WO2012169071A1 - 有機発光素子及びその製造方法 - Google Patents

有機発光素子及びその製造方法 Download PDF

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    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing

Definitions

  • the present invention relates to an organic light emitting device having an organic multilayer structure including an organic light emitting layer and a method for manufacturing the same.
  • the bank is generally formed as an insulating film having almost no translucency. Therefore, since the light generated by driving the organic light emitting element is absorbed by the bank, there is a problem that the area of the region that guides the generated light to the outside is limited and power is consumed wastefully. That is, since the opening formed by the bank becomes a region that emits light to the outside as it is, the aperture ratio is lowered, and as a result, there is a problem that power consumption increases to obtain a desired light amount.
  • the problem to be solved by the present invention is to provide the organic light emitting device capable of reducing the power consumption by increasing the aperture ratio by taking the above drawback as an example, and a method for manufacturing the same. Is the purpose.
  • An organic light-emitting device includes a transparent substrate, a set of bus lines and insulating films made of a metal material juxtaposed on the substrate, each of the bus lines and the insulating films, and the bus lines.
  • a transparent conductive film formed so as to cover a region between the insulating film and an organic material layer formed by applying a solution containing an organic material on the transparent conductive film. It is a feature.
  • a method of manufacturing an organic light emitting device comprising: a bus line and an insulating film forming step in which a set of a bus line and an insulating film made of a metal material are juxtaposed on a transparent substrate; Forming a transparent conductive film so as to cover a region between the bus line and the insulating film, and forming an organic material layer by applying a solution containing an organic material on the transparent conductive film And a step of performing.
  • FIG. 1 shows a method for manufacturing an organic light emitting device (organic EL device) to which the present invention is applied.
  • the manufacturing method of FIG. 1 shows a method for manufacturing one organic light emitting element in a light emitting panel having a plurality of organic light emitting elements.
  • this manufacturing method includes (a) a bus line and insulating film forming step, (b) an anode forming step, (c) a hole injection / transport layer forming step, and (d) coating.
  • (a) Bus Line and Insulating Film Forming Process First, for example, a film made of AlNd (aluminum-neodymium alloy) as a material by sputtering on a transparent (including translucent) substrate 11 made of a glass plate having a thickness of 0.7 mm. After that, a resist is applied on the AlNd film by photolithography, and exposure and development are sequentially performed to transfer the mask pattern to the resist. Further, other than the portion to be left as a bus line by etching The AlNd film is removed. When the resist is removed on the substrate 11, the remaining AlNd film is obtained as the bus line 12 as shown in FIG.
  • the bus line 12 has conductivity and is a power supply line to the anode 14 described later.
  • a film is deposited and formed on the substrate 11 by sputtering using SiO 2 as a material, and then a resist is applied onto the SiO 2 film by photolithography, and exposure and development are performed to transfer the mask pattern to the resist. Further, the SiO 2 film other than the portion to be left as a bus line by etching is removed. When the resist is removed on the substrate 11, the remaining SiO 2 film is obtained as a line-shaped insulating film 13 as shown in FIG.
  • the bus line 12 and the insulating film 13 are paired in the same shape and are arranged in parallel to each other, and a recess is formed between the bus line 12 and the insulating film 13.
  • FIG. 1A shows only one set of bus lines 12 and insulating films 13, a plurality of sets of bus lines 12 and insulating films 13 are actually formed in parallel on the substrate 11. .
  • the thickness of each bus line 12 and the insulating film 13 is 150 nm
  • the width thereof is 50 ⁇ m
  • the distance between the pair of bus lines 12 and the insulating film 13 is 300 ⁇ m
  • the pair of bus lines 12 The distance between the insulating film 13 and another set of bus lines 12 and the insulating film 13 adjacent thereto is 50 ⁇ m.
  • the insulating film 13 is formed after the bus line 12 is formed.
  • the bus line 12 may be formed after the insulating film 13 is formed first.
  • FIG. 1A shows a cross-section in the juxtaposition direction orthogonal to the extending direction of the bus line 12 and the insulating film 13, and this also applies to FIGS. 1B to 1D.
  • Anode formation step A transparent film is deposited on the substrate 11 including the bus line 12 and the insulating film 13 by sputtering using IZO (indium zinc oxide) as a material, and then a resist is formed on the IZO film by photolithography. After being applied, exposure and development are sequentially performed to transfer the mask pattern to the resist, and the IZO film other than the portion to be left as the anode is removed by etching. When the resist is removed on the substrate 11, the remaining IZO film is obtained as a transparent anode 14 (transparent conductive film) as shown in FIG. 1 (b).
