WO2014046093A1 - 異方性導電接着剤 - Google Patents

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士行 蟹澤
秀次 波木
青木 正治
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Definitions

  • the present invention relates to an anisotropic conductive adhesive in which conductive particles are dispersed, and in particular, can dissipate heat generated by a chip (element) such as a driver IC (Integrated Circuit) or LED (Light Emitting Diode).
  • a chip such as a driver IC (Integrated Circuit) or LED (Light Emitting Diode).
  • the present invention relates to an anisotropic conductive adhesive.
  • the wire bonding method is such that the electrodes (first conductivity type electrode 104a and second conductivity type electrode 102a) of the LED element face upward, and the LED element and the substrate are electrically joined. Is performed by wire bonding (WB) 301a and 301b, and a die bonding material 302 is used for bonding the LED element and the substrate.
  • WB wire bonding
  • the LED element electrodes (first conductivity type electrode 104a and second conductivity type electrode 102a) are directed to the substrate side (face down, flip chip) as shown in FIG.
  • the electrode surface of the LED element is directed to the substrate side (face down, flip chip), and the electrical connection and adhesion between the LED element and the substrate are insulative.
  • an anisotropic conductive adhesive in which conductive particles 306 are dispersed in an adhesive binder 305. Since the anisotropic conductive adhesive has a short bonding process, the production efficiency is good.
  • An anisotropic conductive adhesive is inexpensive and excellent in transparency, adhesiveness, heat resistance, mechanical strength, electrical insulation, and the like.
  • FC mounting LED element can be designed to have a large electrode area by the passivation 105, bumpless mounting is possible. Further, the light extraction efficiency is improved by providing a reflective film under the light emitting layer.
  • Gold-tin eutectic bonding is a method in which a chip electrode is formed of an alloy 307 of gold and tin, a flux is applied to a substrate, the chip is mounted and heated, and eutectic bonding is performed with the substrate electrode.
  • solder connection method has a bad yield because there is an adverse effect on reliability due to chip displacement during heating or flux that could not be cleaned.
  • advanced mounting technology is required.
  • solder connection method As a method not using gold-tin eutectic, there is a solder connection method using a solder paste for electrical connection between the electrode surface of the LED element and the substrate, as shown in FIG.
  • solder connection method since the paste has isotropic conductivity, the pn electrodes are short-circuited and the yield is poor.
  • the electrical connection and adhesion between the LED element and the substrate are different from each other, such as ACF in which conductive particles are dispersed in an insulating binder, as in FIG.
  • ACF in which conductive particles are dispersed in an insulating binder
  • anisotropic conductive adhesive is filled with an insulating binder between the pn electrodes. Accordingly, the yield is good because short-circuiting hardly occurs. Moreover, since the bonding process is short, the production efficiency is good.
  • the active layer 103 is located on the substrate side, so that heat is efficiently transferred to the substrate side.
  • FIGS. 7 and 10 when the electrodes are joined with the conductive pastes 303a and 303b, heat can be radiated with high efficiency, but the connection with the conductive pastes 303a and 303b is connected as described above. Reliability is bad. Further, as shown in FIG. 9, even when gold-tin eutectic bonding is performed, the connection reliability is poor as described above.
  • the thermal conductivity of the cured product of the conventional anisotropic conductive adhesive is about 0.2 W / (m ⁇ K)
  • the heat generated from the LED element cannot be sufficiently released to the substrate side.
  • the conductive particles in the electrical connection portion serve as a heat dissipation path, so that the heat dissipation is poor.
  • the present invention has been proposed in view of such conventional circumstances, and provides an anisotropic conductive adhesive capable of obtaining high heat dissipation.
  • the present inventor has found that the above object can be achieved by blending conductive particles having a conductive metal layer formed on the surface of resin particles with solder particles. It came to complete.
  • the anisotropic conductive adhesive according to the present invention is characterized in that conductive particles in which a conductive metal layer is formed on the surface of resin particles and solder particles are dispersed in an adhesive component.
  • connection structure the terminal of the first electronic component and the terminal of the second electronic component are electrically connected via the conductive particles in which the conductive metal layer is formed on the surface of the resin particles.
  • the terminal of the first electronic component and the terminal of the second electronic component are solder-bonded.
  • the conductive particles are flattened by pressing at the time of pressure bonding, and the solder particles are crushed and soldered, so that the contact area between the opposing terminals is increased and high heat dissipation is obtained.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing between opposing terminals before crimping.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing between terminals facing each other after crimping.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of an LED mounting body according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of an LED mounting body according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a graph showing the thermal resistance value with respect to the blending amount of solder particles.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of an LED mounting body by a wire bond method.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of an LED mounting body using a conductive paste.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing an example of an LED mounting body using an anisotropic conductive adhesive.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing an example of an LED mounting body in which an FC mounting LED is mounted by gold-tin eutectic bonding.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating an example of an LED mounting body in which an FC mounting LED is mounted using a conductive paste.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing an example of an LED mounting body in which an FC mounting LED is mounted with an anisotropic conductive adhesive.
  • the anisotropic conductive adhesive in the present embodiment is a conductive particle in which a conductive metal layer is formed on the surface of resin particles and solder particles dispersed in a binder (adhesive component).
  • the shape is a paste, a film, etc., and can be appropriately selected according to the purpose.
  • FIG. 1 and FIG. 2 are cross-sectional views schematically showing the terminals facing each other before and after crimping, respectively.
  • the conductive particles 31 and the solder particles 32 can be present between the terminals before the pressure bonding by adopting a configuration in which the anisotropic conductive adhesive is described later.
  • bonding since the electroconductive particle 31 which uses the resin particle for a core material deform
  • the solder particles 32 are crushed following the flat deformation of the conductive particles and are metal-bonded by soldering by heating, so that the area in contact with the terminals is increased, and heat dissipation and electrical characteristics can be improved. it can.
  • the conductive particles of the resin core relieve stress generated due to the difference in thermal expansion between the substrate and the element, it is possible to prevent cracks from occurring in the solder joints and improve connection reliability.
  • Conductive particles are coated with metal such as Au, Ni, Zn on the surface of resin particles such as epoxy resin, phenol resin, acrylic resin, acrylonitrile / styrene (AS) resin, benzoguanamine resin, divinylbenzene resin, styrene resin, etc.
  • resin particles such as epoxy resin, phenol resin, acrylic resin, acrylonitrile / styrene (AS) resin, benzoguanamine resin, divinylbenzene resin, styrene resin, etc.
  • Metal-coated resin particles Since the metal-coated resin particles are easily crushed and easily deformed during compression, the contact area with the wiring pattern can be increased, and variations in the height of the wiring pattern can be absorbed.
  • the blending amount of the conductive particles is preferably 1 to 30% by volume with respect to the binder from the viewpoint of connection reliability and insulation reliability.
  • the average particle diameter (D50) of the conductive particles is preferably 1 to 10 ⁇ m, more preferably 2 to 6 ⁇ m.
  • the solder particles are, for example, Sn—Pb, Pb—Sn—Sb, Sn—Sb, Sn—Pb—Bi, Bi—Sn, Sn—Cu, Sn, Cu, JISZ 3282-1999. It can be appropriately selected from —Pb—Cu, Sn—In, Sn—Ag, Sn—Pb—Ag, Pb—Ag, and the like according to the electrode material, connection conditions, and the like. Further, the shape of the solder particles can be appropriately selected from granular, flake shaped, and the like. Note that the solder particles may be covered with an insulating layer in order to improve anisotropy.
  • the amount of solder particles is preferably 1 to 30% by volume. If the blending amount of the solder particles is too small, excellent heat dissipation cannot be obtained, and if the blending amount is too large, anisotropy is impaired and connection reliability cannot be obtained.
  • the average particle size (D50) of the solder particles is preferably 25 to 400% of the average particle size of the conductive particles. If the solder particles are too small with respect to the conductive particles, the solder particles are not captured between the terminals facing each other at the time of pressure bonding, and good solder bonding is not performed, so that excellent heat dissipation cannot be obtained. On the other hand, if the solder particles are too large relative to the conductive particles, the anisotropy is impaired and connection reliability cannot be obtained.
  • an adhesive composition used in a conventional anisotropic conductive adhesive or anisotropic conductive film can be used.
  • Preferred examples of the adhesive composition include an epoxy curable adhesive mainly composed of an alicyclic epoxy compound, a heterocyclic epoxy compound, a hydrogenated epoxy compound, or the like.
  • Preferred examples of the alicyclic epoxy compound include those having two or more epoxy groups in the molecule. These may be liquid or solid. Specific examples include glycidyl hexahydrobisphenol A, 3,4-epoxycyclohexenylmethyl-3 ', 4'-epoxycyclohexene carboxylate, and the like. Among these, 3,4-epoxycyclohexenylmethyl-3 ′, 4′-epoxycyclohexenecarboxylate is preferred because it can ensure light transmission suitable for mounting LED elements on the cured product and is excellent in rapid curing. Can be preferably used.
  • heterocyclic epoxy compound examples include an epoxy compound having a triazine ring, and particularly preferably 1,3,5-tris (2,3-epoxypropyl) -1,3,5-triazine-2,4, Mention may be made of 6- (1H, 3H, 5H) -trione.
  • water-added epoxy compound hydrogenated products of the above-described alicyclic epoxy compounds and heterocyclic epoxy compounds, and other known hydrogenated epoxy resins can be used.
  • the alicyclic epoxy compound, heterocyclic epoxy compound and hydrogenated epoxy compound may be used alone, but two or more kinds may be used in combination.
  • other epoxy compounds may be used in combination as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the curing agent examples include acid anhydrides, imidazole compounds, and dicyan.
  • acid anhydrides that are difficult to discolor the cured product particularly alicyclic acid anhydride-based curing agents, can be preferably used.
  • methylhexahydrophthalic anhydride etc. can be mentioned preferably.
  • the amount of each used is an uncured epoxy compound if there is too little alicyclic acid anhydride curing agent. If the amount is too large, corrosion of the adherend material tends to be accelerated due to the influence of the excess curing agent. Therefore, the alicyclic acid anhydride curing agent is added to 100 parts by mass of the alicyclic epoxy compound.
  • the ratio is preferably 80 to 120 parts by mass, more preferably 95 to 105 parts by mass.
  • the anisotropic conductive adhesive having such a structure has high heat dissipation and high connection reliability because the conductive particles are flattened by pressing during crimping, and the solder particles are crushed and are metal-bonded by soldering by heating. Can be obtained.
  • anisotropic conductive adhesive in the present embodiment can be manufactured by uniformly mixing the adhesive composition, conductive particles, and solder particles.
  • connection structure and manufacturing method thereof> Next, a connection structure using the above-described anisotropic conductive adhesive will be described.
  • the terminals of the first electronic component and the terminals of the second electronic component are electrically connected via conductive particles in which a conductive metal layer is formed on the surface of the resin particles.
  • the solder particles having an average particle size smaller than the conductive particles are captured between the terminals of the first electronic component and the terminals of the second electronic component.
  • a chip such as a driver IC (Integrated Circuit) or LED (Light Emitting) Diode) that generates heat is suitable.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a configuration example of the LED mounting body.
  • an LED element and a substrate are connected using an anisotropic conductive adhesive in which the above-described conductive particles and solder particles are dispersed in an adhesive component.
  • the LED element includes, for example, a first conductive clad layer 12 made of, for example, n-GaN, an active layer 13 made of, for example, an In x Al y Ga 1-xy N layer, on an element substrate 11 made of, for example, sapphire, and a second conductivity type cladding layer 14 made of p-GaN, and has a so-called double heterostructure. Further, a first conductivity type electrode 12 a is provided on a part of the first conductivity type cladding layer 12, and a second conductivity type electrode 14 a is provided on a part of the second conductivity type cladding layer 14. When a voltage is applied between the first conductivity type electrode 12a and the second conductivity type electrode 14a of the LED element, carriers are concentrated on the active layer 13 and recombination causes light emission.
