WO2011024737A1 - イリジウム錯体ならびに該化合物からなる発光材料 - Google Patents

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    • C07F15/0006—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table compounds of the platinum group
    • C07F15/0033—Iridium compounds
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    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers

Definitions

  • the present invention relates to materials for organic electroluminescence devices, electrochemiluminescence (ECL) device materials, luminescence sensors, oxygen sensors, photosensitizers, displays, photographic materials, laser dyes, dyes for color filters, optical communication, color conversion
  • the present invention relates to an iridium complex useful for filters, backlights, illumination, photosensitizing dyes, luminescent probes for cell imaging, various light sources, and luminescent materials comprising the compounds.
  • Organic electroluminescent elements are attracting attention as next-generation display elements, and in recent years, various organic materials used for light-emitting elements have been actively developed. In particular, from the viewpoint of improving luminous efficiency, attention has been focused on phosphorescent materials that utilize light emission from an excited triplet state as light emitting materials.
  • the generation ratio of singlet excitons and triplet excitons is 1: 3, so that the generation probability of luminescent excited species is 25%, and the light extraction efficiency is high. Since it is about 20%, the limit of the external extraction quantum efficiency is set to 5%. On the other hand, if an excited triplet state can also be used for this, since the upper limit of the internal quantum efficiency is 100%, the emission efficiency is four times in principle compared to the case of an excited singlet. Is being actively developed. Up until now, iridium complexes having 2-phenylpyridine ligands have attracted attention as typical phosphorescent materials, but in the future, development of new phosphorescent materials is desired with the aim of further improving luminous efficiency and durability. Yes.
  • Patent Documents 1 to 7 and Non-Patent Documents 1 to 3 describe iridium complexes having a 2-phenylpyrimidine ligand similar to the compound of the present invention.
  • problems to be solved such as luminous efficiency and durability still remain, and a material that is more thermally stable and exhibits high luminous efficiency is desired.
  • the iridium complex having a 2-phenylpyrimidine-based ligand has lower solubility in a solvent, and the workability and operability are extremely poor compared to the 2-phenylpyridine-based iridium complex. There was a problem.
  • Non-Patent Document 1 discloses an iridium complex (formula (A)) in which a trifluoromethyl group is introduced at the 5-position (see the figure below) of the pyrimidine ring of a 2-phenylpyrimidine ligand.
  • Non-Patent Document 2 discloses an iridium complex in which a phenyl group or a thienyl group is introduced at the 5-position of the pyrimidine ring of a 2-phenylpyrimidine ligand (for example, formula (B)).
  • the emission wavelength of these iridium complexes is 522 to 558 nm, and the emission color is limited to the green to orange region.
  • the luminescence quantum yield of these iridium complexes in toluene is 0.052 to 0.34, which still has a low problem.
  • Patent Document 7 discloses an iridium complex (formula (C)) in which a methyl group is introduced at the 4-position of the pyrimidine ring of a 2-phenylpyrimidine ligand.
  • iridium complex formula (C)
  • isomers may be generated depending on the coordination mode to iridium (see the figure below), and it is difficult to synthesize the target iridium complex with high purity. is there.
  • mixing of various isomers may adversely affect the light emitting element.
  • phosphorescent materials exhibiting a high emission quantum yield in the solid state are preferable. Further, when these phosphorescent materials are formed by a coating method, they are soluble in a solvent. There is a strong demand for high phosphorescent materials.
  • the 2-phenylpyrimidine-based iridium complexes described in Patent Documents 1 to 7 and Non-Patent Documents 1 to 3 still have room for improvement from the above viewpoint. In such a technical background, a search for a new phosphorescent material has been carried out. However, it has 2 to 30 carbon atoms which may have a substituent at the 5-position of the pyrimidine ring of the 2-phenylpyrimidine ligand. There is no description about the light emission characteristics of the iridium complex having an alkyl group introduced therein or the characteristics of a light emitting device using the same.
  • Patent Publication 2001-247859 Patent Publication 2003-81988 Patent Publication 2006-8688 Patent Publication 2008-74921
  • An object of the present invention is to provide a light-emitting element that can emit light with high brightness and high efficiency and has excellent durability, and can be used for the light-emitting element.
  • Organic electroluminescent element material, electrochemiluminescence (ECL) element material, light-emitting sensor, oxygen sensor Applicable to sensors, photosensitizers, displays, photographic materials, laser dyes, dyes for color filters, optical communications, color conversion filters, backlights, lighting, photosensitizer dyes, luminescent probes for cell imaging, various light sources, etc. It is to provide a novel iridium complex that can be produced.
  • the new iridium complex represented by the general formula (1) or (2) is more than the conventional compound in which no substituent is introduced into Ra. It is very stable thermally, has excellent luminescent properties especially in the solid state in the visible light region, has high solubility in solvents and excellent workability, and is useful as a luminescent material for various applications.
  • the headline and the present invention have been completed.
  • N represents a nitrogen atom.
  • R a represents an optionally substituted alkyl group having 2 to 30 carbon atoms.
  • R 1 to R 4 each independently represents a hydrogen atom. Or an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms which may have a substituent, an aryl group having 6 to 60 carbon atoms which may have a substituent, and an alkenyl having 2 to 30 carbon atoms which may have a substituent.
  • a heterocyclic oxy group having 1 to 60 carbon atoms, an optionally substituted heterocyclic thio group having 1 to 60 carbon atoms, acyl group, acyloxy group, amide group, acid imide group, imine residue, substituted silyl group, substituted silyloxy group Represents a group, a substituted silylthio group, a substituted silylamino group, a halogen atom, a cyano group, a carboxyl group, or a trifluoromethyl group, and adjacent substituents may combine to form a ring structure.
  • N represents a nitrogen atom.
  • M represents an integer of 1 to 3.
  • n represents an integer of 0 to 2.
  • m + n 3.
  • R a has a substituent. Represents an alkyl group having 2 to 30 carbon atoms, and each of R 1 to R 4 independently has a hydrogen atom or an optionally substituted alkyl group or substituent having 1 to 30 carbon atoms.
  • L represents a bidentate ligand, and adjacent substituents may combine to form a ring structure.
  • R 5 to R 76 may each independently have a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, which may have a substituent, or a substituent.
  • It may have an amino group having 0 to 30 carbon atoms, a heterocyclic group having 1 to 60 carbon atoms which may have a substituent, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms which may have a substituent, or a substituent.
  • R 1 is a hydrogen atom or a fluorine atom.
  • R 3 is a fluorine atom.
  • R 1 to R 4 is substituted with at least one dendron.
  • R a is an alkyl group having 2 to 30 carbon atoms.
  • R a is an n-decyl group.
  • the light-emitting element using the compound is a display element, a display, a backlight, an electrophotography, an illumination light source. It is suitable for fields such as a recording light source, an exposure light source, a reading light source, a sign, a signboard, and an interior.
  • the iridium complex of the present invention is also applicable to medical applications, oxygen sensors, photographic materials, UV absorbing materials, laser dyes, color filter dyes, color conversion filters, cell imaging luminescent probes, optical communications, and the like. .
  • the iridium complex according to the present invention has a partial structure represented by the general formula (1), preferably represented by the general formula (2), and the iridium complex includes a light emitting layer or a plurality of light emitting layers including a light emitting layer. By including it in the organic compound layer, a light-emitting element exhibiting excellent light emission in the visible light region can be obtained.
  • the iridium complex according to the present invention is characterized by having a 2-phenylpyrimidine-based ligand having a specific structure.
  • the present inventors introduce an alkyl group having 2 to 30 carbon atoms, which may have a substituent, into R a described in the general formula (1) or (2), the thermal stability of the iridium complex is increased. In particular, it has been found that the emission quantum yield in the solid state is greatly improved.
  • the iridium complex of the present invention efficiently emits phosphorescence in the visible light region.
  • the iridium complex according to the present invention may contain an isomer (for example, a facial isomer, a meridional isomer, an isomer described in JP-A-2006-278781, or JP-A-2008-288254, etc.).
  • an isomer for example, a facial isomer, a meridional isomer, an isomer described in JP-A-2006-278781, or JP-A-2008-288254, etc.
  • the iridium complex according to the present invention is neutral or ionic, more preferably neutral or cationic, and particularly preferably a neutral iridium complex.
  • the emission quantum yield in a room temperature solution (under air, under an inert gas atmosphere or under deaeration, preferably under an inert gas atmosphere or under deaeration) is 0.01 or more.
  • the emission quantum yield in the solid state is preferably 0.01 or more, more preferably 0.05 or more, particularly preferably 0.1 or more, 0 .3 or more is most preferable.
  • the light emission quantum yield in the solid state is a value obtained by measuring emission by directly irradiating the solid state iridium complex with excitation light without doping the host material or the like.
  • the measurement of the luminescence quantum yield in the solution is performed after passing an inert gas (argon gas, nitrogen gas) through the solution in which the iridium complex is dissolved, or the solution in which the iridium complex is dissolved. This should be done after freezing and degassing.
  • an inert gas argon gas, nitrogen gas
  • the luminescence quantum yield can be measured by comparing the emission spectrum with a standard substance (such as quinine sulfate).
  • the absolute method it is possible to measure the luminescence quantum yield in a solution or in a solid state by using a commercially available device (Absolute PL quantum yield measuring device (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.).
  • a commercially available device Absolute PL quantum yield measuring device (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.
  • the luminescence quantum yield in a solution can be measured using various solvents
  • the iridium complex according to the present invention only needs to achieve the luminescence quantum yield in any solvent.
  • the emission maximum wavelength of the emission spectrum in solution or in a solid state is preferably in the range of 300 nm to 900 nm, and more preferably in the range of 400 nm to 800 nm.
  • the valence of iridium is preferably trivalent or tetravalent, and more preferably trivalent.
  • M represents an integer of 1 to 3
  • n represents an integer of 0 to 2
  • m + n 3.
  • Q represents a counter ion.
  • counter ion for example, alkali metal ions, alkaline earth metal ions, halogen ions, perchlorate ion, PF 6 ion, an ammonium ion, CF 3 CF 2 CF 2 COO ion, SbF 6 ion, Dicyanamide ion, bis (trifluoromethanesulfonyl) amide ion, borate ion, trifluoroacetate ion, trifluoromethanesulfonate ion, phosphonium ion or tetrakis [3,5-bis (trifluoromethyl) phenyl] borate ion, Preferably halogen ion, perchlorate ion, PF 6 ion, CF 3 CF 2 CF 2 COO ion, SbF 6 ion, dicyanamide ion, bis (trifluoromethanesulfonyl
  • K represents an integer of 0-2. k is preferably 0 or 1, more preferably 0.
  • L is a bidentate ligand, preferably a neutral bidentate ligand or an anionic bidentate ligand, more preferably an anionic bidentate ligand, and particularly preferably a monoanionic bidentate ligand.
  • L is a bidentate ligand that forms an Ir-nitrogen bond and an Ir-carbon bond; a bidentate ligand that forms an Ir-nitrogen bond and an Ir-oxygen bond; and two that form two Ir-oxygen bonds.
  • a bidentate ligand or a bidentate ligand that forms two Ir-nitrogen bonds is preferable.
  • bidentate ligands that form Ir-nitrogen bonds and Ir-carbon bonds include 2-phenylpyridine derivatives, 2-phenylpyrimidine derivatives, 2-phenylquinoline derivatives, 1-phenylisoquinoline derivatives, 3-phenylisoquinoline.
  • Patent Publication 2005-78996 Patent Publication 2005-68110, Patent Publication 2005-60374, Patent Publication 2005-44802, Patent Publication 2005-29785, Patent Publication 2005-104843, Patent Publication 2005 No. 97549, Japanese Patent Publication No. 2005-220136, Japanese Patent Publication No. 2005-213348, Japanese Patent Publication No. 2005-170836, Japanese Patent Publication No. 2005-163036, Japanese Patent Publication No. 2005-154396, Japanese Patent Publication No. 2005-27241. No. 1, Patent Publication No. 2005-327526, Patent Publication No. 2005-325048, Patent Publication No. 2005-314663, Patent Publication No. 2006-13222, Patent Publication No. 2006-8688, Patent Publication No. 2006-80419, Patent Publication No.
  • Tables 1 and 2 Examples of structural formulas of bidentate ligands that form Ir-nitrogen bonds and Ir-carbon bonds are shown in Tables 1 and 2, but the present invention is not limited thereto.
  • R represents a hydrogen atom or a substituent, and a desirable range is the same as R 1 to R 76 described later.
  • Examples of the bidentate ligand that forms an Ir-nitrogen bond and an Ir-oxygen bond include a picolinic acid derivative, a pyridinesulfonic acid derivative, a quinolinesulfonic acid derivative, and a quinolinecarboxylic acid derivative, and a picolinic acid derivative is preferable.
  • Examples of the bidentate ligand that forms two Ir-oxygen bonds include ⁇ -diketone derivatives, carboxylic acid derivatives, and tropolone derivatives, and ⁇ -diketone derivatives are preferable. Specific examples include Patent Publication No. 2005-35902, Patent Publication No. 2004-349224, Patent Publication No. 2006-28101, and Patent Publication No. 2005-29785.
  • bidentate ligands that form two Ir-nitrogen bonds include 2,2′-bipyridine derivatives, 1,10-phenanthroline derivatives, 2,2′-biquinoline derivatives, and 2,2′-dipyridylamine derivatives.
  • a particularly preferable structure as L is represented by general formulas (3) to (11). That is, the monoanionic bidentate ligands are (3) to (6), (10), and (11), and the neutral bidentate ligands are (7) to (9).
  • R a is an optionally substituted alkyl group having 2 to 30 carbon atoms (preferably having 2 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 20 carbon atoms, particularly preferably 5 to 20 carbon atoms, most preferably Has 10 to 20 carbon atoms).
  • R a will be specifically described below.
  • alkyl group which may have a substituent include, for example, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, s-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, n-pentyl group, and n-hexyl.
  • R 1 to R 76 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms which may have a substituent (preferably 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, particularly preferably Has 1 to 10 carbon atoms, most preferably 1 to 5 carbon atoms, and an optionally substituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms (preferably 6 to 30 carbon atoms, more preferably carbon atoms).
  • an optionally substituted heterocyclic group having 1 to 60 carbon atoms (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms). Particularly preferably having 1 to 12 carbon atoms), an optionally substituted alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms or an alkylthio group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably having 1 to 20 carbon atoms, Particularly preferably, it has 1 to 10 carbon atoms), an aryloxy group or arylthio group having 6 to 60 carbon atoms which may have a substituent (preferably 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms, Particularly preferably, the number of carbon atoms is 6 to 5 and most preferably 6 to 12 carbon atoms), an optionally substituted heterocyclic oxy group or heterocyclic thio group having 1 to 60 carbon atoms (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably Has 1 to 20 carbon atoms, particularly
  • Examples of the alkyl group having 1 to 30 carbon atoms which may have a substituent include a methyl group which may have a substituent and a substituent having 2 to 10 carbon atoms which may have a substituent exemplified in the description of Ra. 30 alkyl groups and the like.
  • Examples of the aryl group having 6 to 60 carbon atoms which may have a substituent include a phenyl group, a biphenyl-2-yl group, a biphenyl-3-yl group, a biphenyl-4-yl group, and a p-terphenyl- group.
  • a phenyl group a biphenyl-2-yl group, a biphenyl-3-yl group, a biphenyl-4-yl group, an m-terphenyl-4-yl group, m-terphenyl-3-yl group, m-terphenyl-2-yl group, p-tolyl group, 3,4-xylyl group, m-quaterphenyl-2-yl group, particularly preferably phenyl group,
  • aryl groups may have a substituent, and other examples include a dendron residue represented by the following formula described in JP-A No. 2009-149617.
  • R e represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, and some of these substituents may be substituted with a halogen atom.
  • a plurality of R e may be the same or different, but at least one of R e is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms.
  • R f represents a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. A plurality of R f may be the same or different. * Represents a binding site with R 1 to R 76 .
  • alkynyl groups also include diynyl groups such as 1,3-butadiynyl groups.
  • amino group which may have a substituent examples include an amino group, dibenzylamino group, ditolylamino group, methylamino group, dimethylamino group, ethylamino group, diethylamino group, n-propylamino group, and di-n-propyl group.
  • Amino group isopropylamino group, diisopropylamino group, n-butylamino group, s-butylamino group, isobutylamino group, t-butylamino group, n-pentylamino group, n-hexylamino group, cyclohexylamino group, n -Heptylamino group, n-octylamino group, 2-ethylhexylamino group, n-nonylamino group, n-decylamino group, 3,7-dimethyloctylamino group, n-laurylamino group, cyclopentylamino group, dicyclopentylamino group Cyclohexylamino group, dicyclohexylamino group, Lysinyl group, a piperidinyl group, ditrifluoromethylamino group, phenylamino group
  • 2-pyridinyl group 1-indolidinyl group, 2-indolidinyl group, 3-indolidinyl group, 5-indolidinyl group, 6-indolidinyl group, 7-indolidinyl group, 8-indolidinyl group, 2-imidazopyr are preferable.
  • the alkoxy group or alkylthio group which may have a substituent is a group represented by —OY or —SY.
  • Y include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, and n-butyl.
  • the aryloxy group or arylthio group which may have a substituent is a group represented by —OZ or —SZ.
  • Z include a phenyl group, a C 1 -C 12 alkoxyphenyl group, C 1 -C 12 alkylphenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, and pentafluorophenyl group.
  • An example of an aryloxy group which may have a substituent is a dendron residue of the following formula described in JP-A No. 2009-149617.
  • R e represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, and some of these substituents may be substituted with a halogen atom.
  • a plurality of R e may be the same or different, but at least one of R e is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms.
  • * represents a binding site with R 1 to R 76 .
  • heterocyclic oxy group or heterocyclic thio group which may have a substituent is a group represented by —OHet or —SHet.
  • Het include thienyl group, C 1 -C 12 alkoxythienyl group.
  • C 1 ⁇ C 12 alkyl thienyl group a pyrrolyl group, C 1 ⁇ C 12 alkoxy pyrrolyl group, C 1 ⁇ C 12 alkyl pyrrolyl group, a furyl group, C 1 ⁇ C 12 alkoxy furyl group, and C 1 ⁇ C 12 alkylfuryl group, pyridinyl group, C 1 -C 12 alkoxypyridinyl group, C 1 -C 12 alkylpyridinyl group, piperidinyl group, C 1 -C 12 alkoxypiperidinyl group, C 1 -C 12 alkyl Examples include a piperidinyl group, a quinolyl group, and an isoquinolyl group. Of these, C 1 -C 12 alkoxypyridinyl groups and C 1 -C 12 alkylpyridinyl groups are preferred.
  • the carbon number of the acyl group is usually about 2 to 20, and preferably 2 to 18.
  • Specific examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, a butyryl group, an isobutyryl group, a pivaloyl group, a benzoyl group, a trifluoroacetyl group, and a pentafluorobenzoyl group.
  • the carbon number of the acyloxy group is usually about 2 to 20, and preferably 2 to 18.
  • Specific examples of the acyloxy group include an acetoxy group, propionyloxy group, butyryloxy group, isobutyryloxy group, pivaloyloxy group, benzoyloxy group, trifluoroacetyloxy group, and pentafluorobenzoyloxy group.
  • substituted silyl group examples include, for example, a substituted silyl moiety such as a triethylsilyl group, a triisopropylsilyl group, a t-butyldimethylsilyl group, and a t-butyldiphenyl group.
  • a substituted silyl moiety such as a triethylsilyl group, a triisopropylsilyl group, a t-butyldimethylsilyl group, and a t-butyldiphenyl group.
  • the thing which is a silyl group etc. is mentioned.
  • the alkyl group of R a and the alkyl group, aryl group, alkenyl group, alkynyl group, amino group, heterocyclic group, alkoxy group, alkylthio group, aryloxy group, arylthio group, heterocyclic oxy of R 1 to R 76
  • Groups and substituents that the heterocyclic thio group may have include, in addition to those described above, alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl, and t-butyl groups, benzyl groups, and phenethyl groups.
  • Aralkyl groups such as methoxyl group, ethoxyl group and propoxyl group, aryl groups such as phenyl group and biphenyl group, heterocyclic groups such as thienyl group, pyrrolyl group and pyridinyl group, and aryloxyl such as phenoxyl group Group, dimethylamino group, diethylamino group, dibenzylamino group, diphenylamino group, ditolylamino group And amino groups such as dianisolylamino group, cyano group and the like.
  • R 1 to R 76 will be described more specifically.
  • R 1 is more preferably a hydrogen atom, a halogen atom, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms which may have a substituent, or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent.
  • a hydrogen atom, a fluorine atom, an aryl group having 6 to 12 carbon atoms which may have a substituent, or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may have a substituent is particularly preferable. Atoms are most preferred.
  • R 2 among the above, a hydrogen atom, a halogen atom, a trifluoromethyl group, a cyano group, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms which may have a substituent, or a carbon number which may have a substituent
  • An alkyl group having 1 to 20 carbon atoms is more preferable, and a hydrogen atom, a trifluoromethyl group, an aryl group having 6 to 12 carbon atoms which may have a substituent, or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may have a substituent.
  • Alkyl groups are particularly preferred.
  • R 3 is more preferably a hydrogen atom, a halogen atom, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms which may have a substituent, or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent.
  • a hydrogen atom, a fluorine atom, an optionally substituted aryl group having 6 to 12 carbon atoms, or an optionally substituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is particularly preferable.
  • R 4 is more preferably a hydrogen atom, a trifluoromethyl group, or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may have a substituent, and a hydrogen atom or a carbon which may have a substituent.
  • An alkyl group of 1 to 5 is particularly preferable, and a hydrogen atom is most preferable.
  • R 13 and R 15 among these, a trifluoromethyl group, an aryl group having 6 to 12 carbon atoms which may have a substituent, and an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may have a substituent may be used. More preferably, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms which may have a substituent is particularly preferable, and an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms which may have a substituent is most preferable.
  • R 14 and R 20 to R 31 are more preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may have a substituent, and the number of carbon atoms which may have a hydrogen atom or a substituent.
  • An alkyl group of 1 to 5 is particularly preferred, and a hydrogen atom is most preferred.
  • R 52 includes a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms which may have a substituent, or a substituent. More preferably a heterocyclic group having 1 to 20 carbon atoms which may have a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may have a substituent, or 6 to 6 carbon atoms which may have a substituent. Twelve aryl groups are particularly preferred.
  • R 5 to R 12 , R 16 to R 19 , R 32 to R 51 , R 53 to R 58 , R 60 to R 62 , R 64 to R 76 are hydrogen atom, halogen atom, trifluoromethyl among the above.
  • a preferable heterocyclic group having 1 to 20 carbon atoms is more preferable, and a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may have a substituent, or an aryl having 6 to 12 carbon atoms which may have a substituent.
  • the group is particularly preferred.
  • R 59 and R 63 have a hydrogen atom, a halogen atom, a trifluoromethyl group, a cyano group, a carboxyl group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent, or a substituent among the above.
  • An aryl group having 6 to 30 carbon atoms which may be substituted, or a heterocyclic group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent is more preferable, and a hydrogen atom and a carbon group having 1 to 10 which may have a substituent are preferred.
  • R 1 to R 76 are preferably bonded to each other to form a saturated or unsaturated carbocyclic ring or a saturated or unsaturated heterocyclic ring.
  • R 1 to R 3 are bonded to form a naphthalene skeleton or an acenaphthene skeleton as represented by the following formula.
  • R b is a hydrogen atom or a substituent, and the desired range is the same as R 1 to R 76 .
  • R 2 is an aryl group which may have a substituent
  • Patent Publication No. 2005-521210, Patent Publication No. 2005-537321, Patent Publication No. 2005-537354, Japanese Patent Laid-Open No. 2008-174499, Patent Publication No. 2008-538742 It is also preferable to adopt a dendrimer structure as described in JP-A-2009-149617.
  • the iridium complex according to the present invention exhibits a high emission quantum yield particularly in the solid state.
  • the inventor reduced the influence of concentration quenching by introducing an alkyl group having 2 to 30 carbon atoms which may have a substituent at a specific position Ra , and strongly emitted light even in the solid state. I guess it was supposed to be.
  • the emission wavelength can be adjusted by changing L.
  • L is considered not to directly contribute to the light emission characteristics of metal complexes but to be able to slightly change the light emission characteristics, and is called an auxiliary ligand (see, for example, Patent Publication 2006-513278). ).
  • the 2-phenylpyrimidine ligand described in the general formula (1) or (2) mainly contributes to the light emission characteristics of the iridium complex of the present invention as described above. Therefore, by combining the bidentate ligand with a conventionally known auxiliary ligand described in the past literature, the emission wavelength can be changed according to the application.
  • the emission wavelength of the metal complex of the present invention can be controlled by a method of introducing a substituent into R 1 to R 4 .
  • a fluorine atom is introduced into R 1 or R 3
  • light emission is shifted by a short wavelength.
  • a trifluoromethyl group is introduced into R 2 or R 4
  • light emission is shifted by a short wavelength.
  • These iridium complexes can be suitably used as a blue light emitting material.
  • an aryl group is introduced into R 2 or R 3 , light emission is shifted by a long wavelength.
  • iridium complexes represented by the general formula (1) iridium complexes represented by the general formulas (12) to (20) are particularly preferable.