  • IZO indium zinc oxide
  • the anode 14 is formed so as to cover each of the pair of bus lines 12 and the insulating film 13 and a region (concave portion) sandwiched between the bus lines 12 and the insulating film 13, and between the bus line 12 and the insulating film 13. In the region, it is located directly on the substrate 11.
  • the thickness of the anode 14 is, for example, 180 nm.
  • FIG. 2 is a top view of the substrate 11 in which a plurality of sets of bus lines 12 and insulating films 13 and an anode 14 are formed on the substrate 11.
  • the anode 14 is irradiated with UV / O 3 (ultraviolet / ozone) using an excimer light irradiation device (not shown), and the IZO surface is cleaned as a pretreatment. Is done.
  • an ink 15 having a fixed concentration of 1 wt% using PEDOT (3,4-ethylenedioxythiophene polymer) as a host and PSS (styrene sulfonic acid polymer) as a dopant in an inkjet apparatus is shown in FIG. As shown in the left figure of c), it is applied by dropping into a recess between the bus line 12 and the insulating film 13.
  • the ink 15 is on the anode 14 between one end (the left end in the cross section of the anode 14 in FIG. 1C) and the other end (the right end in the cross section of the anode 14 in FIG. 1C). With the surface tension, the center is raised and raised so that it does not leak out from the end.
  • both side surfaces of the bus line 12 and the insulating film 13 in the juxtaposition direction are inclined so as to narrow toward the substrate 11, but at least in the juxtaposition direction of the bus line 12 and the insulating film 13. It suffices that the non-opposing side surface is inclined so as to face the substrate 11.
  • the ink 15 is vacuum-dried at a gas pressure of 0.1 to 50 Pa for 2 minutes using a vacuum drying apparatus (not shown), and baked by heat treatment at 230 ° C. for 1 hour. .
  • a hole injection / transport layer 16 organic material layer in which the solvent of the ink 15 is evaporated and cured as shown in the right diagram of FIG. 1C is obtained.
  • the thickness of the hole injection / transport layer 16 is, for example, 30 nm.
  • Balq as a host by a coating emitting layer forming step ink-jet apparatus, 6wt% -Hex-Ir (phq ) 3 fixed concentration 2 wt% of the ink used as the dopant (6wt% -Hex-Ir (phq ) 3: Balq) 17 is applied by dropping into a recess between the bus line 12 and the insulating film 13 as shown in the left diagram of FIG.
  • the ink 17 is in a state where the center of the hole injection / transport layer 16 is raised between one end and the other end so as not to leak out from the end. That is, the taper angle at the end is increased by the wet pinning effect, so that the ink 17 does not leak to the outside of the end at the end of the hole injection / transport layer 16.
  • the ink 17 is vacuum-dried for 2 minutes at a gas pressure of 0.1 to 50 Pa using a vacuum drying apparatus (not shown), and baked by heat treatment at 130 ° C. for 10 minutes.
  • a vacuum drying apparatus not shown
  • the thickness of the RG coating mixed layer 18 is 40 nm, for example.
  • the host PAND and the dopant DPAVBi are vacuum-deposited together on the RG coating mixed layer 18 by a vacuum deposition method so that the dopant becomes 6 wt%. Formed with thickness.
  • FIG. 1 (e) shows a blue light emitting layer 19, an electron transport layer 20, an electron injection layer 21, and a cathode 22 formed in this vapor deposition layer forming step.
  • bus line and insulating film forming step (a) bus line and insulating film forming step, (b) anode forming step, (c) hole injection / transport layer forming step, (d) coated light emitting layer forming step, and (e ) An organic light emitting device is manufactured by a vapor deposition layer forming step.
  • a metal material such as AlNd is used as the bus line 12
  • SiO 2 is used as the insulating film 13
  • an insulating bank material is used, and the bank material generally has a material that absorbs in the visible region, such as a polyimide material, and thus has a metal color of the cathode. Deteriorates appearance with respect to hue.
  • the emitted light may be lost in the bank.
  • a metal such as AlNd is used as the bus line 12 and SiO 2 is used as the insulating film 13, so that the appearance is the same as the Al metal color of the cathode 22. Absent.
  • the emitted light is diffused by the bus line 12 and the insulating film 13, it is emitted from the organic light emitting element without being lost, so that a higher aperture ratio can be obtained than before.
  • the electrical resistivity of the material of the bus line 12 is smaller than that of the material of the anode 14 and the anode 14 is in direct contact with the bus line 12, so that the organic light emitting device can be efficiently supplied with power. Furthermore, as described above, light emitted for increasing the aperture ratio can be emitted more efficiently, so that power consumption can be reduced compared to conventional devices in order to obtain a desired amount of light.