  • the substrate includes a circuit pattern 22 for the first conductivity type and a circuit pattern 23 for the second conductivity type on the base material 21, and positions corresponding to the first conductivity type electrode 12a and the second conductivity type electrode 14a of the LED element. Each have an electrode 22a and an electrode 23a.
  • conductive particles 31 and solder particles 32 are dispersed in a binder 33 as described above.
  • the LED mounting body has the LED element terminals (electrodes 12 a, 14 a) and the substrate terminals (electrodes 22 a, 23 a) electrically connected via conductive particles 31.
  • the terminals of the board and the terminals of the board are soldered together.
  • the heat generated in the active layer 13 of the LED element can be efficiently released to the substrate side, the decrease in light emission efficiency can be prevented, and the life of the LED mounting body can be extended.
  • the solder particles 32 are white or gray achromatic, the light from the active layer 13 is reflected and high brightness can be obtained.
  • the LED element for flip chip mounting is designed such that the terminals (electrodes 12a, 14a) of the LED element are large due to the passivation 105, and therefore the terminals (electrodes 12a, 14a) of the LED element. ) And the terminals (circuit patterns 22 and 23) of the substrate, more conductive particles 31 and solder particles 32 are captured. Thereby, the heat generated in the active layer 13 of the LED element can be released to the substrate side more efficiently.
  • the method for manufacturing a mounting body in the present embodiment includes an anisotropic conductive adhesive in which the conductive particles described above and solder particles having an average particle size smaller than the conductive particles are dispersed in an adhesive component.
  • the first electronic component and the second electronic component are thermocompression-bonded between the terminals of the first electronic component and the second electronic component.
  • the terminal of the first electronic component and the terminal of the second electronic component are electrically connected via the conductive particles, and the terminal of the first electronic component and the terminal of the second electronic component are connected.
  • a connection structure in which the gaps are soldered can be obtained.
  • the conductive particles are flattened by pressing at the time of pressure bonding, and the solder particles are crushed and are metal-bonded by soldering by heating. Increase, and high heat dissipation and high connection reliability can be obtained. Moreover, since the conductive particles of the resin core relieve stress generated due to the difference in thermal expansion between the substrate and the element, it is possible to prevent cracks from occurring in the solder joint.
  • Example> Examples of the present invention will be described in detail below, but the present invention is not limited to these examples.
  • the production of the anisotropic conductive adhesive was performed as follows.
  • anisotropic conductive adhesive In an epoxy curing adhesive (epoxy resin (trade name: CEL2021P, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.) and acid anhydride (MeHHPA, trade name: MH700, manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd.)) Conductive particles (product name: AUL705, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) having a mean particle size (D50) of 5 ⁇ m coated with Au on the surface of crosslinked polystyrene resin particles and solder particles (trade name) having an average particle size (D50) of 5 ⁇ m : M707, manufactured by Senju Metal Industry Co., Ltd.) to produce an anisotropic conductive adhesive having thermal conductivity.
  • epoxy curing adhesive epoxy curing adhesive
  • epoxy resin trade name: CEL2021P, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.
  • Acid anhydride MeHHPA, trade name: MH700, manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd.
  • Conductive particles product name
  • Example 1 An anisotropic conductive adhesive having thermal conductivity was prepared by blending 8% by volume of conductive particles and 2% by volume of solder particles with the resin composition described above.
  • the measurement result of the thermal resistance of the LED mounting body produced using this anisotropic conductive adhesive was 21.0 ° C./W, and the die shear strength was 26 N / chip.
  • the evaluation result of the high-temperature and high-humidity test for electrical characteristics was ⁇ in the initial stage and ⁇ after the test, and the evaluation result of the thermal shock test for electrical characteristics was ⁇ in the initial stage and ⁇ after the test.
  • Example 2 An anisotropic conductive adhesive having thermal conductivity was prepared by blending 5% by volume of conductive particles and 5% by volume of solder particles with the above resin composition.
  • the measurement results of the thermal resistance of the LED package manufactured using this anisotropic conductive adhesive were 13.2 ° C./W, and the die shear strength was 37 N / chip.
  • the evaluation result of the high-temperature and high-humidity test for electrical characteristics was ⁇ in the initial stage and ⁇ after the test, and the evaluation result of the thermal shock test for electrical characteristics was ⁇ in the initial stage and ⁇ after the test.
  • Example 3 An anisotropic conductive adhesive having thermal conductivity was prepared by blending 2% by volume of conductive particles and 8% by volume of solder particles with the resin composition described above.
  • the measurement result of the thermal resistance of the LED mounting body produced using this anisotropic conductive adhesive was 12.2 ° C./W, and the die shear strength was 45 N / chip.
  • the evaluation result of the high-temperature and high-humidity test for electrical characteristics was ⁇ in the initial stage and ⁇ after the test, and the evaluation result of the thermal shock test for electrical characteristics was ⁇ in the initial stage and ⁇ after the test.
  • Example 4 An anisotropic conductive adhesive having thermal conductivity was prepared by blending 2% by volume of conductive particles and 20% by volume of solder particles with the above resin composition.
  • the measurement result of the thermal resistance of the LED mounting body produced using this anisotropic conductive adhesive was 10.4 ° C./W, and the die shear strength was 52 N / chip.
  • the evaluation result of the high-temperature and high-humidity test for electrical characteristics was ⁇ in the initial stage and ⁇ after the test, and the evaluation result of the thermal shock test for electrical characteristics was ⁇ in the initial stage and ⁇ after the test.
  • Example 5 An anisotropic conductive adhesive having thermal conductivity was prepared by blending 1% by volume of conductive particles and 30% by volume of solder particles with the above resin composition.
  • the measurement result of the thermal resistance of the LED mounting body produced using this anisotropic conductive adhesive was 10.0 ° C./W, and the die shear strength was 54 N / chip.
  • the evaluation result of the high-temperature and high-humidity test for electrical characteristics was ⁇ in the initial stage and ⁇ after the test, and the evaluation result of the thermal shock test for electrical characteristics was ⁇ in the initial stage and ⁇ after the test.
  • Example 6 An anisotropic conductive adhesive having thermal conductivity was prepared by blending 30% by volume of conductive particles and 1% by volume of solder particles with the above resin composition.
  • the measurement result of the thermal resistance of the LED mounting body produced using this anisotropic conductive adhesive was 31.9 ° C./W, and the die shear strength was 21 N / chip.
  • the evaluation result of the high-temperature and high-humidity test for electrical characteristics was ⁇ in the initial stage and ⁇ after the test, and the evaluation result of the thermal shock test for electrical characteristics was ⁇ in the initial stage and ⁇ after the test.
  • An anisotropic conductive adhesive having thermal conductivity was prepared by blending 10% by volume of solder particles without blending conductive particles with the resin composition described above.
  • the measurement result of the thermal resistance of the LED mounting body produced using this anisotropic conductive adhesive was 11.8 ° C./W, and the die shear strength was 48 N / chip.
  • the evaluation result of the electrical property high temperature and high humidity test was ⁇ at the initial stage and ⁇ after the test, and the evaluation result of the thermal shock test of the electrical property was ⁇ at the initial stage and ⁇ after the test.
  • An anisotropic conductive adhesive having thermal conductivity was prepared by blending 40% by volume of solder particles without blending conductive particles into the resin composition described above.
  • the die mounting strength of the LED mounting body manufactured using this anisotropic conductive adhesive was 55 N / chip.
  • the evaluation result of the high temperature and high humidity test for electrical characteristics was ⁇ in the initial stage, and the evaluation result of the thermal shock test for electrical characteristics was ⁇ in the initial stage.
  • FIG. 5 shows the thermal resistance value with respect to the amount of solder particles.
  • FIG. 5 is a plot of the thermal resistance value versus the blending amount of the solder particles of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 and 2.
  • the thermal resistance value of the LED mounting body using ACP in which 8% by volume of conductive particles and 2% by volume of solder particles are added to the binder resin is 21.0 (° C./W).
  • the thermal resistance value could be lowered as compared with Comparative Example 2 in which no solder particles were added, and the heat dissipation characteristics of the LED package were improved.
  • the die shear strength was 26 N / chip, which was improved as compared with Comparative Example 2.
  • the electrical connection reliability was good in the test 500 h.
  • the electrical connection reliability was good even after the thermal shock test 3000 cycles.
  • the thermal resistance value of the LED package using ACP in which 5% by volume of conductive particles and 5% by volume of solder particles are added to the binder resin is 13.2 (° C./W).
  • the thermal resistance value could be lowered as compared with Comparative Example 2 in which no solder particles were added, and the heat dissipation characteristics of the LED package were improved.
  • the die shear strength was 37 N / chip, which was improved as compared with Comparative Example 2.
  • the electrical connection reliability was good in the test 500 h.
  • the electrical connection reliability was good even after the thermal shock test 3000 cycles.
  • the thermal resistance value of the LED mounting body using ACP in which 2% by volume of conductive particles and 8% by volume of solder particles are added to the binder resin is 12.2 (° C./W).
  • the thermal resistance value could be lowered as compared with Comparative Example 2 in which no solder particles were added, and the heat dissipation characteristics of the LED package were improved.
  • the die shear strength was 45 N / chip, which was improved as compared with Comparative Example 2.
  • the electrical connection reliability was good in the test 500 h.
  • the electrical connection reliability was good even after the thermal shock test 3000 cycles.
  • the thermal resistance value of the LED mounting body using ACP in which 2% by volume of conductive particles and 20% by volume of solder particles are added to the binder resin is 10.4 (° C./W).
  • the thermal resistance value could be lowered as compared with Comparative Example 2 in which no solder particles were added, and the heat dissipation characteristics of the LED package were improved.
  • the die shear strength was 52 N / chip, which was improved as compared with Comparative Example 2.
  • the electrical connection reliability was good in the test 500 h.
  • the electrical connection reliability was good even after the thermal shock test 3000 cycles.
  • the thermal resistance value of the LED package using ACP in which 1% by volume of conductive particles and 30% by volume of solder particles are added to the binder resin is 10.0 (° C./W).
  • the thermal resistance value could be lowered as compared with Comparative Example 2 in which no solder particles were added, and the heat dissipation characteristics of the LED package were improved.
  • the die shear strength was 54 N / chip, which was improved as compared with Comparative Example 2.
  • the electrical connection reliability was good in the test 500 h.
  • the electrical connection reliability was good even after the thermal shock test 3000 cycles.
  • the thermal resistance value of the LED mounting body using ACP in which 30% by volume of conductive particles and 1% by volume of solder particles are added to the binder resin is 31.9 (° C./W).
  • the thermal resistance value could be lowered as compared with Comparative Example 2 in which no solder particles were added, and the heat dissipation characteristics of the LED package were improved.
  • the die shear strength was 21 N / chip, which was improved as compared with Comparative Example 2.
  • the electrical connection reliability was good in the test 500 h.
  • the electrical connection reliability was good even after the thermal shock test 3000 cycles.
  • the thermal resistance value of the LED mounting sample using ACP in which 10% by volume of solder particles are added without adding conductive particles to the binder resin is 11.8 (° C./W).
  • the thermal resistance value could be lowered as compared with Comparative Example 2 in which no solder particles were added, and the heat dissipation characteristics of the LED package were improved.
  • the die shear strength was 48 N / chip, which was higher than that of Comparative Example 2.
  • the electrical connection reliability was good in the test 500 h.
  • OPEN was generated, and good electrical connection reliability could not be obtained.
  • the LED mounting sample using ACP in which 8% by volume of conductive particles are added to the binder resin and no solder particles are added is stored under lighting in an environment of 85 ° C. and 85% RH.
  • the electrical connection reliability was good at 500 hours of the test.
  • the electrical connection reliability was good even after the thermal shock test 3000 cycles.
  • the die shear strength was as low as 15 N / chip.
  • the heat resistance value was 40.0 (° C./W), and good heat dissipation could not be obtained.
  • solder particles and conductive particles in combination with the anisotropic conductive adhesive, it is possible to impart high heat dissipation to the LED package and to have high connection reliability.
  • the agent could be obtained.

