WO2015005559A1 - 유기 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 - Google Patents

유기 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 Download PDF

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    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom

Definitions

  • An organic compound an organic optoelectronic device, and a display device.
  • An organic optoelectric diode is a device capable of converting electrical energy and light energy.
  • Organic optoelectronic devices can be divided into two types according to the principle of operation.
  • Examples of the organic optoelectronic device may be an organic photoelectric device, an organic light emitting device, an organic solar cell and an organic photo conductor drum.
  • the organic light emitting device converts electrical energy into light by applying an electric current to the organic light emitting material.
  • the organic light emitting device has a structure in which an organic layer is inserted between an anode and a cathode.
  • the organic layer may include a light emitting layer and an auxiliary layer, and the auxiliary layer may include, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, an electron transport layer, and an electron injection layer to increase efficiency and stability of the organic light emitting diode. And at least .1 layer selected from the hole blocking layer.
  • the performance of the organic light emitting device is greatly influenced by the specificity of the organic layer, and in particular, by the organic material included in the organic layer.
  • One embodiment provides an organic compound capable of implementing high efficiency and long life organic optoelectronic devices.
  • Another embodiment provides an organic optoelectronic device including the organic compound.
  • Another embodiment provides a display device including the organic optoelectronic device.
  • organic compounds represented by a combination of moieties represented:
  • X is CR a R b , SiR c R d , 0, S, SO or S0 2 ,
  • Z are each independently N or CR e ,
  • At least one of Z is N,
  • R 1 to R 8 and R a to R e are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroaryl Groups or a combination thereof,
  • L is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroarylene group, or a combination thereof,
  • nl to n3 are each independently 0 or 1
  • Adjacent two * of Chemical Formula 1 combines with two * of Chemical Formula 2 to form a fused ring.
  • An organic optoelectronic device including at least one organic layer positioned therebetween, wherein the organic layer comprises the organic compound.
  • a display device including the organic optoelectronic device is provided.
  • FIG. 1 and 2 illustrate an organic light emitting diode according to an embodiment, respectively.
  • substituted means that at least one hydrogen in a substituent or compound is a deuterium, halogen group, hydroxy group, amino group, substituted or unsubstituted C1 to C30 amine group, nitro group, substituted or unsubstituted C1 to C40 silyl group, C1 to C30 alkyl group, C1 to C10 alkylsilyl group, C3 to C30 cycloalkyl group C3 to C30 heterocycloalkyl group, C6 to C30 aryl group, C6 to C30 aryl group, C6 to C30
  • C1 to C10 trifluoroalkyl group or cyano group such as heteroaryl group, C1 to C20 alkoxy group, fluoro group, trifluoromethyl group.
  • substituted halogen group hydroxy group, amino group, substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, nitro group, substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, C1 to C30 alkyl group, C1 to C10 alkylsilyl group, C3 to C1 to C10 such as C30 cycloalkyl group, C3 to C30 heterocycloalkyl group, C6 to C30 aryl group, C6 to C30 heteroaryl group, C1 to C20 alkoxy group, fluoro group, trifluoromethyl group, etc.
  • Two adjacent substituents of the trifluoroalkyl group or the cyano group may be fused to form a ring.
  • the substituted C6 to C30 aryl group may be fused to another adjacent substituted C6 to C30 aryl group to form a substituted or unsubstituted fluorene ring.
  • hetero means N in one functional group, unless otherwise defined. It contains 1 to 3 hetero atoms selected from the group consisting of O, S, P and Si, and the rest means carbon.
  • an "alkyl group” is aliphatic.
  • the alkyl group may be a "saturated alkyl group" which does not contain any double or triple bonds.
  • the alkyl group may be an alkyl group of C1 to C30. More specifically, the alkyl group may be a C1 to C20 alkyl group or a C1 to C10 alkyl group.
  • a C1 to C4 alkyl group means that the alkyl chain contains from 1 to 4 carbon atoms, with methyl, ethyl, propyl, iso-propyl, ⁇ -butyl, iso-butyl, sec-butyl and t-butyl Selected from the group consisting of:
  • alkyl group examples include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, nucleosil group, cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group and cyclohex It means a practical skill.
  • an "aryl group” refers to a substituent in which all elements of a cyclic substituent have a p-orbital and these P-orbitals form a conjugate, and are monocyclic, polycyclic or Fused ring polycyclic (ie, rings that divide adjacent pairs of carbon atoms) functional groups.
  • heteroaryl group '' means containing 1 to 3 heteroatoms selected from the group consisting of N, 0, S, P and Si in the aryl group, and the rest is carbon.
  • each ring may include 1 to 3 heteroatoms.
  • a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group and / or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted anthra Senyl group, substituted or unsubstituted phenanthryl group, substituted or unsubstituted naphthacenyl group, substituted or unsubstituted pyrenyl group, substituted or unsubstituted biphenyl group, substituted or unsubstituted P-terphenyl group, substituted or unsubstituted Substituted m-terphenyl group, substituted or unsubstituted chrysenyl group, substituted or unsubstituted Triphenylenyl group, substituted or unsubstituted pery
  • Imidazolyl group substituted or unsubstituted triazolyl group, substituted or unsubstituted oxazolyl group, substituted or unsubstituted thiazolyl group, substituted or unsubstituted oxadiazolyl group, substituted or unsubstituted thiadiazoleyl group , Substituted or unsubstituted pyridyl group, substituted or unsubstituted pyrimidinyl group, substituted or unsubstituted pyrazinyl group, substituted or unsubstituted triazinyl group, substituted or unsubstituted benzofuranyl group, substituted or unsubstituted Benzothiophenyl group, substituted or unsubstituted benzimidazolyl group, substituted or unsubstituted indolyl group, substituted or unsubstituted quinolinyl group, substituted or unsubstitute
  • Naphthyridinyl group substituted or unsubstituted benzoxazineyl group, substituted or unsubstituted benzthiazinyl group, substituted or unsubstituted acridinyl group, substituted or unsubstituted
  • Phenazineyl group substituted or unsubstituted phenothiazineyl group, substituted or unsubstituted
  • It may be, but is not limited to, a dibenzofuranyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, a substituted or unsubstituted carbazole group, or a combination thereof.
  • the hole characteristic refers to a characteristic capable of forming holes by donating electrons when an electric field is applied, and injecting holes formed at the anode into the light emitting layer having conductive properties along the HOMO level, It means a property that facilitates the movement of the hole formed in the light emitting layer to the anode and the movement in the light emitting impingement.
  • electron talkability refers to a property that can receive electrons when an electric field is applied, and has conductivity characteristics along the LUMO level. It means a property that facilitates movement.
  • An organic compound according to one embodiment is represented by a combination of a moiety represented by Chemical Formula 1 and a moiety represented by Chemical Formula.
  • X is CR a R b , SiR c R d , O, S, SO or S0 2 ,
  • Z are each independently N or CR e ,
  • At least one of Z is N,
  • R 1 to R 8 and R a to R e are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroaryl Groups or a combination thereof,
  • L is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroarylene group, or a combination thereof,
  • nl to n3 are each independently 0 or 1
  • Adjacent two * of Chemical Formula 1 combines with two * of Chemical Formula 2 to form a fused ring.
  • the organic compound may be represented by, for example, the following Chemical Formula 3 or the following Chemical Formula 4, depending on the bonding position of the moiety represented by Chemical Formula 1 and the moiety represented by Chemical Formula 2.
  • the organic compound includes indenotriphenylene and at least one nitrogen-containing heteroaryl group.
  • the organic compound may include a ring containing at least one nitrogen, and thus may have a structure in which electrons are easily received when an electric field is applied, thereby lowering a driving voltage of the organic optoelectronic device to which the organic compound is applied.
  • the organic compound includes an indenotriphenylene portion, which is easy to receive holes, and a nitrogen-containing ring portion, which is easy to accept electrons, to form a bipolar structure, thereby properly balancing the flow of holes and electrons.
  • the efficiency of the organic optoelectronic device to which the organic compound is applied can be improved.
  • the organic compound may exhibit excellent bipolar characteristics by appropriately localizing the indenotriphenylene portion susceptible to holes and the portion susceptible to electrons and controlling the flow of the conjugated system. Accordingly, the lifespan of the organic optoelectronic device to which the organic compound is applied can be improved.
  • the organic compound may have a structure capable of effectively preventing stacking of organic compounds, thereby lowering process stability and lowering deposition temperature. .
  • the moiety represented by Formula 2 may be, for example, represented by one of Formula 2 ′ I to Formula 2-III:
  • X 1 , X 2 , X 3 , Z, R 5 to R 8 , R a to R e , L, nl to n 3 are as described above.
