WO2010146884A1 - 半導体チップおよびその実装構造 - Google Patents

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裕喜 中濱
松井　隆司
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Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor chip and a mounting structure thereof, and more particularly to a structure of a semiconductor chip mounted on a substrate using a conductive adhesive and a mounting structure of such a semiconductor chip on the substrate.
  • flip chip mounting is known as a method for mounting a chip on a wiring board in a very small area.
  • Flip chip mounting is a mounting method in which protruding electrodes called “bumps” are formed on the surface of a non-packaged chip called a “bare chip”, and the circuit board faces downward and is directly electrically connected to the wiring board. Is the method.
  • an anisotropic conductive material is generally used for bonding the wiring board and the chip.
  • the anisotropic conductive material is a connection material having conductivity in the thickness direction in the crimping portion and insulating in the surface direction in the crimping portion.
  • the anisotropic conductive material is mainly composed of conductive particles and a resin functioning as an adhesive (hereinafter referred to as “adhesive resin”) (conductive particles are dispersed in the adhesive resin). .
  • adhesive resin a resin functioning as an adhesive
  • heat and pressure are applied to the bonded portion, so that the adhesive resin is spread.
  • conductive particles are sandwiched (captured) between the opposing electrodes, whereby the opposing electrodes are electrically connected.
  • the filling amount of the conductive particles into the adhesive resin is designed according to the connection area of the electrodes and the space between the electrodes.
  • ACP Adisotropic Conductive Paste
  • ACF Anaisotropic Conductive Film
  • ACP and ACF are adhesives in which conductive particles such as nickel particles and gold-plated plastic particles are dispersed in an adhesive made of a thermosetting resin such as an epoxy resin.
  • ACP and ACF are compared, the fluidity of the conductive particles is higher in ACP than in ACF. For this reason, ACP has the disadvantage that it is difficult to capture conductive particles between electrodes during bonding.
  • the ACF has an advantage that conductive particles are easily captured between the electrodes at the time of bonding, and electrical conduction is reliably ensured.
  • ACF is increasingly used as an adhesive from the viewpoint of easy capture of conductive particles.
  • FIG. 15 is a bottom view of a conventional LSI chip 70 used as a drive circuit for a liquid crystal display device.
  • an input bump group 710 composed of a plurality of input bumps (input terminals) 71 arranged in a line along one long side, and a zigzag arrangement along the other long side.
  • the input bump group 710 and the output bump group 720 are connected to the electrode pads formed on the wiring board on which the LSI chip 70 is mounted by ACF.
  • An electric signal for operating the LSI chip 70 is applied to the electrode pads connected to the input bump group 710. Scanning signal lines and video signal lines are connected to the electrode pads connected to the output bump group 720, and driving signals are given from the LSI chip 70 to the scanning signal lines and video signal lines via the electrode pads.
  • FIG. 16A a wiring substrate 51 on which an electrode pad 53 for electrical connection with the chip 50 is formed and a chip 50 on which a bump 52 is formed are prepared.
  • ACF 54 is affixed to wiring substrate 51 so as to cover the substrate.
  • the crimping tool 55 performs thermocompression bonding of the chip 50 to the wiring substrate 51. The thermocompression bonding is performed in a state where the bumps 52 provided on the bottom surface of the chip 50 and the electrode pads 53 on the wiring substrate 51 are aligned.
  • ACF resin the resin constituting the ACF 54
  • the ACF resin flows out from the center of the chip 50 to the outside as shown in FIG.
  • the conductive particles contained in the ACF resin ensure electrical conduction between the bumps 52 on the bottom surface of the chip 50 and the electrode pads 53 on the wiring substrate 51.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-252466 discloses an invention of IC chips 80 and 85 having a bottom surface configured as shown in FIGS.
  • reference numerals 81, 82, and 83 are assigned to the input bump group, the output bump group connected to the video signal line, and the output bump group connected to the scanning signal line, respectively.
  • reference numerals 86, 87, and 88 are assigned to the input bump group, the output bump group connected to the video signal line, and the output bump group connected to the scanning signal line, respectively.
  • Japanese Patent Laid-Open No. 2006-106132 discloses a configuration in which a test terminal group 91 is provided on the short side of a chip as shown in FIG. 19 and a center side of an input terminal group 93 as shown in FIG. Discloses a configuration including a test terminal group 94.
  • FIG. 20 is a partially enlarged view of a region indicated by reference numeral 95 in FIG.
  • Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2007-173738 discloses a technique for preventing the entry of bubbles generated in the sealing resin into the wiring conductor by providing a dummy wiring conductor portion.
  • FIG. 22 is a diagram for explaining the flow of the ACF resin on the bottom surface of the LSI chip 70 when the terminals of the LSI chip 70 shown in FIG. 15 are narrowed.
  • the flow of the ACF resin is represented by the direction of the arrow, and the magnitude (flow rate) of the flow of the ACF resin is represented by the width of the arrow.
  • the flow from the center to the short side has a very large flow rate as indicated by the arrow 75 because no bump is provided in the area between the input bump 71 and the output bump 72.
  • the flow toward the output bump 72 side becomes smaller as it approaches the corner from the center of the long side as indicated by arrows 76 to 78.
  • the ACF resin hardly flows between the output bumps 72 because the output bumps 72 are arranged in a staggered pattern at a narrow pitch.
  • the flow rate from the central portion to the long side decreases as the flow rate from the central portion to the short side increases as described above.
  • the flow rate is very small as indicated by the arrow 78.
  • the above-described connection failure occurs in the vicinity of the corner portion. Since the input bumps 71 are not as narrow as the output bumps 72, the flow from the center to the long side of the flow toward the input bumps 71 is indicated by arrows 79 in the vicinity of the corner. As described above, a flow rate that does not cause poor connection is secured.
  • an object of the present invention is to realize a semiconductor chip in which the pitch between terminals can be reduced, which can suppress the occurrence of a connection failure with a mounting destination substrate.
  • a first aspect of the present invention is a first projecting electrode group having a rectangular bottom surface and comprising a plurality of projecting electrodes arranged along one long side of the bottom surface for receiving an input signal from the outside. And a second projecting electrode group comprising a plurality of projecting electrodes arranged along the other long side of the bottom surface and outputting an output signal to the outside, In the bottom surface, a region extending between the region where the first protruding electrode group is formed and the region where the second protruding electrode group is formed extends in a direction perpendicular to the long side of the bottom surface.
  • a third projecting electrode group comprising a plurality of rectangular projecting electrodes having a long side as a side; The plurality of protruding electrodes included in the third protruding electrode group are electrodes that are not electrically connected to the outside.
  • the plurality of protruding electrodes included in the third protruding electrode group includes only protruding electrodes formed near one short side and the other short side of the bottom surface.
  • the long sides of the plurality of protruding electrodes included in the third protruding electrode group are between a region where the first protruding electrode group is formed and a region where the second protruding electrode group is formed. It is characterized by having a length of one-half or more of the distance.
  • the third protruding electrode group includes a protruding electrode array including a plurality of protruding electrodes arranged in a line along a region where the first protruding electrode group is formed, and the second protruding electrode group. It is characterized by comprising a plurality of protruding electrode arrays including at least a protruding electrode array composed of a plurality of protruding electrodes arranged in a line along the region.
  • the plurality of projecting electrodes included in the third projecting electrode group are relatively displaced to the other long side of the bottom surface relative to the projecting electrode disposed relatively to the one long side of the bottom surface.
  • the protruding electrodes are arranged so as to be alternately arranged.
  • the plurality of protruding electrodes included in the third protruding electrode group are formed such that long sides become longer as they approach the short side from the center of the bottom surface.
  • the third protruding electrode group includes a protruding electrode array including a plurality of protruding electrodes arranged in a line along a region where the first protruding electrode group is formed, and the second protruding electrode group.
  • a plurality of protruding electrodes arranged in a line along the region of the protruding electrode, The plurality of protruding electrodes included in each protruding electrode row are formed such that long sides become longer as they approach the short side from the center of the bottom surface.
  • the second protruding electrode group is formed along a region where the protruding electrode array composed of a plurality of protruding electrodes arranged in a line along one long side of the bottom surface and the third protruding electrode group are formed. It is characterized by comprising a plurality of protruding electrode arrays including at least a protruding electrode array composed of a plurality of protruding electrodes arranged in a line.
  • a liquid crystal module including a liquid crystal panel including first and second substrates facing each other, wherein a driving circuit for driving the liquid crystal panel is provided on the first substrate.
