WO2015091005A1 - Optoelektronisches halbleiterbauteil und adaptiver scheinwerfer für ein kraftfahrzeug - Google Patents

Optoelektronisches halbleiterbauteil und adaptiver scheinwerfer für ein kraftfahrzeug Download PDF

Info

Publication number
WO2015091005A1
WO2015091005A1 PCT/EP2014/076602 EP2014076602W WO2015091005A1 WO 2015091005 A1 WO2015091005 A1 WO 2015091005A1 EP 2014076602 W EP2014076602 W EP 2014076602W WO 2015091005 A1 WO2015091005 A1 WO 2015091005A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
grid
active zones
carrier
semiconductor
optoelectronic semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2014/076602
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Stefan GRÖTSCH
Norbert HÄFNER
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE112014005960.9T priority Critical patent/DE112014005960B4/de
Priority to US15/032,502 priority patent/US9964270B2/en
Priority to CN201480069853.9A priority patent/CN105830215B/zh
Priority to KR1020167015333A priority patent/KR102193174B1/ko
Priority to JP2016541476A priority patent/JP6370387B2/ja
Publication of WO2015091005A1 publication Critical patent/WO2015091005A1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S41/00—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
    • F21S41/10—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source
    • F21S41/19—Attachment of light sources or lamp holders
    • F21S41/192—Details of lamp holders, terminals or connectors
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S41/00—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
    • F21S41/10—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source
    • F21S41/14—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source characterised by the type of light source
    • F21S41/141—Light emitting diodes [LED]
    • F21S41/151—Light emitting diodes [LED] arranged in one or more lines
    • F21S41/153—Light emitting diodes [LED] arranged in one or more lines arranged in a matrix
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V23/00—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices
    • F21V23/003—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being electronics drivers or controllers for operating the light source, e.g. for a LED array
    • F21V23/004—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being electronics drivers or controllers for operating the light source, e.g. for a LED array arranged on a substrate, e.g. a printed circuit board
    • F21V23/005—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being electronics drivers or controllers for operating the light source, e.g. for a LED array arranged on a substrate, e.g. a printed circuit board the substrate is supporting also the light source
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V23/00—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices
    • F21V23/04—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being switches
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/8506—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/854—Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H20/856—Reflecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
    • H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
    • H10H29/142—Two-dimensional arrangements, e.g. asymmetric LED layout
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2101/00—Point-like light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8514—Wavelength conversion means characterised by their shape, e.g. plate or foil

Definitions

  • An optoelectronic semiconductor component is specified.
  • An object to be solved is to specify an optoelectronic semiconductor component which can be controlled and arranged efficiently.
  • Optoelectronic semiconductor device a carrier.
  • the carrier has a carrier top and one of these opposite carrier base.
  • Carrier base are respectively main pages and especially even.
  • the carrier is preferably the component mechanically stabilizing the semiconductor component, so that the semiconductor component would not be mechanically stable without the carrier.
  • the carrier is a so-called submount.
  • the active zones are in the operation of the semiconductor device for emission of a Radiation furnished.
  • a Radiation for example, visible light, in particular blue light or white light or yellow light or orange light or red light, is generated in the active zones.
  • the active zones are attached to the carrier top.
  • the active zones may be in contact with the carrier top or, preferably, spaced from the top of the carrier.
  • the active zones are each integrated in a semiconductor layer sequence or in an optoelectronic semiconductor chip.
  • each of the active zones is a radiation-generating region in a semiconductor chip, in particular in a light-emitting diode or in a laser diode.
  • the active zones and / or the semiconductor chips preferably have at least one
  • the semiconductor layer sequence is preferably based on a III-V compound semiconductor material.
  • the semiconductor material is, for example, a nitride compound semiconductor material such as Al n In] __ n _ m Ga m N or a phosphide compound semiconductor material such as Al n In] __ n _ m Ga m P or an arsenide compound semiconductor material as
  • the semiconductor layer sequence may have dopants and additional constituents.
  • the essential components of the crystal lattice of the semiconductor layer sequence ie Al, As,
  • Semiconductor component on the underside of the carrier at least three electrical contact points.
  • the semiconductor device has exactly three or exactly four of the electrical contact points.
  • the electrical contact points are at least to an electrical connection of the
  • the contact points are intended, for example, for soldering or for electrically conductive bonding. According to at least one embodiment, the
  • the drive unit is preferably an electrical
  • the drive unit is a so-called microcontroller.
  • the active zones are in a regular grid on the carrier top
  • the active zones are arranged in a matrix.
  • the grid can be a rectangle grid or a square grid.
  • the grid has at least one grid dimension.
  • the pitch corresponds to a distance between adjacent grid points along a shortest connecting line.
  • the grid may have two grid dimensions.
  • the at least one Pitch and the grid preferably extend
  • the active zones have a geometric center, seen in plan view, on a radiation main side facing away from the carrier.
  • a geometric center seen in plan view, on a radiation main side facing away from the carrier.
  • Radiation main sides is the geometric center in particular an intersection of diagonals of
  • the center points of the main radiation sides are located on the grid points of the grid, in plan view in particular on the carrier top side and / or on the main radiation sides.
  • a tolerance with which the geometric centers in plan view are located on the grid points is preferably at most 30% or 20% or 10% or 5% of the grid or a medium grid. Such minor deviations of the location of the geometric centers of the grid points are
  • a distance D of the geometrical centers from edge-active zones to a nearest edge of the carrier is at most 60% of the grid dimension M, seen in plan view. Preferably, this distance is at most 50% or 45% or 40% and / or at least 15% or 25% or 30%. Boundary means that the corresponding active zone in
  • the distance D depends on the grid dimension M: (M-0.3 mm) / 2 ⁇ D ⁇ (M-0.1 mm) / 2.
  • Optoelectronic semiconductor device on a carrier with a carrier top and with a carrier base on.
  • Several active zones are mounted on the carrier top and are designed to generate and emit radiation.
  • At least three electrical contact points are located on the underside of the carrier and are connected to an electrical and / or mechanical and / or thermal connection of the
  • the semiconductor device further comprises at least one drive unit for electrical
  • the active zones are in a regular grid with a grid on the
  • Carrier top mounted, seen in top view.
  • Geometric centers of main radiation sides of the active zones lie on grid points of the grid, with a tolerance of at most 20% of the grid dimension.
  • a distance of the geometric centers of marginal active zones to a nearest edge of the carrier is at most 60%, preferably at most 50% of the grid.
  • a plurality of active zones or a plurality of semiconductor chips configured for generating radiation are integrated on a common carrier and can be specifically addressed via the drive unit.
  • a distance of the geometric center points to an edge is less than a
  • the grid is an n ⁇ m matrix.
  • n, m are in each case natural numbers greater than or equal to 2, greater than or equal to 3 or greater than or equal to 4.
  • n, m is not more than 32 or 25 or 12 or 8 or 6.
  • one or more conversion elements are assigned to some or all of the active zones. In particular, are the
  • Conversion elements on a side facing away from the carrier of the active zones can be designed as a platelet or potting and is set up for a complete or partial conversion of radiation generated in the associated active zone. For example, a portion of a blue light generated in the active zone is converted to yellow light via the conversion element, resulting in white light.
  • Conversion elements the main radiation sides in each case completely, seen in plan view of the carrier top.
  • the conversion elements can each be arranged congruent to the associated active zone or the
  • the conversion elements seen in plan view, are smaller than the active zones and are surmounted by the active zones. Also, a single can
  • the active zones and / or the conversion elements are surrounded on all sides by a reflector casting.
  • Reflector potting can be a material that appears white to a viewer. Preferably surrounds the
  • a mean distance between adjacent active zones and / or between adjacent semiconductor chips is at most 70% or 45% or 30% or 20% of the grid dimension.
  • the average distance is in this case preferably to be determined in the direction parallel to the carrier top.
  • the semiconductor chips and / or the active zones at a small distance from each other and arranged close to the carrier top.
  • the carrier is a silicon carrier or a germanium carrier.
  • the carrier is then made of a semiconductor material
  • the drive unit is monolithically integrated in the carrier. This means
  • the drive unit is not a separate, subsequently applied to the carrier component. There is then no connection means between the carrier and the drive unit.
  • the drive unit is then grown in or with the carrier and / or by means
  • Implantation of ions generated in the carrier According to at least one embodiment, the
  • the Drive unit one or more transistors and / or electrical switches on.
  • the switches and / or transistors can be based on silicon or germanium and have corresponding dopants.
  • the drive unit is formed by a layer of recrystallized silicon or comprises at least one such layer.
  • the transistors and / or switches may be formed.
  • Drive unit in particular the at least one layer of recrystallized silicon, on the carrier top or on the vehicle base.
  • the drive unit is then mounted between the carrier and the active zone. It is possible that the active zones are electrically and / or
  • the drive unit comprises or is a serial shift register.
  • Shift register preferably has one, in particular exactly one data input and one or more signal outputs.
  • the signal outputs are preferably electrically connected to the active zones and / or the semiconductor chips.
  • the signal outputs are electrically connected to switches, wherein each of the switches is electrically connected in parallel to one of the active zones and / or semiconductor chips.
  • Carrier base mounted exactly one electrical contact surface for a power line or a power supply or a power supply. Alternatively or additionally, there is exactly one electrical contact surface for a ground line or a ground contact on the underside of the carrier. Furthermore, one or two or more than two may be
  • Contact surfaces for a data line are located on the underside of the carrier.
  • different active zones and / or different semiconductor chips are for
  • all active zones and / or semiconductor chips of the semiconductor device are to
  • a color of the light which is emitted by a specific active zone and / or by a specific semiconductor chip is preferably fixed and thus not adjustable.
  • the semiconductor device is then only configured to use white light as a headlight or only orange light as a turn signal or only red light as
  • Semiconductor layer sequence are based in the semiconductor device via a common growth substrate. On the
  • Growth substrate is the semiconductor layer sequence
  • the active zones then each have the same material composition and the same layer thicknesses in the semiconductor layer sequence.
  • the semiconductor layer sequence is a
  • Structuring to the active zones takes place, for example, by etching.
  • the headlamp is in particular a
  • Headlight for a motor vehicle about one
  • the headlight includes several components
  • Semiconductor components mounted on a mounting platform, in particular on a common and one-piece mounting platform.
  • the semiconductor components are in this case arranged on the mounting platform, so that all active zones of all semiconductor components or of at least several of the
  • Semiconductor devices are located on the grid points of the regular grid, with a tolerance of at most 20% or 10% or 5% of the grid size.
  • the position of the respective active zones is preferably the geometric one
  • the grid extends uniformly over all or over at least several of the semiconductor devices. It is not mandatory that the mounting platform even
  • Data line does not exclude that the data line through any of the semiconductor devices or through all of the
  • Semiconductor components is looped through. It has to be at the data line is not a single, in
  • Conductor act are over the
  • Control unit individual of the active zones or group of active zones of the headlamp independently controllable. This applies preferably also within the
  • Lighting area in which the spotlight radiates radiation electronically adjustable and adjustable.
  • FIGS 1 and 3 are schematic representations of
  • FIG. 6 shows a modification of an arrangement of FIG
  • Figure 1A is a schematic plan view and in Figure 1B is a schematic sectional view of a
  • the semiconductor device 1 has a carrier 2. On a support base 24 a plurality of electrical contact points 4 are attached. On one of the carrier base 24
  • Optoelectronic semiconductor chip 3 each with exactly one active zone 33 for generating visible light
  • the semiconductor chips 3 are arranged in a 2 ⁇ 2 matrix.
  • a drive unit 5 is monolithically in the carrier 2
  • the drive unit 5 is
  • the carrier 2 is, for example, a silicon carrier.
  • the drive unit 5 then preferably comprises a register, a plurality of transistors and Switch.
  • the drive unit 5 is manufactured in silicon technology.
  • main radiation sides 30 of the semiconductor chips 3 each have a geometric center P.
  • the centers P are located at grid points of a grid.
  • the grid is by dash-dot lines
  • a grid M corresponding to a shortest distance between adjacent grid points, corresponds to a maximum of twice a distance D of the geometric
  • Semiconductor device 1 seen in plan view, significantly larger than a distance of the peripheral semiconductor chips 3 to the edge.
  • semiconductor device 1 are summarized, furthermore, the electrical contact surfaces 4 of the semiconductor device 1 can be formed larger than would be the case with individual semiconductor chips 1.
  • the semiconductor chips 3 and / or the active zones 33 and the conversion elements 6 according to FIG. 1 are surrounded by a reflector potting 7 in the direction parallel to the carrier top side 23.
  • the reflector casting 7 is
  • the reflective particles are added, for example, titanium dioxide.
  • reflective potting 7 can be parallel to the direction
  • Carrier top 23 flush with the carrier 2. In the direction away from the carrier 2 close the
  • Conversion elements 6 and the reflector Verguss 7 also preferably flush with each other. Bonding wires for contacting the semiconductor chips 3 and / or the active zones 33 may be completely embedded in the reflector casting 7.
  • a housing based on a ceramic can also be used.
  • Leadframe can be used, for example, the type "Tape + Reel” or short ABF or Advanced Patterning Film or the type of film-based lead frames, such as based on copper foils, in particular QFN housing designs. especially in the form of CiF designs or chip-in-frame
  • the semiconductor chips 3 are arranged in a 2 ⁇ 3 matrix. The six thus
  • Semiconductor chips 3 have a common contact point for a ground contact GND and a common contact point for a voltage line VCC. Further, two
  • the contact points 4 can also be positioned differently, so that, for example, the contact points Din and Dout are not located between the contact points GND and VCC.
  • FIG. 3 A corresponding arrangement in a headlight 10 with a plurality of the semiconductor components 1, in particular as shown in FIG. 3, is illustrated in a schematic bottom view in FIG.
  • Adjacent contact points for the data input Din and the data output Dout of adjacent semiconductor components 1 are always at the same potential. This allows a distance between adjacent semiconductor devices 1 can be reduced, since no potential-related distances on the
  • Assembly platform 11 must be complied with.
  • Voltage line VCC and the ground line GND can also be combined differently over a plurality of the semiconductor components 1, deviating from the illustration according to FIG. 4.
  • Semiconductor components 1 are driven, hierarchical
  • Wiring levels and traces at the Mounting platform 11 are each not illustrated for simplicity.
  • control units 5 not shown in Figure 4, also other information or
  • Control data is processed or recorded
  • the data line 8 is a
  • Data bus with one or more lines is.
  • a number of the contact surfaces 4 can be adapted according to the number of lines of the data bus.
  • the data bus has a line for the input data, a line for the output data, and a line for a time signal, English Clock.
  • the time signal can be transported with a line for the output data and / or with a line for the input data.
  • the semiconductor components 1 each have a carrier 2 on, which is provided with vias.
  • a p-side contact is connected to the voltage line VCC and an n-side contact with the
  • the drive unit 5 is located between the active zones 33 and the carrier 2.
  • the drive unit 5 is formed from one or more layers of recrystallized silicon.
  • the silicon is generated amorphous, for example by means of vapor deposition and by scanning about by means of an intense laser beam is the
  • Such a silicon layer may have an increased charge carrier mobility, in particular between 400 cm ⁇ / Vs and 500 cm ⁇ / Vs. Furthermore, such a silicon layer can be at comparatively moderate
  • the drive unit 5 can be generated. Unlike shown, it is also possible that an electrical contacting of the active zones 33 takes place at least partially via conductor tracks and via electrical contact points on the main radiation side 30.
  • adjacent active zones 33 each have an insulation 9 attached.
  • the insulation 9 is preferably both an electrical insulation and an optical insulation. Unlike shown, such an insulation 9 can also serve on outer side surfaces of the active zones 33 to a lateral boundary of the respective semiconductor components 1.
  • Drive unit 5 is formed on a side facing away from a growth substrate 32 of the active zones 33 side of the active zones 33, for example by a recrystallized Silicon layer, as explained in connection with Figure 5A.
  • a planarization between the active zones 33 toward the drive unit 5 can be achieved.
  • a carrier function is shown in FIG. 5B, for example, from the combination of the drive unit 5 together with the
  • semiconductor components 1 outlined, see Figure 5C. Other than illustrated, it is also possible that all the semiconductor components 1 are each applied to a single, continuous line for the voltage VCC, for the ground GND and for the data signal 8.
  • FIG. 6 shows a modification. For each of the

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lighting Device Outwards From Vehicle And Optical Signal (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

In mindestens einer Ausführungsform weist das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Träger (2) auf. Mehrere aktive Zonen (33) sind an einer Trägeroberseite (23) angebracht und zur Erzeugung von Strahlung eingerichtet. Mindestens drei elektrische Kontaktstellen (4) befinden sich an einer Trägerunterseite (24). Das Halbleiterbauteil (1) weist zumindest eine Ansteuereinheit (5) zum elektrischen Adressieren des Halbleiterbauteils (1) und zu einem elektrischen Ansteuern der aktiven Zone (33) auf. Die aktiven Zonen (33) sind in einem regelmäßigen Raster angebracht, in Draufsicht gesehen. Geometrische Mittelpunkte (P) von Strahlungshauptseiten (30) der aktiven Zonen (33) liegen auf Rasterpunkten des Rasters, mit einer Toleranz von höchstens 20 % eines Rastermaßes. Ein Abstand (D) der geometrischen Mittelpunkte (P) randständiger aktiver Zonen (33) zu einer nächstgelegenen Kante des Trägers (2) beträgt dabei höchstens 60 % des Rastermaßes, in Draufsicht gesehen.