  • the iridium complex represented by the general formula (2) preferably has the iridium complex represented by the general formulas (12) to (20) as a partial structure.
  • R c is a hydrogen atom or a substituent, and R 1 to R 76 have the same desirable range.
  • the heating means is not particularly limited, but it is also preferable to irradiate microwaves in order to facilitate the reaction.
  • the wavelength of the microwave is not particularly limited, but is 2000 to 3000 MHz, preferably 2400 to 2500 MHz.
  • As the microwave oscillation apparatus all commercially available reaction apparatuses for organic synthesis can be applied. Moreover, you may use an oil bath, a mantle heater, etc. as a heating means.
  • reaction solvent in order to further smoothly proceed the reaction for synthesizing the iridium complex according to the present invention.
  • a solvent An alcohol solvent, a protic solvent, an aprotic solvent, a nitrile solvent etc. are used preferably.
  • the reaction temperature, reaction pressure, and reaction time vary depending on the raw materials and solvents used, the reaction temperature is usually 40 to 250 ° C., preferably 50 to 230 ° C., more preferably 60 to 220 ° C., and the reaction pressure is 1 to 30 atm, preferably 1 to 5 atm.
  • the iridium complex according to the present invention can be provided after being treated according to the post-treatment of a normal synthesis reaction, and if necessary, with or without purification.
  • a post-treatment method for example, extraction, cooling, crystallization by adding water or an organic solvent, an operation of distilling off the solvent from the reaction mixture, and the like can be performed alone or in combination.
  • a purification method recrystallization, distillation, sublimation, column chromatography or the like can be performed alone or in combination.
  • Tables 11 and 12 show the compounds (A) to (P) and (A-1) to (P-1) described in the examples.
  • Example 1 (Synthesis of the present compound (47)) ⁇ Step 1 Synthesis of Compound A> 2.89 g of 2-chloro-5-n-decylpyrimidine, 2.65 g of 2,4-difluorophenylboronic acid, 35 mL of 1,2-dimethoxyethane, and 42 ml of a 2M aqueous solution of potassium carbonate were placed in a two-necked flask. . After argon gas was bubbled through this solution for 20 minutes, 0.88 g of tetrakistriphenylphosphine (0) palladium complex was added. This solution was heated to reflux for 16 hours under an argon atmosphere using an oil bath.
  • Example 2 (Synthesis of Compound (75) of the present invention) ⁇ Step 1 Synthesis of Compound B> 2.5 g of 2-chloro-5-n-decylpyrimidine, 2.24 g of 4-fluoro-3- (trifluoromethyl) phenylboronic acid, 22 mL of 1,2-dimethoxyethane, and 26 mL of a 2M aqueous solution of potassium carbonate Placed in a two-necked flask. After argon gas was bubbled through this solution for 20 minutes, 0.57 g of tetrakistriphenylphosphine (0) palladium complex was added. This solution was heated to reflux for 14 hours under an argon atmosphere using an oil bath.
  • Example 3 (Synthesis of the present compound (43)) ⁇ Step 1 Synthesis of Compound C> A 2-necked flask was charged with 2.5 g of 2-chloro-5-n-decylpyrimidine, 2.14 g of 3-biphenylboronic acid, 22 mL of 1,2-dimethoxyethane, and 27 mL of a 2M aqueous solution of potassium carbonate. After argon gas was bubbled through this solution for 20 minutes, 0.57 g of tetrakistriphenylphosphine (0) palladium complex was added. This solution was heated to reflux for 14 hours under an argon atmosphere using an oil bath.
  • Step 3 Synthesis of Compound (43) of the Present Invention> 600 mg of compound (C-1), 310 mg of acetylacetone, 328 mg of sodium carbonate, and 300 ml of 2-ethoxyethanol were reacted at 100 ° C. for 16 hours in an argon atmosphere. After the reaction solution was cooled to room temperature, the solvent was concentrated under reduced pressure to obtain a solid. This solid was separated and purified by silica gel chromatography (eluent: mixed solvent of dichloromethane and hexane) to give the compound (43) of the present invention in an isolated yield of 23%. 1 H-NMR data of the compound (43) of the present invention are shown below.
  • Example 4 (Synthesis of the present compound (39)) ⁇ Step 1 Synthesis of Compound D> Two-necked flask was charged with 1.5 g of 2-chloro-5-n-decylpyrimidine, 1.15 g of mt-butylphenylboronic acid, 13 mL of 1,2-dimethoxyethane, and 16 ml of a 2M aqueous solution of potassium carbonate. . After argon gas was bubbled through this solution for 20 minutes, 0.45 g of tetrakistriphenylphosphine (0) palladium complex was added. This solution was heated to reflux for 14 hours under an argon atmosphere using an oil bath.
  • Step 3 Synthesis of the present compound (39)> 300 mg of the compound (D-1), 161 mg of acetylacetone, 171 mg of sodium carbonate, and 150 ml of 2-ethoxyethanol were reacted at 100 ° C. for 16 hours in an argon atmosphere. After the reaction solution was cooled to room temperature, the solvent was concentrated under reduced pressure to obtain a solid. This solid was separated and purified by silica gel chromatography (eluent: mixed solvent of dichloromethane and hexane) to give the compound (39) of the present invention in an isolated yield of 46%. 1 H-NMR data of the compound (39) of the present invention are shown below.
  • Example 5 (Synthesis of the present compound (36)) ⁇ Step 1 Synthesis of Compound E> 2-Chloro-5-ethylpyrimidine (5 g), 4-tert-butylphenylboronic acid (6.87 g), 1,2-dimethoxyethane (40 mL), and a 2 M aqueous solution of potassium carbonate (48 mL) were placed in a two-necked flask. After argon gas was bubbled through this solution for 20 minutes, 2.0 g of tetrakistriphenylphosphine (0) palladium complex was added. This solution was heated to reflux for 16 hours under an argon atmosphere using an oil bath.
  • Example 6 (Synthesis of the present compound (76)) ⁇ Step 1 Synthesis of Compound F> 10 g of 2-chloro-5-ethylpyrimidine, 12.2 g of 2,4-difluorophenylboronic acid, 80 mL of 1,2-dimethoxyethane, and 96 ml of a 2M aqueous solution of potassium carbonate were placed in a two-necked flask. After argon gas was bubbled through this solution for 20 minutes, 4.1 g of tetrakistriphenylphosphine (0) palladium complex was added. This solution was heated to reflux for 16 hours under an argon atmosphere using an oil bath.
  • Example 7 (Synthesis of the present compound (53)) ⁇ Step 1 Synthesis of Compound G> A 2-necked flask was charged with 1.5 g of 2-chloro-5-n-decylpyrimidine, 1.28 g of acenaphthene-5-boronic acid, 13 mL of 1,2-dimethoxyethane, and 16 mL of a 2M aqueous solution of potassium carbonate. After argon gas was bubbled through this solution for 20 minutes, 0.34 g of tetrakistriphenylphosphine (0) palladium complex was added. This solution was heated to reflux for 12 hours under an argon atmosphere using an oil bath.
  • Step 2 Synthesis of Compound (G-1)> 500 mg of iridium trichloride n-hydrate, 1.11 g of compound G, 40 ml of 2-ethoxyethanol and 14 ml of water were placed in a two-necked flask and heated to reflux for 12 hours under an argon atmosphere. The reaction solution was cooled to room temperature, water was added, and the resulting solid was filtered to obtain compound (G-1). The isolation yield was 74%.
  • Example 8 (Synthesis of the present compound (12)) 500 mg of compound (A-1), 152 mg of AgCF 3 SO 3 and 250 ml of acetonitrile were heated to reflux for 16 hours under an argon atmosphere. The reaction solution was cooled to room temperature, filtered through a celite layer, the filtrate was concentrated under reduced pressure, and a saturated aqueous NH 4 PF 6 solution was added. The precipitated solid was filtered to obtain an intermediate. Subsequently, 250 mg of this intermediate, 154 mg of compound (A), and 10 ml of ethylene glycol were reacted by heating at 190 ° C. for 16 hours in an argon atmosphere.
  • Example 9 (Synthesis of Compound (82) of the present invention) 111 mg of compound (A-1), 45 mg of sodium picolinate, and 40 ml of 2-ethoxyethanol were placed in an eggplant flask, and irradiated with microwaves (2450 MHz) for 10 minutes in an argon atmosphere. After the reaction solution was cooled to room temperature, the solvent was concentrated under reduced pressure to obtain a solid. This solid was recrystallized from dichloromethane-hexane to obtain the compound (82) of the present invention. The isolation yield was 74%. 1 H-NMR data of the compound (82) of the present invention are shown below.
  • Example 10 (Synthesis of Compound (111) of the present invention) 90 mg of compound (A-1), 29 mg of 2,2′-dipyridylamine, and 30 ml of 2-ethoxyethanol were placed in an eggplant flask and irradiated with microwaves (2450 MHz) for 5 minutes in an argon atmosphere. After the reaction solution was cooled to room temperature, the solvent was concentrated under reduced pressure, and a saturated aqueous solution of NH 4 PF 6 was added to obtain a solid. This solid was recrystallized from dichloromethane and hexane to obtain the compound (111) of the present invention in an isolated yield of 69%.
  • Example 11 (Synthesis of the present compound (113)) 90 mg of compound (A-1), 26 mg of 2,2′-bipyridine and 30 ml of 2-ethoxyethanol were placed in an eggplant flask, and irradiated with microwaves (2450 MHz) for 5 minutes in an argon atmosphere. After the reaction solution was cooled to room temperature, the solvent was concentrated under reduced pressure, and a saturated aqueous solution of NH 4 PF 6 was added to obtain a solid. This solid was recrystallized from dichloromethane and hexane to obtain the compound (113) of the present invention in an isolated yield of 72%. 1 H-NMR data of the compound (113) of the present invention are shown below.
  • Example 12 (Synthesis of the present compound (41)) ⁇ Step 1 Synthesis of Compound H> 2 g of 2-chloro-5-n-propylpyrimidine, 4.17 g of 3-biphenylboronic acid, 19 mL of 1,2-dimethoxyethane, and 23 ml of a 2M aqueous solution of potassium carbonate were placed in a two-necked flask. After argon gas was bubbled through this solution for 20 minutes, 1.11 g of tetrakistriphenylphosphine (0) palladium complex was added. This solution was heated to reflux for 14 hours under an argon atmosphere using an oil bath.
  • Step 3 Synthesis of Compound (41) of the Present Invention> 390 mg of compound (H-1), 252 mg of acetylacetone, 267 mg of sodium carbonate, and 150 ml of 2-ethoxyethanol were reacted at 100 ° C. for 16 hours in an argon atmosphere. After the reaction solution was cooled to room temperature, the solvent was concentrated under reduced pressure to obtain a solid. This solid was separated and purified by silica gel chromatography (eluent: mixed solvent of dichloromethane and hexane) to obtain the compound (41) of the present invention in an isolated yield of 53%. 1 H-NMR data of the compound (41) of the present invention are shown below.
  • Example 13 (Synthesis of the present compound (42)) ⁇ Step 1 Synthesis of Compound I> 2 g of 2-chloro-5-n-pentylpyrimidine, 3.54 g of 3-biphenylboronic acid, 19 mL of 1,2-dimethoxyethane, and 23 ml of a 2M aqueous solution of potassium carbonate were placed in a two-necked flask. After argon gas was bubbled through this solution for 20 minutes, 0.939 g of tetrakistriphenylphosphine (0) palladium complex was added. This solution was heated to reflux for 14 hours under an argon atmosphere using an oil bath.
  • Step 2 Synthesis of Compound (I-1)> 500 mg of iridium trichloride n-hydrate, 901 mg of compound I, 40 ml of 2-ethoxyethanol, and 14 ml of water were placed in a two-necked flask and heated under reflux for 14 hours under an argon atmosphere. The reaction solution was cooled to room temperature, water was added, and the resulting solid was filtered to obtain compound (I-1). The isolation yield was 72%.
  • the 1 H-NMR data of compound (I-1) is shown below. 1 H-NMR (400 MHz / CDCL 3 ): ⁇ 9.26 (d, 4H), 8.71 (d, 4H), 8.19 (d, 4H), 7.50 (d, 8H), 7.
  • Step 3 Synthesis of the present compound (42)> 378 mg of compound (I-1), 228 mg of acetylacetone, 241 mg of sodium carbonate, and 150 ml of 2-ethoxyethanol were reacted at 100 ° C. for 16 hours in an argon atmosphere. After the reaction solution was cooled to room temperature, the solvent was concentrated under reduced pressure to obtain a solid. This solid was separated and purified by silica gel chromatography (eluent: mixed solvent of dichloromethane and hexane) to give the compound (42) of the present invention in an isolated yield of 48%. 1 H-NMR data of the compound (42) of the present invention are shown below.
  • Example 14 (Synthesis of Compound (124) of the present invention) 500 mg of compound (A-1), 152 mg of AgCF 3 SO 3 and 250 ml of acetonitrile were heated to reflux for 16 hours under an argon atmosphere. The reaction solution was cooled to room temperature, filtered through a celite layer, the filtrate was concentrated under reduced pressure, and a saturated aqueous NH 4 PF 6 solution was added. The precipitated solid was filtered to obtain an intermediate. Subsequently, 450 mg of this intermediate, 265 mg of tetrakis (1-pyrazolyl) borate potassium salt, and 150 ml of acetonitrile were heated to reflux for 72 hours under an argon atmosphere.
  • Example 15 (Synthesis of Compound (1) of the present invention) ⁇ Step 1 Synthesis of Compound J> 2 g of 2-chloro-5-ethylpyrimidine, 2.82 g of phenylboronic acid, 30 mL of 1,2-dimethoxyethane, and 25 mL of a 2M aqueous solution of potassium carbonate were placed in a two-necked flask. After argon gas was bubbled through this solution for 20 minutes, 1.22 g of tetrakistriphenylphosphine (0) palladium complex was added. This solution was heated to reflux for 52.5 hours under an argon atmosphere using an oil bath.
  • Example 16 (Synthesis of the present compound (91)) 300 mg of compound (A-1), 151 mg of 5-butylpicolinic acid, 178 mg of sodium carbonate, and 100 ml of 2-ethoxyethanol were placed in an eggplant flask and irradiated with microwaves (2450 MHz) for 10 minutes in an argon atmosphere. After the reaction solution was cooled to room temperature, the solvent was concentrated under reduced pressure to obtain a solid. This solid was recrystallized from dichloromethane-hexane to obtain the compound (91) of the present invention. The isolation yield was 70%. 1 H-NMR data of the compound (91) of the present invention are shown below.
  • Example 17 (Synthesis of Compound (92) of the present invention) ⁇ Step 1 Synthesis of Compound K> 5 g of 2-chloro-5-n-heptylpyrimidine, 4.08 g of 2,4-difluorophenylboronic acid, 53 mL of 1,2-dimethoxyethane, and 64 ml of a 2M aqueous solution of potassium carbonate were placed in a two-necked flask. After argon gas was bubbled through this solution for 20 minutes, 1.36 g of tetrakistriphenylphosphine (0) palladium complex was added. This solution was heated to reflux for 16 hours under an argon atmosphere using an oil bath.
  • Step 2 Synthesis of Compound (K-1)> 500 mg of iridium trichloride n-hydrate, 865 mg of compound K, 20 ml of 2-ethoxyethanol and 7 ml of water were placed in a two-necked flask and heated to reflux for 12.5 hours under an argon atmosphere. After the reaction solution was cooled to room temperature, water was added and the resulting solid was filtered and recrystallized from dichloromethane-hexane to obtain compound (K-1). The isolation yield was 71%.
  • the 1 H-NMR data of compound (K-1) are shown below.
  • Step 3 Synthesis of Compound (92) of the Present Invention> 500 mg of compound (K-1), 225 mg of sodium picolinate, and 120 ml of 2-ethoxyethanol were placed in an eggplant flask, and irradiated with microwaves (2450 MHz) for 10 minutes in an argon atmosphere. After the reaction solution was cooled to room temperature, the solvent was concentrated under reduced pressure to obtain a solid. This solid was recrystallized from dichloromethane-hexane to obtain the compound (92) of the present invention. The isolation yield was 81%. 1 H-NMR data of the compound (92) of the present invention are shown below.
  • Example 18 (Synthesis of the present compound (93)) ⁇ Step 1 Synthesis of Compound L> 2 g of 2-chloro-5-n-pentylpyrimidine, 1.88 g of 2,4-difluorophenylboronic acid, 25 mL of 1,2-dimethoxyethane, and 30 mL of a 2M aqueous solution of potassium carbonate were placed in a two-necked flask. After argon gas was bubbled through this solution for 20 minutes, 625 mg of tetrakistriphenylphosphine (0) palladium complex was added. This solution was heated to reflux for 16 hours under an argon atmosphere using an oil bath.
  • Step 3 Synthesis of the present compound (93)> 300 mg of compound (L-1), 830 mg of sodium picolinate, and 40 ml of 2-ethoxyethanol were placed in an eggplant flask, and irradiated with microwaves (2450 MHz) for 10 minutes in an argon atmosphere. After the reaction solution was cooled to room temperature, the solvent was concentrated under reduced pressure to obtain a solid. This solid was recrystallized from dichloromethane-hexane to obtain the compound (93) of the present invention. The isolation yield was 74%. 1 H-NMR data of the compound (93) of the present invention are shown below.
  • Example 19 (Synthesis of the present compound (94)) ⁇ Step 1 Synthesis of Compound M> 3 g of 5-bromo-2-chloropyrimidine, 4.63 g of octadecylboronic acid, 35 ml of toluene, 12 ml of water, 7.63 g of K 3 PO 4 , 284 mg of Pd 2 (dba) 3 , 2-dicyclohexylphosphino 20.9 mg of -2 ', 6'-dimethoxybiphenyl was placed in a two-necked flask and heated to reflux for 13 hours under an argon atmosphere. The reaction solution was cooled to room temperature and then filtered through a celite layer.
  • the solid obtained by concentrating the filtrate was separated and purified by silica gel chromatography (eluent: mixed solvent of dichloromethane and hexane) to obtain 1.08 g of an intermediate.
  • 1 g of the intermediate obtained by the above operation 47.3 mg of 2,4-difluorophenylboronic acid, 10 mL of 1,2-dimethoxyethane, and 9 mL of a 2M aqueous solution of potassium carbonate were placed in a two-necked flask. After argon gas was bubbled through this solution for 20 minutes, 15.8 mg of tetrakistriphenylphosphine (0) palladium complex was added.
  • Step 3 Synthesis of the present compound (94)> 171 mg of compound (M-1), 93 mg of sodium picolinate, and 18 ml of 2-ethoxyethanol were placed in an eggplant flask, and irradiated with microwaves (2450 MHz) for 10 minutes in an argon atmosphere. After the reaction solution was cooled to room temperature, the solvent was concentrated under reduced pressure to obtain a solid. This solid was separated and purified by silica gel chromatography (eluent: dichloromethane) to give the compound (94) of the present invention in an isolated yield of 65%. 1 H-NMR data of the compound (94) of the present invention are shown below.
  • Example 20 (Synthesis of the present compound (95)) 500 mg of iridium trichloride n-hydrate, 1.4 g of 2- (4-heptyloxyphenyl) -5-nonylpyridine (Compound N), 20 ml of 2-ethoxyethanol, and 7 ml of water are placed in a two-necked flask, and argon The mixture was heated to reflux for 14.5 hours under an atmosphere. The reaction solution was cooled to room temperature, water was added, and the resulting solid was filtered and recrystallized from dichloromethane-hexane to obtain compound (N-1).
  • Compound N 2- (4-heptyloxyphenyl) -5-nonylpyridine
  • Example 21 (Synthesis of the present compound (96)) 500 mg of iridium trichloride n-hydrate, 1.19 g of 2- (4-hexyloxyphenyl) -5-octylpyridine (Compound O), 20 ml of 2-ethoxyethanol, and 7 ml of water are placed in a two-necked flask, and argon The mixture was heated to reflux for 17.5 hours under an atmosphere. The reaction solution was cooled to room temperature, water was added, and the resulting solid was filtered and recrystallized from dichloromethane-hexane to obtain compound (O-1).
  • Compound O 2- (4-hexyloxyphenyl) -5-octylpyridine
  • Example 22 (Synthesis of the present compound (55)) ⁇ Step 1 Synthesis of Compound P> A 2-necked flask was charged with 2.5 g of 5-bromo-2-chloropyrimidine, 1.687 g of 3-chlorophenylboronic acid, 25 mL of 1,2-dimethoxyethane, and 21 mL of a 2M aqueous solution of potassium carbonate. After argon gas was bubbled through this solution for 20 minutes, 567 mg of tetrakistriphenylphosphine (0) palladium complex was added. This solution was heated to reflux for 15.5 hours under an argon atmosphere using an oil bath.
  • the organic layer was separated and recovered and separated and purified by silica gel chromatography (eluent: mixed solvent of dichloromethane and hexane) to obtain 2.13 g of an intermediate.
  • 2.13 g of the intermediate obtained by the above operation 3.53 g of (3,5-diphenylphenyl) boronic acid, 34 ml of toluene, 3.16 g of K 3 PO 4 , 118 mg of Pd 2 (dba) 3 , 212 mg of 2-dicyclohexylphosphino-2 ′, 6′-dimethoxybiphenyl was placed in a two-necked flask and heated to reflux for 17 hours under an argon atmosphere.
  • Step 2 Synthesis of Compound (P-1)> 55 mg of iridium trichloride n-hydrate, 165 mg of compound P, 4.5 ml of 2-ethoxyethanol, and 1.2 ml of water were placed in a two-necked flask and heated to reflux for 15 hours under an argon atmosphere. The reaction solution was cooled to room temperature, water was added, and the resulting solid was filtered to obtain compound (P-1). The isolation yield was 61%.
  • Step 3 Synthesis of Compound (55) of the Present Invention> 206 mg of compound (P-1), 80 mg of acetylacetone, 85.5 mg of sodium carbonate, and 50 ml of 2-ethoxyethanol were reacted at 100 ° C. for 13.5 hours under an argon atmosphere. After the reaction solution was cooled to room temperature, the solvent was concentrated under reduced pressure to obtain a solid. This solid was separated and purified by silica gel chromatography (eluent: mixed solvent of dichloromethane and hexane) to give the compound (55) of the present invention in an isolated yield of 35%. 1 H-NMR data of the compound (55) of the present invention are shown below.
  • Example 23 (luminescence of the present compound (12) in THF)
  • the compound (12) of the present invention was dissolved in THF and aerated with argon gas, and then an emission spectrum at room temperature (excitation wavelength: 350 nm) using an absolute PL quantum yield measuring device (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd. As a result, strong luminescence (emission maximum wavelength: 497 nm) was exhibited. The emission quantum yield was 0.72.
  • Example 24 (luminescence of the compound (36) of the present invention in THF)
  • the compound (36) of the present invention was dissolved in THF and aerated with argon gas, and then an emission spectrum at room temperature (excitation wavelength: 350 nm) using an absolute PL quantum yield measuring device (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd. Was measured to show strong light emission (emission maximum wavelength: 532 nm).
  • the emission quantum yield was 0.67.
  • Example 25 (luminescence of the present compound (39) in THF) After dissolving the compound (39) of the present invention in THF and venting with argon gas, an emission spectrum at room temperature (excitation wavelength: 350 nm) using an absolute PL quantum yield measuring device (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd. As a result, strong luminescence (luminescence maximum wavelength: 539 nm) was exhibited. The emission quantum yield was 0.73.
  • Example 26 (luminescence of the compound (43) of the present invention in THF) After dissolving the compound (43) of the present invention in THF and venting with argon gas, an emission spectrum at room temperature (excitation wavelength: 350 nm) using an absolute PL quantum yield measuring device (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd. was measured to show strong light emission (emission maximum wavelength: 535 nm). The emission quantum yield was 0.76.
  • Example 27 (luminescence of the present compound (47) in THF) After dissolving the compound (47) of the present invention in THF and venting with argon gas, an emission spectrum at room temperature (excitation wavelength: 350 nm) using an absolute PL quantum yield measuring device (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd. As a result, strong luminescence (emission maximum wavelength: 489 nm) was exhibited. The emission quantum yield was 0.53.
  • Example 28 (luminescence of the present compound (53) in THF) After dissolving the compound (53) of the present invention in THF and venting with argon gas, an emission spectrum at room temperature (excitation wavelength: 350 nm) using an absolute PL quantum yield measuring device (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd. As a result, strong luminescence (luminescence maximum wavelength: 567 nm) was exhibited. The emission quantum yield was 0.68.
  • Example 29 (luminescence of the present compound (75) in THF) After dissolving the compound (75) of the present invention in THF and venting with argon gas, an emission spectrum at room temperature (excitation wavelength: 350 nm) using an absolute PL quantum yield measuring device (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd. As a result, strong luminescence (luminescence maximum wavelength: 470 nm) was exhibited. The emission quantum yield was 0.74.
  • Example 30 (luminescence of the present compound (76) in THF) After dissolving the compound (76) of the present invention in THF and venting with argon gas, an emission spectrum at room temperature (excitation wavelength: 350 nm) using an absolute PL quantum yield measuring device (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd. As a result, strong luminescence (emission maximum wavelength: 477 nm) was exhibited. The emission quantum yield was 0.81.
