WO2013083447A1 - Hartstoffbeschichtete körper aus metall, hartmetall, cermet oder keramik sowie verfahren zur herstellung derartiger körper - Google Patents

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Definitions

  • Hard material coated body made of metal, carbide, cermet or ceramic and method for producing such bodies
  • the invention relates to hard-coated bodies of metal, cemented carbide, cermet or ceramic, coated with a TiSiCN layer or a layer system containing at least one TiSiCN layer, and to a method for producing such bodies.
  • the hard material layer of the invention produced on the bodies is characterized by a high hardness, high oxidation and temperature resistance and a high adhesive strength and can be used as a wear protection layer on many carbide and ceramic tools.
  • Oxidation resistance so that they can not be used without cutting fluid during machining due to the high temperatures at the cutting edge.
  • oxidation resistance and the hardness of these layers can be improved by the incorporation of further elements such as aluminum or silicon.
  • silicon-containing nanocomposite layers consisting of a nanocrystalline TiCN phase and an amorphous silicon-containing phase.
  • Composites or nanocomposites of the Ti-Si-C-N system can already be combined with various physical and plasma enhanced chemical
  • Vapor deposition are deposited. These layers are characterized by high hardness and reduced coefficient of friction (see J.-H. Jeon, SR Choi, WS Chung, KH Kim, Surface & Coatings Technology 188-189 (2004) 415 and R. Wei, C. Rincon, E. Langa, Journal of Vacuum Science and Technology A 28 (2010) 1 126).
  • Magnetron sputtering or Are processes are used in the PVD techniques as described in DE 381 1907 C1, WO 2008/130316 A1 and by J.-H. Jeon, S.R. Choi, W.S. Chung, K.H. Kim, Surface & Coatings Technology 188-189 (2004) 415.
  • PECVD plasma assisted CVD
  • TiSiCN layers with or without a nanocomposite structure can also be prepared (see D. Ma, S. Ma, H. Dong, K. Xu, T. Bell, Thin Solid Films 496 (2006) 438 and P. Jedrzeyowski, JE, Klemberg-Sapieha, L. Martinu, Surface & Coatings Technology 188-189 (2004) 371).
  • the TiSiCN nanocomposite layers produced by PECVD have similarly high hardness and properties as the PVD layers.
  • Nanocomposite layers produced by PVD and PECVD processes were produced by PVD and PECVD processes.
  • a layer which consists of TiC, TiN or Ti (C, N) and the alloying elements Si, Cr, V.
  • the layer consists either of a crystalline mixed phase with the alloying elements or a composite layer of two or more phases. There is one phase in the form of TiCN grains in the micrometer range and the other phase consists of nitrides and carbides of the alloying elements Si, Cr, V.
  • a disadvantage of the presented composite layer is that it has only a low hardness and an insufficient resistance to oxidation.
  • the invention has for its object to develop for body of metal, hard metal, cermet or ceramic, a layer system that is one or more layers and containing at least one TiSiCN hard material layer, characterized by a high hardness, high oxidation and temperature resistance and a high adhesive strength distinguishes. Included in this task is the development of a process that allows cost-effective production of such coatings even under industrial conditions.
  • the invention relates to hard-material-coated bodies of metal, hard metal, cermet or ceramic, coated with a TiSiCN composite layer or with a multilayer coating system containing at least one TiSiCN composite layer, wherein the TiSiCN composite layer according to the invention by means of thermal CVD method without additional plasma excitation is a nanocomposite layer prepared containing a nanocrystalline phase of TiC x Ni -x having a crystallite size between 5 nm and 150 nm and a second phase of amorphous SiC x N y .
  • the nanokhstalline phase of TiC x -x Ni are in a proportion of 60 Ma.% To 99 Ma.% And the amorphous SiC x N y phase in a proportion of 1 mA.%. to 40 Ma.% included.
  • the composition of the nanocrystalline TiC x Ni -x phase is in the range of 0.1 ⁇ x ⁇ 0.99 and that of the amorphous SiC x Ny phase in the range of 0.1 ⁇ x ⁇ 0.95 and 0.05 ⁇ y ⁇ 0.9.
