WO2014008891A2 - Metall-keramik-substrat - Google Patents
Metall-keramik-substrat Download PDFInfo
- Publication number
- WO2014008891A2 WO2014008891A2 PCT/DE2013/100255 DE2013100255W WO2014008891A2 WO 2014008891 A2 WO2014008891 A2 WO 2014008891A2 DE 2013100255 W DE2013100255 W DE 2013100255W WO 2014008891 A2 WO2014008891 A2 WO 2014008891A2
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- ceramic
- metal
- layers
- layer
- metallization
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/20—Arrangements for cooling
- H10W40/25—Arrangements for cooling characterised by their materials
- H10W40/255—Arrangements for cooling characterised by their materials having a laminate or multilayered structure, e.g. direct bond copper [DBC] ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/20—Arrangements for cooling
- H10W40/25—Arrangements for cooling characterised by their materials
- H10W40/259—Ceramics or glasses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/40—Arrangements for thermal protection or thermal control involving heat exchange by flowing fluids
- H10W40/47—Arrangements for thermal protection or thermal control involving heat exchange by flowing fluids by flowing liquids, e.g. forced water cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Definitions
- the invention relates to a metal-ceramic substrate according to the preamble patent claim 1 or 2.
- Metal-ceramic substrates in particular those in the form of printed circuit boards for electrical and electronic circuits or modules, as well as methods for producing such substrates are known.
- these substrates consist of a ceramic
- Insulating layer which is provided in each case with a metallization on its two surface sides.
- a metal foil e.g. made of copper from one
- Copper alloy is formed, which is connected with the aid of a suitable method over the entire surface of the ceramic insulating layer.
- DCB process Direct Copper Bond Technology
- metal layers or sheets eg copper sheets or foils
- ceramic or ceramic layers using metal or metal Copper sheets or metal or copper foils having on their surface sides a layer or coating (reflow layer) of a chemical compound of the metal and a reactive gas, preferably oxygen
- this layer or coating forms a eutectic with a melting temperature below the melting temperature of the metal (eg copper), so that by placing the film on the ceramic and by heating all the layers they can be joined together, by melting
- This DCB method then indicates e.g. the following process steps:
- active soldering method (DE 22131 1 5, EP-A-153 618), e.g. for joining metallization-forming metal layers or metal foils, in particular also copper layers or copper foils or aluminum layers or aluminum foils with ceramic material.
- this method which is also used especially for the production of metal-ceramic substrates, at a temperature between about 800 - 1000 ° C, a connection between a metal foil, such as copper foil, and a ceramic substrate, such as aluminum nitride ceramic, using a brazing filler metal, which also contains an active metal in addition to a main component such as copper, silver and / or gold.
- This active metal which is, for example, at least one element of the group Hf, Ti, Zr, Nb, Ce, establishes a chemical bond between the solder and the ceramic, while the bond between the solder and the metal is a metallic braze joint ,
- the invention has the object of developing a metal-ceramic substrate according to the preamble of claim 1 so that an optimal cooling effect is achieved by power devices, with a compact formation of the substrate.
- a metal-ceramic substrate according to claim 1 or 2 is formed.
- all the flow or cooling channels forming the cooler structure are each formed exclusively in at least one layer of ceramic.
- Embodiment of the metal-ceramic substrate with a substrate body having a plurality of layers of ceramic further internal metallizations and vias are provided, outside the cooler structure. This results in
- Printed circuit structures with reduced substrate volume means in the context of the invention quite generally a region which is provided in a layer of the ceramic material, this layer completely penetrates, ie from one surface side of this layer to the other
- Surface side is sufficient, consists of a metallic material and is preferably solid and produces an electrical and / or thermal connection through the layer of the ceramic material.
- the term "essentially” or “approximately” in the sense of the invention means deviations from the respective exact value by +/- 10%, preferably by +/- 5% and / or or deviations in the form of changes that are insignificant for the function.
- a preferred embodiment of the invention relates to a metal-ceramic substrate having a plurality of layers forming a substrate body, each of which consists of a ceramic material and are stacked on top of one another and connected to each other in a planar manner to the substrate body,
- cooler structure which is provided exclusively in the layers of the ceramic material and is formed by at least two adjoining layers of the ceramic material, which are provided with a plurality of openings for forming at least one cooling channel through which a cooling medium can flow are that the cooling channel has flow paths for the cooling medium, which branch in the axial direction parallel to the surface sides of the layers and perpendicular thereto.
- This metal-ceramic substrate is then formed
- the openings in the layers forming the cooler structure form a sieve-like structure in which the openings of intersecting material webs are surrounded by and separated from the ceramic material
- the openings in neighboring layers forming the cooling structure are offset relative to one another in such a way that each opening in a layer is opposite a material web made of the ceramic material of an adjacent layer, that points of intersection of the material webs of each layer adjoin points of intersection of the material webs (16) of the adjacent layer in an axial direction perpendicular to the surface sides of the layers and thereby form posts which extend over the entire height of the condenser structure, and
- the at least one outer metallization is formed by a foil of the metallic material, which is connected to the substrate body by DCB bonding or active soldering and has a thickness in the range between 0.02 mm - 1 mm.
- Several material webs preferably form the openings surrounding polygonal structures. Furthermore, the webs of material, preferably perpendicular to their longitudinal extension, preferably have a width which is smaller than the diameter of the respective opening surrounded by the meterial webs.
- the metal I ceramic substrate is formed, for example, such that the cooling structure with the at least one flow channel is formed exclusively in at least two layers of the ceramic material,
- the inner metallizations and / or plated-through holes are located outside the region of the substrate body which forms the cooler structure,
- Substrate body is located, of which at least one layer also forms the radiator structure with the at least one flow channel,
- At least one through-connection is provided in a layer of the substrate body, which is at the same time part of the cooler structure, and in that this through-connection is located outside the region of the cooler structure,
- the at least one cooler structure is formed by a plurality of adjoining layers or partial layers, which in each case adjoin the at least one
- intersection points of the layers of material of each partial layer or layer adjoin one another at points of intersection of the material webs of adjacent partial layers or layers in an axial direction perpendicular to the surface sides of the layers or partial layers, specifically for the formation of posts that form themselves over the entire
- the posts formed by the crossing points are preferably provided with a core of metallic material
- the surface side of the substrate body having the at least one outer metal is formed by a layer of the ceramic material, and / or
- the substrate body at its two opposite and each formed by a layer of the ceramic material surface sides with an outer
- Metal lization preferably provided with an outer structured metallization, and that preferably at both outer metallizations (9) at least one
- the substrate body in terms of its layers, their thickness and the type of for the
- Layers of material used is formed symmetrically or substantially symmetrically to a plane parallel to the surface sides of the substrate body center plane,
- Radiator structure and the at least one outer metallization at least one layer of the ceramic material is provided, and that in this layer preferably at least one via is formed, which extends to the outer metallization,
- the outer metallizations of foils are formed from a metallic material, preferably with a thickness in the range between 0.02 mm - 1 mm, for example in the range between 0.15 mm and 0.6 mm,
- the internal metallizations in thick or thin film technology are made by baking an electrically conductive paste, with a thickness smaller than the thickness of the outer metallizations,
- the ceramic material is at least one material from the following group aluminum oxide, aluminum nitride, silicon nitride, silicon carbide or a mixed ceramic of aluminum oxide and zirconium oxide,
- Vias is copper or copper alloy or aluminum or a copper or aluminum alloy
- the layers of the substrate body are connected to one another by surface bonding, preferably by active soldering and / or DMB bonding and / or by gluing and / or by sinter bonding,
- the at least one outer metalization is connected to the substrate body by surface bonding, preferably by active soldering or DMB bonding and / or by gluing,
- Fig. 1 in a simplified depicting ment and in section the structure of a cooled metal l ceramic substrate according to the invention
- Fig. 2 in a simplified depicting development and in plan view one of the cooler structure forming
- Fig. 4 in Einzeldarstel ment a section through posts of the cooler structure of the substrate of Figure 3;
- Fig. 5-7 respectively in a simplified depicting ment and in section further embodiments of the metal-ceramic substrate according to the invention.
- Fig. 8 in a simplified depicting ment and in section a layer of ceramic material.
- the cooled metal 1-ceramic substrate generally designated 1 a in FIG. 1 consists essentially of a plate-shaped substrate body 1 2 consisting of a plurality of layers 12.1 and 12.2 stacked one above the other and connected in a planar manner exclusively of ceramic, namely at the illustrated embodiment of a layer 12.1 and of a total of four layers 1 2.2.
- the layer 12. 1 forms the underside of the metal-ceramic substrate 1 a or of the substrate body 12.
- On the upper side of the substrate body 1 2 or on the upper layer 12 which is suitably structured to form areas 9.1 and 9.2 in the form of printed conductors, contact surfaces, mounting surfaces, etc.
- the region 9.2 on which an electrical component 1 1 is applied in the form of a power component has an enlarged thickness relative to the other regions 9.1, so that it carries the component 1 1 and lateral I via the component 11
- the area 9.2 is realized, for example, by the fact that the
- Metalization 9 is executed there in several layers.
- a cooler structure is formed with a plurality of cooling or flow channels, which in the figure 1 very
- these flow channels 1 3 are formed by the layers 1 2.2 are formed in their radiator structure forming region 14 with a plurality of openings 1 5, from one surface side of the respective layer 1 2.2 to the other Surface side rich.
- the cooling medium preferably flows through from an inlet 1 3.1 to an outlet 1 3.2.
- the openings 1 5 are surrounded by material webs 1 6, which intersect at crossing areas 1 7.
