WO2012005329A1 - 有機電界発光素子、有機電界発光デバイス、有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ照明 - Google Patents

有機電界発光素子、有機電界発光デバイス、有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ照明 Download PDF

Info

Publication number
WO2012005329A1
WO2012005329A1 PCT/JP2011/065598 JP2011065598W WO2012005329A1 WO 2012005329 A1 WO2012005329 A1 WO 2012005329A1 JP 2011065598 W JP2011065598 W JP 2011065598W WO 2012005329 A1 WO2012005329 A1 WO 2012005329A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
electron
group
ring
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2011/065598
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
太 田中
一毅 岡部
敦史 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Chemical Corp filed Critical Mitsubishi Chemical Corp
Priority to KR1020127033845A priority Critical patent/KR101964998B1/ko
Priority to CN201180033220.9A priority patent/CN102986052B/zh
Priority to EP11803663.1A priority patent/EP2592671B1/en
Publication of WO2012005329A1 publication Critical patent/WO2012005329A1/ja
Priority to US13/736,423 priority patent/US8754399B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B47/00—Porphines; Azaporphines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B1/00—Dyes with anthracene nucleus not condensed with any other ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B1/00—Dyes with anthracene nucleus not condensed with any other ring
    • C09B1/005—Di-anthraquinonyl and derivative compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B47/00—Porphines; Azaporphines
    • C09B47/04—Phthalocyanines abbreviation: Pc
    • C09B47/045—Special non-pigmentary uses, e.g. catalyst, photosensitisers of phthalocyanine dyes or pigments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B57/00—Other synthetic dyes of known constitution
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B57/00—Other synthetic dyes of known constitution
    • C09B57/001—Pyrene dyes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers

Definitions

  • the present invention relates to an organic electroluminescent element, an organic electroluminescent device including the element, an organic EL display device, and organic EL illumination.
  • Organic electroluminescent elements are being actively developed for use in applications such as displays and lighting.
  • the organic electroluminescent element is usually composed of at least a pair of electrodes and an organic light emitting layer sandwiched between the electrodes.
  • An organic electroluminescent element is usually an exciton generated by applying an electric field between both electrodes, injecting electrons from the cathode and holes from the anode into the light emitting layer, and recombining these electrons and holes. Emits light.
  • Patent Document 1 a plurality of electron transport layers are provided between the light emitting layer and the electrode, and the electron affinity of each layer is expressed as “electron affinity of the light emitting layer ⁇ electron affinity of the electron transporting layer adjacent to the light emitting layer ⁇ light emitting layer”.
  • An object of the present invention is to provide an organic electroluminescent element having a long lifetime and high luminous efficiency, an organic electroluminescent device having the organic electroluminescent element, an organic EL display device, and organic EL illumination.
  • the present inventors have intensively studied to solve the above problems. As a result, rather than the conventionally considered “absolute value of electron affinity of the light emitting layer ⁇ absolute value of electron affinity of the electron transport layer adjacent to the light emitting layer”, surprisingly, “the electron affinity of the light emitting layer Absolute value ⁇ absolute value of electron affinity of electron transport layer adjacent to light emitting layer ”and“ absolute value of cathode work function ⁇ absolute value of electron affinity of electron transport layer on the most cathode side ”are more organic. The inventors have found that an electroluminescent element has a long lifetime and high luminous efficiency, and have completed the present invention.
  • the first gist of the present invention is an organic electroluminescence device having an anode, a light emitting layer, two or more electron transport layers and a cathode in this order, and at least one of the two or more electron transport layers is
  • the light emitting layer is adjacent to the light emitting layer, the light emitting layer contains a light emitting material and a charge transport material, the electron transport layer adjacent to the light emitting layer contains a charge transport material, and the charge contained in the light emitting layer
  • the charge transport material contained in the transport material and the electron transport layer adjacent to the light emitting layer may be the same material or different materials, and the charge transport material contained in the light emitting layer Among them, the electron affinity of the charge transport material responsible for electron transport is EA1, and among the charge transport materials contained in the electron transport layer adjacent to the light emitting layer, the electron of the charge transport material having the largest absolute value of electron affinity.
  • EA1 and EA2 A charge that satisfies the relationship represented by the following formula (1) and has the largest absolute value of electron affinity among the charge transport materials contained in the electron transport layer closest to the cathode among the two or more electron transport layers.
  • the organic electroluminescent element is characterized in that EA3 and WF satisfy the relationship represented by the following formula (2), where EA3 is the electron affinity of the transport material and WF is the work function of the cathode.
  • the second gist of the present invention resides in an organic electroluminescent element characterized in that, in the first gist, the EA1 and the EA2 satisfy a relationship represented by the following formula (3).
  • the third gist of the present invention resides in an organic electroluminescent element characterized in that, in the first or second gist, the EA3 and the WF satisfy a relationship represented by the following formula (4).
  • a fourth aspect of the present invention is the charge transporting according to any one of the first to third aspects, wherein the electron transporting layer adjacent to the light emitting layer is different from the charge transporting material contained in the light emitting layer.
  • the present invention resides in an organic electroluminescent device characterized by containing a material.
  • the organic electroluminescent device according to any one of the first to fourth aspects wherein the light emitting layer is a layer produced by a wet film forming method.
  • a sixth aspect of the present invention is an organic electroluminescent device having two or more types of organic electroluminescent elements that emit light of different colors on a substrate, and at least one organic type of the organic electroluminescent elements is provided.
  • An organic electroluminescent device is characterized in that the electroluminescent device is the organic electroluminescent device according to any one of the first to fifth aspects.
  • all the organic electroluminescent elements of the organic electroluminescent element are the organic electroluminescent elements according to any one of the first to fifth aspects. It exists in an organic electroluminescent device.
  • the electron transport layer adjacent to the light emitting layer of at least two kinds of organic electroluminescent elements is the same. It exists in the organic electroluminescent device characterized by this.
  • an organic EL display device comprising the organic electroluminescent element according to any one of the first to fifth aspects.
  • a tenth aspect of the present invention resides in an organic EL illumination characterized by including the organic electroluminescent element described in any one of the first to fifth aspects.
  • an organic electroluminescent device having a long lifetime and high luminous efficiency is provided. Since the organic electroluminescence device of the present invention has high current efficiency and a long driving life, a light source (for example, a flat panel display (for example, for office automation (OA) computers or wall-mounted televisions)) or a surface light emitter (for example) It can be applied to light sources for copying machines, backlight sources for liquid crystal displays and instruments), display panels, and marker lamps, and its technical value is high.
  • a light source for example, a flat panel display (for example, for office automation (OA) computers or wall-mounted televisions)
  • a surface light emitter for example
  • the organic electroluminescent device of the present invention is an organic electroluminescent device having at least an anode, a luminescent layer, two or more electron transport layers and a cathode in this order, and at least one layer of the electron transport layer is adjacent to the luminescent layer.
  • the light-emitting layer contains a light-emitting material and a charge transport material
  • the electron transport layer adjacent to the light-emitting layer contains a charge transport material
  • the charge transport material contained in the light-emitting layer and the light emission may be the same material or different materials, and among the charge transport materials contained in the light emitting layer,
  • the electron affinity of the charge transporting material is EA1
  • the electron affinity of the charge transporting material having the largest absolute value of the electron affinity is EA2.
  • EA1 and EA2 The electron affinity of the charge transport material that satisfies the relationship represented by the following formula (1) and has the largest absolute value of the electron affinity among the charge transport materials contained in the electron transport layer on the cathode side of the electron transport layer.
  • EA3 is EA3 and the work function of the cathode is WF
  • EA3 and WF satisfy the relationship represented by the following formula (2).
  • Formula (1) 0.00 eV ⁇
  • the electron affinity may be abbreviated as “EA”.
  • the organic electroluminescent element of the present invention has two or more electron transport layers.
  • the electron transport layer refers to a dielectric layer having an electron transport property.
  • the electron transport layer is formed of a compound capable of efficiently transporting electrons injected from the cathode between the electrodes to which an electric field is applied in the direction of the light emitting layer.
  • the electron transport layer adjacent to the light emitting layer may be simply referred to as “adjacent electron transport layer”, and the most cathode side electron transport layer may be simply referred to as “cathode side electron transport layer”. is there.
  • the electron injection layer refers to a non-conductive layer having an electron injection property from the cathode to the electron transport layer, and refers to a layer different from the electron transport layer according to the present invention.
  • a cathode means the electrode which becomes a counter electrode of an anode.
  • Charge transport material responsible for electron transport means that, when the light emitting layer contains two or more types of charge transport materials, the charge mobility measured by the Time of Flight (ToF) method of the single layer film of the charge transport material. Observed material having the highest ratio “Q (e) / Q (h)” of charge detection amount Q (e) at the time of electron mobility measurement to charge detection amount Q (h) at the time of hole mobility measurement Say that.
  • the charge detection amount ratio “Q (e) / Q (h)” in charge mobility measurement by the ToF method can be measured by the following method.
  • a sample for measurement is prepared by forming a charge transport material and a counter electrode to be measured on a semi-transparent electrode and then sealing.
  • the charge transport material may be formed by either a wet method or a dry method as long as a good amorphous film is obtained.
  • the film thickness of the charge transport film material to be formed the distance from the place where charge separation occurs at the time of charge transfer measurement to the counter electrode is sufficiently long, and the distance should not affect the evaluation of the charge transport property.
  • the electric field strength is preferably 90 kV / cm or more, more preferably 120 kV / cm or more, and on the other hand, preferably 360 kV / cm or less, and 310 kV / cm or less. More preferably.
  • the measurement sample is irradiated with a monochromatic light pulse laser from the translucent electrode side.
  • the electric field intensity at the time of laser light irradiation, the excitation wavelength of the laser light, the pulse width, and the amount of light per pulse are determined based on the charge amount Q (h) of holes and the charge of electrons for the sample whose charge detection amount ratio is to be measured.
  • the same conditions are used when measuring the quantity Q (e).
  • the amount of light per pulse is preferably small in view of the low possibility that charge transportability is highly estimated due to the influence of an excessive amount of charge, and specifically, it is preferably 30 ⁇ J or less.
  • the film of the charge transport material When the film of the charge transport material is irradiated with light, charge separation occurs on the translucent electrode side of the film, and holes move to the counter electrode side. By measuring this current value using an oscilloscope or the like, the hole charge amount Q (h) is calculated. Next, the electron charge amount Q (e) is calculated by applying a certain electric field strength so that the translucent electrode becomes the cathode and the counter electrode becomes the anode, and the same operation is performed. Then, by obtaining the ratio between the two, the charge detection amount ratio “Q (e) / Q (h)” can be obtained.
  • the charge detection amount ratio “Q (e) / Q (h)” is an index indicating which of holes and electrons is more likely to flow. That is, as the charge detection amount ratio “Q (e) / Q (h)” is larger, the material is more likely to flow electrons.
  • the hole mobility is measured in the charge mobility measured by the ToF method of the single layer film of the charge transport material when the light emitting layer according to the present invention includes a plurality of types of charge transport materials. It can be determined that the material having the largest ratio Q (e) / Q (h) between the charge detection amount and the charge detection amount at the time of measuring the electron mobility is the material responsible for electron transport.
  • the work function of the cathode material can generally be obtained by photoelectron spectroscopy. Measurements using photoelectron spectroscopy are performed in an ultra-vacuum of 10 ⁇ 8 torr to 10 ⁇ 10 torr by irradiating the sample with ultraviolet monochromatic light or X-rays, and using electrons such as photomultiplier tubes. It can be determined by detecting and correlating the energy that excited the sample with the number of detected electrons. In particular, for the work function of a single material, see Michaelis, Hrbert B. et al. In 1977 (J. Appl. Phys., 48.4729 (1977)). Specifically, the case of aluminum will be described as an example.
  • a clean amorphous aluminum thin film is produced by vapor-depositing aluminum on quartz which is a pedestal for measurement at a vacuum degree of 10 ⁇ 9 to 10 ⁇ 10 torr. Then, under ultra-vacuum, using a high-pressure mercury lamp as a light source, monochromatic light is taken out by a monochromator and irradiated on the sample surface. A value of 4.28 eV is calculated by calculating the number of electrons jumping out from the sample surface and taking a correlation with the energy of the light source.
  • values such as 4.26 eV for silver, 5.10 eV for gold, and 5.15 eV for nickel are known as extremely general values. It has been.
  • of the charge transport material responsible for electron transport among the charge transport materials in the light emitting layer is equal to that of the charge transport material in the adjacent electron transport layer.
  • the charge transport material having the largest absolute value of EA is characterized by having an absolute value of EA of
  • the accumulated electrons cause hole accumulation on the interface light emitting layer side between the light emitting layer and the adjacent electron transport layer, generation of exciplex at the interface, and the like.
  • the generated charge may cause deterioration of the light emitting material and charge transporting material near the interface, leading to a reduction in device lifetime, and further inhibiting the generation of excitons in the light emitting layer and causing quenching of excitons.
  • the light emitted from the light emitting layer near the interface cannot be extracted efficiently.
  • the organic electroluminescence device of the present invention has an absolute value of the work function (WF) of the cathode and a charge transport material EA (AE) having the largest absolute value of the electron affinity among the charge transport materials in the cathode-side electron transport layer.
  • the difference between the absolute value of EA3) is a certain value or less.
  • the ionization potential (IP) of the charge transport material is a commercially available ionization potential measuring device such as “AC-1”, “AC-3” manufactured by Riken Keiki Co., Ltd., “PCR-101”, “PCR-201” manufactured by Optel. It can measure by using.
  • a sample for measuring the ionization potential (IP) can be produced by depositing the charge transport material on the ITO substrate by a wet or dry method.
  • the wet film forming method include a method in which the charge transporting material is dissolved in an organic solvent such as xylene or toluene and the film is formed by a spin coating method.
  • the dry film forming method include a vacuum deposition method.
  • Eg when the wavelength of the intersection is 470 nm is 1240 ⁇ 470 2.63 (eV).
  • the energy indicating the band gap may be measured with an apparatus capable of measuring an absorption spectrum, and the type of the apparatus is not particularly limited.
  • “F4500” manufactured by Hitachi, Ltd. can be used.
  • a sample for measuring energy indicating a band gap can be produced by depositing the charge transport material on a glass substrate by a wet or dry method.
  • the wet film forming method include a method in which the charge transporting material is dissolved in an organic solvent such as xylene or toluene and the film is formed by a spin coating method.
  • the dry film forming method include a vacuum deposition method.
  • the light emitting layer included in the organic electroluminescent element of the present invention includes at least one light emitting material (material having a light emitting property) and one or more charge transport materials.
  • the light emitting layer may include a light emitting material as a dopant material and a charge transport material such as a hole transport material or an electron transport material as a host material.
  • the light emitting layer may contain other components as long as the effects of the present invention are not significantly impaired.
  • the light-emitting material any known material that is usually used as a light-emitting material of an organic electroluminescent element can be applied, and there is no particular limitation. Light is emitted at a desired light emission wavelength, and the light emission efficiency is good. A substance may be used.
  • the light-emitting material may be a fluorescent light-emitting material or a phosphorescent light-emitting material, but is preferably a phosphorescent light-emitting material from the viewpoint of internal quantum efficiency. Further, for example, a fluorescent material and a phosphorescent material may be used in combination such that a fluorescent material is used for blue and a phosphorescent material is used for green and red.
  • the symmetry and rigidity of the molecules of the light emitting material are reduced.
  • fluorescent light emitting materials blue fluorescent dyes
  • examples of fluorescent light emitting materials that emit blue light include naphthalene, chrysene, perylene, pyrene, anthracene, coumarin, p-bis (2-phenylethenyl) benzene, arylamine, and derivatives thereof. It is done. Among these, anthracene, chrysene, pyrene, arylamine and derivatives thereof are preferable.
  • fluorescent light emitting material green fluorescent dye
  • examples of the fluorescent light emitting material (green fluorescent dye) that gives green light emission include aluminum complexes such as quinacridone, coumarin, Al (C 9 H 6 NO) 3, and derivatives thereof.
  • Examples of the fluorescent material that gives yellow light include rubrene, perimidone and derivatives thereof.
  • fluorescent light emitting materials examples include DCM (4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethylaminostyrene) -4H-pyran) -based compounds, benzopyran, rhodamine , Xanthene such as benzothioxanthene, azabenzothioxanthene, and derivatives thereof.
  • arylamine derivative which is a material that gives blue fluorescence
  • a compound represented by the following formula (X) is preferable from the viewpoint of the light emission efficiency of the device, the driving life, and the like.
  • Ar 21 represents a substituted or unsubstituted condensed aromatic ring group having 10 to 40 nuclear carbon atoms
  • Ar 22 and Ar 23 each independently represents a substituted or unsubstituted monovalent group having 6 to 40 carbon atoms.
  • p represents an integer of 1 to 4.
  • the aromatic ring group in the present invention may be an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group.
  • Ar 21 examples include naphthalene, phenanthrene, fluoranthene, anthracene, pyrene, perylene, coronene, chrysene, picene, diphenylanthracene, fluorene, triphenylene, rubicene, benzoanthracene, phenylanthracene having one free valence. , Bisanthracene, dianthracenylbenzene, dibenzoanthracene and the like.
  • free valence can form bonds with other free valences as described in Organic Chemistry / Biochemical Nomenclature (above) (Revised 2nd edition, Nankodo, 1992). Say things.
  • a phosphorescent material for example, a long-period type periodic table (hereinafter, unless otherwise specified, the term “periodic table” refers to a long-period type periodic table) selected from Group 7 to 11 Wellner type complexes or organometallic complexes containing the above metal as the central metal.
  • Preferred examples of the metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table include ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, gold, and the like. Among these, iridium or platinum is more preferable.
  • a ligand in which a (hetero) aryl group such as a (hetero) arylpyridine ligand or a (hetero) arylpyrazole ligand and a pyridine, pyrazole, phenanthroline, or the like is connected is preferable.
  • a pyridine ligand and a phenylpyrazole ligand are preferable.
  • (hetero) aryl represents an aryl group or a heteroaryl group.
  • phosphorescent materials include tris (2-phenylpyridine) iridium, tris (2-phenylpyridine) ruthenium, tris (2-phenylpyridine) palladium, bis (2-phenylpyridine) platinum, tris (2- Phenylpyridine) osmium, tris (2-phenylpyridine) rhenium, octaethylplatinum porphyrin, octaphenylplatinum porphyrin, octaethyl palladium porphyrin, octaphenyl palladium porphyrin, and the like.
  • the phosphorescent organometallic complex of the phosphorescent material is preferably a compound represented by the following formula (III) or formula (IV).
  • M represents a metal
  • q represents a valence of the metal
  • L and L ′ represent a bidentate ligand
  • j represents a number of 0, 1 or 2.
  • M 7 represents a metal
  • T represents a carbon atom or a nitrogen atom.
  • R 92 to R 95 each independently represents a substituent. However, when T is a nitrogen atom, R 7 No 94 and R 95 )
  • M represents an arbitrary metal, and specific examples of preferable ones include the metals described above as metals selected from Groups 7 to 11 of the periodic table.
  • bidentate ligand L represents a ligand having the following partial structure.
  • ring A1 represents an aromatic ring group which may have a substituent.
  • the aromatic ring group in the present invention may be an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group.
  • aromatic hydrocarbon ring group examples include a 5- or 6-membered monocyclic ring or a 2-5 condensed ring having one free valence.
  • Specific examples of the aromatic hydrocarbon ring group include a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene having one free valence. Ring, acenaphthene ring, fluoranthene ring, fluorene ring and the like.
  • aromatic heterocyclic group examples include a 5- or 6-membered monocyclic ring or a 2-4 condensed ring having one free valence.
  • Specific examples include a furan ring, benzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, indole ring, carbazole ring, pyrroloimidazole ring having one free valence.
  • ring A2 represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent.
  • nitrogen-containing aromatic heterocyclic group examples include a 5- or 6-membered monocyclic ring or a 2-4 condensed ring having one free valence.
  • Specific examples include a pyrrole ring, a pyrazole ring, an imidazole ring, an oxadiazole ring, an indole ring, a carbazole ring, a pyrroloimidazole ring, a pyrrolopyrazole ring, a pyrrolopyrrole ring, a thienopyrrole ring, and a fluropyrrole having one free valence.
  • each of ring A1 and ring A2 may have include a halogen atom; an alkyl group; an alkenyl group; an alkoxycarbonyl group; an alkoxy group; an aryloxy group; a dialkylamino group; Acyl group; haloalkyl group; cyano group; aromatic hydrocarbon ring group and the like.
  • ring A1 is a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group and ring A2 may have an aromatic hydrocarbon ring group as a substituent.
  • bidentate ligand L ′ represents a ligand having the following partial structure. However, in the following formulae, “Ph” represents a phenyl group.
  • L ′ the following ligands are preferable from the viewpoint of stability of the complex.
  • More preferable examples of the compound represented by the formula (III) include compounds represented by the following formulas (IIIa), (IIIb), and (IIIc).
  • M 4 represents the same metal as M
  • w represents the valence of the metal
  • ring A1 represents an aromatic hydrocarbon ring group which may have a substituent.
  • Ring A2 represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent.
  • M 5 represents the same metal as M
  • w represents the valence of the metal
  • ring A 1 represents an aromatic ring group which may have a substituent
  • ring A2 represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent.
  • M 6 represents the same metal as M, w represents the valence of the metal, j represents 0, 1 or 2, and ring A1 and ring A1 ′ each represent Independently, it represents an aromatic ring group which may have a substituent, and ring A2 and ring A2 ′ each independently represent a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent.
  • aromatic group of ring A1 and ring A1 ′ include phenyl group, biphenyl group, naphthyl group, anthryl group, thienyl group, furyl group, benzothienyl group, benzofuryl group.
  • aromatic group of ring A1 and ring A1 ′ include phenyl group, biphenyl group, naphthyl group, anthryl group, thienyl group, furyl group, benzothienyl group, benzofuryl group.
  • preferred examples of the nitrogen-containing aromatic heterocyclic group for ring A2 and ring A2 ′ include pyridyl group, pyrimidyl group, pyrazyl group, triazyl group, benzothiazole group, benzoxazole group. Benzoimidazole group, quinolyl group, isoquinolyl group, quinoxalyl group, phenanthridyl group and the like.
  • the aromatic ring group of ring A1 and ring A1 ′ and the nitrogen-containing aromatic heterocyclic group of ring A2 and ring A2 ′ may have a halogen atom; Alkyl group; alkenyl group; alkoxycarbonyl group; alkoxy group; aryloxy group; dialkylamino group; diarylamino group; carbazolyl group; acyl group; haloalkyl group; These substituents may be connected to each other to form a ring.
  • a substituent of the ring A1 and a substituent of the ring A2 are bonded, or a substituent of the ring A1 ′ and a substituent of the ring A2 ′ are bonded.
  • a condensed ring may be formed. Examples of such a condensed ring include a 7,8-benzoquinoline group.
  • ring A1 ′, ring A2 and ring A2 ′ more preferably, an alkyl group, an alkoxy group, an aromatic hydrocarbon ring group, a cyano group, a halogen atom, a haloalkyl group, a diarylamino group, And a carbazolyl group.
  • M 4 to M 6 in the formulas (IIIa) to (IIIc) include ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum or gold.
  • organometallic complexes represented by the above formulas (III) and (IIIa) to (IIIc) are shown below, but are not limited to the following compounds.
  • organometallic complexes represented by the above formula (III) in particular, as the ligand L and / or L ′, a 2-arylpyridine-based ligand, that is, 2-arylpyridine, which has an optional substituent.
  • a 2-arylpyridine-based ligand that is, 2-arylpyridine, which has an optional substituent.
  • bonded and what an arbitrary group condensed to this is preferable.
  • M 7 represents a metal. Specific examples include the metals described above as the metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table. M 7 is preferably ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum or gold, and particularly preferably a divalent metal such as platinum or palladium.
  • R 92 and R 93 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an alkenyl group, a cyano group, an amino group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, a carboxyl group, An alkoxy group, an alkylamino group, an aralkylamino group, a haloalkyl group, a hydroxyl group, an aryloxy group, and an aromatic ring group are represented.
  • R 94 and R 95 each independently represent the same substituent as those listed as R 92 and R 93 .
  • R 94 and R 95 are absent.
  • R 92 to R 95 may further have a substituent.
  • it has a substituent there is no restriction
  • any two or more groups of R 92 to R 95 may be connected to each other to form a ring.
  • T-1, T-10 to T-15 Specific examples (T-1, T-10 to T-15) of the organometallic complex represented by the formula (IV) are shown below, but are not limited to the following examples.
  • “Me” represents a methyl group
  • “Et” represents an ethyl group.
  • These light emitting materials may be used alone, or two or more kinds may be used in any combination and ratio.
  • the molecular weight of the luminescent material in the present invention is arbitrary as long as the effects of the present invention are not significantly impaired.
  • the molecular weight of the luminescent material in the present invention is preferably 10,000 or less, more preferably 5000 or less, still more preferably 4000 or less, and particularly preferably 3000 or less.
  • the molecular weight of the light emitting material in the present invention is usually 100 or more, preferably 200 or more, more preferably 300 or more, and still more preferably 400 or more.
  • the molecular weight of the luminescent material is due to the high glass transition temperature, melting point, decomposition temperature, etc., excellent heat resistance of the luminescent layer material and the formed luminescent layer, and gas generation, recrystallization, and molecular migration. It is preferable that the film quality is low and the impurity concentration is not increased due to thermal decomposition of the material.
  • the molecular weight of the light-emitting material is preferably small in that the organic compound can be easily purified and easily dissolved in a solvent.
  • the light emitting layer according to the present invention preferably contains a light emitting material in an amount of usually 0.01% by weight or more, preferably 0.05% by weight or more, and more preferably 0.1% by weight or more. Further, the light emitting material is usually contained in an amount of 35% by weight or less, preferably 20% by weight or less, more preferably 10% by weight or less. In addition, when using together 2 or more types of luminescent material, it is preferable that these total content is included in the said range.
  • the light emitting material preferably emits light by receiving charge or energy from a host material having charge transport performance.
  • the emissive layer typically includes a charge transport material, such as that used for example as the host material.
  • the charge transport material includes a compound having a hole transport property (sometimes referred to as a hole transport material or a hole transport compound) and a compound having an electron transport property (referred to as an electron transport material or an electron transport compound). There is).
  • the light emitting layer may contain both a hole transport material and an electron transport material, or may contain either one.
  • the light emitting layer contains the compound which has hole transportability, when the compound which has electron transportability is not included, the compound which has hole transportability should just transport an electron in a light emitting layer.
  • examples of the charge transport material include aromatic amine compounds, phthalocyanine compounds, porphyrin compounds, thiophene compounds, benzylphenyl compounds, fluorene compounds, hydrazone compounds, silazane compounds, silanamine compounds, Phosphamine compounds, quinacridone compounds, triphenylene compounds, carbazole compounds, pyrene compounds, anthracene compounds, phenanthroline compounds, quinoline compounds, pyridine compounds, triazine compounds, oxadiazole compounds, imidazole compounds, etc. Is mentioned.
  • the electron transport material is preferably a compound having an electron transporting unit.
  • An electron transporting unit (electron transporting unit) is a structure (unit) having excellent durability against electrons and having electron transporting properties. Further, when two or more kinds of charge transport materials are included in the light emitting layer, the compound having this electron transport unit tends to be the charge transport material responsible for the electron transport described above.
  • the electron transport unit in the present invention is a unit in which electrons easily enter the unit and stabilize the contained electrons.
  • a pyridine ring or the like has a slight electron deficiency due to a nitrogen atom, easily accepts an electron, and the electron entering the ring is delocalized to be stabilized on the pyridine ring.
  • Examples of the structure of the unit having the above performance include a single ring or a condensed ring containing a hetero atom composed of sp 2 hybrid orbitals.
  • nitrogen, oxygen, sulfur, and selenium are preferable, and nitrogen is particularly preferable because the hetero atom easily forms sp 2 hybrid orbitals, has high stability to electrons, and high electron transport properties.
  • the number of heteroatoms having sp 2 hybrid orbitals included in the charge transport material is preferably large in view of high electron transport properties.
  • electron transport unit examples include quinoline ring, quinazoline ring, quinoxaline ring, phenanthroline ring, pyridine ring, pyrimidine ring, pyridazine ring, pyrazine ring, triazine ring, thiadiazole ring, benzothiadiazole ring, quinolinol metal complex, phenanthroline metal A complex, a hexaazatriphenylene structure, a tetrasiabenzoquinoline structure, and the like can be given.
  • quinoline ring, quinazoline ring, quinoxaline ring, phenanthroline ring, pyridine ring, pyrimidine ring, pyridazine ring, pyrazine ring, triazine ring and the like are preferable.
  • quinoline ring, quinazoline ring, pyridine ring, pyrimidine ring, triazine ring, 1,10-phenanthroline ring and the like are preferable from the viewpoint of excellent electrical stability.
  • the electron transport unit is a 6-membered monocyclic ring or condensed ring containing a nitrogen atom
  • the o-position and the p-position are all substituted with an aromatic ring with respect to the nitrogen atom. .
  • the reason is as follows. That is, the o-position and p-position of a 6-membered ring containing a nitrogen atom are active sites, and electrons are delocalized by substitution with an aromatic ring group. This makes it more stable with electrons.
  • the electron transport unit is a 6-membered condensed ring containing a nitrogen atom
  • a portion of the o-position and p-position of the nitrogen atom that does not form part of the condensed ring is an aromatic ring. It only needs to be substituted with a group.
  • an organic compound having a ring derivative listed in the following group (b) is more preferable because of its high stability against electrons and high electron transport properties.
  • the aromatic ring group in which the hydrogen atoms on the carbon atoms at the 2, 4 and 6 positions in the same ring are substituted with respect to the nitrogen atom is not particularly limited. That is, it may be an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group, but may be an aromatic hydrocarbon ring group in that it has excellent durability against electrical oxidation. preferable.
  • the number of carbon atoms in the aromatic ring group is preferably 6 to 30, and when the aromatic ring group is a condensed ring, the number of condensed aromatic rings is preferably 2 to 4.
  • substituents of the ring structure included in the group (b) include a halogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may further have a substituent, and 2 to 10 carbon atoms. Or a monovalent aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 30 carbon atoms.
  • 2,5-bis (1-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole BND
  • 2,5-bis (6 ′-(2 ′, 2 ′′-) Bipyridyl))-1,1-dimethyl-3,4-diphenylsilole PyPySPyPy
  • bathophenanthroline BPhen
  • 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline BCP, bathocuproin
  • 2 -(4-biphenylyl) -5- (p-tertiarybutylphenyl) -1,3,4-oxadiazole tBu-PBD
  • the hole transport material is preferably a compound having a hole transporting unit.
  • the hole transporting unit (hole transporting unit) is a structure (unit) having excellent durability against holes and having hole transporting properties.
  • the hole transport unit in the present invention means a unit that has an ionization potential that facilitates extraction of holes from the light emitting layer and is stable to holes.
  • the ionization potential at which holes are easily extracted from the light emitting layer is usually 5.4 eV or more, preferably 5.5 eV or more, more preferably 5.6 eV or more, and usually 6.3 eV or less, preferably 6. 2 eV, more preferably 6.1 eV or less.
  • being stable to holes means that the hole transport unit is not easily decomposed even in a radical state. This means that the radical cation is delocalized so that it is stabilized even in the radical state.
  • Examples of the structure of the unit having the above-described performance include a structure containing a hetero atom having sp 3 orbital or a 4n-based aromatic condensed ring.
  • hole transport unit examples include carbazole ring, phthalocyanine ring, naphthalocyanine structure, porphyrin structure, triarylamine structure, triarylphosphine structure, benzofuran ring, dibenzofuran ring, pyrene ring, phenylenediamine structure, pyrrole ring, Examples include a benzidine structure, an aniline structure, a diarylamine structure, an imidazolidinone structure, and a pyrazole ring.
  • a carbazole ring, benzofuran ring, dibenzofuran ring, pyrene ring, triarylamine structure more preferably carbazole ring, benzofuran ring, A dibenzofuran ring and a pyrene ring are preferable, and a carbazole ring and a pyrene ring are particularly preferable.
  • hole transport material an organic compound having a derivative of any of the rings listed in the following group (a) (hole transport unit) is more excellent because of excellent stability against holes and high hole transportability. preferable.
  • These ring structures may have a substituent, and preferred substituents include a halogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may further have a substituent, and 2 to 2 carbon atoms. And an alkenyl group having 10 or a monovalent aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 30 carbon atoms.
  • a low molecular weight hole transport material two or more tertiary amines represented by 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl And an aromatic amine compound in which two or more condensed aromatic rings are substituted with nitrogen atoms (Japanese Patent Laid-Open No. 5-234811), 4,4 ′, 4 ′′ -tris (1-naphthylphenylamino) tri Aromatic amine compounds having a starburst structure such as phenylamine (Journal of Luminescence, 1997, Vol. 72-74, pp.
  • aromatic amine compounds consisting of tetramers of triphenylamine (Chemical Communications) , 1996, pp. 2175), 2,2 ′, 7,7′-tetrakis- (diphenylamino) -9,9 ′.
  • -Fluorene compounds such as spirobifluorene (Synthetic Metals, 1997, Vol. 91, pp. 209), etc.
  • a (low molecular weight hole transport material) in [Hole injection layer] described later The exemplified compounds can be used. In the light emitting layer, only one type of hole transport material may be used, or two or more types may be used in any combination and ratio.
  • the molecular weight of the charge transport material in the present invention is arbitrary as long as the effects of the present invention are not significantly impaired.
  • the molecular weight of the charge transport material in the present invention is usually 10,000 or less, preferably 5000 or less, more preferably 4000 or less, and still more preferably 3000 or less.
  • the molecular weight of the charge transport material in the present invention is usually 100 or more, preferably 200 or more, more preferably 300 or more, and still more preferably 400 or more.
  • the glass transition temperature, melting point, decomposition temperature, etc. are high, the heat resistance of the light emitting layer material and the formed light emitting layer is good, and recrystallization and molecular It is preferable in that the film quality is reduced due to the migration of the material, the impurity concentration is not increased due to thermal decomposition of the material, the device performance is excellent, and the purification is easy.
  • the light emitting layer may contain only one kind of charge transport material as described above, or may contain two or more kinds.
  • the charge transport material (electron transport) mainly responsible for electron transport is compared with the EA of charge transport material (hole transport material) mainly responsible for transport of holes. It is desirable that the EA of the material is larger. That is, in general, when a plurality of charge transport materials are included in the same layer, electrons are likely to ride on a material having a large EA. Therefore, by using a charge transport material having a large EA as an electron transport material, high luminous efficiency / It is possible to produce a long-life element.
  • of the charge transport material responsible for electron transport contained in the light emitting layer according to the present invention is large in that the compound is likely to be in a stable state when electrons exist in the energy level for transporting electrons. However, on the other hand, it is preferably small from the standpoint that transport and transfer of charges due to formation of a stable radical anion and inhibition of exciton formation are unlikely to occur.
  • is preferably 2.40 eV or more, more preferably 2.50 eV, and on the other hand, it is preferably 3.30 eV or less, and 3.20 eV or less. Preferably there is.
  • the following tendencies are often recognized between the chemical structure of the charge transport material and
  • the light emitting layer according to the present invention preferably contains a charge transport material in an amount of usually 65% by weight or more, preferably 80% by weight or more, and more preferably 90% by weight or more. Further, the charge transport material is usually contained in 99.99% by weight or less, preferably 99.95% by weight or less, more preferably 99.9% by weight or less. In addition, when using together 2 or more types of charge transport materials, it is preferable that these total content is included in the said range.
  • the light emitting layer according to the present invention has a high material utilization efficiency, and the hole injection layer is easily mixed with the hole transport layer formed on the anode side, so that the hole injection property is likely to be good. Is preferably formed.
  • the wet film forming method is a film forming method, that is, a coating method, for example, spin coating method, dip coating method, die coating method, bar coating method, blade coating method, roll coating method, spray coating method, capillary A method of forming a film by employing a wet film formation method such as a coating method, an ink jet method, a nozzle printing method, a screen printing method, a gravure printing method, or a flexographic printing method, and drying the coated film.
  • a spin coating method, a spray coating method, an ink jet method, and a nozzle printing method are preferable.
  • a light emitting layer When forming a light emitting layer by a wet film-forming method, usually a light emitting layer formed by dissolving the above-described light emitting material, charge transporting material, and other materials described later used as necessary in an appropriate solvent. It forms by forming into a film using the composition for water.
  • the solvent used in the wet film forming method of the light emitting layer is not particularly limited as long as the material used for forming the light emitting layer such as the light emitting material and the charge transporting material can be dissolved or dispersed well.
  • the light emitting material and the charge transport material are each usually 0.01% by weight or more, preferably 0.05% by weight or more, more preferably 0.1% by weight at 25 ° C. and 1 atm. It is preferable to dissolve the above.
  • the solvent examples include alkanes such as n-decane, cyclohexane, ethylcyclohexane, decalin and bicyclohexane; aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, methicylene, cyclohexylbenzene, tetramethylcyclohexanone and tetralin; chlorobenzene and dichlorobenzene Halogenated aromatic hydrocarbons such as trichlorobenzene; 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole, phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3- Aromatic ethers such as dimethylanisole, 2,4-dimethylanisole, diphenyl ether; phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, e
  • solvents may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.
  • the solvent evaporates from the liquid film immediately after the film formation at an appropriate rate.
  • the boiling point of the solvent is usually 80 ° C. or higher, preferably 100 ° C. or higher, more preferably 120 ° C. or higher.
  • the boiling point of the solvent is usually 270 ° C. or lower, preferably 250 ° C. or lower, more preferably 230 ° C. or lower.
  • composition for forming a light emitting layer in the present invention preferably contains a light emitting material in an amount of usually 0.01% by weight or more, preferably 0.05% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more. Further, the light emitting material is usually contained in an amount of 20% by weight or less, preferably 10% by weight or less, more preferably 5% by weight or less.
  • the composition for forming a light emitting layer in the present invention preferably contains a charge transport material in an amount of usually 0.1% by weight or more, preferably 0.5% by weight or more, and more preferably 1% by weight or more.
  • the ratio of the content of the light emitting material and the charge transport material in the composition for forming the light emitting layer is usually 0.01 or more, preferably 0.03 or more. Is good.
  • the ratio of the content of the light emitting material and the charge transport material in the composition for forming the light emitting layer is usually 0.5 or less, preferably 0.2 or less. Is good.
  • the content of the solvent in the composition for forming a light emitting layer according to the present invention is arbitrary as long as the effects of the present invention are not significantly impaired.
  • the content of the solvent in the composition for forming a light emitting layer is large, it is preferable from the viewpoint of low viscosity and excellent workability in film formation.
  • the content of the solvent is small, it is preferable in that the thickness of a film obtained by removing the solvent after film formation can be easily obtained and film formation is easy.
  • the content of the solvent is preferably 10 parts by weight or more, more preferably 50 parts by weight or more, and particularly preferably 80 parts by weight or more with respect to 100 parts by weight of the composition for forming a light emitting layer. good.
  • the content of the solvent is preferably 99.95 parts by weight or less, more preferably 99.9 parts by weight or less, and particularly preferably 99.8 parts by weight or less.
  • the composition for forming a light emitting layer in the present invention may contain various additives such as a leveling agent and an antifoaming agent for the purpose of improving the film formability.
  • the solid content concentration which is the total amount of the light emitting material, hole transport material, electron transport material, and the like in the composition for forming a light emitting layer in the present invention, is preferably small in that film thickness unevenness is unlikely to occur. In view of the fact that defects are unlikely to occur in the film, it is preferable that the number be large. Specifically, it is preferably 0.01% by weight or more and usually 70% by weight or less.
  • the formation of the light-emitting layer was usually obtained after such a composition for forming a light-emitting layer was wet-formed on a layer (usually a hole injection layer or a hole transport layer described later) as a lower layer of the light-emitting layer. It is formed by drying the coating film and removing the solvent.
  • the thickness of the light emitting layer is arbitrary as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. However, it is preferable that the film is thick in that it is difficult to cause defects in the film, but on the other hand, it is thin in that the driving voltage tends to be low. preferable. Specifically, the thickness is usually 3 nm or more, preferably 5 nm or more, and usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less.
  • the organic electroluminescent element may be provided with two or more light emitting layers.
  • the number of light emitting layers is two or more, the conditions of each layer are as described above, but the definition of EA with the adjacent electron transport layer only needs to satisfy the light emitting layer having the electron transport layer adjacent to the cathode side. .
  • the adjacent electron transport layer is a dielectric layer having an electron transport property provided between the light emitting layer and the cathode and adjacent to the light emitting layer.
  • the adjacent electron transport layer is an electron transport property that transports electrons injected from the cathode to the light emitting layer, and a hole blocking property that prevents holes transported to the light emitting layer from leaking to the cathode side, or a light emitting layer. It is preferable to have a hole relaxation property that prevents the generated excitons from diffusing.
  • limiting in the formation method of an adjacent electron carrying layer Therefore, it can be formed by a wet film forming method, a vapor deposition method, or other methods.
  • the film thickness of the adjacent electron transport layer is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.3 nm or more, preferably 0.5 nm or more, and usually 100 nm or less, preferably 50 nm or less.
  • the charge transport material for forming the adjacent electron transport layer is preferably electron transport.
  • Organic compounds having a functional unit and a hole transporting unit are used.
  • the hole transport unit is excellent in durability against holes and has a structure having a hole transport property.
  • the electron transport unit is excellent in durability against electrons and has a structure having electron transport properties. That is, the adjacent electron transport layer according to the present invention preferably contains a charge transport material having excellent durability against electrical redox.
  • the number of hole transport units and electron transport units included in the charge transport material contained in the adjacent electron transport layer is not limited as long as the charge transport material has hole transport properties and electron transport properties. It is preferable that the amount is high in terms of high properties, and on the other hand, it is preferable that it is small in terms of ease of purification. Specifically, it is preferably 1 or more for each of the hole transport unit and the electron transport unit, and on the other hand, it is preferably 10 or less, and more preferably 5 or less.
  • the ratio of the number of hole transport units and electron transport units may be the same or one unit may be larger than the other unit, but the number of electron transport units is greater than the number of hole transport units. It is preferable to do this.
  • the difference is preferably 1 or more, and on the other hand, it is preferably 5 or less, and more preferably 3 or less. preferable.
  • the structure and preferred specific examples of the hole transport unit and the electron transport unit are as described above.
  • the hole transport unit and the electron transport unit may be combined in any way as long as each unit exhibits a hole transport property and an electron transport property. Specifically, both units may be directly bonded, or a bonding group may be interposed between both units.
  • a bonding group via the hole transport unit and the electron transport unit an alkylene group which may have a substituent, an alkenylene group which may have a substituent, and a divalent which may have a substituent Aromatic hydrocarbon ring groups are preferred.
  • the carbon number of the alkylene group is preferably 1 or more, and on the other hand, it is preferably 10 or less, and more preferably 8 or less.
  • Specific examples include a methylene group, 1,2-ethylene group, 1,3-propylene group, 1,4-butylene group, 1,5-pentylene group, 1,8-octylene group, and the like. Of these, a methylene group and a 1,2-ethylene group, which are easy to synthesize, are preferred.
  • the carbon number of the alkenylene group is preferably 2 or more, on the other hand, preferably 10 or less, and more preferably 6 or less.
  • Specific examples include 1,2-vinylene group, 1,3-propenylene group, 1,2-propenylene group, 1,4-butenylene group, etc.
  • the conjugate plane is expanded by improving the planarity of the molecule.
  • a vinylene group is preferable because the charge is delocalized and stability is easily improved.
  • the carbon number of the divalent aromatic hydrocarbon ring group is preferably 6 or more, and on the other hand, it is preferably 30 or less.
  • the number of condensed rings is preferably 5 or less. That is, a monocyclic ring, a 2-5 condensed ring, or a divalent group formed by connecting a plurality of these rings is preferable.
  • the number is preferably 2 to 8 and more preferably 2 to 5 in view of high stability of the ring.
  • the divalent aromatic hydrocarbon ring group examples include a benzene ring having a divalent free valence, a naphthalene ring, a phenanthrene ring, an anthracene ring, a triphenylene ring, a chrysene ring, a naphthacene ring, a perylene ring, and a coronene ring.
  • a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a triphenylene ring and the like having a divalent free valence are preferable from the viewpoint of high ring stability.
  • divalent aromatic hydrocarbon ring group is represented by structural formulas S1 to S15 below, but the present invention is not limited thereto.
  • the bonding group may or may not have a substituent.
  • the bonding group is not substituted in that the stability of the film is likely to be improved due to the decrease in crystallinity of the molecule due to the improvement in stability to electrons.
  • an alkyl group When the linking group has a substituent, an alkyl group, an aromatic hydrocarbon ring group, an aromatic heterocyclic group, an alkoxy group, a (hetero) aryloxy group, an alkylthio group, a (hetero) arylthio group, a cyano group and the like are preferable (
  • “(hetero) aryl” means both “aryl” and “heteroaryl”.
  • an alkyl group is preferable in terms of the stability of the compound.
  • the term “having an alkyl group as a substituent” means that the linking group is a group other than an alkylene group, and the term “having an aromatic hydrocarbon ring group as a substituent means that the linking group is an aromatic hydrocarbon”. This refers to a group other than a cyclic group.
  • the carbon number of the alkyl group is preferably 1 or more, and on the other hand, it is preferably 20 or less.
  • Specific examples include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, iso-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, hexyl group, octyl group, cyclohexyl group, decyl group and octadecyl group.
  • a methyl group, an ethyl group, and an isopropyl group are preferable, and a methyl group and an ethyl group are particularly preferable because the raw materials are easily available and can be easily synthesized at low cost.
  • the number of carbon atoms of the aromatic hydrocarbon ring group of the substituent is preferably 6 or more, and is preferably 25 or less.
  • Specific examples of the aromatic hydrocarbon ring group as a substituent include naphthyl groups such as phenyl group, 1-naphthyl group and 2-naphthyl group; phenanthyl groups such as 9-phenanthyl group and 3-phenanthyl group, 1-anthryl.
  • anthryl groups such as 2-anthryl group and 9-anthryl group
  • naphthacenyl groups such as 1-naphthacenyl group and 2-naphthacenyl group
  • pyrenyl groups such as 1-pyrenyl groups, triphenylenyl groups such as 1-triphenylenyl groups and coronenyl groups such as 1-coronenyl groups, 4-biphenyl groups, 3-biphenyl groups And the like.
  • a phenyl group, a 2-naphthyl group, a 3-biphenyl group, and the like are preferable from the viewpoint of stability of the compound, and a phenyl group is particularly preferable from the viewpoint of ease of purification.
  • the number of carbon atoms of the aromatic heterocyclic group of the substituent is preferably 3 or more, and preferably 20 or less.
  • Specific examples of the aromatic hydrocarbon ring group as a substituent include a thienyl group such as a 2-thienyl group; a furyl group such as a 2-furyl group; an imidazolyl group such as a 2-imidazolyl group; and a carbazolyl such as a 9-carbazolyl group.
  • Groups; pyridyl groups such as 2-pyridyl group and triazinyl groups such as 1,3,5-triazin-2-yl group and the like.
  • the alkoxy group preferably has 1 or more carbon atoms, and preferably 20 or less. Specific examples include methoxy group, ethoxy group, isopropyloxy group, cyclohexyloxy group, octadecyloxy group and the like.
  • the (hetero) aryloxy group preferably has 3 or more carbon atoms, and preferably 20 or less. Specific examples include phenoxy group, 1-naphthyloxy group, 9-anthranyloxy group, 2-thienyloxy group and the like.
  • the alkylthio group preferably has 1 or more carbon atoms, and preferably 20 or less. Specific examples include methylthio group, ethylthio group, isopropylthio group, cyclohexylthio group and the like.
  • the (hetero) arylthio group preferably has 3 or more carbon atoms, and preferably 20 or less. Specific examples include phenylthio group, 1-naphthylthio group, 9-anthranylthio group, 2-thienylthio group and the like.
  • the charge transport material contained in the adjacent electron transport layer for example, compounds having structures represented by the following general formulas (5) to (7) are preferable.
  • A represents a hole transport unit having 1 to 30 carbon atoms which may have a substituent
  • B represents an electron transport unit having 1 to 30 carbon atoms which may have a substituent
  • L represents an optionally substituted hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms
  • l represents an integer of 0 to 3
  • m and n each represents an integer of 1 to 4.
  • a plurality of L, A, and B may be the same or different, and x and y represent an integer of 1 to 4, and x or y is 2 In the case of the above integers, a plurality of LA and LB may be the same or different.
  • A represents a monovalent group
  • a in the general formula (7) represents a y-valent group.
  • B in the general formulas (5) and (7) both represents a monovalent group
  • B in the general formula (6) represents an x-valent group.
  • (L) l in the general formula (5) represents an m + n valent group
  • L in the general formulas (6) to (7) represents a divalent group.
  • A is preferably the above-described hole transport unit
  • B is preferably the above-described electron transport unit B
  • L is preferably the above-described bonding group.
  • L is an optionally substituted saturated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, an unsaturated hydrocarbon group having 2 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 30 carbon atoms. It is particularly preferred.
  • the structures of the formulas (5) to (7) are specifically expressed by the formula (5) when l, m, and n are 1, when the formula (6) is x, and when the formula (7) is y When “1” is 1, both are “ALB”. Further, the formulas (5) to (7) each have a structure such as the following formulas (5 ′) to (7 ′), for example.
  • the molecular weight of the organic compound used as the charge transport material for forming the adjacent electron transport layer is preferably in the following range in terms of good heat resistance, hardly causing gas generation, easy purification, and high purity. That is, it is usually 10,000 or less, preferably 5000 or less, more preferably 4000 or less, further preferably 3000 or less, and usually 100 or more, preferably 200 or more, more preferably 300 or more, and further preferably 400 or more. Is good.
  • the adjacent electron transport layer may contain only one kind of the charge transport material as described above, or may contain two or more kinds.
  • the charge transport material (electron) mainly responsible for electron transport is compared with EA of the charge transport material (hole transport material) mainly responsible for transport of holes. It is desirable that the EA of the transport material is larger. That is, in general, when a plurality of charge transport materials are included in the same layer, electrons are likely to ride on a material having a large EA. Therefore, by using a charge transport material having a large EA as an electron transport material, high luminous efficiency / It is possible to produce a long-life element.
  • of the EA of the charge transport material contained in the adjacent electron transport layer according to the present invention is large in that the compound tends to be in a stable state when electrons are present at the energy level for transporting electrons.
  • it is preferably small from the standpoint that transport and transfer of charges due to formation of a stable radical anion and inhibition of exciton formation are unlikely to occur.
  • the EA of the charge transport material having the largest absolute value of EA (if the adjacent electron transport layer contains only one type of charge transport material, the charge transport material
  • the organic electroluminescent device of the present invention is the most absolute of the charge transport materials contained in the light emitting layer, the electron affinity EA1 of the charge transport material responsible for electron transport, and the charge transport material contained in the adjacent electron transport layer.
  • the charge affinity material EA2 of the charge transport material having a large electron affinity satisfies the relationship represented by the following formula (1), preferably the following formula (3).
  • is 0.00 eV or more, preferably 0.01 eV or more, particularly preferably 0. 0.04 eV or more is preferable.
  • is 0.20 eV or less, preferably 0.19 eV or less, more preferably 0.17 eV or less.
  • the charge transport material contained in the light emitting layer and the charge transport material contained in the adjacent electron transport layer may be the same or different materials, but the adjacent electron transport layer is the light emitting layer. It is preferable that a charge transporting material different from the charge transporting material contained in is contained. This is because the charge transport material contained in the light-emitting layer is required to have a characteristic that allows the light-emitting material to emit light efficiently, whereas the adjacent electron transport layer generally has efficient electron transport and hole blocking or relaxation. This is because the required material properties are different.
  • the charge transport materials having the largest EA among the layers are different materials.
  • the electron transport is mainly performed by the charge transport material having the largest EA in each layer.
  • the optimum material is naturally different. to cause.
  • the combination of the charge transport materials is temporarily selected, the EA is measured for each charge transport material according to the method described above, and the light emitting layer
  • the charge transport material used for the light-emitting layer and the adjacent electron transport layer are used so that the charge transport material used for and the charge transport material used for the adjacent electron transport layer satisfy the relationship of the above formula (1), preferably the above formula (3).
  • a combination of charge transport materials to be used may be selected.
  • the cathode is an electrode that plays a role of injecting electrons into the layer on the light emitting layer side.
  • metals such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium and platinum, metal oxides such as oxides of indium and / or tin, metal halides such as copper iodide, carbon black, or , Poly (3-methylthiophene), polypyrrole, polyaniline and other conductive polymers.
  • a metal having a low work function is preferable for efficient electron injection.
  • a suitable metal such as tin, magnesium, indium, calcium, aluminum, silver, or an alloy thereof is used.
