WO2015167284A1 - 유기 태양 전지 및 이의 제조방법 - Google Patents

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이지영
이재철
장송림
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    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present specification relates to an organic solar cell and a method of manufacturing the same.
  • the main energy sources currently used are oil, coal and gas. This represents 80% of the total energy source used.
  • the current depletion of petroleum and coal energy is becoming a serious problem, and the increasing emissions of carbon dioxide and other greenhouse gases into the air are causing serious problems.
  • the use of renewable energy, pollution-free green energy is still only about 2% of the total energy source. Therefore, the worries for solving the problem of the energy source is accelerating the research on new and renewable energy development.
  • renewable energy such as wind, water and sun
  • solar energy the most attention is solar energy. Solar cells using solar energy are expected to be an energy source that can solve future energy problems due to low pollution, infinite resources and a semi-permanent lifetime.
  • Solar cells are devices that can directly convert solar energy into electrical energy by applying the photovoltaic effect.
  • Solar cells can be divided into inorganic solar cells and organic solar cells according to the material constituting the thin film.
  • Typical solar cells are made of p-n junctions by doping crystalline silicon (Si), an inorganic semiconductor. Electrons and holes generated by absorbing light diffuse to the p-n junction and are accelerated by the electric field to move to the electrode.
  • the power conversion efficiency of this process is defined as the ratio of the power given to the external circuits and the solar power entered into the solar cell, and is now up to 24% when measured under standardized virtual solar irradiation conditions.
  • the conventional inorganic solar cell has already shown a limit in the economic and material supply and demand, organic solar cells that are easy to process, inexpensive and have various functionalities are spotlighted as long-term alternative energy sources.
  • the organic solar cell has the advantage that the monomolecular organic material or the polymer material used is easy, fast and inexpensive.
  • a second electrode provided to face the first electrode
  • a photoactive layer provided between the first electrode and the second electrode
  • It includes a layer comprising a fullerene derivative provided in contact with the photoactive layer,
  • the fullerene derivative provides an organic solar cell having a crown substituent.
  • the present specification comprises the steps of preparing a substrate
  • It provides a method of manufacturing the above-described organic solar cell comprising the step of forming a second electrode on the organic material layer.
  • the organic solar cell according to the exemplary embodiment of the present specification may implement an increase in optical short circuit current density (Jsc) and an increase in efficiency.
  • the fill factor (FF) may be improved to achieve high efficiency.
  • the layer including the fullerene derivative according to one embodiment of the present specification may include an ionic group.
  • the light absorption through redistribution of the incident light increases, and due to the increase of the interfacial dipole, the barrier of charge is adjustable.
  • the organic solar cell of high efficiency can be expected by increasing the conductivity.
  • the organic solar cell according to the exemplary embodiment of the present specification may provide a uniform buffer layer while maintaining a thin thickness by simultaneously manufacturing a layer including a photoactive layer and a fullerene derivative.
  • the simple manufacturing process can shorten the production cost and / or increase the efficiency of the process.
  • the organic solar cell according to the exemplary embodiment of the present specification may have a wound structure, and in the case of a cylindrical shape, may efficiently absorb light in various directions to increase efficiency.
  • FIG. 1 and 2 illustrate an organic solar cell according to one embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram showing an MS spectrum of a fullerene derivative represented by Chemical Formula 2-2-1.
  • the first electrode A second electrode provided to face the first electrode; A photoactive layer provided between the first electrode and the second electrode; And a layer including a fullerene derivative provided in contact with the photoactive layer, wherein the fullerene derivative has a crown-type substituent.
  • the layer including the fullerene derivative includes a self-phase separation unit.
  • the autophase separation unit comprises a hydrophobic or hydrophilic substituent.
  • the autophase separation unit is a crown type substituent.
  • the photoactive layer includes a photoactive layer material including one or two or more materials selected from the group consisting of an electron acceptor material and an electron donor material, and the layer containing the fullerene derivative is It is formed by phase separation of a layer material comprising a photoactive layer material and a fullerene derivative.
  • the boundary of two layers formed by the phase separation may be a mixture of two layers of material.
  • a change in energy level occurs in a cascade form. Therefore, it may be advantageous for charge transport and charge collection.
  • the phase separation since the material of the layer containing the fullerene derivative is present on the surface of the photoactive layer, a change in surface energy may occur due to a vacuum level shift.
  • the content of the fullerene derivative having a crown-type substituent at the interface of the layer including the photoactive layer and the fullerene derivative formed by the phase separation is 1% to 15% by weight relative to the total content of the photoactive layer material. And preferably 3% to 7% by weight.
  • the thickness of the phase separated layer is an optimal thickness. Thickening or agglomeration in the photoactive layer is effective in trapping charges, and when less than 1% by weight, it is difficult to form a single layer due to phase separation, but there is a weak charge transport increase effect by doping.
  • Phase separation means that two or more materials are separated from each other to form a layer by affinity between two or more materials in a uniform mixing state of two or more materials.
  • the material containing the fullerene derivative may be separated by increasing the amount of hydrophilic crown-type substituents to increase hydrophilicity, or may be separated by introducing hydrophobic substituents into the fullerene derivative to increase hydrophobicity.
  • the layer including the photoactive layer and the fullerene derivative is provided in contact with each other. What is provided in contact does not limit physical bonding or chemical bonding.
  • the layer including the photoactive layer and the fullerene derivative is formed in contact with each other by using self-phase separation of the layer including the photoactive layer and the fullerene derivative.
  • the layer including the fullerene derivative is provided on one surface close to the first electrode of the photoactive layer. In another embodiment, the layer containing the fullerene derivative is provided on one surface close to the second electrode of the photoactive layer.
  • the layer containing the fullerene derivative may be applied to a normal structure and may also be applied to an inverted structure.
  • the layer including the fullerene derivative serves as a buffer layer.
  • the layer containing the fullerene derivative may serve to facilitate electron transfer between the photoactive layer and the charge transport layer.
  • the layer containing the fullerene derivative may serve to facilitate the transfer of charge between the charge transport layer and the first electrode or the second electrode.
  • the thickness of the layer including the fullerene derivative formed by the phase separation is 1 nm to 30 nm. Preferably it is 3 nm-10 nm. Within this range, it helps to form the morphology of the photoactive layer, the mobility of the charge is increased, the open voltage and the charge collecting ability due to the formation of the dipole at the interface is improved, the current density can be increased. In addition, the fill factor can be improved by preventing recombination of charges.
  • the thickness of the layer including the fullerene derivative exceeds 30 nm, the current density decreases due to the decrease in charge mobility, and the fill factor decreases due to the increased recombination of the charges.
  • the layer including the fullerene derivative includes one or two or more fullerene derivatives selected from the group consisting of fullerene derivatives represented by the following Chemical Formulas 1 to 3.
  • Cn is C 60 to C 120 fullerene
  • n are each an integer of 0 to 3
  • x, y and z are each an integer from 1 to 10,
  • At least one of R1 and R2 is-(L) a- (Y),
  • a is an integer of 0 to 4,
  • L is a substituted or unsubstituted divalent ester group; A substituted or unsubstituted divalent thioester group; Substituted or unsubstituted divalent thioester group; Divalent ketone group; Divalent cation group; Divalent carbonyl group; Substituted or unsubstituted alkylene group; Substituted or unsubstituted alkenylene group; Substituted or unsubstituted arylene group; Or a divalent substituted or unsubstituted heterocyclic group,
  • Y is a crown substituent
  • Cy is a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic aromatic hydrocarbon ring; Or a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic hetero ring,
  • R1 and R2 and R are the same as or different from each other, and each hydrogen; Halogen group; Carboxylic acid groups; Nitro group; Nitrile group; Imide group; Amide group; Imine group; Thioimide; Anhydride group; Hydroxyl group; Substituted or unsubstituted ester group; Substituted or unsubstituted thioester group; Substituted or unsubstituted thioester group; Substituted or unsubstituted carbonyl group; Substituted or unsubstituted thio group; Substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; Substituted or unsubstituted alkoxy group; Substituted or unsubstituted arylalkyl group; Substituted or unsubstituted aryloxy group; Substituted or un unsub
  • r is an integer from 0 to 2
  • s is an integer from 0 to 30,
  • Formulas 1 to 3 are hydrogen; Halogen group; Carboxylic acid groups; Nitro group; Nitrile group; Imide group; Amide group; Imine group; Thioimide; Anhydride group; Hydroxyl group; Substituted or unsubstituted ester group; Substituted or unsubstituted thioester group; Substituted or unsubstituted thioester group; Substituted or unsubstituted carbonyl group; Substituted or unsubstituted thio group; Substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; Substituted or unsubstituted alkoxy group; Substituted or unsubstituted arylalkyl group; Substituted or unsubstituted aryloxy group; Substituted or unsubstituted alkylthioxy group; Substit
  • the crown substituent is 8 to 40 carbon atoms.
  • Y is represented by the following structure.
  • l is the number of repetitions of the structure in parentheses, an integer from 1 to 3,
  • X1 to X4 are the same as or different from each other, and each independently O, S or NR,
  • R and R3 to R18 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Halogen group; Carboxylic acid groups; Nitro group; Nitrile group; Imide group; Amide group; Imine group; Thioimide; Anhydride group; Hydroxyl group; Substituted or unsubstituted ester group; Substituted or unsubstituted thioester group; Substituted or unsubstituted thioester group; Substituted or unsubstituted carbonyl group; Substituted or unsubstituted thio group; Substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; Substituted or unsubstituted alkoxy group; Substituted or unsubstituted arylalkyl group; Substituted or unsubstituted aryloxy group; Substituted or unsub
  • R3 to R18 is bonded to a fullerene derivative through-(L) a-.
  • L is a substituted or unsubstituted divalent ester group; Substituted or unsubstituted alkylene group; Or a substituted or unsubstituted arylene group.
  • a is an integer of 2 or more, and the two or more Ls are the same as or different from each other, and each independently a divalent ester group; And substituted or unsubstituted alkylene groups.
  • P is an integer of 0-30.
  • p is 3.
  • the a is an integer of 2 or more, the two or more L are the same as or different from each other, and each independently a divalent ester group; And a substituted or unsubstituted arylene group.
  • the others other than-(L) a- (Y) of R1 and R2 are hydrogen; Or a substituted or unsubstituted ester group.
  • the remainder other than-(L) a- (Y) of R1 and R2 is hydrogen.
  • the remainder other than-(L) a- (Y) of R1 and R2 is a substituted or unsubstituted ester group.
  • the remainder other than-(L) a- (Y) of R1 and R2 is an ester group substituted with an alkyl group.
  • the remainder other than-(L) a- (Y) of R1 and R2 is an ester group substituted with a methyl group.
  • the remainder other than-(L) a- (Y) of R1 and R2 is a substituted or unsubstituted aryl group.
  • the remainder other than-(L) a- (Y) of R1 and R2 is a phenyl group.
  • X1 is O.
  • X2 is O.
  • X3 is O.
  • X4 is O.
  • At least one of the X1 to X4 is O.
  • Cy in Chemical Formula 3 is substituted or unsubstituted benzene; Substituted or unsubstituted naphthalene; Or a substituted or unsubstituted heterocycle.
  • Cy in Chemical Formula 3 is substituted or unsubstituted benzene, substituted or unsubstituted naphthalene or O, S and N, and is a substituted or unsubstituted heterocycle.
  • Cy in Chemical Formula 3 is benzene; naphthalene; Or heterocycle.
  • Cy in Chemical Formula 3 is benzene, naphthalene, or a heterocycle including at least one of O, S, and N.
  • Chemical Formula 3 may be represented by the following Chemical Formula 3a.
  • Cy1 and Cy2 are the same as or different from each other, and each substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic aromatic hydrocarbon ring; Or a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic hetero ring, the definition of R1, R2, n, z, Cn, r and s are as described in formula (3).
  • Chemical Formula 3 may be represented by the following Chemical Formula 3b.
  • r1 and r2 are integers of 0 to 4, and when the r1 and r2 are each 2 or more, the structures in parentheses are the same or different from each other.
  • Cy is a monocyclic or polycyclic heterocyclic ring containing at least one of O, S, and N, and substituted or unsubstituted.
  • Cy is a substituted or unsubstituted monocyclic heterocycle including at least one of O, S, and N.
  • Cy is substituted or unsubstituted thiophene, substituted or unsubstituted furan, substituted or unsubstituted pyrrole, or substituted or unsubstituted imidazole.
  • Cy is thiophene, furan, pyrrole or imidazole.
  • At least one of Cy1 and Cy2 is a monocyclic or polycyclic heterocyclic ring containing at least one of O, S and N, and the rest is substituted or It is an unsubstituted monocyclic or polycyclic aromatic hydrocarbon ring or a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic hetero ring.
  • At least one of Cy1 and Cy2 is a monocyclic or polycyclic heterocyclic ring containing at least one of O, S and N, and the rest is substituted or Unsubstituted benzene.
  • At least one of Cy1 and Cy2 is a substituted or unsubstituted monocyclic heterocyclic ring containing at least one of O, S and N, the remainder is substituted or unsubstituted Benzene.
  • At least one of Cy1 and Cy2 is substituted or unsubstituted thiophene, substituted or unsubstituted furan, substituted or unsubstituted pyrrole or substituted or unsubstituted Dozol, the remainder being substituted or unsubstituted benzene.
  • At least one of Cy1 and Cy2 is thiophene, furan, pyrrole or imidazole, the remainder is benzene.
  • the fullerene derivatives represented by Chemical Formulas 1 to 3 are represented by the following Chemical Formulas 1-1, 2-1, 2-2, and 3-1.
  • Cn is a fullerene derivative of C60.
  • l is one.
  • x is 1 to 10, 1 to 7, 1 to 5, 1 to 3, or 1.
  • y is 1 to 10, 1 to 7, 1 to 5, 1 to 3, or 1.
  • z is 1 to 10, 1 to 7, 1 to 5, 1 to 3, or 1.
  • the fullerene derivative represented by Chemical Formula 2-2 may be represented by the following Chemical Formula 2-2-1.
  • the method further includes an ionic group provided at the center of the crown substituent. That is, the ionic group is provided in the empty space in the center of the crown substituent, and chemically bonds.
  • the ionic group is provided in the empty space in the center of the crown substituent, and chemically bonds.
  • in the binding of ions not only a crown-type substituent single molecule but two or more molecules may form a three-dimensional structure to participate in the binding.
  • heat treatment or UV treatment may be used to crosslink the fullerene derivative having a plurality of crown substituents.
  • the crown substituent containing the ionic group can be represented as follows.