- the openings 1 5 in the layers 1 2.2 are designed so that the material webs 1 6 in the direction indicated in Figures 2 and 3 with the double arrow A axis pairs each of two immediately consecutive crossing points 1 7 form. H hereby it is possible, adjacent layers 1 2.2 in the axial direction A to be arranged so offset by the center distance of the adjacent crossing areas 1 7, so that the openings 1 5 a layer 12.2 congruent with
- the crossing regions 1 7 of adjacent layers 12.2 are arranged congruently and form continuous posts 1 8, which consist of ceramic and from the top of the substrate body 12 to the layers 1 2.2 facing surface side of the layer 1 2.1 rich.
- the flow channels 1 3 of the cooling er In the metal-ceramic substrate 1 a while the flow channels 1 3 of the cooling er Jardined in the layers 1 2.2 made of ceramic by appropriate structuring of these layers, the flow channels 1 3 but at the top of the substrate body 1 2 by the metal l 9 or its region 9.2 is closed, so that the flow channels 1 to 3 directly to the metal l michstechnik 9 or the range 9.2 rich and the cooling medium, the upper metalization 9 and in particular the component 1 1 carrying area 9.2 flows directly and cool.
- a special feature of the metal I ceramic substrate 1 a is also that in addition to the outer metal l michstechnik 9 inner, ebenfal ls structured metal lticians 1 9 are provided with a small thickness between the layers of ceramic, in the dargestel lten
- Flow channels 1 3 forming cooler structure.
- the structuring of the layers 12.2 to form the openings 1 5 is preferably carried out by appropriate molding, punching or cutting (including laser cutting) of the still green, not fired ceramic layers or -folien.
- a special feature of the metal-ceramic substrate 1 a is also that the structures of the outer metallization 9 partially via vias 10 of metallic material, for example, from the metallizations for the metal 9, 1 9 metallic material used electrically as well as thermally with the inner Plating 19 are connected, preferably with portions of the metallizations 9, 1 9, outside of the
- Flow channels 1 3 formed cooling structure lie.
- FIG. 4 shows a detail of one of the posts 18 in a modified version
- FIG. 4 shows an embodiment in which the posts 18 are each designed with a core 20 lying inside, which is enclosed by the ceramic of the layers 12.2 and consists of a metallic material, for example of the material of the metallizations 9 and / or 19.
- FIG. 5 shows in a representation similar to FIG.
- a cooled metal-ceramic substrate 1 b which differs from the metal-ceramic substrate 1 a substantially only in that the substrate body 12 is not only at the bottom, but also at the top provided with the metallization 9 has the continuous, non-structured layer 12.1 made of ceramic, that is, the layers 12.2 made of ceramic forming the actual cooling structure and provided with the openings15 are arranged between the two outer layers 12.1.
- the substrate body 12 has a total of three layers 12.2 and two layers 12.1.
- the flow channels 1 3 are not only provided exclusively in the layers 12.2 of ceramic, but also limited exclusively by ceramic material, i. the walls of the flow channels 13 are made exclusively of ceramic, which u.a. offers advantages in terms of preventing corrosion.
- FIG. 6 shows, as a further embodiment, a metal-ceramic substrate 1 c, which in turn has a ceramic structure or a ceramic substrate 21 of a plurality of layers 22-25, which are stacked one above the other and connected in a planar manner, exclusively of ceramic, of which the one chosen for FIG Represent the layer 22, the top and the layer 25, the bottom of the ceramic substrate 21.
- the structured outer metallization 9 is applied to the areas 9.1 and 9.2.
- On the other layers facing away from the lower surface side of the layer 25 is also a structured
- the u.a. forms the area 9.1.
- a component 1 1 is applied in each case.
- at least one flow channel 26 is provided, namely for a liquid cooling medium which the
- Flow channel 26 is supplied according to the arrow B via a provided on the underside of the metal-ceramic substrate 1 c port 27 and after flowing through the
- Flow channel 26 is discharged at a likewise provided on the underside of the metal-ceramic substrate 1 c terminal 28 according to the arrow C from the flow channel 26.
- the two terminals 27 and 28 are e.g. each of sleeves or pipe sections of a metallic material, preferably of the material of the lower outer
- the at least one flow channel 26 is through the layer 22 from the upper, outer
- the terminals 27 and 28 are respectively via terminal channels forming and provided in the ceramic layers 24 and 25 openings 29 with the
- connection 27 or 28 is structured in such a way that it respectively forms an annular or slot-shaped region 9.3 enclosing the relevant connection 27 or 28, to which the respective connection 27 or 28 is connected in a suitable manner, for example by soldering.
- the metal-ceramic substrate 1 c again has a plurality of plated-through holes 10 in the ceramic substrate 21 or in the local layers 21 and 24, which are outside of the cooling er Quilt or the at least one flow channel 26 and the areas 9.1 of the outer metallization 9 with areas between layers 22 and 23 formed inner metallization or between the layers 23 - 25 formed internal metallizations 19 electrically, but also thermally connect.
- FIG. 7 shows, as a further embodiment, a cooled metal-ceramic substrate 1 d, which initially differs from the metal-ceramic substrate 1 c in that the cooling structure or the at least one cooling or flow channel 26 is provided in the layer 24 is that immediately follows in the representation chosen for the figure 7 on the underside of the metal-ceramic substrate 1 d forming lower layer 25.
- the metal-ceramic substrate 1 d does not have the area 9.1 of the lower, outer metallization 9 with the component 11, but the annular areas 9.3 serving for the attachment of the terminals 27 and 28 do.
- the areas 9.1 of the upper, outer metallization 9 partially form contact surfaces or conductor tracks as well as attachment surfaces for
- the region 9.2 of the upper metallization 9 is again designed to receive a power component 11.
- metallic plated-through holes 10 are provided in the layers 22 and 23, which extend directly to the region 9.2 of the upper metallization 9 or are connected to this region 9.2 and which, despite the multiplicity of ceramic layers, have an optimum
- All above-described metal-ceramic substrates 1 a, 1 b, 1 c and 1 d is therefore u.a. in common that this substrate with at least one internal, of a liquid cooling medium
- permeable cooling structure and in particular also multi-layered with inner
- Metallizations 1 9 is executed. This results in the possibility of creating very complex circuits or modules, in spite of optimal cooling or dissipation of heat loss through the inner radiator structure. Particularly advantageous embodiments arise when the inner cooler structure of metal l Anlagenen layers 12.2 made of ceramic with the openings 15 is formed.
- All above-described metal-ceramic substrates 1 a, 1 b, 1 c and 1 d is, inter alia, common that the inner metallizations 1 9 between layers 12.1, 12.2, 22 - 25 and 30 are provided, which are also part of the radiator structure so that a very complex formation of the respective substrate with a compact design or reduced substrate construction volume is possible, especially with regard to the printed conductors.
- the inner metallizations 19 are preferably formed in thin or thick film technology using corresponding metals containing pastes and by baking. Of course, thin foils of metallic material, for example of copper or aluminum, or of copper or aluminum alloys may also be used for the inner metallizations 19.
- a material for the layers 12.1, 12.2, 22-25 and 30, for example a material is the
- alumina aluminum nitride, silicon nitride, silicon carbide or a mixed ceramic of alumina and zirconia.
- the direct bonding of the layers of ceramic is preferably carried out by sintering.
- Other methods are also possible, for example active soldering, DMB bonding using in each case a thin oxidized metal foil between the layers of ceramic to be joined together or bonding by gluing.
- At least one of the ceramic layers 12.1, 12.2, 22-25, 30 may in turn be multi-layered, for example with a ceramic base layer 3.1, e.g. of silicon nitride, and with intermediate layers 3.2, for example, of an oxide ceramic on both
Landscapes
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
Metall-Keramik-Substrat mit mehreren einen Substratkörper bildenden Schichten, die stapelartig aufeinander liegend und miteinander flächig zu dem Substratkörper verbunden sind und von denen wenigstens eine aus Keramik besteht, mit wenigstens einer äußeren Metallisierung, die an wenigstens einer Oberflächenseite des Substratkörpers vorgesehen und zur Ausbildung von Leiterbahnen, Kontaktflächen und/oder Befestigungsflächen für Bauelemente bildenden Bereichen strukturiert ist, sowie mit einer Kühlerstruktur, die von wenigstens einem von einem Kühlmedium, vorzugsweise von einem flüssigen Kühlmedium durchströmbaren Strömungs- oder Kühlkanal gebildet ist.
Description
Metall-Keramik-Substrat
Die Erfindung bezieht sich auf ein Metall-Keramik-Substrat gemäß Oberbegriff Patenanspruch 1 oder 2.
Metall-Keramik-Substrate, insbesondere auch solche in Form von Leiterplatten für elektrische und elektronische Schaltkreise oder Module sowie Verfahren zum Herstellen derartiger Substrate sind bekannt. In der Regel bestehen diese Substrate aus einer keramischen
Isolierschicht, die an ihren beiden Oberflächenseiten jeweils mit einer Metallisierung versehen ist. Diese ist dann beispielsweise von einer Metallsfolie, z.B. aus Kupfer aus einer
Kupferlegierung gebildet ist, welches mit Hilfe eines geeigneten Verfahrens vollflächig mit der keramischen Isolierschicht verbunden ist.