  • a semiconductor chip according to any one of the first to eighth aspects of the present invention is mounted on the first substrate using an anisotropic conductive film as the drive circuit.
  • a tenth aspect of the present invention is a mounting structure in which a semiconductor chip having a rectangular bottom surface is mounted on a wiring board on which electrical wiring is formed using an anisotropic conductive film, The semiconductor chip is disposed along one long side of the bottom surface, and includes a first protruding electrode group including a plurality of protruding electrodes for receiving an input signal from an electric wiring on the wiring board, and the other bottom surface.
  • a second protruding electrode group consisting of a plurality of protruding electrodes arranged along the long side of the wiring board for outputting an output signal to the electric wiring on the wiring board, and an area where the first protruding electrode group is formed And a plurality of rectangular projecting electrodes having long sides extending in a direction perpendicular to the long side of the bottom surface, and arranged in a region between the first protruding electrode group and the region where the second protruding electrode group is formed.
  • 3 protruding electrode groups, The plurality of protruding electrodes included in the third protruding electrode group are electrodes that are not electrically connected to the electric wiring on the wiring board.
  • An eleventh aspect of the present invention is the tenth aspect of the present invention,
  • the plurality of protruding electrodes included in the third protruding electrode group includes only protruding electrodes formed near one short side and the other short side of the bottom surface.
  • a twelfth aspect of the present invention is the tenth aspect of the present invention,
  • the long sides of the plurality of protruding electrodes included in the third protruding electrode group are between a region where the first protruding electrode group is formed and a region where the second protruding electrode group is formed. It is characterized by having a length of one-half or more of the distance.
  • the third protruding electrode group includes a protruding electrode array including a plurality of protruding electrodes arranged in a line along a region where the first protruding electrode group is formed, and the second protruding electrode group. It is characterized by comprising a plurality of protruding electrode arrays including at least a protruding electrode array composed of a plurality of protruding electrodes arranged in a line along the region.
  • a fourteenth aspect of the present invention is the tenth aspect of the present invention,
  • the plurality of projecting electrodes included in the third projecting electrode group are relatively displaced to the other long side of the bottom surface relative to the projecting electrode disposed relatively to the one long side of the bottom surface.
  • the protruding electrodes are arranged so as to be alternately arranged.
  • a fifteenth aspect of the present invention is the tenth aspect of the present invention.
  • the plurality of protruding electrodes included in the third protruding electrode group are formed such that long sides become longer as they approach the short side from the center of the bottom surface.
  • a sixteenth aspect of the present invention is the tenth aspect of the present invention
  • the third protruding electrode group includes a protruding electrode array including a plurality of protruding electrodes arranged in a line along a region where the first protruding electrode group is formed, and the second protruding electrode group.
  • a plurality of protruding electrodes arranged in a line along the region of the protruding electrode, The plurality of protruding electrodes included in each protruding electrode row are formed such that long sides become longer as they approach the short side from the center of the bottom surface.
  • a seventeenth aspect of the present invention is the tenth aspect of the present invention
  • the second protruding electrode group is formed along a region where the protruding electrode array composed of a plurality of protruding electrodes arranged in a line along one long side of the bottom surface and the third protruding electrode group are formed. It is characterized by comprising a plurality of protruding electrode arrays including at least a protruding electrode array composed of a plurality of protruding electrodes arranged in a line.
  • the wiring board is one of two boards constituting a liquid crystal panel included in a liquid crystal module
  • the semiconductor chip is a drive circuit for driving the liquid crystal panel.
  • a third protruding electrode group which includes a plurality of protruding electrodes having long sides extending in a direction perpendicular to the long side of the bottom surface of the semiconductor chip.
  • the plurality of protruding electrodes included in the third protruding electrode group do not have a function of electrical connection. For this reason, since an electrical signal is not exchanged through the plurality of protruding electrodes included in the third protruding electrode group, a plurality of conductive resins for inhibiting the flow of the conductive resin without considering a wiring pattern or the like.
  • the protruding electrode can be disposed on the bottom surface of the semiconductor chip. As a result, the pitch between terminals in the semiconductor chip can be reduced without increasing the chip size.
  • the protruding electrode for inhibiting the flow of the conductive resin is provided only in the vicinity of both short sides of the bottom surface of the semiconductor chip. For this reason, it is possible to flow a larger amount of conductive resin in the vicinity of the corner portion of the semiconductor chip without lowering the degree of freedom in designing the semiconductor chip. As a result, it is possible to suppress the occurrence of poor connection in the vicinity of the corner portion where the shortage of the flow rate of the conductive resin is most likely to occur while effectively suppressing the increase in chip size.
  • the third aspect of the present invention on the bottom surface of the semiconductor chip, most of the flow of the conductive resin from the central portion to the short side is inhibited by the third protruding electrode. For this reason, the occurrence of poor connection due to the insufficient flow rate of the conductive resin in the vicinity of the corner portion of the semiconductor chip is more reliably suppressed.
  • the flow of the conductive resin from the central portion to the short side of the bottom surface of the semiconductor chip is relatively effectively inhibited. Is done. For this reason, a sufficient flow of the conductive resin is ensured even in the vicinity of the corner portion of the semiconductor chip. Thereby, in a semiconductor chip with a limited length of the protruding electrode, occurrence of poor connection due to insufficient flow rate of the conductive resin is suppressed.
  • the fifth aspect of the present invention similar to the fourth aspect of the present invention, in a semiconductor chip with a limited length of the protruding electrode, occurrence of poor connection due to insufficient flow rate of the conductive resin is suppressed.
  • the flow of the conductive resin is effectively inhibited as it approaches the short side from the center.
  • the area occupied by the third protruding electrode decreases as the distance from the short side approaches the center.
  • the occurrence of poor connection due to the insufficient flow rate of the conductive resin is suppressed while securing a certain degree of freedom in designing the semiconductor chip. .
  • the semiconductor chip in which the second protruding electrode group for outputting the output signal to the outside is constituted by a plurality of protruding electrode arrays, the same as in the first aspect of the present invention. The effect is obtained.
  • a liquid crystal module is realized in which a semiconductor chip having the same effect as any one of the first to eighth aspects of the present invention is mounted on a substrate of a liquid crystal panel.
  • FIG. 1 is a bottom view of an LSI chip according to a first embodiment of the present invention.
  • 2 is a plan view of a liquid crystal module including the LSI chip according to the first embodiment.
  • FIG. FIG. 2 is a sectional view taken along line AA in FIG. 1.
  • a and B are diagrams for explaining the effects in the first embodiment. In the said 1st Embodiment, it is a figure for demonstrating the flow of ACF resin.
  • a and B are diagrams for explaining the effects in the first embodiment. It is a bottom view of the LSI chip in the 2nd Embodiment of this invention. It is a bottom view of the LSI chip in the 3rd Embodiment of this invention.
  • FIGS. 8A to 8C are diagrams for explaining mounting of a chip on a wiring board performed using an ACF. It is a bottom view of the conventional IC chip. It is a bottom view of the conventional IC chip. It is a bottom view of the conventional chip. It is the elements on larger scale of the bottom view of the conventional chip
  • FIG. 2 is a plan view of a liquid crystal module including an LSI chip (semiconductor chip) according to the first embodiment of the present invention.
  • This liquid crystal module is composed of a liquid crystal panel, an LSI chip 10 and an FPC (Flexible Printed Circuit) 40.
  • the liquid crystal panel applies a voltage between a TFT array substrate 20 including a pixel electrode (display electrode) and a TFT array formed thereon, and a color filter for color display and a pixel electrode through a liquid crystal layer.
  • a color filter substrate 30 on which a counter electrode is formed. Both the TFT array substrate 20 and the color filter substrate 30 are glass substrates. As shown in FIG.
  • the TFT array substrate 20 is larger than the color filter substrate 30 in plan view.
  • a display unit is provided in a region where the TFT array substrate 20 and the color filter substrate 30 overlap in plan view.
  • the region that does not face the color filter substrate 30 is generally called a “frame”.
  • a liquid crystal panel driving LSI chip 10 is mounted in a frame area (hereinafter referred to as “frame area”) 21 and a controller for controlling the operation of the LSI chip 10. Etc. are connected, and thereby a liquid crystal module is realized.
  • frame area a frame area
  • COG Chip On Glass
  • the color filter substrate 30 is illustrated in a slightly shifted upper left direction in plan view.
  • FIG. 1 is a bottom view of the LSI chip 10 in the present embodiment.
  • an input bump group 110 composed of a plurality of input bumps 11 arranged in a line along one long side, and a staggered pattern along the other long side.