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Abstract

 高い放熱性が得られる異方性導電接着剤を提供する。 導電性粒子31と、はんだ粒子32とをバインダーに分散させる。この異方性導電接着剤を用いて熱圧着したLED実装体は、LED素子の端子(電極12a、14a)と、基板の端子(電極22a、23a)とが導電性粒子31を介して電気的に接続されるとともに、LED素子の端子と基板の端子との間がはんだ接合される。

Description

異方性導電接着剤
 本発明は、導電性粒子が分散された異方性導電接着剤に関し、特に、ドライバーIC(Integrated Circuit)、LED(Light Emitting Diode)等のチップ(素子)が発する熱を放熱することが可能な異方性導電接着剤に関する。
 本出願は、日本国において2012年9月24日に出願された日本特許出願番号特願2012-210224を基礎として優先権を主張するものであり、この出願は参照されることにより、本出願に援用される。
 従来、LED素子を基板に実装する工法として、ワイヤーボンド工法が用いられている。ワイヤーボンド工法は、図6に示すように、LED素子の電極(第1導電型電極104a及び第2導電型電極102a)面を上に向け(フェイスアップ)、そのLED素子と基板の電気的接合をワイヤーボンド(WB)301a、301bで行い、LED素子と基板との接着には、ダイボンド材302を用いる。
 しかし、このようなワイヤーボンドで電気的接続を得る方法では、電極(第1導電型電極104a及び第2導電型電極102a)からのワイヤーボンドの物理的破断・剥離のリスクがあるため、より信頼性の高い技術が求められている。さらに、ダイボンド材302の硬化プロセスは、オーブン硬化で行われるため、生産に時間が掛かる。
 ワイヤーボンドを用いない工法として、図7に示すように、LED素子の電極(第1導電型電極104a及び第2導電型電極102a)面を基板側に向け(フェイスダウン、フリップチップ)、そのLED素子と基板との電気的接続に、銀ペーストに代表される導電性ベースト303a、303bを用いる方法がある。
 しかし、導電性ペースト303a、303bは、接着力が弱いため、封止樹脂304による補強が必要である。さらに、封止樹脂304の硬化プロセスは、オーブン硬化で行われるため、生産に時間が掛かる。
 導電性ペーストを用いない工法として、図8に示すように、LED素子の電極面を基板側に向け(フェイスダウン、フリップチップ)、そのLED素子と基板との電気的接続及び接着に、絶縁性の接着剤バインダー305中に導電性粒子306を分散させた異方性導電接着剤を用いる方法がある。異方性導電接着剤は、接着プロセスが短いため、生産効率が良い。また、異方性導電接着剤は、安価であり、透明性、接着性、耐熱性、機械的強度、電気絶縁性等に優れている。
 また、近年、フリップチップ実装するためのLED素子が開発されている。このFC実装用LED素子は、パッシベーション105により、電極面積を大きく取る設計が可能であるため、バンプレス実装が可能となる。また、発光層の下に反射膜を設けることによって光取り出し効率が良くなる。
 FC実装用LED素子を基板に実装する工法としては、図9に示すように、金スズ共晶接合が用いられている。金スズ共晶接合は、チップ電極を金とスズの合金307で形成し、フラックスを基板に塗布し、チップを搭載、加熱することで基板電極と、共晶接合させる工法である。しかし、このようなはんだ接続工法は、加熱中のチップズレや洗浄しきれなかったフラックスによる信頼性への悪影響があるため歩留まりが悪い。また、高度な実装技術が必要である。
 金スズ共晶を用いない工法として、図10に示すように、LED素子の電極面と基板との電気的接続に、はんだペーストを用いるはんだ接続工法がある。しかし、このようなはんだ接続工法は、ペーストが等方性の導電性を有するため、pn電極間がショートしてしまい歩留まりが悪い。
 はんだペーストを用いない工法として、図11に示すように、LED素子と基板との電気的接続及び接着に、図8と同様、絶縁性のバインダー中に導電性粒子を分散させたACFなどの異方性導電接着剤を用いる方法がある。異方性導電接着剤は、pn電極間に絶縁性のバインダーが充填される。よって、ショートが発生しにくいため歩留まりが良い。また、接着プロセスが短いため、生産効率が良い。
 ところで、LED素子の活性層(ジャンクション)103は、光の他に多くの熱を発生し、発光層温度(Tj=ジャンクション温度)が100℃以上になると、LEDの発光効率が低下し、LEDの寿命が短くなる。このため、活性層103の熱を効率良く逃がすための構造が必要である。
 図6に示すようなWB実装では、活性層103がLED素子の上側に位置するため、発生した熱が基板側に効率良く伝わらないため放熱性が悪い。
 また、図7、9、10に示すようなフリップチップ実装を行うと、活性層103が基板側に位置するため、熱が基板側に効率良く伝わる。図7、10に示すように、電極間を導電性ペースト303a、303bで接合した場合、高効率で放熱することができるが、導電性ペースト303a、303bによる接続は、上記で述べたように接続信頼性が悪い。また、図9に示すように、金スズ共晶接合を行った場合も、上記で述べたのと同様に接続信頼性が悪い。
 また、図8、11に示すように、導電性ペースト303a、303bを用いずにACF(Anisotropic conductive film)やACP(Anisotropic Conductive Paste)等の異方性導電接着剤でフリップチップ実装することで、活性層103が基板側近く配置され、熱が基板側に効率良く伝わる。また、接着力が高いため、高い接続信頼性が得られる。
特開平11-4064号公報 特開昭60-178690号公報 特開平11-176879号公報 特開平8-186156号公報
 しかしながら、従来の異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率は、0.2W/(m・K)程度であるため、LED素子から発生する熱を基板側に十分に逃がすことができない。また、異方性導電接着剤を用いたフリップチップ実装では、電気接続部分の導電性粒子のみが放熱路となるため、放熱性が悪い。
 本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、高い放熱性が得られる異方性導電接着剤を提供する。
 本件発明者は、鋭意検討を行った結果、樹脂粒子の表面に導電性金属層が形成された導電性粒子と、はんだ粒子とを配合することにより、上述の目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
 すなわち、本発明に係る異方性導電接着剤は、樹脂粒子の表面に導電性金属層が形成された導電性粒子と、はんだ粒子とが接着剤成分に分散されなることを特徴としている。
 また、本発明に係る接続構造体は、第1の電子部品の端子と、第2の電子部品の端子とが、樹脂粒子の表面に導電性金属層が形成された導電性粒子を介して電気的に接続されてなる接続構造体において、前記第1の電子部品の端子と前記第2の電子部品の端子との間が、はんだ接合されてなることを特徴としている。
 本発明によれば、圧着時に導電性粒子が押圧により扁平変形するとともに、はんだ粒子が潰れてはんだ接合されるため、対向する端子間のとの接触面積が増加し、高い放熱性が得られる。
図1は、圧着前における対向する端子間を模式的に示す断面図である。 図2は、圧着後における対向する端子間を模式的に示す断面図である。 図3は、本発明の一実施の形態に係るLED実装体の一例を示す断面図である。 図4は、本発明の他の一実施の形態に係るLED実装体の一例を示す断面図である。 図5は、はんだ粒子の配合量に対する熱抵抗値を示すグラフである。 図6は、ワイヤーボンド工法によるLED実装体の一例を示す断面図である。 図7は、導電性ペーストを用いたLED実装体の一例を示す断面図である。 図8は、異方性導電接着剤を用いたLED実装体の一例を示す断面図である。 図9は、FC実装用LEDを金スズ共晶接合により実装したLED実装体の一例を示す断面図である。 図10は、FC実装用LEDを導電性ペーストにより実装したLED実装体の一例を示す断面図である。 図11は、FC実装用LEDを異方性導電接着剤により実装したLED実装体の一例を示す断面図である。
 以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら下記順序にて詳細に説明する。
1.異方性導電接着剤及びその製造方法
