WO2013045576A1 - Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements mit einer drahtlosen kontaktierung - Google Patents

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WO2013045576A1
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Tobias Gebuhr
Hans-Christoph Gallmeier
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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Definitions

  • the invention relates to a method for producing an optoelectronic component with a wireless
  • Component is an electrical contact on an upper side of the LED chip by means of an electrically conductive layer connected to a terminal contact on a support of the LED chip.
  • the electrically conductive layer is passed over an electrically insulating layer, which the
  • this is preferably formed from a comparatively thick metal layer.
  • a thick metal layer is not transparent, it must not be arranged over the radiation exit surface of the LED chip.
  • the metal layer must therefore be applied either in a structured manner, for example by a printing process, or after application over the entire surface be structured so that it does not obscure the radiation exit surface of the LED chip.
  • Layer for example with a printing method, or the structuring of the electrically conductive layer after the application, for example by means of a mask or by means of a laser process, must be with high accuracy
  • the invention is based on the object, an improved method for producing an optoelectronic
  • Patent claim 1 solved.
  • connection area Having connection area and a second connection area.
  • the first connection region and the second connection region are electrically insulated from one another.
  • the carrier may be, for example, a printed circuit board.
  • the carrier may be, for example, a ceramic or a
  • a luminescence diode chip which has a first connection contact on a base area and a second connection contact on a radiation exit area.
  • the luminescence diode chip may be
  • the luminescence diode chip is mounted on the base area on the first connection region.
  • the first connection contact of the luminescence diode chip is advantageously connected in an electrically conductive manner to the first connection region of the carrier.
  • Connection contact may be formed for example by an electrically conductive substrate of the LED chip.
  • Radiation exit surface of the LED chip is formed for example by a contact metallization.
  • an electrically insulating layer is applied to the side flanks of the
  • insulating layer serves a short circuit on the side edges of the LED chip in the later
  • the electrically insulating layer may comprise, for example, a plastic.
  • the electrically insulating layer is
  • an electrically conductive layer in a further method step, is provided.
  • Lumineszenzdiodenchips electrically conductively connected to the second connection region on the support.
  • the electrically conductive layer is advantageously applied over the entire surface, so that it the radiation exit surface of the
  • Lumineszenzdiodenchips the electrically insulating layer and the luminescence diode chip facing surface of the carrier completely covered.
  • the luminescence diode chip emits radiation which illuminates the photoresist layer.
  • Luminescence diode chips is exposed. Subsequently, the photoresist layer is developed, wherein the arranged on the radiation exit surface of the LED chip part of the photoresist layer is removed. Outside the radiation exit surface of the LED chip, the photoresist layer during development is advantageously not
  • the photoresist layer is particularly advantageous for the photoresist layer to be exposed by the radiation generated by the luminescence diode chip. The exposure takes place in this way advantageous exactly where the
  • the photoresist layer is formed in this way to a mask whose opening exactly to the radiation exit surface of the
  • LED chip is adapted so that the electrically conductive layer to avoid absorption in the finished optoelectronic device is removed from this area exactly.
  • Luminescence diode chip generated radiation is the
  • the method has the advantage that, if appropriate, a defective luminescence diode chip which does not emit radiation when a voltage is applied to the connection regions can be sorted out in a simple manner. If
  • Lumineszenzdiodenchip should have a defect in the process, the photoresist layer this
  • electrically conductive layer in the etching process is not removed from the radiation exit surface of this LED chip.
  • the presence of the electrically conductive layer on the radiation exit surface can advantageously be optically detected automatically, so that the optoelectronic
  • Component can be sorted out with the defective LED chip.
  • the electrically conductive preferably contains or consists of a metal or a metal alloy.
  • the electrically conductive layer may contain or consist of gold. Gold is characterized by a high
  • the electrically conductive layer may also comprise a transparent conductive oxide such as ITO.
  • the electrically conductive layer advantageously has a thickness between 5 nm and 100 nm. In a preferred embodiment, the electrically conductive layer has a thickness of less than 100 nm, particularly preferably less than 50 nm. The thickness of the electrically conductive layer is particularly preferably between 5 nm and 50 nm. In this case, the electrically conductive layer is on the one hand thick enough to produce an electrically conductive connection between the second connection region of the carrier and the second connection contact of the LED chip. On the other hand, the electrically conductive layer is still thin enough that it has sufficient transparency for the
  • Exposure of the photoresist layer has.
  • the exposure of the photoresist layer takes place through the electrically conductive layer.
  • the electrically conductive layer is preferably applied by sputtering. In this way, the electrically conductive layer can be simply and inexpensively over the entire surface of the LED chip, the electrically insulating layer and the carrier with the second disposed thereon
  • Luminescence diode chip exposed photoresist layer not required.
  • the photoresist layer is advantageously removed and another electrically
  • a contact layer formed from the electrically conductive layer and the further electrically conductive layer has a high electrical conductivity.
  • the previously applied thin electrically conductive layer acts as a seed layer for the galvanic
  • the further electrically conductive layer is advantageously only on the previously applied electrically conductive layer, but in particular not deposited on the radiation exit surface of the LED chip.
  • the electrically conductive layer as electrode for the galvanic
  • the further electrically conductive layer is deposited automatically in the same structure as the previously applied electrically conductive layer.
  • the further electrically conductive layer is advantageously formed from the same material as the electrically conductive layer.
  • the electrically conductive layer is advantageously formed from the same material as the electrically conductive layer.
  • the electrodeposited further electrically conductive layer is formed from a different material than the previously applied electrically conductive layer.
  • the further electrically conductive layer contains
  • the further electrically conductive layer may contain or consist of gold or copper. Gold and copper are characterized by a high electrical conductivity.
  • the further electrically conductive layer preferably has a thickness of at least 1 ⁇ m. By way of example, the thickness of the further electrically conductive layer may be between 1 ⁇ m and 50 ⁇ m inclusive.
  • the carrier has a rear side opposite the luminescence diode chip first backside contact and a second backside contact.
  • the first backside contact is advantageous by means of a first via, the one of the
  • Lumineszenzdiodenchip facing front of the carrier leads to the back of the carrier, connected to the first electrical connection region of the carrier.
  • connection which leads from a front side of the carrier facing the LED chip to the rear side of the carrier, is electrically conductively connected to the second connection region.
  • Photoresist layer with the radiation generated by the LED chip by the application of a voltage to the first and second back contact has the advantage that the first connection region on the carrier, on which the LED chip is arranged, need not be accessible for external electrical contacting.
  • the luminescence diode chip can completely cover the first connection region on the carrier.
  • Figures 1 to 11 is a schematic representation of a
  • the method firstly provides a carrier 3 which has a first carrier
  • Terminal area 1 and a second terminal area 2 has.