  • the output bump group 120 composed of a plurality of output bumps 12 arranged in a shape and the area where the input bump group 110 is provided and the area where the output bump group 120 is provided.
  • a dummy bump group 130 including a plurality of dummy bumps 13 is also provided. Note that the dummy bumps 13 are bumps that do not have an electrical connection function.
  • the input bump group 110 is connected to an electrode pad formed on the TFT array substrate 20 on which the LSI chip 10 is mounted by an ACF.
  • An electric signal for operating the LSI chip 10 is applied to the electrode pads connected to the input bump group 110.
  • the output bump group 120 is also connected to an electrode pad formed on the TFT array substrate 20 on which the LSI chip 10 is mounted by an ACF.
  • a scanning signal line or a video signal line is connected to the electrode pad connected to the output bump group 120, and a driving signal is sent from the LSI chip 10 to the scanning signal line and the video signal line via the electrode pad.
  • the first bump electrode group is realized by the input bump group 110
  • the second bump electrode group is realized by the output bump group 120
  • the third bump electrode group is realized by the dummy bump group 130. Has been.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1 (cross-sectional view taken along line BB in FIG. 2).
  • an input bump 11 provided near one end (FPC side) of the bottom surface of the LSI chip 10 and an output bump 12 provided near the other end (display portion side) of the bottom surface of the LSI chip 10.
  • a dummy bump 13 is provided between them.
  • the TFT array substrate 20 and the LSI chip 10 are bonded to each other by the ACF 9.
  • the length of the dummy bump 13 is the length of the input bump 11.
  • the sheath is longer than the length of the output bump 12. Further, the length La of the long side of the dummy bump 13 is set as close as possible to the length Lb between the input bump 11 and the output bump 12 so that the flow of the ACF resin is inhibited as will be described later. For example, it is preferable that the La is half or more of the Lb. Further, it is more preferable that the La is 3/5 or more of the Lb. In FIG. 3, the electrode pads on the TFT array substrate 20 are omitted.
  • the region between the input bump group 110 and the output bump group 120 is long in the vertical direction with respect to the large flow of ACF resin, as shown in FIG.
  • a dummy bump group 130 including a plurality of dummy bumps 13 having sides is provided.
  • FIG. 4B the flow of the ACF resin from the central portion to the short side is obstructed by the dummy bumps 13, and a larger amount of ACF resin is formed from the central portion to the long side than the conventional configuration. It flows to.
  • a sufficient flow of the ACF resin is ensured even in the vicinity of the corner portion of the LSI chip 10, and the occurrence of poor connection due to the insufficient flow rate of the ACF resin is suppressed. .
  • the bump denoted by reference numeral 84 can correspond to the dummy bump 13 in the present embodiment.
  • the bump denoted by reference numeral 89 can correspond to the dummy bump 13 in the present embodiment.
  • the dummy bumps 84 and 89 in the conventional configuration have long sides in the same direction as the large flow of the ACF resin as shown in FIG. As shown in B), it has a long side in a direction perpendicular to a large flow of the ACF resin.
  • the flow direction of the ACF resin can be effectively changed to the long side (on the bottom surface of the LSI chip), and a sufficient amount of ACF resin can be formed in the vicinity of the corner portion of the LSI chip 10. The flow is ensured.
  • dummy bumps 13 having no electrical connection function are employed as components for inhibiting the flow of the ACF resin. Since no electrical signal is exchanged via the dummy bumps 13, a plurality of dummy bumps 13 can be arranged on the bottom surface of the LSI chip 10 without considering a wiring pattern or the like. For this reason, the layout efficiency at the time of LSI design does not decrease, and the pitch between terminals can be narrowed without increasing the chip size. As a result, a liquid crystal module mounted with the LSI chip 10 with the terminals having a narrow pitch is realized.
  • the LSI chip 10 in which the pitch between terminals is reduced in the liquid crystal module without imposing a heavy burden on the condition setting work in the connection process and the management work of the connection process. It becomes possible.
  • FIG. 7 is a bottom view of the LSI chip 10 according to the second embodiment of the present invention.
  • dummy bumps 13 are provided only near one short side and near the other short side of the bottom surface of the LSI chip 10. That is, only two dummy bumps 13 arranged on the outermost side among the plurality of dummy bumps 13 (see FIG. 1) included in the dummy bump group 130 in the first embodiment are formed on the bottom surface of the LSI chip 10. . Since other configurations are the same as those of the first embodiment, description thereof is omitted.
  • the connection between the LSI chip 10 and the TFT array substrate 20 is increased. Reliability is increased.
  • the degree of design freedom of the LSI chip 10 decreases. Therefore, as shown in FIG. 7, by providing the dummy bumps 13 only in the vicinity of both short sides of the bottom surface of the LSI chip 10, near the corner portion of the LSI chip 10 without reducing the design flexibility of the LSI chip 10. In this case, a sufficient amount of ACF resin can be ensured. As a result, it is possible to suppress the occurrence of poor connection in the vicinity of the corner portion where the ACF resin flow rate is most likely to be insufficient, while effectively suppressing the increase in chip size.
  • FIG. 8 is a bottom view of the LSI chip 10 according to the third embodiment of the present invention.
  • the length of the long side of the bump may be limited to a predetermined length or less.
  • the distance between the input bump group 110 and the dummy bump group 130 or the distance between the output bump group 120 and the dummy bump group 130 becomes large, and a large flow of ACF resin from the central portion to the short side becomes large. It is thought that it is not inhibited. Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG.
  • the dummy bump group 130 is relatively located on the bottom surface of the LSI chip 10 relative to the dummy bumps 13 arranged so as to be shifted relative to one long side of the bottom surface of the LSI chip 10.
  • the dummy bumps 13 are arranged so as to be alternately arranged on the other long side. Since other configurations are the same as those of the first embodiment, description thereof is omitted.
  • the flow of the ACF resin from the central portion to the short side is relatively effectively inhibited. .
  • a sufficient flow of the ACF resin is ensured even in the vicinity of the corner portion of the LSI chip 10, and the occurrence of poor connection due to the insufficient flow rate of the ACF resin is suppressed.
  • a dummy bump group 130 is configured by a plurality of dummy bumps 13 arranged in a plurality of rows. You may do it. Specifically, in the configuration shown in FIG. 9, the dummy bump group 130 is arranged in a row along the output bump group 120 and a dummy bump row 131 including a plurality of dummy bumps 13 arranged in a row along the input bump group 110. And a dummy bump row 132 composed of a plurality of dummy bumps 13. In the configuration shown in FIG.
  • the dummy bump group 130 includes a dummy bump row 131 including a plurality of dummy bumps 13 arranged in a line along the input bump group 110 and a plurality of dummy bumps 131 arranged in a line along the output bump group 120.
  • a dummy bump row 132 made up of dummy bumps 13 and a dummy bump row 133 made up of a plurality of dummy bumps 13 arranged in a row between the two dummy bump rows 131 and 132 are constituted.
  • the configuration shown in FIG. 8 may be combined with the configuration shown in FIG. 9 or FIG. 10, that is, the configuration shown in FIG. 11 or FIG.
  • FIG. 13 is a bottom view of the LSI chip 10 according to the fourth embodiment of the present invention.
  • the flow rate of the ACF resin is often secured to the extent that no connection failure occurs near the center of the long side of the bottom surface (reference numeral 76 arrow). Therefore, it is conceivable that the closer to the center, the lower the need to inhibit the flow of the ACF resin from the center to the short side. Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG.
  • the plurality of dummy bumps 13 included in the dummy bump group 130 are formed so that the long sides become longer from the center of the bottom surface of the LSI chip 10 toward the short side. ing. Since other configurations are the same as those of the first embodiment, description thereof is omitted.
  • the occurrence of poor connection in the vicinity of the corner where the ACF resin flow rate is most likely to be insufficient is suppressed, but in this embodiment, the design flexibility of the LSI chip 10 is secured to some extent. Further, it is possible to suppress the occurrence of poor connection not only in the vicinity of the corner portion but also in the vicinity of the corner portion.
  • the dummy bump group 130 is configured by two dummy bump rows, and a plurality of dummy bumps 13 included in each dummy bump row are short-sided from the center of the bottom surface of the LSI chip 10. You may form so that a long side may become long as it approaches the side.
  • the input bump group 110 is composed of one row of bumps (a row of bumps composed of a plurality of input bumps 12 arranged in a row along one long side of the bottom surface of the LSI chip 10).
  • the output bump group 120 includes two bump rows (along the region in which the bump row composed of the plurality of output bumps 12 arranged in a row along the other long side of the bottom surface of the LSI chip 10 and the dummy bump group 130 are formed).
