WO2013105060A1 - Procédé de purification du silicium - Google Patents

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WO2013105060A1
WO2013105060A1 PCT/IB2013/050275 IB2013050275W WO2013105060A1 WO 2013105060 A1 WO2013105060 A1 WO 2013105060A1 IB 2013050275 W IB2013050275 W IB 2013050275W WO 2013105060 A1 WO2013105060 A1 WO 2013105060A1
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WO
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silicon
container
stirring system
solidification
molten state
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Ceased
Application number
PCT/IB2013/050275
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English (en)
Inventor
Jean-Paul Garandet
Mickaël ALBARIC
Claire AUDOIN
Denis CHAVRIER
Etienne Pihan
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Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
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Publication date
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Priority to US14/371,874 priority patent/US20150047556A1/en
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/037—Purification
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/007—Mechanisms for moving either the charge or the heater
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon

Definitions

  • the present invention relates to methods of purifying silicon.
  • Photo voltaic cells are mainly made from mono- or poly-crystalline silicon in dies that involve the solidification of ingots from a liquid bath contained in a crucible.
  • the filler used as a base material, is conventionally produced by a process for the distillation of a chlorinated precursor obtained from a metallurgical grade silicon. This process is very efficient for purification, but expensive in terms of financial investment and energy consumption.
  • the technique can be well adapted to metallic impurities (Fe, Cr, Ni ...) whose partition coefficients are very small in front of the unit.
  • the partition coefficient k measures the ratio between the concentrations of an impurity between the solid phase and the liquid phase at the solidification interface.
  • a low coefficient of partition therefore makes it possible to envisage purification by very efficient segregation.
  • the present invention aims to meet the aforementioned need.
  • the present invention relates to a method for purifying silicon comprising at least the steps of:
  • step b) imposing on the silicon in the melt conditions conducive to its solidification, the average time velocity over the duration of step b) of propagation of the silicon solidification front, measured along the longitudinal axis of the container, being greater than or equal to 5 ⁇ / s, preferably
  • step b at least one stirring system requires, during all or part of step b), a flow of molten silicon with a Reynolds number of between 3 ⁇ 10 4 and 3 ⁇ 10 6 , preferably between 10 5 and 10 6 .
  • the longitudinal axis of the container designates the line joining all the centroids of the cross sections of said container (walls of the container included).
  • the axis longitudinal axis may be an axis of symmetry for the container.
  • the longitudinal axis of the container is preferably rectilinear, and may be contained in a plane, which may be a plane of symmetry for some or all of the cross sections of said container.
  • V denotes the maximum instantaneous velocity of the molten silicon fluid particles set in motion by the stirring system
  • L denotes the smallest transverse dimension of the container
  • v denotes the kinematic viscosity of the silicon in the molten state, for example
  • V corresponds to the instantaneous speed of the distal ends of the propeller.
  • the inventors have found that imposing, during all or part of the step b), on the melt silicon a flow of particular Reynolds number advantageously allowed to obtain an effective segregation, thus leading to the obtaining of silicon in the solid state particularly pure and despite the high rates of solidification implemented.
  • the inventors consider that the Reynolds number values selected in the context of the processes according to the invention advantageously make it possible to obtain a viscous hydrodynamic limit layer of greater thickness than the solutal boundary layer.
  • the flow can therefore be considered viscous, thus avoiding the problems of transient incorporation of the impurities mentioned in the state of the art.
  • the stirring system can advantageously increase the local thermal gradients near the solidification front, while reducing them in the heart of the liquid bath.
  • This reduction in the thermal gradient in the heart makes it possible to reduce the maximum temperature of the bath, thus decreasing the solubilization of impurities present within the walls of the container and / or coating optionally present at said walls as will be detailed below.
  • silicon in the solid state can be introduced into the container and then melted therein.
  • the method comprises a step of introducing into the silicon container in the molten state.
  • the silicon in the molten state may be in contact or not with the walls of the container.
  • the walls of the container may be coated with a non-stick coating.
  • the stirring system can advantageously be present in the silicon in the molten state during all or part of step b), the forced flow of silicon in the molten state being, in this case, generated because of the setting in motion said brewing system.
  • the movement of the stirring system preferably comprises, in particular consists of, a rotational movement.
  • the rotational movement may be carried out around an axis of rotation making, with at least a portion of the longitudinal axis of the container, an angle less than 45 °, in particular at 30 °, in particular at 15 °, the axis of rotation. rotation being in particular collinear with the longitudinal axis of the container.
  • the stirring system present within the silicon in the molten state during all or part of step b), performs, during all or part of step b), a rotational movement at a speed between 5 and 200 rpm, preferably between 10 and 100 rpm.
  • the stirring system makes it possible, for example, to obtain, during all or part of step b), a maximum instantaneous speed of the particles of silicon fluid in the molten state of between 1 and 100 cm / s, in particular and 50 cm / s.
  • the direction of rotation of the brewing system can be changed during step b).
  • the stirring system can be introduced into the silicon in the molten state before the onset of the solidification of the silicon.
  • the stirring system can be introduced into the molten silicon and be rotated therein before the onset of the solidification of the silicon.
  • the brewing system is preferably a mechanical stirring system.
  • the stirring system comprises, for example, a propeller, a blade and / or a disc.
  • the stirring system comprises, in a particularly preferred manner, a helix or a blade, which may, during all or part of step b), be present in the silicon in the molten state and be driven by a rotation.
  • the stirring system can be moved relative to the container, in particular along its longitudinal axis, during step b).
  • the flow of silicon in the molten state can be generated by the action of several mixing systems.
  • the stirring can be interrupted before complete solidification of the silicon.
  • the stirring system can be removed from the silicon in the molten state before complete solidification of the silicon.
  • the stirring system is present at no time during step b) within the silicon in the molten state.
