WO2013174977A1 - Verfahren zum herstellen optoelektronischer bauelemente und vorrichtung zum herstellen optoelektronischer bauelemente - Google Patents

Verfahren zum herstellen optoelektronischer bauelemente und vorrichtung zum herstellen optoelektronischer bauelemente Download PDF

Info

Publication number
WO2013174977A1
WO2013174977A1 PCT/EP2013/060737 EP2013060737W WO2013174977A1 WO 2013174977 A1 WO2013174977 A1 WO 2013174977A1 EP 2013060737 W EP2013060737 W EP 2013060737W WO 2013174977 A1 WO2013174977 A1 WO 2013174977A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substance
substrate
electrically charged
mixture
sprayed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2013/060737
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hans-Christoph Gallmeier
Claudia Jurenka
Ion Stoll
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to CN201380027302.1A priority Critical patent/CN104302407B/zh
Priority to US14/400,668 priority patent/US9793445B2/en
Priority to JP2015513208A priority patent/JP6033413B2/ja
Priority to KR1020147036341A priority patent/KR101640197B1/ko
Publication of WO2013174977A1 publication Critical patent/WO2013174977A1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B5/00—Electrostatic spraying apparatus; Spraying apparatus with means for charging the spray electrically; Apparatus for spraying liquids or other fluent materials by other electric means
    • B05B5/005—Electrostatic spraying apparatus; Spraying apparatus with means for charging the spray electrically; Apparatus for spraying liquids or other fluent materials by other electric means the high voltage supplied to an electrostatic spraying apparatus being adjustable during spraying operation, e.g. for modifying spray width, droplet size
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B5/00—Electrostatic spraying apparatus; Spraying apparatus with means for charging the spray electrically; Apparatus for spraying liquids or other fluent materials by other electric means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B5/00—Electrostatic spraying apparatus; Spraying apparatus with means for charging the spray electrically; Apparatus for spraying liquids or other fluent materials by other electric means
    • B05B5/005—Electrostatic spraying apparatus; Spraying apparatus with means for charging the spray electrically; Apparatus for spraying liquids or other fluent materials by other electric means the high voltage supplied to an electrostatic spraying apparatus being adjustable during spraying operation, e.g. for modifying spray width, droplet size
    • B05B5/006—Electrostatic spraying apparatus; Spraying apparatus with means for charging the spray electrically; Apparatus for spraying liquids or other fluent materials by other electric means the high voltage supplied to an electrostatic spraying apparatus being adjustable during spraying operation, e.g. for modifying spray width, droplet size the adjustement of high voltage is responsive to a condition, e.g. a condition of material discharged, of ambient medium or of target
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B5/00—Electrostatic spraying apparatus; Spraying apparatus with means for charging the spray electrically; Apparatus for spraying liquids or other fluent materials by other electric means
    • B05B5/025—Discharge apparatus, e.g. electrostatic spray guns
    • B05B5/0255—Discharge apparatus, e.g. electrostatic spray guns spraying and depositing by electrostatic forces only
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B5/00—Electrostatic spraying apparatus; Spraying apparatus with means for charging the spray electrically; Apparatus for spraying liquids or other fluent materials by other electric means
    • B05B5/16—Arrangements for supplying liquids or other fluent material
    • B05B5/1608—Arrangements for supplying liquids or other fluent material the liquid or other fluent material being electrically conductive
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512—Wavelength conversion materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B5/00—Electrostatic spraying apparatus; Spraying apparatus with means for charging the spray electrically; Apparatus for spraying liquids or other fluent materials by other electric means
    • B05B5/16—Arrangements for supplying liquids or other fluent material
    • B05B5/1608—Arrangements for supplying liquids or other fluent material the liquid or other fluent material being electrically conductive
    • B05B5/1675—Arrangements for supplying liquids or other fluent material the liquid or other fluent material being electrically conductive the supply means comprising a piston, e.g. a piston pump
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0361—Manufacture or treatment of packages of wavelength conversion means

