WO2014180697A1 - Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements - Google Patents

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Definitions

  • a method of manufacturing an optoelectronic component relates to a method herstel ⁇ len an optoelectronic component according to claim. 1
  • An inexpensive and efficient method consists in the spray coating of optoelectronic semiconductor chips with a conversion layer.
  • a material that has a wavelength-converting phosphor is sprayed on the light emitting side of the op ⁇ toelektronischen semiconductor chips.
  • part of the material with the wavelength-converting phosphor also deposits next to the optoelectronic semiconductor chip.
  • An object of the present invention is to provide a method for producing an optoelectronic component. This task is performed by a procedure with the Characteristics of claim 1 solved. In the dependent Ansprü ⁇ Chen various developments are given.
  • a method of manufacturing an optoelectronic Bauele- ment comprises the steps of providing a substrate having disposed on a surface of the substrate optoe ⁇ lektronischen semiconductor chip for providing a mask having a backsheet and a topsheet, wherein the unte ⁇ re position a lower opening and the upper layer having an upper opening, which together form a continuous Maskenöff ⁇ voltage, wherein the lower opening has a larger area than the upper opening, for positioning the mask over the surface of the substrate such that the lower layer of the surface of the substrate facing and the mask opening is disposed over the optoelectronic semiconductor chip, for
  • the sprayed layer in this method is essentially limited to an upper side of the optoelectronic ⁇ African semiconductor chip. Laterally beside the optoe ⁇ lektronischen semiconductor chip is only a small part of the sprayed layer is deposited.
  • the optoelectronic component obtainable by this method can advantageously have a very homogeneous emission characteristic. Since the lower opening in the side facing the surface of the substrate and the optoelectronic semiconductor chip lower position of the mask has a larger opening area on ⁇ has, as the upper opening in the upper layer of the mask, con- sists in placing the mask over the surface of the sub ⁇ strats advantageously only a reduced risk of damaging the op ⁇ toelektronischen semiconductor chip.
  • the upper opening formed with a smaller opening area advantageously limits the area of the surface of the substrate in which the sprayed-on layer attaches.
  • the size of the upper opening is advantageously chosen smaller than the size of the lower opening.
  • the upper opening is at most 10% larger than an upper side of the optoelectronic semiconductor chip facing away from the substrate.
  • the size of the area on the surface of the substrate in which the sprayed layer deposits is essentially determined by the size of the upper opening in this method.
  • the upper opening by a maximum of 10% greater than the side facing away from the substrate top surface of the optoelectronic ⁇ rule semiconductor chip is advantageously ensured that also the area on the surface of the sub ⁇ strats in which the sprayed layer is deposited , is not significantly larger than the top of the optoelectronic semiconductor chip.
  • the sprayed layer is deposited then on ⁇ by advantageously substantially at the top of the optoelectronic semiconductor chip and at most to a slight extent in a vicinity of the optoelectronic semiconductor chip.
  • the upper opening is centered in the direction perpendicular to the surface of the substrate over the optoelectronic semiconductor chip.
  • this ensures that even up ⁇ spray-coated layer is deposited centered over the optoelectronic semiconductor chip.
  • the optoelectronic component obtainable by the method can advantageously have a homogeneous emission characteristic.
  • the lower Publ ⁇ voltage and / or the upper opening are rectangular.
  • the method is then particularly well suited for producing an optoelectronic component having a rectangularly formed optoelectronic semiconductor chip.
  • the lower Publ ⁇ voltage and the upper opening are arranged coaxially.
  • the side facing the surface of the substrate lower position of the mask then on the surface of the substrate so Toggle order that the lower layer of the mask on all sides of the optoelectronic semiconductor chip equidistant from the optoelectronic semiconductor chip.
  • the providing ⁇ comprising provide the substrate with the disposed on the surface of the optoelectronic semiconductor chip comprises a step of arranging a bonding wire between the optoelectronic semiconductor chip and arranged on the surface of the substrate contact area.
  • the optoelectronic semiconductor chip obtainable by the process of the optoelectronic component can then be kontak ⁇ advantage over the electrically disposed on the surface of the substrate contact area.
  • the bonding wire is at least partially covered by the upper layer of the mask in the direction perpendicular to the surface of the substrate. ⁇ advantage adhesive enough, thereby at least partially prevent embedding of the bonding wire in the sprayed layer.
  • the lower layer of the mask when the mask is placed over the surface of the substrate, the lower layer of the mask is brought into contact with the surface of the substrate.
  • the surface of the substrate is characterized particularly we ⁇ fectively protected outside the intended region before a coverage with the sprayed layer.
  • the lower opening in the lower layer of the mask which has a larger opening area, there is only a reduced risk of damaging the optoelectronic semiconductor chip or a possible bonding wire when the lower layer of the mask is brought into contact with the surface of the substrate.
  • the mask has Ni ⁇ ckel on.
  • the mask is then easy and inexpensive to produce and suitable for multiple use in successive iterations of the process.
  • the sprayed-on layer has a wavelength-converting phosphor.
  • the sprayed-on layer then forms a converter element of the optoelectronic component, which can serve to convert a wavelength of an electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip. Since the spray-coated layer is limited in this method, substantially on top of the optoelectronic semiconductor chip, which obtainable by the process optoelectronic component ⁇ advantageous way enough, may have a particularly homogeneous radiation pattern.
  • the substrate is provided with a plurality of optoelectronic semiconductor chips arranged on the surface.
  • the mask is provided with egg ⁇ ner plurality of mask openings. In this case, a mask opening is arranged above each optoelectronic semiconductor chip.
  • the method thereby allows a parallel coating of the surfaces of all optoelectronic semiconductor chips with the sprayed
  • the optoelectronic semiconductor chips are provided in a regular grid arrangement on the surface of the substrate. Before ⁇ geous enough, then the mask as a regular Be formed grid. As a result, the alignment of the mask over the surface of the substrate is particularly simple. Au ⁇ ßerdem can be particularly easily cut in a subsequent process step, the substrate thereby to obtain a plurality of optoelectronic components.
  • this comprises a further step of dividing the substrate in order to obtain a plurality of optoelectronic components.
  • Advantageously be converted enables the method characterized a parallel Her ⁇ position of a plurality of optoelectronic components in common operations. As a result, the production costs per individual optoelectronic component can advantageously be reduced.
  • FIG. 1 shows a section through a substrate having a plurality of optoelectronic semiconductor chips.