  • the brewing system may, in this case, comprise an electromagnetic field generator, alternating, sliding or rotating, the flow of silicon in the molten state being, during step b), generated by application of said electromagnetic field. Examples of the formation of a forced flow by the generation of an electromagnetic field are described in the article by Mitric et al., J. Crystal Growth, 310 (2008), 1424 for the alternating field, in the article of Rudolph, 2008, J. Crystal Growth, 310, 1298 for the sliding field, and in the article by Dold et al., J. Crystal Growth, 231 (2001), 95 for the rotating field.
  • the method may comprise a step c) of cooling, in particular up to ambient temperature, of the silicon in the solid state obtained at the end of step b).
  • room temperature refers to the temperature of 20 ° C ⁇ 5 ° C.
  • the process may comprise a step d) of recovering the silicon in the purified solid state obtained at the end of step c).
  • Step d) advantageously comprises a step of removing the material enriched in compounds other than silicon.
  • the invention relates, in another of its aspects, to a method for purifying silicon comprising at least the steps of:
  • step b) imposing on the silicon in the melt conditions conducive to its solidification, the average time velocity over the duration of step b) of propagation of the silicon solidification front, measured along the longitudinal axis of the container, being greater than or equal to 5 ⁇ / s, preferably
  • step b at least one stirring system requires, during all or part of step b), a flow of silicon in the molten state to obtain, during all or part of step b ), a ratio of the effective and thermodynamic partition coefficients of compounds other than lower silicon
  • the effective partition coefficient k eff of a given species is related to the thermodynamic partition coefficient k of the same species by the following relation: k k
  • ⁇ denotes the thickness of the solutal boundary layer in front of the solidification front obtained in the presence of the flow of molten silicon imposed by the stirring system
  • V j denotes the velocity of propagation of the solidification front of the silicon measured along the longitudinal axis of the container
  • - D denotes the diffusion coefficient of the species considered.
  • the invention relates, in yet another of its aspects, to a method of purifying silicon comprising at least the steps of: a) having a container comprising silicon in the molten state, the container having a longitudinal axis and the silicon in the molten state defining on the side opposite the bottom of the container a free surface,
  • step b) imposing on the silicon in the melt conditions conducive to its solidification, the average time velocity over the duration of step b) of propagation of the silicon solidification front, measured along the longitudinal axis of the container, being greater than or equal to 5 ⁇ / s, preferably
  • step b at least one stirring system requires, during all or part of step b), a flow of silicon in the V molten state to obtain, during all or part of the step b), a ratio - ⁇ - for compounds other than silicon less than 0.5, preferably to 0.2, the quantities ⁇ , V j and D being as defined above.
  • the methods defined above may advantageously make it possible to obtain purified solid-state silicon having a silicon mass concentration greater than or equal to 99.99%, preferably 99.999%.
  • the propagation velocity of the silicon solidification front is evaluated by mechanical probing of the solid phase through the liquid phase by means of a refractory ceramic rod. More specifically, the operator introduces the rod, for example silica, into the melt during solidification and comes to contact the solid / liquid interface, to measure the position of the interface. This operation is carried out several times during solidification and makes it possible to calculate an average time velocity of the interface. This measurement method is known to those skilled in the art and commonly used in the industrial sector because of its robustness and simplicity. Determining the sharing coefficients
  • partition coefficient k is tabulated in reference F. A. Trumbore, Bell Syst. Tech. J., vol 39, p205, 1960.
  • the effective partition coefficient is measured via an adjustment of the concentration profiles measured for example by Atomic Absorption Sprectroscopy (AAS) or inductively coupled plasma mass spectrometry (ICP-MS: Inductively Coupled Plasma). - Mass Spectroscopy ”) carried out a posteriori on the solidified ingots.
  • AAS Atomic Absorption Sprectroscopy
  • ICP-MS inductively coupled plasma mass spectrometry
  • - Mass Spectroscopy carried out a posteriori on the solidified ingots.
  • FIG. 1 schematically and partially illustrates a section of a container that can be used in the context of the present invention
  • FIG. 2 illustrates, in a schematic and partial manner, the step of solidification of the silicon implemented in the context of the processes according to the invention.
  • FIG. 3 represents a graph of the concentration of aluminum as a function of the height of solidified silicon obtained in the context of the invention and in a control test without stirring.
  • FIG. 1 shows a container 1 having a longitudinal axis X whose internal walls 2 have been coated with a non-adhering coating 3.
  • the container 1 has a bottom 4.
  • the container 1 used may, for example, be a silica crucible and the non-stick coating 3 may be a silicon nitride layer.
  • the container 1 comprises, as illustrated, silicon 10 in the molten state defining a free surface 11 on the opposite side to the bottom 4 of the container 1.
  • the silicon 10 in the molten state can be obtained by solid silicon melting initially present in the As a variant, the silicon can be melted under vacuum above the container 1 and the filling of the container 1 can be made by injection or depression.
  • Heating means allow the maintenance of the silicon 10 in the molten state by subjecting the latter to a temperature above its melting temperature.
  • a stirring system in the form of a helix 30 is positioned within the silicon 10 in the molten state and is, as illustrated, driven in a rotational movement about the axis of rotation Y which is collinear with the X longitudinal axis. It is not beyond the scope of the present invention if the Y axis forms a non-zero angle with the X axis.
  • the helix 30 may, as illustrated, before the beginning of the solidification of the silicon be introduced substantially at mid height of the container 1.
  • a thermal insulation system 20 comprising in particular shutters 21 in the closed position is, for example, present to reduce heat exchange before the onset of solidification of silicon.
  • FIG. 2 illustrates the state of the system at a given instant during step b). As illustrated, the insulating flaps 21 are in the open position thus allowing the heat exchange and, consequently, the solidification of the silicon.
  • the solidification front 13 of the silicon separating silicon 10 in the molten state and silicon 12 in the solid state, propagates at an average speed, measured along the longitudinal axis X of the container 1, greater than or equal to 5 ⁇ / s, preferably at 10 ⁇ / s.
  • the solidification front 13 progresses from the bottom 4 of the container 1 to the free surface 11 during step b).
  • the propeller 30 has been displaced relative to the container 1 along the longitudinal axis X thereof, this displacement having occurred during the solidification of the silicon, and imposes a maximum speed on the particles of fluid located at near its distal ends 31.