  • adjacent light emitting elements can be opposed to each other by the bus line of one light emitting element and the insulating film of the other light emitting element, so that the distance between the light emitting elements is shortened by the insulating film of the other light emitting element. Even in this case, it is possible to satisfactorily ensure the insulation characteristics between the elements.
  • the hole injection / transport layer 16 is formed by dropping the ink 15 in the recess between the bus line 12 and the insulating layer 13, and the RG coating mixed layer 18 is formed by dropping the ink 17.
  • the present invention is not limited to the formation of two layers using the wet pinning effect as described above, and only one layer or three or more layers are formed using the wet pinning effect. Also good.
  • the first light-emitting element A of the light-emitting panel includes (a) a bus line and insulating film forming step, (b) an anode forming step, and (c) hole injection / transport as in the above-described embodiment. It is manufactured by a layer forming step, (d) a coating light emitting layer forming step, and (e) a vapor deposition layer forming step.
  • the second light emitting element B adjacent to the first light emitting element A includes (a) a bus line and insulating film forming step, (b) an anode forming step, (c) a hole injection / transport layer forming step, and (e) a vapor deposition layer.
  • the vapor deposition layer forming process is a process common to the first light emitting element A and the second light emitting element B, and each vapor deposition layer is continuously formed over the first light emitting element A and the second light emitting element B. .
  • the layer formed by utilizing the wetting pinning effect is only the hole injection / transport layer 16, and (e) only blue light is emitted by the blue light emitting layer 19 formed by vapor deposition in the vapor deposition layer forming process. Obtained as a color. Further, in the light emitting panel shown in FIG.
  • the uneven state of the surface of the hole injection / transport layer 16 coated and formed in the recesses is absorbed by the formation of the blue light emitting layer 19, and the surface of the blue light emitting layer 19 is flattened.
  • An electron transport layer 20, an electron injection layer 21, and a cathode 22 are formed flat for each light emitting element.
  • the blue light emitting layer 19, the electron transport layer 20, the electron injection layer 21, and the cathode 22 are uneven without absorbing the above uneven state in each of the first light emitting element A and the second light emitting element B. It may be formed in a shape.
  • the bus line 12 and the insulating film 13 are formed on the substrate 11 for each light emitting element.
  • the insulating layer 32 of the first light emitting element A is the first. You may make it overlap with the bus line 34 of the 2nd light emitting element B adjacent to the light emitting element A.
  • An anode 33 is formed so as to cover from the outer end portion of the bus line 31 to the intermediate portion of the insulating film 32.
  • a bus line 34 having an inverted L-shaped cross section is formed on the substrate 11 so as to cover the end portion of the insulating film 32, and the same insulation as that of the insulating film 32 from the outer end portion of the bus line 34 is formed.
  • An anode 35 is formed so as to cover the middle part of the film (not shown).
  • the bus line 12 is directly formed on the substrate 11.
  • the raised layer 24 made of an insulating material such as SiO 2 is formed on the substrate 11.
  • the bus line 25 may be formed on the raised layer 24. In this way, the bus line 25 can be formed as a thin film from the bus line 12.
  • the bus line 12 is shown as a power supply line in contact with the anode 14, but may be formed as a power supply line in contact with the cathode.
  • Each material of 22 is not limited to what was mentioned above.
  • the substrate 11 may be a transparent (including translucent) plastic substrate.
  • metals such as Al, Ag, Mo, Ti, Pt, Au, or alloys thereof can be used, and those having a particularly high light reflectance are suitable.
  • the insulating film 13 is not limited to the transparent insulating material such as SiO 2 described above, but may be an opaque insulating material such as a polyimide material.
  • the material of the anode 14 other metal oxides such as ITO can be used. Further, as the material of the hole injection / transport layer 16, other metal oxides such as Ag, Mo, Cr, and Ir that can drop ink can be used.
  • the material of the light emitting layer such as the RG coating mixed layer 18 and the blue light emitting layer 19 may be any material that has a function of emitting light by generating an excited state by injecting and recombining holes and electrons. In the case of forming a light emitting layer by dropping, it is necessary to be a material capable of dropping ink.
  • the material of the electron injection layer 21 is preferably formed of barium, phthalocyanine, lithium fluoride, or a combination thereof.
  • a metal oxide such as ITO or IZO may be used.
  • bus line and the insulating film are formed as a pair, the bus line and the insulating film forming the pair do not need to have the same cross-sectional shape, and do not need to have the same length in the line extending direction.