  • the number of repetitions of l that is, the size of the crown substituent may be adjusted to select the number and type of ions of the metal to be inserted.
  • the organic solar cell of high efficiency can be expected by increasing the conductivity.
  • the ionic group may be a cationic group or an anionic group.
  • the ionic group may include one molecule, and includes two or more molecules forming a three-dimensional structure to bind.
  • the ionic group is titanium (Ti), zirconium (Zr), strontium (Sr), zinc (Zn), indium (In), lanthanum (La), vanadium (V), mol Libdenum (Mo), Tungsten (W), Tin (Sn), Niobium (Nb), Magnesium (Mg), Calcium (Ca), Barium (Ba), Aluminum (Al), Yttrium (Y), Scandium (Sc Cation of a metal selected from the group consisting of (a), samarium (Sm) gallium (Ga), potassium (K), cobalt (Co), copper (Cu), silver (Ag), sodium (Na) and lead (Pb); Ammonium ions selected from the group consisting of NH 4 + and CH 3 NH 3 + ; Or N 3 -, CH 3 CO 2 -, CN -, Br -, Cl -, I -, F -, SCN -, ClO 4 -, NO
  • substituted means that a hydrogen atom bonded to a carbon atom of the compound is replaced with another substituent, and the position to be substituted is not limited to a position where the hydrogen atom is substituted, that is, a position where a substituent can be substituted, if two or more substituted , Two or more substituents may be the same or different from each other.
  • substituted or unsubstituted is deuterium; Halogen group; An alkyl group; Alkenyl groups; An alkoxy group; Ester group; Carbonyl group; Carboxyl groups; Hydroxyl group; Cycloalkyl group; Silyl groups; Aryl alkenyl group; Aryloxy group; Alkyl thioxy group; Alkyl sulfoxy groups; Aryl sulfoxy group; Boron group; Alkylamine group; Aralkyl amine groups; Arylamine group; Heteroaryl group; Carbazole groups; Arylamine group; Aryl group; Nitrile group; Nitro group; Hydroxyl group; And it is substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of a heterocyclic group, or substituted or unsubstituted two or more substituents of the substituents exemplified above.
  • a substituent to which two or more substituents are linked may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group or may be interpreted as a substituent to which two phenyl groups are linked.
  • adjacent means a substituent substituted on an atom directly connected to an atom to which the substituent is substituted, a substituent positioned closest to the substituent, or another substituent substituted on an atom to which the substituent is substituted.
  • two substituents substituted at the ortho position in the benzene ring and two substituents substituted at the same carbon in the aliphatic ring may be interpreted as "adjacent" to each other.
  • the halogen group may be fluorine, chlorine, bromine or iodine.
  • carbon number of an imide group is not specifically limited, It is preferable that it is C1-C25. Specifically, it may be a compound having a structure as follows, but is not limited thereto.
  • the thiimide group is one in which C ⁇ O of the imide group is substituted with C ⁇ S.
  • the anhydride group is one in which the N atom of the imide group is substituted with O.
  • the amide group may be substituted with one or two of the nitrogen of the amide group is hydrogen, a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 25 carbon atoms or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. Specifically, it may be a compound of the following structural formula, but is not limited thereto.
  • the amide group also includes a ring group such as lactam.
  • R ' is hydrogen; An alkoxy group having 1 to 60 carbon atoms; A substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 60 carbon atoms; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 60 carbon atoms; Substituted or unsubstituted arylalkyl group having 7 to 50 carbon atoms; Heteroarylalkyl group having 2 to 60 carbon atoms; Substituted or unsubstituted ester group having 1 to 40 carbon atoms; Substituted or unsubstituted carbonyl group having 1 to 40 carbon atoms; Substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 60 carbon atoms containing at least one of N, O and S atoms.
  • the ester group herein includes a ring group such as a lactone group.
  • the carbonyl group It may be represented as.
  • R ' is hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 60 carbon atoms; Substituted or unsubstituted arylalkyl group having 7 to 50 carbon atoms; Substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 60 carbon atoms.
  • the cation group of the present specification is a group in which the O atom of the carbonyl group is substituted with an S atom.
  • R 'and R are the same as or different from each other, and are hydrogen; a linear, branched or cyclic substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 25 carbon atoms; or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 25 carbon atoms.
  • the ether group It may be represented as.
  • R is a linear, branched or cyclic substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 25 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 25 carbon atoms.
  • Z1 to Z3 are the same as or different from each other, a linear, branched or cyclic substituted or unsubstituted alkyl group having 6 to 25 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 25 carbon atoms.
  • the alkyl group may be linear or branched chain, carbon number is not particularly limited, but is preferably 1 to 50.
  • Specific examples include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, pentyl, n-pentyl , Isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl, n -Heptyl, 1-methylhexyl, cyclopentylmethyl, cyclohexylmethyl, octyl, n-o
  • the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably 3 to 60 carbon atoms, specifically, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, cyclohexyl, 3-methylcyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 2,3-dimethylcyclohexyl, 3,4,5-trimethylcyclohexyl, 4-tert-butylcyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, and the like, but are not limited thereto. Do not.
  • the alkoxy group may be linear, branched or cyclic. Although carbon number of an alkoxy group is not specifically limited, It is preferable that it is C1-C20. Specifically, methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy, i-propyloxy, n-butoxy, isobutoxy, tert-butoxy, sec-butoxy, n-pentyloxy, neopentyloxy, Isopentyloxy, n-hexyloxy, 3,3-dimethylbutyloxy, 2-ethylbutyloxy, n-octyloxy, n-nonyloxy, n-decyloxy, benzyloxy, p-methylbenzyloxy and the like It may be, but is not limited thereto.
  • the arylalkyl group is not particularly limited in carbon number, but in one embodiment of the present specification, the arylalkyl group has 7 to 50 carbon atoms. Specifically, the aryl moiety has 6 to 49 carbon atoms, and the alkyl moiety has 1 to 44 carbon atoms.
  • benzyl group p-methylbenzyl group, m-methylbenzyl group, p-ethylbenzyl group, m-ethylbenzyl group, 3,5-dimethylbenzyl group, ⁇ -methylbenzyl group, ⁇ , ⁇ -dimethylbenzyl Group, ⁇ , ⁇ -methylphenylbenzyl group, 1-naphthylbenzyl group, 2-naphthylbenzyl group, p-fluorobenzyl group, 3,5-difluorobenzyl group, ⁇ , ⁇ -ditrifluoromethylbenzyl group , p-methoxybenzyl group, m-methoxybenzyl group, ⁇ -phenoxybenzyl group, ⁇ -benzyloxybenzyl group, naphthylmethyl group, naphthylethyl group, naphthylisopropyl group, pyrrolylmethyl group, pyrroleeth
  • the alkenyl group may be linear or branched chain, the carbon number is not particularly limited, but is preferably 2 to 40.
  • Specific examples include vinyl, 1-propenyl, isopropenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 1-pentenyl, 2-pentenyl, 3-pentenyl, 3-methyl-1- Butenyl, 1,3-butadienyl, allyl, 1-phenylvinyl-1-yl, 2-phenylvinyl-1-yl, 2,2-diphenylvinyl-1-yl, 2-phenyl-2- ( Naphthyl-1-yl) vinyl-1-yl, 2,2-bis (diphenyl-1-yl) vinyl-1-yl, stilbenyl group, styrenyl group and the like, but are not limited thereto.
  • the silyl group includes trimethylsilyl group, triethylsilyl group, t-butyldimethylsilyl group, vinyldimethylsilyl group, propyldimethylsilyl group, triphenylsilyl group, diphenylsilyl group, phenylsilyl group, and the like.
  • the present invention is not limited thereto.
  • the aryl group may be monocyclic, and the carbon number is not particularly limited, but is preferably 6 to 60 carbon atoms.
  • Specific examples of the aryl group include monocyclic aromatic and naphthyl groups such as phenyl group, biphenyl group, and terphenyl group, anthracenyl group, phenanthrenyl group, pyrenyl group, perylenyl group, tetrasenyl group, chrysenyl group, fluorenyl group, Polycyclic aromatics, such as an acenaphthasenyl group, a triphenylene group, and a fluoranthene group, etc., are mentioned, but it is not limited to these.
  • the fluorenyl group may be substituted, and adjacent substituents may be bonded to each other to form a ring.
  • the heterocyclic group or heteroaryl group includes one or more atoms other than carbon and heteroatoms, and specifically, the heteroatoms may include one or more atoms selected from the group consisting of O, N, and S, and the like. have.
  • carbon number of the said heterocyclic group is not specifically limited, It is preferable that it is C2-C60.
  • heterocyclic group examples include thiophene group, furan group, pyrrole group, imidazole group, thiazole group, oxazole group, oxadiazole group, triazole group, pyridyl group, bipyridyl group, triazine group, acridil group, pyridazine group , Quinolinyl group, isoquinoline group, indole group, carbazole group, benzoxazole group, benzoimidazole group, benzothiazole group, benzocarbazole group, benzothiophene group, dibenzothiophene group, benzofuranyl group, phenanthrroline group (phenanthroline) and dibenzofuranyl group, but are not limited thereto.
  • the heteroaryl in the heteroaryloxy group may be selected from the examples of the heteroaryl group described above.
  • the aryl group in the aryloxy group, arylthioxy group, aryl sulfoxy group and aralkylamine group is the same as the aryl group described above.
  • aryloxy group phenoxy, p-tolyloxy, m-tolyloxy, 3,5-dimethyl-phenoxy, 2,4,6-trimethylphenoxy, p-tert-butylphenoxy, 3-biphenyl Oxy, 4-biphenyloxy, 1-naphthyloxy, 2-naphthyloxy, 4-methyl-1-naphthyloxy, 5-methyl-2-naphthyloxy, 1-anthryloxy, 2-anthryl Oxy, 9-anthryloxy, 1-phenanthryloxy, 3-phenanthryloxy, 9-phenanthryloxy, and the like.
  • arylthioxy group examples include a phenylthioxy group, 2-methylphenylthioxy group, and 4-tert-butylphenyl.
  • Thioxy groups and the like, and aryl sulfoxy groups include, but are not limited to, benzene sulfoxy groups and p-toluene sulfoxy groups.
  • the alkyl group in the alkylthioxy group, the alkyl sulfoxy group, the alkylamine group and the aralkylamine group is the same as the example of the alkyl group described above.
  • the alkyl thioxy group includes a methyl thioxy group, an ethyl thioxy group, a tert-butyl thioxy group, a hexyl thioxy group, an octyl thioxy group
  • the alkyl sulfoxy group includes mesyl, ethyl sulfoxy, propyl sulfoxy and butyl sulfoxy groups. Etc., but is not limited thereto.
  • the amine group is not particularly limited, but is preferably 1 to 30.
  • Specific examples of the amine group include methylamine group, dimethylamine group, ethylamine group, diethylamine group, phenylamine group, naphthylamine group, biphenylamine group, anthracenylamine group, and 9-methyl-anthracenylamine group.
  • examples of the arylamine group include a substituted or unsubstituted monoarylamine group, a substituted or unsubstituted diarylamine group, or a substituted or unsubstituted triarylamine group.
  • the aryl group in the arylamine group may be a monocyclic aryl group, may be a polycyclic aryl group.
  • the arylamine group including two or more aryl groups may simultaneously include a monocyclic aryl group, a polycyclic aryl group, or a monocyclic aryl group and a polycyclic aryl group.
  • aryl amine group examples include phenylamine, naphthylamine, biphenylamine, anthracenylamine, 3-methyl-phenylamine, 4-methyl-naphthylamine, 2-methyl-biphenylamine, 9-methyl-anthra Cenylamine, diphenyl amine group, phenyl naphthyl amine group, ditolyl amine group, phenyl tolyl amine group, carbazole and triphenyl amine group and the like, but are not limited thereto.
  • heteroaryl group in the heteroarylamine group may be selected from the examples of the heterocyclic group described above.
  • the alkylene group, the alkenylene group, and the arylene group mean that the alkyl group, the alkenyl group, and the aryl group have two bonding positions, that is, a divalent group.
  • the description of the above-described alkyl group and aryl group can be applied except that it is a divalent group.
  • the adjacent groups are bonded to each other to form a hydrocarbon ring or hetero ring, wherein adjacent substituents form a bond to each other, and include one or more of 5- to 8-membered monocyclic or polycyclic hydrocarbon rings or heteroatoms. It means forming a 5- to 8-membered monocyclic or polycyclic hetero ring.
  • the hydrocarbon ring is a cycloalkyl group; Cycloalkenyl group; Aromatic ring groups; Or include all aliphatic ring groups, which may be monocyclic or polycyclic, and include all rings condensed by combining one or two or more.
  • the heterocycle formed herein means that at least one carbon atom of the hydrocarbon ring is substituted with a hetero atom, and may be an aliphatic ring or an aromatic ring, and may be monocyclic or polycyclic.
  • the first electrode is an anode
  • the second electrode is a normal structure, which is a cathode.
  • the normal structure may mean that an anode is formed on a substrate.
  • the first electrode formed on the substrate may be an anode.
  • FIG. 1 illustrates an example of an organic solar cell according to an exemplary embodiment of the present specification. Specifically, FIG. 1 illustrates an organic solar cell having a normal structure.
  • FIG. 1 shows ITO as an anode on a substrate and a PEDOT: PSS layer as a buffer layer on the anode.
  • P3HT: PCBM was used as the photoactive layer, and a layer including a fullerene derivative including a fullerene derivative substituted with a crown-type substituent was simultaneously formed, and a photoactive layer was formed using Al.
  • the fullerene derivative substituted with the crown-type substituent is mixed with the photoactive layer material to form a separate layer through self-phase separation.
  • the organic solar cell according to the exemplary embodiment of the present specification is not limited to the structure and the material of FIG. 1, and additional layers may be provided, and each layer may be configured using various materials.
  • the first electrode is a cathode
  • the second electrode is an inverted structure which is an anode
  • the inverted structure may mean that a cathode is formed on a substrate.
  • the first electrode formed on the substrate may be a cathode.
  • FIG. 2 illustrates an example of an organic solar cell according to an exemplary embodiment of the present specification. Specifically, FIG. 2 illustrates an organic solar cell having an inverted structure.
  • FIG. 2 is provided with ITO as a cathode on a substrate, and a buffer layer is formed using ZnO on the cathode.
  • P3HT: PCBM was used as the photoactive layer, and a layer including a fullerene derivative including a fullerene derivative substituted with a crown type substituent was simultaneously formed and a photoactive layer was formed, and MoO 3 / Al was formed as an anode.
  • the organic solar cell according to the exemplary embodiment of the present specification is not limited to the structure and the material of FIG. 2, and additional layers may be provided, and each layer may be configured using various materials.