  • X 1 and X 2 are each independently CR a R b or SiR c R d , X 3 is 0, S, SO or S0 2 , Z, R 5 to R 8 , to R e , L, nl to n3 are as described above.
  • Formula 2 may be represented by, for example, a combination selected from Formula 2a and Group 1 below.
  • L of Formula 2 may be, for example, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, for example, a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenylene group, or a substituted or unsubstituted terphenylene group. It is not limited to this.
  • R 1 to R 4 of Formula 1 may each independently be hydrogen, deuterium or a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group.
  • the organic compound may be, for example, a compound listed in Group 2, but is not limited thereto.
  • the organic compound may have a LUMO energy of about -2.0 to -2.5 eV. By having LUMO energy of the said range, an electron injection characteristic can be improved.
  • the organic optoelectronic device is not particularly limited as long as the device can switch electrical energy and light energy. Examples thereof include an organic photoelectric device, an organic light emitting device, an organic solar cell, and an organic photosensitive drum.
  • an organic optoelectronic device 100 includes an anode 120 and a cathode 110 facing each other, and an organic layer 105 positioned between the anode 120 and the cathode 1 10. It includes.
  • the anode 120 may be made of a high work function conductor, for example, to facilitate hole injection, and may be made of metal, metal oxide, and / or conductive polymer, for example.
  • the anode 120 is, for example, a metal such as nickel, platinum, vanadium, chromium, copper, zinc, gold or an alloy thereof; Zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide ( ⁇ ),
  • Metal oxides such as rhodium zinc oxide (IZO); Combinations of oxides with metals such as ZnO and A1 or Sn0 2 and Sb; Poly (3-methylthiophene), poly (3,4- (ethylene-1,2- Conductive polymers such as dioxy) thiophene Xpolyehtylenedioxythiophene (PEDT), polypyrrole and polyaniline, and the like, but are not limited thereto.
  • Cathode 110 may be made of a low work function conductor, for example, to facilitate residue injection, and may be made of a metal, metal oxide, and / or conductive polymer, for example.
  • Metals such as potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, lead, cesium, barium, or alloys thereof; Multilayer structure materials such as LiF / Al, Li0 2 / Al, LiF / Ca, LiF / Al, and BaF 2 / Ca, but are not limited thereto.
  • the organic layer 105 includes a light emitting layer 130 including the above-described organic compound.
  • the light emitting layer 130 may include the above-described organic compound alone, may include at least two kinds of the above-described organic compounds in combination, or may include the above-mentioned organic compound and other compounds in combination.
  • the above-mentioned organic compound and other compounds are mixed and included, for example, it may be included in the form of a host and a dopant, and the above-described organic compound may be included as a host, for example.
  • the host can be, for example, a phosphorescent host or a fluorescent host, for example a phosphorescent host.
  • the dopant may be an inorganic, organic, or inorganic compound, and may be selected from known dopants.
  • the organic light emitting diode 200 may have holes in addition to the light emitting layer 130.
  • the hole auxiliary layer 140 may further increase hole injection and / or hole mobility between the anode 120 and the light emitting layer 130 and block electrons.
  • the hole auxiliary layer 140 may be, for example, a hole transport layer, a hole injection layer, and / or an electron blocking layer, and may include at least one layer.
  • the organic compound described above may be included in the emission layer 130 and / or the hole auxiliary layer 140.
  • FIG. 1 In addition, in one embodiment of the present invention in FIG. 1
  • the organic thin film layer 105 may further be an organic light emitting device further including an auxiliary electron transport layer, an electron transport layer, an electron injection layer, an auxiliary hole transport layer, a hole injection layer, and the like.
  • the above-mentioned organic compound may be an auxiliary electron transport layer, an electron transport layer, an electron injection layer, an auxiliary hole transport layer and / or included in or additionally included in the light emitting layer 130 and / or the hole auxiliary layer 140.
  • the organic light emitting diodes 100 and 200 may include a dry film method such as an anode or a cathode formed on a substrate and then vacuum evaporation, sputtering, plasma plating and ion plating; Or after forming an organic layer by wet coating such as spin coating, slit coating, dipping, flow coating, and inkjet printing, and the like, and thereon It can be prepared by forming a cathode or an anode.
  • the organic light emitting diode described above may be applied to an organic light emitting diode display.
  • Example 5 Synthesis of Compound 12 In a nitrogen environment, 20 g (55.2 mmol) of compound l-4 are dissolved in 200 mL of tetrahydrofuran (THF), followed by 2-chloro-4,6-diphenylpyrimidine. 14.7 g (55.2 mmol) and
  • An organic light emitting device was manufactured using Compound 4 obtained in Example 1 as a host and Ir (PPy) 3 as a dopant.
  • a positive electrode [pi] was used to a thickness of 1000 A
  • a negative electrode a thickness of 1000 A of aluminum (A1) ol was used.
  • the anode is 15 Q / cm 2
  • the sheet resistance value of bedroomsn ⁇ glass substrate was cut into 50 mm X 50 mm X 0.7 mm, ultrasonically cleaned in acetone, isopropyl alcohol and pure water for 15 minutes, and then used by UV ozone cleaning for 30 minutes.
  • N4'-di (naphthalen-l-yl) -N4, N4'-diphenylbiphenyl-4,4'-dia ⁇ (subject to vacuum of 650x lO-7Pa and deposition rate of 0.1 to 0.3 nm / s on the substrate)
  • NPB 80 nm
  • a light emitting layer having a film thickness of 300 A was formed using the compound 4 obtained in Example 1 under the same vacuum deposition conditions.
  • Ir (PPy) 3 which is a phosphorescent dopant, was simultaneously deposited.
  • Bis (2-methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolato) alummium (BAlq) was deposited on the emission layer to form a hole blocking layer having a thickness of 50 A.
  • Alq3 was deposited under the same vacuum deposition conditions to form an electron transport layer having a thickness of 200 A.
  • An organic photoelectric device was manufactured by sequentially depositing LiF and A1 as a cathode on the electron transport layer.
  • the structure of the organic photoelectric device is ⁇ / NPB (80 nm) / EML ( Compound 4 (93 parts by weight 0/0) + Ir (PPy ) 3 (7 parts by weight 0 / o), 30 nm) / Balq (5 nm) / It was produced in the structure of Alq3 (20 nm) / LiF (1 nm) I Al (100 nm).
  • Example 10 an organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using the compound 6 of Example 2 instead of the compound 4 of Example 1.
  • Example 10 the organic light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound 7 of Example 3 was used instead of Compound 4 of Example 1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 10 except for using the compound 8 of Example 4 instead of the compound 4 of Example 1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 10 except for using the compound 12 of Example 5 instead of the compound 4 of Example 1.
  • Example 15
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 10 except for using the compound 20 of Example 6 instead of the compound 4 of Example 1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 10 except for using the compound 44 of Example 7 instead of the compound 4 of Example 1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 10 except for using the compound 52 of Example 8 instead of the compound 4 of Example 1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 10 except for using Compound 60 of Example 9 instead of Compound 4 of Example 1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 10 except for using CBP instead of Compound 4 of Example 1.
  • the structure of the CBP is described below.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 10 except for using HOST1 instead of Compound 4 of Example 1.
  • the structure of HOST1 is described below.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 10 except for using HOST2 instead of Compound 4 of Example 1.
  • the structure of HOST2 is described below.
  • NPB, BAlq, CBP, Ir (PPy) 3, HOST 1 and HOST 2 used in the organic light emitting device fabrication is as follows.
  • the current value flowing through the unit device was measured using a current-voltmeter (Keithley 2400) while increasing the voltage from 0V to 10V, and the measured current value was divided by the area to obtain a result.
  • the luminance was measured by using a luminance meter (Minolta Cs-IOOOA) while increasing the voltage from 0V to 10V to obtain a result.
  • a luminance meter Minolta Cs-IOOOA
  • the current efficiency (cd / A) of the same current density (10 mA / cm 2) was calculated using the brightness, current density and voltage measured from (1) and (2) above.
  • the organic light emitting diode according to Example 11 or Example 12 including Compound 6 or Compound 7 containing fluorine 3 ⁇ 41 group has the most excellent efficiency and low driving voltage.
  • the present invention is not limited to the above embodiments, but may be manufactured in various forms, and a person skilled in the art to which the present invention pertains has another specific form without changing the technical spirit or essential features of the present invention. It will be appreciated that the present invention may be practiced as. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

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Abstract

화학식 1로 표현되는 부분과 화학식 2로 표현되는 부분의 조합으로 표현되는 유기 화합물, 상기 유기 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시 장치에 관한 것이다.

Description

【명세서】
【발명의 명칭】
유기 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
【기술분야】
유기 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치에 관한 것이다.
【배경기술】
유기 광전자 소자 (organic optoelectric diode)는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이다.