Bekannt ist u.a. das sogenannte„DCB-Verfahrens" (Direct-Copper-Bond-Technology) beispielsweise zum Verbinden von Metallschichten oder -blechen (z.B. Kupferblechen oder - folien) mit einander und/oder mit Keramik oder Keramikschichten, und zwar unter Verwendung von Metal l- bzw. Kupferblechen oder Metall- bzw. Kupferfolien, die an ihren Oberflächenseiten eine Schicht oder einen Überzug (Aufschmelzschicht) aus einer chemischen Verbindung aus dem Metall und einem reaktiven Gas, bevorzugt Sauerstoff aufweisen. Bei diesem
beispielsweise in der US-PS 37 44 120 oder in der DE-PS 23 1 9 854 beschriebenen Verfahren bildet diese Schicht oder dieser Überzug (Aufschmelzschicht) ein Eutektikum mit einer Schmelztemperatur unter der Schmelztemperatur des Metalls (z.B. Kupfers), sodass durch Auflegen der Folie auf die Keramik und durch Erhitzen sämtlicher Schichten diese miteinander verbunden werden können, und zwar durch Aufschmelzen
des Metalls bzw. Kupfers im wesentlichen nur im Bereich der Aufschmelzschicht bzw.
Oxidschicht.
Dieses DCB-Verfahren weist dann z.B. folgende Verfahrensschritte auf:
• Oxidieren einer Kupferfolie derart, dass sich eine gleichmäßige Kupferoxidschicht ergibt; · Auflegen des Kupferfolie auf die Keramikschicht;
• Erhitzen des Verbundes auf eine Prozesstemperatur zwischen etwa 1025 bis 1083 °C, z.B. auf ca. 1071 °C;
• Abkühlen auf Raumtemperatur.
Analog zu diesem vorgenannten DCB-Verfahren zum Direct-Bonden von Kupfer auf Kupfer oder Kupfer auf Keramik sind auch andere Direct-Metal-Bond-Verfahren- oder Technologien bekannt, mit denen in analoger Weise das Verbinden von Metallschichten oder -blechen ganz allgemein miteinander und/oder mit Keramik- oder Keramikschichten möglich ist. Das DCB- Verfahren und die mit diesem analogen Verfahren werden nachstehend als DMB-Verfahren (Direct-Metal-Bond-Verfahren) bezeichnet werden.
Bekannt ist weiterhin das sogenannte Aktivlot-Verfahren (DE 22131 1 5; EP-A-153 618) z.B. zum Verbinden von Metallisierungen bildenden Metallschichten oder Metallfolien, insbesondere auch von Kupferschichten oder Kupferfolien oder Aluminiumschichten oder Aluminiumfolien mit Keramikmaterial. Bei diesem Verfahren, welches speziell auch zum Herstellen von Metall- Keramik-Substraten verwendet wird, wird bei einer Temperatur zwischen ca. 800 - 1000°C eine Verbindung zwischen einer Metallfolie, beispielsweise Kupferfolie, und einem Keramiksubstrat, beispielsweise Aluminiumnitrid-Keramik, unter Verwendung eines Hartlots hergestellt, welches zusätzlich zu einer Hauptkomponente, wie Kupfer, Silber und/oder Gold auch ein Aktivmetall enthält. Dieses Aktivmetall, welches beispielsweise wenigstens ein Element der Gruppe Hf, Ti, Zr, Nb, Ce ist, stellt durch chemische Reaktion eine Verbindung zwischen dem Lot und der Keramik her, während die Verbindung zwischen dem Lot und dem Metall eine metallische Hartlöt-Verbindung ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Metall-Keramik-Substrat gemäß Oberbegriff Patentanspruch 1 so weiterzubilden, dass eine optimale Kühlwirkung auch von Leistungs- Bauelementen erreicht wird, und zwar bei kompakter Ausbildung des Substrates. Zur Lösung dieser Aufgabe ist ein Metall-Keramik-Substrat entsprechen dem Patentanspruch 1 oder 2 ausgebildet.
Bei der Erfindung sind sämtliche, die Kühlerstruktur bildende Strömungs- oder Kühlkanäle jeweils ausschließlich in wenigstens einer Schicht aus Keramik ausgebildet. Bei einer
Ausführungsform des Metall-Keramik-Substrates mit einem Substratkörper mit mehreren Schichten aus Keramik sind weiterhin innere Metallisierungen und Durchkontaktierungen vorgesehen, und zwar außerhalb der Kühlerstruktur. Hierdurch ergibt sich bei
Aufrechterhaltung einer optimalen Kühlung auch die Möglichkeit einer sehr komplexen und vielseitigen Ausbildung der von den äußeren und inneren Metallisierung gebildeten
Leiterbahnstrukturen bei reduziertem Substrat-Bauvolumen.
„Durchkontaktierung" bedeutet im Sinne der Erfindung ganz allgemein einen Bereich, der in einer Schicht aus dem keramischen Werkstoff vorgesehen ist, diese Schicht vollständig durchdringt, d.h. von einer Oberflächenseite dieser Schicht bis an deren andere
Oberflächenseite reicht, aus einem metallischen Werkstoff besteht und vorzugsweise massiv ausgebildet ist sowie eine elektrische und/oder thermische Verbindung durch die Schicht aus dem keramischen Werkstoff herstellt.
„Keramischer Werkstoff" bedeutet im Sinne der Erfindung Keramik oder Mischkeramik. Der Ausdruck„im Wesentlichen" bzw.„etwa" bedeutet im Sinne der Erfindung Abweichungen vom jeweils exakten Wert um +/- 10%, bevorzugt um +/- 5% und/oder Abweichungen in Form von für die Funktion unbedeutenden Änderungen.
Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung betrifft ein Metall-Keramik-Substrat mit mehreren einen Substratkörper bildenden Schichten, die jeweils aus einem keramischen Werkstoff bestehen und stapeiförmig aufeinander liegend und miteinander flächig zu dem Substratkörper verbunden sind,
mit wenigstens einer von einem metallischen Werkstoff gebildeten äußeren Metallisierung, die an wenigstens einer Oberflächenseite des Substratkörpers vorgesehen und zur Ausbildung von Leiterbahnen, Kontaktflächen und/oder Befestigungsflächen für Bauelemente bildenden Bereichen strukturiert ist,
mit einer Kühlerstruktur, die ausschließlich in den Schichten aus dem keramischen Werkstoff vorgesehen und von wenigstens zwei aneinander anschl ießenden Schichten aus dem keramischen Werkstoff gebildet ist, die zur Ausbildung wenigstens eines Kühlkanals, der von einem Kühlmedium durchströmbar ist, mit einer Vielzahl von Öffnungen derart versehen sind, dass der Kühlkanal Strömungswege für das Kühlmedium aufweist, die sich in Achsrichtung parallel zu den Oberflächenseiten der Schichten sowie senkrecht hierzu verzweigen.
Dieses Metall-Keramik-Substrat ist dann so ausgebildet,
dass die Öffnungen in den die Kühlerstruktur bildenden Schichten eine siebartige Struktur bilden, in der die die Öffnungen von sich kreuzenden Materialstegen aus dem keramischen Werkstoff umgeben und durch diese von einander getrennt sind,
dass die Öffnungen in benachbarten die Kühl erstruktur bildenden Schichten derart gegeneinander versetzt angeordnet sind, dass jeder Öffnung in einer Schicht ein Materialsteg aus dem keramischen Werkstoff einer benachbarten Schicht gegenüberliegt,
dass Kreuzungspunkte der Materialstege jeder Schicht Kreuzungspunkten der Materialstege (16) der benachbarter Schicht in einer Achsrichtung senkrecht zu den Oberflächenseiten der Schichten aneinander anschließen und dadurch Pfosten bilden, die sich über die gesamte Höhe der Kühlerstruktur erstrecken, und
dass die wenigstens eine äußere Metallisierung von einer Folie aus dem metallischen Werkstoff gebildet ist, die durch DCB-Bonden oder Aktivlöten mit dem Substratkörpers verbunden ist und eine Dicke im Bereich zwischen 0,02 mm - 1 mm aufweist.
Mehrere Materialstege bilden dabei bevorzugt die Öffnungen umgebende polygonartige Strukturen. Weiterhin weisen die Materialstege senkrecht zu ihrer Längserstreckung bevorzugt eine Breite auf, die kleiner ist als der Durchmesser der jeweiligen von den Meterialstegen umgebenen Öffnung.