  • the organic light emitting device and the manufacturing method thereof of the present invention can be applied to a light emitting device of an organic EL display or an organic EL lighting device.

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Abstract

　透明基板上に並置された金属材料からなるバスライン及び絶縁膜の組と、バスライン及び絶縁膜とバスラインと絶縁膜との間の領域とを覆うように形成された透明導電性膜と、透明導電性膜上への有機材料を含む溶液の塗布によって形成された有機材料層と、を含む有機発光素子。

Description

有機発光素子及びその製造方法
　本発明は、有機発光層を含む有機多層構造の有機発光素子及びその製造方法に関する。
　有機多層構造を含む有機ＥＬ素子等の有機発光素子を製造するために基板上にバンクを形成することはよく知られている（特許文献１及び２参照）。例えば、有機ＥＬ表示装置でマトリックス状に配置された各有機ＥＬ素子においては、基板上に陽極が形成されており、その陽極上には１対のバンクによって凹形状の開口部が形成される。バンクとしてはポリイミド等の絶縁性の材料が用いられており、バンクの表面は撥液性を有している。バンク間の開口部には例えば、インクジェット法を用いた有機材料の塗布によって有機材料層が形成される。そして、開口部の有機材料層に接触するように陰極が形成される。
特許第４５６７０９２号公報 特表２０１０－５０４６０８号公報
　しかしながら、上記したようなバンク構造の有機発光素子においては、バンクが一般に透光性がほとんどない絶縁膜として形成されている。よって、有機発光素子の駆動によって生成された光がバンクで吸収されるので、生成された光を外部に導く領域の面積が制限され、無駄に電力が消費されるという問題があった。すなわち、バンクによって形成された上記の開口部がそのまま光を外部に放出する領域となるので、開口率が低下し、結果として所望の光量を得るために消費電力が増加するという問題があった。
　そこで、本発明が解決しようとする課題は、上記の欠点が一例として挙げられ、開口率を増加させて消費電力を低減させることができる有機発光素子及びその製造方法を提供することが本発明の目的である。
　請求項１に係る発明の有機発光素子は、透明基板と、前記基板上に並置された金属材料からなるバスライン及び絶縁膜の組と、前記バスライン及び前記絶縁膜各々と、前記バスラインと前記絶縁膜との間の領域とを覆うように形成された透明導電性膜と、前記透明導電性膜上への有機材料を含む溶液の塗布によって形成された有機材料層と、を含むことを特徴としている。
　請求項７に係る発明の有機発光素子の製造方法は、透明基板上に金属材料からなるバスライン及び絶縁膜の組を並置させるバスライン及び絶縁膜形成工程と、前記バスライン及び前記絶縁膜各々と、前記バスラインと前記絶縁膜との間の領域とを覆うように透明導電性膜を形成する工程と、前記透明導電性膜上への有機材料を含む溶液の塗布によって有機材料層を形成する工程と、を含むことを特徴としている。
　請求項１に係る発明の有機発光素子及び請求項７に係る発明の有機発光素子の製造方法によれば、基板上にバスライン及び絶縁膜の組が並置され、バスライン及び絶縁膜各々と、そのバスラインと絶縁膜との間の領域とを覆うように透明導電性膜が形成され、透明導電性膜上への有機材料の塗布によって有機材料層が形成され、生成された光が金属材料のバスラインで拡散されるので、有機発光素子の開口率を従来の素子より向上させることができる。また、生成された光を効率より放出させることができるので、所望の光量を得るために従来の素子より消費電力を低減させることができる。
本発明の実施例として有機発光素子の製造方法の各工程を示す断面図である。 複数の対をなすバスラインと共に陽極が基板上に形成された状態を示す上面図である。 陽極端部及びバスラインの側面を逆テーパ状にした例を示す断面図である。 バスラインがエッチングで逆テーパになることを示す断面図である。 隣接する第１発光素子及び第２発光素子を示す断面図である。 本発明の他の実施例として隣接する第１発光素子及び第２発光素子を示す断面図である。 本発明の他の実施例として有機発光素子を示す断面図である。 本発明の他の実施例として有機発光素子を示す断面図である。 濡れピン止め効果を説明するための図である。
