WO2014030355A1 - 配線基板 - Google Patents

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WO2014030355A1
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wiring board
insulating layer
base layer
connection terminal
opening
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English (en)
French (fr)
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智弘 西田
聖二 森
若園　誠
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Niterra Co Ltd
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NGK Spark Plug Co Ltd
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    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present invention relates to a wiring board.
  • connection terminals configured to be connectable to the semiconductor chip are formed.
  • Patent Document 1 in order to prevent an electrical short between connection terminals by a plating material, an insulating layer having an opening for exposing a plurality of connection terminals is formed, and insulation is provided between the plurality of connection terminals in the opening. It is described to plate a plurality of connection terminals after forming an object.
  • Patent Document 2 describes that in order to prevent an electrical short between connection terminals due to solder, the insulating layer formed between the connection terminals is thinned to be equal to or less than the thickness of the connection terminals.
  • connection terminals of the wiring substrate are soldered to the semiconductor chip, and in the gap between the wiring substrate and the semiconductor chip around the connection terminals, liquid hardenability also called underfill
  • the resin is filled (see, for example, Patent Document 3).
  • Patent Documents 1 and 2 take into consideration the prevention of shorting between connection terminals by plating or solder, the filling of the underfill around the connection terminals is not sufficiently considered, and the flow of the underfill is obstructed. There has been a problem that voids (voids) may be formed due to underfill filling failure. Also in Patent Document 3, the problem is that the flow of the underfill after being sucked into the gap between the wiring substrate and the semiconductor device is not sufficiently considered, and a void may be formed due to the underfill filling failure. was there.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and can be realized as the following modes.
  • a wiring board comprising: an insulating base layer; a first surface on which an opening is formed, the insulating layer being stacked on the base layer, and the opening
  • a wiring substrate comprising: an insulating layer having a second surface recessed to the base layer side with respect to the first surface inside; and a conductive connection terminal protruding from the insulating layer inside the opening. Be done.
  • the second surface is formed on the inner surface of the opening from the first surface to the connection terminal, and is a plane along the stacking direction in which the insulating layer is stacked on the base layer.
  • the angle between the normal line from the arbitrary point on the second surface to the outside of the insulating layer and the parallel line from the arbitrary point to the connection terminal parallel to the first surface is 0 ° Larger than 90 °.
  • the flow of the underfill can be stabilized by guiding the flow of the underfill to the connection terminal side in each part of the second surface. As a result, it is possible to suppress the formation of voids due to the underfill filling failure.
  • the second surface may be a curved surface.
  • the surface area of the second surface in contact with the underfill is increased as compared with the case where the second surface is a flat surface, so the adhesion between the second surface and the underfill is improved. be able to. Further, as compared with the case where the second surface is a flat surface, the stress of the insulating layer due to the curing of the underfill is reduced, so that the generation of a crack in the insulating layer can be suppressed.
  • the second surface may be a flat surface. According to the wiring board of this aspect, the distance that the underfill flows on the second surface is shorter than in the case where the second surface is a curved surface, so the time required for the underfill filling can be shortened. .
  • the surface roughness of the second surface may be rougher than that of the first surface.
  • the underfill can be distributed to each portion on the second surface by utilizing the capillary phenomenon without inhibiting the flow of the underfill.
  • the present invention can also be realized in various forms other than the wiring substrate.
  • the present invention can be realized in the form of an apparatus including a wiring board, a manufacturing method of manufacturing a wiring board, or the like.
  • FIG. 1 is a partial cross-sectional view schematically showing a configuration of a wiring board 10 in a first embodiment.
  • FIG. 2 is a partial cross-sectional view schematically showing the configuration of the wiring board 10 on which the semiconductor chip 20 is mounted.
  • the wiring substrate 10 is a plate-like member which is formed using an organic material and is also called an organic substrate (organic substrate).
  • the wiring substrate 10 is a flip chip mounting substrate on which the semiconductor chip 20 can be mounted.
  • the wiring substrate 10 includes a base layer 120, a conductor layer 130, and an insulating layer 140.
  • the wiring substrate 10 is formed by further forming the insulating layer 140 thereon.
  • the wiring substrate 10 may have a multilayer structure in which a plurality of conductor layers and a plurality of insulating layers are alternately stacked on the base layer 120, and such a multilayer structure may be formed on both sides of the base layer 120. You may have each.
  • FIG. 1 illustrates XYZ axes orthogonal to one another.
  • the XYZ axes in FIG. 1 correspond to the XYZ axes in the other figures.
  • an axis along the stacking direction of the insulating layer 140 with respect to the base layer 120 is taken as a Z axis.