  • the carrier 3 is advantageously formed from an electrically insulating material, for example a plastic or a ceramic.
  • the first connection region 1 is by means of a first
  • Connection area 2 is advantageous with a second
  • Through-connection 32 which passes through the carrier 3, connected to a second rear-side contact 22.
  • Terminal areas 1, 2, the plated-through holes 31, 32 and the rear side contacts 21, 22 are advantageously each formed from a metal or a metal alloy.
  • a luminescence diode chip 10 has been mounted on the first connection region 1 of the carrier 3.
  • the luminescence diode chip 10 is preferably an LED chip.
  • Luminescence diode chip 10 can be soldered or glued to the first electrical connection region 1, for example by means of a solder or a conductive adhesive (not shown).
  • the luminescence diode chip 10 has a first electrical connection contact 11 on the base area 8 and a second electrical connection contact 12 on a radiation exit area 9 opposite the base area 8 on.
  • the first connection contact 11 may, for example, be formed by the rear side of an electrically conductive substrate 16 of the luminescence diode chip 10, which at the same time forms the base area 8 of the luminescence diode chip 10.
  • the second connection contact 12 is preferably by a
  • the luminescence diode chip 10 has, for example, a first semiconductor region 13, which has a first conductivity type, and a second semiconductor region 15, which has a second conductivity type. Between the first semiconductor region 13, which has a first conductivity type, and a second semiconductor region 15, which has a second conductivity type. Between the first
  • Semiconductor region 13 and the second semiconductor region 15 may each be formed of a plurality of sub-layers.
  • the active layer 14 is a radiation-emitting active layer.
  • the active layer can be used, for example, as a pn junction, as a double heterostructure, as a single layer
  • Quantum well structure or multiple quantum well structure
  • Semiconductor region 13, the active layer 14 and the second semiconductor region 15 is formed, is preferably formed of III-V compound semiconductor materials.
  • the semiconductor layer sequence 18 may comprise arsenide, phosphide or nitride compound semiconductor materials.
  • the first semiconductor region 13 may be, for example, an n-type
  • the substrate 16 of the luminescence diode chip 10 can be a growth substrate that was used for epitaxially growing the semiconductor layer sequence 18.
  • the luminescence diode chip 10 may also be a so-called thin-film light-emitting diode chip in which a growth substrate used for the epitaxial growth of the semiconductor layer sequence 18 has been detached from the luminescence diode chip 10.
  • Embodiment is the radiation exit surface 9 of the
  • Luminescence diode chips 10 arranged on the side of the original growth substrate. Between the carrier substrate 16 and the first semiconductor region 13, in particular, a mirror layer (not shown) can be arranged in order to reflect the radiation emitted by the active layer 14 in the direction of the carrier substrate 16 towards the radiation coupling-out surface 9.
  • a mirror layer (not shown) can be arranged in order to reflect the radiation emitted by the active layer 14 in the direction of the carrier substrate 16 towards the radiation coupling-out surface 9.
  • the first semiconductor region 13 is preferably a p-type
  • Semiconductor region and the second semiconductor region 15 an n-type semiconductor region.
  • an electrically insulating layer 4 has been applied to the side flanks 17 of the luminescence diode chip 10.
  • electrically insulating layer 4 is
  • an electrically insulating Plastic layer or around an oxide, nitride or oxynitride layer for example, an electrically insulating Plastic layer or around an oxide, nitride or oxynitride layer.
  • the electrically insulating layer 4 may be a silicon oxide, silicon nitride or silicon oxynitride layer.
  • Luminescence diode chip 10 the luminescence diode chip 10 facing surface of the carrier 3, the second
  • the electrically conductive layer 5 is preferably a layer of a metal or a
  • the electrically conductive layer 5 is a gold layer.
  • the electrically conductive layer 5 is in particular an electrically conductive connection between the second
  • the side flanks 17 of the luminescence diode chip 10 and the first connection region 1 are advantageously insulated from the electrically conductive layer 5 by the electrically insulating layer 4.
  • the electrically conductive layer 5 is preferably applied by sputtering.
  • the thickness of the electrically conductive layer 5 is
  • nm preferably less than 100 nm, more preferably less than 50 nm, for example between 5 nm and 50 nm.
  • a photoresist layer 7 has been applied to the electrically conductive layer 5.
  • the photoresist layer 7 is, like the electrically conductive layer 5, applied over the entire surface, d. H. it covers the electrically conductive layer 5
  • an electric voltage V is applied to the first terminal area 1 and the second terminal area 2. Because the first
  • Terminal area 1 with the first rear side contact 21 and the second terminal area 2 with the second
  • Rear side contact 22 are electrically connected, this can be advantageous by applying a voltage V to the
  • Rear side contacts 21, 22 take place. This is particularly advantageous because the first connection region 1 in the exemplary embodiment is covered by the luminescence diode chip 10 and the electrically insulating layer 4 and thus can not be contacted directly from the outside. Because the first
  • Luminescence diode chips 10 are connected, a current flow is caused by the application of the electrical voltage V through the LED chip 10.
  • the luminescence diode chip 10 therefore advantageously emits radiation 23, which exposes a region of the photoresist layer 7 arranged above the radiation exit surface 9.
  • the electrically conductive layer 5 is a comparatively thin layer which
  • electrically conductive layer 5 therefore has a sufficiently large transmission that through the
  • Luminescence diode chips 10 has a sufficiently high intensity that the photoresist layer 7 is exposed.
  • Luminescence diode chip 10 emitted radiation 23 absorbed.
  • the photoresist layer 7 has been developed.
  • the photoresist layer 7 now has an opening in the previously exposed regions, which are arranged above the radiation exit surface 9 of the luminescence diode chip 10.
  • the photoresist layer 7 advantageously forms a mask layer whose opening with high accuracy of the
  • Exposure of the photoresist layer with an external light source would be required achieved.
  • an etching process has been carried out using the photoresist layer 7 produced in this way as an etching mask.
  • a part of the electrically conductive layer 5 arranged on the radiation exit surface 9 has been removed.
  • the photoresist layer has been removed from the structured electrically conductive layer 5.
  • the electrodeposited further electrically conductive layer 6 preferably has a thickness of at least 1 ⁇ m.
  • the further electrically conductive layer 6 can be thick between 1 ⁇ m and 50 ⁇ m.
  • the electrically conductive layer 5 acts as a seed layer for the electrodeposition of the further electrically conductive layer 6. This has the advantage that the further electrically conductive layer 6 only on the already
  • structured electrically conductive layer 5 is deposited and thus has the same structure.
  • Luminescence diode chips 10 is not covered by the further electrically conductive layer 6.