In Weiterbildung der Erfindung ist das Metal l-Keramik-Substrat beispielsweise so ausgebildet, dass die Kühl erstruktur mit dem wenigstens einen Strömungskanal ausschließlich in wenigstens zwei Schichten aus dem keramischen Werkstoff ausgebildet ist,
und/oder
dass sich die inneren Metallisierungen und/oder Durchkontaktierungen außerhalb des die Kühlerstruktur bildenden Bereichs des Substratkörpers befinden,
und/oder
dass sich zumindest eine innere Metallisierung zwischen zwei Schichten des
Substratkörpers befindet, von denen wenigstens eine Schicht auch die Kühlerstruktur mit dem wenigstens einen Strömungskanal bildet,
und/oder
dass wenigstens eine Durchkontaktierung in einer Schicht des Substratkörpers vorgesehen ist, die zugleich Teil der Kühlerstruktur ist, und dass sich diese Durchkontaktierung außerhalb des Bereichs der Kühlerstruktur befindet,
und/oder
dass die wenigstens eine Kühlerstruktur von mehreren aneinander anschließenden Schichten oder Teilschichten gebildet ist, die jeweils an der wenigstens einen
Kühlerstruktur eine siebartige Struktur mit einer Vielzahl von durch Materialstege getrennten Öffnungen und diese umgebenden Materialstegen ausgebildet und derart gegeneinander versetzt angeordnet sind, dass jeder Öffnung einer Schicht oder Teilsch ein Materialsteg einer benachbarten Schicht oder Teilschicht gegenüberliegt und die Öffnungen eine Kühlerstruktur mit sich verzweigenden Strömungswegen bilden, insbesondere mit Strömungswegen, die sich in Achsrichtungen parallel zu den
Oberflächenseiten der Schichten oder Teilschichten sowie senkrecht hierzu verzweigen, wobei vorzugsweise Kreuzungspunkte der Materialstege jeder Teilschicht oder Schicht an Kreuzungspunkte der Materialstege benachbarter Teilschichten oder Schichten in einer Achsrichtung senkrecht zu den Oberflächenseiten der Schichten oder Teilschichten aneinander anschließen, und zwar zur Ausbildung von Pfosten, die sich über die gesamte
Höhe der Kühl erstruktur erstrecken,
und/oder
dass die von den Kreuzungspunkten gebildeten Pfosten vorzugweise mit einem Kern aus metallischem Werkstoff versehen sind,
und/oder
dass die die wenigstens eine äußere Metal lisierung aufweisende Oberflächenseite des Substratkörpers von einer Schicht aus dem keramischen Werkstoff gebildet ist, und/oder
dass der Substratkörper an seinen beiden einander abgewandten und jeweils von einer Schicht aus dem keramischen Werkstoff gebildeten Oberflächenseiten mit einer äußeren
Metal lisierung, vorzugsweise mit einer äußeren strukturierten Metallisierung versehen ist, und dass vorzugsweise an beiden äußeren Metallisierungen (9) wenigstens ein
Bauelement angeordnet ist,
und/oder
dass der Substratkörper hinsichtlich seiner Schichten, deren Dicke und der Art des für die
Schichten verwendeten Werkstoffs symmetrisch oder im Wesentlichen symmetrisch zu einer parallel zu den Oberflächenseiten des Substratkörpers verlaufenden Mittelebene ausgebildet ist,
und/oder
dass bei Ausbildung der Kühlerstruktur ausschließlich in wenigstens einer Schicht aus dem keramischen Werkstoff der wenigstens eine Strömungskanal bis an die äußere
Metal lisierung oder wenigstens einen Bereich der äußeren Metallisierung reicht, und/oder
dass bei Ausbildung der Kühlerstruktur ausschließlich in wenigstens einer Schicht aus dem keramischen Werkstoff zwischen dem wenigstens einen Strömungskanal der
Kühlerstruktur und der wenigstens einen äußeren Metallisierung zumindest eine Schicht aus dem keramischen Werkstoff vorgesehen ist, und dass in dieser Schicht vorzugsweise wenigstens eine Durchkontaktierung ausgebildet ist, die bis an die äußere Metallisierung reicht,
und/oder
dass an einer Oberflächenseite des Substratkörpers Anschlüsse zum Zuführen und/oder
Abführen des Kühlmediums vorgesehen sind,
und/oder
dass die äußeren Metallisierungen von Folien aus einem metallischen Werkstoff gebildet sind, vorzugsweise mit einer Dicke im Bereich zwischen 0,02 mm - 1 mm, beispielsweise im Bereich zwischen 0,15 mm und 0,6 mm,
und/oder
dass die inneren Metallisierungen in Dick- oder Dünnfilmtechnik durch Einbrennen einer elektrisch leitenden Paste hergestellt sind, und zwar mit einer Dicke kleiner als die Dicke der äußeren Metallisierungen,
und/oder
dass der keramische Werkstoff wenigstens ein Material der nachstehenden Gruppe Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid, Siliziumnitrid, Siliziumcarbid oder eine Mischkeramik aus Aluminiumoxid und Zirkonoxid ist,
und/oder
dass der Werkstoff der äußeren und inneren Metallisierungen sowie der
Durchkontaktierungen Kupfer oder Kupferlegierung oder Aluminium oder eine Kupferoder Aluminiumlegierung ist,
und/oder
dass die Schichten des Substratkörpers durch flächiges Bonden, vorzugsweise durch Aktivlöten und/oder DMB-Bonden und/oder durch Kleben und/oder durch Sinterbonden miteinander verbunden sind,
und/oder
dass die wenigstens eine äußere Metall isierung durch flächiges Bonden, vorzugsweise durch Aktivlöten oder DMB-Bonden und/oder durch Kleben mit dem Substratkörper verbunden ist,
wobei die vorgenannten Merkmale jeweils einzeln oder in beliebiger Kombination verwendet sein können. Weiterbildungen, Vorteile und Anwendungsmöglichkeiten der Erfindung ergeben sich auch aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen und aus den Figuren. Dabei sind alle beschriebenen und/oder bildlich dargestellten Merkmale für sich oder in beliebiger Kombination grundsätzlich Gegenstand der Erfindung, unabhängig von ihrer Zusammenfassung in den Ansprüchen oder deren Rückbeziehung. Auch wird der Inhalt der Ansprüche zu einem Bestandteil der Beschreibung gemacht.
Die Erfindung wird im Folgenden anhand der Figuren an Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 in vereinfachter Darstel lung und im Schnitt den Aufbau eines gekühlten Metal l- Keramik-Substrates gemäß der Erfindung;
Fig. 2 in vereinfachter Darstel lung und in Draufsicht eine der die Kühlerstruktur bildenden
Schichten aus Keramik des Substrates der Figur 1 ;
Fig. 3 in vergrößerter Teildarstellung und in Draufsicht einen die Kühl erstruktur bildenden
Bereich der Schicht aus Keramik;
Fig. 4 in Einzeldarstel lung einen Schnitt durch Pfosten der Kühlerstruktur des Substrates der Figur 3;
Fig. 5 - 7 jeweils in vereinfachter Darstel lung und im Schnitt weitere Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Metall-Keramik-Substrates;
Fig. 8 in vereinfachter Darstel lung und im Schnitt eine Schicht aus keramischen Werkstoff.
Das in der Figur 1 al lgemein mit 1 a bezeichnete gekühlte Metal l-Keramik-Substrat besteht im Wesentlichen aus einem plattenförmigen Substratkörper 1 2, der von mehreren stapelartig übereinander angeordneten und flächig miteinander verbundenen Schichten 12.1 und 12.2 ausschließlich aus Keramik besteht, und zwar bei der dargestel lten Ausführungsform aus einer Schicht 12.1 und aus insgesamt vier Schichten 1 2.2. Die Schicht 12.1 bildet bei der für die Figur 1 gewählten Darstellung die Unterseite des Metall-Keramik-Substrates 1 a bzw. des Substratkörpers 12. Auf die Oberseite des Substratkörpers 1 2 bzw. auf der oberen Schicht 12.2 ist eine äußere Metal l isierung 9 aufgebracht, die zur Ausbildung von Bereichen 9.1 und 9.2 in Form von Leiterbahnen, Kontaktflächen, Montageflächen usw. in geeigneter Weise strukturiert ist. Bei der dargestel lten Ausführungsform besitzt der Bereich 9.2, auf dem ein elektrisches Bauelement 1 1 in Form eines Leistungsbauelementes aufgebracht ist, eine gegenüber den anderen Bereichen 9.1 deutl ich vergrößerte Dicke, sodass dieser das Bauelement 1 1 tragende und seitl ich über das Bauteil 1 1 vorstehende Bereich 9.2 zugleich auch optimal als
Wärmespreizer dient. Der Bereich 9.2 ist beispielsweise dadurch real isiert, dass die
Metal lisierung 9 dort mehrlagig ausgeführt ist. In den Schichten 12.2 ist eine Kühlerstruktur mit einer Vielzahl von Kühl- oder Strömungskanälen ausgebildet, die in der Figur 1 sehr
schematisch mit 1 3 angedeutet sind und im Verwendungsfal l des von dem Metall-Keramik- Substrat 1 a und von dem Bauelement 1 1 sowie gegebenenfal ls von weiteren Bauelementen gebildeten Schaltkreises zur Kühlung von dem flüssigen Kühlmedium (z.B. Wasser) durchströmt werden.
Entsprechend den Figuren 2 und 3 sind diese Strömungskanäle 1 3 dadurch gebildet, dass die Schichten 1 2.2 in ihrem die Kühlerstruktur bildenden Bereich 14 mit einer Vielzahl von Öffnungen 1 5 ausgebildet sind, die von einer Oberflächenseite der jeweil igen schicht 1 2.2 bis an deren andere Oberflächenseite reichen. Das Kühlmedium durchströmt vorzugsweise von einem Einlass 1 3.1 zu einem Auslass 1 3.2. Die Öffnungen 1 5 sind von Materialstegen 1 6 umgeben, die sich an Kreuzungsbereichen 1 7 kreuzen. Im Detail sind die Öffnungen 1 5 in den Schichten 1 2.2 so ausgeführt, dass die Materialstege 1 6 in der in den Figuren 2 und 3 mit dem Doppelpfeil A angedeuteten Achsrichtung Paare von jeweils zwei unmittelbar aufeinander folgenden Kreuzungspunkten 1 7 bilden. H ierdurch ist es möglich, benachbarte Schichten 1 2.2 in der Achsrichtung A derart um den Achsabstand der benachbarten Kreuzungsbereiche 1 7 versetzt anzuordnen, sodass die Öffnungen 1 5 einer Schicht 12.2 deckungsgleich mit
Materialstegen 1 6 der benachbarten Schicht 1 2.2 l iegen, sich also Strömungswege oder -kanäle 1 3 für das Kühlmedium ergeben, die sich für eine optimale Kühlwirkung in wenigstens drei senkrecht zueinander verlaufenden Raumachsen verzweigen. Die Kreuzungsbereiche 1 7 benachbarter Schichten 12.2 sind dabei deckungsgleich angeordnet und bilden durchgehende Pfosten 1 8, die aus Keramik bestehen und von der Oberseite des Substratkörpers 12 bis an die den Schichten 1 2.2 zugewandte Oberflächenseite der Schicht 1 2.1 reichen.