  • alloy electrodes having a low work function such as magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, and aluminum-lithium alloy.
  • the film thickness of the cathode depends on the required transparency.
  • the visible light transmittance is usually 60% or more, preferably 80% or more.
  • the thickness of the cathode is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and is usually 1000 nm or less, preferably about 500 nm or less.
  • the thickness of the cathode is arbitrary, and the cathode may be the same as the substrate. Furthermore, it is also possible to laminate different conductive materials on the cathode.
  • the work function is further high against the atmosphere. It is preferable to stack a stable metal layer because the stability of the device is increased.
  • metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold and platinum are used.
  • these materials may be used only by 1 type and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.
  • the work function (WF) of the cathode is preferably large in terms of stability to the atmosphere and moisture, but is preferably small in terms of electron injectability to the cathode-side electron transport layer.
  • WF is preferably 2.00 eV or more, more preferably 2.40 eV or more, and on the other hand, it is preferably 4.90 eV or less, and 4.80 eV or less. Is more preferable.
  • the cathode side electron transport layer is an electron transport layer provided between the adjacent electron transport layer and the cathode, and when there are a plurality of electron transport layers between the adjacent electron transport layer and the cathode, the cathode side electron transport layer is on the most cathode side. It is an electron transport layer.
  • the electron injection efficiency from the cathode or the adjacent layer on the cathode side is usually high, and the electron mobility is high.
  • a compound that can efficiently transport injected electrons is used. Examples of the compound satisfying such conditions include metal complexes such as 8-hydroxyquinoline aluminum complex and lithium complex (Japanese Patent Laid-Open No.
  • Examples of the electron transporting material used for the electron transporting layer include electron transporting organic compounds represented by metal complexes such as nitrogen-containing heterocyclic compounds such as bathophenanthroline and aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline, sodium, potassium, and the like.
  • an alkali metal such as cesium, lithium, rubidium (described in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 10-270171, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2002-1000047, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2002-1000048, etc.)
  • an inorganic salt such as lithium fluoride or cesium carbonate.
  • the method of forming the electron transport layer provided between the adjacent electron transport layer and the cathode can be formed by a wet film forming method, a vapor deposition method, or other methods.
  • the thickness of the electron transport layer provided between the adjacent electron transport layer and the cathode is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 1 nm or more, preferably 5 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably Is in the range of 100 nm or less.
  • the absolute value of the electron affinity of the charge transport material having the largest absolute electron affinity.
  • the EA of the charge transport material having the largest absolute value of EA (if the adjacent electron transport layer contains only one type of charge transport material, the charge transport material
  • of the charge transport material having the largest absolute value of EA among the plurality of charge transport materials is 2.60 eV or more. Is preferably 2.70 eV or more, and is preferably 3.30 eV or less, and more preferably 3.20 eV or less.
  • the absolute value
  • of the charge transport material having the largest absolute value of EA among the plurality of charge transport materials is 2.60 eV or more. Is preferably 2.70 eV or more, and is preferably 3.30 eV or less, and more preferably 3.20 eV or less.
  • the above-mentioned tendency is often recognized between the chemical structure of the charge transport material and
  • the organic electroluminescent device of the present invention has the absolute value
  • is within a predetermined range and satisfies the relationship expressed by the following formula (2).
  • Transfer of electrons from the cathode to the cathode-side electron transport layer is based on the energy level responsible for electron transport in the cathode-side electron transport layer (WF) of the charge transport material having the largest absolute electron affinity from the work function (WF) of the cathode. Electron affinity (EA3)).
  • EA3 Electron affinity
  • the cathode side electron transport layer is less susceptible to reduction.
  • the side electron transport layer tends to be stable. Therefore,
  • is ⁇ 1.60 eV or more, preferably ⁇ 1.00 eV or more, more preferably ⁇ 0.5 eV or more, particularly preferably 0.00 eV or more, and most preferably Is 0.80 eV or more. Also,
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a structural example of an organic electroluminescent element 10 of the present invention.
  • 1 is a substrate
  • 2 is an anode
  • 3 is a hole injection layer
  • 4 is a hole transport layer
  • 5 Represents a light emitting layer
  • 6 represents a hole blocking layer (adjacent electron transport layer)
  • 7 represents a cathode side electron transport layer
  • 8 represents an electron injection layer
  • 9 represents a cathode.
  • substrate 1 becomes a support body of an organic electroluminescent element.
  • a quartz or glass plate, a metal plate or a metal foil, a plastic film, a sheet, or the like is used as the substrate 1.
  • glass plates are particularly preferred; transparent synthetic resin plates such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, polysulfone and the like.
  • gas barrier property of the substrate is preferably large because the organic electroluminescence element is hardly deteriorated by outside air that has passed through the substrate. For this reason, a method of providing a gas barrier property by providing a dense silicon oxide film or the like on at least one surface of the synthetic resin substrate is also a preferable method.
  • the anode 2 serves to inject holes into the layer on the light emitting layer 5 side.
  • This anode 2 is usually made of a metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, platinum, Consists of metal oxides such as oxides of indium and / or tin, metal halides such as copper iodide, carbon black, or conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), polypyrrole, and polyaniline .
  • the formation of the anode 2 is usually performed by a method such as sputtering or vacuum deposition.
  • a method such as sputtering or vacuum deposition.
  • fine metal particles such as silver, fine particles such as copper iodide, carbon black, conductive metal oxide fine particles, conductive polymer fine powder, etc.
  • these fine particles are The anode 2 can also be formed by dispersing it in an appropriate binder resin solution and applying it onto the substrate 1.
  • a conductive polymer a thin film can be directly formed on the substrate 1 by electrolytic polymerization.
  • the anode 2 can be formed by applying a conductive polymer on the substrate 1 (Appl. Phys. Lett., 60, 2711, 1992).
  • the anode 2 usually has a single-layer structure, but it can also have a laminated structure made of a plurality of materials if desired.
  • the thickness of the anode 2 may be appropriately selected according to required transparency.
  • the visible light transmittance is usually 60% or more, preferably 80% or more.
  • the thickness of the anode 2 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more.
  • the thickness of the anode 2 is usually about 1000 nm or less, preferably about 500 nm or less.
  • the thickness of the anode 2 is arbitrary.
  • the substrate 1 having the function of the anode 2 may be used. Furthermore, it is also possible to laminate different conductive materials on the anode 2 described above.
  • the surface of the anode 2 is treated with ultraviolet (UV) / ozone, or with oxygen plasma or argon plasma. It is preferable to do.
  • the hole injection layer 3 is a layer that transports holes from the anode 2 to the light emitting layer 5.
  • the hole injection layer 3 is not an essential layer for the organic electroluminescence device of the present invention, but when the hole injection layer 3 is provided, the hole injection layer 3 is usually formed on the anode 2.
  • the method for forming the hole injection layer 3 according to the present invention may be either a vacuum vapor deposition method or a wet film formation method, and is not particularly limited.
  • the hole injection layer 3 is preferably formed by a wet film formation method from the viewpoint of reducing dark spots.
  • the thickness of the hole injection layer 3 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less.
  • a material for forming the hole injection layer 3 is usually mixed with an appropriate solvent (a solvent for hole injection layer) to form a film-forming composition ( The composition for forming a hole injection layer) is prepared, and this composition for forming the hole injection layer 3 is applied onto a layer corresponding to the lower layer of the hole injection layer (usually the anode 2) by an appropriate technique.
  • the hole injection layer 3 is formed by forming a film and drying.
  • the composition for forming a hole injection layer usually contains a hole transport material and a solvent as constituent materials for the hole injection layer 3.
  • a monomer or the like may be a polymer compound or the like. Although it may be a low molecular weight compound, it is preferably a high molecular weight compound.
  • hole transport material a compound having an ionization potential of 4.5 eV to 6.0 eV from the viewpoint of a charge injection barrier from the anode 2 to the hole injection layer 3 is preferable.
  • hole transport materials include aromatic amine derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, oligothiophene derivatives, polythiophene derivatives, benzylphenyl derivatives, compounds in which tertiary amines are linked by a fluorene group, hydrazone derivatives, silazane derivatives, silanamine derivatives Phosphamine derivatives, quinacridone derivatives, polyaniline derivatives, polypyrrole derivatives, polyphenylene vinylene derivatives, polythienylene vinylene derivatives, polyquinoline derivatives, polyquinoxaline derivatives, carbon and the like.
  • the derivative includes, for example, an aromatic amine derivative, and includes an aromatic amine itself and a compound having an aromatic amine as a main skeleton. It may be a mer.
  • the hole transport material used as the material of the hole injection layer 3 may contain any one of these compounds alone, or may contain two or more kinds. When two or more hole transport materials are contained, the combination thereof is arbitrary, but one or more aromatic tertiary amine polymer compounds and one or more other hole transport materials It is preferable to use together.
  • an aromatic amine compound is preferable from the viewpoint of amorphousness and visible light transmittance, and an aromatic tertiary amine compound is particularly preferable.
  • the aromatic tertiary amine compound is a compound having an aromatic tertiary amine structure, and includes a compound having a group derived from an aromatic tertiary amine.
  • the type of the aromatic tertiary amine compound is not particularly limited, but from the viewpoint of uniform light emission due to the surface smoothing effect, a polymer compound having a weight average molecular weight of 1,000 or more and 1,000,000 or less (a polymerizable compound in which repeating units are linked) is further included. preferable.
  • a polymer compound having a weight average molecular weight of 1,000 or more and 1,000,000 or less a polymerizable compound in which repeating units are linked
  • the aromatic tertiary amine polymer compound include a polymer compound having a repeating unit represented by the following formula (I).
  • Ar 1 to Ar 5 each independently represents an optionally substituted aromatic ring group.
  • Z b represents a linking group selected from the following linking group group.
  • Ar 1 to Ar 5 two groups bonded to the same N atom may be bonded to each other to form a ring.
  • Ar 6 to Ar 16 each independently represents an optionally substituted aromatic ring group.
  • R 5 and R 6 each independently represents a hydrogen atom or an arbitrary Represents a substituent.
  • a benzene ring, a naphthalene ring having one or two free valences from the viewpoint of solubility, heat resistance, hole injection / transport properties of the polymer compound A group derived from a phenanthrene ring, a thiophene ring or a pyridine ring is preferred, and a benzene ring or a naphthalene ring is more preferred.
  • the aromatic ring group of Ar 1 to Ar 16 may further have a substituent.
  • the molecular weight of the substituent is usually 400 or less, preferably about 250 or less.
  • an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an aromatic ring group and the like are preferable.
  • R 5 and R 6 are optional substituents
  • substituents include an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, a silyl group, a siloxy group, and an aromatic ring group.
  • aromatic tertiary amine polymer compound having a repeating unit represented by the formula (I) include those described in International Publication No. 2005/089024.
  • a conductive polymer obtained by polymerizing 3,4-ethylenedioxythiophene (3,4-ethylenedioxythiophene), which is a derivative of polythiophene, in high molecular weight polystyrene sulfonic acid is also available. Also preferred. Moreover, the end of this polymer may be capped with methacrylate or the like.
  • the hole transport material may be a crosslinkable compound described in the following [Hole transport layer] section. The same applies to the film formation method when the crosslinkable compound is used.
  • the concentration of the hole transport material in the composition for forming a hole injection layer is arbitrary as long as the effects of the present invention are not significantly impaired.
  • the concentration of the hole transport material in the composition for forming a hole injection layer is usually 0.01% by weight or more, preferably 0.1% by weight or more, and more preferably 0.5% from the viewpoint of film thickness uniformity. On the other hand, it is usually 70% by weight or less, preferably 60% by weight or less, and more preferably 50% by weight or less. This concentration is preferably small in that film thickness unevenness is unlikely to occur. Further, this concentration is preferably large in that a defect is not easily generated in the formed hole injection layer.
  • the hole injection layer forming composition preferably contains an electron accepting compound as a constituent material of the hole injection layer 3.
  • the electron-accepting compound is preferably a compound having an oxidizing power and the ability to accept one electron from the hole transport material described above.
  • a compound having an electron affinity of 4 eV or more is preferable, and a compound being a compound having 5 eV or more is more preferable.
  • Examples of such electron-accepting compounds include triarylboron compounds, metal halides, Lewis acids, organic acids, onium salts, salts of arylamines and metal halides, and salts of arylamines and Lewis acids. Examples thereof include one or more compounds selected from the group. More specifically, examples of the electron-accepting compound include onium salts substituted with an organic group such as 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (penderfluorophenyl) borate and triphenylsulfonium tetrafluoroborate (International Publication) 2005/088904); iron (III) chloride (Japanese Unexamined Patent Publication No.
  • high valent inorganic compounds such as ammonium peroxodisulfate; cyano compounds such as tetracyanoethylene, tris (pendafluorophenyl) borane Aromatic boron compounds such as (Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-31365); fullerene derivatives; iodine; sulfonate ions such as polystyrene sulfonate ions, alkylbenzene sulfonate ions, and camphor sulfonate ions.
  • high valent inorganic compounds such as ammonium peroxodisulfate; cyano compounds such as tetracyanoethylene, tris (pendafluorophenyl) borane Aromatic boron compounds such as (Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-31365); fullerene derivatives; iodine; sulfonate ions such as polystyrene s
  • These electron-accepting compounds can improve the conductivity of the hole injection layer 3 by oxidizing the hole transport material.
  • the content of the electron-accepting compound in the hole injection layer 3 or the composition for forming a hole injection layer with respect to the hole transport material is usually 0.1 mol% or more, preferably 1 mol% or more. However, it is usually 100 mol% or less, preferably 40 mol% or less.
  • At least one of the solvents of the composition for forming a hole injection layer used in the wet film formation method is preferably a compound that can dissolve the constituent material of the hole injection layer 3 described above.
  • the boiling point of this solvent is usually 110 ° C. or higher, preferably 140 ° C. or higher, more preferably 200 ° C. or higher, and usually 400 ° C. or lower, more preferably 300 ° C. or lower.
  • the boiling point of the solvent is preferably high in that the drying speed is not too high and the film quality is excellent.
  • the boiling point of the solvent is preferably low in that it can be dried at a low temperature and hardly affects other layers and the substrate.
  • solvent examples include ether solvents, ester solvents, aromatic hydrocarbon solvents, amide solvents, and the like.
  • ether solvents include aliphatic ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole , Aromatic ethers such as phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole and 2,4-dimethylanisole.
  • aliphatic ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole .
  • Aromatic ethers such as phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-meth
  • ester solvent examples include aromatic esters such as phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, and n-butyl benzoate.
  • aromatic hydrocarbon solvent examples include toluene, xylene, cyclohexylbenzene, 3-isopropylpropylphenyl, 1,2,3,4-tetramethylbenzene, 1,4-diisopropylbenzene, cyclohexylbenzene, and methylnaphthalene. Can be mentioned.
  • amide solvent examples include N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, and the like.
  • dimethyl sulfoxide and the like can also be used.
  • solvents may be used alone or in combination of two or more in any ratio.
  • a composition corresponding to the lower layer of the hole injection layer 3 is usually prepared by a wet film formation method after preparing a composition for forming a hole injection layer (usually, Is formed by coating on the anode 2) and drying.
  • the temperature at the time of coating is preferably 10 ° C. or higher and 50 ° C. or lower because film defects due to the formation of crystals in the composition are unlikely to occur.
  • the relative humidity at the time of application coating is not limited unless the effect of this invention is impaired remarkably, it is 0.01 ppm or more and 80% or less normally.
  • the film of the composition for forming a hole injection layer is usually dried.
  • it may be heated or may not be heated.
  • heating means used for heat drying include clean ovens, hot plates, infrared rays, halogen heaters, microwave irradiation, and the like. Of these, a clean oven and a hot plate are preferred because they easily heat the entire film evenly.
  • the heating temperature in the case of heating is preferably heated at a temperature equal to or higher than the boiling point of the solvent used in the composition for forming a hole injection layer as long as the effects of the present invention are not significantly impaired.
  • at least one type is preferably heated at a temperature equal to or higher than the boiling point of the solvent.
  • the heating step is preferably performed at 120 ° C or higher, preferably 410 ° C or lower.
  • the heating temperature is not particularly limited. However, when the layer in contact with the cathode side of the hole injection layer is formed by a wet film forming method, the coating film is sufficiently insolubilized. Heating at a temperature is preferred.
  • the heating time for heating is preferably 10 seconds or longer, but is usually 180 minutes or shorter.
  • the heating time is preferably short from the viewpoint that diffusion of the components of the other layers hardly occurs, but is preferably long from the viewpoint that the hole injection layer tends to be homogeneous. Heating may be performed in two or more times.
  • the hole transport layer 3 can be formed as follows.
  • One or more of the constituent materials of the hole injection layer 3 (the aforementioned hole transport material, electron accepting compound, etc.) are put in a crucible installed in a vacuum vessel (when using two or more materials) Place in each crucible) and evacuate the inside of the vacuum vessel to about 10 ⁇ 4 Pa with a suitable vacuum pump.
  • the crucible is heated (each crucible is heated when two or more materials are used), and the evaporation amount is controlled to evaporate (when two or more materials are used, each is independently evaporated)
  • the hole injection layer 3 is formed on the anode 2 of the substrate 1 placed facing the crucible.
  • the hole injection layer 3 can also be formed by putting those mixtures into a crucible, heating and evaporating.
  • the degree of vacuum during vapor deposition is not limited as long as the effects of the present invention are not significantly impaired.
  • the degree of vacuum at the time of vapor deposition is usually 0.1 ⁇ 10 ⁇ 6 Torr (0.13 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa) or more and 9.0 ⁇ 10 ⁇ 6 Torr (12.0 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa) or less.
  • the deposition rate is not limited as long as the effects of the present invention are not significantly impaired.
  • the deposition rate is usually 0.1 ⁇ / sec or more and 5.0 ⁇ / sec or less.
  • the film formation temperature at the time of vapor deposition is not limited as long as the effects of the present invention are not significantly impaired.
  • the film forming temperature during vapor deposition is preferably 10 ° C. or higher and 50 ° C. or lower.
  • the hole transport layer 4 is a layer that transports from the anode 2 to the light emitting layer 5.
  • the hole transport layer 4 is not an essential layer for the organic electroluminescence device of the present invention, but when the hole transport layer 4 is provided, the hole transport layer 4 is positive when the hole injection layer 3 is present. If there is no hole injection layer 3 on the hole injection layer 3, it can be formed on the anode 2.
  • the formation method of the hole transport layer 4 may be a vacuum deposition method or a wet film formation method, and is not particularly limited.
  • the hole transport layer 4 is preferably formed by a wet film formation method from the viewpoint of reducing dark spots.
  • the material forming the hole transport layer 4 is preferably a material having high hole transportability and capable of efficiently transporting injected holes. Therefore, the material for forming the hole transport layer 4 has a low ionization potential, high transparency to visible light, high hole mobility, excellent stability, and trapping impurities at the time of manufacture. It is preferable that it does not easily occur during use. Further, in many cases, since the hole transport layer 4 is in contact with the light emitting layer 5, it does not quench the light emitted from the light emitting layer 5 or form an exciplex with the light emitting layer 5 to reduce the efficiency. It is preferable.
  • Such a material for the hole transport layer 4 may be a material conventionally used as a constituent material for the hole transport layer 4.
  • Examples of the material of the hole transport layer 4 include those exemplified as the hole transport material used for the hole injection layer 3 described above.
  • polyvinylcarbazole derivatives polyarylamine derivatives, polyvinyltriphenylamine derivatives, polyfluorene derivatives, polyarylene derivatives, polyarylene ether sulfone derivatives containing tetraphenylbenzidine, polyarylene vinylene derivatives, polysiloxane derivatives, polythiophenes Derivatives, poly (p-phenylene vinylene) derivatives, and the like.
  • These may be any of an alternating copolymer, a random polymer, a block polymer, or a graft copolymer. Further, it may be a polymer having a branched main chain and three or more terminal portions, or a so-called dendrimer.
  • a polyarylamine derivative and a polyarylene derivative are preferable.
  • the polyarylamine derivative is preferably a polymer containing a repeating unit represented by the following formula (II).
  • the polymer is preferably a polymer composed of repeating units represented by the following formula (II).
  • Ar a or Ar b may be different in each repeating unit.
  • Ar a and Ar b each independently represent an aromatic ring group which may have a substituent.
  • Examples of the aromatic hydrocarbon ring group which may have a substituent for Ar a and Ar b include, for example, a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring having a monovalent or divalent free valence, 6-membered monocyclic ring having a monovalent or divalent free valence, such as a perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, acenaphthene ring, fluoranthene ring, fluorene ring, or 2-5
  • Examples thereof include a condensed ring and a group formed by connecting two or more of these rings through a direct bond.
  • aromatic heterocyclic group which may have a substituent, for example, a furan ring, a benzofuran ring, a thiophene ring, a benzothiophene ring, a pyrrole ring, a pyrazole ring having a monovalent or divalent free valence, Imidazole ring, oxadiazole ring, indole ring, carbazole ring, pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzoisoxazole ring, benzoisothiazole Ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, triazine ring,
  • Ar a and Ar b are each independently a monovalent or divalent free valence benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, triphenylene ring, pyrene ring,
  • a group having a monovalent free valence (phenyl group) derived from a benzene ring, a group formed by connecting two benzene rings (biphenyl group), and a group derived from a fluorene ring (fluorenyl group) are preferable.
  • Examples of the substituent that the aromatic ring group in Ar a and Ar b may have include an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkoxycarbonyl group, a dialkylamino group, a diarylamino group, an acyl group Group, halogen atom, haloalkyl group, alkylthio group, arylthio group, silyl group, siloxy group, cyano group, aromatic ring group and the like.
  • polyarylene derivative examples include a polymer having an arylene group such as an aromatic ring group in its repeating unit, which may have the substituents exemplified as Ar a and Ar b in the formula (II).
  • a polymer having a repeating unit represented by the following formula (V-1) and / or the following formula (V-2) is preferable.
  • R a , R b , R c and R d are each independently an alkyl group, an alkoxy group, a phenylalkyl group, a phenylalkoxy group, a phenyl group, a phenoxy group, an alkylphenyl group, Represents an alkoxyphenyl group, an alkylcarbonyl group, an alkoxycarbonyl group, or a carboxy group, and t and s each independently represent an integer of 0 to 3. When t or s is 2 or more, they are contained in one molecule.
  • a plurality of R a or R b may be the same or different, and adjacent R a or R b may form a ring.
  • R e and R f are independently the same as R a , R b , R c or R d in the formula (V-1). Independently represents an integer of 0 to 3.
  • r or u is 2 or more, a plurality of R e and R f contained in one molecule may be the same or different, and adjacent R e or R f may form a ring, and X represents an atom or a group of atoms constituting a 5-membered ring or a 6-membered ring.
  • X are —O—, —BR—, —NR—, —SiR 2 —, —PR—, —SR—, —CR 2 — or a group formed by bonding thereof.
  • R represents a hydrogen atom or an arbitrary organic group.
  • the organic group in the present invention is a group containing at least one carbon atom.
  • the polyarylene derivative has a repeating unit represented by the following formula (V-3) in addition to the repeating unit represented by the formula (V-1) and / or the formula (V-2). Is preferred.
  • Ar c to Ar j each independently represents an aromatic ring group which may have a substituent.
  • V and w each independently represent 0 or 1.
  • Ar c to Ar j are the same as Ar a and Ar b in the formula (II).
  • a hole transport layer forming composition is prepared in the same manner as the formation of the hole injection layer 3 and then dried after wet film formation.
  • the composition for forming a hole transport layer contains a solvent in addition to the hole transport material described above.
  • the solvent used is the same as that used for the hole injection layer forming composition.
  • the film forming conditions, the drying conditions, and the like are the same as in the case of forming the hole injection layer 3.
  • the film forming conditions and the like are the same as in the case of forming the hole injection layer 3.
  • the hole transport layer 4 may contain various light emitting materials, electron transport materials, binder resins, coatability improvers, and the like in addition to the hole transport material.
  • the hole transport layer 4 may also be a layer formed by crosslinking a crosslinkable compound.
  • the crosslinkable compound is a compound having a crosslinkable group, and forms a network polymer compound by crosslinking.
  • crosslinkable group examples include oxetane having a monovalent free valence, cyclic ether such as epoxy; unsaturated double bond such as vinyl group, trifluorovinyl group, styryl group, acrylic group, methacryloyl, cinnamoyl Derived group; benzocyclobutene having a monovalent free valence, and the like.
  • the crosslinkable compound may be a monomer, an oligomer, or a polymer.
  • the crosslinkable compound may have only 1 type, and may have 2 or more types by arbitrary combinations and ratios.
  • a hole transport material having a crosslinkable group is preferably used as the crosslinkable compound.
  • the hole transport material include those exemplified above.
  • the crosslinkable group is bonded to the main chain or the side chain with respect to these hole transport materials. And the like.
  • the crosslinkable group is preferably bonded to the main chain via a linking group such as an alkylene group.
  • the hole transport material is preferably a polymer containing a repeating unit having a crosslinkable group.
  • the hole transport material is a polymer having a repeating unit in which a crosslinkable group is bonded to the above formula (II) or formula (V-1) to (V-3) directly or via a linking group. Is preferred.
  • a hole transport material having a crosslinkable group is preferably used.
  • hole transporting materials include nitrogen-containing aromatic compound derivatives such as pyridine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, phenanthroline derivatives, carbazole derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives; triphenylamine derivatives; Silole derivatives; oligothiophene derivatives, condensed polycyclic aromatic derivatives, metal complexes and the like.
  • nitrogen-containing aromatic derivatives such as pyridine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, phenanthroline derivatives, carbazole derivatives; triphenylamine derivatives, silole derivatives, condensed polycycles Aromatic derivatives, metal complexes and the like are preferable, and triphenylamine derivatives are particularly preferable.
  • a composition for forming a hole transport layer in which a crosslinkable compound is dissolved or dispersed in a solvent is usually prepared and deposited by wet film formation. To crosslink.
  • the composition for forming a hole transport layer may contain an additive for promoting a crosslinking reaction in addition to the crosslinking compound.
  • additives that promote the crosslinking reaction include polymerization initiators and polymerization accelerators such as alkylphenone compounds, acylphosphine oxide compounds, metallocene compounds, oxime ester compounds, azo compounds, onium salts; condensed polycyclic hydrocarbons, Examples thereof include photosensitizers such as porphyrin compounds and diaryl ketone compounds.
  • the composition for forming a hole transport layer may contain a coating property improving agent such as a leveling agent and an antifoaming agent; an electron accepting compound; a binder resin and the like.
  • the composition for forming a hole transport layer usually contains a crosslinkable compound in an amount of 0.01% by weight or more, preferably 0.05% by weight or more, and more preferably 0.1% by weight or more.
  • the composition for forming a hole transport layer usually contains a crosslinkable compound in an amount of 50% by weight or less, preferably 20% by weight or less, and more preferably 10% by weight or less.
  • the network polymer compound is usually heated and / or light after the hole transport layer forming composition containing the crosslinkable compound at such a concentration is formed on the lower layer (usually the hole injection layer 3). It is formed by crosslinking a crosslinkable compound by irradiation with active energy.
  • Conditions such as temperature and humidity during film formation are the same as those during wet film formation of the hole injection layer.
  • the heating method after film formation is not particularly limited. As heating temperature conditions, it is 120 degreeC or more normally, Preferably it is 400 degrees C or less.
  • the heating time is usually 1 minute or longer, preferably 24 hours or shorter.
  • the heating means is not particularly limited.
  • As the heating means means such as placing the laminated body having the formed layers on a hot plate or heating in a oven is used.
  • As a heating method specifically, for example, conditions such as heating on a hot plate at 120 ° C. or more for 1 minute or more can be used.
  • a method of irradiation of active energy a method of directly using an ultraviolet, visible or infrared light source such as an ultra-high pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, a halogen lamp or an infrared lamp Or the mask aligner which incorporates the above-mentioned light source, the method of irradiating using a conveyor type light irradiation apparatus, etc. are mentioned.
  • active energy irradiation other than light for example, a device that irradiates a microwave generated by a magnetron, a method of irradiating using a so-called microwave oven, and the like can be mentioned.
  • the irradiation time it is preferable to set conditions necessary for reducing the solubility of the film, but irradiation is usually performed for 0.1 seconds or longer, preferably 10 hours or shorter.
  • Heating and irradiation of active energy such as light may be performed individually or in combination for each method and condition.
  • the order of implementation is not particularly limited.
  • the film thickness of the hole transport layer 4 thus formed is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.
  • the light emitting layer 5 is a layer that is excited by recombination of holes injected from the anode 2 and electrons injected from the cathode 9 between electrodes to which an electric field is applied, and becomes a main light emitting source.
  • the light-emitting layer 5 is usually formed on the hole transport layer 4 when the hole transport layer 4 is present, without the hole transport layer 4 and when the hole injection layer 3 is present, In the case where neither the hole transport layer 4 nor the hole injection layer 3 is present, it can be formed on the anode 2.
  • the constituent material and the forming method of the light emitting layer are as described above.
  • a hole blocking layer 6 may be provided between the light emitting layer 5 and an electron injection layer 8 described later.
  • the hole blocking layer 6 is a layer that also plays a role of blocking holes moving from the anode 2 from reaching the cathode 9 in the electron transport layer.
  • the hole blocking layer 6 is a layer laminated on the light emitting layer 5 so as to be in contact with the interface of the light emitting layer 5 on the cathode 9 side.
  • the hole blocking layer is not an essential component layer, but when a hole blocking layer is provided adjacent to the light emitting layer, this hole blocking layer becomes an adjacent electron transport layer. .
  • the hole blocking layer 6 has a role of blocking holes moving from the anode 2 from reaching the cathode 9 and a role of efficiently transporting electrons injected from the cathode 9 toward the light emitting layer 5.
  • the physical properties required for the material constituting the hole blocking layer 6 include high electron mobility, low hole mobility, large energy gap (difference between HOMO and LUMO), excited triplet energy level (T1). ) Is high.
  • Examples of the material of the hole blocking layer 6 satisfying such conditions include bis (2-methyl-8-quinolinolato) (phenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (triphenylsilanolato) aluminum.
  • Mixed ligand complexes such as, metal complexes such as bis (2-methyl-8-quinolato) aluminum- ⁇ -oxo-bis- (2-methyl-8-quinolinato) aluminum binuclear metal complexes, distyrylbiphenyl derivatives, etc.
  • Styryl compounds Japanese Unexamined Patent Publication No. 11-242996
  • triazole derivatives such as 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5 (4-tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole
  • phenanthroline derivatives such as bathocuproine (JP-A-10-79297, Japan) Publication), and the like.
  • a compound having at least one pyridine ring substituted at the 2,4,6-position described in International Publication No. 2005/022962 is also preferable as the material of the hole blocking layer 6.
  • the material of the hole-blocking layer 6 may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.
  • the hole blocking layer 6 can be formed by a wet film formation method, a vapor deposition method, or other methods.
  • the film thickness of the hole blocking layer 6 is arbitrary as long as the effects of the present invention are not significantly impaired.
  • the thickness of the hole blocking layer 6 is usually 0.3 nm or more, preferably 0.5 nm or more, and usually 100 nm or less, preferably 50 nm or less.
  • the electron transport layer 7 is a layer provided between the light emitting layer 5 and a cathode 9 described later.
  • the layer closest to the cathode is the cathode side electron transport layer.
  • the layer adjacent to the light emitting layer is the adjacent electron transport layer.
  • the constituent material, the formation method, and the like of the electron transport layer 7 are as described in the above-described cathode side electron transport layer.
  • An electron injection layer 8 may be provided between the electron transport layer 7 and a cathode 9 described later.
  • the electron injection layer 8 is a layer that injects electrons from the cathode 9 into the electron transport layer 7 (helps transfer of electrons).
  • the electron injection layer 8 is made of an insulator such as an inorganic salt (no electron transporting property).
  • Examples of the electron injection layer 8 include lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), lithium oxide (Li 2 O), cesium carbonate (II) (CsCO 3 ), and the like (Applied Physics Letters, 1997). , Vol. 70, pp. 152; Japanese Laid-Open Patent Publication No. 10-74586; IEEE Transactions on Electron Devices, 1997, Vol. 44, pp. 1245, SID 04 Digest, pp. 154, etc.).
  • the electron injection layer 8 is an inorganic insulator, it is preferably used as an ultrathin film for efficient electron injection, and the film thickness is usually 0.1 nm or more, preferably 5 nm or less.
  • the cathode 9 is an electrode that plays a role of injecting electrons into a layer (such as the electron injection layer 8 or the light emitting layer 5) on the light emitting layer 5 side.
  • the cathode 9 plays a role of establishing conduction with a circuit that supplies electricity from the power source to the organic electroluminescence device.
  • the constituent material and forming method of the cathode 9 are as described in the description of the cathode.
  • the organic electroluminescent element according to the present invention may have another configuration without departing from the gist thereof.
  • an arbitrary layer may be provided between the anode 2 and the cathode 9 in addition to the layer described above as long as the performance is not impaired. May be omitted.
  • the electron transport layer provided adjacent to the light emitting layer between the light emitting layer and the cathode becomes the adjacent electron transport layer, and provided adjacent to the cathode between the cathode and the light emitting layer.
  • the resulting electron transport layer is the cathode side electron transport layer.
  • Examples of the layer that may be included in addition to the layers described above include an electron blocking layer.
  • the electron blocking layer When the electron blocking layer is provided, it is usually provided between the hole injection layer 3 or the hole transport layer 4 and the light emitting layer 5.
  • the electron blocking layer prevents the electrons moving from the light emitting layer 5 from reaching the hole injection layer 3, thereby increasing the recombination probability of holes and electrons in the light emitting layer 5, and the generated excitation.
  • a phosphorescent material or a blue light emitting material is used as the light emitting material, it is effective to provide an electron blocking layer.
  • the properties required for the electron blocking layer include high hole transportability, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and a high excited triplet energy level (T1). Furthermore, in the present invention, when the light emitting layer 5 is formed as an organic layer according to the present invention by a wet film formation method, the electron blocking layer is also required to be compatible with the wet film formation. Examples of the material used for such an electron blocking layer include a copolymer of dioctylfluorene and triphenylamine typified by F8-TFB (International Publication No. 2004/084260).
  • the material of an electron blocking layer may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and ratios.
  • the electron blocking layer can be formed by a wet film formation method, a vapor deposition method, or other methods.
  • the other components on the substrate 1 are the cathode 9, the electron injection layer 8, the cathode side electron transport layer 7, the hole blocking layer 6 (adjacent electron transport layer), and the light emitting layer 5.
  • Hole transport layer 4, hole injection layer 3, and anode 2 may be provided in this order.
  • the organic electroluminescence device according to the present invention can be configured by laminating components other than the substrate between two substrates, at least one of which is transparent.
  • a structure in which a plurality of components (light emitting units) other than the substrate are stacked in a plurality of layers may be employed.
  • a structure in which a plurality of light emitting units are stacked instead of the interface layer between the steps (between the light emitting units) (in the case where the anode is ITO and the cathode is Al, these two layers), for example, a charge made of vanadium pentoxide (V 2 O 5 ) or the like.
  • a generation layer Carrier Generation Layer: CGL
  • a barrier between steps is reduced, which is more preferable from the viewpoint of light emission efficiency and driving voltage.
  • the organic electroluminescent device according to the present invention may be configured as a single organic electroluminescent device, or may be applied to a configuration in which a plurality of organic electroluminescent devices are arranged in an array. You may apply to the structure by which the cathode is arrange
  • each layer described above may contain components other than those described as materials as long as the effects of the present invention are not significantly impaired.
  • the organic electroluminescent device of the present invention is an organic electroluminescent device having two or more types of organic electroluminescent elements that emit light of mutually different colors on a substrate, and at least one of the organic electroluminescent elements is organic.
  • the charge transport material of the light-emitting layer and the charge transport material of the adjacent electron transport layer satisfy the above formula (1), preferably the formula (3), and the work function of the cathode material and the cathode-side electron transport layer
  • the charge transporting material is an organic electroluminescent element satisfying the above-mentioned formula (2).
  • all the organic electroluminescent elements are the organic electroluminescent elements of the present invention, and among the organic electroluminescent elements, adjacent electron transport layers possessed by at least two types of organic electroluminescent elements.
  • adjacent electron transport layers possessed by at least two types of organic electroluminescent elements.
  • the adjacent electron transport layer is formed by vapor deposition, it is not necessary to provide a mask for forming the adjacent electron transport layer in accordance with each organic electroluminescent element. This leads to a significant cost reduction.
  • Organic EL display device uses the above-described organic electroluminescent element of the present invention.
  • organic electroluminescent display apparatus of this invention It can assemble in accordance with a conventional method using the organic electroluminescent element of this invention.
  • the organic EL display device of the present invention can be obtained by the method described in “Organic EL display” (Ohm, published on Aug. 20, 2004, Shizushi Tokito, Chiba Adachi, Hideyuki Murata). Can be formed.
  • Organic EL lighting uses the above-described organic electroluminescent element of the present invention.
  • the materials used for device fabrication were synthesized as follows. P1 and H1 were synthesized based on the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-287000.
  • EH-3 and eH-7 synthesized based on the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-188493.
  • HH-1 synthesized based on the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-26237.
  • D-1 synthesized based on the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-202644.
  • D-2 synthesized according to the method described in Japanese Patent Application No. 2010-225230.
  • EH-11 was synthesized based on the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-268199.
  • EH-4 synthesized based on the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-235708.
  • eH-8 can be synthesized as in the following reaction scheme. Then, eH-1, eH-2, eH-5, and eH-6 can be obtained by the same method.
  • HH-2 can be synthesized as in the following reaction scheme. And hH-3 can also be obtained by the same method.
  • HB-1 can be synthesized as in the following reaction scheme.
  • HB-2 can be synthesized as in the following reaction scheme.
  • HB-4 can be synthesized as in the following reaction scheme.
  • EH-9 can be synthesized as shown in the following reaction scheme. And eH-10 and eH-11 can also be obtained by the same method.
  • HB-3 can be synthesized as in the following reaction scheme.
  • D-3 can be synthesized as in the following reaction scheme.
  • the electron affinity (EA) is measured for the charge transport materials used in the light-emitting layer, the hole blocking layer as the adjacent electron transport layer, and the electron transport layer as the cathode side electron transport layer by the following method. Was measured.
  • a film of a charge transport material having a thickness of 50 nm was obtained by forming a film on the cleaned substrate by the spin coating method under the following conditions.
  • the cleaned substrate is carried into a vacuum deposition apparatus and after rough evacuation, the degree of vacuum in the apparatus is 3.0 ⁇ 10.
  • the substrate was evacuated with a cryopump until ⁇ 4 Pa or less, and a charge transport material was laminated on the substrate by vacuum deposition to obtain a thin film of the charge transport material.
  • the degree of vacuum during the deposition was maintained at 2.2 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa or less, the deposition rate was controlled in the range of 0.6 to 1.2 liters / second, and a film with a thickness of 50 nm was formed on the substrate.
  • the ionization potential IP was measured using “PCR-101” manufactured by Optel, in a state of being evacuated to 10 Torr or less.
  • a transmitted light spectrum that is, a thin film absorption spectrum is measured using a spectrofluorometer “F-4500” manufactured by Hitachi, and the absorption spectrum is measured at the rising portion on the short wavelength side.
  • the charge transport material having the largest electron affinity is the electron transport material (e-host), and the smallest electron
  • the charge transport material having affinity was designated as a hole transport material (h-host).
  • e-host electron transport material
  • h-host hole transport material
  • hH-1 to hH-3, eH-1, eH-2 and eH-4 to eH were applied with an electric field strength of 160 kV / cm so that the ITO electrode was the anode and the counter electrode was the cathode.
  • -8 is “Brio (Nd: YAG pulse laser)” (excitation wavelength 355 nm, pulse width 4 ns) manufactured by Nippon Laser Co., Ltd.
  • eH-3 is “VSL-337ND-S (nitrogen laser)” manufactured by SpectraPhysics (Excitation wavelength: 337 nm, pulse width ⁇ 4 ns) as light sources, ND filter adjusts the amount of light per pulse to 20 ⁇ J, irradiates from the ITO electrode side, and the current value flowing at that time is an oscilloscope (made by Tektronix)
  • the amount of charge Q (h) of the holes was calculated by measuring using “TDS2022”). Further, the charge amount Q (e) of electrons was calculated by performing the same operation with the ITO electrode serving as a cathode and the counter electrode serving as an anode. From this ratio, the charge detection amount ratio “Q (e) / Q (h)” was obtained. The results were as shown in Table 2 below.
  • Example 1 The organic electroluminescent element shown in FIG. 1 was produced. First, an ITO transparent conductive film is deposited on a glass substrate 1 to a thickness of 70 nm and patterned into a stripe having a width of 2 mm to form an ITO anode 2 (manufactured by Sanyo Vacuum Co., Ltd., sputtered film). After cleaning in the order of ultrasonic cleaning with a surfactant aqueous solution, water cleaning with ultrapure water, ultrasonic cleaning with ultrapure water, and water cleaning with ultrapure water, they were dried with compressed air and subjected to ultraviolet ozone cleaning.
  • a hole transporting polymer compound having a repeating structure represented by the following (P1) and 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis represented by the following (A1) An ethyl benzoate solution (a composition for forming a hole injection layer) containing 0.8% by weight of pentafluorophenyl) borate was prepared.
  • This hole injection layer forming composition was formed on the ITO substrate by the spin coating method under the film formation conditions shown below, and further baked under the baking conditions shown below to form a hole with a thickness of 30 nm. An injection layer 3 was obtained.
  • a 1 wt% cyclohexylbenzene solution (a composition for forming a hole transport layer) of a hole transporting polymer compound represented by the following (H1) is prepared, and this is subjected to hole injection under the following film formation conditions.
  • the following light emitting materials (D-1) and (D-2), an electron transport material (eH-1) (charge transport material responsible for electron transport), and hole transport Using the material (hH-1), a light emitting layer forming composition having the following composition was prepared.
  • composition composition for light emitting layer formation Solvent cyclohexylbenzene Component concentration (D-1): 0.25% by weight (D-2): 0.35% by weight (EH-1): 1.25% by weight (HH-1): 3.75% by weight
  • a film is formed on the hole transport layer 4 by a spin coating method under the conditions shown below, and a baking process is performed under the following baking conditions, whereby light emission with a film thickness of 60 nm is achieved.
  • Layer 5 was formed.
  • the substrate on which the hole injection layer 3, the hole transport layer 4 and the light emitting layer 5 are wet-formed is carried into a vacuum vapor deposition apparatus, and after rough evacuation, the degree of vacuum in the apparatus is measured using a cryopump. Was exhausted until the pressure became 3.0 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa or less.
  • the compound represented by the structural formula (eH-1) is deposited at a deposition rate of 0.6 to 1.2 liters / second while keeping the degree of vacuum at 2.2 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa or less.
  • the hole blocking layer 6 (adjacent electron transport layer) was formed by laminating 10 nm in thickness.
  • tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum Alq 3
  • the electron transport layer 7 (cathode side electron transport layer) was formed by laminating 20 nm in thickness at 0.7 to 1.3 ⁇ / sec.
  • the element which performed vapor deposition to the electron carrying layer 7 was conveyed from the chamber for organic layer vapor deposition to the chamber for metal vapor deposition.
  • a 2 mm wide stripe-shaped shadow mask was placed in close contact with the element so as to be orthogonal to the ITO stripe of the anode 2 as a mask for cathode vapor deposition.
  • the apparatus was evacuated until the degree of vacuum was 1.1 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa or less in the same manner as in the organic layer deposition.
  • lithium fluoride LiF
  • the electron injection layer 8 was formed by laminating 0.5 nm thickness at a rate of ⁇ 0.15 ⁇ / sec.
  • aluminum is heated using a molybdenum boat to form a film at a deposition rate of 0.6 to 10.0 mm / sec.
  • a cathode 9 was formed by vapor deposition with a thickness of 80 nm. The substrate temperature during the deposition of the electron injection layer 8 and the cathode 9 was kept at room temperature.
  • the WF of aluminum is 4.28 eV (see J. Appl. Phys., 48.4729 (1977)).
  • a sealing process was performed by the method described below.
  • a photocurable resin 30Y-437 manufactured by Three Bond
  • a moisture getter sheet manufactured by Dynic
  • coated was irradiated with ultraviolet light, and resin was hardened.
  • an organic electroluminescent element having a light emitting area portion having a size of 2 mm ⁇ 2 mm was obtained.
  • the current-voltage-luminance (IVL) characteristics of the obtained element are measured, and the driving voltage (V1k, unit: V), luminance efficiency (L / J1k, unit: cd / A) at 1000 cd / m 2 , light emission Efficiency ( ⁇ 1k, unit: lm / w) was calculated.
  • a constant current driving test was performed, and a 70% luminance reduction lifetime ( ⁇ 70) at an initial luminance of 1000 cd / m 2 was obtained using the time when the luminance was attenuated to 70%.
  • the measured values are summarized in Tables 3 and 4 together with the values of
  • Example 2 In the light emitting layer, an organic electric field was obtained in the same manner as in Example 1 except that instead of the electron transport material (eH-1) used in Example 1, the following electron transport material (eH-2) was used.
  • eH-1 the electron transport material used in Example 1
  • eH-2 the following electron transport material
  • Example 3 In the hole blocking layer, the same method as in Example 1 was used except that the electron transport material (eH-5) shown below was used instead of (eH-1) which was the electron transport material used in Example 1.
  • Organic electroluminescent devices were fabricated and evaluated in the same manner, and the results are shown in Tables 3 and 4 together with the values of
  • the electron transport material (eH-6) is used instead of the electron transport material (eH-1) used in Example 1, and the hole transport material (hH-1) is used instead.
  • the electron transport material (HB-3) shown below was used instead of the electron transport material (eH-1) used in the hole blocking layer using the hole transport material (hH-3) described above. Except for the above, an organic electroluminescent element was produced in the same manner as in Example 1, and evaluated in the same manner. The results were shown together with the values of
  • of the electron affinity of the charge transport material responsible for electron transport among the charge transport materials of the light emitting layer and the electron affinity contained in the hole blocking layer corresponding to the adjacent electron transport layer Of the charge transport material having the largest absolute value of the electron affinity of the charge transport material satisfying the formula (1) and the electron transport layer having the largest absolute value of the electron affinity contained in the cathode side electron transport layer.
  • of the work function of the cathode satisfies the formula (2), the light emission characteristics are not greatly reduced, and the life characteristics are improved. Obtained.
  • Example 4 In the light emitting layer, only the light emitting material (D-1) and (D-2) used in Example 1 were replaced with (D-1), and the electron transporting material (eH-1) was replaced with the above electron transporting material ( eH-5) and (hH-2) shown below in place of the hole transport material (hH-1), and the above-mentioned electrons instead of the electron transport material (eH-1) in the hole blocking layer
  • An organic electroluminescent device was prepared in the same manner as in Example 1 except that the transport material (eH-5) was used, and evaluated in the same manner.
  • The results are summarized in Tables 3 and 4 along with the value of EA3
  • Example 5 An organic electroluminescent device was produced in the same manner as in Example 4 except that the above electron transport material (eH-6) was used in place of the electron transport material (eH-5) used in Example 4 in the light emitting layer. Were prepared and evaluated in the same manner, and the results are shown in Tables 3 and 4 together with the values of
  • Example 6 An organic electroluminescent device was produced in the same manner as in Example 4 except that the above electron transport material (eH-2) was used in place of the electron transport material (eH-5) used in Example 4 in the light emitting layer. Were prepared and evaluated in the same manner, and the results are shown in Tables 3 and 4 together with the values of
  • of the electron affinity of the charge transport material responsible for electron transport among the charge transport materials of the light emitting layer and the electron affinity contained in the hole blocking layer corresponding to the adjacent electron transport layer Of the charge transport material having the largest absolute value of the electron affinity of the charge transport material satisfying the formula (1) and the electron transport layer having the largest absolute value of the electron affinity contained in the cathode side electron transport layer.
  • of the work function of the cathode satisfies the formula (2), a clear decrease in driving voltage and improvement in luminance efficiency are seen, and the life characteristics are Improved results were obtained.
  • Example 8 Organic electroluminescence was produced in the same manner as in Example 7 except that the following electron transporting material (eH-10) was used in place of the electron transporting material (eH-9) used in Example 7 in the light emitting layer.
  • the device was fabricated and evaluated in the same manner, and the results are shown in Tables 3 and 4 together with the values of
  • Example 9 An organic electroluminescent device was produced in the same manner as in Example 7 except that the above charge transport material (eH-1) was used in place of the charge transport material (eH-9) used in Example 7 in the hole blocking layer. Were prepared and evaluated in the same manner, and the results are shown in Tables 3 and 4 together with the values of
  • Example 12 Organic electroluminescence in the same manner as in Example 7 except that the charge transport material (HB-4) shown below was used instead of the charge transport material (eH-9) used in Example 7 in the hole blocking layer.
  • the device was fabricated and evaluated in the same manner, and the results are shown in Tables 3 and 4 together with the values of
  • Example 13 An organic electroluminescent device was produced in the same manner as in Example 7 except that the above charge transport material (eH-6) was used instead of the charge transport material (eH-9) used in Example 7 in the hole blocking layer. Were prepared and evaluated in the same manner, and the results are shown in Tables 3 and 4 together with the values of
  • of the electron affinity of the charge transport material responsible for electron transport among the charge transport materials of the light emitting layer and the electron affinity contained in the hole blocking layer corresponding to the adjacent electron transport layer Of the charge transport material having the largest absolute value of the electron affinity of the charge transport material satisfying the formula (1) and the electron transport layer having the largest absolute value of the electron affinity contained in the cathode side electron transport layer.
  • of the work function of the cathode satisfies the formula (2), the lifetime characteristics are maintained and the lifetime characteristics are improved.
  • the electron transport material (eH-5) is used instead of the electron transport material (eH-1) used in Example 1, and the hole transport material (hH-1) is replaced with the hole transport material (hH-1).
  • the transport material (hH-3) instead of the electron transport material (eH-1) in the hole blocking layer, instead of the Alq 3 in the electron transport layer, using the electron transport material (eH-3).
  • An organic electroluminescent device was prepared in the same manner as in Example 1 except that the electron transport material (eH-3) was used, and evaluated in the same manner.
  • WF The results are summarized in Tables 3 and 4 along with the value of
  • the hole transport material (hH-3) is used instead of the hole transport material (hH-2) used in Example 4, and the hole blocking material (eH-5) is used instead of the hole transport material (hH-2).
  • An organic electric field was obtained in the same manner as in Example 4 except that the electron transport material (eH-3) was used instead of the electron transport material Alq 3 in the electron transport layer.
  • a light emitting device was fabricated and evaluated in the same manner, and the results are shown in Tables 3 and 4 together with the values of
  • the hole transport material (hH-3) is used instead of the hole transport material (hH-1) used in Example 1, and the electron transport material (eH-1) is used instead of the electron transport material (eH-1).
  • a light emitting layer is formed using the transport material (eH-5), and a hole blocking layer is formed using the electron transport material (eH-3) instead of the electron transport material (eH-1).
  • An organic electroluminescent device was prepared in the same manner as in Example 1, evaluated in the same manner, and the results together with the values of
  • of the electron affinity of the charge transport material responsible for electron transport among the charge transport materials of the light emitting layer and the electron affinity contained in the hole blocking layer corresponding to the adjacent electron transport layer Of the charge transport material having the largest absolute value of the electron affinity of the charge transport material satisfying the formula (1) and the electron transport layer having the largest absolute value of the electron affinity contained in the cathode side electron transport layer.
  • of the work function of the cathode satisfies the formula (2), the lifetime characteristics are maintained and the lifetime characteristics are improved.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