Description

Beschreibung
Optoelektronisches Halbleiterbauteil und adaptiver
Scheinwerfer für ein Kraftfahrzeug
Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben. Darüber hinaus wird ein adaptiver Scheinwerfer für ein
Kraftfahrzeug angegeben. Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Halbleiterbauteil anzugeben, das effizient ansteuerbar und anordenbar ist.
Diese Aufgabe wird unter anderem durch ein optoelektronisches Halbleiterbauteil und durch einen adaptiven Scheinwerfer mit den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst.
Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche . Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das
optoelektronische Halbleiterbauteil einen Träger. Der Träger weist eine Trägeroberseite und eine dieser gegenüberliegende Trägerunterseite auf. Die Trägeroberseite und die
Trägerunterseite sind jeweils Hauptseiten und insbesondere eben. Bei dem Träger handelt es sich bevorzugt um die das Halbleiterbauteil mechanisch stabilisierende Komponente, sodass das Halbleiterbauteil ohne den Träger mechanisch nicht stabil wäre. Beispielsweise ist der Träger ein sogenannter Submount .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das
Halbleiterbauteil mehrere aktive Zonen auf. Die aktiven Zonen sind im Betrieb des Halbleiterbauteils zur Emission einer Strahlung eingerichtet. Beispielsweise wird in den aktiven Zonen sichtbares Licht, insbesondere blaues Licht oder weißes Licht oder gelbes Licht oder oranges Licht oder rotes Licht, erzeugt .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die aktiven Zonen an der Trägeroberseite angebracht. Die aktiven Zonen können mit der Trägeroberseite in Kontakt stehen oder, bevorzugt, von der Trägeroberseite beabstandet angebracht sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die aktiven Zonen jeweils in einer Halbleiterschichtenfolge oder in einem optoelektronischen Halbleiterchips integriert. Beispielsweise ist jede der aktiven Zonen ein strahlungserzeugender Bereich in einem Halbleiterchip, insbesondere in einer Leuchtdiode oder in einer Laserdiode. Die aktiven Zonen und/oder die Halbleiterchips weisen dabei bevorzugt zumindest eine
Halbleiterschichtenfolge auf oder bestehen hieraus. Die Halbleiterschichtenfolge basiert bevorzugt auf einem III- V-Verbindungshalbleitermaterial . Bei dem Halbleitermaterial handelt es sich zum Beispiel um ein Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn]__n_mGamN oder um ein Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn]__n_mGamP oder auch um ein Arsenid-Verbindungshalbleitermaterial wie
AlnIn]__n_mGamAs, wobei jeweils 0 ^ n < 1, 0 ^ m < 1 und n + m -S 1 ist. Dabei kann die Halbleiterschichtenfolge Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters der Halbleiterschichtenfolge, also AI, As,
Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können . Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das
Halbleiterbauteil an der Trägerunterseite mindestens drei elektrische Kontaktstellen auf. Beispielsweise weist das Halbleiterbauteil genau drei oder genau vier der elektrischen Kontaktstellen auf. Die elektrischen Kontaktstellen sind zumindest zu einem elektrischen Anschließen des
Halbleiterbauteils eingerichtet. Ebenso ist es möglich, dass die elektrischen Kontaktstellen zu einer mechanischen
Befestigung und/oder zu einem thermischen Anbinden des
Halbleiterbauteils an einer externen Komponente eingerichtet sind. Die Kontaktstellen sind beispielsweise für ein Löten oder für ein elektrisch leitfähiges Kleben bestimmt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das
Halbleiterbauteil mindestens eine Ansteuereinheit auf. Die Ansteuereinheit ist bevorzugt zu einem elektrischen
Adressieren des Halbleiterbauteils und/oder zu einem
elektrischen Ansteuern der aktiven Zonen eingerichtet.
Insbesondere handelt es sich bei der Ansteuereinheit um einen sogenannten MikroController .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die aktiven Zonen in einem regelmäßigen Raster an der Trägeroberseite
angebracht, in Draufsicht gesehen. Beispielsweise sind die aktiven Zonen matrixförmig angeordnet. Bei dem Raster kann es sich um ein Rechteckraster oder um ein quadratisches Raster handeln. Das Raster weist mindestens ein Rastermaß auf. Im Falle eines quadratischen Gitters entspricht das Rastermaß einem Abstand zwischen benachbarten Gitterpunkten entlang einer kürzesten Verbindungslinie. Handelt es sich bei dem Raster beispielsweise um ein rechteckiges Raster, so kann das Raster zwei Rastermaße aufweisen. Das mindestens eine Rastermaß sowie das Raster erstrecken sich bevorzugt
gleichbleibend über die gesamte Trägeroberseite.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die aktiven Zonen an einer dem Träger abgewandten Strahlungshauptseite einen geometrischen Mittelpunkt auf, in Draufsicht gesehen. Bei quadratischen oder rechteckig geformten
Strahlungshauptseiten ist der geometrische Mittelpunkt insbesondere ein Schnittpunkt von Diagonalen der
Strahlungshauptseite.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegen die Mittelpunkte der Strahlungshauptseiten auf den Rasterpunkten des Rasters, in Draufsicht insbesondere auf die Trägeroberseite und/oder auf die Strahlungshauptseiten gesehen. Eine Toleranz, mit der die geometrischen Mittelpunkte in Draufsicht gesehen auf den Rasterpunkten liegen, liegt bevorzugt bei höchstens 30 % oder 20 % oder 10 % oder 5 % des Rastermaßes oder eines mittleren Rastermaßes. Solche kleineren Abweichungen der Lage der geometrischen Mittelpunkte von den Rasterpunkten sind
insbesondere auf Montagetoleranzen zurückzuführen. Besonders bevorzugt besteht keine beabsichtigte Abweichung zwischen einer Position der geometrischen Mittelpunkte und den
Rasterpunkten .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform beträgt ein Abstand D der geometrischen Mittelpunkte von randständigen aktiven Zonen zu einer nächstgelegenen Kante des Trägers höchstens 60 % des Rastermaßes M, in Draufsicht gesehen. Bevorzugt liegt dieser Abstand bei höchstens 50 % oder 45 % oder 40 % und/oder bei mindestens 15 % oder 25 % oder 30 %. Randständig bedeutet dabei, dass die entsprechende aktive Zone in
Richtung hin zur nächstgelegenen Kante nicht von einer weiteren aktiven Zone benachbart ist und an keine aktive Zone, zur nächstgelegenen Kante hin, angrenzt. Alternativ oder zusätzlich gilt für den Abstand D in Abhängigkeit von dem Rastermaß M: (M - 0,3 mm) /2 < D < (M - 0,1 mm) /2.
In mindestens einer Ausführungsform weist das
optoelektronische Halbleiterbauteil einen Träger mit einer Trägeroberseite und mit einer Trägerunterseite auf. Mehrere aktive Zonen sind an der Trägeroberseite angebracht und sind zur Erzeugung und Emission von Strahlung eingerichtet.
Mindestens drei elektrische Kontaktstellen befinden sich an der Trägerunterseite und sind zu einem elektrischen und/oder mechanischen und/oder thermischen Anschließen des
Halbleiterbauteils eingerichtet. Das Halbleiterbauteil weist ferner zumindest eine Ansteuereinheit zum elektrischen
Adressieren des Halbleiterbauteils und zu einem elektrischen Ansteuern der aktiven Zone auf. Die aktiven Zonen sind dabei in einem regelmäßigen Raster mit einem Rastermaß an der
Trägeroberseite angebracht, in Draufsicht gesehen.
Geometrische Mittelpunkte von Strahlungshauptseiten der aktiven Zonen liegen auf Rasterpunkten des Rasters, mit einer Toleranz von höchstens 20 % des Rastermaßes. Ein Abstand der geometrischen Mittelpunkte von randständigen aktiven Zonen zu einer nächstgelegenen Kante des Trägers beträgt dabei höchstens 60 %, bevorzugt höchstens 50 % des Rastermaßes.
Insbesondere im Automobilbau ist ein Trend zu immer höheren Auflösungen speziell bei adaptiven Frontscheinwerfersystemen zu beobachten. Werden einzelne Leuchtdiodenbausteine mit jeweils zwei Anschlüssen, für eine Anode sowie für eine