  • conductive layer 6 preferably comprises a metal or a Metal alloy on. The further electrically conductive
  • Layer 6 may in particular be formed of the same material as the electrically conductive layer 5.
  • the thickness of the electrically conductive layer 5 is reinforced by the electrodeposition of the further electrically conductive layer 6.
  • the electrically conductive layer 5 and the further electrically conductive layer 6 each have gold.
  • the further electrically conductive layer 6 has a different material than the previously applied electrically conductive layer 5.
  • the further electrically conductive layer 6 may be a copper layer.
  • electrically conductive layer 6 together form a
  • Luminescence diode chip 10 electrically interconnects.
  • Process step is a luminescence conversion layer 19 on the radiation exit surface 9 of the
  • Luminescence diode chips 10 has been applied. The
  • Lumineszenzkonversions Mrs 19 advantageously contains a phosphor which at least a part of the
  • Luminescence diode chip 10 emitted radiation converted to a larger wavelength. This way you can for example, with one in the ultraviolet or blue
  • the luminescence conversion layer 19 may, for example, in the form of a platelet, the
  • a ceramic or a silicone are glued to the LED chip 10.
  • the optoelectronic component can be provided with a potting 20 in order to protect it, in particular, from external influences such as, for example, dirt or moisture.
  • the potting 20 may for example comprise a silicone.
  • a phosphor may be included to convert a portion of the emitted radiation to a different wavelength.
  • the potting 20 may contain scattering particles in order to scatter the radiation emitted by the luminescence diode chip 10 and / or radiation striking the optoelectronic component from the outside.

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Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben, bei dem ein Lumineszenzdiodenchip (10) an einer Grundfläche (8) auf den ersten Anschlussbereich (1) eines Trägers (3) montiert wird. Eine elektrisch isolierende Schicht (4) wird auf Seitenflanken (17) des Lumineszenzdiodenchips (10) aufgebracht. Nachfolgend wird eine elektrisch leitfähige Schicht (5), welche von einem zweiten Anschlusskontakt (12) des Lumineszenzdiodenchips (10) über die elektrisch isolierende Schicht (4) zu einem zweiten Anschlussbereich (2) auf dem Träger (3) führt, aufgebracht. Es wird eine Fotolackschicht (7) auf die elektrisch leitfähige Schicht (5) aufgebracht, die durch Anlegen einer elektrischen Spannung an den Lumineszenzdiodenchip (10), so dass der Lumineszenzdiodenchip (10) Strahlung (23) emittiert, belichtet wird. Nach dem Entwickeln der Fotolackschicht (7) wird ein auf der Strahlungsaustrittsfläche (9) angeordneter Teil der elektrisch leitfähigen Schicht (5) mit einem Ätzprozess, bei dem die Fotolackschicht (7) als Maske dient, entfernt.

Description

Beschreibung
Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Bauelements mit einer drahtlosen Kontaktierung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit einer drahtlosen
Kontaktierung . Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldungen 10 2011 055 549.8 und 10 2011 114 668.0, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird . Ein optoelektronisches Bauelement, insbesondere ein LED- Bauelement, mit einer drahtlosen Kontaktierung ist
beispielsweise aus der Druckschrift DE 10 2004 050 371 AI bekannt. Bei dem darin beschriebenen optoelektronischen
Bauelement ist ein elektrischer Kontakt an einer Oberseite des LED-Chips mittels einer elektrisch leitfähigen Schicht mit einem Anschlusskontakt auf einem Träger des LED-Chips verbunden. Die elektrisch leitfähige Schicht ist über eine elektrisch isolierende Schicht geführt, welche die
Seitenflanken des LED-Chips zur Vermeidung eines
Kurzschlusses von der elektrisch leitfähigen Schicht
isoliert. Zur Erzielung einer hohen Stromtragfähigkeit der elektrisch leitfähigen Schicht ist diese vorzugsweise aus einer vergleichsweise dicken Metallschicht gebildet. Da eine dicke Metallschicht aber nicht transparent ist, darf sie nicht über der Strahlungsaustrittsfläche des LED-Chips angeordnet sein. Die Metallschicht muss daher entweder strukturiert aufgebracht werden, beispielsweise mit einem Druckverfahren, oder nach dem ganzflächigen Aufbringen derart strukturiert werden, dass sie die Strahlungsaustrittsfläche des LED-Chips nicht verdeckt.
Das strukturierte Aufbringen der elektrisch leitfähigen
Schicht, beispielsweise mit einem Druckverfahren, oder das Strukturieren der elektrisch leitfähigen Schicht nach dem Aufbringen, beispielsweise mittels einer Maske oder mittels eines Laserprozesses, müssen mit hoher Genauigkeit
durchgeführt werden und sind daher vergleichsweise aufwändig.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein verbessertes Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Bauelements mit einer drahtlosen Kontaktierung anzugeben, mit dem mit einem vergleichsweise geringen Herstellungsaufwand eine hohe Genauigkeit bei der Strukturierung der elektrisch leitfähigen Schicht erzielt werden kann.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit den Merkmalen des
Patentanspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements wird
zunächst ein Träger bereitgestellt, der einen ersten
Anschlussbereich und einen zweiten Anschlussbereich aufweist.
Der erste Anschlussbereich und der zweite Anschlussbereich sind elektrisch voneinander isoliert. Bei dem Träger kann es sich beispielsweise um eine Leiterplatte handeln. Alternativ kann der Träger beispielsweise eine Keramik oder ein
Halbleitermaterial aufweisen. Weiterhin wird ein Lumineszenzdiodenchip bereitgestellt, der einen ersten Anschlusskontakt an einer Grundfläche und einen zweiten Anschlusskontakt an einer Strahlungsaustrittsfläche aufweist. Bei dem Lumineszenzdiodenchip kann es sich
beispielsweise um einen LED-Chip oder einen Laserdiodenchip handeln .
Gemäß einer Ausgestaltung wird der Lumineszenzdiodenchip an der Grundfläche auf den ersten Anschlussbereich montiert. Auf diese Weise wird vorteilhaft der erste Anschlusskontakt des Lumineszenzdiodenchips elektrisch leitend mit dem ersten Anschlussbereich des Trägers verbunden. Der erste
Anschlusskontakt kann beispielsweise durch ein elektrisch leitfähiges Substrat des Lumineszenzdiodenchips gebildet sein. Der zweite Anschlusskontakt an der
Strahlungsaustrittsfläche des Lumineszenzdiodenchips ist beispielsweise durch eine Kontaktmetallisierung gebildet.