Definitions

  • emitted blue light are converted by means of a converter, for example in particle form, for example phosphor particles, into yellow and red components of the light. From the color mixture of unconverted blue light and converted yellow and red light, white light can be formed.
  • the converter particles should be in the optical path, i. the optical path of the emitted light, the LED are located.
  • a conventional method to form converter particles in the light path of an LED is the volume encapsulation, in which
  • Converter particles are distributed in a silicone matrix and the silicone matrix, for example, distributed around the LED. Another conventional method for forming converter particles in the light path of an LED is to use
  • Phosphor layers which have phosphors in a silicone matrix and are formed by screen printing. These phosphor layers can then be fixed with an adhesive on an LED, for example.
  • Another conventional method for forming converter particles in the light path of an LED is the electrophoretic deposition of phosphor layers on an LED.
  • Another conventional method of forming converter particles in the light path of an LED is by spraying
  • Phosphors or converter particles on a substrate such as a semiconductor chip, such as an LED.
  • the layer thickness of the matrix with phosphor and thus the color location or the color mixture of the emitted light can be adjusted.
  • the spraying with the phosphor suspension or phosphor dispersion can be for a single LED, a panel with several, for example several
  • the LEDs on the panel or chip wafer can be separated after spraying with phosphors.
  • the phosphor layer on a panel or chip wafer may have inhomogeneities due to spraying, for example different color loci, i. the emitted color (color mixture) may be different in the LEDs on a panel or a chip wafer.
  • the cause of the inhomogeneity of the color locus on a panel or chip wafer may be the bleeding or demixing of already sprayed on phosphor, where it locally to
  • Forming different thicknesses of the phosphor layer may occur on the substrate.
  • Condition may be formed by means of the viscosity of the substance of the matrix.
  • the substance of the matrix should be highly viscous but still be sprayable, with increasing viscosity of the
  • Suspension or dispersion is more difficult to spray.
  • an organic-inorganic substance can be a
  • the term "substance” encompasses all substances mentioned above, for example an organic substance, an inorganic substance, and / or a hybrid substance
  • Mixture be understood something that consists of two or more different ingredients, whose
  • components are very finely divided.
  • a class of substance is a substance or mixture of one or more organic substance (s), one or more inorganic substance (s) or one or more hybrid
  • electrical potential is the electrical potential energy of an electrical charge with respect to the location of the electrical charge with respect to oppositely charged electrodes
  • the electric field in which an electrically charged substance or an at least partially electrically charged substance mixture is located can also be formed by another electrically charged substance or an at least partially electrically charged substance mixture.
  • a method for producing optoelectronic components comprising: spraying a phosphor layer of an optoelectronic component onto a substrate, wherein the substance or the substance mixture of the phosphor layer during the
  • Spraying has an electrical charge and wherein the electrically charged substance or the at least partially electrically charged mixture when spraying the
  • Phosphor layer has a greater electrical potential than at least a portion of the substrate; and wherein the thickness of the phosphor layer of the sprayed
  • Fluorescent layer is set locally.
  • Light emitting diodes or laser diodes are formed.
  • the substrate may be formed as a chip wafer, a wire-bonded ceramic substrate, a leadframe or as a similar substrate.
  • the substrate may be formed as at least one partially formed optoelectronic component.
  • a partially formed optoelectronic component can also be formed only partially with respect to the fully formed optoelectronic component.
  • a partially formed optoelectronic component can therefore also already be considered as a completely formed component
  • Optoelectronic component can already be considered as a partially formed optoelectronic device
  • the substrate can be set up in such a way that it comes from or onto it
  • Optoelectronic components are formed side by side.
  • a single optoelectronic component may, for example, be an isolated chip.
  • Optoelectronic components can side by side
  • a matrix and embedded therein have a phosphor, for example, a suspension or dispersion.
  • a phosphor for example, a suspension or dispersion.
  • a phosphor can be Ce-doped garnets such as
  • YAG Ce and LuAG, for example, (Y, Lu) 3 (Al, Ga) 5O12: Ce;
  • Eu doped nitrides for example CaAlSiN3: Eu,
  • Orthosilicates for example (Ba, Sr) 2S104: Eu;
  • Chlorosilicates Chlorosilicates, chlorophosphates, BAM
  • the substance of the matrix of the substance mixture may comprise or be formed from a volatile solvent, for example a solvent suspension or a solvent dispersion.
  • the phosphor can be applied from a volatile matrix as a layer without surrounding matrix on the substrate. As a result, the heat dissipation, at a Phosphor for wavelength conversion resulting Stokes heat to be improved.
  • the Stokes heat can be considered as the energy difference between that of the phosphor
  • the volatile solvent can be vaporized and / or released from the surface of the substrate by means of negative pressure and / or heating of the sprayed-on layer and / or heating of the substrate.
  • the substance of the matrix of the sprayed-on substance mixture can be set up such that the substance of the matrix is solidified after being sprayed onto the substrate.
  • sprayed-on substance or mixture of substances for example, in the case of an uncrosslinked polymer, for example an epoxide, a silicone or a substance mixture of one of these substances with a phosphor; and / or mixtures with volatiles, for example in a solution, suspension or dispersion; be educated.
  • an uncrosslinked polymer for example an epoxide, a silicone or a substance mixture of one of these substances with a phosphor; and / or mixtures with volatiles, for example in a solution, suspension or dispersion; be educated.
  • the substance of the matrix may comprise a substance or be formed from the group of substances: a silicone, a lacquer or a
  • the substance or the substance mixture can be applied to the substrate by means of a nozzle.
  • the nozzle can be an opening diameter in one
  • the opening diameter of the nozzle may be adjusted depending on the viscosity of the substance or mixture of substances, the size of any particles of the substance or mixture of substances and the applied pressure.
  • the substance or the substance mixture can be sprayed out of the nozzle by means of a pressure.
  • An overpressure can be adjusted for example by means of a pump.
  • a negative pressure can be adjusted for example by means of a pump.
  • the pressure at which the substance or mixture is sprayed from the nozzle may be in the range of about 0.1 bar to about
  • the substance or mixture can form a divergent jet.
  • the divergent beam is directed to the surface of the substrate to be coated.
  • Substrate and the nozzle are moved relative to each other, for example by the nozzle and / or the substrate or the substrate holder are movably mounted.
  • the displacement can, for example, electrically,
  • the area of the beam on the surface of the substrate can be adjusted by changing the distance between the nozzle and the substrate.
  • the distance of the nozzle from the surface of the substrate may have a value in a range of about 0.5 cm to about 30 cm, for example about 1 cm.
  • the area of the beam on the surface of the substrate can be adjusted by changing the beam profile.
  • the method the
  • Electrode is formed.
  • Voltage source be designed such that the value of the potential difference of the electrically charged substance or the at least partially electrically charged material mixture can be statically adjusted or dynamically changed.
  • the voltage may have a value in a range of about -40 kV to about + 40 kV, for example in a range of about-2 kV to about + 2 kV, for example in a range of about -400 V to about + 400 V, for example in a range of about -50V to about + 50V.
  • the electric field can correspond to the local change of the electrical potential.
  • the electrical potential of the substrate and the sprayed, electrically charged substance or the sprayed, at least partially electrically charged mixture, such as a phosphor the Phosphor on the surface electrically, for example, electrostatically attracted and held.
  • the substrate may already have parts of an electrically charged phosphor layer, wherein parts of the already sprayed, electrically charged phosphor layer and the substrate may have different charges.
  • the electrically attracted substance can act as an electrically insulating material for further sprayed-on material.
  • Further sprayed-on substance for example, further phosphor, can then preferably locally on the surface of the
  • Phosphor is applied.
  • That the electrically charged substance to be sprayed on or the electrically charged substance mixture to be sprayed on may have the same or similar electrical charge with parts of the substrate.
  • the surface may have at least a region having a lower electric potential than the electrically charged substance to be sprayed on
  • the electrical potential of the at least one region of the substrate may additionally have a lower electrical potential
  • the electric field strength i. the local change of the electric potential on the
  • Surface of the substrate can cause a local adjustment of the layer thickness.
  • Phosphor layer of the electrically charged substance or of the at least partially electrically charged substance mixture during spraying and forming between the first electrode and second electrode are formed, wherein the second
  • Electrode is arranged by means of the substrate and / or an electrode behind or below the substrate and the first electrode is arranged parallel to the second electrode.
  • An electrode behind or below the substrate for example an electrically charged substrate holder, and / or an electrostatic charge of the substrate, for example, in electrically non-conductive substrates, such as the surfaces of a sapphire semiconductor chip, or a conductive but ungrounded semiconductor chip, chip wafer or Be formed panels.
  • Substrate may be configured as a first electrode.
  • charged particles of the electrically charged, sprayed substance or at least partially electrically charged, sprayed substance mixture can then be influenced by an electric field, for example another electrically
  • the position of the charged particles can be influenced so that the electric potential of the electrically charged particles on the
  • the charged particles reach areas of higher field strength on the surface of the substrate, for example areas with a lower electrical level
  • the isolation can be done by means of already
  • Phosphor particles for example, may have an electrical surface charge.
  • the substance or the substance mixture or a part of the substance mixture before or during spraying onto the substrate electrostatically
  • the sprayed substance or parts of the sprayed substance mixture for example particles,
  • phosphor particles can be electrostatically charged, for example, by means of the electrical potential of the nozzle and / or the friction during spraying.
  • Substrates can be adjusted, wherein the shape of the jet of the substance or mixture can be changed by means of the beam optics, by means of the shape of the beam, the surface of the sprayed substance or mixture can be adjusted on the surface of the substrate,
  • the beam may have on the substrate an area which, by means of the image width and the beam optics, for example the focal length and the effect of the lens on the beam, For example, collecting effect or dissipative effect, can be set.
  • the region on the surface of the substrate which is sprayed with the electrically charged substance or the at least partially electrically charged substance mixture can be adjusted in a targeted manner, for example in order to apply a phosphor only to small, selected regions of a substrate, for example the ceramic substrate. Do not sprinkle edges of a panel with fluorescent or around
  • Opening angle of the beam and / or the beam diameter can be changed by means of the beam optics.
  • the radiation optics may vary depending on the nature of the sprayed, electrically charged substance or the
  • Nozzle and substrate have a different electromagnetic potential than the beam optics and so the divergent beam be modulated, for example, the radiation optics may be grounded, ie, "grounded" to ground and a voltage applied between the nozzle and substrate, for example, according to one of the embodiments of the description of Fig.l.
  • Strahloptik have one or more electromagnetic lenses.
  • the method the
  • the radiation optics are moved electrically or electronically.
  • the movements of the beam optics can be parallel, perpendicular or at an angle, for example diagonally, to the substrate surface.
  • Stray optics may be formed as a first metallic plate and a second metallic plate, wherein the metallic plates may be arranged plane-parallel at a distance from each other and the beam can pass between the plates.
  • the metallic plates may comprise or be formed of metals and / or precious metals as a substance or alloy, for example Fe, Cu, Au, Ag, Pt, Pd, Al, Ti or C.
  • the two metallic plates may be arranged such that an electrical potential difference, ie an electric field, is formed between the two plates.
  • an electrical potential difference ie an electric field
  • both plates can have the same electrical potential have, for example, to ground.
  • the first metallic plate may be grounded, i. to ground while the second metallic plate may be connected to a voltage source.
  • the electric field between the first metallic plate and the second metallic plate may be static or dynamic, and for modulating the beam of the
  • the plates may be spaced from each other in a range of about 10 mm to about 20 cm, a
  • the first metallic plate may have a same or different electrical potential than the second metallic plate.
  • Straehloptik have a metallic ring, wherein the ring can be electrically connected to another voltage source and wherein the beam passes through the ring opening.
  • the ring may be grounded, i. he can be grounded.
  • the metallic ring may comprise or be formed of a metal or precious metal as a substance or alloy.
  • Fe Fe, Cu, Au, Ag, Pt, Pd, Al, Ti, or C.
  • the metallic ring may have a distance from the nozzle in a range of about 1 mm to about 5 cm, and a distance to the surface of the substrate in a Range from about 1 mm to about 5 cm, for example about 1 cm.
  • the shape of the beam can additionally by means of at least one electrically acting aperture and / or mechanically acting aperture
  • Phosphor layer can, for example, after a first spraying and a local measurement of the thickness already sprayed onto the substrate surface
  • the quantity of electrically charged substance or at least partially electrically charged material can be determined locally by means of the measured layer thickness information and the radiation optics
  • the area of the beam can dynamically by means of
  • an apparatus for fabricating layers of opto-electronic devices comprising: means for generating an electrical potential difference; one
  • Substrate holder for holding a substrate; a device for spraying an electrically charged substance or a at least partially electrically charged mixture adapted to adjust the thickness of the sprayed electrically charged substance or of the sprayed,
  • the means for spraying a substance or a mixture of substances forms a jet, wherein the jet is the electrically charged substance or the at least partially electrically charged one
  • Mixture comprises or is formed therefrom; the beam being directed at the surface of the substrate and covering a first surface on the surface; wherein the thickness of the layer of substance sprayed on the substrate or substance mixture by means of the potential difference locally
  • the optoelectronic device in one embodiment, the optoelectronic
  • Components may be configured, for example, as light-emitting diodes or laser diodes.
  • the substrate may comprise a chip wafer, a wire-bonded ceramic substrate, a leadframe, or a similar substrate.
  • the substrate may be formed as at least one partially formed optoelectronic component.
  • the substrate may be such
  • the at least partially electrically charged substance mixture which is applied to the substrate, a matrix and embedded therein have a phosphor.
  • the substance of the matrix of the sprayed-on substance mixture may comprise or be formed from a volatile solvent.
  • the device may be configured such that the volatile solvent is removed by means of a negative pressure and / or heating of the sprayed-on layer and / or heating of the substrate from the
  • the substance of the matrix of the sprayed-on substance mixture can be configured such that the matrix can be solidified after being sprayed onto the substrate.
  • the substance of the matrix may comprise or be formed from the group of substances: a silicone, a lacquer or an epoxy resin.
  • the device may be configured such that the electrical potential difference of the electrically charged substance or the at least partially electrically charged substance mixture by means of a