　以下、本発明の実施例を、図面を参照しつつ詳細に説明する。
　図１は本発明が適用された有機発光素子（有機ＥＬ素子）の製造方法を示している。図１の製造方法では複数の有機発光素子を有する発光パネルにおける１つの有機発光素子の製造方法が示されている。この製造方法は図１(a)～(d)に示すように(a)バスライン及び絶縁膜形成工程、(b)陽極形成工程、(c)ホール注入・輸送層形成工程、(d)塗布発光層形成工程、及び(e)蒸着層形成工程を有する。
(a)バスライン及び絶縁膜形成工程
　先ず、例えば、厚さ０．７ｍｍのガラス板からなる透明（半透明を含む）な基板１１上にスパッタ法によりＡｌＮｄ（アルミニウム－ネオジウム合金）を材料として膜が付着形成され、その後、フォトリソグラフィ技術によりＡｌＮｄ膜上にレジストが塗布され、そのレジストにマスクパターンを転写するために露光及び現像が順に行われ、更に、エッチングでバスラインとして残すべき部分以外のＡｌＮｄ膜が除去される。そして、基板１１上においてレジストが除去されると、図１(a)に示すように、残ったＡｌＮｄ膜がバスライン１２として得られる。バスライン１２は導電性を有しており後述の陽極１４への給電ラインである。
　次に、基板１１上にスパッタ法によりＳｉＯ２を材料として膜が付着形成され、その後、フォトリソグラフィ技術によりＳｉＯ２膜上にレジストが塗布され、そのレジストにマスクパターンを転写するために露光及び現像が順に行われ、更に、エッチングでバスラインとして残すべき部分以外のＳｉＯ２膜が除去される。そして、基板１１上においてレジストが除去されると、図１(a)に示すように、残ったＳｉＯ２膜がライン状の絶縁膜１３として得られる。バスライン１２と絶縁膜１３とは同一形状で組をなしており、互いに平行に配置されており、バスライン１２と絶縁膜１３とによってその間に凹部が形成される。
　なお、図１(a)には一組のバスライン１２及び絶縁膜１３だけを示しているが、実際には基板１１上には複数組のバスライン１２及び絶縁膜１３が並列に形成される。例えば、各バスライン１２及び絶縁膜１３の厚さは１５０ｎｍであり、その幅は５０μｍであり、一組のバスライン１２と絶縁膜１３との離間距離は３００μｍであり、一組のバスライン１２及び絶縁膜１３とそれに隣接する他の一組のバスライン１２及び絶縁膜１３との間は５０μｍである。
　この実施例の工程ではバスライン１２を形成してから絶縁膜１３を形成しているが、絶縁膜１３を先に形成してからバスライン１２を形成しても良い。
　また、図１(a)においては、バスライン１２及び絶縁膜１３の伸張方向に直交する並置方向の断面を示しており、このことは図１(b)～(d)においても同様である。
(b)陽極形成工程
　バスライン１２及び絶縁膜１３を含む基板１１上にスパッタ法によりＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）を材料として透明膜が付着形成され、その後、フォトリソグラフィ技術によりＩＺＯ膜上にレジストが塗布され、そのレジストにマスクパターンを転写するために露光及び現像が順に行われ、更に、エッチングで陽極として残すべき部分以外のＩＺＯ膜が除去される。そして、基板１１上においてレジストが除去されると、図１(b)に示すように、残ったＩＺＯ膜が透明の陽極１４（透明導電性膜）として得られる。
　陽極１４は一組のバスライン１２及び絶縁膜１３各々及びバスライン１２と絶縁膜１３とが挟む領域（凹部）に亘ってこれらを覆うように形成され、バスライン１２と絶縁膜１３と間の領域では基板１１上に直接位置する。陽極１４の厚さは例えば、１８０ｎｍである。図２は複数組のバスライン１２及び絶縁膜１３と共に陽極１４が基板１１上に形成された状態を基板１１上面図として示している。
(c)ホール注入・輸送層形成工程
　先ず、エキシマ光照射装置（図示せず）を用いて陽極１４にはＵＶ／Ｏ３（紫外線／オゾン）が照射され、ＩＺＯ表面を前処理として洗浄することが行われる。その前処理後、インクジェット装置にてホストとしてＰＥＤＯＴ（3,4-エチレンジオキシチオフェンのポリマー）、ドーパントとしてＰＳＳ（スチレンスルホン酸のポリマー）を用いた固定分濃度１ｗｔ％のインク１５が図１(c)の左図に示すようにバスライン１２と絶縁膜１３との間の凹部への滴下により塗布される。インク１５は陽極１４上でその一方の端部（図１(c)の陽極１４の断面で左端部）と他方の端部（図１(c)の陽極１４の断面で右端部）との間で表面張力により中央が高く盛り上がった状態となり、その端部から外側に漏れこぼれないようにされる。
