the reciprocating optical element with which the first energy beam reciprocates, a second energy beam having a wavelength region different from the first energy beam.
  • the irradiating device causes a refractive optical element in which the first energy beam constituting a part of the optical system goes back and forth, in other words, the energy absorption of the irradiated first energy beam is the first energy beam.
  • the present invention provides an exposure apparatus that exposes an object with a first energy beam to form a predetermined pattern on the object, and has at least one refractive optical element.
  • An optical system including a plurality of pupils optically conjugate with each other, the optical system emitting the first energy beam to the object; and adjusting optical characteristics of the optical system Therefore, an irradiating device that irradiates an optical element positioned near the pupil other than the pupil closest to the object among the plurality of pupils with a second energy beam having a wavelength range different from the first energy beam; And a fifth exposure apparatus.
  • NA numerical aperture
  • the optical element closer to the object tends to increase in size.
  • a second energy beam having a wavelength region different from that of the first energy beam is applied to an optical element located near the pupil other than the pupil closest to the object. Since it is irradiated, the second energy beam can be irradiated to a relatively small optical element, and the second energy beam can be efficiently irradiated.
  • the device pattern is formed on the object with high accuracy by forming the device pattern on the object using any one of the first to fifth exposure methods of the present invention. Can do. Therefore, the present invention, from another point of view, It can also be said that this is a device manufacturing method including a risodara fiye process in which a device pattern is formed on an object using any of the fifth exposure methods. Similarly, in the lithographic process, the device pattern can be accurately formed on the object by forming the device pattern on the object using any of the first to fifth exposure apparatuses of the present invention. it can. Therefore, from another viewpoint, the present invention is a device manufacturing method including a lithographic process in which a device pattern is formed on an object using any one of the first to fifth exposure apparatuses of the present invention. It can also be said.
  • FIG. 1 is a drawing schematically showing a configuration of an exposure apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram showing a projection optical system together with a non-exposure light irradiation mechanism.
  • FIG. 3 is a diagram showing a detailed configuration example of a non-exposure light irradiation mechanism 91.
  • FIG. 4 is a view for explaining an example of an irradiation mechanism for irradiating a lens 111 in the vicinity of the pupil with non-exposure light, and is a cross-sectional view of the optical unit PU along the line BB in FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the image plane side of the projection optical system and the vicinity of the nozzle member.
  • FIG. 6 A view of the nozzle member with a lower force.
  • FIG. 7 is a block diagram showing the main part of the control system of the apparatus of FIG. 1.
  • FIG. 8 (A) is a diagram showing the state of irradiation of non-exposure light for generating a rotationally symmetric temperature distribution on the lens 90 of the projection optical system
  • FIG. 8 (B) is a diagram of the non-exposure light. It is a figure which shows a mode that the rotationally symmetric aberration generate
  • FIG. 9 (A) shows the state of irradiation of non-exposure light to generate a temperature distribution in the projection optical system lens 90 that gradually changes from one side force to the other side in a plane orthogonal to the optical axis.
  • FIG. 9B is a diagram showing a state in which an aberration that gradually changes from one side to the other side occurs in the projection optical system as a result of irradiation with the non-exposure light.
  • FIG. 10 is a diagram showing a light amount distribution of illumination light on a lens near the pupil plane of the projection optical system under an X-axis dipole illumination condition.
  • FIG. 11 is a diagram showing a light amount distribution of illumination light on a lens near the pupil plane of the projection optical system under a Y-axis dipole illumination condition.
  • FIG. 13 is a diagram showing a temperature distribution generated in a lens near the pupil plane of the projection optical system under Y-axis dipole illumination conditions.
  • FIG. 14 is a flowchart for explaining an embodiment of a device manufacturing method.
  • FIG. 15 is a flowchart showing a specific example of step 204 in FIG.
  • FIG. 16 (A) and FIG. 16 (B) are diagrams for explaining the background art.
  • FIG. 1 schematically shows a configuration of an exposure apparatus 100 according to an embodiment.
  • the exposure apparatus 100 is a step-and-scan type scanning exposure apparatus, that is, a so-called scanner.
  • the exposure apparatus 100 holds an illumination system including a light source 16 and an illumination optical system 12, and a reticle R illuminated by exposure illumination light IL emitted from the illumination system, and a predetermined scanning direction (here, Projection unit PU and wafer W including projection optical system PL that projects the reticle stage RST and reticle R pattern onto the wafer W as an object.
  • a wafer stage WST that moves in the horizontal plane (within the XY plane) and a liquid immersion mechanism, and a control system that controls these are provided.
  • the light source 16 has a wavelength of 200 ⁇ !
  • An ArF excimer laser (output wavelength: 193 nm), which is a pulsed light source that emits light in the vacuum ultraviolet region of ⁇ 170 nm, is used.
  • the illumination optical system 12 includes a beam shaping optical system 18, an energy coarse adjuster 20, an optical integrator (unifomizer or homogenizer) 22, an illumination system aperture stop plate 24, arranged in a predetermined positional relationship. It includes a beam splitter 26, a first relay lens 28A, a second relay lens 28B, a first reticle blind 30A, a second reticle blind 30B, a mirror M for folding an optical path, a condenser lens 32, and the like.
  • a fly-eye lens is used in FIG. 1 as the optical integrator 22, it is also referred to as “fly-eye lens” below.
  • optical 'integrator 22 has an internal reflection type integrator (such as a rod' integrator), or a diffractive optical element may be used!
  • the energy coarse adjuster 20 adjusts the cross-sectional shape of the laser beam LB incident from the light source 16.
  • the beam shaping optical system 18 to be shaped is disposed on the optical path of the laser beam LB behind.
  • the drive motor 38 is controlled by the main controller 50.
  • the energy coarse adjuster 20 may be one that continuously varies the transmittance of the laser beam LB.
  • an illumination system aperture stop plate 24 made of a disk-like member is disposed via a fly-eye lens 22.
  • the illumination system aperture stop plate 24 is disposed substantially coincident with the exit-side focal plane of the fly-eye lens 22, that is, the pupil plane of the illumination optical system 12 in this embodiment.
  • a plurality of types of aperture stops are arranged on the illumination system aperture stop plate 24 at equal angular intervals.
  • These multiple types of aperture stops are composed of, for example, an aperture stop composed of a normal circular aperture (normal aperture), a small circular aperture, and an aperture stop (small ⁇ aperture) for reducing the ⁇ value, which is a coherence factor, compared to a normal aperture. ),
  • An annular aperture stop for annular illumination and multiple types of modified aperture stops that are arranged eccentrically for multiple light source method (multipolar illumination) (for example, X-axis dipole illumination condition setting) 2 pole diaphragm for setting, and dipole aperture for setting up the axial dipole illumination conditions).
  • the illumination system aperture stop plate 24 is rotated by a drive device 40 such as a motor controlled by the main controller 50, so that any aperture stop is placed on the optical path of the illumination light IL.
  • Secondary light sources having various shapes and sizes are formed on the arrangement plane of the illumination system aperture stop plate 24, that is, the pupil plane of the illumination optical system 12, which is selectively set.
  • the aperture stop plate 24 can change the intensity distribution of the illumination light IL on the pupil plane of the illumination optical system 12 (that is, the illumination condition of the reticle R).
  • a replaceable diffractive optical element a plurality of prisms (such as an axicon) whose intervals in the optical axis direction are variable, and a shaping optical system including a zoom optical system may be used.
  • the laser beam LB in which the secondary light source power behind the illumination system aperture stop plate 24 is also emitted.
  • a beam splitter 26 having a low reflectivity and a high transmittance is arranged on the optical path of the illumination light IL, and the first reticle blind (fixed field stop) 30A and the second reticle blind (on the rear optical path)
  • a relay optical system including the first relay lens 28A and the second relay lens 28B is disposed with a movable field stop 30B interposed therebetween.
  • the first reticle blind 30A is disposed on a surface slightly defocused with respect to the pattern surface of the reticle R and defines an illumination area IAR on the reticle R. Further, a second reticle blind 30B is arranged in the vicinity of the arrangement surface of the first reticle blind 30A, and the illumination area IAR is further limited by using the second reticle blind 30B at the start and end of scanning exposure. Unnecessary exposure of WENO and W is prevented.
  • a bending mirror M that reflects the illumination light IL that has passed through the second relay lens 28B toward the reticle R is disposed.
  • a condenser lens 32 is arranged on the optical path of the rear illumination light IL.
  • the illumination light IL that is emitted from one aperture stop of the illumination system aperture stop plate 24 and reflected by one surface (front surface) of the beam splitter 26 is photoelectrically converted via the condenser lens 44.
  • the light is received by the integrator sensor 46 composed of elements, and the photoelectric conversion signal force of the integrator sensor 46 is supplied to the main controller 50 as an output DS (digit / pulse) via a hold circuit (not shown) and an AZD converter.
  • the integrator sensor 46 for example, a PIN-type photodiode having sensitivity in the vacuum ultraviolet region and having a high response frequency in order to detect pulsed light from the light source 16 can be used.
  • a reflection amount monitor 47 made of a photoelectric conversion element is arranged at a position conjugate with the pupil plane of the illumination optical system 12.
  • the illumination light IL (reflected light) reflected by the wafer W returns to the beam splitter 26 via the projection optical system PL, the condenser lens 32, the mirror M, and the relay optical system, and is reflected by the beam splitter 26.
  • the reflected light is received by the reflection amount monitor 47, and the detection signal of the reflection amount monitor 47 is supplied to the main controller 50.
  • the reflection amount monitor 47 is used to measure the wafer reflectance, which is the basis for calculating fluctuations in image formation characteristics (various aberrations) due to absorption of illumination light in the optical system, so-called irradiation fluctuations. [0044] Therefore, the amount of illumination light IL passing through the projection optical system PL and the liquid Lql filled between the projection optical system PL and the wafer W via the reticle R from the output signal of the integrator sensor 46 (first light The amount of reflected light reflected by the wafer W from the detection signal of the reflection amount monitor 47 and passing again through the liquid Lql and the projection optical system PL (referred to as the second light amount) can be monitored.
  • the liquid Lq2 (see FIG. 5) is also filled in the space between the optical element closest to the image plane and the adjacent optical element constituting the projection optical system PL.
  • the liquid Lq2 is regarded as a part of the optical element constituting the projection optical system PL, and here, only the liquid Lql is described separately from the projection optical system PL.
  • Reticle stage RST On reticle stage RST, reticle R is mounted and held by suction with a vacuum chuck (not shown) or the like. Reticle stage RST can be driven minutely in the horizontal plane (XY plane) by, for example, a linear motor type reticle stage drive system 48 (not shown in FIG. 1, see FIG. 7), and in the scanning direction (here, FIG. 1). The Y-axis direction, which is the left-right direction of the paper, is scanned within a predetermined stroke range. The position of reticle stage RST is measured by an external reticle laser interferometer 53 (not shown in FIG. 1, refer to FIG. 7) using the mirror-cage side surface (reflecting surface) of reticle stage RST. The measured value of the interferometer 53 is supplied to the main controller 50.
  • the projection unit PU is arranged below the reticle stage RST as shown in FIG.
  • the projection unit PU includes a lens barrel 140 and a projection optical system PL having a plurality of optical elements held in the lens barrel 140 in a predetermined positional relationship.
  • a catadioptric system (catadioptric system) is used as the projection optical system PL.
  • FIG. 2 shows a configuration example of the projection optical system PL together with a reticle R (reticle stage RST) and wafer W (wafer stage WST).
  • This projection optical system PL includes three imaging optical systems Gl, G2, G3, etc.
  • each lens of the projection optical system PL of the present embodiment quartz and Z or fluorite are used corresponding to the light source being an ArF excimer laser.
  • the projection optical system PL includes a refractive first imaging optical system G1 that forms a primary image of the pattern formed on the reticle R, and a reflection that re-images the primary image to form a secondary image.
  • the projection optical system PL has a first pupil PP1 inside the first imaging optical system G1, and is in the vicinity of a lens 111 constituting a part of the second imaging optical system G2.
  • the first pupil PP1, the second pupil PP2, and the third pupil PP3 are optically conjugate with each other, and these three pupils PP1 to PP3 are also optically conjugate with the pupil of the illumination optical system 12. . Accordingly, the position of the first pupils PP1, PP2, and PP3 forms an image of the secondary light source formed on the pupil plane of the illumination optical system 12. At the position of the third pupil PP3, an aperture stop AS for defining the numerical aperture (NA) of the projection optical system PL is provided.
  • NA numerical aperture
  • the optical path in the optical path between the first imaging optical system G1 and the second imaging optical system G2 and in the optical path between the second imaging optical system G2 and the third imaging optical system G3 A folding mirror FM is placed.
  • the optical axis AX1 of the first imaging optical system G1 and the optical axis AX3 of the third imaging optical system G3 are coaxial, and these optical axes AX1, AX3 and the optical axis AX2 of the second imaging optical system G2 Intersect at one point. At this intersection, the virtual vertexes (ridges) of the two reflecting surfaces of the optical path bending mirror FM are located.
  • the concave reflecting mirror Ml constituting a part of the second imaging optical system G2 has a positive refractive power, the contribution to the Petzval sum is the same as that of the negative lens.
  • the Petzval sum can be easily corrected by the combination of the reflector Ml and the positive lens, and the field curvature can be corrected well. This makes it possible to satisfactorily correct spherical aberration and coma over the entire effective imaging area (effective exposure area) even with a large image-side numerical aperture NA.
  • the second imaging optical system G2 one or more negative lenses are arranged. By cooperation of the negative lens and the concave reflecting mirror Ml, chromatic aberration generated in the first imaging optical system Gl and the third imaging optical system G3 is compensated.
  • the projection optical system PL of the present embodiment has an effective exposure area (effective imaging area) IA decentered by a distance A on the Y side with respect to the optical axis AX (that is, optical axes A XI and AX3).
  • An intermediate images are formed in the optical path.
  • the optical path separation plane reflector that is, the optical path bending mirror FM
  • the optical path bending mirror FM two reflecting surfaces of the optical path separation plane reflector, that is, the optical path bending mirror FM, are arranged in the vicinity of the two intermediate images, and light propagating toward the concave reflecting mirror Ml is reflected by the concave reflecting mirror Ml.
  • the light that is being returned is easily separated.
  • the distance A from the optical axis AX of the exposure area (that is, the effective exposure area) IA that is, the off-axis amount can be set small. This is advantageous not only in terms of aberration correction, but also in terms of downsizing of the projection optical system PL, optical adjustment, mechanical design, manufacturing cost, and the like.
  • the off-axis amount can be further reduced.
  • the optical axis AX corresponds to the eccentricity of the effective exposure area IA.
  • a rectangular illumination area (ie, effective illumination area) IAR having a size and shape corresponding to the effective exposure area IA is formed at a position separated by a predetermined distance corresponding to the off-axis amount A in the Y direction (ie, the effective illumination area) (FIG. 2). reference).
  • Boundary lens 192 (hereinafter referred to as “optical element 192” as appropriate), which is an optical element disposed closest to the wafer, excluding terminal optical element 191 among a plurality of optical elements of projection optical system PL ) Has a convex surface on the reticle side. In other words, the reticle side surface of the boundary lens 192 has a positive refractive power.
  • a terminal optical element 191 having parallel plane plate force is disposed in the optical path between the boundary lens 192 and the wafer W. Furthermore, the optical path between the boundary lens 192 and the terminal optical element 191 and the optical path between the terminal optical element 191 and the wafer W are filled with a liquid having a refractive index greater than 1.1.
  • all optical paths are filled with pure water having a refractive index of 1.44 with respect to ArF excimer laser light, that is, illumination light IL having a wavelength of 193 nm.
  • Pure water is not only ArF excimer laser light,
  • ultraviolet rays emitted from the mercury lamp force (g-line, h-line, i-line) and far-ultraviolet light (DUV light) such as KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) can be transmitted.
  • a specific plurality of lenses among the plurality of lenses of the projection optical system PL for example, the closest to the reticle R, for example, among the plurality of lenses included in the first imaging optical system G1.
  • a plurality of lenses (for example, five lenses) including the lens 90 are driven by the imaging characteristic correction controller 52 shown in FIG. 1 based on a command from the main controller 50.
  • Optical characteristics of the optical system including the projection optical system PL (including imaging characteristics), for example, rotationally symmetric imaging characteristics such as magnification, distortion, coma, and field curvature, and in-plane orthogonal to the optical axis
  • rotationally symmetric imaging characteristics such as magnification, distortion, coma, and field curvature
  • in-plane orthogonal to the optical axis it is possible to adjust optical characteristics that gradually change from one side to the other, such as the image plane tilt.
  • ⁇ rotation symmetry '' means ⁇ rotation symmetry '' in the usual sense, that is, ⁇ a single figure etc. does not change even if it rotates around a fixed axis (symmetric axis) by a fixed angle! /
  • ⁇ property '' it means ⁇ property that does not change even if one figure etc.
  • the illumination light IL passes through a region away from the optical axis AX in the lens 90 and the terminal optical element 191 that are closest to the reticle scale. Therefore, a non-rotationally symmetric temperature distribution as described in the background art described above is generated, and this causes the projection optical system PL (including liquid Lq2) and the optical system including liquid Lql (hereinafter referred to as optical system PLL).
  • this non-rotationally symmetric aberration cannot be substantially corrected by driving the movable lens including the lens 90 by the imaging characteristic correction controller 52.
  • a plane parallel plate is used as the terminal optical element 191 and the liquids Lq2 and Lql are in contact with the upper and lower surfaces thereof, so that the in-plane temperature distribution of the terminal optical element 191 is not affected.
  • the non-rotationally symmetric aberration of the optical PLL caused by the uniformity is considered to be negligible.
  • the lens 90 closest to the reticle of the projection optical system PL is different from the illumination light IL.
  • Aberration correction light in the wavelength range (hereinafter referred to as non-exposure light) NL In FIG. 1, non-exposure light NL
  • NL is typically shown).
  • the non-exposure light irradiation mechanism 91 for irradiating the lens 90 with the non-exposure light NL will be described below.
  • non-exposure light NL light in a wavelength region that hardly exposes the resist applied to the wafer W is used as the non-exposure light NL. Therefore, as non-exposure light NL, for example, infrared light with a wavelength of 10. emitted from a carbon dioxide laser (CO laser), for example, is used.
  • CO laser carbon dioxide laser
  • continuous light may be used as the carbon dioxide (CO 2) laser light. This wavelength 10.6
  • Non-exposure light NL includes carbon dioxide laser light, solid laser light such as YAG laser, near-infrared light with a wavelength of about 1 ⁇ m, or a wavelength of about several meters from a semiconductor laser. Infrared light can also be used.
  • the lens 90 may be a force-concave lens drawn like a convex lens.
  • the non-exposure light NL emitted from the light source system 92 of the non-exposure light irradiation mechanism 91 is directed to the lens 90 by a mirror optical system 93. (N is an integer greater than or equal to 8)) and one optical path directed to the photoelectric sensor 94 (not shown in FIG. 1, see FIG. 2).
  • a detection signal corresponding to the light amount of the non-exposure light NL detected by the photoelectric sensor 94 is fed back to the light source system 92.
  • the non-exposure light NL of two of the n optical paths passes through two irradiation mechanisms 95 and 95 arranged so as to sandwich the projection optical system PL in the X-axis direction, respectively.
  • the lens 90 is irradiated as NL.
  • FIG. 3 shows a detailed configuration example of the non-exposure light irradiation mechanism 91.
  • the light source system 92 includes a light source 92A and a controller 92B. And it is emitted from the light source 92A
  • the non-exposure light NL is switched at a high speed to either the state where the optical path of the non-exposure light NL is bent 90 degrees (closed state) or the state where the non-exposure light NL is allowed to pass through as it is (open state).
  • Galvano mirrors 96 to 96 correspond to the mirror optical system 93 in FIG.
  • the kite individually controls the light emission timing, output, and opening / closing of the galvanometer mirrors 96 to 96 according to the control information from the main controller 50.
  • optical fiber bundles 103 to 103 or metal pipes can be used
  • Irradiating mechanisms 95 and 95 of ⁇ 95 have a condensing lens 97 and a small predetermined reflectance n k n
  • a beam splitter 98, a light guide 99 that also has an optical fiber bundle or a relay lens system, a collecting lens 101, and a holding frame 102 that fixes the condensing lens 97 and the light guide 99 to the beam splitter 98 are provided.
  • a non-exposure light NL may be widened by using a diverging lens.
  • Non-exposure light NL is emitted from irradiation mechanisms 95 and 95 respectively.
  • the structures 95, 95,..., 95, 95, ⁇ 95 are configured in the same manner as the irradiation mechanisms 95 and 95,
  • Non-exposure light NL is not exposed from irradiation mechanisms 95, 95, ..., 95, 95, -95 respectively.
  • the shape and size of the irradiation area of the exposure light NL to NL can be determined through experiments and simulations.
  • the shape and size of the optical member irradiated with L and the irradiation region of the non-exposure light NL to NL on the optical member are determined according to the aberration to be reduced. For example, the smell in Figure 3 By moving the position of the optical member in the irradiation mechanism 95 to 95, the non-exposure light N
  • n 1 itself or an optical member inside the irradiation mechanism 95 to 95 can be moved to adjust the position of the irradiation region of the non-exposure light NL to NL.
  • the irradiation mechanisms 95 to 95 each include a portion of the non-reflection reflected by the beam splitter 98.
  • Photoelectric sensors 104 to 104 that respectively receive exposure light are provided, and n photoelectric sensors are provided.
  • the detection signals of the sensors 104 to 104 are also supplied to the control unit 92B.
  • the control unit 92B The control unit 92B
  • Non-exposure light immediately before irradiating lens 90 of NL to NL must be monitored accurately
  • the amount of irradiation of the non-exposure light NL to NL is, for example,
  • the optical sensor 104 to 104 measures the irradiation amount of the non-exposure light NL by the optical sensor 104 to 104, thereby
  • optical path length Even if the length of the optical fiber bundle 103-103 (optical path length) varies,
  • non-exposure light NL to NL is illuminated based on the monitoring results of the photoelectric sensors 104 to 104.
  • each of the photoelectric sensors 104-104 should be calibrated.
  • Each of the photoelectric sensors 104 to 104 can be calibrated so that the imaging characteristic (aberration) is measured and the imaging characteristic (aberration) is in a desired state. Also, calibrate the photoelectric sensor
  • the lens 90 may be irradiated with all of the non-exposure light NL to NL.
  • Part of the light (for example, non-exposure light NL and NL) according to the usage conditions of light light NL to NL
  • the 1 n kn lens 90 may be irradiated.
  • Irradiation mechanisms 95 and 95 are k n in openings provided in the vicinity of the upper end of the lens barrel 140, respectively.
  • the lens 90 is arranged so as to incline slightly obliquely downward. Then, the non-exposure light NL and NL emitted from the irradiation mechanisms 95 and 95 are inclined in the optical path of the illumination light IL. The light enters the lens 90 from the crossing direction. Fig. 3 Other irradiation mechanisms 95, 95, 95
  • Non-exposure light from NL, NL, ..., NL, NL is also oblique to the light path of illumination light IL
  • a directional force that intersects the lens 90 is also incident on the lens 90.
  • the optical member (lens 90) of the projection optical system PL can be efficiently irradiated without passing through another optical member of the projection optical system PL. Further, the light path on the lens 90 of the non-exposure light NL to NL becomes longer, and the non-exposure light NL to NL
  • the optical surface of some optical members (lens 90) of the projection optical system PL that is, the region where the illumination light IL can enter (or exit) is partially irradiated with the non-exposure light NL. It is possible to adjust the temperature distribution of the lens 90 and the imaging characteristics of the projection optical system PL more effectively and in a short time.
  • the irradiation mechanisms 95 and 95 are respectively mirrored.
  • the lens 90 is arranged so as to be inclined slightly upward by directing the lens 90, and the bottom surface (lower surface kn) of the lens 90 with the non-exposure light NL and NL.
  • the Z emission surface side may be illuminated.
  • non-exposure light NL NL
  • the amount of leakage of the PU wafer side force can be further reduced.
  • a light irradiation mechanism 91 is configured. For example, when the lens 90 is irradiated with the two non-exposure lights NL and NL only NL, the galvanometer mirrors 96 to 96 are all opened (non-exposure).
  • the exposure light NL is reflected and the operation of closing the galvano mirror 96 for a predetermined time is repeated alternately. There is no effect on the aberration !, it is short enough!
  • the galvanometer mirror in time for example, lmsec
  • the non-exposure light NL in this embodiment is pulsed light
  • the galvanometer mirrors 96 to 96 are not opened or closed.
  • the number and position of the regions irradiated with the non-exposure light NL are adjusted by the light amount distribution of the illumination light IL in the projection optical system PL and the non-exposure light NL. It is determined according to the type of aberration and the tolerance of the aberration.
  • the non-exposure light NL may be branched into a plurality of light beams by combining a fixed mirror and a beam splitter, and these light beams may be opened and closed using a shirter. In this configuration, a plurality of locations can be irradiated with the non-exposure light NL simultaneously. Further, when a carbon dioxide laser or a semiconductor laser is used as a light source, for example, as many light sources as necessary for the lens 90 (eight in FIG. 3) are prepared, and light emission of those light sources is turned on. It is also possible to directly control the number of irradiation areas on the lens 90 that irradiates the non-exposure light NL, the irradiation amount in each irradiation area, etc. by turning off or shirting.
  • illumination light IL passes through a region deviated from optical axis AX on the pupil plane of projection optical system PL, and is thereby projected.
  • a non-rotationally symmetric temperature distribution is generated in the first pupil PP1, the second pupil PP2, and the third pupil PP3 of the optical system PL.
  • This non-rotationally symmetric temperature distribution causes non-rotationally symmetric aberration (variation) of the projection optical system PL (optical system PPL).
  • the lens 111 located in the vicinity of the second pupil P P2 is used for aberration correction in a wavelength region different from the illumination light IL.
  • a non-exposure light irradiation mechanism 91A for irradiating the light (hereinafter referred to as non-exposure light) is provided.
  • the non-exposure light irradiated by the non-exposure light irradiation mechanism 91A includes light in a wavelength range that hardly exposes the resist applied to the wafer W, for example, the carbon dioxide laser (CO laser) described above.
  • non-exposure light NE infrared light with a wavelength of 10.6 m is used.
  • this non-exposure light irradiation mechanism 91A force Non-exposure light irradiated is described as non-exposure light NE.
  • the non-exposure light NE in addition to carbon dioxide laser light, solid laser light such as YAG laser is emitted. Near-infrared light having a wavelength of about 1 ⁇ m or emitted from a semiconductor laser. Infrared light with a wavelength number / zm can also be used. That is, as the light source for generating the non-exposure light NE, an optimum light source can be adopted according to the material of the optical member (lens or the like) irradiated with the non-exposure light NL.
  • the non-exposure light irradiation mechanism 91A includes a light source system 92 ', a mirror optical system 93A, a photoelectric sensor 94A, and a plurality of (eight in this case) irradiation mechanisms 95A in the same manner as the non-exposure light irradiation mechanism 91 described above.
  • the light source system 92 ′ includes a light source and a control unit in the same manner as the light source system 92 described above.
  • the mirror optical system 93A is in a state in which the optical path of the non-exposure light NE is bent by 90 degrees (closed state) and a state in which the non-exposure light NL is passed through (open state).
  • Can be switched at high speed and here are eight movable mirrors, for example, galvanometer mirrors.
  • Illumination mechanism 95A 95A (95A shown in Figure 4 is shown. Irradiation mechanism 95A
  • A is configured in the same way as the irradiation mechanism 95 described above, and the non-exposure light NE irradiation region
  • Irradiation mechanism 95A The position, size and shape of the 8 areas can be adjusted individually.