2.接続構造体及びその製造方法
3.実施例
 <1.異方性導電接着剤及びその製造方法>
 本実施の形態における異方性導電接着剤は、樹脂粒子の表面に導電性金属層が形成された導電性粒子と、はんだ粒子とがバインダー(接着剤成分)中に分散されたものであり、その形状は、ペースト、フィルムなどであり、目的に応じて適宜選択することができる。
 図1及び図2は、それぞれ圧着前及び圧着後における対向する端子間を模式的に示す断面図である。本実施の形態では、異方性導電接着剤を後述する構成とすることにより、圧着前において導電性粒子31とはんだ粒子32とを端子間に存在させることができる。そして、圧着時、芯材に樹脂粒子を使用した導電性粒子31が押圧により扁平変形し、変形に対する弾性反発が生じるため、電気的な接続状態を維持することができる。また、圧着時、はんだ粒子32が導電性粒子の扁平変形に追従して潰れ、加熱によるはんだ接合により金属結合するため、端子と接触する面積が増大し、放熱性及び電気特性を向上させることができる。また、樹脂コアの導電性粒子が、基板と素子の熱膨張の違いにより発生する応力を緩和するため、はんだ接合部にクラックが発生するのを防ぎ、接続信頼性を向上させることができる。
 導電性粒子は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、アクリロニトリル・スチレン(AS)樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジビニルベンゼン系樹脂、スチレン系樹脂等の樹脂粒子の表面をAu、Ni、Zn等の金属で被覆した金属被覆樹脂粒子である。金属被覆樹脂粒子は、圧縮時に潰れやすく、変形し易いため、配線パターンとの接触面積を大きくでき、また、配線パターンの高さのバラツキを吸収することができる。
 また、導電性粒子の配合量は、接続信頼性及び絶縁信頼性の観点から、バインダーに対して1~30体積%であることが好ましい。また、導電性粒子の平均粒径(D50)は、1~10μmであることが好ましく、より好ましくは2~6μmである。
 はんだ粒子は、例えばJISZ 3282-1999に規定されている、Sn-Pb系、Pb-Sn-Sb系、Sn-Sb系、Sn-Pb-Bi系、Bi-Sn系、Sn-Cu系、Sn-Pb-Cu系、Sn-In系、Sn-Ag系、Sn-Pb-Ag系、Pb-Ag系などから、電極材料や接続条件などに応じて適宜選択することができる。また、はんだ粒子の形状は、粒状、燐片状などから適宜選択することができる。なお、はんだ粒子は、異方性を向上させるために絶縁層で被覆されていても構わない。
 はんだ粒子の配合量は、1~30体積%であることが好ましい。はんだ粒子の配合量が少なすぎると優れた放熱性が得られなくなり、配合量が多すぎると異方性が損なわれ、接続信頼性を得ることができない。
 また、はんだ粒子の平均粒径(D50)は、導電性粒子の平均粒径の25~400%であることが好ましい。はんだ粒子が導電性粒子に対して小さすぎると、圧着時にはんだ粒子が対向する端子間に捕捉されず、良好なはんだ接合が行われず、優れた放熱性を得ることができない。一方、はんだ粒子が導電性粒子に対して大きすぎると、異方性が損なわれ、接続信頼性を得ることができない。
 バインダーとしては、従来の異方性導電接着剤や異方性導電フィルムにおいて使用されている接着剤組成物を利用することができる。接着剤組成物としては、脂環式エポキシ化合物や複素環系エポキシ化合物や水素添加エポキシ化合物等を主成分としたエポキシ硬化系接着剤が好ましく挙げられる。
 脂環式エポキシ化合物としては、分子内に2つ以上のエポキシ基を有するものが好ましく挙げられる。これらは、液状であっても固体状であってもよい。具体的には、グリシジルヘキサヒドロビスフェノールA、3,4-エポキシシクロヘキセニルメチル-3’,4’-エポキシシクロヘキセンカルボキシレート等を挙げることができる。中でも、硬化物にLED素子の実装等に適した光透過性を確保でき、速硬化性にも優れている点から、3,4-エポキシシクロヘキセニルメチル-3’,4’-エポキシシクロヘキセンカルボキシレートを好ましく使用することができる。
 複素環状エポキシ化合物としては、トリアジン環を有するエポキシ化合物を挙げることができ、特に好ましくは1,3,5-トリス(2,3-エポキシプロピル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオンを挙げることができる。
 水添加エポキシ化合物としては、先述の脂環式エポキシ化合物や複素環系エポキシ化合物の水素添加物や、その他公知の水素添加エポキシ樹脂を使用することができる。
 脂環式エポキシ化合物や複素環系エポキシ化合物や水素添加エポキシ化合物は、単独で使用してもよいが、2種以上を併用することができる。また、これらのエポキシ化合物に加えて本発明の効果を損なわない限り、他のエポキシ化合物を併用してもよい。例えば、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、テトラメチルビスフェノールA、ジアリールビスフェノールA、ハイドロキノン、カテコール、レゾルシン、クレゾール、テトラブロモビスフェノールA、トリヒドロキシビフェニル、ベンゾフェノン、ビスレゾルシノール、ビスフェノールヘキサフルオロアセトン、テトラメチルビスフェノールA、テトラメチルビスフェノールF、トリス(ヒドロキシフェニル)メタン、ビキシレノール、フェノールノボラック、クレゾールノボラック等の多価フェノールとエピクロルヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエーテル;グリセリン、ネオペンチルグリコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等の脂肪族多価アルコールとエピクロルヒドリンとを反応させて得られるポリグリシジルエーテル;p-オキシ安息香酸、β-オキシナフトエ酸のようなヒドロキシカルボン酸とエピクロルヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエーテルエステル;フタル酸、メチルフタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、テトラハイドロフタル酸、エンドメチレンテトラハイドロフタル酸、エンドメチレンヘキサハイドロフタル酸、トリメット酸、重合脂肪酸のようなポリカルボン酸から得られるポリグリシジルエステル;アミノフェノール、アミノアルキルフェノールから得られるグリシジルアミノグリシジルエーテル;アミノ安息香酸から得られるグリシジルアミノグリシジルエステル;アニリン、トルイジン、トリブロムアニリン、キシリレンジアミン、ジアミノシクロヘキサン、ビスアミノメチルシクロヘキサン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルスルホン等から得られるグリシジルアミン;エポキシ化ポリオレフィン等の公知のエポキシ樹脂類が挙げられる。
 硬化剤としては、酸無水物、イミダゾール化合物、ジシアン等を挙げることができる。中でも、硬化物を変色させ難い酸無水物、特に脂環式酸無水物系硬化剤を好ましく使用できる。具体的には、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物等を好ましく挙げることができる。
 接着剤組成物において、脂環式エポキシ化合物と脂環式酸無水物系硬化剤とを使用する場合、それぞれの使用量は、脂環式酸無水物系硬化剤が少なすぎると未硬化エポキシ化合物が多くなり、多すぎると余剰の硬化剤の影響で被着体材料の腐食が促進される傾向があるので、脂環式エポキシ化合物100質量部に対し、脂環式酸無水物系硬化剤を、好ましくは80~120質量部、より好ましくは95~105質量部の割合で使用する。
 このような構成からなる異方性導電接着剤は、圧着時に導電性粒子が押圧により扁平変形するとともに、はんだ粒子が潰れ、加熱によるはんだ接合により金属結合するため、高い放熱性及び高い接続信頼性を得ることができる。
 また、本実施の形態における異方性導電接着剤は、接着剤組成物と、導電性粒子と、はんだ粒子とを均一に混合することにより製造することができる。
 <2.接続構造体及びその製造方法>
 次に、前述した異方性導電接着剤を用いた接続構造体について説明する。本実施の形態における接続構造体は、第1の電子部品の端子と、第2の電子部品の端子とが、樹脂粒子の表面に導電性金属層が形成された導電性粒子を介して電気的に接続されてなる接続構造体において、第1の電子部品の端子と前記第2の電子部品の端子との間に、導電性粒子よりも平均粒径が小さいはんだ粒子が捕捉されている。
