WO2007135897A1 - 光送受信デバイス - Google Patents

光送受信デバイス Download PDF

Info

Publication number
WO2007135897A1
WO2007135897A1 PCT/JP2007/059951 JP2007059951W WO2007135897A1 WO 2007135897 A1 WO2007135897 A1 WO 2007135897A1 JP 2007059951 W JP2007059951 W JP 2007059951W WO 2007135897 A1 WO2007135897 A1 WO 2007135897A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light
groove
disposed
front surface
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2007/059951
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Katsumi Shibayama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Priority to EP07743386.0A priority Critical patent/EP2023397B1/en
Priority to US12/301,142 priority patent/US7826695B2/en
Priority to CN2007800140128A priority patent/CN101529600B/zh
Publication of WO2007135897A1 publication Critical patent/WO2007135897A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0239—Combinations of electrical or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/40—Transceivers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4246—Bidirectionally operating package structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
    • H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations

Definitions

  • the present invention relates to an optical transmission / reception device.
  • a light emitting element, a light receiving element, a light emitting element and a light receiving element are accommodated, a base having an opening, a light transmitting member attached to the opening of the base, a light emitting element,
  • a device including a light shielding member disposed between the light receiving element and the light receiving element is known (for example, see Patent Document 1).
  • Patent Document 1 JP 2001-61796 A
  • the optical transmission / reception device due to its structure, high accuracy is required for the dimensions and arrangement positions of each component. For this reason, if the accuracy drops even a little, the light shielding between the light emitting element and the light receiving element may be insufficient. Specifically, a part of the light emitted from the light emitting element is multiple-reflected in the light transmitting member and travels in the light transmitting member to reach the light receiving element as unnecessary light, resulting from this unnecessary light. There is a risk that the noise current will increase and the detection accuracy of scattered light, etc. incident on external force will deteriorate.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide an optical transmission / reception device capable of accurately detecting incident light from the outside.
  • an optical transmission / reception device includes a light emitting element for emitting light forward, a light receiving element for receiving light irradiated with a forward force, and a light emitting element.
  • a groove having at least one end opened on the side surface of the light transmitting member is formed, and the light-shielding resin portion reaches the groove
  • the optical transmission / reception device has a light emitting element for emitting light forward, a light receiving element for receiving light emitted from the front, and a recess in which the light emitting element and the light receiving element are arranged.
  • a substrate formed on the front surface, a first light passage hole disposed on the front surface side of the substrate, through which light emitted from the light emitting element passes, and a second light passage through which light received by the light receiving device passes.
  • the first light passage hole and the second light passage as seen from the front Passes between the, and, at least one end side of the light transmitting member is formed with a groove which is open, the light shielding ⁇ unit is characterized by being led into the groove.
  • the light transmission member when viewed from the front, passes between the first light passage hole and the second light passage hole, and at least on the side surface of the light transmission member.
  • a groove having an opening at one end is formed, and a light-shielding resin portion is provided in the groove.
  • the deepest portion of the groove is located on the front surface of the light shielding member or on the rear side of the front surface. In this case, it is possible to ensure the light shielding between the light emitting element and the light receiving element.
  • the deepest portion of the groove is located behind the front end of the envelope. to this Therefore, when the light shielding resin is allowed to flow to the front end of the envelope in order to form the light shielding resin part, the light shielding resin can be reliably and easily flowed into the groove. It is possible to reach the department.
  • both ends of the groove are open to the side surface of the light transmitting member.
  • the light-shielding resin can flow into the groove more reliably and easily.
  • FIG. 1 is a perspective view of an optical transmission / reception device according to a first embodiment.
  • FIG. 2 is an end view taken along the line II-II shown in FIG.
  • FIG. 3 is an exploded perspective view of a main body portion of the optical transmission / reception device shown in FIG.
  • FIG. 4 is an end view corresponding to FIG. 2 of an optical transmission / reception device according to a second embodiment.
  • the optical transmission / reception device 1 includes an envelope 2 made of a plastic material and formed in a rectangular parallelepiped cup shape that opens forward. .
  • a main body 4 containing an LD (light emitting element) 9 for emitting light forward and a PD (light receiving element) 12 for receiving light irradiated from the front.
  • LD light emitting element
  • PD light receiving element
