WO2008007008A2 - Procédé pour la réalisation d'une matrice de composants électroniques individuels et matrice réalisée par ce procédé - Google Patents

Procédé pour la réalisation d'une matrice de composants électroniques individuels et matrice réalisée par ce procédé Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to the field of integration of individualized electronic components and functional densification of integrated circuit surfaces comprising such electronic components.
  • the invention more particularly relates to a method for producing a matrix of individual electronic components, of the type comprising a step of manufacturing an active layer on a substrate base, in particular by epitaxy, and a step of individualizing said components by forming trenches, in particular by etching, in the active layer, at least as far as to clear the substrate base.
  • the invention also relates to a matrix of at least two individual electronic components in an active layer by means of through trenches formed therein.
  • a matrix electronic device such as a matrix detector
  • the unit elements forming the matrix, or "pixels" by analogy to the field of imaging are individualized by trenches in order to define independent local behaviors.
  • an individual component makes it possible to measure radiation incident on it independently of the other components, which finally makes it possible to form an image of distinct points.
  • inter-component space thus defined is generally perceived as a disadvantage, not only because it limits the degree of integration of the components per unit area, but also because this volume is considered as difficult to use with the help of common techniques without degrading the behavior of adjacent components or inducing a high failure rate.
  • electrical connections between adjacent components have been made using electrical wires soldered to the upper faces of the components.
  • a welded wire is fragile from the weld implemented, and also uses a portion of the useful surface of the components.
  • the object of the present invention is to solve the above-mentioned problem by proposing a matrix of individual components and a method for producing the same, in which the inter-component space is optimally used, for example to ensure electrical connections. reliable between adjacent pixels, to absorb relative displacements between adjacent pixels or to increase the pixel density by reducing the areas occupied by the interconnections.
  • the invention applies to the field of manufacturing matrices for electronic components, some of whose dimensions, in particular those of the space separating the components, are less than about ten micrometers.
  • the manufacture of such components is subject to specific problems that require the implementation of techniques specific to these orders of magnitude, such as photo lithography.
  • the subject of the invention is a method for producing a matrix of individual electronic components, of the type comprising a step of producing an active layer on a substrate base, in particular by epitaxy, and a step of individualizing said components by forming trenches, in particular by etching, in the active layer, at least until the substrate base is cleared.
  • the method comprises the steps of: depositing a layer of functional material on the active layer;
  • the layer of functional material is protected by the resin filling the trenches during the steps following the exposure. Indeed, underexposing the resin trenches prevents the development thereof. In fact, once the functionalization operations of the electronic components have been completed (etching, ion etching, etc.), the layer of functional material in the trenches is intact. Thus, after removing the resin from the trenches, for example by a chemical bath, a film of functional material is obtained connecting adjacent electronic components.
  • this film exactly fills the space separating the adjacent components by covering in particular the sidewalls or side faces of said components.
  • a matrix of components in a matrix detector a hybridization thereof to a substrate (for example by the well-known "flip-chip” technology), followed by a withdrawal of the substrate base, it is obtained a matrix of electronic components connected by bridges of functional material of width exactly equal to that of the trenches.
  • the bridges thus made to solve problems of relative displacement between adjacent components by choosing elastic bridges (for example by choosing a small thickness for them).
  • This is particularly advantageous in the case where the bridges are also used as electrical interconnections between components. Indeed, these interconnections will remain assured regardless of the amplitude of the relative displacements between adjacent components. For example, by choosing a small bridge thickness, the latter will behave like a blade or a flexible film, whose amplitude of deformation is important and generally greater than the amplitude of the relative displacements that can know the electronic components during their use.
  • the bridges can be used for the electrical interconnection of the components. This electrical interconnection can be made on the side of the components, leaving free the upper surface thereof.
  • the bridges are made of opaque material, a perfect optical insulation of the components is obtained, which thus avoids a parasitic noise known as the "cross-talk", usually encountered in the detectors. matrix. Indeed, no radiation can reach the trenches that are protected by bridges. The detected radiation therefore corresponds exactly to the radiation incident on the detection surfaces of the electronic components.
  • the extended layer of functional material is covered with a photoresist, and then ultraviolet (UV) radiation is applied thereto through a subtraction mask defining the material to be removed to form functional patterns.
  • UV radiation ultraviolet radiation
  • the exposed positive resin portion undergoes a chemical transformation that allows its removal by a development process using a basic solution.
  • the wavelength of the radiation must be smaller than the dimensions of the patterns, in particular to avoid diffraction phenomena during the crossing of the mask.
  • ultraviolet radiation for the formation of micrometric patterns.
  • the lower the wavelength of a radiation the lower the penetration power of the radiation in the resin, or depth of field.
  • the resin filling the trenches has a large thickness, it is not exposed in its entirety and can not be completely eliminated by development. Thus, undesired material at the bottom of the trenches can not be removed by chemical etching subsequent to exposure.
  • the invention thus advantageously uses what was considered in the state of the art as a defect for manufacturing connecting elements exactly covering the trenches, knowingly depositing functional material at the bottom of the trench.
  • the method comprises one or more of the following advantageous characteristics: the functional material is elastic and / or conductive and / or opaque, depending on the envisaged applications;
  • the exposure step comprises a step of applying a photo lithography mask on the surface of the photosensitive resin
  • the photolithography mask comprises trench cover portions
  • the exposure step includes a step of selecting a depth of field of the exposure radiation of the resin, less than the depth of the trenches, and greater than the thickness of the resin film covering the upper face of the electronic components ;
  • the step of producing the active layer is followed by a step of depositing and / or implanting on the free surface of said active layer characteristic functional elements of said components;
  • the step of deposition and / or implantation of functional elements comprises a step of deposition and / or implantation of an electrode and / or a metallization layer allowing the hybridization of each component;
  • active layer is a semiconductor layer of a first type, and the step of deposition and / or implantation of functional elements comprises a step of forming a semiconductor zone of a second type for each component in the free surface of the active layer;
  • the step of individualizing said components by trenching comprises, or is followed by, a step of forming a semiconductor zone of the second type in at least one lateral face of each component; formation of the semiconductor zones of the second type in the said lateral edges is carried out by doping, in particular of the "loophole” type (the "loophole” type doping is an ion bombardment etching which simultaneously doping the material); the functional material is metallic, and the photolithography mask is selected so as to form a metal layer on the surface of the semiconductor zones of the second type formed on the free surface of the active layer;
  • the method comprises a step of producing a conductive pad on the surface of each of said metal layers; the method comprises, following the development step, a step of hybridization of the matrix on a substrate.
  • the invention also relates to a matrix of at least two individual electronic components in an active layer by means of through trenches formed therein.
  • this matrix comprises, for each pair of adjacent electronic components, at least one element connected to said components, at least partially covering the trench separating said components, and comprising at least one point of contact with each of the side walls defining said component. trench.
  • the connecting element between adjacent components comprises at least one portion extending over the entire width of the trench.
  • the inter-component space is used optimally.
  • the matrix comprises one or more of the following characteristics:
  • each component has a globally regular polygon shape, in particular a parallelepipedal shape with a rectangular, hexagonal, triangular or other base;
  • the connecting element has an elasticity likely to maintain the integrity of the electrical connection with an adjacent component despite a relative movement between components
  • the connecting element is conductive
  • the connecting element is in contact with a resumption of electrical contact of the component or components
  • Said contact recovery is carried out on one of the lateral faces or on one of the transverse faces of the component under consideration:
  • the connecting element consists of several layers, including an electrical conduction layer and a cohesion layer intended to allow assembly on the resumption of contact;
  • the outer layer is advantageously made of a material chosen from the group comprising titanium (Ti), chromium (Cr) and an alloy (TiW) of titanium and tungsten, and
  • the conduction layer is advantageously constituted by a material selected from the group consisting of platinum, gold, aluminum, copper or an alloy of copper and beryllium;
  • the connecting element is common to all or part of said components and forms a line or a continuous grid.
  • each electronic component is a bipolar transistor, of which at least one semiconductor zone is formed in one of the lateral faces thereof and is in contact with said connecting element.
  • the invention also relates to a method of producing an electronic device comprising a plurality of electronic components reported on a substrate. According to the invention, this method consists of:
  • the method comprises one or more of the following characteristics:
  • the deposition step consists of:
  • the conductor used consists of several layers, including an electrical conduction layer and a cohesion layer intended to allow assembly on the resumption of contact, the elimination step being carried out under a plasma selected so as to be inert at least with respect to said conduction layer.
  • the invention also relates to an electronic device comprising a plurality of electronic components reported on a substrate, each component being mechanically connected to said substrate via a connecting element, in which each component is further electrically connected to the at least one adjacent component by means of at least one component forming a conductor.
  • the components and their associated conductors form a matrix of the aforementioned type.
  • the device comprises one or more of the following characteristics: "the contact recovery is carried out on the face of the component opposite to the face of the component attached to the substrate;” the resumption of contact is carried out on the face of the component added to said substrate.
  • the invention also relates to an electromagnetic radiation detector, such as X-rays, infrared or visible light.
  • an electromagnetic radiation detector such as X-rays, infrared or visible light.
  • a detector comprises a matrix formed by a device as previously described, in which each component comprises a material capable of interacting with this radiation.
  • the subject of the invention is also an emitter of electromagnetic radiation, such as laser beams, comprising a matrix formed by a device as previously described, in which each component consists of a vertical cavity laser emitter emitting by the surface ( VCSEL) or a light emitting diode (LED).
  • VCSEL vertical cavity laser emitter emitting by the surface
  • LED light emitting diode
  • FIGS. 1a-1h illustrate a method of manufacturing individual electronic components connected by bridges, in accordance with the invention
  • FIG. 11 is a schematic view of a matrix of electronic components according to the invention
  • FIGS. 2a and 2b are diagrammatic representations in section of an electronic device of the prior art
  • FIG. 3 is a diagrammatic representation in section of a first electronic device comprising a matrix of electronic components according to the invention
  • FIG. 4 is a diagrammatic sectional representation of a second electronic device comprising a matrix of electronic components according to the invention
  • FIGS. 5a to 5c are diagrammatic representations in section of devices comprising a matrix of electronic components; according to the invention, each having a variant of location of electrical contact reversals;
  • FIGS. 6a to 6d are diagrammatic representations in section illustrating different steps of the manufacturing process of the devices of FIGS. 3 and 4;
  • FIG. 6e is a top view of the electronic device illustrated in FIG. 6d;
  • FIGS. 7a to 7f are diagrammatic sectional representations of certain steps of an embodiment of the manufacturing method of the devices of FIGS. 3 and 4;
  • FIG. 8 is a diagrammatic representation in section of a third electronic device comprising a matrix of electronic components according to the invention.
  • Fig. 9 is an electronic representation of the device of Fig. 8, and Figs. 10a to 10e illustrate a method of manufacturing the device of Fig. 8. DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
  • FIGS. 1a to 1h illustrate various successive steps of an embodiment of the method for producing a matrix of micrometric electronic components according to the invention.
  • the method consists first of all in producing (FIG. 1a) an active layer 101, for example by epitaxy, on a substrate base 100.
  • the layer 101 is said to be active because it is necessary for the function main electronic components to achieve.
  • the layer 101 is for example of so-called detection or emission material such as CdHgTe, InSb, AsGa, Si, Ge or even multiple quantum wells.
  • etching is, for example, etching by ion milling, reactive plasma etching or chemical etching.
  • the film 103 is for example constituted of TiPdAu, TiNiAu, TiPt, CrPdAu, OrNiAu, CrPt, Al, CuBe.
  • the layer forming the film may be composed of different materials, for example a first material at the bottom of the trenches, chosen for its good elasticity, and a second material at the surface, chosen for its ability to be welded.
  • a photosensitive resin 104 is deposited (FIG. Id) on the functional film 103 so as to fill the trenches 102 and to form a thin film 105 on the upper face of the components 111.
  • the thin qualifier here refers to the notion that the thickness of the film is sufficiently weak that the radiation used for chemical modification of the resin, necessary for its development, penetrates entirely into the film 105 so that the exposed portions of the film are eliminated completely during the subsequent development.
  • a photolithography mask 107 is applied (FIG. 1a) facing the resin 104, and the assembly is subjected to ultraviolet radiation 104 through the mask 107.
  • the depth of field of the ultraviolet radiation is chosen to penetrate the film. 105 throughout its thickness, but on the other hand, not the resin over its entire height inside the trenches 102.
  • As is known per se from the field of photolithography only the correctly exposed resin portions undergo a chemical reaction. Underexposed portions, such as those below the mask 107 and those filling the trenches 102 do not undergo such a reaction
  • the trenches are not hidden.
  • the photolithography mask 107 masks said trenches 102. There is thus no need to control the radiation to precisely define the depth of field thereof.
  • the portions of the functional film 103 left flush with the disappearance of resin are then etched (FIG. 1g) by chemical etching, following the development stage, and the residual resin is then removed (FIG. 1h) by a chemical bath.
  • the photo lithography mask 107 used in the exposure step is unnecessary.
  • An exposure of the entire surface of the resin 104 is then performed, and once the development of the resin is performed, an etching of the entire upper face of the components is implemented.
  • the matrix according to the invention comprises, for each pair of adjacent electronic components 111, at least one element 112 connected to said components 111, at least partially covering the trench 102 separating said components, and comprising at least one contact point 114, 116 with each of the sidewalls defining said trench 102.
  • the elements 112 namely bridges in the example of FIG. 11, can assume various shapes and dimensions depending on the shape of the trenches 102 etched in the active layer 101 and the deposition process of the functional material film illustrated. in figure Ic.
  • the film may be deposited to form a filiform element.
  • the matrix of electronic components formed of components 111 and bridges 112 and obtained by means of the method according to the invention can give rise to many applications. It can be used as such, keeping or not the substrate base 100, and / or hybridized on electronic circuits.
  • FIGS. 2 to 7 illustrate an example of application of the invention in the field of matrix electronic devices, the individualized electronic component matrices are hybridized on a substrate. Said figures notably illustrate an application to a matrix detector, whose matrix of unitary detector elements is reported on a reading substrate.
  • the microelectronic devices thus assembled do not always tolerate the differential expansions occurring during the use of the microelectronic device.
  • the operating temperatures of a microelectronic device may differ substantially from the temperature at which its hybridization was carried out. Therefore, if the microelectronic device assembled according to one of these methods of the prior art is, more or less, free of differential expansion during its assembly or hybridization, it must nevertheless withstand mechanical stresses due to differential expansion during its use.