  • the silicon used may be of metallurgical grade, especially comprising 150 ppm by weight of Al.
  • the assembly is then introduced into the solidification device, a vertical furnace of controlled cooling technology without mechanical displacement ("gradient freeze” in English terminology), with heating elements (graphite resistors) located in the upper part and on the sides of the crucible. Silicon is first brought to a temperature of 1430 ° C to ensure complete melting.
  • the mechanical stirrer (silica pad referenced DA 00194, of Vesuvius manufacture, and length 7.5 cm) is then introduced into the molten bath, positioned at half-height in the bath, and rotated at an angular speed of 15 turns. /minute.
  • the Reynolds number obtained here is 1.3 ⁇ 10 5 .
  • the heat extraction at the bottom is then increased through the controlled opening of insulating flaps.
  • the stirrer When about half of the silicon has solidified, the stirrer is reassembled and positioned 2 cm below the interface between the liquid and the atmosphere of the enclosure, while maintaining the rotation at an angular speed of 15 revolutions / minute. .
  • the stirrer When the solid-liquid interface approaches within 4 cm of the liquid-vapor interface, the stirrer is raised out of the bath and rotation is stopped. The complete solidification of the ingot 25 cm in height is carried out in about 7 hours, the average solidification speed is 3.6 cm / h, or equivalent 10 ⁇ / s. In the growth regime, the power consumed by the furnace is about 38 kW.
  • the heating power is then reduced and the ingot brought to room temperature and removed from the crucible.
  • the concentration profile of Al in the solidified ingot is then measured by inductively coupled plasma mass spectrometry (ICP-MS: Inductively Coupled Plasma - Mass Spectroscopy in English terminology).
  • ICP-MS Inductively Coupled Plasma - Mass Spectroscopy in English terminology.
  • the fit by Scheil's law as a function of the solidified fraction gives a value of 2.4 ⁇ 10 -3 .
  • Scheil's law is conventionally used as a reference by those skilled in the art to account for chemical segregation profiles in directed solidification processes. From a mathematical point of view, the underlying hypotheses are to suppose that the liquid can be considered at each moment as homogeneous in concentration, and that the diffusion in the solid can be neglected. Under these conditions, Scheil's law represents a minimum in terms of the amount of impurities incorporated as a function of the solidified fraction and therefore an optimum in terms of purification.
  • the silicon used is of metallurgical grade, especially comprising 2000 ppm by weight of Fe.
  • the assembly is then introduced into the solidification device, a vertical furnace of controlled cooling technology without mechanical displacement ("gradient freeze"), with heating elements (graphite resistors) located in the upper part and on the sides of the crucible.
  • gradient freeze controlled cooling technology without mechanical displacement
  • Silicon is first brought to a temperature of 1430 ° C to ensure complete melting.
  • the mechanical stirrer (silica pad referenced DA 00194, manufactured by Vesuvius) is then introduced into the melt, positioned at mid-height in the bath, and rotated at an angular speed of 70 rpm (ie a number of Reynolds of 6.10 5 ).
  • the heat extraction at the bottom is then increased through the controlled opening of insulating flaps.
  • the power consumed by the furnace is about 38 kW.
  • the stirrer is reassembled and positioned 2 cm below the interface between the liquid and the atmosphere of the enclosure, while maintaining the rotation at an angular speed of 70 revolutions / minute .
  • the stirrer is raised out of the bath and rotation is stopped.
  • the complete solidification of the ingot 25 cm in height is carried out in about 7 hours, the average solidification speed is 3.6 cm / h, or equivalent 10 ⁇ s.
  • the heating power is then reduced and the ingot brought to room temperature and removed from the crucible.
  • the Fe concentration profile in the solidified ingot is then measured by inductively coupled plasma mass spectrometry (ICP-MS: Inductively Coupled Plasma - Mass Spectroscopy in English terminology).
  • ICP-MS Inductively Coupled Plasma - Mass Spectroscopy in English terminology.
  • the fit ("fit") by a Scheil law as a function of the solidified fraction gives a value of 1.1 ⁇ 10 -5 .
  • Relative to the reference value for the thermodynamic partition coefficient (k 10 -5 ), the ratio k eff / k is 1.1.
  • the starting silicon charge is in both cases contaminated by 500 ppm Al mass.
  • the stirring system used is of mechanical type comprising a pale identical to that of Examples 1 and 2. This is introduced into the molten bath, positioned at mid-height in the bath, and rotated at an angular speed of 50 rpm (a Reynolds number of 2.1 ⁇ 10 5 ). To initiate the solidification, the heat extraction at the bottom of the oven is then increased through the controlled opening of insulating shutters. In the growth regime, the power consumed by the furnace is about 38 kW. When about half of the silicon has solidified, the stirrer is raised and positioned 2 cm below the interface between the liquid and the atmosphere of the enclosure, while maintaining the rotation to an angular speed of 50 rpm. When the solid-liquid interface approaches within 4 cm of the liquid-vapor interface, the stirrer is raised out of the bath and the rotation is stopped.
  • the complete solidification of the ingot 25 cm in height is carried out in about 7 hours, the average solidification rate is therefore 3.6 cm / h, or equivalent 10 ⁇ s, as in Examples 1 and 2.
  • the heating power is then reduced and the ingot brought to room temperature and removed from the crucible.
  • FIG. 3 are presented the representative curves of the concentration of aluminum as a function of the height of solidified silicon.
  • the graph of Figure 3 shows a mechanical agitation comprising a pale maintained at a rotational angular velocity of 50 revolutions / minute so as to reach a Reynolds number of 2.1 10 5, allows to get closer to the segregation law of Scheil.

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Description

PROCEDE DE PURIFICATION DU SILICIUM
La présente invention concerne les procédés de purification du silicium. Les cellules photo voltaïques sont majoritairement fabriquées à partir de silicium mono- ou poly-cristallin dans des filières qui mettent en jeu la solidification de lingots à partir d'un bain liquide contenu dans un creuset.