  • the light-shielding resin part 3 is made of a light-shielding resin such as silicon resin containing an insulating-coated carbon filler, and fixes the main body part 4 in the envelope 2 and This reduces the effect of ambient light incident on PD12.
  • a light-shielding resin such as silicon resin containing an insulating-coated carbon filler
  • the main body 4 has a base body 5 on the bottom surface side in the envelope 2.
  • the base body 5 is formed of, for example, silicon, which is a semiconductor material, into a rectangular plate shape having a width of 2.8 mm, a length of 6.0 mm, and a thickness of 1. Omm.
  • a first cavity (first recess) 7 and a second cavity (second recess) 8 are formed.
  • An LD 9 is disposed in the first cavity 7 and is electrically connected to an LD anode 10 and an LD force sword 11 described later.
  • a PD 12 is disposed in the second cavity 8 and is electrically connected to a PD anode 13 and a PD force sword 14 described later.
  • the cavities 7 and 8 are formed, for example, by performing wet etching on a silicon substrate to be the base 5. Specifically, for the cavities 7 and 8, a mask having SiN isotropic force for defining the shape of the cavities 7 and 8 is provided on the surface of the silicon substrate serving as the base 5, and an etchant is applied to the opening of the mask. Is formed. After the etching, the SiN mask is removed, and an insulating film 40 having a thickness of, for example, SiO force is formed at least on the cavity surface and the substrate surface by thermal oxidation.
  • the LD 9 uses, for example, a VCSEL (surface emitting laser) made of a compound semiconductor material and having a thickness of 0.2 mm, and emits light having a wavelength of 850 nm.
  • a VCSEL surface emitting laser
  • an LD terminal electrode 15 is provided on the front end face
  • an LD terminal electrode 16 is provided on the rear end face.
  • PD12 uses, for example, a 0.3 mm thick Si-PD or GaAs-PD made of a semiconductor material.
  • a PD terminal electrode 17 and a PD terminal electrode 18 are provided on the front end face.
  • the material of the PD 12 is selected according to the wavelength of light emitted from the LD 9.
  • the wavelength of light emitted by LD9 is 780 nm
  • Si or GaAs is used as the material of PD12
  • the wavelength of light emitted by LD9 is 1.31 ⁇ m
  • the material of PD12 InGaAs is used as the material of PD12
  • the base wiring portion 19 is formed with a predetermined pattern from a laminated film of —Pt—Au or a laminated film of Cr—Pt—Au.
  • the substrate wiring portion 19 has an LD anode 10 and an LD force sword 11 on the first cavity 7 side, and a PD anode 13 and a PD force sword 14 on the second cavity 8 side. .
  • These LD anode 10, LD force sword 11, PD anode 13, and PD force sword 14 are connected to the four corners at the bottom of envelope 2 via wire 24 as shown in FIGS. 1 and 2.
  • the base terminal wiring portion 19 formed on the insulating film 40 on the bottom surface of the first cavity 7 is electrically connected to the LD terminal electrode 16 of the LD 9 via, for example, solder or conductive grease,
  • the LD terminal electrode 15 of the LD 9 is electrically connected to the substrate wiring portion 19 formed on the insulating film 40 on the front surface 5a of the substrate 5 through, for example, a wire (not shown). .
  • the LD 9 is electrically connected to each of the LD anode 10 and the LD force sword 11.
  • the insulating film 40 on the front surface 5a of the substrate 5 is made of, for example, SiO.
  • a light shielding member 20 formed of a rectangular substrate having a thickness of 0.15 mm to 0.30 mm is laminated and fixed by bump bonding 21.
  • the material for the bump bonding 21 include Au, Ni, Cu, AuSn, and SnAg type solders.
  • the portion between the first cavity 7 and the second cavity 8 is bump-bonded 21 so that it does not reach the PD 12 from the gap between the light power substrate 5 and the light shielding member 20 emitted from the LD 9. It is preferable to spread the floor.
  • a light shielding part may be formed by applying or filling a light shielding material.
  • the light shielding member 20 has an opening (first light passage hole) 22 provided at a position corresponding to the first cavity 7 and a pinhole provided at a position corresponding to the second cavity 8. (Second light passage hole) 23 is formed.
  • the opening 22 is for introducing light emitted from the LD 9 to the outside.
  • the pinhole 23 guides scattered light from the outside to the PD 12 and prevents external disturbance light and unnecessary light from entering the PD 12.
  • the opening 22 and the pinhole 23 are formed, for example, by performing dry etching on a silicon substrate that becomes the light shielding member 20, and the pinhole 23 has a high aspect ratio.
  • the pinhole 23 is formed at a position corresponding to the light receiving surface of the PD 12, and the diameter thereof is, for example, 30 ⁇ m to 90 ⁇ m! This is because the diameter of the pinhole 23 is larger than 90 ⁇ m! / ⁇ and the noise due to the external light disturbance and unwanted light detected by the PD12 increases, while the pinhole 23 has a diameter force of 0 m. If it is small, the light received by the PD12 will decrease, and the output from the PD12 will decrease.
  • a light shielding member wiring part 25 is formed with a predetermined pattern on the insulating film 41 on the rear surface 20b of the light shielding member 20, and is electrically connected to the base wiring part 19 by a bump bonding 21.
  • the PD terminal electrodes 17 and 18 of the PD 12 are electrically connected by bump bonding 21 to the portion corresponding to the second cavity 8 in the light shielding member wiring portion 25 (so-called flip chip bonding).
  • the PD 12 is electrically connected to each of the PD node 13 and the PD force sword 14.