  • the exit end of 8 faces the side surface of the lens 111 (a lens located near the second pupil PP2 and constituting a part of the second imaging optical system G2). Attached to the lens barrel 140. Therefore, the irradiation mechanisms 95A to 95A are configured to be able to irradiate the side surface of the lens 111 with the non-exposure light NE to NE, respectively.
  • non-exposure light NE
  • the irradiation area of ( ⁇ NE) is an ellipse that is long in the circumferential direction of the lens 111.
  • the light emission timing and output of the light source, and the opening and closing of the galvanometer mirror are controlled by the control unit constituting a part of the light source system 92 'in accordance with the control information from the main controller 50.
  • photoelectric sensors 104A to 104A that receive some of the non-exposure light NE.
  • the detection signals of the eight photoelectric sensors 104A to 104A are also part of the light source system 92 '.
  • the control unit uses the detection signals of the photoelectric sensors 104A to 104A.
  • the irradiation mechanism 95A-95A force is also immediately before the lens 111 in the projection optical system PL is irradiated.
  • Non-exposure light NE to NE can be monitored accurately, based on the monitoring results
  • Non-exposure light NL to NL are each indicated by the main controller 50, for example.
  • each of the photoelectric sensors 104A to 104A is compared as described above.
  • the number of irradiation mechanisms (95A to 95A) of the non-exposure light irradiation mechanism 91A is not limited to eight, but as the number of irradiation mechanisms increases, the number of irradiation mechanisms increases.
  • 111 temperature (temperature distribution) can be controlled with higher accuracy.
  • the amount depends on the light intensity distribution of the illumination light IL in the lens 111 and the irradiation of non-exposure light (NE to NE).
  • the wafer stage WST is disposed below the projection optical system PL and above a base (not shown), and is moved in the XY plane (around the Z axis) by a wafer stage drive system 56 including a linear motor and the like. (Including ⁇ z rotation). Wafer stage W ST is rotated by the actuator, which is part of wafer stage drive system 56, in the Z-axis direction and in the direction of inclination with respect to the XY plane (rotation direction around X axis ( ⁇ X direction) and rotation around Y axis). Direction (0 y direction)).
  • the wafer stage drive system 56 may be provided with an actuator for moving the wafer stage WST in the XY plane in addition to the Z-axis direction and the inclination direction with respect to the XY plane.
  • Position and rotation of wafer stage WST in XY plane (showing ( ⁇ z rotation that is rotation around Z axis)), pitching ( ⁇ X rotation that is rotation around X axis), rolling (around Y axis) ⁇ y rotation))) is always detected by the wafer laser interferometer 54 using the reflecting surface provided on the wafer stage WST.
  • the position information (or speed information) of wafer stage WST is supplied to main controller 50.
  • Main controller 50 controls wafer stage WST via wafer stage drive system 56 based on the position information (or speed information) of wafer stage WST.
  • a reference member (not shown) having a plurality of reference marks is provided. Further, in the vicinity of the wafer W on the wafer stage WST, there is an uneven illuminance sensor 21P as disclosed in, for example, JP-A-57-117238 and US Pat. No. 4,465,368 corresponding thereto. Is provided.
  • the light receiving surface of the uneven illuminance sensor 21P is set to the same height as the surface of the wafer W, and a pinhole-shaped light receiving portion (not shown) is formed. Further, a light receiving portion (not shown) wider than the exposure area IA is formed on the wafer stage WST, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open No.
  • a dose monitor 58 as disclosed is provided with its light receiving surface positioned substantially flush with the surface of the wafer W.
  • the illumination light IL that has passed through the projection optical system PL can be received on the image plane of the projection optical system PL or in the vicinity thereof by the dose monitor 58 and the illuminance unevenness sensor 21P.
  • the dose monitor 58 and the illuminance unevenness sensor 21P are sensitive to the same wavelength region as the illumination light IL (for example, a wavelength of about 300 ⁇ ! To lOOnm), and are high in response to detect the illumination light IL.
  • a photodiode having a frequency or a photoelectric conversion element such as a photomultiplier can be used.
  • Detection signals (photoelectric conversion signals) of the irradiation amount monitor 58 and the illuminance unevenness sensor 21P are supplied to the main controller 50 via a hold circuit (not shown) and an analog Z digital (A / D) converter.
  • the liquid immersion mechanism is connected to the first liquid supply unit 68, the second liquid supply unit 72, the first liquid collection unit 69, the second liquid recovery unit 73, the nozzle member 70, and these parts. Equipped with piping system!
  • the nozzle member 70 is an annular member provided so as to surround the lower end portion of the lens barrel 140 above the wafer W (wafer stage WST).
  • the nozzle member 70 is supported by a main column (not shown) that holds the projection unit PU via a vibration isolator (not shown) via a support member (not shown).
  • the first liquid supply unit 68 is connected to the nozzle member 70 via the supply pipe 66.
  • the first liquid supply unit 68 applies the liquid Lql through the supply pipe 66 to the first optical element PL 191 (see FIG. 5) closest to the image plane of the projection optical system PL and the wafer W (wafer stage WST). This is to supply one space K1 (see Fig. 5).
  • the first liquid supply unit 68 includes a tank that stores the liquid Lql, a temperature adjustment device that adjusts the temperature of the liquid Lql to be supplied, a filter device that removes foreign matter in the liquid Lql, a pressure pump, and a liquid that is supplied Includes a flow control valve that controls the flow rate of Lql.
  • the first liquid supply unit 68 is controlled by the main controller 50 and supplies the liquid Lql onto the wafer W when the immersion area AR (see FIG. 5) is formed on the wafer W.
  • the first liquid supply unit 68 of the exposure apparatus 100 is not provided with all of the tank, temperature adjustment device, filter device, and pressure pump, and at least a part of them is installed in a factory where the exposure apparatus 100 is installed. Equipment may be substituted.
  • the first liquid recovery unit 69 is connected to the nozzle member 70 via a recovery pipe 67.
  • the first liquid recovery unit 69 is for recovering the liquid Lql supplied to the first space K1.
  • the first liquid recovery unit 69 includes, for example, a vacuum system (suction device) such as a vacuum pump, a gas-liquid separator that separates the recovered liquid Lql and gas, and a tank that stores the recovered liquid Lql. Including a flow control valve for controlling the flow rate of liquid. Note that the exposure apparatus 100 may not be provided with all of the vacuum system, the gas-liquid separator, the tank, and the flow rate control valve, but at least a part of them may be replaced with the equipment of the factory where the exposure apparatus 100 is disposed.
  • the first liquid recovery unit 69 is controlled by the main controller 50, and is formed on the wafer W supplied from the first liquid supply unit 68 in order to form the immersion area AR on the wafer W. A predetermined amount of the liquid Lq 1 is recovered.
  • the second liquid supply unit 72 is connected to the side surface on the + Y side of the lens barrel 140 at a position slightly above the nozzle member 70 via the supply pipe 74.
  • the second liquid supply unit 72 is for supplying the liquid Lq2 to the second space K2 (see FIG. 5) formed on the upper surface side of the terminal optical element 191 of the projection optical system PL.
  • the second liquid supply unit 72 includes a tank for storing liquid q2, a temperature adjusting device for adjusting the temperature of the supplied liquid Lq2, a filter device for removing foreign matter in the liquid Lq2, a pressure pump, and the like.
  • Exposure device Instead of providing all of the tank, temperature control device, filter device, and pressurization pump in the second liquid supply unit 72 of 100, at least a part of them is replaced with equipment such as a factory where the exposure device 100 is installed. You may do it.
  • the second liquid recovery unit 73 is connected to the side surface on the ⁇ Y side of the lens barrel 140 at a position slightly above the nozzle member 70 via the recovery pipe 75.
  • the second liquid recovery unit 73 is for recovering the liquid Lq2 supplied to the second space K2.
  • the second liquid recovery unit includes, for example, a vacuum system (suction device) such as a vacuum pump, a gas-liquid separator that separates the recovered liquid Lq2 and gas, and a tank that stores the recovered liquid Lq2. Yes.
  • a vacuum system suction device
  • the exposure apparatus 100 may not be provided with all of the vacuum system, gas-liquid separator, and tank, but at least a part of them may be replaced with equipment such as a factory where the exposure apparatus 100 is arranged!
  • FIG. 5 shows a cross-sectional view of the vicinity of the image plane side end portion of the projection optical system PL and the nozzle member 70
  • FIG. 6 shows a view of the nozzle member 70 as viewed from below.
  • the terminal optical element 191 and the boundary lens 192 disposed above it are supported by the lens barrel 140.
  • the terminal optical element 191 is a plane parallel plate, and the lower surface 191a of the terminal optical element 191 is substantially flush with the lower surface 140a of the lens barrel 140.
  • the upper surface 191b and the lower surface 191a of the last optical element 191 supported by the lens barrel 140 are substantially parallel to the XY plane.
  • the terminal optical element (parallel flat plate) 191 is supported substantially horizontally and has no refractive power. Further, the gap between the lens barrel 140 and the last optical element 191 is sealed.
  • the first space K1 below the terminal optical element 191 and the second space K2 above the terminal optical element 191 are independent from each other, and the liquid between the first space K1 and the second space K2 Is blocked.
  • the first space K1 is a space between the terminal optical element 191 and the wafer W (or wafer stage WST), and the liquid immersion region AR is formed by the liquid Lql in the first space K1.
  • the second space K2 is a part of the inner space of the lens barrel 140, and is a space between the upper surface 191b of the terminal optical element 191 and the lower surface 192a of the boundary lens 192 disposed above it. .
  • the terminal optical element 191 can be easily attached to and detached from the lens barrel 140. It has become. That is, a configuration in which the terminal optical element 191 can be replaced is adopted.
  • the nozzle member 70 is provided so as to surround the lower end portion of the lens barrel 140 above the wafer W (wafer stage WST) arranged to face the projection unit PU.
  • the nozzle member 70 has a hole portion 70h at the center portion thereof where the lower end portion of the projection unit PU (lens barrel 140) can be disposed via a predetermined gap.
  • the projection area of the projection optical system PL that is, the effective exposure area IA is set in a rectangular shape whose longitudinal direction is the X-axis direction (non-scanning direction), as shown in FIG.
  • a concave portion 78 having a longitudinal direction in the X-axis direction is formed in the central portion.
  • the open end of the hole 70h is formed at the center of the inner bottom surface 78a of the recess 78.
  • An inner bottom surface 78a of the recess 78 is substantially parallel to the XY plane and is a cavity surface facing the wafer W supported by the wafer stage WST.
  • the side wall inner surface 78b of the recess 78 is provided so as to be substantially orthogonal to the XY plane.
  • the side wall inner surface 78b of the recess 78 formed on the lower surface 70a of the nozzle member 70 has a first optical element 191 (projection area IA) of the projection optical system PL sandwiched between one side and the other side in the Y-axis direction.
  • 1 Supply port 80a, 80b force is formed respectively!
  • the first supply ports 80a and 80bi are connected to one end portion of the first supply flow path 82 formed inside the nodule rod 70, respectively.
  • the other end of the first supply flow channel 82 is connected to one end of the supply pipe 66 described above, and the end opposite to the side connected to the supply pipe 66 has a plurality of (two) ends. Each branch end is connected to each of a plurality (two) of first supply ports 80a and 80b.
  • the liquid supply operation of the first liquid supply unit 68 is controlled by the main controller 50.
  • the main controller 50 sends out the liquid Lql from the first liquid supply unit 68.
  • the liquid Lql delivered from the first liquid supply unit 68 flows through the supply pipe 66 and then flows into one end portion of the first supply channel 82 formed inside the nozzle member 70.
  • the liquid Lql that has flowed into one end of the first supply flow path 82 passes between the plurality of (two) first supply ports 80a and 80b formed in the nozzle member 70, and is connected between the terminal optical element 191 and the wafer W. Is supplied to the first space K1.
  • the liquid Lql supplied from the first supply ports 80a, 80b is the liquid Lql that is blown down substantially parallel to the surface of Ueno and W.
  • the first supply port may be formed so that is supplied.
  • the first supply ports may be provided on both sides in the X-axis direction of the last optical element 191, and the first supply port may be provided at one location.
  • a first recovery port 81 is provided outside the recess 78 with reference to the projection area IA of the projection optical system PL.
  • the first recovery port 81 is provided outside the first supply ports 80a and 80b with respect to the projection region IA of the projection optical system PL on the lower surface 70a of the nozzle member 70 facing the wafer W. And it is formed in an annular shape so as to surround the first supply ports 80a, 80b.
  • the first recovery port 81 is provided with a porous body 81P.
  • one end of the recovery pipe 67 described above is one end of a hold channel 83M that constitutes a part of the first recovery channel 83 formed inside the nozzle member 70. Connected.
  • the other end of the hold channel 83M is connected to a part of an annular channel 83K constituting a part of the first recovery channel 83 connected to the first recovery port 81.
  • the liquid recovery operation of the first liquid recovery unit 69 is controlled by the main controller 50.
  • Main controller 50 drives first liquid recovery unit 69 to recover liquid Lql.
  • the liquid Lql on the wafer W flows through the flow path 83 via the first recovery port 81 provided on the lower surface 70 a of the nozzle member 70. Thereafter, the liquid is sucked and collected by the first liquid recovery unit 69 through the recovery pipe 67.
  • a second supply port 86 is provided on the side wall inner surface 140c of the lens barrel 140.
  • the second supply port 86 is formed near the second space K2, and is provided on the + Y side with respect to the optical axis AX of the projection optical system PL.
  • the second supply port 86 is connected to one end of a second supply channel 84 formed inside the side wall of the lens barrel 140, and one end of the supply pipe 74 is connected to the other end of the second supply channel 84. Has been.
  • a second collection rod 87 is provided at a position substantially opposite to the second supply port 86 of the side wall inner surface 140c of the lens barrel 140.
  • the second recovery port 87 is formed in the vicinity of the second space K2, and is provided on the Y side with respect to the optical axis AX of the projection optical system PL.
  • This second recovery port 87 is connected to one end of a second recovery flow path 85 formed on the side wall of the lens barrel 140, and one end of the aforementioned recovery pipe 75 is connected to the other end of the second recovery flow path 85.
  • the liquid supply operation of the second liquid supply unit 72 is controlled by the main controller 50.
  • the main control device 50 delivers the liquid Lq2 from the second liquid supply unit 72
  • the delivered liquid Lq2 flows through the supply pipe 74 and then the second supply flow formed inside the lens barrel 140. Flows into one end of channel 84.
  • the liquid Lq2 that has flowed into one end of the second supply channel 84 passes through the second supply port 86 formed in the side wall inner surface 140c of the lens barrel 140, between the boundary lens (optical element) 192 and the terminal optical element 191. Supplied to the second space K2.
  • the liquid Lq2 is blown out from the second supply port 86 substantially parallel to the upper surface 191b of the last optical element 191, that is, substantially parallel to the XY plane (laterally).
  • the liquid recovery operation of the second liquid recovery unit 73 is controlled by the main controller 50.
  • Main controller 50 drives second liquid recovery unit 73 to recover liquid Lq2.
  • the liquid Lq2 in the second space K2 flows into the second recovery flow path 85 through the second recovery port 87, and then, the second liquid recovery through the recovery pipe 75. Suction collected by unit 73.
  • the flow paths 84 and 85 are respectively formed inside the side wall of the lens barrel 140.
  • a through hole is provided in a part of the lens barrel 140 and serves as a flow path there. You may make it pass through piping.
  • the supply pipe 74 and the recovery pipe 75 are provided inside the nozzle member 70 instead of the force supply pipe 74 and the recovery pipe 75 provided separately from the nozzle member 70. And may be connected to each of the flow paths 84 and 85 formed inside the lens barrel 140.
  • the structure and arrangement of the liquid immersion mechanism (nozzle member 70, liquid supply units 68 and 72, liquid recovery units 69 and 73, etc.) are not limited to those described above, but a predetermined space including the optical path of illumination light IL. If the liquid can be filled with a liquid, various forms of immersion mechanisms can be applied.
  • the lower surface 192a of the boundary lens 192 and the upper surface 191b of the terminal optical element 191 are in contact with the liquid Lq2 filled in the second space K2, and the liquid Lql of the first space K1 is in contact with the lower surface 191a of the terminal optical element 191.
  • at least the optical elements 191 and 192 are formed by Seihide. Quartz has a high affinity with liquids Lql and Lq2, that is, pure water. It can be adhered.
  • the liquid contact surfaces 192a, 191b and 191a of the optical elements 192 and 191 are brought into close contact with the liquids Lq2 and Lql, the optical path between the optical element 192 and the terminal optical element 191, and the terminal optical element 1 91 and the wafer W Can be surely filled with the liquids Lq2 and Lql.
  • At least one of the optical elements 192 and 191 may be fluorite having a high affinity for water. Further, for example, the remaining optical elements may be formed of fluorite, the optical elements 192 and 191 may be formed of quartz, or all the optical elements may be formed of quartz (or fluorite). .
  • liquid contact surfaces 192a, 191b, 191a of the optical elements 192, 191 may be subjected to a hydrophilic treatment (lyophilicity) to further increase the affinity with the liquids Lq2, Lql.
  • each of the side wall inner surface 140c of the lens barrel 140 and the side surface 192b of the boundary lens 192 is liquid repellent and has liquid repellency.
  • the liquid Lq2 in the second space K2 is formed in the gap formed between the side wall inner surface 140c and the side surface 192b. Intrusion is prevented.
  • Examples of the liquid repellent treatment include applying a liquid repellent material such as a fluorine-based resin material such as polytetrafluoroethylene, an acrylic resin material, a silicon-based resin material, or the like.
  • Examples of the treatment include sticking a thin film having a liquid material strength.
  • a liquid repellent treatment may be applied to each of the side wall outer surface 140b of the lens barrel 140 and the side wall inner surface 70k of the hole 70h of the nozzle member 70.
  • a liquid repellent treatment may be applied to each of the side wall outer surface 140b of the lens barrel 140 and the side wall inner surface 70k of the hole 70h of the nozzle member 70.
  • the control system includes a main controller 50 in FIG. 1, which is a CPU (Central Processing Unit), ROM (Read Only Memory), RAM (Random Access Memory). It consists of so-called microcomputers (or minicomputers) consisting of etc., and controls the entire device in an integrated manner.
  • a CPU Central Processing Unit
  • ROM Read Only Memory
  • RAM Random Access Memory
  • main controller 50 controls second liquid supply unit 72 to supply liquid Lq2 to second space K2. At this time, the main controller 50 determines the supply amount of the liquid Lq2 per unit time by the second liquid supply unit 72 and the second liquid recovery unit.
  • the second liquid supply unit 72 and the second liquid recovery unit 73 supply and recover the liquid Lq2 while optimally controlling the recovery amount of the liquid Lq2 per unit time by 73, and out of the second space K2, At least fill the optical path of illumination light IL with liquid Lq2.
  • the main controller 50 moves the wafer stage WST holding the wafer W under the projection optical system PL, that is, Move to exposure position. Then, in a state where wafer stage WST and terminal optical element 191 of projection optical system PL are opposed to each other, main controller 50 performs supply amount of liquid Lq 1 per unit time by first liquid supply unit 68 and the first liquid. While the amount of liquid Lql recovered per unit time by the recovery unit 69 is optimally controlled, the liquid Lql is supplied and recovered by the first liquid supply unit 68 and the first liquid recovery unit 69. Then, an immersion area AR of liquid Lql is formed at least on the optical path of illumination light IL, and the optical path of illumination light IL is filled with liquid Lql.
  • main controller 50 performs mark measurement on a reference member provided on wafer stage WST, the above-described illuminance unevenness sensor 21P or irradiation amount monitor 58 before performing exposure processing on wafer W. Etc. (including at least the above-mentioned pre-preparation for measurement of irradiation dose and pre-preparation for measurement of wafer reflectivity), and wafer W alignment processing based on the measurement results And calibration processing such as adjusting the imaging characteristics of the projection optical system PL.
  • the main controller 50 moves the wafer stage WST in the XY direction to move the wafer to the liquid immersion area AR of the liquid Lql.
  • the stage WST is moved relative to each other to form the liquid Lql immersion area AR on the light receiving surface of these sensors, and in this state, the measurement operation is performed via the liquid Lql.
  • the main controller 50 After performing the alignment process and the calibration process, the main controller 50 performs the wafer by the first liquid recovery unit 69 in parallel with the supply of the liquid Lql onto the wafer W by the first liquid supply unit 68. While collecting liquid Lql on W, moving wafer stage WST supporting wafer W in the Y-axis direction (scanning direction), the pattern image of reticle R is projected onto projection optical system PL (including liquid Lq2). ), And the liquid Lql in the first space K1 (that is, the liquid in the immersion area AR) is projected onto the wafer W whose surface is coated with a resist. .
  • the liquid supply operation by the second liquid supply unit 72 and the liquid recovery operation by the second liquid recovery unit 73 are stopped by the main controller 50 at the time when the exposure is started at the latest.
  • the main controller 50 At the time when the exposure is started at the latest.
  • the light path of the illumination light IL is filled with the liquid Lq2.
  • the exposure apparatus 100 of the present embodiment projects the pattern image of the reticle R onto the wafer W while moving the reticle R and the wafer W in the Y-axis direction (scanning direction).
  • a pattern image of a part of the reticle R is projected into the projection area IA via the projection optical system PL (including the liquid Lq2) and the liquid Lql in the first space, and the reticle R is directed to the illumination area IAR in the Y direction ( Synchronously with moving at a velocity V in the + Y direction), Ueno, W moves in the + Y direction (or —Y direction) with a velocity ⁇ ⁇ ⁇ ( ⁇ is the projection magnification) with respect to the projection area IA .
  • a plurality of shot areas are set on wafer W. After the exposure to one shot area is completed, the next shot area is moved to the scanning start position by stepping movement of wafer W. Scanning exposure processing is sequentially performed on each shot area while moving the wafer W by the AND scan method.
  • the main controller 50 causes the imaging characteristics of the optical system PLL (various aberrations (including focus)) caused by the illumination light absorption of the projection optical system PL (including liquid Lq2) to be described above.
  • the irradiation fluctuation estimation calculation is executed at every time At, and the exposure operation is controlled based on the result of the imaging characteristic estimation calculation.
  • the above estimation calculation is performed every time ⁇ t to estimate the irradiation variation of the focus, field curvature, magnification, distortion, coma aberration, and spherical aberration.
  • the driving amount of each movable lens for correcting the change in the imaging characteristics is obtained by a method similar to the method disclosed in, for example, JP-A-11-258498, By driving each movable lens according to this driving amount, the irradiation fluctuation of at least one imaging characteristic among optical field curvature, magnification, distortion, coma aberration, and spherical aberration is sequentially corrected.
  • the main controller 50 every time the irradiation fluctuation of the imaging characteristics excluding the focus is corrected through the imaging characteristic correction controller 52, it is disclosed in, for example, the above-mentioned JP-A-11-258498.
  • the wafer w auto-focus control is executed to drive the wafer stage WST in the Z-axis direction so that the error of the wafer is almost zero.
  • a catadioptric system as shown in FIG. 2 is used as the projection optical system PL. Therefore, the projection optical system is irradiated with the illumination light IL during exposure.
  • the lens 90 closest to the reticle of the system PL has a temperature distribution similar to that shown in FIG. Therefore, in the exposure apparatus 100 of the present embodiment, the above-described non-rotationally symmetric imaging characteristics do not occur in the projection optical system PL (optical system PLL) due to this temperature distribution, and imaging characteristics (aberration) that can be corrected easily.
  • a certain or non-rotationally symmetric imaging characteristic similar to that described above is converted into an imaging characteristic that can be easily corrected.
  • the control unit 92B in the light source system 92 of the non-exposure light irradiation mechanism 91 is the irradiation mechanism 95 to 95
  • the controller 92B places the non-exposure light NL, NL, NL, NL, NL, NL, NL, NL, NL, NL, NL, NL, and NL near the outer periphery of the lens 90. 1 light
  • main controller 50 includes lens 90 via imaging characteristic correction controller 52 that corrects rotationally symmetric aberration (variation) generated in projection optical system PL, and hence optical system PLL. Drive at least one of the five movable lenses in the direction of the optical axis AX1.
  • the rotationally symmetric aberration (variation) generated in the optical system PLL is corrected in the same manner as the correction of the irradiation fluctuation component described above.
  • this correction may be performed during exposure, but may also be performed during non-exposure.
  • control unit 92B inside the light source system 92 of the non-exposure light irradiation mechanism 91 responds to an instruction from the main control device 50, for example, as shown in FIG. Illumination area in the vicinity IL irradiation area Non-exposure light on the X side, Y side and + X side of IA 'NL, NL, NL, N
  • the projection optical system PL (and thus the optical system PLL) has an aberration (variation) that gradually changes from one side force to the other side in a plane perpendicular to the optical axis as shown in FIG. 9B, for example. .
  • the main controller 50 includes the lens 90 via the imaging characteristic correction controller 52 that should correct the aberration (variation) generated in the projection optical system PL, and hence the optical system PLL.
  • At least one of the five movable lenses is driven in a tilt direction (in this case, the ⁇ X direction) with respect to a plane orthogonal to the optical axis AX1.
  • the aberration (variation) generated in the optical system PLL is corrected.
  • this correction may be performed during the exposure, but during the step movement of the wafer stage WST (wafer W) between shots between the exposure of one shot area on the wafer W and the exposure of the next shot area. Can be done during non-exposure, such as when changing wafers.
  • main controller 50 monitors the intensity (and accumulated energy amount) of illumination light IL irradiated to optical system PL based on the detection values of integrator sensor 46 and reflection amount monitor 47, and in response to this, Non-exposure light irradiation intensity of each irradiation mechanism 95-95 given to the control unit 92B described above
  • a plurality of non-contact type temperature sensors may be arranged near the lens 90, and the temperature distribution of the lens 90 may be measured based on the measurement value of each temperature sensor. If this is the case, based on the measurement result of the temperature distribution, that of each irradiation mechanism 95-95
  • each irradiation mechanism 95 Determine the target value of the intensity (and accumulated energy) of the non-exposure light that each should irradiate It is also good. If the position, shape, and size of the illumination area IA ′ or the light quantity distribution in the illumination area IA ′ changes, each irradiation mechanism 95
  • At least one of the position, shape, size and intensity of the irradiation area of the non-exposure light irradiated by each of 1 to 95 may be changed.
  • each of the irradiation mechanisms 95 to 95 is based on the setting information of the first reticle blind 30A.
  • At least one of shape, size and strength can be changed.
  • the non-exposure light emitted by each of the irradiation mechanisms 95 to 95 depends on the pattern information of the reticle R.
  • At least one of the position, shape, size and strength of the can be adjusted.
  • the exposure apparatus 100 of the present embodiment for example, on the surface corresponding to the Fourier transform of the pattern surface of the reticle R (the pupil plane of the illumination optical system 12), it corresponds to the X-axis direction that is the non-scanning direction.
  • the X-axis dipole illumination conditions in which a light quantity distribution with local maximum values is formed at two positions decentered by approximately the same distance from the optical axis of the illumination optical system (corresponding to the optical axis AX of the projection optical system) with respect to the direction, Let us consider the case where the pattern on the reticle R is projected onto the wafer.
  • This X-axis dipole illumination condition is set, for example, when a line-and-space (LZS) pattern (hereinafter referred to as a V pattern) having a predetermined period in the non-scanning direction is used as a transfer target pattern.
  • LZS line-and-space
  • FIG. 10 shows an example of the light amount distribution on the lens in the vicinity of the pupil plane (PP1, PP 2, PP3) of the projection optical system under the X-axis dipole illumination condition, for example, the lens 111 described above. Yes.
  • the shaded area indicates the irradiation area of the illumination light IL.
  • two types of LZS patterns with orthogonal periodic directions are near the optical axis of the projection optical system PL! /, Which is the deviation of the image plane (best focus plane).