La charge, utilisée comme matériau de base, est classiquement élaborée par un procédé de distillation d'un précurseur chloré obtenu à partir d'un silicium de grade métallurgique. Ce procédé est très efficace pour la purification, mais coûteux en termes d'investissement financier et de consommation énergétique.
Depuis quelques années, des procédés alternatifs ont été proposés pour la fabrication d'un silicium de qualité solaire à partir de procédés relevant de la métallurgie.
On connaît, en effet, des procédés de solidification directionnelle permettant une ségrégation des impuretés, et, par conséquent, une purification des charges de départ.
Pour la purification du silicium, la technique peut être bien adaptée aux impuretés métalliques (Fe, Cr, Ni...) dont les coefficients de partage sont très petits devant l'unité.
Il est rappelé que le coefficient de partage k mesure le rapport entre les concentrations d'une impureté entre la phase solide et la phase liquide à l'interface de solidification.
Un faible coefficient de partage permet, par conséquent, d'envisager une purification par ségrégation très efficace.
On sait, par ailleurs, qu'une vitesse de solidification élevée va dans le sens d'une mauvaise ségrégation.
Cependant, il est parallèlement souhaitable de privilégier une vitesse de solidification élevée, typiquement supérieure à 5 μτη/s, dans un souci de réduction des coûts des procédés de purification du silicium.
Ainsi, il est connu d'utiliser des systèmes de brassage extrinsèques dans des procédés mettant en œuvre des vitesses de solidification élevées. Toutefois, compte tenu des tailles des bains liquides utilisés au niveau industriel et des niveaux de convection nécessités par de telles vitesses de solidification, l'écoulement peut être instationnaire, voire turbulent.
De ce fait, des variations également instationnaires pour la vitesse de croissance et pour l'incorporation des impuretés peuvent être obtenues. De telles conditions peuvent se traduire, au niveau de la globalité du lingot, par une dégradation de la capacité à ségréger les impuretés.
Cela peut se comprendre d'un point de vue qualitatif, car dans des conditions instationnaires, la majeure partie des lingots est solidifiée aux moments du cycle où la vitesse de solidification est supérieure à la moyenne et donc où l'incorporation des impuretés est maximale. Un tel enseignement est discuté dans la publication F.Z. Haddad, J.P. Garandet, D. Henry, H. Ben Hadid, J. Crystal Growth 204 (1999) 213.
Il existe, par conséquent, un besoin pour disposer d'un procédé de purification du silicium assurant une bonne ségrégation dans des conditions de vitesse de solidification élevée.
La présente invention vise à répondre au besoin précité.
Selon un premier aspect, la présente invention concerne un procédé de purification du silicium comportant au moins les étapes consistant à :
a) disposer d'un récipient comportant du silicium à l'état fondu, le récipient présentant un axe longitudinal et le silicium à l'état fondu définissant du côté opposé au fond du récipient une surface libre,
b) imposer au silicium à l'état fondu des conditions propices à sa solidification, la vitesse moyenne temporelle sur la durée de l'étape b) de propagation du front de solidification du silicium, mesurée le long de l'axe longitudinal du récipient, étant supérieure ou égale à 5 μηι/s, de préférence
Figure imgf000003_0001
ledit procédé étant caractérisé en ce qu'au moins un système de brassage impose, durant tout ou partie de l'étape b), un écoulement de silicium à l'état fondu de nombre de Reynolds compris entre 3 104 et 3 106, de préférence entre 105 et 106.
L'axe longitudinal du récipient désigne la ligne joignant l'ensemble des barycentres des sections transversales dudit récipient (parois du récipient inclues). L'axe longitudinal peut être un axe de symétrie pour le récipient. L'axe longitudinal du récipient est de préférence rectiligne, et peut être contenu dans un plan, lequel peut être un plan de symétrie pour certaines, voire toutes les sections transversales dudit récipient.
Le nombre de Reynolds Re de l'écoulement de silicium à l'état fondu imposé
V x L
par le système de brassage est donné par la relation : Re = .
v
Dans cette formule :
V désigne la vitesse instantanée maximale des particules de fluide de silicium à l'état fondu mises en mouvement par le système de brassage, L désigne la plus petite dimension transversale du récipient, et
- v désigne la viscosité cinématique du silicium à l'état fondu, par exemple
3,5.10~7m2/s tel qu'indiqué dans la publication de Sasaki et al. Jpn J. Appl. Phys., 34 :3432 (1995).
Ainsi, dans l'exemple où le système de brassage est, comme il sera détaillé plus loin, une hélice rotative, V correspond à la vitesse instantanée des extrémités distales de l'hélice.
Les inventeurs ont constaté qu'imposer, durant tout ou partie de l'étape b), au silicium à l'état fondu un écoulement de nombre de Reynolds particulier permettait avantageusement d'obtenir une ségrégation efficace, conduisant ainsi à l'obtention de silicium à l'état solide particulièrement pur et ce malgré les vitesses de solidifications élevées mises en œuvre.
Sans vouloir être lié à une théorie particulière, les inventeurs considèrent que les valeurs de nombre de Reynolds sélectionnées dans le cadre des procédés selon l'invention permettent avantageusement d'obtenir une couche limite hydrodynamique visqueuse d'épaisseur supérieure à la couche limite solutale.
Ainsi, vis-à-vis de la ségrégation des impuretés, l'écoulement peut donc être considéré comme visqueux, évitant ainsi les problèmes d'incorporation transitoire des impuretés évoqués dans l'état de l'art.
Par ailleurs, du fait de son action sur le champ de température, le système de brassage peut avantageusement permettre d'augmenter localement les gradients thermiques au voisinage du front de solidification, tout en les réduisant dans le cœur du bain liquide. Cette réduction du gradient thermique dans le cœur permet de réduire la température maximale du bain, diminuant ainsi la solubilisation des impuretés présentes au sein des parois du récipient et/ou du revêtement optionnellement présent au niveau desdites parois comme il sera détaillé ci-après.
