WO2015170657A1 - エレクトロルミネッセンス装置、及び製造方法 - Google Patents

エレクトロルミネッセンス装置、及び製造方法 Download PDF

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WO2015170657A1
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sealing
film
organic
sealing film
substrate
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平瀬剛
岡本哲也
妹尾亨
園田通
藤原聖士
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Definitions

  • the present invention relates to an electroluminescence device having an EL (electroluminescence) element, and a manufacturing method thereof.
  • flat panel displays have been used in various products and fields, and further flat panel displays are required to have larger sizes, higher image quality, and lower power consumption.
  • an organic EL display device equipped with an organic EL (electroluminescence) element using electroluminescence of an organic material is an all-solid-state type, can be driven at a low voltage, has high-speed response, and self-emission.
  • an organic EL display device equipped with an organic EL (electroluminescence) element using electroluminescence of an organic material is an all-solid-state type, can be driven at a low voltage, has high-speed response, and self-emission.
  • a thin-film organic EL element is provided on a substrate on which a TFT (thin film transistor) is provided.
  • TFT thin film transistor
  • an organic EL layer including a light emitting layer is laminated between a pair of electrodes.
  • a TFT is connected to one of the pair of electrodes.
  • An image is displayed by applying a voltage between the pair of electrodes to cause the light emitting layer to emit light.
  • an organic EL element for example, as described in Patent Document 1 below, an organic EL element, a substrate on which the organic EL element is provided, and the substrate A sealing substrate is provided so as to face each other.
  • the organic EL element can be sealed by providing a frame-shaped glass frit between the substrate and the sealing substrate so as to surround the organic EL element.
  • an object of the present invention is to provide an electroluminescence device that is inexpensive and easy to manufacture and has excellent barrier properties, and a method for manufacturing the same.
  • an electroluminescence device is an electroluminescence device including a substrate and an electroluminescence element provided on the substrate, A sealing layer for sealing the electroluminescence element;
  • the sealing layer is provided with at least first, second, and third sealing films sequentially stacked from the electroluminescent element side,
  • the first and third sealing films are composed of inorganic films,
  • the second sealing film is composed of an octamethylcyclotetrasiloxane film.
  • the sealing layer for sealing the electroluminescence element in the sealing layer for sealing the electroluminescence element, at least first, second, and third sealing films sequentially stacked from the electroluminescence element side are provided. ing.
  • the first and third sealing films are made of an inorganic film
  • the second sealing film is made of an octamethylcyclotetrasiloxane film.
  • the fourth and fifth sealing films are sequentially stacked on the third sealing film in the sealing layer,
  • the fourth sealing film is composed of an octamethylcyclotetrasiloxane film,
  • the fifth sealing film may be composed of an inorganic film.
  • the barrier property with respect to the electroluminescence element can be easily increased, and an electroluminescence device with more excellent barrier property can be configured.
  • a counter substrate facing the substrate; You may provide the frame-shaped sealing material which encloses the said electroluminescent element between the said board
  • a filler layer is provided between the substrate, the counter substrate, and the sealing material.
  • the barrier property against the electroluminescence element can be further enhanced.
  • the octamethylcyclotetrasiloxane film preferably has a thickness of 50 nm or more.
  • a plurality of inorganic films can be easily provided on the octamethylcyclotetrasiloxane film, and as a result, the barrier property against the electroluminescence element can be easily increased, and the octamethylcyclotetrasiloxane film can be formed. It becomes easy to function as a planarizing film, and an inorganic film can be easily laminated.
  • the thickness of the octamethylcyclotetrasiloxane film is larger than the thickness of the first sealing film.
  • the octamethylcyclotetrasiloxane film can suppress the influence of the step, and the barrier Can be easily improved.
  • the thickness of the first sealing film is the smallest in the sealing layer.
  • the first sealing film can reduce the stress due to the step, and the barrier Can be easily improved.
  • the manufacturing method of the electroluminescence device of the present invention is a manufacturing method of an electroluminescence device including a substrate and an electroluminescence element provided on the substrate, A first sealing film forming step of forming a first sealing film, which is formed of an inorganic film, is provided on the electroluminescent element, and seals the electroluminescent element; A second sealing film forming step of forming a second sealing film, which is formed of an octamethylcyclotetrasiloxane film, is provided on the first sealing film, and seals the electroluminescence element; , A third sealing film forming step of forming a third sealing film, which is formed of an inorganic film, and is provided on the second sealing film to seal the electroluminescent element. It is characterized by.