　例えば、図３に示すように、バスライン１２及び絶縁膜１３各々の断面形状を基板１１に向かって狭くなるようにし、陽極１４の端面をバスライン１２及び絶縁膜１３各々とほぼ連続平面となるように形成し、濡れピン止め効果により陽極１４の端部でインク１５が端部外側に漏れ出ないようにすることができる。なお、図３ではバスライン１２及び絶縁膜１３各々の並置方向の両方の側面が基板１１に向かって狭くなるように斜面にされているが、バスライン１２及び絶縁膜１３各々の並置方向の少なくとも非対向側面が基板１１を臨むように傾斜していれば良い。また、このバスライン１２の傾斜側面については、
陽極形成工程で王水等のエッチング液でＩＺＯ膜をエッチングする際にＩＺＯ膜と共にバスライン１２のＡｌＮｄがエッチングされるが、ＡｌＮｄのエッチングレートがＩＺＯのそれより高いのでバスライン１２の側面のＡｌＮｄの部分が多く除去されてしまい、この結果、図４に示すようにその陽極１４の端面に続くバスライン１２の側面が基板１１から見て逆テーパ状になることを利用しても良い。
　次に、真空乾燥装置（図示せず）を用いてインク１５は気体圧力０．１～５０Ｐａにて２分間に亘り真空乾燥され、そして、１時間に亘る２３０℃での加熱処理により焼成される。この結果、図１(c)の右図に示すようにインク１５の溶媒が蒸発して硬化したホール注入・輸送層１６（有機材料層）が得られる。ホール注入・輸送層１６の厚さは例えば、３０ｎｍである。
(d)塗布発光層形成工程
　インクジェット装置にてホストとしてＢａｌｑ、ドーパントとして６ｗｔ％－Ｈｅｘ－Ｉｒ(ｐｈｑ)3を用いた固定分濃度２ｗｔ％のインク(6wt%-Hex-Ir(phq)3:Balq)１７が図１(d)の左図に示すようにバスライン１２と絶縁膜１３との間の凹部への滴下により塗布される。インク１７はホール注入・輸送層１６上でその一方の端部と他方の端部との間で中央が高く盛り上がった状態となり、その端部から外側に漏れこぼれないようにされる。すなわち、濡れピン止め効果により端部のテーパ角を大きくしてホール注入・輸送層１６端部でインク１７が端部外側に漏れ出ないようにされる。
　次に、真空乾燥装置（図示せず）を用いてインク１７は気体圧力０．１～５０Ｐａにて２分間に亘って真空乾燥され、そして、１０分間に亘る１３０℃での加熱処理により焼成される。この結果、図１(d)の右図に示すようにインク１７の溶媒が蒸発して硬化した赤緑塗布発光層としてＲＧ塗布混合層１８（有機材料層）が得られる。ＲＧ塗布混合層１８の厚さは例えば、４０ｎｍである。
(e)蒸着層形成工程
　先ず、ＲＧ塗布混合層１８上に真空蒸着法にてホストＰＡＮＤとドーパントＤＰＡＶＢｉがドーパント６ｗｔ％となるように共に真空蒸着され、これにより青発光層１９が例えば、１５ｎｍの厚さで形成される。次に、青発光層１９上に真空蒸着法にてＡｌｑ３（トリス(8-ヒドロキシキノリノ)アルミニウム）が真空蒸着され、これにより電子輸送層２０が例えば、３０ｎｍの厚さで形成される。次いで、電子輸送層２０上に真空蒸着法にてＬｉＦ（フッ化リチウム）が真空蒸着され、これにより電子注入層２１が例えば、１ｎｍの厚さで形成される。最後に、電子注入層２１上に真空蒸着法にてＡｌ（アルミニウム）が真空蒸着され、これにより陰極２２が例えば、８０ｎｍの厚さで形成される。図１(e)にはこの蒸着層形成工程で形成される青発光層１９、電子輸送層２０、電子注入層２１及び陰極２２が示されている。
　このように本発明によれば、(a)バスライン及び絶縁膜形成工程、(b)陽極形成工程、(c)ホール注入・輸送層形成工程、(d)塗布発光層形成工程、及び(e)蒸着層形成工程によって有機発光素子が製造されている。