Bei dem Metall-Keramik-Substrat 1 a sind zwar die Strömungskanäle 1 3 der Kühl erstruktur ausschließlich in den Schichten 1 2.2 aus Keramik durch entsprechende Strukturierung dieser Schichten gebildet, die Strömungskanäle 1 3 sind aber an der Oberseite des Substratkörpers 1 2 durch die Metal l isierung 9 bzw. deren Bereich 9.2 verschlossen, sodass die Strömungskanäle 1 3 bis unmittelbar an die Metal l isierung 9 bzw. den Bereich 9.2 reichen und das Kühlmedium die obere Metall isierung 9 und dabei insbesondere auch den das Bauelement 1 1 tragenden Bereich 9.2 unmittelbar anströmt und kühlt.
Eine Besonderheit des Metal l-Keramik-Substrates 1 a besteht auch darin, dass zusätzl ich zu der äußeren Metal l isierung 9 innere, ebenfal ls strukturierte Metal lisierungen 1 9 mit geringer Dicke zwischen den Schichten aus Keramik vorgesehen sind, und zwar bei der dargestel lten
Ausführungsform zwischen den Schichten 12.2. Mit Durchkontaktierungen 10 aus dem metal l ischem Werkstoff, vorzugsweise aus dem Werkstoff der Metal l isierungen 9 oder 1 9 sind Bereichte 9.1 der äußeren Metall isierung 9 mit Bereichen der inneren Metall isierung 1 9 sowie auch Bereiche der inneren Metal l isierung 1 9 untereinander elektrisch, aber auch thermisch verbunden. Die Durchkontaktierungen 10 befinden sich dabei außerhalb der die
Strömungskanäle 1 3 bildenden Kühlerstruktur.
Die Strukturierung der Schichten 12.2 zur Ausbildung der Öffnungen 1 5 erfolgt bevorzugt durch entsprechendes Formen, Stanzen oder Schneiden (auch Laserschneiden) der noch grünen, nicht gebrannten Keramikschichten oder -fol ien. Eine Besonderheit des Metall-Keramik-Substrates 1 a besteht auch darin, dass die Strukturen der äußeren Metallisierung 9 teilweise über Durchkontaktierungen 10 aus metallischem Werkstoff, beispielsweise aus dem für die Metall isierungen 9, 1 9 verwendeten metallischen Werkstoff elektrisch sowie auch thermisch mit den inneren Metallisierungen 19 verbunden sind, und zwar vorzugsweise mit Bereichen der Metallisierungen 9, 1 9, die außerhalb der von den
Strömungskanälen 1 3 gebildeten Kühlstruktur liegen.
Die Figur 4 zeigt in Einzeldarstellung einen der Pfosten 18 bei einer abgewandelten
Ausführungsform des Metall-Keramik-Substrates 1 a. Während vorstehend davon ausgegangen wurde, dass die Pfosten 18 ausschließlich von den Kreuzungsbereichen U der Schichten 12.2 gebildet sind und somit jeweils durchgehend aus Keramik bestehen, zeigt die Figur 4 eine Ausbildung, bei der die Pfosten 18 jeweils innen liegend mit einem Kern 20 ausgeführt sind, der von der Keramik der Schichten 12.2 umschlossen ist und aus einem metallischen Werkstoff, beispielsweise aus dem Werkstoff der Metallisierungen 9 und/oder 19 besteht. Die Figur 5 zeigt in einer Darstellung ähnlich Figur 1 als weitere Ausführungsform ein gekühltes Metall-Keramik-Substrat 1 b, welches sich von dem Metall-Keramik-Substrat 1 a im Wesentlichen nur dadurch unterscheidet, dass der Substratkörper 12 nicht nur an der Unterseite, sondern auch an der mit der Metallisierung 9 versehenen Oberseite die durchgehende, nicht strukturierte Schicht 12.1 aus Keramik aufweist, also die die eigentliche Kühlstruktur bildenden und mit den Öffnungen15 versehenen Schichten 12.2 aus Keramik zwischen den beiden äußeren Schichten 12.1 angeordnet sind. Bei der in der Figur 5 dargestellten Ausführungsform weist der Substratkörper 12 insgesamt drei Schichten 12.2 und zwei Schichten 12.1 auf. Durch diese Ausbildung sind die Strömungskanäle 1 3 nicht nur ausschließlich in den Schichten 12.2 aus Keramik vorgesehen, sondern auch ausschließlich durch keramisches Material begrenzt, d.h. die Wandungen der Strömungskanäle 13 bestehen ausschließlich aus Keramik, was u.a. hinsichtlich der Vermeidung von Korrosionen Vorteile bietet.
Auch bei dem Metall-Keramik-Substrat 1 b sind wiederum außerhalb der von den
Strömungskanälen 1 3 gebildeten Kühlerstruktur in den Schichten 12.1 und 12.2
Durchkontaktierungen 10 vorgesehen, die Bereiche 9.1 der strukturierten äußeren
Metallisierung 9 mit Bereichen der strukturierten inneren Metallisierung 19 zwischen den
Schichten 12.1 und 12.2 und Bereiche der strukturierten inneren Metallisierung 1 9 miteinander verbinden.
Die Figur 6 zeigt als weitere Ausführungsform ein Metall-Keramik-Substrat 1 c, welches wiederum eine Keramikstruktur oder ein Keramiksubstrat 21 aus mehreren stapelartig übereinander und flächig miteinander verbundenen Schichten 22 - 25 ausschließlich aus Keramik aufweist, von denen bei der für die Figur 7 gewählten Darstellung die Schicht 22 die Oberseite und die Schicht 25 die Unterseite des Keramiksubstrats 21 bilden. Auf den übrigen Schichten abgewandte obere Oberflächenseite der Schicht 22 ist die strukturierte äußere Metallisierung 9 mit den Bereichen 9.1 und 9.2 aufgebracht. Auf die den übrigen Schichten abgewandte untere Oberflächenseite der Schicht 25 ist ebenfalls eine strukturierte
Metallisierung 9 aufgebracht, die u.a. den Bereich 9.1 bildet. Auf den Bereichen 9.1 und 9.2 der oberen äußeren Metallisierung 9 sowie auf den Bereich 9.1 der unteren äußeren
Metallisierung 9 ist jeweils ein Bauelement 1 1 aufgebracht. In der Schicht 23 ist wenigstens ein Strömungskanal 26 vorgesehen, und zwar für ein flüssiges Kühlmedium, welches dem
Strömungskanal 26 entsprechend dem Pfeil B über einen an der Unterseite des Metall-Keramik- Substrates 1 c vorgesehenen Anschluss 27 zugeführt und nach dem Durchströmen des
Strömungskanals 26 an einem ebenfalls an der Unterseite des Metall-Keramik-Substrats 1 c vorgesehenen Anschluss 28 entsprechend dem Pfeil C aus dem Strömungskanal 26 abgeführt wird. Die beiden Anschlüsse 27 und 28 sind z.B. jeweils von Hülsen oder Rohrstücken aus einem metallischen Werkstoff, vorzugsweise aus dem Werkstoff der unteren äußeren
Metallisierung 9 oder aus einem mit diesem Werkstoff kompatiblen Werkstoff gefertigt. Der wenigstens eine Strömungskanal 26 ist durch die Schicht 22 von der oberen, äußeren
Metallisierung 9 getrennt. Die Anschlüsse 27 und 28 sind jeweils über Anschlusskanäle bildende und in den Keramikschichten 24 und 25 vorgesehene Öffnungen 29 mit dem
Strömungskanal 26 verbunden.
Für die dichte Verbindung der Anschlüsse 27 und 28 ist die untere Metallisierung 9
beispielsweise so strukturiert, dass sie jeweils einen den betreffenden Anschluss 27 bzw. 28 umschließenden ringförmigen oder schlitzförmigen Bereich 9.3 bildet, mit dem der jeweilige Anschluss 27 bzw. 28 in geeigneter Weise, beispielsweise durch Löten verbunden ist.
Auch das Metall-Keramik-Substrat 1 c weist wiederum mehrere Durchkontaktierungen 10 in dem Keramiksubstrat 21 bzw. in den dortigen Schichten 21 und 24 auf, die sich außerhalb der Kühl erstruktur bzw. des wenigstens einen Strömungskanals 26 befinden und die Bereiche 9.1 der äußeren Metallisierung 9 mit Bereichen der zwischen den Schichten 22 und 23
ausgebildeten inneren Metallisierung oder aber zwischen den Schichten 23 - 25 ausgebildete innere Metallisierungen 19 elektrisch, aber auch thermisch miteinander verbinden.
Die Figur 7 zeigt als weitere Ausführungsform ein gekühltes Metall-Keramik-Substrat 1 d, welches sich von dem Metall-Keramik-Substrat 1 c zunächst dadurch unterscheidet, dass die Kühlstruktur bzw. der wenigstens eine Kühl- oder Strömungskanal 26 in der Schicht 24 vorgesehen ist, die bei der für die Figur 7 gewählten Darstellung auf die die Unterseite des Metall-Keramik-Substrats 1 d bildende untere Schicht 25 unmittelbar folgt. Weiterhin weist das Metall-Keramik-Substrat 1 d den Bereich 9.1 der unteren, äußeren Metallisierung 9 mit dem Bauelement 1 1 nicht auf, wohl aber die für die Befestigung der Anschlüsse 27 und 28 dienenden ringförmigen Bereiche 9.3. Die Bereiche 9.1 der oberen, äußeren Metallisierung 9 bilden teilweise Kontaktflächen oder Leiterbahnen sowie auch Befestigungsflächen für
Bauelemente 1 1 . Der Bereich 9.2 der oberen Metallisierung 9 ist wiederum zur Aufnahme eines Leistungsbauelementes 1 1 ausgebildet. Um eine möglichst gute Kühlwirkung zu erreichen, sind in den Schichten 22 und 23 metallische Durchkontaktierungen 10 vorgesehen, die unmittelbar bis an den Bereich 9.2 der oberen Metallisierung 9 reichen bzw. mit diesem Bereich 9.2 verbunden sind und die trotz der Vielzahl der Keramikschichten eine optimale
Wärmeübertragung vom Bereich 9.2 an die zusätzliche Keramikschicht 30 und damit an das den Strömungskanal 24 durchströmende Kühlmittel gewährleisten. Die Schichten 22 - 25 und 30 sind wiederum solche ausschließlich aus Keramik.