　本発明は長寿命で高効率な有機電界発光素子及びこれを有する有機電界発光デバイスを提供することを目的とする。本発明は、陽極、発光層、２層以上の電子輸送層及び陰極をこの順に有する有機電界発光素子に関する。該２層以上の電子輸送層の少なくとも１層は該発光層に隣接しており、該発光層が発光材料及び電荷輸送材料を含有し、該発光層に隣接している電子輸送層が電荷輸送材料を含有し、該発光層に含有される電荷輸送材料と該発光層に隣接している電子輸送層に含有される電荷輸送材料は、互いに同一の材料であっても異なる材料であってもよい。該発光層に含有される電荷輸送材料のうち、電子輸送を担う電荷輸送材料の電子親和力をＥＡ１、該発光層に隣接している電子輸送層に含有される電荷輸送材料のうち、電子親和力の絶対値が最も大きい電荷輸送材料の、電子親和力をＥＡ２としたときに、ＥＡ１とＥＡ２が下記式（１）で表される関係を満たす。また、該２層以上の電子輸送層のうち、最も陰極側の電子輸送層に含有される電荷輸送材料のうち、電子親和力の絶対値が最も大きい電荷輸送材料の電子親和力をＥＡ３、該陰極の仕事関数をＷＦとしたときに、ＥＡ３とＷＦが下記式（２）で表される関係を満たす。　式（１）：０．００ｅＶ≦｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜≦０．２０ｅＶ　式（２）：－１．６０ｅＶ≦｜ＷＦ｜　－｜ＥＡ３｜≦１．６０ｅＶ