  • Fig. 2 shows a section through the substrate and across the op ⁇ toelektronischen semiconductor chips arranged mask
  • Fig. 3 is a perspective view of the mask
  • Fig. 4 shows a section through the substrate and the mask after the spraying of a layer
  • Fig. 5 is a section through the substrate having the electro-opto ⁇ African semiconductor chip and the sprayed layer after removing the mask.
  • 1 shows a schematic illustration of a substrate 100 and a plurality of optoelectronic semiconductor chips 200 during a performance of a method for producing an optoelectronic component. The method is not yet completed in the situation illustrated in FIG.
  • the substrate 100 is formed as a substantially flat disc having a substantially planar surface 101. In the lateral direction, the surface 101 of the substrate 100 may, for example, have a circular disk shape or a rectangular shape.
  • the substrate 100 is preferably composed of an elec tric ⁇ insulating material.
  • the substrate 100 can play, comprise a ceramic material in ⁇ .
  • the optoelectronic semiconductor chip 200 may be example ⁇ as light emitting diode chips (LED chips). Preferably, the optoelectronic semiconductor chips 200 are all identical or similar. Each optoelectronic semiconductor chip 200 has a top surface 201 and a top 201 of the bottom 202 gege ⁇ nüberode. The undersides 202 of the op ⁇ toelektronischen semiconductor chip 200 facing the surface 101 of the substrate 100th The top 201 of each optoe ⁇ lektronischen semiconductor chip 200 forms a surface sion Strahlungsemis-. The optoelectronic semiconductor chip 200 are adapted in operation to the ge ⁇ formed on the top surface 201 radiation emitting electromagnetic Strah ⁇ lung, such as visible light to emit.
  • electromagnetic Strah ⁇ lung such as visible light to emit.
  • Each optoelectronic semiconductor chip 200 has an electrical contact surface 210 on its upper side 201.
  • the substrate 100 has a contact surface 110 on its surface 101 per optoelectrochemical ⁇ tronic semiconductor chip 200th
  • the contact faces 110 at the surface 101 of the substrate 100 may for example be connected to extending through the sub ⁇ strat vias 100 electrically conductive.
  • the contact surfaces 210 on the surfaces 201 of the optoelectronic semiconductor chips 200 are each by means of a bonding wire 220 electrically conductively connected to a respective contact surface 110 on the surface 101 of the substrate 100.
  • the optoelectronic semiconductor chip 200 may each have on their underside 202 a further electrical contact area on ⁇ .
  • each of the optoelectronic semiconductor chip 200 disposed at the bottom 202 electrical ⁇ specific contact surface is electrically conductive in each case a white ⁇ direct electrical contact surface on the upper side 101 of the substrate 100 is connected to, for example by means of a lead ⁇ adhesive or a solder.
  • the optoelectronic semiconductor chips 200 may also each have a further electrical contact surface on its upper side 201.
  • each optoelectronic semiconductor chip 200 may be connected to ⁇ means of a further bonding wire, each with a further contact ⁇ area on the surface 101 of the substrate 100th
  • the optoelectronic semiconductor chips 200 may also be attached to the surface 101 of the substrate 100 in this case by means of an adhesive or a solder.
  • the optoelectronic semiconductor chips 200 are spaced apart on the surface 101 of the substrate 100 angeord ⁇ net.
  • the optoelectronic semiconductor chips 200 are arranged in a regular two-dimensional grid arrangement on the surface 101 of the substrate 100. In ⁇ play, the optoelectronic semiconductor chip 200 can form a rectangular lattice on the surface 101 of the substrate 100th
  • Fig. 2 shows a schematic sectional view of the sub ⁇ strats 100 having on the surface 101 of the substrate 100 disposed optoelectronic semiconductor chip 200 in one of the representation of FIG. 1 temporally succeeding processing status.
  • Fig. 3 shows a schematic-perspective view of a part per ⁇ the mask 300th
  • the mask 300 is formed as a flat grating and has an upper surface 301 and a top 301 of the bottom 302 arguelie ⁇ constricting.
  • the mask 300 is arranged on the surface 101 of the substrate 100 such that the underside 302 of the mask 300 faces the surface 101 of the substrate 100.
  • 302 is the underside of the mask 300 preferably in contact with the surface 101 of the substrate 100.
  • the mask 300 can drive ⁇ for example by a galvanic Ver be produced and can for example have ⁇ nickel.
  • the mask 300 has a lower layer 310 and an upper layer 330.
  • the lower layer 310 forms the underside 302 of the mask 300.
  • the upper layer 330 forms the upper side 301 of the mask 300.
  • the lower layer 310 and the upper layer 330 adjoin one another.
  • the lower layer 310 and the upper layer 330 of the mask 300 are of uniform material composition.
  • the mask 300 has a plurality of mask openings 350 that extend perpendicularly between the top side 301 and the bottom side 302 through the mask 300.
  • Each mask opening 350 extends through the top sheet 330 and the lower layer 310 of the mask 300.
  • each mask opening 300 through which is arranged in the upper layer 330 upper Publ ⁇ voltage 340 and, disposed in the lower layer 310 lower opening 320 educated.
  • the mask openings 350 of the mask 300 are arranged in a regelmä ⁇ lar grid arrangement corresponding to the arrangement of the optoelectronic semiconductor chip 200 on the surface 101 of the substrate 100th In the example illustrated in FIGS. 2 and 3, the mask openings 350 are in one
  • the top layer 330 of the mask 300 forms upper lands 335 extending between the top openings 340 of the top layer 330.
  • the lower layer 310 of the mask 300 forms lower lands 315 extending between the lower openings 320 of the lower layer 310.
  • both the upper openings 340 in the upper layer 330 of the mask 300 and the lower openings 320 in the lower layer 310 of the mask 300 are rectangular.
  • the mask openings 350 of the mask 300 formed by the upper openings 340 and the lower openings 320 are arranged in a rectangular grid.
  • each upper ribs 335 and lower ribs 315 form the mask 300 each straight ⁇ linig and extending perpendicularly intersecting beams.
  • Each upper opening 340 of the upper layer 330 of the mask 300 has an upper opening surface 341.
  • Each lower opening 320 in the lower layer 310 of the mask 300 has a lower opening area 321.
  • the upper opening surface 341 is smaller than the lower opening surface 321.
  • the upper lands 335 of the upper layer 330 of the mask 300 are formed wider than the lower lands 315 of the lower layer 310.
  • each Mask opening 350 is formed in each case a circumferential paragraph.