  • the electronic device comprises a substrate 2, for example forming a reading circuit for a matrix detector, and a set 3 of electronic components, for example "pixels" made of semiconductor material, mechanically connected and electrically connected via connection elements 1 such as solder balls.
  • the assembly illustrated in Figure 2a may for example be obtained by the assembly method well known under the English expression "flip-chip".
  • the layer of material forming the set of components 1 is thinned so as to reduce the mechanical stresses experienced by the connection elements 3 during differential expansions during the phase of use of the device. device. If such a thin-layer structure effectively makes it possible to limit the risks of rupture of the electrical connections 3, it in turn increases the mechanical and thermal stresses in the thin layer 1, which amounts in fact to moving the problem posed by such constraints to level of this layer. Therefore, the layer 1 must withstand high stresses and, therefore, it must be dimensioned and carried out in a meticulous and therefore expensive manner. Thus, the materials that compose it must be selected to give it resistance to these constraints, a selection that excludes from the outset the use of inappropriate materials thus limiting the electronic functions that can fill such a thin layer 1.
  • FIG. 2b illustrates another solution of the prior art which consists in thinning the layer of material 2, constituting for example a substrate, and superimposing on it a layer 4.
  • a structure makes it possible to reduce substantially the stresses experienced by the electrical connections. 3, but, as in the case of FIG. 2a, this amounts to increasing the mechanical and thermal stresses exerted during the use phases on the layer of material 2. In addition to the consequences already mentioned in connection with FIG. 2a, this structure still hinders the manufacturing cost.
  • an electronic device having the structure of a device according to one of FIGS. 2a or 2b represents a limit to the miniaturization of its electronic components. Indeed, insofar as each pixel requires a determined number of electrical connections, the device is dependent on the space required for the implementation of the elements 3 making these electrical connections.
  • each pixel must comprise at least two electrical connections, namely a specific connection to the pixel and a common connection to all the pixels.
  • the current trend is to miniaturize microelectronic components, particularly in the field of detectors or matrix emitters.
  • one of the applications of the invention relates to an electronic device, whose electrical connections do not present a risk of breakage during use, on the one hand, and the fineness of electronic components is not not limited by the space required for these electrical connections, on the other hand.
  • FIG. 3 illustrates a first embodiment of an electronic device comprising a plurality of individualized electronic components 303, 311 obtained by the method according to the invention, and which are reported on a substrate 302.
  • the electronic components 303, 311 are composed of a material capable of interacting with an electromagnetic radiation to be detected, and for example a cadmium alloy (Cd) of mercury. (Hg) and tellurium (Te), suitable for detecting infrared rays.
  • the electronic components can be of another nature and fulfill other functions, such as the detection or emission of other radiation such as X-rays, visible (LED), laser (VCSEL) etc. In fact, most detectors and transmitters are concerned.
  • the substrate 302 can in turn be constituted by a semiconductor circuit of the CMOS type, as is generally the case for matrix detectors of electromagnetic radiation.
  • Each electronic component 303, 311 is mechanically connected and electrically connected to the substrate 302 via a connecting element 301, 310, such as a solder ball implemented as part of an assembly method " flip-chip ", or such as an electrically conductive polymer pad.
  • a connecting element 301, 310 such as a solder ball implemented as part of an assembly method " flip-chip ", or such as an electrically conductive polymer pad.
  • the connecting elements 301, 310 may constitute the anode poles of their respective electronic components.
  • the charge carriers released during interactions between photons and material in the components 303, 311 can be conducted to the reading circuit 302.
  • Such an electronic radiation detector therefore conventionally has components of globally polygon shape. regular, such as rectangular parallelepiped shape, square, hexagonal or triangular, each corresponding to a pixel of the matrix detector.
  • each component 303, 311 is further electrically connected to at least one of the components adjacent thereto.
  • This electrical connection is made by means of at least one elastically deformable conductor 305-307.
  • the conductor 305-307 can thus perform the electrical contact recovery function at one of the surfaces of each electronic component.
  • the conductor 305-307 has an elasticity such that it is able to absorb deformations due to the thermomechanical stresses created during the differential expansions of the components 303, 311 and the substrate 302. Indeed, as explained in connection with the prior art, in case of expansion difference of the materials constituting the substrate 302 and 303,311 components, there is a relative movement between these elements.
  • These constraints essentially comprise shear stresses, but they may also include creep constraints, etc.
  • the conductor 305-307 has substantially the shape of a blade, that is to say it has a small thickness and a large width considered in a direction perpendicular to the plane of Figure 3
  • the conductor 305- 307 actually has the same electrical potential in all points of the detector shown in FIG. 3, because it has the shape of a grid like the device illustrated in plan view in FIG. .
  • the conductor 305-307 thus takes the form of a strip or a continuous film making contact on an extended surface of the flanks of each component 303, 311.
  • Such surface contact has the advantage of offering a low resistance the conductor flow to the conductor 305-307, which can form the cathode common to the detection device of Figure 3. This allows to maintain a high signal-to-noise ratio by limiting the degradation of signals to level of each electronic component due to the removal of constraints in active materials. In addition, this allows an increase in the quantum efficiency of the device and the reduction of electrical intermodulation (leakage currents) between neighboring devices.
  • the resumption of contact of the conductor 305-307 on the flanks 304, 308 and 309 of each pixel can be carried out directly or via a connection means associated with the respective components 303, 311.
  • the driver comprises at least two layers; on the one hand, a cohesion layer allowing its assembly with the afferent component at the contact recovery and, on the other hand, an electrical conduction layer ensuring, by definition, the transfer of the charge carriers to the level of a collection channel common to all or some of the pixels of the detector.
  • the cohesion or "hooking” layer is composed in this case of titanium (Ti), but it could consist of another material known for its cohesive properties, such as chromium (Cr).
  • the conduction layer consists of a good electrically conductive material, such as platinum (Pt), gold (Au), aluminum (Al), copper (Cu) or a copper alloy and of beryllium (CuBe).
  • FIG. 4 illustrates a second embodiment of the invention in which components 403, 411, 412 are electrically connected to a CMOS substrate 402.
  • the components 403, 411, 412 are mechanically connected to the substrate 402 by means of connecting elements 401, 423 inserted at the bottom of the cavities 420 formed on the surface of the substrate 402.
  • Such link elements 401, 423 thus constitute a kind of connector allowing the cold connection and avoiding the heating necessary for welding.
  • an elastic conductor 405, 407 makes it possible to electrically connect adjacent components 403 and 411 to each other.
  • the conductor 405, 407 has an elasticity that supports most of the thermomechanical stresses due to the differences in expansion between the materials of the elements constituting the electronic device of FIG.
  • the one illustrated by FIG. 4 comprises two-by-two pixels 411, 412 thus constituting a block provided on its contact recovery blanks 408-409 with the conductor 405, 407.
  • This embodiment of the invention makes it possible to group together in "islands" the components 411, 412 and thus to reduce the number of connections and to simplify the manufacturing process of the electronic device. In addition, this allows to increase the active area.
  • the electronic components 403 located on the peripheral zone of the substrate 402 remain individualized and have a contact recovery 404 with the conductor 405.
  • a matrix according to the invention comprising individual electronic components 403, 411 connected by bridges of functional material, here the conductors 405-407.
  • FIGS. 5a, 5b and 5c respectively illustrate a variant for contacting the elastic conductors 506, 516, 526 on different faces of the components 501 forming the electronic device.
  • the contact pickups 508, 509 are made on the faces of the components 501 opposite to their face reported on the substrate 502. This makes it possible to limit, on the one hand, the space occupied by the electrical connections on the the lower face of a pixel and, on the other hand, to increase the compactness of the components by reducing the necessary gap between neighboring components.
  • the contact resumptions 528, 529 are made on the faces of the components reported on the substrate 502, that is to say on the lower faces situated opposite this substrate 502 and receiving the elements particularly mechanical bonding devices, such as solder balls 503, in particular when this face already has contact pickups. This makes it possible to release as much as possible the upper surface of the components.
  • FIG. 5b illustrates, for its part, a variant in which the contact reversals 518, 519 are made on the sidewalls or side faces of each component, like the electronic devices represented in FIGS. 3 and 4.
  • Such a variant makes it possible to release the upper and lower surfaces of each component, maximizing the "active" volume for detection or emission.
  • Figures 6a to 6d illustrate various successive steps of an embodiment of the method of manufacturing an electronic device according to the invention.
  • the method illustrated in FIGS. 6 consists firstly of producing an active layer 601 by epitaxy on a sacrificial layer 600; the layer is said to be active because it is it that fulfills the main function of the component, for example by interacting with the incident photons to release charge carriers in the case of the pixels of a detector.
  • the functional surface 603 characteristic of the components 611 is then deposited and / or implanted on the free surface of this active layer 601; in this case, it is about individual anodes and a metallization layer allowing the hybridization of each component 611.
  • the trenches 620 are then etched in rows and columns in the active layer 601 at least until the stratum 600 is cleared so as to individualize the components 611 within a matrix.
  • An electrically conductive pad is produced on the sidewalls or side faces of the individualized components 611, so as to make contact resumptions 608, 609; these flanks may be called “free” because they are clear of the substrate.
  • a film 606 that is electrically conductive and extends over the etched trenches 620 is then deposited by a deposit, for example by the so-called "liftoff" technique, so as to interconnect the contacts 608, 609 of adjacent components 611 with each other. .
  • the thickness of this film 606 is determined to give it an elasticity capable of maintaining the electrical connection despite a relative displacement between components 611 in the event of a difference in expansion within the device.
  • the components 611 are then hybridized on the substrate 602, here constituted by a CMOS circuit, and then the faces of each component 611 facing the substrate 602 are selectively thinned so as to leave the functional elements 603 protruding.
  • the stratum 600 is finally removed by etching so as to disengage the electrically conductive film 606.
  • a collection means 630 common to all the pixels of the detector, so as to form, for example, an output cathode channel.
  • Such a method thus makes it possible to manufacture a simple and economical manner an electronic device according to the invention. It is thus possible to apply this method to a wafer slice in CMOS from a silicon (Si) smelter, on which a collective hybridization of pre-processed detecting circuits or sensors is carried out.
  • the stratum can be mechanically machined to a thickness of 10 ⁇ m before the residual layer of germanium is etched by means of a fluorinated plasma. to achieve the metal located at the bottom of the trench 620. For this, it is desirable to protect the other exposed parts of the electronic device, such as the CMOS read circuit, or the edges of the sensors or detection circuits.
  • FIGS. 7a to 7f illustrate a sequence of steps that can be carried out as part of the process described above and consisting of:
  • Such a sequence of steps makes it possible to position the contact recovery zone between the conductive film 706 and the pixels 701 at the bottom of the trench 720 and therefore, at the level of the free surface of each of the components 701, that is, ie the surface located opposite the face attached to the substrate not shown in FIGS. 7.
  • the contacting resumptions are remote from the active part 701 of a component, thus limiting the risks of electrical disturbances, since too close proximity induces electrical noise.
  • the expansion behavior of the electronic device of the invention makes it possible to transmit the thermomechanical stresses to the elastic conductor.
  • Each electronic component individually tracks the displacement due to the overall expansion of the material constituting the substrate.
  • the mechanical and thermal stresses imposed locally by the substrate on each electronic component via the elastic conductor are relatively small and can even be reduced to a negligible value in the case where the material constituting the elastic conductor is relatively soft as indium (In) and / or in the case where the elastic conductor is secured to each component at the center of the face that receives it.
  • the elastic conductor deforms and "absorbs" locally the mechanical stresses due to the differential expansion between components and substrate.
  • the electronic device of the present invention can reduce, for example from two to one, the number of mechanical and electrical connection elements required on the face of each component reported on the substrate. Therefore, it is possible to miniaturize such an electronic device.
  • a device according to the invention also has the advantage of being integrable, for example by gluing over its entire surface, on a support whose expansion coefficient does not depend on the electronic device.
  • an antireflection layer on the elastic conductive film so as to avoid parasitic signals from directly incident photons or emitted.
  • this application relates to an electronic device, the constituent elements of which, component and / or substrate, undergo relatively low thermomechanical stresses, the electrical connections of which resist differential expansion especially during the use phase and do not constitute a limit miniaturization of electronic components.
  • the electronic device object of this application comprises a plurality of individualized electronic components reported on a substrate, each component being mechanically connected to the substrate via a connecting element. Each component is further electrically connected to at least one adjacent component by means of at least one conductor performing the function of electrical contact recovery, said conductor having an elasticity capable of maintaining the electrical connection despite a relative movement between components.
  • the electronic components are all mutually electrically connected by means of at least one "flexible" conductor taking up the thermomechanical stresses due to the differential expansions between elements of the device.
  • a conductor performs the function of resumption of electrical contact between the electronic components, which makes it possible to limit to one the number of mechanical and electrical connection elements between the substrate and each electronic component.
  • the reduced size required by the connecting elements makes it possible to miniaturize the electronic components.
  • this conductor may be filiform.
  • Such a structure of the conductor makes it possible to make electrical contact reversals with little space on the surface of each electronic component.
  • this conductor can be surface.
  • surface means an extended surface piece, unlike a filiform piece.
  • One can thus qualify as a surface piece a film, a ribbon or a thin plate.
  • such a conductor allows a resumption of electrical contact on a relatively large area of each electronic component, which decreases the electrical resistance of such a contact.
  • the driver may be in contact with a resumption of electrical contact.
  • each component may have a generally regular polygon shape, such as a parallelepiped shape with a rectangular, square, hexagonal or triangular base.
  • Such a shape makes it possible to produce a matrix in which each component plays the role of a pixel.
  • the contact recovery can be performed on one of the side faces of the components.
  • Side face means a face perpendicular to the face of the component facing the substrate.
  • the contact recovery can be performed on the face of the component opposite to the face of the component attached to the substrate; in other words, on the upper face of the component when it is placed on its substrate.
  • the contact recovery can also be performed on the face of the component attached to the substrate, in other words, on the underside of the component when it is placed on its substrate. This is particularly interesting when the resumption of contact is already available on this face, for example in case of appropriate local doping.
  • the conductor may consist of several layers, including an electrical conduction layer and a cohesion layer intended to allow assembly on the resumption of contact.
  • This multilayer structure dissociates the two functions that the conductor must fulfill, namely the electrical conduction between components and the elasticity required to accept the thermomechanical constraints of differential expansion.
  • each of the layers of the driver is able to perform one or the other of these functions correctly.