  • the + Z-axis direction is from the base layer 120 toward the insulating layer 140, and the opposite direction to the + Z-axis direction is the ⁇ Z-axis direction.
  • two axes along the layer surface direction orthogonal to the Z axis are taken as an X axis and a Y axis.
  • the + X-axis direction is from the left to the right in the drawing, and the opposite direction to the + X-axis direction is the ⁇ X-axis.
  • the + Y-axis direction is from the front of the paper to the back of the paper, and the opposite direction to the + Y-axis is the ⁇ Y-axis.
  • the base layer 120 of the wiring substrate 10 is a plate-like member made of an insulating material.
  • the insulating material of the base layer 120 is a thermosetting resin (for example, bismaleimide-triazine resin (BT), epoxy resin, etc.).
  • the insulating material of the base layer 120 may be a fiber reinforced resin (eg, a glass fiber reinforced epoxy resin, etc.).
  • conductors for example, through holes, vias, etc.
  • conductors that form a part of the wiring connected to the conductor layer 130 are formed in the base layer 120.
  • the conductor layer 130 of the wiring substrate 10 is a conductor pattern made of a conductive material formed on the base layer 120.
  • the conductor layer 130 is formed by etching the copper plating layer formed on the surface of the base layer 120 into a desired shape.
  • the conductor layer 130 includes the connection terminal 132 exposed from the insulating layer 140 and the internal wiring 136 covered by the insulating layer 140.
  • connection terminal 132 of the conductor layer 130 is configured to be connectable to the connection terminal 232 of the semiconductor chip 20 via the solder SD, as shown in FIG.
  • the surface of the connection terminal 132 is plated.
  • the insulating layer 140 of the wiring substrate 10 is a layer made of an insulating material also called solder resist.
  • the insulating layer 140 has a first surface 141 and a second surface 142.
  • the first surface 141 of the insulating layer 140 is the surface of the insulating layer 140 in which the opening 150 is formed.
  • the first surface 141 is a surface facing the + Z-axis direction side along the X-axis and the Y-axis, and constitutes a surface on the + Z-axis direction side of the insulating layer 140.
  • the second surface 142 of the insulating layer 140 is a surface of the insulating layer 140 recessed toward the base layer 120 with respect to the first surface 141 inside the opening 150.
  • the connection terminal 132 of the conductor layer 130 is exposed from the second surface 142, and in the present embodiment, the connection terminal 132 protrudes from the second surface 142 in the + Z-axis direction.
  • one connection terminal 132 is provided on the second surface 142. In other embodiments, more than one connection terminal 132 may be provided on the second surface 142.
  • the cut surface of the wiring substrate 10 in FIG. 1 is a ZX plane parallel to the Z axis and the X axis.
  • the second surface 142 is formed from the connection point P1 connected to the first surface 141 to the connection point P2 connected to the connection terminal 132.
  • a point AP, a normal line NL, a parallel line PL, and an angle ⁇ are illustrated on the ZX plane.
  • the point AP is any point that constitutes the second surface 142 from the connection point P1 to the connection point P2.
  • the normal line NL is a line segment perpendicular to the tangent of the second surface 142 at an arbitrary point AP, and is a line directed from the arbitrary point AP to the outside of the insulating layer 140 (in the + Z-axis direction).
  • the parallel line PL is a line segment extending from an arbitrary point AP to the connection terminal 132 in parallel with the first surface 141. In the present embodiment, the parallel line PL is a line segment along the X axis.
  • the angle ⁇ between the normal line NL and the parallel line PL at an arbitrary point AP on the second surface 142 in the ZX plane is greater than 0 ° and less than 90 °.
  • the second surface 142 is a curved surface.
  • the first surface 141 side of the second surface 142 is a curved surface convex toward the outer side (the + Z-axis direction) of the insulating layer 140, and the connection terminal 132 side of the second surface 142 is the insulating layer It has a concave curved surface toward the inside of 140 (in the -Z-axis direction).
  • the surface roughness of the second surface 142 is rougher than that of the first surface 141.
  • the center line average roughness Ra of the second surface 142 is 0.06 to 0.8 ⁇ m (micrometers), and the ten-point average roughness Rz of the second surface 142 is 1.0 to 9 .0 ⁇ m.
  • the center line average roughness Ra of the first surface 141 is 0.02 to 0.25 ⁇ m, and the ten-point average roughness Rz of the first surface 141 is , 0.6 to 5.0 ⁇ m.
  • the insulating layer 140 is formed by applying a photocurable insulating resin on the base layer 120 on which the conductor layer 130 is formed, and then performing exposure and development.
  • the opening 150 in the insulating layer 140 corresponds to the masked portion during exposure, and the second surface 142 of the insulating layer 140 is formed by washing away the uncured portion during development.
  • the first surface 141 and the second surface 142 in the insulating layer 140 are integrally formed as a part constituting a single layer.
  • the shape and surface roughness of the second surface 142 include the material of the photocurable insulating resin, the shape of the mask at the time of exposure, the intensity of irradiation light at the time of exposure, the irradiation time and the irradiation angle, etc. It is realized by adjusting.
  • connection terminal 132 When mounting the semiconductor chip 20 on the wiring substrate 10, as shown in FIG. 2, the connection terminal 132 is soldered to the connection terminal 232 of the semiconductor chip 20, and the second surface 142 in the opening 150 and the semiconductor chip The underfill 30 is filled in the space formed between it and 20.
  • the flow of the underfill 30 can be stabilized. As a result, it is possible to suppress the formation of voids due to the filling failure of the underfill 30.
