WO2012026329A1 - 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 - Google Patents

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    • H10P95/062—Planarisation of inorganic insulating materials involving a dielectric removal step

Definitions

  • the present invention relates to a polishing composition used in a semiconductor device manufacturing process, for example, and a polishing method using the same.
  • Patent Document 1 discloses a polishing composition containing phosphoric acid or a phosphoric acid derivative.
  • Patent Document 2 discloses a polishing composition having a pH of 2.5 to 5 containing colloidal silica and an organic acid having a sulfonic acid group or a phosphonic acid group.
  • these conventional polishing compositions do not sufficiently satisfy the user's requirements regarding the polishing rate of silicon nitride.
  • an object of the present invention is to provide a polishing composition capable of polishing silicon nitride at a higher speed and a polishing method using the same.
  • a polishing composition used for polishing silicon nitride comprising colloidal silica having an organic acid immobilized thereon, having a pH of 6 or less.
  • a polishing composition is provided.
  • a polishing composition capable of polishing silicon nitride at a high speed and a polishing method using the same are provided.
  • the polishing composition of the present embodiment is prepared by mixing colloidal silica having an organic acid immobilized thereon with water. Therefore, polishing composition contains the colloidal silica which fix
  • This polishing composition is mainly used for polishing silicon nitride, more specifically, for polishing a surface containing silicon nitride in an object to be polished such as a semiconductor wiring substrate.
  • the immobilization of the organic acid on the surface of the colloidal silica contained in the polishing composition is performed by chemically bonding the functional group of the organic acid to the surface of the colloidal silica. If the colloidal silica and the organic acid are simply allowed to coexist, the organic acid is not fixed to the colloidal silica. If sulfonic acid, which is a kind of organic acid, is immobilized on colloidal silica, for example, the method described in “Sulfonic acid-functionalized silica through quantitative oxidation of thiol groups”, Chem. Commun. 246-247 (2003) It can be carried out.
  • a silane coupling agent having a thiol group such as 3-mercaptopropyltrimethoxysilane is coupled to colloidal silica and then oxidized with hydrogen peroxide to fix the sulfonic acid on the surface.
  • the colloidal silica thus obtained can be obtained.
  • the carboxylic acid is immobilized on colloidal silica, for example, “Novel Silane Coupling Agents Containing a Photolabile 2-Nitrobenzyl Ester for Introduction of a Carboxy Group on the Surface of Silica Gel”, Chemistry Letters, 228, 229 (2000).
  • colloidal silica having a carboxylic acid immobilized on the surface can be obtained by irradiating light after coupling a silane coupling agent containing a photoreactive 2-nitrobenzyl ester to colloidal silica. .
  • the average primary particle diameter of colloidal silica in the polishing composition is preferably 5 nm or more, more preferably 7 nm or more, and even more preferably 10 nm or more. As the average primary particle diameter of colloidal silica increases, there is an advantage that the polishing rate of silicon nitride by the polishing composition is improved.
  • the average primary particle diameter of colloidal silica in the polishing composition is also preferably 100 nm or less, more preferably 90 nm or less, and still more preferably 80 nm or less.
  • the average primary particle size of the colloidal silica decreases, there is an advantage that it is possible to suppress the generation of scratches on the surface of the object to be polished after polishing with the polishing composition.
  • the value of the average primary particle diameter of colloidal silica is computed based on the specific surface area of colloidal silica measured by BET method, for example.
  • the average secondary particle diameter of colloidal silica in the polishing composition is preferably 10 nm or more, more preferably 20 nm or more, and further preferably 30 nm or more. As the average secondary particle diameter of colloidal silica increases, there is an advantage that the polishing rate of silicon nitride by the polishing composition is improved.
  • the average secondary particle diameter of the colloidal silica in the polishing composition is also preferably 150 nm or less, more preferably 120 nm or less, and still more preferably 100 nm or less.
  • the average secondary particle diameter of colloidal silica decreases, there is an advantage that it is possible to suppress the occurrence of scratches on the surface of the object to be polished after polishing with the polishing composition.
  • the value of the average secondary particle diameter of colloidal silica can be measured by the light-scattering method using a laser beam, for example.
  • the shape of the colloidal silica in the polishing composition is preferably non-spherical.
  • the non-spherical colloidal silica may be one in which two or more primary particles are associated.
  • the average degree of association of colloidal silica in the polishing composition is preferably 1.2 or more, more preferably 1.5 or more. As the average degree of association of colloidal silica increases, there is an advantage that the polishing rate of silicon nitride by the polishing composition is improved.
  • the average degree of association of colloidal silica in the polishing composition is also preferably 4.0 or less, more preferably 3.0 or less, and even more preferably 2.5 or less. As the average degree of association of the colloidal silica decreases, there is an advantage that it is possible to suppress the occurrence of defects or increase in surface roughness on the surface of the object to be polished after polishing with the polishing composition.
  • the content of colloidal silica in the polishing composition is preferably 0.05% by mass or more, more preferably 0.1% by mass or more, and further preferably 1% by mass or more. As the colloidal silica content increases, there is an advantage that the polishing rate of silicon nitride by the polishing composition is improved.
  • the content of colloidal silica in the polishing composition is also preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less, and still more preferably 10% by mass or less. As the colloidal silica content decreases, there is an advantage that the material cost of the polishing composition can be suppressed, and the aggregation of the colloidal silica can be suppressed.
  • the pH value of the polishing composition needs to be 6 or less. When the pH exceeds 6, it is difficult to polish silicon nitride at a high speed using the polishing composition. From the standpoint of further improving the polishing rate of silicon nitride by the polishing composition, the pH value of the polishing composition is preferably 5 or less, more preferably 4.5 or less, and even more preferably 4 or less. .
  • the pH value of the polishing composition is also preferably 1 or more, more preferably 1.5 or more, still more preferably 2 or more, and particularly preferably 2.5 or more.
  • the pH of the polishing composition increases, the ratio of the polishing rate of silicon nitride to the polishing rate of polycrystalline silicon by the polishing composition increases, that is, polishing silicon nitride more preferentially than polycrystalline silicon. There is an advantage that can be.
  • a pH adjuster may be used to adjust the pH of the polishing composition to a desired value.
  • the pH adjusting agent used may be an inorganic acid or an organic acid, or may be a chelating agent.