  • the carbon content of the TiSiCN nanocomposite layer is advantageously more than 8 at.%.
  • the TiSiCN nanocomposite layer can contain up to 5 mass% of amorphous carbon as further constituent.
  • Halogen content ⁇ 1 At.% And an oxygen content ⁇ 4 At.% On.
  • the TiSiCN nanocomposite layer can consist of TiSiCN individual layers with different titanium / silicon ratios and / or have a gradient with regard to the silicon and titanium content.
  • the TiSiCN nanocomposite layer may be combined in a multi-layered system with one or more cover layers and / or bonding layers to the substrate body, these layers being composed of one or more nitrides, carbides, carbonitrides, oxynitrides,
  • the composite of a nanocrystalline phase of TiC x -x Ni with an amorphous SiC x N y phase produced by thermal CVD according to the invention represents a new combination. Exits through the combination of these two phases
  • the invention includes a method in which the layer in a gas mixture containing one or more titanium halides, one or more silicon-containing precursors,
  • nitriles preferably acetonitrile, or amines can advantageously be used as reactive compounds with carbon and nitrogen atoms.
  • An advantage of the layers according to the invention over layers produced by means of PVD is the higher adhesive strength. Another significant advantage in use is the inclusion of this layer in more complex, multi-layer CVD layer systems.
  • the thermal CVD process is a simpler and industrially established process.
  • PECVD processes play no role in tool coating except for the production of hard carbon layers.
  • PECVD layers also fail to achieve the high bond strengths of the thermal CVD layers.
  • FIG. 1 the X-ray diffractogram of the TiSiCN nanocomposite layer produced by means of CVD according to exemplary embodiment 1,
  • FIG. 2 an SEM image of the cross section of a layer system comprising two TiN layers (C) and (B) and the TiSiCN nanocomposite layer (A) according to exemplary embodiment 3.
  • Horizontal hot wall CVD reactor with an inside diameter of 75 mm a gas mixture of 4.2 ml / min TiCl 4 , 20.4 ml / min SiCl 4 , 7.9 ml / min acetonitrile (CH 3 CN) and 2400 ml / min Hydrogen introduced at 800 ° C and 6 kPa.
  • TiN and 3 ⁇ TiCN WC / Co indexable insert On a pre-coated with 1 ⁇ TiN and 3 ⁇ TiCN WC / Co indexable insert another TiN layer is first applied with a thickness of 0.5 ⁇ , followed by the TiSiCN nanocomposite according to the invention.
  • Example 2 For this purpose, in the CVD reactor mentioned in Example 1, a gas mixture of 8.3 ml / min TiCl 4 , 10 ml / min Si 2 Cl 6 , 10.6 ml / min CH 3 CN and 2400 ml / min of hydrogen at 850 ° C and 6 kPa initiated. After a coating time of 90 minutes, a gray coating is obtained, which has a layer thickness of 7.6 ⁇ .
  • Example 2 Thin layer analysis is found just as in Example 1, only the crystalline TiC x Ni -x . Silicon is contained in a second, amorphous SiC x N y phase, analogous to the XPS analysis carried out in Example 3. By Rietveld analysis, a mean grain size for the nanocrystalline TiC x Ni -x phase of 39 ⁇ 2 nm was obtained. The WDX analysis yielded the following element contents:
  • TiN WC / Co indexable insert On a pre-coated with 3 ⁇ TiN WC / Co indexable insert another TiN layer is first applied with a thickness of 0.5 ⁇ , followed by the nanocomposite layer of TiSiCN invention.
  • a gas mixture of 4.2 ml / min TiCl 4 , 10 ml / min Si 2 CI 6 , 10.6 ml / min CH 3 CN and 2400 ml / min of hydrogen at 850 ° C and 6 kPa initiated.
  • a gray coating was deposited, which has a layer thickness of 3.5 ⁇ .
  • Nanocomposite structure can be seen from the cross section in Fig. 2.
  • the TiSiCN covering layer (A) shows a nanocomposite structure in which lighter nanocrystalline TiCxNi -x crystallites are embedded in a darker amorphous matrix. Beneath the TiSiCN cover layer are the microcrystalline bonding layers TiN (C) and (B).