 本実施の形態における電子部品としては、熱を発するドライバーIC(Integrated Circuit)、LED(Light Emitting Diode)等のチップ(素子)が好適である。
 図3は、LED実装体の構成例を示す断面図である。このLED実装体は、LED素子と基板とを、前述した導電性粒子と、はんだ粒子とが接着剤成分中に分散された異方性導電接着剤を用いて接続したものである。
 LED素子は、例えばサファイヤからなる素子基板11上に、例えばn-GaNからなる第1導電型クラッド層12と、例えばInAlGa1-x-yN層からなる活性層13と、例えばp-GaNからなる第2導電型クラッド層14とを備え、いわゆるダブルヘテロ構造を有する。また、第1導電型クラッド層12上の一部に第1導電型電極12aを備え、第2導電型クラッド層14上の一部に第2導電型電極14aを備える。LED素子の第1導電型電極12aと第2導電型電極14aとの間に電圧を印加すると、活性層13にキャリアが集中し、再結合することにより発光が生じる。
 基板は、基材21上に第1導電型用回路パターン22と、第2導電型用回路パターン23とを備え、LED素子の第1導電型電極12a及び第2導電型電極14aに対応する位置にそれぞれ電極22a及び電極23aを有する。
 異方性導電接着剤は、前述と同様、導電性粒子31と、はんだ粒子32とがバインダー33に分散されている。
 図3に示すように、LED実装体は、LED素子の端子(電極12a、14a)と、基板の端子(電極22a、23a)とが導電性粒子31を介して電気的に接続され、LED素子の端子と基板の端子との間がはんだ接合されている。
 これにより、LED素子の活性層13で発生した熱を効率良く基板側に逃がすことができ、発光効率の低下を防ぐとともにLED実装体を長寿命化させることができる。また、はんだ粒子32が、白又は灰色の無彩色であることにより、活性層13からの光を反射し、高い輝度を得ることができる。
 また、フリップチップ実装するためのLED素子は、図4に示すように、パッシベーション105により、LED素子の端子(電極12a、14a)が大きく設計されているため、LED素子の端子(電極12a、14a)と基板の端子(回路パターン22、23)との間に導電性粒子31及びはんだ粒子32がより多く捕捉される。これにより、LED素子の活性層13で発生した熱をさらに効率良く基板側に逃がすことができる。
 次に、上述した接続構造体の製造方法について説明する。本実施の形態における実装体の製造方法は、前述した導電性粒子と、導電性粒子よりも平均粒径が小さいはんだ粒子とが接着剤成分中に分散された異方性導電接着剤を、第1の電子部品の端子と第2の電子部品の端子との間に挟み、第1の電子部品と第2の電子部品とを熱圧着する。
 これにより、第1の電子部品の端子と、第2の電子部品の端子とが導電性粒子を介して電気的に接続され、第1の電子部品の端子と第2の電子部品の端子との間がはんだ接合されてなる接続構造体を得ることができる。
 本実施の形態における接続構造体の製造方法は、圧着時に導電性粒子が押圧により扁平変形するとともに、はんだ粒子が潰れ、加熱によるはんだ接合により金属結合するため、対向する端子間のとの接触面積が増大し、高い放熱性及び高い接続信頼性を得ることができる。また、樹脂コアの導電性粒子が、基板と素子の熱膨張の違いにより発生する応力を緩和するため、はんだ接合部にクラックが発生するのを防ぐことができる。
 <3.実施例>
 以下、本発明の実施例について詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
 本実験では、はんだ粒子を配合した異方性導電接着剤(ACP)を作製し、LED実装体を作製し、放熱特性、接着特性、及び電気特性について評価した。
 異方性導電接着剤の作製、LED実装体の作製、LED実装体の放熱特性の評価、接着特性の評価、及び電気特性の評価は、次のように行った。
 [異方性導電接着剤の作製]
 エポキシ硬化系接着剤(エポキシ樹脂(商品名:CEL2021P、(株)ダイセル化学製)及び酸無水物(MeHHPA、商品名:MH700、新日本理化(株)製)を主成分としたバインダー)中に、架橋ポリスチレン樹脂粒子の表面にAuが被覆された平均粒径(D50)5μmの導電性粒子(品名:AUL705、積水化学工業社製)と、平均粒径(D50)5μmのはんだ粒子(商品名:M707、千住金属工業社製)とを配合し、熱伝導性を有する異方性導電接着剤を作製した。
 [LED実装体の作製]
 異方性導電接着剤を用いてFC実装用LEDチップ(商品名:DA700、CREE社製、Vf=3.2V(If=350mA))をAu電極基板(セラミック基板、導体スペース=100μmP、Ni/Auメッキ=5.0/0.3μm)に搭載した。異方性導電接着剤をAu電極基板に塗布した後、LEDチップをアライメントして搭載し、150℃/10秒→230℃-30秒、荷重1000g/chipの条件で加熱圧着を行った。
 [放熱性の評価]
 過渡熱抵抗測定装置(CATS電子設計社製)を用いて、LED実装体の熱抵抗値(℃/W)を測定した。測定条件はIf=350mA(定電流制御)で行った。
 [接着特性の評価]
 LED実装体の接着強度をダイショア強度測定器(PTR-1100:RHESCA社製)を用いて測定した。
 [電気特性の評価]
 初期Vf値として、If=350mA時のVf値を測定した。また、85℃、85%RH環境下でLED実装体をIf=350mAで500時間点灯させ(高温高湿試験)、If=350mA時のVf値を測定した。また、-40℃/30min<>100℃/30min、3000サイクルの熱衝撃試験に投入し、If=350mA時のVf値を測定した。
 高温高湿試験及び熱衝撃試験の初期の評価は、導通の破断を確認した場合(OPEN)を「×」と評価し、それ以外を「○」と評価した。また、高温高湿試験後及び熱衝撃試験の評価は、導通の破断を確認した場合(OPEN)を「×」と評価し、初期Vf値よりも5%以上低下した場合(ショート)を「△」と評価し、初期Vf値からの変動が5%未満の場合を「○」と評価した。
 [実施例1]
 前述の樹脂組成物に導電性粒子を8体積%及びはんだ粒子を2体積%配合し、熱伝導性を有する異方性導電接着剤を作製した。この異方性導電接着剤を用いて作製したLED実装体の熱抵抗の測定結果は21.0℃/W、ダイシェア強度は26N/chipであった。また、電気特性の高温高湿試験の評価結果は、初期で○、試験後で○であり、電気特性の熱衝撃試験の評価結果は、初期で○、試験後で○であった。
 [実施例2]
 前述の樹脂組成物に導電性粒子を5体積%及びはんだ粒子を5体積%配合し、熱伝導性を有する異方性導電接着剤を作製した。この異方性導電接着剤を用いて作製したLED実装体の熱抵抗の測定結果は13.2℃/W、ダイシェア強度は37N/chipであった。また、電気特性の高温高湿試験の評価結果は、初期で○、試験後で○であり、電気特性の熱衝撃試験の評価結果は、初期で○、試験後で○であった。
 [実施例3]
 前述の樹脂組成物に導電性粒子を2体積%及びはんだ粒子を8体積%配合し、熱伝導性を有する異方性導電接着剤を作製した。この異方性導電接着剤を用いて作製したLED実装体の熱抵抗の測定結果は12.2℃/W、ダイシェア強度は45N/chipであった。また、電気特性の高温高湿試験の評価結果は、初期で○、試験後で○であり、電気特性の熱衝撃試験の評価結果は、初期で○、試験後で○であった。
 [実施例4]
 前述の樹脂組成物に導電性粒子を2体積%及びはんだ粒子を20体積%配合し、熱伝導性を有する異方性導電接着剤を作製した。この異方性導電接着剤を用いて作製したLED実装体の熱抵抗の測定結果は10.4℃/W、ダイシェア強度は52N/chipであった。また、電気特性の高温高湿試験の評価結果は、初期で○、試験後で○であり、電気特性の熱衝撃試験の評価結果は、初期で○、試験後で○であった。
 [実施例5]
 前述の樹脂組成物に導電性粒子を1体積%及びはんだ粒子を30体積%配合し、熱伝導性を有する異方性導電接着剤を作製した。この異方性導電接着剤を用いて作製したLED実装体の熱抵抗の測定結果は10.0℃/W、ダイシェア強度は54N/chipであった。また、電気特性の高温高湿試験の評価結果は、初期で○、試験後で○であり、電気特性の熱衝撃試験の評価結果は、初期で○、試験後で○であった。
 [実施例6]