  • inorganic acids that can be used as pH adjusters include hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, hydrofluoric acid, boric acid, carbonic acid, hypophosphorous acid, phosphorous acid, and phosphoric acid. Of these, hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid and phosphoric acid are preferred.
  • Organic sulfuric acid such as methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid and isethionic acid may be used.
  • malonic acid succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, maleic acid, dicarboxylic acids such as phthalic acid, malic acid and tartaric acid, and tricarboxylic acids such as citric acid are preferred.
  • a salt such as an ammonium salt or alkali metal salt of the inorganic acid or organic acid may be used as a pH adjuster.
  • a pH buffering action can be expected.
  • the polishing composition may polish silicon nitride at a high speed, while polycrystalline silicon may not be polished at a high speed. Such performance may be required when the polishing composition is used for polishing the surface of an object to be polished containing not only silicon nitride but also polycrystalline silicon.
  • the ratio of the polishing rate of silicon nitride to the polishing rate of polycrystalline silicon is preferably 2 or more, more preferably 4 or more, still more preferably 6 or more, and particularly preferably 8 or more.
  • the polishing composition of the present embodiment contains colloidal silica in which an organic acid such as sulfonic acid or carboxylic acid is immobilized, and has a pH of 6 or less. Under pH 6 or less, the zeta potential of colloidal silica immobilized with an organic acid is negative. On the other hand, the zeta potential of silicon nitride is positive under the same pH of 6 or less. Therefore, if the polishing composition has a pH of 6 or less, the colloidal silica in the polishing composition does not electrically repel silicon nitride. Therefore, according to this polishing composition, silicon nitride can be polished at a high speed.
  • an organic acid such as sulfonic acid or carboxylic acid
  • the polishing rate of silicon nitride by the polishing composition is further improved. Can do.
  • the polishing object after polishing with the polishing composition The occurrence of scratches on the surface can be satisfactorily suppressed.
  • the polishing rate of silicon nitride by the polishing composition is further improved. be able to.
  • the polishing object after polishing with the polishing composition It is possible to satisfactorily suppress the occurrence of scratches on the surface.
  • the polishing rate of silicon nitride by the polishing composition is further improved. Can do.
  • the polishing rate of silicon nitride by the polishing composition can be further improved.
  • the average degree of association of colloidal silica in the polishing composition is 4.0 or less, more specifically 3.0 or less or 2.5 or less, after polishing with the polishing composition It is possible to satisfactorily suppress the occurrence of defects on the surface of the polishing object and the increase in surface roughness.
  • polishing rate can be further improved.
  • the content of colloidal silica in the polishing composition is 20% by mass or less, more specifically 15% by mass or less or 10% by mass or less, the material cost of the polishing composition can be reduced. In addition to this, it is possible to suppress the occurrence of colloidal silica aggregation.
  • the polishing rate of silicon nitride by the polishing composition can be further improved.
  • polishing composition has a pH value of 1 or more, more specifically, 1.5 or more, 2 or more, or 2.5 or more, nitriding of the polishing composition with respect to the polishing rate of polycrystalline silicon
  • the ratio of the polishing rate of silicon can be increased.
  • the ratio of the polishing rate of silicon nitride to the polishing rate of polycrystalline silicon by the polishing composition is 2 or more, more specifically 4 or more, 6 or more, or 8 or more, silicon nitride and polycrystalline silicon
  • the polishing composition is used for polishing the surface of an object to be polished containing silicon nitride, it is possible to polish silicon nitride more preferentially than polycrystalline silicon.
  • the embodiment may be modified as follows.
  • the polishing composition of the above embodiment may further contain another abrasive grain in addition to the colloidal silica in which the organic acid is immobilized.
  • the polishing composition of the above embodiment may further contain a water-soluble polymer.
  • the water-soluble polymer can control the polishing rate of the object to be polished by the polishing composition, and insoluble components generated during polishing Also has a function of stabilizing in the polishing composition.
  • water-soluble polymers that can be used include compounds having a polyoxyalkylene chain, more specifically, polyethylene glycol, polypropylene glycol, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene lauryl ether sulfate, polyoxyethylene lauryl ether.
  • examples include acetates, polyoxyethylene alkyl phosphates, and silicone oils having a polyoxyalkylene chain. Of these, polyethylene glycol and polypropylene glycol are preferred.
  • polishing composition of the said embodiment contains water-soluble polymer
  • content of the water-soluble polymer in polishing composition is 0.001 g / L or more, More preferably, it is 0.00. 005 g / L or more, more preferably 0.01 g / L or more.
  • the ratio of the polishing rate of silicon nitride to the polishing rate of polycrystalline silicon by the polishing composition increases, that is, polishing silicon nitride more preferentially than polycrystalline silicon.
  • the polishing composition of the said embodiment contains water-soluble polymer
  • content of the water-soluble polymer in polishing composition is 10 g / L or less, More preferably, it is 5 g / L or less. More preferably, it is 1 g / L or less.
  • content of the water-soluble polymer decreases, there is an advantage that the polishing rate of polycrystalline silicon by the polishing composition is improved.
  • the polishing composition of the above embodiment may further contain an oxidizing agent such as hydrogen peroxide.
  • the polishing composition of the above embodiment may further contain a known additive such as a preservative or a fungicide as necessary.
  • a known additive such as a preservative or a fungicide as necessary.
  • the antiseptic and fungicide include, for example, isothiazoline preservatives such as 2-methyl-4-isothiazolin-3-one and 5-chloro-2-methyl-4-isothiazolin-3-one, and paraoxybenzoic acid. Examples include acid esters and phenoxyethanol.
  • the polishing composition of the above embodiment may be a one-component type or a multi-component type including a two-component type.
  • the polishing composition of the above embodiment may be prepared by diluting the stock solution of the polishing composition, for example, 10 times or more using a diluent such as water.
  • polishing composition of the above embodiment may be used for purposes other than polishing silicon nitride.
  • a polishing composition was prepared by mixing colloidal silica with water and adding a pH adjuster as appropriate.
  • water adjusted to pH 2 using a pH adjuster was prepared as a polishing composition.
  • Table 1 shows the details of the colloidal silica and the pH adjuster in the polishing composition of each example, and the results of measuring the pH of each polishing composition.
  • the polishing rate when polishing the surfaces of a silicon nitride film blanket wafer and a polysilicon film blanket wafer with a diameter of 200 mm for 60 seconds under the polishing conditions shown in Table 2 is shown in Table 1. It is shown in the “Polishing rate” column. The value of the polishing rate is obtained by dividing the difference in wafer thickness before and after polishing measured by the optical interference type film thickness measuring device “Lambda Ace VM-2030” of Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. by the polishing time. It was.