  • Voltage source is formed, wherein a first electrode and a second electrode are electrically connected to the voltage source, wherein the electric potential difference of the electrically charged substance or the at least partially electrically charged substance mixture between the first electrode and the second electrode is formed.
  • the voltage source can be set up in such a way that the value of the potential difference of the electrically charged substance or of the at least partially electrically charged substance mixture is statically adjustable or can be changed dynamically.
  • the voltage source can be set up such that the device for spraying the electrically charged substance or the at least partially electrically charged mixture of substances is partially set up between the first electrode and the second electrode, the second electrode being formed by means of the substrate and / or a second electrode Electrode is arranged behind or below the substrate and the first electrode is arranged parallel to the second electrode.
  • Mixture applied to the surface of the substrate for example, is designed as a nozzle.
  • the nozzle may be configured as a first electrode.
  • the nozzle may be configured such that the electrically charged substance or the at least partially electrically charged substance mixture can be applied to the surface of the substrate as an aerosol.
  • the device may be configured such that the electrical potential difference of the electrically charged substance or the at least partially electrically charged substance mixture is formed by means of an electrically charged sprayed substance or electrically charged sprayed substance mixture.
  • the device may be submitted in such a way that the substance or the substance mixture or a part of the substance mixture can be electrostatically charged.
  • Potential difference of the electrically charged substance or the at least partially electrically charged mixture of substances are formed by means of an electrostatic charge of the substrate holder and / or the substrate.
  • nozzle is connected to a container, wherein the container provides the substance or a mixture of substances, and wherein nozzle and container such
  • Spraying of the substance or mixture of substances be set up such that the substance or the mixture is sprayed by means of a pressure from the nozzle.
  • the device can be configured such that the substrate and the nozzle are displaceable relative to one another.
  • the device can be set up in such a way that a beam optic is formed between the nozzle and the surface of the substrate.
  • the beam optics can be set up in such a way that the shape of the jet of the substance or substance mixture can be changed by means of the ray optics, the first surface being determined by means of the shape of the ray
  • the beam optics may be at least one static electric field or dynamic one
  • the beam optics can be set up such that the opening angle of the beam can be changed by means of the beam optics.
  • the beam optics may include one or more electromagnetic lenses.
  • the beam optics can be moved electrically or electronically.
  • the beam optics may be formed as a first metallic plate and a second metallic plate, the metallic plates being plane-parallel are spaced apart and the beam passes between the plates.
  • the first metallic plate may have a same or different electrical potential than the second metallic plate.
  • the beam optics may have a metallic ring, wherein the ring with a
  • further voltage source can be electrically connected and wherein the beam passes through the ring opening.
  • the beam optics can additionally have electrically acting diaphragms and / or mechanically active diaphragms for delimiting the beam.
  • the device may be configured such that the amount of electrically charged substance or at least partially electrically charged substance mixture which is applied locally on the surface of the substrate and / or the surface of the beam on the surface of the substrate, with a Measurement of the local layer thickness already sprayed on phosphor layer
  • Figure 1 is a schematic cross-sectional view of a
  • Figure 2 is a schematic cross-sectional view of a
  • FIG. 3 shows embodiments of beam optics, according to FIG.
  • FIG. 4 shows an embodiment of the device according to FIG.
  • FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of a device 100 for forming layers
  • the substrate 104 may be, for example, a partially formed optoelectronic device, for example, during manufacture.
  • formed optoelectronic component can in this sense already the carrier of an optoelectronic
  • a partially formed optoelectronic component can also be a per se, with respect to other optoelectronic
  • Be component whose optoelectronic properties are to be adapted to a particular optoelectronic target property.
  • the substrate 104 may be a single opto-electronic
  • Component for example, a scattered chip, or more optoelectronic component side by side,
  • the substrate 104 may be on a support (not shown) for already formed layers, as a carrier a chip wafer, a wire-bonded ceramic, a
  • Leadframe or the like.
  • the device may include a nozzle 106.
  • a container may be associated with a substance or mixture of substances (not shown), wherein container and nozzle 106 may be arranged in such a way, that the substance or mixture of substances can be transported from the container to the nozzle 106.
  • the substance or the mixture of substances can by means of a pressure, for example an overpressure, for example by means of a pump; or a negative pressure, for example, by evacuating the space between the nozzle 106 and the substrate 104, are sprayed from the nozzle 106.
  • a pressure for example an overpressure, for example by means of a pump; or a negative pressure, for example, by evacuating the space between the nozzle 106 and the substrate 104, are sprayed from the nozzle 106.
  • Mixture may be a divergent beam 108th
  • the divergent beam 108 may be directed to the surface of the substrate 104 to be coated.
  • the nozzle 106 may have an opening diameter in a range of about 20 pm to about 6 mm, wherein the opening diameter of the nozzle 106 depending on the
  • Viscosity of the substance or mixture of substances may be the size of any particles of the jet 108 of the substance or mixture of substances and the applied pressure. A lower viscosity of the sprayed substance or
  • mixture of substances for example, in an uncrosslinked polymer, such as an epoxy, a silicone or a mixture of these substances with a phosphor can be important for the spraying.
  • the mixture of substances may, for example, be volatile components
  • the viscosity of the sprayed substance or substance mixture can be increased.
  • the pressure with which the substance or mixture of substances is sprayed from the nozzle 106 may have a value in a range from about 0.1 bar to about 10 bar. Between sprayed substance or sprayed substance mixture and substrate 104 may have an electrical potential difference
  • an electrically charged, sprayed substance or electrically charged, sprayed substance mixture for example a phosphor
  • the substance or the substance mixture or a part of the substance mixture can be electrostatically charged and / or can be charged electrostatically
  • a voltage source 110 for example by means of a voltage source 110, wherein the voltage of the voltage source 110 may be present between:
  • the nozzle 106 and the substrate 104 and / or a
  • Electrode behind or below the substrate 104 for example, the substrate holder 102, or
  • an electrode behind or above the nozzle 106 for example the holder (not shown) of the nozzle 106, and the substrate 104 and / or an electrode behind or below the substrate 104, for example the substrate holder 102.
  • an electrically charged substrate holder 102, and / or an electrostatic charge of the substrate 104 for example, in electrically non-conductive
  • Substrates 102 for example, the surfaces of a sapphire semiconductor chip, or a conductive but not grounded semiconductor chip, chip wafer or panels may be formed.
  • the value of the potential difference i. the voltage may be static or dynamic, the voltage having a value in a range of about -40 kV to about + 40 kV, for example in a range of
  • approximately -2 kV to approximately + 2 kV for example in a range of approximately -400 V to approximately + 400 V, for example, in a range of about -50V to about + 50V.
  • the directional beam may have on the substrate 104 a surface 112 which is defined by the distance 114 of the nozzle 106 from the surface of the substrate 104 and / or the value of the
  • the distance 114 of the nozzle 106 from the surface of the substrate 104 may have a value in a range of about 0.5 cm to about 30 cm, for example 1 cm.
  • the electrically attracted substance may have an electrically insulating effect for another sprayed, electrically charged substance or further sprayed on, at least partially electrically charged mixture. Further sprayed-on, electrically charged substance, for example further phosphor, may then preferably be locally on the surface of the substrate 104
  • the sprayed substance or parts of the sprayed substance mixture for example
  • Particles for example phosphor particles, a
  • electrical charge for example, a surface charge.
  • the sprayed substance or parts of the sprayed substance mixture are electrostatically charged by means of the electrical potential of the nozzle 106 and the friction during spraying.
  • the sprayed substance mixture can be formed as a phosphor in a matrix substance, for example a suspension or dispersion, wherein the substance of the matrix can comprise or be formed from a silicone, a lacquer or a resin.
  • the sprayed composition may be formed as a phosphor in a matrix material of, for example, a suspension or dispersion, the material of the matrix being a fugitive, i. volatile, solvent.
  • the solvent may partially or completely evaporate during spraying or from the sprayed layer.
  • the evaporation or escape of solvent from the sprayed-on layer can be formed by means of a negative pressure and / or a heating of the sprayed-on layer and / or of the substrate 104.
  • the surface of the substrate 104 may be partially or completely coated by partially or completely matching the surface 112 of the beam to the size of the surface of the substrate 104, for example by adjusting the distance 114 between the nozzle 106 and the substrate 104. At a constant distance 114, the surface 112 can be adjusted by adjusting the aperture angle of the beam 108.
  • Substrate holder 102 are movably mounted.
  • the shifting relative to each other can, for example, electrically,
  • the E-field assist forming the layers on the substrate 104 By means of the E-field assist forming the layers on the substrate 104, a more homogeneous layer thickness distribution can be formed on the substrate 104 than without an electric field. Furthermore, a bleeding and / or detachment of the sprayed layer, for example of the
  • Fluorescent composite material from the surface of the
  • Substrate 104 reduced by the electrical forces of attraction and / or largely prevented. This can, for example, when spraying a
  • Phosphor layer a more homogeneous distribution of the color locus of a plurality of optoelectronic components are formed on a common substrate 104.
  • complex substrate shapes can be formed, wherein a bleeding, for example, at vertical locations of the substrate 104, slowed down or prevented.
  • Thermal conductivity for example, a sprayed
  • Phosphor layer and form or exhibit a more efficient component heating.
  • the phosphor can be applied as a layer without surrounding matrix on the substrate 104, since the substance of the matrix is volatile, i. evaporate or escape. This allows the heat dissipation, which in a phosphor for
  • the Stokes heat can be considered as the energy difference between the absorbed by the phosphor
  • FIG. 2 shows a schematic cross-sectional view of a
  • the device between nozzle 106 and substrate 104 may have a radiation optic 204.
  • Stray optics 204 may spray the sprayed from the nozzle 106
  • divergent beam 202 for example focusing or collimating, and forming a directional beam 206.
  • the radiation optics 204 may, depending on the nature of the sprayed substance or mixture or the
  • Texture of the substrate 104 may be formed by means of a static or dynamic electric or magnetic field.
  • the radiation optics 204 may be "grounded" to ground and between the nozzle 106 and substrate 104, a voltage according to One of the embodiments of the description of FIG. 1, the E-field can thereby be limited in comparison to the course of the E-field between the nozzle 106 and substrate 104 without radiation optics 204.
  • the ray optics 204 can be used as one or more
  • dynamic electromagnetic field or be formed as a permanent magnet.
  • the radiation optics 204 are disposed in yet another embodiment.
  • the directional beam may be on the substrate 104
  • an area 208 have the means of the image width 212 and the beam optics 204, for example, the focal length and
  • the setting of the surface 208 by means of the radiation optics 204 may be coupled to the value of the pressure of the substance or mixture sprayed from the nozzle 106.
  • the radiation optics 204 By means of the radiation optics 204, the area on the
  • Layer thickness information and the beam optics 204 may be formed.
  • the surface 208 of the beam can be adjusted dynamically by means of the radiation optics 204, the voltage source 110 and the distance 212 between the radiation optics 204 and the substrate 104.
  • the beam optics 204 may be movably mounted and moved electrically or electronically. The movements of the ray optics 204 may be parallel, perpendicular or at an angle, for example diagonal, to the surface of the substrate.
  • FIG. 3 shows embodiments 300 of beam optics 204 according to various exemplary embodiments.
  • Figure 3 in two plan views 310, 320 a first
  • Strahloptiken 310, 320 may also be formed as individual beam lenses of a more complex beam optics 204,
  • the first embodiment of the radiation optics 204 may be a first metallic plate 302 and a second metallic plate
  • Plate 304 may be formed, wherein the metallic plates
  • the metallic plates can be used as fabric or
  • Alloy metals and / or precious metals for example Fe, Cu, Au, Ag, Pt, Pd, Al, Ti or C (graphite) and a size in a range of about
  • the two metallic plates 302, 304 may be configured such that an electrical potential difference
  • both plates may have the same electrical potential 306, 308, for example, to ground.
  • the first metallic plate 302 may be grounded 306, ie grounded, while the second metallic plate 304 may be connected to a voltage source 308.
  • the electric field between the first metallic plate 302 and the second metallic plate 304 may be static or dynamic and used to modulate the
  • the metallic plates 302, 304 may be spaced from each other in a range of about 10 mm to about 20 cm, have a distance 210 to the nozzle 106 in a range of about 5 mm to about 5 cm, and a distance 212 to the surface of the substrate 104 one
  • the beam optics 204 may be formed as a metallic ring 312.
  • the metallic ring may be metals and / or metals as a substance or alloy
  • Ring 312 may be electrically connected to a voltage source 110, which ring 312 may be grounded, i. can be grounded.
  • the metallic ring 312 may have a distance 210 to the nozzle 106 in a range of about 1 mm to about 5 cm
  • Distance 212 in a range of about 1 mm to about 5 cm, for example 1 cm.
  • an LED panel 104 may be configured as a first electrode 104, wherein the LED chips may be electrically contacted on the panel 104 by means of the chip back.
  • the counter electrode to the first electrode 104 may be formed directly behind the spray nozzle 106. Between the electrodes can a
  • the silicone-phosphor suspension may have a polydimethylsiloxane silicone as a matrix, with a viscosity of about 0.5 Pas and with a
  • Bulk content of phosphor with respect to the silicone phosphor suspension in a range of about 40% to about 80%, for example, about 50%.
  • the jet 202 from the nozzle 106 can form a collimated beam 206, which is directed onto the surface of the substrate 104, by means of a grounded 314, metallic ring 313.
  • the panel 104 may be potted with a lens, i. provided with a lens by means of encapsulation are not shown. Subsequently, the LED chips of the panel can be singulated and form a finished LED.
  • apparatus and a method of manufacturing the same with which it is possible by means of the E-field support forming the phosphor layers on a substrate to be more homogeneous Layer thickness distribution on the substrate form, as without electric field. Furthermore, a bleeding and / or detachment of the sprayed-on phosphor layer, for example of the phosphor composite material, from the surface of the substrate by means of the electrical forces of attraction
  • Luminescent layer a homogeneous distribution of the color location of a plurality of optoelectronic components are formed on a common substrate. Furthermore, complex
  • Substrate forms are transformed, wherein a bleeding
  • the electrically charged substances or electrically charged parts of the substance mixture for example phosphors, can be packed more tightly by means of the electric force.
  • Packing may form or include improving thermal conductivity, such as a sprayed phosphor layer, and more efficient component heating.
  • the phosphor can be applied as a layer without surrounding matrix on the substrate, since the substance of the matrix is volatile, i. evaporate or escape. This allows the heat dissipation, which in a phosphor for
  • the Stokes heat can be the energy difference between the absorbed by the phosphor

Landscapes

  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Electrostatic Spraying Apparatus (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

Besehreibung
Verfahren zum Herstellen optoelektronischer Bauelemente und Vorrichtung zum Herstellen optoelektronischer Bauelemente
In verschiedenen Ausgestaltungen werden ein Verfahren zum Herstellen optoelektronischer Bauelemente und eine
Vorrichtung zum Herstellen optoelektronischer Bauelemente bereitgestellt .
Herkömmlich wird um weißes Licht mittels einer Leuchtdiode (LED) zu generieren ein Halbleiterchip verwendet, der schmalbandiges blaues Licht emittiert. Anteile des
emittierten blauen Lichtes werden mittels eines Konverters, beispielsweise in Partikel-Form, beispielsweise Leuchtstoff- Partikel, in gelbe und rote Bestandteile des Lichtes umgewandelt. Aus der Farbmischung aus unkonvertiertem blauen Licht und konvertiertem gelben und roten Licht kann weißes Licht gebildet werden. Für die Lichtkonversion und das Ausbilden der Farbmischung sollten sich die Konverter- Partikel im Lichtweg, d.h. dem optischen Weg des emittierten Lichtes, der LED befinden.
Eine herkömmliche Methode um Konverter-Partikel im Lichtweg einer LED auszubilden, ist der Volumenverguss , bei dem
Konverter-Partikel in einer Silikon-Matrix verteilt werden und die Silikon-Matrix beispielweise um die LED verteilt wird . Eine weitere herkömmliche Methode um Konverter-Partikel im Lichtweg einer LED auszubilden, ist das Verwenden von
Leuchtstoff-Schichten, die Leuchtstoffe in einer Silikon- Matrix aufweisen und mittels Siebdrucks ausgebildet werden. Diese Leuchtstoff-Schichten können dann beispielsweise mit einem Kleber auf einer LED fixiert werden. Eine weitere herkömmliche Methode um Konverter-Partikel im Lichtweg einer LED auszubilden, ist das elektrophoretische Abscheiden von Leuchtstoff-Schichten auf einer LED. Eine weitere herkömmliche Methode um Konverter-Partikel im Lichtweg einer LED auszubilden, ist das Sprühen von
Leuchtstoffen bzw. Konverter-Partikeln auf ein Substrat, beispielsweise einen Halbleiterchip, beispielsweise eine LED. Dabei wird eine Suspension oder Dispersion eines
Leuchtstoffes in einer niedrig viskosen Matrix,
beispielsweise ein Silikon oder Epoxid im unvernetzten
Zustand, mittels Überdrucks durch eine Düse auf ein Substrat aufgesprüht. Mittels mehrmaligen Besprühens des Substrates mit der Leuchtstoff-Suspension oder Leuchtstoff-Dispersion kann die Schichtdicke der Matrix mit Leuchtstoff und damit der Farbort bzw. die Farbmischung des emittierten Lichtes eingestellt werden. Das Besprühen mit der Leuchtstoff- Suspension oder Leuchtstoff-Dispersion kann für eine einzelne LED, einem Panel mit mehreren, beispielsweise mehreren
Hundert, LEDs oder einem Chip-Wafer eingerichtet sein, wobei die LEDs auf dem Panel oder Chip-Wafer nach dem Besprühen mit Leuchtstoffen vereinzelt werden können.
Die Leuchtstoff-Schicht auf einem Panel oder Chip-Wafer können aufgrund des Besprühens Inhomogenitäten aufweisen, beispielsweise unterschiedliche Farborte, d.h. die emittierte Farbe (Farbmischung) kann bei den LEDs auf einem Panel oder einem Chip-Wafer unterschiedlich ausgebildet sein. Ursache für die Inhomogenität des Farbortes auf einem Panel oder Chip-Wafer können das Verlaufen oder Entmischen bereits aufgesprühten Leuchtstoffes sein, wobei es lokal zum
Ausbilden unterschiedlicher Dicken der Leuchtstoff-Schicht auf dem Substrat kommen kann. Ein Verlaufen der aufgesprühten Schichten im unausgehärteten Zustand der Matrix,
beispielsweise ein Silikon oder Epoxid im unausgehärteten
Zustand, kann mittels der Viskosität des Stoffes der Matrix ausgebildet sein. Der Stoff der Matrix sollte möglichst hoch viskos aber noch sprühbar sein, wobei mit steigender Viskosität der
Leuchtstoff-Suspension oder Leuchtstoff-Dispersion die
Suspension oder Dispersion schwieriger zu sprühen ist.
Weiterhin können bereits auf dem Substrat aufgebrachte
Leuchtstoff-Partikel mittels des Impulses weiterer
aufgesprühter Leuchtstoff-Partikel abgelöst und/oder
verschoben werden. Weiterhin kann es zu einer Agglomeration, d.h. einem Ansammeln, Clustern oder auch Verklumpen, von Leuchtstoff-Partikel kommen. Weiterhin können komplexere Substratformen, beispielsweise ein LED-Gehäuse oder Package, nur schwierig mittels Besprühens mit einer Leuchtstoff- Schicht versehen werden. Wegen der oben genannten Probleme kann die Prozessführung erschwert werden und die
Reproduzierbarkeit und Homogenität der Farbverteilung in einem fertigen Produkt reduziert werden. Weiterhin sind in dem angestrebten Dickenbereich der Leuchtstoff-Schicht , d.h. in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis ungefähr 200 pm keine hochviskosen Stoffe für die Matrix verwendbar.
In verschiedenen Ausgestaltungen werden ein Verfahren zum Herstellen optoelektronischer Bauelemente und eine
Vorrichtung zum Herstellen optoelektronischer Bauelemente bereitgestellt, mit denen es möglich ist in sich homogenere Leuchtstoffschichten optoelektronischer Bauelemente
auszubilden, selbst auf geometrisch komplex geformten
Substraten .
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organischen Stoff eine, ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes, in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch
charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung des Kohlenstoffs verstanden werden. Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem anorganischen Stoff eine, ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes, in chemisch einheitlicher Form
vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung ohne
Kohlenstoff oder einfacher KohlenstoffVerbindung verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organisch-anorganischen Stoff (hybrider Stoff) eine,
ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes, in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung mit Verbindungsteilen die Kohlenstoff enthalten und frei von Kohlenstoff sind, verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung umfasst der Begriff „Stoff" alle oben genannten Stoffe, beispielsweise einen organischen Stoff, einen anorganischen Stoff, und/oder einen hybriden Stoff. Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem
Stoffgemisch etwas verstanden werden, was Bestandteile aus zwei oder mehr verschiedenen Stoffen besteht, deren
Bestandteile beispielsweise sehr fein verteilt sind. Als eine Stoffklasse ist ein Stoff oder ein Stoffgemisch aus einem oder mehreren organischen Stoff (en) , einem oder mehreren anorganischen Stoff (en) oder einem oder mehreren hybrid
Stoff (en) zu verstehen. Der Begriff „Material" kann synonym zum Begriff „Stoff" verwendet werden. In verschiedenen Ausgestaltungen kann unter einem
elektrischen Potential die elektrische, potentielle Energie einer elektrischen Ladung bezüglich der Lage der elektrischen Ladung bezüglich gegensätzlich geladener Elektroden
verstanden werden. Das elektrische Feld in dem sich ein elektrisch geladener Stoff oder ein wenigstens teilweise elektrisch geladenes Stoffgemisch befindet kann dabei auch von einem anderen elektrisch geladenen Stoff oder einem wenigstens teilweise elektrisch geladenen Stoffgemisch ausgebildet werden.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen optoelektronischer Bauelemente bereitgestellt, das Verfahren aufweisend: Sprühen einer LeuchtstoffSchicht eines optoelektronischen Bauelementes auf ein Substrat, wobei der Stoff oder das Stoffgemisch der LeuchtstoffSchicht beim
Aufsprühen eine elektrische Ladung aufweist und wobei der elektrisch geladene Stoff oder das wenigstens teilweise elektrisch geladene Stoffgemisch beim Aufsprühen der
LeuchtstoffSchicht ein größeres elektrisches Potential aufweist als wenigstens ein Bereich des Substrates; und wobei die Dicke der LeuchtstoffSchicht des aufgesprühten
Leuchtstoffes mittels eines elektrischen Potentialgradientens auf dem Substrat während des Aufsprühens der
LeuchtstoffSchicht lokal eingestellt wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die
optoelektronischen Bauelemente beispielsweise als
Leuchtdioden oder Laserdioden ausgebildet werden.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Substrat als ein Chip-Wafer, ein Draht-gebondetes Keramik-Substrat, ein Leadframe oder als ein ähnliches Substrat ausgebildet sein .
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Substrat als wenigstens ein teilweise ausgebildetes optoelektronisches Bauelement ausgebildet sein. Ein teilweise ausgebildetes optoelektronisches Bauelement kann dabei auch nur teilweise bezüglich des vollständig ausgebildeten optoelektronischen Bauelementes ausgebildet sein. Ein teilweise ausgebildetes optoelektronisches Bauelement kann demnach an sich auch bereits als ein vollständig ausgebildetes Bauelement
angesehen werden, allerdings bezüglich anderer
Zieleigenschaften. Ein bereitgestellter Träger eines
optoelektronischen Bauelementes kann dabei bereits als ein teilweise ausgebildetes optoelektronisches Bauelement
angesehen werden, wenn auf dem Träger ein optoelektronisches Bauelement ausgebildet wird. In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Substrat derart eingerichtet sein, dass daraus oder darauf ein
einzelnes optoelektronisches Bauelement oder mehrere
optoelektronische Bauelemente nebeneinander ausgebildet werden. Ein einzelnes optoelektronisches Bauelement kann beispielsweise ein vereinzelter Chip sein. Mehrere
optoelektronische Bauelemente nebeneinander können
beispielsweise mehrere optoelektronische Bauelemente auf einem Chip-Wafer oder einem Panel sein.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das
Stoffgemisch, das auf das Substrat aufgebracht wird, eine Matrix und darin eingebettet einen Leuchtstoff aufweisen, beispielsweise eine Suspension oder Dispersion. Mittels chemischen Vernetzens eines Teils des aufgesprühten Stoffs oder Stoffgemisches und/oder einem Verdunsten bzw. Verdampfen flüchtiger Bestandteile des aufgesprühten Stoffgemisches, kann beispielsweise die Viskosität des aufgesprühten Stoffs oder Stoffgemisches erhöht werden.
3+
Em Leuchtstoff kann beispielsweise Ce dotierte Granate wie
3+
YAG:Ce und LuAG, beispielsweise (Y, Lu) 3 (AI, Ga) 5O12 :Ce ;
2+ 2+
Eu dotierte Nitride, beispielsweise CaAlSiN3:Eu ,
2+ 2+
(Ba, Sr ) 2S15 8 :Eu ; Eu dotierte Sulfdide, SIONe, SiAlON,
2+
Orthosilicate, beispielsweise (Ba, Sr ) 2S1O4 :Eu ;
Chlorosilicate, Chlorophosphate, BAM
(Bariummagnesiumaluminat : Eu) und/oder SCAP, Halophosphat aufweisen oder daraus gebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Stoff der Matrix des Stoffgemisches ein flüchtiges Lösungsmittel aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise eine Lösungsmittel-Suspension oder einer Lösungsmittel-Dispersion.
Der Leuchtstoff kann aus einer flüchtigen Matrix als eine Schicht ohne umgebende Matrix auf dem Substrat aufgebracht werden. Dadurch kann die Wärmeabfuhr, der bei einem Leuchtstoff zur Wellenlängenkonversion entstehenden Stokes- Wärme, verbessert werden. Die Stokes-Wärme kann dabei als die Energiedifferenz zwischen der von dem Leuchtstoff
absorbierten elektromagnetischen Strahlung und der von dem Leuchtstoff emittierten elektromagnetischen Strahlung
verstanden werden.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das flüchtige Lösungsmittel mittels eines Unterdruckes und/oder eines Erwärmens der aufgesprühten Schicht und/oder eines Erwärmens des Substrates von der Oberfläche des Substrates verdampft werden und/oder entweichen.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Stoff der Matrix des aufgesprühten Stoffgemisches derart eingerichtet sein, dass der Stoff der Matrix nach dem Aufsprühen auf das Substrat verfestigt wird.
Ein Erhöhen der Viskosität, d.h. ein Verfestigen des
aufgesprühten Stoffs oder Stoffgemischs kann beispielsweise bei einem unvernetzten Polymer, beispielsweise ein Epoxid, ein Silikon oder ein Stoffgemisch eines dieser Stoffe mit einem Leuchtstoff; und/oder Stoffgemische mit flüchtigen Bestandteilen beispielsweise bei einer Lösung, Suspension oder Dispersion; ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Stoff der Matrix einen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein aus der Gruppe der Stoffe: ein Silikon, ein Lack oder ein
Epoxidharz .
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Stoff oder das Stoffgemisch mittels einer Düse auf das Substrat aufgebracht werden.
Die Düse kann dabei einen Öffnungsdurchmesser in einem
Bereich von ungefähr 20 pm bis ungefähr 0,6 mm aufweisen. Der Öffnungsdurchmesser der Düse kann abhängig von der Viskosität des Stoffs oder Stoffgemisches , der Größe etwaiger Partikel des Stoffs oder Stoffgemisches und dem angelegten Druck eingestellt werden.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Stoff oder das Stoffgemisch mittels eines Druckes aus der Düse versprüht werden. Ein Überdruck kann beispielsweise mittels einer Pumpe eingestellt werden. Ein Unterdruck kann
beispielsweise mittels Evakuierens des Raumes zwischen Düse und Substrat eingestellt werden. Der Druck, mit dem der Stoff oder das Stoffgemisch aus der Düse versprüht wird, kann einen Wert in einem Bereich von ungefähr 0,1 bar bis ungefähr
10 bar aufweisen. Der Stoff bzw. das Stoffgemisch kann einen divergenten Strahl ausbilden. Der divergente Strahl ist dabei auf die zu beschichtende Oberfläche des Substrates gerichtet.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann zum
Aufsprühen der LeuchtstoffSchicht auf das Substrat, das
Substrat und die Düse relativ zueinander verschoben werden, beispielsweise indem die Düse und/oder das Substrat bzw. der Substrathalter beweglich gelagert sind.
Das Verschieben kann, beispielsweise elektrisch,
beispielsweise mittels Elektromotoren oder elektronisch, beispielsweise mittels Computer-gesteuerter Elektromotoren implementiert sein.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Fläche des Strahls auf der Oberfläche des Substrates mittels Änderns des Abstandes zwischen Düse und Substrat eingestellt werden.
Der Abstand der Düse von der Oberfläche des Substrates kann einen Wert in einem Bereich von ungefähr 0,5 cm bis ungefähr 30 cm, beispielsweise ungefähr 1 cm aufweisen. In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Fläche des Strahls auf der Oberfläche des Substrates mittels Änderns des Strahlprofils eingestellt werden. In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
elektrische Potentialdifferenz des elektrisch geladenen
Stoffs oder des wenigstens teilweise elektrisch geladenen Stoffgemisches mittels einer Spannungsquelle ausgebildet werden, wobei eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode elektrisch mit der Spannungsquelle verbunden werden, wobei die elektrische Potentialdifferenz des elektrisch geladenen Stoffs oder des wenigstens teilweise elektrisch geladenen Stoffgemisches zwischen erster Elektrode und zweiter
Elektrode ausgebildet ist.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Spannungsquelle derart ausgebildet sein, dass der Wert der Potentialdifferenz des elektrisch geladenen Stoffs oder des wenigstens teilweise elektrisch geladenen Stoffgemisches statisch eingestellt oder dynamisch verändert werden kann.
Die Spannung kann einen Wert in einem Bereich von ungefähr - 40 kV bis ungefähr + 40 kV, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr - 2 kV bis ungefähr + 2 kV, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr - 400 V bis ungefähr + 400 V, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr - 50 V bis ungefähr + 50 V, aufweisen.
Die treibende Kraft für den elektrisch geladenen Stoff oder das wenigstens teilweise elektrisch geladene Stoffgemisch kann das elektrische Feld, beispielsweise zwischen den
Elektroden sein. Das elektrische Feld kann dabei der lokalen Änderung des elektrischen Potentials entsprechen. Bei einer geeigneten Wahl des elektrischen Potentials des Substrates und des aufgesprühten, elektrisch geladenen Stoffs oder des aufgesprühten, wenigstens teilweise elektrisch geladenen Stoffgemisch, beispielsweise ein Leuchtstoff, kann der Leuchtstoff auf der Oberfläche elektrisch, beispielsweise elektrostatisch, angezogen und gehalten werden.
Das Substrat kann bereits Teile einer elektrisch geladenen LeuchtstoffSchicht aufweisen, wobei Teile der bereits aufgesprühten, elektrisch geladenen LeuchtstoffSchicht und das Substrat unterschiedliche Ladungen aufweisen können.
Zusätzlich kann der elektrisch angezogene Stoff für weiteren aufgesprühten Stoff elektrisch isolierend wirken. Weiterer aufgesprühter Stoff, beispielsweise weiterer Leuchtstoff, kann sich dann bevorzugt lokal an der Oberfläche des
Substrates anlagern, an der noch kein oder wenig elektrisch geladener Stoff, beispielsweise elektrisch geladener
Leuchtstoff, aufgebracht ist.
D.h. der aufzusprühende elektrisch geladene Stoff oder das aufzusprühende elektrisch geladene Stoffgemisch kann mit Teilen des Substrates eine gleiche oder ähnliche elektrische Ladung aufweisen. Die Oberfläche kann jedoch wenigstens einen Bereich mit einem geringeren elektrischen Potential als der aufzusprühende, elektrisch geladene Stoff oder das
aufzusprühende, elektrisch geladene Stoffgemisch aufweisen. Das elektrische Potential des wenigstens einen Bereiches des Substrates kann zusätzlich ein geringeres elektrisches
Potential aufweisen als benachbarte Bereiche der Oberfläche des Substrates.
Mit anderen Worten: Die elektrische Feldstärke, d.h. die lokale Änderung des elektrischen Potentials, auf der
Oberfläche des Substrates kann ein lokales Einstellen der Schichtdicke bewirken.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
LeuchtstoffSchicht des elektrisch geladenen Stoffs oder des wenigstens teilweise elektrisch geladenen Stoffgemisches beim Aufsprühen und Ausbilden zwischen erster Elektrode und zweiter Elektrode ausgebildet werden, wobei die zweite
Elektrode mittels des Substrates und/oder einer Elektrode hinter oder unter dem Substrat eingerichtet ist und die erste Elektrode parallel zu der zweiten Elektrode angeordnet ist.
Eine Elektrode hinter oder unter dem Substrat, beispielsweise ein elektrisch geladener Substrathalter, und/oder eine elektrostatische Aufladung des Substrates kann beispielsweise bei elektrisch nicht leitfähigen Substraten, beispielsweise die Oberflächen eines Saphir-Halbleiterchips, oder eines leitfähigen aber nicht geerdeten Halbleiterchips, Chip-Wafers oder Panels ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Düse zum Aufsprühen des Stoffs oder des Stoffgemisches auf das
Substrat als erste Elektrode eingerichtet sein.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
elektrische Potentialdifferenz mittels eines elektrisch geladenen, versprühten Stoffs oder wenigstens teilweise elektrisch geladenen, versprühten Stoffgemisches und einem geerdeten Substrat ausgebildet werden. Die elektrisch
geladenen Partikel des elektrisch geladenen, versprühten Stoffs oder wenigstens teilweise elektrisch geladenen, versprühten Stoffgemisches können dann beeinflusst von einem elektrischen Feld, beispielsweise anderer elektrisch
geladener Partikel, auf das Substrat gelangen. Auf der
Oberfläche des Substrates kann die Position der geladenen Partikel derart beeinflusst werden, dass das elektrische Potential der elektrisch geladenen Partikel auf der
Oberfläche des Substrates in dem elektrischen Feld minimiert wird. Mit anderen Worten: die geladenen Partikel gelangen auf der Oberfläche des Substrates zu Bereichen höher Feldstärke, beispielsweise Bereichen mit geringerer elektrischer
Isolation. Die Isolation kann dabei mittels bereits
aufgesprühten Stoffs oder Stoffgemischs gebildet werden. In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der
elektrisch geladene Stoff oder das wenigstens teilweise elektrisch geladene Stoffgemisch oder wenigstens ein Teil des teilweise elektrisch geladenen des Stoffgemischs eine
intrinsische elektrische Ladung aufweisen. Versprühte
Partikel des Stoffs oder Stoffgemisches , beispielsweise
Leuchtstoff-Partikel , können beispielsweise eine elektrische Oberflächenladung aufweisen. In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Stoff oder das Stoffgemisch oder ein Teil des Stoffgemischs vor oder beim Aufsprühen auf das Substrat elektrostatisch
aufgeladen werden. Der versprühte Stoff oder Teile des versprühten Stoffgemisches , beispielsweise Partikel,
beispielsweise Leuchtstoff-Partikel , können beispielsweise mittels des elektrischen Potentials der Düse und/oder der Reibung beim Versprühen elektrostatisch aufgeladen werden.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
elektrische Potentialdifferenz des elektrisch geladenen
Stoffs oder des wenigstens teilweise elektrisch geladenen Stoffgemisches mittels einer elektrostatischen Aufladung des Substrathalters und/oder des Substrates ausgebildet werden. In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Fläche des Strahls auf der Oberfläche des Substrates mittels einer Strahloptik zwischen der Düse und der Oberfläche des
Substrates eingestellt werden, wobei die Form des Strahles des Stoffs oder Stoffgemisches mittels der Strahloptik geändert werden kann, wobei mittels der Form des Strahles die Fläche des aufgesprühten Stoffs oder Stoffgemisches auf der Oberfläche des Substrates eingestellt werden kann,
beispielsweise indem der Strahl fokussiert oder kollimiert wird. Der Strahl kann auf dem Substrat eine Fläche aufweisen die mittels der Bildweite und der Strahloptik, beispielsweise der Brennweite und Wirkung der Linse auf den Strahl, beispielsweise sammelnde Wirkung oder zerstreuende Wirkung, eingestellt werden.
Mittels der Strahloptik kann der Bereich auf der Oberfläche des Substrates der mit dem elektrisch geladenen Stoff oder dem wenigstens teilweise elektrisch geladenen Stoffgemisch besprüht wird, gezielt eingestellt werden, beispielsweise um einen Leuchtstoff nur auf kleine, ausgewählte Bereiche eines Substrates aufzubringen, beispielsweise um die Keramik-Ränder eines Panels nicht mit Leuchtstoff zu besprühen oder um
Inhomogenitäten der Schichtdicke der aufgesprühten Schicht aus zugleichen .
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das
Einstellen der Fläche mittels der Strahloptik mit dem Wert des Druckes des aus der Düse versprühten Stoffs oder
Stoffgemisches gekoppelt sein.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der
Öffnungswinkel des Strahls und/oder der Strahldurchmesser mittels der Strahloptik verändert werden.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Form des Strahles des Stoffs oder Stoffgemisches beim Aufsprühen des Stoffs oder Stoffgemisches mittels eines statischen
elektrischen Feldes, eines dynamischen elektrischen Feldes, eines elektromagnetischen Feldes oder einer Erdung
ausgebildet werden. Die Strahloptik kann in Abhängigkeit der Beschaffenheit des versprühten, elektrisch geladenen Stoffs oder des
versprühten, wenigstens teilweise elektrisch geladenen
Stoffgemisches bzw. der Beschaffenheit des Substrates mittels eines statischen oder dynamischen elektrischen bzw.
magnetischen Feldes ausgebildet sein. Dabei kann zwischen
Düse und Substrat ein anderes elektromagnetisches Potential anliegen als an der Strahloptik und so der divergente Strahl moduliert werden, beispielsweise kann die Strahloptik geerdet sein, d.h. auf Masse „liegen" und zwischen Düse und Substrat eine Spannung angelegt sein beispielsweise gemäß einer der Ausgestaltungen der Beschreibung von Fig.l.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Strahloptik eine oder mehrere elektromagnetische Linsen aufweisen . In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Strahloptik beim Aufsprühen des Stoffs oder Stoffgemisches auf die Substratoberfläche elektrisch oder elektronisch bewegt werden. Die Bewegungen der Strahloptik können dabei parallel, senkrecht oder unter einem Winkel, beispielsweise diagonal, zur Substratoberfläche ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Strahloptik als eine erste metallische Platte und eine zweite metallische Platte ausgebildet sein, wobei die metallischen Platten planparallel in einem Abstand zueinander angeordnet sein können und der Strahl zwischen den Platten verlaufen kann .
Die metallischen Platten können als Stoff oder Legierung Metalle und/oder Edelmetalle aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Fe, Cu, Au, Ag, Pt, Pd, AI, Ti oder C
2
(Graphit) und eine Größe m einem Bereich von ungefähr 25 cm
2 2 bis ungefähr 250 cm aufweisen, beispielsweise 100 cm . wobei die metallischen Platten planparallel zueinander angeordnet sein können.
Die beiden metallischen Platten können derart eingerichtet sein, dass eine elektrische Potentialdifferenz, d.h. ein elektrisches Feld, zwischen beiden Platten ausgebildet ist. Beide Platten können jedoch das gleiche elektrische Potential aufweisen, beispielsweise auf Masse liegen. Bei einem
unterschiedlichen elektrischen Potential zwischen den Platten kann beispielsweise die erste metallische Platte geerdet sein, d.h. auf Masse liegen während die zweite metallische Platte mit einer Spannungsquelle verbunden sein kann. Das elektrische Feld zwischen der ersten metallischen Platte und der zweiten metallischen Platte kann statisch oder dynamisch ausgebildet sein und zur Modulation des Strahls des
versprühten, elektrisch geladenen Stoffs oder Stoffgemisches ausgebildet sein.
Die Platten können einen Abstand voneinander in einem Bereich von ungefähr 10 mm bis ungefähr 20 cm aufweisen, einen
Abstand zur Düse in einem Bereich von ungefähr 5 mm bis ungefähr 5 cm aufweisen, und zur Oberfläche des Substrates einen Abstand in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 1 cm, beispielsweise ungefähr 1 cm aufweisen.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die erste metallische Platte ein gleiches oder anderes elektrisches Potential aufweisen als die zweite metallische Platte.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Strahloptik einen metallischen Ring aufweisen, wobei der Ring mit einer anderen Spannungsquelle elektrisch verbunden sein kann und wobei der Strahl durch die Ringöffnung verläuft. Der Ring kann jedoch auf Masse liegen, d.h. er kann geerdet sein. Der metallische Ring kann als Stoff oder Legierung ein Metall oder Edelmetall aufweisen oder daraus gebildet sein,
beispielsweise Fe, Cu, Au, Ag, Pt, Pd, AI, Ti, oder C
(Graphit), mit einem Innendurchmesser in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 10 cm und einem Außendurchmesser in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 10 cm, bei einer Dicke in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 3 cm. Die metallische Ring kann einen Abstand zur Düse in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 5 cm aufweisen, und zur Oberfläche des Substrates einen Abstand in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 5 cm, beispielsweise ungefähr 1 cm aufweisen.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Form des Strahls zusätzlich mittels wenigstens einer elektrisch wirkenden Blende und/oder mechanisch wirkenden Blende
eingestellt werden.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Menge an elektrisch geladenen Stoff oder wenigstens teilweise
elektrisch geladenen Stoffgemisch, die lokal auf die
Oberfläche des Substrates aufgebracht wird und/oder die
Fläche des Strahls auf der Oberfläche des Substrates, mit einer Messung der lokalen Schichtdicke der LeuchtstoffSchicht des bereits aufgesprühten, elektrisch geladenen Stoffs und/oder des wenigstens teilweise elektrisch geladenen
Stoffgemisches gekoppelt sein.
Der Ausgleich der Inhomogenitäten der Schichtdicken der
LeuchtstoffSchicht kann beispielsweise nach einem ersten Sprühvorgang und einem lokalen Vermessen der Dicke, der bereits auf die Substratoberfläche aufgesprühten
LeuchtstoffSchicht erfolgen. In einem zweiten Sprühvorgang kann lokal mittels der gemessenen Schichtdickeninformation und der Strahloptik die Menge an elektrisch geladenen Stoff oder wenigstens teilweise elektrisch geladenen
Stoffgemisches , die lokal aufgebracht wird, angepasst werden. Die Fläche des Strahls kann dynamisch mittels der
Strahloptik, der Potentialdifferenz und dem Abstand zwischen Strahloptik und Substrat angepasst werden.
In verschiedenen Ausführungsformen wird eine Vorrichtung zum Herstellen von Schichten optoelektronischer Bauelemente bereitgestellt, die Vorrichtung aufweisend: eine Einrichtung zum Erzeugen einer elektrischen Potentialdifferenz; einen
Substrathalter zum Halten eines Substrats; eine Einrichtung zum Aufsprühen eines elektrisch geladenen Stoffs oder eines wenigstens teilweise elektrisch geladenen Stoffgemisches, eingerichtet zum Einstellen der Dicke des aufgesprühten elektrisch geladenen Stoffs oder des aufgesprühten,
wenigstens teilweise elektrisch geladenen Stoffgemisches auf dem Substrat mittels unterschiedlicher elektrischer
Potentialänderungen auf dem Substrat; wobei die Einrichtung zum Aufsprühen eines Stoffs oder eines Stoffgemisches einen Strahl ausbildet, wobei der Strahl den elektrisch geladenen Stoff oder das wenigstens teilweise elektrisch geladene
Stoffgemisch aufweist oder daraus gebildet ist; wobei der Strahl auf die Oberfläche des Substrates gerichtet ist und auf der Oberfläche eine erste Fläche bedeckt; wobei die Dicke der Schicht des auf dem Substrat aufgesprühten Stoffs oder Stoffgemischs mittels der Potentialdifferenz lokal
eingestellt wird.
In einer Ausgestaltung können die optoelektronischen
Bauelemente beispielsweise als Leuchtdioden oder Laserdioden eingerichtet sein.
In noch einer Ausgestaltung kann das Substrat ein Chip-Wafer, ein Draht-gebondetes Keramik-Substrat, ein Leadframe oder ein ähnliches Substrat aufweisen. In noch einer Ausgestaltung kann das Substrat als wenigstens ein teilweise ausgebildetes optoelektronisches Bauelement ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung kann das Substrat derart
eingerichtet sein, dass daraus oder darauf ein einzelnes optoelektronisches Bauelement oder mehrere optoelektronische Bauelement nebeneinander ausgebildet werden.
In noch einer Ausgestaltung kann das wenigstens teilweise elektrisch geladene Stoffgemisch, das auf das Substrat aufgebracht wird, eine Matrix und darin eingebettet einen Leuchtstoff aufweisen. In noch einer Ausgestaltung kann der Stoff der Matrix des aufgesprühten Stoffgemisches ein flüchtiges Lösungsmittel aufweisen oder daraus gebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung kann die Vorrichtung derart eingerichtet sein, dass das flüchtige Lösungsmittel mittels eines Unterdruckes und/oder eines Erwärmens der aufgesprühten Schicht und/oder eines Erwärmens des Substrates von der
Oberfläche des Substrates verdampft und/oder entweicht.
In noch einer Ausgestaltung kann der Stoff der Matrix des aufgesprühten Stoffgemisches derart eingerichtet sein, dass die Matrix nach dem Aufsprühen auf das Substrat verfestigt werden kann.
In noch einer Ausgestaltung kann der Stoff der Matrix einen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein aus der Gruppe der Stoffe: ein Silikon, ein Lack oder ein Epoxidharz.
In noch einer Ausgestaltung kann die Einrichtung zum
Aufsprühen des Stoffs oder Stoffgemisches eine Düse zum
Erzeugen des Strahls des Stoffs oder Stoffgemisches
aufweisen .
In noch einer Ausgestaltung kann die Vorrichtung derart eingerichtet sein, dass die elektrische Potentialdifferenz des elektrisch geladenen Stoffs oder des wenigstens teilweise elektrisch geladenen Stoffgemisches mittels einer
Spannungsquelle ausgebildet ist, wobei eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode elektrisch mit der Spannungsquelle verbunden sind, wobei die elektrische Potentialdifferenz des elektrisch geladenen Stoffs oder des wenigstens teilweise elektrisch geladenen Stoffgemisches zwischen erster Elektrode und zweiter Elektrode ausgebildet ist. In noch einer Ausgestaltung kann die Spannungsquelle derart eingerichtet sein, dass der Wert der Potentialdifferenz des elektrisch geladenen Stoffs oder des wenigstens teilweise elektrisch geladenen Stoffgemisches statisch einstellbar ist oder dynamisch verändert werden kann.
In noch einer Ausgestaltung kann die Spannungsquelle derart eingerichtet sein, dass die Einrichtung zum Aufsprühen des elektrisch geladenen Stoffs oder des wenigstens teilweise elektrisch geladenen Stoffgemisches teilweise zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode eingerichtet ist, wobei die zweite Elektrode mittels des Substrates und/oder einer Elektrode hinter oder unter dem Substrat eingerichtet ist und die erst Elektrode parallel zu der zweiten Elektrode eingerichtet ist. Wobei der Teil der Einrichtung zum
Aufsprühen des Stoffs oder Stoffgemisches zwischen der ersten Elektrode der zweiten Elektrode den elektrisch geladenen Stoff oder das wenigstens teilweise elektrisch geladene
Stoffgemisch auf die Oberfläche des Substrates aufbringt, beispielsweise als Düse eingerichtet ist.
In noch einer Ausgestaltung kann die Düse als erste Elektrode eingerichtet sein. In noch einer Ausgestaltung kann die Düse derart eingerichtet sein, dass der elektrisch geladene Stoff oder das wenigstens teilweise elektrisch geladene Stoffgemisch als ein Aerosol auf die Oberfläche des Substrates aufgebracht werden kann. In noch einer Ausgestaltung kann die Vorrichtung derart eingerichtet sein, dass die elektrische Potentialdifferenz des elektrisch geladenen Stoffs oder des wenigstens teilweise elektrisch geladenen Stoffgemisches mittels eines elektrisch geladenen versprühten Stoffs oder elektrisch geladenen versprühten Stoffgemisches ausgebildet ist. In noch einer Ausgestaltung kann der Stoff oder das
Stoffgemisch oder ein Teil des Stoffgemischs eine
intrinsische elektrische Ladung aufweisen. In noch einer Ausgestaltung kann die Vorrichtung derart eingereicht sein, dass der Stoff oder das Stoffgemisch oder ein Teil des Stoffgemischs elektrostatisch aufgeladen werden kann . In noch einer Ausgestaltung kann die elektrische
Potentialdifferenz des elektrisch geladenen Stoffs oder des wenigstens teilweise elektrisch geladenen Stoffgemisches mittels einer elektrostatischen Aufladung des Substrathalters und/oder des Substrates ausgebildet werden.
In noch einer Ausgestaltung kann die Einrichtung zum
Aufsprühen des Stoffs oder Stoffgemisches eine Düse
aufweisen, wobei die Düse mit einem Container verbunden ist, wobei der der Container das Stoff oder ein Stoffgemisch bereitstellt, und wobei Düse und Container derart
eingerichtet sind, dass der Stoff oder das Stoffgemisch von dem Container zur Düse transportiert werden kann.
In noch einer Ausgestaltung kann die Einrichtung zum
Aufsprühen des Stoffs oder Stoffgemisches derart eingerichtet sein, dass der Stoff oder das Stoffgemisch mittels eines Druckes aus der Düse versprüht wird.
In noch einer Ausgestaltung kann die Vorrichtung derart eingerichtet sein, dass das Substrat und die Düse relativ zueinander verschiebbar sind.
In noch einer Ausgestaltung kann die Einrichtung zum
Aufsprühen des elektrisch geladenen Stoffs oder des
wenigstens teilweise elektrisch geladenen Stoffgemisches derart eingerichtet sein, dass die erste Fläche mittels Änderns des Abstandes zwischen Düse und Substrat eingestellt werden kann.
In noch einer Ausgestaltung kann die Einrichtung zum
Aufsprühen des elektrisch geladenen Stoffs oder des
wenigstens teilweise elektrisch geladenen Stoffgemisches derart eingerichtet sein, dass die erste Fläche mittels
Änderns des Strahlprofils eingestellt werden kann. In noch einer Ausgestaltung kann die Vorrichtung derart eingerichtet sein, dass zwischen der Düse und der Oberfläche des Substrates eine Strahloptik ausgebildet ist.
In noch einer Ausgestaltung kann die Strahloptik derart eingerichtet sein, dass die Form des Strahles des Stoffs oder Stoffgemisches mittels der Strahloptik geändert werden kann, wobei mittels der Form des Strahles die erste Fläche
eingestellt wird, d.h. die Fläche des Strahls auf der
Oberfläche des Substrates.
In noch einer Ausgestaltung kann die Strahloptik wenigstens ein statisches elektrisches Feld oder dynamisches
elektrisches Feld oder elektromagnetisches Feld aufweisen. In noch einer Ausgestaltung kann die Strahloptik derart eingerichtet sein, dass der Öffnungswinkel des Strahls mittels der Strahloptik verändert werden kann.
In noch einer Ausgestaltung kann die Strahloptik eine oder mehrere elektromagnetische Linsen aufweisen.
In noch einer Ausgestaltung kann die Strahloptik elektrisch oder elektronisch bewegt werden. In noch einer Ausgestaltung kann die Strahloptik als eine erste metallische Platte und eine zweite metallische Platte ausgebildet sein, wobei die metallischen Platten planparallel in einem Abstand zueinander angeordnet sind und der Strahl zwischen den Platten verläuft.
In noch einer Ausgestaltung kann die erste metallische Platte ein gleiches oder anderes elektrisches Potential aufweisen als die zweite metallische Platte.
In noch einer Ausgestaltung kann die Strahloptik einen metallischen Ring aufweisen, wobei der Ring mit einer
weiteren Spannungsquelle elektrisch verbunden sein kann und wobei der Strahl durch die Ringöffnung verläuft.
In noch einer Ausgestaltung kann die Strahloptik zusätzlich elektrisch wirkende Blenden und/oder mechanisch wirkende Blenden zur Eingrenzung des Strahls aufweisen.
In noch einer Ausgestaltung kann die Vorrichtung derart eingerichtet sein, dass die Menge an elektrisch geladenen Stoffs oder an wenigstens teilweise elektrisch geladenen Stoffgemisch, die lokal auf der Oberfläche des Substrates aufgebracht wird und/oder die Fläche des Strahls auf der Oberfläche des Substrates, mit einer Messung der lokalen Schichtdicke bereits aufgesprühten LeuchtstoffSchicht
gekoppelt ist.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeigen
Figur 1 eine schematische Querschnittsansicht einer
Vorrichtung zum Ausbilden von Schichten
optoelektronischer Bauelemente, gemäß verschieden Ausführungsbeispielen ;
Figur 2 eine schematische Querschnittsansicht einer
Vorrichtung zum Ausbilden von Schichten optoelektronischer Bauelemente, gemäß verschieden Ausführungsbeispielen ;
Figur 3 Ausgestaltungen von Strahloptiken, gemäß
verschieden Ausführungsbeispielen; und
Figur 4 eine Ausgestaltung der Vorrichtung, gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen . In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische
Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten", „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da
Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl
verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Fig. 1 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer Vorrichtung 100 zum Ausbilden von Schichten
optoelektronischer Bauelemente, gemäß verschieden
Ausführungsbeispielen .
Dargestellt ist ein Substrathalter 102 auf dem ein Substrat 104 fixiert ist. Das Substrat 104 kann beispielsweise ein teilweise ausgebildetes optoelektronisches Bauelement sein, beispielsweise während der Fertigung. Ein teilweise
ausgebildetes optoelektronisches Bauelement kann in diesem Sinne bereits der Träger eines optoelektronischen
Bauelementes sein, wenn auf oder über diesem Träger ein optoelektronisches Bauelement ausgebildet wird. Ein teilweise ausgebildetes optoelektronisches Bauelement kann aber auch ein an sich, bezüglich anderen optoelektronischen
Zieleigenschaften, vollständiges, optoelektronisches
Bauelement sein, dessen optoelektronische Eigenschaften an eine bestimmte optoelektronische Zieleigenschaft angepasst werden sollen.
Das Substrat 104 kann ein einzelnes optoelektronisches
Bauelement, beispielsweise einen vereinzelten Chip, oder mehrere optoelektronische Bauelement nebeneinander,
beispielsweise auf einem Chip-Wafer oder einem Panel, aufweisen. Das Substrat 104 kann bei bereits ausgebildeten Schichten auf einem Träger (nicht dargestellt), als Träger einen Chip-Wafer, eine Draht-gebondete Keramik, einen
Leadframe oder ähnliches aufweisen.
Uber dem Substrat 104 kann die Vorrichtung eine Düse 106 aufweisen. Mit dieser Düse 106 kann ein Container mit einem Stoff oder Stoffgemisch verbunden sein (nicht dargestellt), wobei Container und Düse 106 derart eingerichtet sein können, dass der Stoff oder das Stoffgemisch von dem Container zur Düse 106 transportiert werden kann.
Der Stoff oder das Stoffgemisch kann mittels eines Druckes, beispielsweise eines Überdruckes, beispielsweise mittels einer Pumpe; oder eines Unterdruckes, beispielsweise mittels Evakuierens des Raumes zwischen Düse 106 und Substrat 104, aus der Düse 106 versprüht werden. Der Stoff bzw. das
Stoffgemisch kann dabei einen divergenten Strahl 108
ausbilden. Der divergente Strahl 108 kann dabei auf die zu beschichtende Oberfläche des Substrates 104 gerichtet sein.
Die Düse 106 kann dabei einen Öffnungsdurchmesser in einem Bereich von ungefähr 20 pm bis ungefähr 6 mm aufweisen, wobei der Öffnungsdurchmesser der Düse 106 abhängig von der
Viskosität des Stoffs oder Stoffgemisches , der Größe etwaiger Partikel des Strahles 108 des Stoffs oder Stoffgemisches und dem angelegten Druck sein kann. Eine geringere Viskosität des aufgesprühten Stoffs oder
Stoffgemischs kann beispielsweise bei einem unvernetzten Polymer, beispielsweise ein Epoxid, ein Silikon oder ein Stoffgemisch eines dieser Stoff mit einem Leuchtstoff wichtig für das Aufsprühen sein. Stattdessen oder zusätzlich kann das Stoffgemisch flüchtige Bestandteile beispielsweise
Lösungsmittel aufweisen.
Mittels chemischen Vernetzens eines Teils des aufgesprühten Stoffs oder Stoffgemisches und/oder einem Verdunsten bzw. Verdampfen flüchtiger Bestandteile des aufgesprühten
Stoffgemisches , kann die Viskosität des aufgesprühten Stoffs oder Stoffgemisches erhöht werden.
Der Druck, mit dem der Stoff oder das Stoffgemisch aus der Düse 106 versprüht wird, kann einen Wert in einem Bereich ungefähr 0,1 bar bis ungefähr 10 bar aufweisen. Zwischen versprühtem Stoff oder versprühtem Stoffgemisch und Substrat 104 kann eine elektrische Potentialdifferenz
ausgebildet sein, beispielsweise:
• mittels elektrostatischer Aufladung des Substrathalters 102 und/oder des Substrates 104; und/oder
• mittels eines elektrisch geladenen, versprühten Stoffs oder elektrisch geladenen, versprühten Stoffgemisches , beispielsweise eines Leuchtstoffes,
wobei der Stoff oder das Stoffgemisch oder ein Teil des Stoffgemischs elektrostatisch geladen sein können und/oder elektrostatisch aufgeladen werden kann,
beispielsweise mittels einer Spannungsquelle 110, wobei die Spannung der Spannungsquelle 110 anliegen kann zwischen :
• der Düse 106 und dem Substrat 104 und/oder einer
Elektrode hinter bzw. unter dem Substrat 104, beispielsweise dem Substrathalter 102, oder
• zwischen einer Elektrode hinter oder über der Düse 106, beispielsweise der Halterung (nicht dargestellt) der Düse 106, und dem Substrat 104 und/oder einer Elektrode hinter oder unter dem Substrat 104, beispielsweise dem Substrathalter 102.
Eine Elektrode hinter oder unter dem Substrat 104,
beispielsweise einem elektrisch geladenen Substrathalter 102, und/oder eine elektrostatische Aufladung des Substrates 104 kann beispielsweise bei elektrisch nicht leitfähigen
Substraten 102, beispielsweise die Oberflächen eines Saphir- Halbleiterchips, oder eines leitfähigen aber nicht geerdeten Halbleiterchips, Chip-Wafers oder Panels ausgebildet sein.
Der Wert der Potentialdifferenz, d.h. die Spannung, kann statisch oder dynamisch ausgebildet sein kann, wobei die Spannung einen Wert in einem Bereich von ungefähr - 40 kV bis ungefähr + 40 kV, beispielsweise in einem Bereich von
ungefähr - 2 kV bis ungefähr + 2 kV, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr - 400 V bis ungefähr + 400 V, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr - 50 V bis ungefähr + 50 V, aufweisen kann.
Der gerichtete Strahl kann auf dem Substrat 104 eine Fläche 112 aufweisen, die mittels des Abstandes 114 der Düse 106 von der Oberfläche des Substrates 104 und/oder dem Wert des
Druckes aus der Düse 106 versprühten Stoffs oder
Stoffgemisches eingestellt werden kann. Der Abstand 114 der Düse 106 von der Oberfläche des Substrates 104 kann einen Wert in einem Bereich von ungefähr 0,5 cm bis ungefähr 30 cm, beispielsweise 1 cm aufweisen.
Bei geeigneter Wahl der Potentialdifferenz kann der
aufgesprühte, elektrisch geladene Stoff oder das
aufgesprühte, wenigstens teilweise elektrisch geladene
Stoffgemisches oder ein Teil des aufgesprühten, elektrisch geladenen Stoffgemisches , beispielsweise ein Leuchtstoff, auf der Oberfläche elektrisch, beispielsweise elektrostatisch, angezogen und gehalten werden. Zusätzlich kann der elektrisch angezogene Stoff elektrisch isolierend wirken für weiteren aufgesprühten, elektrisch geladenen Stoff oder weiteres aufgesprühtes, wenigstens teilweise elektrisch geladenes Stoffgemisch . Weiterer aufgesprühter, elektrisch geladener Stoff, beispielsweise weiterer Leuchtstoff, kann sich dann bevorzugt lokal an der Oberfläche des Substrates 104
anlagern, an der noch kein oder wenig elektrisch geladener Stoff, beispielsweise elektrisch geladener Leuchtstoff, aufgebracht ist. In noch einer Ausgestaltung können der versprühte Stoff oder Teile des versprühten Stoffgemisches , beispielsweise
Partikel, beispielsweise Leuchtstoff-Partikel , eine
elektrische Ladung, beispielsweis eine Oberflächenladung aufweisen .
In noch einer Ausgestaltung können der versprühte Stoff oder Teile des versprühten Stoffgemisches , beispielsweise Partikel, beispielsweise Leuchtstoff-Partikel , mittels des elektrischen Potentials der Düse 106 und der Reibung beim Versprühen, elektrostatisch aufgeladen werden. In noch einer Ausgestaltung kann das versprühte Stoffgemisch als ein Leuchtstoff in einem Matrixstoff beispielsweise einer Suspension oder Dispersion ausgebildet sein, wobei der Stoff der Matrix ein Silikon, ein Lack oder ein Harz aufweisen oder daraus gebildet sein kann.
In noch einer Ausgestaltung kann das versprühte Stoffgemisch als ein Leuchtstoff in einem Matrixstoff beispielsweise einer Suspension oder Dispersion ausgebildet sein, wobei der Stoff der Matrix ein flüchtiges, d.h. volatiles, Lösungsmittel aufweist. Das Lösungsmittel kann teilweise oder vollständig während des Aufsprühens oder aus der aufgesprühten Schicht verdampfen bzw. entweichen. Das Verdampfen bzw. Entweichen von Lösungsmittel aus der aufgesprühten Schicht kann mittels eines Unterdruckes und/oder eines Erwärmens der aufgesprühten Schicht und/oder des Substrates 104 ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die Oberfläche des Substrates 104 teilweise oder vollständig beschichtet werden mittels eines teilweisen oder vollständigen Anpassens der Fläche 112 des Strahls an die Größe der Oberfläche des Substrates 104, beispielsweise indem der Abstand 114 zwischen Düse 106 und Substrat 104 eingestellt wird. Bei konstantem Abstand 114 kann mittels Anpassens des Öffnungswinkels des Strahls 108 die Fläche 112 eingestellt werden.
In einer Ausgestaltung können für ein Beschichten der
Oberfläche des Substrates 104, Substrat 104 und Düse 106 relativ zueinander verschoben werden, beispielsweise indem die Düse 106 und/oder das Substrat 104 bzw. der
Substrathalter 102 beweglich gelagert sind. Das Verschieben relativ zueinander kann, beispielsweise elektrisch,
beispielsweise mittels Elektromotoren oder elektronisch, beispielsweise mittels Computer-gesteuerter Elektromotoren ausgebildet sein nicht dargestellt.
Mittels des E-Feld unterstützen Bildens der Schichten auf dem Substrat 104 kann eine homogenere Schichtdickenverteilung auf dem Substrat 104 ausgebildet werden, als ohne elektrisches Feld. Weiterhin kann ein Verlaufen und/oder Ablösen der aufgesprühten Schicht, beispielsweise des
LeuchtstoffVerbundwerkstoffes , von der Oberfläche des
Substrates 104 mittels der elektrischen Anziehungskräfte reduziert und/oder weitestgehend verhindert werden. Dadurch kann, beispielsweise beim Aufsprühen einer
Leuchtstoffschicht , eine homogenere Verteilung des Farbortes mehrerer optoelektronischer Bauelemente auf einem gemeinsamen Substrat 104 ausgebildet werden.
Weiterhin können komplexe Substratformen umformt werden, wobei ein Verlaufen, beispielsweise an senkrechten Stellen des Substrates 104, verlangsamt oder verhindert wird.
Weiterhin können die elektrisch geladenen Stoffe oder
elektrisch geladenen Teile des Stoffgemisches , beispielsweise Leuchtstoffe, mittels der elektrischen Kraft dichter gepackt werden. Die dichtere Packung kann zu ein Verbessern der
Wärmeleitfähigkeit, beispielsweise einer aufgesprühten
Phosphorschicht, und eine effizientere Bauteilentwärmung ausbilden oder aufweisen.
Mittels des Versprühens eines Leuchtstoffes in einer
flüchtigen Matrix, beispielsweise in einer Lösungsmittel- Suspension oder einer Lösungsmittel-Dispersion, kann der Leuchtstoff als eine Schicht ohne umgebende Matrix auf dem Substrat 104 aufgebracht werden, da der Stoff der Matrix flüchtig ist, d.h. verdampfen oder entweichen kann. Dadurch kann die Wärmeabfuhr, der bei einem Leuchtstoff zur
Wellenlängenkonversion entstehenden Stokes-Wärme, verbessert werden. Die Stokes-Wärme kann dabei als die Energiedifferenz zwischen der von dem Leuchtstoff absorbierten
elektromagnetischen Strahlung und der emittierten
elektromagnetischen Strahlung verstanden werden. Fig.2 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer
Vorrichtung 300 zum Ausbilden von Schichten
optoelektronischer Bauelemente, gemäß verschieden
Ausführungsbeispielen . Zusätzlich zur Fig.l kann die Vorrichtung zwischen Düse 106 und Substrat 104 eine Strahloptik 204 aufweisen. Die
Strahloptik 204 kann den aus der Düse 106 versprühten
divergenten Strahl 202 formen, beispielsweise fokussieren oder kollimieren dargestellt, und einen gerichteten Strahl 206 ausbilden.
Die Strahloptik 204 kann in Abhängigkeit der Beschaffenheit des versprühten Stoffs oder Stoffgemisches bzw. der
Beschaffenheit des Substrates 104 mittels eines statischen oder dynamischen elektrischen bzw. magnetischen Feldes ausgebildet sein. Dabei kann zwischen Düse 106 und Substrat 104 ein anderes elektromagnetisches Feld anliegen als im Bereich der Strahloptik 204 und so der divergente Strahl 108 moduliert werden, beispielsweise kann die Strahloptik 204 auf Masse „liegen" und zwischen Düse 106 und Substrat 104 eine Spannung angelegt sein gemäß einer der Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig.l. Das E-Feld kann dadurch, im Vergleich zum Verlauf des E-Feld zwischen Düse 106 und Substrat 104 ohne Strahloptik 204 eingeschränkt werden.
Die Strahloptik 204 kann dabei als eine oder mehrere
elektromagnetische Linsen mit einem statischen oder
dynamischen elektromagnetischen Feld oder als Dauermagneten ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung kann die Strahloptik 204
wenigstens eine elektrisch wirkende Blende und/oder mechanisch wirkende Blende zur Eingrenzung des Strahls, aufweisen .
Der gerichtete Strahl kann auf dem Substrat 104
eine Fläche 208 aufweisen die mittels der Bildweite 212 und der Strahloptik 204, beispielsweise der Brennweite und
Wirkung der Linse auf den Strahl 202, beispielsweise
sammelnde Wirkung oder zerstreuende Wirkung, eingestellt werden kann.
Das Einstellen der Fläche 208 mittels der Strahloptik 204 kann dabei mit dem Wert des Druckes des aus der Düse 106 versprühten Stoffs oder Stoffgemisches gekoppelt sein. Mittels der Strahloptik 204 kann der Bereich auf der
Oberfläche des Substrates 104 der mit dem elektrisch
geladenen Stoff oder dem wenigstens teilweise elektrisch geladenen Stoffgemisch besprüht wird, gezielt eingestellt werden, beispielsweise um einen Leuchtstoff nur auf kleine, ausgewählte Bereiche eines Substrates 104 aufzubringen, beispielsweise um die Keramik-Ränder eines Panels nicht mit Leuchtstoff zu besprühen oder um Inhomogenitäten der
Schichtdicke der aufgesprühten Schicht auszugleichen. Der Ausgleich der Schichtdickeninhomogenitäten kann
beispielsweise nach einem ersten Sprühvorgang und einem lokalen Vermessen der Dicke, der auf die Substratoberfläche aufgesprühten LeuchtstoffSchicht , in einem zweiten
Sprühvorgang lokal mittels der gemessenen
Schichtdickeninformation und der Strahloptik 204 ausgebildet sein .
Die Fläche 208 des Strahls kann dabei dynamisch mittels der Strahloptik 204, der Spannungsquelle 110 und dem Abstand 212 zwischen Strahloptik 204 und Substrat 104 angepasst werden. In einer Ausgestaltung kann die Strahloptik 204 beweglich gelagert sein und elektrisch oder elektronisch bewegt werden. Die Bewegungen der Strahloptik 204 können dabei parallel, senkrecht oder unter einem Winkel, beispielsweise diagonal, zur Oberfläche des Substrates ausgebildet sein.
Fig.3 zeigt Ausgestaltungen 300 von Strahloptiken 204, gemäß verschieden Ausführungsbeispielen . In Fig.3 sind in zwei Draufsichten 310, 320 eine erste
Ausgestaltung 310 und eine zweite Ausgestaltung 320 für eine Strahloptik 204 dargestellt, wobei die dargestellten
Strahloptiken 310, 320 auch als einzelne Strahllinsen einer komplexeren Strahloptik 204 ausgebildet sein können,
beispielsweise mittels in Reihe geschalteten Linsen,
beispielsweise gemäß der ersten Ausgestaltung oder der zweiten Ausgestaltung.
Die erste Ausgestaltung der Strahloptik 204 kann als eine erste metallische Platte 302 und eine zweite metallische
Platte 304 ausgebildet sein, wobei die metallischen Platten
302, 304 beispielsweise planparallel zueinander angeordnet sein können. Die metallischen Platten können als Stoff oder
Legierung Metalle und/oder Edelmetalle aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Fe, Cu, Au, Ag, Pt, Pd, AI, Ti oder C (Graphit) und eine Größe in einem Bereich von ungefähr
2
10 x 10 cm aufweisen.
Die beiden metallischen Platten 302, 304 können derart eingerichtet sein, dass eine elektrische Potentialdifferenz
306, 308, d.h. ein elektrisches Feld, zwischen beiden Platten ausgebildet ist. Beide Platten können jedoch das gleiche elektrische Potential 306, 308 aufweisen, beispielsweise auf Masse liegen.
Bei einem unterschiedlichen elektrischen Potential 306, 308 zwischen den metallischen Platten 302, 304 kann beispielsweise die erste metallische Platte 302 geerdet sein 306, d.h. auf Masse liegen, während die zweite metallische Platte 304 mit einer Spannungsquelle 308 verbunden sein kann. Das elektrische Feld zwischen der ersten metallischen Platte 302 und der zweiten metallischen Platte 304 kann statisch oder dynamisch ausgebildet sein und zur Modulation des
Strahls 202 des versprühten, elektrisch geladenen Stoffs oder des wenigstens teilweise elektrisch geladenen Stoffgemisches ausgebildet sein.
Die metallischen Platten 302, 304 können einen Abstand voneinander in einem Bereich von ungefähr 10 mm bis ungefähr 20 cm aufweisen, einen Abstand 210 zur Düse 106 in einem Bereich von ungefähr 5 mm bis ungefähr 5 cm aufweisen, und einen Abstand 212 zur Oberfläche des Substrates 104 einen
Abstand in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 1 cm, beispielsweise 1 cm aufweisen.
In einer zweiten Ausgestaltung kann die Strahloptik 204 als ein metallischer Ring 312 ausgebildet sein. Der metalltische Ring kann als Stoff oder Legierung Metalle und/oder
Edelmetalle aufweisen oder daraus gebildet sein,
beispielsweise Fe, Cu, Au, Ag, Pt, Pd, AI, Ti oder C
(Graphit) und einen Innendurchmesser in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 1 cm und einem Außendurchmesser in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 10 cm, bei einer Dicke in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 3 cm aufweisen . Der Ring 312 kann mit einer Spannungsquelle 110 elektrisch verbunden sein, wobei der Ring 312 auf Masse liegen kann, d.h. geerdet sein kann.
Die metallischer Ring 312 kann einen Abstand 210 zur Düse 106 in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 5 cm
aufweisen, und zur Oberfläche des Substrates 104 einen Abstand 212 in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 5 cm, beispielsweise 1 cm aufweisen.
Fig.4 zeigt eine Ausgestaltung der Vorrichtung, gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen.
In der dargestellten Ausgestaltung in Fig.4 kann ein LED Panel 104 als erste Elektrode 104 eingerichtet sein, wobei die LED-Chips auf dem Panel 104 mittels der Chip-Rückseite elektrisch kontaktiert sein können. Die Gegenelektrode zur ersten Elektrode 104 kann direkt hinter der Spray-Düse 106 ausgebildet sein. Zwischen den Elektroden kann ein
elektrisches Feld mittels einer Spannungsquelle 110 angelegt werden und anschließend ein Strahl 202 einer Silikon- Leuchtstoff-Suspension in mehreren Lagen auf das Panel 104 aufgesprüht werden. Die Silikon-Leuchtstoff-Suspension kann dabei ein Polydimethylsiloxane-Silikon als Matrix aufweisen, mit einer Viskosität von ungefähr 0.5 Pas und mit einem
Massenanteil an Leuchtstoff bezüglich der Silikon- Leuchtstoff-Suspension in einem Bereich von ungefähr 40 % bis ungefähr 80 %, beispielsweise ungefähr 50 %.
Der Strahl 202 aus der Düse 106 kann dabei mittels eines geerdeten 314, metallischen Ringes 313 einen kollimierten Strahl 206 ausbilden, der auf die Oberfläche des Substrates 104 gerichtet ist.
Nach Erreichen der Zieldicke der LeuchtstoffSchicht kann das Panel 104 mit einer Linse vergossen werden, d.h. mit einer Linse mittels Verguss versehen, werden nicht dargestellt. Anschließend können die LED-Chips des Panels vereinzelt werden und so eine fertige LED ausbilden.
In verschiedenen Ausführungsformen werden Vorrichtungen und ein Verfahren zu deren Herstellung bereitgestellt, mit denen es möglich ist mittels des E-Feld unterstützen Bildens der Leuchtstoffschichten auf einem Substrat eine homogenere Schichtdickenverteilung auf dem Substrat auszubilden, als ohne elektrisches Feld. Weiterhin kann ein Verlaufen und/oder Ablösen der aufgesprühten LeuchtstoffSchicht , beispielsweise des LeuchtstoffVerbundwerkstoffes , von der Oberfläche des Substrates mittels der elektrischen Anziehungskräfte
reduziert und/oder weitestgehend verhindert werden. Dadurch kann, beispielsweise beim Aufsprühen einer
Leuchtstoffschicht , eine homogene Verteilung des Farbortes mehrerer optoelektronischer Bauelemente auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet werden. Weiterhin können komplexe
Substratformen umformt werden, wobei ein Verlaufen,
beispielsweise an senkrechten Stellen des Substrates, verlangsamt oder verhindert wird. Weiterhin können die elektrisch geladenen Stoffe oder elektrisch geladenen Teile des Stoffgemisches , beispielsweise Leuchtstoffe, mittels der elektrischen Kraft dichter gepackt werden. Die dichtere
Packung kann zu ein Verbessern der Wärmeleitfähigkeit, beispielsweise einer aufgesprühten Phosphorschicht, und eine effizientere Bauteilentwärmung ausbilden oder aufweisen.
Mittels des Versprühens eines Leuchtstoffes in einer
flüchtigen Matrix, beispielsweise in einer Lösungsmittel- Suspension oder einer Lösungsmittel-Dispersion, kann der Leuchtstoff als eine Schicht ohne umgebende Matrix auf dem Substrat aufgebracht werden, da der Stoff der Matrix flüchtig ist, d.h. verdampfen oder entweichen kann. Dadurch kann die Wärmeabfuhr, der bei einem Leuchtstoff zur
Wellenlängenkonversion entstehenden Stokes-Wärme, verbessert werden. Die Stokes-Wärme kann dabei die Energiedifferenz zwischen der von dem Leuchtstoff absorbierten
elektromagnetischen Strahlung und der emittierten
elektromagnetischen Strahlung sein.

Claims

Verfahren zum Herstellen optoelektronischer Bauelemente, das Verfahren aufweisend:
• Sprühen einer LeuchtstoffSchicht eines
optoelektronischen Bauelementes auf ein Substrat (104), wobei der Stoff oder das Stoffgemisch der LeuchtstoffSchicht beim Aufsprühen eine elektrische Ladung aufweist und wobei der elektrisch geladene Stoff oder das wenigstens teilweise elektrisch geladene Stoffgemisch beim Aufsprühen der
LeuchtstoffSchicht ein größeres elektrisches
Potential aufweist als wenigstens ein Bereich des Substrates (104); und
• wobei die Dicke der LeuchtstoffSchicht des
aufgesprühten Leuchtstoffes mittels eines
elektrischen Potentialgradientens auf dem Substrat (104) während des Aufsprühens der LeuchtstoffSchicht lokal eingestellt wird.
Verfahren gemäß Anspruch 1,
wobei die optoelektronischen Bauelemente als
Leuchtdioden oder Laserdioden ausgebildet werden.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2,
wobei das wenigstens teilweise elektrisch geladene
Stoffgemisch, das auf das Substrat (104) aufgesprüht wird, eine Matrix und darin eingebettet einen
Leuchtstoff aufweist.
Verfahren gemäß Anspruch 3,
wobei der Stoff der Matrix des Stoffgemisches ein flüchtiges Lösungsmittel aufweist oder daraus gebildet ist .
Verfahren gemäß Anspruch wobei das flüchtige Lösungsmittel mittels eines
Unterdruckes und/oder eines Erwärmens der aufgesprühten Schicht und/oder eines Erwärmens des Substrates (104) von der Oberfläche des Substrates (104) verdampft wird und/oder entweicht.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5,
wobei die elektrische Potentialdifferenz des elektrisch geladenen Stoffs oder des wenigstens teilweise
elektrisch geladenen Stoffgemisches mittels einer
Spannungsquelle (110) ausgebildet wird, wobei eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode elektrisch mit der Spannungsquelle (110) verbunden werden, wobei die elektrische Potentialdifferenz des elektrisch geladenen Stoffs oder des wenigstens teilweise elektrisch
geladenen Stoffgemisches zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode ausgebildet ist.
Verfahren gemäß Anspruch 6,
wobei die elektrische Potentialdifferenz mittels eines elektrisch geladenen, versprühten Stoffs oder eines wenigstens teilweise elektrisch geladenen, versprühten Stoffgemisches und einem geerdeten Substrat (104) ausgebildet wird.
Verfahren gemäß Anspruch 7,
wobei der elektrisch geladene Stoff oder das wenigstens teilweise elektrisch geladene Stoffgemisch eine
intrinsische elektrische Ladung aufweist.
9. Verfahren gemäß Anspruch 7 oder 8,
wobei der Stoff oder das Stoffgemisch oder ein Teil des Stoffgemischs vor oder beim Aufsprühen auf das Substrat (104) elektrostatisch aufgeladen wird.
10. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 7 bis 9, wobei die elektrische Potentialdifferenz mittels einer elektrostatischen Aufladung des Substrathalters (102) und/oder des Substrates (104) ausgebildet wird.
Vorrichtung (100, 200) zum Herstellen eines
elektronischen Bauelements, die Vorrichtung (100, 200) aufweisend :
• eine Einrichtung zum Erzeugen einer elektrischen Potentialdifferenz;
• einen Substrathalter zum Halten eines Substrats;
• eine Einrichtung zum Aufsprühen eines elektrisch geladenen Stoffs oder eines wenigstens teilweise elektrisch geladenen Stoffgemisches (104),
eingerichtet zum Einstellen der Dicke des
aufgesprühten elektrisch geladenen Stoffs oder des aufgesprühten, wenigstens teilweise elektrisch geladenen Stoffgemisches (104) mittels
unterschiedlicher elektrischer Potentialänderungen auf dem Substrat (104) .
Vorrichtung (100, 200) gemäß Anspruch 11,
wobei das wenigstens teilweise elektrisch geladene Stoffgemisch, das auf das Substrat (104) aufgebracht wird, eine Matrix und darin eingebettet einen
Leuchtstoff aufweist.
Vorrichtung (100, 200) gemäß einem der Ansprüche 11 oder 12,
wobei die Einrichtung zum Aufsprühen des elektrisch geladenen Stoffs oder des wenigstens teilweise
elektrisch geladenen Stoffgemisches (106) eine Düse (106) zum Erzeugen des Strahls (108, 202) des Stoffs oder Stoffgemisches aufweist.
Vorrichtung (100, 200) gemäß einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei der Substrathalter und die Düse (106) relativ zueinander bewegbar angeordnet sind.
Vorrichtung (100, 200) gemäß einem der Ansprüche 11 bis 14,
wobei zwischen der Düse (106) und dem Substrathalter eine Strahloptik (204) ausgebildet ist.
PCT/EP2013/060737 2012-05-25 2013-05-24 Verfahren zum herstellen optoelektronischer bauelemente und vorrichtung zum herstellen optoelektronischer bauelemente Ceased WO2013174977A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201380027302.1A CN104302407B (zh) 2012-05-25 2013-05-24 用于制造光电子器件的方法和用于制造光电子器件的设备
US14/400,668 US9793445B2 (en) 2012-05-25 2013-05-24 Method of manufacturing optoelectronic components and device for manufacturing optoelectronic components
JP2015513208A JP6033413B2 (ja) 2012-05-25 2013-05-24 オプトエレクトロニクス素子を作製する方法およびオプトエレクトロニクス素子を作製するための装置
KR1020147036341A KR101640197B1 (ko) 2012-05-25 2013-05-24 광전자 컴포넌트들을 제조하기 위한 방법 그리고 광전자 컴포넌트들을 제조하기 위한 디바이스

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102012208900A DE102012208900A1 (de) 2012-05-25 2012-05-25 Verfahren zum Herstellen optoelektronischer Bauelemente und Vorrichtung zum Herstellen optoelektronischer Bauelemente
DE102012208900.4 2012-05-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013174977A1 true WO2013174977A1 (de) 2013-11-28

Family

ID=48536841

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2013/060737 Ceased WO2013174977A1 (de) 2012-05-25 2013-05-24 Verfahren zum herstellen optoelektronischer bauelemente und vorrichtung zum herstellen optoelektronischer bauelemente

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9793445B2 (de)
JP (1) JP6033413B2 (de)
KR (1) KR101640197B1 (de)
CN (1) CN104302407B (de)
DE (1) DE102012208900A1 (de)
WO (1) WO2013174977A1 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015142432A1 (en) * 2014-03-18 2015-09-24 Ge Lighting Solutions Heavily phosphor loaded led packages
JP2015217360A (ja) * 2014-05-20 2015-12-07 アピックヤマダ株式会社 蛍光体層の成膜装置、及び、蛍光体層の成膜方法
JP2016131961A (ja) * 2015-01-22 2016-07-25 アネスト岩田株式会社 静電噴霧装置
US9680067B2 (en) 2014-03-18 2017-06-13 GE Lighting Solutions, LLC Heavily phosphor loaded LED packages having higher stability

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012208932A1 (de) 2012-05-29 2013-12-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes und Vorrichtung zum Herstellen eines Bauelementes
JP5994628B2 (ja) * 2012-12-26 2016-09-21 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法およびスプレーコーティング装置
DE102013103983B4 (de) * 2013-04-19 2021-09-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips
DE112014005031B4 (de) * 2014-11-13 2019-04-25 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements und Vorrichtung zur Herstellung einer Glasschicht
DE102015214360A1 (de) * 2015-04-29 2016-11-03 Tridonic Jennersdorf Gmbh Verfahren zum Herstellen eines LED-Moduls
CN105097887B (zh) * 2015-09-28 2018-03-09 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法
JP6657504B2 (ja) * 2015-11-09 2020-03-04 アネスト岩田株式会社 静電噴霧装置
KR102693771B1 (ko) * 2016-12-13 2024-08-13 엘지이노텍 주식회사 형광체 플레이트 및 이를 제조하는 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020149313A1 (en) * 2001-03-29 2002-10-17 Seiji Yonekura Organic EL display and production device of color filter
WO2006034663A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum herstellen von lumineszenzdiodenchips und lumineszenzdiodenchip
US20100119839A1 (en) * 2008-11-13 2010-05-13 Maven Optronics Corp. System and Method for Forming a Thin-Film Phosphor Layer for Phosphor-Converted Light Emitting Devices
US20130076230A1 (en) * 2011-09-26 2013-03-28 Toshiba Lighting & Technology Corporation Manufacturing method of light-emitting device and the light-emitting device

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002373781A (ja) * 2001-03-29 2002-12-26 Hitachi Ltd 有機ｅｌ表示体、及びカラーフィルターの製造装置
DE602005022067D1 (de) * 2004-06-04 2010-08-12 Philips Intellectual Property Elektrolumineszenzstruktur und led mit einer el-struktur
US7255513B2 (en) * 2004-08-16 2007-08-14 Lampley Leonard A Diamond trowel blade
JPWO2006067966A1 (ja) * 2004-12-20 2008-06-12 コニカミノルタホールディングス株式会社 液体吐出ヘッド、液体吐出装置および液体吐出方法
US8563339B2 (en) * 2005-08-25 2013-10-22 Cree, Inc. System for and method for closed loop electrophoretic deposition of phosphor materials on semiconductor devices
JP2007243056A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP4520972B2 (ja) 2006-11-28 2010-08-11 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 発光装置及びその製造方法
KR101408450B1 (ko) * 2007-03-28 2014-06-17 가부시키가이샤 구라레 Ｍ-ｃ-ｎ-ｏ계 형광체
US8342120B2 (en) * 2008-03-14 2013-01-01 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Apparatuses and methods for applying one or more materials on one or more substrates
DE102011111980A1 (de) * 2011-08-29 2013-02-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode und Leuchtdiode

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020149313A1 (en) * 2001-03-29 2002-10-17 Seiji Yonekura Organic EL display and production device of color filter
WO2006034663A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum herstellen von lumineszenzdiodenchips und lumineszenzdiodenchip
US20100119839A1 (en) * 2008-11-13 2010-05-13 Maven Optronics Corp. System and Method for Forming a Thin-Film Phosphor Layer for Phosphor-Converted Light Emitting Devices
US20130076230A1 (en) * 2011-09-26 2013-03-28 Toshiba Lighting & Technology Corporation Manufacturing method of light-emitting device and the light-emitting device

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015142432A1 (en) * 2014-03-18 2015-09-24 Ge Lighting Solutions Heavily phosphor loaded led packages
KR20160133484A (ko) * 2014-03-18 2016-11-22 지이 라이팅 솔루션스, 엘엘씨 형광체 대량 적재형 led 패키지
US9590148B2 (en) 2014-03-18 2017-03-07 GE Lighting Solutions, LLC Encapsulant modification in heavily phosphor loaded LED packages for improved stability
US9680067B2 (en) 2014-03-18 2017-06-13 GE Lighting Solutions, LLC Heavily phosphor loaded LED packages having higher stability
US10862009B2 (en) 2014-03-18 2020-12-08 Current Lighting Solutions, Llc Encapsulant modification in heavily phosphor loaded LED packages for improved stability
KR102462155B1 (ko) * 2014-03-18 2022-11-02 커런트 라이팅 솔루션즈, 엘엘씨 형광체 대량 적재형 led 패키지
KR20240023202A (ko) * 2014-03-18 2024-02-20 커런트 라이팅 솔루션즈, 엘엘씨 과중하게 형광체가 로딩된 led 패키지
EP4375348A3 (de) * 2014-03-18 2024-09-11 Current Lighting Solutions, LLC Hoch phosphorgeladene led-kapselungen
KR102923991B1 (ko) * 2014-03-18 2026-02-05 커런트 라이팅 솔루션즈, 엘엘씨 과중하게 형광체가 로딩된 led 패키지
JP2015217360A (ja) * 2014-05-20 2015-12-07 アピックヤマダ株式会社 蛍光体層の成膜装置、及び、蛍光体層の成膜方法
JP2016131961A (ja) * 2015-01-22 2016-07-25 アネスト岩田株式会社 静電噴霧装置
WO2016117641A1 (ja) * 2015-01-22 2016-07-28 アネスト岩田株式会社 静電噴霧装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP6033413B2 (ja) 2016-11-30
CN104302407A (zh) 2015-01-21
KR20150021077A (ko) 2015-02-27
US20150155446A1 (en) 2015-06-04
KR101640197B1 (ko) 2016-07-15
CN104302407B (zh) 2018-06-26
US9793445B2 (en) 2017-10-17
JP2015527725A (ja) 2015-09-17
DE102012208900A1 (de) 2013-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2013174977A1 (de) Verfahren zum herstellen optoelektronischer bauelemente und vorrichtung zum herstellen optoelektronischer bauelemente
DE10225778B4 (de) Leuchtstoff umgewandelte, Licht emittierende Anordnung
EP1800353B1 (de) Verfahren zum Herstellen von Lumineszenzdiodenchips
DE112012003819T5 (de) Verfahren zum Fertigen einer LED, Vorrichtung zum Fertigen einer LED und LED
DE10337459A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Beschichten einer Lichtquelle, um ein modifiziertes Ausgabespektrum zu liefern
US9589852B2 (en) Electrostatic phosphor coating systems and methods for light emitting structures and packaged light emitting diodes including phosphor coating
DE102013207308B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe und optoelektronische Baugruppe
DE102018111637A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip, verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement
EP2652806A1 (de) Verfahren zum erzeugen einer lumineszenzkonversionsstoffschicht, zusammensetzung hierfür und bauelement umfassend eine solche lumineszenzkonversionsstoffschicht
DE102015107588B4 (de) Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente und oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement
DE112014001966B4 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
WO2016180897A1 (de) Verfahren zur herstellung optoelektronischer bauelemente und oberflächenmontierbares optoelektronisches bauelement
DE202005002110U1 (de) Lichtemittierende Vorrichtung
DE102014215939A1 (de) Beleuchtungsvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer solchen
DE102007054800A1 (de) Lumineszenzkonversionsvorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Lumineszenzdiodenchips mit einer derartigen Vorrichtung
WO2016172753A1 (de) Verfahren zum herstellen eines led-moduls
DE102012216552A1 (de) Herstellen einer LED-Leuchtvorrichtung mit Konverterschicht
DE102014108362A1 (de) Verfahren zur Herstellung mehrerer Konversionselemente, Konversionselement und optoelektronisches Bauelement
DE112011105527B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer polychromatisierenden Schicht und Substrat sowie Leuchtdiode mit polychromatisierender Schicht
DE102016121099A1 (de) Herstellung von strahlungsemittierenden halbleiterbauelementen
DE102004021231B4 (de) Verfahren zum Abscheiden eines Lumineszenzkonversionsmaterials
DE102011056813A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode
WO2013178618A2 (de) Verfahren zum herstellen eines bauelementes und vorrichtung zum herstellen eines bauelementes
DE102012212086A1 (de) Verfahren zum herstellen einer komponente eines optoelektronischen bauelements und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
EP3123531A1 (de) Led modul mit integrierter sekundäroptik

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13725634

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14400668

Country of ref document: US

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2015513208

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20147036341

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13725634

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1