 前述の樹脂組成物に導電性粒子を30体積%及びはんだ粒子を1体積%配合し、熱伝導性を有する異方性導電接着剤を作製した。この異方性導電接着剤を用いて作製したLED実装体の熱抵抗の測定結果は31.9℃/W、ダイシェア強度は21N/chipであった。また、電気特性の高温高湿試験の評価結果は、初期で○、試験後で○であり、電気特性の熱衝撃試験の評価結果は、初期で○、試験後で○であった。
 [比較例1]
 前述の樹脂組成物に導電性粒子を配合せずに、はんだ粒子を10体積%配合して熱伝導性を有する異方性導電接着剤を作製した。この異方性導電接着剤を用いて作製したLED実装体の熱抵抗の測定結果は11.8℃/W、ダイシェア強度は48N/chipであった。また、電気特性の高温高湿試験の評価結果は、初期で○、試験後で○であり、電気特性の熱衝撃試験の評価結果は、初期で○、試験後で×であった。
 [比較例2]
 前述の樹脂組成物に導電性粒子を5体積%配合し、はんだ粒子を配合せずに熱伝導性を有する異方性導電接着剤を作製した。この異方性導電接着剤を用いて作製したLED実装体の熱抵抗の測定結果は40.0℃/W、ダイシェア強度は15N/chipであった。
また、電気特性の高温高湿試験の評価結果は、初期で○、試験後で○であり、電気特性の熱衝撃試験の評価結果は、初期で○、試験後で○であった。
 [比較例3]
 前述の樹脂組成物に導電性粒子を配合せずに、はんだ粒子を40体積%配合して熱伝導性を有する異方性導電接着剤を作製した。この異方性導電接着剤を用いて作製したLED実装体のダイシェア強度は55N/chipであった。また、電気特性の高温高湿試験の評価結果は、初期で△であり、電気特性の熱衝撃試験の評価結果は、初期で△であった。
 [比較例4]
 前述の樹脂組成物に導電性粒子を40体積%配合し、はんだ粒子を配合せずに熱伝導性を有する異方性導電接着剤を作製した。この異方性導電接着剤を用いて作製したLED実装体のダイシェア強度は15N/chipであった。また、電気特性の高温高湿試験の評価結果は、初期で△であり、電気特性の熱衝撃試験の評価結果は、初期で△であった。
 表1に実施例1~6、及び表2に比較例1~4の評価結果を示す。また、図5にはんだ粒子の配合量に対する熱抵抗値を示す。この図5は、実施例1~6、比較例1、2のはんだ粒子の配合量に対する熱抵抗値をプロットしたものである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 
 実施例1から分かるように、バインダー樹脂に対して導電性粒子を8体積%、はんだ粒子を2体積%添加したACPを用いたLED実装体の熱抵抗値は、21.0(℃/W)であり、はんだ粒子を添加していない比較例2よりも熱抵抗値を下げることができ、LEDパッケージの放熱特性が向上した。また、ダイシェア強度は、26N/chipであり、比較例2よりも向上した。さらに、85℃85%RH環境下での点灯保存試験では、試験500hにおいて電気接続信頼性が良好であった。また、熱衝撃試験3000cycle経過後においても電気接続信頼性が良好であった。
 実施例2から分かるように、バインダー樹脂に対して導電性粒子を5体積%、はんだ粒子を5体積%添加したACPを用いたLED実装体の熱抵抗値は、13.2(℃/W)であり、はんだ粒子を添加していない比較例2よりも熱抵抗値を下げることができ、LEDパッケージの放熱特性が向上した。また、ダイシェア強度は、37N/chipであり、比較例2よりも向上した。さらに、85℃85%RH環境下での点灯保存試験では、試験500hにおいて電気接続信頼性が良好であった。また、熱衝撃試験3000cycle経過後においても電気接続信頼性が良好であった。
 実施例3から分かるように、バインダー樹脂に対して導電性粒子を2体積%、はんだ粒子を8体積%添加したACPを用いたLED実装体の熱抵抗値は、12.2(℃/W)であり、はんだ粒子を添加していない比較例2よりも熱抵抗値を下げることができ、LEDパッケージの放熱特性が向上した。また、ダイシェア強度は、45N/chipであり、比較例2よりも向上した。さらに、85℃85%RH環境下での点灯保存試験では、試験500hにおいて電気接続信頼性が良好であった。また、熱衝撃試験3000cycle経過後においても電気接続信頼性が良好であった。
 実施例4から分かるように、バインダー樹脂に対して導電性粒子を2体積%、はんだ粒子を20体積%添加したACPを用いたLED実装体の熱抵抗値は、10.4(℃/W)であり、はんだ粒子を添加していない比較例2よりも熱抵抗値を下げることができ、LEDパッケージの放熱特性が向上した。また、ダイシェア強度は、52N/chipであり、比較例2よりも向上した。さらに、85℃85%RH環境下での点灯保存試験では、試験500hにおいて電気接続信頼性が良好であった。また、熱衝撃試験3000cycle経過後においても電気接続信頼性が良好であった。
 実施例5から分かるように、バインダー樹脂に対して導電性粒子を1体積%、はんだ粒子を30体積%添加したACPを用いたLED実装体の熱抵抗値は、10.0(℃/W)であり、はんだ粒子を添加していない比較例2よりも熱抵抗値を下げることができ、LEDパッケージの放熱特性が向上した。また、ダイシェア強度は、54N/chipであり、比較例2よりも向上した。さらに、85℃85%RH環境下での点灯保存試験では、試験500hにおいて電気接続信頼性が良好であった。また、熱衝撃試験3000cycle経過後においても電気接続信頼性が良好であった。
 実施例6から分かるように、バインダー樹脂に対して導電性粒子を30体積%、はんだ粒子を1体積%添加したACPを用いたLED実装体の熱抵抗値は、31.9(℃/W)であり、はんだ粒子を添加していない比較例2よりも熱抵抗値を下げることができ、LEDパッケージの放熱特性が向上した。また、ダイシェア強度は、21N/chipであり、比較例2よりも向上した。さらに、85℃85%RH環境下での点灯保存試験では、試験500hにおいて電気接続信頼性が良好であった。また、熱衝撃試験3000cycle経過後においても電気接続信頼性が良好であった。
 比較例1から分かるように、バインダー樹脂に対して導電性粒子を添加せず、はんだ粒子を10体積%添加したACPを用いたLED実装サンプルの熱抵抗値は、11.8(℃/W)であり、はんだ粒子を添加していない比較例2よりも熱抵抗値を下げることができ、LEDパッケージの放熱特性が向上した。また、ダイシェア強度は48N/chipで比較例2よりも向上した。さらに、85℃85%RH環境下での点灯保存試験では、試験500hにおいて電気接続信頼性も良好であった。しかしながら、熱衝撃試験3000cycle経過後では、はんだ接合部分にクラックが入り、OPENが発生し、良好な電気接続信頼性が得られなかった。
 比較例2から分かるように、バインダー樹脂に対して導電性粒子を8体積%添加し、はんだ粒子を添加しなかったACPを用いたLED実装サンプルは、85℃85%RH環境下での点灯保存試験の500hにおいて、電気接続信頼性が良好であった。また、熱衝撃試験3000cycle経過後においても電気接続信頼性が良好であった。しかしながら、ダイシェア強度は、15N/chipと低かった。また、熱抵抗値は、40.0(℃/W)であり、良好な放熱性を得ることができなかった。
 比較例3から分かるように、バインダー樹脂に対して導電性粒子を添加せず、はんだ粒子を40体積%添加したACPを用いたLED実装サンプルは、ダイシェア強度が55N/chipであったが、はんだ粒子の添加量が過剰であったため、異方性が失われた。そのため、初期の電気測定において、ショートが発生した。
 比較例2から分かるように、バインダー樹脂に対して導電性粒子を40体積%添加し、はんだ粒子を添加しなかったACPを用いたLED実装サンプルは、ダイシェア強度が15N/chipと低かった。また、導電性粒子の添加量が過剰であったため、異方性が失われた。そのため、初期の電気測定において、ショートが発生した。
 以上のように、異方性導電接着剤にはんだ粒子と導電性粒子とを併用することにより、LEDパッケージに高い放熱性を付与することができるとともに、高い接続信頼性を有する異方性導電接着剤を得ることができた。
 11 素子基板、12 第1導電型クラッド層、13 活性層、14 第2導電型クラッド層、21 基材、22 第1導電型用回路パターン、23 第2導電型用回路パターン、15 パッシベーション、31 導電性粒子、32 はんだ粒子、33 バインダー、101 素子基板、102 第1導電型クラッド層、103 活性層、104 第2導電型クラッド層、105 パッシベーション、201 基材、202 第1導電型用回路パターン、203 第2導電型用回路パターン、301 ワイヤーボンド、302 ダイボンド材、303 導電性ペースト、304 封止樹脂、305 バインダー、306 導電性粒子、307 金スズ合金