  • the mask 300 is shown in Fig. 2 ⁇ processing was such at the surface 101 of the substrate 100 angeord ⁇ net, that the bottom side 302 formed by the lower layer 310 is conces- Wandt the mask 300, the surface 101 of the substrate 100, and preferably is in contact with the surface 101 of the substrate 100.
  • the mask 300 is aligned with respect to the arranged on the surface 101 of the substrate 100 optoe ⁇ lektronischen semiconductor chip 200, that each have a mask opening 350 of the mask 300 each optoelectronic semiconductor chip 200 is disposed over the top two hundred and first Is before Trains t ⁇ while the upper opening 340 of the respective mask opening 350 centered over the top 201 of the respective optoelectronic semiconductor chip 200 is disposed.
  • the size The upper opening surface 341 of the upper opening 340 of each mask opening 350 preferably corresponds approximately to the size of the upper side 201 of the associated optoelectronic semiconductor chip 200 and should generally be not more than 10 ⁇ 6 larger than the upper side 201 of the associated optoelectronic semiconductor chip 200.
  • the lower ridges 315 of the lower layer 310 of the mask 300 ver ⁇ run between the optoelectronic semiconductor chip 200 100. If the upper Publ ⁇ voltages 340 of the mask openings 350 is centered on the surface 101 of the substrate over the tops 201 of the optoelectronic semiconductor chip 200 and the lower opening 320 and the upper opening 340 of each Maskenöff ⁇ voltage 350 of the mask 300 are arranged coaxially to each other, the lower webs run 315 of the lower layer 310 of the mask 300 each centered optoelectronic between adjacent semiconductor chips 200. However, it is also possible for the bottom webs 315 not centrally between adjacent optoelectronic semiconductor chips 200 to provide, for example, to provide additional space for the bonding wires 220.
  • the lower ridges 315 of the lower layer 310 of the mask 300 are so narrow that there is between the surface 101 of the sub ⁇ strats 100 disposed lower ridges 315 and the optical electronic semiconductor chip 200 and the bonding wires 220, a sufficient distance, ensured by the is that when arranging the mask 300 on the surface 101 of the substrate 100, the optoelectronic semiconductor chips 200 and the bonding wires 200 are not damaged.
  • the upper ridges 335 of the upper layer 330 of the mask 300 are formed so wide that the upper ridges 335 which completely cover the intermediate space between the ⁇ optoelectronic semiconductor chip 200 substantially.
  • the upper ridges 335 overlap while also at least a part of the bonding wires ⁇ 220th
  • the lower layer 310 with the lower webs 315 of the mask 300 is higher than the optoelectronic semiconductor chips 200 and a possible additional projection of the bonding wires 220 is formed.
  • FIG. 4 shows a further schematic sectional view of the substrate 100 with the optoelectronic semiconductor chip 200 arranged on the surface 101 of the substrate 100 and the mask 330 arranged above it in a processing state which follows the representation of FIG.
  • the layer 400 comprises a material that comprises a wellenlän ⁇ genkonvert Schlierenden phosphor four hundred and first
  • the wavelength-converting phosphor 401 is configured to absorb light emitted by the optoelectronic semiconductor chip 200 electromag ⁇ -magnetic radiation having a wavelength from a first spectral range and for emitting electromagnetic radiation having a wavelength from a second spectral range, for example, electromagnetic Strah ⁇ lung with a longer wavelength.
  • the wavelength-converting phosphor 401 may be formed, for example, as an organic phosphor or as an inorganic phosphor.
  • the wavelength-converting phosphor 410 may also have quantum dots.
  • the layer 400 was sprayed in substantially perpendicular to the upper surface 101 of the substrate 100 ⁇ oriented spraying on the top 301 of the mask 300 and through the mask openings 350 on the tops 201 of the optoelectronic semiconductor chip 200th It has a part 401 of
  • Layer 400 deposited on the upper sides 201 of the optoelectronic semiconductor chips 200.
  • Another part 430 of the Layer 400 has been deposited on the upper side 301 of the mask 300 on the upper webs 335 of the upper layer 330 of the mask 300. Since the interspaces between the optoelectronic semiconductor chips 200 are essentially covered by the upper webs 335 of the upper layer 330 of the mask 300, and because of the substantially perpendicular spraying direction, only a small part 420 of the layer 400 has in each case adjacent to the optoelectronic semiconductor chips 200 deposited on the side surfaces of the optoelectronic semiconductor chips 200 and the surface 101 of the substrate 100.
  • FIG. 5 shows a further schematic cross-sectional view of the substrate 100 having disposed on the surface 101 of op ⁇ toelektronischen semiconductor chip 200 and the sprayed layer 400 in one of the representation of FIG. 4 temporally succeeding processing status.
  • the mask 300 has been lifted 400 from the surface 101 of the substrate 100 together with the select ⁇ superimposed on the mask 300 430 part of the sprayed layer and removed.
  • the portion 430 of the layer 400 deposited on the mask 300 can subsequently be removed.
  • the mask 300 can at a re ⁇ HOLUNG of reference to FIGS. 1 to 5 explained method can be used again.
  • the parts 410, 420 of the layer 400 remaining on the upper sides 201 of the optoelectronic semiconductor chips 200 and in the vicinity of the optoelectronic semiconductor chip 200 may be subjected to a curing process before or after lifting off the mask 300.
  • the hardening of the layer 400 can take place, for example, by a thermal process. Depending on the exact material composition of the
  • layer 400 may not require curing of layer 400.
  • the substrate 100 can be divided along cutting planes 120 extending between the optoelectronic semiconductor chips 200 in order to obtain a plurality of optoelectronic components 10.
  • Each of the available optoelectronic components 10 comprises a portion of the substrate 100 with one or more thereon ⁇ arranged optoelectronic semiconductor chip 200. If the optoelectronic semiconductor chip 200 LED chip, so it is at the optoelectronic Bauele ⁇ elements 10 to light-emitting devices.

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Abstract

Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10) umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Substrats (100) mit einem auf einer Oberfläche (101) des Substrats (100) angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip (200), zum Bereitstellen einer Maske (300) mit einer unteren Lage (310) und einer oberen Lage (330), wobei die untere Lage (310) eine untere Öffnung (320) und die obere Lage (330) eine obere Öffnung (340) aufweist, die gemeinsam eine durchgehende Maskenöffnung (350) bilden, wobei die untere Öffnung (320) eine größere Fläche aufweist als die obere Öffnung (340), zum Anordnen der Maske (300) über der Oberfläche (101) des Substrats (100) derart, dass die untere Lage (310) der Oberfläche (101) des Substrats (100) zugewandt und die Maskenöffnung (350) über dem optoelektronischen Halbleiterchip (200) angeordnet ist, zum Aufsprühen einer Schicht (400) auf den optoelektronischen Halbleiterchip (200) durch die Maskenöffnung (350), und zum Entfernen der Maske (300).