  • the outer layer may consist of a material selected from the group consisting of titanium (Ti), chromium (Cr) and an alloy (TiW) of titanium and tungsten
  • the conduction layer may be consisting of a material selected from the group consisting of platinum (Pt), gold (Au), aluminum (Al), copper (Cu) or a copper and beryllium alloy (CuBe).
  • the conductor is common to all or some of the components, the conductor forming for example a line or a continuous grid.
  • Such a characteristic makes it possible to produce the conductor relatively simply and economically, for example to constitute the cathode of a detector.
  • the application relates to an electromagnetic radiation detector, such as X-ray, infrared or visible light.
  • an electromagnetic radiation detector such as X-ray, infrared or visible light.
  • such a detector comprises a matrix formed by a device as previously described, in which each component comprises a material capable of interacting with this radiation.
  • a detector thus formed may have a high degree of miniaturization while resisting thermomechanical stresses due to differential expansions between the elements that constitute it.
  • the substrate of this detector may consist of a semiconductor circuit of CMOS type technology, and the material capable of interacting with said radiation may be an alloy of cadmium (Cd), mercury (Hg) and tellurium (Te), InGaAs, InSb, Si or Ge.
  • a detector has detection performance compatible with high miniaturization.
  • an emitter of electromagnetic radiation such as laser beams, comprising a matrix formed by a device as previously described, in which each component consists of a vertical cavity laser emitter emitting by the surface (VCSEL) or a light emitting diode (LED).
  • An issuer thus constituted is likely to have a high degree of miniaturization.
  • the application also relates to a method of manufacturing an electronic device comprising a plurality of electronic components reported on a substrate.
  • the method according to the invention comprises the sequence of steps consisting in: "producing an active layer by epitaxy on a sacrificial layer;” depositing and / or implanting on the free surface of this active layer characteristic functional elements of these components, such as an anode and / or a metallization layer allowing the hybridization of each component; “to engrave trenches in lines and / or columns in this active layer at least until clear this layer, so as to individualize these components within a matrix;” to achieve an electrically conductive pad on at least the one of the free faces of each component thus individualized, so as to make contact recoveries;
  • CMOS semiconductor circuit hybridizing the components on the substrate, such as a CMOS semiconductor circuit
  • the method of the invention consists in depositing a film capable of forming a flexible conductor between the components and, optionally, the substrate.
  • the deposition step may comprise the sequence of steps consisting of:
  • Such a manufacturing method makes it possible to carry out the electrical contact recovery at the free portion of each of the electronic components, so as to limit the degradation of the signal of each component due to disturbances and leakage of charge carriers between pixels.
  • the term "free" means the part of the surface of a component that is not covered by the substrate, and therefore its lateral and upper faces.
  • the conductor may consist of several layers, including an electrical conduction layer and a cohesion layer intended to allow assembly on the resumption of contact.
  • the removal step can be carried out under a plasma selected so as to be at least inert with respect to this conduction layer.
  • Figures 8 to 10 illustrate an application similar to that described in relation to Figures 2 to 7.
  • the second application differs from the first essentially in that the electronic components are bipolar transistors or diodes.
  • FIG. 8 there is shown a detector comprising a matrix of bipolar transistors 801, 802 in a hybrid common collector arrangement on a reading substrate 803. It will be considered subsequently the example of NPN transistors. Of course, the following applies also to PNP transistors.
  • Each transistor 801, 802 is produced in a block 804 made of a material capable of interacting with an electromagnetic radiation to be detected and exhibiting P doping, for example an alloy of cadmium (Cd), mercury (Hg) and doped tellurium (Te). P, suitable for detecting infrared rays.
  • a material capable of interacting with an electromagnetic radiation to be detected and exhibiting P doping for example an alloy of cadmium (Cd), mercury (Hg) and doped tellurium (Te).
  • Cd cadmium
  • Hg mercury
  • Te doped tellurium
  • Each transistor 801, 802 further comprises three zones 805, 806, 807 formed in the block 804, the first two of which 805, 806 open on the side faces 808, 809 of the transistor, and a third 807 of which opens onto the face 810 of the block 804 reported on the substrate 803.
  • the zones 805, 806, 807 are formed in the same material as that of the block 804, with the difference that they exhibit N-doping.
  • the face of the block 804 attached to the substrate 803 is also covered with an antireflection layer 811 having an opening 812 opening onto the third zone 807.
  • the opening 807 is filled with a conductive material, for example platinum (Pt) or gold (Au).
  • the substrate 803 is for its part constituted by a semiconductor read circuit of the CMOS type, as is generally the case for the electromagnetic radiation matrix detectors.
  • Each transistor 801, 802 is mechanically connected and electrically connected to the substrate 803 via a connecting element 813, such as a solder ball implemented as part of the "flip-chip" assembly method. , or such as an electrically conductive polymer pad.
  • a connecting element 813 such as a solder ball implemented as part of the "flip-chip” assembly method.
  • the connecting elements contribute to ensuring the mechanical cohesion of the assembly.
  • Each transistor 802, 803 is furthermore electrically connected to at least one of the transistors which is adjacent thereto by means of at least one elastically deformable conductor 814, and connected to an N-doped lateral zone 805, 806 of each of these transistors. .
  • the conductor 814 is in accordance with that described with reference to FIGS. 3 to 7 and produced using the method according to the invention.
  • the conductor 814 can thus be filiform or surface.
  • the conductor may also be common to all transistors and formed in one piece.
  • the matrix comprises at each end of the line and / or column, a component 815 ensuring the electrical recovery of the conductor 814 of the transistor which is adjacent to it with a common mode collector connection area of the read substrate 803.
  • the N-doped zones 805, 806, 807 and the P-doped block 804 of each transistor 801, 802 thus form PN and NP junctions constituting a bipolar transistor.
  • the bipolar transistors thus formed also have their collector connected in common by the conductors 814. A conductor 814 between two adjacent transistors is therefore in contact recovery on side faces thereof.
  • the bases of the transistors are themselves floating and subject to radiation.
  • the electronic diagram equivalent to the matrix of FIG. 8 is represented in FIG. 9.
  • the zone 807 is not doped with respect to the block 804. There is thus obtained a simplified configuration of the diode type. A method of manufacturing the device of FIG. 8 is illustrated in the figures
  • the etching and the formation of the zones 1006 are for example carried out simultaneously using the so-called "loophole” technique described in Baker's "Summary of HgCdTe 2D array technology in the UK".
  • this metallization 1007 consists, for example, in depositing a first layer of contact and bonding in titanium or chromium, followed by the deposition of a second platinum or gold conduction layer, as previously explained; "cover the photoresist assembly and subject it to an exposure to a UV radiation through a photolithography mask masking the resin covering the N-type areas 1004 on the upper side of the transistors and the trench resin; developing the exposed resin, etching the flush metallization 1007 as a result of the development and removing the residual resin;
  • the elimination of the sacrificial layer comprises the steps of:
  • the sacrificial layer 1002 mechanically thin the sacrificial layer 1002 so as to leave a thin residual layer layer above the metallization of the trenches, for example less than 10 microns, and
  • the resistance of access to the transistor is reduced because the connection to the transistors is not made through the active layer, and the cross-section of the connections between the transistors is increased by the fact that a large surface of the conductive film between these;

Landscapes

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Abstract

L'invent ion concerne un procédé de fabrication d'une matrice de composants électroniques (111), comportant une étape de réalisation d'une couche active (101) sur un substrat (100), et une étape d'individualisation des composants par formation de tranchées (102) dans la couche active (101) au moins jusqu'à dégager le substrat (100). Le procédé comporte des étapes consistant à : à déposer une couche de matériau fonctionnel (103) sur la couche active (101); déposer une résine photosensible (104) sur la couche de matériau (103) de manière à remplir lesdites tranchées (102) et à former une pellicule mince (115) sur la face supérieure des composants (111); exposer au moins partiellement la résine (104) à un rayonnement tout en sous- exposant la portion de résine des tranchées; développer la résine (104) de manière à éliminer la portion de celle-ci correctement exposée; éliminer la portion de couche de matériau fonctionnel (103) affleurante à la suite de l'étape de développement; et éliminer la portion de résine restante.

Description

PROCÈDE POUR LA RÉALISATION D'UNE MATRICE DE COMPOSANTS ELECTRONIQUES INDIVIDUELS ET MATRICE REALISEE PAR CE PROCEDE.
DOMAINE DE L'INVENTION
La présente invention se rapporte au domaine de l'intégration de composants électroniques individualisés et à la densifîcation fonctionnelle des surfaces de circuits intégrés comportant de tels composants électroniques.
L'invention concerne plus particulièrement un procédé de réalisation d'une matrice de composants électroniques individuels, du type comportant une étape de fabrication d'une couche active sur une base de substrat, notamment par épitaxie, et une étape d'individualisation desdits composants par formation de tranchées, notamment par gravure, dans la couche active, au moins jusqu'à dégager la base de substrat.
L'invention concerne également une matrice d'au moins deux composants électroniques individualisés dans une couche active au moyen de tranchées traversantes formées dans celle-ci.
ETATANTÉRIEURDE LATECHNIQUE
Dans un dispositif électronique matriciel, comme par exemple un détecteur matriciel, les éléments unitaires formant la matrice, ou « pixels » par analogie au domaine de l'imagerie, sont individualisés par des tranchées afin de définir des comportements locaux indépendants. Par exemple, dans le cas d'un détecteur matriciel, un composant individuel permet de mesurer un rayonnement incident sur celui-ci indépendamment des autres composants, ce qui permet au final de former une image de points distincts.
L'espace inter - composant ainsi défini est généralement perçu comme un inconvénient, non seulement parce qu'il limite le degré d'intégration des composants par unité de surface, mais également parce que ce volume est considéré comme difficilement utilisable à l'aide des techniques usuelles sans dégrader le comportement des composants adjacents ou induire un taux de défaillance élevé. A titre d'exemple, des connexions électriques entre des composants adjacents ont été réalisées à l'aide de fils électriques soudés sur les faces supérieures des composants. Or un fil soudé est fragile de part la soudure mise en oeuvre, et utilise en outre une portion de la surface utile des composants.
Le but de la présence invention est de résoudre le problème susmentionné en proposant une matrice de composants individuels et un procédé de réalisation de celle-ci, dans lesquels l'espace inter - composants est utilisé de manière optimale, par exemple pour assurer des connexions électriques fiables entre des pixels adjacents, pour absorber des déplacements relatifs entre des pixels adjacents ou pour augmenter la densité des pixels en réduisant les surfaces occupées par les interconnexions.
On notera que l'invention s'applique au domaine de la fabrication de matrices de composants électroniques, dont certaines dimensions, notamment celles de l'espace séparant les composants, sont inférieures à la dizaine de micromètres. Comme cela est connu, la fabrication de tels composants est sujette à des problèmes spécifiques qui nécessitent la mise en œuvre de techniques particulières à ces ordres de grandeur, comme par exemple la photo lithographie.
EXPOSE DE L'INVENTION
A cet effet, l'invention a pour objet un procédé de réalisation d'une matrice de composants électroniques individuels, du type comportant une étape de réalisation d'une couche active sur une base de substrat, notamment par épitaxie, et une étape d'individualisation desdits composants par formation de tranchées, notamment par gravure, dans la couche active, au moins jusqu'à dégager la base de substrat.
Selon l'invention, le procédé comporte des étapes consistant à : " déposer une couche de matériau fonctionnel sur la couche active ;
" déposer une résine photosensible à un rayonnement prédéterminé sur la couche de matériau fonctionnel de manière à remplir lesdites tranchées et à former une pellicule mince sur la face supérieure des composants électroniques ; " exposer au moins partiellement la résine audit rayonnement tout en sous- exposant la portion de résine remplissant les tranchées ;
" développer la résine de manière à éliminer la portion de celle-ci correctement exposée ; " éliminer la portion de couche de matériau fonctionnel affleurante à la suite de l'étape de développement ; et " éliminer la portion de résine restante.
En d'autres termes, la couche de matériau fonctionnel est protégée par la résine remplissant les tranchées lors des étapes consécutives à l'exposition. En effet, le fait de sous-exposer la résine des tranchées empêche le développement de celle-ci. De fait, une fois les opérations de fonctionnalisation des composants électroniques achevées (gravure, attaque ionique, ...), la couche de matériau fonctionnel dans les tranchées est intacte. Ainsi, après élimination de la résine des tranchées, par exemple par un bain chimique, il est obtenu un film de matériau fonctionnel reliant des composants électroniques adjacents.
On remarque alors que ce film remplit exactement l'espace séparant les composants adjacents en couvrant notamment les flancs ou faces latérales desdits composants.
En considérant par exemple, une utilisation de la matrice de composants dans un détecteur matriciel, une hybridation de celle-ci à un substrat (par exemple par la technologie bien connue dite de «flip-chip »), suivie d'un retrait de la base de substrat, il est obtenu une matrice de composants électroniques reliés par des ponts en matériau fonctionnel de largeur exactement égale à celle des tranchées.
De nombreuses applications sont alors possibles.
Par exemple, il est envisageable d'utiliser les ponts ainsi réalisés pour résoudre des problèmes de déplacement relatif entre des composants adjacents en choisissant des ponts élastiques (par exemple en choisissant une épaisseur faible pour ceux-ci). Ceci est particulièrement avantageux dans le cas où les ponts sont également utilisés comme des interconnexions électriques entre des composants. En effet, ces interconnexions resteront assurées quelle que soit l'amplitude des déplacements relatifs entre des composants adjacents. Par exemple, en choisissant une faible épaisseur de pont, ce dernier se comportera comme une lame ou un film souple, dont l'amplitude de déformation est importante et généralement supérieure à l'amplitude des déplacements relatifs que peuvent connaître les composants électroniques lors de leur utilisation. Par exemple, si le matériau fonctionnel est conducteur, les ponts peuvent servir à l'interconnexion électrique des composants. Cette interconnexion électrique peut être réalisée sur le flanc des composants, laissant alors libre la surface supérieure de ceux-ci.
Dans un autre exemple d'application, si les ponts sont réalisés en matériau opaque, il est obtenu une isolation optique parfaite des composants, ce qui évite donc un bruit parasite connu sous le terme de « cross-talk », usuellement rencontré dans les détecteurs matriciels. En effet, aucun rayonnement ne peut atteindre les tranchées qui sont protégées par les ponts. Le rayonnement détecté correspond donc exactement au rayonnement incident sur les surfaces de détection des composants électroniques.
On notera par ailleurs que l'invention met finalement en oeuvre ce qui était usuellement considéré comme un défaut dans le domaine de la fabrication de dispositifs matriciels micrométriques.