Description

有機電界発光素子、有機電界発光デバイス、有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ照明
　本発明は、有機電界発光素子と、該素子を含む有機電界発光デバイス、有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ照明に関する。
　有機電界発光素子は、ディスプレイや照明等の用途に応用すべく、盛んに開発が行われている。有機電界発光素子は、通常、少なくとも一対の電極とこれに挟まれた有機発光層によって構成されている。有機電界発光素子は、通常、両電極間への電界の印加により、陰極から電子が、陽極から正孔が、各々発光層に注入され、この電子と正孔が再結合して生成する励起子により発光する。
　しかしながら、発光層への電荷注入には、大きなエネルギーが必要であるため、有機電界発光素子を高輝度に発光させるためには、高電圧が必要である上に、素子の寿命が短い。
　そこで、特許文献１では、発光層と電極との間に複数の電子輸送層を設け、各層の電子親和力について、「発光層の電子親和力＜発光層に隣接する電子輸送層の電子親和力＜発光層から２番目に隣接する電子輸送層の電子親和力＜・・・発光層からｎ番目に隣接する電子輸送層の電子親和力」とすることにより、電荷注入を促進し、駆動耐久性を改善する技術が開示されている。
日本国特開２００６－１７３５８８号公報
　しかしながら、特許文献１に開示された技術では、未だ十分な性能を有する有機電界発光素子を得るには至っておらず、更に長寿命で高効率な有機電界発光素子の開発が望まれている。本発明は、長寿命で高発光効率な有機電界発光素子、並びこれを有する有機電界発光デバイス、有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ照明を提供することを課題とする。
　本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を行った。この結果、従来考えられてきた「発光層の電子親和力の絶対値＜発光層に隣接する電子輸送層の電子親和力の絶対値」とするよりも、意外なことに、「発光層の電子親和力の絶対値≧発光層に隣接する電子輸送層の電子親和力の絶対値」とし、且つ「陰極の仕事関数の絶対値≧最も陰極側の電子輸送層の電子親和力の絶対値」とする方が、有機電界発光素子が長寿命で高発光効率になることを見出し、本発明を完成した。
　即ち、本発明の第１の要旨は、陽極、発光層、２層以上の電子輸送層及び陰極をこの順に有する有機電界発光素子であって、該２層以上の電子輸送層の少なくとも１層は該発光層に隣接しており、該発光層が発光材料及び電荷輸送材料を含有し、該発光層に隣接している電子輸送層が電荷輸送材料を含有し、該発光層に含有される電荷輸送材料と該発光層に隣接している電子輸送層に含有される電荷輸送材料は、互いに同一の材料であっても異なる材料であってもよく、該発光層に含有される電荷輸送材料のうち、電子輸送を担う電荷輸送材料の電子親和力をＥＡ１、該発光層に隣接している電子輸送層に含有される電荷輸送材料のうち、電子親和力の絶対値が最も大きい電荷輸送材料の、電子親和力をＥＡ２としたときに、ＥＡ１とＥＡ２が下記式（１）で表される関係を満たし、該２層以上の電子輸送層のうち、最も陰極側の電子輸送層に含有される電荷輸送材料のうち、電子親和力の絶対値が最も大きい電荷輸送材料の電子親和力をＥＡ３、該陰極の仕事関数をＷＦとしたときに、ＥＡ３とＷＦが下記式（２）で表される関係を満たすことを特徴とする、有機電界発光素子に存する。
　式（１）：０．００ｅＶ≦｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜≦０．２０ｅＶ
　式（２）：－１．６０ｅＶ≦｜ＷＦ｜　－｜ＥＡ３｜≦１．６０ｅＶ
　本発明の第２の要旨は、第１の要旨において、前記ＥＡ１と前記ＥＡ２が下記式（３）で表される関係を満たすことを特徴とする、有機電界発光素子に存する。
　式（３）：０．００ｅＶ＜｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜≦０．２０ｅＶ
　本発明の第３の要旨は、第１又は２の要旨において、前記ＥＡ３と前記ＷＦが下記式（４）で表される関係を満たすことを特徴とする、有機電界発光素子に存する。
　式（４）：０．００ｅＶ≦｜ＷＦ｜　－｜ＥＡ３｜≦１．６０ｅＶ
　本発明の第４の要旨は、第１乃至３の何れか１つの要旨において、前記発光層に隣接している電子輸送層が、前記発光層に含有されている電荷輸送材料とは異なる電荷輸送材料を含有していることを特徴とする、有機電界発光素子に存する。
　本発明の第５の要旨は、第１乃至４の何れか１つの要旨において、前記発光層が湿式成膜法により作製された層であることを特徴とする、有機電界発光素子に存する。
　本発明の第６の要旨は、基板上に、互いに異なる色に発光する２種類以上の有機電界発光素子を有する有機電界発光デバイスであって、該有機電界発光素子のうち、少なくとも１種類の有機電界発光素子が第１乃至５の何れか１つの要旨に記載の有機電界発光素子であることを特徴とする、有機電界発光デバイスに存する。
　本発明の第７の要旨は、第６の要旨において、前記有機電界発光素子の全ての有機電界発光素子が第１乃至５の何れか１つの要旨に記載の有機電界発光素子であることを特徴とする、有機電界発光デバイスに存する。
　本発明の第８の要旨は、第６又は７の要旨において、前記有機電界発光素子のうち、少なくとも２種類の有機電界発光素子が有する前記発光層に隣接している電子輸送層が同一であることを特徴とする、有機電界発光デバイスに存する。
　本発明の第９の要旨は、第１乃至５の何れか１つの要旨に記載の有機電界発光素子を含むことを特徴とする、有機ＥＬ表示装置に存する。
　本発明の第１０の要旨は、第１乃至５の何れか１つの要旨に記載の有機電界発光素子を含むことを特徴とする、有機ＥＬ照明に存する。
　本発明によれば、長寿命で高発光効率な有機電界発光素子が提供される。
　本発明の有機電界発光素子は、電流効率が高く、駆動寿命が長いため、フラットパネル・ディスプレイ（例えばＯＡ（Ｏｆｆｉｃｅ　Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ）コンピュータ用や壁掛けテレビ）や面発光体としての特徴を生かした光源（例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源）、表示板、標識灯への応用が考えられ、その技術的価値は高いものである。
本発明の有機電界発光素子の構造の一例を模式的に示す断面図である。
　以下に、本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の説明に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々変更して実施することができる。
〔有機電界発光素子〕
　本発明の有機電界発光素子は、少なくとも陽極、発光層、２層以上の電子輸送層及び陰極をこの順に有する有機電界発光素子であって、該電子輸送層の少なくとも１層は該発光層に隣接しており、該発光層が発光材料及び電荷輸送材料を含有し、該発光層に隣接している電子輸送層が電荷輸送材料を含有し、該発光層に含有される電荷輸送材料と該発光層に隣接している電子輸送層に含有される電荷輸送材料は、互いに同一の材料であっても異なる材料であってもよく、該発光層に含有される電荷輸送材料のうち、電子輸送を担う電荷輸送材料の電子親和力をＥＡ１、該発光層に隣接している電子輸送層に含有される電荷輸送材料のうち、電子親和力の絶対値が最も大きい電荷輸送材料の、電子親和力をＥＡ２としたときに、ＥＡ１とＥＡ２が下記式（１）で表わされる関係を満たし、該電子輸送層のうち、最も陰極側の電子輸送層に含有される電荷輸送材料のうち、電子親和力の絶対値が最も大きい電荷輸送材料の電子親和力をＥＡ３、該陰極の仕事関数をＷＦとしたときに、ＥＡ３とＷＦが下記式（２）で表わされる関係を満たすことを特徴とする。
　式（１）：　０．００ｅＶ≦｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜≦０．２０ｅＶ
　式（２）：－１．６０ｅＶ≦｜ＷＦ｜　－｜ＥＡ３｜≦１．６０ｅＶ
　なお、以下において、電子親和力を「ＥＡ」と略記する場合がある。
　本発明の有機電界発光素子は、２層以上の電子輸送層を有する。電子輸送層とは、電子輸送性を有する誘電体の層のことを言う。電子輸送層は、電界を与えられた電極間において陰極から注入された電子を効率よく発光層の方向に輸送することができる化合物より形成される。そして、該電子輸送層のうち、該発光層に隣接している電子輸送層を単に「隣接電子輸送層」、最も陰極側の電子輸送層を単に「陰極側電子輸送層」と各々称す場合がある。
　なお、電子注入層は、陰極から電子輸送層への電子注入性を有する非導電体の層のことを言い、本発明に係る電子輸送層とは異なる層のことを言う。また、陰極は、陽極の対極となる電極のことを言う。
［電子輸送を担う電荷輸送材料］
　「電子輸送を担う電荷輸送材料」とは、発光層に２種以上の電荷輸送材料が含まれる場合、電荷輸送材料の単層膜のＴｉｍｅ　ｏｆ　Ｆｌｉｇｈｔ（ＴｏＦ）法によって測定される電荷移動度において観測される、電子移動度測定時の電荷検出量Ｑ（ｅ）の、正孔移動度測定時の電荷検出量Ｑ（ｈ）に対する比「Ｑ（ｅ）／Ｑ（ｈ）」が最も大きい材料のことを言う。
＜電荷検出量の比「Ｑ（ｅ）／Ｑ（ｈ）」＞
　ＴｏＦ法による電荷移動度測定における電荷検出量の比「Ｑ（ｅ）／Ｑ（ｈ）」は、次の方法により測定することができる。
　半透明電極上に測定対象の電荷輸送材料及び対電極を成膜した後、封止することにより、測定用のサンプルを作製する。電荷輸送材料の成膜方法は、良好なアモルファス膜が得られれば、湿式法でも乾式法でも構わない。成膜する電荷輸送膜材料の膜厚は、電荷移動測定時に電荷分離が起こる場所～対電極までの距離が十分に長く、その距離が電荷輸送性の評価に影響を及ぼさなければよい。具体的には、５００ｎｍ以上が好ましく、１０００ｎｍ以上が更に好ましい。
　次に、半透明電極が陽極、対電極が陰極になる様に、一定の電界強度をかける。電界強度は、膜内部を移動する電荷の自然拡散の影響が小さい点では大きいことが好ましいが、また、一方で、電荷を対電極まで引っ張る効果が強過ぎず、電荷の損失などを正確に評価しやすい点では小さいことが好ましい。具体的には、電界強度は、９０ｋＶ／ｃｍ以上であることが好ましく、１２０ｋＶ／ｃｍ以上であることが更に好ましく、また、一方、３６０ｋＶ／ｃｍ以下であることが好ましく、３１０ｋＶ／ｃｍ以下であることが更に好ましい。　
　この状態で、測定用サンプルに、半透明電極側から単色光パルスレーザーを照射する。レーザー光照射時の電界強度、レーザー光の励起波長、パルス幅及び１パルス当たりの光量は、電荷検出量の比を測定する対象のサンプルについて、正孔の電荷量Ｑ（ｈ）と電子の電荷量Ｑ（ｅ）の測定時で同一条件とする。１パルス当たりの光量は、過剰量の電荷が発生する影響により電荷輸送性が高く見積もられてしまう可能性が低い点では少ないことが好ましく、具体的には、３０μＪ以下であることが好ましい。
　電荷輸送材料の膜に光を照射すると、該膜の半透明電極側で電荷分離が起こり、対電極側に正孔が移動する。この電流値を、オシロスコープなどを用いて測定することにより、正孔の電荷量Ｑ（ｈ）を算出する。次に、半透明電極が陰極に、対電極が陽極となる様に、一定の電界強度をかけ、同様の操作を行うことにより、電子の電荷量Ｑ（ｅ）を算出する。そして、この両者の比を求めることにより、電荷検出量の比「Ｑ（ｅ）／Ｑ（ｈ）」を求めることができる。
　正孔の電荷量Ｑ（ｈ）と電子の電荷量Ｑ（ｅ）の測定時で、レーザー光照射時の電界強度、レーザー光の励起波長、パルス幅及び１パルス当たりの光量（励起エネルギー）を同一条件とすることにより、正孔の電荷量Ｑ（ｈ）と電子の電荷量Ｑ（ｅ）の測定時に各々電荷分離で発生する電荷量は一定となる。従って、電荷検出量の比「Ｑ（ｅ）／Ｑ（ｈ）」が正孔と電子のどちらをより流しやすい材料であるかを示す指標となる。即ち、電荷検出量の比「Ｑ（ｅ）／Ｑ（ｈ）」が大きいほど、その材料が電子を流しやすい性質であることを表す。このようにして、本発明に係る発光層に電荷輸送材料が複数種含まれる場合に、電荷輸送材料の単層膜のＴｏＦ法によって測定される電荷移動度において観測される正孔移動度測定時の電荷検出量と電子移動度測定時の電荷検出量の比Ｑ（ｅ）／Ｑ（ｈ）が最も大きい材料を、電子輸送を担う材料と判断することができる。
＜陰極材料の仕事関数＞
　陰極材料の仕事関数は、一般的に、光電子分光法により求めることができる。光電子分光法による測定は、１０－８ｔｏｒｒ後半～１０－１０ｔｏｒｒの超真空下において、紫外線の単色光やＸ線をサンプルに照射し、金属表面から飛び出してくる電子を光電子増倍管などで検出し、サンプルを励起したエネルギーと検出された電子の数の相関を取ることにより求めることができる。特に、単体の材料の仕事関数については、Ｍｉｃｈａｅｉｓｏｎ，　Ｈｒｂｅｒｔ　Ｂ．により１９７７年に報告されている（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，４８．４７２９（１９７７））。具体的に、アルミニウムの場合を例に説明する。１０－９～１０－１０ｔｏｒｒの真空度において、アルミニウムを測定用の台座であるクオーツ上に蒸着することにより清浄なアモルファスのアルミニウム薄膜を作製する。そして、超真空下において、高圧水銀灯を光源とし、モノクロメーターにより単色光を取り出して、サンプル表面に照射する。サンプル表面から飛び出す電子数を算出し、光源のエネルギーとの相関を取ることにより、４．２８ｅＶの値が算出されている。他にも銀、金、ニッケルといった金属の仕事関数については、銀であれば４．２６ｅＶ、金であれば５．１０ｅＶ、ニッケルであれば５．１５ｅＶといった値が各々極一般的な値として知られている。
［作用機構］
　上述のように、本発明の有機電界発光素子は、発光層内の電荷輸送材料のうち電子輸送を担う電荷輸送材料のＥＡの絶対値｜ＥＡ１｜が、隣接電子輸送層内の電荷輸送材料のうち、ＥＡの絶対値が最も大きい電荷輸送材料のＥＡの絶対値｜ＥＡ２｜以上、好ましくは｜ＥＡ１｜が｜ＥＡ２｜より大きいことを特徴とする。この構成とすることによる作用機構については、以下のように推定される。
　発光層内の電荷輸送材料のＥＡ（ＥＡ１）の方が、隣接電子輸送層内の電荷輸送材料ＥＡ（ＥＡ２）に比べて小さい、即ち、｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜＜０ｅＶである従来の素子では、発光層と隣接電子輸送層との界面にはＥＡのギャップに由来する電子の蓄積が起こる。このように蓄積された電子は、発光層と隣接電子輸送層との界面発光層側での正孔の蓄積、界面でのエキシプレックスの発生、などを引き起こす。発生した電荷は、界面近傍での発光材料や電荷輸送材料の劣化を引き起こし、素子寿命の低下を引き起こし、さらに、発光層における励起子の発生の阻害、励起子の消光を引き起こすことが考えられ、界面付近の発光層の発光を効率よく取り出す事が出来なくなる。
　これに対して、本発明の有機電界発光素子では、｜ＥＡ１｜に比べて、｜ＥＡ２｜は一致するか、或いは小さいため、発光層と隣接電子輸送層の間に蓄積する電子が少なく、前述の理由による素子寿命の低下及び発光効率の低下を抑える事ができ、これにより、より一層、長寿命で発光効率あの良い有機電界発光素子を得る事が出来る。
　そして、一方で、｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜が上述の式（１）及び（３）の上限以下である場合、発光層と隣接電子輸送層とのＥＡ差が小さく、電荷の授受がスムーズに行われ、電子の蓄積による劣化が起こり難い。このため、｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜は０．２０ｅＶ以下とする。
　また、本発明の有機電界発光素子は、陰極の仕事関数（ＷＦ）の絶対値と、陰極側電子輸送層内の電荷輸送材料のうち、電子親和力の絶対値が最も大きい電荷輸送材料のＥＡ（ＥＡ３）の絶対値との差が一定値以下であることを特徴とする。この構成とすることによる作用機構については、以下のように推定される。
　即ち、｜ＥＡ１｜と｜ＥＡ２｜が上記式（１）で表わされる関係を満たし且つ｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜が－１．６０ｅＶ以上、１．６０ｅＶ以下である時は、陰極から陰極側電子輸送層への電子の注入障壁が小さくなり、電子の注入が効率良く行われる。しかしながら、上記式（１）又は（２）を満たさない場合には、発光層と隣接電子輸送層との間に蓄積される電子の量も多くなってしまうため、式（１）及び（２）を同時に満たすときに、発光層に効率よく電子が入り、発光層近傍で電子の蓄積が起こり難く、長寿命で発光効率に優れる素子にすることができる。
＜電子親和力＞
　本発明において、電荷輸送材料の電子親和力（ＥＡ）は、単層膜の吸収スペクトルから算出されるバンドギャップ（Ｅｇ）と、後述のイオン化ポテンシャル（ＩＰ）の値から以下の式により算出される値である。
　　ＥＡ＝ＩＰ－Ｅｇ
＜イオン化ポテンシャル（ＩＰ）の測定方法＞
　電荷輸送材料のイオン化ポテンシャル（ＩＰ）は、理研計器株式会社製「ＡＣ－１」、「ＡＣ－３」、オプテル社製「ＰＣＲ－１０１」、「ＰＣＲ－２０１」などの市販のイオン化ポテンシャル測定装置を用いることにより測定できる。
　イオン化ポテンシャル（ＩＰ）測定用のサンプルは、ＩＴＯ基板上に当該電荷輸送材料を湿式又は乾式法で成膜することにより作製できる。湿式成膜法としては、当該電荷輸送材料をキシレンやトルエンなどの有機溶剤に溶かしてスピンコート法で成膜する方法などが挙げられる。また、乾式成膜法としては、真空蒸着法などが挙げられる。
＜バンドギャップ（Ｅｇ）の測定方法＞
　バンドギャップ（Ｅｇ）は、紫外－可視吸光度計を用いた薄膜吸収スペクトルの測定により得られる。具体的には、薄膜吸収スペクトルの短波長側の立ち上がり部分で吸収スペクトルとベースラインの接線を引き、該両接線の交点の波長Ｗ（ｎｍ）から下記式により求められる。
　　Ｅｇ＝１２４０÷Ｗ
　すなわち、例えば、該交点の波長が４７０ｎｍである場合のＥｇは、１２４０÷４７０＝２．６３（ｅＶ）となる。
　このバンドギャップを示すエネルギーの測定は、吸収スペクトルが測定可能な装置で測定すればよく、装置の種類等に特に制限はないが、例えば日立製作所製「Ｆ４５００」等を用いることができる。
　バンドギャップを示すエネルギーの測定用サンプルは、ガラス基板上に当該電荷輸送材料を湿式又は乾式法で成膜することにより作製できる。湿式成膜法としては、当該電荷輸送材料をキシレンやトルエンなどの有機溶剤に溶かしてスピンコート法で成膜する方法などが挙げられる。また、乾式成膜法としては、真空蒸着法などが挙げられる。
［発光層］
　本発明の有機電界発光素子が有する発光層は、少なくとも一つ以上の発光材料（発光の性質を有する材料）と一つ以上の電荷輸送材料を含む。また、発光層は、発光材料をドーパント材料とし、正孔輸送材料や電子輸送材料などの電荷輸送材料をホスト材料として含んでいてもよい。更に、発光層は、本発明の効果を著しく損なわない範囲で、その他の成分を含有していてもよい。なお、湿式成膜法で発光層を形成する場合は、何れも低分子量の材料を使用することが好ましい。
｛発光材料｝
　発光材料としては、通常、有機電界発光素子の発光材料として使用されている任意の公知の材料を適用することができ、特に制限はなく、所望の発光波長で発光し、発光効率が良好である物質を用いればよい。発光材料としては、蛍光発光材料であってもよく、燐光発光材料であってもよいが、内部量子効率の観点から、好ましくは燐光発光材料である。また、例えば、青色は蛍光発光材料、緑色及び赤色は燐光発光材料を用いるなど、蛍光発光材料と燐光発光材料を組み合わせて用いてもよい。
　なお、湿式成膜法により発光層を形成する際に用いられる発光層形成用組成物の調製に用いる溶剤への溶解性を向上させる目的で、発光材料の分子の対称性や剛性を低下させたり、或いはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることが好ましい。
　発光材料は、いずれか１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
＜蛍光発光材料＞
　以下、発光材料のうち蛍光発光材料の例を挙げるが、蛍光発光材料は以下の例示物に限定されるものではない。
　青色発光を与える蛍光発光材料（青色蛍光色素）としては、例えば、ナフタレン、クリセン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、ｐ－ビス（２－フェニルエテニル）ベンゼン、アリールアミン及びそれらの誘導体等が挙げられる。中でも、アントラセン、クリセン、ピレン、アリールアミン及びそれらの誘導体等が好ましい。
　緑色発光を与える蛍光発光材料（緑色蛍光色素）としては、例えば、キナクリドン、クマリン、Ａｌ（Ｃ９Ｈ６ＮＯ）３などのアルミニウム錯体及びそれらの誘導体等が挙げられる。
　黄色発光を与える蛍光発光材料（黄色蛍光色素）としては、例えば、ルブレン、ペリミドン及びそれらの誘導体等が挙げられる。
　赤色発光を与える蛍光発光材料（赤色蛍光色素）としては、例えば、ＤＣＭ（４－（ジシアノメチレン）－２－メチル－６－（ｐ－ジメチルアミノスチレン）－４Ｈ－ピラン）系化合物、ベンゾピラン、ローダミン、ベンゾチオキサンテン、アザベンゾチオキサンテン等のキサンテン及びそれらの誘導体等が挙げられる。
　上記青色蛍光を与える材料であるアリールアミン誘導体としては、より具体的には、下記式（Ｘ）で表される化合物が、素子の発光効率、駆動寿命等の観点から好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
（式中、Ａｒ２１は、核炭素数１０～４０の置換もしくは無置換の縮合芳香環基を示し、Ａｒ２２及びＡｒ２３は、それぞれ独立に炭素数６～４０の置換もしくは無置換の１価の芳香族炭化水素環基を示し、ｐは１～４の整数を示す。）
　なお、本発明における芳香環基は、芳香族炭化水素環基でもよいし、芳香族複素環基でもよい。
　Ａｒ２１としては、具体的には、１個の遊離原子価を有するナフタレン、フェナントレン、フルオランテン、アントラセン、ピレン、ペリレン、コロネン、クリセン、ピセン、ジフェニルアントラセン、フルオレン、トリフェニレン、ルビセン、ベンゾアントラセン、フェニルアントラセン、ビスアントラセン、ジアントラセニルベンゼンまたはジベンゾアントラセンなどが挙げられる。ここで、本発明において、遊離原子価とは、有機化学・生化学命名法（上）（改定第２版、南江堂、１９９２年発行）に記載のとおり、他の遊離原子価と結合を形成できるものを言う。
　以下に、蛍光発光材料としてのアリールアミン誘導体の好ましい具体例を示すが、本発明に係る蛍光発光材料はこれらに限定されるものではない。以下において、「Ｍｅ」はメチル基を、「Ｅｔ」はエチル基を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
＜燐光発光材料＞
　燐光発光材料としては、例えば、長周期型周期表（以下、特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。）第７～１１族から選ばれる金属を中心金属として含むウェルナー型錯体又は有機金属錯体などが挙げられる。
　周期表第７～１１族から選ばれる金属として、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられ、中でもより好ましくはイリジウム又は白金である。
　錯体の配位子としては、（ヘテロ）アリールピリジン配位子、（ヘテロ）アリールピラゾール配位子などの（ヘテロ）アリール基とピリジン、ピラゾール、フェナントロリンなどが連結した配位子が好ましく、特にフェニルピリジン配位子、フェニルピラゾール配位子が好ましい。ここで、（ヘテロ）アリールとは、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
　燐光発光材料として、具体的には、トリス（２－フェニルピリジン）イリジウム、トリス（２－フェニルピリジン）ルテニウム、トリス（２－フェニルピリジン）パラジウム、ビス（２－フェニルピリジン）白金、トリス（２－フェニルピリジン）オスミウム、トリス（２－フェニルピリジン）レニウム、オクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等が挙げられる。
　特に、燐光発光材料の燐光性有機金属錯体としては、好ましくは下記式（ＩＩＩ）又は式（ＩＶ）で表される化合物が挙げられる。
　　　　ＭＬ（ｑ－ｊ）Ｌ’ｊ　　　　（ＩＩＩ）
（式（ＩＩＩ）中、Ｍは金属を表し、ｑは上記金属の価数を表す。また、Ｌ及びＬ’は二座配位子を表す。ｊは０、１又は２の数を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
（式（ＩＶ）中、Ｍ７は金属を表し、Ｔは炭素原子又は窒素原子を表す。Ｒ９２～Ｒ９５は、それぞれ独立に置換基を表す。但し、Ｔが窒素原子の場合は、Ｒ９４及びＲ９５は無い。）
　以下、まず、式（ＩＩＩ）で表される化合物について説明する。
　式（ＩＩＩ）中、Ｍは任意の金属を表し、好ましいものの具体例としては、周期表第７～１１族から選ばれる金属として前述した金属などが挙げられる。
　また、式（ＩＩＩ）中、二座配位子Ｌは、以下の部分構造を有する配位子を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　上記Ｌの部分構造において、環Ａ１は、置換基を有していてもよい、芳香環基を表わす。本発明における芳香環基は、芳香族炭化水素環基でも良いし、芳香族複素環基でも良い。
　該芳香族炭化水素環基としては、１個の遊離原子価を有する、５または６員環の単環または２～５縮合環などが挙げられる。
　該芳香族炭化水素環基の具体例としては、１個の遊離原子価を有する、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などが挙げられる。
　該芳香族複素環基としては、１個の遊離原子価を有する、５または６員環の単環または２～４縮合環などが挙げられる。
　具体例としては、１個の遊離原子価を有する、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などが挙げられる。
　また、上記Ｌの部分構造において、環Ａ２は、置換基を有していてもよい、含窒素芳香族複素環基を表す。
　該含窒素芳香族複素環基としては、１個の遊離原子価を有する、５または６員環の単環または２～４縮合環などが挙げられる。
　具体例としては、１個の遊離原子価を有する、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、フロピロール環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環などが挙げられる。
　環Ａ１または環Ａ２がそれぞれ有していてもよい置換基の例としては、ハロゲン原子；アルキル基；アルケニル基；アルコキシカルボニル基；アルコキシ基；アリールオキシ基；ジアルキルアミノ基；ジアリールアミノ基；カルバゾリル基；アシル基；ハロアルキル基；シアノ基；芳香族炭化水素環基等が挙げられる。また、環Ａ１が含窒素芳香族複素環基である場合及び環Ａ２は、芳香族炭化水素環基を置換基として有していてもよい。
　また、式（ＩＩＩ）中、二座配位子Ｌ’は、以下の部分構造を有する配位子を示す。但し、以下の式において、「Ｐｈ」はフェニル基を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
　中でも、Ｌ’としては、錯体の安定性の観点から、以下に挙げる配位子が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
　式（ＩＩＩ）で表される化合物として、更に好ましくは、下記式（ＩＩＩａ）、（ＩＩＩｂ）、（ＩＩＩｃ）で表される化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
（式（ＩＩＩａ）中、Ｍ４は、Ｍと同様の金属を表し、ｗは、上記金属の価数を表し、環Ａ１は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基を表し、環Ａ２は、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
（式（ＩＩＩｂ）中、Ｍ５は、Ｍと同様の金属を表し、ｗは、上記金属の価数を表し、環Ａ１は、置換基を有していてもよい芳香環基を表し、環Ａ２は、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
（式（ＩＩＩｃ）中、Ｍ６は、Ｍと同様の金属を表し、ｗは、上記金属の価数を表し、ｊは、０、１又は２を表し、環Ａ１及び環Ａ１’は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香環基を表し、環Ａ２及び環Ａ２’は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。）
　上記式（ＩＩＩａ）～（ＩＩＩｃ）において、環Ａ１及び環Ａ１’の芳香環基の好ましい例としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、チエニル基、フリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、カルバゾリル基等が挙げられる。
　上記式（ＩＩＩａ）～（ＩＩＩｃ）において、環Ａ２及び環Ａ２’の含窒素芳香族複素環基の好ましい例としては、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フェナントリジル基等が挙げられる。
　上記式（ＩＩＩａ）～（ＩＩＩｃ）における環Ａ１および環Ａ１’の芳香環基、環Ａ２および環Ａ２’の含窒素芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子；アルキル基；アルケニル基；アルコキシカルボニル基；アルコキシ基；アリールオキシ基；ジアルキルアミノ基；ジアリールアミノ基；カルバゾリル基；アシル基；ハロアルキル基；シアノ基等が挙げられる。
　なお、これら置換基は互いに連結して環を形成してもよい。具体例としては、環Ａ１が有する置換基と環Ａ２が有する置換基とが結合するか、又は、環Ａ１’が有する置換基と環Ａ２’が有する置換基とが結合することにより、一つの縮合環を形成してもよい。このような縮合環としては、７，８－ベンゾキノリン基等が挙げられる。
　中でも、環Ａ１、環Ａ１’、環Ａ２及び環Ａ２’の置換基として、より好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素環基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、ジアリールアミノ基、カルバゾリル基などが挙げられる。
　また、式（ＩＩＩａ）～（ＩＩＩｃ）におけるＭ４～Ｍ６の好ましい例としては、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金などが挙げられる。
　上記式（ＩＩＩ）及び（ＩＩＩａ）～（ＩＩＩｃ）で示される有機金属錯体の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
　上記式（ＩＩＩ）で表される有機金属錯体の中でも、特に、配位子Ｌ及び／又はＬ’として２－アリールピリジン系配位子、即ち、２－アリールピリジン、これに任意の置換基が結合したもの、及び、これに任意の基が縮合してなるものを有する化合物が好ましい。
　また、国際公開第２００５／０１９３７３号に記載の化合物も、発光材料として使用することが可能である。
　次に、式（ＩＶ）で表される化合物について説明する。
　式（ＩＶ）中、Ｍ７は金属を表す。具体例としては、周期表第７～１１族から選ばれる金属として前述した金属などが挙げられる。Ｍ７としては、中でも好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の２価の金属が挙げられる。
　また、式（ＩＶ）において、Ｒ９２及びＲ９３は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、芳香環基を表す。
　更に、Ｔが炭素原子の場合、Ｒ９４及びＲ９５は、それぞれ独立に、Ｒ９２及びＲ９３として挙げたものと同様の置換基を表す。また、Ｔが窒素原子の場合は、Ｒ９４及びＲ９５は無い。
　また、Ｒ９２～Ｒ９５は、更に置換基を有していてもよい。置換基を有する場合、その種類に特に制限はなく、任意の基を置換基とすることができる。
　更に、Ｒ９２～Ｒ９５のうち任意の２つ以上の基が互いに連結して環を形成してもよい。
　式（ＩＶ）で表される有機金属錯体の具体例（Ｔ－１、Ｔ－１０～Ｔ－１５）を以下に示すが、下記の例示物に限定されるものではない。また、以下の化学式において、「Ｍｅ」はメチル基を表し、「Ｅｔ」はエチル基を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
　これらの発光材料は、１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、および比率で用いてもよい。
＜分子量＞
　本発明における発光材料の分子量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意である。本発明における発光材料の分子量は、好ましくは１００００以下、より好ましくは５０００以下、更に好ましくは４０００以下、特に好ましくは３０００以下である。また、本発明における発光材料の分子量は、通常１００以上、好ましくは２００以上、より好ましくは３００以上、更に好ましくは４００以上である。
　発光材料の分子量は、ガラス転移温度や融点、分解温度等が高く、発光層材料および形成された発光層の耐熱性に優れる点、及び、ガス発生、再結晶化及び分子のマイグレーションなどに起因する膜質の低下や材料の熱分解に伴う不純物濃度の上昇などが起こり難い点では大きいことが好ましい。一方、発光材料の分子量は、有機化合物の精製が容易で、溶剤に溶解させやすい点では小さいことが好ましい。
　本発明に係る発光層には、発光材料が通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上含有されていることが良い。また、発光材料が通常３５重量％以下、好ましくは２０重量％以下、さらに好ましくは１０重量％以下含有されていることが良い。なお、２種以上の発光材料を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにするのが好ましい。
｛電荷輸送材料｝
　有機電界発光素子の発光層において、発光材料は、電荷輸送性能を有するホスト材料から電荷又はエネルギーを受け取って発光することが好ましい。従って、発光層は、通常、例えば、このホスト材料として使用されるような、電荷輸送材料を含む。電荷輸送材料には、正孔輸送性を有する化合物（正孔輸送材料或いは正孔輸送性化合物と称することがある）と、電子輸送性を有する化合物（電子輸送材料或いは電子輸送性化合物と称することがある）がある。発光層は、正孔輸送材料と電子輸送材料の両方を含んでいてもよく、いずれか一方を含んでいてもよい。なお、発光層が正孔輸送性を有する化合物は含んでいるが、電子輸送性を有する化合物を含んでいない場合は、発光層において、正孔輸送性を有する化合物が電子を輸送すれば良い。
　ここで、電荷輸送材料の例としては、芳香族アミン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、チオフェン系化合物、ベンジルフェニル系化合物、フルオレン系化合物、ヒドラゾン系化合物、シラザン系化合物、シラナミン系化合物、ホスファミン系化合物、キナクリドン系化合物、トリフェニレン系化合物、カルバゾール系化合物、ピレン系化合物、アントラセン系化合物、フェナントロリン系化合物、キノリン系化合物、ピリジン系化合物、トリアジン系化合物、オキサジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物等が挙げられる。
　これらの電荷輸送材料は、１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
　電子輸送材料は、電子輸送性のユニットを有する化合物であることが好ましい。電子輸送性のユニット（電子輸送ユニット）とは、電子に対する耐久性に優れており、電子輸送性を有する構造（ユニット）である。また、発光層に２種以上の電荷輸送材料が含まれる場合、この電子輸送ユニットを有する化合物が前述の電子輸送を担う電荷輸送材料となりやすい。　
　本発明における電子輸送ユニットとは、ユニットに電子が入り易く、また入った電子を安定化し易いユニットである。例えばピリジン環等は窒素原子のために環が僅かに電子不足であり、電子を受け取りやすく、環に入った電子は非局在化されることにより、ピリジン環上で安定化する。
　上記の様な性能を有するユニットの構造としては、ｓｐ２混成軌道からなるヘテロ原子を含む単環又は縮合環が挙げられる。ここで、ヘテロ原子は、ｓｐ２混成軌道を形成しやすく、電子に対する安定性が高く、電子輸送性が高いことから窒素、酸素、硫黄及びセレンが好ましく、窒素が特に好ましい。電荷輸送材料料が有するｓｐ２混成軌道を有するヘテロ原子の数は、電子輸送性が高い点では、多いことが好ましい。
　以下に電子輸送ユニットの例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
　電子輸送ユニットとしては具体的には、キノリン環、キナゾリン環、キノキサリン環、フェナントロリン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、トリアジン環、チアジアゾール環、ベンゾチアジアゾール環、キノリノール金属錯体、フェナントロリン金属錯体、ヘキサアザトリフェニレン構造、テトラシアルベンゾキノリン構造等が挙げられる。この中でも電子に対する安定性が高く、電子輸送性が高いことから、好ましくは、キノリン環、キナゾリン環、キノキサリン環、フェナントロリン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、トリアジン環などが挙げられ、中でも電気的安定性に優れる点で好ましくは、キノリン環、キナゾリン環、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、１，１０－フェナントロリン環などが挙げられる。
　尚、上記電子輸送ユニットが窒素原子を含む６員環の単環又は縮合環である場合、窒素原子に対して、ｏ－位及びｐ－位が全て芳香族環で置換されているのが好ましい。
　この理由は次の通りである。即ち、窒素原子を含む６員環のｏ－位及びｐ－位は、活性部位であり、ここが芳香環基によって置換されることで電子が非局在化する。このことで、電子により安定となる。
　尚、上記電子輸送ユニットが窒素原子を含む６員環の縮合環である場合は、窒素原子のｏ－位及びｐ－位のうち、縮合環の一部を形成していない部位が、芳香環基で置換されていればよい。
　電子輸送材料としては、電子に対する安定性が高く、電子輸送性が高いことから、下記（ｂ）群（電子輸送ユニット）に挙げられる環の誘導体を有する有機化合物がより好ましい。
（ｂ）群
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
（但し、上記（ｂ）群に含まれる環はいずれも、窒素原子に対して、ｏ－位及びｐ－位が全て芳香環基で置換されている。）
　前記（ｂ）群中の、窒素原子に対して、同一環状の２，４，６位の炭素原子上の水素原子が置換されている芳香環基は、特に制限はない。つまり、芳香族炭化水素環基であっても、芳香族複素環基であってもよいが、電気的酸化に対して優れた耐久性を有する点で、芳香族炭化水素環基であることが好ましい。芳香環基の炭素数は、６～３０が好ましく、また、芳香環基が縮合環の場合、その縮合している芳香環の数は２～４が好ましい。
　ここで、上記（ｂ）群に含まれる環構造が有する好ましい置換基としては、ハロゲン原子、及び、更に置換基を有していてもよい炭素数１～１０のアルキル基、炭素数２～１０のアルケニル基又は炭素数６～３０の１価の芳香族炭化水素環基などが挙げられる。
　また、低分子量の電子輸送材料として、２，５－ビス（１－ナフチル）－１，３，４－オキサジアゾール（ＢＮＤ）、２，５－ビス（６’－（２’，２”－ビピリジル））－１，１－ジメチル－３，４－ジフェニルシロール（ＰｙＰｙＳＰｙＰｙ）、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＢＣＰ、バソクプロイン）、２－（４－ビフェニリル）－５－（ｐ－ターシャルブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（ｔＢｕ－ＰＢＤ）、４，４’－ビス（９－カルバゾール）－ビフェニル（ＣＢＰ）等が挙げられる。
　なお、発光層において、電子輸送材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
　正孔輸送材料は、正孔輸送性のユニットを有する化合物であることが好ましい。正孔輸送性のユニット（正孔輸送ユニット）とは、正孔に対する耐久性に優れており、正孔輸送性を有する構造（ユニット）である。
　本発明における正孔輸送ユニットとは、発光層から正孔を取り出し易いイオン化ポテンシャルを有し、また正孔に安定であるユニットであることを示す。
　発光層から正孔を取り出し易いイオン化ポテンシャルとは、通常５．４ｅＶ以上、好ましくは５．５ｅＶ以上、より好ましくは５．６ｅＶ以上であり、また、一方、通常６．３ｅＶ以下、好ましくは６．２ｅＶ、より好ましくは６．１ｅＶ以下である。
　また、正孔に安定であるとは、正孔輸送ユニットが、ラジカル状態になっても分解され難いということである。これは、ラジカルカチオンが非局在化されることにより、ラジカル状態でも安定化するということである。
　上記の様な性能を有するユニットの構造としては、ｓｐ３軌道を有するヘテロ原子を含む構造、又は、炭素数が４ｎ系の芳香族縮合環などが挙げられる。
　以下に正孔輸送ユニットの例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
　正孔輸送ユニットとしては、具体的にはカルバゾール環、フタロシアニン環、ナフタロシアニン構造、ポルフィリン構造、トリアリールアミン構造、トリアリールホスフィン構造、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ピレン環、フェニレンジアミン構造、ピロール環、ベンジジン構造、アニリン構造、ジアリールアミン構造、イミダゾリジノン構造、ピラゾール環等が挙げられる。この中でも正孔に対する安定性に優れ、正孔輸送性が高いことから、好ましくは、カルバゾール環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ピレン環、トリアリールアミン構造であり、より好ましくはカルバゾール環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ピレン環であり、特に好ましくはカルバゾール環、ピレン環である。
　正孔輸送材料としては、正孔に対する安定性に優れ、正孔輸送性が高いことから、下記（ａ）群（正孔輸送ユニット）に挙げられる何れかの環の誘導体を有する有機化合物がより好ましい。
（ａ）群
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
 　
　これらの環構造は、置換基を有していてもよく、好ましい置換基としては、ハロゲン原子、及び、更に置換基を有していてもよい炭素数１～１０のアルキル基、炭素数２～１０のアルケニル基又は炭素数６～３０の１価の芳香族炭化水素環基などが挙げられる。
　より具体的には、低分子量の正孔輸送材料の例として、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニルに代表される、２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族アミン系化合物（日本国特開平５－２３４６８１号公報）、４，４’，４”－トリス（１－ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン系化合物（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ，　１９９７年，　Ｖｏｌ．７２－７４，　ｐｐ．９８５）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン系化合物（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，　１９９６年，　ｐｐ．２１７５）、２，２’，７，７’－テトラキス－（ジフェニルアミノ）－９，９’－スピロビフルオレン等のフルオレン系化合物（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ　Ｍｅｔａｌｓ，　１９９７年，Ｖｏｌ．９１　，ｐｐ．２０９）等が挙げられる。また、後述の［正孔注入層］における（低分子量の正孔輸送材料）として例示した化合物を用いることができる。
　なお、発光層において、正孔輸送材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
＜分子量＞
　本発明における電荷輸送材料の分子量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意である。本発明における電荷輸送材料の分子量は、通常１００００以下、好ましくは５０００以下、より好ましくは４０００以下、更に好ましくは３０００以下である。また、本発明における電荷輸送材料の分子量は、通常１００以上、好ましくは２００以上、より好ましくは３００以上、更に好ましくは４００以上である。
　電荷輸送材料の分子量が上記範囲内であると、ガラス転移温度や融点、分解温度等が高く、発光層材料および形成された発光層の耐熱性が良好である点、及び、再結晶化や分子のマイグレーションなどに起因する膜質の低下や、材料の熱分解に伴う不純物濃度の上昇などが起こり難く、素子性能に優れる点、また、精製が容易である点などで好ましい。　
＜電子親和力（ＥＡ）＞
　発光層には、上述のような電荷輸送材料の１種のみが含まれていてもよく、２種以上が含まれていてもよい。発光層に２種以上の電荷輸送材料が含まれる場合、主に正孔の輸送を担う電荷輸送材料（正孔輸送材料）のＥＡに比べて、主に電子輸送を担う電荷輸送材料（電子輸送材料）のＥＡの方が大きいことが望ましい。即ち、一般的に、同一の層に複数の電荷輸送材料が含まれる場合、電子はＥＡの大きい材料に乗りやすいため、ＥＡの大きい電荷輸送材料を電子輸送材料とすることで、高発光効率・長寿命の素子を作製する事が可能となる。
　本発明に係る発光層に含まれる電子輸送を担う電荷輸送材料のＥＡの絶対値｜ＥＡ１｜は、電子を輸送するエネルギー準位に電子が存在する際に化合物が安定状態となりやすい点では大きいことが好ましいが、また、一方で、安定なラジカルアニオンの形成による電荷の輸送や授受、励起子の生成阻害などが起こり難い点では、小さいことが好ましい。具体的には、｜ＥＡ１｜は、２．４０ｅＶ以上であることが好ましく、２．５０ｅＶであることが更に好ましく、また、一方で、３．３０ｅＶ以下であることが好ましく、３．２０ｅＶ以下であることが好ましい。
　電荷輸送材料の化学構造と｜ＥＡ｜との間には、大凡、以下の傾向が認められることが多い。例えば、芳香族性を有する６員環単環を中心に有する材料の場合、ベンゼン環（ヘテロ原子０個）＜ピリジン環（ヘテロ原子１個）＜ピリミジン環（ヘテロ原子２個）＜トリアジン環（ヘテロ原子３個）の順に｜ＥＡ｜が大きくなる傾向がある。また、同じ構造の芳香環の縮環の場合、ベンゼン環（単環）＜ナフタレン環（２縮合環）＜アントラセン環（３縮合環）＜クリセン環（４縮合環）の順に｜ＥＡ｜が大きくなる傾向がある。
　本発明に係る発光層には、電荷輸送材料を通常６５重量％以上、好ましくは８０重量％以上、さらに好ましくは９０重量％以上含有することが良い。また、電荷輸送材料を通常９９．９９重量％以下、好ましくは９９．９５重量％以下、さらに好ましくは９９．９重量％以下含有することが良い。なお、２種以上の電荷輸送材料を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにするのが好ましい。
｛発光層の形成｝
　本発明に係る発光層は、材料の利用効率が高く、また、その陽極側に形成される正孔輸送層と適度に混ざることにより正孔の注入性が良好となりやすいことから、湿式成膜法で形成されるのが好ましい。
　本発明において湿式成膜法とは、成膜方法、即ち、塗布方法として、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、ノズルプリンティング法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法等の湿式で成膜させる方法を採用し、この塗布膜を乾燥させて膜形成を行う方法をいう。これらの成膜方法の中でも、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法、ノズルプリンティング法が好ましい。
　湿式成膜法により発光層を形成する場合は、通常、上述の発光材料、電荷輸送材料、及び必要に応じて用いられる後述のその他の材料を適切な溶剤に溶解させることにより調製した発光層形成用組成物を用いて成膜することにより形成する。
　発光層の湿式成膜法に用いる溶剤は、発光材料及び電荷輸送材料などの発光層の形成に用いる材料が良好に溶解又は分散する溶剤であれば特に限定されない。
　溶剤の溶解性としては、２５℃、１気圧下で、発光材料及び電荷輸送材料を、各々、通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上溶解することが好ましい。
　以下に溶剤の具体例を挙げるが、本発明の効果を損なわない限り、溶剤は、これらに限定されるものではない。
　溶剤としては、例えば、ｎ－デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン類；トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラメチルシクロヘキサノン、テトラリン等の芳香族炭化水素類；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類；１，２－ジメトキシベンゼン、１，３－ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２－メトキシトルエン、３－メトキシトルエン、４－メトキシトルエン、２，３－ジメチルアニソール、２，４－ジメチルアニソール、ジフェニルエーテル等の芳香族エーテル類；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ－ブチル等の芳香族エステル類、シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族ケトン類；シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール類；メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン類；ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール－１－モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル類；等が挙げられる。
　溶剤は、中でも好ましくは、アルカン類や芳香族炭化水素類である。
　これらの溶剤は１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
　また、より均一な膜を得るためには、成膜直後の液膜から溶剤が適当な速度で蒸発することが好ましい。このため、溶剤の沸点は、通常８０℃以上、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上であることが良い。また、溶剤の沸点は、通常２７０℃以下、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは沸点２３０℃以下であることが良い。　
｛発光層形成用組成物の組成｝
　本発明における発光層形成用組成物は、発光材料を通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上含有しているのが良い。また、発光材料を通常２０重量％以下、好ましくは１０重量％以下、さらに好ましくは５重量％以下含有することが良い。
　本発明における発光層形成用組成物は、電荷輸送材料を通常０．１重量％以上、好ましくは０．５重量％以上、さらに好ましくは１重量％以上含有しているのが良い。また、通常２０重量％以下、好ましくは１０重量％以下、さらに好ましくは５重量％以下含有することが良い。
　また、発光層形成用組成物中の発光材料と電荷輸送材料との含有量の比（発光材料／電荷輸送材料の重量比）は、通常０．０１以上、好ましくは０．０３以上であることが良い。また、発光層形成用組成物中の発光材料と電荷輸送材料との含有量の比（発光材料／電荷輸送材料の重量比）は、通常０．５以下、好ましくは０．２以下であることが良い。
　本発明に係る発光層形成用組成物における溶剤の含有量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意である。発光層形成用組成物中の溶剤の含有量が多いと、粘性が低く、成膜の作業性に優れる点で好ましい。一方、溶剤の含有量が少ないと、成膜後に溶剤を除去して得られる膜の厚みを稼ぎやすく、成膜が容易である点で好ましい。具体的には、溶剤の含有量は、発光層形成用組成物１００重量部に対して、好ましくは１０重量部以上、より好ましくは５０重量部以上、特に好ましくは８０重量部以上であることが良い。また、溶剤の含有量は、好ましくは９９．９５重量部以下、より好ましくは９９．９重量部以下、特に好ましくは９９．８重量部以下であることが良い。なお、発光層形成用組成物として２種以上の溶剤を混合して用いる場合には、これらの溶剤の合計がこの範囲を満たすようにするのが好ましい。
　本発明における発光層形成用組成物は、成膜性の向上を目的として、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含有してもよい。
　本発明における発光層形成用組成物中の発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料等の合計量である固形分濃度は、膜厚ムラが生じ難い点では少ないことが好ましいが、また、一方で、膜に欠陥が生じ難い点では多いことが好ましい。具体的には、通常０．０１重量％以上、通常７０重量％以下であることがよい。
　発光層の形成は、通常、このような発光層形成用組成物を発光層の下層となる層（通常は後述の正孔注入層又は正孔輸送層）上に湿式成膜後、得られた塗膜を乾燥し、溶剤を除去することにより形成される。
｛膜厚｝
　発光層の膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜に欠陥が生じ難い点では厚いことが好ましいが、また、一方で、駆動電圧が低くなりやすい点では薄いことが好ましい。具体的には、通常３ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲であるのがよい。
　なお、有機電界発光素子には、発光層は２層以上設けてもかまわない。発光層が２層以上の場合、各層の条件は上述の通りであるが、隣接電子輸送層とのＥＡについての規定は、陰極側に隣接して電子輸送層を有する発光層のみが満たせばよい。
［隣接電子輸送層］
　隣接電子輸送層は、発光層と陰極との間に、発光層と隣接して設けられた電子輸送性を有する誘電体の層である。隣接電子輸送層は、陰極から注入された電子を発光層へ輸送する電子輸送性と、発光層へ輸送されてきた正孔が陰極側へ漏れる事を防止する正孔阻止性、又は発光層で発生した励起子が拡散することを防ぐ正孔緩和性を有することが好ましい。隣接電子輸送層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。隣接電子輸送層の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上、また、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。
｛電荷輸送材料｝
　本発明において、隣接電子輸送層には、電子輸送性、電子の通電に対する耐性及び正孔の通電に対する耐性が必要となるため、隣接電子輸送層を形成する電荷輸送材料としては、好ましくは電子輸送性のユニットと正孔輸送性のユニットとを有する有機化合物が用いられる。ここで、前述の通り、正孔輸送ユニットは、正孔に対する耐久性に優れており、正孔輸送性を有する構造である。また、電子輸送ユニットは、電子に対する耐久性に優れており、電子輸送性を有する構造である。すなわち、本発明に係る隣接電子輸送層には、電気的酸化還元に対する耐久性に優れた電荷輸送材料が含まれていることが好ましい。
　隣接電子輸送層に含まれる電荷輸送材料が有する正孔輸送ユニット及び電子輸送ユニットの数は、電荷輸送材料が正孔輸送性と電子輸送性を有していれば、制限は無いが、電荷輸送性の高さの点では多いのが好ましく、また、一方、精製の容易さの点では少ないのが好ましい。具体的には、正孔輸送ユニットと電子輸送ユニットの各々について、１個以上であるのが好ましく、また、一方、１０個以下であるのが好ましく、５個以下であるのが更に好ましい。
　正孔輸送ユニットと電子輸送ユニットの数の比率については、同数でも、一方のユニット数が他方のユニット数より多くてもよいが、電子輸送ユニットの数の方が正孔輸送ユニットの数より多くするのが好ましい。このように一方のユニット数が他方のユニット数より多い場合は、その差が１個以上であるのが好ましく、また、一方、５個以下であるのが好ましく、３個以下であるのが更に好ましい。
　正孔輸送ユニット及び電子輸送ユニットが有する構造及び好ましい具体例については、前述の通りである。　
　正孔輸送ユニットと電子輸送ユニットは、各ユニットが正孔輸送性及び電子輸送性が発現すれば、両ユニットがどのように結合していてもよい。具体的には、両ユニットが直接結合していてもよいし、両ユニットの間に結合基を介していてもよい。
　正孔輸送ユニットと電子輸送ユニットを介する結合基としては、置換基を有していてもよいアルキレン基、置換基を有していてもよいアルケニレン基及び置換基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素環基等が好ましい。
　アルキレン基の炭素数は、１以上であるのが好ましく、また、一方、１０以下であるのが好ましく、８以下であるのが更に好ましい。具体的な例としては、メチレン基、１，２－エチレン基、１，３－プロピレン基、１，４－ブチレン基、１，５－ペンチレン基及び１，８－オクチレン基等が挙げられ、このうち、合成が簡便なメチレン基及び１，２－エチレン基が好ましい。
　アルケニレン基の炭素数は、２以上であるのが好ましく、また、一方、１０以下であるのが好ましく、６以下であるのが更に好ましい。具体例としては、１，２－ビニレン基、１，３－プロペニレン基、１，２－プロペニレン基及び１，４－ブテニレン基等が挙げられ、このうち、分子の平面性向上により共役面が広がり、電荷が非局在化して、安定性が向上しやすいことからビニレン基が好ましい。
　２価の芳香族炭化水素環基の炭素数は、６以上であるのが好ましく、また、一方、３０以下であるのが好ましい。２価の芳香族炭化水素環基が縮合環を有する場合、縮合している環の数は、５個以下であるのが好ましい。すなわち、単環及び２～５縮合環、又はこれらが複数個連結してなる２価の基が好ましい。ここで、芳香族炭化水素環が複数個ある場合、環の安定性が高い点から、２～８個であるのが好ましく、２～５個であるのが更に好ましい。２価の芳香族炭化水素環基の具体例としては、２価の遊離原子価を有するベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環、トリフェニレン環、クリセン環、ナフタセン環、ペリレン環、コロネン環等が挙げられる。このうち、環の安定性が高い点から、２価の遊離原子価を有するベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、トリフェニレン環等が好ましい。
　２価の芳香族炭化水素環基の特に好ましい具体例を以下構造式Ｓ１～Ｓ１５で表すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
　結合基は、置換基を有していても有していなくてもよいが、電子に対する安定性向上により分子の結晶性が低下して、膜の安定性が向上しやすい点では、無置換であるのが好ましいが、また、一方、化合物の電気的安定性の点では、置換基を有するのが好ましい。結合基が置換基を有する場合、アルキル基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基、アルコキシ基、（ヘテロ）アリールオキシ基、アルキルチオ基、（ヘテロ）アリールチオ基、シアノ基等が好ましい（ここで、「（ヘテロ）アリール」とは「アリール」と「ヘテロアリール」の双方を意味する。）。このうち、アルキル基が化合物の安定性の点で好ましい。なお、ここで、置換基としてアルキル基を有するのは、結合基がアルキレン基以外の基である場合をいい、置換基として芳香族炭化水素環基を有するのは、結合基が芳香族炭化水素環基以外の基である場合をいう。
　アルキル基の炭素数は、１以上であるのが好ましく、また、一方、２０以下であるのが好ましい。具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｉｓｏ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、シクロヘキシル基、デシル基及びオクタデシル基等が挙げられ、このうち、原料が入手しやすく、安価に合成しやすいことからメチル基、エチル基及びイソプロピル基が好ましく、メチル基及びエチル基が特に好ましい。
　置換基の芳香族炭化水素環基の炭素数は、６以上であるのが好ましく、また、一方、２５以下であるのが好ましい。置換基としての芳香族炭化水素環基の具体例としては、フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基などのナフチル基；９－フェナンチル基、３－フェナンチル基などのフェナンチル基、１－アントリル基、２－アントリル基、９－アントリル基などのアントリル基；１－ナフタセニル基、２－ナフタセニル基などのナフタセニル基；１－クリセニル基、２－クリセニル基、３－クリセニル基、４－クリセニル基、５－クリセニル基、６－クリセニル基などのクリセニル基；１－ピレニル基などのピレニル基、１－トリフェニレニル基などのトリフェニレニル基及び１－コロネニル基などのコロネニル基、４－ビフェニル基、３－ビフェニル基のビフェニル基等が挙げられる。これらのうち、化合物の安定性の点から、フェニル基、２－ナフチル基及び３－ビフェニル基等が好ましく、フェニル基が精製の容易さから特に好ましい。
　置換基の芳香族複素環基の炭素数は、３以上であるのが好ましく、また、一方、２０以下であるのが好ましい。置換基としての芳香族炭化水素環基の具体例としては、２－チエニル基などのチエニル基；２－フリル基などのフリル基；２－イミダゾリル基などのイミダゾリル基；９－カルバゾリル基などのカルバゾリル基；２－ピリジル基などのピリジル基及び１，３，５－トリアジン－２－イル基などのトリアジニル基等が挙げられる。中でも、安定性の面からカルバゾリル基が好ましく、９－カルバゾリル基が特に好ましい。アルコキシ基の炭素数は、１以上であるのが好ましく、また、一方、２０以下であるのが好ましい。具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、オクタデシルオキシ基等が挙げられる。