  • the thickness of the insulating film 41 on the front surface 20a of the light shielding member 20 is, for example, made of alkali-containing borosilicate glass so that light emitted from the LD 9 and scattered light from the outside are transmitted.
  • a light transmission member 27 formed in a rectangular plate shape of 3 mm is laminated and fixed by grease. The light transmitting member 27 enhances the mechanical strength of the light shielding member 20 and seals and packages the first cavity 7 and the second cavity 8 of the base body 5. Since the light transmitting member 27 is fixed to the light shielding member 20, the coefficient of thermal expansion of the light transmitting member 27 and the coefficient of thermal expansion of the light shielding member 20 are substantially equal. In this case, the light shielding member 20 and the light transmitting member 27 may be fixed by anodic bonding. In this case, the insulating film 41 is unnecessary.
  • the light transmission member 27 is laminated and fixed on the front surface 20a of the light shielding member 20, and the light shielding resin portion is disposed in the area around the main body portion 4 in the envelope 2. 3 is filled so that the light transmitting member 27 is securely fixed.
  • the light transmission member 27 passes through the front surface 27 a of the light transmission member 27 between the opening 22 and the pinhole 23 when viewed from the front (the upper side in the drawing) and the side surface of the light transmission member 27.
  • a groove 28 having both ends opened is formed in 27 c, and the light-shielding resin portion 3 reaches the groove 28.
  • the groove 28 is formed by, for example, Daishinka Kae, and its width is lOO ⁇ m-200
  • the bottom surface (deepest part) 28a is ⁇ m, and the light shielding member 20 has a front surface 20a.
  • the bottom surface 28a of the groove 28 is located behind (the lower side in the figure) behind the front end surface (front end) 2a of the envelope 2.
  • the light shielding resin is allowed to flow into the front end surface 2a of the envelope 2, and the light shielding resin is prevented from adhering to the front surface 27a of the light transmitting member 27.
  • the front surface 27 a of the transmissive member 27 is positioned in front of the front end surface 2 a of the envelope 2.
  • a voltage is applied to the LD anode 10 and the LD force sword 11 of the base wiring portion 19 to enter the first cavity 7 of the base 5.
  • Light is emitted from the placed LD9.
  • This light passes through the opening 22 formed in the light shielding member 20, passes through the light transmitting member 27, and is emitted to the outside.
  • the light emitted to the outside is scattered by the object, and a part of the scattered light travels in the direction opposite to the traveling direction of the light emitted from the LD 9 and passes through the light transmitting member 27.
  • the light passes through the pinhole 23 formed in the light shielding member 20 and reaches the PD 12 disposed in the second cavity 8 of the base body 5.
  • the PD signal 13 and the PD force sword 14 force of the substrate wiring portion 19 are also obtained as the electric signal corresponding to the reached light.
  • the light transmitting member 27 passes through the front surface 27a between the opening 22 and the pinhole 23 as viewed from the front, and A groove 28 is formed in the side surface 27c of the transmission member 27, and the light shielding resin portion 3 reaches the groove 28.
  • the light reflected by the light shielding resin portion 3 in the groove 28 reaches the PD 12 as unnecessary light as unnecessary light. It is prevented. Therefore, detection of noise current caused by this unnecessary light can be prevented, and incident light from the outside can be detected with high accuracy.
  • the bottom surface 28a of the groove 28 is located on the front surface 20a of the light shielding member 20, light shielding between the LD9 and the PD12 can be ensured reliably.
  • the front surface force of the bottom portion at the four corners of the bottom portion of the envelope 2 By forming the extraction electrode 26 so as to pull out the pole, it is also preferable to apply a voltage to the light emitting element and take out an electric signal from the light receiving element, which has been regarded as a problem in the conventional optical transmission / reception device. Can do.
  • the optical transmission / reception device 50 according to the second embodiment is different from the optical transmission / reception device 1 according to the first embodiment in the shape of the base 5. That is, in the optical transmission / reception device 50 according to the second embodiment, as shown in FIG. 4, the cavity (concave portion) 30 in which the LD 9 and the PD 12 are arranged is formed on the front surface 5 a of the substrate 5. Between the light shielding member 20 and the PD 12, a light shielding part 31 made of a light shielding resin is provided so as to surround the light receiving surface 12a of the PD 12. This prevents disturbance light and unnecessary light from entering the PD 12 due to light emission of the LD 9 and the like.
  • optical transmission / reception device 50 according to the second embodiment configured as described above also achieves the same operational effects as the optical transmission / reception device 1 according to the first embodiment.
  • both ends of the groove 28 are open to the side surface 27c of the light transmitting member 27.
  • the light shielding resin portion 3 is formed. Therefore, when the light-shielding resin flows into the envelope 2, the light-shielding resin can surely and easily flow into the groove 28, and the light-shielding resin part 3 is brought into the groove 28. Is possible.
  • the bottom surface 28a of the groove 28 may be positioned behind the front surface 20a as the front surface 20a of the light shielding member 20.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