La formation de motifs fonctionnels à la surface de composants électroniques séparés par des tranchées, comme par exemple des zones de métallisation, est usuellement réalisée par une technique soustractive à base de rayonnement. Le terme de soustractif renvoie ici à la notion selon laquelle, une couche étendue de matériau fonctionnel est déposée sur la surface des composants, et que le surplus de matériau fonctionnel est éliminé pour former les motifs. On peut notamment citer à cet égard la photolithographie.
En prenant l'exemple de cette technique, la couche étendue de matériau fonctionnel est recouverte d'une résine photosensible, puis un rayonnement ultraviolet (UV) est appliqué sur celle-ci au travers d'un masque de soustraction définissant les portions de couche de matériau à éliminer pour former les motifs fonctionnels. Sous l'effet du rayonnement UV, la portion de résine positive exposée subit une transformation chimique qui permet son élimination par un processus de développement à l'aide d'une solution basique.
Une fois le développement réalisé, les portions de la couche de matériau devant être éliminées sont donc affleurantes et sont éliminées par gravure chimique. Dans le même temps, la résine non exposée n'a pas été éliminée par le développement et protège donc le matériau des motifs de la gravure. Une fois cette portion de résine non exposée éliminée par un bain chimique, les motifs fonctionnels désirés apparaissent donc à la surface des composants électroniques.
Or, comme cela est connu, pour former des motifs micrométriques par masquage, la longueur d'onde du rayonnement doit être inférieure aux dimensions des motifs, notamment pour éviter des phénomènes de diffraction lors de la traversée du masque. D'où l'utilisation d'un rayonnement ultraviolet pour la formation de motifs micrométriques. Or, plus la longueur d'onde d'un rayonnement est faible, plus le pouvoir de pénétration du rayonnement dans la résine, ou profondeur de champ, est faible.
Comme la résine remplissant les tranchées présente une épaisseur importante, elle n'est pas exposée dans son intégralité et ne peut donc être totalement éliminée par développement. Ainsi, un matériau non désiré au fond des tranchées ne peut être éliminé par la gravure chimique consécutive à l'exposition.
Jusqu'alors, on a donc évité tout dépôt de matériau fonctionnel dans les tranchées, dites profondes, considérant qu'il serait impossible de l'éliminer par la gravure.
L'invention utilise donc avantageusement ce qui était donc considéré dans l'état de la technique comme un défaut pour fabriquer des éléments de liaison recouvrant exactement les tranchées, en déposant sciemment du matériau fonctionnel en fond de tranchée.
Selon l'invention, le procédé comporte une ou plusieurs des caractéristiques avantageuses suivantes : " le matériau fonctionnel est élastique et/ou conducteur et/ou opaque, fonction des applications envisagées ;
" l'étape d'exposition comporte une étape d'application d'un masque de photo lithographie en surface de la résine photosensible ;
" le masque de photolithographie comporte des portions de recouvrement des tranchées ;
" l'étape d'exposition comporte une étape de sélection d'une profondeur de champ du rayonnement d'exposition de la résine, inférieure à la profondeur des tranchées, et supérieure à l'épaisseur de la pellicule de résine recouvrant la face supérieure des composants électroniques ; " l'étape de réalisation de la couche active est suivie d'une étape consistant à déposer et/ou implanter sur la surface libre de ladite couche active des éléments fonctionnels caractéristiques desdits composants ;
" l'étape de dépôt et/ou d'implantation d'éléments fonctionnels comporte une étape de dépôt et/ou d'implantation d'une électrode et/ou d'une couche de métallisation permettant l'hybridation de chaque composant ; " la couche active est une couche semi-conductrice d'un premier type, et l'étape de dépôt et/ou d'implantation d'éléments fonctionnels comporte une étape de formation d'une zone semi-conductrice d'un second type pour chaque composant dans la surface libre de la couche active ;
" l'étape d'individualisation desdits composants par formation de tranchées comprend, ou est suivie, d'une étape de formation d'une zone semi-conductrice du second type dans au moins une face latérale de chaque composant ; " l'étape de formation des zones semi-conductrices du second type dans lesdits bords latéraux est réalisé par dopage, notamment du type « loophole » (le dopage du type « loophole » est une gravure par bombardement ionique qui dope simultanément le matériau) ; " le matériau fonctionnel est métallique, et le masque de photolithographie est sélectionné de manière à former une couche métallique en surface des zones semi-conductrices du second type formées à la surface libre de la couche active ;
" le procédé comporte une étape de réalisation d'un plot conducteur en surface de chacune desdites couches métalliques ; " le procédé comporte, consécutivement à l'étape de développement, une étape d'hybridation de la matrice sur un substrat.
L'invention a également pour objet une matrice d'au moins deux composants électroniques individualisés dans une couche active au moyen de tranchées traversantes formées dans celle-ci.
Selon l'invention, cette matrice comporte, pour chaque paire de composants électroniques adjacents, au moins un élément relié auxdits composants, recouvrant au moins partiellement la tranchée séparant lesdits composants, et comportant au moins un point de contact avec chacune des parois latérales définissant ladite tranchée.
En d'autres termes, l'élément de liaison entre des composants adjacents comprend au moins une portion s'étendant sur toute la largeur de la tranchée. L'espace inter - composants est dont utilisé de manière optimale. Selon des modes de réalisation particuliers, la matrice comporte une ou plusieurs des caractéristiques suivantes :
" chaque composant présente une forme globalement de polygone régulier, notamment une forme parallélépipédique à base rectangulaire, hexagonale, triangulaire ou autres ;
• l'élément de liaison est opaque ;
• l'élément de liaison présente une élasticité susceptible de conserver l'intégrité de la connexion électrique avec un composant adjacent malgré un déplacement relatif entre composants ;
" l'élément de liaison est conducteur ;
• l'élément de liaison est filiforme ;
" l'élément de liaison est surfacique ;
" l'élément de liaison est en contact avec une reprise de contact électrique du ou des composants ;
• ladite reprise de contact est réalisée sur l'une des faces latérales ou sur l'une des faces transversales du composant considéré :
• l'élément de liaison est constitué de plusieurs couches, dont une couche de conduction électrique et une couche de cohésion destinée à permettre l'assemblage sur la reprise de contact ; la couche externe est avantageusement constituée d'un matériau choisi dans le groupe comprenant le titane (Ti), le chrome (Cr) ainsi qu'un alliage (TiW) de titane et de tungstène, et la couche de conduction est avantageusement constituée d'un matériau choisi dans le groupe comprenant le platine, l'or, l'aluminium, le cuivre ou un alliage de cuivre et de béryllium ;
" l'élément de liaison est commun à tout ou partie desdits composants et forme une ligne ou une grille continue.
" chaque composant électronique est un transistor bipolaire, dont au moins une zone semi-conductrice est formée dans l'une des faces latérales de celui-ci et est en contact avec ledit élément de liaison.
L'invention a également pour objet un procédé de réalisation d'un dispositif électronique comprenant une pluralité de composants électroniques rapportée sur un substrat. Selon l'invention, ce procédé consiste :
" à réaliser une couche active par épitaxie sur une strate sacrificielle ;
" à déposer et/ou implanter sur la surface libre de ladite couche active des éléments fonctionnels caractéristiques desdits composants, tels qu'une électrode, notamment une anode, et/ou une couche de métallisation permettant l'hybridation de chaque composant ; " à graver des tranchées en lignes et/ou en colonnes dans ladite couche active au moins jusqu'à dégager ladite strate, de manière à individualiser lesdits composants au sein d'une matrice ; " à réaliser un plot électriquement conducteur sur au moins l'une des faces libres de chaque composant ainsi individualisé, de manière à réaliser des reprises de contact ; " à réaliser par dépôt au moins un film électriquement conducteur s'étendant sur lesdites tranchées de manière à connecter au moins deux à deux lesdites reprises de contact de composants adjacents, ledit film présentant une épaisseur déterminée pour lui conférer une élasticité susceptible de maintenir la connexion électrique malgré un déplacement relatif entre composants ; • à hybrider les composants sur le substrat ;
" à amincir sélectivement les faces de chaque composant situées en regard dudit substrat, de manière à laisser en saillie tout ou partie desdits éléments fonctionnels ; " à éliminer ladite strate au moyen d'un usinage mécanique ou d'une attaque chimique, de manière à dégager le film électriquement conducteur, lesdites étapes de réalisation de la couche active, de gravure de tranchées et de dépôt du au moins un film étant conformes au procédé précité.
Selon des modes de réalisations particuliers de l'invention, le procédé comporte un ou plusieurs des caractéristiques suivantes :
Ainsi, avantageusement, l'étape de dépôt consiste :
" à déposer une couche en matériau électriquement isolant recouvrant toute la surface de ladite couche active, à savoir celle de la tranchée et celle desdits composants ;
" à percer ladite couche en matériau électriquement isolant au moyen d'une photolithographie suivie d'une gravure opérée au fond et sur tout ou partie des bords de ladite tranchée ;
" à déposer ledit film électriquement conducteur sur toute ou partie de la surface libre desdits composants et desdites tranchées ; " à ôter localement ledit film électriquement conducteur par gravure des surfaces desdits composants.
En outre, et avantageusement, le conducteur mis en oeuvre est constitué de plusieurs couches, dont une couche de conduction électrique et une couche de cohésion destinée à permettre l'assemblage sur la reprise de contact, l'étape d'élimination étant effectuée sous un plasma sélectionné de manière à être inerte au moins vis-à- vis de ladite couche de conduction.
L'invention a également pour objet un dispositif électronique comprenant une pluralité de composants électroniques rapportés sur un substrat, chaque composant étant mécaniquement relié audit substrat par l'intermédiaire d'un élément de liaison, dans lequel chaque composant est en outre électriquement connecté à au moins un composant adjacent au moyen d'au moins une pièce formant un conducteur. Selon l'invention, les composants et leurs conducteurs associés forment une matrice du type précité.
Selon des modes de réalisation particuliers, le dispositif comporte une ou plusieurs des caractéristiques suivantes : " la reprise de contact est réalisée sur la face du composant opposée à la face du composant rapportée sur le substrat ; " la reprise de contact est réalisée sur la face du composant rapportée sur ledit substrat.
L'invention a également pour objet un détecteur de rayonnement électromagnétique, tel que des rayons X, infrarouges ou de lumière visible. Selon l'invention, un tel détecteur comprend une matrice formée par un dispositif tel que précédemment décrit, dans laquelle chaque composant comprend un matériau apte à interagir avec ce rayonnement.
L'invention a également pour objet un émetteur de rayonnement électromagnétique, tels que des rayons laser, comprenant une matrice formée par un dispositif tel que précédemment décrit, dans laquelle chaque composant est constitué d'un émetteur laser à cavité verticale émettant par la surface (VCSEL) ou d'une diode électroluminescente (LED). BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES
L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple, et réalisée en relation avec les dessins annexés, dans lesquels des références identiques se rapportent à des éléments identiques ou analogues, et dans lesquels :
" les figures la à Ih illustrent un procédé de fabrication de composants électroniques individuels reliés par des ponts, conformément à l'invention ; " la figure Ii est une vue schématique d'une matrice de composants électroniques selon l'invention ; " les figures 2a et 2b sont des représentations schématiques en section d'un dispositif électronique de l'art antérieur ;
" la figure 3 est une représentation schématique en section d'un premier dispositif électronique comprenant une matrice de composants électroniques conforme à l'invention ;
" la figure 4 est une représentation schématique en section d'un second dispositif électronique comprenant une matrice de composants électroniques conforme à l'invention ; " les figures 5 a à 5 c sont des représentations schématiques en section de dispositifs comprenant une matrice de composants électroniques conforme à l'invention présentant chacune une variante de localisation des reprises de contact électrique ;
" les figures 6a à 6d sont des représentations schématiques en section illustrant différentes étapes du procédé de fabrication des dispositifs des figures 3 et 4 ;
" la figure 6e est une représentation en vue de dessus du dispositif électronique illustré par la figure 6d ;
" les figures 7a à 7f sont des représentations schématiques en section de certaines étapes d'une forme de réalisation du procédé de fabrication des dispositifs des figures 3 et 4 ;
" la figure 8 est une représentation schématique en section d'un troisième dispositif électronique comprenant une matrice de composants électroniques conforme à l'invention ;
" la figure 9 est une représentation électronique du dispositif de la figure 8 ; et " les figures 10a à 10e illustrent un procédé de fabrication du dispositif de la figure 8. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION
FORME DE RÉALISATION DU PROCÈDE SELON L'INVENTION
Les figures la à Ih illustrent différentes étapes successives d'une forme de réalisation du procédé de réalisation d'une matrice de composants électroniques micrométriques selon l'invention. Conformément à l'invention, le procédé consiste tout d'abord à réaliser (figure la) une couche active 101, par exemple par épitaxie, sur une base de substrat 100. La couche 101 est dite active, car elle est nécessaire à la fonction principale des composants électroniques à réaliser. La couche 101 est par exemple en matériau dit de détection ou d'émission comme le CdHgTe, InSb, AsGa, Si, Ge ou encore des multipuits quantiques.
On procède alors à la gravure (figure Ib) de tranchées 102 en lignes et en colonnes au sein de la couche active 101, au moins jusqu'à dégager la base de substrat 100, de manière à individualiser des composants 111 au sein de la matrice à réaliser. La gravure est par exemple une gravure par usinage ionique, une gravure plasma réactive ou une gravure chimique.
On dépose alors (figure Ic) un film d'un matériau fonctionnel 103, par exemple par la technique dite de « liftoff», sur la surface de la couche active 101 ainsi gravée. Le film 103 est par exemple constitué de TiPdAu, TiNiAu, TiPt, CrPdAu, OrNiAu, CrPt, Al, CuBe. Dans certains cas, la couche formant le film peut être composée de matériaux différents, par exemple un premier matériau au fond des tranchées, choisi pour sa bonne élasticité, et un deuxième matériau en surface, choisi pour son aptitude à être soudé.