  • the second surface 142 is a curved surface
  • the surface area of the second surface 142 in contact with the underfill 30 is increased as compared with the case where the second surface 142 is a flat surface.
  • the adhesion to the film 30 can be improved.
  • the stress of the insulating layer 140 due to the curing of the underfill 30 is reduced as compared to the case where the second surface 142 is a flat surface, generation of cracks in the insulating layer 140 can be suppressed. .
  • FIG. 3 is a partial cross-sectional view schematically showing a configuration of a wiring board 10B in a second embodiment.
  • the same components as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals and the description thereof is omitted.
  • the wiring board 10B of the second embodiment is the same as the first embodiment except that the shape of the second surface 142 is different.
  • the second surface 142 of the second embodiment is the same as the first embodiment except that the second surface 142 is a concave curved surface from the connection point P1 to the connection point P2 toward the inner side (-Z-axis direction) of the insulating layer 140. .
  • the angle ⁇ between the normal line NL and the parallel line PL at an arbitrary point AP on the second surface 142 is larger than 0 ° and larger than 90 °. small.
  • the angle ⁇ increases as the position of an arbitrary point AP moves from the connection point P1 to the connection point P2.
  • the formation of a void due to the filling failure of the underfill 30 can be suppressed.
  • the adhesion between the second surface 142 and the underfill 30 can be improved as in the first embodiment.
  • the second surface 142 is a curved surface, the occurrence of cracks in the insulating layer 140 can be suppressed as in the first embodiment.
  • FIG. 4 is a partial cross-sectional view schematically showing a configuration of a wiring board 10C in a third embodiment.
  • the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
  • the wiring substrate 10C of the third embodiment is the same as the first embodiment except that the shape of the second surface 142 is different.
  • the second surface 142 of the third embodiment is the same as the first embodiment except that it is a flat surface.
  • the second surface 142 comprises a plane extending from the connection point P1 to the connection point P2.
  • an angle ⁇ between the normal line NL and the parallel line PL at an arbitrary point AP on the second surface 142 is larger than 0 ° and larger than 90 °. small.
  • the angle ⁇ is constant regardless of the position of any point AP from the connection point P1 to the connection point P2.
  • the formation of a void due to the filling failure of the underfill 30 can be suppressed. Moreover, since the distance in which the underfill 30 flows on the 2nd surface 142 becomes short compared with the case where the 2nd surface 142 consists of curved surfaces, the time required for the filling of the underfill 30 can be shortened.
  • FIG. 5 is a partial cross-sectional view schematically showing a configuration of a wiring board 10D in a fourth embodiment.
  • the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the descriptions thereof will be omitted.
  • the wiring board 10D of the fourth embodiment is the same as the first embodiment except that the shape of the second surface 142 is different.
  • the second surface 142 of the fourth embodiment is the same as the first embodiment except that it is a flat surface.
  • the second surface 142 includes a plane extending from the connection point P1 to the midpoint MP and a plane extending from the midpoint MP to the connection point P2.
  • the midpoint MP is a point on the second surface 142 located between the connection point P1 and the connection point P2.
  • the angle ⁇ between the normal line NL and the parallel line PL at an arbitrary point AP on the second surface 142 is larger than 0 ° and larger than 90 °. small.
  • the position of an arbitrary point AP is closer to the connection point P2 than the intermediate point MP than when the position of the arbitrary point AP is closer to the connection point P1 than the intermediate point MP. The case is bigger.
  • the formation of voids due to the filling failure of the underfill 30 can be suppressed. Moreover, since the distance in which the underfill 30 flows on the 2nd surface 142 becomes short compared with the case where the 2nd surface 142 consists of curved surfaces, the time required for the filling of the underfill 30 can be shortened.
  • Embodiments The present invention is not limited to the above-described embodiments, examples, and modifications, and can be realized in various configurations without departing from the scope of the invention.
  • the technical features in the embodiments, examples, and modifications corresponding to the technical features in the respective forms described in the section of the summary of the invention are for solving some or all of the problems described above, or It is possible to replace or combine as appropriate in order to achieve part or all of the above-mentioned effects.
  • the technical features are not described as essential in the present specification, they can be deleted as appropriate.
  • the second surface 142 can be realized in various shapes as long as 0 ° ⁇ ⁇ 90 ° is satisfied.
  • the second surface 142 may be a curved surface having three or more inflection points between the connection point P1 and the connection point P2.
  • the second surface 142 may be configured of three or more planes having different values of the angle ⁇ between the connection point P1 and the connection point P2.
  • the second surface 142 may have a shape that is a combination of a curved surface and a flat surface.
  • Wiring board 20 Semiconductor chip 30 ... Underfill 120 ... base layer 130 ... conductor layer 132 ... connection terminal 136 ... Internal wiring 140: Insulating layer 141: first surface 142: second surface 150 ... opening 232 ... connection terminal SD ... Solder P1 ... connection point P2 ... connection point MP ... midpoint AP ... any point NL ... normal PL ... parallel lines