 

Claims (6)

  1.  樹脂粒子の表面に導電性金属層が形成された導電性粒子と、はんだ粒子とが接着剤成分に分散されてなる異方性導電接着剤。
  2.  前記導電性粒子の配合量が、1~30体積%であり、
     前記はんだ粒子の配合量が、1~30体積%である請求項1記載の異方性導電接着剤。
  3.  前記はんだ粒子の配合量が、5体積%以上である請求項2記載の異方性導電接着剤。
  4.  前記はんだ粒子の平均粒径が、前記導電性粒子の平均粒径の25~400%である請求項1乃至3のいずれか1項に記載の異方性導電接着剤。
  5.  第1の電子部品の端子と、第2の電子部品の端子とが、樹脂粒子の表面に導電性金属層が形成された導電性粒子を介して電気的に接続されてなる接続構造体において、
     前記第1の電子部品の端子と前記第2の電子部品の端子との間が、はんだ接合されてなる接続構造体。
  6.  第1の電子部品が、LED素子であり、
     第2の電子部品が、基板である請求項5記載の接続構造体。

     
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015056754A1 (ja) * 2013-10-17 2015-04-23 デクセリアルズ株式会社 異方性導電接着剤及び接続構造体
CN106459717A (zh) * 2014-05-23 2017-02-22 迪睿合株式会社 粘接剂及连接结构体
EP3696866B1 (en) * 2014-04-14 2023-11-01 Nichia Corporation Semiconductor device