  • An anisotropy of the orcas that is, a center path occurs. Note that, under the X-axis dipole illumination conditions, the focus anisotropy occurs similarly in places other than the vicinity of the optical axis of the projection optical system PL.
  • the optical axis of the illumination optical system 12 (corresponding to the optical axis AX of the projection optical system) is approximately the same distance in the direction corresponding to the Y-axis direction that is the scanning direction.
  • a Y-axis dipole in which a light intensity distribution with local maximum values is formed at two positions that are only decentered.
  • This Y-axis dipole illumination condition is set when, for example, a line-and-space (LZS) pattern (hereinafter referred to as an H pattern) having a predetermined period in the scanning direction is used as a projection target pattern.
  • LZS line-and-space
  • a light quantity distribution as shown in Fig. 11 occurs on the lens near the pupil plane (PP1, PP2, PP3) of the projection optical system, for example, the lens 111 described above.
  • the V pattern best focus plane and the H pattern best focus plane and force anisotropy of focus (center path) that is opposite to the X-axis dipole illumination condition occurs.
  • the illumination conditions are set by the main controller 50 using the illumination system aperture stop plate 24 in accordance with the pattern to be projected.
  • main controller 50 calculates the light amount distribution of illumination light IL for lens 111 of projection optical system PL, and predicts the uneven distribution state of heat generated in lens 111 based on the calculated light amount distribution of illumination light IL.
  • the control unit of the light source system 92 ′ selects an irradiation mechanism appropriately from the eight irradiation mechanisms 95A to 95A.
  • Non-exposure light NE infrared
  • the main control device Based on the instructions from 50, the control unit will irradiate the irradiation mechanisms 95A, 95A,
  • Non-exposure light NE is irradiated to the side of the lens 111
  • the heat generation state of the projection optical system PL is brought close to a rotationally symmetric shape.
  • irradiator The intensity of infrared rays emitted from the structures 95A and 95A is adjusted to the remaining irradiation mechanisms 95A, 95A and 95A.
  • An anisotropic imaging performance such as a bias is corrected, and rotationally symmetric imaging characteristics (variation) occur.
  • Non-exposure light irradiation mechanism 91 for correcting the non-rotationally symmetric temperature distribution generated in the lens 90 closest to the reticle of the system PL is used in combination with the non-exposure light NL irradiation from the projection optical system PL (optical This system suppresses the occurrence of non-rotationally symmetric aberration (imaging characteristics) fluctuations in the system PLL) and generates rotationally symmetric aberration fluctuations in the projection optical system PL (optical system PLL). Since the aberration variation that is rotationally symmetric of the projection optical system PL (optical system PLL) is corrected via 52, the pattern of the reticle R is transferred in a good image formation state.
  • a plurality of non-contact or contact temperature sensors may be arranged in the vicinity of the lens 111, and the temperature distribution of the lens 111 may be measured based on the measurement value of each temperature sensor. .
  • the position, shape, size, intensity (and integration) of the non-exposure light to be irradiated by each of the irradiation mechanisms 95A to 95A based on the measurement result of the temperature distribution.
  • the main controller 50 causes the second liquid supply unit 72 and the second liquid just before the start of exposure of the first wafer of each lot (or every time when exposure of a predetermined number of wafers is completed).
  • the liquid Lq2 in the second space K2 is replaced, and exposure is started when the temperature of the liquid Lq2 becomes almost the same as that of the boundary lens 192, etc. ing. This is due to the fluctuation amount of the imaging performance of the optical system PLL caused by the absorption of illumination light by the liquid Lq2. This is to prevent sudden changes due to the exchange of the body Lq2 so that a large error does not occur in the calculation of the irradiation fluctuation of the imaging characteristics of the optical system PLL.
  • the optical system of the projection optical system PL (optical system P LL) by irradiation of the non-exposure light NL to the movable lens 90 by the non-exposure light irradiation mechanism 91.
  • the non-rotationally symmetric lens 90 is obtained. It is possible to correct optical characteristics fluctuations due to temperature distribution with high accuracy.
  • the light quantity distribution of the illumination light IL on the pupil plane of the illumination optical system 12 or the pupil plane of the projection optical system becomes non-rotationally symmetric with respect to the optical axis.
  • the lens of the projection optical system PL is locally (non-uniformly) heated by illumination light IL. Under illumination conditions, the remaining part of the lens that is not illuminated by illumination light IL as described above is exposed to non-exposure light.
  • non-exposure light infrared rays
  • the center path generated in the projection optical system PL is corrected under illumination conditions in which the light quantity distribution on the pupil plane of the projection optical system PL is non-rotationally symmetric with respect to the optical axis, for example, dipole illumination conditions.
  • the pattern is transferred onto the wafer via the corrected projection optical system PL (optical system PLL). Therefore, it is possible to reduce the influence of the projection optical system center caused by the illumination condition and realize high-accuracy exposure.
  • the lens (refractive optical element) to which the illumination light IL constituting a part of the projection optical system PL reciprocates by the non-exposure light irradiation mechanism 91A in other words, the illumination light irradiated. Since the non-exposure light NE can be irradiated to the large lens 111 as compared with the optical element in which the illumination light IL passes only once, the energy absorption of the IL can be performed on the pupil plane (PP1, PP2, PP3) of the projection optical system PL. Under the illumination conditions where the light intensity distribution of the illumination light IL is non-rotationally symmetric with respect to the optical axis, the center path of the projection optical system PL (optical system PLL), etc. Non-rotationally symmetric imaging characteristics can be effectively corrected.
  • the lens is heated by the non-exposure light irradiation mechanisms 91 and 91A even during exposure. it can. Accordingly, it is possible to more reliably suppress the occurrence of optical characteristics (for example, non-rotationally symmetric aberration) that are difficult to correct for the projection optical system PL (optical system PLL).
  • optical characteristics for example, non-rotationally symmetric aberration
  • heating of a lens with infrared rays differs from heating with a contact-type heating mechanism (heat source) or cooling with a contact-type cooling mechanism, because there is no contact with the lens. There is no possibility of distorting the lens, and there is no possibility of causing vibration in the lens as in the case of cooling by air blowing.
  • the exposure apparatus 100 of the present embodiment good exposure is performed on the wafer W, and the pattern of the reticle R is accurately transferred to each shot area on the wafer and W. Further, in the exposure apparatus 100 of the present embodiment, the pattern of the reticle R can be accurately transferred onto the wafer by performing exposure with high resolution and large depth of focus by immersion exposure. For example, the ArF excimer With laser light, it is possible to achieve transfer of fine patterns of about 45 to 100 nm as device rules.
  • the terminal optical element 191 made of a plane-parallel plate is disposed under the boundary lens 192 having a lens action, but the lower surface 191a side and the upper surface 191b of the terminal optical element 191 are arranged.
  • the reflection loss on the lower surface 192a of the boundary lens 192 and the upper surface 191b of the terminal optical element 191 is reduced, and a large image-side numerical aperture In this state, it is possible to expose well and W well.
  • the terminal optical element 191 is a non-refractive parallel plane plate. Even when contaminants inside adhere to the lower surface 191a of the last optical element 191, it can be easily replaced.
  • the terminal optical element 191 may be a lens having refractive power.
  • the lens is heated by infrared rays irradiated from the non-exposure light irradiation mechanisms 91 and 91A from the viewpoints of suppression of distortion and vibration of the lens described above.
  • the lens temperature can be adjusted (partial heating or cooling, etc.) in the same manner as the non-exposure light irradiation mechanism, other temperature adjustment mechanisms (heating mechanism, cooling mechanism, etc.) It may be used.
  • heating by a contact-type heating mechanism such as a combination of a heat sink and a heat source, contact-type heating using a Peltier element or the like 'heating using a cooling mechanism, and Z or cooling, or blowing of temperature-adjusted gas It is good also as employ
  • the non-exposure light irradiation mechanism 91 that irradiates the non-exposure light NL to the lens 90 that passes through the region in which the illumination light IL is decentered from the optical axis AX, and the lens positioned near the pupil.
  • the present invention is not limited to this.
  • an optical element disposed on the object plane side or the image plane side of the projection optical system PL that is, the lens 90 or a lens in the vicinity thereof, or the boundary Only a mechanism capable of partially adjusting the temperature of the lens 192 or a lens in the vicinity thereof may be provided.
  • the projection optical system PL (optical system PLL) is caused by non-rotationally symmetric temperature fluctuations that occur in the lens 90 or the boundary lens 192, etc. generated by the illumination light IL passing through the region where the optical axis force is also eccentric.
  • Non-rotationally symmetric optical characteristics (variation thereof) can be converted into optical characteristics (variation) that can be easily corrected by partial temperature adjustment of the lens 90 or the boundary lens 192 or a nearby lens. .
  • an optical element arranged in the vicinity of the pupil of the projection optical system PL that is, the lens 111 or a partial temperature of the lens in the vicinity thereof It is okay to have only an adjustable mechanism. Even in such a case, the non-recovery that occurs in the lens near the pupil plane due to the setting of illumination conditions such as dipole illumination.
  • the non-rotationally symmetric optical characteristics (variation) of the projection optical system PL (optical system PLL) caused by rotationally symmetric temperature fluctuations can be made rotationally symmetric by adjusting the partial temperature of the lens 111 or its neighboring lens. It can be converted into optical characteristics.
  • the non-exposure light irradiation mechanism 91A irradiates the non-exposure light on the side surface of the lens 111.
  • the present invention is not limited to this. Similar to the exposure light irradiation mechanism 91, a mechanism for irradiating the optical surface (at least one of the incident surface and the exit surface) of the lens 111 with non-exposure light may be used.
  • the movable lens is moved in the optical axis direction or the tilt direction.
  • the present invention is not limited to this, and the non-exposure light irradiation mechanism 91 irradiates the lens with non-exposure light and moves the movable lens in parallel. It ’s okay.
  • non-exposure light irradiation mechanism 91A for converting a non-rotationally symmetric temperature distribution generated in a lens near the pupil plane to a rotationally symmetric temperature distribution generated by setting illumination conditions such as dipole illumination or the like is equivalent to this.
  • a mechanism that can partially adjust the temperature of the lens near the pupil plane of the first imaging optical system G1 is not necessarily provided near the second pupil PP2 inside the second imaging optical system G2. It may be provided in the vicinity of the first pupil PP1. Further, it may be provided both near the first pupil PP1 and near the second pupil PP2.
  • the projection optical system PL having a numerical aperture NA larger than 1 and having a plurality of pupils it is desirable to provide the closest to the wafer W of the plurality of pupils and in the vicinity of the pupils other than the pupils. .
  • the force that supplies the same pure water as the liquids Lql and Lq2, the pure water supplied to the first space (liquid Lql), and the pure water supplied to the second space may be different from that of liquid Lq2).
  • Examples of the quality of pure water include temperature uniformity, temperature stability, specific resistance value, and TOC (total organic carbon) value.
  • the quality of pure water supplied to the first space K1 close to the image plane of the projection optical system PL may be made higher than that of pure water supplied to the second space K2.
  • different types of liquid may be supplied to the first space and the second space, and the liquid Lql filling the first space K1 and the liquid Lq2 filling the second space K2 may be different types.
  • a place other than pure water It can fill certain liquids (fluorinated oils, etc.). Since oil is a liquid with a low probability of bacteria and other bacteria to propagate, the cleanliness of the flow path through which the second space K2 and liquid Lq2 (fluorinated oil) flow can be maintained.
  • both of the liquids Lql and Lq2 may be liquids other than water.
  • the light source of the illumination light IL is an F laser
  • the F laser light does not pass through water, so the liquids Lql and Lq2
  • Is capable of transmitting F laser light such as perfluorinated polyether (PFPE) and fluorine-based oil.
  • PFPE perfluorinated polyether
  • fluorine-based oil such as fluorine-based oil
  • Fluorine-based fluids such as in this case, a lyophilic treatment is performed by forming a thin film with a substance having a low molecular weight and a molecular structure including fluorine, for example, in a portion in contact with the liquids Lql and Lq2.
  • the liquids Lql and Lq2 are stable to the projection optical system PL that is transparent to the illumination light IL and has the highest possible refractive index, and to the photoresist applied to the surface of the wafer W.
  • cedar oil can also be used.
  • the surface treatment is performed according to the polarity of the liquids Lql and Lq2.
  • the spaces Kl and ⁇ 2 on both the incident side and the exit side of the optical element (terminal optical element 191) arranged on the most image plane side of the projection optical system PL are respectively liquid Lq 1
  • the space K1 on the exit side of the last optical element may be filled with liquid.
  • the terminal optical element may be an optical element (such as a lens) having a refractive power that is less than that of a plane parallel plate.
  • At least one optical element of the projection optical system PL is moved by the imaging characteristic correction controller 52 to correct particularly rotationally symmetric imaging characteristics (aberration).
  • a mechanism that adjusts the center wavelength) may be used.
  • the optical element to be moved by the imaging characteristic correction controller 52 is not limited to a refractive optical element such as a lens, but may be a reflecting optical element such as a mirror or a concave mirror.
  • the adjustment of the imaging characteristics by the imaging characteristics correction controller 52 has a predetermined amount of fluctuation of the imaging characteristics regardless of whether or not the non-exposure light (NL, NE) is irradiated on the optical elements of the projection optical system PL. This is done when the tolerance is exceeded.
  • the numerical aperture NA of the projection optical system is 0.9 to 1.3. Sometimes it becomes.
  • the numerical aperture NA of the projection optical system becomes large in this way, the imaging performance may be deteriorated due to the polarization effect of the randomly polarized light conventionally used as exposure light (illumination light IL). Therefore, it is desirable to use polarized illumination.
  • linearly polarized illumination is performed in accordance with the longitudinal direction of the line pattern of the line pattern of the mask (reticle) 'and' space pattern, and from the mask (reticle) pattern, the S-polarized component (TE-polarized component), that is, the line It is preferable to emit a large amount of diffracted light with a polarization direction component along the longitudinal direction of the pattern.
  • the space between the projection optical system PL and the resist coated on the surface of the wafer W is filled with liquid
  • the space between the projection optical system PL and the resist coated on the surface of the wafer W is filled with air (gas).
  • the numerical aperture NA of the projection optical system is 1.0. High imaging performance can be obtained even when exceeding. Also disclosed in the phase shift mask, Z, or JP-A-6-188169, JP-A-4-180612, and the corresponding US Pat. No. 6,665,050, etc. It is more effective to combine the oblique incidence illumination method (especially the die ball illumination method) according to the longitudinal direction of the line pattern as appropriate.
  • WO 2004Z019128 pamphlet for example, WO 2004Z107011 pamphlet, US Pat. No. 6,636,350, US Pat. No. 6,873,476.
  • the catadioptric system disclosed in US Patent Application Publication No. 2004Z0160666 can be applied.
  • the projection optical system is a refracting system that does not include a reflecting element
  • the above-described non-exposure light irradiation mechanism 91 or a mechanism having an equivalent function may be employed.
  • the force for measuring the position information of reticle stage RST and wafer stage WST using interferometer system is not limited to this.
  • You may use the encoder system which detects the scale (diffraction grating) provided.
  • the stage position may be controlled by switching between the interferometer system and the encoder system or using both.
  • the present invention is not limited to this, and a step-and-repeat exposure apparatus (stepper) or the like.
  • the present invention can be applied to a still exposure type exposure apparatus, a step-and-stitch type exposure apparatus, and the like.
  • the present invention is not limited to an immersion exposure apparatus, but can be applied to a normal exposure apparatus such as an immersion method.
  • the present invention relates to JP-A-10-163099, JP-A-10-214783 and the corresponding US Pat. No. 6,341,007, Special Table 2000-505958, and the like.
  • the present invention can also be applied to a multi-stage type exposure apparatus provided with a plurality of wafer stages for holding a wafer as disclosed in US Pat. No. 5,969,441 corresponding to the above.
  • the present invention can also be applied to an exposure apparatus provided with a measurement stage separately from Ueno and stage WST as disclosed in, for example, pamphlet of International Publication No. 2005Z074014.
  • an exposure apparatus that locally fills the liquid between the projection optical system PL and the wafer W is employed.
  • the present invention is disclosed in JP-A-6-124873. Liquid immersion in which exposure is performed in a state where the entire surface of the wafer to be exposed is immersed in the liquid as disclosed in JP-A-10-303114, US Pat. No. 5,825,043, etc.
  • the present invention can also be applied to an exposure apparatus.
  • force using a light-transmitting mask in which a predetermined light-shielding pattern (or phase pattern 'dimming pattern') is formed on a light-transmitting substrate.
  • a predetermined light-shielding pattern or phase pattern 'dimming pattern'
  • an electronic mask (variable molding mask) that forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed.
  • a non-light emitting image display element including a DMD (Digital Micro-mirror Device) which is a kind of spatial light modulator
  • DMD Digital Micro-mirror Device
  • an exposure apparatus (lithography system) that forms a line 'and' space pattern on the wafer W by forming interference fringes on the wafer W.
  • the present invention can also be applied to.
  • JP-T-2004-519850 corresponding to US Pat. No. 6,611,316
  • two mask patterns are synthesized on a substrate via a projection optical system.
  • the present invention can also be applied to an exposure apparatus that double exposes one shot area on a substrate almost simultaneously by one scan exposure.
  • the use of the exposure apparatus is not limited to the exposure apparatus for semiconductor manufacturing.
  • an exposure apparatus for liquid crystal that transfers a liquid crystal display element pattern to a square glass plate, an organic EL, and a thin film magnetic head
  • It can also be widely applied to exposure devices for manufacturing image sensors (CCD, etc.), micromachines, MEMS (Micro Electro Mechanical Systems), and DNA chips.
  • image sensors CCD, etc.
  • MEMS Micro Electro Mechanical Systems
  • DNA chips DNA chips.
  • EUV exposure equipment EUV exposure equipment
  • X-ray exposure equipment X-ray exposure equipment
  • electron beam exposure equipment etc.
  • the present invention can also be applied to an exposure apparatus that transfers a circuit pattern.
  • the light source of the exposure apparatus of the above embodiment is not limited to the ArF excimer laser, but is a KrF excimer laser (output wavelength 248 nm), F laser (output wavelength 157 nm), Ar laser (output) Pulse laser light source such as 126nm wavelength, Kr laser (output wavelength 146nm), g-line (wave
  • an ultra-high pressure mercury lamp that emits bright lines such as 436 nm long and i-line (wavelength 365 nm).
  • a harmonic generator of a YAG laser can also be used.
  • a single wavelength laser beam in the infrared region or visible region oscillated by a DFB semiconductor laser or fiber laser force is used, for example, erbium (or erbium).
  • harmonics that have been amplified with a fiber amplifier doped with both ytterbium and ytterbium and then converted to ultraviolet light using a nonlinear optical crystal.
  • the projection optical system may be not only a reduction system but also any of an equal magnification and an enlargement system.
  • An illumination optical system and a projection optical system composed of a plurality of lenses are incorporated in the exposure apparatus main body, optical adjustment is performed, and a reticle stage wafer stage made up of a large number of mechanical parts is exposed.
  • the exposure apparatus of each of the above embodiments can be manufactured by attaching to the main body, connecting wiring and piping, and further performing general adjustment (electrical adjustment, operation check, etc.). It is desirable to manufacture the exposure apparatus in a clean room where the temperature and cleanliness are controlled.
  • FIG. 14 shows a flowchart of a manufacturing example of a device (a semiconductor chip such as an IC or LSI, a liquid crystal panel, a CCD, a thin film magnetic head, a micromachine, etc.).
  • a device a semiconductor chip such as an IC or LSI, a liquid crystal panel, a CCD, a thin film magnetic head, a micromachine, etc.
  • step 201 design step
  • step 202 mask manufacturing step
  • a mask on which the designed circuit pattern is formed is manufactured.
  • step 203 wafer manufacturing step
  • a wafer manufacturing step a wafer is manufactured using a material such as silicon.
  • step 204 wafer processing step
  • step 204 wafer processing step
  • step 205 device assembly step
  • device assembly is performed using the wafer processed in step 204.
  • Step 205 includes processes such as a dicing process, a bonding process, and a packaging process (chip sealing) as necessary.
  • step 206 inspection step
  • inspections such as an operation confirmation test and an endurance test are performed on the device created in step 205. After these steps, the device is completed and shipped.
  • FIG. 15 shows a detailed flow example of step 204 in the semiconductor device.
  • step 211 oxidation step
  • step 212 CVD step
  • step 213 electrode formation step
  • step 214 ion implantation step
  • ions are implanted into Ueno.
  • the post-processing step is executed as follows.
  • step 215 resist formation step
  • step 216 exposure step
  • step 216 exposure step
  • step 217 developing step
  • step 218 etching step
  • step 219 resist removal step
  • the circuit pattern force of the reticle is accurately transferred onto the S wafer by the exposure apparatus and the exposure method of the above embodiment. As a result, it is possible to improve the productivity (including yield) of highly integrated devices. Industrial applicability
  • the exposure method and exposure apparatus of the present invention are suitable for exposing an object.
  • the device manufacturing method of the present invention is suitable for manufacturing a microdevice.