Préalablement à l'étape a), du silicium à l'état solide peut être introduit dans le récipient et y être ensuite fondu. En variante, le procédé comporte une étape d'introduction dans le récipient de silicium à l'état fondu.
Le silicium à l'état fondu peut être au contact ou non des parois du récipient. Ainsi, dans un exemple de réalisation, les parois du récipient peuvent être revêtues d'un revêtement anti-adhérent.
Le système de brassage peut avantageusement être présent au sein du silicium à l'état fondu durant tout ou partie de l'étape b), l'écoulement forcé de silicium à l'état fondu étant, dans ce cas, généré du fait de la mise en mouvement dudit système de brassage.
Dans ce cas, le déplacement du système de brassage, de préférence, comporte, notamment consiste en, un mouvement de rotation.
Le mouvement de rotation peut être réalisé autour d'un axe de rotation faisant, avec au moins une portion de l'axe longitudinal du récipient, un angle inférieur à 45 °, notamment à 30 °, notamment à 15 °, l'axe de rotation étant notamment colinéaire à l'axe longitudinal du récipient.
De préférence, le système de brassage présent au sein du silicium à l'état fondu durant tout ou partie de l'étape b), effectue, durant tout ou partie de l'étape b), un mouvement de rotation à une vitesse comprise entre 5 et 200 tours/minute, de manière préférée entre 10 et 100 tours/minute.
Le système de brassage permet, par exemple, d'obtenir, durant tout ou partie de l'étape b), une vitesse instantanée maximale des particules de fluide de silicium à l'état fondu comprise entre 1 et 100 cm/s, notamment 5 et 50 cm/s.
Le sens de rotation du système de brassage peut être modifié durant l'étape b).
Le système de brassage peut être introduit dans le silicium à l'état fondu avant le début de la solidification du silicium.
Le système de brassage peut être introduit dans le silicium à l'état fondu et y être mis en rotation avant le début de la solidification du silicium.
Le système de brassage est, de préférence, un système de brassage mécanique. Le système de brassage comporte, par exemple, une hélice, une pale et/ou un disque.
Le système de brassage comporte, de manière particulièrement préférée, une hélice ou une pale, lesquelles peuvent, durant tout ou partie de l'étape b), être présentes au sein du silicium à l'état fondu et être animées d'un mouvement de rotation.
Le système de brassage peut être déplacé relativement au récipient, notamment selon son axe longitudinal, durant l'étape b).
L'écoulement du silicium à l'état fondu peut être généré par l'action de plusieurs systèmes de brassage.
Le brassage peut être interrompu avant solidification complète du silicium.
Le système de brassage peut être retiré du silicium à l'état fondu avant solidification complète du silicium.
En variante, le système de brassage n'est présent, à aucun moment durant l'étape b), au sein du silicium à l'état fondu. Le système de brassage peut, dans ce cas, comporter un générateur de champ électromagnétique, alternatif, glissant ou tournant, l'écoulement de silicium à l'état fondu étant, durant l'étape b), généré par application dudit champ électromagnétique. Des exemples de la formation d'un écoulement forcé par la génération d'un champ électromagnétique sont décrits dans l'article de Mitric et al, J. Crystal Growth, 310 (2008), 1424 pour le champ alternatif, dans l'article de Rudolph, 2008, J. Crystal Growth, 310, 1298 pour le champ glissant, et dans l'article de Dold et al, J. Crystal Growth, 231 (2001), 95 pour le champ tournant.
Le procédé peut comporter une étape c) de refroidissement, notamment jusqu'à température ambiante, du silicium à l'état solide obtenu à l'issue de l'étape b).
L'expression « température ambiante » désigne la température de 20°C ± 5°C. Le procédé peut comporter une étape d) de récupération du silicium à l'état solide purifié obtenu à l'issue de l'étape c).
L'étape d) comporte avantageusement une étape d'élimination de la matière enrichie en composés autres que le silicium.
Cette étape d'élimination peut être réalisée par découpes des parties latérales, inférieure et supérieure du lingot obtenu. Indépendamment ou en combinaison avec ce qui précède, l'invention concerne, selon un autre de ses aspects, un procédé de purification du silicium comportant au moins les étapes consistant à :
a) disposer d'un récipient comportant du silicium à l'état fondu, le récipient présentant un axe longitudinal et le silicium à l'état fondu définissant du côté opposé au fond du récipient une surface libre,
b) imposer au silicium à l'état fondu des conditions propices à sa solidification, la vitesse moyenne temporelle sur la durée de l'étape b) de propagation du front de solidification du silicium, mesurée le long de l'axe longitudinal du récipient, étant supérieure ou égale à 5 μηι/s, de préférence
Figure imgf000007_0001
ledit procédé étant caractérisé en ce qu'au moins un système de brassage impose, durant tout ou partie de l'étape b), un écoulement de silicium à l'état fondu permettant d'obtenir, durant tout ou partie de l'étape b), un rapport des coefficients de partage effectif et thermodynamique -^- des composés autres que le silicium inférieur k
à 2, de préférence à 1,25.
Le coefficient de partage effectif keff d'une espèce donnée est relié au coefficient de partage thermodynamique k de cette même espèce par la relation suivante : k k
\ - {\ - k)^- D
Dans la relation ci-dessus :
-δ désigne l'épaisseur de la couche limite solutale à l'avant du front de solidification obtenue en présence de l'écoulement de silicium à l'état fondu imposé par le système de brassage,
- Vj désigne la vitesse de propagation du front de solidification du silicium mesurée selon l'axe longitudinal du récipient, et
- D désigne le coefficient de diffusion de l'espèce considérée.