　外部からの入射光を精度良く検出することができる光送受信デバイスを提供する。光送受信デバイス１では、光透過部材２７の前面２７ａに、前方から見て開 口部２２とピンホール２３との間を通り、且つ、光透過部材２７の側面に開口する溝２８が形成されており、この溝２８内には遮光樹脂部３が至っている。これにより、ＬＤ９から出射された光の一部が光透過部材２７内で多重反射しても、溝２８内の遮光樹脂部３によって、多重反射した光が不要光としてＰＤ１２に到達することが防止される。従って、この不要光に起因するノイズ電流の検出を防止することができ、外部からの入射光を精度良く検出することが可能となる。

Description

明 細 書
光送受信デバイス
技術分野
[0001] 本発明は、光送受信デバイスに関するものである。
背景技術
[0002] 従来の光送受信デバイスとして、発光素子と、受光素子と、発光素子及び受光素 子が収納され、開口部を有する基体と、基体の開口部に取り付けられる光透過部材 と、発光素子と受光素子との間に配置される遮光部材と、を備えるものが知られてい る (例えば、特許文献 1参照)。
特許文献 1 :特開 2001—61796号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0003] し力しながら、上述したような光送受信デバイスでは、その構造上、各構成部品の 寸法や配置位置等に高い精度が要求される。そのため、精度が少しでも落ちると、発 光素子と受光素子との間における遮光が不十分になるおそれがある。具体的には、 発光素子により出射された光の一部が光透過部材内で多重反射して光透過部材内 を進行し、不要光として受光素子に到達してしまい、この不要光に起因するノイズ電 流が増加し、外部力 入射した散乱光等の検出精度が悪ィ匕してしまうおそれがある。
[0004] そこで、本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、外部からの入射光 を精度良く検出することができる光送受信デバイスを提供することを課題とする。 課題を解決するための手段
[0005] 上記課題を達成するために、本発明に係る光送受信デバイスは、前方に光を発光 するための発光素子、前方力 照射された光を受光するための受光素子、発光素子 が配置される第 1の凹部、及び受光素子が配置される第 2の凹部が前面に形成され た基体、基体の前面側に配置され、発光素子により発光される光が通過する第 1の 光通過孔、及び受光素子により受光される光が通過する第 2の光通過孔が形成され た遮光部材、並びに、遮光部材の前面側に配置され、発光素子により発光される光 、及び受光素子により受光される光が透過する光透過部材、を有する本体部と、前 方に開口するように形成され、内側に本体部が配置された外囲器と、外囲器内にお ける本体部の周囲の領域に充填された遮光榭脂部と、を備え、光透過部材の前面に は、前方から見て第 1の光通過孔と第 2の光通過孔との間を通り、且つ、光透過部材 の側面に少なくとも一端が開口する溝が形成されており、遮光榭脂部は、溝内に至 つていることを特徴とする。
[0006] また、本発明に係る光送受信デバイスは、前方に光を発光するための発光素子、 前方から照射された光を受光するための受光素子、発光素子及び受光素子が配置 される凹部が前面に形成された基体、基体の前面側に配置され、発光素子により発 光される光が通過する第 1の光通過孔、及び受光素子により受光される光が通過す る第 2の光通過孔が形成された遮光部材、並びに、遮光部材の前面側に配置され、 発光素子により発光される光、及び受光素子により受光される光が透過する光透過 部材、を有する本体部と、前方に開口するように形成され、内側に本体部が配置され た外囲器と、外囲器内における本体部の周囲の領域に充填された遮光榭脂部と、を 備え、光透過部材の前面には、前方から見て第 1の光通過孔と第 2の光通過孔との 間を通り、且つ、光透過部材の側面に少なくとも一端が開口する溝が形成されており 、遮光榭脂部は、溝内に至っていることを特徴とする。
[0007] これらの光送受信デバイスにおいては、光透過部材の前面に、前方から見て第 1の 光通過孔と第 2の光通過孔との間を通り、且つ、光透過部材の側面に少なくとも一端 が開口する溝が形成されており、その溝内には遮光榭脂部が至っている。これにより 、発光素子から出射された光の一部が光透過部材内で多重反射しても、溝内の遮光 榭脂部によって、多重反射した光が受光素子に到達することが抑制される。従って、 多重反射による不要光をノイズとして検出することを低減でき、外部力もの入射光を 精度良く検出することが可能となる。
[0008] ここで、溝の最深部は、遮光部材の前面、又はその前面より後方に位置しているこ とが好ましい。この場合には、発光素子と受光素子との間の遮光を確実に確保するこ とが可能となる。
[0009] また、溝の最深部は、外囲器の前端より後方に位置していることが好ましい。これに より、遮光榭脂部を形成するために外囲器の前端まで遮光榭脂を流入させる場合に 、溝内にも遮光榭脂を確実且つ簡易に流入させることができ、溝内に遮光榭脂部を 至らせることが可會となる。
[0010] また、溝は、その両端が光透過部材の側面に開口していることが好ましい。これによ り、溝内に遮光榭脂をより一層確実且つ簡易に流入させることができる。
発明の効果
[0011] 本発明によれば、外部力もの入射光を精度良く検出することが可能となる。
図面の簡単な説明
[0012] [図 1]第 1実施形態に係る光送受信デバイスの斜視図である。
[図 2]図 1に示された II— II線に沿っての端面図である。
[図 3]図 1に示された光送受信デバイスの本体部の分解斜視図である。
[図 4]第 2実施形態に係る光送受信デバイスの、図 2に対応する端面図である。
符号の説明
[0013] 1, 50· ··光送受信デバイス、 2…外囲器、 3…遮光榭脂部、 4· ··本体部、 5…基体、 7…第 1のキヤビティ (第 1の凹部）、 8…第 2のキヤビティ (第 2の凹部）、 9 LD (発光 素子）、 12 PD (受光素子）、 20…遮光部材、 22…開口部（第 1の光通過孔）、 23 …ピンホール (第 2の光通過孔）、 27· ··光透過部材、 28· ··溝、 30· ··キヤビティ（凹部） 発明を実施するための最良の形態
[0014] 以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略 する。
[第 1実施形態]