  • the present invention is not limited to this.
  • the present invention can be applied as long as the input bump group 110 and the output bump group 120 are arranged along one long side and the other long side of the LSI chip 10, respectively.

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

　実装先の基板との接続不良の発生を抑制することのできる、端子間が狭ピッチ化された半導体チップを実現する。　底面の一方の長辺に沿って一列に配置された複数個の入力バンプ（１１）からなる入力バンプ群（１１０）と底面の他方の長辺に沿って千鳥状に配置された複数個の出力バンプ（１２）からなる出力バンプ群（１２０）とを含むＬＳＩチップ（１０）において、入力バンプ群（１１０）が設けられている領域と出力バンプ群（１２０）が設けられている領域との間の領域に、底面の長辺に対して垂直方向に延びる辺を長辺とする長方形状の複数のダミーバンプ（電気的接続の機能を持たないバンプ）（１３）からなるダミーバンプ群（１３０）が設けられる。

Description

半導体チップおよびその実装構造
　本発明は、半導体チップおよびその実装構造に関し、より詳しくは、導電性の接着剤を用いて基板に実装される半導体チップの構造およびそのような半導体チップの基板への実装構造に関する。
　近年、電子機器の小型化や薄型化への要求が高まっている。それに伴い、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ：集積回路）チップやＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ　Ｓｃａｌｅ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ：大規模集積回路）チップ（以下、両者をまとめて単に「チップ」という。）を配線基板に実装する方法に関して、様々な提案がなされている。例えば、ごく小さい領域で配線基板へのチップの実装を実現する手法として、「フリップチップ実装」と呼ばれる実装方法が知られている。フリップチップ実装とは、「ベアチップ」と呼ばれるパッケージ化されていないチップの表面（ひょうめん）に「バンプ」と呼ばれる突起電極を形成し、回路面を下に向けて配線基板に直接電気接続する実装方法である。
　フリップチップ実装に際して、配線基板とチップとの接着には一般的に異方性導電材料が用いられる。異方性導電材料は、圧着部における厚さ方向に対しては導電性を有し、圧着部における面方向に対しては絶縁性を有する接続材料である。異方性導電材料は、主に、導電性粒子および接着剤として機能する樹脂（以下、「接着樹脂」という。）によって構成されている（接着樹脂の中に導電性粒子が分散されている）。接着の際には、接着部分に熱と圧力が加えられることにより、接着樹脂が押し広げられる。このとき、対向する電極間に導電性粒子が挟みこまれる（捕捉される）ことにより、対向する電極間が電気的に導通する。なお、導電性粒子の接着樹脂への充填量については、電極の接続面積や電極間スペースに応じて設計される。
　異方性導電材料としては、典型的には、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ）と呼ばれるペースト状の接着剤とＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）と呼ばれるフィルム状の接着剤とが知られている。ＡＣＰおよびＡＣＦは、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂から成る接着剤の中にニッケル粒子や金めっきプラスチック粒子などの導電性粒子を分散させた接着剤である。ＡＣＰとＡＣＦとを比較すると、ＡＣＦよりもＡＣＰの方が導電性粒子の流動性が高い。このため、ＡＣＰについては、接着の際に電極間に導電性粒子が捕捉されにくいという不利な点がある。これに対して、ＡＣＦについては、接着の際に電極間に導電性粒子が捕捉されやすく電気的導通が確実に確保されるという利点がある。近年、電子機器の小型化や薄型化に伴い、チップの端子間のピッチの狭小化や電極パッドの微細化が進んでいる。そこで、導電性粒子の捕捉のされやすさの観点から、接着剤としてＡＣＦが採用されることが多くなっている。
　図１５は、液晶表示装置の駆動回路として用いられる従来のＬＳＩチップ７０の底面図である。このＬＳＩチップ７０の底面には、一方の長辺に沿って一列に配置された複数個の入力バンプ（入力端子）７１からなる入力バンプ群７１０と、他方の長辺に沿って千鳥状に配置された複数個の出力バンプ（出力端子）７２からなる出力バンプ群７２０とが設けられている。入力バンプ群７１０および出力バンプ群７２０は、このＬＳＩチップ７０を搭載する配線基板上に形成された電極パッドとＡＣＦによって接続される。入力バンプ群７１０に接続される電極パッドには、このＬＳＩチップ７０を動作させるための電気信号が与えられる。出力バンプ群７２０に接続される電極パッドには走査信号線や映像信号線が接続され、当該電極パッドを介してこのＬＳＩチップ７０から走査信号線および映像信号線に駆動用の信号が与えられる。
　次に、ＡＣＦを用いて行われる配線基板へのチップ（例えば、図１５に示したＬＳＩチップ７０）の実装について説明する。まず、図１６（Ａ）に示すように、チップ５０との電気的接続のための電極パッド５３が形成された配線基板５１と、バンプ５２が形成されたチップ５０とが準備され、電極パッド５３を覆うようにしてＡＣＦ５４が配線基板５１に貼り付けられる。その後、図１６（Ｂ）に示すように、圧着ツール５５によってチップ５０の配線基板５１への熱圧着が行われる。熱圧着は、チップ５０の底面に設けられたバンプ５２と配線基板５１上の電極パッド５３とが位置合わせされた状態で行われる。この熱圧着により、ＡＣＦ５４を構成する樹脂（以下、「ＡＣＦ樹脂」という。）が溶融し、図１６（Ｃ）に示すように、ＡＣＦ樹脂はチップ５０の中央部から外側へと流れ出る。このとき、ＡＣＦ樹脂はバンプ５２間に充填されるので、ＡＣＦ樹脂に含まれる導電性粒子によってチップ５０底面のバンプ５２と配線基板５１上の電極パッド５３との電気的な導通状態が確保される。
　なお、本願発明に関連して、以下のような先行技術が知られている。日本の特開２００４－２５２４６６号公報には、図１７や図１８に示す構成の底面を有するＩＣチップ８０，８５の発明が開示されている。図１７では、入力バンプ群，映像信号線に接続される出力バンプ群，および走査信号線に接続される出力バンプ群にそれぞれ符号８１，８２，および８３を付している。図１８では、入力バンプ群，映像信号線に接続される出力バンプ群，および走査信号線に接続される出力バンプ群にそれぞれ符号８６，８７，および８８を付している。これらのＩＣチップ８０，８５によれば、出力バンプが千鳥配列とはなっていないため出力バンプ間におけるＡＣＦ樹脂の流動性が向上するとされている。また、日本の特開２００６－１０６１３２号公報には、図１９に示すようにチップの短辺側にテスト用端子群９１を備えた構成や図２０に示すように入力端子群９３よりも中央側にテスト用端子群９４を備えた構成が開示されている。なお、図２０は、図２１で符号９５で示す領域の部分拡大図である。さらに、日本の特開２００７－１７３７３８号公報には、ダミー配線導体部を備える構成とすることにより、封止樹脂内に発生した気泡の配線導体への進入を阻止する技術が開示されている。
日本の特開２００４－２５２４６６号公報 日本の特開２００６－１０６１３２号公報 日本の特開２００７－１７３７３８号公報
　ところで、上述した端子間の狭ピッチ化に起因して、チップ底面の四隅（以下、「コーナー部」という。）において、チップの出力バンプと配線基板上の電極パッドとの間の電気的な接続の不良（以下、「接続不良」という。）が生じることがある。これについて以下に説明する。図２２は、図１５に示したＬＳＩチップ７０の端子間が狭ピッチ化されたものである場合についてのＬＳＩチップ７０の底面におけるＡＣＦ樹脂の流れについて説明するための図である。図２２では、矢印の向きによってＡＣＦ樹脂の流れを表しており、矢印の幅によってＡＣＦ樹脂の流れの大きさ（流量）を表している。中央部から短辺側への流れについては、入力バンプ７１と出力バンプ７２との間の領域にバンプが設けられていないため、符号７５の矢印で示すように非常に大きな流量となっている。中央部から長辺側への流れのうち出力バンプ７２側への流れについては、符号７６～７８の矢印で示すように、長辺の中心からコーナー部に近づくにつれて流量は小さくなっている。この理由は、出力バンプ７２が狭ピッチで千鳥配列にされていることに起因してＡＣＦ樹脂が出力バンプ７２間を流れにくくなっているからである。また、ＡＣＦ樹脂についてはより流れやすい方向への流量が大きくなるので、上述のように中央部から短辺側への流量が大きくなる分、中央部から長辺側への流量は小さくなる。以上より、ＬＳＩチップ７０の特にコーナー部近傍では、符号７８の矢印で示すように、非常に小さな流量となる。その結果、コーナー部近傍で上述した接続不良が生じる。なお、入力バンプ７１は出力バンプ７２ほど狭ピッチ化されていないため、中央部から長辺側への流れのうち入力バンプ７１側への流れについては、コーナー部近傍においても符号７９の矢印で示すように、接続不良が生じない程度の流量が確保されている。
