WO2007010072A3 - Procede d'integration monolithique de materiaux de qualite mecanique elevee dans des circuits integres utilises dans des applications mems/nems - Google Patents

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Abstract

L'invention porte sur un procédé d'intégration monolithique de matériaux de qualité mécanique élevée dans des circuits intégrés utilisés dans des applications MEMS/NEMS. Le procédé consiste à utiliser une structure constituée d'au moins trois couches pour réaliser ladite circuiterie électronique et lesdits systèmes micro/nano électromécaniques. Lesdits couches comprennent une couche inférieure ou de base destinée à être utilisée pour réaliser lesdits circuits électroniques, une couche intermédiaire isolante, et une couche supérieure destinée à réaliser, au moins en partie lesdits MEMS/NEMS. Ladite structure à au moins trois couches comprend un substrat, tel qu'un substrat SOI, les couches dudit substrat étant reliées entre elles avant la réalisation desdits circuits électroniques et desdits MEMS/NEMS, à l'intérieur desdites couches, ce qui permet de définir des zones sur lesdites couches supérieures et intermédiaires dans lesquelles lesdits MEMS/NEMS seront réalisés, et ce qui permet d'éliminer la partie non utilisée desdites couches, de manière à rendre la couche inférieure accessible et de manière à réaliser la circuiterie électronique en utilisant des techniques classiques.
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