  • Example 31 (luminescence of the present compound (82) in THF)
  • the compound (82) of the present invention was dissolved in THF and aerated with argon gas, and then an emission spectrum at room temperature (excitation wavelength: 350 nm) using an absolute PL quantum yield measuring device (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd. As a result, strong luminescence (emission maximum wavelength: 475 nm) was exhibited. The emission quantum yield was 0.84.
  • Example 32 (luminescence of the compound (111) of the present invention in THF) After dissolving the compound (111) of the present invention in THF and venting with argon gas, an emission spectrum at room temperature (excitation wavelength: 350 nm) using an absolute PL quantum yield measuring device (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd. As a result, strong luminescence (emission maximum wavelength: 461 nm) was exhibited. The emission quantum yield was 0.66.
  • Example 33 (luminescence of the present compound (113) in THF) After dissolving the compound (113) of the present invention in THF and venting with argon gas, an emission spectrum at room temperature (excitation wavelength: 350 nm) using an absolute PL quantum yield measuring device (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd. was measured to show strong light emission (emission maximum wavelength: 523 nm). The emission quantum yield was 0.71.
  • Example 34 emission of Compound (41) of the present invention in THF
  • an emission spectrum at room temperature excitation wavelength: 350 nm
  • an absolute PL quantum yield measuring device C9920 manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.
  • strong light emission maximum light emission wavelength: 540 nm
  • the emission quantum yield was 0.76.
  • Example 35 (luminescence of the present compound (42) in THF) After dissolving the compound (42) of the present invention in THF and venting with argon gas, an emission spectrum at room temperature (excitation wavelength: 350 nm) using an absolute PL quantum yield measuring device (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd. was measured to show strong light emission (emission maximum wavelength: 540 nm). The emission quantum yield was 0.77.
  • Example 36 (luminescence of the present compound (124) in THF) After dissolving the compound (124) of the present invention in THF and venting with argon gas, an emission spectrum at room temperature (excitation wavelength: 350 nm) using an absolute PL quantum yield measuring device (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd. As a result, strong luminescence (luminescence maximum wavelength: 463 nm) was exhibited. The emission quantum yield was 0.88.
  • Example 37 (luminescence of the compound (91) of the present invention in THF) After dissolving the compound (91) of the present invention in THF and venting with argon gas, an emission spectrum at room temperature (excitation wavelength: 350 nm) using an absolute PL quantum yield measuring device (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd. As a result, strong luminescence (emission maximum wavelength: 478 nm) was exhibited. The emission quantum yield was 0.85.
  • Example 38 (luminescence of the compound (92) of the present invention in THF) After dissolving the compound (92) of the present invention in THF and venting with argon gas, an emission spectrum at room temperature (excitation wavelength: 350 nm) using an absolute PL quantum yield measuring device (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd. As a result, strong luminescence (emission maximum wavelength: 478 nm) was exhibited. The emission quantum yield was 0.84.
  • Example 39 (luminescence of the present compound (93) in THF) After dissolving the compound (93) of the present invention in THF and venting with argon gas, an emission spectrum at room temperature (excitation wavelength: 350 nm) using an absolute PL quantum yield measuring device (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd. As a result, strong luminescence (emission maximum wavelength: 476 nm) was exhibited. The emission quantum yield was 0.84.
  • Example 40 (luminescence of the present compound (94) in THF)
  • the compound (94) of the present invention was dissolved in THF and aerated with argon gas, and then an emission spectrum at room temperature (excitation wavelength: 350 nm) using an absolute PL quantum yield measuring device (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd. As a result, strong light emission (maximum light emission wavelength: 478 nm) was exhibited. The emission quantum yield was 0.86.
  • Example 41 (luminescence of the present compound (95) in THF) After dissolving the compound (95) of the present invention in THF and venting with argon gas, an emission spectrum at room temperature (excitation wavelength: 350 nm) using an absolute PL quantum yield measuring device (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd. was measured to show strong light emission (maximum emission wavelength: 496 nm). The emission quantum yield was 0.68.
  • Example 42 emission of Compound (96) of the present invention in THF
  • the compound (96) of the present invention was dissolved in THF and aerated with argon gas, and then an emission spectrum at room temperature (excitation wavelength: 350 nm) using an absolute PL quantum yield measuring device (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd. was measured to show strong light emission (maximum emission wavelength: 496 nm).
  • the emission quantum yield was 0.65.
  • Example 43 Solid emission of the present compound (12)
  • an absolute PL quantum yield measuring apparatus (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.
  • the emission quantum yield (excitation wavelength: 350 nm) of the compound (12) of the present invention in a solid state at room temperature was measured.
  • the yield was 0.14.
  • Example 44 Solid emission of the present compound (47)
  • an absolute PL quantum yield measuring device (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.
  • the emission quantum yield (excitation wavelength: 350 nm) of the compound (47) of the present invention in a room temperature solid state was measured.
  • the rate was 0.12.
  • Example 45 Solid emission of the present compound (75)
  • an absolute PL quantum yield measuring apparatus (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.
  • the emission quantum yield (excitation wavelength: 350 nm) of the compound (75) of the present invention in a room temperature solid state was measured.
  • the rate was 0.22.
  • Example 46 Solid emission of the present compound (76)
  • an absolute PL quantum yield measuring apparatus (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.
  • the emission quantum yield (excitation wavelength: 350 nm) of the compound (76) of the present invention in the room temperature solid state was measured.
  • the rate was 0.18.
  • Example 47 Solid emission of the present compound (82)
  • an absolute PL quantum yield measuring device (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.
  • the emission quantum yield (excitation wavelength: 350 nm) of the compound (82) of the present invention in the room temperature solid state was measured.
  • the rate was 0.34.
  • Example 48 Solid emission of the present compound (124)
  • an absolute PL quantum yield measuring apparatus C9920 manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.
  • the emission quantum yield (excitation wavelength: 350 nm) of the compound (124) of the present invention in the solid state at room temperature was measured.
  • the rate was 0.51.
  • Example 49 Solid emission of the present compound (92)
  • an absolute PL quantum yield measuring device (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.
  • the emission quantum yield (excitation wavelength: 350 nm) of the compound (92) of the present invention in a room temperature solid state was measured.
  • the rate was 0.28.
  • Example 50 Solid emission of the compound (1) of the present invention
  • an absolute PL quantum yield measuring device C9920 manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.
  • the emission quantum yield (excitation wavelength: 350 nm) of the compound (1) of the present invention in the room temperature solid state was measured.
  • the rate was 0.04.
  • Example 51 Thermal stability of the compound (2) of the present invention
  • the decomposition temperature of the compound (2) of the present invention was measured with a TG / DTA simultaneous measurement apparatus (DTG-60, manufactured by Shimadzu Corporation).
  • DTG-60 TG / DTA simultaneous measurement apparatus
  • the rate of temperature rise was set to 15 ° C / min and the temperature was raised at normal pressure in a nitrogen gas atmosphere, a 5% weight loss was observed at 381 ° C, and the 50% weight loss temperature was 450 ° C or higher. there were. It turned out that this invention compound (2) shows very favorable heat resistance.
  • Example 52 Thermal stability of the compound (12) of the present invention
  • the decomposition temperature of the compound (12) of the present invention was measured with a TG / DTA simultaneous measurement apparatus (DTG-60, manufactured by Shimadzu Corporation).
  • DTG-60 TG / DTA simultaneous measurement apparatus
  • the rate of temperature increase was set to 15 ° C./min and the temperature was raised at normal pressure in a nitrogen gas atmosphere, a 5% weight loss was observed at 400 ° C., and the 50% weight loss temperature was 450 ° C. or higher. there were. It turned out that this invention compound (12) shows very favorable heat resistance.
  • Example 53 Thermal stability of the compound (39) of the present invention
  • the decomposition temperature of the compound (39) of the present invention was measured with a TG / DTA simultaneous measurement apparatus (DTG-60, manufactured by Shimadzu Corporation).
  • DTG-60 TG / DTA simultaneous measurement apparatus
  • Example 54 Thermal stability of the compound (41) of the present invention
  • the decomposition temperature of the compound (41) of the present invention was measured with a TG / DTA simultaneous measurement apparatus (DTG-60, manufactured by Shimadzu Corporation).
  • DTG-60 TG / DTA simultaneous measurement apparatus
  • the temperature increase rate was set to 15 ° C./min and the temperature was increased at normal pressure in a nitrogen gas atmosphere, a 5% weight loss was observed at 315 ° C., and the 50% weight decrease temperature was 450 ° C. or higher. there were. It turned out that this invention compound (41) shows very favorable heat resistance.
  • Example 55 Thermal stability of the compound (42) of the present invention
  • the decomposition temperature of the compound (42) of the present invention was measured with a TG / DTA simultaneous measurement apparatus (DTG-60, manufactured by Shimadzu Corporation).
  • DTG-60 TG / DTA simultaneous measurement apparatus
  • the rate of temperature increase was set to 15 ° C./min and the temperature was raised at normal pressure in a nitrogen gas atmosphere, a 5% weight loss was observed at 322 ° C., and a 50% weight reduction temperature was 450 ° C. or higher. there were. It turned out that this invention compound (42) shows very favorable heat resistance.
  • Example 56 Thermal stability of the compound (43) of the present invention
  • the decomposition temperature of the compound (43) of the present invention was measured with a TG / DTA simultaneous measurement apparatus (DTG-60, manufactured by Shimadzu Corporation).
  • DTG-60 TG / DTA simultaneous measurement apparatus
  • the rate of temperature increase was set to 15 ° C / min and the temperature was raised at normal pressure in a nitrogen gas atmosphere, a 5% weight loss was observed at 324 ° C, and the 50% weight loss temperature was 450 ° C or higher. there were. It turned out that this invention compound (43) shows very favorable heat resistance.
  • Example 57 Thermal stability of the compound (47) of the present invention
  • the decomposition temperature of the compound (47) of the present invention was measured with a TG / DTA simultaneous measurement apparatus (DTG-60, manufactured by Shimadzu Corporation).
  • DTG-60 TG / DTA simultaneous measurement apparatus
  • the rate of temperature increase was set to 15 ° C / min and the temperature was raised at normal pressure in a nitrogen gas atmosphere, a 5% weight loss was observed at 347 ° C, and the 50% weight loss temperature was 450 ° C or higher. there were. It turned out that this invention compound (47) shows very favorable heat resistance.
  • Example 58 Thermal stability of the compound (53) of the present invention
  • the decomposition temperature of the compound (53) of the present invention was measured with a TG / DTA simultaneous measurement apparatus (DTG-60, manufactured by Shimadzu Corporation).
  • DTG-60 TG / DTA simultaneous measurement apparatus
  • the temperature increase rate was set to 15 ° C./min and the temperature was increased at normal pressure in a nitrogen gas atmosphere, a 5% weight loss was observed at 348 ° C., and the 50% weight decrease temperature was 450 ° C. or higher. there were. It turned out that this invention compound (53) shows very favorable heat resistance.
  • Example 59 Thermal stability of the compound (75) of the present invention
  • the decomposition temperature of the compound (75) of the present invention was measured with a TG / DTA simultaneous measurement apparatus (DTG-60, manufactured by Shimadzu Corporation).
  • DTG-60 TG / DTA simultaneous measurement apparatus
  • Example 60 Thermal stability of the compound (76) of the present invention
  • the decomposition temperature of the compound (76) of the present invention was measured with a TG / DTA simultaneous measurement apparatus (DTG-60, manufactured by Shimadzu Corporation).
  • DTG-60 TG / DTA simultaneous measurement apparatus
  • the rate of temperature increase was set to 15 ° C./min and the temperature was raised at normal pressure in a nitrogen gas atmosphere, a 5% weight loss was observed at 361 ° C., and a 50% weight reduction temperature was 450 ° C. or higher. there were. It turned out that this invention compound (76) shows very favorable heat resistance.
  • Example 61 Thermal stability of the compound (82) of the present invention
  • the decomposition temperature of the compound (82) of the present invention was measured with a TG / DTA simultaneous measurement apparatus (DTG-60, manufactured by Shimadzu Corporation).
  • DTG-60 TG / DTA simultaneous measurement apparatus
  • the rate of temperature increase was set to 15 ° C / min and the temperature was raised at normal pressure in a nitrogen gas atmosphere, a 5% weight loss was observed at 360 ° C, and the 50% weight loss temperature was 450 ° C or higher. there were. It turned out that this invention compound (82) shows very favorable heat resistance.
  • Example 62 Thermal stability of the compound (92) of the present invention
  • the decomposition temperature of the compound (92) of the present invention was measured with a TG / DTA simultaneous measurement apparatus (DTG-60, manufactured by Shimadzu Corporation).
  • DTG-60 TG / DTA simultaneous measurement apparatus
  • the rate of temperature increase was set to 15 ° C./min and the temperature was raised at normal pressure in a nitrogen gas atmosphere, a 5% weight reduction was observed at 358 ° C., and the 50% weight reduction temperature was 450 ° C. or higher. there were. It turned out that this invention compound (92) shows very favorable heat resistance.
  • the weight loss temperature of 50% of the above-mentioned iridium complex (formula (A)) is described as 376 ° C. in Non-Patent Document 1, and it can be seen that the compound of the present invention exhibits higher thermal stability.
  • Comparative Example 1 As a comparative compound, an iridium complex represented by the formula (D) described in Non-Patent Document 3 was synthesized, and an absolute PL quantum yield measuring device (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd. The luminescence quantum yield (excitation wavelength: 350 nm) was measured, and the luminescence quantum yield was 0.16. Further, the decomposition temperature of the iridium complex represented by the following formula (D) was measured with a TG / DTA simultaneous measurement apparatus (DTG-60, manufactured by Shimadzu Corporation). When the temperature elevation rate was set to 15 ° C./min and the temperature was elevated at normal pressure in a nitrogen gas atmosphere, a 5% weight loss was observed at 344 ° C.
  • Comparative Example 2 As a comparative compound, an iridium complex represented by the formula (E) was synthesized, and using an absolute PL quantum yield measuring device (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd., the emission quantum yield (excitation wavelength: 350 nm), the emission quantum yield was 0.13. Further, the decomposition temperature of the iridium complex represented by the following formula (E) was measured with a TG / DTA simultaneous measurement apparatus (DTG-60, manufactured by Shimadzu Corporation). When the temperature elevation rate was set to 15 ° C./min and the temperature was elevated at normal pressure in a nitrogen gas atmosphere, a 5% weight loss was observed at 357 ° C.