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Abstract

　照射装置（９１）による可動の光学素子（９０）に対する非露光光の照射による光学系（ＰＬＬ）の光学特性の調整と、光学特性調整装置による光学素子（９０）を動かすことによる光学系（ＰＬＬ）の光学特性を調整との組み合わせにより、例えば光軸から偏心した位置を中心とする光学素子の温度分布に起因する光学系の光学特性の変動を補正する。また、ダイポール照明条件下などでは、瞳（ＰＰ１，ＰＰ２，ＰＰ３）近傍の光学素子の非回転対称な温度分布に起因する光学系の光学特性を、光学特性調整装置により補正が容易な光学特性にするため、照射装置（９１Ａ）により光学素子（１１１）に対して非露光光を照射することでその光学素子（１１１）を回転対称な温度分布にする。これにより、照明光吸収に起因する光学系の光学特性の変動を効果的に補正することができる。

Description

明 細 書
露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法に係り、更に詳しく は、半導体素子 (集積回路）、液晶表示素子などの電子デバイスを製造するリソダラ フイエ程で用いられる露光方法及び露光装置、並びに該露光方法及び露光装置を 利用するデバイス製造方法に関する。
背景技術
[0002] 従来より、半導体素子 (集積回路等)、液晶表示素子等の電子デバイス (マイクロデ バイス）を製造するリソグラフイエ程では、マスク (又はレチクル)のパターンの像を投 影光学系を介して、レジスト (感応材）が塗布されたウェハ又はガラスプレート等の感 応性の物体 (以下、「ウェハ」と総称する）上の複数のショット領域の各々に投影する ステップ ·アンド ·リピート方式の縮小投影露光装置 ( 、わゆるステツパ）や、ステップ · アンド'スキャン方式の投影露光装置（いわゆるスキャニング'ステツノ など力 主とし て用いられている。
[0003] この種の投影露光装置では、集積回路の高集積ィヒによるパターンの微細化に伴つ て、より高い解像力（解像度）が年々要求されるようになり、最近では、液浸法を利用 した露光装置（以下、「液浸露光装置」と呼ぶ）が、注目されるようになってきた。
[0004] また、液浸露光装置では、開口数 (NA)が実質的に増大することに伴い、投影光学 系のレチクル側の開口が大きくなる。このため、レンズのみで構成する屈折光学系に おいては、ペッツヴァルの条件を満足することが困難となり、投影光学系が大型化す る傾向にある。従って、力かる投影光学系の大型化を避けるために、液浸露光装置 の投影光学系として反射屈折系を採用することが検討されている。
[0005] し力るに、投影光学系に反射屈折系を採用した露光装置では、その投影光学系の 物体面近傍及び像面近傍のレンズでは、図 16 (A)に示されるように、光軸から偏心 した箇所に照明光の光路 (照明領域 ΙΑ' )が設定される。このため、レンズには照明 光吸収に起因して、図 16 (B)の等高線図で示されるような温度分布が生じ、この温 度分布の発生により投影光学系に収差が発生する。
[0006] し力しながら、この図 16 (B)の等高線図で示されるような温度分布に起因する収差 変動は、露光装置で一般的に採用されている結像特性補正機構、例えば投影光学 系の一部を構成するレンズを上下させたり、チルトさせたりする機構では補正すること が困難である。例えば、レンズを上下させる場合、光軸 AXを中心として収差を変化さ せることができるが、上述のような光軸 AXから偏心した点を中心とする収差変動を補 正することは困難である。また、図 16 (B)中の光軸 AXからの距離が異なる 2点、例え ば点 Aと点 Bとでは温度分布により発生する収差変化量が同一量であるのにもかか わらず、レンズをチルトさせることによって発生する収差変化量は像高（光軸力 の距 離）に応じて変化するので、レンズをチルトさせることによって発生する収差変化量が 点 Aと点 Bとでは明らかに異なる。
[0007] 必ずしも反射屈折系でなくても、光軸力 離れた点を中心として照明光が通る光学 系では、同様の問題が生じ得るものと考えられる。
発明の開示
課題を解決するための手段
[0008] 本発明は、第 1の観点力 すると、光学系を介して物体を第 1エネルギビームで露 光して、前記物体上に所定のパターンを形成する露光方法であって、前記光学系の 光学特性を調整するために、前記光学系の少なくとも一部を構成する少なくとも 1つ の可動の光学素子に前記第 1エネルギビームとは異なる波長域の第 2エネルギビー ムを照射する照射工程と;前記第 2エネルギビームが照射される可動の光学素子を 含む少なくとも 1つの可動の光学素子を動力して前記光学系の光学特性を調整する 補正工程と；を含む第 1の露光方法である。
[0009] ここで、照射工程と補正工程との順序は、特に問わず、照射工程と補正工程とを同 時並行的に行っても良い。
[0010] これによれば、照射工程の処理と補正工程の処理との組み合わせにより、光学素 子の温度分布に起因する光学系の光学特性の変動を高精度に補正することが可能 になり、結果的にその光学特性の変動が補正された光学系を介して物体を第 1エネ ルギビームで露光することで、物体上に所定のパターンを精度良く形成することが可 會 になる。
[0011] 本発明は、第 2の観点力 すると、光学系を介して物体をエネルギビームで露光し て、前記物体上に所定のパターンを形成する露光方法であって、前記光学系として 、少なくとも 1つの屈折光学素子と少なくとも 1つの反射光学素子とを含み、前記物体 側の端部とその反対側の端部とを含む複数箇所で、光軸に対して偏心した領域をェ ネルギビームが通過する反射屈折系が用いられ、前記光学系の複数の光学素子の うち、前記エネルギビームが光軸に対して偏心した位置を通過する所定の光学素子 が前記光軸回りに同心円状の温度分布を持つように、前記所定の光学素子の温度 調整を少なくとも行って、前記光学系の光学特性を調整する工程を含む第 2の露光 方法である。
[0012] これによれば、反射屈折系である光学系の複数の光学素子のうち、エネルギビーム がその光軸に対して偏心した位置を通過する所定の光学素子が前記光軸回りに同 心円状の温度分布を持つように、所定の光学素子の温度を調整して、光学系の光学 特性を調整する。この場合、その光学特性の調整後の上記光学素子の光軸回りの 同心円状の温度分布に対応する光学系の光学特性の変動は、容易に補正可能で あり、結果的にその光学特性の変動が補正された光学系を介して物体をエネルギビ ームで露光することで、物体上に所定のパターンを精度良く形成することが可能にな る。
[0013] 本発明は、第 3の観点力 すると、光学系を介して物体をエネルギビームで露光し て、前記物体上に所定のパターンを形成する露光方法であって、前記光学系として 、少なくとも 1つの屈折光学素子と少なくとも 1つの反射光学素子とを含み、前記物体 側の端部とその反対側の端部とを含む複数箇所で、光軸に対して偏心した領域をェ ネルギビームが通過する反射屈折系が用いられ、前記光学系の複数の光学素子の うち、前記エネルギビームが光軸に対して偏心した位置を通過する所定の光学素子 が前記光軸に直交する面内で一側から他側へ徐々に変化する温度分布を持つよう に、前記所定の光学素子の温度調整を少なくとも行って、前記光学系の光学特性を 調整する工程を含む第 3の露光方法である。
[0014] これによれば、反射屈折系である光学系の複数の光学素子のうち、エネルギビーム がその光軸に対して偏心した位置を通過する所定の光学素子が光軸に直交する面 内で一側から他側へ徐々に変化する温度分布を持つように、所定の光学素子の温 度を調整して、光学系の光学特性を調整する。この場合、その光学特性の調整後の 上記光学素子の光軸に直交する面内における一側から他側へ徐々に変化する温度 分布に対応する光学系の光学特性の変動は、容易に補正可能であり、結果的にそ の光学特性の変動が補正された光学系を介して物体をエネルギビームで露光するこ とで、物体上に所定のパターンを精度良く形成することが可能になる。
[0015] 本発明は、第 4の観点力 すると、光学系を介して物体を第 1エネルギビームで露 光して、前記物体上に所定のパターンを形成する露光方法であって、前記光学系と して、少なくとも 1つの屈折光学素子と少なくとも 1つの反射光学素子とを含む反射屈 折系が用いられ、前記光学系の光学特性を調整するために、前記光学系の一部を 構成する前記第 1エネルギビームが往復する屈折光学素子に前記第 1エネルギビー ムとは異なる波長域の第 2エネルギビームを照射する工程を含む第 4の露光方法で ある。
[0016] これによれば、光学系の一部を構成する第 1エネルギビームが往復する屈折光学 素子、換言すれば照射された第 1エネルギビームのエネルギ吸収が第 1エネルギビ ームが 1度しか通過しない光学素子に比べて大きな屈折光学素子に第 1エネルギビ 一ムとは異なる波長域の第 2エネルギビームを照射するので、第 1エネルギビームの 照射による光学系の光学特性の変動を効果的に補正することが可能になる。また、 その光学特性が補正された光学系を介して物体を第 1エネルギビームで露光するこ とで、物体上に所定のパターンを精度良く形成することが可能になる。
[0017] 本発明は、第 5の観点力 すると、光学系を介して物体を第 1エネルギビームで露 光して、前記物体上に所定のパターンを形成する露光方法であって、前記光学系と して、少なくとも 1つの屈折光学素子と少なくとも 1つの反射光学素子とを含み、互い に光学的に共役な複数の瞳を有する反射屈折系が用いられ、前記光学系の光学特 性を調整するために、前記複数の瞳のうち、前記物体に最も近い瞳以外の瞳近傍に 位置する光学素子に前記第 1エネルギビームとは異なる波長域の第 2エネルギビー ムを照射する工程を含む第 5の露光方法である。 [0018] 一般に光学系の開口数 (NA)が大きくなると、光学系の複数の光学素子のうち、物 体に近い光学素子ほど大型化する傾向があるが、本発明では、光学系の光学特性 を調整するために、前記複数の瞳のうち、前記物体に最も近い瞳以外の瞳近傍に位 置する光学素子に第 1エネルギビームとは異なる波長域の第 2エネルギビームを照 射するので、比較的小さな光学素子に対して第 2エネルギビームを照射することが可 能になり、効率的な第 2エネルギビームの照射が可能となる。また、その光学特性が 補正された光学系を介して物体を第 1エネルギビームで露光することで、物体上に所 定のパターンを精度良く形成することが可能になる。
[0019] 本発明は、第 6の観点力 すると、物体を第 1エネルギビームで露光して、前記物体 上に所定のパターンを形成する露光装置であって、少なくとも 1つの可動の光学素子 を含み、前記第 1エネルギビームを前記物体に対して射出する光学系と；前記光学 系の光学特性を調整するために、前記少なくとも 1つの可動の光学素子に前記第 1 エネルギビームとは異なる波長域の第 2エネルギビームを照射する照射装置と;前記 第 2エネルギビームが照射される可動の光学素子を含む少なくとも 1つの可動の光学 素子を動かして前記光学系の光学特性を調整する光学特性調整装置と；を含む第 1 の露光装置である。
[0020] これによれば、照射装置による少なくとも 1つの可動の光学素子に対する第 2エネ ルギビームの照射による光学系の光学特性の調整と、光学特性調整装置による少な くとも 1つの可動の光学素子を動かすことによる光学系の光学特性を調整との組み合 わせにより、光学素子の温度分布に起因する光学系の光学特性の変動を高精度に 補正することが可能になる。
[0021] この場合において、照射装置と光学特性補正装置とは、いずれが先に光学系の光 学特性の調整を行っても良ぐ同時並行的に光学系の光学特性の調整をそれぞれ 行っても良い。
[0022] 本発明は、第 7の観点力 すると、物体をエネルギビームで露光して、前記物体上 に所定のパターンを形成する露光装置であって、少なくとも 1つの屈折光学素子と少 なくとも 1つの反射光学素子とを含み、前記物体側の端部とその反対側の端部とを含 む複数箇所で、光軸に対して偏心した領域をエネルギビームが通過する反射屈折 系力 成る光学系と;前記光学系の複数の光学素子のうち、前記エネルギビームが 光軸に対して偏心した位置を通過する所定の光学素子が前記光軸回りに同心円状 の温度分布を持つように、前記所定の光学素子の温度調整を少なくとも行って、前 記光学系の光学特性を調整する光学特性調整装置と；を備える第 2の露光装置であ る。
[0023] これによれば、光学特性調整装置により、反射屈折系から成る光学系の複数の光 学素子のうち、エネルギビームがその光軸に対して偏心した位置を通過する所定の 光学素子が前記光軸回りに同心円状の温度分布を持つように、所定の光学素子の 温度が調整され、光学系の光学特性が調整される。この場合、その光学特性の調整 後の上記光学素子の光軸回りの同心円状の温度分布に対応する光学系の光学特 性の変動は、容易に補正することが可能である。
[0024] 本発明は、第 8の観点力 すると、物体をエネルギビームで露光して、前記物体上 に所定のパターンを形成する露光装置であって、少なくとも 1つの屈折光学素子と少 なくとも 1つの反射光学素子とを含み、前記物体側の端部とその反対側の端部とを含 む複数箇所で、光軸に対して偏心した領域をエネルギビームが通過する反射屈折 系力 成る光学系と;前記光学系の複数の光学素子のうち、前記エネルギビームが 光軸に対して偏心した位置を通過する所定の光学素子が前記光軸に直交する面内 で一側から他側へ徐々に変化する温度分布を持つように、前記所定の光学素子の 温度調整を少なくとも行って、前記光学系の光学特性を調整する光学特性調整装置 と；を備える第 3の露光装置である。
[0025] これによれば、光学特性調整装置により、反射屈折系から成る光学系の複数の光 学素子のうち、エネルギビームがその光軸に対して偏心した位置を通過する所定の 光学素子が光軸に直交する面内で一側から他側へ徐々に変化する温度分布を持つ ように、所定の光学素子の温度が調整され、光学系の光学特性が調整される。この 場合、その光学特性の調整後の上記光学素子の光軸に直交する面内における一側 から他側へ徐々に変化する温度分布に対応する光学系の光学特性の変動は、容易 に補正可能である。
[0026] 本発明は、第 9の観点力 すると、物体を第 1エネルギビームで露光して、前記物体 上に所定のパターンを形成する露光装置であって、少なくとも 1つの屈折光学素子と 少なくとも 1つの反射光学素子とを含み、前記第 1エネルギビームを前記物体に対し て射出する反射屈折系から成る光学系と;前記光学系の光学特性を調整するために
、前記光学系の一部を構成する前記第 1エネルギビームが往復する屈折光学素子 に前記第 1エネルギビームとは異なる波長域の第 2エネルギビームを照射する照射 装置と；を備える第 4の露光装置である。
[0027] これによれば、照射装置により、光学系の一部を構成する第 1エネルギビームが往 復する屈折光学素子、換言すれば照射された第 1エネルギビームのエネルギ吸収が 第 1エネルギビームが 1度しか通過しない光学素子に比べて大きな屈折光学素子に 第 1エネルギビームとは異なる波長域の第 2エネルギビームを照射することができる ので、第 1エネルギビームの照射による光学系の光学特性の変動を効果的に補正す ることが可能になる。
[0028] 本発明は、第 10の観点力もすると、物体を第 1エネルギビームで露光して、前記物 体上に所定のパターンを形成する露光装置であって、少なくとも 1つの屈折光学素 子と少なくとも 1つの反射光学素子とを含み、互いに光学的に共役な複数の瞳を有し 、前記第 1エネルギビームを前記物体に対して射出する光学系と;前記光学系の光 学特性を調整するために、前記複数の瞳のうち、前記物体に最も近い瞳以外の瞳近 傍に位置する光学素子に前記第 1エネルギビームとは異なる波長域の第 2エネルギ ビームを照射する照射装置と；を備える第 5の露光装置である。
[0029] 一般に光学系の開口数 (NA)が大きくなると、光学系の複数の光学素子のうち、物 体に近い光学素子ほど大型化する傾向があるが、本発明では、照射装置により、光 学系の光学特性を調整するために、前記複数の瞳のうち、前記物体に最も近い瞳以 外の瞳近傍に位置する光学素子に第 1エネルギビームとは異なる波長域の第 2エネ ルギビームが照射されるので、比較的小さな光学素子に対して第 2エネルギビームを 照射することが可能になり、効率的な第 2エネルギビームの照射が可能となる。
[0030] また、リソグラフイエ程において、本発明の第 1〜第 5の露光方法のいずれかを用い てデバイスのパターンを物体上に形成することで、物体上にデバイスパターンを精度 良く形成することができる。従って、本発明は、別の観点からすると、本発明の第 1〜 第 5の露光方法のいずれかを用いてデバイスのパターンを物体上に形成するリソダラ フイエ程を含むデバイス製造方法であるとも言える。同様に、リソグラフイエ程におい て、本発明の第 1〜第 5の露光装置のいずれかを用いてデバイスのパターンを物体 上に形成することで、物体上にデバイスパターンを精度良く形成することができる。従 つて、本発明は、更に別の観点力 すると、本発明の第 1〜第 5の露光装置のいずれ かを用いてデバイスのパターンを物体上に形成するリソグラフイエ程を含むデバイス 製造方法であるとも言える。
図面の簡単な説明
[図 1]一実施形態に係る露光装置の構成を概略的に示す図である。
[図 2]投影光学系を非露光光照射機構とともに示す図である。
[図 3]非露光光照射機構 91の詳細な構成例を示す図である。
[図 4]瞳近傍のレンズ 111に非露光光を照射する照射機構の一例を説明するための 図であって、図 2の B— B線に沿った光学ユニット PUの断面図である。
[図 5]投影光学系の像面側及びノズル部材近傍を示す断面図である。
[図 6]ノズル部材を下力 見た図である。
[図 7]図 1の装置の制御系の主要部を示すブロック図である。
[図 8]図 8 (A)は、投影光学系のレンズ 90に回転対称な温度分布を発生させるため の非露光光の照射の様子を示す図、図 8 (B)はその非露光光の照射の結果、投影 光学系に回転対称な収差が発生した様子を示す図である。
[図 9]図 9 (A)は、投影光学系のレンズ 90に光軸に直交する面内で一側力 他側に 徐々に変化する温度分布を発生させるための非露光光の照射の様子を示す図、図 9 (B)はその非露光光の照射の結果、投影光学系に一側から他側に徐々に変化す る収差が発生した様子を示す図である。
[図 10]X軸ダイポール照明条件下における投影光学系の瞳面近傍のレンズ上での 照明光の光量分布を示す図である。
[図 11]Y軸ダイポール照明条件下における投影光学系の瞳面近傍のレンズ上での 照明光の光量分布を示す図である。
[図 12]Χ軸ダイポール照明条件下における投影光学系の瞳面近傍のレンズに生じる 温度分布を示す図である。
[図 13]Y軸ダイポール照明条件下における投影光学系の瞳面近傍のレンズに生じる 温度分布を示す図である。
[図 14]デバイス製造方法の実施形態を説明するためのフローチャートである。
[図 15]図 14のステップ 204の具体例を示すフローチャートである。
[図 16]図 16 (A)及び図 16 (B)は、背景技術を説明するための図である。
発明を実施するための最良の形態
[0032] 以下、本発明の一実施形態を図 1〜図 13に基づいて説明する。
[0033] 図 1には、一実施形態に係る露光装置 100の構成が概略的に示されている。この 露光装置 100は、ステップ ·アンド'スキャン方式の走査型露光装置、すなわちいわゆ るスキャナである。
[0034] 露光装置 100は、光源 16及び照明光学系 12を含む照明系、該照明系から射出さ れる露光用照明光 ILにより照明されるレチクル Rを保持して所定の走査方向（ここで は、図 1における紙面内左右方向である Υ軸方向とする）に移動するレチクルステー ジ RST、レチクル Rのパターンを物体としてのウェハ W上に投影する投影光学系 PL を含む投影ユニット PU、ウェハ Wを保持して水平面 (XY平面内）を移動するウェハ ステージ WST及び液浸機構、並びにこれらを制御する制御系等を備えて ヽる。
[0035] 光源 16としては、一例として波長 200ηπ！〜 170nmの真空紫外域の光を発するパ ルス光源である ArFエキシマレーザ（出力波長 193nm)が用いられている。
[0036] 前記照明光学系 12は、所定の位置関係で配置された、ビーム整形光学系 18、ェ ネルギ粗調器 20、オプティカル 'インテグレータ（ュニフォマイザ、又はホモジナイザ） 22、照明系開口絞り板 24、ビームスプリッタ 26、第 1リレーレンズ 28A、第 2リレーレ ンズ 28B、第 1レチクルブラインド 30A、第 2レチクルブラインド 30B、光路折り曲げ用 のミラー M及びコンデンサレンズ 32等を含む。なお、オプティカル 'インテグレータ 22 として、図 1ではフライアイレンズを用いているので、以下では「フライアイレンズ」とも 呼ぶ。また、オプティカル 'インテグレータ 22として内面反射型インテグレータ（ロッド' インテグレータなど)ある 、は回折光学素子などを用いても良!、。
[0037] 前記エネルギ粗調器 20は、光源 16から入射したレーザビーム LBの断面形状を整 形するビーム整形光学系 18後方のレーザビーム LBの光路上に配置されている。こ のエネルギ粗調器 20は、透過率（= 1 減光率)の異なる複数個（例えば 6個）の減 光フィルタ（以下では NDフィルタとも呼び、図 1ではそのうちの 2個の NDフィルタが 示されている）が円周方向に沿って所定間隔で配置された回転板 (レボルバ） 34を有 し、その回転板 34を駆動モータ 38で回転することにより、入射するレーザビーム LB に対する透過率を 100%から複数段階で切り換えることができるようになって 、る。駆 動モータ 38は、主制御装置 50によって制御される。なお、エネルギ粗調器 20はレー ザビーム LBの透過率を連続的に可変とするものでも良い。
[0038] エネルギ粗調器 20のレーザビーム LBの光路後方では、円板状部材から成る照明 系開口絞り板 24がフライアイレンズ 22を介して配置されている。この場合、照明系開 口絞り板 24は、フライアイレンズ 22の射出側焦点面、本実施形態では照明光学系 1 2の瞳面にほぼ一致に配置されている。照明系開口絞り板 24には、等角度間隔で、 複数種類の開口絞り（図 1では 2種類の開口絞りのみが図示されている）が配置され ている。この複数種類の開口絞りは、例えば通常の円形開口より成る開口絞り（通常 絞り）、小さな円形開口より成り、通常絞りよりもコヒーレンスファクタである σ値を小さ くするための開口絞り（小 σ絞り）、輪帯照明用の輪帯状の開口絞り、及び変形光源 法 (多極照明）用に複数の開口を偏心させて配置して成る複数種類の変形開口絞り (例えば、 X軸ダイポール照明条件設定用の 2極絞り、及び Υ軸ダイポール照明条件 設定用の 2極絞りなど)等を含む。この照明系開口絞り板 24は、主制御装置 50により 制御されるモータ等の駆動装置 40により回転されるようになっており、これによりいず れかの開口絞りが照明光 ILの光路上に選択的に設定され、照明系開口絞り板 24の 配置面、すなわち照明光学系 12の瞳面上に種々の形状、大きさの 2次光源が形成 される。本実施形態では、開口絞り板 24によって照明光学系 12の瞳面上での照明 光 ILの強度分布 (すなわち、レチクル Rの照明条件)を変更可能としているが、これに 限らず、開口絞り板 24の代わりに、例えば交換可能な回折光学素子、光軸方向の間 隔が可変である複数のプリズム (アキシコンなど）、及びズーム光学系を含む成形光 学系を用いても良い。
[0039] 前記照明系開口絞り板 24後方の上記 2次光源力も射出されるレーザビーム LB、す なわち照明光 ILの光路上に、反射率が小さく透過率の大きなビームスプリッタ 26が 配置され、更にこの後方の光路上に、第 1レチクルブラインド（固定視野絞り） 30A及 び第 2レチクルブラインド（可動視野絞り） 30Bを介在させて第 1リレーレンズ 28A及 び第 2リレーレンズ 28Bを含むリレー光学系が配置されている。
[0040] 第 1レチクルブラインド 30Aは、レチクル Rのパターン面に対する共役面力 僅かに デフォーカスした面に配置され、レチクル R上の照明領域 IARを規定する。また、この 第 1レチクルブラインド 30Aの配置面の近傍に第 2レチクルブラインド 30Bが配置され 、走査露光の開始時及び終了時にその第 2レチクルブラインド 30Bを用いて照明領 域 IARを更に制限することによって、ウエノ、 Wの不要な露光が防止されるようになつ ている。
[0041] 第 2リレーレンズ 28B後方の照明光 ILの光路上には、当該第 2リレーレンズ 28Bを 通過した照明光 ILをレチクル Rに向けて反射する折り曲げミラー Mが配置され、この ミラー Mの後方の照明光 ILの光路上にコンデンサレンズ 32が配置されている。
[0042] 一方、照明系開口絞り板 24の 1つの開口絞りを射出して、ビームスプリッタ 26の一 方の面 (表面)で反射された照明光 ILは、集光レンズ 44を介して光電変換素子より 成るインテグレータセンサ 46で受光され、インテグレータセンサ 46の光電変換信号 力 不図示のホールド回路及び AZD変^^などを介して出力 DS (digit/pulse)とし て主制御装置 50に供給される。インテグレータセンサ 46としては、例えば真空紫外 域で感度があり、且つ光源 16からのパルス光を検出するために高い応答周波数を 有する PIN型のフォトダイオード等が使用できる。
[0043] また、ビームスプリッタ 26の他方の面 (裏面)で反射した光を受光するために、照明 光学系 12の瞳面と共役な位置に光電変換素子よりなる反射量モニタ 47が配置され ている。本実施形態では、ウェハ Wで反射された照明光 IL (反射光）は、投影光学系 PL、コンデンサレンズ 32、ミラー M、リレー光学系を介してビームスプリッタ 26に戻り 、ビームスプリッタ 26で反射された光が反射量モニタ 47で受光され、反射量モニタ 4 7の検出信号が主制御装置 50に供給されるようになっている。反射量モニタ 47は、 光学系の照明光吸収による結像特性 (諸収差)の変動、いわゆる照射変動を算出す るための基礎となるウェハ反射率の測定に用いられる。 [0044] 従って、インテグレータセンサ 46の出力信号よりレチクル Rを介して投影光学系 PL 及び該投影光学系 PLとウェハ Wとの間に満たされた液体 Lqlを通過する照明光 IL の光量 (第 1光量とする）がモニタされ、反射量モニタ 47の検出信号よりウェハ Wで反 射されて液体 Lql及び投影光学系 PLを再び通過する反射光の光量 (第 2光量とす る）がモニタできるため、その第 1光量と第 2光量とに基づいて、投影光学系 PL及び 液体 Lqlを通過する光の全光量がより正確にモニタできるようになつている。後述す るように、本実施形態では、投影光学系 PLを構成する最も像面に近い光学素子とこ れに隣接する光学素子との間の空間にも液体 Lq2 (図 5参照）が満たされるようにな つているが、液体 Lq2は、投影光学系 PLを構成する光学素子の一部であるとみなし 、ここでは、液体 Lqlのみを投影光学系 PLとは別に説明したものである。
[0045] 前記レチクルステージ RST上には、レチクル Rが載置され、不図示のバキュームチ ャック等により吸着保持されている。レチクルステージ RSTは、例えばリニアモータ方 式のレチクルステージ駆動系 48 (図 1では不図示、図 7参照）によって、水平面 (XY 平面）内で微小駆動可能であるとともに、走査方向（ここでは図 1の紙面左右方向で ある Y軸方向とする）に所定ストローク範囲で走査される。レチクルステージ RSTの位 置は、レチクルステージ RSTの鏡面カ卩ェされた側面 (反射面）を使って外部のレチク ルレーザ干渉計 53 (図 1では不図示、図 7参照）によって計測され、このレチクルレー ザ干渉計 53の計測値が主制御装置 50に供給される。
[0046] 本実施形態では、前記投影ユニット PUは、図 1に示されるように、レチクルステージ RSTの下方に配置されている。投影ユニット PUは、鏡筒 140と、該鏡筒 140内に所 定の位置関係で保持された複数の光学素子を有する投影光学系 PLとを含む。また 、本実施形態では、投影光学系 PLとしては、反射屈折系（カタディ *ォプトリック系）が 用いられている。
[0047] 本実施形態の露光装置 100では、後述するように液浸法を適用した露光が行われ るため、開口数 NAが実質的に増大することに伴いレチクル側の開口が大きくなる。 このため、レンズのみで構成する屈折光学系においては、ペッツヴァルの条件を満足 することが困難となり、投影光学系が大型化する傾向にある。かかる投影光学系の大 型化を避けるために、投影光学系 PLとして反射屈折系を採用したものである。 [0048] 図 2には、投影光学系 PLの構成例が、レチクル R (レチクルステージ RST)及びゥ ェハ W (ウェハステージ WST)とともに示されている。この投影光学系 PLは、前述の 鏡筒 140の内部に、所定の位置関係で配置された 3つの結像光学系 Gl、 G2、 G3 等を含み、全体として縮小光学系（投影倍率は、例えば 1Z4倍、 1Z5倍又は 1Z8 倍)である。ここで、本実施形態の投影光学系 PLの各レンズの素材としては、光源が ArFエキシマレーザであることに対応して石英及び Z又は蛍石が用いられて 、る。
[0049] 投影光学系 PLは、レチクル Rに形成されたパターンの一次像を形成する屈折型の 第 1結像光学系 G1と、当該一次像を再結像して二次像を形成する反射屈折型の第 2結像光学系 G2と、当該二次像をウェハ上に再結像して最終像を形成する第 3結像 光学系 G3とを備える。図 2に示されるように、この投影光学系 PLは、第 1結像光学系 G1の内部に第 1瞳 PP1を有し、第 2結像光学系 G2の一部を構成するレンズ 111の 近傍に第 2瞳 PP2を有し、第 3結像光学系 G3の内部に第 3瞳 PP3を有している。第 1 瞳 PP1と、第 2瞳 PP2と、第 3瞳 PP3とは、互いに光学的に共役であるとともに、これ ら 3つの瞳 PP1〜PP3は照明光学系 12の瞳とも光学的に共役である。従って、第 1 瞳 PP1、 PP2、 PP3の位置〖こは、照明光学系 12の瞳面に形成される 2次光源の像 が結像される。第 3瞳 PP3の位置に、投影光学系 PLの開口数 (NA)を規定するため の開口絞り ASが設けられている。
[0050] 第 1結像光学系 G1と第 2結像光学系 G2との間の光路中及び第 2結像光学系 G2と 第 3結像光学系 G3との間の光路中には、光路折曲げ鏡 FMが配置される。第 1結像 光学系 G1の光軸 AX1と第 3結像光学系 G3の光軸 AX3とは共軸であり、これらの光 軸 AX1, AX3と第 2結像光学系 G2の光軸 AX2とは一点で交差する。この交差点に は、光路折曲げ鏡 FMが有する 2つの反射面の仮想的な頂点 (稜線)が位置する。
[0051] この投影光学系 PLでは、第 2結像光学系 G2の一部を構成する凹面反射鏡 Mlが 正の屈折力を持ちつつペッツヴァル和への寄与は負レンズと同様であるため、凹面 反射鏡 Mlと正レンズとの組み合わせによりペッツヴァル和の補正が容易に可能であ り、像面湾曲を良好に補正できる。これにより、大きな像側開口数 NAであっても、有 効結像領域 (実効露光領域)の全体に亘つて球面収差やコマ収差を良好に補正でき る。そして、第 2結像光学系 G2中には 1以上の負レンズが配置されており、これらの 負レンズと凹面反射鏡 Mlとの協働によって、第 1結像光学系 Gl及び第 3結像光学 系 G3で生じる色収差を補償して 、る。
[0052] この投影光学系 PLのような反射屈折系を用いる場合には、凹面反射鏡 Mlに向か つて進む光と凹面反射鏡 Mlで反射されて戻る光とを如何に分離するかが課題にな る。本実施形態の投影光学系 PLは、図 6に示されるように光軸 AX (すなわち光軸 A XI, AX3)に対して Y側に距離 Aだけ偏心した実効露光領域 (有効結像領域) IA を有しており、光路中に 2つの中間像 (前述の一次像及び二次像)を形成して 、る。 そして、 2つの中間像の近傍に光路分離用の平面反射鏡、すなわち光路折曲げ鏡 F Mの 2つの反射面を配置して、凹面反射鏡 Mlに向力つて進む光と凹面反射鏡 Ml で反射されて戻る光とを容易に分離している。この構成により、露光領域 (すなわち 実効露光領域) IAの光軸 AXからの距離 A、すなわち軸外し量を小さく設定できる。 これは、収差補正の点で有利となるだけでなぐ投影光学系 PLの小型化、光学調整 、機械設計、製造コストなどの点でも有利となる。そして、 2つの中間像を光路折曲げ 鏡 FMよりも凹面反射鏡 M 1側に形成することにより、さらに軸外し量を小さく設定でき る。