Indépendamment ou en combinaison avec ce qui précède, l'invention concerne, selon encore un autre de ses aspects, un procédé de purification du silicium comportant au moins les étapes consistant à : a) disposer d'un récipient comportant du silicium à l'état fondu, le récipient présentant un axe longitudinal et le silicium à l'état fondu définissant du côté opposé au fond du récipient une surface libre,
b) imposer au silicium à l'état fondu des conditions propices à sa solidification, la vitesse moyenne temporelle sur la durée de l'étape b) de propagation du front de solidification du silicium, mesurée le long de l'axe longitudinal du récipient, étant supérieure ou égale à 5 μηι/s, de préférence
Figure imgf000008_0001
ledit procédé étant caractérisé en ce qu'au moins un système de brassage impose, durant tout ou partie de l'étape b), un écoulement de silicium à l'état ôV fondu permettant d'obtenir, durant tout ou partie de l'étape b), un rapport -^-pour les composés autres que le silicium inférieur à 0,5, de préférence à 0,2, les grandeurs δ , Vj et D étant telles que définies ci-dessus.
Les procédés définis ci-dessus peuvent avantageusement permettre d'obtenir du silicium à l'état solide purifié présentant une concentration massique en silicium supérieure ou égale à 99,99 %, de préférence à 99,999 %.
Protocole de mesure de la vitesse de propagation du front de solidification du silicium
La vitesse de propagation du front de solidification du silicium, mesurée le long de l'axe longitudinal du récipient, est évaluée par palpage mécanique de la phase solide au travers de la phase liquide au moyen d'une canne en céramique réfractaire. Plus précisément, l'opérateur introduit la canne, par exemple de silice, dans le bain fondu au cours de la solidification et vient contacter l'interface solide/liquide, pour mesurer la position de l'interface. Cette opération est réalisée plusieurs fois au cours de la solidification et permet de calculer une vitesse temporelle moyenne de l'interface. Cette méthode de mesure est connue de l'homme du métier et couramment utilisée dans le milieu industriel du fait de sa robustesse et de sa simplicité. Détermination des coefficients de partage
Coefficient de partage k
Pour une impureté donnée, le coefficient de partage k est tabulé dans le référence F. A. Trumbore, Bell Syst. Tech. J., vol 39, p205, 1960.
Coefficient de partage effectif^
Le coefficient de partage effectif est mesuré via un ajustement des profils de concentration mesurés par exemple par spectroscopie d'absorption atomique (« AAS : Atomic Absorption Sprectroscopy ») ou spectrométrie de masse à plasma couplé par induction (« ICP-MS : Inductively Coupled Plasma - Mass Spectroscopy ») réalisé a posteriori sur les lingots solidifiés.
Descriptions des figures
L'invention pourra être mieux comprise à la lecture de la description détaillée qui va suivre, d'exemples de mise en œuvre non limitatifs de celle-ci, et à l'examen du dessin annexé, sur lequel :
- la figure 1 illustre, de manière schématique et partielle, une section d'un récipient utilisable dans le cadre de la présente invention, et
- la figure 2 illustre, de manière schématique et partielle, l'étape de solidification du silicium mise en œuvre dans le cadre des procédés selon l'invention.
- La figure 3 représente un graphique de la concentration en aluminium en fonction de la hauteur de silicium solidifiée obtenue dans le cadre de l'invention et dans un essai témoin sans brassage.
Dans les dessins annexés, les proportions réelles des différents éléments n'ont pas nécessairement été respectées, dans un souci de clarté.
On a illustré à la figure 1 un récipient 1 d'axe longitudinal X dont les parois internes 2 ont été revêtues par un revêtement 3 anti-adhérent. Le récipient 1 présente un fond 4.
Le récipient 1 utilisé peut, par exemple, être un creuset en silice et le revêtement 3 anti-adhérent peut être constitué par une couche de nitrure de silicium.
Le récipient 1 comporte, comme illustré, du silicium 10 à l'état fondu définissant une surface libre 11 du côté opposé au fond 4 du récipient 1. Le silicium 10 à l'état fondu peut être obtenu par fusion de silicium solide initialement présent dans le récipient 1. En variante, le silicium peut être fondu sous vide au-dessus du récipient 1 et le remplissage du récipient 1 peut être réalisé en injection ou dépression.
Des moyens de chauffage (non représentés) permettent le maintien du silicium 10 à l'état fondu en soumettant ce dernier à une température supérieure à sa température de fusion.
Un système de brassage sous la forme d'une hélice 30 est positionné au sein du silicium 10 à l'état fondu et est, comme illustré, animé d'un mouvement de rotation autour de l'axe de rotation Y lequel est colinéaire à l'axe longitudinal X. On ne sort pas du cadre de la présente invention si l'axe Y forme un angle non nul avec l'axe X.
L'hélice 30 peut, comme illustré, avant le début de la solidification du silicium être introduite sensiblement à mi hauteur du récipient 1.
Concernant le problème d'évacuation de la chaleur, un système d'isolation thermique 20 comportant notamment des volets 21 isolants en position fermée est, par exemple, présent afin de réduire les échanges thermiques avant le début de la solidification du silicium.
On a illustré à la figure 2 l'état du système à un instant donné durant l'étape b). Comme illustré, les volets isolants 21 sont en position ouverte permettant ainsi les échanges thermiques et, par conséquent, la solidification du silicium.
Le front de solidification 13 du silicium, séparant silicium 10 à l'état fondu et silicium 12 à l'état solide, se propage à une vitesse moyenne, mesurée le long de l'axe longitudinal X du récipient 1, supérieure ou égale à 5 μηι/s, de préférence à 10 μητ/s.
Comme illustré, le front de solidification 13 progresse depuis le fond 4 du récipient 1 vers la surface libre 11 durant l'étape b).
Il va des compétences de l'homme du métier de régler les caractéristiques des transferts thermiques afin d'obtenir les valeurs souhaitées de vitesse de propagation du front de solidification du silicium.
Comme illustré à la figure 2, l'hélice 30 a été déplacée relativement au récipient 1 selon l'axe longitudinal X de ce dernier, ce déplacement ayant eu lieu durant la solidification du silicium, et impose une vitesse maximale aux particules de fluide situées au voisinage de ses extrémités distales 31. Exemples
Exemple 1
Une charge de silicium d'environ 60 kg, sous forme de cailloux de dimensions centimétriques, est introduite dans un creuset silice de marque Vesuvius et de dimensions intérieures 39x39x39 cm, sur lequel un revêtement anti-adhérent de nitrure de silicium avait été préalablement déposé. Le silicium utilisé peut être de grade métallurgique, comprenant notamment 150 ppm massique d'Al.