Description

Beschreibung
Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstel¬ len eines optoelektronischen Bauelements gemäß Patentanspruch 1.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2013 208 223.1, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Es ist bekannt, optoelektronische Halbleiterchips aufweisende optoelektronische Bauelemente mit Konversionselementen auszu- statten, die dazu vorgesehen sind, eine Wellenlänge einer von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung zu konvertieren. Hierdurch kann beispielsweise aus dem Licht im blauen Spektralbereich emittie¬ render optoelektronischer Halbleiterchips Weißlicht erzeugt werden.
Es sind verschiedene Verfahren bekannt, Konversionselemente herzustellen und optoelektronische Bauelemente mit Konversi¬ onselementen auszustatten. Eine kostengünstige und effiziente Methode besteht in der Sprühbeschichtung von optoelektronischen Halbleiterchips mit einer Konversionsschicht. Dabei wird ein Material, das einen wellenlängenkonvertierenden Leuchtstoff aufweist, auf die lichtemittierende Seite des op¬ toelektronischen Halbleiterchips aufgesprüht. Ein Teil des Materials mit dem wellenlängenkonvertierenden Leuchtstoff lagert sich dabei allerdings auch neben dem optoelektronischen Halbleiterchip ab. Bei als Flächenemitter ausgebildeten optoelektronischen Halbleiterchips führt dies zu einer inhomo¬ genen Abstrahlcharakteristik.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. In den abhängigen Ansprü¬ chen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben.
Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauele- ments umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Substrats mit einem auf einer Oberfläche des Substrats angeordneten optoe¬ lektronischen Halbleiterchip, zum Bereitstellen einer Maske mit einer unteren Lage und einer oberen Lage, wobei die unte¬ re Lage eine untere Öffnung und die obere Lage eine obere Öffnung aufweist, die gemeinsam eine durchgehende Maskenöff¬ nung bilden, wobei die untere Öffnung eine größere Fläche aufweist als die obere Öffnung, zum Anordnen der Maske über der Oberfläche des Substrats derart, dass die untere Lage der Oberfläche des Substrats zugewandt und die Maskenöffnung über dem optoelektronischen Halbleiterchip angeordnet ist, zum
Aufsprühen einer Schicht auf den optoelektronischen Halbleiterchip durch die Maskenöffnung, und zum Entfernen der Maske.
Vorteilhafterweise wird die aufgesprühte Schicht bei diesem Verfahren im Wesentlichen auf eine Oberseite des optoelektro¬ nischen Halbleiterchips beschränkt. Seitlich neben dem optoe¬ lektronischen Halbleiterchip lagert sich nur ein geringer Teil der aufgesprühten Schicht ab. Dadurch kann das nach diesem Verfahren erhältliche optoelektronische Bauelement vor- teilhafterweise eine sehr homogene Abstrahlcharakteristik aufweisen. Da die untere Öffnung in der der Oberfläche des Substrats und dem optoelektronischen Halbleiterchip zugewandten unteren Lage der Maske eine größere Öffnungsfläche auf¬ weist als die obere Öffnung in der oberen Lage der Maske, be- steht beim Anordnen der Maske über der Oberfläche des Sub¬ strats vorteilhafterweise nur eine reduzierte Gefahr, den op¬ toelektronischen Halbleiterchip zu beschädigen. Die mit geringerer Öffnungsfläche ausgebildete obere Öffnung begrenzt vorteilhafterweise den Bereich der Oberfläche des Substrats, in dem sich die aufgesprühte Schicht anlagert. Die Größe der oberen Öffnung wird dabei vorteilhafterweise kleiner als die Größe der unteren Öffnung gewählt. In einer Ausführungsform des Verfahrens ist die obere Öffnung um maximal 10 % größer als eine von dem Substrat abgewandte Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips. Die Größe des Bereichs an der Oberfläche des Substrats, in dem sich die aufgesprühte Schicht ablagert, ist bei diesem Verfahren im Wesentlichen durch die Größe der oberen Öffnung festgelegt. Dadurch, dass die obere Öffnung um maximal 10 % größer als die von dem Substrat abgewandte Oberseite des optoelektroni¬ schen Halbleiterchips ist, wird vorteilhafterweise sicherge- stellt, dass auch der Bereich an der Oberfläche des Sub¬ strats, in dem sich die aufgesprühte Schicht ablagert, nicht wesentlich größer als die Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips ist. Die aufgesprühte Schicht lagert sich da¬ durch vorteilhafterweise im Wesentlichen an der Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips und höchstens in geringem Maße in einer Umgebung des optoelektronischen Halbleiterchips ab .
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die obere Öff- nung in Richtung senkrecht zur Oberfläche des Substrats über dem optoelektronischen Halbleiterchip zentriert. Vorteilhafterweise wird dadurch sichergestellt, dass auch die aufge¬ sprühte Schicht sich zentriert über dem optoelektronischen Halbleiterchip ablagert. Dadurch kann das nach dem Verfahren erhältliche optoelektronische Bauelement vorteilhafterweise eine homogene Abstrahlcharakteristik aufweisen.
In einer Ausführungsform des Verfahrens sind die untere Öff¬ nung und/oder die obere Öffnung rechteckig ausgebildet. Vor- teilhafterweise eignet sich das Verfahren dann besonders gut zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit einem rechteckig ausgebildeten optoelektronischen Halbleiterchip . In einer Ausführungsform des Verfahrens sind die untere Öff¬ nung und die obere Öffnung koaxial angeordnet. Vorteilhafter¬ weise kann die der Oberfläche des Substrats zugewandte untere Lage der Maske dann so über der Oberfläche des Substrats an- geordnet werden, dass die untere Lage der Maske auf allen Seiten des optoelektronischen Halbleiterchips gleich weit von dem optoelektronischen Halbleiterchip beabstandet ist. In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Bereit¬ stellen des Substrats mit dem auf der Oberfläche angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip einen Schritt zum Anordnen eines Bonddrahts zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip und einer auf der Oberfläche des Substrats angeordneten Kontaktfläche. Vorteilhafterweise kann der optoelektronische Halbleiterchip des nach dem Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements dann elektrisch über die auf der Oberfläche des Substrats angeordnete Kontaktfläche kontak¬ tiert werden.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Bonddraht in Richtung senkrecht zur Oberfläche des Substrats zumindest teilweise durch die obere Lage der Maske abgedeckt. Vorteil¬ hafterweise wird dadurch eine Einbettung des Bonddrahts in die aufgesprühte Schicht zumindest teilweise verhindert.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die untere Lage der Maske beim Anordnen der Maske über der Oberfläche des Substrats in Kontakt mit der Oberfläche des Substrats ge- bracht. Vorteilhafterweise wird die Oberfläche des Substrats dadurch außerhalb des vorgesehenen Bereichs besonders wir¬ kungsvoll vor einer Bedeckung mit der aufgesprühten Schicht geschützt. Wegen der eine größere Öffnungsfläche aufweisenden unteren Öffnung in der unteren Lage der Maske besteht bei verfahrensgemäßem Vorgehen dennoch nur eine reduzierte Gefahr, den optoelektronischen Halbleiterchip oder einen eventuellen Bonddraht zu beschädigen, während die untere Lage der Maske in Kontakt mit der Oberfläche des Substrats gebracht wird .