On dépose (figure Id) une résine photosensible 104 sur le film fonctionnel 103 de manière à remplir les tranchées 102 et à former une pellicule mince 105 sur la face supérieure des composants 111. Le qualificatif mince renvoie ici à la notion selon laquelle l'épaisseur de la pellicule est suffisamment faible pour que le rayonnement utilisé pour une modification chimique de la résine, nécessaire à son développement, pénètre entièrement dans la pellicule 105 de sorte que les portions de pellicule exposées soient éliminées totalement lors du développement ultérieur. On applique (figure le) un masque de photolithographie 107 en regard de la résine 104, et l'on soumet l'ensemble à un rayonnement ultraviolet 104 au travers du masque 107. La profondeur de champ du rayonnement ultraviolet est choisie pour pénétrer la pellicule 105 sur toute son épaisseur, mais en revanche, pas la résine sur toute sa hauteur à l'intérieur des tranchées 102. Comme cela est connu en soi du domaine de la photolithographie, seules les portions de résine correctement exposées subissent une réaction chimique. Les portions sous-exposées, comme celles situées en dessous du masque 107 et celles remplissant les tranchées 102 ne subissent pas une telle réaction.
Dans l'exemple de la figure le, les tranchées ne sont pas masquées. En variante, le masque de photolithographie 107 masque lesdites tranchées 102. Il n'est ainsi pas besoin de contrôler le rayonnement pour définir avec précision la profondeur de champ de celui-ci.
Une fois cette exposition réalisée, on développe (figure If) la résine exposée correctement. A l'issue de cette étape, seules les portions de résine masquées 109 par le masque 107 et celles remplissant les tranches 102 demeurent.
On grave alors (figure Ig) par attaque chimique les portions du film fonctionnel 103 laissées affleurantes par la disparition de résine, en suite de l'étape de développement, puis on ôte (figure Ih) la résine résiduelle par un bain chimique.
A l'issue de cette étape, il existe donc, entre deux composants 111 adjacents, un pont 112 suivant exactement les parois des tranchées 102, ainsi qu'une zone de film 110 sur la face supérieure de chaque composant 111.
On notera qu'il importe peu dans certaines applications de maîtriser de manière précise la profondeur de pénétration du rayonnement UV dans la résine des tranchées. Ce qui importe, c'est qu'à la fin du processus de développement, il demeure une pellicule de résine protectrice 104 sur le film 103 déposé dans les tranchées 102.
Il a été décrit un mode de réalisation du procédé dans lequel une zone de film à matériau fonctionnel est réalisée sur la face supérieure de chaque composant 111. Ce mode de réalisation est particulièrement utile pour réaliser des connexions électriques multiples. En effet, en choisissant un matériau fonctionnel conducteur, il est ainsi obtenu une interconnexion par pont entre chaque paire de composants 111 adjacents ainsi qu'une zone de connexion sur la face supérieure de chaque composant 111.
Dans le cas où il n'est pas souhaité de conserver une zone de matériau fonctionnel sur la face supérieure des composants 111, le masque de photo lithographie 107 utilisé lors de l'étape d'exposition est inutile. Une exposition de toute la surface de la résine 104 est alors réalisée, et une fois le développement de la résine effectué, une gravure de la totalité de la face supérieure des composants est mise en oeuvre.
De même, il a été décrit un mode de réalisation, dans lequel aucune fonctionnalisation des composants, hormis les zones 110 de film, n'est réalisée. Des étapes intermédiaires peuvent être mises en œuvre en fonction des besoins pour déposer ou implanter d'autres éléments fonctionnels caractéristiques des composants comme cela sera décrit dans les exemples d'application ci-dessous.
Conformément à l'invention et comme cela est illustré à la figure Ii, il est donc obtenu une matrice de composants électroniques 111 individualisés dans une couche active 101 au moyen de tranchées traversantes 102 formées dans celle-ci. La matrice selon l'invention comporte, pour chaque paire de composants électroniques adjacents 111, au moins un élément 112 relié auxdits composants 111, recouvrant au moins partiellement la tranchée 102 séparant lesdits composants, et comportant au moins un point de contact 114, 116 avec chacune des parois latérales définissant ladite tranchée 102.
Les éléments 112, à savoir des ponts dans l'exemple de la figure Ii, peuvent prendre des formes et des dimensions diverses en fonction de la forme des tranchées 102 gravées dans la couche active 101 et du processus de dépôt du film de matériau fonctionnel illustré à la figure Ic. Par exemple, le film peut être déposé de manière à former un élément filiforme.
La matrice de composants électroniques formée des composants 111 et des ponts 112 et obtenue au moyen du procédé selon l'invention, peut donner lieu à de nombreuses applications. Elle peut être utilisée en tant que telle, en gardant ou pas la base de substrat 100, et/ou hybridée sur des circuits électroniques.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront plus clairement en relation avec les applications décrites ci-dessous.
PREMIERE APPLICATION PARTICULIERE DU PROCEDE ET DE LA MATRICE SELON L'INVENTION
Les figures 2 à 7 illustrent un exemple d'application de l'invention dans le domaine des dispositifs électroniques matriciels, dont les matrices de composants électroniques individualisés sont hybridées sur un substrat. Lesdites figures illustrent notamment une application à un détecteur matriciel, dont la matrice d'éléments détecteurs unitaires est rapportée sur un substrat de lecture.
Au cours de l'assemblage ou de l'utilisation de dispositifs électroniques, tels que ceux composant un détecteur matriciel, on peut rencontrer un problème de dilatation différentielle entre les éléments assemblés. On cherche à s'affranchir de tels phénomènes de dilatation différentielle survenant pendant l'assemblage ou l'hybridation des éléments, dans la mesure où ils altèrent le fonctionnement du dispositif électronique. En effet, ils conduisent généralement à la rupture des connexions électriques entre composants, en raison des contraintes thermomécaniques apparaissant lors du refroidissement du dispositif électronique assemblé.
Parmi les méthodes d'assemblage de composants microélectroniques avec un substrat décrites dans l'art antérieur, on a proposé des solutions à ces phénomènes de dilatation différentielle survenant au cours de l'assemblage, lequel est généralement effectué par soudure ou par brasure à température relativement élevée.
Néanmoins, si ces méthodes de l'art antérieur permettent de solutionner les dilatations différentielles survenant pendant l'hybridation du dispositif, les dispositifs micro électroniques ainsi assemblés ne tolèrent pas toujours les dilatations différentielles survenant pendant l'utilisation du dispositif microélectronique. Or, les températures d'utilisation d'un dispositif microélectronique peuvent différer sensiblement de la température à laquelle a été effectuée son hybridation. Par conséquent, si le dispositif microélectronique assemblé selon l'une de ces méthodes de l'art antérieur est, peu ou prou, exempt de dilatation différentielle lors de son assemblage ou hybridation, il doit néanmoins supporter des contraintes mécaniques dues aux dilatations différentielles durant son utilisation. Ces contraintes peuvent même conduire à la rupture des connexions électriques entre éléments les constituant, et, partant, à la défaillance fonctionnelle de ce dernier.
Ainsi, il est possible d'assembler des composants électroniques à température ambiante limitant ou éliminant les contraintes résiduelles de dilatation, mais en raison de la température d'utilisation très basse, par exemple -2000C, à laquelle le dispositif peut être utilisé, les dilatations différentielles peuvent entraîner un déplacement relatif excessif entre composants, conduisant à la rupture de leurs connexions électriques, notamment au niveau des extrémités du dispositif microélectronique.
Deux solutions ont été proposées dans l'art antérieur pour rendre un tel dispositif micro électronique résistant aux contraintes mécaniques dues aux dilatations différentielles pendant la phase d'utilisation du dispositif. Ces deux solutions, similaires dans leur principe, sont illustrées respectivement par les figures 2a et 2b.
Dans l'exemple de la figure 2a, le dispositif électronique comprend un substrat 2, formant par exemple un circuit de lecture pour un détecteur matriciel, et un ensemble 3 de composants électroniques, par exemple des « pixels » réalisés en matériau semiconducteur, reliés mécaniquement et connectés électriquement par l'intermédiaire d'éléments de connexion 1 tels que des billes de brasure. L'assemblage illustré par la figure 2a peut par exemple être obtenu par la méthode d'assemblage bien connue sous l'expression anglo-saxonne «flip-chip ».
Dans le dispositif électronique illustré par la figure 2a, la couche de matériau formant l'ensemble de composants 1 est amincie de manière à réduire les contraintes mécaniques subies par les éléments de connexion 3 lors des dilatations différentielles au cours de la phase d'utilisation du dispositif. Si une telle structure à couche mince permet effectivement de limiter les risques de rupture des connexions électriques 3, elle augmente en contrepartie les contraintes mécaniques et thermiques dans la couche mince 1, ce qui revient en fait à déplacer le problème posé par de telles contraintes au niveau de cette couche. Par conséquent, la couche 1 doit supporter des contraintes élevées et, partant, elle doit être dimensionnée et réalisée de façon minutieuse donc onéreuse. Ainsi, les matériaux qui la composent doivent être sélectionnés pour lui conférer la résistance à ces contraintes, sélection qui exclut d'emblée l'emploi de matériaux inappropriés limitant ainsi les fonctions électroniques que peut remplir une telle couche mince 1.
La figure 2b illustre une autre solution de l'art antérieur qui consiste à amincir la couche en matériau 2, constituant par exemple un substrat, et à lui superposer une couche 4. Une telle structure permet de réduire sensiblement les contraintes subies par les connexions électriques 3, mais, comme dans le cas de la figure 2a, cela revient à augmenter les contraintes mécaniques et thermiques s 'exerçant pendant les phases d'utilisation sur la couche de matériau 2. Outre les conséquences déjà évoquées en relation avec la figure 2a, cette structure obère encore le coût de fabrication.
En outre, un dispositif électronique présentant la structure d'un dispositif selon l'une des figures 2a ou 2b représente une limite à la miniaturisation de ses composants électroniques. En effet, dans la mesure où chaque pixel requiert un nombre déterminé de connexions électriques, le dispositif est tributaire de l'encombrement nécessaire à l'implantation des éléments 3 réalisant ces connexions électriques.
Ainsi, pour un nombre de détecteurs de rayonnement électromagnétique constitués par de tels dispositifs électroniques, chaque pixel doit comporter au moins deux connexions électriques, à savoir une connexion spécifique au pixel et une connexion commune à tous les pixels. Or, la tendance actuelle est à la miniaturisation des composants microélectroniques, notamment dans le domaine des détecteurs ou des émetteurs matriciels.
Il va maintenant être décrit des dispositifs et un procédé de fabrication de ceux-ci ne présentant pas les inconvénients de l'art antérieur venant d'être exposé. Ainsi, l'une des applications de l'invention se rapporte à un dispositif électronique, dont les connexions électriques ne présentent pas de risque de rupture en phase d'utilisation, d'une part, et dont la finesse des composants électronique n'est pas limitée par l'encombrement nécessaire à ces connexions électriques, d'autre part.
La figure 3 illustre une première forme de réalisation d'un dispositif électronique comprenant une pluralité de composants électroniques 303, 311 individualisés obtenus par le procédé selon l'invention, et qui sont rapportés sur un substrat 302. Dans l'exemple de la figure 3 comme dans les figures qui suivent, les composants électroniques 303, 311 sont composés d'un matériau apte à interagir avec un rayonnement électromagnétique à détecter, et par exemple un alliage de cadmium (Cd), de mercure (Hg) et de tellure (Te), propre à détecter les rayons infrarouges. Néanmoins, les composants électroniques peuvent être d'une autre nature et remplir d'autres fonctions, comme la détection ou l'émission d'autres rayonnements tels que les rayons X, visibles (LED), laser (VCSEL) etc. En fait, la plupart des détecteurs et émetteurs sont concernés.
Le substrat 302 peut quant à lui être constitué par un circuit semi-conducteur de type CMOS, comme c'est généralement le cas pour les détecteurs matriciels de rayonnement électromagnétique.
Chaque composant électronique 303, 311 est mécaniquement relié et électriquement connecté au substrat 302 par l'intermédiaire d'un élément de liaison 301, 310, tel qu'une bille de brasure mise en œuvre dans le cadre d'une méthode d'assemblage «flip-chip », ou tel qu'un plot en polymère électriquement conducteur. Ainsi, les éléments de liaison contribuent à assurer la cohésion mécanique de l'assemblage.
Dans le cas où le dispositif électronique sert à détecter un rayonnement électromagnétique, les éléments de liaison 301, 310 peuvent constituer les pôles anodiques de leurs composants électroniques respectifs. Ainsi, les porteurs de charge libérés lors des interactions entre photons et matière dans les composants 303, 311 peuvent être conduits vers le circuit de lecture 302. Un tel détecteur de rayonnement électronique présente donc, de manière classique, des composants de forme globalement de polygone régulier, comme par exemple une forme parallélépipédique à base rectangulaire, carrée, hexagonale ou triangulaire, correspondant chacun à un pixel du détecteur matriciel.
Conformément à l'invention, chaque composant 303, 311 est en outre électriquement connecté à au moins un des composants qui lui est adjacent. Cette connexion électrique est réalisée au moyen d'au moins un conducteur 305-307 élastiquement déformable. Le conducteur 305-307 peut ainsi remplir la fonction de reprise de contact électrique au niveau d'une des surfaces de chaque composant électronique. De plus, le conducteur 305-307 présente une élasticité telle qu'il est en mesure d'absorber des déformations dues aux contraintes thermomécaniques créées lors des dilatations différentielles des composants 303, 311 et du substrat 302. En effet, comme exposé en relation avec l'état antérieur de la technique, en cas de différence de dilatation des matériaux constituant le substrat 302 et les composants 303,311, on observe un déplacement relatif entre ces éléments. Ces contraintes comprennent essentiellement des contraintes en cisaillement, mais elles peuvent aussi comprendre des contraintes de fluage etc.
Dans l'exemple de la figure 3, le conducteur 305-307 présente sensiblement la forme d'une lame, c'est à dire qu'il a une épaisseur faible et une grande largeur considérée selon une direction perpendiculaire au plan de la figure 3. Ainsi, le conducteur 305- 307 présente en fait le même potentiel électrique en tous points du détecteur illustré par la figure 3, car il présente la forme d'une grille à l'instar du dispositif illustré en vue de dessus par la figure 6e.
Le conducteur 305-307 revêt ainsi l'aspect d'un ruban ou d'un film continu réalisant un contact sur une surface étendue des flancs de chaque composant 303, 311. Un tel contact surfacique présente l'avantage d'offrir une faible résistance électrique à l'écoulement des porteurs de charges vers le conducteur 305-307, lequel peut former la cathode commune au dispositif de détection de la figure 3. Cela permet en conséquence de conserver un rapport signal sur bruit élevé en limitant la dégradation des signaux au niveau de chaque composant électronique du fait de la suppression des contraintes dans les matériaux actifs. De plus, cela permet une augmentation du rendement quantique du dispositif et la diminution de l'intermodulation électrique (courants de fuite) entre dispositifs voisins.