Kathode, matrixartig angeordnet, so ist ein
Verschaltungsaufwand relativ hoch. Außerdem ist eine
Anordnung einer Vielzahl von Leuchtdiodenbausteinen fehleranfällig bei der Montage. Durch den benötigten Platz für Leiterbahnen ist außerdem eine Anordnungsdichte
beschränkt. Eine Größe der Leiterbahnen ist aufgrund des relativ hohen Strombedarfs der Leuchtdiodenbausteine dabei nach unten hin begrenzt, die Leiterbahnen müssen einen vergleichsweise großen Querschnitt aufweisen.
Bei den hier beschriebenen Halbleiterbauteilen sind mehrere aktive Zonen oder mehrere, zu einer Strahlungserzeugung eingerichtete Halbleiterchips auf einem gemeinsamen Träger integriert und über die Ansteuereinheit gezielt ansprechbar. Insbesondere dadurch, dass ein Abstand der geometrischen Mittelpunkte zu einem Rand hin geringer ist als ein
Rastermaß, ist eine gleichmäßige Anordnung der aktiven Zonen über mehrere der Halbleiterbauteile hinweg ermöglicht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das Raster eine n x m-Matrix. Dabei sind n, m jeweils natürliche Zahlen größer oder gleich 2, größer oder gleich 3 oder größer oder gleich 4. Alternativ oder zusätzlich betragen n, m höchstens 32 oder 25 oder 12 oder 8 oder 6.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das
Halbleiterbauteil oberflächenmontierbar gestaltet. Mit anderen Worten ist das Halbleiterbauteil dann durch
Oberflächenmontagetechnik, englisch Surface Mount Technology oder kurz SMT, an einem externen Träger befestigbar.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist einigen oder allen aktiven Zonen jeweils ein oder mehrere Konversionselemente zugeordnet. Insbesondere befinden sich die
Konversionselemente an einer dem Träger abgewandten Seite der aktiven Zonen. Das mindestens eine Konversionselement kann als Plättchen oder als Verguss ausgebildet sein und ist zu einer vollständigen oder teilweisen Umwandlung von in der zugehörigen aktiven Zone erzeugter Strahlung eingerichtet. Beispielsweise wird über das Konversionselement ein Teil eines in der aktiven Zone erzeugten blauen Lichts in gelbes Licht umgewandelt, sodass weißes Licht resultiert.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform überdecken die
Konversionselemente die Strahlungshauptseiten jeweils vollständig, in Draufsicht auf die Trägeroberseite gesehen. Die Konversionselemente können hierbei je deckungsgleich zu der zugehörigen aktiven Zone angeordnet sein oder die
zugehörige aktive Zone auch ringsum überragen. Alternativ ist es möglich, dass die Konversionselemente, in Draufsicht gesehen, je kleiner sind als die aktiven Zonen und von den aktiven Zonen überragt werden. Auch kann ein einziges
Konversionselement alle aktiven Zonen überdecken.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die aktiven Zonen und/oder die Konversionselemente, in Draufsicht gesehen, ringsum von einem Reflektorverguss umgeben. Bei dem
Reflektorverguss kann es sich um ein Material handeln, das einem Betrachter weiß erscheint. Bevorzugt umgibt der
Reflektorverguss das Konversionselement formschlüssig und in direktem Kontakt, in Richtung parallel zur Trägeroberseite.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform beträgt ein mittlerer Abstand zwischen benachbarten aktiven Zonen und/oder zwischen benachbarten Halbleiterchips höchstens 70 % oder 45 % oder 30 % oder 20 % des Rastermaßes. Der mittlere Abstand ist hierbei bevorzugt in Richtung parallel zur Trägeroberseite zu bestimmen. Mit anderen Worten sind die Halbleiterchips und/oder die aktiven Zonen in geringem Abstand zueinander und dicht auf der Trägeroberseite angeordnet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform handelt es sich bei dem Träger um einen Siliziumträger oder um einen Germaniumträger. Der Träger ist also dann aus einem Halbleitermaterial
gebildet oder umfasst ein solches. Hierbei können an dem Träger weitere Schichten, insbesondere elektrisch isolierende Schichten oder metallische Leiterbahnen, angebracht sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Ansteuereinheit monolithisch in dem Träger integriert. Dies bedeutet
insbesondere, dass die Ansteuereinheit keine separate, auf den Träger nachträglich aufgebrachte Komponente ist. Zwischen dem Träger und der Ansteuereinheit befindet sich dann kein Verbindungsmittel. Beispielsweise ist die Ansteuereinheit dann in oder mit dem Träger gewachsen und/oder mittels
Implantation von Ionen in dem Träger erzeugt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die
Ansteuereinheit einen oder mehrere Transistoren und/oder elektrische Schalter auf. Die Schalter und/oder Transistoren können hierbei auf Silizium oder Germanium basieren und entsprechende Dotierungen aufweisen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Ansteuereinheit durch eine Schicht aus rekristallisiertem Silizium gebildet oder umfasst zumindest eine solche Schicht. In diese Schicht können die Transistoren und/oder Schalter ausgebildet sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform befindet sich die
Ansteuereinheit, insbesondere die zumindest eine Schicht aus rekristallisiertem Silizium, an der Trägeroberseite oder an der Trägerunterseite. Bevorzugt ist die Ansteuereinheit dann zwischen dem Träger und der aktiven Zone angebracht. Es ist möglich, dass die aktiven Zonen elektrisch und/oder
mechanisch einzig über die Ansteuereinheit in Kontakt mit dem Träger stehen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst oder ist die Ansteuereinheit ein serielles Schieberegister. Das
Schieberegister weist bevorzugt einen, insbesondere genau einen Dateneingang und einen oder mehrere Signalausgänge auf. Die Signalausgänge sind bevorzugt elektrisch mit den aktiven Zonen und/oder den Halbleiterchips verbunden. Insbesondere sind die Signalausgänge elektrisch leitend mit Schaltern verbunden, wobei jeder der Schalter elektrisch parallel zu einer der aktiven Zonen und/oder Halbleiterchips geschaltet ist .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist an der
Trägerunterseite genau eine elektrische Kontaktfläche für eine Spannungsleitung oder eine Spannungsversorgung oder eine Stromversorgung angebracht. Alternativ oder zusätzlich befindet sich an der Trägerunterseite genau eine elektrische Kontaktfläche für eine Masseleitung oder einen Massekontakt. Weiterhin können sich eine oder zwei oder mehr als zwei
Kontaktflächen für eine Datenleitung an der Trägerunterseite befinden. Bevorzugt sind genau zwei Kontaktflächen für eine Datenleitung, nämlich eine Kontaktfläche für einen
Dateneingang und eine Kontaktfläche für einen Datenausgang, an der Trägerunterseite angebracht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind verschiedene aktive Zonen und/oder verschiedene Halbleiterchips zur
Erzeugung von Strahlung mit voneinander verschiedener spektraler Zusammensetzung eingerichtet. Auf diese Weise ist ein Farbeindruck der von dem Halbleiterbauteil emittierten Strahlung einstellbar. Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind alle aktiven Zonen und/oder Halbleiterchips des Halbleiterbauteils dazu
eingerichtet, im Betrieb Licht derselben Farbe abzustrahlen. Dabei ist eine Farbe des Lichts, die von einer bestimmten aktiven Zone und/oder von einem bestimmten Halbleiterchip abgestrahlt wird, bevorzugt festgelegt und damit nicht einstellbar. Beispielsweise ist das Halbleiterbauteil dann einzig dazu eingerichtet, weißes Licht als Scheinwerfer oder nur oranges Licht als Blinker oder nur rotes Licht als
Bremslicht zu emittieren.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform verfügen zumindest mehrere der aktiven Zonen, die insbesondere auf einer
Halbleiterschichtenfolge basieren, in dem Halbleiterbauteil über ein gemeinsames Aufwachssubstrat . Auf dem