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Abstract

Gegenstand der Erfindung sind hartstoffbeschichtete Körper aus Metall, Hartmetall, Cermet oder Keramik, beschichtet mit einer TiSiCN-Kompositschicht oder mit einem mehrlagigen Schichtsystem, das mindestens eine TiSiCN-Kompositschicht enthält, wobei die TiSiCN-Kompositschicht erfindungsgemäß eine mittels thermischem CVD- Verfahren ohne zusätzliche Plasmaanregung hergestellte Nanokompositschicht ist, die eine nanokristalline Phase aus TiCxN1-x mit einer Kristallitgröße zwischen 5 nm und 150 nm und eine zweite Phase aus amorphem SiCxNy enthält. Die erfindungsgemäße Schicht zeichnet sich durch eine hohe Härte, eine hohe Oxidations- und Temperaturbeständigkeit sowie eine hohe Haftfestigkeit aus. Zur Herstellung dieser TiSiCN-Nanokompositschicht beinhaltet die Erfindung ein Verfahren, bei dem die Schicht in einer Gasmischung, die ein oder mehrere Titanhalogenide, einen oder mehrere siliciumhaltige Precursoren, Wasserstoff, sowie reaktive Verbindungen mit Kohlenstoff- und Stickstoffatomen und/oder Stickstoffverbindungen und/oder Kohlenwasserstoffen und/oder inerte Edelgase enthält, mit einem thermischen CVD-Prozess bei Temperaturen zwischen 700 °C und 1100 °C und bei Drücken zwischen 10 Pa und 101,3 kPa ohne zusätzliche Plasmaanregung abgeschieden wird, wobei das Molverhältnis der Titanhalogenide und der siliciumhaltigen Precursoren so gewählt wird, dass in der Gasmischung ein Atomverhältnis von Si zu Ti größer 1 vorliegt. Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht auch unter industriellen Bedingungen eine kostengünstige Erzeugung derartiger Beschichtungen.

Description

Hartstoff beschichtete Körper aus Metall, Hartmetall, Cermet oder Keramik sowie Verfahren zur Herstellung derartiger Körper
TECHNISCHES GEBIET Die Erfindung betrifft hartstoffbeschichtete Körper aus Metall, Hartmetall, Cermet oder Keramik, beschichtet mit einer TiSiCN-Schicht oder einem Schichtsystem, das mindestens eine TiSiCN-Schicht enthält, sowie ein Verfahren zur Herstellung derartiger Körper. Die auf den Körpern erzeugte erfindungsgemäße Hartstoffschicht zeichnet sich durch eine hohe Härte, hohe Oxidations- und Temperaturbeständigkeit sowie eine hohe Haftfestigkeit aus und ist als Verschleißschutzschicht auf vielen Hartmetall- und Keramikwerkzeugen einsetzbar.
STAND DER TECHNIK Viele Hartmetall- und Keramikwerkzeuge weisen heute Verschleißschutz- beschichtungen auf, die die Standzeit entscheidend erhöhen. Durch ihre besonderen Eigenschaften, wie z.B. hohe Härte, gute Oxidations- und Temperaturbeständigkeit, wird das Werkzeug geschützt und die Leistungsfähigkeit deutlich erhöht. So sind unter anderem Ti-basierte Hartstoffschichten, wie TiN und TiCN, bekannt. Derartige Hartstoffschichten weisen jedoch eine unzureichende
Oxidationsbeständigkeit auf, so dass diese bei der Zerspanung aufgrund der hohen Temperaturen an der Schneidkante nicht ohne Kühlschmierstoff eingesetzt werden können.
Die Oxidationsbeständigkeit und die Härte dieser Schichten kann durch den Einbau weiterer Elemente wie Aluminium oder Silicium verbessert werden. Ein Weg ist die Entwicklung von siliciumhaltigen Nanokompositschichten, die aus einer nanokristallinen TiCN-Phase und einer amorphen siliciumhaltigen Phase bestehen.