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Abstract

本発明の研磨用組成物は、窒化ケイ素を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、スルホン酸やカルボン酸のような有機酸を固定化したコロイダルシリカを含有し、ｐＨが６以下であることを特徴とする。

Description

研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
　本発明は、例えば半導体デバイス製造プロセスにおいて使用される研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法に関する。
　半導体デバイス製造プロセスにおいては、化学反応性に乏しい窒化ケイ素を高速度で研磨することの要求が存在している。窒化ケイ素を研磨するために従来使用されている研磨用組成物の多くは、砥粒及び酸を含有している。例えば、特許文献１には、リン酸又はリン酸誘導体を含有する研磨用組成物の開示がある。特許文献２には、コロイダルシリカと、スルホン酸基又はホスホン酸基を有する有機酸とを含有するｐＨが２．５～５の研磨用組成物の開示がある。しかしながら、これら従来の研磨用組成物は、窒化ケイ素の研磨速度に関するユーザーの要求を十分に満足するものではない。
特開平０６－１２４９３２号公報 特開２０１０－４１０３７号公報
　そこで本発明の目的は、窒化ケイ素をより高速度で研磨することが可能な研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法を提供することにある。
　上記の目的を達成するために、本発明の一態様では、窒化ケイ素を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、有機酸を固定化したコロイダルシリカを含有し、ｐＨが６以下である研磨用組成物を提供する。
　また本発明の別の態様では、前記態様に係る研磨用組成物を用いて、窒化ケイ素を研磨する研磨方法を提供する。
　本発明によれば、窒化ケイ素を高速度で研磨することが可能な研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法が提供される。
　以下、本発明の一実施形態を説明する。
　本実施形態の研磨用組成物は、有機酸を固定化したコロイダルシリカを水に混合して調製される。従って、研磨用組成物は、有機酸を固定化したコロイダルシリカを含有する。この研磨用組成物は、窒化ケイ素を研磨する用途、より具体的には、半導体配線基板のような研磨対象物における窒化ケイ素を含んだ表面を研磨する用途で主に使用される。
　研磨用組成物中に含まれるコロイダルシリカの表面への有機酸の固定化は、コロイダルシリカの表面に有機酸の官能基が化学的に結合することにより行われている。コロイダルシリカと有機酸を単に共存させただけではコロイダルシリカへの有機酸の固定化は果たされない。有機酸の一種であるスルホン酸をコロイダルシリカに固定化するのであれば、例えば、“Sulfonic acid-functionalized silica through quantitative oxidation of thiol groups”, Chem. Commun. 246-247 (2003)に記載の方法で行うことができる。具体的には、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のチオール基を有するシランカップリング剤をコロイダルシリカにカップリングさせた後に過酸化水素でチオール基を酸化することにより、スルホン酸が表面に固定化されたコロイダルシリカを得ることができる。あるいは、カルボン酸をコロイダルシリカに固定化するのであれば、例えば、“Novel Silane Coupling Agents Containing a Photolabile 2-Nitrobenzyl Ester for Introduction of a Carboxy Group on the Surface of Silica Gel”, Chemistry Letters, 3, 228-229 (2000)に記載の方法で行うことができる。具体的には、光反応性２－ニトロベンジルエステルを含むシランカップリング剤をコロイダルシリカにカップリングさせた後に光照射することにより、カルボン酸が表面に固定化されたコロイダルシリカを得ることができる。
　研磨用組成物中のコロイダルシリカの平均一次粒子径は５ｎｍ以上であることが好ましく、より好ましくは７ｎｍ以上、さらに好ましくは１０ｎｍ以上である。コロイダルシリカの平均一次粒子径が大きくなるにつれて、研磨用組成物による窒化ケイ素の研磨速度が向上する有利がある。
　研磨用組成物中のコロイダルシリカの平均一次粒子径はまた、１００ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは９０ｎｍ以下、さらに好ましくは８０ｎｍ以下である。コロイダルシリカの平均一次粒子径が小さくなるにつれて、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面にスクラッチが生じるのを抑えることができる有利がある。なお、コロイダルシリカの平均一次粒子径の値は、例えば、ＢＥＴ法で測定されるコロイダルシリカの比表面積に基づいて算出される。
　研磨用組成物中のコロイダルシリカの平均二次粒子径は１０ｎｍ以上であることが好ましく、より好ましくは２０ｎｍ以上、さらに好ましくは３０ｎｍ以上である。コロイダルシリカの平均二次粒子径が大きくなるにつれて、研磨用組成物による窒化ケイ素の研磨速度が向上する有利がある。
　研磨用組成物中のコロイダルシリカの平均二次粒子径はまた、１５０ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１２０ｎｍ以下、さらに好ましくは１００ｎｍ以下である。コロイダルシリカの平均二次粒子径が小さくなるにつれて、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面にスクラッチが生じるのを抑えることができる有利がある。なお、コロイダルシリカの平均二次粒子径の値は、例えば、レーザー光を用いた光散乱法で測定することができる。
　研磨用組成物中のコロイダルシリカの形状は非球形であることが好ましい。非球形状のコロイダルシリカは、２個以上の一次粒子が会合したものであってもよい。
　研磨用組成物中のコロイダルシリカの平均会合度は１．２以上であることが好ましく、より好ましくは１．５以上である。コロイダルシリカの平均会合度が大きくなるにつれて、研磨用組成物による窒化ケイ素の研磨速度が向上する有利がある。