　（ヘテロ）アリールオキシ基の炭素数は、３以上であるのが好ましく、また、一方、２０以下であるのが好ましい。具体例としては、フェノキシ基、１－ナフチルオキシ基、９－アントラニルオキシ基、２－チエニルオキシ基等が挙げられる。
　アルキルチオ基の炭素数は、１以上であるのが好ましく、また、一方、２０以下であるのが好ましい。具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、イソプロピルチオ基、シクロヘキシルチオ基等が挙げられる。
　（ヘテロ）アリールチオ基の炭素数は、３以上であるのが好ましく、また、一方、２０以下であるのが好ましい。具体例としては、フェニルチオ基、１－ナフチルチオ基、９－アントラニルチオ基、２－チエニルチオ基等が挙げられる。
　隣接電子輸送層に含まれる電荷輸送材料としては、例えば、下記一般式（５）～（７）で表される構造を有する化合物が好ましい。
　　（Ａ）ｍ－（Ｌ）ｌ－（Ｂ）ｎ　　（５）
　　（Ｂ）－（Ｌ－Ａ）ｘ　　　　　（６）
　　（Ａ）－（Ｌ－Ｂ）ｙ　　　　　（７）
（式中、Ａは置換基を有していてもよい炭素数１～３０の正孔輸送ユニットを示し、Ｂは置換基を有していてもよい炭素数１～３０の電子輸送ユニットを示し、Ｌは置換基を有していても良い炭素数１～３０の炭化水素基を示し、ｌは０～３の整数を示し、ｍ及びｎは各々１～４の整数を示す。ｌ、ｍ及び／又はｎが２以上の場合、複数含まれるＬ、Ａ、Ｂは、各々同一であっても異なってもよい。また、ｘ及びｙは１～４の整数を示し、ｘ又はｙが２以上の整数の場合、複数含まれるＬ－Ａ、Ｌ－Ｂは各々同一であっても異なってもよい。）
　なお、一般式（５）及び（６）におけるＡは、どちらも１価の基を示し、一般式（７）におけるＡは、ｙ価の基を示す。同様に、一般式（５）及び（７）におけるＢは、どちらも１価の基を示し、一般式（６）におけるＢは、ｘ価の基を示す。一般式（５）における（Ｌ）ｌは、ｍ＋ｎ価の基を示し、一般式（６）～（７）におけるＬは、何れも２価の基を示す。
　ここで、Ａは、前述の正孔輸送ユニット、Ｂは、前述の電子輸送ユニットＢ、Ｌは前述の結合基として詳述したものが各々好ましい。具体例及び好ましい態様についても同様である。また、Ｌは、置換基を有していてもよい炭素数１～１０の飽和炭化水素基、炭素数２～１０の不飽和炭化水素基又は炭素数６～３０の芳香族炭化水素環基であるのが特に好ましい。
　式（５）～（７）の構造は、具体的には、式（５）でｌ、ｍ及びｎが１の場合、式（６）でｘが１の場合、及び式（７）でｙが１の場合は、何れも「Ａ－Ｌ－Ｂ」となる。また、式（５）～（７）は、各々、例えば、以下の式（５’）～（７’）のような構造となる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
　次に、隣接電子輸送層を形成する電荷輸送材料として好ましく用いられる化合物を列挙する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
　本発明に係る隣接電子輸送層には、上述の電荷輸送材料の１種のみが含まれていてもよく、２種以上が任意の組み合わせ及び比率で含まれていてもよい。
＜分子量＞
　隣接電子輸送層を形成する電荷輸送材料として用いられる有機化合物の分子量は、耐熱性が良好で、ガス発生の原因となりにくく、また精製が容易で、高純度化し易い点で以下の範囲が好ましい。すなわち、通常１００００以下、好ましくは５０００以下、より好ましくは４０００以下、さらに好ましくは３０００以下、また、通常１００以上、好ましくは２００以上、より好ましくは３００以上、さらに好ましくは４００以上の範囲であるのがよい。
＜電子親和力（ＥＡ）＞
　隣接電子輸送層には、上述のような電荷輸送材料の１種のみが含まれていてもよく、２種以上が含まれていてもよい。隣接電子輸送層が２種以上の電荷輸送材料を有する場合、主に正孔の輸送を担う電荷輸送材料（正孔輸送材料）のＥＡに比べて、主に電子輸送を担う電荷輸送材料（電子輸送材料）のＥＡの方が大きいことが望ましい。即ち、一般的に、同一の層に複数の電荷輸送材料が含まれる場合、電子はＥＡの大きい材料に乗りやすいため、ＥＡの大きい電荷輸送材料を電子輸送材料とすることで、高発光効率・長寿命の素子を作製する事が可能となる。
　また、本発明に係る隣接電子輸送層に含まれる電荷輸送材料のＥＡの絶対値｜ＥＡ｜は、電子を輸送するエネルギー準位に電子が存在する際に化合物が安定状態となりやすい点では大きいことが好ましいが、また、一方で、安定なラジカルアニオンの形成による電荷の輸送や授受、励起子の生成阻害などが起こり難い点では、小さいことが好ましい。具体的には、隣接電子輸送層中の電荷輸送材料のうち、最もＥＡの絶対値が大きい電荷輸送材料のＥＡ（隣接電子輸送層中に電荷輸送材料を１種のみ含む場合は当該電荷輸送材料のＥＡ、２種以上の電荷輸送材料を含む場合は、複数の電荷輸送材料のうち、ＥＡの絶対値がが最も大きい電荷輸送材料のＥＡ）の絶対値｜ＥＡ２｜は、２．３０ｅＶ以上であることが好ましく、２．４０ｅＶ以上であることが更に好ましく、また、一方、３．２０ｅＶ以下であることが好ましく、３．１０ｅＶ以下であることが更に好ましい。　
　そして、電荷輸送材料の化学構造と｜ＥＡ｜との間には、大凡、上述の傾向が認められることが多い。
［ＥＡ１とＥＡ２との関係］
　本発明の有機電界発光素子は、発光層に含有される電荷輸送材料のうち、電子輸送を担う電荷輸送材料の電子親和力ＥＡ１と、隣接電子輸送層に含有される電荷輸送材料のうち、最も絶対値が大きい電子親和力を有する電荷輸送材料の電子親和力ＥＡ２とが、下記式（１）、好ましくは下記式（３）で表される関係を満たすことを特徴とする。
　　式（１）：０．００ｅＶ≦｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜≦０．２０ｅＶ
　　式（３）：０．００ｅＶ＜｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜≦０．２０ｅＶ
　即ち、本発明の有機電界発光素子は、発光層内の電荷輸送材料の｜ＥＡ１｜が隣接電子輸送層内の電荷輸送材料の｜ＥＡ２｜以上、好ましくは｜ＥＡ１｜が｜ＥＡ２｜より大きいことを特徴とする。
　そして、この構成とすることによる作用機構については、上述のように推定されることから、本発明において｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜は０．００ｅＶ以上、好ましくは０．０１ｅＶ以上、特に好ましくは０．０４ｅＶ以上であるのがよい。また、本発明において｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜は、０．２０ｅＶ以下、好ましくは０．１９ｅＶ以下、より好ましくは０．１７ｅＶ以下であるのがよい。
　なお、本発明において、発光層に含まれる電荷輸送材料と隣接電子輸送層に含まれる電荷輸送材料とは同一であってもよく、異なる材料であってもよいが、隣接電子輸送層が発光層に含有される電荷輸送材料とは異なる電荷輸送材料を含有していることが好ましい。この理由は、発光層に含まれる電荷輸送材料は発光材料を効率よく発光させる特性が求められるのに対し、隣接電子輸送層は一般的に電子の効率の良い輸送と正孔の阻止乃至は緩和を目的とするため、求められる材料特性が異なるためである。
　特に、発光層及び／又は隣接電子輸送層が２種以上の電荷輸送材料を含有する場合、各層の中で最もＥＡの大きい電荷輸送材料同士が異なる材料であることが好ましい。この理由も、主に電子輸送は、各層の最もＥＡの大きい電荷輸送材料が担うが、前述のように、両層における電荷輸送材料に求められる性能が異なるため、最適な材料が自ずと異なることに起因する。
　発光層に含有される電荷輸送材料と隣接電子輸送層に含有される電荷輸送材料とが前記式（１）、好ましくは前記式（３）を満たす本発明の有機電界発光素子を作製するには、上述の電荷輸送材料の化学構造と｜ＥＡ｜との間の傾向を参照して、電荷輸送材料の組合せを仮選択し、各電荷輸送材料について、前述の方法に従ってＥＡを測定し、発光層に用いる電荷輸送材料と隣接電子輸送層に用いる電荷輸送材料が、前記式（１）、好ましくは前記式（３）の関係を満たすように、発光層に用いる電荷輸送材料と隣接電子輸送層に用いる電荷輸送材料の組み合わせを選択すればよい。
［陰極］
　陰極は、発光層側の層に電子を注入する役割を果たす電極である。
　陰極の材料としては、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び／又はスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ（３－メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。これらのうち、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム－銀合金、マグネシウム－インジウム合金、アルミニウム－リチウム合金等の低仕事関数の合金電極が挙げられる。
　なお、陰極の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
　陰極の膜厚は、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが好ましい。この場合、陰極の厚みは通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下程度である。不透明でよい場合は陰極の厚みは任意であり、陰極は基板と同一でもよい。また、さらには、上記の陰極の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
　さらに、例えば、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウム等のアルカリ土類金属等からなる低仕事関数の金属からなる陰極を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。なお、これらの材料は、１種のみで用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
＜仕事関数（ＷＦ）＞
　陰極の仕事関数（ＷＦ）は、大気や水分などに対する安定性である点では大きいことが好ましいが、また、一方、陰極側電子輸送層に対する電子の注入性の点では小さいことが好ましい。具体的には、ＷＦは、２．００ｅＶ以上であることが好ましく、２．４０ｅＶ以上であることが更に好ましく、また、一方、４．９０ｅＶ以下であることが好ましく、４．８０ｅＶ以下であることが更に好ましい。
［陰極側電子輸送層］
　陰極側電子輸送層は、隣接電子輸送層と陰極の間に設けられた電子輸送層であり、隣接電子輸送層と陰極の間に複数の電子輸送層がある場合は、その最も陰極側にある電子輸送層である。
　隣接電子輸送層と陰極の間に設けられた電子輸送層に用いられる電子輸送材料としては、通常、陰極又は陰極側の隣接層からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば、８－ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体やリチウム錯体などの金属錯体（日本国特開昭５９－１９４３９３号公報）、１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３－ヒドロキシフラボン金属錯体、５－ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合物（日本国特開平６－２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（日本国特開平５－３３１４５９号公報）、２－ｔ－ブチル－９，１０－Ｎ，Ｎ’－ジシアノアントラキノンジイミン、トリアジン化合物誘導体、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。
　また、該電子輸送層に用いられる電子輸送材料としては、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８－ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される電子輸送性有機化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープさせることにより（日本国特開平１０－２７０１７１号公報、日本国特開２００２－１００４７８号公報、日本国特開２００２－１００４８２号公報などに記載）、電子注入輸送性と優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。また、上述の電子輸送性有機化合物にフッ化リチウムや炭酸セシウムなどのような無機塩をドープすることも有効である。
　なお、隣接電子輸送層と陰極の間に設けられた電子輸送層の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
　隣接電子輸送層と陰極の間に設けられた電子輸送層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
　隣接電子輸送層と陰極の間に設けられた電子輸送層の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。
　陰極側電子輸送層が２種以上の電荷輸送材料を含有する場合、最も絶対値の大きい電子親和力を有する電荷輸送材料の電子親和力の絶対値を｜ＥＡ３｜とする。
　本発明に係る陰極側電子輸送層に含まれる電荷輸送材料のＥＡの絶対値｜ＥＡ｜は、電子を輸送するエネルギー準位に電子が存在する際に化合物が安定状態となりやすい点では大きいことが好ましいが、また、一方で、安定なラジカルアニオンの形成による電荷の輸送や授受、励起子の生成阻害などが起こり難い点では、小さいことが好ましい。具体的には、隣接電子輸送層中の電荷輸送材料のうち、最もＥＡの絶対値が大きい電荷輸送材料のＥＡ（隣接電子輸送層中に電荷輸送材料を１種のみ含む場合は当該電荷輸送材料のＥＡ、２種以上の電荷輸送材料を含む場合は、複数の電荷輸送材料のうち、ＥＡの絶対値が最も大きい電荷輸送材料のＥＡ）の絶対値｜ＥＡ３｜は、２．６０ｅＶ以上であることが好ましく、２．７０ｅＶ以上であることが更に好ましく、また、一方、３．３０ｅＶ以下であることが好ましく、３．２０ｅＶ以下であることが更に好ましい。そして、電荷輸送材料の化学構造と｜ＥＡ｜との間には、大凡、上述の傾向が認められることが多い。
［ＥＡ３とＷＦとの関係］
　本発明の有機電界発光素子は、陰極の仕事関数の絶対値｜ＷＦ｜と、陰極側電子輸送層内の電荷輸送材料のうち、絶対値が最も大きい電子親和力を有する電荷輸送材料の絶対値｜ＥＡ（ＥＡ３）｜との差が所定の範囲内となり、下記式（２）で表される関係を満たすことを特徴とする。
　　式（２）：－１．６０ｅＶ≦｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜≦１．６０ｅＶ
　そして、この｜ＷＦ｜と｜ＥＡ３｜との差は、下記式（４）で表される関係を満たすことが更に好ましい。
　　式（４）：０．００ｅＶ≦｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜≦１．６０ｅＶ
　そして、この構成とすることによる作用機構については、上述のように推定される。
　陰極から陰極側電子輸送層への電子の授受は、陰極の仕事関数（ＷＦ）から、陰極側電子輸送層の電子輸送を担うエネルギー準位（最も絶対値が大きい電子親和力を有する電荷輸送材料の電子親和力（ＥＡ３））へと行われる。そして、両者の差が小さいほど、電子がスムーズに各エネルギー準位間を移動することができる。このため、その差の絶対値は１．６０ｅＶ以下であり、好ましくは１．５０ｅＶ以下、さらに好ましくは１．４０ｅＶ以下である。また、一方で、陰極の仕事関数の絶対値に比べて、陰極側電子輸送層の電子輸送を担うエネルギー準位の絶対値が小さいほど、該陰極側電子輸送層が還元を受け難く、該陰極側電子輸送層が安定になりやすい。このため、｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜は－１．６０ｅＶ以上であり、好ましくは－１．００ｅＶ以上であり、更に好ましくは－０．５ｅＶ以上であり、特に好ましくは０．００ｅＶ以上、最も好ましくは０．８０ｅＶ以上である。また、｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜は、１．６０ｅＶ以下であり、好ましくは１．５０ｅＶ以下であり、更に好ましくは１．４０ｅＶ以下である。
〔有機電界発光素子の層構成と形成方法〕
　以下に、本発明の有機電界発光素子の層構成及びその一般的形成方法等の実施の形態の一例を、図１を参照して説明する。
　図１は本発明の有機電界発光素子１０の構造例を示す断面の模式図であり、図１において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入層、４は正孔輸送層、５は発光層、６は正孔阻止層（隣接電子輸送層）、７は陰極側電子輸送層、８は電子注入層、９は陰極を各々表す。
［基板］
　基板１は、有機電界発光素子の支持体となるものである。基板１としては、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。特にガラス板；ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合には、ガスバリア性に留意するのが好ましい。基板のガスバリア性は、基板を通過した外気による有機電界発光素子
の劣化が起こり難いので、大きいことが好ましい。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
［陽極］
　陽極２は、発光層５側の層への正孔注入の役割を果たすものである。
　この陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、
インジウム及び／又はスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ（３－メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。
　陽極２の形成は、通常、スパッタリング法、真空蒸着法等の方法により行われることが多い。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極２を形成する場合には、これらの微粒子などを適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板１上に塗布することにより、陽極２を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板１上に薄膜を形成することもできる。また、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。
　陽極２は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。
　陽極２の厚みは、必要とする透明性などに応じて適宜選択すればよい。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが好ましい。この場合、陽極２の厚みは、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上である。また、この場合、陽極２の厚みは、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下程度である。不透明でよい場合は、陽極２の厚みは任意である。陽極２の機能を兼ね備えた基板１を用いてもよい。また、さらには、上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
　陽極２に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極２表面を紫外線（ＵＶ）／オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。
［正孔注入層］
　正孔注入層３は、陽極２から発光層５へ正孔を輸送する層である。正孔注入層３は、本発明の有機電界発光素子に必須の層ではないが、正孔注入層３を設ける場合は、正孔注入層３は、通常、陽極２上に形成される。
　本発明に係る正孔注入層３の形成方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はない。正孔注入層３は、ダークスポット低減の観点から湿式成膜法により形成することが好ましい。
　正孔注入層３の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。
｛湿式成膜法による正孔注入層の形成｝
　湿式成膜法により正孔注入層３を形成する場合、通常は、正孔注入層３を構成する材料を適切な溶剤（正孔注入層用溶剤）と混合して成膜用の組成物（正孔注入層形成用組成物）を調製し、この正孔注入層３形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層の下層に該当する層（通常は、陽極２）上に塗布して成膜し、乾燥することにより正孔注入層３を形成する。
＜正孔輸送材料＞
　正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層３の構成材料として正孔輸送材料及び溶剤を含有する。
　正孔輸送材料は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層３に使用される、正孔輸送性を有する化合物であれば、重合体などの高分子化合物であっても、単量体などの低分子化合物であってもよいが、高分子化合物であることが好ましい。
　正孔輸送材料としては、陽極２から正孔注入層３への電荷注入障壁の観点から４．５ｅＶ～６．０ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送材料の例としては、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル誘導体、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリキノリン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、カーボン等が挙げられる。
　尚、本発明において誘導体とは、例えば、芳香族アミン誘導体を例にするならば、芳香族アミンそのもの及び芳香族アミンを主骨格とする化合物を含むものであり、重合体であっても、単量体であってもよい。
　正孔注入層３の材料として用いられる正孔輸送材料は、このような化合物のうち何れか１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。２種以上の正孔輸送材料を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物１種又は２種以上と、その他の正孔輸送材料１種又は２種以上とを併用することが好ましい。
　上記例示した中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。
　芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発光の点から、重量平均分子量が１０００以上、１００００００以下の高分子化合物（繰り返し単位が連なる重合型化合物）がさらに好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
（式（Ｉ）中、Ａｒ１～Ａｒ５は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香環基を表す。Ｚｂは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ａｒ１～Ａｒ５のうち、同一のＮ原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。
＜連結基群＞
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
（上記各式中、Ａｒ６～Ａｒ１６は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香環基を表す。Ｒ５及びＲ６は、各々独立して、水素原子又は任意の置換基を表す。））
　Ａｒ１～Ａｒ１６の芳香環基としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、１個又は２個の遊離原子価を有する、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の基が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環がさらに好ましい。
　Ａｒ１～Ａｒ１６の芳香環基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の分子量としては、通常４００以下、中でも２５０以下程度が好ましい。置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、芳香環基などが好ましい。
　Ｒ５及びＲ６が任意の置換基である場合、該置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香環基などが挙げられる。
　式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、国際公開第２００５／０８９０２４号に記載のものが挙げられる。
　また、正孔輸送材料としては、ポリチオフェンの誘導体である３，４－ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）を高分子量ポリスチレンスルホン酸中で重合してなる導電性ポリマー（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）もまた好ましい。また、このポリマーの末端をメタクリレート等でキャップしたものであってもよい。
　尚、正孔輸送材料は、下記［正孔輸送層］の項に記載の架橋性化合物であってもよい。該架橋性化合物を用いた場合の成膜方法についても同様である。
　正孔注入層形成用組成物中の正孔輸送材料の濃度は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意である。正孔注入層形成用組成物中の正孔輸送材料の濃度は、膜厚の均一性の点から、通常０．０１重量％以上、好ましくは０．１重量％以上、さらに好ましくは０．５重量％以上であり、また、一方、通常７０重量％以下、好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下である。この濃度は、膜厚ムラが生じ難い点では小さいことが好ましい。また、この濃度は、成膜された正孔注入層に欠陥が生じ難い点では大きいことが好ましい。
＜電子受容性化合物＞
　正孔注入層形成用組成物は、正孔注入層３の構成材料として、電子受容性化合物を含有していることが好ましい。
　電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送材料から一電子受容する能力を有する化合物が好ましい。具体的には、電子受容性化合物としては、電子親和力が４ｅＶ以上である化合物が好ましく、５ｅＶ以上の化合物である化合物がさらに好ましい。
　このような電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、電子受容性化合物としては、４－イソプロピル－４’－メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンダフルオロフェニル）ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩（国際公開２００５／０８９０２４号）；塩化鉄（ＩＩＩ）（日本国特開平１１－２５１０６７号公報）、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物；テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス（ペンダフルオロフェニル）ボラン（日本国特開２００３－３１３６５号公報）等の芳香族ホウ素化合物；フラーレン誘導体；ヨウ素；ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、ショウノウスルホン酸イオン等のスルホン酸イオン等が挙げられる。
　これらの電子受容性化合物は、正孔輸送材料を酸化することにより正孔注入層３の導電率を向上させることができる。
　正孔注入層３或いは正孔注入層形成用組成物中の電子受容性化合物の正孔輸送材料に対する含有量は、通常０．１モル％以上、好ましくは１モル％以上である。但し、通常１００モル％以下、好ましくは４０モル％以下である。
＜その他の構成材料＞
　正孔注入層３の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述の正孔輸送材料や電子受容性化合物に加えて、さらに、その他の成分を含有させてもよい。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送材料、バインダー樹脂、塗布性改良剤などが挙げられる。なお、その他の成分は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
＜溶剤＞
　湿式成膜法に用いる正孔注入層形成用組成物の溶剤のうち少なくとも１種は、上述の正孔注入層３の構成材料を溶解しうる化合物であることが好ましい。また、この溶剤の沸点は、通常１１０℃以上、好ましくは１４０℃以上、更に好ましくは２００℃以上であるのが良く、通常４００℃以下、更に好ましくは３００℃以下であることが良い。溶剤の沸点は、乾燥速度が速すぎず、膜質に優れる点では、高いことが好ましい。また、一方、溶剤の沸点は、低温乾燥が可能で、他の層や基板に熱の影響を与え難い点では、低いことが好ましい。
　溶剤として例えば、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤などが挙げられる。
　エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール－１－モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；１，２－ジメトキシベンゼン、１，３－ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２－メトキシトルエン、３－メトキシトルエン、４－メトキシトルエン、２，３－ジメチルアニソール、２，４－ジメチルアニソール等の芳香族エーテル等が挙げられる。
　エステル系溶剤としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ－ブチル等の芳香族エステル等が挙げられる。
　芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、３－イロプロピルビフェニル、１，２，３，４－テトラメチルベンゼン、１，４－ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。
　アミド系溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、等が挙げられる。
　その他、ジメチルスルホキシド等も用いることができる。
　これらの溶剤は１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。
＜成膜方法＞
　正孔注入層３を湿式成膜するときは、通常、正孔注入層形成用組成物を調製後、この組成物を湿式成膜法により、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極２）上に塗布成膜し、乾燥することにより形成する。
　塗布するときにおける温度は、組成物中に結晶が生じることによる膜の欠損が起こり難いことから、１０℃以上、５０℃以下が好ましい。
　塗布するときにおける相対湿度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．０１ｐｐｍ以上、８０％以下である。
　塗布後、通常、正孔注入層形成用組成物の膜を乾燥させる。乾燥させるときは、加熱しても良いし、加熱しなくても良い。加熱乾燥するときに使用する加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えやすいことから、クリーンオーブンおよびホットプレートが好ましい。
　加熱する場合における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り、正孔注入層形成用組成物に用いた溶剤の沸点以上の温度で加熱することが好ましい。また、正孔注入層に用いた溶剤が２種類以上含まれている混合溶剤の場合、少なくとも１種類がその溶剤の沸点以上の温度で加熱されるのが好ましい。溶剤の沸点上昇を考慮すると、加熱工程においては、好ましくは１２０℃以上、好ましくは４１０℃以下で加熱することが好ましい。
　加熱するとき、加熱温度は、特に制限されないが、加熱温度は、正孔注入層の陰極側に接する層が湿式成膜法で成膜される場合においては、塗膜の十分な不溶化がなされる温度で加熱するのが好ましい。加熱するときの加熱時間は、１０秒以上が好ましいが、また、一方、通常１８０分以下である。加熱時間は、他の層の成分の拡散が起こり難い点では短いことが好ましいが、正孔注入層が均質になりやすい点では長いことが好ましい。加熱は２回以上に分けて行ってもよい。
｛真空蒸着法による正孔注入層３の形成｝
　真空蒸着により正孔注入層３を形成する場合には、例えば、以下のようにして正孔輸送層３を形成することができる。正孔注入層３の構成材料（前述の正孔輸送材料、電子受容性化合物等）の１種又は２種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ）、真空容器内を適当な真空ポンプで１０－４Ｐａ程度まで排気する。この後、るつぼを加熱して（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して）、蒸発量を制御して蒸発させ（２種以上の材料を用いる場合は各々独立に蒸発量を制御して蒸発させ）、るつぼと向き合って置かれた基板１の陽極２上に正孔注入層３を形成させる。なお、２種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱、蒸発させて正孔注入層３を形成することもできる。
　蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されない。蒸着時の真空度は、通常０．１×１０－６Ｔｏｒｒ（０．１３×１０－４Ｐａ）以上、９．０×１０－６Ｔｏｒｒ（１２．０×１０－４Ｐａ）以下である。蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されない。蒸着速度は、通常０．１Å／秒以上、５．０Å／秒以下である。蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されない。蒸着時の成膜温度は、好ましくは１０℃以上、５０℃以下で行われる。
［正孔輸送層］
　正孔輸送層４は、陽極２から発光層５へ輸送する層である。正孔輸送層４は、本発明の有機電界発光素子に必須の層ではないが、正孔輸送層４を設ける場合は、正孔輸送層４は、正孔注入層３がある場合には正孔注入層３の上に、正孔注入層３が無い場合には陽極２の上に形成することができる。
　正孔輸送層４の形成方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はない。正孔輸送層４は、ダークスポット低減の観点から湿式成膜法により形成することが好ましい。
　正孔輸送層４を形成する材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、正孔輸送層４を形成する材料は、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。また、多くの場合、正孔輸送層４は、発光層５に接するため、発光層５からの発光を消光したり、発光層５との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。
　このような正孔輸送層４の材料としては、従来、正孔輸送層４の構成材料として用いられている材料であればよい。正孔輸送層４の材料としては、例えば、前述の正孔注入層３に使用される正孔輸送材料として例示したものが挙げられる。また、アリールアミン誘導体、フルオレン誘導体、スピロ誘導体、カルバゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、シロール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。
　また、例えば、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリビニルトリフェニルアミン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリアリーレン誘導体、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン誘導体、ポリアリーレンビニレン誘導体、ポリシロキサン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリ（ｐ－フェニレンビニレン）誘導体等が挙げられる。これらは、交互共重合体、ランダム重合体、ブロック重合体又はグラフト共重合体のいずれであってもよい。また、主鎖に枝分かれがあり末端部が３つ以上ある高分子や、所謂デンドリマーであってもよい。
　中でも、正孔輸送層４の材料としては、ポリアリールアミン誘導体やポリアリーレン誘導体が好ましい。
　ポリアリールアミン誘導体としては、下記式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を含む重合体であることが好ましい。特に、下記式（ＩＩ）で表される繰り返し単位からなる重合体であることが好ましく、この場合、繰り返し単位それぞれにおいて、Ａｒａ又はＡｒｂが異なっているものであってもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
（式（ＩＩ）中、Ａｒａ及びＡｒｂは、各々独立して、置換基を有していてもよい、芳香環基を表す。）
　Ａｒａ，Ａｒｂの置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基としては、例えば、１価又は２価の遊離原子価を有する、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などの、１価又は２価の遊離原子価を有する６員環の単環又は２～５縮合環およびこれらの環が２環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。
　置換基を有していてもよい芳香族複素環基としては、例えば、１価又は２価の遊離原子価を有する、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、１価又は２価の遊離原子価を有する、５又は６員環の単環又は２～４縮合環およびこれらの環が２環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。
　溶解性、耐熱性の点から、ＡｒａおよびＡｒｂは、各々独立に、１価又は２価の遊離原子価を有する、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環、チオフェン環、ピリジン環、フルオレン環からなる群より選ばれる環やベンゼン環が２環以上連結してなる基（例えば、ビフェニル基（ビフェニル基）やターフェニレン基（ターフェニレン基））が好ましい。
　中でも、１価の遊離原子価を有する、ベンゼン環由来の基（フェニル基）、ベンゼン環が２環連結してなる基（ビフェニル基）およびフルオレン環由来の基（フルオレニル基）が好ましい。
　ＡｒａおよびＡｒｂにおける芳香環基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、芳香環基などが挙げられる。
　ポリアリーレン誘導体としては、前記式（ＩＩ）におけるＡｒａやＡｒｂとして例示した置換基を有していてもよい、芳香環基などのアリーレン基をその繰り返し単位に有する重合体が挙げられる。
　ポリアリーレン誘導体としては、下記式（Ｖ－１）及び／又は下記式（Ｖ－２）からなる繰り返し単位を有する重合体が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
（式（Ｖ－１）中、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ及びＲｄは、各々独立に、アルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、フェニルアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、又はカルボキシ基を表す。ｔ及びｓは、各々独立に、０～３の整数を表す。ｔ又はｓが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲａ又はＲｂは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲａ又はＲｂ同士で環を形成していてもよい。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
（式（Ｖ－２）中、Ｒｅ及びＲｆは、各々独立に、上記式（Ｖ－１）におけるＲａ、Ｒｂ、Ｒｃ又はＲｄと同義である。ｒ及びｕは、各々独立に、０～３の整数を表す。ｒ又はｕが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲｅ及びＲｆは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲｅ又はＲｆ同士で環を形成していてもよい。Ｘは、５員環又は６員環を構成する原子又は原子群を表す。）
　Ｘの具体例としては、－Ｏ－、－ＢＲ－、－ＮＲ－、－ＳｉＲ２－、－ＰＲ－、－ＳＲ－、－ＣＲ２－又はこれらが結合してなる基である。尚、Ｒは、水素原子又は任意の有機基を表す。本発明における有機基とは、少なくとも一つの炭素原子を含む基である。
　また、ポリアリーレン誘導体としては、前記式（Ｖ－１）及び／又は前記式（Ｖ－２）からなる繰り返し単位に加えて、さらに下記式（Ｖ－３）で表される繰り返し単位を有することが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
（式（Ｖ－３）中、Ａｒｃ～Ａｒｊは、各々独立に、置換基を有していてもよい、芳香環基を表す。ｖ及びｗは、各々独立に０又は１を表す。）
　Ａｒｃ～Ａｒｊの具体例としては、前記式（ＩＩ）における、Ａｒａ及びＡｒｂと同様である。
　上記式（Ｖ－１）～（Ｖ－３）の具体例及びポリアリーレン誘導体の具体例等は、日本国特開２００８－９８６１９号公報に記載のものなどが挙げられる。
　湿式成膜法で正孔輸送層４を形成する場合は、上記正孔注入層３の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、湿式成膜後、乾燥させる。
　正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔輸送材料の他、溶剤を含有する。用いる溶剤は、上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。また、成膜条件、乾燥条件等も正孔注入層３の形成の場合と同様である。
　真空蒸着法により正孔輸送層４を形成する場合もまた、その成膜条件等は上記正孔注入層３の形成の場合と同様である。
　正孔輸送層４は、上記正孔輸送材料の他、各種の発光材料、電子輸送材料、バインダー樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。
　正孔輸送層４はまた、架橋性化合物を架橋して形成される層であってもよい。架橋性化合物は、架橋性基を有する化合物であって、架橋することにより網目状高分子化合物を形成する。
　この架橋性基の例を挙げると、１価の遊離原子価を有するオキセタン、エポキシなどの環状エーテル；ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル、シンナモイル等の不飽和二重結合由来の基；１価の遊離原子価を有するベンゾシクロブテンなどが挙げられる。
　架橋性化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。架橋性化合物は１種のみを有していてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で有していてもよい。
　架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送材料を用いることが好ましい。正孔輸送材料としては、上記の例示したものなどが挙げられ、架橋性基を有する正孔輸送材料としては、これら正孔輸送材料に対して、架橋性基が主鎖又は側鎖に結合しているものなどが挙げられる。特に、架橋性基は、アルキレン基等の連結基を介して、主鎖に結合していることが好ましい。また、特に、正孔輸送材料としては、架橋性基を有する繰り返し単位を含む重合体であることが好ましい。特に、正孔輸送材料としては、上記式（ＩＩ）や式（Ｖ－１）～（Ｖ－３）に架橋性基が直接又は連結基を介して結合した繰り返し単位を有する重合体であることが好ましい。
　架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送材料を用いることが好ましい。正孔輸送材料の例を挙げると、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体；トリフェニルアミン誘導体；シロール誘導体；オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。その中でも、正孔輸送性化合物としては、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体；トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフェニルアミン誘導体がより好ましい。
　架橋性化合物を架橋して正孔輸送層４を形成するには、通常、架橋性化合物を溶剤に溶解又は分散した正孔輸送層形成用組成物を調製して、湿式成膜により成膜して架橋させる。
　正孔輸送層形成用組成物には、架橋性化合物の他、架橋反応を促進する添加物を含んでいてもよい。架橋反応を促進する添加物の例を挙げると、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩等の重合開始剤及び重合促進剤；縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物等の光増感剤などが挙げられる。
　また、正孔輸送層形成用組成物には、レベリング剤、消泡剤等の塗布性改良剤；電子受容性化合物；バインダー樹脂などを含有していてもよい。
　正孔輸送層形成用組成物は、架橋性化合物を通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上含有する。また、正孔輸送層形成用組成物は、架橋性化合物を通常５０重量％以下、好ましくは２０重量％以下、さらに好ましくは１０重量％以下含有する。
　網目状高分子化合物は、通常、このような濃度で架橋性化合物を含む正孔輸送層形成用組成物を下層（通常は正孔注入層３）上に成膜後、加熱および／又は光などの活性エネルギー照射により、架橋性化合物を架橋させることにより形成する。
　成膜時の温度、湿度などの条件は、前記正孔注入層の湿式成膜時と同様である。
　成膜後の加熱の手法は特に限定されない。加熱温度条件としては、通常１２０℃以上、好ましくは４００℃以下である。
　加熱時間としては、通常１分以上、好ましくは２４時間以下である。加熱手段としては、特に限定されない。加熱手段としては、成膜された層を有する積層体を、ホットプレート上に載せる又はオーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。加熱方法としては、具体的には、例えば、ホットプレート上で１２０℃以上で、１分間以上加熱する等の条件を用いることができる。
　光などの活性エネルギー照射により架橋させる場合における活性エネルギー照射の方法としては、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。光以外の活性エネルギー照射では、例えば、マグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法などが挙げられる。照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常、０．１秒以上、好ましくは１０時間以下照射される。
　加熱及び光などの活性エネルギー照射は、各方法や条件について、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。
　このようにして形成される正孔輸送層４の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
［発光層］
　発光層５は、電界を与えられた電極間において、陽極２から注入された正孔と、陰極９から注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。発光層５は、通常、正孔輸送層４がある場合には正孔輸送層４の上に、正孔輸送層４が無く、正孔注入層３がある場合には正孔注入層３の上に、正孔輸送層４も正孔注入層３も無い場合は、陽極２の上に形成することができる。
　発光層の構成材料及び形成方法等については、前述の通りである。
［正孔阻止層］
　発光層５と後述の電子注入層８との間に、正孔阻止層６を設けてもよい。正孔阻止層６は、電子輸送層のうち、更に陽極２から移動してくる正孔を陰極９に到達するのを阻止する役割をも担う層である。正孔阻止層６は、発光層５の上に、発光層５の陰極９側の界面に接するように積層される層である。本発明の有機電界発光素子においては、正孔阻止層は必須の構成層ではないが、発光層に隣接して正孔阻止層を設けた場合、この正孔阻止層が隣接電子輸送層となる。
　この正孔阻止層６は、陽極２から移動してくる正孔を陰極９に到達するのを阻止する役割と、陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とを有する。
　正孔阻止層６を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項エネルギー準位（Ｔ１）が高いことなどが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層６の材料としては、例えば、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２－メチル－８－キノラト）アルミニウム－μ－オキソ－ビス－（２－メチル－８－キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（日本国特開平１１－２４２９９６号公報）、３－（４－ビフェニルイル）－４－フェニル－５（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，２，４－トリアゾール等のトリアゾール誘導体（日本国特開平７－４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（日本国特開平１０－７９２９７号公報）などが挙げられる。更に、国際公開第２００５／０２２９６２号に記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止層６の材料として好ましい。
　なお、正孔阻止層６の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
　正孔阻止層６の形成方法に制限はない。従って、正孔阻止層６は、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成できる。
　正孔阻止層６の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意である。正孔阻止層６の膜厚は、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上、また、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。
［電子輸送層］
　電子輸送層７は、発光層５と後述の陰極９との間に設けられる層である。本発明の有機電界発光素子に、電子輸送層７が２層以上ある場合、このうち、最も陰極側にある層が陰極側電子輸送層となる。また、上述の正孔阻止層６を設けずに電子輸送層を２層以上設ける場合は、このうち、発光層に隣接している層が隣接電子輸送層となる。
　電子輸送層７の構成材料及び形成方法等については、前述の陰極側電子輸送層に記載の通りである。
［電子注入層］
　電子輸送層７と後述の陰極９との間に電子注入層８を設けてもよい。電子注入層８は、陰極９から電子輸送層７に電子を注入する（電子の受け渡しを補助する）層である。電子注入層８は、無機塩などの絶縁体（電子輸送性は無い）からなる。
　電子注入層８としては、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、炭酸セシウム（ＩＩ）（ＣｓＣＯ３）等が挙げられる（Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ，　１９９７年，　Ｖｏｌ．７０，　ｐｐ．１５２；日本国特開平１０－７４５８６号公報；ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ　ｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅｓ，　１９９７年，Ｖｏｌ．４４，　ｐｐ．１２４５；ＳＩＤ　０４　Ｄｉｇｅｓｔ，　ｐｐ．１５４等参照）。
　電子注入層８は、無機絶縁体であるため、電子注入を効率よく行なうには、極薄膜として用いることが好ましく、その膜厚は、通常０．１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以下である。
　なお、電子注入層８の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
　電子注入層８の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
［陰極９］
　陰極９は、発光層５側の層（電子注入層８又は発光層５など）に電子を注入する役割を果たす電極である。陰極９は、電源から有機電界発光素子へと電気を供給する回路との導通を取る役割を担う。
　陰極９の構成材料及び形成方法等については、前述の陰極の説明に記載の通りである。
［その他の層］
　本発明に係る有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。具体的には、例えば、その性能を損なわない限り、陽極２と陰極９との間に、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよく、また、上記説明にある層が省略されていてもよい。但し、いずれの場合であっても、発光層と陰極との間に発光層に隣接して設けられる電子輸送層が隣接電子輸送層となり、陰極と発光層との間に陰極に隣接して設けられる電子輸送層が陰極側電子輸送層となる。
　上記説明にある層の他に有していてもよい層としては、例えば、電子阻止層が挙げられる。
　電子阻止層を設ける場合は、通常、正孔注入層３又は正孔輸送層４と発光層５との間に設けられる。電子阻止層は、発光層５から移動してくる電子が正孔注入層３に到達するのを阻止することで、発光層５内で正孔と電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層５内に閉じこめる役割と、正孔注入層３から注入された正孔を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とがある。特に、発光材料として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合は、電子阻止層を設けることが効果的である。
　電子阻止層に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項エネルギー準位（Ｔ１）が高いこと等が挙げられる。更に、本発明においては、発光層５を本発明に係る有機層として湿式成膜法で作製する場合には、電子阻止層にも湿式成膜の適合性が求められる。このような電子阻止層に用いられる材料としては、Ｆ８－ＴＦＢに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体（国際公開第２００４／０８４２６０号）等が挙げられる。
　なお、電子阻止層の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
　電子阻止層の形成方法に制限はない。従って、電子阻止層は、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
　また、以上説明した層構成において、基板以外の構成要素を逆の順に積層することも可能である。例えば、図１の層構成であれば、基板１上に他の構成要素を陰極９、電子注入層８、陰極側電子輸送層７、正孔阻止層６（隣接電子輸送層）、発光層５、正孔輸送層４、正孔注入層３、陽極２の順に設けてもよい。
　更には、少なくとも一方が透明性を有する２枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、本発明に係る有機電界発光素子を構成することも可能である。
　また、基板以外の構成要素（発光ユニット）を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造）とすることも可能である。その場合には、各段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ、陰極がＡｌの場合は、それら２層）の代わりに、例えば五酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）等からなる電荷発生層（Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ　Ｌａｙｅｒ：ＣＧＬ）を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。
　更には、本発明に係る有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がＸ－Ｙマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。
　また、上述した各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。
〔有機電界発光デバイス〕
　本発明の有機電界発光デバイスは、基板上に、互いに異なる色に発光する２種類以上の有機電界発光素子を有する有機電界発光デバイスであって、該有機電界発光素子のうち、少なくとも１種類の有機電界発光素子が、発光層の電荷輸送材料と隣接電子輸送層の電荷輸送材料とが上述の式（１）、好ましくは式（３）を満たし、陰極材料の仕事関数と陰極側電子輸送層の電荷輸送材料とが上述の式（２）を満たす有機電界発光素子であることを特徴とする。
　この有機電界発光デバイスにおいて、すべての有機電界発光素子が本発明の有機電界発光素子であることが好ましく、また、有機電界発光素子のうち、少なくとも２種類の有機電界発光素子が有する隣接電子輸送層が同一の材料構成であることが好ましく、同一の材料構成で且つ同一の膜厚であることがさらに好ましい。その理由は、各有機電界発光素子にあわせて隣接電子輸送層を形成する場合に比べて、有機電界発光デバイスを製造する際において、コストダウンが期待できるためである。特に、隣接電子輸送層を蒸着法で形成する場合、各有機電界発光素子にあわせて隣接電子輸送層を形成するためのマスクを設ける必要が無いことは、有機電界発光デバイスを製造する際において、非常に大きなコストダウンにつながる。
〔有機ＥＬ表示装置〕
　本発明の有機ＥＬ表示装置は、上述の本発明の有機電界発光素子を用いたものである。本発明の有機ＥＬ表示装置の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
　例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社、平成１６年８月２０日発行、時任静士、安達千波矢、村田英幸著）に記載されているような方法で、本発明の有機ＥＬ表示装置を形成することができる。
〔有機ＥＬ照明〕
　本発明の有機ＥＬ照明は、上述の本発明の有機電界発光素子を用いたものである。本発明の有機ＥＬ照明の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
　次に、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
　なお、素子作製に用いた材料は、各々以下のようにして合成した。
・　Ｐ１及びＨ１・・・日本国特開２００９－２８７０００号公報に記載の方法に基づいて合成した。
・　ｅＨ－３及びｅＨ－７・・・日本国特開２００６－１８８４９３号公報に記載の方法に基づいて合成した。
・　ｈＨ－１・・・日本国特開２０１１－２６２３７号公報に記載の方法に基づいて合成した。
・　Ｄ－１・・・日本国特開２０１０－２０２６４４号公報に記載の方法に基づいて合成した。
・　Ｄ－２・・・日本国特願２０１０－２２５２３０号に記載の方法に基づいて合成した。
・　ｅＨ－１１・・・日本国特開２００５－２６８１９９号公報に記載の方法に基づいて合成した。
・　ｅＨ－４・・・日本国特開２０１０－２３５７０８号公報に記載の方法に基づいて合成した。
　これら以外の材料は、以下の反応スキーム［Ａ］～［Ｈ］を組み合わせることにより合成した。
［Ａ］Ｃｚ－Ａｒカップリング（参考文献：欧州特許出願公開第１８２０８０１号明細書）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
［Ｂ］ＮＨ－Ａｒカップリング（参考文献：Ｊ．　Ｏｒｇ．　Ｃｈｅｍ．，　Ｖｏｌ．　６４，　Ｎｏ．　１５，　１９９９）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
［Ｃ］Ａｒ－Ａｒカップリング（参考文献：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｒｅｖｉｅｗｓ，　９５　（７），　２４５７－２４８３．）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
  