　上記した実施例においては、バスライン１２としてＡｌＮｄ等の金属材料が用いられ、絶縁膜１３としてＳｉＯ２が用いられ、そのバスライン１２と絶縁膜１３との上に透明導電性膜の陽極１２が積層されるので、有機発光層で発光した光がバスライン１２及び絶縁膜１３で拡散されるので、有機発光素子の開口率を向上させることができる。例えば、特許文献２に開示された有機ＬＥＤでは絶縁性のバンク材が用いられており、そのバンク材は一般的にポリイミド材質など可視域に吸収がある材料が多いため、陰極の金属色である色合いに対して外観を損ねる。また、可視域に吸収材料があるため、発光した光がバンクで損失する可能性がある。これに対し、上記した実施例においてはバスライン１２としてＡｌＮｄ等の金属が用いられ、絶縁膜１３としてＳｉＯ２が用いられているので、陰極２２のＡｌの金属色と同等で外観を損ねることがない。また、発光した光がバスライン１２及び絶縁膜１３で拡散しても損失することなく、有機発光素子から放出されるので従来よりも高開口率を得ることができる。更に、バスライン１２の材料の電気抵抗率は陽極１４の材料のそれより小さく、またバスライン１２に陽極１４が直接接触するので、有機発光素子に効率よく給電することができる。更に、上記したように開口率の増加のために発光した光を効率より放出させることができるので、所望の光量を得るために従来の素子より消費電力を低減させることができる。また、発光パネルにおいて隣接する発光素子間では一方の発光素子のバスラインと他方の発光素子の絶縁膜とにより対向させることができるので、他方の発光素子の絶縁膜により発光素子間の距離を短くしても素子間の絶縁特性を良好に確保することができる。
　上記した実施例においては、バスライン１２と絶縁層１３との間の凹部にインク１５の滴下によりホール注入・輸送層１６が形成され、更に、インク１７の滴下によりＲＧ塗布混合層１８が形成されているが、本発明はこのように濡れピン止め効果を利用して２層が形成されることに限定されず、濡れピン止め効果を利用して１層だけ、或いは３層以上が形成されても良い。
　例えば、図５に示すように、発光パネルの第１発光素子Ａは上記した実施例のように(a)バスライン及び絶縁膜形成工程、(b)陽極形成工程、(c)ホール注入・輸送層形成工程、(d)塗布発光層形成工程、及び(e)蒸着層形成工程によって製造されている。この第１発光素子Ａに隣接する第２発光素子Ｂは(a)バスライン及び絶縁膜形成工程、(b)陽極形成工程、(c)ホール注入・輸送層形成工程、及び(e)蒸着層形成工程によって製造されている。(e)蒸着層形成工程は第１発光素子Ａ及び第２発光素子Ｂの共通の工程であり、各蒸着層が第１発光素子Ａ及び第２発光素子Ｂに亘って連続的に形成される。第２発光素子Ｂでは、濡れピン止め効果を利用して形成した層はホール注入・輸送層１６だけであり、(e)蒸着層形成工程で蒸着形成された青発光層１９により青色だけが発光色として得られる。また、図５に示した発光パネルにおいては、第１発光素子Ａのバスライン１２間の凹部に塗布形成されたＲＧ塗布混合層１８の表面の凹凸状態、また第２発光素子Ｂのバスライン１２間の凹部に塗布形成されたホール注入・輸送層１６の表面の凹凸状態が青発光層１９の形成によって吸収されて青発光層１９の表面は平坦にされ、青発光層１９以外の蒸着層である電子輸送層２０、電子注入層２１及び陰極２２が発光素子毎に平坦に形成されている。ただし、図６に示すように、第１発光素子Ａ及び第２発光素子Ｂ各々において上記の凹凸状態を吸収することなく青発光層１９、電子輸送層２０、電子注入層２１及び陰極２２が凹凸状に形成されても良い。
　また、上記した実施例においては、発光素子毎にバスライン１２及び絶縁膜１３が基板１１上に形成されているが、図７に示すように、第１発光素子Ａの絶縁層３２が第１発光素子Ａと隣接する第２発光素子Ｂのバスライン３４と重なるようにしても良い。すなわち、第１発光素子Ａでは基板１１上にバスライン３１と絶縁層３２とが形成され、絶縁層３２の幅はバスライン３１の幅より長くされている。そのバスライン３１の外側端部からの絶縁膜３２の中間部までを覆うように陽極３３が形成されている。第２発光素子Ｂでは絶縁膜３２の端部を覆うように逆Ｌ字状断面のバスライン３４が基板１１上に形成され、そのバスライン３４の外側端部からの絶縁膜３２と同様の絶縁膜（図示せず）の中間部までを覆うように陽極３５が形成される。このように隣接する第１発光素子Ａと第２発光素子Ｂとの間に絶縁層３２を形成することにより素子間の絶縁特性を良好にすることができる。
　更に、上記した実施例においては、バスライン１２が基板１１上に直接形成されているが、図８に示すように、ＳｉＯ２等の絶縁材料からなる嵩上げ層２４を基板１１上に形成した後、嵩上げ層２４上にバスライン２５を形成しても良い。このようにすることによりバスライン２５をバスライン１２より薄膜として形成することができる。また、バスライン１２は、陽極１４に接触した給電ラインとして示されているが、陰極に接触した給電ラインとして形成されても良い。