　研磨用組成物中のコロイダルシリカの平均会合度はまた、４．０以下であることが好ましく、より好ましくは３．０以下、さらに好ましくは２．５以下である。コロイダルシリカの平均会合度が小さくなるにつれて、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面に欠陥が生じたり表面粗さが増大したりするのを抑えることができる有利がある。
　研磨用組成物中のコロイダルシリカの含有量は０．０５質量％以上であることが好ましく、より好ましくは０．１質量％以上、さらに好ましくは１質量％以上である。コロイダルシリカの含有量が多くなるにつれて、研磨用組成物による窒化ケイ素の研磨速度が向上する有利がある。
　研磨用組成物中のコロイダルシリカの含有量はまた、２０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは１５質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下である。コロイダルシリカの含有量が少なくなるにつれて、研磨用組成物の材料コストを抑えることができるのに加え、コロイダルシリカの凝集が起こるのを抑えることもできる有利がある。
　研磨用組成物のｐＨの値は６以下である必要がある。ｐＨが６を超える場合には、研磨用組成物を用いて窒化ケイ素を高速度で研磨することは困難である。研磨用組成物による窒化ケイ素の研磨速度のさらなる向上という点からは、研磨用組成物のｐＨの値は５以下であることが好ましく、より好ましくは４．５以下、さらに好ましくは４以下である。
　研磨用組成物のｐＨの値はまた、１以上であることが好ましく、より好ましくは１．５以上、さらに好ましくは２以上、特に好ましくは２．５以上である。研磨用組成物のｐＨが高くなるにつれて、研磨用組成物による多結晶シリコンの研磨速度に対する窒化ケイ素の研磨速度の比が高くなる、すなわち多結晶シリコンに対して窒化ケイ素をより優先的に研磨することができる有利がある。
　研磨用組成物のｐＨを所望の値に調整するのにｐＨ調整剤を使用してもよい。使用されるｐＨ調整剤は、無機酸又は有機酸であってもよいし、あるいはキレート剤であってもよい。
　ｐＨ調整剤として使用できる無機酸の具体例としては、例えば、塩酸、硫酸、硝酸、フッ酸、ホウ酸、炭酸、次亜リン酸、亜リン酸及びリン酸が挙げられる。中でも好ましいのは、塩酸、硫酸、硝酸及びリン酸である。
　ｐＨ調整剤として使用できる有機酸の具体例としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、２－メチル酪酸、ｎ－ヘキサン酸、３，３－ジメチル酪酸、２－エチル酪酸、４－メチルペンタン酸、ｎ－ヘプタン酸、２－メチルヘキサン酸、ｎ－オクタン酸、２－エチルヘキサン酸、安息香酸、グリコール酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、乳酸、ジグリコール酸、２－フランカルボン酸、２，５－フランジカルボン酸、３－フランカルボン酸、２－テトラヒドロフランカルボン酸、メトキシ酢酸、メトキシフェニル酢酸及びフェノキシ酢酸が挙げられる。メタンスルホン酸、エタンスルホン酸及びイセチオン酸等の有機硫酸を使用してもよい。中でも好ましいのは、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸及び酒石酸のようなジカルボン酸、並びにクエン酸のようなトリカルボン酸である。
　無機酸又は有機酸の代わりにあるいは無機酸又は有機酸と組み合わせて、無機酸又は有機酸のアンモニウム塩やアルカリ金属塩等の塩をｐＨ調整剤として用いてもよい。弱酸と強塩基、強酸と弱塩基、又は弱酸と弱塩基の組み合わせの場合には、ｐＨの緩衝作用を期待することができる。
　ｐＨ調整剤として使用できるキレート剤の具体例としては、例えば、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸、イミノ二酢酸、アセトアミドイミノ二酢酸、ニトリロ三プロパン酸、ニトリロ三メチルホスホン酸、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸及びエチレンジアミン四酢酸が挙げられる。
　研磨用組成物は、窒化ケイ素を高速度で研磨することができる一方、多結晶シリコンについては高速度で研磨しないものであってもよい。窒化ケイ素だけでなく多結晶シリコンも含んだ研磨対象物の表面を研磨する用途で研磨用組成物を使用する場合にはそのような性能が求められることがある。この場合、多結晶シリコンの研磨速度に対する窒化ケイ素の研磨速度の比は２以上であることが好ましく、より好ましくは４以上、さらに好ましくは６以上、特に好ましくは８以上である。
　本実施形態によれば以下の利点が得られる。
　・　本実施形態の研磨用組成物は、スルホン酸やカルボン酸等の有機酸を固定化したコロイダルシリカを含有し、ｐＨが６以下である。ｐＨ６以下のもとでは、有機酸を固定化したコロイダルシリカのゼータ電位はマイナスである。その一方、同じｐＨ６以下のもとで窒化ケイ素のゼータ電位はプラスである。そのため、研磨用組成物のｐＨが６以下であれば、研磨用組成物中のコロイダルシリカが窒化ケイ素に対して電気的に反発することがない。よって、この研磨用組成物によれば、窒化ケイ素を高速度で研磨することができる。
　・　研磨用組成物中のコロイダルシリカの平均一次粒子径が５ｎｍ以上である場合、さらに言えば７ｎｍ以上又は１０ｎｍ以上である場合には、研磨用組成物による窒化ケイ素の研磨速度をさらに向上させることができる。
　・　研磨用組成物中のコロイダルシリカの平均一次粒子径が１００ｎｍ以下である場合、さらに言えば９０ｎｍ以下又は８０ｎｍ以下である場合には、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面にスクラッチが生じるのを良好に抑えることができる。
　・　研磨用組成物中のコロイダルシリカの平均二次粒子径が１０ｎｍ以上である場合、さらに言えば２０ｎｍ以上又は３０ｎｍ以上である場合には、研磨用組成物による窒化ケイ素の研磨速度をさらに向上させることができる。
　・　研磨用組成物中のコロイダルシリカの平均二次粒子径が１５０ｎｍ以下である場合、さらに言えば１２０ｎｍ以下又は１００ｎｍ以下である場合には、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面にスクラッチが生じるのを良好に抑えることができる。
　・　研磨用組成物中のコロイダルシリカの平均会合度が１．２以上である場合、さらに言えば１．５以上である場合には、研磨用組成物による窒化ケイ素の研磨速度をさらに向上させることができる。
　・　研磨用組成物中のコロイダルシリカの形状が非球形である場合には、研磨用組成物による窒化ケイ素の研磨速度をさらに向上させることができる。