［Ｄ］ボロン酸合成（参考文献：Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｓｏｃｉｅｔｙ，　１１２（２２），　８０２４－３４（１９９０））
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
［Ｅ］Ａｒ－Ｂカップリング（参考文献：Ｊ．　Ｏｒｇ．　Ｃｈｅｍ．，　６０（２３），　７５０８－１０（１９９５））
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
［Ｆ］ピリミジン骨格とのカップリング反応（参考文献：Ｊ．　Ｏｒｇ．　Ｃｈｅｍ．，　６６，　７１２５－７１２８（２００１））
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
［Ｇ］ピリジン環形成反応（参考文献：Ｊ．　Ｃｈｅｍ．　Ｓｏｃ．，　Ｐｅｒｋｉｎ　Ｔｒａｎｓ．　１，　３２５８-３２６４　（２００１））
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
［Ｈ］トリアジン骨格とのカップリング反応（参考文献：Ｏｒｇ．　Ｌｅｔｔ．，　Ｖｏｌ．　１０，　Ｎｏ．　５，　２００８）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000037
　具体的には、ｅＨ－８は、以下の反応スキームのようにして合成することが可能である。そして、同様の方法にて、ｅＨ－１、ｅＨ－２、ｅＨ－５、ｅＨ－６を得ることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000038
　ｈＨ－２は、以下の反応スキームのようにして合成することが可能である。そして、同様の方法にて、ｈＨ－３を得ることもできる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000039
　ＨＢ－１は、以下の反応スキームのようにして合成することが可能である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000040
　ＨＢ－２は、以下の反応スキームのようにして合成することが可能である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000041
　ＨＢ－４は、以下の反応スキームのようにして合成することが可能である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000042
　ｅＨ－９は、以下の反応スキームのようにして合成することが可能である。そして、同様の方法にて、ｅＨ－１０及びｅＨ－１１を得ることもできる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000043
　ＨＢ－３は、以下の反応スキームのようにして合成することが可能である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000044
　Ｄ－３は、以下の反応スキームのようにして合成することが可能である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000045
〔電荷輸送材料の電子親和力（ＥＡ）の測定〕
　以下の実施例及び比較例において、発光層、隣接電子輸送層である正孔阻止層及び陰極側電子輸送層である電子輸送層に用いた電荷輸送材料について、以下の方法で電子親和力（ＥＡ）を測定した。
　まず、ガラス基板上に、ＩＴＯ透明導電膜を７０ｎｍの厚さに堆積した基板（三容真空社製、スパッタ成膜品）に対して、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させた後、紫外線オゾン洗浄を施した。
　各電荷輸送材料（ｈＨ－１～ｈＨ－３、ｅＨ－１、ｅＨ－２、ｅＨ－４～ｅＨ－１０、ＨＢ－１～ＨＢ－４、Ａｌｑ３）の１重量％トルエン溶液を調製し、この洗浄した基板上にスピンコート法にて下記の条件で成膜することにより、膜厚５０ｎｍの電荷輸送材料の膜を得た。また、一部の材料（ｅＨ－３及びｅＨ－１１）については、前述の洗浄した基板を真空蒸着装置内に搬入し、粗排気を行った後、装置内の真空度が３．０×１０－４Ｐａ以下になるまでクライオポンプを用いて排気し、基板上に電荷輸送材料を真空蒸着法によって積層して電荷輸送材料の薄膜を得た。蒸着時の真空度は、２．２×１０－４Ｐａ以下を保ち、蒸着速度は、０．６～１．２Å／秒の範囲で制御し、膜厚５０ｎｍの膜を基板上に形成した。
　これらのサンプルについて、オプテル社製「ＰＣＲ－１０１」を用いて、１０Ｔｏｒｒ以下まで真空引きした状態で、イオン化ポテンシャルＩＰを測定した。
　同じ工程で成膜したサンプルを用いて、日立社製分光蛍光光度計「Ｆ－４５００」を用いて、透過光スペクトル、即ち、薄膜吸収スペクトルを測定し、その短波長側の立ち上がり部分で吸収スペクトルとベースラインの接線を引き、該両接線の交点の波長Ｗ（ｎｍ）から下記式により、バンドギャップＥｇを算出した。
　　Ｅｇ＝１２４０／Ｗ
　イオン化ポテンシャルＩＰとバンドギャップＥｇの和から、電子親和力の絶対値ＥＡを算出した。結果は、下記表１に示す通りであった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000046
　後述の実施例及び比較例における発光層では、発光層に２種類以上の電荷輸送材料を使用した場合、最も大きい電子親和力を持つ電荷輸送材料を電子輸送材料（ｅ－ｈｏｓｔ）とし、最も小さい電子親和力を持つ電荷輸送材料を正孔輸送材料（ｈ－ｈｏｓｔ）とした。
　なお、発光層に１種類しか電荷輸送材料を用いない場合は、表記上電子輸送材料として記載した。
〔電荷検出量の比Ｑ（ｅ）／Ｑ（ｈ）の測定〕
　発光層に用いた電荷輸送材料の電荷検出量の比「Ｑ（ｅ）／Ｑ（ｈ）」を以下のようにして測定した。
　上述の電子親和力（ＥＡ）の測定と同様にして、基板（三容真空社製、スパッタ成膜品）を洗浄した。各電荷輸送材料（ｈＨ－１～ｈＨ－３及びｅＨ－１～ｅＨ－８）の１０重量％クロロホルム溶液を作製し、この洗浄した基板上にスピンコート法にて下記の条件で成膜することにより、膜厚２μｍの電荷輸送材料の膜を得た。これらのサンプルについて、ＩＴＯ電極が陽極、対電極が陰極となるように電界強度１６０ｋＶ／ｃｍをかけた状態で、ｈＨ－１～ｈＨ－３、ｅＨ－１、ｅＨ－２及びｅＨ－４～ｅＨ－８は、日本レーザー社製「Ｂｒｉｏ（Ｎｄ：ＹＡＧパルスレーザー）」（励起波長３５５ｎｍ、パルス幅４ｎｓ）を、ｅＨ－３は、スペクトラフィジクス社製「ＶＳＬ－３３７ＮＤ－Ｓ（窒素レーザー）」（励起波長３３７ｎｍ、パルス幅＜４ｎｓ）を各々光源に用いて、ＮＤフィルターで２０μＪに１パルス当たりの光量を調整し、ＩＴＯ電極側から照射し、その際に流れる電流値をオシロスコープ（テクトロニクス社製「ＴＤＳ２０２２」）を用いて測定することにより、正孔の電荷量Ｑ（ｈ）を算出した。また、ＩＴＯ電極が陰極、対電極が陽極なるようにして、同様の操作を行うことにより、電子の電荷量Ｑ（ｅ）を算出した。この比より、電荷検出量の比「Ｑ（ｅ）／Ｑ（ｈ）」を求めた。結果は、下記表２に示す通りであった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000047
〔特性評価用素子の作製及び評価〕
［実施例１］
　図１に示す有機電界発光素子を作製した。
　まず、ガラス基板上１に、ＩＴＯ透明導電膜を７０ｎｍの厚さに堆積し、２ｍｍ幅のストライプにパターニングして、ＩＴＯの陽極２を形成した基板（三容真空社製、スパッタ成膜品）について、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄した後、圧縮空気で乾燥させ、紫外線オゾン洗浄を施した。
　次に、下記（Ｐ１）で表される繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子化合物を２．０重量％と、下記（Ａ１）で表される４－イソプロピル－４’－メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラートを０．８重量％含む安息香酸エチル溶液（正孔注入層形成用組成物）を調製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000048
　この正孔注入層形成用組成物を、下記に示す成膜条件でスピンコート法により上記ＩＴＯ基板上に成膜し、さらに下記に示すベーク条件にてベークすることにより、膜厚３０ｎｍの正孔注入層３を得た。
＜成膜条件＞
　スピナ回転数　　　　　２２５０ｒｐｍ
　スピナ回転時間　　　　３０秒
　スピンコート雰囲気　　大気雰囲気下
　ベーク条件　　　　　　大気雰囲気下，２３０℃，１時間
　その後、下記（Ｈ１）で表される正孔輸送性高分子化合物の１重量％シクロヘキシルベンゼン溶液（正孔輸送層形成用組成物）を調製し、これを下記に示す成膜条件で正孔注入層３上にスピンコートにて成膜し、ベークによる架橋処理を行うことで、膜厚１５ｎｍの正孔輸送層４を形成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000049
＜成膜条件＞
　スピナ回転数　　　　　１５００ｒｐｍ
　スピナ回転時間　　　　１２０秒
　スピンコート雰囲気　　窒素雰囲気下
　ベーク条件　　　　　　窒素雰囲気下，２３０℃，１時間
　次に、発光層５を形成するにあたり、以下に示す発光材料（Ｄ－１）及び（Ｄ－２）と、電子輸送材料（ｅＨ－１）（電子輸送を担う電荷輸送材料）及び正孔輸送材料（ｈＨ－１）を用いて、下記に示す組成の発光層形成用組成物を調製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000050
＜発光層形成用組成物組成＞　
　　　溶剤　　　　　　　シクロヘキシルベンゼン
　　　成分濃度　　　　　（Ｄ－１）：０．２５重量％
　　　　　　　　　　　　（Ｄ－２）：０．３５重量％
　　　　　　　　　　　　（ｅＨ－１）：１．２５重量％
　　　　　　　　　　　　（ｈＨ－１）：３．７５重量％
　この発光層形成用組成物を用いて、以下に示す条件で正孔輸送層４上にスピンコート法にて成膜し、下記に示すベーク条件でベーク処理を行うことで、膜厚６０ｎｍの発光層５を形成した。
＜成膜条件＞
　　スピナ回転数　　　　１５００ｒｐｍ
　　スピナ回転時間　　　１２０秒
　　スピンコート雰囲気　窒素雰囲気下
　　ベーク条件　　　　　窒素雰囲気下，２３０℃，１０分
　次に、正孔注入層３、正孔輸送層４及び発光層５を湿式成膜した基板を真空蒸着装置内に搬入し、粗排気を行った後、クライオポンプを用いて装置内の真空度が３．０×１０－４Ｐａ以下になるまで排気した。発光層５の上に、真空度を２．２×１０－４Ｐａ以下に保った状態で、上記構造式（ｅＨ－１）で表される化合物を蒸着速度０．６～１．２Å／秒で膜厚１０ｎｍ積層することにより正孔阻止層６（隣接電子輸送層）を形成した。
　次いで、真空度を２．２×１０－４Ｐａ以下に保った状態で、正孔阻止層６の上に、トリス（８－ヒドロキシキノリナート）アルミニウム（Ａｌｑ３）を加熱して、蒸着速度０．７～１．３Å／秒で膜厚２０ｎｍ積層することにより電子輸送層７（陰極側電子輸送層）を形成した。
　ここで、電子輸送層７までの蒸着を行った素子を、有機層蒸着用チャンバーから金属蒸着用チャンバーへと搬送した。陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極２のＩＴＯストライプと直交するように素子に密着させて設置した。有機層蒸着時と同様にして装置内を真空度が１．１×１０－４Ｐａ以下になるまで排気した。
　その後、真空度を１．０×１０－４Ｐａ以下に保った状態で、電子輸送層７の上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を、モリブデンボートを用いて加熱することにより蒸着速度０．０７～０．１５Å／秒で膜厚０．５ｎｍ積層することにより電子注入層８を形成した。次に、同様にして、真空度を２．０×１０－４Ｐａに保った状態で、アルミニウムを、モリブデンボートを用いて加熱することにより、蒸着速度０．６～１０．０Å／秒で膜厚８０ｎｍ蒸着することにより、陰極９を形成した。以上の電子注入層８及び陰極９の蒸着時の基板温度は、室温に保持した。なお、アルミニウムのＷＦは、４．２８ｅＶである（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，４８．４７２９（１９７７）参照）。
　引き続き、素子が保管中に大気中の水分等で劣化することを防ぐため、以下に記載の方法で封止処理を行った。
　窒素グローブボックス中で、２３ｍｍ×２３ｍｍサイズのガラス板の外周部に、１ｍｍの幅で光硬化性樹脂３０Ｙ－４３７（スリーボンド社製）を塗布し、中央部に水分ゲッターシート（ダイニック社製）を設置した。この上に、陰極の形成を終了した基板を搬入し、蒸着された面が乾燥剤シートと対向するように貼り合わせた。その後、光硬化性樹脂が塗布された領域のみに紫外光を照射し、樹脂を硬化させた。
　以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。
　得られた素子の電流－電圧－輝度（ＩＶＬ）特性の測定を行い、１０００ｃｄ／ｍ２時の駆動電圧（Ｖ１ｋ，単位：Ｖ）、輝度効率（Ｌ／Ｊ１ｋ，単位：ｃｄ／Ａ）、発光効率（η１ｋ，単位：ｌｍ／ｗ）を算出した。また、定電流駆動試験を行い、７割まで輝度が減衰した時の時間を用いて、初期輝度１０００ｃｄ／ｍ２での輝度７割減寿命（τ７０）を求めた。各測定値を、｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜の値及び｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜の値と共に表３及び４にまとめた。
［実施例２］
　発光層において、実施例１で用いた電子輸送材料である（ｅＨ－１）の代わりに、以下に示す電子輸送材料（ｅＨ－２）を用いた以外は実施例１と同様の方法で有機電界発光素子を作製し、同様に評価を行って、｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜の値及び｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜の値と共に結果を表３及び４にまとめた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000051
［実施例３］
　正孔阻止層において、実施例１で用いた電子輸送材料である（ｅＨ－１）の代わりに、以下に示す電子輸送材料（ｅＨ－５）を用いた以外は実施例１と同様の方法で有機電界発光素子を作製し、同様に評価を行って、｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜の値及び｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜の値と共に結果を表３及び４にまとめた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000052
［比較例１］
　発光層において実施例１で用いた電子輸送材料である（ｅＨ－１）の代わりに、以下に示す電子輸送材料（ｅＨ－３）を用いた以外は実施例１と同様の方法で有機電界発光素子を作製し、同様に評価を行って、｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜の値及び｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜の値と共に結果を表３及び４にまとめた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000053
［比較例２］
　発光層において、実施例１で用いた電子輸送材料である（ｅＨ－１）の代わりに前記の電子輸送材料（ｅＨ－３）を用いて、正孔輸送材料である（ｈＨ－１）の代わりに以下に示す正孔輸送材料（ｈＨ－３）を用いて、正孔阻止層で用いた電子輸送材料である（ｅＨ－１）の代わりに以下に示す電子輸送材料（ＨＢ－１）を用いた以外は、実施例１と同様の方法で有機電界発光素子を作製し、同様に評価を行って、｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜の値及び｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜の値と共に結果を表３及び４にまとめた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000054
［比較例３］
　発光層において、実施例１で用いた電子輸送材料である（ｅＨ－１）の代わりに以下に示す電子輸送材料（ｅＨ－６）を用いて、正孔輸送材料である（ｈＨ－１）の代わりに前記の正孔輸送材料（ｈＨ－３）を用いて、正孔阻止層で用いた電子輸送材料である（ｅＨ－１）の代わりに以下に示す電子輸送材料（ＨＢ－２）を用いた以外は、実施例１と同様の方法で有機電界発光素子を作製し、同様に評価を行って、｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜の値及び｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜の値と共に結果を表３及び４にまとめた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000055
［比較例４］
　発光層において、実施例１で用いた電子輸送材料である（ｅＨ－１）の代わりに以下に示す電子輸送材料（ｅＨ－８）を用いて、正孔輸送材料である（ｈＨ－１）の代わりに前記の正孔輸送材料（ｈＨ－３）を用いて、正孔阻止層で用いた電子輸送材料である（ｅＨ－１）の代わりに前記の電子輸送材料（ｅＨ－５）を用いた以外は、実施例１と同様の方法で有機電界発光素子を作製し、同様に評価を行って、｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜の値及び｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜の値と共に結果を表３及び４にまとめた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000056
［比較例５］
　発光層において、実施例１で用いた電子輸送材料である（ｅＨ－１）の代わりに前記の電子輸送材料（ｅＨ－６）を用いて、正孔輸送材料である（ｈＨ－１）の代わりに前記の正孔輸送材料（ｈＨ－３）を用いて、正孔阻止層で用いた電子輸送材料である（ｅＨ－１）の代わりに以下に示す電子輸送材料（ＨＢ－３）を用いた以外は、実施例１と同様の方法で有機電界発光素子を作製し、同様に評価を行って、｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜の値及び｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜の値と共に結果を表３及び４にまとめた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000057
［比較例６］
　発光層において実施例１で用いた電子輸送材料である（ｅＨ－１）の代わりに以下に示す電子輸送材料（ｅＨ－４）を用いた以外は、実施例１と同様の方法で有機電界発光素子を作製し、同様に評価を行って、｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜の値及び｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜の値と共に結果を表３及び４にまとめた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000058
　表３及び４の通り、発光層の電荷輸送材料のうち電子輸送を担う電荷輸送材料の電子親和力の絶対値｜ＥＡ１｜と、隣接電子輸送層に相当する正孔阻止層に含有される電子親和力の絶対値が最も大きい電荷輸送材料の電子親和力の絶対値｜ＥＡ２｜の関係が式（１）を満たし、陰極側電子輸送層に含有される電子親和力の絶対値が最も大きい電荷輸送材料の電子親和力の絶対値｜ＥＡ３｜と、陰極の仕事関数の絶対値｜ＷＦ｜の関係が式（２）を満たす範囲内において、発光特性に大きな低下は見られず、寿命特性が良好になる結果を得た。
［実施例４］
　発光層において実施例１で用いた発光材料（Ｄ－１）、（Ｄ－２）の代わりに（Ｄ－１）のみを、電子輸送材料（ｅＨ－１）の代わりに前記の電子輸送材料（ｅＨ－５）を、及び正孔輸送材料（ｈＨ－１）の代わりに以下に示す（ｈＨ－２）を用い、正孔阻止層において電子輸送材料（ｅＨ－１）の代わりに、前記の電子輸送材料（ｅＨ－５）を用いた以外は実施例１と同様の方法で有機電界発光素子を作製し、同様に評価を行って、｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜の値及び｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜の値と共に結果を表３及び４にまとめた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000059
［実施例５］
　発光層において実施例４で用いた電子輸送材料である（ｅＨ－５）の代わりに、前記の電子輸送材料（ｅＨ－６）を用いた以外は実施例４と同様の方法で有機電界発光素子を作製し、同様に評価を行って、｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜の値及び｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜の値と共に結果を表３及び４にまとめた。
［実施例６］
　発光層において実施例４で用いた電子輸送材料である（ｅＨ－５）の代わりに、前記の電子輸送材料（ｅＨ－２）を用いた以外は実施例４と同様の方法で有機電界発光素子を作製し、同様に評価を行って、｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜の値及び｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜の値と共に結果を表３及び４にまとめた。
［比較例７］
　発光層において実施例４で用いた電子輸送材料である（ｅＨ－５）の代わりに、以下に示す電子輸送材料（ｅＨ－７）を用い、正孔輸送材料である（ｈＨ－２）の代わりに、正孔輸送材料（ｈＨ－３）を用い、正孔阻止層に用いた電子輸送材料（ｅＨ－５）の代わりに前記の電子輸送材料（ｅＨ－１）を用いた以外は実施例４と同様の方法で有機電界発光素子を作製し、同様に評価を行って、｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜の値及び｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜の値と共に結果を表３及び４にまとめた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000060
［比較例８］
　発光層において比較例７で用いた電子輸送材料である（ｅＨ－７）の代わりに、前記の電子輸送材料（ｅＨ－８）を用いた以外は比較例７と同様の方法で有機電界発光素子を作製し、同様に評価を行って、｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜の値及び｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜の値と共に結果を表３及び４にまとめた。
［比較例９］
　発光層において比較例７で用いた電子輸送材料である（ｅＨ－７）の代わりに、前記の電子輸送材料（ｅＨ－６）を用いて、正孔阻止層で用いた電子輸送材料である（ｅＨ－１）の代わりに前記の電子輸送材料（ＨＢ－３）を用いた以外は比較例７と同様の方法で有機電界発光素子を作製し、同様に評価を行って、｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜の値及び｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜の値と共に結果を表３及び４にまとめた。
［比較例１０］
　発光層において比較例７で用いた電子輸送材料である（ｅＨ－７）の代わりに、前記の電子輸送材料（ｅＨ－４）を用いた以外は比較例７と同様の方法で有機電界発光素子を作製し、同様に評価を行って、｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜の値及び｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜の値と共に結果を表３及び４にまとめた。
　表３及び４の通り、発光層の電荷輸送材料のうち電子輸送を担う電荷輸送材料の電子親和力の絶対値｜ＥＡ１｜と、隣接電子輸送層に相当する正孔阻止層に含有される電子親和力の絶対値が最も大きい電荷輸送材料の電子親和力の絶対値｜ＥＡ２｜の関係が式（１）を満たし、陰極側電子輸送層に含有される電子親和力の絶対値が最も大きい電荷輸送材料の電子親和力の絶対値｜ＥＡ３｜と、陰極の仕事関数の絶対値｜ＷＦ｜の関係が式（２）を満たす範囲内において、明確な駆動電圧の低下、輝度効率の向上が見られ、寿命特性が向上する結果を得た。
［実施例７］
　発光層において実施例１で用いた発光材料（Ｄ－１）及び（Ｄ－２）の代わりに以下に示す（Ｄ－３）のみを用い、電子輸送材料（ｅＨ－１）の代わりに以下に示す電子輸送材料（ｅＨ－９）のみを用い、正孔輸送材料を用いず、正孔阻止層において（ｅＨ－１）の代わりに、以下に示す電子輸送材料（ｅＨ－９）を用いた以外は実施例１と同様の方法で有機電界発光素子を作製し、同様に評価を行って、｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜の値及び｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜の値と共に結果を表３及び４にまとめた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000061
［実施例８］
　発光層において実施例７で用いた電子輸送材料である（ｅＨ－９）の代わりに、以下に示す電子輸送材料（ｅＨ－１０）を用いた以外は実施例７と同様の方法で有機電界発光素子を作製し、同様に評価を行って、｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜の値及び｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜の値と共に結果を表３及び４にまとめた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000062
［実施例９］
　正孔阻止層において実施例７で用いた電荷輸送材料（ｅＨ－９）の代わりに、前記の電荷輸送材料（ｅＨ－１）を用いた以外は実施例７と同様の方法で有機電界発光素子を作製し、同様に評価を行って、｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜の値及び｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜の値と共に結果を表３及び４にまとめた。
［比較例１１］
　正孔阻止層において実施例７で用いた電荷輸送材料（ｅＨ－９）の代わりに、以下に示す電荷輸送材料（ｅＨ－１１）を用いた以外は実施例７と同様の方法で有機電界発光素子を作製し、同様に評価を行って、｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜の値及び｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜の値と共に結果を表３及び４にまとめた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000063
［比較例１２］
　正孔阻止層において実施例７で用いた電荷輸送材料（ｅＨ－９）の代わりに、以下に示す電荷輸送材料（ＨＢ－４）を用いた以外は実施例７と同様の方法で有機電界発光素子を作製し、同様に評価を行って、｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜の値及び｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜の値と共に結果を表３及び４にまとめた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000064
［比較例１３］
　正孔阻止層において実施例７で用いた電荷輸送材料（ｅＨ－９）の代わりに、前記の電荷輸送材料（ｅＨ－６）を用いた以外は実施例７と同様の方法で有機電界発光素子を作製し、同様に評価を行って、｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜の値及び｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜の値と共に結果を表３及び４にまとめた。
　表３及び４の通り、発光層の電荷輸送材料のうち電子輸送を担う電荷輸送材料の電子親和力の絶対値｜ＥＡ１｜と、隣接電子輸送層に相当する正孔阻止層に含有される電子親和力の絶対値が最も大きい電荷輸送材料の電子親和力の絶対値｜ＥＡ２｜の関係が式（１）を満たし、陰極側電子輸送層に含有される電子親和力の絶対値が最も大きい電荷輸送材料の電子親和力の絶対値｜ＥＡ３｜と、陰極の仕事関数の絶対値｜ＷＦ｜の関係が式（２）を満たす範囲内において、発光効率を維持しつつ、寿命特性が良好になる結果を得た。
［比較例１４］
　発光層において実施例１で用いた電子輸送材料（ｅＨ－１）の代わりに前記の電子輸送材料（ｅＨ－５）を用いて、正孔輸送材料（ｈＨ－１）の代わりに前記の正孔輸送材料（ｈＨ－３）を用いて、正孔阻止層において電子輸送材料（ｅＨ－１）の代わりに前記の電子輸送材料（ｅＨ－３）を用いて、電子輸送層においてＡｌｑ３の代わりに前記の電子輸送材料（ｅＨ－３）を用いた以外は実施例１と同様の方法で有機電界発光素子を作製し、同様に評価を行って、｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜の値及び｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜の値と共に結果を表３及び４にまとめた。
［比較例１５］
　発光層において実施例４で用いた正孔輸送材料（ｈＨ－２）の代わりに前記の正孔輸送材料（ｈＨ－３）を用いて、正孔阻止材料（ｅＨ－５）の代わりに前記の電子輸送材料（ｅＨ－３）を用いて、電子輸送層において電子輸送材料Ａｌｑ３の代わりに前記の電子輸送材料（ｅＨ－３）を用いた以外は、実施例４と同様の方法で有機電界発光素子を作製し、同様に評価を行って、｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜の値及び｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜の値と共に結果を表３及び４にまとめた。
［比較例１６］
　発光層において実施例１で用いた正孔輸送材料（ｈＨ－１）の代わりに前記の正孔輸送材料（ｈＨ－３）を用いて、電子輸送材料（ｅＨ－１）の代わりに前記の電子輸送材料（ｅＨ－５）を用いて発光層を形成し、電子輸送材料（ｅＨ－１）の代わりに電子輸送材料（ｅＨ－３）を用いて正孔阻止層を作製し、電子輸送層において電子輸送材料Ａｌｑ３の代わりに前記の電子輸送材料（ｅＨ－３）とＬｉＦを用いて体積比でｅＨ－３：ＬｉＦ＝９４：６となるように共蒸着した層を用いた以外は、実施例１と同様の方法で有機電界発光素子を作製し、同様に評価を行って、｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜の値及び｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜の値と共に結果を表３及び４にまとめた。
［比較例１７］
　発光層において実施例４で用いた正孔輸送材料（ｈＨ－２）の代わりに前記の正孔輸送材料（ｈＨ－３）を用いて発光層を形成し、電子輸送材料（ｅＨ－５）の代わりに前期の電子輸送材料（ｅＨ－３）を用いて正孔阻止層を作製し、電子輸送層において電子輸送材料Ａｌｑ３の代わりに前記の電子輸送材料（ｅＨ－３）とＬｉＦを用いて体積比でｅＨ－３：ＬｉＦ＝９４：６となるように共蒸着した層を用いた以外は、実施例４と同様の方法で有機電界発光素子を作製し、同様に評価を行って、｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜の値及び｜ＷＦ｜－｜ＥＡ３｜の値と共に結果を表３及び４にまとめた。
　表３及び４の通り、発光層の電荷輸送材料のうち電子輸送を担う電荷輸送材料の電子親和力の絶対値｜ＥＡ１｜と、隣接電子輸送層に相当する正孔阻止層に含有される電子親和力の絶対値が最も大きい電荷輸送材料の電子親和力の絶対値｜ＥＡ２｜の関係が式（１）を満たし、陰極側電子輸送層に含有される電子親和力の絶対値が最も大きい電荷輸送材料の電子親和力の絶対値｜ＥＡ３｜と、陰極の仕事関数の絶対値｜ＷＦ｜の関係が式（２）を満たす範囲内において、発光効率を維持しつつ、寿命特性が良好になる結果を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000065
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000066
　本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。本出願は２０１０年７月８日出願の日本特許出願（特願２０１０－１５５９１８）に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
　１　基板　
　２　陽極　
　３　正孔注入層　
　４　正孔輸送層　
　５　発光層　
　６　正孔阻止層　
　７　電子輸送層　
　８　電子注入層　
　９　陰極　
　１０　有機電界発光素子