  • the organic solar cell is one or more organic material layer selected from the group consisting of a hole injection layer, a hole transport layer, a hole blocking layer, a charge generating layer, an electron blocking layer, an electron injection layer and an electron transport layer. It includes more.
  • the organic solar cell has an inverted structure in which the first electrode is a cathode and the second electrode is an anode, and a cathode buffer layer is provided between the first electrode and the photoactive layer. An anode buffer layer is provided between the second electrode and the photoactive layer.
  • anode buffer layer and the cathode buffer layer may further include another organic material layer.
  • only one of the anode buffer layer and the cathode buffer layer may be included, and may not include the buffer layer.
  • the organic solar cell has a normal structure in which the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode, and between the first electrode and the photoactive layer.
  • An anode buffer layer is provided, and a cathode buffer layer is provided between the second electrode and the photoactive layer.
  • the cathode buffer layer may be an electron transport layer.
  • the anode buffer layer may be a hole transport layer.
  • the first electrode of the present specification may be a cathode electrode, and may be a transparent conductive oxide layer or a metal electrode.
  • the first electrode When the first electrode is a transparent electrode, the first electrode may be a conductive oxide such as tin indium oxide (ITO) or zinc indium oxide (IZO). Furthermore, the first electrode may be a translucent electrode. When the first electrode is a translucent electrode, it may be made of a translucent metal such as Ag, Au, Mg, Ca or an alloy thereof. When the translucent metal is used as the first electrode, the organic solar cell may have a microcavity structure.
  • the electrode of the present specification is a transparent conductive oxide layer
  • the electrode may be made of polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polypropylene (PP), polyimide (PI), PC (polycarbornate), PS ( conductive on flexible and transparent materials such as polystylene, POM (polyoxymethlene), AS resin (acrylonitrile styrene copolymer), ABS resin (acrylonitrile butadiene styrene copolymer) and plastics including TAC (Triacetyl cellulose), PAR (polyarylate), etc. Doped materials may be used.
  • ITO indium tin oxide
  • FTO fluorine doped tin oxide
  • AZO aluminum doped zinc oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • ZnO-Ga 2 O 3 ZnO-Al 2 O 3 and antimony tin oxide (ATO)
  • ATO antimony tin oxide
  • the second electrode may be an anode, and the second electrode may be a metal electrode.
  • the metal electrode includes silver (Ag), aluminum (Al), platinum (Pt), tungsten (W), copper (Cu), molybdenum (Mo), gold (Au), nickel (Ni), and palladium (Pd). It may include one or two or more selected from the group consisting of. More specifically, the metal electrode may be silver (Ag).
  • the forming of the first electrode and / or the second electrode may be performed by sequentially cleaning the patterned ITO substrate with a detergent, acetone, and isopropanol (IPA), and then removing the 100 from the heating plate to remove moisture.
  • IPA isopropanol
  • the surface of the substrate may be hydrophilic.
  • Pretreatment techniques for this are a) surface oxidation using parallel planar discharge, b) oxidation of the surface through ozone generated using UV ultraviolet light in a vacuum state, and c) oxygen radicals generated by plasma. To oxidize.
  • the bonding surface potential can be maintained at a level suitable for the surface potential of the hole injection layer, the formation of the polymer thin film on the ITO substrate can be facilitated, and the quality of the thin film can be improved.
  • One of the above methods is selected according to the state of the substrate. In any of these methods, the effective effect of pretreatment can be expected by preventing oxygen escape from the surface of the substrate and restraining the remaining of moisture and organic matter as much as possible.
  • the surface modification method of the patterned ITO substrate in this invention does not need to specifically limit, Any method may be used as long as it is a method of oxidizing a substrate.
  • the organic solar cell has an inverted structure.
  • the second electrode may be silver (Ag) or MoO 3 / Al.
  • the organic solar cell of the reverse structure of the present specification may mean that the anode and the cathode of the organic solar cell of the general structure is configured in the reverse direction.
  • Al layer used in the organic solar cell of the general structure is very vulnerable to oxidation reaction in the air, it is difficult to ink, there is a limitation in commercializing it through the printing process.
  • the reverse structure of the organic solar cell of the present specification can use Ag instead of Al, it is more stable to the oxidation reaction than the organic solar cell of the general structure, it is easy to manufacture the Ag ink is advantageous for commercialization through the printing process There is this.
  • the organic solar cell may have a normal structure.
  • the second electrode may be Al.
  • the charge transport layer includes one or two or more selected from the group consisting of conductive oxides, metal carbides, and metals.
  • the charge transport layer is titanium oxide; Zinc oxide; And cesium carbonate includes one or two or more selected from the group consisting of.
  • the charge transport layer means a layer for transporting “holes” or “electrons”, and may be an electron transport layer or a hole transport layer.
  • the conductive oxide of the electron transport layer may be electron-extracting metal oxides, specifically, titanium oxide (TiO x ); Zinc oxide (ZnO); And cesium carbonate (Cs 2 CO 3 ) It may include one or more selected from the group consisting of.
  • the metal may include a core shell including metal oxides such as silver nanoparticles (Ag nanoparticles), gold nanoparticles (Au nanoparticles), Ag-SiO 2 , Ag-TiO 2 , Au-TiO 2, and the like. core shell) material.
  • the core shell material includes a metal as a core, and includes metal oxides such as Ag-SiO 2 , Ag-TiO 2 , Au-TiO 2 , as shells.
  • the electron transport layer may be formed by being applied to one surface of the first electrode or coated in a film form using sputtering, E-Beam, thermal deposition, spin coating, screen printing, inkjet printing, doctor blade or gravure printing.
  • the photoactive layer includes an electron donor material and an electron acceptor material as a photoactive material.
  • the photoactive material may mean the electron donor material and the electron acceptor material.
  • the photoactive layer forms excitons in which the electron donor material pairs electrons and holes by photoexcitation, and the excitons are separated into electrons and holes at the interface of the electron donor / electron acceptor.
  • the separated electrons and holes move to the electron donor material and the electron acceptor material, respectively, and are collected by the first electrode and the second electrode, respectively, so that they can be used as electrical energy from the outside.
  • the photoactive layer may be a bulk heterojunction structure or a double layer junction structure.
  • the bulk heterojunction structure may be a bulk heterojunction (BHJ) junction type
  • the bilayer junction structure may be a bi-layer junction type.
  • the mass ratio of the electron donor material and the electron acceptor material may be 1:10 to 10: 1. Specifically, the mass ratio of the electron acceptor material and the electron donor material of the present specification may be 1: 0.5 to 1: 5.
  • the electron donor material is at least one electron donor; Or a polymer of at least one kind of electron acceptor and at least one kind of electron donor.
  • the electron donor may include at least one kind of electron donor.
  • the electron donor includes a polymer of at least one kind of electron acceptor and at least one kind of electron donor.
  • the electron donor material is thiophene-based, fluorene-based, carbazole-based, etc. starting with MEH-PPV (poly [2-methoxy-5- (2'-ethyl-hexyloxy) -1,4-phenylene vinylene]) It can be a variety of high molecular and monomolecular materials.
  • the monomolecular substance is copper (II) phthalocyanine, zinc phthalocyanine, tris [4- (5-dicynomethylidemethyl-2-thienyl) phenyl] Amine (tris [4- (5-dicyanomethylidenemethyl-2-thienyl) phenyl] amine), 2,4-bis [4- (N, N-dibenzylamino) -2,6-dihydroxyphenyl] squalane (2,4-bis [4- (N, N-dibenzylamino) -2,6-dihydroxyphenyl] squaraine), benz [b] anthracene, and pentacene It may include one or more materials.
  • the polymer material is poly 3-hexyl thiophene (P3HT: poly 3-hexyl thiophene), PCDTBT (poly [N-9'-heptadecanyl-2,7-carbazole-alt-5,5- (4'-) 7'-di-2-thienyl-2 ', 1', 3'-benzothiadiazole)]), PCPDTBT (poly [2,6- (4,4-bis- (2-ethylhexyl) -4H-cyclopenta [2, 1-b; 3,4-b '] dithiophene) -alt-4,7- (2,1,3-benzothiadiazole)]), PFO-DBT (poly [2,7- (9,9-dioctyl-fluorene) ) -alt-5,5- (4,7-di 2-thienyl-2,1,3-benzothiadiazole)]), PTB7 (Poly [[4,8-bis [(2-a)
  • the electron acceptor material may be a fullerene derivative or a nonfullerene derivative.
  • the fullerene derivative is a fullerene derivative of C60 to C90.
  • the fullerene derivative may be a C60 fullerene derivative or a C70 fullerene derivative.
  • the C60 fullerene derivative or C70 fullerene derivative are each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Nitrile group; Nitro group; Imide group; Amide group; Hydroxyl group; Substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; Substituted or unsubstituted alkoxy group; Substituted or unsubstituted aryloxy group; Substituted or unsubstituted alkylthioxy group; Substituted or unsubstituted arylthioxy group; Substituted or unsubstituted alkyl sulfoxy group; Substituted or unsubstituted aryl sulfoxy group; Substituted or unsubstituted alkenyl group; Substituted or unsubstituted silyl group; Substituted or unsubstituted or unsubstitute
  • the fullerene derivative may be selected from the group consisting of C76 fullerene derivative, C78 fullerene derivative, C84 fullerene derivative, and C90 fullerene derivative.
  • the C76 fullerene derivative, C78 fullerene derivative, C84 fullerene derivative, and C90 fullerene derivative are each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Nitrile group; Nitro group; Imide group; Amide group; Hydroxyl group; Substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; Substituted or unsubstituted alkoxy group; Substituted or unsubstituted aryloxy group; Substituted or unsubstituted alkylthioxy group; Substituted or unsubstituted arylthioxy group; Substituted or unsubstituted alkyl sulfoxy group; Substituted or unsubstituted aryl sulfoxy group; Substituted or unsubstituted alkenyl group; Substituted or unsubstitute
  • the fullerene derivative has an ability to separate electron-hole pairs (exciton, electron-hole pair) and charge mobility compared to the non-fullerene derivative, which is advantageous for efficiency characteristics.
  • the electron donor material and the electron acceptor material may form a bulk heterojunction (BHJ).
  • the photoactive layer of the present specification may be annealed at 30 ° C. to 300 ° C. for 1 second to 24 hours to maximize properties after the electron donor material and the electron acceptor material are mixed.
  • the photoactive layer is a poly 3-hexyl thiophene [P3HT: poly 3-hexyl thiophene] as an electron donor material, [6,6] -phenyl-C 61 -butyl acid methyl ester (PC 61 BM) and / or [6,6] -phenyl-C 71 -butyl acid methylester (PC 71 BM) as the electron acceptor material.
  • P3HT poly 3-hexyl thiophene
  • the mass ratio of the electron donor material and the electron acceptor material may be 1: 0.4 to 1: 2, and specifically 1: 0.7.
  • the photoactive layer is not limited to the above material.
  • the photoactive materials are dissolved in an organic solvent and then the solution is introduced into the photoactive layer in a thickness ranging from 50 nm to 280 nm by spin coating or the like.
  • the photoactive layer may be applied to a method such as dip coating, screen printing, spray coating, doctor blade, brush painting.
  • the electron acceptor may include other fullerene derivatives such as C70, C76, C78, C80, C82, C84, including PC 61 BM, and the coated thin film may be heat-treated at 80 ° C. to 160 ° C. to determine the conductive polymer. It is good to increase the sex.
  • the organic solar cell of the present specification has an inverted structure, and in this case, pre-annealing may be performed at 120 ° C.
  • the hole transport layer and / or the electron transport layer material of the present specification may be a material that increases the probability that the generated charge is transferred to the electrode by efficiently transferring electrons and holes to the photoactive layer, but is not particularly limited.
  • the hole transport layer may be an anode buffer layer.
  • a hole transport layer may be introduced through spin coating, dip coating, inkjet printing, gravure printing, spray coating, doctor blade, bar coating, gravure coating, brush painting, thermal deposition, and the like.
  • poly (3,4-ethylenedioxythiophene): poly (4-styrenesulfonate) [PEDOT: PSS] is mainly used as a conductive polymer solution, and is used as a hole-extracting metal oxides material.
  • Molybdenum oxide (MoO x ), vanadium oxide (V 2 O 5 ), nickel oxide (NiO), tungsten oxide (WO x ) and the like can be used.
  • the hole transport layer may be formed to a thickness of 5 nm ⁇ 10 nm through the MoO 3 thermal deposition system.
  • the organic solar cell may further include a substrate.
  • the substrate may be provided under the first electrode.
  • the substrate may use a substrate having excellent transparency, surface smoothness, ease of handling, and waterproofness.
  • a glass substrate, a thin film glass substrate, or a transparent plastic substrate may be used.
  • the plastic substrate may include a film such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyether ether ketone (PEEK), and polyimide (PI) in the form of a single layer or a multilayer.
  • PET polyethylene terephthalate
  • PEN polyethylene naphthalate
  • PEEK polyether ether ketone
  • PI polyimide
  • the substrate is not limited thereto, and a substrate commonly used in an organic solar cell may be used.
  • the organic solar cell may have a wound structure.
  • the organic solar cell can be manufactured in the form of a flexible film, which can be rolled into a cylindrical shape to form a solar cell of a hollow structure.
  • the organic solar cell can be installed by placing it on the ground. In this case, while the sun at the position where the organic solar cell is installed is moved from east to west, it is possible to secure a portion where the incident angle of light is maximum. Therefore, there is an advantage to increase the efficiency by absorbing as much light as possible while the sun is floating.
  • a step of preparing a substrate Forming a first electrode on the substrate; Forming at least two organic material layers including a photoactive layer and a layer including a fullerene derivative having a crown-type substituent on the first electrode; And it provides a method of manufacturing the above-described organic solar cell comprising the step of forming a second electrode on the organic material layer.
  • the forming of the organic material layer includes coating a composition including a layer material including a photoactive layer material and a fullerene derivative,
  • the photoactive layer and the fullerene layer are formed simultaneously due to phase separation of the layer material comprising the photoactive layer material and the fullerene derivative.
  • the buffer layer is thin so that it is not easy to control the thickness of the buffer layer or to uniformly manufacture the buffer layer.
  • the layer material including the fullerene derivative including the crown-type substituent may be mixed with the photoactive layer material and coated together in preparing the photoactive layer.
  • the layer material including the fullerene derivative may include a self-phase separation unit, that is, a crown substituent, to form a double layer of the layer including the photoactive layer / fullerene derivative. Since the layer including the fullerene derivative acts on the organic solar cell as a buffer layer, a double layer of the layer including the photoactive layer and the fullerene derivative may be formed in a single process without a separate process of preparing the buffer layer.
  • the thickness of the layer containing the fullerene derivative can be adjusted, Can be formed.
  • the concentration of the layer containing the fullerene derivative and / or the substituent substituted in the fullerene derivative it can be adjusted to be provided on one surface close to the first electrode of the photoactive layer, or on one surface close to the second electrode of the photoactive layer. Therefore, the position of the layer including the fullerene derivative serving as the buffer layer can be adjusted.
  • the ratio of the layer material including the electron donor material and the fullerene derivative of the photoactive layer material is 0.01 wt% to 0.2 wt%. In one embodiment of the present specification, the ratio of the layer material including the electron donor material and the fullerene derivative of the photoactive layer material is 0.05 wt% to 0.1 wt%.
  • the layer including the fullerene derivative, the first electrode, the second electrode, the photoactive layer, the layer including the fullerene derivative, the fullerene derivative and the crown-type substituent are the same as described above.
  • a method generally used may be used except for forming two or more organic material layers including a layer including the photoactive layer and the fullerene derivative.
  • FIG. 3 is a diagram showing an MS graph of the fullerene derivative of Chemical Formula 2-2-1 prepared above.
  • ITO glass was washed with acetone and ethanol for 30 minutes each by sonication. After washing, the surface was treated with UVO for 15 minutes, PEDOT: PSS coated on the surface treated ITO glass, and then heat treated at 200 ° C. for 5 minutes. After the heat treatment, a P3HT: PCBM solution mixed at a ratio of 1: 0.7 was coated to form a thin film of about 220 nm, and then heat-treated at 110 ° C. for 10 minutes. 100 nm of Al electrodes were deposited at 1 ⁇ 10 ⁇ 7 torr.
  • the organic solar cell was manufactured in the same manner as in the organic solar cell except for adding the fullerene derivative of the formula 2-2-1 prepared in the preparation example to 1% of the total mass of the photoactive layer in the P3HT: PCBM solution. Solar cells were prepared.
  • LiF was 0.7 nm vacuum deposited at a vacuum degree of 1 ⁇ 10 ⁇ 7 torr in the manufacturing example of the organic solar cell, and an organic solar cell was manufactured in the same manner except that 100 nm of Al electrodes were deposited at 1 ⁇ 10 ⁇ 7 torr after vacuum deposition.
  • V oc denotes an open voltage
  • J sc denotes a current density or a short circuit current
  • FF denotes a fill factor
  • PCE denotes an energy conversion efficiency.
  • the open-circuit and short-circuit currents are the X- and Y-axis intercepts in the four quadrants of the voltage-current density curve, respectively. The higher these two values, the better the solar cell efficiency.
  • the fill factor is the area of the rectangle drawn inside the curve divided by the product of the short circuit current and the open voltage. By dividing these three values by the intensity of the emitted light, the energy conversion efficiency can be obtained, and higher values are preferable.

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Abstract

본 명세서는 유기 태양 전지 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대항하여 구비된 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극사이에 구비된 광활성층; 및 상기 광활성층과 접하여 구비되는 플러렌 유도체를 포함하는 층을 포함하고, 상기 플러렌 유도체는 크라운형 치환기를 갖는 것인 유기 태양 전지를 제공한다.

Description

유기 태양 전지 및 이의 제조방법
본 명세서는 2014년 4월 30일에 한국 특허청에 제출된 한국 특허 출원 제 10-2014-0052648호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용은 전부 본 명세서에 포함된다.
본 명세서는 유기 태양 전지 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
미국 국립연구소인 NREL의 에너지 리뷰 자료에 따르면 현재 주로 사용되고 있는 에너지원은 석유, 석탄, 가스이다. 이는 전체 사용되고 있는 에너지원의 80 %에 달한다. 그러나, 현재 석유 및 석탄 에너지 고갈 상태가 점차 큰 문제가 되고 있으며, 증가하는 이산화탄소와 다른 온실가스들의 공기 중으로의 배출은 점차 심각한 문제를 발생시키고 있다. 그에 반하여, 무공해 그린 에너지인 재생 에너지의 이용은 아직까지 전체 에너지원의 약 2% 밖에 되지 않는다. 그래서 에너지원의 문제 해결을 위한 고민들은 더욱더 신재생 에너지 개발 연구에 박차를 가하는 계기가 되고 있다. 바람, 물, 태양 등 신재생 에너지 중에서도 가장 관심을 받고 있는 것은 태양에너지이다. 태양에너지를 이용한 태양전지는 공해가 적고, 자원이 무한적이며 반 영구적인 수명을 가지고 있어 미래 에너지 문제를 해결할 수 있는 에너지원으로 기대되고 있다.
태양전지는 광기전력효과(photovoltaic effect)를 응용함으로써 태양에너지를 직접 전기에너지로 변환할 수 있는 소자이다. 태양전지는 박막을 구성하는 물질에 따라 무기 태양전지와 유기 태양 전지로 나뉠 수 있다. 전형적인 태양전지는 무기 반도체인 결정성 실리콘(Si)을 도핑(doping)하여 p-n 접합으로 만든 것이다. 빛을 흡수하여 생기는 전자와 정공은 p-n 접합점까지 확산되고 그 전계에 의하여 가속되어 전극으로 이동한다. 이 과정의 전력변환 효율은 외부 회로에 주어지는 전력과 태양전지에 들어간 태양전력의 비로 정의되며, 현재 표준화된 가상 태양 조사 조건으로 측정 시 24 %정도까지 달성되었다. 그러나 종래 무기 태양전지는 이미 경제성과 재료상의 수급에서 한계를 보이고 있기 때문에, 가공이 쉬우며 저렴하고 다양한 기능성을 가지는 유기 태양 전지가 장기적인 대체 에너지원으로 각광받고 있다.
초기 유기 태양 전지는 미국 UCSB의 Heeger 교수 그룹에서 주도적으로 기술 개발을 이끌었다. 유기 태양 전지는 사용되는 단분자 유기물질 또는 고분자 재료는 쉽고, 빠르게 저가, 대면적 공정이 가능한 장점을 가지고 있다.
그러나, 현재까지의 연구에서는 아직 유기 태양 전지는 에너지 변환 효율이 낮은 단점이 있다. 그러므로 현 시점에서 다른 태양전지와의 경쟁력을 확보하기 위해서는 효율 향상이 매우 중요하다고 할 수 있다.
본 명세서의 목적은 유기 태양 전지 및 이의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 명세서는 제1 전극;
상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극;
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 광활성층; 및
상기 광활성층과 접하여 구비되는 플러렌 유도체를 포함하는 층을 포함하고,
상기 플러렌 유도체는 크라운형 치환기를 갖는 것인 유기 태양 전지를 제공한다.
또한, 본 명세서는 기판을 준비하는 단계;
상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 전극 상에 광활성층 및 크라운형 치환기를 갖는 플러렌 유도체를 포함하는 층을 포함하는 2층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및
상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 전술한 유기 태양 전지의 제조 방법을 제공한다.
본 명세서에 따른 플러렌 유도체를 포함하는 층을 포함하는 경우, 광흡수도가 증가하고, 전하의 재결합을 억제하며, 전류의 수송 특성을 향상시킨다. 이에 따라, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 태양 전지는 광단락 전류밀도(Jsc)의 증가 및 효율의 상승을 구현할 수 있다.
또한, 광활성층과 접하여 구비되어, 광활성층과 전하수송층 사이의 전하 이동 장벽을 낮추고, 접촉을 향상시킬 수 있다. 이 경우에 필팩터(Fill Factor: FF)를 향상시켜 높은 효율을 구현할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 플러렌 유도체를 포함하는 층은 이온성 기를 포함할 수 있다. 이 경우, 입사광의 재분배(redistribution)를 통한 광흡수가 증가하고, 계면 쌍극자(interfacial dipole)의 증가로 인하여, 전하의 장벽이 조절가능하다. 또한, 전도도 (conductivity)의 증가로 높은 효율의 유기 태양 전지를 기대할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 태양 전지는 광활성층과 플러렌 유도체를 포함하는 층을 동시에 제조하는 방법으로 얇은 두께를 유지하면서 균일한 버퍼층을 제공할 수 있다. 또한, 간단한 제조 공정으로 인하여, 생산 원가의 단축 및/또는 공정의 효율을 증가시킬 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 태양 전지는 권취된 구조일 수 있으며, 원통형인 경우, 여러 방향의 빛을 효율적으로 흡수하여 효율을 증가시킬 수 있다.
도 1 및 2는 일 실시상태에 따른 유기 태양 전지를 도시한 것이다.
도 3은 화학식 2-2-1의 플러렌 유도체의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 광활성층; 및 상기 광활성층과 접하여 구비되는 플러렌 유도체를 포함하는 층을 포함하고, 상기 플러렌 유도체는 크라운형 치환기를 갖는 것인 유기 태양 전지를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 플러렌 유도체를 포함하는 층은 자가상분리 유닛을 포함한다. 상기 자가상분리 유닛은 소수성(hydrophobic) 또는 친수성(hydrophilic) 치환기를 포함한다.
본 명세서에서 상기 자가상분리 유닛은 크라운형 치환기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 광활성층은 전자받개물질 및 전자주개물질로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 물질을 포함하는 광활성층물질을 포함하고, 상기 플러렌 유도체를 포함하는 층은 상기 광활성층 물질과 플러렌 유도체를 포함하는 층 물질의 상분리에 의하여 형성된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 상분리에 의하여 형성된 두 층의 경계는 두 층의 물질이 일부 혼합되어 있을 수 있다. 이 경우에 에너지 레벨의 변화를 연속적(cascade) 형식으로 일어나게 해준다. 따라서, 전하 수송 및 전하의 수집에 유리할 수 있다. 또한, 상기의 상분리로 인하여, 플러렌 유도체를 포함하는 층의 물질이 광활성층 표면에 존재하게 되므로, 진공 준위의 전이(vacuum level shift)로 인한 표면 에너지의 변화가 일어날 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 상분리로 인하여 형성된 광활성층 및 플러렌 유도체를 포함하는 층의 계면에서 크라운형 치환기를 갖는 플러렌 유도체의 함량은 광활성층 물질의 전체 함량 대비 1 중량% 내지 15 중량%이고, 바람직하게는 3 중량% 내지 7 중량%이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 상분리로 인하여 형성된 광활성층 및 플러렌 유도체를 포함하는 층의 계면에서 크라운형 치환기를 갖는 플러렌 유도체의 함량이 15 중량% 이상인 경우에는 상분리된 층의 두께가 최적 두께보다 두꺼워지거나 광활성층 내에 뭉침 현상이 일어나 전하를 가둘 수 있는 효과가 있고, 1 중량% 이하인 경우에는 상분리로 인한 단일층 형성은 어려우나 도핑에 의한 약한 전하 수송 증가 효과가 있다.
본 명세서에서 "상분리"란 2 이상의 물질의 균일한 혼합 상태에서 서로 다른 친화도에 의하여 별도의 공정 없이 2 이상의 물질이 서로 분리되어 층상을 형성하는 것을 의미한다.
구체적으로 상기 플러렌 유도체를 포함하는 물질은 친수성의 크라운형 치환기의 양을 늘려, 친수성을 크게 하여, 분리할 수도 있고, 상기 플러렌 유도체에 소수성 치환기를 도입하여 소수성을 크게 하여 분리할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 광활성층과 상기 플러렌 유도체를 포함하는 층은 서로 접하여 구비된다. 접하여 구비되는 것은 물리적 결합 또는 화학적 결합을 한정하지 않는다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 광활성층과 상기 플러렌 유도체를 포함하는 층의 자가상분리를 이용하여, 광활성층과 상기 플러렌 유도체를 포함하는 층이 동시에 접하여 형성된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 플러렌 유도체를 포함하는 층은 광활성층의 제1 전극과 가까운 일면에 구비된다. 다른 실시상태에 있어서, 상기 플러렌 유도체를 포함하는 층은 광활성층의 제2 전극과 가까운 일면에 구비된다.
상기 플러렌 유도체를 포함하는 층은 노멀 구조에서도 적용될 수 있으며, 인버티드 구조에서도 적용될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 플러렌 유도체를 포함하는 층은 버퍼층의 역할을 한다. 상기 플러렌 유도체를 포함하는 층은 광활성층과 전하수송층간의 전자 이동을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 또한, 상기 플러렌 유도체를 포함하는 층은 전하수송층과 제1 전극 또는 제2 전극 사이의 전하의 이동을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 상분리로 형성된 플러렌 유도체를 포함하는 층의 두께는 1 nm 내지 30 nm 이다. 바람직하게는 3 nm 내지 10 nm이다. 상기 범위 내에서는 광활성층의 모폴로지 형성에 도움이 되어, 전하의 이동도가 증가하고, 계면에서는 다이폴의 형성으로 인한 개방 전압 및 전하의 수집 능력이 향상되어, 전류의 밀도가 증가될 수 있다. 또한, 전하의 재결합을 막아 필팩터가 향상될 수 있다.
상기 플러렌 유도체를 포함하는 층의 두께가 30 nm를 초과하는 경우에는 전하 이동도의 감소로 인하여, 전류 밀도가 감소하고, 전하의 재결합 증가로 인하여 필팩터가 저하되는 문제가 발생한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 플러렌 유도체를 포함하는 층은 하기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 플러렌 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 플러렌 유도체를 포함한다.
[화학식 1]
Figure PCTKR2015004404-appb-I000001
[화학식 2]
Figure PCTKR2015004404-appb-I000002
[화학식 3]
Figure PCTKR2015004404-appb-I000003
화학식 1 내지 3에 있어서,
Cn은 C60 내지 C120의 플러렌이고,
m 및 n은 각각 0 내지 3의 정수이며,
x, y 및 z는 각각 1 내지 10의 정수이고,
R1 및 R2 중 적어도 하나는 -(L)a-(Y)이며,
a는 0 내지 4의 정수이고,
a가 2 이상인 경우, 2 이상의 L은 서로 동일하거나 상이하며,
L은 치환 또는 비치환된 2가의 에스터기; 치환 또는 비치환된 2 가의 싸이오에스터기; 치환 또는 비치환된 2가의 싸이오노에스터기; 2가의 케톤기; 2가의 싸이온기; 2가의 카보닐기; 치환 또는 비치환된 알킬렌기; 치환 또는 비치환된 알케닐렌기; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 2가의 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
Y는 크라운형 치환기이며,
Cy는 치환 또는 비치환된 단환 또는 다환의 방향족 탄화수소 고리; 또는 치환 또는 비치환된 단환 또는 다환의 헤테로 고리이며,
R1 및 R2 중 나머지 및 R는 서로 같거나 상이하고, 각각 수소; 할로겐기; 카복실산기; 니트로기; 니트릴기; 이미드기; 아미드기; 이민기; 싸이오이미드; 안하이드라이드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 에스터기; 치환 또는 비치환된 싸이오에스터기; 치환 또는 비치환된 싸이오노에스터기; 치환 또는 비치환된 카보닐기; 치환 또는 비치환된 싸이온기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고, 화학식 3에서 R1과 R2는 서로 결합하여 단환 또는 다환의 고리를 형성할 수 있고,
r은 0 내지 2의 정수이며,
s는 0 내지 30의 정수이고,
r 및 s가 각각 2 이상인 경우 괄호 안의 구조는 서로 동일하거나 상이하고,
화학식 1 내지 3은 수소; 할로겐기; 카복실산기; 니트로기; 니트릴기; 이미드기; 아미드기; 이민기; 싸이오이미드; 안하이드라이드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 에스터기; 치환 또는 비치환된 싸이오에스터기; 치환 또는 비치환된 싸이오노에스터기;치환 또는 비치환된 카보닐기; 치환 또는 비치환된 싸이온기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 추가로 치환 또는 비치환될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 크라운형 치환기의 탄소수는 8 내지 40이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y는 하기 구조로 표시된다.
Figure PCTKR2015004404-appb-I000004
상기 구조에 있어서,
l은 괄호 내 구조의 반복수로 1 내지 3의 정수이고,
l이 2 이상인 경우, 2 이상의 괄호 내의 구조는 서로 동일하거나 상이하며,
X1 내지 X4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 O, S 또는 NR 이고,
R 및 R3 내지 R18은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 할로겐기; 카복실산기; 니트로기; 니트릴기; 이미드기; 아미드기; 이민기; 싸이오이미드; 안하이드라이드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 에스터기; 치환 또는 비치환된 싸이오에스터기; 치환 또는 비치환된 싸이오노에스터기;치환 또는 비치환된 카보닐기; 치환 또는 비치환된 싸이온기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접하는 치환기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 형성하며,
상기 R3 내지 R18 중 어느 하나는 -(L)a-를 통하여, 플러렌 유도체와 결합한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 치환 또는 비치환된 2 가의 에스터기; 치환 또는 비치환된 알킬렌기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, a는 2 이상의 정수이고, 상기 2 이상의 L은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 2가의 에스터기; 및 치환 또는 비치환된 알킬렌기를 포함한다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 -(L)a- 는
Figure PCTKR2015004404-appb-I000005
이다.
상기 p는 0 내지 30의 정수이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 p는 3이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 a는 2 이상의 정수이고, 상기 2 이상의 L은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 2 가의 에스터기; 및 치환 또는 비치환된 아릴렌기를 포함한다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 -(L)a- 는
Figure PCTKR2015004404-appb-I000006
이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 및 R2 중 -(L)a-(Y)가 아닌 나머지는 수소; 또는 치환 또는 비치환된 에스터기이다.
하나의 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2 중 -(L)a-(Y)가 아닌 나머지는 수소이다.
다른 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2 중 -(L)a-(Y)가 아닌 나머지는 치환 또는 비치환된 에스터기이다.
하나의 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2 중 -(L)a-(Y)가 아닌 나머지는 알킬기로 치환된 에스터기이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2 중 -(L)a-(Y)가 아닌 나머지는 메틸기로 치환된 에스터기이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2 중 -(L)a-(Y)가 아닌 나머지는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
다른 실시상태에 있어서, 또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2 중 -(L)a-(Y)가 아닌 나머지는 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1은 O이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 X2는 O이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X3는 O이다.
다른 실시상태에 있어서, 상기 X4는 O이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 내지 X4 중 적어도 하나는 O이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 3의 Cy는 치환 또는 비치환된 벤젠; 치환 또는 비치환된 나프탈렌; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 3의 Cy는 치환 또는 비치환된 벤젠, 치환 또는 비치환된 나프탈렌 또는 O, S 및 N 중 적어도 하나를 포함하고 치환 또는 비치환된 헤테로고리이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 3의 Cy는 벤젠; 나프탈렌; 또는 헤테로고리이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 3의 Cy는 벤젠, 나프탈렌 또는 O, S 및 N 중 적어도 하나를 포함하는 헤테로고리이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 3은 하기 화학식 3a로 표시될 수 있다.
[화학식 3a]
Figure PCTKR2015004404-appb-I000007
화학식 3a에 있어서, Cy1 및 Cy2는 서로 같거나 상이하고, 각각 치환 또는 비치환된 단환 또는 다환의 방향족 탄화수소 고리; 또는 치환 또는 비치환된 단환 또는 다환의 헤테로 고리이며, R1, R2, n, z, Cn, r 및 s의 정의는 화학식 3에서 기재한 바와 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 3은 하기 화학식 3b로 표시될 수 있다.
[화학식 3b]
Figure PCTKR2015004404-appb-I000008
화학식 3b에 있어서, R1, R2, n, z, Cn의 정의는 화학식 3에서 기재한 바와 같고,
r1 및 r2는 0 내지 4의 정수이며, 상기 r1 및 r2가 각각 2 이상인 경우 괄호 안의 구조는 서로 동일하거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 3에 있어서, Cy는 O, S 및 N 중 적어도 하나를 포함하고 치환 또는 비치환된 단환 또는 다환의 헤테로고리이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 3에 있어서, Cy는 O, S 및 N 중 적어도 하나를 포함하고 치환 또는 비치환된 단환 헤테로고리이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 3에 있어서, Cy는 치환 또는 비치환된 티오펜, 치환 또는 비치환된 퓨란, 치환 또는 비치환된 피롤 또는 치환 또는 비치환된 이미다졸이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 3에 있어서, Cy는 티오펜, 퓨란, 피롤 또는 이미다졸이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 3a에 있어서, Cy1 및 Cy2 중 적어도 하나는 O, S 및 N 중 적어도 하나를 포함하고 치환 또는 비치환된 단환 또는 다환의 헤테로고리이고, 나머지는 치환 또는 비치환된 단환 또는 다환의 방향족 탄화수소고리 또는 치환 또는 비치환된 단환 또는 다환의 헤테로고리이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 3a에 있어서, Cy1 및 Cy2 중 적어도 하나는 O, S 및 N 중 적어도 하나를 포함하고 치환 또는 비치환된 단환 또는 다환의 헤테로고리이고, 나머지는 치환 또는 비치환된 벤젠이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 3a에 있어서, Cy1 및 Cy2 중 적어도 하나는 O, S 및 N 중 적어도 하나를 포함하고 치환 또는 비치환된 단환 헤테로고리이고, 나머지는 치환 또는 비치환된 벤젠이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 3a에 있어서, Cy1 및 Cy2 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 티오펜, 치환 또는 비치환된 퓨란, 치환 또는 비치환된 피롤 또는 치환 또는 비치환된 이미다졸이고, 나머지는 치환 또는 비치환된 벤젠이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 3a에 있어서, Cy1 및 Cy2 중 적어도 하나는 티오펜, 퓨란, 피롤 또는 이미다졸이고, 나머지는 벤젠이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 플러렌 유도체는 하기 화학식 1-1, 화학식 2-1, 화학식 2-2 및 화학식 3-1로 표시된다.
[화학식 1-1]
Figure PCTKR2015004404-appb-I000009
[화학식 2-1]
Figure PCTKR2015004404-appb-I000010
[화학식 2-2]
Figure PCTKR2015004404-appb-I000011
[화학식 3-1]
Figure PCTKR2015004404-appb-I000012
상기 화학식 1-1, 2-1, 2-2 및 3-1에 있어서,
Cn, l, x, y 및 z는 전술한 바와 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Cn은 C60의 플러렌 유도체이다.
다른 실시상태에 있어서, l은 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 화학식 1 및 1-1 중 어느 하나에 있어서, x는 1 내지 10, 1 내지 7, 1 내지 5, 1 내지 3, 또는 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 화학식 2, 2-1 및 2-2 중 어느 하나에 있어서, y는 1 내지 10, 1 내지 7, 1 내지 5, 1 내지 3, 또는 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 화학식 3 및 3-1 중 어느 하나에 있어서, z는 1 내지 10, 1 내지 7, 1 내지 5, 1 내지 3, 또는 1이다.
하나의 실시상태에 있어서, 상기 화학식 2-2로 표시된 플러렌 유도체는 하기 화학식 2-2-1로 표시될 수 있다.
[화학식 2-2-1]
Figure PCTKR2015004404-appb-I000013
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 크라운형 치환기의 중심에 구비된 이온성 기를 더 포함한다. 즉, 크라운형 치환기의 중심의 빈 공간에 이온성 기가 구비되는 것으로, 화학적인 결합을 한다. 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 이온의 결합에는 크라운형 치환기 단일 분자 만이 아닌 2 이상의 분자가 3차원 구조를 형성하여 결합에 참여할 수 있다.
다만, 당업자의 필요에 따라서, 열처리 또는 UV 처리를 하여, 복수개의 크라운형 치환기를 갖는 플러렌 유도체 사이를 가교시킬 수 있다.
하나의 실시상태에 있어서, 상기 이온성 기를 포함하는 크라운형 치환기는 하기와 같이 표현될 수 있다.
Figure PCTKR2015004404-appb-I000014
상기 구조에 있어서, R3 내지 R18, l 및 X1 내지 X4는 전술한 바와 동일하고,
M은 이온성 기다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 l의 반복수 즉, 크라운형 치환기의 크기를 조절하여, 삽입되는 금속의 이온 수 및 종류를 선택할 수 있다.
상기와 같이 이온성 기를 포함하는 경우, 입사광의 재분배(redistribution)를 통한 광흡수가 증가하고, 계면 쌍극자(interfacial dipole)의 증가로 인하여, 전하의 장벽이 조절가능하다. 또한, 전도도 (conductivity)의 증가로 높은 효율의 유기 태양 전지를 기대할 수 있다.
본 명세서에서 상기 이온성 기는 양이온성 기 또는 음이온성 기일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 이온성 기는 하나의 분자를 포함할 수 있으며, 2 개 이상의 분자가 3차원 구조를 형성하여, 바인딩(binding) 하는 경우도 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 이온성 기는 타이타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 스트론튬(Sr), 징크(Zn), 인듐(In), 란타넘(La), 바나듐(V), 몰리브데넘(Mo), 텅스텐(W), 틴(Sn), 나이오븀(Nb), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 알루미늄(Al), 이트륨(Y), 스칸듐(Sc), 사마륨(Sm) 갈륨(Ga), 칼륨(K), 코발트(Co), 구리(Cu), 은(Ag), 나트륨(Na) 및 납(Pb)으로 이루어진 군에서 선택되는 금속의 양이온; NH4 + 및 CH3NH3 + 로 이루어진 군에서 선택되는 암모늄 이온; 또는 N3 -, CH3CO2 -, CN-, Br-, Cl-, I-, F-, SCN-, ClO4 -, NO3 -, CO3 2 -, SO4 2 -, PO4 3 -, H2PO-4 2-, PdCl6 2 -, Na-, Cs-, 시트르산이온(citrate3 -), SiF5 -, SiF6 2 -, GeF6 2 - 및 BF4 -로 이루어진 군에서 선택되는 음이온이다.
상기 치환기들의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 알킬기; 알케닐기; 알콕시기; 에스터기; 카보닐기; 카복실기; 히드록시기; 시클로알킬기; 실릴기; 아릴알케닐기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 붕소기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 아릴아민기; 헤테로아릴기; 카바졸기; 아릴아민기; 아릴기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 및 헤테로 고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오쏘(ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 "인접한"기로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure PCTKR2015004404-appb-I000015
본 명세서에서 싸이오이미드기는 상기 이미드 기의 C=O가 C=S로 치환된 것이다.
본 명세서에서 안하이드라이드기는 상기 이미드기의 N 원자가 O로 치환된 것이다.
본 명세서에 있어서, 아미드기는 아미드기의 질소가 수소, 탄소수 1 내지 25의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 1 또는 2 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure PCTKR2015004404-appb-I000016
본 명세서에서 상기 아미드기는 락탐과 같은 고리기도 포함한다.
본 명세서에 있어서, 에스터기의 일반식은
Figure PCTKR2015004404-appb-I000017
또는
Figure PCTKR2015004404-appb-I000018
로 표시될 수 있다. 상기 R'는 수소; 탄소수 1 내지 60의 알콕시기; 탄소수 1 내지 60의 치환 또는 비치환된 알킬기; 탄소수 3 내지 60의 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 탄소수 7 내지 50의 치환 또는 비치환된 아릴알킬기; 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴알킬기; 탄소수 1 내지 40의 치환 또는 비치환된 에스터기; 탄소수 1 내지 40의 치환 또는 비치환된 카보닐기; 탄소수 6 내지 60의 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 N, O 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 탄소수 2 내지 60의 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 상기 에스터기는 락톤기와 같은 고리기도 포함한다.
본 명세서에서 싸이오 에스터기는 에스터기의 C=O가 C=S로 치환된 것이다.
본 명세서에 있어서, 카보닐기는
Figure PCTKR2015004404-appb-I000019
로 표시될 수 있다. 상기 R'는 수소; 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬기; 탄소수 3 내지 60의 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 탄소수 7 내지 50의 치환 또는 비치환된 아릴알킬기; 탄소수 6 내지 60의 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 60의 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 싸이온기는 상기 카보닐기의 O원자가 S 원자로 치환된 기이다.
본 명세서에 있어서, 이민기는
Figure PCTKR2015004404-appb-I000020
또는
Figure PCTKR2015004404-appb-I000021
로 표시될 수 있다. R' 및R"는 서로 동일하거나 상이하고, 수소; 탄소수 1 내지 25의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄의 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 25의 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서에 있어서, 상기 에테르기는
Figure PCTKR2015004404-appb-I000022
로 표시될 수 있다. R은 탄소수 1 내지 25의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄의 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 25의 치환 또는 비치환된 아릴기이다. 구체적으로 Z1 내지 Z3는 서로 동일하거나 상이하고, 탄소수 6 내지 25의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄의 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 25의 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서에 있어서,
Figure PCTKR2015004404-appb-I000023
는 다른 치환기에 연결되는 부위를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥틸메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, i-프로필옥시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 아릴알킬기는 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 아릴알킬기의 탄소수는 7 내지 50이다. 구체적으로 아릴부분은 탄소수 6 내지 49이고, 알킬 부분은 탄소수 1 내지 44이다. 구체적인 예로는 벤질기기, p-메틸벤질기, m-메틸벤질기, p-에틸벤질기, m-에틸벤질기, 3,5-디메틸벤질기, α-메틸벤질기, α,α-디메틸벤질기, α,α-메틸페닐벤질기, 1-나프틸벤질기, 2-나프틸벤질기, p-플루오르벤질기, 3,5-디플루오르벤질기, α,α-디트리플루오로메틸벤질기, p-메톡시벤질기, m-메톡시벤질기, α-페녹시벤질기, α-벤질옥시벤질기, 나프틸메틸기, 나프틸에틸기, 나프틸이소프로필기, 피롤릴메틸기, 피롤렐에틸기, 아미노벤질기, 니트로벤질기, 시아노벤질기, 1-히드록시-2-페닐이소프로필기, 1-클로로-2-페닐이소프로필기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 단환식일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하다. 아릴기의 구체적인 예로는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 등의 단환식 방향족 및 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 테트라세닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기, 아세나프타센닐기, 트리페닐렌기, 플루오란텐(fluoranthene)기 등의 다환식 방향족등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 플루오레닐기는 치환될 수 있으며, 인접한 치환기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure PCTKR2015004404-appb-I000024
Figure PCTKR2015004404-appb-I000025
및
Figure PCTKR2015004404-appb-I000026
등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로 고리기 또는 헤테로 아릴기는 탄소가 아닌 원자, 이종원자를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 이종 원자는 O, N 및 S 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있다. 상기 헤테로고리기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로 고리기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 트리아진기, 아크리딜기, 피리다진기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린기(phenanthroline) 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 헤테로아릴옥시기 중의 헤테로아릴은 전술한 헤테로아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 아릴옥시기, 아릴티옥시기, 아릴술폭시기 및 아랄킬아민기중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 구체적으로 아릴옥시기로는 페녹시, p-토릴옥시, m-토릴옥시, 3,5-디메틸-페녹시, 2,4,6-트리메틸페녹시, p-tert-부틸페녹시, 3-비페닐옥시, 4-비페닐옥시, 1-나프틸옥시, 2-나프틸옥시, 4-메틸-1-나프틸옥시, 5-메틸-2-나프틸옥시, 1-안트릴옥시, 2-안트릴옥시, 9-안트릴옥시, 1-페난트릴옥시, 3-페난트릴옥시, 9-페난트릴옥시 등이 있고, 아릴티옥시기로는 페닐티옥시기, 2－메틸페닐티옥시기, 4－tert－부틸페닐티옥시기 등이 있으며, 아릴술폭시기로는 벤젠술폭시기, p－톨루엔술폭시기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 알킬티옥시기, 알킬술폭시기, 알킬아민기 및 아랄킬아민기 중의 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 구체적으로 알킬티옥시기로는 메틸티옥시기, 에틸티옥시기, tert－부틸티옥시기, 헥실티옥시기, 옥틸티옥시기 등이 있고, 알킬술폭시기로는 메실, 에틸술폭시기, 프로필술폭시기, 부틸술폭시기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 아민기는 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 비페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸아민기, 디톨릴아민기, 페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아릴아민기가 있다. 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 아릴기가 2 이상을 포함하는 아릴아민기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다.
아릴 아민기의 구체적인 예로는 페닐아민, 나프틸아민, 비페닐아민, 안트라세닐아민, 3-메틸-페닐아민, 4-메틸-나프틸아민, 2-메틸-비페닐아민, 9-메틸-안트라세닐아민, 디페닐 아민기, 페닐 나프틸 아민기, 디톨릴 아민기, 페닐 톨릴 아민기, 카바졸 및 트리페닐 아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민기 중의 헤테로 아릴기는 전술한 헤테로고리기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 알킬렌기, 알케닐렌기, 아릴렌기는 각각 알킬기, 알케닐기, 아릴기에 결합위치가 두 개 있는 것 즉, 2가기를 의미한다. 2가기인 것을 제외하고는 전술한 알킬기 및 아릴기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에서 인접하는 기가 서로 결합하여, 탄화수소고리 또는 헤테로고리를 형성하는 것은 인접하는 치환기가 서로 결합을 형성하여, 5원 내지 8원의 단환 또는 다환의 탄화수소고리 또는 이종원자 중 1 이상을 포함하는 5원 내지 8원의 단환 또는 다환의 헤테로고리를 형성하는 것을 의미한다.
본 명세서에서 탄화수소고리는 시클로알킬기; 시클로알케닐기; 방향족고리기; 또는 지방족고리기를 모두 포함하며, 단환 또는 다환일 수 있으며, 이들이 1 또는 2 이상이 결합하여 축합된 고리를 모두 포함한다.
본 명세서에서 형성된 헤테로고리는 상기 탄화수소고리 중 적어도 하나의 탄소원자가 이종 원자로 치환된 것을 의미하며, 지방족고리 또는 방향족고리일 수 있으며, 단환 또는 다환일 수 있다.
다른 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 애노드이고, 상기 제2 전극은 캐소드인 노말 구조이다.
상기 노말 구조는 기판 상에 애노드가 형성되는 것을 의미할 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 태양 전지가 노말 구조인 경우, 기판 상에 형성되는 제1 전극이 애노드일 수 있다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 태양 전지의 일 예를 도시한 것이다. 구체적으로, 도 1은 노말 구조의 유기 태양 전지를 나타내었다. 도 1은 기판 상에 애노드로서 ITO를 구비하고, 상기 애노드 상에 버퍼층으로서 PEDOT:PSS층을 형성하였다. 또한, 광활성층으로서 P3HT:PCBM을 사용하였으며, 크라운형 치환기로 치환된 플러렌 유도체를 포함하는 플러렌 유도체를 포함하는 층과 광활성층을 동시에 형성하였으며, Al을 이용하여 캐소드를 형성하였다. 상기 크라운형 치환기로 치환된 플러렌 유도체는 광활성층 물질과 혼합되어, 자가상분리를 통하여 별도의 층이 생성된다.
다만, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 태양 전지는 도 1의 구조 및 재료에 한정되는 것은 아니며, 추가의 층이 구비될 수 있으며, 다양한 재료를 이용하여 각 층을 구성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 캐소드이고, 상기 제2 전극은 애노드인 인버티드 구조이다.
상기 인버티드 구조는 기판 상에 캐소드가 형성되는 것을 의미할 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 태양 전지가 인버티드 구조인 경우, 기판 상에 형성되는 제1 전극이 캐소드일 수 있다.
도 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 태양 전지의 일 예를 도시한 것이다. 구체적으로, 도 2는 인버티드 구조의 유기 태양 전지를 나타내었다. 도 2는 기판 상에 캐소드로서 ITO를 구비하고, 상기 캐소드 상에 ZnO를 이용하여 버퍼층을 형성하였다. 또한, 광활성층으로서 P3HT: PCBM을 사용하였으며, 크라운형 치환기로 치환된 플러렌 유도체를 포함하는 플러렌 유도체를 포함하는 층과 광활성층을 동시에 형성하였으며, 애노드로서 MoO3/Al를 형성하였다.
다만, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 태양 전지는 도 2의 구조 및 재료에 한정되는 것은 아니며, 추가의 층이 구비될 수 있으며, 다양한 재료를 이용하여 각 층을 구성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지는 정공주입층, 정공수송층, 정공차단층, 전하발생층, 전자차단층, 전자주입층 및 전자수송층으로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 유기물층을 더 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지는 상기 제1 전극이 캐소드이고, 상기 제2 전극이 애노드인 인버티드 구조이며, 상기 제1 전극과 상기 광활성층 사이에는 캐소드 버퍼층이 구비되고, 상기 제2 전극과 상기 광활성층 사이에는 애노드 버퍼층이 구비된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 애노드 버퍼층 및 캐소드 버퍼층 외에 다른 유기물층을 더 포함할 수 있다. 다른 실시상태에 있어서, 상기 애노드 버퍼층 및 캐소드 버퍼층 중 어느 하나만 포함할 수 있으며, 버퍼층을 포함하지 않을 수 있다.
다른 실시상태에 있어서, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지는 상기, 상기 제1 전극은 애노드이고, 상기 제2 전극은 캐소드인 노말 구조이며, 상기 제1 전극과 상기 광활성층 사이에는 애노드 버퍼층이 구비되고, 상기 제2 전극과 상기 광활성층 사이에는 캐소드 버퍼층이 구비된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 캐소드 버퍼층은 전자수송층일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 애노드 버퍼층은 정공수송층일 수 있다.
본 명세서의 상기 제1 전극은 캐소드 전극일 수 있으며, 투명 전도성 산화물층 또는 금속 전극일 수 있다.
상기 제1 전극이 투명전극인 경우, 상기 제1 전극은 산화주석인듐(ITO) 또는 산화아연인듐(IZO) 등과 같은 전도성 산화물일 수 있다. 나아가, 상기 제1 전극은 반투명 전극일 수도 있다. 상기 제1 전극이 반투명 전극인 경우, Ag, Au, Mg, Ca 또는 이들의 합금 같은 반투명 금속으로 제조될 수 있다. 반투명 금속이 제1 전극으로 사용되는 경우, 상기 유기 태양 전지는 미세공동구조를 가질 수 있다.
본 명세서의 상기 전극이 투명 전도성 산화물층인 경우, 상기 전극은 유리 및 석영판 이외에 PET (polyethylene terephthalate), PEN (polyethylene naphthalate), PP (polypropylene), PI(polyimide), PC (polycarbornate), PS (polystylene), POM (polyoxymethlene), AS 수지 (acrylonitrile styrene copolymer), ABS 수지 (acrylonitrile butadiene styrene copolymer) 및 TAC (Triacetyl cellulose), PAR (polyarylate)등을 포함하는 플라스틱과 같은 유연하고 투명한 물질 위에 도전성을 갖는 물질이 도핑된 것이 사용될 수 있다. 구체적으로, ITO (indium tin oxide), 플루오린이 도핑된 틴 옥사이드 (fluorine doped tin oxide; FTO), 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드 (aluminium doped zinc oxide, AZO), IZO (indium zinc oxide), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3 및 ATO (antimony tin oxide) 등이 될 수 있으며, 보다 구체적으로 ITO일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제2 전극은 애노드일 수 있으며, 상기 제2 전극은 금속 전극일 수 있다. 구체적으로 상기 금속 전극은 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 금(Au), 니켈(Ni), 및 팔라듐(Pd)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함할 수 있다. 보다 더 구체적으로 상기 금속 전극은 은(Ag)일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극 및/또는 제2 전극을 형성하는 단계는 패터닝된 ITO 기판을 세정제, 아세톤, 이소프로판올(IPA)로 순차적으로 세정한 다음 수분제거를 위해 가열판에서 100 ~ 250 ℃로 1 ~ 30분간, 구체적으로 250 ℃에서 10분간 건조하고, 기판이 완전히 세정되면 기판 표면을 친수성으로 개질할 수 있다. 이를 위한 전처리 기술로는 a) 평행평판형 방전을 이용한 표면 산화법, b) 진공상태에서 UV 자외선을 이용하여 생성된 오존을 통해 표면을 산화하는 방법, 및 c) 플라즈마에 의해 생성된 산소 라디칼을 이용하여 산화하는 방법 등을 이용할 수 있다. 상기와 같은 표면 개질을 통하여 접합표면전위를 정공주입층의 표면 전위에 적합한 수준으로 유지할 수 있으며, ITO 기판 위에 고분자 박막의 형성이 용이해지고, 박막의 품질이 향상될 수 있다. 기판의 상태에 따라 상기 방법 중 한가지를 선택하게 되는데 어느 방법을 이용하든지 공통적으로 기판 표면의 산소이탈을 방지하고 수분 및 유기물의 잔류를 최대한 억제해야 전처리의 실질적인 효과를 기대할 수 있다.
본 명세서의 하기 기술한 실시예에서, UV를 이용하여 생성된 오존을 통해 표면을 산화하는 방법을 사용하였으며, 초음파 세정 후 패턴된 ITO 기판을 가열판 (hot plate)에서 베이킹 (baking)하여 잘 건조시킨 다음 챔버에 투입하고 UV 램프를 작용시켜 산소 가스가 UV광과 반응하여 발생하는 오존에 의해 패턴된 ITO 기판을 세정하게 된다. 그러나, 본 발명에 있어서의 패턴된 ITO 기판의 표면 개질방법은 특별히 한정시킬 필요는 없으며, 기판을 산화시키는 방법이라면 어떠한 방법도 무방하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지는 인버티드 (Invertecd) 구조이다. 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 태양 전지가 인버티드 구조인 경우, 상기 제2 전극은 은(Ag) 또는 MoO3/Al일 수 있다.
본 명세서의 상기 역방향 구조의 유기 태양 전지는 일반적인 구조의 유기 태양 전지의 애노드와 캐소드가 역방향으로 구성된 것을 의미할 수 있다. 일반적인 구조의 유기 태양 전지에서 사용되는 Al층은 공기 중에서 산화반응에 매우 취약하고, 잉크화하기 곤란하여 이를 인쇄공정을 통하여 상업화하는데 제약이 있다. 그러나, 본 명세서의 상기 역방향 구조의 유기 태양 전지는 Al 대신 Ag를 사용할 수 있으므로, 일반적인 구조의 유기 태양 전지에 비하여 산화반응에 안정적이고, Ag 잉크의 제작이 용이하므로 인쇄공정을 통한 상업화에 유리한 장점이 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 태양 전지가 노말 구조일 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 태양 전지가 노말 구조인 경우, 상기 제2 전극은 Al일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 전하수송층은 전도성 산화물, 금속 탄화물 및 금속으로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상을 포함한다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 전하수송층은 티타늄 산화물; 아연 산화물; 및 세슘 카보네이트로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상을 포함한다.
본 명세서에서 전하수송층은 "정공" 또는 "전자"를 수송하는 층을 의미하며, 전자수송층 또는 정공수송층일 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 전자수송층의 전도성 산화물은 전자추출금속 산화물(electron-extracting metal oxides)이 될 수 있으며, 구체적으로 티타늄 산화물(TiOx); 아연 산화물(ZnO); 및 세슘 카보네이트(Cs2CO3)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면 상기 금속은 은 나노입자(Ag nanoparticle), 금 나노입자(Au nanoparticle), Ag-SiO2, Ag-TiO2, Au-TiO2 등의 금속 산화물을 포함한 코어쉘(core shell)물질이 될 수 있다. 상기 코어쉘 물질은 코어로 금속을 포함하고, Ag-SiO2, Ag-TiO2, Au-TiO2 등의 금속 산화물을 쉘로서 포함한다.