　・　研磨用組成物中のコロイダルシリカの平均会合度が４．０以下である場合、さらに言えば３．０以下又は２．５以下である場合には、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面に欠陥が生じたり表面粗さが増大したりするのを良好に抑えることができる。
　・　研磨用組成物中のコロイダルシリカの含有量が０．０５質量％以上である場合、さらに言えば０．１質量％以上又は１質量％以上である場合には、研磨用組成物による窒化ケイ素の研磨速度をさらに向上させることができる。
　・　研磨用組成物中のコロイダルシリカの含有量が２０質量％以下である場合、さらに言えば１５質量％以下又は１０質量％以下である場合には、研磨用組成物の材料コストを抑えることができるのに加え、コロイダルシリカの凝集が起こるのを抑えることもできる。
　・　研磨用組成物のｐＨの値が５以下である場合、さらに言えば４．５以下又は４以下である場合には、研磨用組成物による窒化ケイ素の研磨速度をさらに向上させることができる。
　・　研磨用組成物のｐＨの値が１以上である場合、さらに言えば１．５以上、２以上又は２．５以上である場合には、研磨用組成物による多結晶シリコンの研磨速度に対する窒化ケイ素の研磨速度の比を高くすることができる。
　・　研磨用組成物による多結晶シリコンの研磨速度に対する窒化ケイ素の研磨速度の比が２以上である場合、さらに言えば４以上、６以上又は８以上である場合には、窒化ケイ素及び多結晶シリコンを含んだ研磨対象物の表面を研磨する用途で研磨用組成物を使用したとき、多結晶シリコンに対して窒化ケイ素をより優先的に研磨することができる。
　前記実施形態は次のように変更してもよい。
　・　前記実施形態の研磨用組成物は、有機酸を固定化したコロイダルシリカに加えて別の砥粒をさらに含有してもよい。
　・　前記実施形態の研磨用組成物は、水溶性高分子をさらに含有してもよい。水溶性高分子は、コロイダルシリカの表面又は研磨対象物の表面に吸着して研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度をコントロールすることが可能であることに加え、研磨中に生じる不溶性の成分を研磨用組成物中で安定化する働きも有する。使用できる水溶性高分子の例としては、ポリオキシアルキレン鎖を有する化合物、より具体的には、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンラウリルエーテル酢酸塩、ポリオキシエチレンアルキルリン酸、及びポリオキシアルキレン鎖を有するシリコーンオイルが挙げられる。中でも好ましいのは、ポリエチレングリコール及びポリプロピレングリコールである。
　・　前記実施形態の研磨用組成物が水溶性高分子を含有する場合、研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量は０．００１ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、より好ましくは０．００５ｇ／Ｌ以上、さらに好ましくは０．０１ｇ／Ｌ以上である。水溶性高分子の含有量が多くなるにつれて、研磨用組成物による多結晶シリコンの研磨速度に対する窒化ケイ素の研磨速度の比が高くなる、すなわち多結晶シリコンに対して窒化ケイ素をより優先的に研磨することができる有利がある。
　・　前記実施形態の研磨用組成物が水溶性高分子を含有する場合、研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量は１０ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、より好ましくは５ｇ／Ｌ以下、さらに好ましくは１ｇ／Ｌ以下である。水溶性高分子の含有量が少なくなるにつれて、研磨用組成物による多結晶シリコンの研磨速度が向上する有利がある。
　・　前記実施形態の研磨用組成物は、過酸化水素等の酸化剤をさらに含有してもよい。
　・　前記実施形態の研磨用組成物は、防腐剤や防カビ剤のような公知の添加剤を必要に応じてさらに含有してもよい。防腐剤及び防カビ剤の具体例としては、例えば、２－メチル－４－イソチアゾリン－３－オンや５－クロロ－２－メチル－４－イソチアゾリン－３－オン等のイソチアゾリン系防腐剤、パラオキシ安息香酸エステル類及びフェノキシエタノールが挙げられる。
　・　前記実施形態の研磨用組成物は一液型であってもよいし、二液型をはじめとする多液型であってもよい。
　・　前記実施形態の研磨用組成物は、研磨用組成物の原液を水などの希釈液を使って例えば１０倍以上に希釈することによって調製されてもよい。
　・　前記実施形態の研磨用組成物は、窒化ケイ素を研磨する以外の用途で使用されてもよい。
　次に、本発明の実施例及び比較例を説明する。
　実施例１～１４及び比較例１～４では、コロイダルシリカを水に混合し、適宜ｐＨ調整剤を加えることにより研磨用組成物を調製した。比較例５では、ｐＨ調整剤を使ってｐＨ２に調整した水を研磨用組成物として調製した。各例の研磨用組成物中のコロイダルシリカ及びｐＨ調整剤の詳細、並びに各研磨用組成物のｐＨを測定した結果を表１に示す。
　なお、表１の“コロイダルシリカ”欄中、“Ａ”はスルホン酸を固定化したコロイダルシリカを表し、“Ｂ”は有機酸が固定化されていない通常のコロイダルシリカを表す。いずれの例で使用したコロイダルシリカも平均会合度は２であった。
　各例の研磨用組成物を用いて、直径２００ｍｍの窒化ケイ素膜ブランケットウェーハ及びポリシリコン膜ブランケットウェーハの表面を、表２に記載の研磨条件で６０秒間研磨したときの研磨速度を表１の“研磨速度”欄に示す。研磨速度の値は、大日本スクリーン製造株式会社の光干渉式膜厚測定装置“ラムダエースＶＭ－２０３０”を用いて測定される研磨前後のウェーハの厚みの差を研磨時間で除することにより求めた。また、こうして求めた各例の研磨用組成物による窒化ケイ素の研磨速度を同じ研磨用組成物による多結晶シリコンの研磨速度で除して得られる値を表１の“窒化ケイ素の研磨速度／多結晶シリコンの研磨速度”欄に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 　表１に示すように、実施例１～１４の研磨用組成物を使用した場合にはいずれも、３０ｎｍ／分を超える研磨速度で窒化ケイ素を研磨することができた。それに対し、有機酸を固定化したコロイダルシリカを含有していない比較例１～３の研磨用組成物の場合、及びスルホン酸を固定化したコロイダルシリカを含有しているもののｐＨが６を上回る比較例４の研磨用組成物の場合には、窒化ケイ素の研磨速度に関して得られた値は低かった。また、コロイダルシリカを含有していない比較例５の研磨用組成物の場合には、窒化ケイ素を全く研磨することができなかった。