In einer Ausführungsform des Verfahrens sind die untere Lage und die obere Lage der Maske einstückig zusammenhängend aus¬ gebildet. Dadurch ist die Handhabung der Maske vorteilhafter- weise besonders einfach. Die Maske lässt sich dadurch auch besonders einfach und kostengünstig herstellen. Beispielswei¬ se kann die Maske durch ein galvanisches Verfahren herge¬ stellt sein.
In einer Ausführungsform des Verfahrens weist die Maske Ni¬ ckel auf. Vorteilhafterweise ist die Maske dann einfach und kostengünstig herstellbar und eignet sich für eine mehrfache Verwendung in aufeinanderfolgenden Wiederholungen des Verfah- rens .
In einer Ausführungsform des Verfahrens weist die aufgesprühte Schicht einen wellenlängenkonvertierenden Leuchtstoff auf. Vorteilhafterweise bildet die aufgesprühte Schicht dann ein Konverterelement des optoelektronischen Bauelements, das dazu dienen kann, eine Wellenlänge einer durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung zu konvertieren. Da die aufgesprühte Schicht bei diesem Verfahren im Wesentlichen auf die Oberseite des optoelektro- nischen Halbleiterchips beschränkt wird, kann das nach dem Verfahren erhältliche optoelektronische Bauelement vorteil¬ hafterweise eine besonders homogene Abstrahlcharakteristik aufweisen . In einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Substrat mit einer Mehrzahl an der Oberfläche angeordneter optoelektronischer Halbleiterchips bereitgestellt. Die Maske wird mit ei¬ ner Mehrzahl von Maskenöffnungen bereitgestellt. Dabei wird über jedem optoelektronischen Halbleiterchip eine Maskenöff- nung angeordnet. Vorteilhafterweise gestattet das Verfahren dadurch eine parallele Beschichtung der Oberflächen aller optoelektronischer Halbleiterchips mit der aufgesprühten
Schicht . In einer Ausführungsform des Verfahrens werden die optoelektronischen Halbleiterchips in einer regelmäßigen Gitteranordnung auf der Oberfläche des Substrats bereitgestellt. Vor¬ teilhafterweise kann dann auch die Maske als regelmäßiges Gitter ausgebildet sein. Dadurch ist die Ausrichtung der Maske über der Oberfläche des Substrats besonders einfach. Au¬ ßerdem kann das Substrat dadurch in einem nachfolgenden Verfahrenschritt besonders einfach zerteilt werden, um eine Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente zu erhalten.
In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses einen weiteren Schritt zum Zerteilen des Substrats, um eine Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente zu erhalten. Vorteilhaft- erweise ermöglicht das Verfahren dadurch eine parallele Her¬ stellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente in gemeinsamen Arbeitsgängen. Dadurch können die Herstellungskosten pro einzelnem optoelektronischen Bauelement vorteilhafterweise reduziert werden.
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbei- spiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen jeweils in schematischer Darstellung
Fig. 1 einen Schnitt durch ein Substrat mit einer Mehrzahl optoelektronischer Halbleiterchips;
Fig. 2 einen Schnitt durch das Substrat und eine über den op¬ toelektronischen Halbleiterchips angeordnete Maske; Fig. 3 eine perspektivische Ansicht der Maske;
Fig. 4 einen Schnitt durch das Substrat und die Maske nach dem Aufsprühen einer Schicht; und Fig. 5 einen Schnitt durch das Substrat mit den optoelektro¬ nischen Halbleiterchips und die aufgesprühte Schicht nach dem Entfernen der Maske. Fig. 1 zeigt eine schematische Darstellung eines Substrats 100 und einer Mehrzahl optoelektronischer Halbleiterchips 200 während einer Durchführung eines Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements. Das Verfahren ist in der in Fig. 1 dargestellten Situation noch nicht abgeschlossen .
Das Substrat 100 ist als im Wesentlichen flache Scheibe mit einer im Wesentlichen ebenen Oberfläche 101 ausgebildet. In lateraler Richtung kann die Oberfläche 101 des Substrats 100 beispielsweise eine Kreisscheibenform oder eine Rechteckform aufweisen. Das Substrat 100 besteht bevorzugt aus einem elek¬ trisch isolierenden Material. Das Substrat 100 kann bei¬ spielsweise ein keramisches Material aufweisen.
Die optoelektronischen Halbleiterchips 200 können beispiels¬ weise Leuchtdiodenchips (LED-Chips) sein. Bevorzugt sind die optoelektronischen Halbleiterchips 200 alle identisch oder ähnlich ausgebildet. Jeder optoelektronische Halbleiterchip 200 weist eine Oberseite 201 und eine der Oberseite 201 gege¬ nüberliegende Unterseite 202 auf. Die Unterseiten 202 der op¬ toelektronischen Halbleiterchips 200 sind der Oberfläche 101 des Substrats 100 zugewandt. Die Oberseite 201 jedes optoe¬ lektronischen Halbleiterchips 200 bildet eine Strahlungsemis- sionsfläche. Die optoelektronischen Halbleiterchips 200 sind dazu ausgebildet, im Betrieb an der an der Oberseite 201 ge¬ bildeten Strahlungsemissionsfläche elektromagnetische Strah¬ lung, beispielsweise sichtbares Licht, zu emittieren. Jeder optoelektronische Halbleiterchip 200 weist an seiner Oberseite 201 eine elektrische Kontaktfläche 210 auf. Das Substrat 100 weist an seiner Oberfläche 101 pro optoelektro¬ nischem Halbleiterchip 200 eine Kontaktfläche 110 auf. Die Kontaktflächen 110 an der Oberfläche 101 des Substrats 100 können beispielsweise elektrisch leitend mit durch das Sub¬ strat 100 verlaufenden Durchkontakten verbunden sein. Die Kontaktflächen 210 an den Oberflächen 201 der optoelektronischen Halbleiterchips 200 sind mittels je eines Bonddrahts 220 elektrisch leitend mit je einer Kontaktfläche 110 an der Oberfläche 101 des Substrats 100 verbunden.