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6450923B2 (ja) * 2013-12-20 2019-01-16 パナソニックIpマネジメント株式会社 電子部品実装システムおよび電子部品実装方法ならびに電子部品実装装置
JP6419457B2 (ja) * 2014-05-23 2018-11-07 デクセリアルズ株式会社 接着剤及び接続構造体
JP6430148B2 (ja) * 2014-05-23 2018-11-28 デクセリアルズ株式会社 接着剤及び接続構造体
CN107006131A (zh) * 2014-07-28 2017-08-01 通用汽车环球科技运作有限责任公司 用于增强的粘合剂结合的系统和方法
KR102055114B1 (ko) * 2015-06-02 2019-12-12 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 접착제 조성물
JP6519407B2 (ja) * 2015-08-26 2019-05-29 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP6710120B2 (ja) * 2015-09-30 2020-06-17 太陽インキ製造株式会社 導電性接着剤、電子部品および電子部品の製造方法
CN105336275A (zh) * 2015-10-28 2016-02-17 江苏新广联半导体有限公司 高密rgb倒装led显示屏封装结构及制造方法
CN106132086A (zh) * 2016-07-08 2016-11-16 广东小天才科技有限公司 一种电路板结构及电子元件焊接方法
CN105921909A (zh) * 2016-07-18 2016-09-07 浙江亚通焊材有限公司 一种用于制备高温粘带纤料的粘结剂及高温粘带纤料
JP2018088498A (ja) * 2016-11-29 2018-06-07 デクセリアルズ株式会社 異方性導電接着剤
KR102555383B1 (ko) * 2016-12-07 2023-07-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법
TWI761477B (zh) * 2017-03-30 2022-04-21 日商太陽油墨製造股份有限公司 導電性接著劑、硬化物、電子零件及電子零件之製造方法
TWI736695B (zh) * 2017-10-24 2021-08-21 啟耀光電股份有限公司 電子裝置與其製造方法
CN109728022B (zh) * 2017-10-31 2023-06-20 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 微型发光二极管显示面板及其制造方法
TWI650854B (zh) * 2017-10-31 2019-02-11 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 微型發光二極體顯示面板及其製造方法
KR101985499B1 (ko) * 2017-12-28 2019-06-03 삼화콘덴서공업 주식회사 과전류 보호 기능을 가지는 금속 산화물 바리스터
JP7185252B2 (ja) 2018-01-31 2022-12-07 三国電子有限会社 接続構造体の作製方法
JP7046351B2 (ja) 2018-01-31 2022-04-04 三国電子有限会社 接続構造体の作製方法
JP7160302B2 (ja) * 2018-01-31 2022-10-25 三国電子有限会社 接続構造体および接続構造体の作製方法
KR102769519B1 (ko) 2018-02-14 2025-02-17 에피스타 코포레이션 발광 장치, 그 제조 방법 및 디스플레이 모듈
TW202349704A (zh) * 2018-02-14 2023-12-16 晶元光電股份有限公司 發光裝置、其製造方法及顯示模組
CN110880544B (zh) * 2018-09-06 2021-09-03 深圳市斯迈得半导体有限公司 一种用于玻璃基板的芯片及其制作方法
CN110635017B (zh) * 2019-08-09 2021-07-09 惠州市志金电子科技有限公司 一种miniled背光基板封装方法
TWI819073B (zh) * 2019-08-22 2023-10-21 晶元光電股份有限公司 發光裝置、其製造方法及顯示模組
KR102270303B1 (ko) * 2019-08-23 2021-06-30 삼성전기주식회사 적층형 커패시터 및 그 실장 기판
CN111048499B (zh) * 2019-12-16 2022-05-13 业成科技(成都)有限公司 微发光二极管显示面板及其制备方法
US11901497B2 (en) * 2019-12-24 2024-02-13 Seoul Viosys Co., Ltd. Method of repairing light emitting device, apparatus for repairing light emitting device, and display panel having repaired light emitting device
CN116631294A (zh) * 2023-05-22 2023-08-22 业成科技(成都)有限公司 透明显示面板及其拼接方法

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60178690A (ja) 1984-02-24 1985-09-12 ソニ−ケミカル株式会社 配線基板
JPS6459786A (en) * 1987-08-31 1989-03-07 Hitachi Chemical Co Ltd Connection member of circuit
JPH03129607A (ja) * 1989-10-14 1991-06-03 Sony Chem Corp 異方性導電膜
JPH04180029A (ja) * 1990-11-15 1992-06-26 Seiko Epson Corp 回路の接続構造体
JPH06187834A (ja) * 1992-12-18 1994-07-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電フィルム
JPH08186156A (ja) 1994-12-30 1996-07-16 Casio Comput Co Ltd 電子部品の接続方法
JPH114064A (ja) 1997-06-12 1999-01-06 Nec Corp 異方性導電樹脂及びこれを用いた電子部品の実装構造
JPH11176879A (ja) 1997-12-12 1999-07-02 Citizen Watch Co Ltd 半導体装置の実装方法およびこれに用いる異方性導電接着剤
JPH11245082A (ja) * 1997-12-29 1999-09-14 Mitsui High Tec Inc 電子部品の面実装用接続部材
JP2006108523A (ja) * 2004-10-08 2006-04-20 Hitachi Chem Co Ltd 異方性導電フィルムを用いた電気部品の接続方法
JP2008072038A (ja) * 2006-09-15 2008-03-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電気部品の接続方法
JP2013118181A (ja) * 2011-11-02 2013-06-13 Sekisui Chem Co Ltd 異方性導電材料及び接続構造体
JP2013118180A (ja) * 2011-11-02 2013-06-13 Sekisui Chem Co Ltd 異方性導電材料及び接続構造体

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5001542A (en) * 1988-12-05 1991-03-19 Hitachi Chemical Company Composition for circuit connection, method for connection using the same, and connected structure of semiconductor chips
JPH08102218A (ja) * 1994-09-30 1996-04-16 Nec Corp 異方性導電フィルム
US5965064A (en) * 1997-10-28 1999-10-12 Sony Chemicals Corporation Anisotropically electroconductive adhesive and adhesive film
JP3119230B2 (ja) * 1998-03-03 2000-12-18 日本電気株式会社 樹脂フィルムおよびこれを用いた電子部品の接続方法
JP2002299378A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Lintec Corp 導電体付接着シート、半導体装置製造方法および半導体装置
WO2006103918A1 (ja) * 2005-03-28 2006-10-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. フリップチップ実装体とフリップチップ実装方法及びフリップチップ実装装置
JP5499448B2 (ja) * 2008-07-16 2014-05-21 デクセリアルズ株式会社 異方性導電接着剤
US10141084B2 (en) * 2010-10-08 2018-11-27 Cheil Industries, Inc. Electronic device

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60178690A (ja) 1984-02-24 1985-09-12 ソニ−ケミカル株式会社 配線基板
JPS6459786A (en) * 1987-08-31 1989-03-07 Hitachi Chemical Co Ltd Connection member of circuit
JPH03129607A (ja) * 1989-10-14 1991-06-03 Sony Chem Corp 異方性導電膜
JPH04180029A (ja) * 1990-11-15 1992-06-26 Seiko Epson Corp 回路の接続構造体
JPH06187834A (ja) * 1992-12-18 1994-07-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電フィルム
JPH08186156A (ja) 1994-12-30 1996-07-16 Casio Comput Co Ltd 電子部品の接続方法
JPH114064A (ja) 1997-06-12 1999-01-06 Nec Corp 異方性導電樹脂及びこれを用いた電子部品の実装構造
JPH11176879A (ja) 1997-12-12 1999-07-02 Citizen Watch Co Ltd 半導体装置の実装方法およびこれに用いる異方性導電接着剤
JPH11245082A (ja) * 1997-12-29 1999-09-14 Mitsui High Tec Inc 電子部品の面実装用接続部材
JP2006108523A (ja) * 2004-10-08 2006-04-20 Hitachi Chem Co Ltd 異方性導電フィルムを用いた電気部品の接続方法
JP2008072038A (ja) * 2006-09-15 2008-03-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電気部品の接続方法
JP2013118181A (ja) * 2011-11-02 2013-06-13 Sekisui Chem Co Ltd 異方性導電材料及び接続構造体
JP2013118180A (ja) * 2011-11-02 2013-06-13 Sekisui Chem Co Ltd 異方性導電材料及び接続構造体

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2899245A4

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015056754A1 (ja) * 2013-10-17 2015-04-23 デクセリアルズ株式会社 異方性導電接着剤及び接続構造体
EP3696866B1 (en) * 2014-04-14 2023-11-01 Nichia Corporation Semiconductor device
CN106459717A (zh) * 2014-05-23 2017-02-22 迪睿合株式会社 粘接剂及连接结构体
EP3147340A4 (en) * 2014-05-23 2018-01-03 Dexerials Corporation Adhesive agent and connection structure
US10435601B2 (en) 2014-05-23 2019-10-08 Dexerials Corporation Adhesive agent and connection structure
CN106459717B (zh) * 2014-05-23 2021-01-15 迪睿合株式会社 粘接剂及连接结构体

Also Published As

Publication number Publication date
CN104662118A (zh) 2015-05-27
KR102159992B1 (ko) 2020-09-25
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US9676066B2 (en) 2017-06-13
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US20150209914A1 (en) 2015-07-30
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EP2899245A1 (en) 2015-07-29

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