Claims (5)

  1. 　窒化ケイ素を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、有機酸を固定化したコロイダルシリカを含有し、ｐＨが６以下である研磨用組成物。
  2. 　多結晶シリコンの研磨速度に対する窒化ケイ素の研磨速度の比が２以上である、請求項１に記載の研磨用組成物。
  3. 　前記有機酸を固定化したコロイダルシリカは、スルホン酸を固定化したコロイダルシリカであり、スルホン酸を固定化したコロイダルシリカは、チオール基を有するシランカップリング剤をコロイダルシリカにカップリングさせた後にチオール基を酸化することにより得られる、請求項１又は２に記載の研磨用組成物。
  4. 　前記有機酸を固定化したコロイダルシリカは、カルボン酸を固定化したコロイダルシリカであり、カルボン酸を固定化したコロイダルシリカは、光反応性２－ニトロベンジルエステルを含むシランカップリング剤をコロイダルシリカにカップリングさせた後に光照射することにより得られる、請求項１又は２に記載の研磨用組成物。
  5. 　請求項１～４のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて、窒化ケイ素を研磨する研磨方法。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2533274A4 (en) * 2010-02-01 2013-06-26 Jsr Corp Aqueous dispersion for chemical and mechanical polishing and methods for chemical and mechanical polishing
EP2662427A2 (en) 2012-05-10 2013-11-13 Air Products And Chemicals, Inc. Chemical mechanical polishing composition having chemical additives and methods for using same
WO2014069043A1 (ja) * 2012-10-31 2014-05-08 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
WO2014119301A1 (ja) 2013-02-01 2014-08-07 株式会社フジミインコーポレーテッド 表面選択性研磨組成物
WO2015046015A1 (ja) * 2013-09-27 2015-04-02 株式会社 フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、研磨方法、及び基板の製造方法
CN104781366A (zh) * 2012-11-15 2015-07-15 福吉米株式会社 研磨用组合物
CN105189676A (zh) * 2013-05-15 2015-12-23 巴斯夫欧洲公司 包含一种或多种选自n-乙烯基均聚物和n-乙烯基共聚物的聚合物的化学机械抛光组合物
CN105229098A (zh) * 2013-05-15 2016-01-06 巴斯夫欧洲公司 包含n,n,n＇,n＇-四(2-羟基丙基)乙二胺或甲磺酸的化学机械抛光组合物
US9284472B2 (en) 2013-08-09 2016-03-15 Fujimi Incorporated SiCN and SiN polishing slurries and polishing methods using the same
US20170081552A1 (en) * 2014-03-20 2017-03-23 Fujimi Incorporated Polishing composition, polishing method, and method for producing substrate

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5695367B2 (ja) 2010-08-23 2015-04-01 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
EP2722872A4 (en) * 2011-06-14 2015-04-29 Fujimi Inc POLISHING COMPOSITION
JP2013138053A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Fujimi Inc 研磨用組成物
TWI582184B (zh) * 2012-01-16 2017-05-11 福吉米股份有限公司 研磨用組成物、其製造方法、稀釋用原液、矽基板之製造方法、及矽基板
US8999193B2 (en) 2012-05-10 2015-04-07 Air Products And Chemicals, Inc. Chemical mechanical polishing composition having chemical additives and methods for using same
JP5957292B2 (ja) * 2012-05-18 2016-07-27 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物並びにそれを用いた研磨方法及び基板の製造方法
JP2013247341A (ja) * 2012-05-29 2013-12-09 Fujimi Inc 研磨用組成物並びにそれを用いた研磨方法及びデバイス製造方法
WO2014013977A1 (ja) * 2012-07-17 2014-01-23 株式会社 フジミインコーポレーテッド 合金材料研磨用組成物及びそれを用いた合金材料の製造方法
CN106133105B (zh) 2014-03-28 2018-04-03 福吉米株式会社 研磨用组合物及使用其的研磨方法
US9583359B2 (en) 2014-04-04 2017-02-28 Fujifilm Planar Solutions, LLC Polishing compositions and methods for selectively polishing silicon nitride over silicon oxide films
US9401104B2 (en) 2014-05-05 2016-07-26 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition for edge roll-off improvement
JP6396740B2 (ja) 2014-09-29 2018-09-26 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及び研磨方法
WO2016052281A1 (ja) * 2014-09-30 2016-04-07 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
JP6517555B2 (ja) * 2014-09-30 2019-05-22 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
US20170342304A1 (en) 2015-01-19 2017-11-30 Fujimi Incorporated Polishing composition
US11499070B2 (en) 2015-01-19 2022-11-15 Fujimi Incorporated Modified colloidal silica and method for producing the same, and polishing agent using the same
JP6719452B2 (ja) * 2015-03-30 2020-07-08 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US10414019B2 (en) 2015-09-30 2019-09-17 Fujimi Incorporated Polishing composition
JP6908592B2 (ja) * 2016-03-24 2021-07-28 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US10294399B2 (en) 2017-01-05 2019-05-21 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method for polishing silicon carbide
JP7209620B2 (ja) 2017-03-14 2023-01-20 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、その製造方法ならびにこれを用いた研磨方法および基板の製造方法
US10584265B2 (en) 2017-09-28 2020-03-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Aqueous silica slurry and amine carboxylic acid compositions selective for nitride removal in polishing and methods of using them
US10428241B2 (en) 2017-10-05 2019-10-01 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Polishing compositions containing charged abrasive
US20190153262A1 (en) * 2017-11-20 2019-05-23 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method for polishing memory hard disks exhibiting reduced surface scratching
KR102728465B1 (ko) * 2018-03-07 2024-11-12 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마용 조성물
KR20190106679A (ko) * 2018-03-07 2019-09-18 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마용 조성물
JP2019167404A (ja) * 2018-03-22 2019-10-03 Jsr株式会社 化学機械研磨用組成物及び回路基板の製造方法
JP7141837B2 (ja) * 2018-03-23 2022-09-26 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法、研磨方法、および半導体基板の製造方法
JP7002635B2 (ja) * 2018-03-23 2022-01-20 富士フイルム株式会社 研磨液および化学的機械的研磨方法
JP7128005B2 (ja) * 2018-03-26 2022-08-30 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP7120846B2 (ja) * 2018-08-10 2022-08-17 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びその製造方法並びに研磨方法並びに基板の製造方法
KR102698381B1 (ko) * 2018-11-23 2024-08-23 솔브레인 주식회사 연마용 조성물 및 이를 이용하는 연마 방법
KR102241941B1 (ko) * 2018-12-28 2021-04-20 주식회사 케이씨텍 다결정 실리콘 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 그를 이용한 연마 방법
JP2020205320A (ja) * 2019-06-17 2020-12-24 株式会社トクヤマ 窒化ケイ素エッチング液用添加剤
TW202120637A (zh) * 2019-11-15 2021-06-01 日商Ｊｓｒ股份有限公司 化學機械研磨用組成物以及化學機械研磨方法
TWI747479B (zh) * 2019-11-15 2021-11-21 日商Ｊｓｒ股份有限公司 化學機械研磨用組成物以及化學機械研磨方法
TWI743989B (zh) * 2019-11-15 2021-10-21 日商Ｊｓｒ股份有限公司 化學機械研磨用組成物以及化學機械研磨方法
TWI755060B (zh) * 2019-11-15 2022-02-11 日商Ｊｓｒ股份有限公司 化學機械研磨用組成物以及化學機械研磨方法
JP7594864B2 (ja) 2020-06-05 2024-12-05 株式会社フジミインコーポレーテッド アニオン変性コロイダルシリカの製造方法
TWI896724B (zh) * 2020-09-29 2025-09-11 日商福吉米股份有限公司 研磨用組成物及其製造方法、研磨方法以及基板的製造方法
JP7777017B2 (ja) * 2021-03-30 2025-11-27 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、及び窒化ケイ素を選択的に除去する方法
JP7745391B2 (ja) * 2021-09-17 2025-09-29 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法、研磨方法、半導体基板の製造方法
JP2023146033A (ja) 2022-03-29 2023-10-12 株式会社フジミインコーポレーテッド スルホン酸変性コロイダルシリカ