[0053] また、レチクル R上では、上記の実効露光領域 IAの偏心に対応して、光軸 AXから
Y方向に軸外し量 Aに対応する所定距離だけ離れた位置に、実効露光領域 IAに 対応した大きさ及び形状を有する矩形状の照明領域 (すなわち実効照明領域) IAR が形成される（図 2参照)。
[0054] 投影光学系 PLの複数の光学素子のうち、終端光学素子 191を除ぐ最もウェハに 近い位置に配置された光学素子である境界レンズ 192 (以下、適宜、「光学素子 192 」とも記述する）は、レチクル側に凸面を有する。換言すれば、境界レンズ 192のレチ クル側の面は、正の屈折力を有する。そして、境界レンズ 192とウェハ Wとの間の光 路中には、平行平面板力も成る終端光学素子 191が配置されている。さらに、境界レ ンズ 192と終端光学素子 191との間の光路及び終端光学素子 191とウェハ Wとの間 の光路は、 1. 1よりも大きい屈折率を有する液体で満たされている。本実施形態では 、いずれの光路も ArFエキシマレーザ光すなわち波長 193nmの照明光 ILに対する 屈折率が 1. 44の純水で満たされている。純水は ArFエキシマレーザ光のみならず、 例えば水銀ランプ力 射出される紫外域の輝線 (g線、 h線、 i線)及び KrFエキシマレ 一ザ光 (波長 248nm)等の遠紫外光 (DUV光)も透過可能である。
[0055] 本実施形態では、投影光学系 PLの複数のレンズのうちの特定の複数のレンズ、例 えば第 1結像光学系 G1に含まれる複数のレンズのうちの例えば最もレチクル Rに近 いレンズ 90を含む複数枚 (例えば 5枚）のレンズ (以下、「可動レンズ」とも呼ぶ）は、 主制御装置 50からの指令に基づいて、図 1に示される結像特性補正コントローラ 52 によって駆動され、投影光学系 PLを含む光学系の光学特性 (結像特性を含む)、例 えば倍率、ディストーション、コマ収差、及び像面湾曲などの回転対称な結像特性、 及び光軸に直交する面内で一側から他側に徐々に変化する光学特性、例えば像面 傾斜などを調整できるようになつている。ここで、「回転対称」とは、通常の意味におけ る「回転対称」、すなわち、「一つの図形等を一定軸 (対称軸)まわりに一定の角度だ け回転しても変わらな!/、性質」とは異なり、「一つの図形等を一定軸 (対称軸)まわり に 0° 〜360° のいかなる角度で回転させても変わらない性質」を意味し、これ以外 の場合は全て非回転対称である。本明細書では、力かる意味で回転対称及び非回 転対称なる用語を用いる。
[0056] 図 2から明らかなように、本実施形態に係る投影光学系 PLでは、最もレチクル尺に 近いレンズ 90や終端光学素子 191などでは、照明光 ILが光軸 AXから離れた領域を 通過するので、前述の背景技術で説明したような非回転対称な温度分布が発生し、 これにより投影光学系 PL (液体 Lq2を含む)及び液体 Lqlを含む光学系（以下、光 学系 PLLと呼ぶ）に非回転対称な結像特性 (収差)が発生するが、この非回転対称 な収差は、結像特性補正コントローラ 52によるレンズ 90を含む可動レンズの駆動で は実質的に補正できない。
[0057] 本実施形態においては、終端光学素子 191として平行平面板が用いられていると ともに、その上下両面に液体 Lq2、 Lqlが接しているので、終端光学素子 191の面 内温度分布の不均一性に起因して発生する光学系 PLLの非回転対称な収差は殆 ど無視できるレベルであると考えられる。
[0058] そこで、本実施形態では、その光学系 PLLの非回転対称な収差を補正するために 、図 1において、投影光学系 PLの最もレチクルに近いレンズ 90に、照明光 ILとは異 なる波長域の収差補正用の光 (以下、非露光光と言う） NL (図 1では、非露光光 NL
k
、 NLが代表的に示されている）を照射する。以下、その非露光光 NLをレンズ 90に 照射するための非露光光照射機構 91について説明する。
[0059] 本実施形態では、非露光光 NLとして、ウェハ Wに塗布されたレジストを殆ど感光さ せない波長域の光を使用する。そのため、非露光光 NLとして、一例として炭酸ガス レーザ (COレーザ)からパルス発光される、例えば波長 10. の赤外光を使用
2
する。なお、炭酸ガス (CO )レーザ光として連続光を用いても良い。この波長 10. 6
2
mの赤外光は、石英の吸収性が高ぐ投影光学系 PL中の 1枚のレンズによってほ ぼ全て（望ましくは 90%以上）吸収されるため、他のレンズに対して影響を与えること なぐ収差を制御するために使用し易いという利点がある。また、本実施形態のレンズ 90に照射された非露光光 NLは、 90%以上が吸収されるように設定されており、レン ズ 90の所望部分を効率的に加熱することができる。なお、非露光光 NLとしては、炭 酸ガスレーザ光の他に、 YAGレーザなどの固体レーザ光力 射出される波長 1 μ m 程度の近赤外光、又は半導体レーザから射出される波長数 m程度の赤外光なども 使用することができる。すなわち、非露光光 NLを発生する光源は、非露光光 NLが 照射される光学部材 (レンズなど)の材料などに応じて最適なものを採用することがで きる。また、図 2などにおいて、レンズ 90は凸レンズのように描かれている力 凹レン ズであっても良い。
[0060] 図 1及び図 2に示されるように、非露光光照射機構 91の光源系 92から射出された 非露光光 NLは、ミラー光学系 93によって、レンズ 90に向力 複数 (ここでは n個（nは 8以上の整数とする））の光路、及び光電センサ 94 (図 1では不図示、図 2参照）に向 力う 1つの光路にそれぞれ対応して分岐される。光電センサ 94で検出される非露光 光 NLの光量に対応する検出信号は、光源系 92にフィードバックされている。また、 その n個の光路の内の 2つの光路の非露光光 NLが、投影光学系 PLを X軸方向に挟 むように配置された 2つの照射機構 95及び 95を介してそれぞれ非露光光 NL及び
k n k
NLとしてレンズ 90に照射される。
[0061] 図 3には、非露光光照射機構 91の詳細な構成例が示されている。この図 3におい て、光源系 92は、光源 92A及び制御部 92Bを含む。そして、光源 92Aから射出され た非露光光 NLは、それぞれ非露光光 NLの光路を 90度折り曲げる状態（閉じた状 態）と非露光光 NLをそのまま通過させる状態（開 、た状態）との何れかに高速に切り 換えること力 Sできる可動ミラー、 f列えば、、ガノレノ ノミラー 96 , 96 ,…… , 96 ,…… 96
1 2 k n
, 96を経て光電センサ 94に入射し、光電センサ 94の検出信号が制御部 92Βに供 給されている。ガルバノミラー 96〜96が図 1のミラー光学系 93に対応し、制御部 92
1 η
Βは、主制御装置 50からの制御情報に応じて光源 92Αの発光のタイミング、出力、 及びガルバノミラー 96〜96の開閉を個別に制御する。
1 η
[0062] また、 η個のガルバノミラー 96〜96それぞれで光路が折り曲げられた非露光光 Ν
1 η
Lは、それぞれ光ファイバ束 103〜103 (又は金属管等も使用できる）を介して照射
1 η
機構 95〜95に導かれている。
1 η
[0063] ここで、図 3では、ガルバノミラー、光ファイバ束、及び照射機構は、いずれも 8個図 示されているが、実際には、これらは η個（η≥8)存在する。この η個の照射機構 95
1
〜95の内の照射機構 95及び 95は、集光レンズ 97と、小さい所定の反射率を持つ n k n
ビームスプリッタ 98と、光ファイバ束又はリレーレンズ系等力もなる光ガイド 99と、集 光レンズ 101と、集光レンズ 97及び光ガイド 99をビームスプリッタ 98に固定する保持 枠 102とを備えている。
[0064] なお、集光レンズ 97の代わりに、発散作用を有するレンズを用いて非露光光 NLを 広げるようにしても良い。非露光光 NLは、照射機構 95及び 95からそれぞれ非露光 k n
光 NL及び NLとして投影光学系 PL内のレンズ 90に照射される。その他の照射機 k n
構 95 , 95 , · ··, 95 , 95 , - --95 は、照射機構 95及び 95と同様に構成され、
1 2 k-1 k+1 n-1 k n
非露光光 NLは、照射機構 95 , 95 , · ··, 95 , 95 , -95 からそれぞれ非露光
1 2 k-1 k+1 n-1
光 NL， NL，…， NL ， NL ，〜NL として投景光学系 PL内のレンズ 90に照射
1 2 k-1 k+1 n-1
される。
[0065] なお、非露光光 NL〜NLが照射される光学部材、並びにその光学部材上での非
1 n
露光光 NL〜NLの照射領域の形状及びサイズは、実験やシミュレーションによりで
1 n
きるだけ非回転対称な収差が低減されるように決定される。また、非露光光 NL〜N
1
Lが照射される光学部材、並びにその光学部材上での非露光光 NL〜NLの照射 領域の形状及びサイズは、低減すべき収差に応じて決定される。例えば図 3におい て、照射機構 95〜95内の光学部材の位置を可動とすることによって、非露光光 N
1 n
L〜NLの照射領域の形状やサイズを変えることができる。なお、照射機構 95〜95
1 n 1 そのもの、あるいは照射機構 95〜95内部の光学部材を可動にして、非露光光 NL 〜NLの照射領域の位置を調整できるように構成することもできる。
1 n
[0066] また、照射機構 95〜95にはそれぞれビームスプリッタ 98で反射された一部の非
1 n
露光光をそれぞれ受光する光電センサ 104〜104が設けられており、 n個の光電セ
1 n
ンサ 104〜104の検出信号も制御部 92Bに供給されている。制御部 92Bは、光電
1 n
センサ 104〜104の検出信号によって、照射機構 95〜95から投影光学系 PL内
1 n 1 n
のレンズ 90に照射される直前の非露光光 NL〜NLの光量を正確にモニタすること
1 n
ができ、このモニタ結果に基づいて非露光光 NL〜NLの照射量の各々が、例えば
1 n
主制御装置 50によって指示された値になるようにする。投影光学系 PLの直前で、光 電センサ 104〜104によって非露光光 NLの照射量を計測することによって、光ファ
1 n
ィバ束 103〜103の長さ（光路長）が様々であっても、更に光学系等の経時変化の
1 n
影響を受けることなぐレンズ 90に照射される非露光光 NL〜NLの照射量を正確に
1 n
モニタできる。
[0067] なお、光電センサ 104〜104のモニタ結果に基づいて非露光光 NL〜NLの照
1 n 1 n 射量を制御する場合、光電センサ 104〜104の各々が較正されていることが望まし
1 n
い。例えば、非露光光 NL〜NLをレンズ 90に照射したときのレンズ 90の温度分布
1 n
を計測して、その温度分布が所望状態となるように光電センサ 104〜104の各々を
1 n 較正することができる。あるいは、非露光光 NL〜NLをレンズ 90に照射したときの
1 n
結像特性 (収差)の状態を計測して、その結像特性 (収差)が所望状態となるように、 光電センサ 104〜104の各々を較正することもできる。また、光電センサの較正を
1 n
行う場合には、非露光光 NL〜NLのすベてをレンズ 90に照射しても良いし、非露
1 n
光光 NL〜NLの使用条件に合わせて、その一部（例えば、非露光光 NLと NL )を
1 n k n レンズ 90に照射しても良い。
[0068] 照射機構 95及び 95は、それぞれ鏡筒 140の上端部近傍に設けられた開口内に k n
、レンズ 90に向力つて僅かに斜め下方に傾斜するように配置されている。そして、照 射機構 95及び 95から射出される非露光光 NL及び NLは、照明光 ILの光路に斜 k n k n めに交差する方向からレンズ 90に入射する。図 3の他の照射機構 95 , 95 , · ··, 95
1 2 k
, 95 , - --95 も同様に、鏡筒 140の開口に同じ傾斜角で配置されており、それら
-1 k+1 n-1
からの非露光光 NL， NL，…， NL ， NL ， も照明光光 ILの光路に斜め
1 2 k-1 k+1 n-1
に交差する方向力もレンズ 90に入射する。
[0069] 非露光光 NL〜NLのそれぞれが照明光 ILの光路と交差するように照明光 ILの光
1 n
軸に向力つて照射可能であるため、投影光学系 PLの一部の光学部材 (レンズ 90)を 、投影光学系 PLの他の光学部材を介さずに効率的に照射することができる。さらに、 非露光光 NL〜NLのレンズ 90上での光路が長くなり、非露光光 NL〜NLはレン
1 n 1 n ズ 90で殆どが吸収されるため、投影光学系 PLの他の光学部材への非露光光 NLの 入射は殆どなぐ非露光光 NL〜NLは、投影光学系 PLから殆ど射出されなくなる。
1 n
[0070] また、投影光学系 PLの一部の光学部材 (レンズ 90)の光学面、すなわち照明光 IL が入射 (あるいは射出）し得る領域に部分的に非露光光 NLを照射しているので、レ ンズ 90の温度分布を、さらには投影光学系 PLの結像特性をより効果的、且つ短時 間で調整することが可能である。
[0071] なお、照射機構 95及び 95 (他の照射機構 95 , 95 , · ··, 95 , 95 , - --95 も k n 1 2 k-1 k+1 n-1 同様)を、それぞれ鏡筒 140に設けられた開口内に、レンズ 90に向力つて僅か〖こ斜 め上方に傾斜するように配置して、非露光光 NL及び NLでレンズ 90の底面（下面 k n
Z射出面)側を照明しても良い。この場合には、非露光光 NL
1〜NL
nの投影ユニット
PUのウェハ側力も漏れ出る量を更に低減することができる。
[0072] 本実施形態では、光源 92A、制御部 92B、ガルバノミラー 96〜96、光ファイバ束
1 n
103〜103、照射機構 95〜95、及び光電センサ 104〜104等を含んで非露光
1 n 1 n 1 n
光照射機構 91が構成されている。そして、例えば 2つの非露光光 NL及び NLのみ k n をレンズ 90に照射する揚合には、ガルバノミラー 96〜96を全部開いた状態 (非露
1 n
光光 NLを通過させる状態)から、ガルバノミラー 96を所定時間だけ閉じる動作 (非 k
露光光 NLを反射する状態)と、ガルバノミラー 96を所定時間だけ閉じる動作とを交 互に繰り返せば良 、。収差への影響が無!、十分短!、時間（例えば lmsec)でガルバ ノミラーを切り換えることにより、収差への影響を無くすことができる。また、本実施形 態の非露光光 NLはパルス光であるため、ガルバノミラー 96〜96の開閉動作は所
1 n 定パルス数を単位として行っても良い。同様に、他の非露光光をレンズ 90に照射す る場合には、対応するガルバノミラーを所定時間だけ閉じる動作と開く動作とを交互 に繰り返せば良い。このようにガルバノミラー 96〜96を用いることによって、非露光
1 n
光 NLの光量損失が殆ど無い状態でレンズ 90のレンズ面の複数箇所を所望の光量 で効率的に照射することができる。
[0073] なお、非露光光 NLの照射される領域の数や位置 (照射機構の数や位置）は、投影 光学系 PL内での照明光 ILの光量分布、非露光光 NLで調整される収差の種類、そ の収差の許容値などに応じて定められる。
[0074] また、本実施形態において、ガルバノミラー 96〜96を用いる代わりに、例えば固
1 n
定のミラー及びビームスプリッタを組み合わせて非露光光 NLを複数の光束に分岐し 、これらの光束を、シャツタを用いて開閉しても良い。この構成では、複数箇所を同時 に非露光光 NLで照射することができる。更に、光源として例えば炭酸ガスレーザ又 は半導体レーザを用いる場合には、レンズ 90に対して必要な照射領域の個数（図 3 では 8個）だけその光源を用意し、それらの光源の発光のオン'オフ若しくはシャツタ によって、非露光光 NLを照射するレンズ 90上の照射領域の個数、各照射領域での 照射量などを直接制御しても良 、。
[0075] さらに、例えば、ダイポール照明（2極照明）その他の変形照明条件下では、投影光 学系 PLの瞳面において、光軸 AXから偏心した領域を照明光 ILが通り、これにより投 影光学系 PLの第 1瞳 PP1、第 2瞳 PP2、第 3瞳 PP3に非回転対称な温度分布が生 じる。この非回転対称な温度分布は投影光学系 PL (光学系 PPL)の非回転対称な 収差 (変動)を招く。
[0076] 力かる点に鑑み、本実施形態の露光装置 100では、図 2に示されるように、第 2瞳 P P2近傍に位置するレンズ 111に照明光 ILとは異なる波長域の収差補正用の光（以 下、非露光光と言う）を照射する非露光光照射機構 91Aが設けられている。この非露 光光照射機構 91 Aによって照射される非露光光としては、ウェハ Wに塗布されたレ ジストを殆ど感光させない波長域の光、一例として前述の炭酸ガスレーザ (COレー
2 ザ)からパルス発光される、例えば波長 10. 6 mの赤外光を使用している。以下で は、この非露光光照射機構 91A力 照射される非露光光を非露光光 NEと記述する [0077] なお、非露光光 NEとしては、炭酸ガスレーザ光の他に、 YAGレーザなどの固体レ 一ザ光力 射出される波長 1 μ m程度の近赤外光、又は半導体レーザから射出され る波長数/ z m程度の赤外光なども使用することができる。すなわち、非露光光 NEを 発生する光源は、非露光光 NLが照射される光学部材 (レンズなど）の材料などに応 じて最適なものを採用することができる。
[0078] 非露光光照射機構 91Aは、前述の非露光光照射機構 91と同様に光源系 92'、ミ ラー光学系 93A、光電センサ 94A及び複数 (ここでは 8個）の照射機構 95A
1〜95A 8
(図 4参照)等を備えている。光源系 92'は、前述の光源系 92と同様に、光源及び制 御部を含む。また、ミラー光学系 93Aは、前述のミラー光学系 93と同様に、それぞれ 非露光光 NEの光路を 90度折り曲げる状態（閉じた状態）と、非露光光 NLをそのまま 通過させる状態（開いた状態）とを高速に切り換えることができる複数、ここでは 8個の 可動ミラー、例えば、ガルバノミラーによって構成されている。
[0079] 8個のガルバノミラーで順次光路が折り曲げられた非露光光 NEは、それぞれ光フ アイバ束（図示せず)を介して図 2の B— B線に沿った投影ユニット PUの断面を示す 図 4に示される照射機構 95A 95A (95A かれている。照射機構 95A
1〜 )に導
n 8 1〜95
Aは、前述の照射機構 95と同様に構成されており、非露光光 NE 射領
8 1〜NEの照
8 域の位置、大きさ及び形状を、それぞれ調整できる。照射機構 95A
1〜95A
8の射出 端は、図 4に示されるように、レンズ 111 (第 2瞳 PP2近傍に位置するとともに、第 2結 像光学系 G2の一部を構成するレンズ)の側面に対向する状態で、鏡筒 140に取り付 けられている。従って、照射機構 95A〜95Aは、非露光光 NE〜NEをそれぞれレ ンズ 111の側面に対して照射可能な構成となっている。なお、本実施形態において は、非露光光 (NE
1〜NE )がレンズ 111の側面に照射されるので、非露光光 (NE 8 1
〜NE )の照射領域は、レンズ 111の周方向に長い楕円形である。
8
[0080] 前記光源系 92'の一部を構成する制御部によって、主制御装置 50からの制御情 報に応じて光源の発光のタイミング、出力、及びガルバノミラーの開閉が制御される。
[0081] また、照射機構 95A た
1〜95Aの一部を構成する各ビームスプリッタで反射され
n 一 部の非露光光 NEをそれぞれ受光する光電センサ 104A〜104Aが設けられており 、 8個の光電センサ 104A〜104Aの検出信号も光源系 92'の一部を構成する制御
1 8
部に供給されている。その制御部は、光電センサ 104A〜104Aの検出信号によつ
1 8
て、照射機構 95A〜95A力も投影光学系 PL内のレンズ 111に照射される直前の
1 8
非露光光 NE〜NEの光量を正確にモニタすることができ、このモニタ結果に基づい
1 8
て非露光光 NL〜NLの照射量の各々が、例えば主制御装置 50によって指示され
1 n
た値になるようにする。
[0082] なお、光電センサ 104A〜104Aのモニタ結果に基づいて非露光光 NE〜NEの
1 8 1 8 照射量を制御する場合、前述と同様にして、光電センサ 104A〜104Aの各々が較
1 8 正されていることが望ましい。また、本実施形態において、非露光光照射機構 91Aの 照射機構（95A〜95A )の数は 8個に限らないが、照射機構の数が多いほど、レン
1 8
ズ 111の温度 (温度分布）をより高精度に制御することができる。
[0083] また、前述の非露光光照射機構 91の場合と同様に、照射機構 (95A〜95A )から
1 8 レンズ 111に照射される非露光光 (NE〜NE )の数、位置、形状、大きさ及び照射
1 8
量は、レンズ 111における照明光 ILの光量分布、非露光光 (NE〜NE )の照射によ
1 8
つて調整される収差の種類、その収差の許容値などに応じて決定される。
[0084] 図 1に戻り、前記ウェハステージ WSTは、投影光学系 PLの下方で不図示のベース の上方に配置され、リニアモータ等を含むウェハステージ駆動系 56によって、 XY面 内（Z軸回りの回転（ Θ z回転)を含む)で自在に移動される。また、ウェハステージ W STは、ウェハステージ駆動系 56の一部であるァクチユエータによって、 Z軸方向、及 び XY面に対する傾斜方向（X軸回りの回転方向（ θ X方向）及び Y軸回りの回転方 向（ 0 y方向））へ微小移動される。なお、ウェハステージ駆動系 56は Z軸方向及び X Y平面に対する傾斜方向に加えて、ウェハステージ WSTを XY面内で微小移動させ るァクチユエータを備えて ヽても良 、。
[0085] ウェハステージ WSTの XY平面内での位置、及び回転（ョーイング（Z軸回りの回転 である Θ z回転）、ピッチング (X軸回りの回転である θ X回転）、ローリング (Y軸回りの 回転である Θ y回転)）は、ウェハステージ WSTに設けられた反射面を使ってウェハ レーザ干渉計 54によって常時検出されている。
[0086] ウェハステージ WSTの位置情報 (又は速度情報）は主制御装置 50に供給される。 主制御装置 50は、ウェハステージ WSTの上記位置情報 (又は速度情報）に基づき、 ウェハステージ駆動系 56を介してウェハステージ WSTを制御する。
[0087] ウェハステージ WST上の所定位置には、複数の基準マークを有する基準部材 (不 図示）が設けられている。また、ウェハステージ WST上のウェハ Wの近傍に例えば 特開昭 57— 117238号公報及びこれに対応する米国特許第 4, 465, 368号明細 書などに開示されているような照度むらセンサ 21Pが設けられている。照度むらセン サ 21Pの受光面はウェハ Wの表面と同じ高さに設定されて、ピンホール状の受光部（ 不図示）が形成されている。更に、ウェハステージ WST上には、露光領域 IAよりも広 ぃ受光部（不図示）が形成された例えば特開平 11— 16816号公報及びこれに対応 する米国特許出願公開第 2002Z0061469号明細書などに開示されているような 照射量モニタ 58がその受光面がウェハ Wの表面とほぼ同一面に位置する状態で設 けられている。照射量モニタ 58及び照度むらセンサ 21Pにより、投影光学系 PLを通 過した照明光 ILを投影光学系 PLの像面又はその近傍の面上で受光できる。
[0088] 照射量モニタ 58及び照度むらセンサ 21Pとしては、照明光 ILと同じ波長域 (例えば 波長 300ηπ！〜 lOOnm程度）に対して感度があり、且つ照明光 ILを検出するために 高 、応答周波数を有するフォトダイオード、又はフォトマルチプライア等の光電変換 素子が使用できる。照射量モニタ 58及び照度むらセンサ 21Pの検出信号 (光電変換 信号)が不図示のホールド回路及びアナログ Zデジタル (A/D)変換器などを介し て主制御装置 50に供給されている。本国際出願で指定した指定国 (又は選択した選 択国）の国内法令が許す限りにおいて、上記各公報及び対応米国特許における開 示を援用して本明細書の記載の一部とする。
[0089] 前記液浸機構は、第 1液体供給ユニット 68、第 2液体供給ユニット 72、第 1液体回 収ユニット 69、第 2液体回収ユニット 73及びノズル部材 70、並びにこれら各部に接 続された配管系等を備えて!/、る。
[0090] 前記ノズル部材 70は、ウェハ W (ウェハステージ WST)の上方において鏡筒 140 の下端部の周りを囲むように設けられた環状部材である。このノズル部材 70は、投影 ユニット PUを防振装置 (不図示)を介して保持する不図示のメインコラムに不図示の 支持部材を介して支持されて 、る。 [0091] 前記第 1液体供給ユニット 68は、供給管 66を介してノズル部材 70に接続されてい る。この第 1液体供給ユニット 68は、供給管 66を介して液体 Lqlを投影光学系 PLの 最も像面に近い終端光学素子 191 (図 5参照）とウェハ W (ウェハステージ WST)との 間の第 1空間 K1 (図 5参照）に供給するためのものである。この第 1液体供給ユニット 68は、液体 Lqlを収容するタンク、供給する液体 Lqlの温度を調整する温度調整装 置、液体 Lql中の異物を除去するフィルタ装置、及び加圧ポンプ、並びに供給する 液体 Lqlの流量を制御する流量制御弁等を含む。この第 1液体供給ユニット 68は、 主制御装置 50に制御されるようなっており、ウェハ W上に液浸領域 AR (図 5参照）を 形成する際、液体 Lqlをウェハ W上に供給する。なお、露光装置 100の第 1液体供 給ユニット 68に、タンク、温度調整装置、フィルタ装置、加圧ポンプのすべてを設け ずに、それらの少なくとも一部を露光装置 100が設置される工場などの設備で代用し ても良い。
[0092] 前記第 1液体回収ユニット 69は、回収管 67を介してノズル部材 70に接続されてい る。この第 1液体回収ユニット 69は、上記第 1空間 K1に供給された液体 Lqlを回収 するためのものである。この第 1液体回収ユニット 69は、例えば真空ポンプ等の真空 系（吸引装置)、回収された液体 Lqlと気体とを分離する気液分離器、及び回収した 液体 Lqlを収容するタンク、回収される液体の流量を制御するための流量制御弁等 を含む。なお、露光装置 100に真空系、気液分離器、タンク、流量制御弁のすべて を設けずに、それらの少なくとも一部を露光装置 100が配置される工場の設備で代 用しても良い。第 1液体回収ユニット 69は、主制御装置 50に制御されるようなってお り、ウェハ W上に液浸領域 ARを形成するために、第 1液体供給ユニット 68より供給さ れたウェハ W上の液体 Lq 1を所定量回収する。
[0093] 前記第 2液体供給ユニット 72は、供給管 74を介してノズル部材 70より僅かに上方 の位置で鏡筒 140の +Y側の側面に接続されて 、る。この第 2液体供給ユニット 72 は、液体 Lq2を投影光学系 PLの終端光学素子 191の上面側に形成された第 2空間 K2 (図 5参照）に供給するためのものである。この第 2液体供給ユニット 72は、液体し q2を収容するタンク、供給する液体 Lq2の温度を調整する温度調整装置、液体 Lq2 中の異物を除去するフィルタ装置、及び加圧ポンプ等を備えている。なお、露光装置 100の第 2液体供給ユニット 72に、タンク、温度調整装置、フィルタ装置、加圧ポンプ のすベてを設けずに、それらの少なくとも一部を露光装置 100が設置される工場など の設備で代用しても良い。
[0094] 前記第 2液体回収ユニット 73は、回収管 75を介してノズル部材 70より僅かに上方 の位置で鏡筒 140の— Y側の側面に接続されている。この第 2液体回収ユニット 73 は、上記第 2空間 K2に供給された液体 Lq2を回収するためのものである。この第 2液 体回収ユニットは、例えば真空ポンプ等の真空系（吸引装置）、回収された液体 Lq2 と気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体 Lq2を収容するタンク等を備え ている。なお、露光装置 100に真空系、気液分離器、タンクのすべてを設けずに、そ れらの少なくとも一部を露光装置 100が配置される工場などの設備を代用しても良!、
[0095] 図 5には、投影光学系 PLの像面側端部及びノズル部材 70近傍の断面図が示され 、図 6にはノズル部材 70を下から見た図が示されている。ここで、これら図 5及び図 6 に基づ!/、て、ノズル部材 70近傍の構成等にっ 、て説明する。
[0096] 図 5及び図 6において、終端光学素子 191及びその上方に配置された境界レンズ 1 92は、鏡筒 140に支持されている。終端光学素子 191は平行平面板であって、該終 端光学素子 191の下面 191aは鏡筒 140の下面 140aとほぼ面一となつている。鏡筒 140に支持された終端光学素子 191の上面 191b及び下面 191aは XY平面とほぼ 平行となっている。また、終端光学素子 (平行平面板） 191はほぼ水平に支持されて おり、無屈折力である。また、鏡筒 140と終端光学素子 191とのギャップはシールさ れている。すなわち、終端光学素子 191の下側の第 1空間 K1と終端光学素子 191 の上側の第 2空間 K2とは互いに独立した空間であり、第 1空間 K1と第 2空間 K2との 間での液体の流通が阻止されている。上述したように、第 1空間 K1は、終端光学素 子 191とウェハ W (又はウェハステージ WST)との間の空間であって、その第 1空間 K1の液体 Lqlで液浸領域 ARが形成される。一方、第 2空間 K2は、鏡筒 140の内 部空間の一部であって、終端光学素子 191の上面 191bとその上方に配置された境 界レンズ 192の下面 192aとの間の空間である。
[0097] なお、終端光学素子 191は、鏡筒 140に対して容易に取り付け '取り外しが可能と なっている。すなわち、終端光学素子 191が交換可能な構成が採用されている。
[0098] ノズル部材 70は、図 5に示されるように、投影ユニット PUと対向して配置されるゥェ ハ W (ウェハステージ WST)の上方で、鏡筒 140の下端部を囲むように設けられて!/ヽ る。このノズル部材 70は、その中央部に投影ユニット PU (鏡筒 140)の下端部を所定 の隙間を介して配置可能な穴部 70hを有している。本実施形態では、投影光学系 P Lの投影領域、すなわち実効露光領域 IAは、図 6に示されるように、 X軸方向（非走 查方向）を長手方向とする矩形状に設定されている。
[0099] ウェハ Wに対向するノズル部材 70の下面 70aには、その中央部に X軸方向を長手 方向とする凹部 78が形成されている。この凹部 78の内部底面 78aの中央部に前述 の穴部 70hの開口端が形成されている。凹部 78の内部底面 78aは、 XY平面と略平 行であり、ウェハステージ WSTに支持されたウェハ Wと対向するキヤビティ面とされ ている。また、凹部 78の側壁内面 78bは、 XY平面に対してほぼ直交するように設け られている。
[0100] ノズル部材 70の下面 70aに形成された凹部 78の側壁内面 78bには、投影光学系 PLの終端光学素子 191 (投影領域 IA)を挟んで Y軸方向の一側と他側に第 1供給 口 80a、 80b力それぞれ形成されて!ヽる。第 1供給口 80a, 80biま、ノズノレ咅材 70の 内部に形成された第 1供給流路 82の一端部にそれぞれ接続されている。この第 1供 給流路 82は、その他端部が、前述の供給管 66の一端に接続され、その供給管 66に 接続された側と反対側の端部が途中から複数 (2つ）に分岐し、それぞれの分岐端が 複数（2つ）の第 1供給口 80a, 80bのそれぞれに接続されて 、る。
[0101] 第 1液体供給ユニット 68の液体供給動作は主制御装置 50により制御される。液浸 領域 ARを形成するために、主制御装置 50は、第 1液体供給ユニット 68より液体 Lql を送出する。第 1液体供給ユニット 68より送出された液体 Lqlは、供給管 66を流れた 後、ノズル部材 70の内部に形成された第 1供給流路 82の一端部に流入する。そして 、第 1供給流路 82の一端部に流入した液体 Lqlは、ノズル部材 70に形成された複 数（2つ）の第 1供給口 80a, 80bから、終端光学素子 191とウェハ Wとの間の第 1空 間 K1に供給される。なお、本実施形態においては、第 1供給口 80a, 80bから供給さ れる液体 Lqlは、ウエノ、 W表面とほぼ平行に吹き出されている力 下向きに液体 Lql が供給されるように第 1供給口を形成しても良 ヽ。
[0102] また、第 1供給口を、終端光学素子 191の X軸方向の両側に設けても良いし、第 1 供給口は 1箇所であっても良い。
[0103] ノズル部材 70の下面 70aにおいて、投影光学系 PLの投影領域 IAを基準として凹 部 78の外側には第 1回収口 81が設けられている。この第 1回収口 81は、ウェハ Wに 対向するノズル部材 70の下面 70aにおいて投影光学系 PLの投影領域 IAに対して 第 1供給口 80a、 80bの外側に設けられており、投影領域 IA、及び第 1供給口 80a、 80bを囲むように環状に形成されている。また、第 1回収口 81には多孔体 81Pが設 けられている。
[0104] 前述の回収管 67の一端部は、図 5に示されるように、ノズル部材 70の内部に形成 された第 1回収流路 83の一部を構成するマ-ホールド流路 83Mの一端部に接続さ れている。一方、マ-ホールド流路 83Mの他端部は、第 1回収口 81に接続する第 1 回収流路 83の一部を構成する環状流路 83Kの一部に接続されている。
[0105] 第 1液体回収ユニット 69の液体回収動作は主制御装置 50に制御される。主制御 装置 50は、液体 Lqlを回収するために、第 1液体回収ユニット 69を駆動する。第 1液 体回収ユニット 69の駆動により、ウェハ W上の液体 Lqlは、ノズル部材 70の下面 70 aに設けられている第 1回収口 81を介して流路 83を流れる。その後、回収管 67を介 して第 1液体回収ユニット 69に吸引回収される。
[0106] 鏡筒 140の側壁内面 140cには、第 2供給口 86が設けられている。第 2供給口 86 は、第 2空間 K2の近傍位置に形成されており、投影光学系 PLの光軸 AXに対して +Y側に設けられている。この第 2供給口 86は、鏡筒 140の側壁内部に形成された 第 2供給流路 84の一端に接続され、第 2供給流路 84の他端部に前述の供給管 74 の一端が接続されている。
[0107] また、鏡筒 140の側壁内面 140cの第 2供給口 86にほぼ対向する位置には、第 2回 収ロ 87が設けられている。第 2回収口 87は、第 2空間 K2の近傍位置に形成されて おり、投影光学系 PLの光軸 AXに対して Y側に設けられている。この第 2回収口 8 7は、鏡筒 140の側壁に形成された第 2回収流路 85の一端に接続され、第 2回収流 路 85の他端部に前述の回収管 75の一端が接続されている。 [0108] 第 2液体供給ユニット 72の液体供給動作は主制御装置 50により制御される。主制 御装置 50が、第 2液体供給ユニット 72より液体 Lq2を送出すると、その送出された液 体 Lq2は、供給管 74を流れた後、鏡筒 140の内部に形成された第 2供給流路 84の 一端部に流入する。そして、第 2供給流路 84の一端部に流入した液体 Lq2は、鏡筒 140の側壁内面 140cに形成された第 2供給口 86から、境界レンズ (光学素子） 192 と終端光学素子 191との間の第 2空間 K2に供給される。この場合、第 2供給口 86か らは、終端光学素子 191の上面 191bと略平行、すなわち XY平面と略平行に (横方 向に)液体 Lq2が吹きだされる。
[0109] 第 2液体回収ユニット 73の液体回収動作は主制御装置 50に制御される。主制御 装置 50は、液体 Lq2を回収するために、第 2液体回収ユニット 73を駆動する。第 2液 体回収ユニット 73の駆動により、第 2空間 K2の液体 Lq2は、第 2回収口 87を介して 第 2回収流路 85に流入し、その後、回収管 75を介して第 2液体回収ユニット 73に吸 引回収される。
[0110] なお、本実施形態では、鏡筒 140の側壁内部に流路 84, 85がそれぞれ形成され ているが、鏡筒 140の一部に貫通孔を設けておき、そこに流路となる配管を通すよう にしても良い。また、本実施形態においては、供給管 74及び回収管 75は、ノズル部 材 70とは別に設けられている力 供給管 74及び回収管 75の代わりにノズル部材 70 の内部に供給路及び回収路を設けて、鏡筒 140内部に形成された流路 84, 85のそ れぞれと接続するようにしても良い。なお、液浸機構 (ノズル部材 70、液体供給ュ- ット 68, 72、液体回収ユニット 69, 73など）の構造および配置は、上述のものに限ら れず、照明光 ILの光路を含む所定空間を液体で満たすことができれば、いろいろな 形態の液浸機構を適用することができる。
[0111] 境界レンズ 192の下面 192a及び終端光学素子 191の上面 191bには第 2空間 K2 に満たされた液体 Lq2が接触し、終端光学素子 191の下面 191aには第 1空間 K1の 液体 Lqlが接触する。本実施形態においては、少なくとも光学素子 191、 192は石 英によって形成されている。石英は、液体 Lql、 Lq2すなわち純水との親和性が高い ので、液体接触面である境界レンズ 192の下面 192a、終端光学素子 191aの上面 1 91b及び下面 191aのほぼ全面に液体 Lql、 Lq2を密着させることができる。したがつ て、光学素子 192、 191の液体接触面 192a、 191b及び 191aに液体 Lq2、 Lqlを 密着させて、光学素子 192と終端光学素子 191との間の光路、及び終端光学素子 1 91とウェハ Wとの間の光路を液体 Lq2、 Lqlで確実に満たすことができる。
[0112] なお、光学素子 192、 191の少なくとも一方は、水との親和性が高い蛍石であって も良い。また、例えば残りの光学素子を蛍石で形成し、光学素子 192、 191を石英で 形成しても良 、し、全ての光学素子を石英 (ある 、は蛍石)で形成しても良 、。
[0113] また、光学素子 192、 191の液体接触面 192a、 191b, 191aに、親水化（親液化） 処理を施して、液体 Lq2、 Lqlとの親和性をより高めるようにしても良い。
[0114] また、本実施形態においては、鏡筒 140の側壁内面 140c、及び境界レンズ 192の 側面 192bのそれぞれは、撥液ィ匕処理されて撥液性を有している。鏡筒 140の側壁 内面 140c、及び境界レンズ 192の側面 192bのそれぞれを撥液性にすることで、側 壁内面 140cと側面 192bとの間に形成される間隙に第 2空間 K2の液体 Lq2が浸入 することが防止される。
[0115] 上記撥液ィ匕処理としては、例えば、ポリ四フッ化工チレン等のフッ素系榭脂材料、 アクリル系榭脂材料、シリコン系榭脂材料等の撥液性材料を塗布、あるいは前記撥 液性材料力 なる薄膜を貼付する等の処理が挙げられる。
[0116] また、鏡筒 140の側壁外面 140bとノズル部材 70の穴部 70hの側壁内面 70kとの それぞれに撥液処理を施しても良 ヽ。側壁外面 140bと側壁内面 70kとを撥液性に することにより、側壁外面 140bと側壁内面 70kとの間に形成される間隙に第 1空間 1の液体 Lqlが浸入することが防止される。
[0117] 制御系は、図 1中、主制御装置 50を含み、主制御装置 50は、 CPU (中央演算処 理装置）、 ROM (リード ·オンリ'メモリ）、 RAM (ランダム ·アクセス 'メモリ）等から成る いわゆるマイクロコンピュータ (又はミニコンピュータ）を含んで構成され、装置全体を 統括的に制御する。
[0118] 次に、本実施形態の露光装置 100における露光の際の動作について説明する。
[0119] ウェハ Wに対する露光を行うに際し、主制御装置 50は、第 2液体供給ユニット 72を 制御して第 2空間 K2に液体 Lq2を供給する。このとき、主制御装置 50は、第 2液体 供給ユニット 72による単位時間あたりの液体 Lq2の供給量及び第 2液体回収ユニット 73による単位時間あたりの液体 Lq2の回収量を最適に制御しつつ、第 2液体供給ュ ニット 72及び第 2液体回収ユニット 73による液体 Lq2の供給及び回収を行い、第 2空 間 K2のうち、少なくとも照明光 ILの光路上を液体 Lq2で満たす。
[0120] また、ローデイングポジション（ウェハ交換位置）でウェハステージ WST上にウェハ Wがロードされた後、主制御装置 50は、ウェハ Wを保持したウェハステージ WSTを 投影光学系 PLの下、すなわち露光位置に移動する。そして、ウェハステージ WSTと 投影光学系 PLの終端光学素子 191とを対向させた状態で、主制御装置 50は、第 1 液体供給ユニット 68による単位時間あたりの液体 Lq 1の供給量及び第 1液体回収ュ ニット 69による単位時間あたりの液体 Lqlの回収量を最適に制御しつつ、第 1液体 供給ユニット 68及び第 1液体回収ユニット 69による液体 Lqlの供給及び回収を行い 、第 1空間 K1のうち、少なくとも照明光 ILの光路上に液体 Lqlの液浸領域 ARを形 成し、その照明光 ILの光路を液体 Lqlで満たす。
[0121] ここで、主制御装置 50は、ウェハ Wの露光処理を行う前に、ウェハステージ WST 上に設けられた基準部材上のマーク計測や、前述の照度むらセンサ 21Pあるいは照 射量モニタ 58等を使った各種計測動作 (前述の照射量の測定のための事前準備及 びウェハ反射率の測定のための事前準備を少なくとも含む)を行い、その計測結果 に基づいて、ウェハ Wのァライメント処理や、投影光学系 PLの結像特性調整などの キャリブレーション処理を行う。例えば照度むらセンサ 21Pあるいは照射量モニタ 58 等を使った計測動作を行う場合には、主制御装置 50は、ウェハステージ WSTを XY 方向に移動することで液体 Lqlの液浸領域 ARに対してウェハステージ WSTを相対 的に移動し、それらのセンサの受光面上に液体 Lqlの液浸領域 ARを形成し、その 状態で液体 Lqlを介した計測動作を行う。
[0122] 上記ァライメント処理及びキャリブレーション処理を行った後、主制御装置 50は、第 1液体供給ユニット 68によるウェハ W上に対する液体 Lqlの供給と並行して、第 1液 体回収ユニット 69によるウェハ W上の液体 Lqlの回収を行いつつ、ウェハ Wを支持 するウェハステージ WSTを Y軸方向（走査方向）に移動しながら、レチクル Rのパタ ーン像を、投影光学系 PL (液体 Lq2を含む）、及び第 1空間 K1の液体 Lql (すなわ ち液浸領域 ARの液体）を介して表面にレジストが塗布されたウェハ W上に投影する 。ここで、第 2液体供給ユニット 72による液体の供給動作及び第 2液体回収ユニット 7 3による液体の回収動作は遅くとも露光が開始される時点では主制御装置 50によつ て停止されており、第 2空間 K2のうち、少なくとも照明光 ILの光路上を液体 Lq2で満 たされた状態となっている。
[0123] 本実施形態の露光装置 100は、レチクル Rとウェハ Wとを Y軸方向（走査方向）に 移動しながらレチクル Rのパターン像をウェハ Wに投影するものであって、走査露光 中、投影光学系 PL (液体 Lq2を含む）、及び第 1空間の液体 Lqlを介してレチクル R の一部のパターン像が投影領域 IA内に投影され、レチクル Rが照明領域 IARに対し て Y方向（又は +Y方向）に速度 Vで移動するのに同期して、ウエノ、 Wが投影領域 IAに対して +Y方向（又は— Y方向）に速度 β ·ν ( βは投影倍率)で移動する。ゥェ ハ W上には複数のショット領域が設定されており、 1つのショット領域への露光終了後 に、ウェハ Wのステッピング移動によって次のショット領域が走査開始位置に移動し、 以下、ステップ ·アンド'スキャン方式でウェハ Wを移動しながら各ショット領域に対す る走査露光処理が順次行われる。
[0124] 本実施形態では、主制御装置 50により、前述した投影光学系 PL (液体 Lq2を含む )の照明光吸収に起因する、光学系 PLLの結像特性 (諸収差 (フォーカスを含む)） の照射変動の推定演算が時間 A t毎に実行され、その結像特性の推定演算の結果 に基づき、露光動作が制御されている。
[0125] 例えば、主制御装置 50では、例えば時間 Δ t毎に上記の推定演算を行ってフォー カス、像面湾曲、倍率、ディストーション、コマ収差、球面収差の照射変動の推定演 算を行い、この推定演算の結果に基づいて、例えば特開平 11— 258498号公報な どに開示される手法と同様の手法により、その結像特性の変化を補正するための各 可動レンズの駆動量を求め、この駆動量に応じて各可動レンズを駆動することで、光 学系の像面湾曲、倍率、ディストーション、コマ収差、球面収差のうちの少なくとも 1つ の結像特性の照射変動を逐次補正して 、る。
[0126] また、主制御装置 50では、フォーカスを除く結像特性の照射変動が結像特性補正 コントローラ 52を介して補正される度に、例えば上記特開平 11— 258498号公報な どに開示されるような演算を行って光学系自身のフォーカス変化を算出し、フォー力 ス誤差がほぼ零となるようにウェハステージ WSTを Z軸方向に駆動する、ウェハ wの オートフォーカス制御を実行する。
[0127] ところで、本実施形態の露光装置 100では、投影光学系 PLとして図 2に示されるよ うな反射屈折系が用いられているので、露光の際の照明光 ILの照射により、投影光 学系 PLの最もレチクルに近く位置するレンズ 90には、図 16 (A)と同様の温度分布 が生じる。そこで、本実施形態の露光装置 100では、この温度分布により投影光学系 PL (光学系 PLL)に前述の非回転対称な結像特性が生じず、補正が容易な結像特 性 (収差)が生じるように (ある 、は、前述と同様の非回転対称な結像特性が生じても 直ぐに補正が容易な結像特性に変換されるように）、主制御装置 50からの指示に応 じ、非露光光照射機構 91の光源系 92内部の制御部 92Bが、照射機構 95〜95か
1 n らのレンズ 90に対する非露光光 NL〜NLの照射位置及び照射光量を制御する。
1 n
制御部 92Bは、一例として、図 8 (A)に示されるように、レンズ 90の外周部近傍に非 露光光 NL、 NL、 NL、 NL 、 NL、 NL 、 NL、 NL、 NL 及び NLを第 1の光
1 3 4 k-l k k+l 1 m n- 1 n
強度で照射するとともに、レンズ 90の外周部近傍の非露光光 NL、 NLの両側に非
3 4
露光光 NL、NLを第 2の強度（<第 1の強度)で照射し、さらに NL 、 NL、 NL 、
2 5 k-l k k+l
NL、 N 、 NL 、 NL及び NLの内佃 Jに、 露光光 NL、 NL、 NL、 NL及び NL
1 Lm n-1 n 1 6 7 8 9 1 を第 2の強度で照射する。この結果、投影光学系 PL (ひいては光学系 PLL)に、例
0
えば図 8 (B)に示されるような光軸を中心とする回転対称な収差 (変動）が生じる。
[0128] 次いで、主制御装置 50は、投影光学系 PL、ひいては光学系 PLLに生じた回転対 称な収差 (変動）を補正すベぐ結像特性補正コントローラ 52を介してレンズ 90を含 む 5つの可動レンズの少なくとも 1つを、光軸 AX1方向に駆動する。これにより、光学 系 PLLに生じた回転対称な収差 (変動）は、前述の照射変動成分の補正の場合と同 様にして補正される。この補正は、露光中に行っても勿論良いが、非露光時に行って も良い。
[0129] あるいは、非露光光照射機構 91の光源系 92内部の制御部 92Bは、主制御装置 5 0からの指示に応じ、例えば図 9 (A)に示されるように、レンズ 90の外周部近傍の照 明光 ILの照射領域 IA'の X側、 Y側及び +X側に非露光光 NL、 NL、 NL、 N
1 2 3
L、 NL、 NL を第 1の強度で照射し、照明光 ILの照射領域 IA'の +Y側に非露光 光 NL、NL 、NL を第 2の強度（<第 1の強度)で照射し、非露光光 NL 、 NL、 N
6 11 10 k-1 6
L 、 NL 、 NLの +Y側の領域に非露光光 NL、 NL、 NL、 NL、 NLを第 3の強
11 10 1 k 7 8 9 n 度（<第 2の強度)で照射し、さらに非露光光 NL、 NL、 NL、 NL、 NLの +Y側の k 7 8 9 n
領域に非露光光 NL 、NL、NL、NL を第 4の強度（<第 3の強度)で照射するこ k+1 1 m n-1
ととしても良い。この結果、投影光学系 PL (ひいては光学系 PLL)に、例えば図 9 (B) に示されるような光軸に直交する面内で一側力 他側に徐々に変化する収差 (変動） が生じる。
[0130] この場合、主制御装置 50は、投影光学系 PL、ひ ヽては光学系 PLLに生じた収差（ の変動）を補正すベぐ結像特性補正コントローラ 52を介してレンズ 90を含む 5つの 可動レンズの少なくとも 1つを、光軸 AX1に直交する面に対する傾斜方向（この場合 、 θ X方向）に駆動する。これにより、光学系 PLLに生じた収差 (変動）が補正される。 この補正は、露光中に行っても勿論良いが、ウェハ W上のあるショット領域に対する 露光と次のショット領域に対する露光との間のウェハステージ WST (ウェハ W)のショ ット間ステップ移動時や、ウェハ交換時などの非露光時に行っても良 、。
[0131] ここで、本実施形態では、上述したように、投影光学系 PL (光学系 PLL)に回転対 称な収差 (変動）、あるいは光軸に直交する面内で一側力 他側に徐々に変化する 収差 (変動）を発生させる (換言すれば、前述の非回転対称な収差の発生を抑制す る）ために、各照射機構 95〜95のそれぞれが照射すべき非露光光の強度 (及び積
1 n
算エネルギ量)の目標値と、光学系 PLに照射される照明光 ILの強度 (及び積算エネ ルギ量）との関係は、実験又はシミュレーションの結果に基づいて求められている。そ こで、主制御装置 50は、インテグレータセンサ 46及び反射量モニタ 47の検出値に 基づいて光学系 PLに照射される照明光 ILの強度 (及び積算エネルギ量)をモニタし 、これに応じて前述の制御部 92Bに与える各照射機構 95〜95の非露光光照射強
1 n
度 (及び積算エネルギ量)の目標値を制御するようになって!/、る。
[0132] なお、例えば非接触方式の温度センサをそのレンズ 90の近傍に複数配置し、各温 度センサの計測値に基づいてレンズ 90の温度分布を計測するようにしても良い。か 力る場合には、その温度分布の計測結果に基づいて、各照射機構 95〜95のそれ
1 n ぞれが照射すべき非露光光の強度 (及び積算エネルギ量)の目標値を決定すること としても良い。また、照明領域 IA'の位置、形状、大きさ、あるいは照明領域 IA'内の 光量分布が変化する場合には、その変化に応じて、各照射機構 95
1〜95のそれぞ n れが照射する非露光光の照射領域の位置、形状、大きさ及び強度の少なくとも 1つを 変更しても良い。例えば、第 1レチクルブラインド 30Aを動力して照明領域 IA，の位置 、形状、大きさを変化させる場合には、第 1レチクルブラインド 30Aの設定情報に基 づいて各照射機構 95〜95のそれぞれが照射する非露光光の照射領域の位置、
1 n
形状、大きさ及び強度の少なくとも 1つを変更することができる。また、レチクル Rの変 更によつて、照明領域 IA，の光量分布が変化する場合には、レチクル Rのパターン情 報などに応じて、各照射機構 95〜95のそれぞれが照射する非露光光の照射領域
1 n
の位置、形状、大きさ及び強度の少なくとも 1つを調整することができる。
[0133] 次に、本実施形態の露光装置 100において、例えばレチクル Rのパターン面のフ 一リエ変換相当面（照明光学系 12の瞳面）において、非走査方向である X軸方向に 対応する方向に関して照明光学系の光軸 (投影光学系の光軸 AXに一致)からほぼ 同一距離だけ偏心した 2つの位置で極大値を有する光量分布が形成される X軸ダイ ポール照明条件の下で、レチクル R上のパターンをウェハ上に投影する場合を考え る。この X軸ダイポール照明条件は、例えば非走査方向に所定周期を有するラインァ ンドスペース (LZS)パターン（以下、 Vパターンと呼ぶ）を転写対象のパターンとする 場合に設定される。
[0134] 図 10には、この X軸ダイポール照明条件下における投影光学系の瞳面（PP1, PP 2, PP3)近傍のレンズ、例えば前述のレンズ 111上での光量分布の一例が示されて いる。この図において斜線部が、照明光 ILの照射領域を示す。
[0135] この X軸ダイポール照明条件下では、投影光学系 PL (の瞳面の近傍）には、照明 光の吸収によって、例えば図 12に示されるような非回転対称の温度分布を生じる。こ の X軸ダイポール照明条件下では、投影光学系 PLの光軸近傍で、周期方向が直交 する 2種類の LZSパターンにつ!/、ての結像面（ベストフォーカス面）のずれであるフ オーカスの異方性、すなわちセンターァスが発生する。なお、 X軸ダイポール照明条 件下では、フォーカスの異方性は、投影光学系 PLの光軸近傍以外の場所でも同様 に生じる。 [0136] また、例えば照明光学系 12の瞳面において、走査方向である Y軸方向に対応する 方向に関して照明光学系 12の光軸 (投影光学系の光軸 AXに一致)からほぼ同一距 離だけ偏心した 2つの位置で極大値を有する光量分布が形成される Y軸ダイポール 照明条件の下で、レチクル R上のパターンをウェハ上に投影する場合を考える。この Y軸ダイポール照明条件は、例えば走査方向に所定周期を有するラインアンドスぺ ース (LZS)パターン (以下、 Hパターンと呼ぶ）を投影対象のパターンとする場合に 設定される。
[0137] この Y軸ダイポール照明条件の下では、投影光学系の瞳面（PP1, PP2, PP3)近 傍のレンズ、例えば前述のレンズ 111上には図 11に示されるような光量分布が生じ る。この図 11において斜線部が、照明光 ILの照射領域を示す。
[0138] この Y軸ダイポール照明条件の下では、投影光学系 PL (の瞳面近傍）には、照明 光 ILの吸収によって、例えば図 13に示されるような非回転対称の温度分布を生じる 。この Y軸ダイポール照明条件下では、 Vパターンベストフォーカス面と Hパターンべ ストフォーカス面と力 X軸ダイポール照明条件下とは逆の関係になるフォーカスの異 方性 (センターァス）が生じる。
[0139] 本実施形態では、前述した走査露光に際して、投影対象のパターンに応じて、主 制御装置 50により、照明系開口絞り板 24を用いて照明条件の設定が行われる。この とき、主制御装置 50は、投影光学系 PLのレンズ 111に対する照明光 ILの光量分布 を算出し、その算出された照明光 ILの光量分布によってレンズ 111に生じる熱の偏 在状態を予測し、その予測結果に対応した主制御装置 50からの指示に基づき、光 源系 92'の制御部が 8つの照射機構 95A〜95Aのうちから適宜照射機構を選択し
1 8
、その選択した照射機構力 非露光光 NE (赤外線)をレンズ 111の側面に照射する
[0140] 一例として、照明条件として X軸ダイポール照明条件が設定され、レンズ 111が、図 10に示されるような発熱状態 (温度分布）となることが予測される場合には、主制御装 置 50からの指示に基づき、制御部が照射機構 95A、 95A以外の照射機構 95A、
4 8 1
95A、 95A、 95A、 95A、 95A力 レンズ 111の側面に非露光光 NEを照射する
2 3 5 6 7
ことで、投影光学系 PLの発熱状態を回転対称な形状に近づける。このとき、照射機 構 95A、 95Aから照射される赤外線の強度を、残りの照射機構 95A、 95A、 95A
2 6 1 3
、 95Aに比べて強くする。この結果、投影光学系 PL (光学系 PLL)に生じるセンタ
5 7
ーァスなどの異方性の結像性能が補正され、回転対称な結像特性 (の変動）が発生 する。
[0141] このように本実施形態においては、投影光学系 PLの瞳面での非回転対称な温度 分布を補正するための非露光光照射機構 91A力もの非露光光 NEの照射と、投影 光学系 PLの最もレチクルに近く位置するレンズ 90に生じる非回転対称な温度分布 を補正するための非露光光照射機構 91からの非露光光 NLの照射とが、併用され、 投影光学系 PL (光学系 PLL)の非回転対称な収差 (結像特性)の変動の発生を抑え て、回転対称な収差変動を投影光学系 PL (光学系 PLL)に発生させるとともに、前 述した結像特性補正コントローラ 52を介して投影光学系 PL (光学系 PLL)の回転対 称な収差変動を補正しているので、良好な結像状態で、レチクル Rのパターンの転 写が行われる。
[0142] なお、例えば非接触方式又は接触方式の温度センサをレンズ 111の近傍に複数 配置し、各温度センサの計測値に基づ 、てレンズ 111の温度分布を計測するように しても良い。力かる場合には、その温度分布の計測結果に基づいて、各照射機構 95 A〜95Aのそれぞれが照射すべき非露光光の位置、形状、大きさ、強度 (及び積算
1 n
エネルギ量）の少なくとも 1つを調整することとしても良 、。
[0143] また、本実施形態の露光装置 100のような液浸露光装置では、液体の使用を続け ていると液体 (純水）の純度が低下し、バクテリアが発生する可能性がある。そこで、 本実施形態では、このような事態が極力生じないように、第 2空間 K2内の液体 Lq2を 定期的に交換するようにしている。但し、液体 Lq2の交換は、スループット低下の要 因となるので、あまり頻繁に行うこともできない。そこで、本実施形態では、主制御装 置 50が、各ロットの先頭のウェハの露光の開始直前（あるいは、所定枚数のウェハの 露光終了毎）に第 2の液体供給ユニット 72及び第 2の液体回収ユニット 73を用いて、 第 2空間 K2内の液体 Lq2を交換し、一定時間の経過等により液体 Lq2の温度が境 界レンズ 192等とほぼ同一温度になった段階で露光を開始するようにしている。これ は、液体 Lq2による照明光吸収に起因する光学系 PLLの結像性能の変動量力 液 体 Lq2の交換により、急激に変化して光学系 PLLの結像特性の照射変動の推定演 算に大きな誤差が生じな 、ようにするためである。
[0144] 以上説明したように、本実施形態の露光装置 100によると、非露光光照射機構 91 による可動のレンズ 90に対する非露光光 NLの照射による投影光学系 PL (光学系 P LL)の光学特性の調整と、結像特性補正コントローラ 52による少なくとも 1つの可動 のレンズを動かすことによる投影光学系 PL (光学系 PLL)の光学特性の調整との組 み合わせにより、レンズ 90の非回転対称な温度分布に起因する光学特性の変動を 高精度に補正することが可能になる。
[0145] また、本実施形態の露光装置 100によると、例えば、照明光学系 12の瞳面又は投 影光学系の瞳面などにおける照明光 ILの光量分布が光軸に関して非回転対称とな り、投影光学系 PLのレンズが照明光 ILの照射により局所的に（不均一に)加熱される 照明条件の下では、上述の如ぐ照明光 ILが照射されないレンズの残りの部分に非 露光光照射機構 91Aにより非露光光 (赤外線)を照射して加熱することで、結果的に レンズの温度分布をほぼ回転対称にすることが可能となる。これにより、レンズの不均 一な温度分布によって生じる投影光学系 PL (光学系 PLL)の補正が困難な非回転 対称な収差、例えばセンターァスの発生を抑制することができる。換言すれば、セン ターァスの発生後に上記のレンズの加熱を実行すればそのセンターァスが補正され る。このため、投影光学系 PLの瞳面における光量分布が光軸に関して非回転対称と なる照明条件、例えばダイポール照明条件の下で投影光学系 PL (光学系 PLL)に 発生するセンターァスが補正され、その補正された投影光学系 PL (光学系 PLL)を 介してパターンがウェハ上に転写される。従って、照明条件に起因して生じる投影光 学系のセンターァスの影響を低減し、高精度な露光を実現することが可能となる。
[0146] また、本実施形態では、非露光光照射機構 91Aにより、投影光学系 PLの一部を構 成する照明光 ILが往復するレンズ (屈折光学素子)、換言すれば照射された照明光 I Lのエネルギ吸収が照明光 ILが 1度しか通過しない光学素子に比べて大きなレンズ 111に非露光光 NEを照射することができるので、投影光学系 PLの瞳面 (PP1, PP2 , PP3)における照明光 ILの光量分布が光軸に関して非回転対称となる照明条件下 において照明光 ILの照射による投影光学系 PL (光学系 PLL)のセンターァスなどの 非回転対称な結像特性 (の変動)を効果的に補正することができる。
[0147] また、本実施形態の露光装置 100では、非露光光照射機構 91Aにより、投影光学 系 PL (光学系 PLL)の光学特性を調整するために、投影光学系 PLの 3つの瞳のうち 、第 2瞳 PP2近傍に位置するレンズ 111に非露光光 NEが照射される。従って、開口 数 NAが 1より大きな投影光学系 PLの場合、第 3瞳 PP3近傍のレンズに対して非露 光光を照射する場合に比べて、効率的な非露光光の照射が可能となる。その理由は 、このような大 NAの投影光学系の場合、像面（ウェハ面）に近い光学素子ほど大型 化する傾向があるからである。
[0148] また、本実施形態では非露光光照射機構 91、 91Aとして赤外線照射機構が用い られているので、該非露光光照射機構 91、 91 Aによるレンズの加熱は、露光中にも 行うことができる。従って、投影光学系 PL (光学系 PLL)の補正が困難な光学特性（ 例えば非回転対称な収差)の発生をより確実に抑制することが可能となる。
[0149] また、赤外線によるレンズの加熱は、接触式の加熱機構 (熱源）による加熱や接触 式の冷却機構による冷却と異なり、レンズへの接触がないため、加熱又は冷却機構 の接触が原因で、レンズを歪ませるおそれがなぐまた、送風による冷却を行なう場合 のように、レンズに振動を生じてしまうおそれもない。
[0150] 本実施形態の露光装置 100によると、ウェハ Wに対する良好な露光が行われ、ゥ エノ、 W上の各ショット領域にレチクル Rのパターンが精度良く転写される。また、本実 施形態の露光装置 100では、液浸露光により、高解像度かつ大焦点深度の露光を 行うことで、レチクル Rのパターンを精度良くウェハ上に転写することができ、例えば A rFエキシマレーザ光で、デバイスルールとして 45〜100nm程度の微細パターンの 転写を実現することができる。
[0151] また、本実施形態では、レンズ作用を有する境界レンズ 192の下に、平行平面板か らなる終端光学素子 191が配置されているが、終端光学素子 191の下面 191a側及 び上面 191b側の第 1、第 2空間 Kl、 Κ2のそれぞれに液体 Lql、 Lq2を満たすこと で、境界レンズ 192の下面 192aや終端光学素子 191の上面 191bでの反射損失が 低減され、大きな像側開口数を確保した状態で、ウエノ、 Wを良好に露光することがで きる。また終端光学素子 191は、無屈折力の平行平面板なので、例えば、液体 Lql 中の汚染物質が終端光学素子 191の下面 191aに付着した場合にも、容易に交換 することが可能である。
[0152] なお、終端光学素子 191の交換などを考慮しない場合には、終端光学素子 191は 屈折力を有するレンズでも良 、。