Aufwachssubstrat ist die Halbleiterschichtenfolge
aufgewachsen. Die aktiven Zonen weisen dann jeweils dieselbe Materialzusammensetzung und dieselben Schichtdicken in der Halbleiterschichtenfolge auf. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist ein
Halbleitermaterial, aus dem die aktiven Zonen aufgebaut sind, zwischen benachbarten aktiven Zonen vollständig oder
teilweise entfernt. Eine Strukturierung zu den aktiven Zonen erfolgt dabei beispielsweise durch ein Ätzen. Ein
nachträgliches Ändern relativer Positionen der aktiven Zonen zueinander, nach einem Wachsen der Halbleiterschichtenfolge, erfolgt dann bevorzugt nicht. Darüber hinaus wird ein adaptiver Scheinwerfer angegeben. Bei dem Scheinwerfer handelt es sich insbesondere um einen
Scheinwerfer für ein Kraftfahrzeug, etwa um einen
Autofrontscheinwerfer. Der Scheinwerfer umfasst mehrere
Halbleiterbauteile, wie in Verbindung mit zumindest einer der oben genannten Ausführungsformen angegeben. Merkmale der Halbleiterbauteile sind daher auch für den Scheinwerfer offenbart und umgekehrt. In mindestens einer Ausführungsform sind die
Halbleiterbauteile auf einer Montageplattform, insbesondere auf einer gemeinsamen und einstückigen Montageplattform, angebracht. Die Halbleiterbauteile sind dabei derart auf der Montageplattform angeordnet, sodass alle aktiven Zonen aller Halbleiterbauteile oder von zumindest mehreren der
Halbleiterbauteile auf den Rasterpunkten des regelmäßigen Rasters liegen, mit einer Toleranz von höchstens 20 % oder 10 % oder 5 % des Rastermaßes. Als Position der jeweiligen aktiven Zonen wird hierbei bevorzugt der geometrische
Mittelpunkt der Strahlungshauptseite herangezogen. Das Raster erstreckt sich dabei gleichbleibend über alle oder über zumindest mehrere der Halbleiterbauteile. Es ist dabei nicht zwingend erforderlich, dass die Montageplattform eben
ausgeformt ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind mehrere oder alle der Halbleiterbauteile über mindestens eine gemeinsame
Datenleitung miteinander verbunden. Insbesondere sind mehrere der Halbleiterbauteile über genau eine gemeinsame
Datenleitung miteinander verbunden. Der Begriff gemeinsame
Datenleitung schließt nicht aus, dass die Datenleitung durch einzelne der Halbleiterbauteile oder durch alle der
Halbleiterbauteile hindurchgeschleift wird. Es muss sich bei der Datenleitung also nicht um eine einzige, in
physikalischem Sinne zusammenhängende Datenleitung oder
Leiterbahn handeln. Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind über die
Ansteuereinheit einzelne der aktiven Zonen oder Gruppe von aktiven Zonen des Scheinwerfers unabhängig voneinander ansteuerbar. Dies gilt bevorzugt auch innerhalb der
jeweiligen Halbleiterbauteile. Hierdurch ist ein
Beleuchtungsbereich, in dem hinein der Scheinwerfer Strahlung abstrahlt, elektronisch gezielt einstellbar und veränderbar.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind mehrere der
Halbleiterbauteile oder alle der Halbleiterbauteile über eine gemeinsame Spannungsleitung und/oder über eine gemeinsame
Masseleitung miteinander verbunden. Es ist insbesondere nicht erforderlich, dass für jedes der Halbleiterbauteile eine eigene Spannungsleitung vorhanden ist. Nachfolgend werden ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauteil sowie ein hier beschriebener Scheinwerfer unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von
Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
Es zeigen:
Figuren 1 und 3 schematische Darstellungen von
Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteilen, Figuren 2, 4 und 5 schematische Darstellung von
Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen adaptiven Scheinwerfern, und
Figur 6 eine Abwandlung einer Anordnung von
Halbleiterchips .
In Figur 1A ist eine schematische Draufsicht und in Figur 1B eine schematische Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen
Halbleiterbauteils 1 gezeigt.
Das Halbleiterbauteil 1 weist einen Träger 2 auf. An einer Trägerunterseite 24 sind mehrere elektrische Kontaktstellen 4 angebracht. An einer der Trägerunterseite 24
gegenüberliegenden Trägeroberseite 23 sind mehrere
optoelektronische Halbleiterchips 3 mit je genau einer aktiven Zone 33 zur Erzeugung von sichtbarem Licht
angeordnet. Elektrische Durchkontaktierungen sowie eine elektrische Schaltung zwischen den Kontaktstellen 4 und den Halbleiterchips 3 sind zur Vereinfachung der Darstellung nicht gezeichnet. Die Halbleiterchips 3 sind in einer 2 x 2-Matrix angeordnet. Zu einer Adressierung des Halbleiterbauteils 1 sowie zu einer gezielten Ansteuerung von einzelnen der Halbleiterchips 3 ist in dem Träger 2 monolithisch eine Ansteuereinheit 5
integriert. Bei der Ansteuereinheit 5 handelt es sich
insbesondere um einen MikroController. Hierzu ist der Träger 2 zum Beispiel ein Siliziumträger. Die Ansteuereinheit 5 umfasst dann bevorzugt ein Register, mehrere Transistoren und Schalter. Die Ansteuereinheit 5 ist in Siliziumtechnologie hergestellt sein.
In Draufsicht gesehen weisen Strahlungshauptseiten 30 der Halbleiterchips 3 jeweils einen geometrischen Mittelpunkt P auf. Die Mittelpunkte P befinden sich an Rasterpunkten eines Rasters. Das Raster ist durch Strich-Punkt-Linien
symbolisiert. Ein Rastermaß M, entsprechend einem kürzesten Abstand zwischen benachbarten Rasterpunkten, entspricht dabei maximal dem Doppelten eines Abstands D der geometrischen
Mittelpunkten P von einer jeweils nächstgelegenen Kante des Trägers 2, in Draufsicht gesehen. Somit ist ein Abstand zwischen benachbarten Halbleiterchips 3 innerhalb des
Halbleiterbauteils 1, in Draufsicht gesehen, deutlich größer als ein Abstand der randständigen Halbleiterchips 3 zu der Kante hin.
Hierdurch ist es möglich, eine größere Anordnung aus mehreren Halbleiterbauteilen aufzubauen, in dem das Raster über alle Halbleiterbauteile 1 hinweg konstant bleibt, siehe die
Draufsicht auf einen adaptiven Scheinwerfer 10 in Figur 2. Da mehrere der Halbleiterchips 3 zu einem gemeinsamen
Halbleiterbauteil 1 zusammengefasst sind, können ferner die elektrischen Kontaktflächen 4 des Halbleiterbauteils 1 größer ausgeformt werden als dies bei einzelnen Halbleiterchips 1 der Fall wäre.
Auch bei mehreren der Halbleiterchips 3 in dem
Halbleiterbauteil 1 auch ohne die Ansteuereinheit 5 kann sich hierdurch eine verringerte Anzahl an Kontaktstellen 4
ergeben, da anstatt 2i-Kontakte nur noch i+l-Kontakte für die i Halbleiterchips 3 in dem Halbleiterbauteil 1 erforderlich sind. Das hinsichtlich hier bezüglich des Halbleiterbauteils 1 Beschriebene kann daher entsprechend auf Abwandlungen ohne eine Ansteuereinheit übertragen werden, insbesondere
bezüglich der Anordnung der Halbleiterchips 3 und/oder der aktiven Zonen 33.
Optional, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen, sind die Halbleiterchips 3 und/oder die aktiven Zonen 33 sowie die Konversionselemente 6 gemäß Figur 1 in Richtung parallel zur Trägeroberseite 23 mit einem Reflektorverguss 7 umgeben. Bei dem Reflektorverguss 7 handelt es sich
beispielsweise um ein Silikon, dem reflektierende Partikel zum Beispiel aus Titandioxid beigegeben sind. Der
reflektierende Verguss 7 kann in Richtung parallel zur
Trägeroberseite 23 bündig mit dem Träger 2 abschließen. In Richtung weg von dem Träger 2 schließen die
Konversionselemente 6 und der Reflektorverguss 7 bevorzugt ebenso bündig miteinander ab. Bonddrähte zum Kontaktieren der Halbleiterchips 3 und/oder der aktiven Zonen 33 können vollständig in dem Reflektorverguss 7 eingebettet sein.
Alternativ zu der Gehäusebauform der Figur 1 kann auch ein auf einer Keramik basierendes Gehäuse verwendet werden.
Ebenso könnten Gehäuse mit einem Leiterrahmen, englisch