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06124932A (ja) 1992-10-12 1994-05-06 Toshiba Corp 研磨方法
JP2005162533A (ja) * 2003-12-02 2005-06-23 Fuso Chemical Co Ltd 変性コロイダルシリカの製造方法
JP2006524918A (ja) * 2003-04-21 2006-11-02 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション Ｃｍｐ用被覆金属酸化物粒子
US20070075291A1 (en) * 2005-06-03 2007-04-05 Paik Un G CMP Slurry, Preparation Method Thereof and Method of Polishing Substrate Using the Same
JP2007277025A (ja) * 2006-04-04 2007-10-25 Tama Kagaku Kogyo Kk 酸性で安定なコロイダルシリカの製造方法
JP2010041037A (ja) 2008-07-11 2010-02-18 Fujifilm Corp 窒化ケイ素用研磨液及び研磨方法
JP2010103409A (ja) * 2008-10-27 2010-05-06 Hitachi Chem Co Ltd 金属用研磨液及びこの金属用研磨液を用いた研磨方法
WO2010065125A1 (en) * 2008-12-04 2010-06-10 Cabot Microelectronics Corporation Method to selectively polish silicon carbide films
JP2010269985A (ja) * 2009-05-22 2010-12-02 Fuso Chemical Co Ltd スルホン酸修飾水性アニオンシリカゾル及びその製造方法

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0982668A (ja) 1995-09-20 1997-03-28 Sony Corp 研磨用スラリー及びこの研磨用スラリーを用いる研磨方法
JPH09186116A (ja) * 1995-12-27 1997-07-15 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
JP4683681B2 (ja) 1999-10-29 2011-05-18 日立化成工業株式会社 金属用研磨液及びそれを用いた基板の研磨方法
CN101058713B (zh) 2001-10-31 2011-02-09 日立化成工业株式会社 研磨液及研磨方法
US6776810B1 (en) * 2002-02-11 2004-08-17 Cabot Microelectronics Corporation Anionic abrasive particles treated with positively charged polyelectrolytes for CMP
JP2003064351A (ja) * 2002-06-04 2003-03-05 Hitachi Chem Co Ltd Ｃｍｐ研磨液
AU2003242397A1 (en) 2003-06-13 2005-01-04 Hitachi Chemical Co., Ltd. Polishing fluid for metal and polishing method
US20050189322A1 (en) 2004-02-27 2005-09-01 Lane Sarah J. Compositions and methods for chemical mechanical polishing silica and silicon nitride
US20070196975A1 (en) 2004-04-12 2007-08-23 Hitachi Chemical Co., Ltd. Metal-Polishing Liquid And Polishing Method Using The Same
US20060021972A1 (en) * 2004-07-28 2006-02-02 Lane Sarah J Compositions and methods for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride
JP2006049912A (ja) 2004-08-03 2006-02-16 Samsung Electronics Co Ltd Ｃｍｐスラリー、前記ｃｍｐスラリーを使用する化学機械的研磨方法、及び前記ｃｍｐスラリーを使用する金属配線の形成方法
KR100672940B1 (ko) 2004-08-03 2007-01-24 삼성전자주식회사 금속막을 위한 화학적기계적 연마 슬러리 및 이를 이용한금속막의 화학적기계적 연마 방법
JP4776269B2 (ja) * 2005-04-28 2011-09-21 株式会社東芝 金属膜ｃｍｐ用スラリー、および半導体装置の製造方法
TWI341325B (en) 2006-02-14 2011-05-01 Cabot Microelectronics Corp Compositions and methods for cmp of indium tin oxide surfaces
JP2007234784A (ja) 2006-02-28 2007-09-13 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP4990543B2 (ja) 2006-03-23 2012-08-01 富士フイルム株式会社 金属用研磨液
JP2007335847A (ja) 2006-05-17 2007-12-27 Hitachi Chem Co Ltd 窒化珪素膜用研磨剤および研磨方法
US10087082B2 (en) 2006-06-06 2018-10-02 Florida State University Research Foundation, Inc. Stabilized silica colloid
JP2008130988A (ja) 2006-11-24 2008-06-05 Fujimi Inc 研磨用組成物及び研磨方法
KR101002496B1 (ko) 2006-12-29 2010-12-17 주식회사 엘지화학 패드 흡착 방지제
US7691287B2 (en) * 2007-01-31 2010-04-06 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Method for immobilizing ligands and organometallic compounds on silica surface, and their application in chemical mechanical planarization
JP2010056127A (ja) 2008-08-26 2010-03-11 Hitachi Chem Co Ltd シリコン膜用ｃｍｐスラリー
US20100001229A1 (en) 2007-02-27 2010-01-07 Hitachi Chemical Co., Ltd. Cmp slurry for silicon film
WO2009008431A1 (ja) 2007-07-10 2009-01-15 Hitachi Chemical Co., Ltd. 金属膜用研磨液及び研磨方法
US9028572B2 (en) * 2007-09-21 2015-05-12 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition and method utilizing abrasive particles treated with an aminosilane
JP2009238954A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Fujifilm Corp 金属研磨用組成物、及び化学的機械的研磨方法
JP2009263484A (ja) * 2008-04-24 2009-11-12 Nippon Chem Ind Co Ltd 半導体ウエハ研磨用コロイダルシリカおよびその製造方法
JP2009289885A (ja) * 2008-05-28 2009-12-10 Fujifilm Corp 研磨液及び研磨方法
JP5441358B2 (ja) 2008-05-28 2014-03-12 富士フイルム株式会社 研磨液及び研磨方法
JP5312887B2 (ja) * 2008-09-24 2013-10-09 富士フイルム株式会社 研磨液
EP2343732B1 (en) 2008-10-20 2018-10-10 Nitta Haas Incorporated Composition for polishing silicon nitride
US9382450B2 (en) 2009-01-20 2016-07-05 Cabot Corporation Compositions comprising silane modified metal oxides
JP5493528B2 (ja) 2009-07-15 2014-05-14 日立化成株式会社 Ｃｍｐ研磨液及びこのｃｍｐ研磨液を用いた研磨方法
KR20120134105A (ko) 2010-02-01 2012-12-11 제이에스알 가부시끼가이샤 화학 기계 연마용 수계 분산체 및 이를 이용한 화학 기계 연마 방법
JP5760317B2 (ja) 2010-02-05 2015-08-05 日立化成株式会社 Ｃｍｐ研磨液及びこのｃｍｐ研磨液を用いた研磨方法
JP5695367B2 (ja) 2010-08-23 2015-04-01 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
JP2013138053A (ja) 2011-12-28 2013-07-11 Fujimi Inc 研磨用組成物