유기 광전자 소자는 동작 원리에 따라 크게 두 가지로 나눌 수 있다.
하나는 광 에너지에 의해 형성된 액시톤 (exciton)이 전자와 정공으로 분리되고 상기 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되면서 전기 에너지를 발생하는 광전 소자이고, 다른 하나는 전극에 전압 또는 전류를 공급하여 전기
에너지로부터 광 에너지를 발생하는 발광 소자이다.
유기 광전자 소자의 예로는 유기 광전 소자, 유기 발광 소자, 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 (organic photo conductor drum) 등을 들 수 있다.
이 증， 유기 발광 소자 (organic light emitting diode, OLED)는 근래 평판 표시 장치 (flat panel display device)의 수요 증가에 따라 크게 주목받고 있다. 상기 유기 발광 소자는 유기 발광 재료에 전류를 가하여 전기 에너지를 빛으로 전환시키는 소자로서, 통상 양극 (anode)과 음극 (cathode) 사이에 유기 층이 삽입된 구조로 이루어져 있다. 여기서 유기 층은 발광층과 선택적으로 보조층을 포함할 수 있으며, 상기 보조층은 예컨대 유기발광소자의 효율과 안정성을 높이기 위한 정공 주입 층, 정공 수송 층， 전자 차단 층, 전자 수송 층， 전자 주입 층 및 정공 차단 층에서 선택된 적어도 .1층을 포함할 수 있다.
유기 발광 소자의 성능은 상기 유기 층의 특:성에 의해 영향을 많이 받으며, 그 중에서도 상기 유기 층에 포함된 유기 재료에 의해 영향을 많이 받는다.
특히 상기 유기 발광 소자가 대형 평판 표시 장치에 적용되기 위해서는 정공 및 전자의 이동성을 높이는 동시에 전기화학적 안정성을 높일 수 있는 유기 재료의 개발이 필요하다.
【발명의 상세한 설명】
【기술적 과제】 일 구현예는 고효율 및 장수명 유기 광전자 소자를 구현할 수 있는 유기 화합물을 제공한다.
다른 구현예는 상기 유기 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자를 제공한다. 또 다른 구현예는 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치를
제공한다.
【기술적 해결방법】
일 구현예에 따르면， 하기 화학식 1로 표현되는 부분과 화학식 2로
표현되는 부분의 조합으로 표현되는 유기 화합물을 제공한다:
[화학식 1] [화학식 2]
Figure imgf000003_0001
상기 화학식 1 또는 화학식 2에서,
X는 CRaRb, SiRcRd, 0, S, SO 또는 S02 이고,
Z는 각각 독립적으로 N또는 CRe이고,
Z 중 적어도 하나는 N이고,
R1 내지 R8 및 Ra 내지 Re는 각각 독립적으로 수소， 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고，
L은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
nl 내지 n3는 각각 독립적으로 0 또는 1이고,
상기 화학식 1의 인접한 두 개의 *는 상기 화학식 2의 두 개의 *와 결합하여 융합고리를 형성한다.
다른 구현예에 따르면, 서로 마주하는 양극과 음극, 상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 적어도 1층의 유기층을 포함하고， 상기 유기층은 상기 유기 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자를 제공한다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
【유리한 효과】
고효율 장수명 유기 광전자 소자를 구현할 수 있다.
【도면의 간단한 설명】
도 1 및 도 2는 각각 일 구현예에 따른 유기 발광 소자를 도시한
단면도이다.
【발명을 실시를 위한 최선의 형태】
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 "치환"이란 별도의 정의가 없는 한, 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소， 할로겐기, 히드록시기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아민기, 니트로기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기， C3 내지 C30 시클로알킬기 C3 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C6 내지 C30
헤테로아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, 플루오로기, 트리플루오로메틸기 등의 C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다.
또한 상기 치환된 할로겐기, 히드록시기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기， C1 내지 C10 알킬실릴기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C3 내지 C30 헤테로시클로알킬기， C6 내지 C30 아릴기, C6 내지 C30 헤테로아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, 플루오로기, 트리플루오로메틸기 등의 C1 내지 C10
트리플루오로알킬기 또는 시아노기 중 인접한 두 개의 치환기가 융합되어 고리를 형성할 수도 있다. 예를 들어， 상기 치환된 C6 내지 C30 아릴기는 인접한 또다른 치환된 C6 내지 C30 아릴기와 융합되어 치환 또는 비치환된 플루오렌 고리를 형성할 수 있다.
본 명세서에서 "헤테로"란 별도의 정의가 없는 한， 하나의 작용기 내에 N, O, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고， 나머지는 탄소인 것을 의미한다.
본 명세서에서 "이들의 조합' '이란 별도의 정의가 없는 한, 둘 이상의 치환기가 연결기로 결합되어 있거나， 둘 이상의 치환기가 축합하여 결합되어 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 "알킬 (alkyl)기"이란 별도의 정의가 없는 한， 지방족
탄화수소기를 의미한다. 알킬기는 어떠한 이중결합이나 삼중결합을 포함하고 있지 않은 "포화 알킬 (saturated alkyl)기 ''일 수 있다.
상기 알킬기는 C1 내지 C30인 알킬기일 수 있다. 보다 구체적으로 알킬기는 C1 내지 C20 알킬기 또는 C1 내지 C10 알킬기일 수도 있다. 예를 들어, C1 내지 C4 알킬기는 알킬쇄에 1 내지 4 개의 탄소원자가 포함되는 것을 의미하며, 메틸， 에틸, 프로필, 이소-프로필 , η-부틸, 이소-부틸, sec-부틸 및 t-부틸로 이루어진 군에서 선택됨을 나타낸다.
상기 알킬기는 구체적인 예를 들어 메틸기, 에틸기， 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 핵실기, 시클로프로필기, 시클로부틸기， 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 의미한다.
본 명세서에서 "아릴 (aryl)기"는 환형인 치환기의 모든 원소가 p-오비탈을 가지고 있으며， 이들 P-오비탈이 공액 (conjugation)을 형성하고 있는 치환기를 의미하고, 모노시클릭, 폴리시클릭 또는 융합 고리 폴리시클릭 (즉, 탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함한다.
본 명세서에서 "헤테로아릴 (heteroaryl)기 ' '는 아릴기 내에 N, 0, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 해테로 원자를 1 내지 3개 함유하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다. 상기 헤테로아릴기가 융합고리인 경우, 각각의 고리마다 상기 헤테로 원자를 1 내지 3개 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및 /또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기는, 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기， 치환 또는 비치환된 페난트릴기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐기， 치환 또는 비치환된 피레닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 P-터페닐기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기， 치환 또는 비치환된 인데닐기， 치환또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기， 치환 또는 비치환된 피를릴기， 치환 또는 비치환된 피라졸릴기， 치환 또는 비치환된
이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 티아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기, 치환 또는 비치환된 티아디아졸일기, 치환 또는 비치환된 피리딜기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기， 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기， 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 인돌일기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기， 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기， 치환 또는 비치환된
나프티리디닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈옥사진일기, 치환 또는 비치환된 벤즈티아진일기， 치환 또는 비치환된 아크리디닐기， 치환 또는 비치환된
페나진일기, 치환 또는 비치환된 페노티아진일기, 치환 또는 비치환된
페녹사진일기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된
디벤조퓨란일기， 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기， 치환 또는 비치환된 카바졸기 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
본 명세서에서， 정공 특성이란, 전기장 (electric field)을 가했올 때 전자를 공여하여 정공을 형성할 수 있는 특성올 말하는 것으로 , HOMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 양극에서 형성된 정공의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 정공의 양극으로의 이동 및 발광충에서의 이동을 용이하게 하는 특성올 의미한다. 또한 전자 톡성이란, 전기장을 가했을 때 전자를 받을 수 있는 특성을 말하는 것으로, LUMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 음극에서 형성된 전자의 발광층으로의 주입， 발광층에서 형성된 전자의 음극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
이하 일 구현예에 따른 유기 화합물을 설명한다.
일 구현예에 따른 유기 화합물은 하기 화학식 1로 표현되는 부분과 화학식 로 표현되는 부분의 조합으로 표현된다.
[화학식 1] [화학식 2]
Figure imgf000007_0001
상기 화학식 1 또는 화학식 2에서,
X는 CRaRb, SiRcRd, O, S, SO 또는 S02 이고,
Z는 각각 독립적으로 N 또는 CRe이고,
Z 중 적어도 하나는 N이고,
R1 내지 R8 및 Ra 내지 Re는 각각 독립적으로 수소, 중수소， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고，
L은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 해테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
nl 내지 n3는 각각 독립적으로 0 또는 1이고,
상기 화학식 1의 인접한 두 개의 *는 상기 화학식 2의 두 개의 *와 결합하여 융합고리를 형성한다.