Komposite oder Nanokomposite des Systems Ti-Si-C-N können bereits mit verschiedenen physikalischen und plasmaunterstützten chemischen
Gasphasenabscheidungsverfahren abgeschieden werden. Diese Schichten zeichnen sich durch eine hohe Härte und verringerte Reibwerte aus (siehe J.-H. Jeon, S.R. Choi, W.S. Chung, K.H. Kim, Surface & Coatings Technology 188-189 (2004) 415 und R. Wei, C. Rincon, E. Langa, Journal of Vacuum Science and Technology A 28 (2010) 1 126).
Bei den PVD-Techniken werden Magnetronsputterverfahren oder Are-Prozesse angewendet, wie in DE 381 1907 C1 , WO 2008/130316 A1 und von J.-H. Jeon, S.R. Choi, W.S. Chung, K.H. Kim, Surface & Coatings Technology 188-189 (2004) 415 beschrieben. Durch die Anwendung der plasmaunterstützten CVD (PECVD) können ebenfalls TiSiCN-Schichten mit oder ohne Nanokompositstruktur hergestellt werden (siehe D. Ma, S. Ma, H. Dong, K. Xu, T. Bell, Thin Solid Films 496 (2006) 438 und P. Jedrzeyowski, J.E, Klemberg-Sapieha, L. Martinu, Surface & Coatings Technology 188-189 (2004) 371 ). Die mittels PECVD hergestellten TiSiCN-Nanokomposit- schichten weisen ähnlich hohe Härten und Eigenschaften wie die PVD-Schichten auf.
Bisher gab es nur wenige Versuche Hartstoffschichten im System Ti-Si-C-N mittels der thermischen chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) herzustellen. Kuo et. al. haben in drei wissenschaftlichen Publikationen über ihre diesbezüglichen
Untersuchungen berichtet (siehe D.-H. Kuo, K.-W. Huang, Thin Solid Films 394 (2001 ) 72 sowie D.-H. Kuo, K.-W. Huang, Thin Solid Films 394 (2001 ) 81 und D.-H. Kuo, W.-C. Liao, Thin Solid Films 419 (2002) 1 1 ). Sie konnten aber bei
Temperaturen bis 800°C nur TiSiCN-Kompositschichten mit einem Kohlenstoffgehalt kleiner als 8 At.% herstellen. Bei der kristallinen Phase handelt es sich um TiN oder TiN0,3 aber nicht um TiCxNi-x. Bei Temperaturen zwischen 800 °C und 1 100 °C wurden keine Kompositschichten, sondern einphasige (Ti,Si)(C,N)-Schichten mit Härten zwischen 10 GPa und 27,5 GPa erzeugt. Die Härte dieser Schichten ist also vergleichsweise gering, im Gegensatz zu den oben erwähnten superharten
Nanokompositschichten, die mittels PVD- und PECVD-Verfahren hergestellt wurden.
Aus der US 2008/0261058 A1 ist auch bereits eine Schicht bekannt, die aus TiC, TiN oder Ti(C,N) und den Legierungselementen Si, Cr, V besteht. Die Schicht besteht entweder aus einer kristallinen Mischphase mit den Legierungselementen oder einer Kompositschicht aus zwei oder mehr Phasen. Dabei liegt eine Phase in Form von TiCN-Körnern im Mikrometerbereich vor und die andere Phase besteht aus Nitriden und Karbiden der Legierungselemente Si, Cr, V.
Nachteilig bei der vorgestellten Kompositschicht ist, dass diese nur eine geringe Härte und eine unzureichende Oxidationsbeständigkeit aufweist.
DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, für Körper aus Metall, Hartmetall, Cermet oder Keramik ein Schichtsystem zu entwickeln, das ein- oder mehrlagig ist und das mindestens eine TiSiCN-Hartstoffschicht enthält, die sich durch eine hohe Härte, eine hohe Oxidations- und Temperaturbeständigkeit sowie eine hohe Haftfestigkeit auszeichnet. Eingeschlossen in diese Aufgabe ist die Entwicklung eines Verfahrens, das auch unter industriellen Bedingungen kostengünstig eine Erzeugung derartiger Beschichtungen ermöglicht.
Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen der Patentansprüche gelöst, wobei die Erfindung auch Kombinationen der einzelnen abhängigen Ansprüche im Sinne einer UN D-Verknüpfung mit einschließt.
Gegenstand der Erfindung sind hartstoffbeschichtete Körper aus Metall, Hartmetall, Cermet oder Keramik, beschichtet mit einer TiSiCN-Kompositschicht oder mit einem mehrlagigen Schichtsystem, das mindestens eine TiSiCN-Kompositschicht enthält, wobei die TiSiCN-Kompositschicht erfindungsgemäß eine mittels thermischem CVD- Verfahren ohne zusätzliche Plasmaanregung hergestellte Nanokompositschicht ist, die eine nanokristalline Phase aus TiCxNi-x mit einer Kristallitgröße zwischen 5 nm und 150 nm und eine zweite Phase aus amorphem SiCxNy enthält. Dabei sind die nanokhstalline Phase aus TiCxNi-x mit einem Anteil von 60 Ma.% bis 99 Ma.% und die amorphe SiCxNy-Phase mit einem Anteil von 1 Ma.%. bis 40 Ma.% enthalten.
Die Zusammensetzung der nanokristallinen TiCxNi-x -Phase liegt im Bereich von 0,1 < x < 0,99 und die der amorphen SiCxNy-Phase im Bereich von 0,1 < x < 0,95 und 0,05 < y < 0,9. Der Kohlenstoff-Gehalt der TiSiCN-Nanokompositschicht beträgt vorteilhaft mehr als 8 At.%.
Die TiSiCN-Nanokompositschicht kann erfindungsgemäß als weiteren Bestandteil bis zu 5 Ma.% amorphen Kohlenstoff enthalten.
Die erfindungsgemäße TiSiCN-Nanokompositschicht weist vorteilhaft einen
Halogengehalt < 1 At.% und einen Sauerstoffgehalt < 4 At.% auf.
Erfindungsgemäß kann die TiSiCN-Nanokompositschicht aus TiSiCN-Einzellagen mit unterschiedlichen Titan/Silicium-Verhältnissen bestehen und/oder einen Gradienten hinsichtlich des Silicium- und Titan-Gehaltes aufweisen.
Nach weiteren Merkmalen der Erfindung kann die TiSiCN-Nanokompositschicht in einem mehrlagigen Schichtsystem mit einer oder mehreren Deckschichten und/oder Anbindungsschichten zum Substratkörper kombiniert sein, wobei diese Schichten aus einem oder mehreren Nitriden, Carbiden, Carbonitriden, Oxynitriden,
Oxycarbiden, Oxycarbonitriden, Oxiden von Ti, Hf, Zr, Cr und/oder AI oder aus Mischphasen mit diesen Elementen bestehen. Der mittels thermischer CVD hergestellte erfindungsgemäße Verbund einer nanokristallinen Phase aus TiCxNi-x mit einer amorphen SiCxNy-Phase stellt eine neue Kombination dar. Durch die Kombination dieser beiden Phasen tritt ein
Synergieeffekt ein, der zu unerwartet sehr guten Schichteigenschaften führt, nämlich zu einer hohen Haftfestigkeit, einer hohen Oxidations- und Temperaturbeständigkeit und einer hohen Härte von bis über 4000 HV[0.01 ].
Zur Herstellung der erfindungsgemäßen TiSiCN-Nanokompositschicht beinhaltet die Erfindung ein Verfahren, bei dem die Schicht in einer Gasmischung, die ein oder mehrere Titanhalogenide, einen oder mehrere siliciumhaltige Precursoren,
Wasserstoff, sowie reaktive Verbindungen mit Kohlenstoff- und Stickstoffatomen und/oder Stickstoffverbindungen und/oder Kohlenwasserstoffen und/oder inerte Edelgase enthält, mit einem thermischen CVD-Prozess bei Temperaturen zwischen 700 °C und 1 100 °C und bei Drücken zwischen 10 Pa und 101 ,3 kPa ohne
zusätzliche Plasmaanregung abgeschieden wird, wobei das Molverhältnis der Titanhalogenide und der siliciumhaltigen Precursoren so gewählt wird, dass in der Gasmischung ein Atomverhältnis von Si zu Ti größer 1 vorliegt. Als reaktive Verbindungen mit Kohlenstoff- und Stickstoffatomen können dabei vorteilhaft ein oder mehrere Nitrile, vorzugsweise Acetonitril, oder Amine verwendet werden.