[0015] 図 1及び図 2に示されるように、第 1実施形態に係る光送受信デバイス 1は、プラス チック材料により、前方に開口する直方体カップ状に形成された外囲器 2を備えてい る。外囲器 2内には、前方に光を出射する LD (発光素子） 9と、前方から照射された 光を受光する PD (受光素子） 12を内蔵する本体部 4が配置され、外囲器 2内におけ る本体部 4の周囲の領域には、遮光性を有する遮光榭脂部 3が充填されている。この 遮光榭脂部 3は、例えば絶縁コートされたカーボンフィラーを含有するシリコン榭脂等 の遮光性榭脂からなり、本体部 4を外囲器 2内に固定すると共に、本体部 4の周囲か ら PD12に入射してしまう外乱光の影響を低減させるものである。
[0016] 図 2及び図 3に示されるように、本体部 4は、外囲器 2内の底面側に基体 5を有して いる。この基体 5は、例えば、半導体材料であるシリコンにより、幅 2. 8mm、長さ 6. 0 mm、厚さ 1. Ommの長方形板状に形成され、基体 5の前面 5aには、凹状の第 1のキ ャビティ (第 1の凹部） 7及び第 2のキヤビティ (第 2の凹部） 8が形成されている。第 1の キヤビティ 7内には LD9が配置されており、後述する LDアノード 10及び LD力ソード 1 1と電気的に接続されている。また、第 2のキヤビティ 8内には PD12が配置されており 、後述する PDアノード 13及び PD力ソード 14と電気的に接続されている。
[0017] なお、キヤビティ 7, 8は、例えば、基体 5となるシリコン基板にウエットエッチングを施 すことにより形成される。具体的には、キヤビティ 7, 8は、基体 5となるシリコン基板の 表面に、キヤビティ 7, 8の形状を画定するための SiN等力もなるマスクを設け、このマ スクの開口にエツチャントを作用させることで形成される。エッチング後には、 SiNマス クを除去した後、熱酸ィ匕により少なくともキヤビティ表面と基板表面とに、 1. の 厚さの例えば SiO力もなる絶縁膜 40を生成する。
2
[0018] LD9は、例えば、化合物半導体材料からなる厚さ 0. 2mmの VCSEL (面発光レー ザ）を用いたものであり、波長 850nmの光を出射する。この LD9においては、前端面 に LD端子電極 15が設けられており、後端面に LD端子電極 16が設けられている。ま た、 PD12は、例えば、半導体材料からなる厚さ 0. 3mmの Si—PDや GaAs— PDを 用いたものである。この PD12においては、前端面に PD端子電極 17及び PD端子電 極 18が設けられている。
[0019] なお、 PD12の材料は、 LD9が出射する光の波長に応じて選択される。例えば、 L D9が出射する光の波長が 780nmの場合には、 PD12の材料として Siや GaAsが用 いられ、 LD9が出射する光の波長が 1. 31 μ mの場合には、 PD12の材料として InG aAsが用いられる。
[0020] 基体 5の前面 5a、及びキヤビティ 7, 8の内面の絶縁膜 40上には、例えば、 Al、 Ti — Pt— Auの積層膜、又は Cr— Pt— Auの積層膜により、所定のパターンをもって基 体配線部 19が形成されている。この基体配線部 19は、第 1のキヤビティ 7側に、 LD アノード 10及び LD力ソード 11を有しており、第 2のキヤビティ 8側に、 PDアノード 13 及び PD力ソード 14を有している。これらの LDアノード 10、 LD力ソード 11、 PDァノ ード 13、及び PD力ソード 14は、図 1及び図 2に示されるように、ワイヤ 24を介して、 外囲器 2の底部における四隅に、当該底部の前面力 後面に電極を引き出すように して形成された引出電極 26と電気的に接続されている。そして、第 1キヤビティ 7の底 面の絶縁膜 40上に形成された基体配線部 19には、例えば半田や導電性榭脂等を 介して、 LD9の LD端子電極 16が電気的に接続され、一方、基体 5の前面 5aにおけ る絶縁膜 40上に形成された基体配線部 19には、例えばワイヤ (不図示）を介して、 L D9の LD端子電極 15が電気的に接続されている。これにより、 LD9は、 LDアノード 10及び LD力ソード 11のそれぞれと電気的に接続されることになる。
[0021] 図 2及び図 3に戻り、基体 5の前面 5aにおける絶縁膜 40上には、例えば SiOから
2 なる絶縁膜 41でコートされたシリコン基板を厚さ 0. 15mm〜0. 30mmの長方形板 状に形成した遮光部材 20が積層され、バンプボンディング 21により固定されている。 バンプボンディング 21の材料としては、例えば、 Au、 Ni、 Cu、 AuSn、 SnAg系の半 田が挙げられる。ここで、 LD9から出射された光力 基体 5と遮光部材 20との隙間か ら PD12に到達しないように、第 1のキヤビティ 7と第 2のキヤビティ 8との間の部分には 、バンプボンディング 21を敷き詰めることが好ましい。なお、この部分には、遮光材料 を塗布もしくは充填することにより遮光部を形成してもよい。
[0022] 遮光部材 20には、第 1のキヤビティ 7に対応する位置に設けられた開口部（第 1の 光通過孔） 22と、第 2のキヤビティ 8に対応する位置に設けられたピンホール (第 2の 光通過孔） 23とが形成されている。開口部 22は、 LD9から出射された光を外部へ案 内するものである。また、ピンホール 23は、外部からの散乱光を PD12へ案内すると 共に、外部からの外乱光及び不要光が PD12に入射するのを防止するものである。 なお、開口部 22及びピンホール 23は、例えば、遮光部材 20となるシリコン基板にド ライエッチングを施すことにより形成され、ピンホール 23はアスペクト比が高いものと なっている。 [0023] ピンホール 23は、 PD12の受光面に対応する位置に形成され、その直径は、例え ば 30 μ m〜90 μ mとされて!/、る。これは、ピンホール 23の直径が 90 μ mより大き!/ヽ と、 PD12が感知する外部力 の外乱光及び不要光によるノイズが増加してしまい、 一方、ピンホール 23の直径力 0 mより小さいと、 PD12が受光する光が少なくなり 、 PD12からの出力が低下してしまうからである。