상기 유기 화합물은 상기 화학식 1로 표현되는 부분과 상기 화학식 2로 표현되는 부분의 결합 위치에 따라 예컨대 하기 화학식 3 또는 하기 화학식 4로 표현될 수 있다.
[화학식 3] [화학식 4]
Figure imgf000007_0002
상기 화학식 3 또는 화학식 4에서 X, Z, R1 내지 R8 및 Ra 내지 Re, L, nl 내지 n3는 전술한 바와 같다ᅳ 상기 유기 화합물은 인데노트리페닐렌 (indenotriphenylene)과 적어도 하나의 질소 함유 헤테로아릴기를 포함한다.
상기 유기 화합물은 적어도 하나의 질소를 함유하는 고리를 포함함으로써 전기장 인가시 전자를 받기 쉬운 구조가 될 수 있고， 이에 따라 상기 유기 화합물을 적용한 유기 광전자 소자의 구동 전압을 낮출 수 있다.
또한 상기 유기 화합물은 정공을 받기 쉬운 인데노트리페닐렌 부분과 전자를 받기 쉬운 질소 함유 고리 부분을 함께 포함함으로써 바이폴라 (bipolar) 구조를 형성하여 정공 및 전자의 흐름을 적절히 균형 맞출 수 있고, 이에 따라 상기 유기 화합물을 적용한 유기 광전자 소자의 효율을 개선할 수 있다.
또한 상기 유기 화합물은 정공을 받기 쉬운 인데노트리페닐렌 부분과 전자를 받기 쉬운 부분을 적절히 구역화 (localization)하고 공액계의 흐름을 제어함으로써 우수한 바이폴라 (bipolar) 특성을 나타낼 수 있다. 이에 따라 상기 유기 화합물을 적용한 유기 광전자 소자의 수명을 개선할 수 있다.
또한 상기 유기 화합물은 유기 화합물들의 스태킹 (stacking)을 효과적으로 방지할 수 있는 구조를 가짐에 따라 공정 안정성을 낮추는 동시에 증착 온도를 낮출 수 있다. .
상기 화학식 2로 표현되는 부분은 예컨대 하기 화학식 2ᅳ I 내지 화학식 2- III 중 하나로 표현될 수 있다:
[화학식 2-1] 2-Π]
Figure imgf000008_0001
[화학식 2-ΠΙ]
Figure imgf000009_0001
상기 화학식 2-1 내지 화학식 2-ΠΙ에서，
X1, X2, X3, Z, R5 내지 R8,Ra 내지 Re,L,nl 내지 n3는 전술한 바와 같다. 일 구현예에서, 상기 화학식 2-1 내지 화학식 2-ΙΠ에서， X1 및 X2는 각각 독립적으로 CRaRb또는 SiRcRd이고， X3는 0,S, SO 또는 S02 이고 ,Z,R5 내지 R8, 내지 Re, L,nl 내지 n3는 전술한 바와 같다.
상기 화학식 2-1 내지 2-ΙΠ의 두 개의 *는 상기 화학식 1의 인접한 두 개의 *와 결합하여 융합고리를 형성한다.
상기 화학식 2는 예컨대 하기 화학식 2a와 하기 그룹 1에서 선택된 하나의 조합으로 표현될 수 있다.
[화학식 2a]
Figure imgf000009_0002
[그룹 1]
Figure imgf000010_0001
상기 화학식 2a또는 그룹 1에서, X, Ra 내지 Rd, L 및 nl은 전술한 바와 같다.
상기 화학식 2의 L은 예컨대 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기일 수 있고, 예컨대 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 터페닐렌기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일 예에서， 화학식 1의 R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 중수소 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기일 수 있다.
상기 유기 화합물은 예컨대 하기 그룹 2에 나열된 화합물일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 2]
- 2： S
Figure imgf000010_0002
10
Figure imgf000011_0001
Figure imgf000012_0001
Figure imgf000012_0002
7 ' i 9 9
Figure imgf000012_0003
Figure imgf000012_0004
Figure imgf000013_0001
63
Figure imgf000013_0002
Zl
6SSS00/ST0Z; OAV
Figure imgf000014_0001
T6ClOO/MOZaM/X3d 6SSS00/ST0Z OAV
Figure imgf000015_0001
Figure imgf000015_0002
상기 유기 화합물은 약 -2.0 내지 -2.5eV의 LUMO 에너지를 가질 수 있다. 상기 범위의 LUMO 에너지를 가짐으로써 전자 주입 특성을 높일 수 있다.
이하, 상술한 유기 화합물을 적용한 유기 광전자 소자를 설명한다.
상기 유기 광전자 소자는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 유기 광전 소자, 유기 발광 소자， 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 등을 들 수 있다.
여기서는 유기 광전자 소자의 일 예인 유기 발광 소자를 도면을 참고하여 설명한다.
도 1 및 도 2는 일 구현예에 따른 유기 발광 소자를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참고하면, 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자 (100)는 서로 마주하는 양극 (120)과 음극 (110), 그리고 양극 (120)과 음극 (1 10) 사이에 위치하는 유기층 (105)을 포함한다.
양극 (120)은 예컨대 정공 주입이 원활하도록 일 함수가 높은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속， 금속 산화물 및 /또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 양극 (120)은 예컨대 니켈， 백금, 바나듐, 크롬, 구리， 아연， 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석산화물 (ΠΌ),
인듬아연산화물 (IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO와 A1 또는 Sn02와 Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리 (3-메틸티오펜), 폴리 (3,4- (에틸렌 -1,2- 디옥시)티오펜 Xpolyehtylenedioxythiophene: PEDT), 폴리피를 및 폴리아닐린과 같은 도전성 고분자 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
음극 (110)은 예컨대 잔자 주입이 원활하도록 일 함수가 낮은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속, 금속 산화물 및 /또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다ᅳ 음극 (1 10)은 예컨대 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄， 은， 주석， 납, 세슘, 바륨 등과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al, Li02/Al, LiF/Ca, LiF/Al 및 BaF2/Ca과 같은 다층 구조 물질을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
유기층 (105)은 전술한 유기 화합물을 포함하는 발광층 (130)을 포함한다.
발광층 (130)은 예컨대 전술한 유기 화합물을 단독으로 포함할 수도 있고 전술한 유기 화합물 중 적어도 두 종류를 흔합하여 포함할 수도 있고 전술한 유기 화합물과 다른 화합물을 흔합하여 포함할 수도 있다. 전술한 유기 화합물과 다른 화합물을 흔합하여 포함하는 경우, 예컨대 호스트 (host)와 도펀트 (dopant)의 형태로 포함될 수 있으며, 전술한 유기 화합물은 예컨대 호스트로 포함될 수 있다. 상기 호스트는 예컨대 인광 호스트 또는 형광 호스트일 수 있으며, 예컨대 인광 호스트일 수 있다.
전술한 유기 화합물이 호스트로 포함되는 경우, 도펀트는 무기, 유기， 유무기 화합물일 수 있으며 공지된 도편트 중에서 선택될 수 있다.
도 2를 참고하면， 유기 발광 소자 (200)는 발광층 (130) 외에 정공
보조층 (140)을 더 포함한다. 정공 보조층 (140)은 양극 (120)과 발광층 (130) 사이의 정공 주입 및 /또는 정공 이동성을 더욱 높이고 전자를 차단할 수 있다. 정공 보조층 (140)은 예컨대 정공 수송층， 정공 주입층 및 /또는 전자 차단층일 수 있으며, 적어도 1층을 포함할 수 있다. 전술한 유기 화합물은 발광층 (130) 및 /또는 정공 보조층 (140)에 포함될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 구현예에서는 도 1 또는 도 2에서
유기박막층 (105)으로서 추가로 보조 전자수송층， 전자 수송층, 전자주입층, 보조 정공수송층, 정공주입층 등을 더 포함한 유기발광 소자일 수도 있다. 전술한 유기 화합물은 발광층 (130) 및 /또는 정공 보조층 (140)에 포함되거나 추가로 포함된 보조 전자 수송층, 전자 수송층, 전자주입층, 보조 정공수송층 및 /또는
정공주입층에 포함될 수 있다. 유기 발광 소자 (100， 200)는 기판 위에 양극 또는 음극을 형성한 후, 진공증착법 (evaporation), 스퍼터링 (sputtering), 플라즈마 도금 및 이온도금과 같은 건식성막법; 또는 스핀코팅 (spin coating), 슬릿코팅 (slit coating), 침지법 (dipping), 유동코팅법 (flow coating) 및 잉크젯 인쇄 (inkjet printing)과 같은 습식성막법 등으로 유기층을 형성한 후， 그 위에 음극 또는 양극을 형성하여 제조할 수 있다.