[0153] なお、上記実施形態では、上述したレンズの歪みの抑制、振動の抑制などの観点 から、非露光光照射機構 91、 91Aから照射される赤外線によりレンズの加熱を行うも のとしたが、これに限らず、上記非露光光照射機構と同様にレンズの温度調整 (部分 的な加熱又は冷却など）が可能なものであれば、他の温度調整機構 (加熱機構又は 冷却機構など）を用いても良い。例えば、ヒートシンクと熱源との組み合わせなどの接 触式の加熱機構による加熱、ペルチェ素子などを用いた接触式の加熱'冷却機構を 用いた加熱、及び Z又は冷却、あるいは温度調整された気体の送風による加熱又は 冷却、又はこれらの任意の組み合わせなどを採用することとしても良い。
[0154] なお、上記実施形態では、照明光 ILが光軸 AXから偏心した領域を通過するレンズ 90に対して非露光光 NLを照射する非露光光照射機構 91と、瞳近傍に位置するレ ンズ 111に対して非露光光 NEを照射する非露光光照射機構 91 Aとの両者を備えて いる場合について説明した力 本発明がこれに限定されるものではない。例えば、非 露光光照射機構 91、あるいは該非露光光照射機構 91と同様に、投影光学系 PLの 物体面側又は像面側に配置される光学素子、すなわちレンズ 90若しくはその近傍の レンズ、又は境界レンズ 192若しくはその近傍のレンズの部分的な温度調整が可能 な機構のみを備えていても良い。力かる場合であっても、光軸力も偏心した領域を照 明光 ILが通過することで生じるレンズ 90又は境界レンズ 192等に生じる非回転対称 な温度変動に起因する投影光学系 PL (光学系 PLL)の非回転対称な光学特性 (の 変動）を、レンズ 90又は境界レンズ 192若しくはその近傍のレンズの部分的な温度調 整により、補正が容易な光学特性 (の変動）に変換することができる。
[0155] また、非露光光照射機構 91A、あるいは該非露光光照射機構 91Aと同様に、投影 光学系 PLの瞳近傍に配置される光学素子、すなわちレンズ 111若しくはその近傍の レンズの部分的な温度調整が可能な機構のみを備えて 、ても良 、。かかる場合であ つても、ダイポール照明などの照明条件の設定により瞳面近傍のレンズに生じる非回 転対称な温度変動に起因する投影光学系 PL (光学系 PLL)の非回転対称な光学特 性 (の変動）を、レンズ 111若しくはその近傍のレンズの部分的な温度調整により、回 転対称な光学特性 (の変動）に変換することができる。
[0156] なお、上記実施形態では、非露光光照射機構 91Aは、レンズ 111の側面に非露光 光を照射するものとしたが、これに限らず、非露光光照射機構 91Aに代えて、非露光 光照射機構 91と同様に、レンズ 111の光学面 (入射面と射出面との少なくとも一方） に非露光光を照射する機構を用いても良い。
[0157] なお、上記実施形態では、投影光学系 PL (光学系 PLL)の光学特性を補正が容易 な光学特性 (の変動）に変換した後に、可動レンズを光軸方向又は傾斜方向に移動 させることでその光学特性 (の変動)を補正する場合について説明したが、これに限ら ず、非露光光照射機構 91によるレンズに対する非露光光の照射と、可動レンズの移 動とを並行して行うようにしても良 、。
[0158] また、ダイポール照明などの照明条件の設定によって瞳面近傍のレンズに生じる、 非回転対称な温度分布を回転対称な温度分布に変換するための非露光光照射機 構 91A又はこれと同等の瞳面近傍のレンズの温度を部分的に調整できる機構を設 ける場合、必ずしも第 2結像光学系 G2内部の第 2瞳 PP2の近傍に設ける必要はなく 、第 1結像光学系 G1内部の第 1瞳 PP1の近傍に設けても良い。また、第 1瞳 PP1の 近傍と第 2瞳 PP2の近傍の両方に設けても良い。要は、特に開口数 NAが 1より大き ぐかつ複数の瞳を有する投影光学系 PLでは、その複数の瞳のうちのウェハ Wに最 も近 、瞳以外の瞳の近傍に設けることが望ま 、。
[0159] なお、上記実施形態では、液体 Lql、 Lq2として同じ純水を供給している力 第 1空 間に供給される純水 (液体 Lql)と、第 2空間に供給される純水 (液体 Lq2)との品質 を異ならせても良い。純水の品質としては、例えば温度均一性、温度安定性、比抵 抗値、あるいは TOC(total organic carbon)値などが挙げられる。
[0160] 例えば、第 2空間 K2に供給される純水よりも、投影光学系 PLの像面に近い第 1空 間 K1へ供給される純水の品質を高くしても良い。また、第 1空間と第 2空間に互いに 異なる種類の液体を供給し、第 1空間 K1に満たす液体 Lqlと第 2空間 K2に満たす 液体 Lq2とを互いに異なる種類にしても良い。例えば、第 2空間 K2に純水以外の所 定の液体 (フッ素系オイルなど）を満たすことができる。オイルは、バクテリアなどの細 菌の繁殖する確率が低 、液体であるため、第 2空間 K2や液体 Lq2 (フッ素系オイル )の流れる流路の清浄度を維持することができる。
[0161] また、液体 Lql、 Lq2の双方を水以外の液体にしても良い。例えば、照明光 ILの光 源が Fレーザである場合、 Fレーザ光は水を透過しないので、液体 Lql、 Lq2として
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は Fレーザ光を透過可能な、例えば、過フッ化ポリエーテル (PFPE)やフッ素系オイ
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ル等のフッ素系流体であっても良い。この場合、液体 Lql、 Lq2と接触する部分には 、例えばフッ素を含む極性の小さ!、分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化 処理する。また、液体 Lql、 Lq2としては、その他にも、照明光 ILに対する透過性が あって、できるだけ屈折率が高ぐ投影光学系 PL、ウェハ W表面に塗布されているフ オトレジストに対して安定なもの（例えばセダー油）を用いることも可能である。この場 合も表面処理は用いる液体 Lql、 Lq2の極性に応じて行われる。
[0162] なお、上述の実施形態では、投影光学系 PLの最も像面側に配置される光学素子（ 終端光学素子 191)の入射側及び射出側の両方の空間 Kl、 Κ2をそれぞれ液体 Lq 1、 Lq2で満たすものとした力 その終端光学素子の射出側の空間 K1のみ液体で満 たすこととしても良い。この場合、その終端光学素子は平行平面板ではなぐ屈折力 を有する光学素子 (レンズなど)でも良 ヽ。
[0163] また、上述の実施形態では、結像特性補正コントローラ 52によって投影光学系 PL の少なくとも 1つの光学素子を移動して、特に回転対称な結像特性 (収差)を補正す るものとした力 光学素子の移動機構の代わりに、あるいはそれと組み合わせて、例 えば投影光学系 PLの複数の光学素子間の屈折力 (気体の圧力など)を調整する機 構、あるいは照明光 ILの波長特性（中心波長など)を調整する機構などを用いても良 い。さらに、結像特性補正コントローラ 52によって移動すべき光学素子はレンズなど の屈折光学素子に限られるものではなぐそれ以外、例えばミラー、凹面鏡などの反 射光学素子などで構わない。また、結像特性補正コントローラ 52による結像特性の 調整は、投影光学系 PLの光学素子への非露光光 (NL、 NE)の照射の有無に関係 なぐその結像特性の変動量が所定の許容範囲を超えるときに行われる。
[0164] なお、上述したような液浸露光装置では、投影光学系の開口数 NAが 0. 9〜1. 3 になることもある。このように投影光学系の開口数 NAが大きくなる場合には、従来か ら露光光（照明光 IL)として用いられているランダム偏光光では偏光効果によって結 像性能が悪ィ匕することもあるので、偏光照明を用いるのが望ましい。その場合、マスク (レチクル）のライン 'アンド'スペースパターンのラインパターンの長手方向に合わせ た直線偏光照明を行い、マスク（レチクル)のパターンからは、 S偏光成分 (TE偏光成 分)、すなわちラインパターンの長手方向に沿った偏光方向成分の回折光が多く射 出されるようにすると良い。投影光学系 PLとウェハ W表面に塗布されたレジストとの 間が液体で満たされて ヽる場合、投影光学系 PLとウェハ W表面に塗布されたレジス トとの間が空気 (気体)で満たされている場合に比べて、コントラストの向上に寄与す る S偏光成分 (TE偏光成分)の回折光のレジスト表面での透過率が高くなるため、投 影光学系の開口数 NAが 1. 0を越えるような場合でも高い結像性能を得ることができ る。また、位相シフトマスク、及び Z又は特開平 6— 188169号公報ゃ特開平 4 18 0612号公報及びこれに対応する米国特許第 6, 665, 050号明細書などに開示さ れて 、るようなラインパターンの長手方向に合わせた斜入射照明法 (特にダイボール 照明法)等を適宜組み合わせると更に効果的である。
[0165] 更に、マスク（レチクル)のラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照明（S 偏光照明)だけでなぐ特開平 6— 53120号公報、米国特許出願公開第 2006Z00 72095号明細書などに開示されているように、光軸を中心とした円の接線 (周）方向 に直線偏光する偏光照明法と斜入射照明法との組み合わせも効果的である。
[0166] なお、投影光学系 PLとしては、例えば国際公開第 2004Z019128号パンフレット 、国際公開第 2004Z107011号パンフレット、米国特許第 6, 636, 350号明細書、 米国特許第 6, 873, 476号明細書あるいは米国特許出願公開 2004Z0160666 号明細書に開示されている反射屈折系を適用することができる。
[0167] なお、投影光学系が反射素子を含まない屈折系である場合に、光軸から偏心した 領域を露光光が通過するレンズが一部にあるのであれば、そのレンズに生じる非回 転対称な温度分布を補正するために、前述の非露光光照射機構 91又はこれと同等 の機能を有する機構を採用することも可能である。
[0168] また、上述の実施形態では、光学系 PLLの光学特性として、フォーカスだけでなく 、倍率やディストーションなどについてもその照射変動を予測し、それら光学特性を 調整するようにしているが、必要に応じて、それら光学特性の少なくとも一つを選択し てその変動の予測及び調整を実行しても良い。
[0169] なお、上記実施形態では、干渉計システム（53、 56)を用いてレチクルステージ RS T及びウェハステージ WSTの各位置情報を計測するものとした力 これに限らず、例 えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを 用いても良い。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムの両方を備えるノ、ィ ブリツドシステムとし、干渉計システムの計測結果を用いてエンコーダシステムの計測 結果の較正（キャリブレーション）を行うことが好ましい。また、干渉計システムとェンコ ーダシステムとを切り替えて用いる、あるいはその両方を用いて、ステージの位置制 御を行うようにしても良い。
[0170] なお、上記実施形態では、本発明がスキャナ（走査型露光装置）に適用された場合 について説明したが、これに限らず、ステップ'アンド'リピート方式の露光装置 (ステ ッパ）などの静止露光型の露光装置、さらに、ステップ ·アンド'スティツチ方式の露光 装置などであっても本発明は適用が可能である。また、本発明は、液浸露光装置に 限らず、液浸法によらな 、通常の露光装置にも適用できる。
[0171] また、本発明は、特開平 10— 163099号公報、特開平 10— 214783号公報及び これらに対応する米国特許第 6, 341, 007号明細書、特表 2000— 505958号公報 及びこれに対応する米国特許第 5, 969, 441号明細書などに開示されているような ウェハを保持するウェハステージを複数備えたマルチステージ型の露光装置にも適 用できる。また、本発明は、例えば国際公開第 2005Z074014号パンフレットなどに 開示されて 、るように、ウエノ、ステージ WSTとは別に計測ステージを備えた露光装 置にも適用できる。
[0172] また、上述の実施形態においては、投影光学系 PLとウェハ Wとの間に局所的に液 体を満たす露光装置を採用しているが、本発明は、特開平 6— 124873号公報、特 開平 10— 303114号公報、米国特許第 5, 825, 043号などに開示されているような 露光対象のウェハなどの表面全体が液体中に浸力つて 、る状態で露光を行う液浸 露光装置にも適用可能である。 [0173] なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン (又 は位相パターン '減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いた力 このマスクに 代えて、例えば米国特許第 6, 778, 257号公報に開示されているように、露光すベ きパターンの電子データに基づいて、透過パターン又は反射パターン、あるいは発 光パターンを形成する電子マスク（可変成形マスクとも呼ばれ、例えば非発光型画像 表示素子（空間光変調器）の一種である DMD (Digital Micro-mirror Device)などを 含む）を用いても良い。
[0174] また、国際公開第 2001Z035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞 をウェハ W上に形成することによって、ウェハ W上にライン 'アンド'スペースパターン を形成する露光装置 (リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。さら に、例えば特表 2004— 519850号公報 (対応米国特許第 6, 611, 316号明細書） に開示されているように、 2つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で 合成し、 1回のスキャン露光によって基板上の 1つのショット領域をほぼ同時に二重露 光する露光装置にも本発明を適用することができる。
[0175] なお、本国際出願で指定された指定国 (又は選択された選択国)の国内法令が許 す限りにおいて、上記実施形態で引用した露光装置などに関する全ての国際公開 パンフレット、米国特許明細書、及び米国特許出願公開明細書の開示を援用して本 明細書の記載の一部とする。
[0176] 露光装置の用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなぐ例えば、 角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置や、有 機 EL、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（CCD等）、マイクロマシン、 MEMS (Micro Electr o Mechanical Systems)、及び DNAチップなどを製造するための露光装置にも広く適 用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなぐ光露光装置、 EUV 露光装置、 X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマス クを製造するために、ガラス基板又はシリコンウェハなどに回路パターンを転写する 露光装置にも本発明を適用できる。
[0177] なお、上記実施形態の露光装置の光源は、 ArFエキシマレーザに限らず、 KrFェ キシマレーザ（出力波長 248nm)、 Fレーザ（出力波長 157nm)、 Arレーザ（出力 波長 126nm)、 Krレーザ（出力波長 146nm)などのパルスレーザ光源や、 g線 (波
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長 436nm)、 i線 (波長 365nm)などの輝線を発する超高圧水銀ランプなどを用いる ことも可能である。また、 YAGレーザの高調波発生装置などを用いることもできる。こ の他、例えば国際公開第 1999Z46835号パンフレットに開示されているように、 DF B半導体レーザ又はファイバーレーザ力 発振される赤外域、又は可視域の単一波 長レーザ光を、例えばエルビウム（又はエルビウムとイッテルビウムの両方）がドープさ れたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高 調波を用いても良い。また、投影光学系は縮小系のみならず等倍および拡大系のい ずれでも良い。
[0178] なお、複数のレンズから構成される照明光学系、投影光学系を露光装置本体に組 み込み、光学調整をするとともに、多数の機械部品からなるレチクルステージゃゥェ ハステージを露光装置本体に取り付けて配線や配管を接続し、更に総合調整 (電気 調整、動作確認等)をすることにより、上記各実施形態の露光装置を製造することが できる。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルーム で行うことが望ましい。
[0179] 《デバイス製造方法》
次に上述した露光装置をリソグラフイエ程で使用したデバイスの製造方法の実施形 態について説明する。
[0180] 図 14には、デバイス (ICや LSI等の半導体チップ、液晶パネル、 CCD,薄膜磁気 ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートが示されている。図 14に示され るように、まず、ステップ 201 (設計ステップ）において、デバイスの機能 ·性能設計 (例 えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン 設計を行う。引き続き、ステップ 202 (マスク製作ステップ）において、設計した回路パ ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ 203 (ウェハ製造ステップ）におい て、シリコン等の材料を用いてウェハを製造する。
[0181] 次に、ステップ 204 (ウェハ処理ステップ）において、ステップ 201〜ステップ 203で 用意したマスクとウェハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってゥェ ハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップ 205 (デバイス組立てステップ）に おいて、ステップ 204で処理されたウェハを用いてデバイス組立てを行う。このステツ プ 205には、ダイシング工程、ボンディング工程、及びパッケージング工程 (チップ封 入)等の工程が必要に応じて含まれる。
[0182] 最後に、ステップ 206 (検査ステップ）において、ステップ 205で作成されたデバイス の動作確認テスト、耐久テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にデバイスが完 成し、これが出荷される。
[0183] 図 15には、半導体デバイスにおける、上記ステップ 204の詳細なフロー例が示され ている。図 15において、ステップ 211 (酸化ステップ）においてはウェハの表面を酸 化させる。ステップ 212 (CVDステップ）においてはウェハ表面に絶縁膜を形成する 。ステップ 213 (電極形成ステップ）においてはウェハ上に電極を蒸着によって形成 する。ステップ 214 (イオン打ち込みステップ）においてはウエノ、にイオンを打ち込む 。以上のステップ 211〜ステップ 214それぞれは、ウェハ処理の各段階の前処理工 程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
[0184] ウェハプロセスの各段階にお 、て、上述の前処理工程が終了すると、以下のように して後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップ 215 (レジスト形 成ステップ）において、ウエノ、に感光剤を塗布する。引き続き、ステップ 216 (露光ス テツプ）において、上で説明した露光装置及び露光方法によってレチクル (マスク）の 回路パターンをウェハに転写する。次に、ステップ 217 (現像ステップ）においては露 光されたウェハを現像し、ステップ 218 (エッチングステップ）において、レジストが残 存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップ 219 (レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取 り除く。
[0185] これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウェハ上に多重に 回路パターンが形成される。
[0186] 以上説明した本実施形態のデバイス製造方法によると、露光工程 (ステップ 216) において上記実施形態の露光装置及び露光方法によってレチクルの回路パターン 力 Sウェハに精度良く転写される。この結果、高集積度のデバイスの生産性 (歩留まり を含む)を向上させることが可能になる。 産業上の利用可能性
以上説明したように、本発明の露光方法及び露光装置は、物体を露光するのに適 している。本発明のデバイス製造方法は、マイクロデバイスの製造に適している。

Claims

請求の範囲
[1] 光学系を介して物体を第 1エネルギビームで露光して、前記物体上に所定のバタ ーンを形成する露光方法であって、
前記光学系の光学特性を調整するために、前記光学系の少なくとも一部を構成す る少なくとも 1つの可動の光学素子に前記第 1エネルギビームとは異なる波長域の第 2エネルギビームを照射する照射工程と；
前記第 2エネルギビームが照射される可動の光学素子を含む少なくとも 1つの可動 の光学素子を動かして前記光学系の光学特性を調整する補正工程と;を含む露光 方法。
[2] 請求項 1に記載の露光方法において、
前記光学系として、前記物体側の端部とその反対側の端部とを含む複数箇所で、 光軸力 偏心した領域を前記第 1エネルギビームが通過する光学系が用いられるこ とを特徴とする露光方法。
[3] 請求項 2に記載の露光方法において、
前記光学系は、少なくとも 1つの屈折光学素子と少なくとも 1つの反射光学素子とを 含む反射屈折系であることを特徴とする露光方法。
[4] 請求項 2に記載の露光方法において、
前記照射工程では、前記光学系の前記物体側の端部近傍に位置する少なくとも 1 つの光学素子と反対側の端部近傍に位置する少なくとも 1つの光学素子のうちの少 なくとも 1つの可動の光学素子に前記第 2エネルギビームを照射することを特徴とす る露光方法。
[5] 請求項 1に記載の露光方法において、
前記照射工程では、前記光学系に回転対称な光学特性が生じるように前記光学素 子に前記第 2エネルギビームを照射し、
前記補正工程では、前記少なくとも 1つの可動の光学素子を動かして、前記光学系 の回転対称な光学特性を調整することを特徴とする露光方法。
[6] 請求項 5に記載の露光方法において、
前記補正工程では、前記少なくとも 1つの可動の光学素子を前記光学系の光軸方 向に動かすことを特徴とする露光方法。
[7] 請求項 1に記載の露光方法において、
前記照射工程では、前記光学系に光軸に直交する面内で一側から他側に徐々に 変化する光学特性が生じるように前記光学素子に前記第 2エネルギビームを照射し 前記補正工程では、前記少なくとも 1つの可動の光学素子を動かして、前記一側か ら他側に変化する前記光学系の光学特性を調整することを特徴とする露光方法。
[8] 請求項 7に記載の露光方法において、
前記補正工程では、前記少なくとも 1つの可動の光学素子を前記光学系の光軸に 直交する面に対する傾斜方向に動かすことを特徴とする露光方法。
[9] 請求項 1に記載の露光方法において、
前記光学系の瞳面上における光軸から偏心した位置における前記第 1エネルギビ ームのエネルギ強度が、他の領域部分より大きくなる場合、
前記瞳面におけるエネルギ強度の分布が回転対称になるように、第 3のエネルギビ ームを照射する工程を、さらに含む露光方法。
[10] 請求項 1に記載の露光方法において、
前記第 2エネルギビームは、赤外光であることを特徴とする露光方法。
[11] 請求項 10に記載の露光方法において、
前記第 2エネルギビームは、炭酸ガスレーザ光であることを特徴とする露光方法。
[12] 請求項 1に記載の露光方法において、
前記光学系は、前記第 2エネルギビームが照射される所定の光学素子とは別に、 少なくとも 1つの光学素子を含み、
前記第 2エネルギビームは、前記第 2エネルギビームが照射される光学素子とは別 の光学素子を介さずに、前記所定の光学素子に照射されることを特徴とする露光方 法。
[13] 光学系を介して物体をエネルギビームで露光して、前記物体上に所定のパターン を形成する露光方法であって、
前記光学系として、少なくとも 1つの屈折光学素子と少なくとも 1つの反射光学素子 とを含み、前記物体側の端部とその反対側の端部とを含む複数箇所で、光軸に対し て偏心した領域をエネルギビームが通過する反射屈折系が用いられ、
前記光学系の複数の光学素子のうち、前記エネルギビームが光軸に対して偏心し た位置を通過する所定の光学素子が前記光軸回りに同心円状の温度分布を持つよ うに、前記所定の光学素子の温度調整を少なくとも行って、前記光学系の光学特性 を調整する工程を含む露光方法。
[14] 請求項 13に記載の露光方法において、
前記所定の光学素子は、前記光学系の光学特性を調整するために可動であること を特徴とする露光方法。
[15] 請求項 13に記載の露光方法において、
前記所定の光学素子の温度調整が、前記エネルギビームとは波長の異なる別のェ ネルギビームを前記所定の光学素子に照射することによって行われることを特徴とす る露光方法。
[16] 請求項 15に記載の露光方法において、
前記別のエネルギビームは、赤外光であることを特徴とする露光方法。
[17] 請求項 16に記載の露光方法において、
前記別のエネルギビームは、炭酸ガスレーザ光であることを特徴とする露光方法。
[18] 請求項 15に記載の露光方法において、
前記光学系は、前記別のエネルギビームが照射される所定の光学素子とは別に、 少なくとも 1つの光学素子を含み、
前記別のエネルギビームは、前記別のエネルギビームが照射される光学素子とは 別の光学素子を介さずに、前記所定の光学素子に照射されることを特徴とする露光 方法。
[19] 光学系を介して物体をエネルギビームで露光して、前記物体上に所定のパターン を形成する露光方法であって、
前記光学系として、少なくとも 1つの屈折光学素子と少なくとも 1つの反射光学素子 とを含み、前記物体側の端部とその反対側の端部とを含む複数箇所で、光軸に対し て偏心した領域をエネルギビームが通過する反射屈折系が用いられ、 前記光学系の複数の光学素子のうち、前記エネルギビームが光軸に対して偏心し た位置を通過する所定の光学素子が前記光軸に直交する面内で一側から他側へ徐 々に変化する温度分布を持つように、前記所定の光学素子の温度調整を少なくとも 行って、前記光学系の光学特性を調整する工程を含む露光方法。
[20] 請求項 19に記載の露光方法において、
前記所定の光学素子は、前記光学系の光学特性を調整するために可動であること を特徴とする露光方法。
[21] 請求項 19に記載の露光方法において、
前記所定の光学素子の温度調整が、前記エネルギビームとは波長の異なる別のェ ネルギビームを前記所定の光学素子に照射することによって行われることを特徴とす る露光方法。
[22] 請求項 21に記載の露光方法において、
前記別のエネルギビームは、赤外光であることを特徴とする露光方法。
[23] 請求項 22に記載の露光方法において、
前記別のエネルギビームは、炭酸ガスレーザ光であることを特徴とする露光方法。
[24] 請求項 21に記載の露光方法において、
前記光学系は、前記別のエネルギビームが照射される所定の光学素子とは別に、 少なくとも 1つの光学素子を含み、
前記別のエネルギビームは、前記別のエネルギビームが照射される光学素子とは 別の光学素子を介さずに、前記所定の光学素子に照射されることを特徴とする露光 方法。
[25] 光学系を介して物体を第 1エネルギビームで露光して、前記物体上に所定のバタ ーンを形成する露光方法であって、
前記光学系として、少なくとも 1つの屈折光学素子と少なくとも 1つの反射光学素子 とを含む反射屈折系が用いられ、
前記光学系の光学特性を調整するために、前記光学系の一部を構成する前記第 1 エネルギビームが往復する屈折光学素子に前記第 1エネルギビームとは異なる波長 域の第 2エネルギビームを照射する工程を含む露光方法。
[26] 請求項 25に記載の露光方法において、
前記第 2エネルギビームが照射される屈折光学素子は、前記光学系内でその瞳近 傍に配置されることを特徴とする露光方法。
[27] 請求項 25に記載の露光方法において、
前記第 1エネルギビームは、前記光学系内で前記第 2エネルギビームが照射される 屈折光学素子を介して前記反射光学素子で反射されて、再度前記屈折光学素子に 入射することを特徴とする露光方法。
[28] 請求項 25に記載の露光方法において、
前記第 2エネルギビームを照射する工程では、前記光学素子の側面に前記第 2ェ ネルギビームを照射することを特徴とする露光方法。
[29] 請求項 25に記載の露光方法において、
前記第 2エネルギビームは、赤外光であることを特徴とする露光方法。
[30] 請求項 29に記載の露光方法において、
前記第 2エネルギビームは、炭酸ガスレーザ光であることを特徴とする露光方法。
[31] 請求項 25に記載の露光方法において、
前記光学系は、前記第 2エネルギビームが照射される所定の光学素子とは別に、 少なくとも 1つの光学素子を含み、
前記第 2エネルギビームは、前記第 2エネルギビームが照射される光学素子とは別 の光学素子を介さずに、前記所定の光学素子に照射されることを特徴とする露光方 法。
[32] 光学系を介して物体を第 1エネルギビームで露光して、前記物体上に所定のバタ ーンを形成する露光方法であって、
前記光学系として、少なくとも 1つの屈折光学素子と少なくとも 1つの反射光学素子 とを含み、互いに光学的に共役な複数の瞳を有する反射屈折系が用いられ、 前記光学系の光学特性を調整するために、前記複数の瞳のうち、前記物体に最も 近い瞳以外の瞳近傍に位置する光学素子に前記第 1エネルギビームとは異なる波 長域の第 2エネルギビームを照射する工程を含む露光方法。
[33] 請求項 32に記載の露光方法において、 前記複数の瞳のうちの少なくとも 1つの瞳の位置に、前記光学系の開口数を規定 するための開口絞りが配置されることを特徴とする露光方法。
[34] 請求項 32に記載の露光方法において、
前記第 2エネルギビームを照射する工程では、前記光学素子の側面に前記第 2ェ ネルギビームを照射することを特徴とする露光方法。
[35] 請求項 32に記載の露光方法において、
前記第 2エネルギビームは、赤外光であることを特徴とする露光方法。
[36] 請求項 35に記載の露光方法において、
前記第 2エネルギビームは、炭酸ガスレーザ光であることを特徴とする露光方法。
[37] 請求項 32に記載の露光方法において、
前記光学系は、前記第 2エネルギビームが照射される所定の光学素子とは別に、 少なくとも 1つの光学素子を含み、
前記第 2エネルギビームは、前記第 2エネルギビームが照射される光学素子とは別 の光学素子を介さずに、前記所定の光学素子に照射されることを特徴とする露光方 法。
[38] 請求項 1〜37のいずれか一項に記載の露光方法を用いてデバイスのパターンを 物体上に形成するリソグラフイエ程を含むデバイス製造方法。
[39] 物体を第 1エネルギビームで露光して、前記物体上に所定のパターンを形成する 露光装置であって、
少なくとも 1つの可動の光学素子を含み、前記第 1エネルギビームを前記物体に対 して射出する光学系と；
前記光学系の光学特性を調整するために、前記少なくとも 1つの可動の光学素子 に前記第 1エネルギビームとは異なる波長域の第 2エネルギビームを照射する照射 装置と；
前記第 2エネルギビームが照射される可動の光学素子を含む少なくとも 1つの可動 の光学素子を動かして前記光学系の光学特性を調整する光学特性調整装置と;を 含む露光装置。