Die optoelektronischen Halbleiterchips 200 können an ihrer Unterseite 202 je eine weitere elektrische Kontaktfläche auf¬ weisen. In diesem Fall ist die an der Unterseite 202 jedes optoelektronischen Halbleiterchips 200 angeordnete elektri¬ sche Kontaktfläche elektrisch leitend mit jeweils einer wei¬ teren elektrischen Kontaktfläche an der Oberseite 101 des Substrats 100 verbunden, beispielsweise mittels eines Leit¬ klebers oder eines Lots. Die optoelektronischen Halbleiterchips 200 können aber auch jeweils eine weitere elektrische Kontaktfläche an ihrer Oberseite 201 aufweisen. In diesem Fall kann die weitere elektrische Kontaktfläche an der Ober- seite 201 jedes optoelektronischen Halbleiterchips 200 mit¬ tels eines weiteren Bonddrahts mit je einer weiteren Kontakt¬ fläche an der Oberfläche 101 des Substrats 100 verbunden sein. Die optoelektronischen Halbleiterchips 200 können auch in diesem Fall mittels eines Klebers oder eines Lots an der Oberfläche 101 des Substrats 100 befestigt sein.
Die optoelektronischen Halbleiterchips 200 sind beabstandet voneinander an der Oberfläche 101 des Substrats 100 angeord¬ net. Bevorzugt sind die optoelektronischen Halbleiterchips 200 in einer regelmäßigen zweidimensionalen Gitteranordnung an der Oberfläche 101 des Substrats 100 angeordnet. Bei¬ spielsweise können die optoelektronischen Halbleiterchips 200 an der Oberfläche 101 des Substrats 100 ein Rechteckgitter bilden .
Fig. 2 zeigt eine schematische Schnittdarstellung des Sub¬ strats 100 mit den auf der Oberfläche 101 des Substrats 100 angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips 200 in einem der Darstellung der Fig. 1 zeitlich nachfolgenden Bearbei- tungsstand. An der Oberfläche 101 des Substrats 100 wurde ei¬ ne Maske 300 angeordnet. Fig. 3 zeigt eine schematische per¬ spektivische Darstellung eines Teils der Maske 300. Die Maske 300 ist als flaches Gitter ausgebildet und weist eine Oberseite 301 und eine der Oberseite 301 gegenüberlie¬ gende Unterseite 302 auf. Die Maske 300 ist derart an der Oberfläche 101 des Substrats 100 angeordnet, dass die Unter- seite 302 der Maske 300 der Oberfläche 101 des Substrats 100 zugewandt ist. Dabei steht die Unterseite 302 der Maske 300 bevorzugt in Kontakt mit der Oberfläche 101 des Substrats 100. Die Maske 300 kann beispielsweise durch ein galvanisches Ver¬ fahren hergestellt sein und kann beispielsweise Nickel auf¬ weisen .
Die Maske 300 weist eine untere Lage 310 und eine obere Lage 330 auf. Die untere Lage 310 bildet die Unterseite 302 der Maske 300. Die obere Lage 330 bildet die Oberseite 301 der Maske 300. Die untere Lage 310 und die obere Lage 330 grenzen aneinander an. Bevorzugt sind die untere Lage 310 und die obere Lage 330 der Maske 300 materialeinheitlich zusammenhän- gend ausgebildet.
Die Maske 300 weist eine Mehrzahl von Maskenöffnungen 350 auf, die sich senkrecht zwischen der Oberseite 301 und der Unterseite 302 durch die Maske 300 erstrecken. Jede Masken- Öffnung 350 erstreckt sich durch die obere Lage 330 und die untere Lage 310 der Maske 300. Dabei wird jede Maskenöffnung 300 durch eine in der oberen Lage 330 angeordnete obere Öff¬ nung 340 und eine in der unteren Lage 310 angeordnete untere Öffnung 320 gebildet.
Die Maskenöffnungen 350 der Maske 300 sind in einer regelmä¬ ßigen Gitteranordnung angeordnet, die der Anordnung der optoelektronischen Halbleiterchips 200 an der Oberfläche 101 des Substrats 100 entspricht. Im in Figuren 2 und 3 darge- stellten Beispiel sind die Maskenöffnungen 350 in einem
Rechteckgitter angeordnet. Die obere Lage 330 der Maske 300 bildet obere Stege 335, die zwischen den oberen Öffnungen 340 der oberen Lage 330 verlaufen. Die untere Lage 310 der Maske 300 bildet untere Stege 315, die zwischen den unteren Öffnungen 320 der unteren Lage 310 verlaufen. Im in Figuren 2 und 3 gezeigten Beispiel sind sowohl die oberen Öffnungen 340 in der oberen Lage 330 der Maske 300 als auch die unteren Öffnungen 320 in der unteren Lage 310 der Maske 300 rechteckig ausgebildet. Gleichzeitig sind die durch die oberen Öffnungen 340 und die unteren Öff- nungen 320 gebildeten Maskenöffnungen 350 der Maske 300 in einem Rechteckgitter angeordnet. Somit bilden die oberen Stege 335 und die unteren Stege 315 der Maske 300 jeweils gerad¬ linig verlaufende und sich rechtwinklig kreuzende Balken. Jede obere Öffnung 340 der oberen Lage 330 der Maske 300 weist eine obere Öffnungsfläche 341 auf. Jede untere Öffnung 320 in der unteren Lage 310 der Maske 300 weist eine untere Öffnungsfläche 321 auf. Die obere Öffnungsfläche 341 ist kleiner als die untere Öffnungsfläche 321. Somit sind die oberen Stege 335 der oberen Lage 330 der Maske 300 breiter ausgebildet als die unteren Stege 315 der unteren Lage 310. Am Übergang zwischen der unteren Öffnung 320 und der oberen Öffnung 340 jeder Maskenöffnung 350 ist jeweils ein umlaufender Absatz ausgebildet.