  • Comparative Example 3 As a comparative compound, an iridium complex represented by the formula (C) described in Patent Document 7 was synthesized, and in a solid state at room temperature using an absolute PL quantum yield measuring device (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd. When the luminescence quantum yield (excitation wavelength: 350 nm) was measured, the luminescence quantum yield was 0.01, which was a very low value.
  • Comparative Example 4 As a comparative compound, an iridium complex represented by the formula (F) was synthesized, and using an absolute PL quantum yield measuring device (C9920) manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd., the emission quantum yield in the solid state at room temperature (excitation wavelength: 350 nm), the emission quantum yield was 0.03. Moreover, in order to confirm the solubility with respect to a solvent (chloroform, toluene), the 0.1 wt% solution was produced, and when it confirmed visually, considerable undissolved residue produced.
  • an absolute PL quantum yield measuring device C9920 manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.
  • Table 13 summarizes the analysis results of the present compound (76), the present compound (82), the present compound (92), the comparative compound (formula (D)), and the comparative compound (formula (E)). From Table 13, by introducing an alkyl group having 2 or more carbon atoms into R a , the thermal stability of the iridium complex, that is, the heat resistance, is higher than that of the comparative compound in which R a is unsubstituted (formula (D)). It turns out that it improved greatly. Similarly, it has been clarified that the emission quantum yield (solid state) is greatly improved by introducing an alkyl group having 2 or more carbon atoms into Ra . On the other hand, the thermal stability of the comparative compound (formula (E)) is improved compared to the comparative compound (formula (D)), but the emission quantum yield (solid) is decreased. Became clear.
  • Table 14 summarizes the analysis results of the compound of the present invention (1) and the comparative compound (formula (C)).
  • the luminescence quantum yields (solid state) of these compounds are compared, they are 0.04 and 0.01, respectively, and it is found that the compound (1) of the present invention is four times higher. That is, the light-emitting quantum yield (solid state) of the iridium complex largely depends on the substitution position of the alkyl group, the introduction of an alkyl group having 2 or more carbon atoms in R a are very improvement of the solid emission quantum efficiency It became clear that it worked effectively.
  • Table 15 summarizes the analysis results of the compound (12) of the present invention and the comparative compound (formula (F)). From Table 15, it can be seen that the compound (12) of the present invention in which n-decyl group is introduced into Ra is superior in solubility in a solvent. In addition, it was revealed that the compound of the present invention (12) is about 4.5 times higher in terms of light emission quantum yield (solid state).
  • the compounds of the present invention represented by the general formula (1) or (2) are thermally very stable as compared with iridium complexes in which no substituent is introduced into Ra .
  • the emission wavelength can be adjusted by introducing various substituents into the iridium complex of the present invention and changing the ligand L.
  • the iridium complex of the present invention is an organic electroluminescent element material, electrochemiluminescence (ECL) element material, light emitting sensor, photosensitizer, display, photographic material, laser dye, color filter dye, optical communication, color It can be applied to conversion filters, backlights, illumination, photosensitizing dyes, luminescent probes for cell imaging, various light sources, and the like.
  • ECL electrochemiluminescence

Landscapes

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Abstract

　高輝度・高効率で発光が可能で耐久性に優れた発光素子材料であり、発光素子等に使用できる、下記一般式（１）で表される部分構造を有するイリジウム錯体を提供する。（一般式（１）中、Ｒａは置換基を有しても良い炭素数２～３０のアルキル基を表す。その他の記号は明細書において定義されるとおりである。）

Description

イリジウム錯体ならびに該化合物からなる発光材料
　本発明は、有機電界発光素子用材料、エレクトロケミルミネッセンス（ＥＣＬ）素子材料、発光センサー、酸素センサー、光増感剤、ディスプレイ、写真用材料、レーザー色素、カラーフィルター用染料、光通信、色変換フィルター、バックライト、照明、光増感色素、細胞イメージング用発光プローブ、各種光源などに有用なイリジウム錯体ならびに該化合物からなる発光材料に関するものである。
　有機電界発光素子は次世代のディスプレイ素子として注目されており、近年になって発光素子に用いられる各種有機材料の開発が活発に進められるようになってきた。特に発光効率向上の観点から、発光材料として、励起三重項状態からの発光を利用する燐光材料に注目が集まっている。
　励起一重項状態からの発光を用いる場合、一重項励起子と三重項励起子の生成比が１：３であるため発光性励起種の生成確率が２５％であることと、光の取り出し効率が約２０％であるため、外部取り出し量子効率の限界は５％とされている。一方で、これに励起三重項状態をも利用できると、内部量子効率の上限が１００％となるため、励起一重項の場合に比べて原理的に発光効率が４倍となることから、燐光材料の開発が活発に行われている。これまで代表的な燐光材料として、２－フェニルピリジン系配位子を有するイリジウム錯体が注目されているが、今後はさらなる発光効率および耐久性の改善を目指し、新しい燐光材料の開発が望まれている。
　特許文献１～７および非特許文献１～３には、本発明化合物と類似の２－フェニルピリミジン系配位子を有するイリジウム錯体が記載されている。しかし、発光効率や耐久性など解決すべき課題が未だ残されており、より熱的に安定で高い発光効率を示す材料が望まれている。また本発明者の知見によると、２－フェニルピリミジン系配位子を有するイリジウム錯体については、２－フェニルピリジン系イリジウム錯体と比較すると、溶媒に対する溶解性が低く、加工性および操作性が著しく悪いという問題点があった。
　非特許文献１には、２－フェニルピリミジン配位子のピリミジン環の５位（下図参照）にトリフルオロメチル基が導入されたイリジウム錯体（式（Ａ））が開示されているが、その熱的安定性は低く（［０１７１］参照）、しかもその発光は緑色（λｍａｘ＝５２５ｎｍ）に限定されてしまう。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
　非特許文献２には、２－フェニルピリミジン配位子のピリミジン環の５位にフェニル基やチエニル基が導入されたイリジウム錯体（例えば、式（Ｂ））が開示されている。しかしこれらイリジウム錯体の発光波長は５２２～５５８ｎｍであり、その発光色は緑色～橙色領域に限定される。特に非特許文献２に記載の骨格のイリジウム錯体では青色領域に発光させることは困難である。また非特許文献２によれば、これらイリジウム錯体のトルエン中での発光量子収率は０．０５２～０．３４であり、未だ低い問題がある。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
　特許文献７には、２－フェニルピリミジン配位子のピリミジン環の４位にメチル基が導入されたイリジウム錯体（式（Ｃ））が開示されている。しかし、このタイプの配位子を用いると、イリジウムへの配位様式（下図参照）により、異性体が生成する可能性があり、目的とするイリジウム錯体を高純度に合成することは難しい問題がある。また様々な異性体の混入は発光素子に悪影響を与える可能性がある。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
　また有機電解発光素子などの固体デバイスにおいては、固体状態において高い発光量子収率を示す燐光材料が好ましく、さらに、これらの燐光材料を塗布法で製膜する場合は、溶媒に対して溶解性の高い燐光材料が強く求められている。これまで述べてきたように、特許文献１～７および非特許文献１～３に記載の２－フェニルピリミジン系イリジウム錯体は、上記の観点から依然として改良の余地が残されている。このような技術背景がある中で、新しい燐光材料の探索が行われてきたが、２－フェニルピリミジン配位子のピリミジン環の５位に置換基を有しても良い炭素数２～３０のアルキル基が導入されたイリジウム錯体の発光特性やそれを用いた発光素子の特性については全く記載がない。
特許公開２００１－２４７８５９号 特許公開２００３－８１９８８号 特許公開２００６－８６８８号 特許公開２００８－７４９２１号 特許公表２００４－５０３０５９号 特許公表２００５－５１６０４０号 特許公開２００９－４０７２８号
Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，２００１年，１４９４頁 Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．　Ｃｈｅｍ．，２００９年，６９４巻，２７５７頁 Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ　Ｍｅｔａｌｓ，２００９年，１５９巻，１１７８頁
　本発明の目的は、高輝度・高効率発光が可能で耐久性に優れた発光素子、ならびに該発光素子に使用でき、有機電界発光素子材料、エレクトロケミルミネッセンス（ＥＣＬ）素子材料、発光センサー、酸素センサー、光増感剤、ディスプレイ、写真用材料、レーザー色素、カラーフィルター用染料、光通信、色変換フィルター、バックライト、照明、光増感色素、細胞イメージング用発光プローブ、各種光源等にも適用できる新規イリジウム錯体を提供することである。
　本発明者らは上記実状に鑑み、鋭意研究を重ねた結果、一般式（１）または（２）で表される新規イリジウム錯体が、Ｒａに置換基が導入されていない従来化合物と比べて熱的に非常に安定で、かつ可視光領域において特に固体状態で優れた発光特性を有し、さらに溶媒に対する溶解性が高く加工性に優れており、各種用途の発光材料として有用であることを見出し、本発明を完成するに至った。
　すなわち、この出願によれば、以下の発明が提供される。
〈１〉下記一般式（１）で表される部分構造を有するイリジウム錯体。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
 （一般式（１）中、Ｎは窒素原子を表す。Ｒａは置換基を有しても良い炭素数２～３０のアルキル基を表す。Ｒ１～Ｒ４は、各々独立に、水素原子または置換基を有しても良い炭素数１～３０のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数６～６０のアリール基、置換基を有しても良い炭素数２～３０のアルケニル基、置換基を有しても良い炭素数２～３０のアルキニル基、置換基を有しても良い炭素数０～３０のアミノ基、置換基を有しても良い炭素数１～６０のヘテロ環基、置換基を有しても良い炭素数１～３０のアルコキシ基、置換基を有しても良い炭素数１～３０のアルキルチオ基、置換基を有しても良い炭素数６～６０のアリールオキシ基、置換基を有しても良い炭素数６～６０のアリールチオ基、置換基を有しても良い炭素数１～６０のヘテロ環オキシ基、置換基を有しても良い炭素数１～６０のヘテロ環チオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基、またはトリフルオロメチル基を表す。また、隣接する置換基は結合して環構造を形成してもよい。）
〈２〉下記一般式（２）で表されるイリジウム錯体。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
 （一般式（２）中、Ｎは窒素原子を表す。ｍは１～３の整数を表す。ｎは０～２の整数を表す。ｍ＋ｎ＝３である。Ｒａは置換基を有しても良い炭素数２～３０のアルキル基を表す。Ｒ１～Ｒ４は、各々独立に、水素原子または置換基を有しても良い炭素数１～３０のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数６～６０のアリール基、置換基を有しても良い炭素数２～３０のアルケニル基、置換基を有しても良い炭素数２～３０のアルキニル基、置換基を有しても良い炭素数０～３０のアミノ基、置換基を有しても良い炭素数１～６０のヘテロ環基、置換基を有しても良い炭素数１～３０のアルコキシ基、置換基を有しても良い炭素数１～３０のアルキルチオ基、置換基を有しても良い炭素数６～６０のアリールオキシ基、置換基を有しても良い炭素数６～６０のアリールチオ基、置換基を有しても良い炭素数１～６０のヘテロ環オキシ基、置換基を有しても良い炭素数１～６０のヘテロ環チオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基、またはトリフルオロメチル基を表す。Ｑはカウンターイオンを表す。ｋは０～２の整数を表す。Ｌは２座配位子を表す。また、隣接する置換基は結合して環構造を形成してもよい。）
〈３〉Ｌが一般式（３）～（１１）の何れかで表される前記２に記載のイリジウム錯体。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
 （一般式（３）～（１１）中、Ｒ５～Ｒ７６は、各々独立に、水素原子または置換基を有しても良い炭素数１～３０のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数６～６０のアリール基、置換基を有しても良い炭素数２～３０のアルケニル基、置換基を有しても良い炭素数２～３０のアルキニル基、置換基を有しても良い炭素数０～３０のアミノ基、置換基を有しても良い炭素数１～６０のヘテロ環基、置換基を有しても良い炭素数１～３０のアルコキシ基、置換基を有しても良い炭素数１～３０のアルキルチオ基、置換基を有しても良い炭素数６～６０のアリールオキシ基、置換基を有しても良い炭素数６～６０のアリールチオ基、置換基を有しても良い炭素数１～６０のヘテロ環オキシ基、置換基を有しても良い炭素数１～６０のヘテロ環チオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基またはトリフルオロメチル基を表す。また、隣接する置換基は結合して環構造を形成してもよい。）
〈４〉Ｒ１が、水素原子またはフッ素原子である前記１から３何れかに記載のイリジウム錯体。
〈５〉Ｒ２が、水素原子、置換基を有しても良い炭素数１～３０のアルキル基、または置換基を有しても良い炭素数６～６０のアリール基である前記１から４何れかに記載のイリジウム錯体。
〈６〉Ｒ２がトリフルオロメチル基である前記１から４何れかに記載のイリジウム錯体。
〈７〉Ｒ３が、水素原子、置換基を有しても良い炭素数１～３０のアルキル基、または置換基を有しても良い炭素数６～６０のアリール基である前記１から６何れかに記載のイリジウム錯体。
〈８〉Ｒ３がフッ素原子である前記１から６何れかに記載のイリジウム錯体。
〈９〉Ｒ１～Ｒ４のいずれかが、少なくとも１個のデンドロンによって置換されていることを特徴とする前記１から８何れかに記載のイリジウム錯体。
〈１０〉Ｒａが炭素数２～３０のアルキル基である前記１から９何れかに記載のイリジウム錯体。
〈１１〉Ｒａがｎ－デシル基である前記１から９何れかに記載のイリジウム錯体。
〈１２〉ｍ＝３かつｎ＝０である前記２、および、４から１１何れかに記載のイリジウム錯体。
〈１３〉ｍ＝２かつｎ＝１である前記２から１１何れかに記載のイリジウム錯体。
〈１４〉ｍ＝１かつｎ＝２である前記２から１１何れかに記載のイリジウム錯体。
〈１５〉前記１から１４何れかに記載のイリジウム錯体からなる発光材料。
〈１６〉前記１５に記載の発光材料を用いた発光素子。
　本発明の新規なイリジウム錯体は、低消費電力で効率よく、可視光領域に高輝度発光を示すことから、該化合物を用いた発光素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア等の分野に好適である。また、本発明のイリジウム錯体は、医療用途、酸素センサー、写真用材料、ＵＶ吸収材料、レーザー色素、カラーフィルター用染料、色変換フィルター、細胞イメージング用発光プローブ、光通信等にも適用可能である。
本発明化合物（４３）のアルゴン雰囲気下、室温ＴＨＦ中での発光スペクトル。励起光は３５０ｎｍである。 本発明化合物（５３）のアルゴン雰囲気下、室温ＴＨＦ中での発光スペクトル。励起光は３５０ｎｍである。 本発明化合物（８２）のアルゴン雰囲気下、室温ＴＨＦ中での発光スペクトル。励起光は３５０ｎｍである。
　本発明に係るイリジウム錯体は、一般式（１）で表される部分構造を有し、好ましくは一般式（２）で表され、これらイリジウム錯体を発光素子の発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物層に含有させることで、可視光領域に優れた発光を示す発光素子が得られる。
　以下、本発明を更に詳細に説明する。
　本発明に係るイリジウム錯体は、特定構造の２－フェニルピリミジン系配位子を有することを特徴としている。本発明者は、一般式（１）または（２）に記載のＲａへ、置換基を有しても良い炭素数２～３０のアルキル基を導入すると、該イリジウム錯体の熱的安定性と、特に固体状態における発光量子収率が大きく向上することを見出した。
　２－フェニルピリミジン系配位子と中心金属であるイリジウムとが結合を形成すると、重原子効果により、励起１重項状態から励起３重項状態への項間交差が促進され、その結果として、本発明のイリジウム錯体は、可視光領域に効率よく燐光発光を示す。
　本発明に係るイリジウム錯体は、異性体（例えば、フェイシャル体、メリジオナル体、特開２００６－２７８７８１号、または、特開２００８－２８８２５４号に記載の異性体など）を含有しても良い。
　また本発明に係るイリジウム錯体は中性またはイオン性であり、より好ましくは中性またはカチオン性であり、特に好ましくは中性のイリジウム錯体である。
　本発明に係るイリジウム錯体の中でも、室温溶液中（空気下、不活性ガス雰囲気下または脱気下、好ましくは不活性ガス雰囲気下または脱気下）での発光量子収率が、０．０１以上のものが好ましく、０．１以上のものがより好ましく、０．４以上のものが特に好ましく、０．５以上のものが最も好ましい。また、本発明のイリジウム錯体の中でも、固体状態での発光量子収率が、０．０１以上のものが好ましく、０．０５以上のものがより好ましく、０．１以上のものが特に好ましく、０．３以上のものが最も好ましい。ここで、固体状態での発光量子収率については、ホスト材料等にドープせず、固体状態のイリジウム錯体へ直接励起光を照射し、発光を測定した値である。
　溶液中の発光量子収率の測定は、溶存酸素を取り除くため、イリジウム錯体が溶解した溶液に不活性ガス（アルゴンガス、窒素ガス）を通気した後に行うか、または、イリジウム錯体が溶解した溶液を凍結脱気した後に行うのが良い。発光量子収率の測定法としては、絶対法または相対法のどちらを用いても良い。相対法においては、標準物質（キニン硫酸塩など）との発光スペクトルの比較により、発光量子収率を測定することができる。絶対法においては、市販の装置（浜松ホトニクス株式会社製、絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０））を用いることで溶液中もしくは固体状態での発光量子収率の測定が可能である。溶液中での発光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係わるイリジウム錯体は、任意の溶媒のいずれかにおいて上記発光量子収率が達成されれば良い。
　本発明のイリジウム錯体の中でも、溶液中または固体状態での発光スペクトルの発光極大波長は、３００ｎｍ～９００ｎｍの範囲のものが好ましく、４００ｎｍ～８００ｎｍの範囲のものがより好ましい。
　イリジウムの価数については、３価または４価が好ましく、３価がより好ましい。
前記一般式（１）～（１１）に記載した記号（ｍ、ｎ、Ｑ、ｋ、Ｌ、ＲａおよびＲ１～Ｒ７６）について以下に説明する。
　ｍは１～３の整数を表し、ｎは０～２の整数を表し、ｍ＋ｎ＝３である。ｍ＝２または３が好ましく、ｎ＝０または１が好ましい。ｍ＝３でｎ＝０の時は、幾何異性体としてフェイシャル体とメリジオナル体があるが、フェイシャル体が好ましい。
　Ｑはカウンターイオンを表す。カウンターイオンとしては特に制限はないが、例えば、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲンイオン、パークロレイトイオン、ＰＦ６イオン、アンモニウムイオン、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＯＯイオン、ＳｂＦ６イオン、ジシアンアミドイオン、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）アミドイオン、ボレートイオン、トリフルオロ酢酸イオン、トリフルオロメタンスルホネートイオン、ホスホニウムイオンまたは、テトラキス[３,５-ビス(トリフルオロメチル)フェニル]ボレートイオンであり、好ましくはハロゲンイオン、パークロレイトイオン、ＰＦ６イオン、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＯＯイオン、ＳｂＦ６イオン、ジシアンアミドイオン、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）アミドイオン、ボレートイオン、トリフルオロ酢酸イオン、トリフルオロメタンスルホネートイオン、または、テトラキス[３,５-ビス(トリフルオロメチル)フェニル]ボレートイオンである。
　ｋは０～２の整数を表す。ｋは０または１が好ましく、０がより好ましい。
　Ｌは２座配位子であり、中性２座配位子またはアニオン性２座配位子が好ましく、アニオン性２座配位子がより好ましく、モノアニオン性２座配位子が特に好ましい。
　またＬは、Ｉｒ―窒素結合およびＩｒ―炭素結合を形成する２座配位子、Ｉｒ―窒素結合およびＩｒ―酸素結合を形成する２座配位子、Ｉｒ―酸素結合を２つ形成する２座配位子、または、Ｉｒ―窒素結合を２つ形成する２座配位子であることが好ましい。
　Ｉｒ―窒素結合およびＩｒ―炭素結合を形成する２座配位子とは、例えば、２－フェニルピリジン誘導体、２－フェニルピリミジン誘導体、２－フェニルキノリン誘導体、１－フェニルイソキノリン誘導体、３－フェニルイソキノリン誘導体、２－（２－ベンゾチオフェニル）ピリジン誘導体、２－チエニルピリジン誘導体、１－フェニルピラゾール誘導体、１－フェニル－１Ｈ－インダゾール誘導体、２－フェニルベンゾチアゾール誘導体、２－フェニルチアゾール誘導体、２－フェニルベンゾオキサゾール誘導体、２－フェニルオキサゾール誘導体、２－フラニルピリジン誘導体、２－（２－ベンゾフラニル）ピリジン誘導体、７，８－ベンゾキノリン誘導体、７，８－ベンゾキノキサリン誘導体、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリン誘導体、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン誘導体、ベンゾ［ｈ］－５，６－ジヒドロキノリン誘導体、９－（２－ピリジル）カルバゾール誘導体、１－（２－ピリジル）インドール誘導体、１－（１－ナフチル）イソキノリン誘導体、１－（２－ナフチル）イソキノリン誘導体、２－（２－ナフチル）キノリン誘導体、２－（１－ナフチル）キノリン誘導体、３－（１－ナフチル）イソキノリン誘導体、３－（２－ナフチル）イソキノリン誘導体、２－（１－ナフチル）ピリジン誘導体、２－（２－ナフチル）ピリジン誘導体、６－フェニルフェナントリジン誘導体、６－（１－ナフチル）フェナントリジン誘導体、６－（２－ナフチル）フェナントリジン誘導体、ベンゾ［ｃ］アクリジン誘導体、ベンゾ［ｃ］フェナジン誘導体、ジベンゾ［ａ，ｃ］アクリジン誘導体、ジベンゾ［ａ，ｃ］フェナジン誘導体、２－フェニルキノキサリン誘導体、２，３－ジフェニルキノキサリン誘導体、２－ベンジルピリジン誘導体、２－フェニルベンゾイミダゾール誘導体、３－フェニルピラゾール誘導体、４－フェニルイミダゾール誘導体、１－フェニルイミダゾール誘導体、４－フェニルトリアゾール誘導体、５－フェニルテトラゾール誘導体、２－アルケニルピリジン誘導体、５－フェニル－１，２，４－トリアゾール誘導体、イミダゾ［１，２－ｆ］フェナントリジン誘導体、［１，２，４］トリアゾロ［１，５－ｆ］フェナントリジン誘導体、［１，２，４］トリアゾロ［４，３－ｆ］フェナントリジン誘導体、１，２－ジフェニルイミダゾール誘導体、１，５－ジフェニル－１，２，４－トリアゾール誘導体、または、３，４－ジフェニル－１，２，４－トリアゾール誘導体であり、好ましくは、２－フェニルピリジン誘導体、２－フェニルピリミジン誘導体、２－フェニルキノリン誘導体、１－フェニルイソキノリン誘導体、１－フェニルイミダゾール誘導体、５－フェニル－１，２，４－トリアゾール誘導体、イミダゾ［１，２－ｆ］フェナントリジン誘導体、［１，２，４］トリアゾロ［１，５－ｆ］フェナントリジン誘導体、［１，２，４］トリアゾロ［４，３－ｆ］フェナントリジン誘導体、１，２－ジフェニルイミダゾール誘導体、１，５－ジフェニル－１，２，４－トリアゾール誘導体、または、３，４－ジフェニル－１，２，４－トリアゾール誘導体であり、より好ましくは、２－フェニルピリジン誘導体、２－フェニルピリミジン誘導体、２－フェニルキノリン誘導体、１－フェニルイソキノリン誘導体、イミダゾ［１，２－ｆ］フェナントリジン誘導体、または、１，２－ジフェニルイミダゾール誘導体である。
　具体的には、国際公開ＷＯ２００４－０８５４５０号、国際公開ＷＯ２００６－０７５９０５号、国際公開ＷＯ２００２－４４１８９号、国際公開ＷＯ２００２－４５４６６号、国際公開ＷＯ２００６－０４６９８０号、国際公開ＷＯ２００６－０５９７５８号、特許公開２００６－１８２７７２号、特許公開２００６－１５１８８８号、特許公開２００６－１５１８８７号、特許公開２００６－９３６６５号、特許公開２００６－１００３９３号、国際公開ＷＯ２００４－１０１７０７号、国際公開ＷＯ２００５－０７３３３９号、国際公開ＷＯ２００５－０５６７１９号、国際公開ＷＯ２００５－０５６７１６号、国際公開ＷＯ２００５－０５６７１５号、国際公開ＷＯ２００５－０４８３１５号、国際公開ＷＯ２００５－０３３２４４号、国際公開ＷＯ２００４－０８１０１９号、国際公開ＷＯ２００４－０４５０００号、国際公開ＷＯ２００４－０４４０８９号、国際公開ＷＯ２００４－０２６８８６号、特許公開２００２－２３４８９４号、特許公開２００２－２２６４９５号、特許公開２００３－５９６６７号、特許公開２００１－３４５１８３号、特許公開２００１－２４７８５９号、特許公開２００３－７４６９号、特許公開２００３－７３３８８号、特許公開２００３－１０９７５８号、特許公開２００３－１２３９８２号、特許公開２００３－１３３０７４号、特許公開２００３－１３１４６４号、特許公開２００３－１３１４６３号、特許公開２００４－１０７４４１号、特許公開２００４－６７６５８号、特許公開２００３－３４２２８４号、特許公開２００５－２９７８４号、特許公開２００５－２９７８３号、特許公開２００５－２９７８２号、特許公開２００５－２３０７２号、特許公開２００５－２３０７１号、特許公開２００５－２３０７０号、特許公開２００５－２１０１号、特許公開２００５－２０５３号、特許公開２００５－７８９９６号、特許公開２００５－６８１１０号、特許公開２００５－６０３７４号、特許公開２００５－４４８０２号、特許公開２００５－２９７８５号、特許公開２００５－１０４８４３号、特許公開２００５－９７５４９号、特許公開２００５－２２０１３６号、特許公開２００５－２１３３４８号、特許公開２００５－１７０８５１号、特許公開２００５－１６３０３６号、特許公開２００５－１５４３９６号、特許公開２００５－２７２４１１号、特許公開２００５－３２７５２６号、特許公開２００５－３２５０４８号、特許公開２００５－３１４６６３号、特許公開２００６－１３２２２号、特許公開２００６－８６８８号、特許公開２００６－８０４１９号、特許公開２００６－７６９６９号、国際公開ＷＯ２００２－１５６４５号、国際公開ＷＯ２００２－０２７１４号、国際公開ＷＯ２００２－０６４７００号、国際公開ＷＯ２００３－０３３６１７号、国際公開ＷＯ２００３－０００６６１号、国際公開ＷＯ２００２－０８１４８８号、米国特許公開２００６－０２５１９２３号、特許公開２００７－１３７８７２号、国際公開ＷＯ２０１０－０６１９８９号、国際公開ＷＯ２００８－１５６８７９号、国際公開ＷＯ２０１０－０６８８７６号、国際公開ＷＯ２００９－０６１９２６号、国際公開ＷＯ２００８－０５４５８４号、国際公開ＷＯ２００６－０４６９８０号などに記載がある。
　Ｉｒ―窒素結合およびＩｒ―炭素結合を形成する２座配位子の構造式の例を、表１～表２に示すが、本発明はこれに限定されるわけではない。表１～表２中のＲは水素原子又は置換基であり、望ましい範囲は後述のＲ１～Ｒ７６と同様である。表１および表２の＊はイリジウムとの結合部位を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000012
  
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000013
  
　Ｉｒ―窒素結合およびＩｒ―酸素結合を形成する２座配位子とは、例えば、ピコリン酸誘導体、ピリジンスルホン酸誘導体、キノリンスルホン酸誘導体、キノリンカルボン酸誘導体であり、ピコリン酸誘導体が好ましい。具体的には、特許公開２００６－１６３９４号、特許公開２００６－３０７２１０号、特許公開２００６－２９８９００号、国際公開ＷＯ２００６－０２８２２４号、国際公開ＷＯ２００６－０９７７１７号、特許公開２００４－１１１３７９号、特許公開２００５－２９７８５号などに記載がある。
　Ｉｒ―酸素結合を２つ形成する２座配位子とは、例えば、β―ジケトン誘導体、カルボン酸誘導体、トロポロン誘導体であり、β―ジケトン誘導体が好ましい。具体的には、特許公開２００５－３５９０２号、特許公開２００４－３４９２２４号、特許公開２００６－２８１０１号、特許公開２００５－２９７８５号などに記載がある。
　Ｉｒ―窒素結合を２つ形成する２座配位子とは、例えば、２，２’－ビピリジン誘導体、１，１０－フェナントロリン誘導体、２，２’－ビキノリン誘導体、２，２’－ジピリジルアミン誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリルボレート誘導体、ピラゾール誘導体である。具体的には、特許公開２００５－２９８４８３号、特許公開２００６－２１３７２０号、特開２００３－１３３０７４号などに記載がある。
　Ｌとして特に好ましい構造は、一般式（３）～（１１）に示される。すなわち、モノアニオン性２座配位子は（３）～（６）、（１０）、（１１）であり、中性２座配位子は（７）～（９）である。
　Ｒａは置換基を有しても良い炭素数２～３０のアルキル基（好ましくは炭素数２～２０、より好ましくは炭素数３～２０、特に好ましくは炭素数５～２０であり、最も好ましくは炭素数１０～２０である）である。
　Ｒａに置換基を有しても良い炭素数２～３０のアルキル基が導入されると、本発明化合物であるイリジウム錯体の溶媒（ジクロロメタン、クロロホルム、トルエン、ＴＨＦ、キシレンなど）に対する溶解性が大きく向上するので、合成や精製の操作性を向上させるので好ましく、特に塗布プロセスを用いた発光素子作製の観点からも非常に好ましい。
　以下にＲａを具体的に説明する。置換基を有しても良いアルキル基とは、例えば、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓ－ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ｎ－ウンデシル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘキサデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基、ネオペンチル基、１－メチルペンチル基、２－メチルペンチル基、１－ペンチルヘキシル基、１－ブチルペンチル基、１－ヘプチルオクチル基、３－メチルペンチル基、ベンジル基、１－ヒドロキシエチル基、２－ヒドロキシエチル基、２－ヒドロキシイソブチル基、１,２－ジヒドロキシエチル基、１,３－ジヒドロキシイソプロピル基、２,３－ジヒドロキシ－ｔ－ブチル基、１,２,３－トリヒドロキシプロピル基、１－クロロエチル基、２－クロロエチル基、２－クロロイソブチル基、１,２－ジクロロエチル基、１,３－ジクロロイソプロピル基、２,３－ジクロロ－ｔ－ブチル基、１,２,３－トリクロロプロピル基、１－ブロモエチル基、２－ブロモエチル基、２－ブロモイソブチル基、１,２－ジブロモエチル基、１,３－ジブロモイソプロピル基、２,３－ジブロモ－ｔ－ブチル基、１,２,３－トリブロモプロピル基、１－ヨードエチル基、２－ヨードエチル基、２－ヨードイソブチル基、１,２－ジヨードエチル基、１,３－ジヨードイソプロピル基、２,３－ジヨード－ｔ－ブチル基、１,２,３－トリヨードプロピル基、１－アミノエチル基、２－アミノエチル基、２－アミノイソブチル基、１,２－ジアミノエチル基、１,３－ジアミノイソプロピル基、２,３－ジアミノ－ｔ－ブチル基、１,２,３－トリアミノプロピル基、１－シアノエチル基、２－シアノエチル基、２－シアノイソブチル基、１,２－ジシアノエチル基、１,３－ジシアノイソプロピル基、２,３－ジシアノ－ｔ－ブチル基、１,２,３－トリシアノプロピル基、１－ニトロエチル基、２－ニトロエチル基、１,２－ジニトロエチル基、２,３－ジニトロ－ｔ－ブチル基、１,２,３－トリニトロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、３,５－テトラメチルシクロヘキシル基等が挙げられる。これらの中でも好ましくは、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓ－ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ｎ－ウンデシル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘキサデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基、ネオペンチル基、１－メチルペンチル基、１－ペンチルヘキシル基、１－ブチルペンチル基、１－ヘプチルオクチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、３,５－テトラメチルシクロヘキシル基が挙げられる。