L'ensemble est ensuite introduit dans le dispositif de solidification, un four vertical de technologie à refroidissement contrôlé sans déplacement mécanique (« gradient freeze », en terminologie anglo-saxonne), avec des éléments chauffants (résistors graphite) situés en partie haute et sur les côtés du creuset. Le silicium est d'abord porté à une température de 1430°C pour assurer sa fusion complète.
Le brasseur mécanique (pale de silice référencée DA 00194, de fabrication Vesuvius, et de longueur 7,5cm) est ensuite introduit dans le bain fondu, positionné à mi- hauteur dans le bain, et mis en rotation à une vitesse angulaire de 15 tours/minute. Le nombre de Reynolds obtenu est ici de 1,3.105.
Pour initier la solidification, l'extraction de chaleur en partie basse est ensuite augmentée par le biais de l'ouverture contrôlée de volets isolants.
Quand environ la moitié du silicium a été solidifié, le brasseur est remonté et positionné 2 cm au dessous de l'interface entre le liquide et l'atmosphère de l'enceinte, tout en maintenant la rotation à une vitesse angulaire de 15 tours/minute.
Quand l'interface solide-liquide s'approche à moins de 4 cm de l'interface liquide-vapeur, le brasseur est remonté hors du bain et la rotation est stoppée. La solidification complète du lingot de 25 cm de hauteur est réalisée en 7 heures environ, la vitesse moyenne de solidification est donc 3,6 cm/h, ou de façon équivalente 10 μητ/s. En régime de croissance, la puissance consommée par le four est d'environ 38 kW.
La puissance de chauffe est ensuite réduite et le lingot ramené à température ambiante et démoulé du creuset.
Le profil de concentration en Al dans le lingot solidifié est ensuite mesuré par spectrométrie de masse à plasma couplé par induction (ICP-MS : « Inductively Coupled Plasma - Mass Spectroscopy » en terminologie anglaise). L'ajustement (« fit ») par une loi de Scheil en fonction de la fraction solidifiée donne une valeur de 2,4 10"3. Rapporté à la valeur de référence pour le coefficient de partage thermodynamique (k = 2 10~3), le rapport keff / k est de 1,2.
La loi de Scheil est classiquement utilisée comme référence par l'homme de l'art pour rendre compte des profils de ségrégation chimique dans les procédés de solidification dirigée. D'un point de vue mathématique, les hypothèses sous-jacentes sont de supposer que le liquide peut-être à chaque instant considéré comme homogène en concentration, et que la diffusion dans le solide peut être négligée. Dans ces conditions, la loi de Scheil représente un minimum en matière de quantité d'impuretés incorporées en fonction de la fraction solidifiée et donc un optimum en termes de purification.
Exemple 2
Une charge de silicium d'environ 60 kg, sous forme de cailloux de dimensions centimétriques, est introduite dans un creuset silice de marque Vesuvius et de dimensions intérieures 39x39x39 cm, sur lequel un revêtement anti-adhérent de nitrure de silicium avait été préalablement déposé. Le silicium utilisé est de grade métallurgique, comprenant notamment 2000 ppm massique de Fe.
L'ensemble est ensuite introduit dans le dispositif de solidification, un four vertical de technologie à refroidissement contrôlé sans déplacement mécanique (« gradient freeze »), avec des éléments chauffants (résistors graphite) situés en partie haute et sur les côtés du creuset.
Le silicium est d'abord porté à une température de 1430°C pour assurer sa fusion complète. Le brasseur mécanique (pale de silice référencée DA 00194, de fabrication Vesuvius) est ensuite introduit dans le bain fondu, positionné à mi-hauteur dans le bain, et mis en rotation à une vitesse angulaire de 70 tours/minute (soit un nombre de Reynolds de 6.105).
Pour initier la solidification, l'extraction de chaleur en partie basse est ensuite augmentée par le biais de l'ouverture contrôlée de volets isolants. En régime de croissance, la puissance consommée par le four est d'environ 38 kW. Quand environ la moitié du silicium a été solidifié, le brasseur est remonté et positionné 2 cm au dessous de l'interface entre le liquide et l'atmosphère de l'enceinte, tout en maintenant la rotation à une vitesse angulaire de 70 tours/minute. Quand l'interface solide-liquide s'approche à moins de 4 cm de l'interface liquide-vapeur, le brasseur est remonté hors du bain et la rotation est stoppée.
La solidification complète du lingot de 25 cm de hauteur est réalisée en 7 h environ, la vitesse moyenne de solidification est donc 3,6 cm/h, ou de façon équivalente 10 μητ s. La puissance de chauffe est ensuite réduite et le lingot ramené à température ambiante et démoulé du creuset.
Le profil de concentration en Fe dans le lingot solidifié est ensuite mesuré par spectrométrie de masse à plasma couplé par induction (ICP-MS : Inductively Coupled Plasma - Mass Spectroscopy en terminologie anglaise). L'ajustement (« fit ») par une loi de Scheil en fonction de la fraction solidifiée donne une valeur de 1,1 10"5. Rapporté à la valeur de référence pour le coefficient de partage thermodynamique (k = 10"5), le rapport keff / k est de 1,1.
Exemple 3
Caractérisation de l'effet bénéfique du brassage selon l'invention sur la purification par solidification unidirectionnelle du silicium.
A des fins comparatives, il a été réalisé conjointement à une purification conforme à l'invention, une purification sans application d'un brassage.
La charge de silicium de départ est dans les 2 cas contaminé par 500 ppm massique d'Al.
Les conditions expérimentales retenues en termes de creuset utilisé, de grade, quantité et forme du silicium de départ, de dispositif de solidification et de température de chauffage sont similaires à celles retenues pour les exemples 1 et 2.
Pour ce qui concerne la purification conforme à l'invention, le système de brassage utilisé est de type mécanique comprenant une pâle identique à celui des exemples 1 et 2. Celui-ci est introduit dans le bain fondu, positionné à mi-hauteur dans le bain, et mis en rotation à une vitesse angulaire de 50 tours/minute (soit un nombre de Reynolds de 2,1.105). Pour initier la solidification, l'extraction de chaleur en partie basse du four est ensuite augmentée par le biais de l'ouverture contrôlée de volets isolants. En régime de croissance, la puissance consommée par le four est d'environ 38 kW. Quand environ la moitié du silicium a été solidifié, le brasseur est remonté et positionné 2 cm au-dessous de l'interface entre le liquide et l'atmosphère de l'enceinte, tout en maintenant la rotation à une vitesse angulaire de 50 tours/minute. Quand l'interface solide- liquide s'approche à moins de 4 cm de l'interface liquide-vapeur, le brasseur est remonté hors du bain et la rotation est stoppée.
Les conditions de procédé (hormis bien évidemment tout ce qui concerne le système de pale) sont identiques pour l'expérience de solidification sans brassage.
Pour les deux types d'expériences réalisées (conforme à l'invention ou sans système de brassage), la solidification complète du lingot de 25 cm de hauteur est réalisée en 7 h environ, la vitesse moyenne de solidification est donc 3, 6 cm/h, ou de façon équivalente 10 μητ s, comme dans les exemples 1 et 2. La puissance de chauffe est ensuite réduite et le lingot ramené à température ambiante et démoulé du creuset.
En figure 3 sont présentées les courbes représentatives de la concentration en aluminium en fonction de la hauteur de silicium solidifiée.
A titre de témoin, y figure également la courbe modélisant la solidification du silicium selon la loi de Scheil.
Lorsqu'il n'y a pas de système de brassage, il apparaît que la courbe représentant l'évolution de la concentration en aluminium en fonction de la hauteur de solidification est éloignée de la courbe représentative de la loi de ségrégation de Scheil.
En revanche, le graphique de la figure 3 met en évidence qu'un brassage mécanique comprenant une pâle, maintenu à une vitesse de rotation angulaire de 50 tours/minute de telle sorte à atteindre un nombre de Reynolds de 2,1 105, permet de se rapprocher nettement de la loi de ségrégation de Scheil.
Sauf mention contraire, l'expression « comportant/comprenant un(e) » doit être comprise comme « comportant/comprenant au moins un(e) ».
Sauf mention contraire, l'expression « compris(e) entre ... et ... » doit s'entendre comme bornes inclues.
Sauf mention contraire, l'expression « allant de ... à ... » doit s'entendre comme bornes inclues.

Claims

REVENDICATIONS
1. Procédé de purification du silicium comportant au moins les étapes consistant à :
a) disposer d'un récipient (1) comportant du silicium (10) à l'état fondu, le récipient (1) présentant un axe (X) longitudinal et le silicium (10) à l'état fondu définissant du côté opposé au fond (4) du récipient (1) une surface libre (1 1),
b) imposer au silicium (10) à l'état fondu des conditions propices à sa solidification, la vitesse moyenne temporelle sur la durée de l'étape b) de propagation du front (13) de solidification du silicium, mesurée le long de l'axe (X) longitudinal du récipient (1), étant supérieure ou égale à 5 μτη/s, de préférence à 10 μτη/s,
ledit procédé étant caractérisé en ce qu'au moins un système de brassage (30) impose, durant tout ou partie de l'étape b), un écoulement de silicium (10) à l'état fondu de nombre de Reynolds compris entre 3 104 et 3 106, de préférence entre 105 et 106.
2. Procédé selon la revendication 1 , caractérisé en ce que le système de brassage (30) est présent au sein du silicium (10) à l'état fondu, durant tout ou partie de l'étape b), et en ce que l'écoulement de silicium (10) à l'état fondu est généré du fait de la mise en mouvement dudit système de brassage (30).
3. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le déplacement du système de brassage (30) comporte, notamment consiste en, un mouvement de rotation.
4. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le mouvement de rotation est réalisé autour d'un axe (Y) de rotation faisant, avec au moins une portion de l'axe (X) longitudinal, un angle inférieur à 45 °, notamment à 30 °, notamment à 15 °, l'axe (Y) de rotation étant notamment co linéaire à l'axe (X) longitudinal du récipient (1).
5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 et 4, caractérisé en ce que le sens de rotation du système de brassage (30) est modifié durant l'étape b).
6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 5, caractérisé en ce que le système de brassage (30) est un système de brassage mécanique, comportant notamment une hélice, une pale et/ou un disque, ledit système de brassage (30) comportant, de préférence, une hélice.
7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le système de brassage (30) est déplacé relativement au récipient (1), notamment selon son axe (X) longitudinal, durant l'étape b).
8. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le front (13) de solidification progresse depuis le fond (4) du récipient (1) vers la surface libre (1 1) durant l'étape b).
9. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les parois (2) internes du récipient (1) sont revêtues d'un revêtement (3) anti adhérent.
10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le brassage est interrompu avant solidification complète du silicium.
11. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'écoulement du silicium (10) à l'état fondu est généré par l'action de plusieurs systèmes de brassage.
12. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que, préalablement à l'étape a), du silicium à l'état solide est introduit dans le récipient et y est ensuite fondu.
13. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le rapport des coefficients de partage effectif et thermodynamique des composés autres que le silicium est, durant tout ou partie de l'étape b), inférieur à k
2, de préférence à 1,25.
14. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte une étape c) de refroidissement, notamment jusqu'à température ambiante, du silicium (12) à l'état solide obtenu à l'issue de l'étape b).
15. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu'il comporte une étape d) de récupération du silicium (12) à l'état solide purifié obtenu à l'issue de l'étape c).
16. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le silicium (12) à l'état solide purifié présente une concentration massique en silicium supérieure ou égale à 99,99 %, de préférence à 99,999 %.
17. Procédé selon l'une quelconque des revendications 15 et 16, caractérisé en ce que l'étape d) comporte une étape d'élimination de la matière enrichie en composés autres que le silicium.
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