[0024] 遮光部材 20の後面 20bにおける絶縁膜 41上には、所定のパターンをもって遮光 部材配線部 25が形成されており、バンプボンディング 21により基体配線部 19と電気 的に接続されて 、る。遮光部材配線部 25にお ヽて第 2のキヤビティ 8に対応する部 分には、 PD12の PD端子電極 17, 18がバンプボンディング 21により電気的に接続 されている（いわゆる、フリップチップボンディング）。これにより、 PD12は、 PDァノー ド 13及び PD力ソード 14のそれぞれと電気的に接続されることになる。
[0025] また、遮光部材 20の前面 20aにおける絶縁膜 41上には、 LD9から出射された光、 及び外部からの散乱光が透過するように、例えばアルカリ含有のホウケィ酸ガラスに より厚さ 0. 3mmの長方形板状に形成された光透過部材 27が積層され、榭脂により 固定されている。この光透過部材 27は、遮光部材 20の機械的な強度を高めると共 に、基体 5の第 1のキヤビティ 7及び第 2のキヤビティ 8を封止してパッケージィ匕する。 なお、光透過部材 27は、遮光部材 20と固定されるため、光透過部材 27の熱膨張率 と遮光部材 20の熱膨張率とは、ほぼ等しくされている。なお、遮光部材 20と光透過 部材 27を陽極接合により固定してもよぐこの場合には、絶縁膜 41は不要になる。
[0026] ここで、従来の光送受信デバイスでは、光透過部材を固定させることが難しく、よつ て、光透過部材を固定が不十分のために外乱光が受光素子に入射してしまう場合が あつたが、本実施形態では、上述のように、光透過部材 27が遮光部材 20の前面 20a に積層して固定し、外囲器 2内における本体部 4の周囲の領域に遮光榭脂部 3を充 填して、光透過部材 27を確実に固定させている。
[0027] ところで、この光送受信デバイス 1では、光透過部材 27の前面 27aに、前方（図示 上側）から見て開口部 22とピンホール 23との間を通り、且つ、光透過部材 27の側面 27cに両端が開口する溝 28が形成されており、この溝 28内には遮光榭脂部 3が至つ ている。溝 28は、例えばダイシンダカ卩ェにより形成され、その幅は、 lOO ^ m-200 μ m、その底面（最深部） 28aは、遮光部材 20の前面 20aとされている。
[0028] また、この溝 28の底面 28aは、外囲器 2の前端面 (前端） 2aよりも後方（図示下側） に位置している。これにより、遮光榭脂部 3を形成するために外囲器 2の前端面 2aま で遮光榭脂を流入させる場合に、毛細管現象によって、溝 28内にその両端力も遮光 榭脂を確実且つ簡易に流入させることができ、溝 28内に遮光榭脂部 3を至らせること が可能となる。
[0029] なお、ここでは、外囲器 2の前端面 2aまで遮光榭脂を流入させており、また、光透 過部材 27の前面 27aに遮光樹脂が付着するのを防止するために、光透過部材 27の 前面 27aを外囲器 2の前端面 2aよりも前方に位置させている。
[0030] 以上のように構成された光送受信デバイス 1を用いる場合、まず、基体配線部 19の LDアノード 10及び LD力ソード 11に電圧を印加して、基体 5の第 1のキヤビティ 7内 に配置された LD9から光を出射させる。この光は、遮光部材 20に形成された開口部 22を通過し、光透過部材 27を透過して外部へ出射される。そして、外部に出射され た光は、対象物により散乱等され、この散乱した散乱光の一部は、 LD9から出射され た光の進行方向とは逆の方向に進み、光透過部材 27を透過し、遮光部材 20に形成 されたピンホール 23を通過し、基体 5の第 2のキヤビティ 8内に配置された PD12に到 達する。これにより、この到達した光に応じた電気信号が基体配線部 19の PDァノー ド 13及び PD力ソード 14力も得られることになる。
[0031] 以上説明したように、第 1実施形態に係る光送受信デバイス 1では、光透過部材 27 の前面 27aに、前方から見て開口部 22とピンホール 23との間を通り、且つ、光透過 部材 27の側面 27cに開口する溝 28が形成されており、この溝 28内には遮光榭脂部 3が至っている。これにより、 LD9から出射された光の一部が光透過部材 27内で多 重反射しても、溝 28内の遮光榭脂部 3によって、多重反射した光が不要光として PD 12に到達することが防止される。従って、この不要光に起因するノイズ電流の検出を 防止することができ、外部からの入射光を精度良く検出することが可能となる。
[0032] さらに、溝 28の底面 28aが遮光部材 20の前面 20aに位置していることにより、 LD9 と PD12との間の遮光を確実に確保することができる。
[0033] また、上述のように、外囲器 2の底部における四隅に当該底部の前面力 後面に電 極を引き出すようにして引出電極 26を形成することにより、従来の光送受信デバイス において問題視されていた、発光素子への電圧の印加、及び受光素子からの電気 信号の取出しについても好適に行うことができる。
[第 2実施形態]
[0034] 第 2実施形態に係る光送受信デバイス 50は、基体 5の形状において、第 1実施形 態に係る光送受信デバイス 1と異なっている。すなわち、第 2実施形態に係る光送受 信デバイス 50においては、図 4に示されるように、 LD9及び PD12が配置されるキヤ ビティ（凹部） 30が基体 5の前面 5aに形成されている。遮光部材 20と PD12との間に は、 PD12の受光面 12aを囲むように、遮光性榭脂からなる遮光部 31が設けられて いる。これにより、 LD9の発光等による外乱光及び不要光の PD12への入射が防止 される。
[0035] このように構成された第 2実施形態に係る光送受信デバイス 50によっても、第 1実 施形態に係る光送受信デバイス 1と同様の作用効果が奏されることとなる。
[0036] 以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に 限定されるものではない。
[0037] 例えば、上記実施形態では、溝 28の両端が光透過部材 27の側面 27cに開口して いるが、溝 28の一端が側面 27cに開口していれば、遮光榭脂部 3を形成するために 外囲器 2内に遮光榭脂を流入させる場合に、溝 28内にも遮光榭脂を確実且つ簡易 に流入させることができ、溝 28内に遮光榭脂部 3を至らせることが可能となる。
[0038] また、上記実施形態では、溝 28の底面 28aは、遮光部材 20の前面 20aとされて 、 る力 この前面 20aより後方に位置していてもよい。
産業上の利用可能性
[0039] 本発明によれば、外部力もの入射光を精度良く検出することが可能となる。