[40] 請求項 39に記載の露光装置において、 前記光学系は、前記物体側の端部とその反対側の端部とを含む複数箇所で、光軸 力 偏心した領域を前記第 1エネルギビームが通過する光学系であることを特徴とす る露光装置。
[41] 請求項 40に記載の露光装置において、
前記光学系は、少なくとも 1つの屈折光学素子と少なくとも 1つの反射光学素子とを 含む反射屈折系であることを特徴とする露光装置。
[42] 請求項 39に記載の露光装置において、
前記照射装置は、前記光学系に回転対称な光学特性が生じるように前記光学素 子に前記第 2エネルギビームを照射し、
前記光学特性調整装置は、前記少なくとも 1つの可動の光学素子を動かして、前 記光学系の回転対称な光学特性を調整することを特徴とする露光装置。
[43] 請求項 42に記載の露光装置において、
前記光学特性調整装置は、前記少なくとも 1つの可動の光学素子を前記光学系の 光軸方向に動かすことを特徴とする露光装置。
[44] 請求項 39に記載の露光装置において、
前記照射装置は、前記光学系に光軸に直交する面内で一側から他側に徐々に変 化する光学特性が生じるように前記光学素子に前記第 2エネルギビームを照射し、 前記光学特性調整装置は、前記少なくとも 1つの可動の光学素子を動かして、前 記一側から他側に変化する前記光学系の光学特性を調整することを特徴とする露光 装置。
[45] 請求項 44に記載の露光装置において、
前記光学特性調整装置は、前記少なくとも 1つの可動の光学素子を前記光学系の 光軸に直交する面に対する傾斜方向に動かすことを特徴とする露光装置。
[46] 請求項 39に記載の露光装置において、
前記照射装置は、前記光学系の前記物体側の端部近傍に位置する少なくとも 1つ の光学素子と反対側の端部近傍に位置する少なくとも 1つの光学素子のうちの少なく とも 1つの可動の光学素子に前記第 2エネルギビームを照射することを特徴とする露 光装置。
[47] 請求項 39に記載の露光装置において、
前記光学系の瞳面上における光軸から偏心した位置における前記第 1エネルギビ ームのエネルギ強度が、他の領域部分より大きくなる場合に、前記光学系の瞳面に おけるエネルギ強度の分布が回転対称になるように、前記瞳面近傍の光学素子に第 3のエネルギビームを照射する前記照射装置とは異なる照射装置を更に備える露光 装置。
[48] 請求項 39に記載の露光装置において、
前記第 2エネルギビームは、赤外光であることを特徴とする露光装置。
[49] 請求項 48に記載の露光装置において、
前記第 2エネルギビームは、炭酸ガスレーザ光であることを特徴とする露光装置。
[50] 請求項 39に記載の露光装置において、
前記光学系は、前記第 2エネルギビームが照射される所定の光学素子とは別に、 少なくとも 1つの光学素子を含み、
前記第 2エネルギビームは、前記第 2エネルギビームが照射される光学素子とは別 の光学素子を介さずに、前記所定の光学素子に照射されることを特徴とする露光装 置。
[51] 物体をエネルギビームで露光して、前記物体上に所定のパターンを形成する露光 装置であって、
少なくとも 1つの屈折光学素子と少なくとも 1つの反射光学素子とを含み、前記物体 側の端部とその反対側の端部とを含む複数箇所で、光軸に対して偏心した領域をェ ネルギビームが通過する反射屈折系から成る光学系と；
前記光学系の複数の光学素子のうち、前記エネルギビームが光軸に対して偏心し た位置を通過する所定の光学素子が前記光軸回りに同心円状の温度分布を持つよ うに、前記所定の光学素子の温度調整を少なくとも行って、前記光学系の光学特性 を調整する光学特性調整装置と；を備える露光装置。
[52] 請求項 51に記載の露光装置において、
前記所定の光学素子は、前記光学系の光学特性を調整するために可動であること を特徴とする露光装置。
[53] 請求項 51に記載の露光装置において、
前記光学特性調整装置は、前記所定の光学素子の温度調整を、前記エネルギビ 一ムとは波長の異なる別のエネルギビームを前記所定の光学素子に照射することに よって行うことを特徴とする露光装置。
[54] 請求項 53に記載の露光装置において、
前記別のエネルギビームは、赤外光であることを特徴とする露光装置。
[55] 請求項 54に記載の露光装置において、
前記別のエネルギビームは、炭酸ガスレーザ光であることを特徴とする露光装置。
[56] 請求項 53に記載の露光装置において、
前記光学系は、前記別のエネルギビームが照射される所定の光学素子とは別に、 少なくとも 1つの光学素子を含み、
前記別のエネルギビームは、前記別のエネルギビームが照射される光学素子とは 別の光学素子を介さずに、前記所定の光学素子に照射されることを特徴とする露光 装置。
[57] 物体をエネルギビームで露光して、前記物体上に所定のパターンを形成する露光 装置であって、
少なくとも 1つの屈折光学素子と少なくとも 1つの反射光学素子とを含み、前記物体 側の端部とその反対側の端部とを含む複数箇所で、光軸に対して偏心した領域をェ ネルギビームが通過する反射屈折系から成る光学系と；
前記光学系の複数の光学素子のうち、前記エネルギビームが光軸に対して偏心し た位置を通過する所定の光学素子が前記光軸に直交する面内で一側から他側へ徐 々に変化する温度分布を持つように、前記所定の光学素子の温度調整を少なくとも 行って、前記光学系の光学特性を調整する光学特性調整装置と；を備える露光装置
[58] 請求項 57に記載の露光装置において、
前記所定の光学素子は、前記光学系の光学特性を調整するために可動であること を特徴とする露光装置。
[59] 請求項 57に記載の露光装置において、 前記光学特性調整装置は、前記所定の光学素子の温度調整を、前記エネルギビ 一ムとは波長の異なる別のエネルギビームを前記所定の光学素子に照射することに よって行うことを特徴とする露光装置。
[60] 請求項 59に記載の露光装置において、
前記別のエネルギビームは、赤外光であることを特徴とする露光装置。
[61] 請求項 60に記載の露光装置において、
前記別のエネルギビームは、炭酸ガスレーザ光であることを特徴とする露光装置。
[62] 請求項 59に記載の露光装置において、
前記光学系は、前記別のエネルギビームが照射される所定の光学素子とは別に、 少なくとも 1つの光学素子を含み、
前記別のエネルギビームは、前記別のエネルギビームが照射される光学素子とは 別の光学素子を介さずに、前記所定の光学素子に照射されることを特徴とする露光 装置。
[63] 物体を第 1エネルギビームで露光して、前記物体上に所定のパターンを形成する 露光装置であって、
少なくとも 1つの屈折光学素子と少なくとも 1つの反射光学素子とを含み、前記第 1 エネルギビームを前記物体に対して射出する反射屈折系から成る光学系と； 前記光学系の光学特性を調整するために、前記光学系の一部を構成する前記第 1 エネルギビームが往復する屈折光学素子に前記第 1エネルギビームとは異なる波長 域の第 2エネルギビームを照射する照射装置と；を備える露光装置。
[64] 請求項 63に記載の露光装置において、
前記第 2エネルギビームが照射される屈折光学素子は、前記光学系内でその瞳近 傍に配置されることを特徴とする露光装置。
[65] 請求項 63に記載の露光装置において、
前記第 1エネルギビームは、前記光学系内で前記第 2エネルギビームが照射される 屈折光学素子を介して前記反射光学素子で反射されて、再度前記屈折光学素子に 入射することを特徴とする露光装置。
[66] 請求項 63に記載の露光装置において、 前記照射装置は、前記光学素子の側面に前記第 2エネルギビームを照射すること を特徴とする露光装置。
[67] 請求項 63に記載の露光装置において、
前記第 2エネルギビームは、赤外光であることを特徴とする露光装置。
[68] 請求項 67に記載の露光装置において、
前記第 2エネルギビームは、炭酸ガスレーザ光であることを特徴とする露光装置。
[69] 請求項 63に記載の露光装置において、
前記光学系は、前記第 2エネルギビームが照射される所定の光学素子とは別に、 少なくとも 1つの光学素子を含み、
前記第 2エネルギビームは、前記第 2エネルギビームが照射される光学素子とは別 の光学素子を介さずに、前記所定の光学素子に照射されることを特徴とする露光装 置。
[70] 物体を第 1エネルギビームで露光して、前記物体上に所定のパターンを形成する 露光装置であって、
少なくとも 1つの屈折光学素子と少なくとも 1つの反射光学素子とを含み、互いに光 学的に共役な複数の瞳を有し、前記第 1エネルギビームを前記物体に対して射出す る光学系と；
前記光学系の光学特性を調整するために、前記複数の瞳のうち、前記物体に最も 近い瞳以外の瞳近傍に位置する光学素子に前記第 1エネルギビームとは異なる波 長域の第 2エネルギビームを照射する照射装置と；を備える露光装置。
[71] 請求項 70に記載の露光装置において、
前記複数の瞳のうちの少なくとも 1つの瞳の位置に配置され、前記光学系の開口数 を規定するための開口絞りを更に備える露光装置。
[72] 請求項 70に記載の露光装置において、
前記照射装置は、前記光学素子の側面に前記第 2エネルギビームを照射すること を特徴とする露光装置。
[73] 請求項 70に記載の露光装置において、
前記第 2エネルギビームは、赤外光であることを特徴とする露光装置。
[74] 請求項 73に記載の露光装置において、
前記第 2エネルギビームは、炭酸ガスレーザ光であることを特徴とする露光装置。
[75] 請求項 70に記載の露光装置において、
前記光学系は、前記第 2エネルギビームが照射される所定の光学素子とは別に、 少なくとも 1つの光学素子を含み、
前記第 2エネルギビームは、前記第 2エネルギビームが照射される光学素子とは別 の光学素子を介さずに、前記所定の光学素子に照射されることを特徴とする露光装 置。
[76] 請求項 39〜75の 、ずれか一項に記載の露光装置を用いてデバイスのパターンを 物体上に形成するリソグラフイエ程を含むデバイス製造方法。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008181125A (ja) * 2007-01-23 2008-08-07 Carl Zeiss Smt Ag リソグラフィ用投影対物レンズ
JP2010511298A (ja) * 2006-12-01 2010-04-08 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 像収差を低減するための交換可能で操作可能な補正構成を有する光学システム
JP2010517279A (ja) * 2007-01-22 2010-05-20 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 光学システムの結像特性を改善する方法及び光学システム
JP2011040331A (ja) * 2009-08-17 2011-02-24 Nikon Corp 照明装置
JP2011176311A (ja) * 2010-02-25 2011-09-08 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置および方法
US8605253B2 (en) 2006-07-03 2013-12-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithographic projection objective
JP2015526755A (ja) * 2012-06-29 2015-09-10 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 投影リソグラフィのための投影露光装置
JP2021005073A (ja) * 2019-06-25 2021-01-14 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法および物品製造方法

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005031792A1 (de) * 2005-07-07 2007-01-11 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Entfernung von Kontamination von optischen Elementen, insbesondere von Oberflächen optischer Elemente sowie ein optisches System oder Teilsystem hierfür
US7613538B2 (en) * 2006-07-24 2009-11-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Compensation for distortion in contact lithography
JP5329520B2 (ja) * 2007-03-27 2013-10-30 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 低角度で入射する補正光を用いる補正光学素子
US20100290020A1 (en) * 2009-05-15 2010-11-18 Shinichi Mori Optical apparatus, exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
CN102428408B (zh) * 2009-05-16 2014-11-05 卡尔蔡司Smt有限责任公司 包括光学校正布置的用于半导体光刻的投射曝光设备
EP2550564B1 (en) * 2010-03-25 2015-03-04 ETH Zurich A beam line for a source of extreme ultraviolet (euv) radiation
US8040622B1 (en) * 2010-05-05 2011-10-18 Eastman Kodak Company Apparatus for compensating an imaging lens
DE112011103110B4 (de) * 2010-09-17 2016-12-01 Mitsubishi Electric Corporation Gaslaservorrichtung
JP5863974B2 (ja) 2011-09-29 2016-02-17 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズ
DE102011088740A1 (de) * 2011-12-15 2013-01-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, sowie Verfahren zum Manipulieren des thermischen Zustandes eines optischen Elementes in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
WO2013133321A1 (ja) * 2012-03-07 2013-09-12 株式会社ニコン マスク、マスクユニット、露光装置、基板処理装置、及びデバイス製造方法
DE102012212194B4 (de) * 2012-07-12 2017-11-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Veränderung einer optischen Wellenfront in einem katoptrischen Objektiv einer solchen Anlage
WO2014117791A1 (en) * 2013-02-01 2014-08-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Microlithographic projection exposure apparatus and method of operating same
WO2014139543A1 (en) * 2013-03-13 2014-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Microlithographic apparatus
JP6264377B2 (ja) * 2013-07-17 2018-01-24 株式会社ニコン 構造化照明装置及び構造化照明顕微鏡装置
CN104570610B (zh) * 2013-10-11 2017-02-15 上海微电子装备有限公司 投影曝光装置
JP6422307B2 (ja) * 2014-11-05 2018-11-14 キヤノン株式会社 露光方法、露光装置、および物品の製造方法
DE102015201020A1 (de) 2015-01-22 2016-07-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit Manipulator sowie Verfahren zum Steuern einer Projektionsbelichtungsanlage
JP6980443B2 (ja) * 2017-07-28 2021-12-15 キヤノン株式会社 露光装置及び物品製造方法
DE102018212400A1 (de) * 2018-07-25 2020-01-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen des Erwärmungszustandes eines optischen Elements in einem optischen System für die Mikrolithographie
KR102733328B1 (ko) * 2019-11-11 2024-11-22 삼성디스플레이 주식회사 레이저 조사 장치 및 레이저 조사 방법
DE102019219289A1 (de) * 2019-12-11 2021-06-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, sowie Heizanordnung und Verfahren zum Heizen eines optischen Elements in einem optischen System
DE102020201723A1 (de) 2020-02-12 2021-08-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit einem thermischen Manipulator
DE102020207752A1 (de) 2020-06-23 2021-12-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Heizanordnung und Verfahren zum Heizen eines optischen Elements
US11287751B2 (en) * 2020-07-29 2022-03-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method for lens heating control
WO2022161736A1 (en) 2021-01-27 2022-08-04 Asml Netherlands B.V. Multi-channel light source for projection optics heating

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06267824A (ja) * 1993-03-15 1994-09-22 Nikon Corp 露光方法
JPH1050585A (ja) * 1996-08-07 1998-02-20 Nikon Corp 投影露光装置
JPH11162832A (ja) * 1997-11-25 1999-06-18 Nikon Corp 走査露光方法及び走査型露光装置
JP2001196305A (ja) * 2000-01-05 2001-07-19 Carl Zeiss:Fa 光学装置
JP2005019628A (ja) * 2003-06-25 2005-01-20 Nikon Corp 光学装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2005140999A (ja) * 2003-11-06 2005-06-02 Nikon Corp 光学系、光学系の調整方法、露光装置、および露光方法
JP2005311020A (ja) * 2004-04-21 2005-11-04 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
JP2006073584A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Nikon Corp 露光装置及び方法並びにデバイス製造方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57153433A (en) * 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
US5521036A (en) * 1992-07-27 1996-05-28 Nikon Corporation Positioning method and apparatus
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
US5995263A (en) * 1993-11-12 1999-11-30 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JP3368091B2 (ja) * 1994-04-22 2003-01-20 キヤノン株式会社 投影露光装置及びデバイスの製造方法
JPH08316124A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
EP0823662A2 (en) * 1996-08-07 1998-02-11 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
US7274430B2 (en) * 1998-02-20 2007-09-25 Carl Zeiss Smt Ag Optical arrangement and projection exposure system for microlithography with passive thermal compensation
US7112772B2 (en) * 1998-05-29 2006-09-26 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with adaptive mirror and projection exposure method
DE19827602A1 (de) * 1998-06-20 1999-12-23 Zeiss Carl Fa Verfahren zur Korrektur nicht-rotationssymmetrischer Bildfehler
DE19827603A1 (de) * 1998-06-20 1999-12-23 Zeiss Carl Fa Optisches System, insbesondere Projektions-Belichtungsanlage der Mikrolithographie
DE19859634A1 (de) * 1998-12-23 2000-06-29 Zeiss Carl Fa Optisches System, insbesondere Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie
JP3548464B2 (ja) * 1999-09-01 2004-07-28 キヤノン株式会社 露光方法及び走査型露光装置
DE19956353C1 (de) * 1999-11-24 2001-08-09 Zeiss Carl Optische Anordnung
DE19956354B4 (de) * 1999-11-24 2004-02-19 Carl Zeiss Verfahren zum Ausgleich von nicht rotationssymmetrischen Abbildungsfehlern in einem optischen System
DE19963588C2 (de) * 1999-12-29 2002-01-10 Zeiss Carl Optische Anordnung
DE19963587B4 (de) * 1999-12-29 2007-10-04 Carl Zeiss Smt Ag Projektions-Belichtungsanlage
DE10000193B4 (de) * 2000-01-05 2007-05-03 Carl Zeiss Smt Ag Optisches System
KR20050035890A (ko) * 2002-08-23 2005-04-19 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 포토리소그래피 방법, 노광 장치 및 그 이용방법
CN101470360B (zh) * 2002-11-12 2013-07-24 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
US6995833B2 (en) * 2003-05-23 2006-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2005039211A (ja) * 2003-06-30 2005-02-10 Canon Inc 投影光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
EP1670041A4 (en) * 2003-08-28 2007-10-17 Nikon Corp METHOD AND APPARATUS FOR EXPOSURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING ASSOCIATED DEVICE

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06267824A (ja) * 1993-03-15 1994-09-22 Nikon Corp 露光方法
JPH1050585A (ja) * 1996-08-07 1998-02-20 Nikon Corp 投影露光装置
JPH11162832A (ja) * 1997-11-25 1999-06-18 Nikon Corp 走査露光方法及び走査型露光装置
JP2001196305A (ja) * 2000-01-05 2001-07-19 Carl Zeiss:Fa 光学装置
JP2005019628A (ja) * 2003-06-25 2005-01-20 Nikon Corp 光学装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2005140999A (ja) * 2003-11-06 2005-06-02 Nikon Corp 光学系、光学系の調整方法、露光装置、および露光方法
JP2005311020A (ja) * 2004-04-21 2005-11-04 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
JP2006073584A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Nikon Corp 露光装置及び方法並びにデバイス製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1906437A4 *

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10042265B2 (en) 2006-07-03 2018-08-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithographic projection objective
US8605253B2 (en) 2006-07-03 2013-12-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithographic projection objective
US9494868B2 (en) 2006-07-03 2016-11-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithographic projection objective
JP2010511298A (ja) * 2006-12-01 2010-04-08 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 像収差を低減するための交換可能で操作可能な補正構成を有する光学システム
US8542346B2 (en) 2006-12-01 2013-09-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system with an exchangeable, manipulable correction arrangement for reducing image aberrations
US8947633B2 (en) 2007-01-22 2015-02-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system and method of use
JP2010517279A (ja) * 2007-01-22 2010-05-20 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 光学システムの結像特性を改善する方法及び光学システム
US9823579B2 (en) 2007-01-22 2017-11-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system and method of use
US8462315B2 (en) 2007-01-22 2013-06-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system and method of use
KR101421298B1 (ko) 2007-01-23 2014-07-18 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 리소그라피를 위한 투영 대물 렌즈
JP2008181125A (ja) * 2007-01-23 2008-08-07 Carl Zeiss Smt Ag リソグラフィ用投影対物レンズ
JP2011040331A (ja) * 2009-08-17 2011-02-24 Nikon Corp 照明装置
JP2011176311A (ja) * 2010-02-25 2011-09-08 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置および方法
JP2015526755A (ja) * 2012-06-29 2015-09-10 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 投影リソグラフィのための投影露光装置
KR102056795B1 (ko) 2012-06-29 2019-12-17 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 투영 리소그래피용 투영 노광 장치
JP2021005073A (ja) * 2019-06-25 2021-01-14 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法および物品製造方法

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