　そこで本発明は、実装先の基板との接続不良の発生を抑制することのできる、端子間が狭ピッチ化された半導体チップを実現することを目的とする。
　本発明の第１の局面は、長方形状の底面を有し、前記底面の一方の長辺に沿って配置され外部からの入力信号を受け取るための複数の突起電極からなる第１の突起電極群と、前記底面の他方の長辺に沿って配置され出力信号を外部に出力するための複数の突起電極からなる第２の突起電極群とを含む半導体チップであって、
　前記底面において、前記第１の突起電極群が形成されている領域と前記第２の突起電極群が形成されている領域との間の領域に、前記底面の長辺に対して垂直方向に延びる辺を長辺とする長方形状の複数の突起電極からなる第３の突起電極群を備え、
　前記第３の突起電極群に含まれる複数の突起電極は、外部との電気的な接続がなされない電極であることを特徴とする。
　本発明の第２の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記第３の突起電極群に含まれる複数の突起電極は、前記底面の一方の短辺近傍および他方の短辺近傍に形成された突起電極のみからなることを特徴とする。
　本発明の第３の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記第３の突起電極群に含まれる複数の突起電極の長辺は、前記第１の突起電極群が形成されている領域と前記第２の突起電極群が形成されている領域との間の距離の２分の１以上の長さであることを特徴とする。
　本発明の第４の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記第３の突起電極群は、前記第１の突起電極群が形成されている領域に沿って一列に配置された複数の突起電極からなる突起電極列と前記第２の突起電極群が形成されている領域に沿って一列に配置された複数の突起電極からなる突起電極列とを少なくとも含む複数の突起電極列によって構成されていることを特徴とする。
　本発明の第５の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記第３の突起電極群に含まれる複数の突起電極は、相対的に前記底面の一方の長辺側にずれて配置された突起電極と相対的に前記底面の他方の長辺側にずれて配置された突起電極とが交互に配置されるように形成されていることを特徴とする。
　本発明の第６の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記第３の突起電極群に含まれる複数の突起電極は、前記底面の中央部から短辺側に近づくに従い長辺が長くなるように形成されていることを特徴とする。
　本発明の第７の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記第３の突起電極群は、前記第１の突起電極群が形成されている領域に沿って一列に配置された複数の突起電極からなる突起電極列と前記第２の突起電極群が形成されている領域に沿って一列に配置された複数の突起電極からなる突起電極列とを含み、
　各突起電極列に含まれる複数の突起電極は、前記底面の中央部から短辺側に近づくに従い長辺が長くなるように形成されていることを特徴とする。
　本発明の第８の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記第２の突起電極群は、前記底面の一方の長辺に沿って一列に配置された複数の突起電極からなる突起電極列と前記第３の突起電極群が形成されている領域に沿って一列に配置された複数の突起電極からなる突起電極列とを少なくとも含む複数の突起電極列によって構成されていることを特徴とする。
　本発明の第９の局面は、互いに対向する第１および第２の基板からなる液晶パネルを含み、前記液晶パネルを駆動するための駆動回路が前記第１の基板に設けられる液晶モジュールであって、
　本発明の第１から第８までのいずれかの局面に係る半導体チップが前記駆動回路として異方性導電膜を用いて前記第１の基板に実装されていることを特徴とする。
　本発明の第１０の局面は、電気配線が形成された配線基板に長方形状の底面を有する半導体チップが異方性導電膜を用いて実装された実装構造であって、
　前記半導体チップは、前記底面の一方の長辺に沿って配置され前記配線基板上の電気配線からの入力信号を受け取るための複数の突起電極からなる第１の突起電極群と、前記底面の他方の長辺に沿って配置され出力信号を前記配線基板上の電気配線に出力するための複数の突起電極からなる第２の突起電極群と、前記第１の突起電極群が形成されている領域と前記第２の突起電極群が形成されている領域との間の領域に配置され前記底面の長辺に対して垂直方向に延びる辺を長辺とする長方形状の複数の突起電極からなる第３の突起電極群とを備え、
　前記第３の突起電極群に含まれる複数の突起電極は、前記配線基板上の電気配線との電気的な接続がなされない電極であることを特徴とする。
　本発明の第１１の局面は、本発明の第１０の局面において、
　前記第３の突起電極群に含まれる複数の突起電極は、前記底面の一方の短辺近傍および他方の短辺近傍に形成された突起電極のみからなることを特徴とする。
　本発明の第１２の局面は、本発明の第１０の局面において、
　前記第３の突起電極群に含まれる複数の突起電極の長辺は、前記第１の突起電極群が形成されている領域と前記第２の突起電極群が形成されている領域との間の距離の２分の１以上の長さであることを特徴とする。
　本発明の第１３の局面は、本発明の第１０の局面において、
　前記第３の突起電極群は、前記第１の突起電極群が形成されている領域に沿って一列に配置された複数の突起電極からなる突起電極列と前記第２の突起電極群が形成されている領域に沿って一列に配置された複数の突起電極からなる突起電極列とを少なくとも含む複数の突起電極列によって構成されていることを特徴とする。
　本発明の第１４の局面は、本発明の第１０の局面において、
　前記第３の突起電極群に含まれる複数の突起電極は、相対的に前記底面の一方の長辺側にずれて配置された突起電極と相対的に前記底面の他方の長辺側にずれて配置された突起電極とが交互に配置されるように形成されていることを特徴とする。
　本発明の第１５の局面は、本発明の第１０の局面において、
　前記第３の突起電極群に含まれる複数の突起電極は、前記底面の中央部から短辺側に近づくに従い長辺が長くなるように形成されていることを特徴とする。
　本発明の第１６の局面は、本発明の第１０の局面において、
　前記第３の突起電極群は、前記第１の突起電極群が形成されている領域に沿って一列に配置された複数の突起電極からなる突起電極列と前記第２の突起電極群が形成されている領域に沿って一列に配置された複数の突起電極からなる突起電極列とを含み、
　各突起電極列に含まれる複数の突起電極は、前記底面の中央部から短辺側に近づくに従い長辺が長くなるように形成されていることを特徴とする。
　本発明の第１７の局面は、本発明の第１０の局面において、
　前記第２の突起電極群は、前記底面の一方の長辺に沿って一列に配置された複数の突起電極からなる突起電極列と前記第３の突起電極群が形成されている領域に沿って一列に配置された複数の突起電極からなる突起電極列とを少なくとも含む複数の突起電極列によって構成されていることを特徴とする。
　本発明の第１８の局面は、本発明の第１０から第１７までのいずれかの局面において、
　前記配線基板は、液晶モジュールに含まれる液晶パネルを構成する２枚の基板のうちの一方の基板であって、
　前記半導体チップは、前記液晶パネルを駆動するための駆動回路であることを特徴とする。