Ein Vorteil der erfindungsgemäßen Schichten gegenüber mittels PVD hergestellten Schichten ist die höhere Haftfestigkeit. Ein weiterer, erheblicher Vorteil bei der Nutzung ist die Einbeziehung dieser Schicht in komplexere, mehrlagige CVD- Schichtsysteme.
Gegenüber der im Stand der Technik erwähnten plasmagestützten CVD (PECVD) ist das thermische CVD-Verfahren ein einfacheres und in der Industrie etabliertes Verfahren. PECVD-Verfahren spielen in der Werkzeugbeschichtung außer für die Herstellung harter Kohlenstoffschichten keine Rolle. PECVD-Schichten erreichen auch nicht die hohen Haftfestigkeiten der mittels thermischer CVD hergestellten Schichten.
BEISPIELE ZUR AUSÜHRUNG DER ERFINDUNG
Nachstehend ist die Erfindung an Ausführungsbeispielen und den zugehörigen Abbildungen näher erläutert. Die Abbildungen zeigen: Abb. 1 : das Röntgendiffraktogramm der mittels CVD hergestellten TiSiCN- Nanokompositschicht gemäß Ausführungsbeispiel 1 ,
Abb. 2: eine REM-Aufnahme des Querschliffs eines Schichtsystems aus zwei TiN- Schichten (C) und (B) und der TiSiCN-Nanokompositschicht (A) gemäß Ausführungsbeispiel 3.
Beispiel 1
Auf WC/Co-Harmetallwendeschneidplatten, die mit einem 5 μιτι dicken TiN/TiCN/TiN- Schichtsystem vorbeschichtet sind, wird eine TiSiCN-Nanokompositschicht mittels des erfindungsgemäßen thermischen CVD-Verfahrens als Deckschicht
abgeschieden.
Dazu wird für die Abscheidung der TiSiCN-Nanokompositschicht in einen
horizontalen Heißwand-CVD-Reaktor mit einem Innendurchmesser von 75 mm eine Gasmischung von 4,2 ml/min TiCI4, 20,4 ml/min SiCI4, 7,9 ml/min Acetonitril (CH3CN) und 2400 ml/min Wasserstoff bei 800 °C und 6 kPa eingeleitet.
Nach einer Beschichtungszeit von 120 min zeigt sich eine graue Beschichtung, welche eine Schichtdicke von 4,3 μιτι aufweist.
Bei der im streifenden Einfall durchgeführten röntgenographischen
Dünnschichtanalyse wird nur das kristalline TiCxNi-x gefunden (siehe
Röntgendiffraktogramm in Abb. 1 ). Silicium ist in einer zweiten, amorphen SiCxNy- Phase enthalten, analog der im Beispiel 3 durchgeführten XPS-Analyse. Die mittlere Korngröße der nanokristallinen Phase des TiCxNi-x wurde mittels Rietveld-Analyse auf 19 ± 0,4 nm bestimmt.
Die Elementanalyse mittels WDX ergab folgende Elementgehalte:
36,86 At.% Ti,
1 1 ,74 At.% Si,
27,39 At.% C,
20,82 At.% N,
0,39 At.% Cl und
2,80 At.% O. Für diese TiSiCN-Nanokompositschicht wurde eine Mikrohärte von 4080 HV[0,01 ] gemessen.
Beispiel 2
Auf einer mit 1 μιτι TiN und 3 μιτι TiCN vorbeschichteten WC/Co-Wendeschneidplatte wird zunächst eine weitere TiN-Schicht mit einer Dicke von 0,5 μιτι aufgebracht, gefolgt von der erfindungsgemäßen TiSiCN-Nanokompositschicht.
Dazu wird in den im Beispiel 1 genannten CVD-Reaktor eine Gasmischung aus 8,3 ml/min TiCI4, 10 ml/min Si2CI6, 10,6 ml/min CH3CN und 2400 ml/min Wasserstoff bei 850 °C und 6 kPa eingeleitet. Nach einer Beschichtungszeit von 90 min wird eine graue Beschichtung erhalten, die eine Schichtdicke von 7,6 μιτι aufweist.
Bei der im streifenden Einfall durchgeführten röntgenographischen
Dünnschichtanalyse wird ebenso wie beim Beispiel 1 nur das kristalline TiCxNi-x gefunden. Silicium ist in einer zweiten, amorphen SiCxNy-Phase enthalten, analog der im Beispiel 3 durchgeführten XPS-Analyse. Mittels Rietveld-Analyse wurde eine mittlere Korngröße für die nanokristallinen TiCxNi-x-Phase von 39 ± 2 nm erhalten. Die WDX-Analyse ergab folgende Elementgehalte:
41 ,70 At.% Ti,
4,30 At.% Si,
28,07 At.% C,
23,15 At.% N,
0,01 At.% Cl und
2,77 At.% O.
Für diese TiSiCN-Nanokompositschicht wurde eine Mikrohärte von 3840 HV[0,01 ] gemessen.
Beispiel 3
Auf einer mit 3 μιτι TiN vorbeschichteten WC/Co-Wendeschneidplatte wird zunächst eine weitere TiN-Schicht mit einer Dicke von 0,5 μιτι aufgebracht, gefolgt von der erfindungsgemäßen Nanokompositschicht aus TiSiCN. Dazu wird in den im Beispiel 1 genannten CVD-Reaktor eine Gasmischung aus 4,2 ml/min TiCI4, 10 ml/min Si2CI6, 10,6 ml/min CH3CN und 2400 ml/min Wasserstoff bei 850 °C und 6 kPa eingeleitet. Nach einer Beschichtungsdauer von 90 min wurde eine graue Beschichtung abgeschieden, welche eine Schichtdicke von 3,5 μιτι aufweist.
Bei der im streifenden Einfall durchgeführten röntgenographischen
Dünnschichtanalyse wird ebenso wie in Beispiel 1 nur das kristalline TiCxNi-x gefunden. Eine kristalline siliciumhaltige Phase ist röntgenographisch nicht nachweisbar. Durch die XPS-Analyse der TiSiCN-Schicht wurden nach Auswertung des Si2p-Spektrums jedoch eindeutig Si-N-Bindungen bei 101 ,8 eV und Si-C- Bindungen bei 100,7 eV nachgewiesen, die das Vorhandensein einer amorphen SiCxNy-Phase anzeigen. Die mittlere Korngröße der nanokristallinen Phase des TiCxNi-x wurde mittels Rietveld-Analyse bestimmt und ein Wert von 12 ± 4 nm erhalten. Die
Nanokompositstruktur ist aus dem Querschliff in Abb. 2 ersichtlich. Die TiSiCN- Deckschicht (A) zeigt eine Nanokompositstruktur, bei der hellere nanokristalline TiCxNi-x-Kristallite in einer dunkleren amorphen Matrix eingebettet sind. Unterhalb der TiSiCN-Deckschicht sind die mikrokristallinen Anbindungsschichten TiN (C) und (B) zu sehen.
Die WDX-Analyse der TiSiCN-Deckschicht ergab folgende Elementgehalte:
32,75 At.% Ti,
12,72 At.% Si,
27,15 At.% C,
23,62 At.% N,
0,51 At.% Cl und
3,25 At.% O.
Für diese TiSiCN-Nanokompositschicht wurde eine Mikrohärte von 3610 HV[0,01] gemessen.

Claims

ANSPRÜCHE
Hartstoffbeschichtete Körper aus Metall, Hartmetall, Cermet oder Keramik, beschichtet mit einer TiSiCN-Kompositschicht oder mit einem mehrlagigen Schichtsystem, das mindestens eine TiSiCN-Kompositschicht enthält, dadurch gekennzeichnet, dass die TiSiCN-Kompositschicht eine mittels thermischem CVD-Verfahren ohne zusätzliche Plasmaanregung hergestellte
Nanokompositschicht ist, die eine nanokristalline Phase aus TiCxNi-x mit einer Kristallitgröße zwischen 5 nm und 150 nm und eine zweite Phase aus amorphem SiCxNy enthält.
Hartstoffbeschichtete Körper nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die nanokristalline Phase aus TiCxNi-x mit einem Anteil von 60 Ma.% bis 99 Ma.% und die amorphe SiCxNy-Phase mit einem Anteil von 1 Ma.%. bis 40 Ma.% enthalten sind.
Hartstoffbeschichtete Körper nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die nanokristalline TiCxNi-x-Phase mit 0,1 < x < 0,99 und die amorphe SiCxNy - Phase mit 0,1 < x < 0,95 und 0,05 < y < 0,9 in der Nanokompositschicht enthalten sind.
Hartstoffbeschichtete Körper nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass der Kohlenstoff-Gehalt der TiSiCN-Kompositschicht mehr als 8 At.% beträgt.
Hartstoffbeschichtete Körper nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die TiSiCN-Nanokompositschicht als weiteren Bestandteil bis zu 5 Ma.% amorphen Kohlenstoff enthält. Hartstoffbeschichtete Körper nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die TiSiCN-Nanokompositschicht einen Halogengehalt < 1 At.% und einen Sauerstoffgehalt < 4 At.% aufweist.
Hartstoffbeschichtete Körper nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die TiSiCN-Nanokonnpositschicht aus TiSiCN-Einzellagen mit unterschiedlichen Titan/Silicium-Verhältnissen besteht.
Hartstoffbeschichtete Körper nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die TiSiCN-Nanokompositschicht einen Gradienten hinsichtlich des Silicium- und Titan-Gehaltes aufweist.
Hartstoffbeschichtete Körper nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die TiSiCN-Nanokompositschicht in einem mehrlagigen Schichtsystem mit einer oder mehreren Deckschichten und/oder Anbindungsschichten zum Substratkörper kombiniert ist, wobei diese Schichten aus einem oder mehreren Nitriden, Carbiden, Carbonitriden, Oxynitriden, Oxycarbiden, Oxycarbonitriden, Oxiden von Ti, Hf, Zr, Cr und/oder AI oder aus Mischphasen mit diesen Elementen bestehen.
Verfahren zur Herstellung hartstoffbeschichteter Körper aus Metall, Hartmetall, Cermet oder Keramik beschichtet mit einer TiSiCN-Kompositschicht oder mit einem mehrlagigen Schichtsystem, das mindestens eine TiSiCN-Kompositschicht enthält, wobei die TiSiCN-Kompositschicht eine Nanokompositschicht ist, die eine nanokristalline Phase aus TiCxNi-x mit einer Kristallitgröße zwischen 5 nm und 150 nm und eine zweite Phase aus amorphem SiCxNy enthält , nach
Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die TiSiCN-Nanokompositschicht in einer Gasmischung, die ein oder mehrere Titanhalogenide, einen oder mehrere siliciumhaltige Precursoren, Wasserstoff, sowie reaktive Verbindungen mit Kohlenstoff- und Stickstoffatomen und/oder Stickstoffverbindungen und/oder Kohlenwasserstoffen und/oder inerte Edelgase enthält, mit einem thermischen CVD-Prozess bei Temperaturen zwischen 700 °C und 1 100 °C und bei Drücken zwischen 10 Pa und 101 ,3 kPa ohne zusätzliche Plasmaanregung auf dem Körper abgeschieden wird, wobei das Molverhältnis der Titanhalogenide und der siliciumhaltigen Precursoren so gewählt wird, dass in der Gasmischung ein Atomverhältnis von Si zu Ti größer 1 vorliegt.
1 1 . Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass als reaktive Verbindungen mit Kohlenstoff- und Stickstoffatomen ein oder mehrere Nitrile oder Amine verwendet werden.
12. Verfahren nach Anspruch 1 1 , dadurch gekennzeichnet, dass als reaktive Verbindung mit Kohlenstoff- und Stickstoffatomen Acetonitril eingesetzt wird.
13. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass als Stickstoffverbindungen N2 und/oder NH3 und als Kohlenwasserstoffe C2H und/oder C2H2 verwendet werden.
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