　Ｒ１～Ｒ７６は、各々独立に、水素原子または置換基を有しても良い炭素数１～３０のアルキル基（好ましくは炭素数１～２０、より好ましくは炭素数１～１５、特に好ましくは炭素数１～１０であり、最も好ましくは炭素数１～５である）、置換基を有しても良い炭素数６～６０のアリール基（好ましくは炭素数６～３０、より好ましくは炭素数６～２０、特に好ましくは炭素数６～１５であり、最も好ましくは炭素数６～１２である）、置換基を有しても良い炭素数２～３０のアルケニル基（好ましくは炭素数２～３０、より好ましくは炭素数２～２０、特に好ましくは炭素数２～１５であり、最も好ましくは炭素数２～１０である）、置換基を有しても良い炭素数２～３０のアルキニル基（好ましくは炭素数２～３０、より好ましくは炭素数２～２０、特に好ましくは炭素数２～１０である）、置換基を有しても良い炭素数０～３０のアミノ基（好ましくは炭素数０～３０、より好ましくは炭素数０～２０、特に好ましくは炭素数０～１０である）、置換基を有しても良い炭素数１～６０のヘテロ環基（好ましくは炭素数１～３０、より好ましくは炭素数１～２０であり、特に好ましくは炭素数１～１２である）、置換基を有しても良い炭素数１～３０のアルコキシ基もしくはアルキルチオ基（好ましくは炭素数１～３０、より好ましくは炭素数１～２０、特に好ましくは炭素数１～１０である）、置換基を有しても良い炭素数６～６０のアリールオキシ基もしくはアリールチオ基（好ましくは炭素数６～３０、より好ましくは炭素数６～２０、特に好ましくは炭素数６～１５であり、最も好ましくは炭素数６～１２である）、置換基を有しても良い炭素数１～６０のヘテロ環オキシ基もしくはヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１～３０、より好ましくは炭素数１～２０であり、特に好ましくは炭素数１～１２である）、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、ハロゲン原子（好ましくは塩素原子、臭素原子、またはフッ素原子、より好ましくはフッ素原子）、シアノ基、カルボキシル基またはトリフルオロメチル基を表す。
　置換基を有しても良い炭素数１～３０のアルキル基としては、置換基を有しても良いメチル基及びＲａの説明において例示された置換基を有しても良い炭素数２～３０のアルキル基等が挙げられる。置換基を有しても良い炭素数６～６０のアリール基としては、例えば、フェニル基、ビフェニル－２－イル基、ビフェニル－３－イル基、ビフェニル－４－イル基、ｐ－ターフェニル－４－イル基、ｐ－ターフェニル－３－イル基、ｐ－ターフェニル－２－イル基、ｍ－ターフェニル－４－イル基、ｍ－ターフェニル－３－イル基、ｍ－ターフェニル－２－イル基、ｏ－トリル基、ｍ－トリル基、ｐ－トリル基、ｐ－ｔ－ブチルフェニル基、ｐ－(２－フェニルプロピル)フェニル基、４’－メチルビフェニルイル基、４”－ｔ－ブチル－ｐ－ターフェニル－４－イル基、ｏ－クメニル基、ｍ－クメニル基、ｐ－クメニル基、２,３－キシリル基、３,４－キシリル基、２,５－キシリル基、メシチル基、ｍ－クウォーターフェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基等が挙げられる。これらの中でも好ましくは、フェニル基、ビフェニル－２－イル基、ビフェニル－３－イル基、ビフェニル－４－イル基、ｍ－ターフェニル－４－イル基、ｍ－ターフェニル－３－イル基、ｍ－ターフェニル－２－イル基、ｐ－トリル基、３,４－キシリル基、ｍ－クウォーターフェニル－２－イル基、特に好ましくはフェニル基であり、これらのアリール基は置換基を有しても良い。その他、例えば特開２００９－１４９６１７号に記載された以下の式のデンドロン残基等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
 　上記式中、Ｒｅは、水素原子、炭素数１～１０のアルキル基または炭素数１～１０のアルコキシ基を表し、これらの置換基の一部の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよい。複数存在するＲｅは同一であっても異なっていてもよいが、Ｒｅのうちの少なくとも１つは炭素数１～１０のアルキル基または炭素数１～１０のアルコキシ基である。また、Ｒｆは直鎖状または分岐状の炭素数１～１０のアルキル基を表す。複数存在するＲｆは同一であっても異なっていてもよい。＊は前記Ｒ１～Ｒ７６との結合部位を表す。
　置換基を有しても良いアルケニル基とは、例えば、ビニル基、アリル基、１－ブテニル基、２－ブテニル基、３－ブテニル基、１,３－ブタンジエニル基、１－メチルビニル基、スチリル基、２,２－ジフェニルビニル基、１,２－ジフェニルビニル基、１－メチルアリル基、１,１－ジメチルアリル基、２－メチルアリル基、１－フェニルアリル基、２－フェニルアリル基、３－フェニルアリル基、３,３－ジフェニルアリル基、１,２－ジメチルアリル基、１－フェニル－１－ブテニル基、３－フェニル－１－ブテニル基等が挙げられ、好ましくは、スチリル基、２,２－ジフェニルビニル基、１,２－ジフェニルビニル基等が挙げられる。
　置換基を有しても良いアルキニル基とは、例えばプロパルギル、３－ペンチニル、エチニル基、メチルエチニル基、１－プロピニル基、２－プロピレニル基、ヘプチニル基、シクロヘキシルエチニル基、２－プロピニル基、１－ブチニル基、２－ブチニル基、１－ペンチニル基、２－ペンチニル基、１－ヘキシニル基、２－ヘキシニル基、１－オクチニル基などが挙げられる。このようなアルキニル基には、１，３－ブタジイニル基等のジイニル基も含まれる。
　置換基を有しても良いアミノ基とは、例えばアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジトリルアミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ｎ－プロピルアミノ基、ジｎ－プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ｎ－ブチルアミノ基、ｓ－ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｔ－ブチルアミノ基、ｎ－ペンチルアミノ基、ｎ－ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ｎ－ヘプチルアミノ基、ｎ－オクチルアミノ基、２－エチルヘキシルアミノ基、ｎ－ノニルアミノ基、ｎ－デシルアミノ基、３，７－ジメチルオクチルアミノ基、ｎ－ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジニル基、ピペリジニル基、ジトリフルオロメチルアミノ基フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ1～Ｃ12アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ1～Ｃ12アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ1～Ｃ12アルキルフェニル）アミノ基、１－ナフチルアミノ基、２－ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジニルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジニルアミノ基、ピラジニルアミノ基、トリアジニルアミノ基フェニル－Ｃ1～Ｃ12アルキルアミノ基、Ｃ1～Ｃ12アルコキシフェニル－Ｃ1～Ｃ12アルキルアミノ基、Ｃ1～Ｃ12アルキルフェニル－Ｃ1～Ｃ12アルキルアミノ基、ジ（Ｃ1～Ｃ12アルコキシフェニル－Ｃ1～Ｃ12アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ1～Ｃ12アルキルフェニル－Ｃ1～Ｃ12アルキル）アミノ基、１－ナフチル－Ｃ1～Ｃ12アルキルアミノ基、２－ナフチル－Ｃ1～Ｃ12アルキルアミノ基等が挙げられる。
　置換基を有しても良いヘテロ環基とは、例えば、１－ピロリル基、２－ピロリル基、３－ピロリル基、ピラジニル基、２－ピリジニル基、１－イミダゾリル基、２－イミダゾリル基、１－ピラゾリル基、１－インドリジニル基、２－インドリジニル基、３－インドリジニル基、５－インドリジニル基、６－インドリジニル基、７－インドリジニル基、８－インドリジニル基、２－イミダゾピリジニル基、３－イミダゾピリジニル基、５－イミダゾピリジニル基、６－イミダゾピリジニル基、７－イミダゾピリジニル基、８－イミダゾピリジニル基、３－ピリジニル基、４－ピリジニル基、１－インドリル基、２－インドリル基、３－インドリル基、４－インドリル基、５－インドリル基、６－インドリル基、７－インドリル基、１－イソインドリル基、２－イソインドリル基、３－イソインドリル基、４－イソインドリル基、５－イソインドリル基、６－イソインドリル基、７－イソインドリル基、２－フリル基、３－フリル基、２－ベンゾフラニル基、３－ベンゾフラニル基、４－ベンゾフラニル基、５－ベンゾフラニル基、６－ベンゾフラニル基、７－ベンゾフラニル基、１－イソベンゾフラニル基、３－イソベンゾフラニル基、４－イソベンゾフラニル基、５－イソベンゾフラニル基、６－イソベンゾフラニル基、７－イソベンゾフラニル基、２－キノリル基、３－キノリル基、４－キノリル基、５－キノリル基、６－キノリル基、７－キノリル基、８－キノリル基、１－イソキノリル基、３－イソキノリル基、４－イソキノリル基、５－イソキノリル基、６－イソキノリル基、７－イソキノリル基、８－イソキノリル基、２－キノキサリニル基、５－キノキサリニル基、６－キノキサリニル基、１－カルバゾリル基、２－カルバゾリル基、３－カルバゾリル基、４－カルバゾリル基、９－カルバゾリル基、β－カルボリン－１－イル、β－カルボリン－３－イル、β－カルボリン－４－イル、β－カルボリン－５－イル、β－カルボリン－６－イル、β－カルボリン－７－イル、β－カルボリン－６－イル、β－カルボリン－９－イル、１－フェナントリジニル基、２－フェナントリジニル基、３－フェナントリジニル基、４－フェナントリジニル基、６－フェナントリジニル基、７－フェナントリジニル基、８－フェナントリジニル基、９－フェナントリジニル基、１０－フェナントリジニル基、１－アクリジニル基、２－アクリジニル基、３－アクリジニル基、４－アクリジニル基、９－アクリジニル基、１,７－フェナントロリン－２－イル基、１,７－フェナントロリン－３－イル基、１,７－フェナントロリン－４－イル基、１,７－フェナントロリン－５－イル基、１,７－フェナントロリン－６－イル基、１,７－フェナントロリン－８－イル基、１,７－フェナントロリン－９－イル基、１,７－フェナントロリン－１０－イル基、１,８－フェナントロリン－２－イル基、１,８－フェナントロリン－３－イル基、１,８－フェナントロリン－４－イル基、１,８－フェナントロリン－５－イル基、１,８－フェナントロリン－６－イル基、１,８－フェナントロリン－７－イル基、１,８－フェナントロリン－９－イル基、１,８－フェナントロリン－１０－イル基、１,９－フェナントロリン－２－イル基、１,９－フェナントロリン－３－イル基、１,９－フェナントロリン－４－イル基、１,９－フェナントロリン－５－イル基、１,９－フェナントロリン－６－イル基、１,９－フェナントロリン－７－イル基、１,９－フェナントロリン－８－イル基、１,９－フェナントロリン－１０－イル基、１,１０－フェナントロリン－２－イル基、１,１０－フェナントロリン－３－イル基、１,１０－フェナントロリン－４－イル基、１,１０－フェナントロリン－５－イル基、２,９－フェナントロリン－１－イル基、２,９－フェナントロリン－３－イル基、２,９－フェナントロリン－４－イル基、２,９－フェナントロリン－５－イル基、２,９－フェナントロリン－６－イル基、２,９－フェナントロリン－７－イル基、２,９－フェナントロリン－８－イル基、２,９－フェナントロリン－１０－イル基、２,８－フェナントロリン－１－イル基、２,８－フェナントロリン－３－イル基、２,８－フェナントロリン－４－イル基、２,８－フェナントロリン－５－イル基、２,８－フェナントロリン－６－イル基、２,８－フェナントロリン－７－イル基、２,８－フェナントロリン－９－イル基、２,８－フェナントロリン－１０－イル基、２,７－フェナントロリン－１－イル基、２,７－フェナントロリン－３－イル基、２,７－フェナントロリン－４－イル基、２,７－フェナントロリン－５－イル基、２,７－フェナントロリン－６－イル基、２,７－フェナントロリン－８－イル基、２,７－フェナントロリン－９－イル基、２,７－フェナントロリン－１０－イル基、１－フェナジニル基、２－フェナジニル基、１－フェノチアジニル基、２－フェノチアジニル基、３－フェノチアジニル基、４－フェノチアジニル基、１０－フェノチアジニル基、１－フェノキサジニル基、２－フェノキサジニル基、３－フェノキサジニル基、４－フェノキサジニル基、１０－フェノキサジニル基、２－オキサゾリル基、４－オキサゾリル基、５－オキサゾリル基、２－オキサジアゾリル基、５－オキサジアゾリル基、３－フラザニル基、２－チエニル基、３－チエニル基、２－メチルピロール－１－イル基、２－メチルピロール－３－イル基、２－メチルピロール－４－イル基、２－メチルピロール－５－イル基、３－メチルピロール－１－イル基、３－メチルピロール－２－イル基、３－メチルピロール－４－イル基、３－メチルピロール－５－イル基、２－ｔ－ブチルピロール－４－イル基、３－(２－フェニルプロピル)ピロール－１－イル基、２－メチル－１－インドリル基、４－メチル－１－インドリル基、２－メチル－３－インドリル基、４－メチル－３－インドリル基、２－ｔ－ブチル－１－インドリル基、４－ｔ－ブチル－１－インドリル基、２－ｔ－ブチル－３－インドリル基、４－ｔ－ブチル－３－インドリル基、１－ジベンゾフラニル基、２－ジベンゾフラニル基、３－ジベンゾフラニル基、４－ジベンゾフラニル基、１－ジベンゾチオフェニル基、２－ジベンゾチオフェニル基、３－ジベンゾチオフェニル基、４－ジベンゾチオフェニル基、１－シラフルオレニル基、２－シラフルオレニル基、３－シラフルオレニル基、４－シラフルオレニル基、１－ゲルマフルオレニル基、２－ゲルマフルオレニル基、３－ゲルマフルオレニル基、４－ゲルマフルオレニル基等が挙げられる。これらの中でも好ましくは、２－ピリジニル基、１－インドリジニル基、２－インドリジニル基、３－インドリジニル基、５－インドリジニル基、６－インドリジニル基、７－インドリジニル基、８－インドリジニル基、２－イミダゾピリジニル基、３－イミダゾピリジニル基、５－イミダゾピリジニル基、６－イミダゾピリジニル基、７－イミダゾピリジニル基、８－イミダゾピリジニル基、３－ピリジニル基、４－ピリジニル基、１－インドリル基、２－インドリル基、３－インドリル基、４－インドリル基、５－インドリル基、６－インドリル基、７－インドリル基、１－イソインドリル基、２－イソインドリル基、３－イソインドリル基、４－イソインドリル基、５－イソインドリル基、６－イソインドリル基、７－イソインドリル基、１－カルバゾリル基、２－カルバゾリル基、３－カルバゾリル基、４－カルバゾリル基、９－カルバゾリル基、１－ジベンゾフラニル基、２－ジベンゾフラニル基、３－ジベンゾフラニル基、４－ジベンゾフラニル基、１－ジベンゾチオフェニル基、２－ジベンゾチオフェニル基、３－ジベンゾチオフェニル基、４－ジベンゾチオフェニル基、１－シラフルオレニル基、２－シラフルオレニル基、３－シラフルオレニル基、４－シラフルオレニル基、１－ゲルマフルオレニル基、２－ゲルマフルオレニル基、３－ゲルマフルオレニル基、４－ゲルマフルオレニル基等が挙げられる。
　置換基を有しても良いアルコキシ基もしくはアルキルチオ基とは、－ＯＹもしくは－ＳＹで表される基であり、Ｙの例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓ－ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ヒドロキシメチル基、１－ヒドロキシエチル基、２－ヒドロキシエチル基、２－ヒドロキシイソブチル基、１，２－ジヒドロキシエチル基、１，３－ジヒドロキシイソプロピル基、２，３－ジヒドロキシ－ｔ－ブチル基、１，２，３－トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１－クロロエチル基、２－クロロエチル基、２－クロロイソブチル基、１，２－ジクロロエチル基、１，３－ジクロロイソプロピル基、２，３－ジクロロ－ｔ－ブチル基、１，２，３－トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１－ブロモエチル基、２－ブロモエチル基、２－ブロモイソブチル基、１，２－ジブロモエチル基、１，３－ジブロモイソプロピル基、２，３－ジブロモ－ｔ－ブチル基、１，２，３－トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１－ヨードエチル基、２－ヨードエチル基、２－ヨードイソブチル基、１，２－ジヨードエチル基、１，３－ジヨードイソプロピル基、２，３－ジヨード－ｔ－ブチル基、１，２，３－トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１－アミノエチル基、２－アミノエチル基、２－アミノイソブチル基、１，２－ジアミノエチル基、１，３－ジアミノイソプロピル基、２，３－ジアミノ－ｔ－ブチル基、１，２，３－トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１－シアノエチル基、２－シアノエチル基、２－シアノイソブチル基、１，２－ジシアノエチル基、１，３－ジシアノイソプロピル基、２，３－ジシアノ－ｔ－ブチル基、１，２，３－トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１－ニトロエチル基、２－ニトロエチル基、２－ニトロイソブチル基、１，２－ジニトロエチル基、１，３－ジニトロイソプロピル基、２，３－ジニトロ－ｔ－ブチル基、１，２，３－トリニトロプロピル基等が挙げられる。
　置換基を有しても良いアリールオキシ基もしくはアリールチオ基とは、－ＯＺもしくは－ＳＺで表される基であり、Ｚの例としては、フェニル基、Ｃ１～Ｃ１２アルコキシフェニル基、Ｃ１～Ｃ１２アルキルフェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、およびペンタフルオロフェニル基が挙げられる。
　置換基を有しても良いアリールオキシ基の一例として、特開２００９－１４９６１７号に記載された以下の式のデンドロン残基が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
 　上記式中、Ｒｅは、水素原子、炭素数１～１０のアルキル基または炭素数１～１０のアルコキシ基を表し、これらの置換基の一部の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよい。複数存在するＲｅは同一であっても異なっていてもよいが、Ｒｅのうちの少なくとも１つは炭素数１～１０のアルキル基または炭素数１～１０のアルコキシ基である。＊は前記Ｒ１～Ｒ７６との結合部位を表す。
　置換基を有しても良いヘテロ環オキシ基もしくはヘテロ環チオ基とは、－ＯＨｅｔもしくは－ＳＨｅｔで表される基であり、Ｈｅｔの例としては、チエニル基、Ｃ１～Ｃ１２アルコキシチエニル基、Ｃ１～Ｃ１２アルキルチエニル基、ピロリル基、Ｃ１～Ｃ１２アルコキシピロリル基、Ｃ１～Ｃ１２アルキルピロリル基、フリル基、Ｃ１～Ｃ１２アルコキシフリル基、およびＣ１～Ｃ１２アルキルフリル基、ピリジニル基、Ｃ１～Ｃ１２アルコキシピリジニル基、Ｃ１～Ｃ１２アルキルピリジニル基、ピペリジニル基、Ｃ１～Ｃ１２アルコキシピペリジニル基、Ｃ１～Ｃ１２アルキルピペリジニル基、キノリル基、イソキノリル基などが挙げられる。これらのうち、Ｃ１～Ｃ１２アルコキシピリジニル基およびＣ１～Ｃ１２アルキルピリジニル基が好ましい。
　上記アシル基の炭素数は通常２～２０程度であり、２～１８であることが好ましい。具体的なアシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、およびペンタフルオロベンゾイル基などが挙げられる。
　上記アシルオキシ基の炭素数は通常２～２０程度であり、２～１８であることが好ましい。具体的なアシルオキシ基としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、およびペンタフルオロベンゾイルオキシ基などが挙げられる。
　上記置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、および、置換シリルアミノ基としては、例えば、その置換シリルの部分が、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ｔ－ブチルジメチルシリル基、ｔ－ブチルジフェニルシリル基等であるものが挙げられる。
　上記Ｒａのアルキル基、並びに、Ｒ１～Ｒ７６のアルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、ヘテロ環オキシ基、および、ヘテロ環チオ基が有してもよい置換基としては、上述したものに加え、更に、メチル基、エチル基、プロピル基、ｔ－ブチル基等のアルキル基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基、メトキシル基、エトキシル基、プロポキシル基等のアルコキシル基、フェニル基、ビフェニル基等のアリール基、チエニル基、ピロリル基、ピリジニル基等のヘテロ環基、フェノキシル基等のアリールオキシル基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジアニソリルアミノ基等のアミノ基、シアノ基等が挙げられる。
　以下に、Ｒ１～Ｒ７６をさらに具体的に説明する。
　Ｒ１としては、上記の中でも水素原子、ハロゲン原子、置換基を有しても良い炭素数６～３０のアリール基、または置換基を有しても良い炭素数１～２０のアルキル基がより好ましく、水素原子、フッ素原子、置換基を有しても良い炭素数６～１２のアリール基、または置換基を有しても良い炭素数１～１０のアルキル基が特に好ましく、水素原子またはフッ素原子が最も好ましい。
　Ｒ２としては、上記の中でも水素原子、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、置換基を有しても良い炭素数６～３０のアリール基、または置換基を有しても良い炭素数１～２０のアルキル基がより好ましく、水素原子、トリフルオロメチル基、置換基を有しても良い炭素数６～１２のアリール基、または置換基を有しても良い炭素数１～１０のアルキル基が特に好ましい。
　Ｒ３としては、上記の中でも水素原子、ハロゲン原子、置換基を有しても良い炭素数６～３０のアリール基、または置換基を有しても良い炭素数１～２０のアルキル基がより好ましく、水素原子、フッ素原子、置換基を有しても良い炭素数６～１２のアリール基、または置換基を有しても良い炭素数１～１０のアルキル基が特に好ましい。
　Ｒ４としては、上記の中でも水素原子、トリフルオロメチル基、または置換基を有しても良い炭素数１～１０のアルキル基がより好ましく、水素原子、または置換基を有しても良い炭素数１～５のアルキル基が特に好ましく、水素原子が最も好ましい。
　Ｒ１３とＲ１５としては、上記の中でもトリフルオロメチル基、置換基を有しても良い炭素数６～１２のアリール基、置換基を有しても良い炭素数１～１０のアルキル基がより好ましく、置換基を有しても良い炭素数１～５のアルキル基が特に好ましく、置換基を有しても良い炭素数１～３のアルキル基が最も好ましい。
　Ｒ１４、Ｒ２０～Ｒ３１としては、上記の中でも水素原子または置換基を有しても良い炭素数１～１０のアルキル基がより好ましく、水素原子または置換基を有しても良い炭素数１～５のアルキル基が特に好ましく、水素原子が最も好ましい。
　Ｒ５２としては、上記の中でも水素原子、置換基を有しても良い炭素数１～２０のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数６～３０のアリール基、または置換基を有しても良い炭素数１～２０のヘテロ環基がより好ましく、水素原子、置換基を有しても良い炭素数１～１０のアルキル基、または置換基を有しても良い炭素数６～１２のアリール基が特に好ましい。
　Ｒ５～Ｒ１２、Ｒ１６～Ｒ１９、Ｒ３２～Ｒ５１、Ｒ５３～Ｒ５８、Ｒ６０～Ｒ６２、Ｒ６４～Ｒ７６としては、上記の中でも水素原子、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、カルボキシル基、置換基を有しても良い炭素数１～２０のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数６～３０のアリール基、または置換基を有しても良い炭素数１～２０のヘテロ環基がより好ましく、水素原子、置換基を有しても良い炭素数１～１０のアルキル基、または置換基を有しても良い炭素数６～１２のアリール基が特に好ましい。
　Ｒ５９およびＲ６３としては、上記の中でも水素原子、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、カルボキシル基、置換基を有しても良い炭素数１～２０のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数６～３０のアリール基、または置換基を有しても良い炭素数１～２０のヘテロ環基がより好ましく、水素原子、置換基を有しても良い炭素数１～１０のアルキル基、または置換基を有しても良い炭素数６～１２のアリール基が特に好ましく、置換基を有しても良い炭素数１～５のアルキル基が最も好ましい。
　さらに、隣接する２つ以上のＲ１～Ｒ７６は、互いに結合して飽和または不飽和の炭素環、飽和または不飽和のヘテロ環を形成するのも好ましい。特に、イリジウム錯体の発光を長波長側にシフトさせるという観点からは、Ｒ１～Ｒ３が結合し、下式のようにナフタレン骨格またはアセナフテン骨格を形成することが好ましい。ここで、Ｒｂは水素原子または置換基であり、Ｒ１～Ｒ７６と望ましい範囲も同様である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
　Ｒ２が置換基を有しても良いアリール基である場合、特許公表２００５－５２１２１０号、特許公表２００５－５３７３２１号、特許公表２００５－５３７３５４号、特開２００８－１７４４９９号、特許公表２００８－５３８７４２号、特開２００９－１４９６１７号などに記載のようなデンドリマー構造をとることも好ましい。
　本発明に係るイリジウム錯体については、特に固体状態において高い発光量子収率を示すことが明らかになった。その理由について、発明者は、Ｒａという特定位置に置換基を有しても良い炭素数２～３０のアルキル基が導入されたことにより、濃度消光の影響が減少し、固体状態でも強く発光することになったと推測している。
　また、本発明に係るイリジウム錯体については、Ｌを変えることにより、発光波長を調整することが可能である。当該分野において、Ｌは金属錯体の発光特性に直接寄与するのではなく、発光特性を若干変えうると考えられており、補助配位子と呼ばれている（例えば、特許公表２００６－５１３２７８号参照）。
　一方で、一般式（１）又は（２）に記載した２－フェニルピリミジン系配位子は、前述したように本発明のイリジウム錯体の発光特性に主に寄与していると考えられる。したがって、当該２座配位子と、過去の文献に記載されている従来公知の補助配位子を組み合わせることにより、その発光波長を、用途に応じて変化させることができる。
　また、Ｒ１～Ｒ４へ置換基を導入する方法により、本発明の金属錯体の発光波長を制御することも可能である。例えば、Ｒ１またはＲ３へフッ素原子を導入すると発光は短波長シフトする。また、Ｒ２またはＲ４へトリフルオロメチル基を導入すると発光は短波長シフトする。これらのイリジウム錯体は青色発光材料として好適に用いることができる。一方、Ｒ２またはＲ３へアリール基を導入すると発光は長波長シフトする。
　前記一般式（１）で表わされるイリジウム錯体の中でも、特に一般式（１２）～（２０）で表わされるイリジウム錯体が好ましい。また一般式（２）で表わされるイリジウム錯体についても一般式（１２）～（２０）で表わされるイリジウム錯体を部分構造として有していることが好ましい。ここで、Ｒcは水素原子または置換基であり、Ｒ１～Ｒ７６と望ましい範囲も同様である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
　前記一般式（１）又は（２）で示される本発明化合物を製造するには、公知文献（特開２００２－１０５０５５号、特開２００４－１６８７５５号、特表２００３－５１５８９７号、特表２００４－５２６７００号など）を参考に合成できる。具体的には、３塩化イリジウムやイリジウムトリスアセチルアセトナートと２－フェニルピリミジン系配位子とを反応させる１段階の方法や、３塩化イリジウムと、２－フェニルピリミジン系配位子とを反応させることで、まず塩素架橋ダイマーを合成し、これと配位子Ｌを反応させる２段階の方法などがある。上記反応は、窒素雰囲気下、アルゴン雰囲気下で反応を行うのも好ましい。また、加熱手段は特に制約されないが、反応を円滑するために、マイクロ波を照射することも好ましい。マイクロ波の波長に特に制限はないが、２０００～３０００ＭＨｚ、好ましくは２４００～２５００ＭＨｚである。マイクロ波発振装置としては、市販されている有機合成用反応装置などすべて適用できる。また、加熱手段として、オイルバス、マントルヒーター等を用いても良い。
　また、本発明に係るイリジウム錯体を合成する反応を更に円滑に進めるために、反応溶媒を用いることが望ましい。このような溶媒としては特に制限はないが、アルコール系溶媒、プロトン性溶媒、非プロトン性溶媒、ニトリル系溶媒などが好ましく用いられる。反応温度、反応圧力、反応時間は、使用する原料、溶媒などによって異なるが、通常、反応温度は４０～２５０℃、好ましくは５０～２３０℃、より好ましくは６０～２２０℃であり、反応圧力は１～３０ａｔｍ、好ましくは１～５ａｔｍである。
　本発明に係るイリジウム錯体は、通常の合成反応の後処理に従って処理した後、必要があれば精製してあるいは精製せずに供することができる。後処理の方法としては、例えば、抽出、冷却、水または有機溶媒を添加することによる晶析、反応混合物からの溶媒を留去する操作等を単独あるいは組み合わせて行うことができる。精製の方法としては再結晶、蒸留、昇華あるいはカラムクロマトグラフィー等を単独あるいは組み合わせて行うことができる。
　以下に、本発明に係る、前記一般式（１）又は（２）で示されるイリジウム錯体の代表例を示すが、本発明はこれらに限定されない。表３～表１２に記載の、―Ｃ３Ｈ７、―Ｃ４Ｈ９、―Ｃ５Ｈ１１、―Ｃ７Ｈ１５、―Ｃ８Ｈ１７、―Ｃ９Ｈ１９、―Ｃ１０Ｈ２１、―Ｃ１２Ｈ２５、―Ｃ１５Ｈ３１、―Ｃ１８Ｈ３７は各々直鎖状のアルキル基を表し、―ＯＣ６Ｈ１３、―ＯＣ７Ｈ１５は各々直鎖状のアルコキシ基を表す。

Figure JPOXMLDOC01-appb-T000019
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000020
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000021
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000022
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000023
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000024
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000025
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000026
　次に、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれに限定されない。また、実施例に記載されている化合物（Ａ）～（Ｐ）、（Ａ－１）～（Ｐ－１）を表１１と表１２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000027
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000028
実施例１（本発明化合物（４７）の合成）
＜ステップ１　化合物Ａの合成＞
　２－クロロ－５－ｎ－デシルピリミジンを３．８９ｇ、２，４－ジフルオロフェニルボロン酸を２．６５ｇ、１，２－ジメトキシエタンを３５ｍＬ、炭酸カリウムの２Ｍ水溶液４２ｍｌを二口フラスコに入れた。この溶液にアルゴンガスを２０分間通気した後、テトラキストリフェニルホスフィン(０)パラジウム錯体を０．８８ｇ入れた。この溶液を、オイルバスを用いてアルゴン雰囲気下で１６時間加熱還流した。有機層を分離回収しシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、化合物Ａを４．１ｇ得た。化合物Ａの１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)
：δ　８．６６（ｓ,２Ｈ），８．０８－８．１５（ｍ,１Ｈ），６．９１－７．００（ｍ,２Ｈ），２．６３（ｔ,２Ｈ），１．１８－１．６８（ｍ,１６Ｈ），０．８８（ｔ，３Ｈ）．
＜ステップ２　化合物（Ａ－１）の合成＞
　３塩化イリジウムｎ水和物を８００ｍｇ、化合物Ａを１．５８ｇ、２－エトキシエタノールを６４ｍｌ、水２２ｍｌを二口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下で１４時間加熱還流した。反応溶液を室温まで冷却した後、水を加え生成した固体をろ過して化合物（Ａ－１）を得た。単離収率は５７％であった。化合物（Ａ－１）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　９．０３（ｓ,４Ｈ），８．７９（ｓ,４Ｈ），６．４２（ｔ，４Ｈ），５．２５（ｄ，４Ｈ），２．５２（ｍ,４Ｈ），２．１１（ｍ,４Ｈ），１．１８－１．７０（ｍ,６４Ｈ），０．８７（ｔ，１２Ｈ）．
＜ステップ３　本発明化合物（４７）の合成＞
　化合物（Ａ－１）を２５０ｍｇ、アセチルアセトンを７０．３ｍｇ、炭酸ナトリウムを１４９ｍｇ、２－エトキシエタノール５０ｍｌをナスフラスコに入れ、アルゴン雰囲気下でマイクロ波（２４５０ＭＨｚ）を３０分間照射した。反応溶液を室温まで冷却した後、溶媒を減圧濃縮し固体を得た。この固体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、本発明化合物（４７）を単離収率４８％で得た。本発明化合物（４７）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．７３（ｄ,２Ｈ），８．３８（ｄ,２Ｈ），６．４０（ｄｄ，２Ｈ），５．７１（ｄ，２Ｈ），５．２６（ｓ，１Ｈ），２．６９（ｔ,４Ｈ），１．１８－１．８２（ｍ,３８Ｈ），０．８８（ｔ，６Ｈ）．
実施例２（本発明化合物（７５）の合成）
＜ステップ１　化合物Ｂの合成＞
　２－クロロ－５－ｎ－デシルピリミジンを２．５ｇ、４－フルオロ－３－（トリフルオロメチル）フェニルボロン酸を２．２４ｇ、１，２－ジメトキシエタンを２２ｍＬ、炭酸カリウムの２Ｍ水溶液２６ｍｌを二口フラスコに入れた。この溶液にアルゴンガスを２０分間通気した後、テトラキストリフェニルホスフィン(０)パラジウム錯体を０．５７ｇ入れた。この溶液を、オイルバスを用いてアルゴン雰囲気下で１４時間加熱還流した。有機層を分離回収しシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、化合物Ｂを２．５０ｇ得た。化合物Ｂの１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．７３（ｄ,１Ｈ），８．６１－８．６５（ｍ,３Ｈ），７．３０（ｄ,１Ｈ），２．６４（ｔ,２Ｈ），１．１８－１．７０（ｍ,１６Ｈ），０．８８（ｔ，３Ｈ）．
＜ステップ２　化合物（Ｂ－１）の合成＞
　３塩化イリジウムｎ水和物を１ｇ、化合物Ｂを２．２８ｇ、２－エトキシエタノールを８０ｍｌ、水２８ｍｌを二口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下で１４時間加熱還流した。反応溶液を室温まで冷却した後、水を加え生成した固体をろ過して化合物（Ｂ－１）を得た。単離収率は５５％であった。化合物（Ｂ－１）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　９．０７（ｓ,４Ｈ），８．７９（ｓ,４Ｈ），８．２９（ｄ，４Ｈ），５．６４（ｄ，４Ｈ），２．５９（ｍ, ４Ｈ），２．１７（ｍ,４Ｈ），１．１８－１．７０（ｍ,６４Ｈ），０．８７（ｔ，１２Ｈ）．
＜ステップ３　本発明化合物（７５）の合成＞
　化合物（Ｂ－１）を２００ｍｇ、ピコリン酸ナトリウムを２４６ｍｇ、２－エトキシエタノール１００ｍｌをナスフラスコに入れ、アルゴン雰囲気下でマイクロ波（２４５０ＭＨｚ）を１０分間照射した。反応溶液を室温まで冷却した後、溶媒を減圧濃縮し固体を得た。この固体をジクロロメタン－ヘキサンで再結晶し、本発明化合物（７５）を得た。単離収率は５６％であった。本発明化合物（７５）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．６５－８．７０（ｍ,３Ｈ），８．３７（ｄ,１Ｈ），８．２９（ｄ，１Ｈ），８．２７（ｄ，１Ｈ），８．０２（ｔ，１Ｈ），７．８０（ｄ，１Ｈ），７．５２（ｔ，１Ｈ），７．２６（ｄ，１Ｈ），６．１５（ｄ，１Ｈ），５．９２（ｄ，１Ｈ），２．６３－２．６７（ｍ，２Ｈ），２．４５－２．４９（ｍ，２Ｈ），１．２５－１．６３（ｍ，３２Ｈ），０．８８（ｔ，６Ｈ）.