상술한 유기 발광 소자는 유기 발광 표시 장치에 적용될 수 있다.
【발명을 실시를 위한 형태】
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다. 중간체의 합성
합성예 1 : 중간체 1-1의 합성
Figure imgf000017_0001
질소 환경에서 2-브로모트리페닐렌 (2-bromotriphenylene) 100 g (326 mmol)을 디메틸포름아미드 (dimethylformamide, DMF) l,000 mL에 녹인 후, 여기에
비스 (피나콜라트)디보론 (bis(pinacolato)diboron) 99.2 g (391 mmol)와 1,1'- 비스 (디페닐포스핀)페로센)디클로로팔라듐 (πχι,ι- bis(diphenylphosphine)ferrocene)dichloropalladium(II)) 2.66 g (3.26 mmol) 그리고 포타슘 아세테이트 (potassium acetate) 80 g (815 mmol)을 넣고 150 °C에서 5시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 흔합물을 필터한 후， 진공오븐에서 건조하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래시 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 1-1 113 g(98 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C24H23B02: 354.1791, found: 354.
Elemental Analysis: C, 81 %; H, 7 %
합성예 2: 중간체 1-2의 합성
Figure imgf000018_0001
질소 환경에서 화합물 1-1 100 g (282 mmol)을
테트라하이드로퓨란 (tetrahydrofuran, THF) 800 mL에 녹인 후, 여기에 2- 브로모페놀 (2-bromophenol) 58.5g (338 mmol)와
테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐 (tetrakis(triphenylphosphine)palladium) 3.26 g(2.82 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 포타슘 카보네이트 (potassuim carbonate) 97.4 g(705 mmol)을 넣고 80 °C에서 12시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반응액에 물을 넣고 디클로로메탄 (dichloromethane, DCM)으로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래시 컬럼 크로마토그래피 (flash column chromatography)로 분리 정제하여 화합물 1-2 77.7 g (86 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C24H160: 320.1201, found: 320.
Elemental Analysis: C, 90 %; H, 5 %
합성예 3: 중간체 1-3의 합성
Figure imgf000018_0002
공기 환경에서 화합물 1-2 75 g(234 mmol)을 를루엔 800 mL에 녹인 후, 여기에 팔라듐 (II)아세테이트 (palladium( n ) acetate) 2.« g(l 1.7 mmol), I,3-비스 (2,6- 디이소프로필페닐) -1,3-디하이드로 -2H-이미다졸 -2-일리덴 (l,3-bis(2,6- diisopropylphenyl)- 1 ,3-dihydro-2H-imidazol-2-ylidene)(IPr) 9.09 g(23.4 mmol), 4,5- 디아자플루오렌 -9-원 (4,5-diazafluoren-9-one) 4.26 g (23.4 mmol), 소듐 2，4,6- 트리메틸벤조에이트 (sodium 2,4,6-trimethylbenzoate) 21.8 g(117 mmol),
포타슘카보네이트 (potassuim carbonate) 64.7 g(468 mmol), Acros에서 구입한 MS 3A(200 mg) 그리고 메시틸렌 (mesitylene) 1 mL를 순차적으로 넣고 120 °C에서
24시간 동안 가열하여 환류시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후， 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래시컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 1-3 35.8 g(48 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C24H140: 318.1045, found: 318.
Elemental Analysis: C, 91 %; H, 4 %
-4의 제조
Figure imgf000019_0001
질소 환경에서 화합물 1-3 30 g(94.2 mmol)을 테트라하이드로퓨란 (THF) 300 mL에 녹인 후, -78 °C로 감온하였다. 여기에 핵산에 녹아있는 n-BuLi 2.5 M(57 mL: 141 mmol)을 10분에 걸쳐 천천히 적가 하였다. 이후 상온에서 18시간 동안 교반 하였다. 반웅 완료 후， 물 1N HC1(141 mL, 141 mmol)를 첨가하여 반응액을 중화 시켰다. 그리고 에틸아세테이트 (ethylacetate, EA)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 이렇게 얻어진 잔사를 핵산과 디클로로메탄 (dichloromethane, DCM)으로 불순물을 씻어내어 화합물 1-4 27.0 g(79 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C24H15B03: 362.1114， found: 362.
Elemental Analysis: C, 80 %; H, 4 %
합성예 5: 중간체 1-5의 합성
Figure imgf000019_0002
1 - 1 I - 5
질소 환경에서 화합물 1-1 100 g(282 mmol)을 테트라하이드로퓨란 (THF) 900 mL에 녹인 후, 여기에 메틸 2-브로모 -5-클로로벤조에이트 (methyl 2-bromo-5- chlorobenzoate) 77.4 g(310 mmol)와
테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐 (tetrakis(triphenylphosphine)palladium) 3.26 g(2.82 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 포타슘카보네이트 97.4 g(705 mmol)을 넣고 80 °C에서 21시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반웅액에 물을 넣고 디클로로메탄 (DCM)으로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후， 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 풀래시 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 1-5 1 12 g(94 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C26H17C102: 396.0917, found: 396.
Elemental Analysis: C, 79 %; H, 4 %
1-
Figure imgf000020_0001
질소 환경에서 화합물 1-5 1 10 g(277 mmol)을 테트라하이드로퓨란 (THF) 1,100 mL에 녹인 후， 0 °C로 감온하였다. 여기에 디메틸에테르에 녹아있는 메틸마그네슘 브로마이드 (methylmagnesium bromide) 3.0 M(231 mL, 693 mmol)을 1시간에 걸쳐 천천히 적가 하였다. 이후 상온에서 17시간 동안 교반하였다. 반웅 완료 후， 물 450 mL에 녹인 암모늄클로라이드 (ammonium chloride) 44.5 g(831 mmol)를 첨가하여 반응액을 중화 시켰다. 그리고 디클로로메탄 (DCM)으로 추출한 다음 무수
MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하여 화합물 1-6 109 g(99 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C27H21C10: 396.1281, found: 396.
Elemental Analysis: C, 82 %; H, 5 %
합성예 7: 중간체 1-
Figure imgf000020_0002
ι ε 1 - 7
질소 환경에서 화합물 1-6 105 g(265 mmol)을 디클로로메탄 (DCM) 1 ,300 mL에 녹인 후, 0 °C로 감온하였다. 여기에 디에틸에테레이트 (diethyl etherate)에 녹아있는 보론 트리플루오라이드 (boron trifluoride) 56.4 g(398 mmol)올 1시간에 걸쳐 천천히 적가 하였다. 이후 상온에서 5시간 동안 교반 하였다. 반웅 완료 후, 물 i L에 녹인 소듐 바이카보네이트 (sodium bicarbonate) 33.4 g(398 mmol)를 첨가하여 반웅액을 중화 시켰다. 그리고 디클로로메탄 (DCM)으로 추출한 다음 무수
MgS04로 수분을 제거한 후, 이렇게 얻어진 잔사를 플래시 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 1-7 73.3 g(73 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C27H19C1: 378.1175, found: 378.
Elemental Analysis: C, 86 %; H, 5 %
-8의 합성
Figure imgf000021_0001
질소 환경에서 1-7(70 g, 185 mmol)을 디메틸포름아미드 (DMF) 600 mL에 녹인 후, 여기에 비스 (피나콜라토)디보론 (bis(pinacolato)diboron) 56.3 g(222 mmol)와 1,1'- 비스 (디페닐포스핀)페로센)디클로로팔라듬 (Π) (1,Γ- '
bis(diphenylphosphine)ferrocene)dichloropalladium(II)) 1.51 g(1.85 mmol) 그리고 포타슴아세테이트 (potassium acetate) 54.5 g(555 mmol)을 넣고 150 °C에서 80시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 흔합물을 필터한 후, 진공오본에서 건조하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래시 컬럼
크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 1-8 74.0 g(85 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C33H31B02: 470.2417, found: 470.
Elemental Analysis: C, 84 %; H, 7 %
-9 합성
Figure imgf000021_0002
질소 환경에서 화합물 1-1 100 g(282 mmol)을 테트라하이드로퓨란 (THF) 900 mL에 녹인 후, 여기에 메틸 2-브로모 -4-클로로벤조에이트 (methyl 2-bromo-4- chlorobenzoate) 77.4 g(310 mmol)와
테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐 (tetrakis(triphenylphosphine)palladiuin) 3.26 g(2.82 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 포타슘 카보네이트 (potassuim carbonate) 9그 4 g(705 mmol)을 넣고 80 °C에서 24시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반응액에 물을 넣고 디클로로메탄 (DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래시 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 1-9 101 g(90 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C26H17C102: 396.0917, found: 396.
Elemental Analysis: C, 79 %; H, 4 %
합성예 10: 중간체 1-10의 제조
Figure imgf000022_0001
질소 환경에서 화합물 1-9(100 g, 252 mmol)올 테트라하이드로퓨란 (THF) 1,000 mL에 녹인 후, 0 °C로 감온하였다. 여기에 디에틸에테르에 녹아있는 메틸마그네슘 브로마이드 (methylmagnesium bromide) 3.0 M(210 mL, 630 mmol)을 1시간에 걸쳐 천천히 적가 하였다. 이후 상온에서 20시간 동안 교반 하였다. 반웅 완료 후, 물 400 mL에 녹인 암모늄 클로라이드 (ammonium chloride) 40.4 g (756 mmol)를 첨가하여 반웅액을 중화 시켰다. 그리고 디클로로메탄 (DCM)으로 추출한 다음 무수
MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하여 화합물 1-6 109 g(99 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C27H21C10: 396.1281, found: 396.
Elemental Analysis: C, 82 %; H, 5 %
-11의 제조
Figure imgf000022_0002
질소 환경에서 화합물 1-10 105 g(265 mmol)을 디클로로메탄 (DCM) 1,300 mL에 녹인 후, 0 °C로 감온하였다. 여기에 디에틸에테레이트 (diethyl etherate)에 녹아있는 보론트리플루오라이드 (boron trifluoride) 56.4 g(398 mmol)을 1시간에 걸쳐 천천히 적가 하였다. 이후 상온에서 7시간 동안 교반 하였다. 반웅 완료 후, 물 0.1 L에 녹인 소듐 바이카보네이트 (sodium bicarbonate) 33.4 g(398 mmol)를 첨가하여 반웅액을 중화 시켰다. 그리고 디클로로메탄 (DCM)으로 추출한 다음 무수
MgS04로 수분을 제거한 후， 이렇게 얻어진 잔사를 플래시 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 1-11 79.3 g(79 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C27H19C1: 378.1175, found: 378.
Elemental Analysis: C, 86 %; H, 5 %
-12의 합성
Figure imgf000023_0001
I 11 I - 12 질소 환경에서 화합물 1-11 70 g(l 85 mmol)을 디메틸포름아미드 (DMF) 600 mL에 녹인 후， 여기에 비스(피나콜라토)디보론(^0^^01^0)(111)01^) 56.3 ^222 mmol)와 Ι,Γ-비스 (디페닐포스핀)페로센)디클로로팔라듐 (Π)(1,Γ- bis(diphenylphosphine)ferrocene)dichloropalladium(II)) 1.51 g(1.85 mmol) 그리고 포타슘아세테이트 (potassium acetate) 54.5 g(555 mmol)을 넣고 150 °C에서 68시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 흔합물을 필터한 후, 진공오븐에서 건조하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래시 컬럼
크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 I-12 71.4 g(82 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C33H31B02: 470.2417, found: 470.
Elemental Analysis: C, 84 %; H, 7 %
-13의 합성
Figure imgf000023_0002
질소 환경에서 화합물 1-1 100 g(282 mmol)을 테트라하이드로퓨란 (THF) 800 mL에 녹인 후, 여기에 2-브로모벤젠티을 (2-bromobenzenethiol) 63.9 g(338 mmol)와 테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐 (tetrakis(triphenylphosphine)palladiurn) 3.26 g(2.82 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 포타슘카보네이트 (potassuim carbonate) 9그 4 g(705 mmol)을 넣고 80 °C에서 9시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 디클로로메탄 (DCM)으로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래시 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 1-13 85.4 g(90 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C24H16S: 336.0973, found: 336.
Elemental Analysis: C, 86 %; H, 5 %
-14의 합성
Figure imgf000024_0001
공기 환경에서 화합물 1-13 78.7 g(234 mmol)을 를루엔 800 mL에 녹인 후, 여기에 팔라듐 (Π)아세테이트 (paUadium( Π ) acetate) 2.63 g(11.7 mmol), 1,3-비스 (2,6- 디이소프로필페닐) -1,3-디하이드로 -2H-이미다졸 -2-일리덴 (l,3-bis(2,6- diisopropylphenyl)- 1 ,3-dihydro-2H-imidazol-2-ylidene)(IPr) 9.09 g(23.4 mmol), 4,5- 디아자플루오렌 -9-원 (4,5-diazafluoren-9-one) 4.26 g(23.4 mmol), 소듐 2,4,6- 트리메틸벤조에이트 (sodium 2,4,6-trimethylbenzoate) 21.8 g(l 17 mmol), 포타슘 카보네이트 (potassuim carbonate) 64.7 g(468 mmol), Acros에서 구입한 MS 3A(200 mg) 그리고 메시틸렌 (mesitylene) 1 mL를 순차적으로 넣고 120 °C에서 24시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 디클로로메탄 (DCM)으로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래시 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 1-14 33.7 g(43 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C24H14S: 334.0816, found: 334.
Elemental Analysis: C, 86 %; H, 4 %
-15의 제조
Figure imgf000024_0002
질소 환경에서 중간체 1-14(30 g, 89.7 mmol)을 테트라하이드로퓨란 (THF) 300 mL에 녹인 후, -78 °C로 감은하였다. 여기에 핵산에 녹아있는 n-BuLi 2.5 M(54 mL, 135 mmol)을 10분에 걸쳐 천천히 적가 하였다. 이후 상온에서 18시간 동안 교반 하였다. 반응 완료 후, 물 lN HCl(135 mL, 135 mmol)를 첨가하여 반응액을 중화 시켰다. 그리고 에틸아세테이트 (EA)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 이렇게 얻어진 잔사를 핵산과 디클로로메탄 (DCM)으로 불순물을 씻어내어 화합물 I-15 29.2 g(86 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C24H15B02S: 378.0886, found: 378.
Elemental Analysis: C, 76 %; H, 4 %
-16의 제조
Figure imgf000025_0001
질소 환경에서 화합물 1-4 20 g(55.2 mmol)을 테트라하이드로퓨란 (THF) 180 mL에 녹인 후, 여기에 4-아이오도페닐보론산 (4-iodophenylboronic acid) 13.7 g(55.2 tnmol)와 테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐 (tetrakis(triphenylphosphine)palladium) 0.64 g(0.55 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 포타슘 카보네이트 (potassuim carbonate) 19.1 g(l 38 mmol)을 넣고 80 °C에서 8시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 디클로로메탄 (DCM)으로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후， 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 폴래시 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 1-16 18.1 g(75 %)올 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C30H19BO3: 438.1427, found: 438.
Elemental Analysis: C, 82 %; H, 4 %
Figure imgf000025_0002
질소 환경에서 화합물 1-4 20 g(55.2 mmol)을 테트라하이드로퓨란 (THF) 180 mL에 녹인 후， 여기에 3-아이오도페닐보론산 (3-iodophenylboronic acid) 13.7 g(55.2 mmol)와 테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐 (tetrakis(triphenylphosphine)palladium) 0.64 g(0.55 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 포타슘카보네이트 (potassuim carbonate) 19.1 g(l 38 mmol)을 넣고 80 °C에서 8시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반웅액에 물을 넣고 디클로로메탄 (DCM)으로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래시 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 1-17 16.5 g(68 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C30H19BO3: 438.1427, found: 438.
Elemental Analysis: C, 82 %; H, 4 %
-18의 제조
Figure imgf000026_0001
질소 환경에서 화합물 l-4 20 g(55.2 mmol)을 테트라하이드로퓨란 (THF) 180 mL에 녹인 후, 여기에 2-아이오도페닐보론산 (2-iodophenylboronic acid) 13/7 g(55.2 mmol)와 테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐 (tetrakis(triphenylphosphine)palladium) 0.64 g(0.55 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 포타슘카보네이트 (potassuim carbonate) 19.1 g(l 38 mmol)을 넣고 80 °C에서 10시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 디클로로메탄 (DCM)으로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래시 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 1-18 13.3 g(55 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C30H19BO3: 438.1427, found: 438.
Elemental Analysis: C, 82 %; H, 4 % 유기화합물의 합성
Figure imgf000026_0002
질소 환경에서 화합물 1-4 20 g(55.2 mmol)을 테트라하이드로퓨란 (THF) 200 mL에 녹인 후, 여기에 2-클로로 -4,6-디페닐 -1 ,3,5-트리아진 (2-chloro-4,6-diphenyl- 1,3,5-triazine) 14.8 g(55.2 mmol)와 테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐 (tetrakis(triphenylphosphine)palladium) 0.64 g(0.55 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 포타슘카보네이트 (potassuim carboftate) 19.1 g(138 mmol)을 넣고 80 °C에서 17시간 동안 가열하여 환류시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 디클로로메탄 (DCM)으로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후， 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래시 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 4 24.6 g(81 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C39H23N30: 549.1841， found: 549.
Elemental Analysis: C, 85 %; H, 4 %
Figure imgf000027_0001
'ᅳ 12 *
질소 환경에서 화합물 1-12 20 g(42.5 mmol)을 테트라하이드로퓨란 (THF) 160 mL에 녹인 후, 여기에 2-클로로-4,6-디페닐-1，3,5-트리아진(2- 101~0-4，6-^131 1-
1,3,5-triazine) 11.4 g(42.5 mmol)와
테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐 (tetrakis(triphenylphosphine)palladium) 0.49 g(0.43 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 포타슘 카보네이트 (potassuim carbonate) 14.7 g(106 mmol)을 넣고 80 °C에서 8시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반웅액에 물을 넣고 디클로로메탄 (DCM)으로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후， 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래시 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 6 17.1 g(70 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C42H29N3: 575.2361, found: 575.
Elemental Analysis: C, 88 %; H, 5 %
Figure imgf000027_0002
i
질소 환경에서 화합물 l-8 20 g(42.5 mmol)을 테트라하이드로퓨란 (THF) 160 mL에 녹인 후， 여기에 2-클로로 -4,6-디페닐 -1,3,5-트리아진 (2-chloro-4,6-diphenyl- 1,3,5-triazine) 11.4 g(42.5 mmol)와
테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐 (tetrakis(triphenylphosphine)palladium) 0.49 g(0.43 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 포타슘 카보네이트 (potassuim carbonate) 14.7 g(106 mmol)을 넣고 80 °C에서 10시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 디클로로메탄 (DCM)으로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래시 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 7 15.7 g(64 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C42H29N3: 575.2361, found: 575.
Elemental Analysis: C, 88 %; H, 5 %
Figure imgf000028_0001
질소 환경에서 화합물 1-15 20 g(52.9 mmol) 테트라하이드로퓨란 (THF) 200 mL에 녹인 후, 여기에 2-클로로 -4,6-디페닐 -1,3,5-트리아진 (2-chloro-4,6-diphenyl- 1,3,5-triazine) 14.2g (52.9 mmol)와
테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐 (tetrakis(triphenylphosphine)palladiuin) 0.61 g(0.53 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 포타슘 카보네이트 (potassuim carbonate) 18.3 g(132 mmol)을 넣고 80 °C에서 15시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 디클로로메탄 (DCM)으로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래시 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 8 26.6 g(89 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C39H23N3S: 565.1613, found: 565.
Elemental Analysis: C, 83 %; H, 4 %
실시예 5: 화합물 12의 합성
Figure imgf000029_0001
질소 환경에서 화합물 l-4 20 g(55.2 mmol)을 테트라하이드로퓨란 (THF) 200 mL에 녹인 후, 여기에 2-클로로 -4,6-디페닐피리미딘 (2-chloro-4,6-diphenylpyrimidine) 14.7 g(55.2 mmol)와
테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐 (tetrakis(triphenylphosphine)palladium) 0.64 g(0.55 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 포타슘 카보네이트 (potassuim carbonate) 19.1 g(138 mmol)을 넣고 80 °C에서 20시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반웅액에 물을 넣고 디클로로메탄 (DCM)으로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래시 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 12 27.3 g(90 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C40H24N2O: 548.1889, found: 548.
Elemental Analysis: C, 88 %; H, 4 %
Figure imgf000029_0002
질소 환경에서 화합물 l-4 20 g(55.2 mmol)을 테트라하이드로퓨란 (THF) 200 mL에 녹인 후, 여기에 4-클로로 -2,6-디페닐피리딘 (4-chIoro-2,6-diphenylpyridine) 14.7 g(55.2 mmol)와
테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐 (tetrakis(triphenylphosphine)palladium) 0.64 g(0.55 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 포타슘 카보네이트 (potassuim carbonate) 19.1 g(138 mmol)을 넣고 80 °C에서 16시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반웅액에 물을 넣고 디클로로메탄 (DCM)으로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래시 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 20 25.4 g(84 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C41H25NO: 547.1936, found: 547.
Elemental Analysis: C, 90 %; H, 5 %
실시예 7: 화합물 44
Figure imgf000030_0001
질소 환경에서 화합물 1-16 15 g(34.2 mmol)을 테트라하이드로퓨란 (THF) 130 mL에 녹인 후, 여기에 2-클로로 -4,6-디페닐 -1 ,3,5-트리아진 (2-chloro-4,6-diphenyl-
I , 3,5-triazine) 9.16 g(34.2 mmol)와
테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐 (tetrakis(triphenylphosphine)palladium) 0.39 g(0.34 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 포타슴 카보네이트) (potassuim carbonate)
I I .8 g(85.5 mmol)올 넣고 80 °C에서 10시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반응액에 물을 넣고 디클로로메탄 (DCM)으로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분올 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래시 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 44 18.2 g(85 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C45H27N30: 625.2154, found: 625.
Elemental Analysis: C, 86 %; H, 4 %
8: 화합물 52의 합성
Figure imgf000030_0002
질소 환경에서 화합물 1-17 15 g(34.2 mmol)을 테트라하이드로퓨란 (THF) 130 mL에 녹인 후, 여기에 2-클로로 -4,6-디페닐 -1 ,3,5-트리아진 (2-chloro-4,6-diphenyl- 1 ,3,5-triazine) 9.16g(34.2 mmol)와
테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐 (tetrakis(triphenylphosphine)palladium) 0.39 g(0.34 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 포타슘 카보네이트 (potassuim carbonate) 11.8 g(85.5 mmol)을 넣고 80 °C에서 9시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반웅액에 물을 넣고 디클로로메탄 (DCM)으로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래시 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 52 17.3 g(81 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C45H27N30: 625.2154, found: 625.
Elemental Analysis: C, 86 %; H, 4 %
Figure imgf000031_0001
질소 환경에서 화합물 1-18 13 g(29.7 mmol)을 테트라하이드로퓨란 (THF) 130 mL에 녹인 후, 여기에 2-클로로 -4,6-디페닐 -1,3,5-트리아진 (2-chloro-4,6-diphenyl- 1,3,5-triazine) 7.94 g(29.7 mmol)와
테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐 (tetrakis(triphenylphosphine)palladium) 0.35 g(0.30 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 포타슘 카보네이트 (potassuim carbonate) 1으3 g(74.3 mmol)을 넣고 80 °C에서 26시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 디클로로메탄 (DCM)으로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래시 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 60 9.85 g(53 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C45H27N30: 625.2154, found: 625.
Elemental Analysis: C, 86 %; H, 4 % 유기발광소자의 제조
실시예 10
실시예 1에서 얻은 화합물 4를 호스트로 사용하고, Ir(PPy)3를 도펀트로 사용하여 유기발광소자를 제작하였다. 양극으로는 ΠΌ를 1000 A의 두께로 사용하였고, 음극으로는 알루미늄 (A1)올 1000 A의 두께로 사용하였다.
구체적으로, 유기발광소자의 제조방법올 설명하면, 양극은 15 Q/cm2의 면저항값을 가잔 ΠΌ 유리 기판을 50mm X 50 mm X 0.7 mm의 크기로 잘라서 아세톤과 이소프로필알코을과 순수물 속에서 각 15 분 동안 초음파세정한 후, 30 분 동안 UV 오존 세정하여 사용하였다.
상기 기판 상부에 진공도 650x lO-7Pa, 증착속도 0.1 내지 0.3 nm/s의 조건으로 N4,N4'-di(naphthalen-l-yl)-N4,N4'-diphenylbiphenyl-4,4'-dia^ (NPB) (80 nm)를 증착하여 800 A의 정공수송층을 형성하였다.
이어서, 동일한 진공 증착조건에서 실시예 1에서 얻은 화합물 4를 이용하여 막 두께 300 A의 발광층을 형성하였고, 이 때， 인광 도펀트인 Ir(PPy)3을 동시에 증착하였다. 이 때, 인광 도펀트의 증착속도를 조절하여, 발광층의 전체량을 100 중량%로 하였을 때, 인광 도펀트의 배합량이 7 중량 %가 되도록 증착하였다. 상기 발광층 상부에 동일한 진공 증착조건을 이용하여 Bis(2-methyl-8- quinolinolate)-4-(phenylphenolato)alummium (BAlq)를 증착하여 막 두께 50 A의 정공저지층을 형성하였다. 이어서, 동일한 진공 증착조건에서 Alq3를 증착하여， 막 두께 200 A의 전자수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 상부에 음극으로서 LiF와 A1을 순차적으로 증착하여 유기광전소자를 제작하였다.
상기 유기광전소자의 구조는 ΠΌ/ NPB (80 nm)/ EML (화합물 4 (93 중량0 /0) + Ir(PPy)3(7 중량0 /o), 30 nm)/ Balq (5 nm)/ Alq3 (20 nm)/ LiF (1 nm) I Al (100 nm) 의 구조로 제작하였다.
실시예 11
상기 실시예 10에서, 실시예 1의 화합물 4 대신 실시예 2의 화합물 6을 사용한 점올 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 12
상기 실시예 10에서, 실시예 1의 화합물 4 대신 실시예 3의 화합물 7을 사용한 점을 제와하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 13
상기 실시예 10에서, 실시예 1의 화합물 4 대신 실시예 4의 화합물 8을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 14
상기 실시예 10에서, 실시예 1의 화합물 4 대신 실시예 5의 화합물 12를 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 실시예 15
상기 실시예 10에서, 실시예 1의 화합물 4 대신 실시예 6의 화합물 20을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 16
상기 실시예 10에서, 실시예 1의 화합물 4 대신 실시예 7의 화합물 44를 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 17
상기 실시예 10에서， 실시예 1의 화합물 4 대신 실시예 8의 화합물 52를 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 18
상기 실시예 10에서, 실시예 1의 화합물 4 대신 실시예 9의 화합물 60을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
비교예 1
상기 실시예 10에서， 실시예 1의 화합물 4 대신 CBP를 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 상기 CBP의 구조는 하기에 기재되어 있다.
비교예 2
상기 실시예 10에서, 실시예 1의 화합물 4 대신 HOST1을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 상기 HOST1의 구조는 하기에 기재되어 있다.
비교예 3
상기 실시예 10에서, 실시예 1의 화합물 4 대신 HOST2를 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 상기 HOST2의 구조는 하기에 기재되어 있다. 상기 유기발광소자 제작에 사용된 NPB, BAlq, CBP, Ir(PPy)3, HOST1 및 HOST2의 구조는 하기와 같다.
Figure imgf000034_0001
실시예 10 내지 18과 비교예 1 내지 3에서,제조된 각각의 유기발광소자에 대하여 전압에 따른 전류밀도 변화, 휘도변화 및 발광효율을 측정하였다.
구체적인 측정방법은 하기와 같고， 그 결과는 하기 표 1에 나타내었다
(1) 전압변화에 따른 전류밀도의 변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 전류- 전압계 (Keithley 2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을 측정하고， 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다.
(2) 전압변화에 따른 휘도변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 휘도계 (Minolta Cs-IOOOA)를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다.
(3) 발광효율 측정
상기 (1) 및 (2)로부터 측정된 휘도와 전류밀도 및 전압을 이용하여 동일 전류밀도 (10 mA/cm2)의 전류 효율 (cd/A) 을 계산하였다.
【표 1】
소자 발광층에 사용한 화합물 구동전압 (V) 색 (EL color) 효율 (cd/A) 실시예 10 화합물 4 4.3 Green 80.2 실시예 11 화합물 6 3.9 Green 85.9 실시예 12 화합물 7 3.9 Green 83.0 실시예 13 화합물 8 4.2 Green 77.1 실시예 14 화합물 12 4.5 Green 82.5 실시예 15 화합물 20 4.7 Green 79.4 실시예 16 화합물 44 4.3 Green 75.5 실시예 17 화합물 52 4.2 Green 76.2 실시예 18 화합물 60 4.5 Green 77.8 비교예 1 CBP 4.8 Green 31.4 비교예 2 HOST1 5.5 Green 60.5 비교예 3 HOST2 7.1 Green 35.0 상기 표 1의 결과에 따르면, 실시예 10 내지 18에서 발광층으로 사용된 재료의 경우, 비교예 1 내지 비교예 3과 비교했을 때 발광효율이 현저히 높아지고 구동전압이 낮아짐을 알 수 있다. 이는 낮은 전압으로 고효율 소자를 만들 수 있음을 의미한다. 그 증에서도 플루오 ¾1기를 포함하는 화합물 6 또는 화합물 7을 포함한 실시예 11 또는 실시예 12에 따른 유기발광소자가 가장 우수한 효율 및 낮은 구동전압을 가지는 것을 확인할 수 있다. 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims

【특허청구범위】 【청구항 1】 하기 화학식 1로 표현되는 부분과 화학식 2로 표현되는 부분의 조합으로 표현되는 유기 화합물:
[화학식 1] [화학식 2]
Figure imgf000036_0001
상기 확학식 1 또는 화학식 2에서,
X는 CRaRb, SiRcRd, 0, S, SO 또는 S02 이고
Z는 각각 독립적으로 N 또는 CRe이고,
Z 중 적어도 하나는 N이고，
R' 내지 R8 및 Ra 내지 Re는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기 또는 아들의 조합이고，
L은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고，
nl 내지 n3는 각각 독립적으로 0 또는 1이고,
상기 화학식 1의 인접한 두 개의 *는 상기 화학식 2의 두 개의 *와 결합하여 융합고리를 형성한다.
【청구항 2】
거 U항에서,
하기 화학식 3 또는 하기 화학식 4로 표현되는 유기 화합물:
[화학식 3] [화학식 4]
Figure imgf000037_0001
상기 화학식 3 또는 화학식 4에서,
X는 CRaRb, SiRcRd, O, S, SO 또는 S02 이고，
Z는 각각 독립적으로 N 또는 CRe이고,
Z 중 적어도 하나는 N이고,
R1 내지 R8 및 Ra 내지 Re는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고，
L은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
nl 내지 n3는 각각 독립적으로 0 또는 1이다.
【청구항 3】
제 1항에서
상기 화학식 2로 표현되는 부분은 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-ΠΙ 중 하나로 표현되는 유기 화합물:
[화학 2-1] [화학식 2-Π]
Figure imgf000037_0002
[화학식 2-ΙΠ]
Figure imgf000038_0001
상기 화학식 2-1 내지 화학식 2-ΙΠ에서,
X1 및 X2는 각각 독립적으로 CRaRb또는 SiRcRd이고,
X3는 0, s, so 또는 so2 이고,
Z는 각각 독립적으로 N또는 CRe이고，
Z 중 적어도 하나는 N이고,
R5 내지 R8과 Ra 내지 Re는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고，
L은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 ' 이들의 조합이고,
nl 내지 n3는 각각 독립적으로 0 또는 1이다.
상기 화학식 2-1 내지 2-ΠΙ의 두 개의 *는 상기 화학식 1의 인접한 두 개의 *와 결합하여 융합고리를 형성한다.
【청구항 4】
거 11항에서,
상기 화학식 2로 표현되는 부분은 하기 화학식 2a와 하기 그룹 1에서 선택된 하나의 조합으로 표현되는 유기 화합물:
[화학식 2a]
Figure imgf000038_0002
[그룹 1]
Figure imgf000039_0001
상기 화학식 2a또는 그룹 1에서,
X는 CRaRb, SiRcRd,ᄋ, S, SO 또는 S02 이고,
Ra 내지 Rd는 각각 독립적으로 수소, 중수소， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,
L은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
nl은 0 또는 1이다.
【청구항 5】
제 1항에서,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 중수소 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기인 유기 화합물.
【청구항 6】
제 1항에서,
하기 그룹 2에 나열된 유기 화합물:
[그룹 2]
Figure imgf000040_0001
6t
T6ClOO/MOZaM/X3d 6SSS00/ST0Z OAV
Figure imgf000041_0001
Figure imgf000041_0002
Figure imgf000041_0003
Figure imgf000041_0004
S3.
Of
6SSS00/ST0Z; OAV
Figure imgf000042_0001
Figure imgf000042_0002
Figure imgf000042_0003
Figure imgf000042_0004
T6eToo/^TorHX/i3d 6SSS00/ST0Z; OAV
Figure imgf000043_0001
T6ClOO/MOZaM/X3d 6SSS00/ST0Z OAV
Figure imgf000044_0001
Figure imgf000044_0002
Figure imgf000044_0003
【청구항 7】
제 1항에서，
-2.0 내지 -2.5eV의 LUMO 에너지를 가지는 유기 화합물.
【청구항 8]
서로 마주하는 양극과 음극,
상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 적어도 1층의 유기층 을 포함하고,
상기 유기층은 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 따른 유기 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자.
【청구항 9】
제 8항에서,
상기 유기층은 발광층을 포함하고,
상기 발광층은 상기 유기 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자. 44
【청구항 10]
저 18항에서,
상기 유기 화합물은 상기 발광층의 호스트로서 포함되는 유기 광전자 소자.
【청구항 1 1】
제 8항에서,
상기 유기층은 정공 주입 층, 정공 수송 층, 전자 차단 층, 전자 수송 충, 전자 주입 층 및 정공 차단 층에서 선택된 적어도 하나의 보조충을 포함하고, 상기 보조층은 상기 유기 화합물을 포함하는
유기 광전자 소자.
【청구항 12】
제 8항에 따른 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치.
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