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06124932A (ja) 1992-10-12 1994-05-06 Toshiba Corp 研磨方法
JP2006524918A (ja) * 2003-04-21 2006-11-02 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション Ｃｍｐ用被覆金属酸化物粒子
JP2005162533A (ja) * 2003-12-02 2005-06-23 Fuso Chemical Co Ltd 変性コロイダルシリカの製造方法
US20070075291A1 (en) * 2005-06-03 2007-04-05 Paik Un G CMP Slurry, Preparation Method Thereof and Method of Polishing Substrate Using the Same
JP2007277025A (ja) * 2006-04-04 2007-10-25 Tama Kagaku Kogyo Kk 酸性で安定なコロイダルシリカの製造方法
JP2010041037A (ja) 2008-07-11 2010-02-18 Fujifilm Corp 窒化ケイ素用研磨液及び研磨方法
JP2010103409A (ja) * 2008-10-27 2010-05-06 Hitachi Chem Co Ltd 金属用研磨液及びこの金属用研磨液を用いた研磨方法
WO2010065125A1 (en) * 2008-12-04 2010-06-10 Cabot Microelectronics Corporation Method to selectively polish silicon carbide films
JP2010269985A (ja) * 2009-05-22 2010-12-02 Fuso Chemical Co Ltd スルホン酸修飾水性アニオンシリカゾル及びその製造方法

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Novel Silane Coupling Agents Containing a Photolabile 2-Nitrobenzyl Ester for Introduction of a Carboxy Group on the Surface of Silica Gel", CHEMISTRY LETTERS, vol. 3, 2000, pages 228 - 229
"Sulfonic acid-functionalized silica through quantitative oxidation of thiol groups", CHEM. COMMUN., 2003, pages 246 - 247
E. CANO-SERRANO ET AL.: "Sulfonic acid-functionalized silica through quantitative oxidation of thiol groups", CHEM. COMMUN., 11 December 2002 (2002-12-11), pages 246 - 247, XP055076338 *
See also references of EP2610031A4
YAMAGUCHI K. ET AL.: "Novel Silane Coupling Agents Containing a Photolabile 2-Nitrobenzyl Esterfor Introduction of a Carboxy Group on the Surface of Silica Gel", CHEMISTRY LETTERS, vol. 29, no. 3, 2000, pages 228 - 229, XP055076340 *

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2533274A4 (en) * 2010-02-01 2013-06-26 Jsr Corp Aqueous dispersion for chemical and mechanical polishing and methods for chemical and mechanical polishing
EP2662427A2 (en) 2012-05-10 2013-11-13 Air Products And Chemicals, Inc. Chemical mechanical polishing composition having chemical additives and methods for using same
EP3333232A2 (en) 2012-05-10 2018-06-13 Versum Materials US, LLC Chemical mechanical polishing composition having chemical additives and methods for using
WO2014069043A1 (ja) * 2012-10-31 2014-05-08 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JPWO2014069043A1 (ja) * 2012-10-31 2016-09-08 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
EP2922085A4 (en) * 2012-11-15 2016-07-13 Fujimi Inc POLISHING COMPOSITION
US9837283B2 (en) 2012-11-15 2017-12-05 Fujimi Incorporated Polishing composition
CN104781366A (zh) * 2012-11-15 2015-07-15 福吉米株式会社 研磨用组合物
WO2014119301A1 (ja) 2013-02-01 2014-08-07 株式会社フジミインコーポレーテッド 表面選択性研磨組成物
EP2952550A4 (en) * 2013-02-01 2016-09-28 Fujimi Inc SURFACE LENS POLISHING COMPOSITION
CN105229098A (zh) * 2013-05-15 2016-01-06 巴斯夫欧洲公司 包含n,n,n＇,n＇-四(2-羟基丙基)乙二胺或甲磺酸的化学机械抛光组合物
CN105189676A (zh) * 2013-05-15 2015-12-23 巴斯夫欧洲公司 包含一种或多种选自n-乙烯基均聚物和n-乙烯基共聚物的聚合物的化学机械抛光组合物
CN105229098B (zh) * 2013-05-15 2017-08-11 巴斯夫欧洲公司 包含n,n,n＇,n＇‑四(2‑羟基丙基)乙二胺或甲磺酸的化学机械抛光组合物
US9284472B2 (en) 2013-08-09 2016-03-15 Fujimi Incorporated SiCN and SiN polishing slurries and polishing methods using the same
WO2015046015A1 (ja) * 2013-09-27 2015-04-02 株式会社 フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、研磨方法、及び基板の製造方法
US20170081552A1 (en) * 2014-03-20 2017-03-23 Fujimi Incorporated Polishing composition, polishing method, and method for producing substrate
US10106704B2 (en) * 2014-03-20 2018-10-23 Fujimi Incorporated Polishing composition, polishing method, and method for producing substrate

Also Published As

Publication number Publication date
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TWI620813B (zh) 2018-04-11
TWI485236B (zh) 2015-05-21
KR20130101022A (ko) 2013-09-12
TWI573865B (zh) 2017-03-11
US20180244957A1 (en) 2018-08-30
EP3059050A1 (en) 2016-08-24
EP3059050B1 (en) 2018-10-10
US10508222B2 (en) 2019-12-17
JP5695367B2 (ja) 2015-04-01
KR20150043543A (ko) 2015-04-22
TW201713745A (zh) 2017-04-16

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