Die Maske 300 ist im in Fig. 2 dargestellten Bearbeitungs¬ stand derart an der Oberfläche 101 des Substrats 100 angeord¬ net, dass die durch die untere Lage 310 gebildete Unterseite 302 der Maske 300 der Oberfläche 101 des Substrats 100 zuge- wandt ist und bevorzugt in Kontakt mit der Oberfläche 101 des Substrats 100 steht. Dabei ist die Maske 300 derart an den an der Oberfläche 101 des Substrats 100 angeordneten optoe¬ lektronischen Halbleiterchips 200 ausgerichtet, dass je eine Maskenöffnung 350 der Maske 300 über der Oberseite 201 jedes optoelektronischen Halbleiterchips 200 angeordnet ist. Bevor¬ zugt ist dabei die obere Öffnung 340 der jeweiligen Maskenöffnung 350 zentriert über der Oberseite 201 des jeweiligen optoelektronischen Halbleiterchips 200 angeordnet. Die Größe der oberen Öffnungsfläche 341 der oberen Öffnung 340 jeder Maskenöffnung 350 entspricht bevorzugt etwa der Größe der Oberseite 201 des zugeordneten optoelektronischen Halbleiterchips 200 und sollte in der Regel um nicht mehr als 10 ~6 grö ßer als die Oberseite 201 des zugeordneten optoelektronischen Halbleiterchips 200 sein.
Die unteren Stege 315 der unteren Lage 310 der Maske 300 ver¬ laufen zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip 200 an der Oberfläche 101 des Substrats 100. Falls die oberen Öff¬ nungen 340 der Maskenöffnungen 350 über den Oberseiten 201 der optoelektronischen Halbleiterchips 200 zentriert und die untere Öffnung 320 und die obere Öffnung 340 jeder Maskenöff¬ nung 350 der Maske 300 koaxial zueinander angeordnet sind, so verlaufen die unteren Stege 315 der unteren Lage 310 der Maske 300 jeweils mittig zwischen benachbarten optoelektronischen Halbleiterchips 200. Es ist jedoch auch möglich, die unteren Stege 315 nicht mittig zwischen benachbarten optoelektronischen Halbleiterchips 200 anzuordnen, um beispiels- weise zusätzlichen Raum für die Bonddrähte 220 zu schaffen.
Die unteren Stege 315 der unteren Lage 310 der Maske 300 sind so schmal, dass zwischen den an der Oberfläche 101 des Sub¬ strats 100 angeordneten unteren Stegen 315 und den optoe- lektronischen Halbleiterchips 200 sowie den Bonddrähten 220 ein ausreichender Abstand besteht, durch den sichergestellt ist, dass beim Anordnen der Maske 300 an der Oberfläche 101 des Substrats 100 die optoelektronischen Halbleiterchips 200 und die Bonddrähte 200 nicht beschädigt werden.
Die oberen Stege 335 der oberen Lage 330 der Maske 300 sind so breit ausgebildet, dass die oberen Stege 335 die Zwischen¬ räume zwischen den optoelektronischen Halbleiterchips 200 im Wesentlichen vollständig überdecken. Bevorzugt überdecken die oberen Stege 335 dabei auch zumindest einen Teil der Bond¬ drähte 220. In Richtung senkrecht zur Oberfläche 101 des Substrats 100 ist die untere Lage 310 mit den unteren Stegen 315 der Maske 300 höher als die optoelektronischen Halbleiterchips 200 und ein eventueller zusätzlicher Überstand der Bonddrähte 220 ausgebildet. Dadurch sind die oberen Stege 335 in Richtung senkrecht zur Oberfläche 101 des Substrats 100 oberhalb der Oberseiten 201 der optoelektronischen Halbleiterchips 200 und der Bonddrähte 220 angeordnet. Fig. 4 zeigt eine weitere schematische Schnittdarstellung des Substrats 100 mit den an der Oberfläche 101 des Substrats 100 angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips 200 und der darüber angeordneten Maske 330 in einem der Darstellung der Fig. 2 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
An den Oberseiten 201 der optoelektronischen Halbleiterchips 200 ist eine Schicht 400 durch Aufsprühen abgelagert worden. Die Schicht 400 weist ein Material auf, das einen wellenlän¬ genkonvertierenden Leuchtstoff 401 umfasst. Der wellenlängen- konvertierende Leuchtstoff 401 ist dazu ausgebildet, von den optoelektronischen Halbleiterchips 200 emittierte elektromag¬ netische Strahlung mit einer Wellenlänge aus einem ersten Spektralbereich zu absorbieren und dafür elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus einem zweiten Spektralbe- reich zu emittieren, beispielsweise elektromagnetische Strah¬ lung mit einer größeren Wellenlänge. Der wellenlängenkonvertierende Leuchtstoff 401 kann beispielsweise als organischer Leuchtstoff oder als anorganischer Leuchtstoff ausgebildet sein. Der wellenlängenkonvertierende Leuchtstoff 410 kann auch Quantenpunkte aufweisen.
Die Schicht 400 wurde in im Wesentlichen senkrecht zur Ober¬ fläche 101 des Substrats 100 orientierte Sprührichtung auf die Oberseite 301 der Maske 300 und durch die Maskenöffnungen 350 auf die Oberseiten 201 der optoelektronischen Halbleiterchips 200 aufgesprüht. Dabei hat sich ein Teil 401 der
Schicht 400 an den Oberseiten 201 der optoelektronischen Halbleiterchips 200 abgelagert. Ein weiterer Teil 430 der Schicht 400 hat sich an der Oberseite 301 der Maske 300 auf den oberen Stegen 335 der oberen Lage 330 der Maske 300 abgelagert. Da die Zwischenräume zwischen den optoelektronischen Halbleiterchips 200 durch die oberen Stege 335 der oberen La- ge 330 der Maske 300 im Wesentlichen überdeckt sind und wegen der im Wesentlichen senkrechten Sprührichtung hat sich neben den optoelektronischen Halbleiterchips 200 jeweils nur ein kleiner Teil 420 der Schicht 400 an den Seitenflächen der optoelektronischen Halbleiterchips 200 und der Oberfläche 101 des Substrats 100 abgelagert. Im Wesentlichen ist die Ober¬ fläche 101 des Substrats 100 zwischen den optoelektronischen Halbleiterchips 200 nicht durch die Schicht 400 bedeckt wor¬ den . Fig. 5 zeigt eine weitere schematische Schnittdarstellung des Substrats 100 mit den an der Oberfläche 101 angeordneten op¬ toelektronischen Halbleiterchips 200 und der aufgesprühten Schicht 400 in einem der Darstellung der Fig. 4 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.