상기 전자수송층은 스퍼터링, E-Beam, 열증착, 스핀코팅, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅, 닥터 블레이드 또는 그라비아 프린팅법을 사용하여 제1 전극의 일면에 도포되거나 필름 형태로 코팅됨으로써 형성될 수 있다.
본 명세서의 실시상태에 있어서, 상기 광활성층은 광활성 물질로서, 전자주개 물질 및 전자 받개 물질을 포함한다. 본 명세서에서 광활성 물질은 상기 전자주개 물질 및 상기 전자받개 물질을 의미할 수 있다.
상기 광활성층은 광 여기에 의하여 상기 전자주개 물질이 전자와 정공이 쌍을 이룬 엑시톤(exciton)을 형성하고, 상기 엑시톤이 전자주개/전자받개의 계면에서 전자와 정공으로 분리된다. 분리된 전자와 정공은 전자주개 물질 및 전자받개 물질로 각각 이동하고 이들이 각각 제1 전극과 제2 전극에 수집됨으로써 외부에서 전기 에너지로 이용할 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 광활성층은 벌크 이종 접합구조 또는 이중층 접합구조일 수 있다. 상기 벌크 이종 접합 구조는 벌크 헤테로정션(BHJ: bulk heterojunction) 접합형일 수 있으며, 상기 이중층 접합구조는 바이레이어(bi-layer) 접합형일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 전자주개 물질과 전자받개 물질의 질량비는 1:10 내지 10:1일 수 있다. 구체적으로 본 명세서의 상기 전자받개 물질과 전자 주개 물질의 질량비는 1: 0.5 내지 1: 5일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전자주개 물질은 적어도 한 종의 전자 공여체; 또는 적어도 한 종의 전자수용체와 적어도 한 종의 전자 공여체의 중합체를 포함할 수 있다. 상기 전자 공여물질은 적어도 한 종의 전자 공여체를 포함할 수 있다. 또한, 상기 전자 공여물질은 적어도 한 종의 전자 수용체와 적어도 한 종의 전자 공여체의 중합체를 포함한다.
구체적으로 상기 전자주개 물질은 MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2'-ethyl-hexyloxy)-1,4-phenylene vinylene])를 시작으로 티오펜계, 플루오렌계, 카바졸계 등의 다양한 고분자 물질 및 단분자 물질일 수 있다.
구체적으로, 상기 단분자 물질은 구리(Ⅱ)프탈로시아닌(Copper(Ⅱ) phthalocyanine), 아연프탈로시아닌(zinc phthalocyanine), 트리스[4-(5-디사이노메틸이덴메틸-2-티에닐)페닐]아민(tris[4-(5-dicyanomethylidenemethyl-2-thienyl)phenyl]amine), 2,4-비스[4-(N,N-디벤질아미노)-2,6-디히드록시페닐]스쿠아레인(2,4-bis[4-(N,N-dibenzylamino)-2,6-dihydroxyphenyl]squaraine), 벤즈[b]안트라센(benz[b]anthracene), 및 펜타센(pentacene)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 물질을 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 고분자 물질은 폴리 3-헥실 티오펜 (P3HT: poly 3-hexyl thiophene), PCDTBT(poly[N-9'-heptadecanyl-2,7-carbazole-alt-5,5-(4'-7'-di-2-thienyl-2',1',3'-benzothiadiazole)]), PCPDTBT(poly[2,6-(4,4-bis-(2-ethylhexyl)-4H-cyclopenta[2,1-b;3,4-b']dithiophene)-alt-4,7-(2,1,3-benzothiadiazole)]), PFO-DBT(poly[2,7-(9,9-dioctyl-fluorene)-alt-5,5-(4,7-di 2-thienyl-2,1,3-benzothiadiazole)]), PTB7(Poly[[4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-2,6-diyl][3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl]]), PSiF-DBT(Poly[2,7-(9,9-dioctyl-dibenzosilole)-alt-4,7-bis(thiophen-2-yl)benzo-2,1,3-thiadiazole])로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 물질을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 전자받개 물질은 플러렌 유도체 또는 비플러렌 유도체일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 플러렌 유도체는 C60 내지 C90의 플러렌 유도체이다. 구체적으로, 상기 플러렌 유도체는 C60 플러렌 유도체 또는 C70 플러렌 유도체일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 C60 플러렌 유도체 또는 C70 플러렌 유도체는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 인접한 2개의 치환기는 축합고리를 형성하는 치환기로 추가로 치환될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 플러렌 유도체는 C76 플러렌 유도체, C78 플러렌 유도체, C84 플러렌 유도체 및 C90 플러렌 유도체로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 C76 플러렌 유도체, C78 플러렌 유도체, C84 플러렌 유도체 및 C90 플러렌 유도체는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 인접한 2개의 치환기는 축합고리를 형성하는 치환기로 추가로 치환될 수 있다.
상기 플러렌 유도체는 비 플러렌유도체에 비하여, 전자-정공 쌍(exciton, electron- hole pair)을 분리하는 능력과 전하 이동도가 우수해 효율 특성에 유리하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 광활성층은 전자주개 물질 및 전자받개 물질이 벌크헤테로 정션(BHJ: bulk heterojunction)을 형성할 수 있다. 본 명세서의 상기 광활성층은 상기 전자주개 물질 및 전자받개 물질이 혼합된 후에 특성을 최대화 시키기 위하여 30 ℃ 내지 300 ℃에서 1 초 내지 24 시간동안 어닐링할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 광활성층은 폴리 3-헥실 티오펜 [P3HT: poly 3-hexyl thiophene]을 전자주개 물질로 하고, [6,6]-페닐-C61-부틸산 메틸에스터 (PC61BM) 및/또는 [6,6]-페닐-C71-부틸산 메틸에스터 (PC71BM)를 전자받개 물질로 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실사상태에 있어서, 상기 전자주개 물질과 전자받개 물질의 질량비는 1: 0.4 내지 1: 2일 수 있으며, 구체적으로 1: 0.7일 수 있다. 다만 상기 광활성층은 위 물질에만 한정되는 것은 아니다.
상기와 같은 광활성 물질들은 유기 용매에 용해시킨 후 용액을 스핀 코팅 등의 방법으로 50 nm에서 280 nm 범위의 두께로 광활성층을 도입한다. 이때, 광활성층은 딥코팅, 스크린 프린팅, 스프레이 코팅, 닥터 블레이드, 브러쉬 페인팅 등의 방법을 응용할 수 있다.
또한, 상기 전자수용체는 PC61BM을 포함하여, C70, C76, C78, C80, C82, C84등의 다른 플러렌 유도체를 사용할 수도 있으며, 코팅된 박막은 80 ℃ ~ 160 ℃에서 열처리하여 전도성 고분자의 결정성을 높여주는 것이 좋다. 구체적으로, 본 명세서의 유기 태양 전지는 역방향(inverted) 구조이며, 이 경우 120 ℃로 어닐링 전처리(pre-annealing)를 할 수 있다.
본 명세서의 상기 정공수송층 및/또는 전자수송층 물질은 전자와 정공을 광활성층으로 효율적으로 전달시킴으로써, 생성되는 전하가 전극으로 이동되는 확률을 높이는 물질이 될 수 있으나, 특별히 제한되지는 않는다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 정공수송층은 애노드 버퍼층일 수 있다.
상기 전처리된 광활성층의 상부에는 정공수송층이 스핀 코팅, 딥 코팅, 잉크젯 프린팅, 그라비아 프린팅, 스프레이 코팅, 닥터 블레이드, 바 코팅, 그라비아 코팅, 브러쉬 페인팅, 열증착 등의 방법을 통해 도입될 수 있다. 이 경우, 주로 전도성 고분자 용액으로서 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜):폴리(4-스티렌설포네이트) [PEDOT:PSS]이 사용되며, 정공추출금속 산화물(hole-extracting metal oxides) 물질로는 몰리브덴 산화물(MoOx), 바나듐 산화물(V2O5), 니켈 산화물(NiO), 텅스텐 산화물(WOx) 등을 사용할 수 있다. 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 정공 수송층은 MoO3를 열증착 시스템을 통해 5 nm ~ 1 0 nm 의 두께로 형성될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 태양 전지는 기판을 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 기판은 제1 전극의 하부에 구비될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 기판은 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 기판을 사용할 수 있다. 구체적으로, 유리 기판, 박막유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 상기 플라스틱 기판은 PET(polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalate), PEEK(Polyether ether ketone) 및 PI(Polyimide) 등의 필름이 단층 또는 복층의 형태로 포함될 수 있다. 다만, 상기 기판은 이에 한정되지 않으며, 유기 태양 전지에 통상적으로 사용되는 기판을 사용할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 유기 태양 전지는 권취된 구조일 수 있다. 구체적으로, 상기 유기 태양 전지는 유연한 필름 형태로 제조가 가능하며, 이를 원통형으로 말아 속이 비어 있는 권취된 구조의 태양전지로 만들 수 있다. 상기 유기 태양 전지가 권취된 구조인 경우, 이를 지면에 세워 놓는 방식으로 설치할 수 있다. 이 경우, 상기 유기 태양 전지를 설치한 위치의 태양이 동쪽에서 서쪽으로 이동하는 동안, 빛의 입사각이 최대가 되는 부분을 확보할 수 있다. 따라서, 태양이 떠 있는 동안 최대한 많은 빛을 흡수하여 효율을 높일 수 있는 이점이 있다.
본 명세서는 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 광활성층 및 크라운형 치환기를 갖는 플러렌 유도체를 포함하는 층을 포함하는 2층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 전술한 유기 태양 전지의 제조 방법을 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층을 형성하는 단계는 광활성층 물질 및 플러렌 유도체를 포함하는 층 물질을 포함하는 조성물을 코팅하는 단계를 포함하고,
상기 광활성층 및 상기 플러렌층은 상기 광활성층 물질과 상기 플러렌 유도체를 포함하는 층 물질의 상분리로 인하여, 동시에 형성된다.
유기 태양 전지의 공정에 있어서, 광활성층과 제1 전극 또는 제2 전극 사이에 구비되는 버퍼층을 제조하는 경우에 버퍼층은 두께가 얇아 공정 상에서 버퍼층의 두께를 조절하거나, 균일하게 제조하는 것이 용이하지 않았다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 크라운형 치환기를 포함하는 플러렌 유도체를 포함하는 층 물질은 광활성층 물질과 혼합되어 광활성층 제조시에 함께 코팅될 수 있다.
이 경우에 플러렌 유도체를 포함하는 층 물질은 자가상분리 유닛 즉, 크라운형 치환기를 포함하고 있어, 광활성층/플러렌 유도체를 포함하는 층의 이중층을 형성할 수 있다. 상기 플러렌 유도체를 포함하는 층은 버퍼층으로서 유기 태양 전지에서 작용하므로, 버퍼층의 제조하는 별도의 공정 없이 단일 공정으로 광활성층과 플러렌 유도체를 포함하는 층의 이중층을 형성할 수 있다.
이 경우에, 광활성층 물질과 플러렌 유도체를 포함하는 층의 물질의 혼합 용액에서 플러렌 유도체를 포함하는 층 물질의 양을 조절하여, 플러렌 유도체를 포함하는 층의 두께를 조절할 수 있으며, 균일한 층을 형성할 수 있다.
또한, 플러렌 유도체를 포함하는 층의 농도 및/또는 플러렌 유도체에 치환되는 치환기를 조절하여, 광활성층의 제1 전극과 가까운 일면에 구비되거나, 광활성층의 제2 전극과 가까운 일면에 구비되도록 조절할 수 있어 버퍼층으로서 역할을 하는 플러렌 유도체를 포함하는 층의 위치를 조절할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 광활성층 물질의 전자 주개 물질과 플러렌 유도체를 포함하는 층 물질의 비율은 0.01 wt% 내지 0.2 wt%이다. 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 광활성층 물질의 전자 주개 물질과 플러렌 유도체를 포함하는 층 물질의 비율은 0.05 wt% 내지 0.1 wt%이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 태양 전지에서 플러렌 유도체를 포함하는 층, 제1 전극, 제2 전극, 광활성층, 플러렌 유도체를 포함하는 층, 플러렌 유도체 및 크라운형 치환기는 전술한 바와 동일하다.
본 명세서에 있어서, 상기 광활성층 및 플러렌 유도체를 포함하는 층을 포함하는 2층 이상의 유기물층을 형성하는 단계를 제외하고, 일반적으로 사용되는 방법을 사용할 수 있다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
제조예 1. 화학식 2-2-1의 제조
Figure PCTKR2015004404-appb-I000027
1g의 PCBM을 80ml의 클로로벤젠에 넣고 180도에서 1시간 가량 환류반응 시켰다. 8ml의 염산과 20ml의 초산을 첨가한 후 180도에서 16시간 동안 환류반응 시켰다. PCBM이 없어졌는지를 TLC로 확인한 후 용매가 30ml정도 남을 때까지 농축시켰다. 메탄올로 침전해 얻은 고체시료인 PCBA는 필터해 건조시켰다. (yield=89%)
건조된 PCBA 120mg을 5ml가량의 o-디클로로벤젠에 넣고 0 도에서 0.067 ml의 히드록시메틸 12-C-4 (hydroxymethyl 12-C-4), 33mg의 4-디메틸아미노피리딘 (4-Dimethylaminopyridine), 51.4mg의 1-에틸-3-(3-디메틸아미노프로필)카보디이미드 (EDCI;1-Ethyl-3-(3-dimethylaminopropyl)carbodiimide)를 첨가하였다. 0 도에서 실온으로 온도를 서서히 올려주며 12시간 동안 교반시켰다. 반응이 종결되면 컬럼으로 정제해 원하는 화합물을 얻었다. (yield=10%)
도 3은 상기 제조된 화학식 2-2-1의 플러렌 유도체의 MS 그래프를 나타낸 도이다.
유기 태양 전지의 제조예.
ITO 글라스를 아세톤(Aceton) 및 에탄올에 각각 30분씩 초음파 처리(sonication)를 해 세척하였다. 세척 후 UVO를 이용해 15분간 표면처리하고, 표면 처리한 ITO glass 위에 PEDOT:PSS 코팅한 후 200℃에서 5분간 열처리하였다. 열처리 한 후1:0.7의 비율로 섞은 P3HT:PCBM 용액을 코팅해 220nm 정도의 박막을 형성한 후 110℃에서 10분간 열처리하였다. 1x10-7torr 에서 Al 전극을 100nm 증착하였다.
[실시예 1]
상기 유기 태양 전지의 제조예에서 P3HT:PCBM 용액에 상기 제조예를 통해 제조된 화학식 2-2-1의 플러렌 유도체의 Li+이온 복합체를 상기 광활성층의 총 무게 대비 1%로 첨가한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 유기 태양 전지를 제조하였다.
[실시예 2]
상기 유기 태양 전지의 제조예에서 P3HT:PCBM 용액에 상기 제조예를 통해 제조된 화학식 2-2-1의 플러렌 유도체의 Li+이온 복합체를 상기 광활성층의 총 질량 대비 3%로 첨가한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 유기 태양 전지를 제조하였다.
[실시예 3]
상기 유기 태양 전지의 제조예에서 P3HT:PCBM 용액에 상기 제조예를 통해 제조된 화학식 2-2-1의 플러렌 유도체의 Li+이온 복합체를 상기 광활성층의 총 질량 대비 5%로 첨가한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 유기 태양 전지를 제조하였다.
[실시예 4]
상기 유기 태양 전지의 제조예에서 P3HT:PCBM 용액에 상기 제조예를 통해 제조된 화학식 2-2-1의 플러렌 유도체를 상기 광활성층의 총 질량 대비 1%로 첨가한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 유기 태양 전지를 제조하였다.
[비교예 1]
상기 유기 태양 전지의 제조예에서 LiF 를 1x10-7torr의 진공도에서 0.7nm 진공 증착하였으며, 진공 증착 후 1x10-7torr 에서 Al 전극을 100nm 증착하는 것을 제외하고 동일한 방법으로 유기 태양 전지를 제조하였다.
상기 실험예 및 비교예에 따라 제조된 유기태양전지의 광전 변환성을 하기 표 1에 나타내었다.
Voc (V) Jsc (mA/cm2) FF PCE (%)
비교예 1 0.608 9.48 0.575 3.31
실시예 1 0.610 9.60 0.578 3.38
실시예 2 0.618 10.10 0.591 3.69
실시예 3 0.626 10.55 0.608 4.02
실시예 4 0.615 9.98 0.589 3.62
본 명세서에서 Voc는 개방전압을, Jsc는 전류밀도 또는 단락전류를, FF는 충전율(Fill factor)를, PCE는 에너지 변환 효율을 의미한다. 개방전압과 단락전류는 각각 전압-전류 밀도 곡선의 4사분면에서 X축과 Y축 절편이며, 이 두 값이 높을수 록 태양전지의 효율은 바람직하게 높아진다. 또한, 충전율(Fill factor)는 곡선 내부에 그릴 수 있는 직사각형의 넓이를 단락전류와 개방전압의 곱으로 나눈 값이다. 이 세 가지 값을 조사된 빛의 세기로 나누면 에너지 변환 효율을 구할 수 있으며, 높은 값일수록 바람직하다.
상기 표 1의 비교예 및 실시예에 따른 유기태양전지의 물성을 비교하면, 상기 실시예 1 내지 4의 유기태양전지가 비교예 1 및 2에 비하여 높은 충전율 및/또는 효율을 나타내는 것을 알 수 있다.

Claims (12)

  1. 제1 전극;
    상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극;
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 광활성층; 및
    상기 광활성층과 접하여 구비되는 플러렌 유도체를 포함하는 층을 포함하고,
    상기 플러렌 유도체는 크라운형(Crown type) 치환기를 갖는 것인 유기 태양 전지.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 광활성층은 전자받개물질 및 전자주개물질로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 물질을 포함하는 광활성층 물질을 포함하고,
    상기 플러렌 유도체를 포함하는 층은 상기 광활성층 물질과 플러렌 유도체를 포함하는 층 물질의 상분리에 의하여 형성되는 것인 유기 태양 전지.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 플러렌 유도체를 포함하는 층은 하기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 플러렌 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2 종 이상의 플러렌 유도체를 포함하는 것인 유기 태양 전지:
    [화학식 1]
    Figure PCTKR2015004404-appb-I000028
    [화학식 2]
    Figure PCTKR2015004404-appb-I000029
    [화학식 3]
    Figure PCTKR2015004404-appb-I000030
    화학식 1 내지 3에 있어서,
    Cn은 C60 내지 C120의 플러렌이고,
    m 및 n은 각각 0 내지 3의 정수이며,
    x, y 및 z는 각각 1 내지 10의 정수이고,
    R1 및 R2 중 적어도 하나는 -(L)a-(Y)이며,
    a는 0 내지 4의 정수이고,
    a가 2 이상인 경우, 2 이상의 L은 서로 동일하거나 상이하며,
    L은 치환 또는 비치환된 2가의 에스터기; 치환 또는 비치환된 2 가의 싸이오에스터기; 치환 또는 비치환된 2가의 싸이오노에스터기; 2가의 케톤기; 2가의 싸이온기; 2가의 카보닐기; 치환 또는 비치환된 알킬렌기; 치환 또는 비치환된 알케닐렌기; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 2가의 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
    Y는 크라운형 치환기이며,
    Cy는 치환 또는 비치환된 단환 또는 다환의 방향족 탄화수소 고리; 또는 치환 또는 비치환된 단환 또는 다환의 헤테로 고리이며,
    R1 및 R2 중 -(L)a-(Y)이 아닌 기는 서로 같거나 상이하고, 각각 수소; 할로겐기; 카복실산기; 니트로기; 니트릴기; 이미드기; 아미드기; 이민기; 싸이오이미드; 안하이드라이드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 에스터기; 치환 또는 비치환된 싸이오에스터기; 치환 또는 비치환된 싸이오노에스터기; 치환 또는 비치환된 카보닐기; 치환 또는 비치환된 싸이온기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고, 화학식 3에서 R1과 R2는 서로 결합하여 단환 또는 다환의 고리를 형성할 수 있고,
    r은 0 내지 2의 정수이며,
    s는 0 내지 30의 정수이고,
    r 및 s가 각각 2 이상인 경우 괄호 안의 구조는 서로 동일하거나 상이하고,
    화학식 1 내지 3은 수소; 할로겐기; 카복실산기; 니트로기; 니트릴기; 이미드기; 아미드기; 이민기; 싸이오이미드; 안하이드라이드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 에스터기; 치환 또는 비치환된 싸이오에스터기; 치환 또는 비치환된 싸이오노에스터기;치환 또는 비치환된 카보닐기; 치환 또는 비치환된 싸이온기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기로 추가로 치환 또는 비치환될 수 있다.
  4. 청구항 3에 있어서,
    Y는 하기 구조로 표시되는 것인 유기 태양 전지:
    Figure PCTKR2015004404-appb-I000031
    상기 구조에 있어서,
    l은 괄호 내 구조의 반복수로 1 내지 3의 정수이고,
    l이 2 이상인 경우, 2 이상의 괄호 내의 구조는 서로 동일하거나 상이하며,
    X1 내지 X4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 O, S 또는 NR 이고,
    R 및 R3 내지 R18은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 할로겐기; 카복실산기; 니트로기; 니트릴기; 이미드기; 아미드기; 이민기; 싸이오이미드; 안하이드라이드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 에스터기; 치환 또는 비치환된 싸이오에스터기; 치환 또는 비치환된 싸이오노에스터기; 치환 또는 비치환된 카보닐기; 치환 또는 비치환된 싸이온기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접하는 치환기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 형성하며,
    상기 R3 내지 R18 중 어느 하나는 -(L)a-와 연결된다.
  5. 청구항 3 에 있어서,
    상기 L은 치환 또는 비치환된 2 가의 에스터기; 치환 또는 비치환된 알킬렌기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기인 것인 유기 태양 전지.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 크라운형 치환기의 중심에 구비된 이온성 기를 더 포함하는 것인 유기 태양 전지.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 광활성층 및 플러렌 유도체를 포함하는 층의 계면에서 크라운형 치환기를 갖는 플러렌 유도체의 함량은 1 중량% 내지 15 중량%인 것인 유기 태양 전지.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 전극은 캐소드이고, 상기 제2 전극은 애노드인 인버티드 구조인 것인 유기 태양 전지.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 전극은 애노드이고, 상기 제2 전극은 캐소드인 노말 구조인 것인 유기 태양 전지.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기 태양 전지는 정공주입층, 정공수송층, 정공차단층, 전하발생층, 전자차단층, 전자주입층 및 전자수송층으로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 유기물층을 더 포함하는 것인 유기 태양 전지.
  11. 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 광활성층 및 크라운형 치환기를 갖는 플러렌 유도체를 포함하는 층을 포함하는 2층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 청구항 1 내지 10 중 어느 한 항에 따른 유기 태양 전지의 제조 방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 유기물층을 형성하는 단계는 광활성층 물질 및 플러렌 유도체를 포함하는 층 물질을 포함하는 조성물을 코팅하는 단계를 포함하고,
    상기 광활성층 및 상기 플러렌층은 상기 광활성층 물질과 상기 플러렌 유도체를 포함하는 층 물질의 상분리로 인하여, 동시에 형성되는 것인 유기 태양 전지의 제조 방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019506752A (ja) * 2016-03-11 2019-03-07 エルジー・ケム・リミテッド 有機太陽電池およびこの製造方法
CN110178239A (zh) * 2017-06-23 2019-08-27 株式会社Lg化学 有机太阳能电池

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105085937B (zh) * 2015-07-20 2018-03-30 深圳市华星光电技术有限公司 富勒烯/pedot:pss混合溶液的制备方法及具有富勒烯/pedot:pss复合透明导电膜的基板的制备方法
KR102159624B1 (ko) * 2017-05-11 2020-09-24 주식회사 엘지화학 광활성층 및 이를 포함하는 유기태양전지
KR102130193B1 (ko) * 2017-06-27 2020-07-03 주식회사 엘지화학 유기 태양 전지
CN107516711A (zh) * 2017-08-09 2017-12-26 上海幂方电子科技有限公司 一种柔性太阳能电池的快速制备方法
KR102250385B1 (ko) * 2017-10-18 2021-05-11 주식회사 엘지화학 유기 광 다이오드 및 이를 포함하는 유기 이미지 센서
JP7102525B2 (ja) 2018-11-29 2022-07-19 コステックシス カンパニー リミテッド 入出力回路が内蔵された電力増幅器用パッケージの製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101059783B1 (ko) * 2009-01-29 2011-08-26 한국화학연구원 플러렌 유도체를 함유한 유기박막트랜지스터
KR20120003672A (ko) * 2010-07-05 2012-01-11 고려대학교 산학협력단 염료감응 태양전지용 고분자 전해질
JP2012162506A (ja) * 2011-02-09 2012-08-30 Mitsubishi Chemicals Corp フラーレン誘導体並びにその溶液及びその膜
US20130074920A1 (en) * 2011-09-23 2013-03-28 Board Of Regents, The University Of Texas System Photo-Switchable Fullerene-Based Materials as Interfacial Layers in Organic Photovoltaics
JP2013203881A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Toshiba Corp 有機半導体およびそれを用いた太陽電池

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5635404A (en) * 1993-03-29 1997-06-03 New York University Applications of electrospray ionization mass spectrometry to neutral organic molecules including fullerenes
WO2003090285A1 (en) * 2002-04-16 2003-10-30 The Regent Of The University Of California High-performance and low-cost plastic solar cells
EP1861881B1 (en) * 2005-03-21 2017-09-06 Merck Patent GmbH Polymer photovoltaic cell
JP5296354B2 (ja) * 2007-09-11 2013-09-25 株式会社ワン・ステーション ロタキサン、及びその製造方法
JP5524982B2 (ja) 2009-01-29 2014-06-18 コリア リサーチ インスティチュート オブ ケミカル テクノロジー フラーレン誘導体及びこれを含む有機電子デバイス
JP5511250B2 (ja) * 2009-07-24 2014-06-04 地方独立行政法人 大阪市立工業研究所 メタノフラーレン誘導体及びそれを用いた光電変換素子
US8975511B2 (en) * 2011-02-15 2015-03-10 Xerox Corporation Photovoltaic device
JP2012230992A (ja) * 2011-04-26 2012-11-22 Sumitomo Chemical Co Ltd マルチ接合構造光電変換素子およびその製造方法
KR20130027284A (ko) * 2011-09-07 2013-03-15 한국과학기술원 플러렌 유도체의 제조 방법, 이에 의하여 제조된 플러렌 유도체, 및 이를 포함하는 유기 태양 전지
TWI480309B (zh) * 2011-12-06 2015-04-11 Nat Univ Tsing Hua 具有電洞阻擋功能的高分子與接枝有電子注入／傳遞功能的金屬離子鑲嵌入冠醚側鏈之共軛高分子之複合材料及其於ｏｌｅｄ及有機太陽能電池的用途
KR101787539B1 (ko) 2012-05-29 2017-10-18 광주과학기술원 아민기를 갖는 비공액 고분자를 포함하는 유기전자소자용 기능층 및 이를 포함하는 유기전자소자
KR20130137889A (ko) 2012-06-08 2013-12-18 삼성전자주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
CN102827149B (zh) * 2012-09-06 2014-10-01 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 富勒烯单大环多胺衍生物中间体及其制备方法
TWI602777B (zh) * 2013-05-07 2017-10-21 Ｌｇ化學股份有限公司 含富勒烯（ｆｕｌｌｅｒｅｎｅ）衍生物之有機電子裝置
CN104779351B (zh) * 2015-03-31 2017-08-25 浙江大学 富勒烯冠醚衍生物及其在太阳能电池中的应用

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101059783B1 (ko) * 2009-01-29 2011-08-26 한국화학연구원 플러렌 유도체를 함유한 유기박막트랜지스터
KR20120003672A (ko) * 2010-07-05 2012-01-11 고려대학교 산학협력단 염료감응 태양전지용 고분자 전해질
JP2012162506A (ja) * 2011-02-09 2012-08-30 Mitsubishi Chemicals Corp フラーレン誘導体並びにその溶液及びその膜
US20130074920A1 (en) * 2011-09-23 2013-03-28 Board Of Regents, The University Of Texas System Photo-Switchable Fullerene-Based Materials as Interfacial Layers in Organic Photovoltaics
JP2013203881A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Toshiba Corp 有機半導体およびそれを用いた太陽電池

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3139420A4 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019506752A (ja) * 2016-03-11 2019-03-07 エルジー・ケム・リミテッド 有機太陽電池およびこの製造方法
CN110178239A (zh) * 2017-06-23 2019-08-27 株式会社Lg化学 有机太阳能电池
CN110178239B (zh) * 2017-06-23 2023-06-20 株式会社Lg化学 有机太阳能电池

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Publication number Publication date
CN106463628B (zh) 2018-11-09
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JP2017516299A (ja) 2017-06-15
KR101666745B1 (ko) 2016-10-14
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CN106463628A (zh) 2017-02-22
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US10439142B2 (en) 2019-10-08

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