実施例３（本発明化合物（４３）の合成）
＜ステップ１　化合物Ｃの合成＞
　２－クロロ－５－ｎ－デシルピリミジンを２．５ｇ、３－ビフェニルボロン酸を２．１４ｇ、１，２－ジメトキシエタンを２２ｍＬ、炭酸カリウムの２Ｍ水溶液２７ｍｌを二口フラスコに入れた。この溶液にアルゴンガスを２０分間通気した後、テトラキストリフェニルホスフィン(０)パラジウム錯体を０．５７ｇ入れた。この溶液を、オイルバスを用いてアルゴン雰囲気下で１４時間加熱還流した。有機層を分離回収しシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、化合物Ｃを２．５２ｇ得た。化合物Ｃの１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．６９（ｓ,１Ｈ），８．６４（ｓ,２Ｈ），８．４０（ｄ,１Ｈ），７．７１（ｄ,３Ｈ），７．５５（ｔ,１Ｈ），７．４６（ｔ,２Ｈ），７．３６（ｔ,１Ｈ），２．６２（ｔ,２Ｈ），１．１８－１．７０（ｍ,１６Ｈ），０．８８（ｔ，３Ｈ）．
＜ステップ２　化合物（Ｃ－１）の合成＞
　３塩化イリジウムｎ水和物を１ｇ、化合物Ｃを２．２１ｇ、２－エトキシエタノールを８０ｍｌ、水２８ｍｌを二口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下で１４時間加熱還流した。反応溶液を室温まで冷却した後、水を加え生成した固体をろ過して化合物（Ｃ－１）を得た。単離収率は６０％であった。化合物（Ｃ－１）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　９．２５（ｄ,４Ｈ），８．７１（ｄ,４Ｈ），８．１８（ｄ，４Ｈ），７．５０（ｄ，８Ｈ），７．３２（ｔ，８Ｈ），７．２３（ｔ，４Ｈ），６．９８（ｄ，４Ｈ），６．０４（ｄ，４Ｈ），２．５４（ｍ,４Ｈ），２．１９（ｍ,４Ｈ），１．１８－１．７０（ｍ,６４Ｈ），０．８６（ｔ，１２Ｈ）．
＜ステップ３　本発明化合物（４３）の合成＞
　化合物（Ｃ－１）を６００ｍｇ、アセチルアセトンを３１０ｍｇ、炭酸ナトリウムを３２８ｍｇ、２－エトキシエタノール３００ｍｌを、アルゴン雰囲気下１００℃で１６時間反応させた。反応溶液を室温まで冷却した後、溶媒を減圧濃縮し固体を得た。この固体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、本発明化合物（４３）を単離収率２３％で得た。本発明化合物（４３）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．６５（ｄ,２Ｈ），８．５２（ｄ,２Ｈ），８．２１（ｄ，２Ｈ），７．５７（ｄ，４Ｈ），７．３４（ｔ，４Ｈ），７．２３（ｔ，２Ｈ），７．０８（ｄ，２Ｈ），６．４３（ｄ，２Ｈ），５．２５（ｓ，１Ｈ），２．７１（ｔ，４Ｈ），１．１８－１．８３（ｍ,３８Ｈ），０．８７（ｔ,６Ｈ）．
実施例４（本発明化合物（３９）の合成） 
＜ステップ１　化合物Ｄの合成＞
　２－クロロ－５－ｎ－デシルピリミジンを１．５ｇ、ｍ－ｔ－ブチルフェニルボロン酸を１．１５ｇ、１，２－ジメトキシエタンを１３ｍＬ、炭酸カリウムの２Ｍ水溶液１６ｍｌを二口フラスコに入れた。この溶液にアルゴンガスを２０分間通気した後、テトラキストリフェニルホスフィン(０)パラジウム錯体を０．４５ｇ入れた。この溶液を、オイルバスを用いてアルゴン雰囲気下で１４時間加熱還流した。有機層を分離回収しシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、化合物Ｄを１．５８ｇ得た。化合物Ｄの１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．６２（ｓ,２Ｈ），８．４７（ｓ,１Ｈ），８．２２（ｄ,１Ｈ），７．５１（ｄ,１Ｈ），７．４２（ｔ,１Ｈ），２．６２（ｔ,２Ｈ），１．１８－１．７０（ｍ,２５Ｈ），０．８８（ｔ，３Ｈ）.
＜ステップ２　化合物（Ｄ－１）の合成＞
　３塩化イリジウムｎ水和物を５００ｍｇ、化合物Ｄを１．０５ｇ、２－エトキシエタノールを４０ｍｌ、水１４ｍｌを二口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下で１４時間加熱還流した。反応溶液を室温まで冷却した後、水を加え生成した固体をろ過して化合物（Ｄ－１）を得た。単離収率は７３％であった。化合物（Ｄ－１）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　９．０９（ｄ,４Ｈ），８．６３（ｄ,４Ｈ），７．９０（ｄ，４Ｈ），６．７３（ｄ，４Ｈ），５．８９（ｄ，４Ｈ），２．４９（ｍ,４Ｈ），２．１５（ｍ,４Ｈ），１．１８－１．７０（ｍ, １００Ｈ），０．８６（ｔ，１２Ｈ）．
＜ステップ３　本発明化合物（３９）の合成＞
　化合物（Ｄ－１）を３００ｍｇ、アセチルアセトンを１６１ｍｇ、炭酸ナトリウムを１７１ｍｇ、２－エトキシエタノール１５０ｍｌをアルゴン雰囲気下１００℃で１６時間反応させた。反応溶液を室温まで冷却した後、溶媒を減圧濃縮し固体を得た。この固体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、本発明化合物（３９）を単離収率４６％で得た。本発明化合物（３９）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．５８（ｄ,２Ｈ），８．４８（ｄ,２Ｈ），７．９７（ｄ，２Ｈ），６．８８（ｄ，２Ｈ），６．２８（ｄ，２Ｈ），５．１９（ｓ，１Ｈ），２．６５（ｔ，４Ｈ），１．１８－１．７８（ｍ,５６Ｈ），０．８８（ｔ,６Ｈ）．
実施例５（本発明化合物（３６）の合成）
＜ステップ１　化合物Ｅの合成＞
　２－クロロ－５－エチルピリミジンを５ｇ、４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニルボロン酸を６．８７ｇ、１，２－ジメトキシエタンを４０ｍＬ、炭酸カリウムの２Ｍ水溶液４８ｍｌを二口フラスコに入れた。この溶液にアルゴンガスを２０分間通気した後、テトラキストリフェニルホスフィン(０)パラジウム錯体を２．０ｇ入れた。この溶液を、オイルバスを用いてアルゴン雰囲気下で１６時間加熱還流した。有機層を分離回収しシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、化合物Ｅを４．３ｇ得た。化合物Ｅの１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．６３（ｓ,２Ｈ），８．３３（ｄ,２Ｈ），７．５０（ｄ,２Ｈ），２．６６（ｑ,２Ｈ），１．３７（ｓ,９Ｈ），１．３０（ｔ，３Ｈ）.
＜ステップ２　化合物（Ｅ－１）の合成＞
　３塩化イリジウムｎ水和物を１ｇ、化合物Ｅを１．４４ｇ、２－エトキシエタノールを８０ｍｌ、水２８ｍｌを二口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下で１４時間加熱還流した。反応溶液を室温まで冷却した後、水を加え生成した固体をろ過して化合物（Ｅ－１）を得た。単離収率は９２％であった。化合物（Ｅ－１）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　９．２８（ｄ,４Ｈ），８．６５（ｄ,４Ｈ），７．７８（ｄ，４Ｈ），６．８９（ｄ，４Ｈ），５．９７（ｄ，４Ｈ），２．５０（ｍ,４Ｈ），２．２０（ｍ,４Ｈ），１．２４（ｔ,１２Ｈ），０．９７（ｓ，３６Ｈ）．
＜ステップ３　本発明化合物（３６）の合成＞
　化合物（Ｅ－１）を３００ｍｇ、アセチルアセトンを２１２ｍｇ、炭酸ナトリウムを２２５ｍｇ、２－エトキシエタノール１２０ｍｌをアルゴン雰囲気下１００℃で１６時間反応させた。反応溶液を室温まで冷却した後、溶媒を減圧濃縮し固体を得た。この固体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、本発明化合物（３６）を単離収率３７％で得た。本発明化合物（３６）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．５９（ｄ,２Ｈ），８．５０（ｄ,２Ｈ），７．７９（ｄ，２Ｈ），６．９１（ｄ，２Ｈ），６．２３（ｄ，２Ｈ），５．２０（ｓ，１Ｈ），２．６６－２．７８（ｍ，４Ｈ），１．８１（ｓ，６Ｈ），１．３３（ｔ,６Ｈ），１．０７（ｓ,１８Ｈ）．
実施例６（本発明化合物（７６）の合成）
＜ステップ１　化合物Ｆの合成＞
　２－クロロ－５－エチルピリミジンを１０ｇ、２，４－ジフルオロフェニルボロン酸を１２．２ｇ、１，２－ジメトキシエタンを８０ｍＬ、炭酸カリウムの２Ｍ水溶液９６ｍｌを二口フラスコに入れた。この溶液にアルゴンガスを２０分間通気した後、テトラキストリフェニルホスフィン(０)パラジウム錯体を４．１ｇ入れた。この溶液を、オイルバスを用いてアルゴン雰囲気下で１６時間加熱還流した。有機層を分離回収し溶媒を減圧留去した後に得られた固体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、化合物Ｆを１３．３ｇ得た。化合物Ｆの１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．７０（ｓ,２Ｈ），８．０８（ｍ,１Ｈ），６．９２－７．０１（ｍ,２Ｈ），２．７０（ｑ,２Ｈ），１．３２（ｔ,３Ｈ）.
＜ステップ２　化合物（Ｆ－１）の合成＞
　３塩化イリジウムｎ水和物を１ｇ、化合物Ｆを１．３１ｇ、２－エトキシエタノールを８０ｍｌ、水２８ｍｌを二口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下で１４時間加熱還流した。反応溶液を室温まで冷却した後、水を加え生成した固体をろ過して化合物（Ｆ－１）を得た。単離収率は８７％であった。化合物（Ｆ－１）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　９．１０（ｄ,４Ｈ），８．８３（ｄ,４Ｈ），６．４３（ｄｄ，４Ｈ），５．２４（ｄ，４Ｈ），２．４８－２．５８（ｍ,４Ｈ），２．２３－２．３３（ｍ,４Ｈ），１．２５（ｔ,１２Ｈ）．
＜ステップ３　本発明化合物（７６）の合成＞
　化合物（Ｆ－１）を２００ｍｇ、ピコリン酸ナトリウムを１０９ｍｇ、２－エトキシエタノール８０ｍｌをナスフラスコに入れ、アルゴン雰囲気下でマイクロ波（２４５０ＭＨｚ）を１０分間照射した。反応溶液を室温まで冷却した後、溶媒を減圧濃縮し固体を得た。この固体をジクロロメタン－ヘキサンで再結晶し、本発明化合物（７６）を得た。単離収率は９４％であった。本発明化合物（７６）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．７２－８．７５（ｍ,３Ｈ），８．３７（ｄ,１Ｈ），８．０２（ｔ，１Ｈ），７．８４（ｄ，１Ｈ），７．５０（ｄｄ，１Ｈ），７．２８（ｄ，１Ｈ），６．５４（ｄｄ，１Ｈ），６．４７（ｄｄ，１Ｈ），５．８４（ｄ，１Ｈ），５．６０（ｄ，１Ｈ），２．６７－２．７４（ｍ，２Ｈ），２．４９－２．５５（ｍ，２Ｈ），１．２８（ｔ，３Ｈ），１．１２（ｔ，３Ｈ）.
実施例７（本発明化合物（５３）の合成）
＜ステップ１　化合物Ｇの合成＞
　２－クロロ－５－ｎ－デシルピリミジンを１．５ｇ、アセナフテン－５－ボロン酸を１．２８ｇ、１，２－ジメトキシエタンを１３ｍＬ、炭酸カリウムの２Ｍ水溶液１６ｍｌを二口フラスコに入れた。この溶液にアルゴンガスを２０分間通気した後、テトラキストリフェニルホスフィン(０)パラジウム錯体を０．３４ｇ入れた。この溶液を、オイルバスを用いてアルゴン雰囲気下で１２時間加熱還流した。有機層を分離回収しシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、化合物Ｇを得た。単離収率は６７％であった。化合物Ｇの１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．７７（ｓ,１Ｈ），８．６６（ｓ,２Ｈ），８．３３（ｄ,１Ｈ），７．５１（ｄｄ,１Ｈ），７．３４（ｄ,１Ｈ），７．２７（ｄ,１Ｈ），３．３４（ｓ,４Ｈ），２．５３（ｔ,２Ｈ），１．２５－１．６４（ｍ,１６Ｈ），０．８７（ｔ，３Ｈ）．
＜ステップ２　化合物（Ｇ－１）の合成＞
　３塩化イリジウムｎ水和物を５００ｍｇ、化合物Ｇを１．１１ｇ、２－エトキシエタノールを４０ｍｌ、水１４ｍｌを二口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下で１２時間加熱還流した。反応溶液を室温まで冷却した後、水を加え生成した固体をろ過して化合物（Ｇ－１）を得た。単離収率は７４％であった。
＜ステップ３　本発明化合物（５３）の合成＞
　化合物（Ｇ－１）を５００ｍｇ、アセチルアセトンを２５８ｍｇ、炭酸ナトリウムを２７３ｍｇ、２－エトキシエタノール２００ｍｌを、アルゴン雰囲気下１００℃で１２時間反応させた。反応溶液を室温まで冷却した後、溶媒を減圧濃縮し固体を得た。この固体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、本発明化合物（５３）を単離収率２４％で得た。本発明化合物（５３）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　９．２９（ｄ,２Ｈ），８．７３（ｓ,２Ｈ），８．４８（ｓ,２Ｈ），７．４７（ｔ，２Ｈ），７．０９（ｔ，２Ｈ），６．４１（ｓ，２Ｈ），５．２３（ｓ，１Ｈ），２．９９－３．１８（ｍ、８Ｈ），２．６６（ｔ，４Ｈ），１．２６－１．７８（ｍ,３８Ｈ），０．８８（ｔ,６Ｈ）．
実施例８（本発明化合物（１２）の合成）
　化合物（Ａ－１）を５００ｍｇ、ＡｇＣＦ３ＳＯ３を１５２ｍｇ、アセトニトリル２５０ｍｌを、アルゴン雰囲気下で１６時間加熱還流した。反応溶液を室温まで冷却した後、セライト層を通してろ過し、ろ液を減圧濃縮し、ＮＨ４ＰＦ６飽和水溶液を加えた。析出した固体をろ過し中間体を得た。引き続きこの中間体を２５０ｍｇ、化合物（Ａ）を１５４ｍｇ、エチレングリコール１０ｍｌを、アルゴン雰囲気下、１９０℃で１６時間加熱反応させた。析出した固体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、本発明化合物（１２）を単離収率４０％で得た。メリジオナル体とフェイシャル体が得られた。本発明化合物（１２）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
（メリジオナル体のＮＭＲデータ）
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．６８（ｄ,１Ｈ），８．５８（ｓ,２Ｈ），７．９６（ｄ，１Ｈ），７．８１（ｄ，１Ｈ），７．４２（ｄ，１Ｈ），６．４７－６．５５（ｍ，３Ｈ），６．３９（ｄ，１Ｈ），５．９９（ｄ，１Ｈ），５．７８（ｄ，１Ｈ），２．４０－２．４８（ｍ,６Ｈ），１．２０－１．４７（ｍ,４８Ｈ），０．８８（ｔ，９Ｈ）．
（フェイシャル体のＮＭＲデータ）
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．６７（ｄ,３Ｈ），７．４２（ｄ,３Ｈ），６．４６（ｄｄ，３Ｈ），６．２７（ｄ，３Ｈ），２．４０－２．４８（ｍ,６Ｈ），０．８７－１．４６（ｍ，５７Ｈ）．
　また溶媒（クロロホルム、トルエン）に対する溶解性を確認するために、０．１ｗｔ％の溶液を作製し、目視により確認したところ、完全に溶解することがわかった。
実施例９（本発明化合物（８２）の合成）
　化合物（Ａ－１）を１１１ｍｇ、ピコリン酸ナトリウムを４５ｍｇ、２－エトキシエタノール４０ｍｌをナスフラスコに入れ、アルゴン雰囲気下でマイクロ波（２４５０ＭＨｚ）を１０分間照射した。反応溶液を室温まで冷却した後、溶媒を減圧濃縮し固体を得た。この固体をジクロロメタン－ヘキサンで再結晶し、本発明化合物（８２）を得た。単離収率は７４％であった。本発明化合物（８２）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．６８－８．７２（ｍ,３Ｈ），８．３６（ｄ,１Ｈ），８．０１（ｔ，１Ｈ），７．８３（ｄ，１Ｈ），７．４９（ｄｄ，１Ｈ），７．２６（ｄ，１Ｈ），６．５４（ｄｄ，１Ｈ），６．４７（ｄｄ，１Ｈ），５．８３（ｄ，１Ｈ），５．６０（ｄ，１Ｈ），２．６０－２．６７（ｍ，２Ｈ），２．３９－２．４８（ｍ，２Ｈ），１．２３－１．６０（ｍ，３２Ｈ），０．８８（ｔ，６Ｈ）.