In einem weiteren Verfahrensschritt wird eine elektrisch isolierende Schicht auf die Seitenflanken des
Lumineszenzdiodenchips aufgebracht. Die elektrisch
isolierende Schicht dient dazu, einen Kurzschluss an den Seitenflanken des Lumineszenzdiodenchips beim späteren
Aufbringen einer elektrisch leitfähigen Schicht zur
Herstellung einer drahtlosen Kontaktierung zu verhindern. Die elektrisch isolierende Schicht kann beispielsweise einen Kunststoff aufweisen. Alternativ kann die elektrisch
isolierende Schicht auch eine elektrisch isolierende Oxid¬ oder Nitridverbindung, beispielsweise ein Siliziumoxid, aufweisen. Die elektrisch isolierende Schicht wird
vorteilhaft derart strukturiert, dass sie zumindest den zweiten Anschlussbereich des Trägers und den zweiten
Anschlusskontakt des Lumineszenzdiodenchips nicht bedeckt. Gemäß einer Ausgestaltung wird in einem weiteren Verfahrensschritt eine elektrisch leitfähige Schicht
aufgebracht, welche von dem zweiten Anschlusskontakt des Lumineszenzdiodenchips über die elektrisch isolierende
Schicht zu dem zweiten Anschlussbereich auf dem Träger führt. Auf diese Weise wird der zweite Anschlusskontakt des
Lumineszenzdiodenchips elektrisch leitend mit dem zweiten Anschlussbereich auf dem Träger verbunden. Die elektrisch leitfähige Schicht wird vorteilhaft ganzflächig aufgebracht, sodass sie die Strahlungsaustrittsfläche des
Lumineszenzdiodenchips, die elektrisch isolierende Schicht und die dem Lumineszenzdiodenchip zugewandte Oberfläche des Trägers vollständig bedeckt.
Gemäß einer Ausgestaltung wird nachfolgend eine
Fotolackschicht auf die elektrisch leitfähige Schicht
aufgebracht . Gemäß einer Ausgestaltung wird nach dem Aufbringen der
Fotolackschicht vorteilhaft eine elektrische Spannung an den ersten und den zweiten elektrischen Anschlussbereich
angelegt, um einen Stromfluss durch den Lumineszenzdiodenchip zu erzeugen. Auf diese Weise wird vorteilhaft erreicht, dass der Lumineszenzdiodenchip Strahlung emittiert, welche die Fotolackschicht belichtet. Insbesondere emittiert der
Lumineszenzdiodenchip Strahlung durch die
Strahlungsaustrittsfläche, sodass der oberhalb der
Strahlungsaustrittsfläche angeordnete Bereich der
Fotolackschicht durch die Strahlung des
Lumineszenzdiodenchips belichtet wird. Nachfolgend wird die Fotolackschicht entwickelt, wobei der an der Strahlungsaustrittsfläche des Lumineszenzdiodenchips angeordnete Teil der Fotolackschicht entfernt wird. Außerhalb der Strahlungsaustrittsfläche des Lumineszenzdiodenchips wird die Fotolackschicht beim Entwickeln vorteilhaft nicht
entfernt, da sie dort nicht oder zumindest nicht ausreichend von der Strahlung des Lumineszenzdiodenchips belichtet wurde.
Nachfolgend wird gemäß einer Ausgestaltung ein auf der
Strahlungsaustrittsfläche des Lumineszenzdiodenchips
angeordneter Teil der elektrisch leitfähigen Schicht mit einem Ätzprozess entfernt, bei dem die Fotolackschicht als Maske dient. Bei dem Verfahren ist es insbesondere vorteilhaft, dass die Fotolackschicht durch die von dem Lumineszenzdiodenchip erzeugte Strahlung belichtet wird. Die Belichtung erfolgt auf diese Weise vorteilhaft genau dort, wo der
Lumineszenzdiodenchip Strahlung durch die
Strahlungsaustrittsfläche emittiert. Die Fotolackschicht wird auf diese Weise zu einer Maske ausgebildet, deren Öffnung genau an die Strahlungsaustrittsfläche des
Lumineszenzdiodenchips angepasst ist, sodass die elektrisch leitfähige Schicht zur Vermeidung von Absorption im fertigen optoelektronischen Bauelement genau von diesem Bereich entfernt wird. Auf diese Weise wird insbesondere ein
Justageaufwand vermieden, der bei der Belichtung mit einer externen Lichtquelle und einer Belichtungsmaske für die externe Lichtquelle erforderlich wäre. Durch das vorteilhafte Belichten der Fotolackschicht durch die von dem
Lumineszenzdiodenchip erzeugte Strahlung wird der
Herstellungsaufwand daher vorteilhaft vermindert und
gleichzeitig eine sehr genaue Belichtung erzielt. Weiterhin hat das Verfahren den Vorteil, dass gegebenenfalls ein defekter Lumineszenzdiodenchip, der beim Anlegen einer Spannung an die Anschlussbereiche keine Strahlung emittiert, auf einfache Weise aussortiert werden kann. Wenn
beispielsweise bei der Produktion einer Vielzahl von
optoelektronischen Bauelementen ein einzelner
Lumineszenzdiodenchip einen Defekt aufweisen sollte, wird bei dem Verfahren die Fotolackschicht dieses
Lumineszenzdiodenchips nicht belichtet und somit die
elektrisch leitfähige Schicht bei dem Ätzprozess nicht von der Strahlungsaustrittsfläche dieses LED-Chips entfernt. Das Vorhandensein der elektrisch leitfähigen Schicht auf der Strahlungsaustrittsfläche kann vorteilhaft automatisiert optisch detektiert werden, sodass das optoelektronische
Bauelement mit dem defekten Lumineszenzdiodenchip aussortiert werden kann.
Die elektrisch leitfähige enthält vorzugsweise ein Metall oder eine Metalllegierung oder besteht daraus. Insbesondere kann die elektrisch leitfähige Schicht Gold enthalten oder daraus bestehen. Gold zeichnet sich durch eine hohe
elektrische Leitfähigkeit aus. Alternativ kann die elektrisch leitfähige Schicht auch ein transparentes leitfähiges Oxid wie beispielsweise ITO aufweisen.