On reconnaît ici une matrice conforme à l'invention de composants électroniques individuels 303, 311 reliés par des ponts en matériau fonctionnel, ici les conducteurs 305-307.
Par ailleurs, la reprise de contact du conducteur 305-307 sur les flancs 304, 308 et 309 de chaque pixel peut être réalisée directement ou par l'intermédiaire d'un moyen de connexion associé aux composants respectifs 303, 311. En pratique, le conducteur comprend au moins deux couches ; d'une part, une couche de cohésion permettant son assemblage avec le composant afférant au niveau de la reprise de contact et, d'autre part, une couche de conduction électrique assurant, par définition, le transfert des porteurs de charge au niveau d'un canal de collection commun à tout ou partie des pixels du détecteur.
La couche de cohésion ou « d'accrochage » est composée en l'occurrence de titane (Ti), mais elle pourrait être constituée d'un autre matériau connu pour ses propriétés de cohésion, tel que le chrome (Cr). La couche de conduction est quant à elle constituée d'un matériau bon conducteur électrique, tel que le platine (Pt), l'or (Au), l'aluminium (Al), le cuivre (Cu) ou un alliage de cuivre et de béryllium (CuBe).
Néanmoins, sans pour autant sortir du cadre de la présente invention, on peut envisager de réaliser le conducteur élastique en un matériau semi-conducteur. Cela permet de n'utiliser qu'un seul matériau pour réaliser les fonctions de conduction électrique et de cohésion mécanique.
La figure 4 illustre une deuxième forme de réalisation de l'invention dans laquelle des composants 403, 411, 412 sont connectés électriquement à un substrat 402 de type CMOS. De plus, les composants 403, 411, 412 sont mécaniquement reliés au substrat 402 par l'intermédiaire d'éléments de liaison 401, 423 insérés au fond des cavités 420 ménagées sur la surface du substrat 402. De tels éléments de liaisons 401, 423 constituent ainsi une sorte de connecteur permettant la connexion à froid et évitant le chauffage nécessaire au soudage.
De plus, à l'instar du dispositif électronique illustré par la figure 3, un conducteur élastique 405, 407 permet de connecter électriquement des composants adjacents 403 et 411 entre eux. Comme dans le cas de la figure 3, le conducteur 405, 407 présente une élasticité supportant l'essentiel des contraintes thermomécaniques dues aux différences de dilatations entre les matériaux des éléments constituant le dispositif électronique de la figure 4.
A la différence du dispositif électronique représenté sur la figure 3, celui illustré par la figure 4 comprend des pixels accolés deux à deux 411, 412 constituant ainsi un bloc muni sur ses flans de reprise de contact 408-409 avec la conducteur 405, 407. Cette forme de réalisation de l'invention permet de regrouper en « îlots » les composants 411, 412 et, partant, de diminuer le nombre de connexions et de simplifier le procédé de fabrication du dispositif électronique. En outre, cela permet d'augmenter la surface active. Toutefois, les composants électroniques 403 situés sur la zone périphérique du substrat 402 demeurent individualisés et présentent une reprise de contact 404 avec le conducteur 405.
On reconnaît ici une matrice conforme à l'invention, comportant des composants électroniques individuels 403, 411 reliés par des ponts en matériau fonctionnel, ici les conducteurs 405-407.
Les figures 5 a, 5b et 5 c illustrent respectivement une variante pour la reprise de contact des conducteurs élastiques 506, 516, 526 sur différentes faces des composants 501 formant le dispositif électronique.
Ainsi, sur la figure 5 a, les reprises de contact 508, 509 sont réalisées sur les faces des composants 501 opposées à leur face rapportée sur le substrat 502. Cela permet de limiter d'une part l'encombrement occupé par les connexions électriques sur la face inférieure d'un pixel et, d'autre part, d'augmenter la compacité des composants en réduisant l'intervalle nécessaire entre composants voisins.
Dans le cas de la figure 5c, les reprises de contact 528, 529 sont réalisées sur les faces des composants rapportés sur le substrat 502, c'est-à-dire sur les faces inférieures situées en regard de ce substrat 502 et recevant les éléments de liaison notamment mécaniques, tels que les billes de brasure 503, en particulier quand cette face présente déjà des reprises de contact. Cela permet de libérer le plus possible la face supérieure des composants.
La figure 5b illustre quant à elle une variante où les reprises de contact 518, 519 sont réalisées sur les flancs ou faces latérales de chaque composant, à l'instar des dispositifs électroniques représentés sur les figures 3 et 4. Une telle variante permet de libérer les surfaces supérieure et inférieure de chaque composant, maximalisant ainsi le volume « actif » pour la détection ou l'émission.
Les figures 6a à 6d illustrent différentes étapes successives d'une forme de réalisation du procédé de fabrication d'un dispositif électronique conforme à l'invention. Conformément à l'invention, le procédé illustré par les figures 6 consiste tout d'abord à réaliser une couche active 601 par épitaxie sur une strate sacrificielle 600 ; la couche est dite active, car c'est elle qui remplit la fonction principale du composant, par exemple en interagissant avec les photons incidents pour libérer des porteurs de charges dans le cas des pixels d'un détecteur. On dépose et/ou implante ensuite sur la surface libre de cette couche active 601 des éléments fonctionnels 603 caractéristiques des composants 611 ; en l'occurrence, il s'agit d'anodes individuelles et d'une couche de métallisation permettant l'hybridation de chaque composant 611.
On procède alors à la gravure des tranchées 620 en lignes et en colonnes dans la couche active 601 au moins jusqu'à dégager la strate 600, de manière à individualiser les composants 611 au sein d'une matrice.
On réalise un plot électriquement conducteur sur les flancs ou faces latérales des composants 611 individualisés, de manière à réaliser des reprises de contact 608, 609 ; ces flancs peuvent être qualifiés de « libres », car ils sont dégagés du substrat.
On réalise alors par un dépôt, par exemple par la technique dite de « liftoff», un film 606 électriquement conducteur, s'étendant sur les tranchées 620 gravées, de manière à connecter entre elles les reprises de contact 608, 609 de composants 611 adjacents.
Conformément à l'invention, l'épaisseur de ce film 606 est déterminée pour lui conférer une élasticité susceptible de maintenir la connexion électrique malgré un déplacement relatif entre composants 611 en cas de différence de dilatation au sein du dispositif.
On hybride alors les composants 611 sur le substrat 602, ici constitué d'un circuit CMOS, puis l'on amincit sélectivement les faces de chaque composant 611 situées en regard du substrat 602, de manière à laisser en saillie les éléments fonctionnels 603.
On élimine enfin la strate 600 au moyen d'une attaque chimique, de manière à dégager le film électriquement conducteur 606.
On observe ainsi que les différentes étapes de réalisation de la couche active, de gravure de tranchées et de dépôt du film fonctionnel sont réalisées conformément au procédé selon l'invention, décrit en relation avec les figures la à Ih.
Par la suite, on peut prévoir d'ajouter un moyen de collecte 630 commun à tous les pixels du détecteur, de manière à former par exemple un canal cathodique de sortie.
Un tel procédé permet ainsi de fabriquer de manière simple et économique un dispositif électronique conforme à l'invention. On peut ainsi appliquer ce procédé à une tranche (de l'anglais wafer) en CMOS issue d'une fonderie de silicium (Si), sur laquelle on réalise une hybridation collective de circuits de détections, ou capteurs, prétraités.
Pour réaliser l'attaque chimique de l'étape d'élimination de la strate 600, on peut usiner mécaniquement la strate jusqu'à une épaisseur de 10 μm avant de graver au moyen d'un plasma fluoré la couche résiduelle de germanium jusqu'à parvenir au métal situé au fond de la tranchée 620. Pour cela, il est souhaitable de protéger les autres parties exposées du dispositif électronique, tels que le circuit de lecture en CMOS, ou les bords des capteurs ou circuits de détection.
Les figures 7a à 7f illustrent une séquence d'étapes pouvant être réalisée dans le cadre du procédé décrit ci-dessus et consistant :
" à déposer une couche en matériau électriquement isolant 741 recouvrant toute la surface la couche active 701, à savoir celle d'une tranchée 720 issue de gravure et celle des composants 701 ;
" à percer ladite couche en matériau électriquement isolant 741 au moyen d'une photolithographie suivie d'une gravure opérée au fond et sur une partie des bords de cette tranchée 720 ; ainsi, la partie « supérieure » libre de chaque pixel est dépourvue de matériau isolant ;
" à déposer un film électriquement conducteur 706 sur toute la surface libre des composants 701 et sur toute la surface des tranchées 720 ; " à ôter localement le film électriquement conducteur 706 par gravure des surfaces des composants 701.
Une telle séquence d'étapes permet de positionner la zone de reprise de contact entre le film conducteur 706 et les pixels 701 au fond de la tranchée 720 et donc, au niveau de la surface libre de chacun des composants 701, c'est-à-dire la surface située à l'opposée de la face rapportée sur le substrat non représenté sur les figures 7. Ainsi, les reprises de contact sont éloignées de la partie active 701 d'un composant, limitant ainsi les risques de perturbations électriques, car une trop grande proximité induit des parasites électriques.
Il est ainsi possible de réaliser un détecteur matriciel de 2000 x 2000 pixels avec un pas compris entre 15 μm et 20 μm, ce qui constitue un détecteur carré de 4 cm de côté. Dans un tel détecteur les dilatations peuvent atteindre 18 μm selon la direction diagonale pour des températures descendant de l'ambiante à 77 K. Or, avec un tel pas de pixels, il est très difficile voire impossible de réaliser deux liaisons par composant c'est-à-dire par pixel, selon la manière conventionnelle illustrée par les figures 2a ou 2b. Il est cependant possible de fabriquer, à l'aide du procédé de fabrication de l'invention un dispositif électronique conforme à l'invention qui est complètement fonctionnel pour constituer un détecteur de rayonnement électronique.
Ainsi, lors d'une excursion de température, échauffement ou refroidissement, le comportement en dilatation du dispositif électronique de l'invention permet de transmettre les contraintes thermomécaniques au conducteur élastique. Chaque composant électronique suit individuellement le déplacement dû à la dilatation globale du matériau constituant le substrat.
De plus, les contraintes mécaniques et thermiques imposées localement par le substrat sur chaque composant électronique par l'intermédiaire du conducteur élastique sont relativement faibles et peuvent même être réduites à une valeur négligeable dans le cas où le matériau constituant le conducteur élastique est relativement tendre comme l'indium (In) et/ou dans le cas où le conducteur élastique est solidarisé à chaque composant au niveau du centre de la face qui le reçoit. Lors de la dilatation, c'est le conducteur élastique qui se déforme et « absorbe » localement les contraintes mécaniques dues à la dilatation différentielle entre composants et substrat.
Outre cet avantage important de résistance à la dilatation, le dispositif électronique de la présente invention permet de réduire, par exemple de deux à un, le nombre d'éléments de liaison mécanique et électrique nécessaires sur la face de chaque composant rapportée sur le substrat. Par conséquent, il est possible de miniaturiser un tel dispositif électronique.
Par ailleurs, un dispositif conforme à l'invention présente également l'avantage d'être intégrable, par exemple par collage sur toute sa surface, sur un support dont le coefficient de dilatation ne dépend pas du dispositif électronique. Ainsi, aucune contrainte mécanique exercée par un objet froid et plan sur le substrat de lecture n'est transmise aux pixels, car ceux-ci sont désormais mécaniquement découplés du substrat.
En tant que de besoin, il est aussi possible de déposer une couche antireflet sur le film conducteur élastique de manière à éviter de parasiter les signaux issus des photons directement incidents ou émis.
D'autres modes de réalisation de l'invention sont possibles sans pour autant sortir du cadre de cette invention. On peut ainsi remplacer, comme indiqué ci-dessus, les composants formant des pixels de détection par des émetteurs élémentaires de laser tels que des émetteurs à cavité verticale émettant par la surface (abrégé en VCSEL d'après l'anglais Vertical Cavity Semi Conducteur Emitting Laser) ou des diodes électroluminescentes (acronyme anglais LED). En d'autres termes, dans le cadre de la résolution des problèmes exposées en relation avec les figures 2a et 2b, l'application venant d'être décrite de l'invention à un dispositif électronique matriciel, dont la matrice de composants électroniques individualisés est hybridée sur un substrat de lecture, peut se résumer comme suit.
Tout d'abord, cette application concerne un dispositif électronique, dont les éléments constitutifs, composant et/ou substrat, subissent des contraintes thermomécaniques relativement faibles, dont les connexions électriques résistent aux dilatations différentielles notamment en phase d'utilisation et ne constituent pas une limite à la miniaturisation des composants électroniques.
Le dispositif électronique objet de cette application comprend une pluralité de composants électroniques individualisés rapportés sur un substrat, chaque composant étant mécaniquement relié au substrat par l'intermédiaire d'un élément de liaison. Chaque composant est en outre électriquement connecté à au moins un composant adjacent au moyen d'au moins un conducteur remplissant la fonction de reprise de contact électrique, ledit conducteur présentant une élasticité susceptible de conserver la connexion électrique malgré un déplacement relatif entre composants.
En d'autres termes, les composants électroniques sont tous mutuellement connectés électriquement au moyen d'au moins un conducteur « souple » reprenant les contraintes thermomécaniques dues aux dilatations différentielles entre éléments du dispositif. De plus, un tel conducteur remplit la fonction de reprise de contact électrique entre les composants électroniques, ce qui permet de limiter à un le nombre d'éléments de liaison mécanique et électrique entre le substrat et chaque composant électronique. En conséquence, l'encombrement réduit nécessité par les éléments de liaison permet de miniaturiser les composants électroniques.
Selon une première forme de réalisation, ce conducteur peut être filiforme. Une telle structure du conducteur permet de réaliser des reprises de contact électriques peu encombrantes sur la surface de chaque composant électronique.
Ainsi, un simple « fil » peut relier deux composants électroniques voisins.
Selon une deuxième forme de réalisation, ce conducteur peut être surfacique. Par surfacique, on désigne une pièce de surface étendue, contrairement à une pièce filiforme. On peut ainsi qualifier de pièce surfacique un film, un ruban ou une plaque mince. En d'autres termes, un tel conducteur permet une reprise de contact électrique sur une surface relativement étendue de chaque composant électronique, ce qui diminue la résistance électrique d'un tel contact.
En pratique, le conducteur peut être en contact avec une reprise de contact électrique.
Selon une forme de réalisation pratique, chaque composant peut présenter une forme globalement de polygone régulier, comme par exemple une forme parallélépipédique à base rectangulaire, carrée, hexagonale ou triangulaire.
Une telle forme permet de réaliser une matrice dans laquelle chaque composant joue le rôle d'un pixel.
Dans cette forme de réalisation pratique, la reprise de contact peut être réalisée sur l'une des faces latérales des composants.
Cela permet de connecter électriquement deux composants électroniques adjacents de manière relativement simple, donc économique. Par face latérale, on entend une face perpendiculaire à la face du composant située en regard du substrat.
Selon cette forme de réalisation pratique, la reprise de contact peut être réalisée sur la face du composant opposée à la face du composant rapportée sur le substrat ; autrement dit, sur la face supérieure du composant lorsque celui-ci est posé sur son substrat.
Une telle reprise de contact permet de réduire au maximum l'intervalle séparant deux composants électroniques et, partant, d'augmenter la compacité des composants.
Selon une autre variante de cette forme de réalisation pratique, la reprise de contact peut également être réalisée sur la face du composant rapportée sur le substrat, autrement dit, sur la face inférieure du composant lorsque celui-ci est posé sur son substrat. Cela est particulièrement intéressant lorsque la reprise de contact est déjà disponible sur cette face, par exemple en cas de dopage local approprié.
Selon une forme de réalisation, le conducteur peut être constitué de plusieurs couches, dont une couche de conduction électrique et une couche de cohésion destinée à permettre l'assemblage sur la reprise de contact. Cette structure multicouche permet de dissocier les deux fonctions que doit remplir le conducteur, à savoir la conduction électrique entre composants et l'élasticité requise pour accepter les contraintes thermomécaniques de dilatation différentielle.
Ainsi, chacune des couches du conducteur est apte à remplir correctement l'une ou l'autre de ces fonctions.
En pratique, la couche externe peut être constituée d'un matériau choisi dans le groupe comprenant le titane (Ti), le chrome (Cr) ainsi qu'un alliage (TiW) de titane et de tungstène, et la couche de conduction peut être constituée d'un matériau choisi dans le groupe comprenant le platine (Pt), l'or (Au), l'aluminium (Al), le cuivre (Cu) ou un alliage de cuivre et de béryllium (CuBe).
De tels matériaux permettent de réaliser un conducteur remplissant convenablement ses fonctions.
Selon une forme de réalisation particulière, le conducteur est commun à tout ou partie des composants, le conducteur formant par exemple une ligne ou une grille continue.
Une telle caractéristique permet de réaliser le conducteur de façon relativement simple et économique, par exemple pour constituer la cathode d'un détecteur.
Par ailleurs, l'application concerne un détecteur de rayonnement électromagnétique, tel que des rayons X, infrarouges ou de lumière visible. Selon l'application, un tel détecteur comprend une matrice formée par un dispositif tel que précédemment décrit, dans laquelle chaque composant comprend un matériau apte à interagir avec ce rayonnement.
Un détecteur ainsi constitué peut présenter un degré élevé de miniaturisation tout en résistant aux contraintes thermomécaniques dues aux dilatations différentielles entre les éléments qui le constituent.
En pratique, le substrat de ce détecteur peut être constitué par un circuit à semi- conducteur de technologie type CMOS, et le matériau apte à interagir avec ledit rayonnement peut être un alliage de cadmium (Cd), de mercure (Hg) et de tellure (Te), du InGaAs, du InSb, du Si ou du Ge. Un tel détecteur présente des performances de détection compatibles avec une miniaturisation élevée. D'autre part, l'application concerne un émetteur de rayonnement électromagnétique, tel que des rayons laser, comprenant une matrice formée par un dispositif tel que précédemment décrit, dans laquelle chaque composant est constitué d'un émetteur laser à cavité verticale émettant par la surface (VCSEL) ou d'une diode électroluminescente (LED).
Un émetteur ainsi constitué est susceptible de présenter un degré de miniaturisation élevé.
Par ailleurs, l'application concerne aussi un procédé de fabrication d'un dispositif électronique comprenant une pluralité de composants électroniques rapportée sur un substrat. Le procédé selon l'invention comporte la séquence d'étapes consistant : " à réaliser une couche active par épitaxie sur une strate sacrificielle ; " à déposer et/ou implanter sur la surface libre de cette couche active des éléments fonctionnels caractéristiques de ces composants, tels qu'une anode et/ou une couche de métallisation permettant l'hybridation de chaque composant ; " à graver des tranchées en lignes et/ou en colonnes dans cette couche active au moins jusqu'à dégager cette strate, de manière à individualiser ces composants au sein d'une matrice ; " à réaliser un plot électriquement conducteur sur au moins l'une des faces libres de chaque composant ainsi individualisé, de manière à réaliser des reprises de contact ;
" à réaliser par dépôt, par exemple par la technique dite de lifloff, au moins un film électriquement conducteur s 'étendant sur ces tranchées de manière à connecter au moins deux à deux les reprises de contact de composants adjacents, ce film présentant une épaisseur déterminée pour lui conférer une élasticité susceptible de maintenir la connexion électrique malgré un déplacement relatif entre composants ;
" à hybrider les composants sur le substrat, tel qu'un circuit à semi-conducteur CMOS ;
" à amincir sélectivement les faces de chaque composant situées en regard du substrat, de manière à laisser en saillie tout ou partie de ces éléments fonctionnels ;
" à éliminer la strate au moyen d'un usinage mécanique ou d'une attaque chimique, de manière à dégager le film électriquement conducteur. En d'autres termes, après gravure des tranchées et réalisation des reprises de contact, le procédé objet de l'invention consiste à déposer un film propre à former un conducteur souple entre les composants et, éventuellement, le substrat.
En pratique, l'étape de dépôt peut comprendre la séquence d'étapes consistant :
" à déposer une couche en matériau électriquement isolant recouvrant toute la surface de la couche active, à savoir celle de la tranchée et celle des composants ;
" à percer la couche en matériau électriquement isolant au moyen d'une photo lithographie suivie d'une gravure opérée au fond et sur tout ou partie des bords de ladite tranchée ; " à déposer le film électriquement conducteur sur toute ou partie de la surface libre des composants et des tranchées ;
" à ôter localement le film électriquement conducteur par gravure des surfaces des composants.
Un tel procédé de fabrication permet de réaliser la reprise de contacts électrique au niveau de la partie libre de chacun des composants électroniques, de manière à limiter la dégradation du signal de chaque composant due aux perturbations et aux fuites de porteurs de charges entre pixels. On entend par « libre », la partie de la surface d'un composant qui n'est pas couverte par le substrat, donc ses faces latérales et supérieures.
Selon une forme de réalisation particulière, le conducteur peut être constitué de plusieurs couches, dont une couche de conduction électrique et une couche de cohésion destinée à permettre l'assemblage sur la reprise de contact. De plus, l'étape d'élimination peut être effectuée sous un plasma sélectionné de manière à être inerte au moins vis-à-vis de cette couche de conduction.
Cela permet de réaliser un conducteur de bonne qualité de façon relativement peu onéreuse.
Il a été décrit une application de l'invention dédiée à la fabrication d'un détecteur matriciel dans lequel les ponts 305, 307, 405, 407, 606 ont pour fonction de réaliser une interconnexion électrique entre des composants électroniques 303, 311, 403, 411, 611 adjacents et de sécuriser lesdites interconnexions en cas de déplacement relatif de ceux-ci. En choisissant un matériau opaque pour ces ponts 305, 307, 405, 407, 606, il est réalisé une isolation optique parfaite des composants photosensibles 303, 311, 403, 411. Comme cela est visible à la figure 6e, on remarque que seules les faces supérieures des composants électroniques 611 sont libres d'être exposées à un rayonnement incident puisque l'espace entre ces composants est protégé optiquement par le pont 606.
DEUXIEME APPLICATION PARTICULIERE DU PROCEDE ET DE LA MATRICE SELON L'INVENTION
Les figures 8 à 10 illustrent une application analogue à celle décrite en relation avec les figures 2 à 7. La deuxième application diffère de la première essentiellement en ce que les composants électroniques sont des transistors bipolaires ou des diodes.
On comprendra donc que ce qui a été décrit en relation avec les figures 2 à 7 s'applique également à l'application décrit ci-dessous, moyennant, le cas échéant, des modifications mineures à la portée de l'homme du métier.
Sur la figure 8, il est représenté détecteur comportant une matrice de transistors bipolaires 801, 802 dans un agencement de collecteur commun hybride sur un substrat de lecture 803. Il sera considéré par la suite l'exemple de transistors NPN. Bien entendu ce qui suit s'applique également à des transistors PNP.
Chaque transistor 801, 802 est réalisé dans un bloc 804 en matériau apte à interagir avec un rayonnement électromagnétique à détecter et présentant un dopage P, par exemple un alliage de cadmium (Cd), de mercure (Hg) et de tellure (Te) dopé P, propre à détecter les rayons infrarouges.
Chaque transistor 801, 802 comporte en outre trois zones 805, 806, 807 formées dans le bloc 804, dont les deux premières 805, 806 débouchent sur les faces latérales 808, 809 du transistor, et dont une troisième 807 débouche sur la face 810 du bloc 804 rapportée sur le substrat 803. Les zones 805, 806, 807 sont formées dans le même matériau que celui du bloc 804, à la différence qu'elles présentent un dopage N.
La face du bloc 804 rapportée sur le substrat 803 est par ailleurs recouverte d'une couche antireflet 811 comportant une ouverture 812 débouchant sur la troisième zone 807. L'ouverture 807 est remplie d'un matériau conducteur, par exemple en platine (Pt) ou en or (Au). Le substrat 803 est quant à lui être constitué d'un circuit de lecture semi-conducteur de type CMOS, comme c'est généralement le cas pour les détecteurs matriciels de rayonnement électromagnétiques.
Chaque transistor 801, 802 est mécaniquement relié et électriquement connecté au substrat 803 par l'intermédiaire d'un élément de liaison 813, tel qu'une bille de brasure mise en œuvre dans le cadre de la méthode d'assemblage «flip-chip », ou tel qu'un plot en polymère électriquement conducteur. Ainsi, les éléments de liaison contribuent à assurer la cohésion mécanique de l'assemblage.
Chaque transistor 802, 803 est en outre électriquement connecté à au moins l'un des transistors qui lui est adjacent au moyen d'au moins un conducteur 814 élastiquement déformable, et connecté à une zone latérale 805, 806 dopée N de chacun de ces transistors. Le conducteur 814 est conforme à celui décrit en relation avec les figures 3 à 7 et réalisé à l'aide du procédé selon l'invention.
Le conducteur 814 peut être ainsi filiforme ou surfacique. Le conducteur peut également être commun à tous les transistors et formé d'un seul tenant.
Enfin, la matrice comporte en chaque bout de ligne et/ou de colonne, un composant 815 assurant la reprise électrique du conducteur 814 du transistor qui lui est adjacent avec une zone de connexion de collecteur de mode commun du substrat de lecture 803.
Les zones dopées N 805, 806, 807 et le bloc 804 dopé P de chaque transistor 801, 802 forment ainsi des jonctions PN et NP constitutives d'un transistor bipolaire. Les transistors bipolaires ainsi formé ont en outre leur collecteur relié en commun par les conducteurs 814. Un conducteur 814 entre deux transistors adjacents est donc en reprise de contact sur des faces latérales de ceux-ci.
Les bases des transistors sont quant à elles flottantes et sujettes au rayonnement. Le schéma électronique équivalent à la matrice de la figure 8 est représenté à la figure 9.
En variante, la zone 807 n'est pas dopée par rapport au bloc 804. Il est ainsi obtenu une configuration simplifiée du type diode. Un procédé de fabrication du dispositif de la figure 8 est illustré au sein des figures
10a à 10e, et comprend la séquence d'étapes consistant à :
" former par épitaxie une couche active 1001 de type P sur une strate sacrificielle
1002; " former par épitaxie une couche 1003 en un matériau antireflet sur la face libre de la couche active 1001 ; " former pour chaque transistor, une zone 1004 de type N dans la couche active
1001, par exemple au moyen d'une implantation ou d'un usinage ionique ; " graver des tranchées 1005 autour des zones 1004 de type N, de manière à former une matrice de transistors individuels, et former dans les flancs ou les faces latérales des transistors individuels des zones 1006 de type N, de manière à former les collecteurs desdits transistors. Dans le cas particulier du CdHgTe, la gravure et la formation des zones 1006 sont par exemple réalisées simultanément au moyen de la technique dite de « loophole » décrite dans le document « Summary of HgCdTe 2D array technologie in the UK » de Baker
LM. et Maxey CD., Journal of Electronic Materials, vol. 90, N° 6, 2001 ; " réaliser une métallisation bicouche 1007 sur toute la surface de l'ensemble gravé, de manière à former un film conducteur et élastique par une technique dite de « liftoff» ; cette métallisation 1007 consiste par exemple à réaliser un dépôt d'une première couche de contact et d'accrochage en titane ou en chrome, suivi du dépôt d'une seconde couche de conduction en platine ou en or, comme cela a été expliqué précédemment ; " recouvrir l'ensemble de résine photosensible et le soumettre à une exposition à un rayonnement UV au travers d'un masque de photolithographie masquant la résine recouvrant les zones de type N 1004 sur la face supérieure des transistors et la résine des tranchées ; " développer la résine exposée, graver la métallisation 1007 affleurante à la suite du développement et éliminer la résine résiduelle ;
" hybrider l'ensemble sur un circuit de lecture CMOS à l'aide de la technologie dite de «flip-chip » ; et
" éliminer la strate 1002 au moyen d'une attaque chimique et/ou mécanique, de manière à dégager la métallisation des tranchées.
Les étapes de métallisation, de dépôt de résine, d'exposition, de développement et de gravure sont réalisées conformément au procédé selon l'invention décrit en relation avec les figures la à Ii. De préférence l'élimination de la strate sacrificielle comporte les étapes consistant à :
" amincir mécaniquement la strate sacrificielle 1002 de manière à laisser une couche résiduelle mince de strate au dessus de la métallisation des tranchées, par exemple inférieure à 10 micromètres ; et
" graver en plasma fluoré la couche résiduelle de strate jusqu'à la métallisation des tranchées en prenant soin de protéger les autres parties du dispositif.
Il est ainsi obtenu une matrice de transistors bipolaires présentant les avantages suivants :
• la taille des pixels est réduite. En effet, une seule connexion est réalisée sur la face supérieure du dispositif ce qui donne un pas plus petit lorsqu'on constitue une matrice;
" la résistance d'accès au transistor est réduite car la connexion aux transistors n'est pas réalisée au travers de la couche active. En outre la section efficace des connexions entre les transistors est augmentée du faite d'une surface importante du film conducteur entre ceux-ci ;
• le film bicouche est opaque et souple ;
• le film bicouche recouvre exactement les tranchées.

Claims

REVENDICATIONS
1. Procédé de réalisation d'une matrice de composants électroniques individuels (111 ; 611 ; 801), du type comportant une étape de réalisation d'une couche active (101 ; 601 ; 1001) sur une base de substrat (100 ; 600 ; 1002), notamment par épitaxie, et une étape d'individualisation desdits composants par formation de tranchées (102 ; 620 ; 1005), notamment par gravure, dans la couche active (101 ; 601 ; 1001), ladite étape d'individualisation aboutissant au moins au dégagement de la base du substrat (100 ; 600 ; 1002), caractérisé en ce qu'il comporte des étapes consistant à :
" déposer une couche de matériau fonctionnel (103 ; 1007) sur la couche active (101 ; 1001) ;
" déposer une résine (104 ; 1008) photosensible à un rayonnement prédéterminé sur la couche de matériau fonctionnel (103 ; 1007) de manière à remplir lesdites tranchées (102 ; 1005) et à former une pellicule mince (105) sur la face supérieure des composants électroniques (111) ; " exposer au moins partiellement la résine (104 ; 1008) audit rayonnement tout en sous-exposant la portion de résine remplissant les tranchées (102 ; 620 ; 1005) ; " développer la résine (104 ; 1008) de manière à éliminer la portion de celle- ci correctement exposée ; " éliminer la portion de couche de matériau fonctionnel (103 ; 1007) affleurante à la suite de l'étape de développement ; et " éliminer la portion de résine résiduelle.
2. Procédé de réalisation d'une matrice de composants électroniques individuels selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau fonctionnel (103 ; 1007) est élastique et/ou conducteur et/ou opaque.
3. Procédé de réalisation d'une matrice de composants électroniques individuels selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que l'étape d'exposition comporte une étape d'application d'un masque de photo lithographie (107 ; 1009) en surface de la résine.
4. Procédé de réalisation d'une matrice de composants électroniques individuels selon la revendication 3, caractérisé en ce que le masque de photolithographie (107 ; 1009) comporte des portions de recouvrement des tranchées.
5. Procédé de réalisation d'une matrice de composants électroniques individuels selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'étape d'exposition comporte une étape de sélection d'une profondeur de champ du rayonnement prédéterminé, inférieure à la profondeur des tranchées (102 ; 1005) et supérieure à l'épaisseur de la pellicule de résine (105) recouvrant la face supérieure des composants électroniques (111 ; 801).
6. Procédé de réalisation d'une matrice de composants électroniques individuels selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'étape de réalisation de la couche active est suivie d'une étape consistant à déposer et/ou implanter sur la surface libre de ladite couche active (101 ; 601 ; 1001) des éléments fonctionnels (603 ; 1004) caractéristiques desdits composants.
7. Procédé de réalisation d'une matrice de composants électroniques individuels selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'étape de dépôt et/ou d'implantation d'éléments fonctionnels (603 ; 1004) comporte une étape de dépôt et/ou d'implantation d'une électrode et/ou d'une couche de métallisation permettant l'hybridation de chaque composant.
8. Procédé de réalisation d'une matrice de composants électroniques individuels selon la revendication 6, caractérisé en ce que la couche active (1001) est une couche semi-conductrice d'un premier type, et en ce que l'étape de dépôt et/ou d'implantation d'éléments fonctionnels comporte une étape de formation d'une zone semi-conductrice d'un second type (1004) pour chaque composant dans la surface libre de la couche active.
9. Procédé de réalisation d'une matrice de composants électroniques individuels selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'étape d'individualisation desdits composants par formation de tranchées comprend, ou est suivie, d'une étape de formation d'une zone semi-conductrice du second type (1006) dans au moins une face latérale de chaque composant.
10. Procédé de réalisation d'une matrice de composants électroniques individuels selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'étape de formation des zones semi-conductrices du second type dans lesdits bords latéraux est réalisée par dopage, notamment du type « loophole ».
11. Procédé de réalisation d'une matrice de composants électroniques individuels selon l'une quelconque des revendications 8 à 10 lorsqu'elles dépendent de la revendication 3, caractérisé en ce le matériau fonctionnel est métallique, et en ce que le masque de photolithographie est sélectionné de manière à former une couche métallique (1010) en surface des zones semi-conductrices (1004) du second type formées à la surface libre de la couche active.
12. Procédé de réalisation d'une matrice de composants électroniques individuels selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'il comporte une étape de réalisation d'un plot conducteur (813) en surface de chacune desdites couches métalliques.
13. Procédé de réalisation d'une matrice de composants électroniques individuels selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte, consécutivement à l'étape de développement, une étape d'hybridation de la matrice sur un substrat (402 ; 502 ; 602 ; 803).
14. Matrice d'au moins deux composants électroniques (111 ; 303, 311 ; 403, 411, 412 ; 501 ; 601 ; 801, 802) individualisés dans une couche active (101) au moyen de tranchées traversantes (102 ; 1005) formées dans celle-ci, caractérisée en ce qu'elle comporte, pour chaque paire de composants électroniques adjacents, au moins un élément (112 ; 305, 307 ; 405, 407 ; 506, 516, 526 ; 606 ; 814) relié auxdits composants (111 ; 303, 311 ; 403, 411, 412 ; 501 ; 601 ; 801, 802), recouvrant au moins partiellement la tranchée (102 ; 1005) séparant lesdits composants, et comportant au moins un point de contact avec chacune des parois latérales définissant ladite tranchée.
15. Matrice selon la revendication 14, caractérisée en ce que chaque composant (111 ; 303, 311 ; 403, 411, 412 ; 501 ; 601 ; 801, 802) présente une forme globalement de polygone régulier, notamment une forme parallélépipédique à base rectangulaire.
16. Matrice selon l'une des revendications 14 et 15, caractérisée en ce que ledit élément (112 ; 305, 307 ; 405, 407 ; 506, 516, 526 ; 606 ; 814) est opaque.
17. Matrice selon l'une des revendications 14 à 16, caractérisée en ce que ledit élément (112 ; 305, 307 ; 405, 407 ; 506, 516, 526 ; 606 ; 814) présente une élasticité susceptible de conserver l'intégrité de la connexion électrique avec un composant adjacent malgré un déplacement relatif entre composants.
18. Matrice selon l'une quelconque des revendications 14 à 17, caractérisée en ce que ledit élément (112 ; 305, 307 ; 405, 407 ; 506, 516, 526 ; 606 ; 814) est conducteur.
19. Matrice selon la revendication 18, caractérisée en ce que en ce que ledit élément (112 ; 305, 307 ; 405, 407 ; 506, 516, 526 ; 606 ; 814) est filiforme.
20. Matrice selon la revendication 18, caractérisée en ce que ledit élément (112 ; 305, 307 ; 405, 407 ; 506, 516, 526 ; 606 ; 814) est surfacique.
21. Matrice selon l'une quelconque des revendications 18 à 20, caractérisée en ce que ledit élément (305, 306, 307 ; 405, 407 ; 506, 516, 526 ; 606) est en contact avec une reprise de contact électrique (304, 308, 309 ; 404, 408, 409 ; 508, 509 ; 518, 519 ; 528, 529 ; 608, 609).
22. Matrice selon la revendication 21, caractérisée en ce que ladite reprise de contact (304, 308, 309 ; 404, 408, 409 ; 508, 509 ; 518, 519 ; 528, 529 ; 608, 609) est réalisée sur l'une des faces latérales du composant considéré (303, 311 ; 403, 411, 412 ; 501 ; 601).
23. Matrice selon la revendication 21, caractérisée en ce que ladite reprise de contact (508, 509) est réalisée sur l'une des faces transversales (502) du composant considéré.
24. Matrice selon l'une quelconques des revendications 17 à 23, caractérisée en ce que ledit élément (112 ; 305, 307 ; 405, 407 ; 506, 516, 526 ; 606 ; 814) est constitué de plusieurs couches, dont une couche de conduction électrique et une couche de cohésion destinée à permettre l'assemblage sur la reprise de contact.
25. Matrice selon la revendication 24, caractérisée en ce que la couche externe est constituée d'un matériau choisi dans le groupe comprenant le titane (Ti), le chrome (Cr) ainsi qu'un alliage (TiW) de titane et de tungstène, et en ce que la couche de conduction est constituée d'un matériau choisi dans le groupe comprenant le platine, l'or, l'aluminium, le cuivre ou un alliage de cuivre et de béryllium.
26. Matrice selon l'une quelconque des revendications 18 à 25, caractérisée en ce que ledit élément (112 ; 305, 307 ; 405, 407 ; 506, 516, 526 ; 606 ; 814) est commun à tout ou partie desdits composants et forme une ligne ou une grille continue.
27. Matrice selon l'une quelconque des revendications 18 à 26, caractérisée en ce que chaque composant électronique (801) est un transistor bipolaire, dont au moins une zone semi-conductrice (805, 806 ; 1006) est formée dans l'une des faces latérales de celui-ci et est en contact avec ledit élément (814).
28. Procédé de réalisation d'un dispositif électronique comprenant une pluralité de composants électroniques (611) rapportée sur un substrat (602), caractérisé en ce qu'il consiste :
" à réaliser une couche active (601) par épitaxie sur une strate sacrificielle
(600) ;
" à déposer et/ou implanter sur la surface libre de ladite couche active (601) des éléments fonctionnels (603) caractéristiques desdits composants (611), tels qu'une électrode, notamment une anode, et/ou une couche de métallisation permettant l'hybridation de chaque composant (611) ; " à graver des tranchées (620) en lignes et/ou en colonnes dans ladite couche active (601) au moins jusqu'à dégager ladite strate (600), de manière à individualiser lesdits composants (611) au sein d'une matrice ; " à réaliser un plot électriquement conducteur sur au moins l'une des faces libres de chaque composant (611) ainsi individualisé, de manière à réaliser des reprises de contact (608, 609) ;
" à réaliser par dépôt au moins un film (606) électriquement conducteur s 'étendant sur lesdites tranchées (620) de manière à connecter au moins deux à deux lesdites reprises de contact (608, 609) de composants (611) adjacents, ledit film (606) présentant une épaisseur déterminée pour lui conférer une élasticité susceptible de maintenir la connexion électrique malgré un déplacement relatif entre composants (611) ; " à hybrider les composants (611) sur le substrat (602) ;
" à amincir sélectivement les faces de chaque composant (611) situées en regard dudit substrat (602), de manière à laisser en saillie tout ou partie desdits éléments fonctionnels (603) ; " à éliminer ladite strate (600) au moyen d'un usinage mécanique ou d'une attaque chimique, de manière à dégager le film électriquement conducteur
(606), lesdites étapes de réalisation de la couche active, de gravure de tranchées et de dépôt du au moins un film étant conformes au procédé selon la revendication 1.
29. Procédé de réalisation d'un dispositif électronique comprenant une pluralité de composants électroniques selon la revendication 28, caractérisé en ce que l'étape de dépôt consiste : " à déposer une couche en matériau électriquement isolant (741) recouvrant toute la surface de ladite couche active (701), à savoir celle de la tranchée (720) et celle desdits composants (701) ;
" à percer ladite couche en matériau électriquement isolant (741) au moyen d'une photolithographie suivie d'une gravure opérée au fond et sur tout ou partie des bords de ladite tranchée (720) ;
" à déposer ledit film électriquement conducteur (706) sur toute ou partie de la surface libre desdits composants (701) et desdites tranchées (720) ; " à ôter localement ledit film électriquement conducteur (706) par gravure des surfaces desdits composants (701).
30. Procédé de réalisation d'un dispositif électronique comprenant une pluralité de composants électroniques selon la revendication 28 ou 29, caractérisé en ce que le conducteur est constitué de plusieurs couches, dont une couche de conduction électrique et une couche de cohésion destinée à permettre l'assemblage sur la reprise de contact et en ce que l'étape d'élimination est effectuée sous un plasma sélectionné de manière à être inerte au moins vis-à- vis de ladite couche de conduction.
31. Dispositif électronique comprenant une pluralité de composants électroniques (303, 311 ; 403, 411, 412 ; 501 ; 601) rapportés sur un substrat (302 ; 402 ;
502), chaque composant (303, 311 ; 403, 411, 412 ; 501 ; 601) étant mécaniquement relié audit substrat (302 ; 402 ; 502 ; 602) par l'intermédiaire d'un élément de liaison (301 ; 401 ; 503 ; 603), dans lequel chaque composant (303, 311 ; 403, 411, 412 ; 501 ; 601) est en outre électriquement connecté à au moins un composant adjacent au moyen d'au moins une pièce formant un conducteur (305, 306, 307 ; 405, 407 ; 506, 516, 526 ; 606), caractérisé en ce que les composants et leurs conducteurs associés forment une matrice conforme à l'une quelconque des revendications 14 à 27.
32. Dispositif électronique selon la revendication 31 , caractérisé en ce que ladite reprise de contact (508, 509) est réalisée sur la face du composant opposée à la face du composant rapportée sur ledit substrat (502).
33. Dispositif électronique selon la revendication 31, caractérisé en ce que ladite reprise de contact (304, 308, 309 ; 404, 408, 409 ; 518, 519 ; 608, 609) est réalisée sur la face du composant rapportée sur ledit substrat (302 ; 402 ; 502 ; 602).
34. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 31 à 33, caractérisé en ce que le composant est un transistor ou une diode.
35. Détecteur de rayonnements électromagnétiques, tels que les rayons X, les rayons infrarouges ou la lumière visible, caractérisé en ce qu'il comprend un dispositif selon l'une des revendications 31 à 34, dans laquelle chaque composant (303, 311 ; 403, 411, 412 ; 501 ; 601) comprend un matériau apte à interagir avec le rayonnement considéré.
36. Emetteur de rayonnement électromagnétique, tel que des rayons laser, caractérisé en ce qu'il comprend un dispositif selon l'une des revendications 31 à 34, dans laquelle chaque composant (303, 311 ; 403, 411, 412 ; 501 ; 601) est constitué d'un émetteur laser à cavité verticale émettant par la surface (VCSEL) ou d'une diode électroluminescente.
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