Leadframe, eingesetzt werden, beispielsweise vom Typ „Tape + Reel" oder kurz ABF oder Advanced Patterning Film oder auch vom Typ folienbasierte Leiterrahmen, etwa basierend auf Kupferfolien, insbesondere QFN-Gehäusebauformen . Weiterhin können gespritzte Gehäuseformen insbesondere mit einer galvanisch erzeugten Metallisierung herangezogen werden, speziell in Form von CiF-Bauformen oder Chip-in-Frame-
Bauformen. Diese alternativen Gehäuseformen können auch in allen anderen Ausführungsbeispielen herangezogen werden. In der Draufsicht gemäß Figur 3A und in der Unteransicht gemäß Figur 3B ist ein weiteres Ausführungsbeispiel des
Halbleiterbauteils 1 zu sehen. Die Halbleiterchips 3 sind dabei in einer 2 x 3-Matrix angeordnet. Die somit sechs
Halbleiterchips 3 weisen eine gemeinsame Kontaktstelle für einen Massekontakt GND sowie eine gemeinsame Kontaktstelle für eine Spannungsleitung VCC auf. Ferner sind zwei
Kontaktstellen 4 für eine Datenleitung 8 vorgesehen,
aufgeteilt in eine Kontaktstelle Din für einen Dateneingang und in eine Kontaktstelle Dout für einen Datenausgang.
Abweichend von der Darstellung gemäß Figur 3B können die Kontaktstellen 4 auch anders positioniert sein, sodass sich zum Beispiel die Kontaktstellen Din und Dout nicht zwischen den Kontaktstellen GND und VCC befinden.
Eine entsprechende Anordnung in einem Scheinwerfer 10 mit mehreren der Halbleiterbauteile 1, insbesondere wie in Figur 3 gezeigt, ist in einer schematischen Unteransicht in Figur 4 illustriert .
Benachbarte Kontaktstellen für den Dateneingang Din und den Datenausgang Dout von benachbarten Halbleiterbauteilen 1 liegen dabei immer auf gleichem Potential. Hierdurch kann ein Abstand zwischen benachbarten Halbleiterbauteilen 1 reduziert werden, da keine potentialbedingten Abstände auf der
Montageplattform 11 eingehalten werden müssen. Die
Spannungsleitung VCC sowie die Masseleitung GND können auch anders über mehrere der Halbleiterbauteile 1 zusammengefasst werden, abweichend von der Darstellung gemäß Figur 4.
Eine Bearbeitung des Datensatzes, mit dem die einzelnen
Halbleiterbauteile 1 angesteuert werden, hierarchische
Verschaltungsebenen sowie Leiterbahnen an der Montageplattform 11 sind zur Vereinfachung jeweils nicht illustriert. Optional können in den AnSteuereinheiten 5, in Figur 4 nicht gezeigt, auch weitere Informationen oder
Ansteuerdaten verarbeitet oder aufgenommen werden,
beispielsweise eine lebensdauerabhängige Korrektur der
Betriebsspannung oder eine temperaturabhängige Sicherung. Auch eine Detektion von Kurzschlüssen kann an der
Montageplattform 11 oder in den einzelnen Halbleiterbauteilen 1 implementiert sein.
Wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen ist es möglich, dass es sich bei der Datenleitung 8 um einen
Datenbus mit einer oder mit mehreren Leitungen handelt. Eine Anzahl der Kontaktflächen 4 kann entsprechend an die Zahl der Leitungen des Datenbuses angepasst werden. Zum Beispiel weist der Datenbus eine Leitung für die Eingangsdaten, eine Leitung für die Ausgangsdaten und eine Leitung für ein Zeitsignal, englisch Clock, auf. Ebenso kann das Zeitsignal mit einer Leitung für die Ausgangsdaten und/oder mit eine Leitung für die Eingangsdaten transportiert werden. Weiterhin können das Zeitsignal, die Eingangsdaten und die optionalen
Ausgangsdaten mit nur einer einzigen Leitung transportiert werden . Schaltungsaufbauten für die Ansteuereinheit 5 und Konzepte für die Ansteuerung der Halbleiterbauteile 1 sind
beispielsweise der Druckschrift DE 10 2012 111 247 AI zu entnehmen. Der Offenbarungsgehalt dieser Druckschrift wird durch Rückbezug mit aufgenommen.
In Figur 5 sind weitere Ausführungsbeispiele des
Scheinwerfers 10 dargestellt. Gemäß der Schnittdarstellung in Figur 5A weisen die Halbleiterbauteile 1 je einen Träger 2 auf, der mit Durchkontaktierungen versehen ist. Zum Beispiel ist eine p-seitige Kontaktierung mit der Spannungsleitung VCC verbunden und eine n-seitige Kontaktierung mit der
Masseleitung GND.
Zwischen den aktiven Zonen 33 und dem Träger 2 befindet sich jeweils die Ansteuereinheit 5. Die Ansteuereinheit 5 ist aus einer oder aus mehreren Schichten rekristallisiertem Silizium gebildet. Das Silizium wird dabei beispielsweise mittels Gasphasenabscheidung amorph erzeugt und durch Abrastern etwa mittels eines intensiven Laserstrahls wird die
Rekristallisation herbeigeführt. Eine solche Siliziumschicht kann eine erhöhte Ladungsträgermobilität, insbesondere zwischen 400 cm^/Vs und 500 cm^/Vs, aufweisen. Ferner kann eine solche Siliziumschicht bei vergleichsweise moderaten
Temperaturen unterhalb von 400 °C abgeschieden werden. Damit ist es möglich, dass erst nach der Erzeugung der Strukturen für die aktiven Zonen 33 die Ansteuereinheit 5 erzeugt werden kann. Anders als dargestellt ist es auch möglich, dass eine elektrische Kontaktierung der aktiven Zonen 33 wenigstens zum Teil über Leiterbahnen und über elektrische Kontaktstellen an der Strahlungshauptseite 30 erfolgt.
Gemäß der Schnittdarstellung in Figur 5B ist zwischen
benachbarten aktiven Zonen 33 jeweils eine Isolierung 9 angebracht. Die Isolierung 9 ist bevorzugt sowohl eine elektrische Isolierung als auch eine optische Isolierung. Anders als dargestellt kann eine solche Isolierung 9 auch an äußeren Seitenflächen der aktiven Zonen 33 zu einer lateralen Begrenzung der jeweiligen Halbleiterbauteile 1 dienen. Die
Ansteuereinheit 5 ist an einer einem Aufwachssubstrat 32 der aktiven Zonen 33 abgewandten Seite der aktiven Zonen 33 gebildet, beispielsweise durch eine rekristallisierte Siliziumschicht, wie in Verbindung mit Figur 5A erläutert. Durch die Isolierung 9 ist eine Planarisierung zwischen den aktiven Zonen 33 hin zu der Ansteuereinheit 5 erzielbar. Eine Trägerfunktion ist gemäß Figur 5B beispielsweise aus der Kombination der Ansteuereinheit 5 zusammen mit dem
gemeinsamen Aufwachssubstrat 32 gegeben. Optional ist es aber ebenso möglich, dass das Aufwachssubstrat 32 vollständig von den aktiven Zonen 33 entfernt ist, wie auch in allen
Ausführungsbeispielen.
Solche aktive Zonen 33 in Verbindung mit einer solchen
Ansteuereinheit 5 können beispielsweise aufgebaut und
hergestellt sein, wie in Verbindung mit den Druckschriften DE 10 2012 109 460 AI oder DE 10 2012 112 302 AI angegeben. Der Offenbarungsgehalt dieser Druckschriften hinsichtlich des Anbringens der aktiven Zonen 33 an die Ansteuereinheit 5 wird durch Rückbezug mit aufgenommen. In einer schematischen Draufsicht auf den Scheinwerfer 10 ist die elektrische Verschaltung der optoelektronischen
Halbleiterbauteile 1 skizziert, siehe Figur 5C. Anders als dargestellt ist es auch möglich, dass alle Halbleiterbauteile 1 je auf einer einzigen, zusammenhängenden Leitung für die Spannung VCC, für die Masse GND sowie für das Datensignal 8 aufgebracht sind.
In Figur 6 ist eine Abwandlung gezeigt. Für jeden der
Halbleiterchips 3 ist eine eigene Spannungsleitung VCC vorhanden. Bei einer solchen Anordnung ist somit ein erhöhter Schaltungsaufwand erforderlich, im Vergleich etwa zu Figur 4. Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die
Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt.
Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist . Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2013 114 691.0, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Bezugs zeichenliste
10 Scheinwerfer
11 Montageplattform
1 optoelektronisches Halbleiterbauteil
2 Träger
23 Trägeroberseite
24 Trägerunterseite
3 optoelektronischer Halbleiterchip
30 Strahlungshauptseite
32 Aufwachssubstrat
33 aktive Zone
4 elektrische Kontaktstelle
5 Ansteuereinheit
6 Konversionselement
7 Reflektorverguss
8 Datenleitung
9 Isolierung D Abstand Mittelpunkte der Halbleiterchips - Trägerkante
M Rastermaß
P geometrischer Mittelpunkt der Strahlungshauptseite
GND Masseleitung
VCC Spannungsleitung