実施例１０（本発明化合物（１１１）の合成）
　化合物（Ａ－１）を９０ｍｇ、２，２’－ジピリジルアミンを２９ｍｇ、２－エトキシエタノール３０ｍｌをナスフラスコに入れ、アルゴン雰囲気下でマイクロ波（２４５０ＭＨｚ）を５分間照射した。反応溶液を室温まで冷却した後、溶媒を減圧濃縮し、ＮＨ４ＰＦ６飽和水溶液を添加し固体を得た。この固体をジクロロメタンとヘキサンで再結晶し、本発明化合物（１１１）を単離収率６９％で得た。
実施例１１（本発明化合物（１１３）の合成）
　化合物（Ａ－１）を９０ｍｇ、２，２’－ビピリジンを２６ｍｇ、２－エトキシエタノール３０ｍｌをナスフラスコに入れ、アルゴン雰囲気下でマイクロ波（２４５０ＭＨｚ）を５分間照射した。反応溶液を室温まで冷却した後、溶媒を減圧濃縮し、ＮＨ４ＰＦ６飽和水溶液を添加し固体を得た。この固体をジクロロメタンとヘキサンで再結晶し、本発明化合物（１１３）を単離収率７２％で得た。本発明化合物（１１３）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　９．０５（ｄ,２Ｈ），８．７３（ｓ,２Ｈ），８．２９（ｔ,２Ｈ），７．９６（ｄ,２Ｈ），７．５４（ｔ,２Ｈ），７．４３（ｓ,２Ｈ），６．６３（ｔ,２Ｈ），５．７１（ｄ,２Ｈ），２．４９（ｔ,４Ｈ），１．２１－１．５９（ｍ,３２Ｈ），０．８８（ｔ,６Ｈ）．
実施例１２（本発明化合物（４１）の合成）
＜ステップ１　化合物Ｈの合成＞
　２－クロロ－５－ｎ－プロピルピリミジンを３ｇ、３－ビフェニルボロン酸を４．１７ｇ、１，２－ジメトキシエタンを１９ｍＬ、炭酸カリウムの２Ｍ水溶液２３ｍｌを二口フラスコに入れた。この溶液にアルゴンガスを２０分間通気した後、テトラキストリフェニルホスフィン(０)パラジウム錯体を１．１１ｇ入れた。この溶液を、オイルバスを用いてアルゴン雰囲気下で１４時間加熱還流した。有機層を分離回収しシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、化合物Ｈを３．８１ｇ得た。化合物Ｈの１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．６８（ｓ,１Ｈ），８．６５（ｓ,２Ｈ），８．４０（ｄ,１Ｈ），７．７１（ｄ,３Ｈ），７．５６（ｔ,１Ｈ），７．４６（ｔ,２Ｈ），７．３６（ｔ,１Ｈ），２．６１（ｔ,２Ｈ），１．７０（ｍ,２Ｈ），１．００（ｔ，３Ｈ）．
＜ステップ２　化合物（Ｈ－１）の合成＞
　３塩化イリジウムｎ水和物を５００ｍｇ、化合物Ｈを８７１ｍｇ、２－エトキシエタノールを４０ｍｌ、水１４ｍｌを二口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下で１４時間加熱還流した。反応溶液を室温まで冷却した後、水を加え生成した固体をろ過して化合物（Ｈ－１）を得た。単離収率は６８％であった。化合物（Ｈ－１）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　９．２６（ｄ,４Ｈ），８．７２（ｄ,４Ｈ），８．１９（ｄ，４Ｈ），７．５１（ｄ，８Ｈ），７．３３（ｔ，８Ｈ），７．２４（ｔ，４Ｈ），６．９８（ｄ，４Ｈ），６．０５（ｄ，４Ｈ），２．５４（ｍ,４Ｈ），２．１７（ｍ,４Ｈ），１．６７（ｍ,８Ｈ），１．０３（ｔ，１２Ｈ）．
＜ステップ３　本発明化合物（４１）の合成＞
　化合物（Ｈ－１）を３９０ｍｇ、アセチルアセトンを２５２ｍｇ、炭酸ナトリウムを２６７ｍｇ、２－エトキシエタノール１５０ｍｌをアルゴン雰囲気下１００℃で１６時間反応させた。反応溶液を室温まで冷却した後、溶媒を減圧濃縮し固体を得た。この固体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、本発明化合物（４１）を単離収率５３％で得た。本発明化合物（４１）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．６５（ｄ,２Ｈ），８．５２（ｄ,２Ｈ），８．２１（ｄ，２Ｈ），７．５７（ｄ，４Ｈ），７．３４（ｔ，４Ｈ），７．２２（ｔ，２Ｈ），７．０９（ｄ，２Ｈ），６．４３（ｄ，２Ｈ），５．２６（ｓ，１Ｈ），２．７０（ｔ，４Ｈ），１．６７－１．８３（ｍ,１０Ｈ），１．０３（ｔ,６Ｈ）．
実施例１３（本発明化合物（４２）の合成）
＜ステップ１　化合物Ｉの合成＞
　２－クロロ－５－ｎ－ペンチルピリミジンを３ｇ、３－ビフェニルボロン酸を３．５４ｇ、１，２－ジメトキシエタンを１９ｍＬ、炭酸カリウムの２Ｍ水溶液２３ｍｌを二口フラスコに入れた。この溶液にアルゴンガスを２０分間通気した後、テトラキストリフェニルホスフィン(０)パラジウム錯体を０．９３９ｇ入れた。この溶液を、オイルバスを用いてアルゴン雰囲気下で１４時間加熱還流した。有機層を分離回収しシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、化合物Ｉを３．６５ｇ得た。化合物Ｉの１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．６９（ｓ,１Ｈ），８．６４（ｓ,２Ｈ），８．４０（ｄ,１Ｈ），７．７１（ｄ,３Ｈ），７．５５（ｔ,１Ｈ），７．４６（ｔ,２Ｈ），７．３６（ｔ,１Ｈ），２．６２（ｔ,２Ｈ），１．３１－１．７０（ｍ,６Ｈ），０．９０（ｔ，３Ｈ）．
＜ステップ２　化合物（Ｉ－１）の合成＞
　３塩化イリジウムｎ水和物を５００ｍｇ、化合物Ｉを９０１ｍｇ、２－エトキシエタノールを４０ｍｌ、水１４ｍｌを二口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下で１４時間加熱還流した。反応溶液を室温まで冷却した後、水を加え生成した固体をろ過して化合物（Ｉ－１）を得た。単離収率は７２％であった。化合物（Ｉ－１）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　９．２６（ｄ,４Ｈ），８．７１（ｄ,４Ｈ），８．１９（ｄ，４Ｈ），７．５０（ｄ，８Ｈ），７．３３（ｔ，８Ｈ），７．２３（ｄ，４Ｈ），６．９８（ｄ，４Ｈ），６．０５（ｄ，４Ｈ），２．５４（ｍ,４Ｈ），２．１９（ｍ,４Ｈ），１．３６－１．６３（ｍ,２４Ｈ），０．８６（ｔ，１２Ｈ）．
＜ステップ３　本発明化合物（４２）の合成＞
　化合物（Ｉ－１）を３７８ｍｇ、アセチルアセトンを２２８ｍｇ、炭酸ナトリウムを２４１ｍｇ、２－エトキシエタノール１５０ｍｌを、アルゴン雰囲気下１００℃で１６時間反応させた。反応溶液を室温まで冷却した後、溶媒を減圧濃縮し固体を得た。この固体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、本発明化合物（４２）を単離収率４８％で得た。本発明化合物（４２）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．６５（ｄ,２Ｈ），８．５２（ｄ,２Ｈ），８．２１（ｄ，２Ｈ），７．５７（ｄ，４Ｈ），７．３４（ｔ，４Ｈ），７．２３（ｔ，２Ｈ），７．０８（ｄ，２Ｈ），６．４３（ｄ，２Ｈ），５．２５（ｓ，１Ｈ），２．７１（ｔ，４Ｈ），１．３５－１．８３（ｍ,１８Ｈ），０．９３（ｔ,６Ｈ）．
実施例１４（本発明化合物（１２４）の合成）
　化合物（Ａ－１）を５００ｍｇ、ＡｇＣＦ３ＳＯ３を１５２ｍｇ、アセトニトリル２５０ｍｌを、アルゴン雰囲気下で１６時間加熱還流した。反応溶液を室温まで冷却した後、セライト層を通してろ過し、ろ液を減圧濃縮し、ＮＨ４ＰＦ６飽和水溶液を加えた。析出した固体をろ過し中間体を得た。引き続きこの中間体を４５０ｍｇ、テトラキス（１－ピラゾリル）ボレートのカリウム塩を２６５ｍｇ、アセトニトリル１５０ｍｌを、アルゴン雰囲気下、７２時間加熱還流させた。反応後の溶液から析出した固体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとメタノールの混合溶媒）により分離精製することで、本発明化合物（１２４）を単離収率４０％で得た。本発明化合物（１２４）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．５５（ｓ,２Ｈ），７．６６（ｓ,２Ｈ），７．１４－７．１７（ｍ，４Ｈ），６．９９（ｓ，２Ｈ），６．５３（ｄｄ，２Ｈ），６．２７（ｓ，２Ｈ），６．１７（ｓ，２Ｈ），６．０３（ｓ，２Ｈ），５．６１（ｄ，２Ｈ），２．３４－２．４９（ｍ，４Ｈ），１．２３－１．６３（ｍ，３２Ｈ），０．８８（ｔ，６Ｈ）.
実施例１５（本発明化合物（１）の合成）
＜ステップ１　化合物Ｊの合成＞
　２－クロロ－５－エチルピリミジンを３ｇ、フェニルボロン酸を２．８２ｇ、１，２－ジメトキシエタンを３０ｍＬ、炭酸カリウムの２Ｍ水溶液２５ｍｌを二口フラスコに入れた。この溶液にアルゴンガスを２０分間通気した後、テトラキストリフェニルホスフィン(０)パラジウム錯体を１．２２ｇ入れた。この溶液を、オイルバスを用いてアルゴン雰囲気下で５２．５時間加熱還流した。有機層を分離回収しシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、化合物Ｊを２．８７ｇ得た。化合物Ｊの１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．５９（ｓ,２Ｈ），８．４３（ｄ,２Ｈ），７．４１－７．５０（ｍ,３Ｈ），２．５８（ｑ,２Ｈ），１．２３（ｔ,３Ｈ）.
＜ステップ２　化合物（Ｊ－１）の合成＞
　３塩化イリジウムｎ水和物を３００ｍｇ、化合物Ｊを３２８ｍｇ、２－エトキシエタノールを２０ｍｌ、水７ｍｌを二口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下で１７時間加熱還流した。反応溶液を室温まで冷却した後、水を加え生成した固体をろ過して化合物（Ｊ－１）を得た。単離収率は８６％であった。化合物（Ｊ－１）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　９．２５（ｓ, ４Ｈ），８．６８（ｓ，４Ｈ），７．８８（ｄ，４Ｈ），６．８３（ｔ，４Ｈ），６．６８（ｔ，４Ｈ），５．８７（ｄ，４Ｈ），２．２３－２．５６（ｍ，８Ｈ），１．２５（ｔ，１２Ｈ）．
＜ステップ３　本発明化合物（１）の合成＞
　化合物（Ｊ－１）を１３９ｍｇ、ＡｇＣＦ３ＳＯ３を６０ｍｇ、化合物Ｊを２１５ｍｇ、アルゴン雰囲気下で４１時間加熱還流した。室温まで冷却した後、ジクロロメタン５０ｍｌを加え、セライト層を通してろ過することで不溶物を取り除いた。その後、ろ液を減圧濃縮することで得られた固体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンと酢酸エチルの混合溶媒）により分離精製することで、本発明化合物（１）を単離収率２０％で得た。本発明化合物（１）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．５７（ｓ,３Ｈ），８．０５（ｄ，３Ｈ），７．５２（ｓ，３Ｈ），６．９９（ｔ，３Ｈ），６．９２（ｔ，３Ｈ），６．８１（ｄ，３Ｈ），２．４９（ｑ，６Ｈ），１．１３（ｔ，９Ｈ）．
実施例１６（本発明化合物（９１）の合成）
　化合物（Ａ－１）を３００ｍｇ、５－ブチルピコリン酸を１５１ｍｇ、炭酸ナトリウムを１７８ｍｇ、２－エトキシエタノール１００ｍｌをナスフラスコに入れ、アルゴン雰囲気下でマイクロ波（２４５０ＭＨｚ）を１０分間照射した。反応溶液を室温まで冷却した後、溶媒を減圧濃縮し固体を得た。この固体をジクロロメタン－ヘキサンで再結晶し、本発明化合物（９１）を得た。単離収率は７０％であった。本発明化合物（９１）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．６８－８．７２（ｍ,３Ｈ），８．２５（ｄ，１Ｈ），７．７９（ｄ，１Ｈ），７．５５（ｓ，１Ｈ），７．２４（ｓ，１Ｈ），６．５５（ｔ，１Ｈ），６．４６（ｔ，１Ｈ），５．８３（ｄ，１Ｈ），５．６０（ｄ，１Ｈ），２．６２－２．６５（ｍ，２Ｈ），２．５５－２．５９（ｍ，２Ｈ），２．３９－２．４９（ｍ，２Ｈ），１．２３－１．６１（ｍ，３８Ｈ），０．８８（ｍ，９Ｈ）．
実施例１７（本発明化合物（９２）の合成）
＜ステップ１　化合物Ｋの合成＞
　２－クロロ－５－ｎ－ヘプチルピリミジンを５ｇ、２，４－ジフルオロフェニルボロン酸を４．０８ｇ、１，２－ジメトキシエタンを５３ｍＬ、炭酸カリウムの２Ｍ水溶液６４ｍｌを二口フラスコに入れた。この溶液にアルゴンガスを２０分間通気した後、テトラキストリフェニルホスフィン(０)パラジウム錯体を１．３６ｇ入れた。この溶液を、オイルバスを用いてアルゴン雰囲気下で１６時間加熱還流した。有機層を分離回収しシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、化合物Ｋを５．５７ｇ得た。化合物Ｋの１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．６８（ｓ,２Ｈ），８．０５－８．１１（ｍ，１Ｈ），６．９２－７．０２（ｍ，２Ｈ），２．６４（ｔ，２Ｈ），１．６３－１．７１（ｍ，２Ｈ），１．２６－１．３９（ｍ，８Ｈ），０．８９（ｔ，３Ｈ）．
＜ステップ２　化合物（Ｋ－１）の合成＞
　３塩化イリジウムｎ水和物を５００ｍｇ、化合物Ｋを８６５ｍｇ、２－エトキシエタノールを２０ｍｌ、水７ｍｌを二口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下で１２．５時間加熱還流した。反応溶液を室温まで冷却した後、水を加え生成した固体をろ過し、ジクロロメタン－ヘキサンで再結晶し、化合物（Ｋ－１）を得た。単離収率は７１％であった。化合物（Ｋ－１）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　９．０３（ｓ,４Ｈ），８．８０（ｓ，４Ｈ），６．４３（ｔ，４Ｈ），５．２５（ｄ，４Ｈ），２．４９－２．５６（ｍ，４Ｈ），２．０７－２．１５（ｍ，４Ｈ），１．２６－１．５６（ｍ，４０Ｈ）．０．８６（ｔ，１２Ｈ）．
＜ステップ３　本発明化合物（９２）の合成＞
　化合物（Ｋ－１）を５００ｍｇ、ピコリン酸ナトリウムを２２５ｍｇ、２－エトキシエタノール１２０ｍｌをナスフラスコに入れ、アルゴン雰囲気下でマイクロ波（２４５０ＭＨｚ）を１０分間照射した。反応溶液を室温まで冷却した後、溶媒を減圧濃縮し固体を得た。この固体をジクロロメタン－ヘキサンで再結晶し、本発明化合物（９２）を得た。単離収率は８１％であった。本発明化合物（９２）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．６８－８．７３（ｍ,３Ｈ），８．３６（ｄ，１Ｈ），８．０１（ｔ，１Ｈ），７．８３（ｄ、，１Ｈ），７．５０（ｄｄ，１Ｈ），７．２８（ｄ，１Ｈ），６．５４（ｔ，１Ｈ），６．４７（ｔ，１Ｈ），５．８３（ｄ，１Ｈ），５．６０（ｄ，１Ｈ），２．６２－２．６６（ｍ，２Ｈ），２．４０－２．４９（ｍ，２Ｈ），１．２３－１．６０（ｍ，２０Ｈ），０．８５－０．９０（ｍ，６Ｈ）．
実施例１８（本発明化合物（９３）の合成）
＜ステップ１　化合物Ｌの合成＞
　２－クロロ－５－ｎ－ペンチルピリミジンを２ｇ、２，４－ジフルオロフェニルボロン酸を１．８８ｇ、１，２－ジメトキシエタンを２５ｍＬ、炭酸カリウムの２Ｍ水溶液３０ｍｌを二口フラスコに入れた。この溶液にアルゴンガスを２０分間通気した後、テトラキストリフェニルホスフィン(０)パラジウム錯体を６２５ｍｇ入れた。この溶液を、オイルバスを用いてアルゴン雰囲気下で１６時間加熱還流した。有機層を分離回収しシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、化合物Ｌを２．５７ｇ得た。化合物Ｌの１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．７１（ｓ,２Ｈ），８．０５－８．１１（ｍ，１Ｈ），６．９２－７．０１（ｍ，２Ｈ），２．６４（ｔ，２Ｈ），１．６４－１．７１（ｍ，２Ｈ），１．３２－１．４３（ｍ，４Ｈ），０．９３（ｔ，３Ｈ）．
＜ステップ２　化合物（Ｌ－１）の合成＞
　３塩化イリジウムｎ水和物を５００ｍｇ、化合物Ｌを０．８１３ｇ、２－エトキシエタノールを２０ｍｌ、水７ｍｌを二口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下で１２．５時間加熱還流した。反応溶液を室温まで冷却した後、水を加え生成した固体をろ過し、ジクロロメタン－ヘキサンで再結晶し、化合物（Ｌ－１）を得た。単離収率は７９％であった。化合物（Ｌ－１）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ (４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３) ：δ　９．０３（ｓ, ４Ｈ），８．８０（ｓ，４Ｈ），６．４３（ｔ，４Ｈ），５．２６（ｄ，４Ｈ），２．５０－２．５７（ｍ，４Ｈ），２．０７－２．１５（ｍ，４Ｈ），１．２７－１．６５（ｍ，２４Ｈ）．０．８８（ｔ，１２Ｈ）．
＜ステップ３　本発明化合物（９３）の合成＞
　化合物（Ｌ－１）を３００ｍｇ、ピコリン酸ナトリウムを８３０ｍｇ、２－エトキシエタノール４０ｍｌをナスフラスコに入れ、アルゴン雰囲気下でマイクロ波（２４５０ＭＨｚ）を１０分間照射した。反応溶液を室温まで冷却した後、溶媒を減圧濃縮し固体を得た。この固体をジクロロメタン－ヘキサンで再結晶し、本発明化合物（９３）を得た。単離収率は７４％であった。本発明化合物（９３）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．６９－８．７３（ｍ,３Ｈ），８．３６（ｄ，１Ｈ），８．０２（ｔ，１Ｈ），７．８３（ｄ，１Ｈ），７．５１（ｄｄ，１Ｈ），７．２８（ｄ，１Ｈ），６．５４（ｔ，１Ｈ），６．４７（ｔ，１Ｈ），５．８４（ｄ，１Ｈ），５．６１（ｄ，１Ｈ），２．６２－２．６６（ｍ，２Ｈ），２．４３－２．４７（ｍ，２Ｈ），１．１９－１．６４（ｍ，１２Ｈ），０．８４－０．９０（ｍ，６Ｈ）．
実施例１９（本発明化合物（９４）の合成）
＜ステップ１　化合物Ｍの合成＞
　５－ブロモ－２－クロロピリミジンを３ｇ、オクタデシルボロン酸を４．６３ｇ、トルエンを３５ｍｌ、水を１２ｍｌ、Ｋ３ＰＯ４を７．６３ｇ、Ｐｄ２（ｄｂａ）３を２８４ｍｇ、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフェニル５０．９ｍｇを二口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下で１３時間加熱還流した。反応溶液を室温まで冷却した後、セライト層を通してろ過した。ろ液を濃縮して得られた固体を、シリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、中間体を１．０８ｇ得た。上記操作で得られた中間体を１ｇ、２，４－ジフルオロフェニルボロン酸を４７．３ｍｇ、１，２－ジメトキシエタンを１０ｍＬ、炭酸カリウムの２Ｍ水溶液９ｍｌを二口フラスコに入れた。この溶液にアルゴンガスを２０分間通気した後、テトラキストリフェニルホスフィン(０)パラジウム錯体を１５．８ｍｇ入れた。この溶液を、オイルバスを用いてアルゴン雰囲気下で１５．５時間加熱還流した。有機層を分離回収しシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、化合物Ｍを２５１ｍｇ得た。化合物Ｍの１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．６７（ｓ,２Ｈ），８．０６－８．１３（ｍ,１Ｈ），６．９２－７．０１（ｍ,２Ｈ），２．６４（ｔ,２Ｈ），１．２６－１．７０（ｍ,３２Ｈ），０．８８（ｔ，３Ｈ）．
＜ステップ２　化合物（Ｍ－１）の合成＞
　３塩化イリジウムｎ水和物を９０ｍｇ、化合物Ｍを２３８ｍｇ、２－エトキシエタノールを５．４ｍｌ、水１．８ｍｌを二口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下で１６時間加熱還流した。反応溶液を室温まで冷却した後、水を加え生成した固体をろ過して化合物（Ｍ－１）を得た。単離収率は５９％であった。化合物（Ｍ－１）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　９．０３（ｓ,４Ｈ），８．８０（ｓ,４Ｈ），６．４２（ｔ，４Ｈ），５．２６（ｄ，４Ｈ），２．４８－２．５５（ｍ,４Ｈ），２．０７－２．１５（ｍ,４Ｈ），１．２５－１．６０（ｍ,１２８Ｈ），０．８７（ｔ，１２Ｈ）．
＜ステップ３　本発明化合物（９４）の合成＞
　化合物（Ｍ－１）を１７１ｍｇ、ピコリン酸ナトリウムを９３ｍｇ、２－エトキシエタノール１８ｍｌをナスフラスコに入れ、アルゴン雰囲気下でマイクロ波（２４５０ＭＨｚ）を１０分間照射した。反応溶液を室温まで冷却した後、溶媒を減圧濃縮し固体を得た。この固体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタン）により分離精製することで、本発明化合物（９４）を単離収率６５％で得た。本発明化合物（９４）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．６８－８．７２（ｍ,３Ｈ），８．３６（ｄ,１Ｈ），８．０１（ｔ，１Ｈ），７．８３（ｄ，１Ｈ），７．５０（ｄｄ，１Ｈ），７．２８（ｄ，１Ｈ），６．５４（ｄｄ，１Ｈ），６．４７（ｄｄ，１Ｈ），５．８３（ｄ，１Ｈ），５．６０（ｄ，１Ｈ），２．６２－２．６６（ｍ，２Ｈ），２．４０－２．４９（ｍ，２Ｈ），１．２２－１．６７（ｍ，６４Ｈ），０．８８（ｔ，６Ｈ）.