Allen vorbeschriebenen Metall-Keramik-Substraten 1 a, 1 b, 1 c und 1 d ist also u.a. gemeinsam, dass dieses Substrat mit wenigstens einer inneren, von einem flüssigen Kühlmedium
durchströmbaren Kühlstruktur sowie insbesondere auch mehrschichtig mit inneren
Metallisierungen 1 9 ausgeführt ist. Hierdurch ergibt sich die Möglich der Schaffung sehr komplexer Schaltkreise oder Module, und zwar trotz optimaler Kühlung bzw. Ableitung von Verlustwärme durch die innere Kühlerstruktur. Besonders vorteilhafte Ausführungen ergeben sich dann, wenn die innere Kühlerstruktur von Metal lschichten Schichten 12.2 aus Keramik mit den Öffnungen 15 gebildet ist.
Allen vorbeschriebenen Metall-Keramik-Substraten 1 a, 1 b, 1 c und 1 d ist u.a. auch gemeinsam, dass die inneren Metallisierungen 1 9 zwischen Schichten 12.1 , 12.2, 22 - 25 und 30 vorgesehen sind, die zugleich auch Teil der Kühlerstruktur sind, so dass eine vor allem auch hinsichtlich der Leiterbahnen sehr komplexe Ausbildung des jeweiligen Substrates bei kompakter Ausbildung bzw. reduziertem Substrat-Bauvolumen möglich ist.
Als Werkstoff für die Metallisierungen 9, 19 sowie für die Durchkontaktierungen 10 eignet sich beispielsweise Kupfer oder Aluminium oder Kupfer- oder Aluminiumlegierungen, wobei die Metallisierungen 9 bevorzugt von Folien aus Kupfer oder Aluminium oder Kupfer- oder Aluminiumlegierungen gebildet sind. Die inneren Metallisierungen 19 sind bevorzugt in Dünn- oder Dickfilmtechnik unter Verwendung von entsprechende Metalle enthaltenden Pasten und durch Einbrennen erzeugt. Selbstverständlich können für die inneren Metallisierungen 19 auch bevorzugt dünne Folien aus metallischem Werkstoff, beispielsweise aus Kupfer oder Aluminium oder aus Kupfer- oder Aluminiumlegierungen verwendet sein. Als keramischer Werkstoff für die Schichten 12.1 , 12.2, 22 - 25 und 30 eignet sich beispielsweise ein Material der
nachstehenden Gruppe Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid, Siliziumnitrid, Siliziumcarbid oder eine Mischkeramik aus Aluminiumoxid und Zirkonoxid.
Das Verbinden der die Metallisierungen 9, 1 9 bildenden Metal lfolien mit den Schichten aus Keramik sowie der Metallfolien oder Schichten aus Metall des Bereichs 9.2 untereinander erfolgt beispielsweise durch DMB-Bonden oder durch Löten, insbesondere Aktivlöten. Auch andere Verfahren, beispielsweise Verbinden durch Kleben sind grundsätzlich möglich.
Das unmittelbare Verbinden der Schichten aus Keramik erfolgt bevorzugt durch Sintern. Auch andere Verfahren sind möglich, beispielsweise Aktivlöten, DMB-Bonden unter Verwendung jeweils einer dünnen oxidierten Metallfolie zwischen den miteinander zu verbindenden Schichten aus Keramik oder Verbinden durch Kleben.
Zumindest eine der Schichten 12.1 , 12.2, 22 - 25, 30 aus Keramik kann ihrerseits auch mehrschichtig, beispielsweise mit einer Basisschicht 3.1 aus Keramik, z.B. aus Silizium-Nitrid, und mit Zwischenschichten 3.2 beispielsweise aus einer oxidischen Keramik an beiden
Oberflächenseiten der Basisschicht 3.1 ausgebildet sein, wie dies in der Figur 8 für die Schicht 3 gezeigt ist.
Die Erfindung wurde voranstehend an Ausführungsbeispielen beschrieben. Es versteht sich, dass zahlreiche Änderungen sowie Abwandlungen möglich sind, ohne dass dadurch der der Erfindung zugrunde liegende Erfindungsgedanke verlassen wird.
Bezugszeichenliste
1 a - 1 d Metall-Keramik-Substrat
3 Schicht
3.1 Basisschicht
3.2 Zwischenschichten
9 äußere Metallisierung
9.1 , 9.2, 9.3 strukturierter Bereich der Metallisierung
10 Durchkontaktierung
1 1 Bauelement
12 Substratkörper
12.1 , 12.2 Keramikschicht
13 Strömungs- oder Kühlkanal
14 Bereich
15 Öffnung
16 Materialsteg
1 7 Kreuzungsbereich der Materialstege 1 6
18 Pfosten
19 innere Metallisierung
20 metallischer Kern der Pfosten 18
21 Substratkörper
22 - 25 Keramikschicht
26 Strömungs- oder Kühlkanal
27, 28 Anschluss
29 Öffnung
30 zusätzl iche Keramikschicht
A Achsrichtung
B Kühlmittelzulauf
C Kühlmittelrücklauf
Claims
Patentansprüche
Metal l-Keramik-Substrat mit mehreren einen Substratkörper (1 2, 21 ) bildenden Schichten, die stapelartig aufeinander l iegend und miteinander flächig zu dem Substratkörper (1 2, 21 ) verbunden sind und von denen wenigstens eine aus Keramik besteht, mit wenigstens einer äußeren Metal l isierung (9), die an wenigstens einer Oberflächenseite des Substratkörpers (12, 21 ) vorgesehen und zur Ausbildung von Leiterbahnen, Kontaktflächen und/oder Befestigungsflächen für Bauelemente (1 1 ) bildenden Bereichen (9.1 , 9.2) strukturiert ist, sowie mit einer Kühlerstruktur, die von wenigstens einem von einem Kühlmedium, vorzugsweise von einem flüssigen Kühlmedium durchströmbaren Strömungs- oder
Kühlkanal (1 3, 26) gebildet ist,
dadurch gekennzeichnet,
dass jeder die Kühlerstruktur bildende Strömungs- oder Kühlkanal (1 3, 26) ausschließl ich in wenigstens einer Schicht (1 2.2, 23, 24) aus Keramik vorgesehen ist.
Metal l-Keramik-Substrat mit mehreren einen Substratkörper (1 2) bildenden Schichten (1 2.1 , 12.2), die jeweils aus einem keramischen Werkstoff bestehen und stapeiförmig aufeinander l iegend und miteinander flächig zu dem Substratkörper (1 2, 21 ) verbunden sind, mit wenigstens einer von einem metal lischen Werkstoff gebildeten äußeren Metal l isierung (9), die an wenigstens einer Oberflächenseite des Substratkörpers (12, 21 ) vorgesehen und zur Ausbildung von Leiterbahnen, Kontaktflächen und/oder Befestigungsflächen für
Bauelemente (1 1 ) bildenden Bereichen (9.1 , 9.2) strukturiert ist,
mit einer Kühlerstruktur, die ausschl ießl ich in den Schichten (12.2) aus dem keramischen Werkstoff vorgesehen und von wenigstens zwei aneinander anschl ießenden Schichten (12.2) aus dem keramischen Werkstoff gebildet ist, die zur Ausbildung wenigstens eines Kühlkanals (1 3, 26), der von einem Kühlmedium durchströmbar ist, mit einer Vielzahl von Öffnungen (1 5) derart versehen sind, dass der Kühlkanal (1 3, 26) Strömungswege für das Kühlmedium aufweist, die sich in Achsrichtung paral lel zu den Oberflächenseiten der Schichten (12.2, 23, 24) sowie senkrecht hierzu verzweigen,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Öffnungen (1 5) in den die Kühlerstruktur bildenden Schichten (12.2) eine siebartige Struktur bilden, in der die die Öffnungen (1 5) von sich kreuzenden Materialstegen (1 6) aus dem keramischen Werkstoff umgeben und durch diese von einander getrennt sind, dass die Öffnungen (1 5) in benachbarten die Kühlerstruktur bildenden Schichten (12.2)
derart gegeneinander versetzt angeordnet sind, dass jeder Öffnung (15) in einer Schicht (12.2) ein Materialsteg (16) aus dem keramischen Werkstoff einer benachbarten Schicht (12.2) gegenüberliegt,
dass Kreuzungspunkte (1 7) der Materialstege (16) jeder Schicht (12.2) Kreuzungspunkten
(1 7) der Materialstege (1 6) der benachbarter Schicht (12.2) in einer Achsrichtung senkrecht zu den Oberflächenseiten der Schichten (12.2) aneinander anschließen und dadurch Pfosten
(18) bilden, die sich über die gesamte Höhe der Kühl erstruktur erstrecken, und
dass die wenigstens eine äußere Metallisierung (9) von einer Folie aus dem metallischen Werkstoff gebildet ist, die durch DCB-Bonden oder Aktivlöten mit dem Substratkörpers (12) verbunden ist und eine Dicke im Bereich zwischen 0,02 mm - 1 mm aufweist.