　本発明の第１の局面によれば、半導体チップの底面において、入力信号を受け取るための第１の突起電極群と出力信号を出力するための第２の突起電極群との間の領域には、当該半導体チップの底面の長辺に対して垂直方向に延びる辺を長辺とする複数の突起電極からなる第３の突起電極群が設けられる。このため、異方性導電膜を用いて半導体チップが配線基板に実装される際に、異方性導電膜を構成する樹脂（導電性樹脂）の流れは第３の突起電極群によって阻害される。これにより、従来の構成と比較して多量の導電性樹脂が半導体チップの中央部から長辺側へと流れる。その結果、半導体チップのコーナー部近傍においても導電性樹脂の充分な流れが確保され、導電性樹脂の流量不足に起因する接続不良の発生が抑制される。
　また、第３の突起電極群に含まれる複数の突起電極は、電気的接続の機能を有していない。このため、それら第３の突起電極群に含まれる複数の突起電極を介して電気信号のやりとりはなされないので、配線パターン等を考慮することなく、導電性樹脂の流れを阻害するための複数の突起電極を半導体チップの底面に配置させることができる。これにより、チップサイズを大きくすることなく、半導体チップにおける端子間の狭ピッチ化が可能となる。
　本発明の第２の局面によれば、半導体チップの底面の両短辺近傍にのみ、導電性樹脂の流れを阻害するための突起電極が設けられる。このため、半導体チップの設計自由度を低下させることなく、従来よりも多くの量の導電性樹脂を半導体チップのコーナー部近傍に流すことができる。これにより、チップサイズの拡大を効果的に抑制しつつ、最も導電性樹脂の流量不足が生じやすいコーナー部近傍における接続不良の発生を抑制することが可能となる。
　本発明の第３の局面によれば、半導体チップの底面において、中央部から短辺側への導電性樹脂の流れの大半が第３の突起電極によって阻害される。このため、より確実に、半導体チップのコーナー部近傍における導電性樹脂の流量不足に起因する接続不良の発生が抑制される。
　本発明の第４の局面によれば、突起電極の長さに制限のある半導体チップにおいて、当該半導体チップの底面の中央部から短辺側への導電性樹脂の流れが比較的効果的に阻害される。このため、半導体チップのコーナー部近傍においても導電性樹脂の充分な流れが確保される。これにより、突起電極の長さに制限のある半導体チップにおいて、導電性樹脂の流量不足に起因する接続不良の発生が抑制される。
　本発明の第５の局面によれば、本発明の第４の局面と同様、突起電極の長さに制限のある半導体チップにおいて、導電性樹脂の流量不足に起因する接続不良の発生が抑制される。
　本発明の第６の局面によれば、半導体チップの底面において、中央部から短辺側に近づくに従い導電性樹脂の流れが効果的に阻害される。一方、半導体チップの底面において、短辺側から中央部に近づくに従い第３の突起電極の占有面積が小さくなる。以上より、半導体チップの設計自由度をある程度確保しつつ、導電性樹脂の流量不足に起因する接続不良の発生が抑制される。
　本発明の第７の局面によれば、本発明の第６の局面と同様、半導体チップの設計自由度をある程度確保しつつ、導電性樹脂の流量不足に起因する接続不良の発生が抑制される。
　本発明の第８の局面によれば、出力信号を外部に出力するための第２の突起電極群が複数の突起電極列によって構成されている半導体チップにおいて、本発明の第１の局面と同様の効果が得られる。
　本発明の第９の局面によれば、本発明の第１から第８までのいずれかの局面と同様の効果を奏する半導体チップを液晶パネルの基板に実装した液晶モジュールが実現される。
本発明の第１の実施形態におけるＬＳＩチップの底面図である。 上記第１の実施形態に係るＬＳＩチップを備えた液晶モジュールの平面図である。 図１のＡ－Ａ線断面図である。 ＡおよびＢは、上記第１の実施形態において、効果について説明するための図である。 上記第１の実施形態において、ＡＣＦ樹脂の流れについて説明するための図である。 ＡおよびＢは、上記第１の実施形態において、効果について説明するための図である。 本発明の第２の実施形態におけるＬＳＩチップの底面図である。 本発明の第３の実施形態におけるＬＳＩチップの底面図である。 上記第３の実施形態の変形例におけるＬＳＩチップの底面図である。 上記第３の実施形態の変形例におけるＬＳＩチップの底面図である。 上記第３の実施形態の変形例におけるＬＳＩチップの底面図である。 上記第３の実施形態の変形例におけるＬＳＩチップの底面図である。 本発明の第４の実施形態におけるＬＳＩチップの底面図である。 上記第４の実施形態の変形例におけるＬＳＩチップの底面図である。 液晶表示装置の駆動回路として用いられる従来のＬＳＩチップの底面図である。 Ａ－Ｃは、ＡＣＦを用いて行われる配線基板へのチップの実装について説明するための図である。 従来のＩＣチップの底面図である。 従来のＩＣチップの底面図である。 従来のチップの底面図である。 従来のチップの底面図の部分拡大図である。 従来のチップの底面図である。 従来例において、ＡＣＦ樹脂の流れについて説明するための図である。
　以下、添付図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
＜１．第１の実施形態＞
＜１．１　液晶モジュールの構成＞
　図２は、本発明の第１の実施形態に係るＬＳＩチップ（半導体チップ）を備えた液晶モジュールの平面図である。この液晶モジュールは、液晶パネルとＬＳＩチップ１０とＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）４０とによって構成されている。液晶パネルは、画素電極（表示電極）を含みＴＦＴアレイが形成されたＴＦＴアレイ基板２０と、カラー表示用のカラーフィルタが形成されるとともに液晶層を介して画素電極との間に電圧を印加するための対向電極が形成されたカラーフィルタ基板３０とによって構成されている。ＴＦＴアレイ基板２０およびカラーフィルタ基板３０はともにガラス基板である。また、図２に示すように、カラーフィルタ基板３０よりもＴＦＴアレイ基板２０の方が平面視で大きくなっている。ＴＦＴアレイ基板２０とカラーフィルタ基板３０とが平面視で重なる領域に表示部が設けられている。ＴＦＴアレイ基板２０上の領域のうちカラーフィルタ基板３０とは対向していない領域は一般に「額縁」と呼ばれている。本実施形態においては、額縁となる領域（以下、「額縁エリア」という。）２１には、液晶パネル駆動用のＬＳＩチップ１０が実装されるとともに、当該ＬＳＩチップ１０の動作を制御するためのコントローラ等を含むＦＰＣ４０が接続され、これにより、液晶モジュールが実現されている。このように、本実施形態においては、ガラス基板上にＬＳＩチップ１０が搭載された構成すなわちＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式が採用されている。なお、図２では、説明の便宜上、カラーフィルタ基板３０を平面視でやや左上方向にずらして図示している。
＜１．２　ＬＳＩチップの底面の構成＞
　図１は、本実施形態におけるＬＳＩチップ１０の底面図である。図１に示すように、このＬＳＩチップ１０の底面には、一方の長辺に沿って一列に配置された複数個の入力バンプ１１からなる入力バンプ群１１０と、他方の長辺に沿って千鳥状に配置された複数個の出力バンプ１２からなる出力バンプ群１２０と、入力バンプ群１１０が設けられている領域と出力バンプ群１２０が設けられている領域との間の領域に一列に配置された複数個のダミーバンプ１３からなるダミーバンプ群１３０とが設けられている。なお、ダミーバンプ１３とは、電気的接続の機能を持たないバンプのことである。入力バンプ群１１０は、このＬＳＩチップ１０を搭載するＴＦＴアレイ基板２０上に形成された電極パッドとＡＣＦによって接続される。そして、その入力バンプ群１１０に接続される電極パッドには、このＬＳＩチップ１０を動作させるための電気信号が与えられる。出力バンプ群１２０も、このＬＳＩチップ１０を搭載するＴＦＴアレイ基板２０上に形成された電極パッドとＡＣＦによって接続される。そして、その出力バンプ群１２０に接続される電極パッドには走査信号線や映像信号線が接続され、当該電極パッドを介してこのＬＳＩチップ１０から走査信号線および映像信号線に駆動用の信号が与えられる。
　なお、本実施形態においては、入力バンプ群１１０によって第１の突起電極群が実現され、出力バンプ群１２０によって第２の突起電極群が実現され、ダミーバンプ群１３０によって第３の突起電極群が実現されている。
　図３は、図１のＡ－Ａ線断面図（図２のＢ－Ｂ線断面図）である。図３に示すように、ＬＳＩチップ１０の底面の一端（ＦＰＣ側）近傍に設けられた入力バンプ１１とＬＳＩチップ１０の底面の他端（表示部側）近傍に設けられた出力バンプ１２との間に、ダミーバンプ１３が設けられている。ＴＦＴアレイ基板２０とＬＳＩチップ１０とは、ＡＣＦ９によって互いに接着されている。ここで、このＬＳＩチップ１０の底面の短手方向（符号１９の矢印で示す方向）についての各バンプの長さに着目すると、典型的には、ダミーバンプ１３の長さは、入力バンプ１１の長さや出力バンプ１２の長さよりも長くなっている。また、後述するようにＡＣＦ樹脂の流れが阻害されるよう、ダミーバンプ１３の長辺の長さＬａは、入力バンプ１１－出力バンプ１２間の長さＬｂにできる限り近い長さとされる。例えば、上記Ｌａは上記Ｌｂの２分の１以上とされることが好ましい。また、上記Ｌａが上記Ｌｂの５分の３以上にされると更に好ましい。なお、図３では、ＴＦＴアレイ基板２０上の電極パッドを省略している。