Claims

Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit
- einem Träger (2) mit einer Trägeroberseite (23) und mit einer Trägerunterseite (24),
- mehreren aktive Zonen (33) , die an der
Trägeroberseite (23) angebracht sind und die zur
Emission von Strahlung eingerichtet sind,
- mindestens drei elektrischen Kontaktstellen (4) an der Trägerunterseite (24), die zumindest zu einem elektrischen Anschließen des Halbleiterbauteils (1) eingerichtet sind, und
- mindestens einer Ansteuereinheit (5) zum elektrischen Adressieren des Halbleiterbauteils (1) und zu einem elektrischen Ansteuern der aktiven Zonen (33) ,
wobei
- die aktiven Zonen (33) in einem regelmäßigen Raster an der Trägeroberseite (23) angebracht sind, in
Draufsicht gesehen,
- das Raster ein Rastermaß (M) aufweist,
- geometrische Mittelpunkte (P) von
Strahlungshauptseiten (30) der aktiven Zonen (33) auf Rasterpunkten des Rasters liegen, in Draufsicht gesehen und mit einer Toleranz von höchsten 20 % des
Rastermaßes (M) , und
- ein Abstand (D) der geometrischen Mittelpunkte (P) von randständigen aktiven Zonen (33) zu einer
nächstgelegenen Kante des Trägers (2) höchstens 50 % des Rastermaßes (M) beträgt.
2. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach dem
vorhergehenden Anspruch,
das oberflächenmontierbar ist, wobei - jede der aktiven Zonen (33) durch genau einen
optoelektronischen Halbleiterchip (3) gebildet ist,
- die optoelektronischen Halbleiterchips (3) , in
Draufsicht gesehen, gemäß dem Raster angeordnet sind,
- das Raster eine rechtwinklige n x m-Matrix ist und ein Rastermaß (M) aufweist,
- n und m natürliche Zahlen zwischen einschließlich 2 und 12 sind,
- die aktiven Zonen (33), in Draufsicht gesehen, je genau einen geometrischen Mittelpunkt (P) aufweisen, und
- alle geometrischen Mittelpunkte (P) mit einer
Toleranz von höchsten 5 % des Rastermaßes (M) auf den Rasterpunkten des Rasters liegen.
Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
bei dem den aktive Zonen (33) , in Richtung weg von dem Träger (2), jeweils ein Konversionselement (6) zur teilweisen Strahlungsumwandlung nachgeordnet ist, wobei die Konversionselemente (6) die
Strahlungshauptseiten (30) je vollständig bedecken, in Draufsicht gesehen, und
wobei die Konversionselemente (6), in Draufsicht gesehen, je ringsum von einem Reflektorverguss (7) umgeben sind.
Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
bei dem ein mittlerer Abstand zwischen benachbarten aktive Zonen (33) und/oder Halbleiterchips (3)
höchstens 50 % des Rastermaßes (M) beträgt. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
bei dem der Träger (2) ein Siliziumträger oder ein Germaniumträger ist, in dem die Ansteuereinheit (5) monolithisch integriert ist,
wobei die Ansteuereinheit (5) eine Mehrzahl von
Transistoren, basierend auf Silizium oder Germanium, umfasst .
Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
bei dem an der Trägeroberseite (23) eine Schicht aus rekristallisiertem Silizium angebracht ist, die die Ansteuereinheit (5) bildet und die sich zwischen dem Träger (2) und der aktiven Zone (33) befindet.
Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
bei dem die Ansteuereinheit (5) ein serielles
Schieberegister mit einem Dateneingang und mit einer Mehrzahl an Signalausgängen umfasst,
wobei die Signalausgänge elektrisch leitend mit
Schaltern verbunden sind und jeder der Schalter
elektrisch parallel zu einer der aktive Zonen (33) geschaltet ist.
Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
das an der Trägerunterseite (24) genau eine elektrische Kontaktfläche für eine Spannungsleitung (VCC) , genau eine elektrische Kontaktfläche für eine Masseleitung (GND) und eine oder zwei Kontaktflächen für eine
Datenleitung (8) aufweist.
9. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
bei dem alle aktiven Zonen (33) und/oder
Halbleiterchips (3) im Betrieb Licht derselben Farbe abstrahlen,
wobei die Farbe festgelegt und nicht einstellbar ist.
10. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
bei dem mehrere der aktiven Zonen (33) über ein
gemeinsames Aufwachssubstrat (32) verfügen,
wobei zwischen benachbarten aktiven Zonen (33) ein Halbleitermaterial, aus dem die aktiven Zonen (33) aufgebaut sind, vollständig oder teilweise entfernt ist .
11. Adaptiver Scheinwerfer (10) für ein Kraftfahrzeug mit
- einer Montageplattform (11), und
- mehreren Halbleiterbauteilen (1) nach zumindest einem der vorherigen Ansprüche,
wobei
- die Halbleiterbauteile (1) derart auf der
Montageplattform (11) angeordnet sind, sodass alle aktive Zonen (33) der Halbleiterbauteile (1), mit einer Toleranz von höchstens 20 % des Rastermaßes (M) , auf den Rasterpunkten des regelmäßigen Rasters liegen, und
- sich das Raster gleichbleibend über alle
Halbleiterbauteile (1) erstreckt.
12. Adaptiver Scheinwerfer (10) nach dem vorhergehenden
Anspruch,
bei dem mehrere oder alle der Halbleiterbauteile (1) über mindestens eine gemeinsame Datenleitung (8) miteinander verbunden sind, wobei
- über die Ansteuereinheit (5) einzelne der aktiven Zonen (33) oder Gruppen von aktiven Zonen (33) des Scheinwerfers (10) unabhängig voneinander ansteuerbar sind,
- diese Halbleiterbauteile (1) über eine gemeinsame Spannungsleitung (VCC) und über eine gemeinsame
Masseleitung (GND) verfügen,
- geometrische Mittelpunkte (P) von
Strahlungshauptseiten (30) der aktiven Zonen (33) innerhalb der Halbleiterbauteile (1) je auf
Rasterpunkten des Rasters liegen, in Draufsicht gesehen und mit einer Toleranz von höchsten 20 % des
Rastermaßes (M) ,
- ein Abstand (D) der geometrischen Mittelpunkte (P) von randständigen aktiven Zonen (33) zu einer
nächstgelegenen Kante des Trägers (2) höchstens 50 % des Rastermaßes (M) beträgt,
- die Halbleiterbauteile (1) derart auf der
Montageplattform (11) angeordnet sind, sodass alle aktive Zonen (33) der Halbleiterbauteile (1), mit einer Toleranz von höchstens 20 % des Rastermaßes (M) , auf den Rasterpunkten des regelmäßigen Rasters liegen, und
- sich das Raster gleichbleibend über alle
Halbleiterbauteile (1) erstreckt.
PCT/EP2014/076602 2013-12-20 2014-12-04 Optoelektronisches halbleiterbauteil und adaptiver scheinwerfer für ein kraftfahrzeug Ceased WO2015091005A1 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE112014005960.9T DE112014005960B4 (de) 2013-12-20 2014-12-04 Adaptiver Scheinwerfer für ein Kraftfahrzeug mit optoelektronischen Halbleiterbauteilen
US15/032,502 US9964270B2 (en) 2013-12-20 2014-12-04 Optoelectronic semiconductor component and adaptive headlight for a motor vehicle
CN201480069853.9A CN105830215B (zh) 2013-12-20 2014-12-04 光电子的半导体组件和用于机动车辆的自适应前照灯
KR1020167015333A KR102193174B1 (ko) 2013-12-20 2014-12-04 광전자 반도체 컴포넌트 및 자동차용 어댑티브 헤드라이트
JP2016541476A JP6370387B2 (ja) 2013-12-20 2014-12-04 オプトエレクトロニクス半導体部品と、自動車用のアダプティブヘッドライト

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013114691.0A DE102013114691A1 (de) 2013-12-20 2013-12-20 Optoelektronisches Halbleiterbauteil und adaptiver Scheinwerfer für ein Kraftfahrzeug
DE102013114691.0 2013-12-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015091005A1 true WO2015091005A1 (de) 2015-06-25

Family

ID=52014086

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2014/076602 Ceased WO2015091005A1 (de) 2013-12-20 2014-12-04 Optoelektronisches halbleiterbauteil und adaptiver scheinwerfer für ein kraftfahrzeug

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9964270B2 (de)
JP (1) JP6370387B2 (de)
KR (1) KR102193174B1 (de)
CN (1) CN105830215B (de)
DE (2) DE102013114691A1 (de)
WO (1) WO2015091005A1 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017072294A1 (de) * 2015-10-28 2017-05-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
EP3174095A1 (de) * 2015-11-24 2017-05-31 Stanley Electric Co., Ltd. Lichtemittierende vorrichtung
US9964270B2 (en) 2013-12-20 2018-05-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component and adaptive headlight for a motor vehicle
DE102021108514B4 (de) 2020-05-26 2025-03-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung und Lichtquellenmodul, das diese enthält