　なお、上記した実施例における基板１１、バスライン１２、絶縁膜１３、陽極１４、ホール注入・輸送層１６、ＲＧ塗布混合層１８、青発光層１９、電子輸送層２０、電子注入層２１及び陰極２２の各材料は上記したものに限定されない。基板１１としては透明（半透明を含む）なプラスチック基板でも良い。バスライン１２の材料としてはＡｌ,Ａｇ,Ｍｏ,Ｔｉ,Ｐｔ,Ａｕ等の金属又はそれらの合金を用いることができ、特に光反射率が高いものが好適である。絶縁膜１３としては上記のＳｉＯ２のような透明絶縁材料に限らず、ポリイミド材等の不透明の絶縁材料でも良い。陽極１４の材料としてはＩＴＯ等の他の酸化金属を用いることができる。また、ホール注入・輸送層１６の材料としてインク滴下可能なＡｇ,Ｍｏ,Ｃｒ,Ｉｒ等の他の金属酸化物を用いることができる。ＲＧ塗布混合層１８及び青発光層１９等の発光層の材料としてはホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する材料であれば良く、また、インク滴下して発光層を形成する場合にはインク滴下可能な材料である必要がある。電子注入層２１の材料としては例えば、バリウム、フタロシアニン、フッ化リチウム、或いはこれらの組み合わせで形成されることが好ましい。陰極２２の材料としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の酸化金属を用いても良い。
　また、上記した実施例において示した各工程での各膜の形成方法、各膜の幅及び厚さ、加熱温度、加熱時間等の条件は一例に過ぎず、本発明はこれに限定されない。
　更に、バスラインと絶縁膜は組として形成されているが、組をなすバスライン及び絶縁膜が同一断面形状である必要はなく、またライン伸張方向において同一の長さである必要はない。
　また、上記した濡れピン止め効果について説明すると、図９(a)に示すように、屈曲角αの角部を有する部材４１の表面に滴下された溶液４２の平衡接触角をθとした場合に、図９(b)に示すように、接触角がθ＋αになるまでは溶液４２はその角部を通過することができない。それは図９(c)に示すように溶液４２が角部を通過した先の斜面では接触角はθより小さくなるからである。すなわち、溶液４２の接触角はθ～θ＋αの範囲となり、屈曲角αが大なるほど撥液性が高くなることが濡れピン止め効果である。
　本発明の有機発光素子及びその製造方法は有機ＥＬディスプレイや有機ＥＬ照明装置の発光素子に適用することができる。
１１　基板
１２，２５，３１，３４　バスライン
１３，２４，３２　絶縁層
１４，３３，３５　陽極
１６　ホール注入・輸送層
１８　ＲＧ塗布混合層
１９　青発光層
２０　電子輸送層
２１　電子注入層
２２　陰極

Claims (7)

  1. 　透明基板と、
    　前記基板上に並置された金属材料からなるバスライン及び絶縁膜の組と、
    　前記バスライン及び前記絶縁膜各々と前記バスラインと前記絶縁膜との間の領域とを覆うように形成された透明導電性膜と、
    　前記透明導電性膜上への有機材料を含む溶液の塗布によって形成された有機材料層と、を含むことを特徴とする有機発光素子。
  2. 　前記有機材料層は陽極としての前記透明導電性膜上に形成されたホール注入・輸送層を含むことを特徴とする請求項１記載の有機発光素子。
  3. 　前記有機材料層は前記ホール注入・輸送層と、前記ホール注入・輸送層上に形成された発光層とを含むことを特徴とする請求項２記載の有機発光素子。
  4. 　前記有機材料はインクジェット法を用いて前記透明導電性膜上に塗布されることを特徴とする請求項１～３のいずれか１記載の有機発光素子。
  5. 　前記バスライン及び前記絶縁膜の並置方向の少なくとも非対向側面が前記基板を臨むように傾斜していることを特徴とする請求項１記載の有機発光素子。
  6. 　前記有機材料層上に電子輸送層、電子注入層及び陰極が順に蒸着により積層されることを特徴とする請求項１～３のいずれか１記載の有機発光素子。
  7. 　透明基板上に金属材料からなるバスライン及び絶縁膜の組を並置させるバスライン及び絶縁膜形成工程と、
    　前記バスライン及び前記絶縁膜各々と、前記バスラインと前記絶縁膜との間の領域とを覆うように透明導電性膜を形成する工程と、
    　前記透明導電性膜上への有機材料を含む溶液の塗布によって有機材料層を形成する工程と、を含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法。
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