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

配線基板において、アンダーフィルの充填不良によるボイドの形成を抑制する。配線基板は、絶縁性の基層と；基層に積層された絶縁層と；開口部の内側において絶縁層から突出した導電性の接続端子とを備える。絶縁層は、開口部が形成された第１表面と、開口部の内側において第１表面に対して基層側に窪んだ第２表面とを有する。第２表面は、開口部の内側において第１表面から接続端子にわたって形成される。基層に対して絶縁層が積層された積層方向に沿った平面である切断面において、第２表面における任意の点から絶縁層の外側に向かう法線と、その任意の点から第１表面と平行に接続端子に向かう平行線とがなす角度は、０°より大きく９０°より小さい。

Description

配線基板
本発明は、配線基板に関する。
配線基板には、半導体チップを実装可能に構成されたものが知られている（例えば、特許文献１，２を参照）。このような配線基板には、半導体チップと接続可能に構成された接続端子が形成されている。　
特許文献１には、メッキ材料による接続端子間の電気的な短絡を防止するために、複数の接続端子を露出させる開口を有する絶縁層を形成し、その開口における複数の接続端子の間に絶縁物を形成した後、複数の接続端子にメッキを施すことが記載されている。特許文献２には、ハンダによる接続端子間の電気的な短絡を防止するために、接続端子間に形成した絶縁層を接続端子の厚み以下になるまで薄くすることが記載されている。　
配線基板に対する半導体チップの実装時には、配線基板の接続端子は、半導体チップに対してハンダ付けされると共に、接続端子の周囲における配線基板と半導体チップとの隙間には、アンダーフィルとも呼ばれる液状硬化性樹脂が充填される（例えば、特許文献３を参照）。
特開２００７－１０３６４８号公報 特開２０１１－１９２６９２号公報 特開２０１０－１５３４９５号公報
特許文献１，２では、メッキやハンダによる接続端子間の短絡防止について考慮されているが、接続端子の周囲に対するアンダーフィルの充填について十分に考慮されておらず、アンダーフィルの流れが阻害され、アンダーフィルの充填不良によるボイド（空洞）が形成される場合があるという課題があった。特許文献３においても、配線基板と半導体値婦との隙間に吸い込まれた後のアンダーフィルの流れについて十分に考慮されておらず、アンダーフィルの充填不良によるボイドが形成される場合があるという課題があった。
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。　
（１）本発明の一形態によれば、配線基板であって、絶縁性の基層と；前記基層に積層された絶縁層であって、開口部が形成された第１表面と、前記開口部の内側において前記第１表面に対して前記基層側に窪んだ第２表面とを有する絶縁層と；前記開口部の内側において前記絶縁層から突出した導電性の接続端子とを備える配線基板が提供される。この配線基板において、前記第２表面は、前記開口部の内側において前記第１表面から前記接続端子にわたって形成され、前記基層に対して前記絶縁層が積層された積層方向に沿った平面である切断面において、前記第２表面における任意の点から前記絶縁層の外側に向かう法線と、前記任意の点から前記第１表面と平行に前記接続端子に向かう平行線とがなす角度は、０°より大きく９０°より小さい。この形態の配線基板によれば、第２表面の各部においてアンダーフィルの流れを接続端子側へと誘導することによって、アンダーフィルの流れを安定化させることができる。その結果、アンダーフィルの充填不良によるボイドの形成を抑制することができる。　
（２）上記形態の配線基板において、前記第２表面は、曲面からなってもよい。この形態の配線基板によれば、第２表面が平面からなる場合と比較して、アンダーフィルと接触する第２表面の表面積が増加するため、第２表面とアンダーフィルとの密着性を向上させることができる。また、第２表面が平面からなる場合と比較して、アンダーフィルの硬化に伴う絶縁層の応力が軽減されるため、絶縁層におけるひび割れ（クラック）の発生を抑制することができる。　