Metall-Keramik-Substrat nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass jeder die
Kühl erstruktur bildende Strömungs- oder Kühlkanal (13, 26) ausschließlich in wenigstens zwei Schichten (12.2, 23, 24) aus Keramik vorgesehen ist.
Metall-Keramik-Substrat nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass jeder die Kühl erstruktur bildende Strömungs- oder Kühlkanal (13, 26) ausschließlich von keramischen Material begrenzt ist.
Metall-Keramik-Substrat nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein die Kühlerstruktur bildender Strömungs- oder Kühlkanal (13, 26) einseitig von einer Metallisierung begrenzt ist.
Metall-Keramik-Substrat nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der wenigstens eine Strömungskanal (1 3) bis an die äußere Metallisierung (9) oder wenigstens einen Bereich (9.2) der äußeren Metallisierung (9) reicht.
Metall-Keramik-Substrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, dass zwischen dem wenigstens einen Strömungskanal (1 3, 26) der Kühl erstruktur und wenigstens einer äußeren Metallisierung (9) zumindest eine Schicht (12.1 , 22, 23) aus Keramik vorgesehen ist, und dass vorzugsweise in dieser wenigstens einen Schicht (12.1 , 22, 23) aus Keramik wenigstens eine Durchkontaktierung (10) vorgesehen ist, die bis an die äußere Metallisierung (9) reicht.
Metall-Keramik-Substrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, dass die wenigstens eine Kühl erstruktur von wenigstens zwei,
vorzugsweise von mehreren aneinander anschließenden Schichten (12.2) aus Keramik gebildet ist, die jeweils an der wenigstens einen Kühlerstruktur eine Struktur mit einer Vielzahl von Öffnungen (15) und diese umgebenden Materialstegen (16) ausgebildet und derart gegeneinander versetzt angeordnet sind, dass jeder Öffnung (15) einer Schicht (12.2) ein Materialsteg einer benachbarten Schicht (12.2) gegenüberliegt und die Öffnungen (1 5) eine Kühlerstruktur mit sich verzweigenden Strömungswegen bilden, insbesondere mit Strömungswegen, die sich in Achsrichtungen parallel zu den Oberflächenseiten der Schichten (12.2) sowie senkrecht hierzu verzweigen, wobei vorzugsweise Kreuzungspunkte (1 7) der Materialstege (1 6) jeder Schicht (12.2) an Kreuzungspunkte (1 7) der Materialstege (16) benachbarter Schichten (12.2) in einer Achsrichtung senkrecht zu den
Oberflächenseiten der Schichten (12.2) aneinander anschließen, und zwar zur Ausbildung von Pfosten (18), die sich über die gesamte Höhe der Kühlerstruktur erstrecken.
Metall-Keramik-Substrat nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die von d
Kreuzungspunkten (1 7) gebildeten Pfosten (18) mit einem Kern (20) aus metallischem Werkstoff versehen sind.
10. Metall-Keramik-Substrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch wenigstens eine innere Metallisierung (1 9) sowie durch wenigstens eine
Durchkontaktierung (10) in wenigstens einer Schicht (12.1 , 12.2, 22 - 25, 30) aus Keramik, wobei die wenigstens eine Durchkontaktierung (10) zumindest einen Bereich (9.1 ) der wenigstens einen äußeren Metallisierung (9) mit einem Bereich einer inneren Metallisierung (19) und/oder wenigstens zwei durch die Schicht (12.1 , 12.2, 24) aus Keramik voneinander getrennte innere Metallisierungen (19) miteinander verbindet.
1 1 . Metall-Keramik-Substrat nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass sich die
wenigstens eine innere Metallisierung (1 9) und/oder Durchkontaktierung (10) außerhalb des die Kühl erstruktur bildenden Bereichs des Substratkörpers (12, 21 ) befinden. 12. Metall-Keramik-Substrat nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass sich
zumindest eine innere Metallisierung (19) zwischen zwei Schichten des Substratkörpers (12, 21 ) befindet, von denen wenigstens eine Schicht (12.2, 23, 24) auch die Kühl erstruktur mit dem wenigstens einen Strömungskanal (1 3, 26) bildet, und/oder
dass wenigstens eine Durchkontaktierung (10) in einer Schicht (12.2, 24) des
Substratkörpers (12, 21 ) vorgesehen ist, die zugleich Teil der Kühlerstruktur ist, und dass
sich diese Durchkontaktierung (10) außerhalb des Bereichs der Kühlerstruktur befindet.
13. Metall-Keramik-Substrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, dass die die wenigstens eine äußere Metallisierung (9) aufweisende Oberflächenseite des Substratkörpers (12, 21 ) von einer Schicht (22, 25) aus dem
keramischen Werkstoff gebildet ist.
14. Metall-Keramik-Substrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, dass der Substratkörper (21 ) an seinen beiden einander abgewandten und jeweils von einer Schicht (22, 25) aus dem keramischen Werkstoff gebildeten
Oberflächenseiten mit einer äußeren Metallisierung (9), vorzugsweise mit einer äußeren strukturierten Metallisierung (9) versehen ist, und dass vorzugsweise an beiden äußeren Metallisierungen (9) wenigstens ein Bauelement (1 1 ) angeordnet ist. 1 5. Metall-Keramik-Substrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, dass an einer Oberflächenseite des Substratkörpers (21 ) Anschlüsse (27, 28) zum Zuführen und/oder Abführen des Kühlmediums vorgesehen sind.
16. Metall-Keramik-Substrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, dass die äußeren Metallisierungen (9) von Folien aus einem metallischen
Werkstoff gebildet sind, vorzugsweise mit einer Dicke im Bereich zwischen 0,02 mm - 1 mm, beispielsweise im Bereich zwischen 0,1 5 mm und 0,6 mm.
1 7. Metall-Keramik-Substrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, dass die inneren Metallisierungen (1 9) in Dick- oder Dünnfilmtechnik durch Einbrennen einer elektrisch leitenden Paste hergestellt sind, und zwar mit einer Dicke kleiner als die Dicke der äußeren Metallisierungen (9).
18. Metall-Keramik-Substrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, dass der keramische Werkstoff wenigstens ein Material der nachstehenden
Gruppe Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid, Siliziumnitrid, Siliziumcarbid oder eine
Mischkeramik aus Aluminiumoxid und Zirkonoxid ist, und/oder
dass das Werkstoff der äußeren und inneren Metallisierungen (5, 9), sowie der
Durchkontaktierungen (10) Kupfer oder Kupferlegierung oder Aluminium oder eine Kupfer- oder Aluminiumlegierung ist.
19. Metall-Keramik-Substrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichten des Substratkörpers (12, 21 ) durch flächiges Bonden, vorzugsweise durch Aktivlöten und/oder DMB-Bonden und/oder durch Kleben und/oder durch Sinterbonden miteinander verbunden sind, und/oder
dass die wenigstens eine äußeren Metallisierung (9) durch flächiges Bonden, vorzugsweise durch Aktivlöten oder DMB-Bonden und/oder durch Kleben mit dem Substratkörper (2, 12, 21 ) verbunden ist.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102012106244.7A DE102012106244B4 (de) | 2012-07-11 | 2012-07-11 | Metall-Keramik-Substrat |
| DE102012106244.7 | 2012-07-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2014008891A2 true WO2014008891A2 (de) | 2014-01-16 |
| WO2014008891A3 WO2014008891A3 (de) | 2014-04-10 |
Family
ID=48979494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/DE2013/100255 Ceased WO2014008891A2 (de) | 2012-07-11 | 2013-07-10 | Metall-keramik-substrat |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE102012106244B4 (de) |
| WO (1) | WO2014008891A2 (de) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105188260A (zh) * | 2015-11-02 | 2015-12-23 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 印制电路板内嵌流道液冷换热装置 |
| CN105491822A (zh) * | 2016-02-04 | 2016-04-13 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 多层印制电路板集成液冷通道制作方法 |
| EP3038152A1 (de) * | 2014-12-26 | 2016-06-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Leiterplatte und halbleitergehäuse mit leiterplatte |
| CN107734840A (zh) * | 2017-11-29 | 2018-02-23 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 基于印制电路板三维微通道阵列液冷冷却结构 |
| CN107924897A (zh) * | 2015-09-18 | 2018-04-17 | 株式会社T.Rad | 层叠芯体型散热器 |
| CN107979913A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-05-01 | 珠海杰赛科技有限公司 | 一种中空内埋式盲槽散热印刷电路板 |
| WO2020234067A1 (de) * | 2019-05-20 | 2020-11-26 | Rogers Germany Gmbh | Verfahren zur herstellung eines metall-keramik-substrats und metall-keramik-substrat, hergestellt mit einem solchen verfahren |
| CN116056306A (zh) * | 2021-10-28 | 2023-05-02 | 中车时代电动汽车股份有限公司 | 一种印制电路板及电路板散热系统 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102015219565A1 (de) * | 2015-10-09 | 2017-04-13 | Continental Automotive Gmbh | Kühlkörper, Verfahren zur Herstellung eines Kühlkörpers und Elektronikmodul mit einem Kühlkörper |
| DE202016100481U1 (de) * | 2016-02-01 | 2017-05-04 | Gebr. Bode Gmbh & Co. Kg | Elektronikmodul mit einer Leistungshalbleiteranordnung |
| WO2018184948A1 (de) * | 2017-04-06 | 2018-10-11 | Ceramtec Gmbh | Zweiseitig gekühlter schaltkreis |
| DE102018112000B4 (de) * | 2018-05-18 | 2024-08-08 | Rogers Germany Gmbh | System zum Kühlen eines Metall-Keramik-Substrats, ein Metall-Keramik-Substrat und Verfahren zum Herstellen des Systems |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3744120A (en) | 1972-04-20 | 1973-07-10 | Gen Electric | Direct bonding of metals with a metal-gas eutectic |
| DE2213115A1 (de) | 1972-03-17 | 1973-09-27 | Siemens Ag | Verfahren zum hochfesten verbinden von karbiden, einschliesslich des diamanten, boriden, nitriden, siliziden mit einem metall nach dem trockenloetverfahren |
| DE2319854A1 (de) | 1972-04-20 | 1973-10-25 | Gen Electric | Verfahren zum direkten verbinden von metallen mit nichtmetallischen substraten |
| EP0153618A2 (de) | 1984-02-24 | 1985-09-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Verfahren zur Herstellung eines hochwärmeleitenden Substrates und Kupferleiterblech verwendbar in diesem Verfahren |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2578099B1 (fr) * | 1985-02-26 | 1987-12-04 | Eurofarad | Substrat monolithique pour composant electronique de puissance, et procede pour sa fabrication |
| DE3908996C2 (de) * | 1989-03-18 | 1993-09-30 | Abb Patent Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Flüssigkeitskühlkörpers |
| IT1286374B1 (it) * | 1995-12-19 | 1998-07-08 | Merloni Termosanitari Spa | Dispositivo per lo scambio di calore e/o materia |
| DE19710783C2 (de) * | 1997-03-17 | 2003-08-21 | Curamik Electronics Gmbh | Kühler zur Verwendung als Wärmesenke für elektrische Bauelemente oder Schaltkreise |
| DE19733455B4 (de) * | 1997-08-02 | 2012-03-29 | Curamik Electronics Gmbh | Wärmetauscheranordnung sowie Kühlsystem mit wenigstens einer derartigen Wärmetauscheranordnung |
| US6242075B1 (en) * | 1998-11-20 | 2001-06-05 | Hewlett-Packard Company | Planar multilayer ceramic structures with near surface channels |
| JP4031903B2 (ja) * | 1999-10-21 | 2008-01-09 | イェーノプティク アクチエンゲゼルシャフト | ダイオードレーザを冷却する装置 |
| DE19956565B4 (de) * | 1999-11-24 | 2006-03-30 | Laserline Gesellschaft für Entwicklung und Vertrieb von Diodenlasern mbH | Verfahren zum Herstellen einer Wärmesenke für elektrische Bauelemente |
| DE10035170B4 (de) * | 2000-07-19 | 2005-11-24 | Siemens Ag | Keramikkörper mit Temperiervorrichtung, Verfahren zum Herstellen und Verwendung des Keramikkörpers |
| DE10229711B4 (de) * | 2002-07-02 | 2009-09-03 | Curamik Electronics Gmbh | Halbleitermodul mit Mikrokühler |
| US20050189342A1 (en) * | 2004-02-23 | 2005-09-01 | Samer Kabbani | Miniature fluid-cooled heat sink with integral heater |
| JP4710460B2 (ja) * | 2005-07-20 | 2011-06-29 | 株式会社村田製作所 | セラミック多層基板、その製造方法、およびパワー半導体モジュール |
| CN100584169C (zh) * | 2006-04-21 | 2010-01-20 | 富准精密工业(深圳)有限公司 | 液冷散热装置 |
| EP1959528B1 (de) * | 2007-02-13 | 2017-04-12 | Laserline Gesellschaft für Entwicklung und Vertrieb von Diodenlasern mbH | Diodenlaseranordnung sowie Verfahren zum Herstellen einer solchen Anordnung |
| CN101689537B (zh) * | 2007-04-26 | 2013-08-21 | 陶瓷技术有限责任公司 | 用于元件或电路的冷却盒 |
| US20120006383A1 (en) * | 2008-11-20 | 2012-01-12 | Donnelly Sean M | Heat exchanger apparatus and methods of manufacturing cross reference |
| GB2494094A (en) * | 2010-06-18 | 2013-02-27 | Baker Hughes Inc | Apparatus for use downhole including devices having heat carrier channels |
-
2012
- 2012-07-11 DE DE102012106244.7A patent/DE102012106244B4/de active Active
-
2013
- 2013-07-10 WO PCT/DE2013/100255 patent/WO2014008891A2/de not_active Ceased
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2213115A1 (de) | 1972-03-17 | 1973-09-27 | Siemens Ag | Verfahren zum hochfesten verbinden von karbiden, einschliesslich des diamanten, boriden, nitriden, siliziden mit einem metall nach dem trockenloetverfahren |
| US3744120A (en) | 1972-04-20 | 1973-07-10 | Gen Electric | Direct bonding of metals with a metal-gas eutectic |
| DE2319854A1 (de) | 1972-04-20 | 1973-10-25 | Gen Electric | Verfahren zum direkten verbinden von metallen mit nichtmetallischen substraten |
| EP0153618A2 (de) | 1984-02-24 | 1985-09-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Verfahren zur Herstellung eines hochwärmeleitenden Substrates und Kupferleiterblech verwendbar in diesem Verfahren |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3038152A1 (de) * | 2014-12-26 | 2016-06-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Leiterplatte und halbleitergehäuse mit leiterplatte |
| CN107924897A (zh) * | 2015-09-18 | 2018-04-17 | 株式会社T.Rad | 层叠芯体型散热器 |
| CN105188260A (zh) * | 2015-11-02 | 2015-12-23 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 印制电路板内嵌流道液冷换热装置 |
| CN105491822A (zh) * | 2016-02-04 | 2016-04-13 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 多层印制电路板集成液冷通道制作方法 |
| CN107734840A (zh) * | 2017-11-29 | 2018-02-23 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 基于印制电路板三维微通道阵列液冷冷却结构 |
| CN107734840B (zh) * | 2017-11-29 | 2023-08-18 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 基于印制电路板三维微通道阵列液冷冷却结构 |
| CN107979913A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-05-01 | 珠海杰赛科技有限公司 | 一种中空内埋式盲槽散热印刷电路板 |
| WO2020234067A1 (de) * | 2019-05-20 | 2020-11-26 | Rogers Germany Gmbh | Verfahren zur herstellung eines metall-keramik-substrats und metall-keramik-substrat, hergestellt mit einem solchen verfahren |
| EP4234519A3 (de) * | 2019-05-20 | 2023-10-18 | Rogers Germany GmbH | Verfahren zur herstellung eines metall-keramik-substrats |
| US12058816B2 (en) | 2019-05-20 | 2024-08-06 | Rogers Germany Gmbh | Method for producing a metal-ceramic substrate, and metal-ceramic substrate produced using such a method |
| CN116056306A (zh) * | 2021-10-28 | 2023-05-02 | 中车时代电动汽车股份有限公司 | 一种印制电路板及电路板散热系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2014008891A3 (de) | 2014-04-10 |
| DE102012106244B4 (de) | 2020-02-20 |
| DE102012106244A1 (de) | 2014-05-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE102012106244B4 (de) | Metall-Keramik-Substrat | |
| DE102017217537B4 (de) | Leistungsmodul mit integrierter Kühleinrichtung | |
| EP3794638B1 (de) | System zum kühlen eines metall-keramik-substrats, ein metall-keramik- substrat und verfahren zum herstellen des systems | |
| EP1435505B1 (de) | Wärmesenke in Form einer Heat-Pipe sowie Verfahren zum Herstellen einer solchen Wärmesenke | |
| EP1989741B1 (de) | Verfahren zum herstellen von peltier-modulen | |
| WO2010136017A1 (de) | Gekühlte elektrische baueinheit | |
| DE102013109246B4 (de) | Kühlanordnung und Anordnung damit | |
| DE102009033029A1 (de) | Elektronische Vorrichtung | |
| DE19506093A1 (de) | Diodenlaserbauelement | |
| DE10229712B4 (de) | Halbleitermodul | |
| DE19956565B4 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Wärmesenke für elektrische Bauelemente | |
| EP1555079B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von aus Plattenstapeln bestehenden Kühlern oder Kühlerelementen, mit Fügemittel auf Innenflächen der Plattendurchbrüchen oder -öffnungen | |
| DE19527867A1 (de) | Metall-Substrat für elektrische und/oder elektronische Schaltkreise | |
| EP2108190B1 (de) | Elektronisches bauelementmodul und verfahren zu dessen herstellung | |
| DE102009022877B4 (de) | Gekühlte elektrische Baueinheit | |
| DE102019211109A1 (de) | Verfahren und Entwärmungskörper-Anordnung zur Entwärmung von Halbleiterchips mit integrierten elektronischen Schaltungen für leistungselektronische Anwendungen | |
| DE10103084B4 (de) | Halbleitermodul und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE10229711B4 (de) | Halbleitermodul mit Mikrokühler | |
| DE102012102787B4 (de) | Verfahren zum Herstellen von Metall-Keramik-Substraten | |
| DE102017129523A1 (de) | Multilagenpaket sowie Verfahren zu dessen Herstellung | |
| WO2017140572A1 (de) | Wärmespreizplatte mit mindestens einer kühlfinne, verfahren zur herstellung einer wärmespreizplatte mit mindestens einer kühlfinne, elektronikmodul | |
| DE102006011743A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Peltier-Modulen sowie Peltier-Modul | |
| DE102004002841B3 (de) | Verfahren zum Herstellen von Plattenstapeln, insbesondere von aus Plattenstapeln bestehenden Kühlern oder Kühlerelementen | |
| DE102004012232B4 (de) | Verfahren zum Herstellen von Plattenstapeln, insbesondere zum Herstellen von aus wenigstens einem Plattenstapel bestehenden Kühlern | |
| DE102008001228A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Verbundes mit zumindest einem nicht plattenförmigen Bauteil |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 13747958 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A2 |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 13747958 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A2 |