実施例２０（本発明化合物（９５）の合成）
　３塩化イリジウムｎ水和物を５００ｍｇ、２－（４－ヘプチルオキシフェニル）－５－ノニルピリジン（化合物Ｎ）を１．４ｇ、２－エトキシエタノールを２０ｍｌ、水７ｍｌを二口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下で１４．５時間加熱還流した。反応溶液を室温まで冷却した後、水を加え生成した固体をろ過し、ジクロロメタン－ヘキサンで再結晶し、化合物（Ｎ－１）を得た。引き続き、上記操作で得られた化合物（Ｎ－１）に、ピコリン酸ナトリウムを５１４ｍｇ、２－エトキシエタノール１７５ｍｌをナスフラスコに入れ、アルゴン雰囲気下でマイクロ波（２４５０ＭＨｚ）を１０分間照射した。反応溶液を室温まで冷却した後、溶媒を減圧濃縮し固体を得た。この固体をジクロロメタン－ヘキサンで再結晶し、本発明化合物（９５）を得た。単離収率は６７％であった。本発明化合物（９５）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．６７（ｓ,１Ｈ），８．５１（ｓ，１Ｈ），８．４８（ｓ，１Ｈ），８．３２（ｄ，１Ｈ），７．８７－７．９３（ｍ，３Ｈ），７．８５（ｄ，１Ｈ）、７．３８（ｔ，１Ｈ），７．２３（ｓ，１Ｈ），６．５７（ｄ、１Ｈ），６．５０（ｄ，１Ｈ），５．９０（ｓ，１Ｈ），５．７３（ｓ，１Ｈ），３．６８－３．７７（ｍ，４Ｈ），２．３６－２．５８（ｍ，４Ｈ），１．２３－１．６４（ｍ，４８Ｈ）、０．８８（ｍ、１２Ｈ）．
実施例２１（本発明化合物（９６）の合成）
　３塩化イリジウムｎ水和物を５００ｍｇ、２－（４－ヘキシルオキシフェニル）－５－オクチルピリジン（化合物Ｏ）を１．１９ｇ、２－エトキシエタノールを２０ｍｌ、水７ｍｌを二口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下で１７．５時間加熱還流した。反応溶液を室温まで冷却した後、水を加え生成した固体をろ過し、ジクロロメタン－ヘキサンで再結晶し、化合物（Ｏ－１）を得た。引き続き、上記操作で得られた化合物（Ｏ－１）に、ピコリン酸ナトリウムを５１４ｍｇ、２－エトキシエタノール１６５ｍｌをナスフラスコに入れ、アルゴン雰囲気下でマイクロ波（２４５０ＭＨｚ）を１０分間照射した。反応溶液を室温まで冷却した後、溶媒を減圧濃縮し固体を得た。この固体をジクロロメタン－ヘキサンで再結晶し、本発明化合物（９６）を得た。単離収率は６４％であった。本発明化合物（９６）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．６７（ｓ,１Ｈ），８．５１（ｓ，１Ｈ），８．４８（ｓ，１Ｈ），８．３２（ｄ，１Ｈ），７．８８－７．９３（ｍ，３Ｈ），７．８５（ｄ，１Ｈ），７．３９（ｔ，１Ｈ），７．２３（ｓ，１Ｈ），６．５７（ｄ，１Ｈ），６．５０（ｄ，１Ｈ），５．９０（ｓ，１Ｈ），５．７３（ｓ，１Ｈ），３．６８－３．７７（ｍ，４Ｈ），２．３６－２．５８（ｍ，４Ｈ），１．２３－１．６４（ｍ，４０Ｈ），０．８８（ｍ，１２Ｈ）．
実施例２２（本発明化合物（５５）の合成）
＜ステップ１　化合物Ｐの合成＞
　５－ブロモ－２－クロロピリミジンを２．５ｇ、３－クロロフェニルボロン酸１．６８７ｇ、１，２－ジメトキシエタンを２５ｍＬ、炭酸カリウムの２Ｍ水溶液２１ｍｌを二口フラスコに入れた。この溶液にアルゴンガスを２０分間通気した後、テトラキストリフェニルホスフィン(０)パラジウム錯体を５６７ｍｇ入れた。この溶液を、オイルバスを用いてアルゴン雰囲気下で１５．５時間加熱還流した。有機層を分離回収しシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、中間体を２．１３ｇ得た。上記操作で得られた中間体を２．１３ｇ、（３，５－ジフェニルフェニル）ボロン酸を３．５３ｇ、トルエンを３４ｍｌ、Ｋ３ＰＯ４を３．１６ｇ、Ｐｄ２（ｄｂａ）３を１１８ｍｇ、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフェニルを２１２ｍｇ、を二口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下で１７時間加熱還流した。反応溶液を室温まで冷却した後、セライト層を通してろ過した。ろ液を濃縮して得られた固体を、シリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、化合物Ｐを０．８１ｇ得た。化合物Ｐの１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．７９（ｓ,１Ｈ），８．６４（ｓ，２Ｈ），８．４５（ｄ，１Ｈ），７．８９（ｓ，２Ｈ），７．８０－７．８２（ｍ，２Ｈ），７．７３（ｄ，４Ｈ），７．５９（ｔ，１Ｈ），７．４８（ｔ，４Ｈ），７．４０（ｄｄ，２Ｈ），２．６２（ｔ,２Ｈ），１．２６－１．６６（ｍ,１６Ｈ），０．８７（ｔ，３Ｈ）．
＜ステップ２　化合物（Ｐ－１）の合成＞
　３塩化イリジウムｎ水和物を５５ｍｇ、化合物Ｐを１６５ｍｇ、２－エトキシエタノールを４．５ｍｌ、水１．２ｍｌを二口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下で１５時間加熱還流した。反応溶液を室温まで冷却した後、水を加え生成した固体をろ過して化合物（Ｐ－１）を得た。単離収率は６１％であった。
＜ステップ３　本発明化合物（５５）の合成＞
　化合物（Ｐ－１）を２０６ｍｇ、アセチルアセトンを８０ｍｇ、炭酸ナトリウムを８５．５ｍｇ、２－エトキシエタノール５０ｍｌをアルゴン雰囲気下１００℃で１３．５時間反応させた。反応溶液を室温まで冷却した後、溶媒を減圧濃縮し固体を得た。この固体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）により分離精製することで、本発明化合物（５５）を単離収率３５％で得た。本発明化合物（５５）の１Ｈ－ＮＭＲデータを以下に示す。
1Ｈ―ＮＭＲ(４００ＭＨｚ／ＣＤＣＬ３)：δ　８．６６（ｓ,２Ｈ），８．５４（ｓ,２Ｈ），８．３１（ｓ，２Ｈ），７．７７（ｄ，４Ｈ），７．６５－７．６９（ｍ，１０Ｈ），７．４４（ｔ，８Ｈ），７．３５（ｔ，４Ｈ），７．２０（ｄ，２Ｈ），６．４８（ｄ，２Ｈ），５．２７（ｓ，１Ｈ），２．７２（ｔ，４Ｈ），１．２６－１．８５（ｍ,３８Ｈ），０．８６（ｔ,６Ｈ）．
　次に本発明化合物の発光特性を以下に示す。
実施例２３（本発明化合物（１２）のＴＨＦ中での発光）
　本発明化合物（１２）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３５０nm）を測定したところ、強い発光（発光極大波長：４９７nm）を示した。発光量子収率は０．７２であった。
実施例２４（本発明化合物（３６）のＴＨＦ中での発光）
　本発明化合物（３６）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３５０nm）を測定したところ、強い発光（発光極大波長：５３２nm）を示した。発光量子収率は０．６７であった。
実施例２５（本発明化合物（３９）のＴＨＦ中での発光）
　本発明化合物（３９）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３５０nm）を測定したところ、強い発光（発光極大波長：５３９nm）を示した。発光量子収率は０．７３であった。
実施例２６（本発明化合物（４３）のＴＨＦ中での発光）
　本発明化合物（４３）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３５０nm）を測定したところ、強い発光（発光極大波長：５３５nm）を示した。発光量子収率は０．７６であった。
実施例２７（本発明化合物（４７）のＴＨＦ中での発光）
　本発明化合物（４７）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３５０nm）を測定したところ、強い発光（発光極大波長：４８９nm）を示した。発光量子収率は０．５３であった。
実施例２８（本発明化合物（５３）のＴＨＦ中での発光）
　本発明化合物（５３）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３５０nm）を測定したところ、強い発光（発光極大波長：５６７nm）を示した。発光量子収率は０．６８であった。
実施例２９（本発明化合物（７５）のＴＨＦ中での発光）
　本発明化合物（７５）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３５０nm）を測定したところ、強い発光（発光極大波長：４７０nm）を示した。発光量子収率は０．７４であった。
実施例３０（本発明化合物（７６）のＴＨＦ中での発光）
　本発明化合物（７６）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３５０nm）を測定したところ、強い発光（発光極大波長：４７７nm）を示した。発光量子収率は０．８１であった。
実施例３１（本発明化合物（８２）のＴＨＦ中での発光）
　本発明化合物（８２）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３５０nm）を測定したところ、強い発光（発光極大波長：４７５nm）を示した。発光量子収率は０．８４であった。
実施例３２（本発明化合物（１１１）のＴＨＦ中での発光）
　本発明化合物（１１１）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３５０nm）を測定したところ、強い発光（発光極大波長：４６１nm）を示した。発光量子収率は０．６６であった。
実施例３３（本発明化合物（１１３）のＴＨＦ中での発光）
　本発明化合物（１１３）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３５０nm）を測定したところ、強い発光（発光極大波長：５２３nm）を示した。発光量子収率は０．７１であった。
実施例３４（本発明化合物（４１）のＴＨＦ中での発光）
　本発明化合物（４１）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３５０nm）を測定したところ、強い発光（発光極大波長：５４０nm）を示した。発光量子収率は０．７６であった。
実施例３５（本発明化合物（４２）のＴＨＦ中での発光）
　本発明化合物（４２）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３５０nm）を測定したところ、強い発光（発光極大波長：５４０nm）を示した。発光量子収率は０．７７であった。
実施例３６（本発明化合物（１２４）のＴＨＦ中での発光）
　本発明化合物（１２４）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３５０nm）を測定したところ、強い発光（発光極大波長：４６３nm）を示した。発光量子収率は０．８８であった。
実施例３７（本発明化合物（９１）のＴＨＦ中での発光）
　本発明化合物（９１）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３５０nm）を測定したところ、強い発光（発光極大波長：４７８nm）を示した。発光量子収率は０．８５であった。
実施例３８（本発明化合物（９２）のＴＨＦ中での発光）
　本発明化合物（９２）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３５０nm）を測定したところ、強い発光（発光極大波長：４７８nm）を示した。発光量子収率は０．８４であった。
実施例３９（本発明化合物（９３）のＴＨＦ中での発光）
　本発明化合物（９３）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３５０nm）を測定したところ、強い発光（発光極大波長：４７６nm）を示した。発光量子収率は０．８４であった。
実施例４０（本発明化合物（９４）のＴＨＦ中での発光）
　本発明化合物（９４）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３５０nm）を測定したところ、強い発光（発光極大波長：４７８nm）を示した。発光量子収率は０．８６であった。
実施例４１（本発明化合物（９５）のＴＨＦ中での発光）
　本発明化合物（９５）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３５０nm）を測定したところ、強い発光（発光極大波長：４９６nm）を示した。発光量子収率は０．６８であった。
実施例４２（本発明化合物（９６）のＴＨＦ中での発光）
　本発明化合物（９６）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３５０nm）を測定したところ、強い発光（発光極大波長：４９６nm）を示した。発光量子収率は０．６５であった。
実施例４３（本発明化合物（１２）の固体発光）
　浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、本発明化合物（１２）について、室温固体状態での発光量子収率（励起波長：３５０nm）を測定したところ、発光量子収率は０．１４であった。
実施例４４（本発明化合物（４７）の固体発光）
　浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、本発明化合物（４７）の室温固体状態での発光量子収率（励起波長：３５０nm）を測定したところ、発光量子収率は０．１２であった。
実施例４５（本発明化合物（７５）の固体発光）
　浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、本発明化合物（７５）の室温固体状態での発光量子収率（励起波長：３５０nm）を測定したところ、発光量子収率は０．２２であった。
実施例４６（本発明化合物（７６）の固体発光）
　浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、本発明化合物（７６）の室温固体状態での発光量子収率（励起波長：３５０nm）を測定したところ、発光量子収率は０．１８であった。
実施例４７（本発明化合物（８２）の固体発光）
　浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、本発明化合物（８２）の室温固体状態での発光量子収率（励起波長：３５０nm）を測定したところ、発光量子収率は０．３４であった。
実施例４８（本発明化合物（１２４）の固体発光）
　浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、本発明化合物（１２４）の室温固体状態での発光量子収率（励起波長：３５０nm）を測定したところ、発光量子収率は０．５１であった。
実施例４９（本発明化合物（９２）の固体発光）
　浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、本発明化合物（９２）の室温固体状態での発光量子収率（励起波長：３５０nm）を測定したところ、発光量子収率は０．２８であった。
実施例５０（本発明化合物（１）の固体発光）
浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、本発明化合物（１）の室温固体状態での発光量子収率（励起波長：３５０nm）を測定したところ、発光量子収率は０．０４であった。
　次に本発明化合物のＴＧ測定結果を以下に示す。
実施例５１（本発明化合物（２）の熱的安定性）
　本発明化合物（２）の分解温度をＴＧ／ＤＴＡ同時測定装置（株式会社島津製作所製、ＤＴＧ－６０）により測定した。昇温速度を１５℃／ｍｉｎに設定し、窒素ガス雰囲気下、常圧にて昇温したところ、３８１℃にて５％の重量減少が見られ、５０％の重量減少温度は４５０℃以上であった。本発明化合物（２）は非常に良好な耐熱性を示すことがわかった。
実施例５２（本発明化合物（１２）の熱的安定性）
　本発明化合物（１２）の分解温度をＴＧ／ＤＴＡ同時測定装置（株式会社島津製作所製、ＤＴＧ－６０）により測定した。昇温速度を１５℃／ｍｉｎに設定し、窒素ガス雰囲気下、常圧にて昇温したところ、４００℃にて５％の重量減少が見られ、５０％の重量減少温度は４５０℃以上であった。本発明化合物（１２）は非常に良好な耐熱性を示すことがわかった。
実施例５３（本発明化合物（３９）の熱的安定性）
　本発明化合物（３９）の分解温度をＴＧ／ＤＴＡ同時測定装置（株式会社島津製作所製、ＤＴＧ－６０）により測定した。昇温速度を１５℃／ｍｉｎに設定し、窒素ガス雰囲気下、常圧にて昇温したところ、３２４℃にて５％の重量減少が見られ、５０％の重量減少温度は３９０℃であった。本発明化合物（３９）は非常に良好な耐熱性を示すことがわかった。
実施例５４（本発明化合物（４１）の熱的安定性）
　本発明化合物（４１）の分解温度をＴＧ／ＤＴＡ同時測定装置（株式会社島津製作所製、ＤＴＧ－６０）により測定した。昇温速度を１５℃／ｍｉｎに設定し、窒素ガス雰囲気下、常圧にて昇温したところ、３１５℃にて５％の重量減少が見られ、５０％の重量減少温度は４５０℃以上であった。本発明化合物（４１）は非常に良好な耐熱性を示すことがわかった。
実施例５５（本発明化合物（４２）の熱的安定性）
　本発明化合物（４２）の分解温度をＴＧ／ＤＴＡ同時測定装置（株式会社島津製作所製、ＤＴＧ－６０）により測定した。昇温速度を１５℃／ｍｉｎに設定し、窒素ガス雰囲気下、常圧にて昇温したところ、３２２℃にて５％の重量減少が見られ、５０％の重量減少温度は４５０℃以上であった。本発明化合物（４２）は非常に良好な耐熱性を示すことがわかった。
実施例５６（本発明化合物（４３）の熱的安定性）
　本発明化合物（４３）の分解温度をＴＧ／ＤＴＡ同時測定装置（株式会社島津製作所製、ＤＴＧ－６０）により測定した。昇温速度を１５℃／ｍｉｎに設定し、窒素ガス雰囲気下、常圧にて昇温したところ、３２４℃にて５％の重量減少が見られ、５０％の重量減少温度は４５０℃以上であった。本発明化合物（４３）は非常に良好な耐熱性を示すことがわかった。
実施例５７（本発明化合物（４７）の熱的安定性）
　本発明化合物（４７）の分解温度をＴＧ／ＤＴＡ同時測定装置（株式会社島津製作所製、ＤＴＧ－６０）により測定した。昇温速度を１５℃／ｍｉｎに設定し、窒素ガス雰囲気下、常圧にて昇温したところ、３４７℃にて５％の重量減少が見られ、５０％の重量減少温度は４５０℃以上であった。本発明化合物（４７）は非常に良好な耐熱性を示すことがわかった。
実施例５８（本発明化合物（５３）の熱的安定性）
　本発明化合物（５３）の分解温度をＴＧ／ＤＴＡ同時測定装置（株式会社島津製作所製、ＤＴＧ－６０）により測定した。昇温速度を１５℃／ｍｉｎに設定し、窒素ガス雰囲気下、常圧にて昇温したところ、３４８℃にて５％の重量減少が見られ、５０％の重量減少温度は４５０℃以上であった。本発明化合物（５３）は非常に良好な耐熱性を示すことがわかった。
実施例５９（本発明化合物（７５）の熱的安定性）
　本発明化合物（７５）の分解温度をＴＧ／ＤＴＡ同時測定装置（株式会社島津製作所製、ＤＴＧ－６０）により測定した。昇温速度を１５℃／ｍｉｎに設定し、窒素ガス雰囲気下、常圧にて昇温したところ、３６４℃にて５％の重量減少が見られ、５０％の重量減少温度は４５０℃以上であった。本発明化合物（７５）は非常に良好な耐熱性を示すことがわかった。
実施例６０（本発明化合物（７６）の熱的安定性）
　本発明化合物（７６）の分解温度をＴＧ／ＤＴＡ同時測定装置（株式会社島津製作所製、ＤＴＧ－６０）により測定した。昇温速度を１５℃／ｍｉｎに設定し、窒素ガス雰囲気下、常圧にて昇温したところ、３６１℃にて５％の重量減少が見られ、５０％の重量減少温度は４５０℃以上であった。本発明化合物（７６）は非常に良好な耐熱性を示すことがわかった。
実施例６１（本発明化合物（８２）の熱的安定性）
　本発明化合物（８２）の分解温度をＴＧ／ＤＴＡ同時測定装置（株式会社島津製作所製、ＤＴＧ－６０）により測定した。昇温速度を１５℃／ｍｉｎに設定し、窒素ガス雰囲気下、常圧にて昇温したところ、３６０℃にて５％の重量減少が見られ、５０％の重量減少温度は４５０℃以上であった。本発明化合物（８２）は非常に良好な耐熱性を示すことがわかった。
実施例６２（本発明化合物（９２）の熱的安定性）
　本発明化合物（９２）の分解温度をＴＧ／ＤＴＡ同時測定装置（株式会社島津製作所製、ＤＴＧ－６０）により測定した。昇温速度を１５℃／ｍｉｎに設定し、窒素ガス雰囲気下、常圧にて昇温したところ、３５８℃にて５％の重量減少が見られ、５０％の重量減少温度は４５０℃以上であった。本発明化合物（９２）は非常に良好な耐熱性を示すことがわかった。
　一方、前述のイリジウム錯体（式（Ａ））の５０％の重量減少温度については非特許文献１に３７６℃と記載があり、本発明化合物の方が高い熱的安定性を示すことがわかる。
比較例１
　比較化合物として、前記非特許文献３に記載されている式（Ｄ）で表わされるイリジウム錯体を合成し、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温固体状態での発光量子収率（励起波長：３５０ｎｍ）を測定したところ、発光量子収率は０．１６であった。また、下式（Ｄ）で表わされるイリジウム錯体の分解温度をＴＧ／ＤＴＡ同時測定装置（株式会社島津製作所製、ＤＴＧ－６０）により測定した。昇温速度を１５℃／ｍｉｎに設定し、窒素ガス雰囲気下、常圧にて昇温したところ、３４４℃にて５％の重量減少が見られた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
比較例２
　比較化合物として、式（Ｅ）で表わされるイリジウム錯体を合成し、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温固体状態での発光量子収率（励起波長：３５０ｎｍ）を測定したところ、発光量子収率は０．１３であった。また、下式（Ｅ）で表わされるイリジウム錯体の分解温度をＴＧ／ＤＴＡ同時測定装置（株式会社島津製作所製、ＤＴＧ－６０）により測定した。昇温速度を１５℃／ｍｉｎに設定し、窒素ガス雰囲気下、常圧にて昇温したところ、３５７℃にて５％の重量減少が見られた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
比較例３
　比較化合物として、前記特許文献７に記載されている式（Ｃ）で表わされるイリジウム錯体を合成し、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温固体状態での発光量子収率（励起波長：３５０nm）を測定したところ、発光量子収率は０．０１であり、非常に低い値であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
比較例４
　比較化合物として、式（Ｆ）で表わされるイリジウム錯体を合成し、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温固体状態での発光量子収率（励起波長：３５０nm）を測定したところ、発光量子収率は０．０３であった。また溶媒（クロロホルム、トルエン）に対する溶解性を確認するために、０．１ｗｔ％の溶液を作製し、目視により確認したところ、かなりの溶け残りが生じた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
　本発明化合物（７６）、本発明化合物（８２）、本発明化合物（９２）、比較化合物（式（Ｄ））、比較化合物（式（Ｅ））の分析結果を表１３にまとめた。表１３より、Ｒａへ炭素数２以上のアルキル基を導入することにより、Ｒａが無置換の比較化合物（式（Ｄ））と比べて、イリジウム錯体の熱的安定性、すなわち耐熱性が大きく向上したことがわかる。また発光量子収率（固体状態）についても同様に、Ｒａへ炭素数２以上のアルキル基を導入することにより、大きく向上することが明らかになった。一方、比較化合物（式（Ｅ））については、比較化合物（式（Ｄ））と比べて、熱的安定性は改善しているものの、発光量子収率（固体）については逆に低下することが明らかになった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000033
　また、本発明化合物（１）と比較化合物（式（Ｃ））の分析結果を表１４にまとめた。これらの化合物の発光量子収率（固体状態）を比較してみると、それぞれ０．０４と０．０１であり、本発明化合物（１）の方が４倍も高いことがわかる。すなわち、イリジウム錯体の発光量子収率（固体状態）はアルキル基の置換位置に大きく依存し、Ｒａに炭素数２以上のアルキル基を導入することが、固体発光量子収率の向上に非常に有効に働くことが明らかになった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000034
　さらに、本発明化合物（１２）、比較化合物（式（Ｆ））の分析結果を表１５にまとめた。表１５より、Ｒａへｎ－デシル基を導入した本発明化合物（１２）の方が、溶媒に対する溶解性の点で優れていることがわかる。また発光量子収率（固体状態）については、本発明化合物（１２）の方が、約４．５倍も高いことが明らかになった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000035
　以上の実施例より、一般式（１）又は（２）で表される本発明化合物については、Ｒａへ置換基を導入していないイリジウム錯体と比較して、熱的に非常に安定であり、溶液中または固体状態で高い発光量子収率を示すことが明らかになった。さらに、本発明のイリジウム錯体に各種置換基を導入することにより、また、配位子Ｌを変えることにより、その発光波長を調整できることが明らかになった。したがって、本発明のイリジウム錯体は、有機電界発光素子材料、エレクトロケミルミネッセンス（ECL）素子材料、発光センサー、光増感剤、ディスプレイ、写真用材料、レーザー色素、カラーフィルター用染料、光通信、色変換フィルター、バックライト、照明、光増感色素、細胞イメージング用発光プローブ、各種光源等に適用できる。

Claims (16)

  1. 　下記一般式（１）で表される部分構造を有するイリジウム錯体。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （一般式（１）中、Ｎは窒素原子を表す。Ｒａは置換基を有しても良い炭素数２～３０のアルキル基を表す。Ｒ１～Ｒ４は、各々独立に、水素原子または置換基を有しても良い炭素数１～３０のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数６～６０のアリール基、置換基を有しても良い炭素数２～３０のアルケニル基、置換基を有しても良い炭素数２～３０のアルキニル基、置換基を有しても良い炭素数０～３０のアミノ基、置換基を有しても良い炭素数１～６０のヘテロ環基、置換基を有しても良い炭素数１～３０のアルコキシ基、置換基を有しても良い炭素数１～３０のアルキルチオ基、置換基を有しても良い炭素数６～６０のアリールオキシ基、置換基を有しても良い炭素数６～６０のアリールチオ基、置換基を有しても良い炭素数１～６０のヘテロ環オキシ基、置換基を有しても良い炭素数１～６０のヘテロ環チオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基、またはトリフルオロメチル基を表す。また、隣接する置換基は結合して環構造を形成してもよい。）
  2. 　下記一般式（２）で表されるイリジウム錯体。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     （一般式（２）中、Ｎは窒素原子を表す。ｍは１～３の整数を表す。ｎは０～２の整数を表す。ｍ＋ｎ＝３である。Ｒａは置換基を有しても良い炭素数２～３０のアルキル基を表す。Ｒ１～Ｒ４は、各々独立に、水素原子または置換基を有しても良い炭素数１～３０のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数６～６０のアリール基、置換基を有しても良い炭素数２～３０のアルケニル基、置換基を有しても良い炭素数２～３０のアルキニル基、置換基を有しても良い炭素数０～３０のアミノ基、置換基を有しても良い炭素数１～６０のヘテロ環基、置換基を有しても良い炭素数１～３０のアルコキシ基、置換基を有しても良い炭素数１～３０のアルキルチオ基、置換基を有しても良い炭素数６～６０のアリールオキシ基、置換基を有しても良い炭素数６～６０のアリールチオ基、置換基を有しても良い炭素数１～６０のヘテロ環オキシ基、置換基を有しても良い炭素数１～６０のヘテロ環チオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基、またはトリフルオロメチル基を表す。Ｑはカウンターイオンを表す。ｋは０～２の整数を表す。Ｌは２座配位子を表す。また、隣接する置換基は結合して環構造を形成してもよい。）
  3. 　Ｌが一般式（３）～（１１）の何れかで表される請求項２に記載のイリジウム錯体。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
     （一般式（３）～（１１）中、Ｒ５～Ｒ７６は、各々独立に、水素原子または置換基を有しても良い炭素数１～３０のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数６～６０のアリール基、置換基を有しても良い炭素数２～３０のアルケニル基、置換基を有しても良い炭素数２～３０のアルキニル基、置換基を有しても良い炭素数０～３０のアミノ基、置換基を有しても良い炭素数１～６０のヘテロ環基、置換基を有しても良い炭素数１～３０のアルコキシ基、置換基を有しても良い炭素数１～３０のアルキルチオ基、置換基を有しても良い炭素数６～６０のアリールオキシ基、置換基を有しても良い炭素数６～６０のアリールチオ基、置換基を有しても良い炭素数１～６０のヘテロ環オキシ基、置換基を有しても良い炭素数１～６０のヘテロ環チオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基またはトリフルオロメチル基を表す。また、隣接する置換基は結合して環構造を形成してもよい。）
  4. 　Ｒ１が、水素原子またはフッ素原子である請求項１から３何れかに記載のイリジウム錯体。
  5. 　Ｒ２が、水素原子、置換基を有しても良い炭素数１～３０のアルキル基、または置換基を有しても良い炭素数６～６０のアリール基である請求項１から４何れかに記載のイリジウム錯体。
  6. 　Ｒ２がトリフルオロメチル基である請求項１から４何れかに記載のイリジウム錯体。
  7. 　Ｒ３が、水素原子、置換基を有しても良い炭素数１～３０のアルキル基、または置換基を有しても良い炭素数６～６０のアリール基である請求項１から６何れかに記載のイリジウム錯体。
  8. 　Ｒ３がフッ素原子である請求項１から６何れかに記載のイリジウム錯体。
  9. 　Ｒ１～Ｒ４のいずれかが、少なくとも１個のデンドロンによって置換されていることを特徴とする請求項１から８何れかに記載のイリジウム錯体。
  10. 　Ｒａが炭素数２～３０のアルキル基である請求項１から９何れかに記載のイリジウム錯体。
  11. 　Ｒａがｎ－デシル基である請求項１から９何れかに記載のイリジウム錯体。
  12. 　ｍ＝３かつｎ＝０である請求項２、および、４から１１何れかに記載のイリジウム錯体。
  13. 　ｍ＝２かつｎ＝１である請求項２から１１何れかに記載のイリジウム錯体。
  14. 　ｍ＝１かつｎ＝２である請求項２から１１何れかに記載のイリジウム錯体。
  15. 　請求項１から１４何れかに記載のイリジウム錯体からなる発光材料。
  16. 　請求項１５に記載の発光材料を用いた発光素子。
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