（３）上記形態の配線基板において、前記第２表面は、平面からなってもよい。この形態の配線基板によれば、第２表面が曲面からなる場合と比較して、アンダーフィルが第２表面上を流れる距離が短くなるため、アンダーフィルの充填に要する時間を短縮することができる。　
（４）上記形態の配線基板において、前記第２表面の表面粗さは、前記第１表面よりも粗くてもよい。この形態の配線基板によれば、アンダーフィルの流れ性を阻害することなく、毛細管現象を利用してアンダーフィルを第２表面上の各部に行き渡らせることができる。　
本発明は、配線基板以外の種々の形態で実現することも可能である。例えば、配線基板を備える装置、配線基板を製造する製造方法などの形態で実現することができる。
第１実施形態における配線基板の構成を模式的に示す部分断面図である。 半導体チップを実装した配線基板の構成を模式的に示す部分断面図である。 第２実施形態における配線基板の構成を模式的に示す部分断面図である。 第３実施形態における配線基板の構成を模式的に示す部分断面図である。 第４実施形態における配線基板の構成を模式的に示す部分断面図である。
Ａ．第１実施形態：　図１は、第１実施形態における配線基板１０の構成を模式的に示す部分断面図である。図２は、半導体チップ２０を実装した配線基板１０の構成を模式的に示す部分断面図である。配線基板１０は、有機材料を用いて形成され、有機基板（オーガニック基板）とも呼ばれる板状の部材である。本実施形態では、配線基板１０は、図２に示すように、半導体チップ２０を実装可能に構成されたフリップチップ実装基板である。　
配線基板１０は、基層１２０と、導体層１３０と、絶縁層１４０とを備える。本実施形態では、配線基板１０は、基層１２０上に導体層１３０を形成した後、その上に更に絶縁層１４０を形成してなる。他の実施形態では、配線基板１０は、基層１２０上に複数の導体層と複数の絶縁層とを交互に積層した多層構造を有するとしてもよいし、このような多層構造を基層１２０の両面にそれぞれ有するとしてもよい。　
図１には、相互に直交するＸＹＺ軸を図示した。図１のＸＹＺ軸は、他の図におけるＸＹＺ軸に対応する。図１のＸＹＺ軸のうち、基層１２０に対する絶縁層１４０の積層方向に沿った軸をＺ軸とする。Ｚ軸に沿ったＺ軸方向のうち、基層１２０から絶縁層１４０に向かって＋Ｚ軸方向とし、＋Ｚ軸方向の反対方向を－Ｚ軸方向とする。図１のＸＹＺ軸のうち、Ｚ軸に直交する層面方向に沿った２つの軸をＸ軸およびＹ軸とする。図１の説明では、Ｘ軸に沿ったＸ軸方向のうち、紙面左から紙面右に向かって＋Ｘ軸方向とし、＋Ｘ軸方向の反対方向を－Ｘ軸方向とする。図１の説明では、Ｙ軸に沿ったＹ軸方向のうち、紙面手前から紙面奥に向かって＋Ｙ軸方向とし、＋Ｙ軸方向の反対方向を－Ｙ軸方向とする。　
配線基板１０の基層１２０は、絶縁性材料からなる板状の部材である。本実施形態では、基層１２０の絶縁性材料は、熱硬化性樹脂（例えば、ビスマレイミドトリアジン樹脂（Bismaleimide-Triazine Resin、ＢＴ）、エポキシ樹脂など）である。他の実施形態では、基層１２０の絶縁性材料は、繊維強化樹脂（例えば、ガラス繊維強化エポキシ樹脂など）であってもよい。図１および図２には図示しないが、基層１２０の内部には、導体層１３０に接続する配線の一部を構成する導体（例えば、スルーホール、ビアなど）が形成されている。　
配線基板１０の導体層１３０は、基層１２０上に形成された導電性材料からなる導体パターンである。本実施形態では、導体層１３０は、基層１２０の表面上に形成された銅メッキ層を所望の形状にエッチングすることによって形成される。導体層１３０は、絶縁層１４０から露出した接続端子１３２と、絶縁層１４０によって被覆された内部配線１３６とを含む。　