Claims (10)

  1. 　陽極、発光層、２層以上の電子輸送層及び陰極をこの順に有する有機電界発光素子であって、
    　該２層以上の電子輸送層の少なくとも１層は該発光層に隣接しており、
    　該発光層が発光材料及び電荷輸送材料を含有し、
    　該発光層に隣接している電子輸送層が電荷輸送材料を含有し、
    　該発光層に含有される電荷輸送材料と該発光層に隣接している電子輸送層に含有される電荷輸送材料は、互いに同一の材料であっても異なる材料であってもよく、
    　該発光層に含有される電荷輸送材料のうち、電子輸送を担う電荷輸送材料の電子親和力をＥＡ１、
    　該発光層に隣接している電子輸送層に含有される電荷輸送材料のうち、電子親和力の絶対値が最も大きい電荷輸送材料の電子親和力をＥＡ２としたときに、
    　ＥＡ１とＥＡ２が下記式（１）で表される関係を満たし、
    　該２層以上の電子輸送層のうち、最も陰極側の電子輸送層に含有される電荷輸送材料のうち、電子親和力の絶対値が最も大きい電荷輸送材料の電子親和力をＥＡ３、
    　該陰極の仕事関数をＷＦとしたときに、
    　ＥＡ３とＷＦが下記式（２）で表される関係を満たす、有機電界発光素子。
    　式（１）：　０．００ｅＶ≦｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜≦０．２０ｅＶ
    　式（２）：－１．６０ｅＶ≦｜ＷＦ｜　－｜ＥＡ３｜≦１．６０ｅＶ
  2. 　前記電子親和力ＥＡ１と前記電子親和力ＥＡ２が下記式（３）で表される関係を満たす、請求項１に記載の有機電界発光素子。
    　式（３）：０．００ｅＶ＜｜ＥＡ１｜－｜ＥＡ２｜≦０．２０ｅＶ
  3. 　前記電子親和力ＥＡ３と前記仕事関数ＷＦが下記式（４）で表される関係を満たす、請求項１又は２に記載の有機電界発光素子。
    　式（４）：０．００ｅＶ≦｜ＷＦ｜　－｜ＥＡ３｜≦１．６０ｅＶ
  4. 　前記発光層に隣接している電子輸送層が、前記発光層に含有されている電荷輸送材料とは異なる電荷輸送材料を含有している、請求項１乃至３の何れか１項に記載の有機電界発光素子。
  5. 　前記発光層が湿式成膜法により作製された層である、請求項１乃至４の何れか１項に記載の有機電界発光素子。
  6. 　基板上に、互いに異なる色に発光する２種類以上の有機電界発光素子を有する有機電界発光デバイスであって、
    　該有機電界発光素子のうち、少なくとも１種類の有機電界発光素子が請求項１乃至５の何れか１項に記載の有機電界発光素子である、有機電界発光デバイス。
  7. 　前記有機電界発光素子の全ての有機電界発光素子が請求項１乃至５の何れか１項に記載の有機電界発光素子である、請求項６に記載の有機電界発光デバイス。
  8. 　前記有機電界発光素子のうち、少なくとも２種類の有機電界発光素子が有する前記発光層に隣接している電子輸送層が同一である、請求項６又は７に記載の有機電界発光デバイス。
  9. 　請求項１乃至５の何れか１項に記載の有機電界発光素子を含む、有機ＥＬ表示装置。
  10. 　請求項１乃至５の何れか１項に記載の有機電界発光素子を含む、有機ＥＬ照明。
PCT/JP2011/065598 2010-07-08 2011-07-07 有機電界発光素子、有機電界発光デバイス、有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ照明 Ceased WO2012005329A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020127033845A KR101964998B1 (ko) 2010-07-08 2011-07-07 유기 전계 발광 소자, 유기 전계 발광 디바이스, 유기 ｅｌ 표시 장치 및 유기 ｅｌ 조명
CN201180033220.9A CN102986052B (zh) 2010-07-08 2011-07-07 有机电致发光元件、有机电致发光器件、有机el显示装置和有机el照明
EP11803663.1A EP2592671B1 (en) 2010-07-08 2011-07-07 Organic electroluminescent element, organic electroluminescent device, organic el display device, and organic el lighting
US13/736,423 US8754399B2 (en) 2010-07-08 2013-01-08 Organic electroluminescence element, organic electroluminescence device, organic el display device, and organic el lighting

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010155918 2010-07-08
JP2010-155918 2010-07-08

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US13/736,423 Continuation US8754399B2 (en) 2010-07-08 2013-01-08 Organic electroluminescence element, organic electroluminescence device, organic el display device, and organic el lighting

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012005329A1 true WO2012005329A1 (ja) 2012-01-12

Family

ID=45441306

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/065598 Ceased WO2012005329A1 (ja) 2010-07-08 2011-07-07 有機電界発光素子、有機電界発光デバイス、有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ照明

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8754399B2 (ja)
EP (1) EP2592671B1 (ja)
JP (2) JP2012033918A (ja)
KR (1) KR101964998B1 (ja)
CN (1) CN102986052B (ja)
TW (1) TWI553930B (ja)
WO (1) WO2012005329A1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014021441A1 (en) * 2012-08-03 2014-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US20140361252A1 (en) * 2013-06-10 2014-12-11 Universal Display Corporation Aluminum chelates as materials for oleds
WO2018135656A1 (ja) * 2017-01-23 2018-07-26 三菱ケミカル株式会社 発光層形成用組成物及び該発光層形成用組成物を含有する有機電界発光素子
JPWO2019088231A1 (ja) * 2017-11-01 2020-11-12 出光興産株式会社 トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス発光装置、及び電子機器
EP3811862A1 (en) 2019-10-22 2021-04-28 Oxypoint NV Vital parameter measurements for low care patients
WO2021078913A1 (en) 2019-10-22 2021-04-29 Oxypoint Nv Vital parameter measurements for low care patients
WO2022223676A1 (en) 2021-04-21 2022-10-27 Oxypoint Nv System for identifying a condition of a user

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI593151B (zh) 2011-11-11 2017-07-21 三菱化學股份有限公司 有機電致發光元件及有機電致發光裝置
KR102025031B1 (ko) 2011-11-22 2019-11-14 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 방향족 복소고리 유도체, 유기 일렉트로루미네선스 소자용 재료 및 유기 일렉트로루미네선스 소자
JP6217059B2 (ja) * 2012-07-10 2017-10-25 三菱ケミカル株式会社 有機電界発光素子及び有機電界発光デバイス
WO2014054596A1 (ja) 2012-10-02 2014-04-10 三菱化学株式会社 有機電界発光素子、有機ｅｌ照明および有機ｅｌ表示装置
JP2015082537A (ja) * 2013-10-22 2015-04-27 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法及び有機エレクトロルミネッセンスデバイス
JP5874860B1 (ja) * 2015-03-24 2016-03-02 三菱化学株式会社 有機電界発光素子用組成物及び有機電界発光素子の製造方法
EP3306694B1 (en) * 2015-05-29 2020-08-12 Sumitomo Chemical Company, Ltd. Light-emitting element and method for manufacturing same
WO2017003382A1 (en) * 2015-07-01 2017-01-05 National University Of Singapore A n-doped electrically conductive polymeric material
KR102577003B1 (ko) * 2016-06-03 2023-09-12 삼성디스플레이 주식회사 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
WO2018000177A1 (en) * 2016-06-28 2018-01-04 Dow Global Technologies Llc Process for making an organic charge transporting film
US10811636B2 (en) 2016-11-10 2020-10-20 Int Tech Co., Ltd. Light emitting device manufacturing method and apparatus thereof
US11239425B2 (en) 2017-03-08 2022-02-01 Lg Chem, Ltd. Organic light emitting device
CN111384273B (zh) * 2018-12-29 2021-07-16 Tcl科技集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法

Citations (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59194393A (ja) 1983-03-25 1984-11-05 イ−ストマン　コダツク　カンパニ− 改良された電力転換効率をもつ有機エレクトロルミネツセント装置
JPH05234681A (ja) 1990-07-26 1993-09-10 Eastman Kodak Co 有機エレクトロルミネセンス媒体を有するエレクトロルミネセンス装置
JPH05331459A (ja) 1992-04-03 1993-12-14 Pioneer Electron Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06207169A (ja) 1992-11-17 1994-07-26 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH0741759A (ja) 1993-03-26 1995-02-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US5645948A (en) 1996-08-20 1997-07-08 Eastman Kodak Company Blue organic electroluminescent devices
JPH1074586A (ja) 1996-07-29 1998-03-17 Eastman Kodak Co エレクトロルミネセンスデバイスで用いられる二層電子注入電極
JPH1079297A (ja) 1996-07-09 1998-03-24 Sony Corp 電界発光素子
JPH10270171A (ja) 1997-01-27 1998-10-09 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JPH11242996A (ja) 1998-02-25 1999-09-07 Mitsubishi Chemical Corp 有機電界発光素子
JPH11251067A (ja) 1998-03-02 1999-09-17 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2002100478A (ja) 2000-09-20 2002-04-05 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子及びその製造方法
JP2002100482A (ja) 2000-09-20 2002-04-05 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子
JP2003031365A (ja) 2001-05-02 2003-01-31 Junji Kido 有機電界発光素子
JP2004006287A (ja) * 2002-04-12 2004-01-08 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2004084260A2 (en) 2003-03-20 2004-09-30 Cambridge Display Technology Limited Electroluminescent device
JP2005022962A (ja) 2003-06-11 2005-01-27 Mitsubishi Materials Corp ガラス組成物、混合体、ペースト、グリーンシートおよびｐｄｐ
WO2005019373A2 (de) 2003-08-19 2005-03-03 Basf Aktiengesellschaft Übergangsmetallkomplexe mit carbenliganden als emitter für organische licht-emittierende dioden (oleds)
JP2005089024A (ja) 2003-09-12 2005-04-07 Ricoh Co Ltd 用紙後処理装置
WO2005089024A1 (ja) 2004-03-11 2005-09-22 Mitsubishi Chemical Corporation 電荷輸送膜用組成物及びイオン化合物、それを用いた電荷輸送膜及び有機電界発光素子、並びに、有機電界発光素子の製造方法及び電荷輸送膜の製造方法
JP2005268199A (ja) 2003-07-31 2005-09-29 Mitsubishi Chemicals Corp 化合物、電荷輸送材料および有機電界発光素子
JP2006173588A (ja) 2004-11-17 2006-06-29 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子
JP2006188493A (ja) 2004-12-10 2006-07-20 Pioneer Electronic Corp 有機化合物、電荷輸送材料および有機電界発光素子
EP1820801A1 (en) 2004-12-10 2007-08-22 Pioneer Corporation Organic compound, charge-transporting material, and organic electroluminescent element
JP2007302630A (ja) * 2006-05-12 2007-11-22 Chemiprokasei Kaisha Ltd ジ−、トリ−またはテトラ−フェニルシラン骨格を有するフルオレン化合物、それを用いた発光層ホスト材料、ホールブロック材料および有機ｅｌ素子
JP2008098619A (ja) 2006-09-14 2008-04-24 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2008146800A1 (ja) * 2007-05-24 2008-12-04 Fujikura Ltd. 有機ｅｌ素子及び光インターコネクションモジュール
JP2009287000A (ja) 2008-02-15 2009-12-10 Mitsubishi Chemicals Corp 共役ポリマー、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物、ポリマーの製造方法、有機電界発光素子、有機ｅｌディスプレイ、及び有機ｅｌ照明
WO2009154168A1 (ja) * 2008-06-17 2009-12-23 株式会社日立製作所 有機発光素子、その作製方法、その作製装置及びそれを用いた有機発光装置
JP2010202644A (ja) 2009-02-03 2010-09-16 Mitsubishi Chemicals Corp 有機金属錯体、有機金属錯体含有組成物、発光材料、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子、有機ｅｌディスプレイおよび有機ｅｌ照明
JP2010225230A (ja) 2009-03-23 2010-10-07 Toshiba Corp 磁気記録ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置
JP2010235708A (ja) 2009-03-30 2010-10-21 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光発光材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機ｅｌディスプレイ及び有機ｅｌ照明
JP2011026237A (ja) 2009-07-24 2011-02-10 Mitsubishi Chemicals Corp 有機化合物、電荷輸送材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機ｅｌディスプレイ及び有機ｅｌ照明

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6121727A (en) * 1997-04-04 2000-09-19 Mitsubishi Chemical Corporation Organic electroluminescent device
JP2002289353A (ja) * 2001-03-26 2002-10-04 Pioneer Electronic Corp 有機半導体ダイオード
JP2002289355A (ja) * 2001-03-26 2002-10-04 Pioneer Electronic Corp 有機半導体ダイオード及び有機エレクトロルミネセンス素子表示装置
DE60331704D1 (de) 2002-04-12 2010-04-29 Konica Corp Organisches lichtemittierendes Element
CN100448060C (zh) * 2003-03-13 2008-12-31 富士胶片株式会社 有机电致发光元件以及有机电致发光显示器
JP2005026210A (ja) 2003-06-10 2005-01-27 Fujitsu Ltd 有機ｅｌ素子
JP2005005149A (ja) * 2003-06-12 2005-01-06 Tohoku Pioneer Corp 有機ｅｌ素子及びその製造方法
US6881502B2 (en) * 2003-09-24 2005-04-19 Eastman Kodak Company Blue organic electroluminescent devices having a non-hole-blocking layer
JP2005285619A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置および電子機器
JP4522416B2 (ja) 2004-06-23 2010-08-11 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、それを備えた画像表示装置及び照明装置、電荷輸送材料、及びそれを含む電荷輸送層形成用インク
JP2006279014A (ja) * 2004-09-15 2006-10-12 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子
JP2006134660A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機ｅｌ素子の製造方法
US20060105202A1 (en) 2004-11-17 2006-05-18 Fuji Photo Film Co., Ltd. Organic electroluminescent device
WO2006095539A1 (ja) * 2005-02-21 2006-09-14 Mitsubishi Chemical Corporation 有機電界発光素子及びその製造
US7683536B2 (en) * 2005-03-31 2010-03-23 The Trustees Of Princeton University OLEDs utilizing direct injection to the triplet state
JP4906073B2 (ja) 2005-05-20 2012-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びそれを用いた電子機器
US7960038B2 (en) 2005-05-20 2011-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic appliance using the same
JP2007042875A (ja) * 2005-08-03 2007-02-15 Fujifilm Holdings Corp 有機電界発光素子
TW200714692A (en) * 2005-09-30 2007-04-16 Chisso Corp Emission materials and organic electroluminescent device
JP2007266160A (ja) 2006-03-28 2007-10-11 Canon Inc 有機発光素子アレイ
US20090128024A1 (en) * 2006-04-20 2009-05-21 Kenichi Fukuoka Organic light-emitting device
US7724796B2 (en) * 2006-08-29 2010-05-25 The Trustees Of Princeton University Organic laser
US8093580B2 (en) * 2006-11-22 2012-01-10 Nec Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2008214363A (ja) * 2007-02-28 2008-09-18 Canon Inc ナノ粒子発光材料、これを用いた電界発光素子及びインク組成物、並びに表示装置
JP2009043684A (ja) * 2007-08-10 2009-02-26 Toyota Industries Corp 白色発光有機ｅｌ（エレクトロルミネッセンス）素子及びその色度調整方法
KR101415444B1 (ko) * 2008-04-02 2014-07-04 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 고분자 화합물, 그 고분자 화합물을 가교시켜 이루어지는 그물 형상 고분자 화합물, 유기 전계 발광 소자용 조성물, 유기 전계 발광 소자, 유기 ｅｌ 디스플레이 및 유기 ｅｌ 조명
KR101995369B1 (ko) * 2008-04-03 2019-07-02 삼성 리서치 아메리카 인코포레이티드 양자점들을 포함하는 발광 소자
KR20100021281A (ko) * 2008-08-14 2010-02-24 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP5402472B2 (ja) 2008-09-30 2014-01-29 三菱化学株式会社 有機薄膜パターニング用基板、有機電界発光素子およびその製造方法、並びに有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ照明
WO2010062643A1 (en) * 2008-10-28 2010-06-03 The Regents Of The University Of Michigan Stacked white oled having separate red, green and blue sub-elements
JP2010114232A (ja) * 2008-11-06 2010-05-20 Nippon Shokubai Co Ltd 有機電界発光素子
KR20120022700A (ko) * 2009-04-14 2012-03-12 후지 덴키 가부시키가이샤 유기 일렉트로루미네선스 소자 및 그 제조 방법

Patent Citations (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59194393A (ja) 1983-03-25 1984-11-05 イ−ストマン　コダツク　カンパニ− 改良された電力転換効率をもつ有機エレクトロルミネツセント装置
JPH05234681A (ja) 1990-07-26 1993-09-10 Eastman Kodak Co 有機エレクトロルミネセンス媒体を有するエレクトロルミネセンス装置
JPH05331459A (ja) 1992-04-03 1993-12-14 Pioneer Electron Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06207169A (ja) 1992-11-17 1994-07-26 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH0741759A (ja) 1993-03-26 1995-02-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH1079297A (ja) 1996-07-09 1998-03-24 Sony Corp 電界発光素子
JPH1074586A (ja) 1996-07-29 1998-03-17 Eastman Kodak Co エレクトロルミネセンスデバイスで用いられる二層電子注入電極
US5645948A (en) 1996-08-20 1997-07-08 Eastman Kodak Company Blue organic electroluminescent devices
JPH10270171A (ja) 1997-01-27 1998-10-09 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JPH11242996A (ja) 1998-02-25 1999-09-07 Mitsubishi Chemical Corp 有機電界発光素子
JPH11251067A (ja) 1998-03-02 1999-09-17 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2002100478A (ja) 2000-09-20 2002-04-05 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子及びその製造方法
JP2002100482A (ja) 2000-09-20 2002-04-05 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子
JP2003031365A (ja) 2001-05-02 2003-01-31 Junji Kido 有機電界発光素子
JP2004006287A (ja) * 2002-04-12 2004-01-08 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2004084260A2 (en) 2003-03-20 2004-09-30 Cambridge Display Technology Limited Electroluminescent device
JP2005022962A (ja) 2003-06-11 2005-01-27 Mitsubishi Materials Corp ガラス組成物、混合体、ペースト、グリーンシートおよびｐｄｐ
JP2005268199A (ja) 2003-07-31 2005-09-29 Mitsubishi Chemicals Corp 化合物、電荷輸送材料および有機電界発光素子
WO2005019373A2 (de) 2003-08-19 2005-03-03 Basf Aktiengesellschaft Übergangsmetallkomplexe mit carbenliganden als emitter für organische licht-emittierende dioden (oleds)
JP2005089024A (ja) 2003-09-12 2005-04-07 Ricoh Co Ltd 用紙後処理装置
WO2005089024A1 (ja) 2004-03-11 2005-09-22 Mitsubishi Chemical Corporation 電荷輸送膜用組成物及びイオン化合物、それを用いた電荷輸送膜及び有機電界発光素子、並びに、有機電界発光素子の製造方法及び電荷輸送膜の製造方法
JP2006173588A (ja) 2004-11-17 2006-06-29 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子
JP2006188493A (ja) 2004-12-10 2006-07-20 Pioneer Electronic Corp 有機化合物、電荷輸送材料および有機電界発光素子
EP1820801A1 (en) 2004-12-10 2007-08-22 Pioneer Corporation Organic compound, charge-transporting material, and organic electroluminescent element
JP2007302630A (ja) * 2006-05-12 2007-11-22 Chemiprokasei Kaisha Ltd ジ−、トリ−またはテトラ−フェニルシラン骨格を有するフルオレン化合物、それを用いた発光層ホスト材料、ホールブロック材料および有機ｅｌ素子
JP2008098619A (ja) 2006-09-14 2008-04-24 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2008146800A1 (ja) * 2007-05-24 2008-12-04 Fujikura Ltd. 有機ｅｌ素子及び光インターコネクションモジュール
JP2009287000A (ja) 2008-02-15 2009-12-10 Mitsubishi Chemicals Corp 共役ポリマー、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物、ポリマーの製造方法、有機電界発光素子、有機ｅｌディスプレイ、及び有機ｅｌ照明
WO2009154168A1 (ja) * 2008-06-17 2009-12-23 株式会社日立製作所 有機発光素子、その作製方法、その作製装置及びそれを用いた有機発光装置
JP2010202644A (ja) 2009-02-03 2010-09-16 Mitsubishi Chemicals Corp 有機金属錯体、有機金属錯体含有組成物、発光材料、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子、有機ｅｌディスプレイおよび有機ｅｌ照明
JP2010225230A (ja) 2009-03-23 2010-10-07 Toshiba Corp 磁気記録ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置
JP2010235708A (ja) 2009-03-30 2010-10-21 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光発光材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機ｅｌディスプレイ及び有機ｅｌ照明
JP2011026237A (ja) 2009-07-24 2011-02-10 Mitsubishi Chemicals Corp 有機化合物、電荷輸送材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機ｅｌディスプレイ及び有機ｅｌ照明

Non-Patent Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Ar-Ar Coupling", CHEMICAL REVIEWS,, vol. 95, no. 7, pages 2457 - 2483
"Ar-B Coupling", J. ORG. CHEM.,, vol. 60, no. 23, 1995, pages 7508 - 10
"Boronic Acid Synthesis", JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, vol. 112, no. 22, 1990, pages 8024 - 34
"Coupling Reaction with Pyrimidine Framework", J. ORG. CHEM.,, vol. 66, 2001, pages 7125 - 7128
"Coupling Reaction with Triazine Framework", ORG. LETT.,, vol. 10, no. 5, 2008
"NH-Ar Coupling", J. ORG. CHEM.,, vol. 64, no. 15, 1999
"Pyridine Ring Formation Reaction", J. CHEM. SOC., PERKIN TRANS., vol. 1, 2001, pages 3258 - 3264
"Yiiki-kagaku/Sei-kagaku Meimei-ho (Jo", 1992, NANKODO CO., LTD.
APPL. PHYS. LETT., vol. 60, 1992, pages 2711
APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 70, 1997, pages 152
CHEMICAL COMMUNICATIONS, 1996, pages 2175
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, vol. 44, 1997, pages 1245
JOURNAL OFLUMINESCENCE, vol. 72-74, 1997, pages 985
MICHAEISON; HRBERT B., J APPL. PHYS., vol. 48, 1977, pages 4729
See also references of EP2592671A4
SID 04 DIGEST, 2004, pages 154
SYNTHETIC METALS, vol. 9L, 1997, pages 209
TOKITO SHIZUO; ADACHI CHIHAYA; MURATA HIDEYUKI: "Yuki EL Dispurei", 20 August 2004, OHMSHA, LTD.

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11043637B2 (en) 2012-08-03 2021-06-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US12295256B2 (en) 2012-08-03 2025-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US9412962B2 (en) 2012-08-03 2016-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
CN107068913A (zh) * 2012-08-03 2017-08-18 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置
WO2014021441A1 (en) * 2012-08-03 2014-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US10069076B2 (en) 2012-08-03 2018-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US11968889B2 (en) 2012-08-03 2024-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US10897012B2 (en) 2012-08-03 2021-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US9735373B2 (en) * 2013-06-10 2017-08-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20140361252A1 (en) * 2013-06-10 2014-12-11 Universal Display Corporation Aluminum chelates as materials for oleds
WO2018135656A1 (ja) * 2017-01-23 2018-07-26 三菱ケミカル株式会社 発光層形成用組成物及び該発光層形成用組成物を含有する有機電界発光素子
KR102544020B1 (ko) 2017-01-23 2023-06-16 미쯔비시 케미컬 주식회사 발광층 형성용 조성물 및 해당 발광층 형성용 조성물을 함유하는 유기 전계 발광 소자
TWI775802B (zh) * 2017-01-23 2022-09-01 日商三菱化學股份有限公司 發光層形成用組成物以及含有該發光層形成用組成物的有機電場發光元件
KR20190111919A (ko) * 2017-01-23 2019-10-02 미쯔비시 케미컬 주식회사 발광층 형성용 조성물 및 해당 발광층 형성용 조성물을 함유하는 유기 전계 발광 소자
JPWO2019088231A1 (ja) * 2017-11-01 2020-11-12 出光興産株式会社 トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス発光装置、及び電子機器
US11456432B2 (en) 2017-11-01 2022-09-27 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Top emission organic electroluminescent element, organic electroluminescent light emitting device, and electronic device
JP7171598B2 (ja) 2017-11-01 2022-11-15 出光興産株式会社 トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス発光装置、及び電子機器
EP3811862A1 (en) 2019-10-22 2021-04-28 Oxypoint NV Vital parameter measurements for low care patients
WO2021078913A1 (en) 2019-10-22 2021-04-29 Oxypoint Nv Vital parameter measurements for low care patients
WO2022223676A1 (en) 2021-04-21 2022-10-27 Oxypoint Nv System for identifying a condition of a user

Also Published As

Publication number Publication date
CN102986052A (zh) 2013-03-20
EP2592671A4 (en) 2014-09-03
JP6191680B2 (ja) 2017-09-06
TW201212330A (en) 2012-03-16
JP2012033918A (ja) 2012-02-16
US8754399B2 (en) 2014-06-17
EP2592671A1 (en) 2013-05-15
CN102986052B (zh) 2016-05-25
KR20130095652A (ko) 2013-08-28
TWI553930B (zh) 2016-10-11
US20130134402A1 (en) 2013-05-30
KR101964998B1 (ko) 2019-04-02
EP2592671B1 (en) 2019-05-08
JP2016026416A (ja) 2016-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6191680B2 (ja) 有機電界発光素子、有機電界発光デバイス、有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ照明
JP6331393B2 (ja) 有機電界発光素子及び有機電界発光デバイス
JP5549228B2 (ja) 有機ｅｌ素子及び有機発光デバイス
JP5743388B2 (ja) 有機電界発光素子用組成物、有機薄膜、有機電界発光素子、有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ照明
JP5884213B2 (ja) 有機電界発光素子の製造方法、有機電界発光素子、有機ｅｌディスプレイ及び有機ｅｌ照明
JP5206900B1 (ja) 有機電界発光素子、有機電界発光素子用組成物、及び有機電界発光装置
JP5668330B2 (ja) 有機電界発光素子、有機ｅｌ照明及び有機ｅｌ表示装置
JP5321700B2 (ja) 有機電界発光素子、有機ｅｌ照明および有機ｅｌ表示装置
WO2011083588A1 (ja) 有機ｅｌ素子及び有機発光デバイス
JP2010183010A (ja) 有機電界発光素子用組成物、有機薄膜、有機電界発光素子、有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ照明
JP5402703B2 (ja) 有機電界発光素子、有機ｅｌディスプレイ、有機ｅｌ照明及び有機ｅｌ信号装置
JP2014220248A (ja) 有機電界発光素子の製造方法
JP5569630B2 (ja) 有機電界発光素子、有機ｅｌ照明および有機ｅｌ表示装置
JP2010209143A (ja) 有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機ｅｌディスプレイおよび有機ｅｌ照明
JP5708721B2 (ja) 有機電界発光素子、有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ照明
JP2010209211A (ja) 有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機ｅｌディスプレイおよび有機ｅｌ照明

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201180033220.9

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11803663

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20127033845

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2011803663

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE