WO2007140763A3 - Einseitig kontaktierte solarzelle mit durchkontaktierungen und verfahren zur herstellung - Google Patents

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Bekannte einseitig kontaktierte Solarzellen mit Durchkontaktierungen der Emitterschicht durch die Absorberschicht weisen Kontaktsysteme und funktionelle Solarzellenschichten auf, die aufwändige Isolierungs- und Strukturierungsschritte erforderlich machen. Die Solarzelle (HKS) nach der Erfindung weist eine große Ausführungsvielzahl bei immer gleich bleibender einfacher Herstellbarkeit und hoher Effizienz auf und kann gleichermaßen mit Vorderoder Rückseitenkontaktierung, Wafer- oder Dünnschichtbasierung, Substratoder Superstrat-Konfiguration und Emitter- oder Feldpassivierungsschicht-Wrap-Through-Durchkontaktierung (DK) durch die Absorberschicht (AS) ausgeführt werden. Das auf eine Seite der Absorberschicht (AS) aufgebrachte Kontaktgitter (KG) ist zumindest auf seiner Oberseite mit einer elektrisch nicht leitenden Isolationsschicht (IS) überzogen. Es befindet sich entweder zwischen der Absorberschicht (AS) und der Emitterschicht (ES) oder der Absorberschicht (AS) und einer Feldpassivierungsschicht (FSF/BSF), die jeweils unstrukturiert ganzflächig abgeschieden werden und die wiederum flächig von einer Kontaktschicht (KS) belegt werden. Damit befinden sich beide Kontaktsysteme (KG, KS) immer auf der Oberseite (OS) der Solarzelle (HKS). Die jeweils andere funktionale Solarzellenschicht wird durch die Absorberschicht (AS) hindurch zum Kontaktgitter (KG) über punkt-, linien- gitter- oder netzförmige Durchgangsöffnungen (DG) durchkontaktiert.
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JP2009514630A JP5268893B2 (ja) 2006-06-10 2007-06-02 スルーコンタクトを備えた片面接触型の太陽電池および太陽電池の製造方法
ES07722516.7T ES2486261T3 (es) 2006-06-10 2007-06-02 Célula solar unilateralmente contactada con transcontactados y procedimiento de fabricación

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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1993142A1 (de) * 2007-05-14 2008-11-19 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Reflektiv beschichtetes Halbleiterbauelement, Verfahren zu dessen Herstellung sowie dessen Verwendung
WO2009003150A2 (en) * 2007-06-26 2008-12-31 Solarity, Inc. Lateral collection photovoltaics
ES2402779T3 (es) * 2007-12-14 2013-05-08 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Célula solar de película delgada y procedimiento para su fabricación
DE102008030693A1 (de) * 2008-07-01 2010-01-14 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Heterojunction-Solarzelle mit Absorber mit integriertem Dotierprofil
DE102008060404A1 (de) * 2008-07-30 2010-02-11 Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh Einseitig kontaktiertes Dünnschicht-Solarmodul mit einer inneren Kontaktschicht
DE102008051521A1 (de) * 2008-10-13 2010-04-22 Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh Verfahren zur Herstellung einer waferbasierten, rückseitenkontaktierten Hetero-Solarzelle und mit dem Verfahren hergestellte Hetero-Solarzelle
DE102008055028A1 (de) * 2008-12-19 2010-07-01 Q-Cells Se Solarzelle
DE102009000279A1 (de) * 2009-01-16 2010-12-09 Q-Cells Se Solarzelle und Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle
KR101153376B1 (ko) 2009-07-27 2012-06-07 주식회사 효성 후면전극 태양전지 및 그 제조방법
CN102044579B (zh) 2009-09-07 2013-12-18 Lg电子株式会社 太阳能电池
US9064999B2 (en) * 2009-09-07 2015-06-23 Lg Electronics Inc. Solar cell and method for manufacturing the same
TWI415277B (zh) * 2009-11-20 2013-11-11 Ind Tech Res Inst 太陽能電池結構
DE102009057984A1 (de) * 2009-12-11 2011-06-16 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Epitaktische Wrap-Through-Solarzellen mit länglich ausgeprägten Lochformen sowie Verfahren zu deren Herstellung
JP2011210802A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Napura:Kk 太陽電池
US8377738B2 (en) 2010-07-01 2013-02-19 Sunpower Corporation Fabrication of solar cells with counter doping prevention
JP5485062B2 (ja) * 2010-07-30 2014-05-07 三洋電機株式会社 太陽電池の製造方法及び太陽電池
US9227259B2 (en) 2012-08-22 2016-01-05 International Business Machines Corporation Increasing the efficiency of solar cells by transfer of solder
CN105514185B (zh) * 2015-12-18 2017-09-22 四川钟顺太阳能开发有限公司 一种中低倍聚光太阳电池
DE102018001057B4 (de) * 2018-02-07 2025-12-04 Ce Cell Engineering Gmbh Verfahren zur Verbesserung des ohmschen Kontaktverhaltens zwischen einem Kontaktgitter und einer Emitterschicht einer Siliziumsolarzelle
US11145774B2 (en) * 2018-05-30 2021-10-12 Solar Inventions Llc Configurable solar cells
DE102020002335B4 (de) * 2020-04-17 2022-02-24 Ce Cell Engineering Gmbh Verfahren zur Verbesserung des ohmschen Kontaktverhaltens zwischen einem Kontaktgitter und einer Emitterschicht einer Silizumsolarzelle
DE102020131742A1 (de) 2020-11-30 2022-06-02 Heliatek Gmbh Feldbreitenanpassung von Zellen in einem photovoltaischen Element
CN113421977B (zh) * 2021-05-26 2022-10-04 华为技术有限公司 太阳能电池及其制备方法、智能眼镜及电子设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3903427A (en) * 1973-12-28 1975-09-02 Hughes Aircraft Co Solar cell connections
WO2003019674A1 (en) * 2001-08-23 2003-03-06 Pacific Solar Pty Limited Chain link metal interconnect structure
WO2006029250A2 (en) * 2004-09-07 2006-03-16 Advent Solar, Inc. Process and fabrication methods for emitter wrap through back contact solar cells

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0251282A (ja) * 1988-08-12 1990-02-21 Sharp Corp 光電変換装置
JP2997363B2 (ja) * 1992-04-24 2000-01-11 京セラ株式会社 太陽電池素子
US5468652A (en) * 1993-07-14 1995-11-21 Sandia Corporation Method of making a back contacted solar cell
US5641362A (en) * 1995-11-22 1997-06-24 Ebara Solar, Inc. Structure and fabrication process for an aluminum alloy junction self-aligned back contact silicon solar cell
JPH11177109A (ja) * 1997-12-10 1999-07-02 Sharp Corp 太陽電池
DE19854269B4 (de) * 1998-11-25 2004-07-01 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Dünnschichtsolarzellenanordnung sowie Verfahren zur Herstellung derselben
US6664169B1 (en) * 1999-06-08 2003-12-16 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing semiconductor member, process for producing solar cell, and anodizing apparatus
JP4171428B2 (ja) * 2003-03-20 2008-10-22 三洋電機株式会社 光起電力装置
US20050172996A1 (en) * 2004-02-05 2005-08-11 Advent Solar, Inc. Contact fabrication of emitter wrap-through back contact silicon solar cells
US20060130891A1 (en) * 2004-10-29 2006-06-22 Carlson David E Back-contact photovoltaic cells
DE102005025125B4 (de) * 2005-05-29 2008-05-08 Hahn-Meitner-Institut Berlin Gmbh Verfahren zur Herstellung einer einseitig kontaktierten Solarzelle und einseitig kontaktierte Solarzelle

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3903427A (en) * 1973-12-28 1975-09-02 Hughes Aircraft Co Solar cell connections
WO2003019674A1 (en) * 2001-08-23 2003-03-06 Pacific Solar Pty Limited Chain link metal interconnect structure
US20040261834A1 (en) * 2001-08-23 2004-12-30 Basore Paul A Chain link metal interconnect structure
WO2006029250A2 (en) * 2004-09-07 2006-03-16 Advent Solar, Inc. Process and fabrication methods for emitter wrap through back contact solar cells

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Publication number Publication date
JP2009540584A (ja) 2009-11-19
JP5268893B2 (ja) 2013-08-21
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EP2033228B1 (de) 2014-05-21
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US8101852B2 (en) 2012-01-24
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