Die Maske 300 wurde gemeinsam mit dem an der Maske 300 abge¬ lagerten Teil 430 der aufgesprühten Schicht 400 von der Oberfläche 101 des Substrats 100 abgehoben und entfernt. Der auf der Maske 300 abgelagerte Teil 430 der Schicht 400 kann nach- folgend abgelöst werden. Die Maske 300 kann bei einer Wieder¬ holung des anhand der Fign. 1 bis 5 erläuterten Verfahrens erneut verwendet werden.
Die an den Oberseiten 201 der optoelektronischen Halbleiter- chips 200 und in der Umgebung der optoelektronischen Halbleiterchip 200 verbliebenen Teile 410, 420 der Schicht 400 können vor oder nach dem Abheben der Maske 300 einem Aushär- tungsprozess unterworfen werden. Das Aushärten der Schicht 400 kann beispielsweise durch ein thermisches Verfahren er- folgen. Je nach der genauen Materialzusammensetzung der
Schicht 400 kann ein Aushärten der Schicht 400 aber auch nicht erforderlich sein. In einem dem in Fig. 5 dargestellten Bearbeitungsstand zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsschritt kann das Substrat 100 entlang zwischen den optoelektronischen Halbleiterchips 200 verlaufender Zerteilebenen 120 zerteilt werden, um eine Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente 10 zu erhalten. Jedes der erhältlichen optoelektronischen Bauelemente 10 umfasst einen Teil des Substrats 100 mit einem oder mehreren darauf ange¬ ordneten optoelektronischen Halbleiterchips 200. Falls die optoelektronischen Halbleiterchips 200 Leuchtdiodenchips sind, so handelt es sich bei den optoelektronischen Bauele¬ menten 10 um Leuchtdioden-Bauelemente.
Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbei¬ spiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen .
Bezugs zeichenliste
10 optoelektronisches Bauelement 100 Substrat
101 Oberfläche
110 Kontaktfläche
120 Zerteilebene 200 optoelektronischer Halbleiterchip
201 Oberseite
202 Unterseite
210 Kontaktfläche
220 Bonddraht
300 Maske
301 Oberseite
302 Unterseite
310 untere Lage
315 unterer Steg
320 untere Öffnung
321 untere Öffnungsfläche
330 obere Lage
335 oberer Steg
340 obere Öffnung
341 obere Öffnungsfläche
350 Maskenöffnung
400 Schicht
401 wellenlängenkonvertierender Leuchtstoff
410 auf optoelektronischem Halbleiterchip abgelagerter Teil
420 neben optoelektronischem Halbleiterchip abgelagerter Teil
430 auf Maske abgelagerter Teil

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10)
mit den folgenden Schritten:
- Bereitstellen eines Substrats (100) mit einem auf einer Oberfläche (101) des Substrats (100) angeordneten optoe¬ lektronischen Halbleiterchip (200);
- Bereitstellen einer Maske (300) mit einer unteren Lage (310) und einer oberen Lage (330),
wobei die untere Lage (310) eine untere Öffnung (320) und die obere Lage (330) eine obere Öffnung (340) aufweist, die gemeinsam eine durchgehende Maskenöffnung (350) bil¬ den,
wobei die untere Öffnung (320) eine größere Fläche auf¬ weist als die obere Öffnung (340);
- Anordnen der Maske (300) über der Oberfläche (101) des Substrats (100) derart, dass die untere Lage (310) der Oberfläche (101) des Substrats (100) zugewandt und die Maskenöffnung (350) über dem optoelektronischen Halbleiterchip (200) angeordnet ist;
- Aufsprühen einer Schicht (400) auf den optoelektronischen Halbleiterchip (200) durch die Maskenöffnung (350);
- Entfernen der Maske (300) .
2. Verfahren gemäß Anspruch 1,
wobei die obere Öffnung (340) um maximal 10 % größer ist als eine von dem Substrat (100) abgewandte Oberseite (201) des optoelektronischen Halbleiterchips (200).
3. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei die obere Öffnung (340) in Richtung senkrecht zur Oberfläche (101) des Substrats (100) über dem optoe¬ lektronischen Halbleiterchip (200) zentriert wird.
4. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei die untere Öffnung (320) und/oder die obere Öffnung (340) rechteckig ausgebildet sind. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die untere Öffnung (320) und die obere Öffnung (340) koaxial angeordnet sind.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Bereitstellen des Substrats (100) mit dem auf der Oberfläche (101) angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip (200) den folgenden Schritt umfasst:
- Anordnen eines Bonddrahts (220) zwischen dem optoe¬ lektronischen Halbleiterchip (200) und einer auf der Oberfläche (101) des Substrats (100) angeordneten Kon¬ taktfläche (110) .
Verfahren gemäß Anspruch 6,
wobei der Bonddraht (220) in Richtung senkrecht zur Ober¬ fläche (101) des Substrats (100) zumindest teilweise durch die obere Lage (330) der Maske (300) abgedeckt wird .
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die untere Lage (310) beim Anordnen der Maske (300) über der Oberfläche (101) des Substrats (100) in Kontakt mit der Oberfläche (101) des Substrats (100) gebracht wird .
9. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei die untere Lage (310) und die obere Lage (330) ein¬ stückig zusammenhängend ausgebildet sind.
10. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei die Maske (300) Nickel aufweist.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die aufgesprühte Schicht (400) einen weilenlänge konvertierenden Leuchtstoff (401) aufweist.
12. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Substrat (100) mit einer Mehrzahl auf der Ober¬ fläche (101) angeordneter optoelektronischer Halbleiterchips (200) bereitgestellt wird,
wobei die Maske (300) mit einer Mehrzahl von Maskenöff¬ nungen (350) bereitgestellt wird,
wobei über jedem optoelektronischen Halbleiterchip (200) eine Maskenöffnung (350) angeordnet wird. 13. Verfahren gemäß Anspruch 12,
wobei die optoelektronischen Halbleiterchips (200) in ei¬ ner regelmäßigen Gitteranordnung auf der Oberfläche (101) des Substrats (100) bereitgestellt werden. 14. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 und 13,
wobei das Verfahren den folgenden weiteren Schritt aufweist:
- Zerteilen des Substrats (100), um eine Mehrzahl optoe¬ lektronischer Bauelemente (10) zu erhalten.
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