Die elektrisch leitfähige Schicht weist vorteilhaft eine Dicke zwischen 5 nm und 100 nm auf. Bei einer bevorzugten Ausgestaltung weist die elektrisch leitfähige Schicht eine Dicke von weniger als 100 nm, besonders bevorzugt von weniger als 50 nm, auf. Besonders bevorzugt beträgt die Dicke der elektrisch leitfähigen Schicht zwischen 5 nm und 50 nm. In diesem Fall ist die elektrisch leitfähige Schicht einerseits dick genug, um eine elektrisch leitende Verbindung zwischen dem zweiten Anschlussbereich des Trägers und dem zweiten Anschlusskontakt des Lumineszenzdiodenchips herzustellen. Andererseits ist die elektrisch leitfähige Schicht aber noch dünn genug, dass sie eine ausreichende Transparenz für die
Belichtung der Fotolackschicht aufweist. Insbesondere erfolgt das Belichten der Fotolackschicht durch die elektrisch leitfähige Schicht hindurch. Die elektrisch leitfähige Schicht wird vorzugsweise durch Sputtern aufgebracht. Auf diese Weise kann die elektrisch leitfähige Schicht einfach und kostengünstig ganzflächig auf den Lumineszenzdiodenchip, die elektrisch isolierende Schicht sowie den Träger mit dem darauf angeordneten zweiten
Anschlussbereich aufgebracht werden. Ein aufwändiges
strukturiertes Aufbringen der elektrisch leitfähigen Schicht, beispielsweise mit einem Druckverfahren, ist aufgrund der nachfolgenden Strukturierung mittels der durch den
Lumineszenzdiodenchip belichteten Fotolackschicht nicht erforderlich.
Nach der Durchführung des Ätzprozesses wird vorteilhaft die Fotolackschicht entfernt und eine weitere elektrisch
leitfähige Schicht galvanisch auf der elektrisch leitfähigen Schicht abgeschieden. Auf diese Weise wird vorteilhaft erreicht, dass eine aus der elektrisch leitfähigen Schicht und der weiteren elektrisch leitfähigen Schicht gebildete Kontaktschicht eine hohe elektrische Leitfähigkeit aufweist. Die zuvor aufgebrachte dünne elektrisch leitfähige Schicht fungiert dabei als Keimschicht für die galvanische
Abscheidung. Die weitere elektrisch leitfähige Schicht wird bei der galvanischen Abscheidung vorteilhaft nur auf der zuvor aufgebrachten elektrisch leitfähigen Schicht, insbesondere aber nicht auf der Strahlungsaustrittsfläche des Lumineszenzdiodenchips abgeschieden. Da die elektrisch leitfähige Schicht als Elektrode für die galvanische
Abscheidung fungiert, wird die weitere elektrisch leitfähige Schicht automatisch in der gleichen Struktur abgeschieden wie die zuvor aufgebrachte elektrisch leitfähige Schicht.
Die weitere elektrisch leitfähige Schicht ist vorteilhaft aus dem gleichen Material gebildet wie die elektrisch leitfähige Schicht. In diesem Fall wird die elektrisch leitfähige
Schicht, die wegen der erforderlichen Transmission für den Belichtungsprozess eine Dicke von weniger als 50 nm aufweist, durch die galvanische Abscheidung verstärkt. Es ist aber auch denkbar, dass die galvanisch abgeschiedene weitere elektrisch leitfähige Schicht aus einem anderen Material gebildet ist wie die zuvor aufgebrachte elektrisch leitfähige Schicht.
Die weitere elektrisch leitfähige Schicht enthält
vorzugsweise ein Metall oder eine Metalllegierung oder besteht daraus. Insbesondere kann die weitere elektrisch leitfähige Schicht Gold oder Kupfer enthalten oder daraus bestehen. Gold und Kupfer zeichnen sich durch eine hohe elektrische Leitfähigkeit aus. Bevorzugt weist die weitere elektrisch leitfähige Schicht eine Dicke von mindestens 1 ym auf. Beispielsweise kann die Dicke der weiteren elektrisch leitfähigen Schicht zwischen einschließlich 1 ym und einschließlich 50 μιη betragen.
Auf diese Weise wird vorteilhaft eine hohe Stromtragfähigkeit erzielt.
Bei einer bevorzugten Ausgestaltung weist der Träger an einer dem Lumineszenzdiodenchip gegenüberliegenden Rückseite einen ersten Rückseitenkontakt und einen zweiten Rückseitenkontakt auf. Der erste Rückseitenkontakt ist vorteilhaft mittels einer ersten Durchkontaktierung, die von einer dem
Lumineszenzdiodenchip zugewandten Vorderseite des Trägers zur Rückseite des Trägers führt, mit dem ersten elektrischen Anschlussbereich des Trägers verbunden. Der zweite
Rückseitenkontakt ist vorteilhaft mittels einer zweiten
Durchkontaktierung, die von einer dem Lumineszenzdiodenchip zugewandten Vorderseite des Trägers zur Rückseite des Trägers führt, mit dem zweiten Anschlussbereich elektrisch leitend verbunden. Die elektrische Kontaktierung des ersten und zweiten Anschlussbereichs auf dem Träger kann daher
vorteilhaft von der Rückseite des Trägers her erfolgen.
Insbesondere kann das Anlegen der Spannung an den ersten und den zweiten Anschlussbereich beim Belichten der
Fotolackschicht mit der vom Lumineszenzdiodenchip erzeugten Strahlung durch das Anlegen einer Spannung an den ersten und zweiten Rückseitenkontakt erfolgen. Insbesondere hat dies den Vorteil, dass der erste Anschlussbereich auf dem Träger, auf dem der Lumineszenzdiodenchip angeordnet ist, nicht für eine externe elektrische Kontaktierung zugänglich sein muss.
Beispielsweise kann der Lumineszenzdiodenchip den ersten Anschlussbereich auf dem Träger vollständig bedecken. Die Erfindung wird im Folgenden anhand eines
Ausführungsbeispiels im Zusammenhang mit den Figuren 1 bis 11 näher erläutert. Es zeigen:
Figuren 1 bis 11 eine schematische Darstellung eines
Ausführungsbeispiels des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements anhand von Zwischenschritten . Gleiche oder gleich wirkende Bestandteile sind in den Figuren jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die
dargestellten Bestandteile sowie die Größenverhältnisse der Bestandteile untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen.
Wie in Figur 1 dargestellt, wird bei dem Verfahren zunächst ein Träger 3 bereitgestellt, der einen ersten
Anschlussbereich 1 und einen zweiten Anschlussbereich 2 aufweist. Der Träger 3 ist vorteilhaft aus einem elektrisch isolierenden Material, beispielsweise einem Kunststoff oder einer Keramik, gebildet. Bei einer bevorzugten Ausgestaltung ist der erste Anschlussbereich 1 mittels einer ersten
Durchkontaktierung 31, die durch den Träger 3 verläuft, mit einem ersten Rückseitenkontakt 21 verbunden. Der zweite
Anschlussbereich 2 ist vorteilhaft mit einer zweiten
Durchkontaktierung 32, die durch den Träger 3 verläuft, mit einem zweiten Rückseitenkontakt 22 verbunden. Die
Anschlussbereiche 1, 2, die Durchkontaktierungen 31, 32 und die Rückseitenkontakte 21, 22 sind vorteilhaft jeweils aus einem Metall oder einer Metalllegierung gebildet.
Bei dem in Figur 2 dargestellten Zwischenschritt ist ein Lumineszenzdiodenchip 10 auf den ersten Anschlussbereich 1 des Trägers 3 montiert worden. Bei dem Lumineszenzdiodenchip 10 handelt es sich vorzugsweise um einen LED-Chip. Der
Lumineszenzdiodenchip 10 kann beispielsweise mittels eines Lots oder eines Leitklebers (nicht dargestellt) auf den ersten elektrischen Anschlussbereich 1 gelötet oder geklebt werden. Der Lumineszenzdiodenchip 10 weist einen ersten elektrischen Anschlusskontakt 11 an der Grundfläche 8 und einen zweiten elektrischen Anschlusskontakt 12 an einer der Grundfläche 8 gegenüberliegenden Strahlungsaustrittsfläche 9 auf. Der erste Anschlusskontakt 11 kann beispielsweise durch die Rückseite eines elektrisch leitfähigen Substrats 16 des Lumineszenzdiodenchips 10 gebildet sein, die gleichzeitig die Grundfläche 8 des Lumineszenzdiodenchips 10 ausbildet. Der zweite Anschlusskontakt 12 ist vorzugsweise durch eine
Kontaktmetallisierung gebildet, die vorzugsweise in einem Randbereich der Strahlungsaustrittsfläche 9 angeordnet ist.
Der Lumineszenzdiodenchip 10 weist beispielsweise einen ersten Halbleiterbereich 13, der einen ersten Leitungstyp aufweist, und einen zweiten Halbleiterbereich 15, der einen zweiten Leitungstyp aufweist, auf. Zwischen dem ersten
Halbleiterbereich 13 und dem zweiten Halbleiterbereich 15 ist eine aktive Schicht 14 angeordnet. Der erste
Halbleiterbereich 13 und der zweite Halbleiterbereich 15 können jeweils aus mehreren Teilschichten gebildet sein.
Die aktive Schicht 14 ist eine Strahlungsemittierende aktive Schicht. Die aktive Schicht kann zum Beispiel als pn- Übergang, als Doppelheterostruktur, als Einfach-
Quantentopfstruktur oder Mehrfach-Quantentopfstruktur
ausgebildet sein. Die Halbleiterschichtenfolge 18 des
Lumineszenzdiodenchips 10, die durch den ersten
Halbleiterbereich 13, die aktive Schicht 14 und den zweiten Halbleiterbereich 15 gebildet wird, ist vorzugsweise aus III- V-Verbindungs-Halbleitermaterialen gebildet. Insbesondere kann die Halbleiterschichtenfolge 18 Arsenid-, Phosphid- oder Nitrid-Verbindungshalbleitermaterialien aufweisen. Der erste Halbleiterbereich 13 kann beispielsweise ein n-Typ
Halbleiterbereich und der zweite Halbleiterbereich 15 ein p- Typ Halbleiterbereich sein. Bei dem Substrat 16 des Lumineszenzdiodenchips 10 kann es sich um ein Aufwachssubstrat handeln, das zum epitaktischen Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge 18 verwendet wurde. Alternativ kann der Lumineszenzdiodenchip 10 aber auch ein so genannter Dünnfilm-Leuchtdiodenchip sein, bei dem ein zum epitaktischen Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge 18 verwendetes Aufwachssubstrat von dem Lumineszenzdiodenchip 10 abgelöst wurde. In diesem Fall ist das Substrat 16 des
Lumineszenzdiodenchips 10 ein von dem Aufwachssubstrat des Lumineszenzdiodenchips 10 verschiedenes Trägersubstrat 16, das beispielsweise nach dem epitaktischen Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge 18 auf eine dem ursprünglichen
Aufwachssubstrat gegenüberliegende Hauptfläche des
Lumineszenzdiodenchips aufgebracht wurde. Bei dieser
Ausgestaltung ist die Strahlungsaustrittsfläche 9 des
Lumineszenzdiodenchips 10 an der Seite des ursprünglichen Aufwachssubstrats angeordnet. Zwischen dem Trägersubstrat 16 und dem ersten Halbleiterbereich 13 kann insbesondere eine Spiegelschicht (nicht dargestellt) angeordnet sein, um die von der aktiven Schicht 14 in Richtung des Trägersubstrats 16 emittierte Strahlung zur Strahlungsauskoppelfläche 9 hin zu reflektieren. Bei der Ausgestaltung des
Lumineszenzdiodenchips 10 als Dünnfilm-Leuchtdiodenchip ist der erste Halbleiterbereich 13 vorzugsweise ein p-Typ
Halbleiterbereich und der zweite Halbleiterbereich 15 ein n- Typ Halbleiterbereich.
Bei dem in Figur 3 dargestellten Zwischenschritt ist eine elektrisch isolierende Schicht 4 auf die Seitenflanken 17 des Lumineszenzdiodenchips 10 aufgebracht worden. Bei der
elektrisch isolierenden Schicht 4 handelt es sich
beispielsweise um eine elektrisch isolierende KunststoffSchicht oder um eine Oxid-, Nitrid- oder Oxinitridschicht . Beispielsweise kann es sich bei der elektrisch isolierenden Schicht 4 um eine Siliziumoxid-, Siliziumnitrid- oder Siliziumoxinitridschicht handeln.
Bei dem in Figur 4 dargestellten Zwischenschritt ist eine elektrisch leitfähige Schicht 5 ganzflächig auf den
Lumineszenzdiodenchip 10, die dem Lumineszenzdiodenchip 10 zugewandte Oberfläche des Trägers 3, den zweiten
Anschlussbereich 2 und die elektrisch isolierende Schicht 4 aufgebracht worden. Die elektrisch leitfähige Schicht 5 ist vorzugsweise eine Schicht aus einem Metall oder einer
Metalllegierung. Bevorzugt handelt es sich bei der elektrisch leitfähigen Schicht 5 um eine Goldschicht. Mittels der elektrisch leitfähigen Schicht 5 wird insbesondere eine elektrisch leitende Verbindung zwischen dem zweiten
Anschlussbereich 2 des Trägers 3 und dem zweiten
Anschlusskontakt 12 des Lumineszenzdiodenchips 10
hergestellt. Die Seitenflanken 17 des Lumineszenzdiodenchips 10 sowie der erste Anschlussbereich 1 sind vorteilhaft durch die elektrisch isolierende Schicht 4 von der elektrisch leitfähigen Schicht 5 isoliert. Die elektrisch leitfähige Schicht 5 wird vorzugsweise mittels Sputtern aufgebracht. Die Dicke der elektrisch leitfähigen Schicht 5 beträgt
vorzugsweise weniger als 100 nm, besonders bevorzugt weniger als 50 nm, beispielsweise zwischen 5 nm und 50 nm.
Bei dem in Figur 5 dargestellten Zwischenschritt ist eine Fotolackschicht 7 auf die elektrisch leitfähige Schicht 5 aufgebracht worden. Die Fotolackschicht 7 ist, wie die elektrisch leitfähige Schicht 5, ganzflächig aufgebracht, d. h. sie bedeckt die elektrisch leitfähige Schicht 5
vorzugsweise vollständig. Nachfolgend wird, wie in Figur 6 dargestellt, eine elektrische Spannung V an den ersten Anschlussbereich 1 und den zweiten Anschlussbereich 2 angelegt. Da der erste
Anschlussbereich 1 mit dem ersten Rückseitenkontakt 21 und der zweite Anschlussbereich 2 mit dem zweiten
Rückseitenkontakt 22 elektrisch leitend verbunden sind, kann dies vorteilhaft durch Anlegen einer Spannung V an die
Rückseitenkontakte 21, 22 erfolgen. Dies ist insbesondere deshalb vorteilhaft, da der erste Anschlussbereich 1 bei dem Ausführungsbeispiel von dem Lumineszenzdiodenchip 10 und der elektrisch isolierenden Schicht 4 bedeckt ist und somit nicht direkt von außen kontaktierbar ist. Da der erste
Anschlussbereich 1 mit dem ersten Anschlusskontakt 11 und der zweite Anschlussbereich 2 über die elektrisch leitfähige Schicht 5 mit dem zweiten Anschlusskontakt 12 des
Lumineszenzdiodenchips 10 verbunden sind, wird durch das Anlegen der elektrischen Spannung V ein Stromfluss durch den Lumineszenzdiodenchip 10 bewirkt. Der Lumineszenzdiodenchip 10 emittiert daher vorteilhaft Strahlung 23, welche einen oberhalb der Strahlungsaustrittsfläche 9 angeordneten Bereich der Fotolackschicht 7 belichtet.
Hierbei ist es vorteilhaft, dass die elektrisch leitfähige Schicht 5 eine vergleichsweise dünne Schicht ist, die
vorzugsweise eine Dicke von weniger als 100 nm,
beispielsweise zwischen 5 nm und 50 nm, aufweist. Die
elektrisch leitfähige Schicht 5 weist daher eine ausreichend große Transmission auf, dass die durch die
Strahlungsaustrittsfläche 9 emittierte Strahlung 23 des
Lumineszenzdiodenchips 10 eine ausreichend große Intensität aufweist, dass die Fotolackschicht 7 belichtet wird.
Außerhalb der unmittelbar über der Strahlungsaustrittsfläche 9 angeordneten Bereiche wird dagegen nicht genügend Strahlung 23 durch die elektrisch leitfähige Schicht 5 transmittiert , um die Fotolackschicht 7 zu belichten. Insbesondere wird auch der oberhalb des zweiten Anschlusskontakts 12 angeordnete Bereich der Fotolackschicht 7 nicht belichtet, da der zweite Anschlusskontakt 12 in diesem Bereich die von dem
Lumineszenzdiodenchip 10 emittierte Strahlung 23 absorbiert.
Bei dem in Figur 7 dargestellten Zwischenschritt ist die Fotolackschicht 7 entwickelt worden. Die Fotolackschicht 7 weist nun in den zuvor belichteten Bereichen, die oberhalb der Strahlungsaustrittsfläche 9 des Lumineszenzdiodenchips 10 angeordnet sind, eine Öffnung auf. Die Fotolackschicht 7 bildet auf diese Weise vorteilhaft eine Maskenschicht aus, deren Öffnung mit hoher Genauigkeit der
Strahlungsaustrittsfläche 9 des Lumineszenzdiodenchips 10 entspricht. Durch die vorteilhafte Belichtung der
Fotolackschicht 7 mittels der von dem Lumineszenzdiodenchip
10 emittierten Strahlung wird dies vorteilhaft ohne
zusätzlichen Justageaufwand, der beispielsweise bei der
Belichtung der Fotolackschicht mit einer externen Lichtquelle erforderlich wäre, erreicht.
Bei dem in Figur 8 dargestellten Zwischenschritt ist unter Verwendung der auf diese Weise hergestellten Fotolackschicht 7 als Ätzmaske ein Ätzprozess durchgeführt worden. Durch den Ätzprozess ist ein auf der Strahlungsaustrittsfläche 9 angeordneter Teil der elektrisch leitfähigen Schicht 5 entfernt worden.
Dies wäre nicht der Fall, wenn die Fotolackschicht 7 aufgrund eines Defekts des Lumineszenzdiodenchips 10 zuvor nicht belichtet worden wäre. Bei einem defekten Lumineszenzdiodenchip 10 verbleibt die elektrisch leitfähige Schicht 5 daher bei dem hierin beschriebenen Verfahren auf der Strahlungsaustrittsfläche 9 des Lumineszenzdiodenchips 10. Dies kann bei einer optischen Prüfung auf einfache Weise festgestellt werden, sodass ein optoelektronisches Bauelement mit einem defekten Lumineszenzdiodenchip 10 auf einfache Weise automatisch aussortiert werden kann.
Bei dem in Figur 9 dargestellten Verfahrensschritt ist die Fotolackschicht von der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht 5 entfernt worden.
Wie in Figur 10 dargestellt, wird in einem weiteren
Verfahrensschritt vorteilhaft eine weitere elektrisch
leitfähige Schicht 6 galvanisch auf der elektrisch
leitfähigen Schicht 5 abgeschieden. Auf diese Weise wird die zuvor aufgebrachte, vergleichsweise dünne elektrisch
leitfähige Schicht 5 verstärkt. Die galvanisch abgeschiedene weitere elektrisch leitfähige Schicht 6 weist vorzugsweise eine Dicke von mindestens 1 μιη auf. Beispielsweise kann die weitere elektrisch leitfähige Schicht 6 zwischen 1 ym und 50 μιη dick sein.
Die elektrisch leitfähige Schicht 5 fungiert als Keimschicht für die galvanische Abscheidung der weiteren elektrisch leitfähigen Schicht 6. Dies hat den Vorteil, dass die weitere elektrisch leitfähige Schicht 6 nur auf der bereits
strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht 5 abgeschieden wird und somit die gleiche Struktur aufweist. Insbesondere wird die Strahlungsaustrittsfläche 9 des
Lumineszenzdiodenchips 10 nicht von der weiteren elektrisch leitfähigen Schicht 6 bedeckt. Die weitere elektrisch
leitfähige Schicht 6 weist vorzugsweise ein Metall oder eine Metalllegierung auf. Die weitere elektrisch leitfähige
Schicht 6 kann insbesondere aus dem gleichen Material gebildet sein wie die elektrisch leitfähige Schicht 5. In diesem Fall wird die Dicke der elektrisch leitfähigen Schicht 5 durch die galvanische Abscheidung der weiteren elektrisch leitfähigen Schicht 6 verstärkt. Beispielsweise weisen die elektrisch leitfähige Schicht 5 und die weitere elektrisch leitfähige Schicht 6 jeweils Gold auf. Alternativ ist es aber auch denkbar, dass die weitere elektrisch leitfähige Schicht 6 ein anderes Material als die zuvor aufgebrachte elektrisch leitfähige Schicht 5 aufweist. Beispielsweise kann die weitere elektrisch leitfähige Schicht 6 eine Kupferschicht sein . Die elektrisch leitfähige Schicht 5 und die weitere
elektrisch leitfähige Schicht 6 bilden gemeinsam eine
vergleichsweise dicke Kontaktschicht aus, welche den zweiten Anschlussbereich 2 auf dem Träger 3 und den zweiten
elektrischen Anschlusskontakt 12 auf dem
Lumineszenzdiodenchip 10 elektrisch miteinander verbindet.
Auf diese Weise wird eine drahtlose elektrische Kontaktierung des Lumineszenzdiodenchips 10 erzielt, die im Vergleich zu der Kontaktierung mit einem Bonddraht vergleichsweise flach ist und eine hohe Stromtragfähigkeit aufweist.
Bei dem in Figur 11 dargestellten optionalen
Verfahrensschritt ist eine Lumineszenzkonversionsschicht 19 auf die Strahlungsaustrittsfläche 9 des
Lumineszenzdiodenchips 10 aufgebracht worden. Die
Lumineszenzkonversionsschicht 19 enthält vorteilhaft einen Leuchtstoff, der zumindest einen Teil der von dem
Lumineszenzdiodenchip 10 emittierten Strahlung zu einer größeren Wellenlänge hin konvertiert. Auf diese Weise kann beispielsweise mit einem im ultravioletten oder blauen
Spektralbereich emittierenden Lumineszenzdiodenchip 10
Weißlicht erzeugt werden. Die Lumineszenzkonversionsschicht 19 kann beispielsweise in Form eines Plättchens, das
beispielsweise eine Keramik oder ein Silikon aufweist, auf den Lumineszenzdiodenchip 10 aufgeklebt werden.
Weiterhin kann das optoelektronische Bauelement mit einem Verguss 20 versehen werden, um es insbesondere vor äußeren Einwirkungen wie beispielsweise Schmutz oder Feuchtigkeit zu schützen. Der Verguss 20 kann beispielsweise ein Silikon aufweisen .
In dem Verguss 20 kann alternativ oder zusätzlich zu der Lumineszenzkonversionsschicht 19 ein Leuchtstoff enthalten sein, um einen Teil der emittierten Strahlung zu einer anderen Wellenlänge hin zu konvertieren. Weiterhin ist es auch möglich, dass der Verguss 20, Streupartikel enthält, um die von dem Lumineszenzdiodenchip 10 emittierte Strahlung und/oder von außen auf das optoelektronische Bauelement auftreffende Strahlung zu streuen.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die
Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von
Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Bauelements, mit den Schritten:
- Bereitstellen eines Trägers (3) , der einen ersten Anschlussbereich (1) und einen zweiten Anschlussbereich (2) aufweist,
- Bereitstellen eines Lumineszenzdiodenchips (10), der einen ersten Anschlusskontakt (11) an einer Grundfläche (8) und einen zweiten Anschlusskontakt (12) an einer Strahlungsaustrittsfläche (9) aufweist,
- Montage des Lumineszenzdiodenchips (10) an der
Grundfläche (8) auf den ersten Anschlussbereich (1),
- Aufbringen einer elektrisch isolierenden Schicht (4) auf Seitenflanken (17) des Lumineszenzdiodenchips (10),
- Aufbringen einer elektrisch leitfähigen Schicht (5) , welche von dem zweiten Anschlusskontakt (12) des
Lumineszenzdiodenchips über die elektrisch isolierende Schicht (4) zu dem zweiten Anschlussbereich (2) des Trägers (3) führt,
- Aufbringen einer Fotolackschicht (7) auf die
elektrisch leitfähige Schicht (5) ,
- Anlegen einer elektrischen Spannung an den ersten (1) und den zweiten Anschlussbereich (2), so dass der
Lumineszenzdiodenchip (10) Strahlung (23) emittiert, welche die Fotolackschicht (7) belichtet,
- Entwickeln der Fotolackschicht (7), wobei ein an der Strahlungsaustrittsfläche (9) angeordneter Teil der Fotolackschicht (7) entfernt wird,
- Entfernen eines auf der Strahlungsaustrittsfläche (9) angeordneten Teils der elektrisch leitfähigen Schicht (5) mit einem Ätzprozess, bei dem die Fotolackschicht als Maske dient.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
wobei die elektrisch leitfähige Schicht (5) ein Metall oder eine Metalllegierung aufweist.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die elektrisch leitfähige Schicht (5) Gold aufweist .
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die elektrisch leitfähige Schicht (5) eine D von weniger als 100 nm aufweist.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die elektrisch leitfähige Schicht (5) durch
Sputtern aufgebracht wird .
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei nach der Durchführung des Ätzprozesses die
Fotolackschicht (7) entfernt wird, und eine weitere elektrisch leitfähige Schicht (6) galvanisch auf der elektrisch leitfähigen Schicht (5) abgeschieden wird
Verfahren nach Anspruch 6,
wobei die weitere elektrisch leitfähige Schicht (6) aus dem gleichen Material gebildet ist wie die elektrisch leitfähige Schicht (5) .
Verfahren nach Anspruch 6 oder 7,
wobei die weitere elektrisch leitfähige Schicht (6) ein Metall oder eine Metalllegierung enthält.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8, wobei die weitere elektrisch leitfähige Schicht (6) Gold oder Kupfer aufweist.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 9,
wobei die weitere elektrisch leitfähige Schicht (6) eine Dicke zwischen einschließlich 1 ym und einschließlich 50 ym aufweist.
11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei der Träger (3) an einer dem Lumineszenzdiodenchip (10) gegenüberliegen Rückseite einen ersten
Rückseitenkontakt (21) und einen zweiten
Rückseitenkontakt (22) aufweist, wobei der erste
Rückseitenkontakt (21) mittels einer ersten
Durchkontaktierung (31) mit dem ersten Anschlussbereich (1) verbunden ist, und der zweite Rückseitenkontakt (22) mittels einer zweiten Durchkontaktierung (32) mit dem zweiten Anschlussbereich (2) verbunden ist.
12. Verfahren nach Anspruch 11,
wobei das Anlegen der Spannung an den ersten (21) und den zweiten Rückseitenkontakt (22) erfolgt.
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