導体層１３０の接続端子１３２は、図２に示すように、ハンダＳＤを介して半導体チップ２０の接続端子２３２と接続可能に構成されている。本実施形態では、接続端子１３２の表面には、メッキが施されている。　
配線基板１０の絶縁層１４０は、ソルダレジストとも呼ばれる絶縁性材料からなる層である。絶縁層１４０は、第１表面１４１と、第２表面１４２とを有する。　
絶縁層１４０の第１表面１４１は、開口部１５０が形成された絶縁層１４０の表面である。本実施形態では、第１表面１４１は、Ｘ軸およびＹ軸に沿って＋Ｚ軸方向側を向いた面であり、絶縁層１４０の＋Ｚ軸方向側の表面を構成する。　
絶縁層１４０の第２表面１４２は、開口部１５０の内側において第１表面１４１に対して基層１２０側に窪んだ絶縁層１４０の表面である。第２表面１４２からは、導体層１３０の接続端子１３２が露出しており、本実施形態では、接続端子１３２は、第２表面１４２から＋Ｚ軸方向側に突出している。本実施形態では、第２表面１４２には、１つの接続端子１３２が設けられている。他の実施形態では、２つ以上の接続端子１３２が第２表面１４２に設けられていてもよい。　
図１における配線基板１０の切断面は、Ｚ軸およびＸ軸に平行なＺＸ平面である。ＺＸ平面において、第２表面１４２は、第１表面１４１に接続する接続点Ｐ１から、接続端子１３２に接続する接続点Ｐ２にわたって形成されている。　
図１には、点ＡＰと、法線ＮＬと、平行線ＰＬと、角度θとが、ＺＸ平面上に図示されている。点ＡＰは、接続点Ｐ１から接続点Ｐ２にわたる第２表面１４２を構成する任意の点である。法線ＮＬは、任意の点ＡＰにおける第２表面１４２の接線に垂直な線分であって、任意の点ＡＰから絶縁層１４０の外側（＋Ｚ軸方向）に向かう線分である。平行線ＰＬは、任意の点ＡＰから第１表面１４１と平行に接続端子１３２に向かう線分である。本実施形態では、平行線ＰＬは、Ｘ軸に沿った線分である。ＺＸ平面において、第２表面１４２上の任意の点ＡＰにおける法線ＮＬと平行線ＰＬとがなす角度θは、０°より大きく９０°より小さい。　
本実施形態では、第２表面１４２は、曲面からなる。本実施形態では、第２表面１４２における第１表面１４１側は、絶縁層１４０の外側（＋Ｚ軸方向）に向けて凸状の曲面からなり、第２表面１４２における接続端子１３２側は、絶縁層１４０の内側（－Ｚ軸方向）に向けて凹状の曲面からなる。　
本実施形態では、第２表面１４２の表面粗さは、第１表面１４１よりも粗い。本実施形態では、第２表面１４２の中心線平均粗さＲａは、０．０６～０．８μｍ（マイクロメートル）であり、第２表面１４２の十点平均粗さＲｚは、１．０～９．０μｍである。このような第２表面１４２の表面粗さに対して、第１表面１４１の中心線平均粗さＲａは、０．０２～０．２５μｍであり、第１表面１４１の十点平均粗さＲｚは、０．６～５．０μｍである。
本実施形態では、絶縁層１４０は、導体層１３０が形成された基層１２０上に光硬化型絶縁性樹脂を塗布した後、露光、現像を経て形成される。絶縁層１４０における開口部１５０は、露光時にマスクされた部分に相当し、現像時に未硬化部分が洗い流されることによって、絶縁層１４０における第２表面１４２が形成される。このように、絶縁層１４０における第１表面１４１および第２表面１４２は、単一の層を構成する部位として一体的に形成される。本実施形態では、第２表面１４２の形状および表面粗さは、光硬化型絶縁性樹脂の材質、露光時におけるマスクの形状、並びに、露光時における照射光の強度、照射時間および照射角度などを調整することによって実現される。　
配線基板１０に対する半導体チップ２０の実装時には、図２に示すように、接続端子１３２は、半導体チップ２０の接続端子２３２に対してハンダ付けされると共に、開口部１５０における第２表面１４２と半導体チップ２０との間に形成される隙間には、アンダーフィル３０が充填される。　
以上説明した第１実施形態によれば、

第２表面１４２の各部においてアンダーフィル３０の流れを接続端子１３２側へと誘導することによって、

アンダーフィル３０の流れを安定化させることができる。

その結果、アンダーフィル３０の充填不良によるボイドの形成を抑制することができる。　
また、第２表面１４２が曲面からなることから、第２表面１４２が平面からなる場合と比較して、アンダーフィル３０と接触する第２表面１４２の表面積が増加するため、第２表面１４２とアンダーフィル３０との密着性を向上させることができる。また、第２表面１４２が平面からなる場合と比較して、アンダーフィル３０の硬化に伴う絶縁層１４０の応力が軽減されるため、絶縁層１４０におけるひび割れ（クラック）の発生を抑制することができる。　
Ｂ．第２実施形態：　図３は、第２実施形態における配線基板１０Ｂの構成を模式的に示す部分断面図である。第２実施形態の説明において、第１実施形態と同様の構成については同一符号を付すと共に説明を省略する。　
第２実施形態の配線基板１０Ｂは、第２表面１４２の形状が異なる点を除き、第１実施形態と同様である。第２実施形態の第２表面１４２は、接続点Ｐ１から接続点Ｐ２にわたって絶縁層１４０の内側（－Ｚ軸方向）に向けて凹状の曲面からなる点を除き、第１実施形態と同様である。第２実施形態では、第１実施形態と同様に、ＺＸ平面において、第２表面１４２上の任意の点ＡＰにおける法線ＮＬと平行線ＰＬとがなす角度θは、０°より大きく９０°より小さい。第２実施形態では、接続点Ｐ１から接続点Ｐ２に向けて任意の点ＡＰの位置が移動するにつれて、角度θは大きくなる。　
以上説明した第２実施形態によれば、第１実施形態と同様に、アンダーフィル３０の充填不良によるボイドの形成を抑制することができる。また、第２表面１４２が曲面からなることから、第１実施形態と同様に、第２表面１４２とアンダーフィル３０との密着性を向上させることができる。また、第２表面１４２が曲面からなることから、第１実施形態と同様に、絶縁層１４０におけるひび割れの発生を抑制することができる。　
Ｃ．第３実施形態：　図４は、第３実施形態における配線基板１０Ｃの構成を模式的に示す部分断面図である。第３実施形態の説明において、第１実施形態と同様の構成については同一符号を付すと共に説明を省略する。　
第３実施形態の配線基板１０Ｃは、第２表面１４２の形状が異なる点を除き、第１実施形態と同様である。第３実施形態の第２表面１４２は、平面からなる点を除き、第１実施形態と同様である。第３実施形態では、第２表面１４２は、接続点Ｐ１から接続点Ｐ２にわたる平面からなる。　
第３実施形態では、第１実施形態と同様に、ＺＸ平面において、第２表面１４２上の任意の点ＡＰにおける法線ＮＬと平行線ＰＬとがなす角度θは、０°より大きく９０°より小さい。第３実施形態では、任意の点ＡＰの位置が接続点Ｐ１から接続点Ｐ２までのいずれの位置であっても、角度θは一定である。　
以上説明した第３実施形態によれば、第１実施形態と同様に、アンダーフィル３０の充填不良によるボイドの形成を抑制することができる。また、第２表面１４２が曲面からなる場合と比較して、アンダーフィル３０が第２表面１４２上を流れる距離が短くなるため、アンダーフィル３０の充填に要する時間を短縮することができる。　
Ｄ．第４実施形態：　図５は、第４実施形態における配線基板１０Ｄの構成を模式的に示す部分断面図である。第４実施形態の説明において、第１実施形態と同様の構成については同一符号を付すと共に説明を省略する。　
第４実施形態の配線基板１０Ｄは、第２表面１４２の形状が異なる点を除き、第１実施形態と同様である。第４実施形態の第２表面１４２は、平面からなる点を除き、第１実施形態と同様である。第４実施形態では、第２表面１４２は、接続点Ｐ１から中間点ＭＰにわたる平面と、中間点ＭＰから接続点Ｐ２にわたる平面とからなる。中間点ＭＰは、接続点Ｐ１と接続点Ｐ２との間に位置する第２表面１４２上の点である。　
第４実施形態では、第１実施形態と同様に、ＺＸ平面において、第２表面１４２上の任意の点ＡＰにおける法線ＮＬと平行線ＰＬとがなす角度θは、０°より大きく９０°より小さい。第４実施形態では、角度θは、任意の点ＡＰの位置が中間点ＭＰよりも接続点Ｐ１側である場合よりも、任意の点ＡＰの位置が中間点ＭＰよりも接続点Ｐ２側である場合の方が大きい。　
以上説明した第４実施形態によれば、第１実施形態と同様に、アンダーフィル３０の充填不良によるボイドの形成を抑制することができる。また、第２表面１４２が曲面からなる場合と比較して、アンダーフィル３０が第２表面１４２上を流れる距離が短くなるため、アンダーフィル３０の充填に要する時間を短縮することができる。　
Ｅ．他の実施形態：　本発明は、上述の実施形態や実施例、変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、実施例、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部または全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部または全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。　
第２表面１４２は、０°＜θ＜９０°を満たす限り、種々の形状で実現することができる。例えば、第２表面１４２は、接続点Ｐ１と接続点Ｐ２との間に３つ以上の変曲点を有する曲面であってもよい。また、第２表面１４２は、接続点Ｐ１と接続点Ｐ２との間に角度θの値が異なる３つ以上の平面から構成されてもよい。また、第２表面１４２は、曲面と平面との組み合わせからなる形状であってもよい。
１０，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ…配線基板

　　２０…半導体チップ

　　３０…アンダーフィル

　　１２０…基層

　　１３０…導体層

　　１３２…接続端子

　　１３６…内部配線

　　１４０…絶縁層

　　１４１…第１表面

　　１４２…第２表面

　　１５０…開口部

　　２３２…接続端子

　　ＳＤ…ハンダ

　　Ｐ１…接続点

　　Ｐ２…接続点

　　ＭＰ…中間点

　　ＡＰ…任意の点

　　ＮＬ…法線

　　ＰＬ…平行線

Claims (4)

  1. 絶縁性の基層と、

    　前記基層に積層された絶縁層であって、

    　　開口部が形成された第１表面と、

    　　前記開口部の内側において前記第１表面に対して前記基層側に窪んだ第２表面と

    　を有する絶縁層と、

    　前記開口部の内側において前記絶縁層から突出した導電性の接続端子と

    　を備える配線基板であって、

    　前記第２表面は、前記開口部の内側において前記第１表面から前記接続端子にわたって形成され、

    　前記基層に対して前記絶縁層が積層された積層方向に沿った平面である切断面において、前記第２表面における任意の点から前記絶縁層の外側に向かう法線と、前記任意の点から前記第１表面と平行に前記接続端子に向かう平行線とがなす角度は、０°より大きく９０°より小さいことを特徴とする配線基板。
  2. 前記第２表面は、曲面からなる請求項１に記載の配線基板。
  3. 前記第２表面は、平面からなる請求項１に記載の配線基板。
  4. 前記第２表面の表面粗さは、前記第１表面よりも粗い請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の配線基板。
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