＜１．３　効果＞
　図１５に示した従来の構成によると、ＬＳＩチップ７０の底面の一方の長辺に沿って一列に配置された入力バンプ群７１０と他方の長辺に沿って千鳥状に配置された出力バンプ群７２０との間の領域には、ＡＣＦ樹脂の流れを阻害するようなバンプ等は設けられていなかった。このため、図４（Ａ）に示すように、中央部から短辺側へのＡＣＦ樹脂の流量と比較すると、中央部から長辺側へのＡＣＦ樹脂の流量は著しく小さくなっていた。その結果、ＬＳＩチップ７０のコーナー部近傍において、ＡＣＦ樹脂の流量不足が顕著となり（図２２参照）、反応不足や樹脂不足に起因して信頼性が十分な接続状態が得られず、接続不良が生じていた。これに対して、本実施形態に係る構成によると、入力バンプ群１１０と出力バンプ群１２０との間の領域には、図１に示すように、ＡＣＦ樹脂の大きな流れに対して垂直方向に長辺を有する複数のダミーバンプ１３からなるダミーバンプ群１３０が設けられている。このため、図４（Ｂ）に示すように、中央部から短辺側へのＡＣＦ樹脂の流れがダミーバンプ１３によって阻害され、従来の構成と比較して多量のＡＣＦ樹脂が中央部から長辺側へと流れる。これにより、図５で符号１５の矢印で示すように、ＬＳＩチップ１０のコーナー部近傍においてもＡＣＦ樹脂の充分な流れが確保され、ＡＣＦ樹脂の流量不足に起因する接続不良の発生が抑制される。
　また、図１７に示した従来の構成においては、符号８４で示すバンプが本実施形態におけるダミーバンプ１３に相当し得る。図１８に示した従来の構成においては、符号８９で示すバンプが本実施形態におけるダミーバンプ１３に相当し得る。しかしながら、従来の構成におけるダミーバンプ８４，８９は図６（Ａ）に示すようにＡＣＦ樹脂の大きな流れと同じ方向に長辺を有しているのに対し、本実施形態におけるダミーバンプ１３は図６（Ｂ）に示すようにＡＣＦ樹脂の大きな流れに対して垂直方向に長辺を有している。このため、本実施形態においては、ＡＣＦ樹脂の流れ方向を効果的に（ＬＳＩチップ底面の）長辺側へと変えることができ、ＬＳＩチップ１０のコーナー部近傍においても充分な量のＡＣＦ樹脂の流れが確実に確保される。
　以上より、端子（バンプ）間が狭ピッチ化したＬＳＩチップ１０のＴＦＴアレイ基板２０への実装に関し、ＬＳＩチップ１０のコーナー部近傍において従来生じていたＡＣＦ樹脂の流量不足に起因する接続不良（ＬＳＩチップ１０底面の出力バンプ１２とＴＦＴアレイ基板２０上の電極パッドとの間の電気的な接続不良）の発生が抑制される。その結果、信頼性の高い液晶モジュールを提供することが可能となる。
　また、本実施形態においては、ＡＣＦ樹脂の流れを阻害するための構成要素として、電気的接続の機能を持たないダミーバンプ１３が採用されている。ダミーバンプ１３を介して電気信号のやりとりはなされないので、配線パターン等を考慮することなく複数のダミーバンプ１３をＬＳＩチップ１０の底面に配置させることができる。このため、ＬＳＩ設計に際してのレイアウト効率は低下せず、チップサイズを大きくすることなく端子間の狭ピッチ化が可能となる。これにより、端子間が狭ピッチ化されたＬＳＩチップ１０を搭載した液晶モジュールが実現される。
　さらに、本実施形態によれば、接続工程における条件出しの作業や接続工程の管理作業に大きな負担が課せられることなく、液晶モジュールに端子間が狭ピッチ化されたＬＳＩチップ１０を採用することが可能となる。
＜２．第２の実施形態＞
　図７は、本発明の第２の実施形態におけるＬＳＩチップ１０の底面図である。本実施形態においては、図７に示すように、ＬＳＩチップ１０の底面の一方の短辺近傍および他方の短辺近傍にのみダミーバンプ１３が設けられている。すなわち、上記第１の実施形態におけるダミーバンプ群１３０に含まれる複数のダミーバンプ１３（図１参照）のうち最も外側に配置されている２個のダミーバンプ１３のみがＬＳＩチップ１０の底面に形成されている。それ以外の構成については、上記第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
　入力バンプ群１１０と出力バンプ群１２０との間の領域には中央部から短辺側へのＡＣＦ樹脂の流れを抑制するダミーバンプ１３が多く設けられるほどＬＳＩチップ１０とＴＦＴアレイ基板２０との接続に関する信頼性は高まる。しかしながら、ＬＳＩチップ１０の底面に設けられるダミーバンプ１３が多くなるほど、ＬＳＩチップ１０の設計自由度は低下する。そこで、図７に示すようにＬＳＩチップ１０の底面の両短辺近傍にのみダミーバンプ１３を設ける構成にすることにより、ＬＳＩチップ１０の設計自由度を低下させることなく、ＬＳＩチップ１０のコーナー部近傍においても充分な量のＡＣＦ樹脂の流れを確保することができる。これにより、チップサイズの拡大を効果的に抑制しつつ、最もＡＣＦ樹脂の流量不足が生じやすいコーナー部近傍における接続不良の発生を抑制することができる。
＜３．第３の実施形態＞
　図８は、本発明の第３の実施形態におけるＬＳＩチップ１０の底面図である。ＬＳＩチップ１０の底面におけるバンプの形成に関しては様々な制限が課され得る。例えば、バンプの長辺の長さが所定の長さ以下に制限されることもある。このような場合、入力バンプ群１１０とダミーバンプ群１３０との間の距離あるいは出力バンプ群１２０とダミーバンプ群１３０との間の距離が大きくなり、中央部から短辺側へのＡＣＦ樹脂の大きな流れが阻害されないことが考えられる。そこで、本実施形態においては、図８に示すように、ダミーバンプ群１３０は、相対的にＬＳＩチップ１０底面の一方の長辺側にずれて配置されたダミーバンプ１３と相対的にＬＳＩチップ１０底面の他方の長辺側にずれて配置されたダミーバンプ１３とが交互に配置されるように形成されている。それ以外の構成については、上記第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
　本実施形態によれば、バンプの長辺の長さが所定の長さ以下に制限されるＬＳＩチップ１０において、中央部から短辺側へのＡＣＦ樹脂の流れが比較的効果的に阻害される。これにより、ＬＳＩチップ１０のコーナー部近傍においてもＡＣＦ樹脂の充分な流れが確保され、ＡＣＦ樹脂の流量不足に起因する接続不良の発生が抑制される。
　なお、バンプの長辺の長さが所定の長さ以下に制限される場合、例えば図９や図１０に示すように、複数列に配置された複数のダミーバンプ１３によってダミーバンプ群１３０が構成されるようにしても良い。詳しくは、図９に示す構成においては、ダミーバンプ群１３０は、入力バンプ群１１０に沿って一列に配置された複数のダミーバンプ１３からなるダミーバンプ列１３１と、出力バンプ群１２０に沿って一列に配置された複数のダミーバンプ１３からなるダミーバンプ列１３２とによって構成されている。図１０に示す構成においては、ダミーバンプ群１３０は、入力バンプ群１１０に沿って一列に配置された複数のダミーバンプ１３からなるダミーバンプ列１３１と、出力バンプ群１２０に沿って一列に配置された複数のダミーバンプ１３からなるダミーバンプ列１３２と、それら２つのダミーバンプ列１３１，１３２の間に一列に配置された複数のダミーバンプ１３からなるダミーバンプ列１３３とによって構成されている。また、図８に示した構成と図９あるいは図１０に示した構成とを組み合わせた構成すなわち図１１や図１２に示すような構成にしても良い。
＜４．第４の実施形態＞
　図１３は、本発明の第４の実施形態におけるＬＳＩチップ１０の底面図である。図２２に示したように、端子間が狭ピッチ化されたＬＳＩチップ７０においても、底面の長辺の中心付近では接続不良が生じない程度にＡＣＦ樹脂の流量が確保されることが多い（符号７６の矢印参照）。従って、中央部に近いほど、中央部から短辺側へのＡＣＦ樹脂の流れを阻害する必要性が低いことが考えられる。そこで、本実施形態においては、図１３に示すように、ダミーバンプ群１３０に含まれる複数のダミーバンプ１３は、ＬＳＩチップ１０底面の中央部から短辺側に近づくに従い長辺が長くなるように形成されている。それ以外の構成については、上記第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
　上記第２の実施形態においては、最もＡＣＦ樹脂の流量不足が生じやすいコーナー部近傍における接続不良の発生が抑制されたが、本実施形態においては、ＬＳＩチップ１０の設計自由度をある程度確保しつつ、コーナー部近傍のみならずコーナー部近傍以外における接続不良の発生をも抑制することができる。
　なお、同様の観点から、図１４に示すように、ダミーバンプ群１３０が２列のダミーバンプ列からなる構成とし、各ダミーバンプ列に含まれる複数のダミーバンプ１３についてＬＳＩチップ１０の底面の中央部から短辺側に近づくに従い長辺が長くなるように形成されても良い。
＜５．その他＞
　上記各実施形態においては、ＬＳＩチップ１０が液晶パネルのＴＦＴアレイ基板２０に実装される例を挙げて説明しているが、本発明はこれに限定されない。ＡＣＦを用いて半導体チップが配線基板に実装されるものであれば、ＡＣＦ樹脂の流量不足に起因する接続不良の発生を抑制するために本発明を適用することができる。
　また、上記各実施形態においては、入力バンプ群１１０は１列のバンプ列（ＬＳＩチップ１０底面の一方の長辺に沿って一列に配置された複数の入力バンプ１２からなるバンプ列）で構成され、出力バンプ群１２０は２列のバンプ列（ＬＳＩチップ１０底面の他方の長辺に沿って一列に配置された複数の出力バンプ１２からなるバンプ列とダミーバンプ群１３０が形成されている領域に沿って一列に配置された複数の出力バンプ１２からなるバンプ列）で構成されているが、本発明はこれに限定されない。入力バンプ群１１０および出力バンプ群１２０がそれぞれＬＳＩチップ１０の一方の長辺および他方の長辺に沿って配置されていれば、本発明を適用することができる。
　９…ＡＣＦ
　１０…ＬＳＩチップ
　１１…入力バンプ
　１２…出力バンプ
　１３…ダミーバンプ
　２０…ＴＦＴアレイ基板
　２１…額縁エリア
　３０…カラーフィルタ基板
　４０…ＦＰＣ
　１１０…入力バンプ群
　１２０…出力バンプ群
　１３０…ダミーバンプ群

Claims (18)

  1. 　長方形状の底面を有し、前記底面の一方の長辺に沿って配置され外部からの入力信号を受け取るための複数の突起電極からなる第１の突起電極群と、前記底面の他方の長辺に沿って配置され出力信号を外部に出力するための複数の突起電極からなる第２の突起電極群とを含む半導体チップであって、
    　前記底面において、前記第１の突起電極群が形成されている領域と前記第２の突起電極群が形成されている領域との間の領域に、前記底面の長辺に対して垂直方向に延びる辺を長辺とする長方形状の複数の突起電極からなる第３の突起電極群を備え、
    　前記第３の突起電極群に含まれる複数の突起電極は、外部との電気的な接続がなされない電極であることを特徴とする、半導体チップ。
  2. 　前記第３の突起電極群に含まれる複数の突起電極は、前記底面の一方の短辺近傍および他方の短辺近傍に形成された突起電極のみからなることを特徴とする、請求項１に記載の半導体チップ。
  3. 　前記第３の突起電極群に含まれる複数の突起電極の長辺は、前記第１の突起電極群が形成されている領域と前記第２の突起電極群が形成されている領域との間の距離の２分の１以上の長さであることを特徴とする、請求項１に記載の半導体チップ。
  4. 　前記第３の突起電極群は、前記第１の突起電極群が形成されている領域に沿って一列に配置された複数の突起電極からなる突起電極列と前記第２の突起電極群が形成されている領域に沿って一列に配置された複数の突起電極からなる突起電極列とを少なくとも含む複数の突起電極列によって構成されていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体チップ。
  5. 　前記第３の突起電極群に含まれる複数の突起電極は、相対的に前記底面の一方の長辺側にずれて配置された突起電極と相対的に前記底面の他方の長辺側にずれて配置された突起電極とが交互に配置されるように形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体チップ。
  6. 　前記第３の突起電極群に含まれる複数の突起電極は、前記底面の中央部から短辺側に近づくに従い長辺が長くなるように形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体チップ。
  7. 　前記第３の突起電極群は、前記第１の突起電極群が形成されている領域に沿って一列に配置された複数の突起電極からなる突起電極列と前記第２の突起電極群が形成されている領域に沿って一列に配置された複数の突起電極からなる突起電極列とを含み、
    　各突起電極列に含まれる複数の突起電極は、前記底面の中央部から短辺側に近づくに従い長辺が長くなるように形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体チップ。
  8. 　前記第２の突起電極群は、前記底面の一方の長辺に沿って一列に配置された複数の突起電極からなる突起電極列と前記第３の突起電極群が形成されている領域に沿って一列に配置された複数の突起電極からなる突起電極列とを少なくとも含む複数の突起電極列によって構成されていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体チップ。
  9. 　互いに対向する第１および第２の基板からなる液晶パネルを含み、前記液晶パネルを駆動するための駆動回路が前記第１の基板に設けられる液晶モジュールであって、
    　請求項１から８までのいずれか１項に記載の半導体チップが前記駆動回路として異方性導電膜を用いて前記第１の基板に実装されていることを特徴とする、液晶モジュール。
  10. 　電気配線が形成された配線基板に長方形状の底面を有する半導体チップが異方性導電膜を用いて実装された実装構造であって、
    　前記半導体チップは、前記底面の一方の長辺に沿って配置され前記配線基板上の電気配線からの入力信号を受け取るための複数の突起電極からなる第１の突起電極群と、前記底面の他方の長辺に沿って配置され出力信号を前記配線基板上の電気配線に出力するための複数の突起電極からなる第２の突起電極群と、前記第１の突起電極群が形成されている領域と前記第２の突起電極群が形成されている領域との間の領域に配置され前記底面の長辺に対して垂直方向に延びる辺を長辺とする長方形状の複数の突起電極からなる第３の突起電極群とを備え、
    　前記第３の突起電極群に含まれる複数の突起電極は、前記配線基板上の電気配線との電気的な接続がなされない電極であることを特徴とする、実装構造。
  11. 　前記第３の突起電極群に含まれる複数の突起電極は、前記底面の一方の短辺近傍および他方の短辺近傍に形成された突起電極のみからなることを特徴とする、請求項１０に記載の実装構造。
  12. 　前記第３の突起電極群に含まれる複数の突起電極の長辺は、前記第１の突起電極群が形成されている領域と前記第２の突起電極群が形成されている領域との間の距離の２分の１以上の長さであることを特徴とする、請求項１０に記載の実装構造。
  13. 　前記第３の突起電極群は、前記第１の突起電極群が形成されている領域に沿って一列に配置された複数の突起電極からなる突起電極列と前記第２の突起電極群が形成されている領域に沿って一列に配置された複数の突起電極からなる突起電極列とを少なくとも含む複数の突起電極列によって構成されていることを特徴とする、請求項１０に記載の実装構造。
  14. 　前記第３の突起電極群に含まれる複数の突起電極は、相対的に前記底面の一方の長辺側にずれて配置された突起電極と相対的に前記底面の他方の長辺側にずれて配置された突起電極とが交互に配置されるように形成されていることを特徴とする、請求項１０に記載の実装構造。
  15. 　前記第３の突起電極群に含まれる複数の突起電極は、前記底面の中央部から短辺側に近づくに従い長辺が長くなるように形成されていることを特徴とする、請求項１０に記載の実装構造。
  16. 　前記第３の突起電極群は、前記第１の突起電極群が形成されている領域に沿って一列に配置された複数の突起電極からなる突起電極列と前記第２の突起電極群が形成されている領域に沿って一列に配置された複数の突起電極からなる突起電極列とを含み、
    　各突起電極列に含まれる複数の突起電極は、前記底面の中央部から短辺側に近づくに従い長辺が長くなるように形成されていることを特徴とする、請求項１０に記載の実装構造。
  17. 　前記第２の突起電極群は、前記底面の一方の長辺に沿って一列に配置された複数の突起電極からなる突起電極列と前記第３の突起電極群が形成されている領域に沿って一列に配置された複数の突起電極からなる突起電極列とを少なくとも含む複数の突起電極列によって構成されていることを特徴とする、請求項１０に記載の実装構造。
  18. 　前記配線基板は、液晶モジュールに含まれる液晶パネルを構成する２枚の基板のうちの一方の基板であって、
    　前記半導体チップは、前記液晶パネルを駆動するための駆動回路であることを特徴とする、請求項１０から１７までのいずれか１項に記載の実装構造。
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