Claims

請求の範囲
[1] 前方に光を発光するための発光素子、
前方力 照射された光を受光するための受光素子、
前記発光素子が配置される第 1の凹部、及び前記受光素子が配置される第 2の凹 部が前面に形成された基体、
前記基体の前面側に配置され、前記発光素子により発光される光が通過する第 1 の光通過孔、及び前記受光素子により受光される光が通過する第 2の光通過孔が形 成された遮光部材、並びに、
前記遮光部材の前面側に配置され、前記発光素子により発光される光、及び前記 受光素子により受光される光が透過する光透過部材、を有する本体部と、
前方に開口するように形成され、内側に前記本体部が配置された外囲器と、 前記外囲器内における前記本体部の周囲の領域に充填された遮光榭脂部と、を 備え、
前記光透過部材の前面には、前方から見て前記第 1の光通過孔と前記第 2の光通 過孔との間を通り、且つ、前記光透過部材の側面に少なくとも一端が開口する溝が 形成されており、
前記遮光榭脂部は、前記溝内に至っていることを特徴とする光送受信デバイス。
[2] 前方に光を発光するための発光素子、
前方力 照射された光を受光するための受光素子、
前記発光素子及び前記受光素子が配置される凹部が前面に形成された基体、 前記基体の前面側に配置され、前記発光素子により発光される光が通過する第 1 の光通過孔、及び前記受光素子により受光される光が通過する第 2の光通過孔が形 成された遮光部材、並びに、
前記遮光部材の前面側に配置され、前記発光素子により発光される光、及び前記 受光素子により受光される光が透過する光透過部材、を有する本体部と、
前方に開口するように形成され、内側に前記本体部が配置された外囲器と、 前記外囲器内における前記本体部の周囲の領域に充填された遮光榭脂部と、を 備え、 前記光透過部材の前面には、前方から見て前記第 1の光通過孔と前記第 2の光通 過孔との間を通り、且つ、前記光透過部材の側面に少なくとも一端が開口する溝が 形成されており、
前記遮光榭脂部は、前記溝内に至っていることを特徴とする光送受信デバイス。
[3] 前記溝の最深部は、前記遮光部材の前面、又はその前面より後方に位置している ことを特徴とする請求項 1記載の光送受信デバイス。
[4] 前記溝の最深部は、前記遮光部材の前面、又はその前面より後方に位置している ことを特徴とする請求項 2記載の光送受信デバイス。
[5] 前記溝の最深部は、前記外囲器の前端より後方に位置していることを特徴とする請 求項 1記載の光送受信デバイス。
[6] 前記溝の最深部は、前記外囲器の前端より後方に位置していることを特徴とする請 求項 2記載の光送受信デバイス。
[7] 前記溝は、その両端が前記光透過部材の側面に開口して 、ることを特徴とする請 求項 1記載の光送受信デバイス。
[8] 前記溝は、その両端が前記光透過部材の側面に開口して 、ることを特徴とする請 求項 2記載の光送受信デバイス。
PCT/JP2007/059951 2006-05-18 2007-05-15 光送受信デバイス Ceased WO2007135897A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP07743386.0A EP2023397B1 (en) 2006-05-18 2007-05-15 Light transmitting/receiving device
US12/301,142 US7826695B2 (en) 2006-05-18 2007-05-15 Light transmitting/receiving device
CN2007800140128A CN101529600B (zh) 2006-05-18 2007-05-15 光接收发送装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006-139146 2006-05-18
JP2006139146A JP4943739B2 (ja) 2006-05-18 2006-05-18 光送受信デバイス

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007135897A1 true WO2007135897A1 (ja) 2007-11-29

Family

ID=38723210

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2007/059951 Ceased WO2007135897A1 (ja) 2006-05-18 2007-05-15 光送受信デバイス

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7826695B2 (ja)
EP (1) EP2023397B1 (ja)
JP (1) JP4943739B2 (ja)
KR (1) KR20090019763A (ja)
CN (1) CN101529600B (ja)
TW (1) TWI392249B (ja)
WO (1) WO2007135897A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019160001A1 (ja) * 2018-02-14 2019-08-22 古河電気工業株式会社 光モジュール

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100992778B1 (ko) 2008-05-23 2010-11-05 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP5908627B2 (ja) * 2015-03-13 2016-04-26 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 光センサ装置
KR102145769B1 (ko) * 2016-01-25 2020-08-19 교세라 가부시키가이샤 계측 센서용 패키지 및 계측 센서
WO2018153464A1 (en) * 2017-02-23 2018-08-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Sensor element
CN112425015A (zh) 2018-05-11 2021-02-26 Lg伊诺特有限公司 表面发射激光器封装件和包括其的发光装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0226080A (ja) * 1988-07-14 1990-01-29 Olympus Optical Co Ltd 半導体素子
JPH05240701A (ja) * 1992-02-28 1993-09-17 Hamamatsu Photonics Kk 半導体光検出装置
JP2001061796A (ja) 1999-08-31 2001-03-13 Denso Corp 脈波センサ
JP2003004855A (ja) * 2001-06-26 2003-01-08 Hamamatsu Photonics Kk 放射線検出器
JP2003329895A (ja) * 2002-05-14 2003-11-19 Sony Corp 光リンク装置
JP2004229920A (ja) * 2003-01-30 2004-08-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 血流計のセンサ部及び血流計
JP2005116670A (ja) * 2003-09-18 2005-04-28 New Japan Radio Co Ltd 受発光素子の製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000075155A (ja) * 1998-09-02 2000-03-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光モジュール
JP3990846B2 (ja) * 1999-08-27 2007-10-17 キヤノン株式会社 面型光素子、その製造方法、およびこれを用いた装置
JP3722279B2 (ja) * 2001-01-26 2005-11-30 日本電気株式会社 光送受信モジュール
JP3838164B2 (ja) * 2002-06-18 2006-10-25 住友電気工業株式会社 光通信用素子と光通信用素子の製造方法
KR100460840B1 (ko) * 2002-08-09 2004-12-09 한국전자통신연구원 광 및 전기 크로스톡을 동시에 억제할 수 있는 광모듈
US7248800B2 (en) * 2003-05-30 2007-07-24 Canon Kabushiki Kaisha Optical receiver, optical transmitter and optical transceiver
JP2005234464A (ja) * 2004-02-23 2005-09-02 Tdk Corp 光トランシーバ及びこれに用いる光モジュール
EP1645898A1 (en) * 2004-10-05 2006-04-12 STMicroelectronics S.r.l. Optical communication module
JP4708214B2 (ja) * 2006-02-23 2011-06-22 浜松ホトニクス株式会社 光送受信デバイス

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0226080A (ja) * 1988-07-14 1990-01-29 Olympus Optical Co Ltd 半導体素子
JPH05240701A (ja) * 1992-02-28 1993-09-17 Hamamatsu Photonics Kk 半導体光検出装置
JP2001061796A (ja) 1999-08-31 2001-03-13 Denso Corp 脈波センサ
JP2003004855A (ja) * 2001-06-26 2003-01-08 Hamamatsu Photonics Kk 放射線検出器
JP2003329895A (ja) * 2002-05-14 2003-11-19 Sony Corp 光リンク装置
JP2004229920A (ja) * 2003-01-30 2004-08-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 血流計のセンサ部及び血流計
JP2005116670A (ja) * 2003-09-18 2005-04-28 New Japan Radio Co Ltd 受発光素子の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2023397A4

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019160001A1 (ja) * 2018-02-14 2019-08-22 古河電気工業株式会社 光モジュール
JPWO2019160001A1 (ja) * 2018-02-14 2021-02-04 古河電気工業株式会社 光モジュール
US11283234B2 (en) 2018-02-14 2022-03-22 Furukawa Electric Co., Ltd. Optical module
JP7307045B2 (ja) 2018-02-14 2023-07-11 古河電気工業株式会社 光モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
TW200807912A (en) 2008-02-01
JP2007311552A (ja) 2007-11-29
EP2023397A4 (en) 2014-06-25
JP4943739B2 (ja) 2012-05-30
US7826695B2 (en) 2010-11-02
TWI392249B (zh) 2013-04-01
US20090232451A1 (en) 2009-09-17
CN101529600B (zh) 2010-12-15
EP2023397A1 (en) 2009-02-11
EP2023397B1 (en) 2015-03-25
CN101529600A (zh) 2009-09-09
KR20090019763A (ko) 2009-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101371373B (zh) 光发射接收装置
WO2007135897A1 (ja) 光送受信デバイス
JP3861816B2 (ja) 光送受信モジュール及びその製造方法
JP2006201226A (ja) 光結合器
WO2005101598A1 (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
JP6046243B2 (ja) オプトエレクトロニクスデバイスおよびそのようなデバイスを有する装置
JP2011523508A (ja) 半導体デバイス、反射型フォトインタラプタおよび反射型フォトインタラプタ用のハウジングを製造する方法
JP6558688B2 (ja) 半導体光増幅装置
JP2004272061A (ja) 光通信モジュール
US20200220051A1 (en) Light emitting diode package and light emitting module including the same
WO2017104635A1 (ja) 光学装置
JP5390938B2 (ja) 発光装置
JP2015002248A (ja) 光学装置
US11929590B2 (en) Method for producing optical semiconductor device
KR200470928Y1 (ko) 포토 커플러
JP2013057719A (ja) 光モジュール
JP4553026B2 (ja) 光伝送装置
WO2020138086A1 (ja) 光学センサ装置
JP3467174B2 (ja) 光結合素子
US20210305766A1 (en) Optical semiconductor device
JP3978445B2 (ja) 反射形エンコーダおよびそれを用いた電子機器
US20240355939A1 (en) Optical Sensor Device
JP2000323791A (ja) 垂直共振器型面発光レーザと光検出用モニターとのアセンブリー及びそのアセンブリング方法
JP2000058962A (ja) 半導体レーザ装置
JP2006013048A (ja) 発光用光半導体素子及び受光用光半導体素子

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200780014012.8

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 07743386

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020087020372

Country of ref document: KR

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007743386

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12301142

Country of ref document: US