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016105777A1 (de) * 2016-03-30 2017-10-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement
JP6812695B2 (ja) * 2016-08-08 2021-01-13 市光工業株式会社 車両用灯具
FR3065116B1 (fr) 2017-04-05 2021-08-27 Commissariat Energie Atomique Dispositif d'affichage d'images emissif a led
FR3065117B1 (fr) * 2017-04-05 2019-07-05 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif d'affichage d'images emissif a led
FR3066320B1 (fr) * 2017-05-11 2019-07-12 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication d'un dispositif d'affichage emissif a led
DE102017126044A1 (de) * 2017-11-08 2019-05-09 HELLA GmbH & Co. KGaA Schaltungsanordnung einer Leuchteinheit eines Scheinwerfers für ein Fahrzeug
DE102017127123B9 (de) * 2017-11-17 2022-05-25 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
US10674582B1 (en) 2018-11-15 2020-06-02 Abl Ip Holding Llc Adaptive surface illumination
FR3104819A1 (fr) * 2019-12-12 2021-06-18 Valeo Vision Source lumineuse a elements semiconducteurs electroluminescents
FR3119664B1 (fr) * 2021-02-09 2023-01-20 Valeo Vision Source lumineuse pour la signalisation d’un véhicule automobile

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005009060A1 (de) * 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Modul mit strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern
US20110254034A1 (en) * 2008-07-07 2011-10-20 Glo Ab Nanostructured led
DE102011056888A1 (de) * 2011-12-22 2013-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
DE102012101160A1 (de) * 2012-02-14 2013-08-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquellenmodul

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4013507B2 (ja) 2001-09-17 2007-11-28 シーシーエス株式会社 発光パネル装置
JP3928413B2 (ja) 2001-11-15 2007-06-13 ソニー株式会社 画像表示装置の駆動方法及び画像表示装置
JP5010108B2 (ja) 2005-03-25 2012-08-29 株式会社沖データ 半導体複合装置、プリントヘッド、及びそれを用いた画像形成装置
JP4753419B2 (ja) 2005-08-05 2011-08-24 パナソニック株式会社 発光モジュール
JP2007165791A (ja) 2005-12-16 2007-06-28 Nippon Leiz Co Ltd 光源装置
JP4905069B2 (ja) 2006-11-09 2012-03-28 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
US9024340B2 (en) * 2007-11-29 2015-05-05 Nichia Corporation Light emitting apparatus and method for producing the same
JP2010010476A (ja) 2008-06-27 2010-01-14 Omron Corp 発光ダイオード駆動装置および方法、並びにプログラム
WO2010089409A1 (en) 2009-02-09 2010-08-12 United Luminous International (Holdings) Limited Light emitting diode light arrays on mesh platforms
DE102009041189A1 (de) * 2009-09-14 2011-03-24 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Fahrzeugscheinwerfer
US8344659B2 (en) 2009-11-06 2013-01-01 Neofocal Systems, Inc. System and method for lighting power and control system
EP2386792B1 (de) * 2010-05-12 2013-09-11 Zizala Lichtsysteme GmbH LED-Lichtmodul
DE102010029149B4 (de) 2010-05-20 2012-04-05 Robert Bosch Gmbh Verfahren und Steuergerät zum Plausibilisieren eines Leuchtweite-Testwerts eines Lichtkegels eines Fahrzeugscheinwerfers
TWI478319B (zh) * 2010-07-20 2015-03-21 晶元光電股份有限公司 整合式發光裝置及其製造方法
JP2012114184A (ja) * 2010-11-24 2012-06-14 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード
DE102011102032A1 (de) * 2011-05-19 2012-11-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleitermodul und Display mit einer Mehrzahl derartiger Module
US8773006B2 (en) 2011-08-22 2014-07-08 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package, light source module, and lighting system including the same
JP2013171942A (ja) 2012-02-20 2013-09-02 Oki Data Corp 発光装置、ｌｅｄ装置、及び表示装置
JP6052952B2 (ja) 2012-03-22 2016-12-27 株式会社小糸製作所 発光モジュールおよび車両用灯具
WO2014045147A1 (en) 2012-09-20 2014-03-27 Koninklijke Philips N.V. Optical device, lens, lighting device, system and method
DE102012109460B4 (de) 2012-10-04 2024-03-07 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Displays und Leuchtdioden-Display
DE102012111247A1 (de) 2012-11-21 2014-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102012112302B4 (de) 2012-12-14 2026-03-26 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
US8944656B1 (en) * 2013-11-13 2015-02-03 E-Lead Electronic Co., Ltd. Vehicle infrared projection device
DE102013114691A1 (de) 2013-12-20 2015-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und adaptiver Scheinwerfer für ein Kraftfahrzeug

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005009060A1 (de) * 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Modul mit strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern
US20110254034A1 (en) * 2008-07-07 2011-10-20 Glo Ab Nanostructured led
DE102011056888A1 (de) * 2011-12-22 2013-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
DE102012101160A1 (de) * 2012-02-14 2013-08-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquellenmodul

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9964270B2 (en) 2013-12-20 2018-05-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component and adaptive headlight for a motor vehicle
WO2017072294A1 (de) * 2015-10-28 2017-05-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
CN108140641A (zh) * 2015-10-28 2018-06-08 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 光电子部件以及用于制造其的方法
US10923640B2 (en) 2015-10-28 2021-02-16 Osram Oled Gmbh Optoelectronic component and method of producing same
CN108140641B (zh) * 2015-10-28 2021-04-20 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 光电子部件以及用于制造其的方法
EP3174095A1 (de) * 2015-11-24 2017-05-31 Stanley Electric Co., Ltd. Lichtemittierende vorrichtung
JP2017098410A (ja) * 2015-11-24 2017-06-01 スタンレー電気株式会社 発光装置
DE102021108514B4 (de) 2020-05-26 2025-03-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung und Lichtquellenmodul, das diese enthält
US12402460B2 (en) 2020-05-26 2025-08-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device and light source module including the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP6370387B2 (ja) 2018-08-08
US20160258588A1 (en) 2016-09-08
CN105830215A (zh) 2016-08-03
KR102193174B1 (ko) 2020-12-18
CN105830215B (zh) 2018-10-12
JP2017502515A (ja) 2017-01-19
KR20160100947A (ko) 2016-08-24
US9964270B2 (en) 2018-05-08
DE112014005960B4 (de) 2020-01-02
DE102013114691A1 (de) 2015-06-25
DE112014005960A5 (de) 2016-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112014005960B4 (de) Adaptiver Scheinwerfer für ein Kraftfahrzeug mit optoelektronischen Halbleiterbauteilen
DE102017108050B4 (de) Halbleiterstrahlungsquelle
EP2130225B1 (de) Licht emittierendes modul
DE102004044149B4 (de) Hochleistungs-Leuchtdiodenvorrichtung
EP2258000B1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils
EP2283520B1 (de) Optoelektronisches modul
DE102011115314B4 (de) LED-Modul
WO2014122061A1 (de) Optoelektronisches leuchtmodul, optoelektronische leuchtvorrichtung und kfz-scheinwerfer
WO2010025694A2 (de) Optoelektronisches bauteil
EP2328778B1 (de) Scheinwerfer mit einer mehrzahl von lumineszenzdiodenemittern
EP2415077B1 (de) Optoelektronisches bauelement
EP2225785B1 (de) Chipanordnung, anschlussanordnung, led sowie verfahren zur herstellung einer chipanordnung
WO2015162023A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils
DE102018125281A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE112018002080B4 (de) Halbleiterlaser
DE102014117897B4 (de) Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Modulen und Anordnung mit einem solchen Modul
WO2025202477A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
WO2017178424A1 (de) Lichtemittierender halbleiterchip, lichtemittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines lichtemittierenden bauelements
EP2580946A2 (de) Leuchtdiodenanordnung und leuchtmittel insbesondere mit solch einer leuchtdiodenanordnung
EP2339900A2 (de) Lichtmodul für eine Beleuchtungseinrichtung eines Kraftfahrzeugs sowie Beleuchtungseinrichtung mit einem solchen Lichtmodul
WO2014048699A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils
DE102022112637A1 (de) Optoelektronisches modul
DE102018132691A1 (de) Leuchtvorrichtung
WO2015114103A1 (de) Oberflächenmontierbares multichip-bauelement

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14808972

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15032502

Country of ref document: US

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20167015333

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2016541476

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 112014005960

Country of ref document: DE

REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R225

Ref document number: 112014005960

Country of ref document: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 14808972

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1