  • the first sealing film formed of the inorganic film is provided on the electroluminescence element.
  • the second sealing film made of the octamethylcyclotetrasiloxane film is provided on the first sealing film
  • the first sealing film made of the inorganic film is made of octamethylcyclotetrasiloxane. It is provided on the membrane.
  • the first and third sealing films may be formed using a sputtering method or a CVD method.
  • the first and third sealing films can be formed accurately and easily.
  • the second sealing film may be formed using a CVD method.
  • the second sealing film can be formed accurately and easily.
  • the first, second, and third sealing film forming steps use first, second, and third masks, respectively.
  • the first, second, and third masks are provided with first, second, and third openings for forming first, second, and third sealing films, respectively.
  • the openings are preferably enlarged in this order.
  • the first to third sealing films can be formed appropriately and easily.
  • an electroluminescence device that is inexpensive and easy to manufacture and has excellent barrier properties, and a manufacturing method thereof.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a cross section of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining main manufacturing steps of the organic EL display device, and FIGS. 2A to 2D show a series of main manufacturing steps.
  • FIG. 3 is a flowchart showing main manufacturing steps of the organic EL display device.
  • FIGS. 4A to 4C are views for explaining masks used in the first to third sealing film forming steps shown in FIG. 3, respectively.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a cross section of an organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining a main manufacturing process of the organic EL display device shown in FIG. 5.
  • FIGS. 5 is a cross-sectional view showing a cross section of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6A to 6B are diagrams after the manufacturing process shown in FIG. A series of main manufacturing steps to be performed is described.
  • FIG. 7 is a flowchart showing main manufacturing steps of the organic EL display device shown in FIG.
  • FIGS. 8A to 8B are diagrams for explaining masks used in the fourth to fifth sealing film forming steps shown in FIG. 7, respectively.
  • FIG. 9 is a sectional view showing a section of an organic EL display device according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a diagram for explaining the main manufacturing process of the organic EL display device shown in FIG. 9.
  • FIGS. 10 (a) to 10 (b) are diagrams after the manufacturing process shown in FIG. 2 (d). A series of main manufacturing steps to be performed is described.
  • FIG. 11 is a flowchart showing main manufacturing steps of the organic EL display device shown in FIG.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a cross section of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention.
  • an organic EL display device 1 according to the present embodiment includes a TFT substrate 2 as a substrate and an organic EL element 4 as an electroluminescence element provided on the TFT substrate 2.
  • the organic EL element 4 forms a rectangular pixel area PA having a plurality of pixels (including a plurality of subpixels). It is sealed by the sealing layer 14.
  • the pixel area PA constitutes the display unit of the organic EL display device 1 and displays information. That is, in the pixel area PA, a plurality of pixels (a plurality of subpixels) are arranged in a matrix, and the organic EL element 4 emits light for each subpixel to display information.
  • the TFT substrate 2 is made of, for example, a glass material or a film having flexibility (flexibility).
  • the TFT substrate 2 is provided with a base film (insulating film) 6 so as to cover the entire surface thereof.
  • a TFT (thin film transistor) 7 is provided on the base film 6 for each subpixel of the pixel region PA.
  • wirings 8 including a plurality of source lines (signal lines) and a plurality of gate lines provided in a matrix are formed.
  • a source driver and a gate driver are respectively connected to the source line and the gate line (not shown), and the TFT 7 for each sub-pixel is driven in accordance with an image signal input from the outside.
  • the TFT 7 functions as a switching element that controls light emission of the corresponding sub-pixel, and any one of red (R), green (G), and blue (B) formed by the organic EL element 4 is used. The light emission in the color sub-pixel is controlled.
  • the base film 6 is for preventing the characteristics of the TFT 7 from deteriorating due to impurity diffusion from the TFT substrate 2 to the TFT 7. If there is no concern about such deterioration, the base film 6 may be omitted. it can.
  • an interlayer insulating film 9, an edge cover 10, and a first electrode 11 of the organic EL element 4 are formed on the TFT substrate 2.
  • the interlayer insulating film 9 also functions as a planarizing film, and is provided on the base film 6 so as to cover the TFT 7 and the wiring 8.
  • the edge cover 10 is formed on the interlayer insulating film 9 so as to cover the pattern end of the first electrode 11.
  • the edge cover 10 also functions as an insulating layer for preventing a short circuit between the first electrode 11 and a second electrode 13 described later.
  • the first electrode 11 is connected to the TFT 7 through a contact hole formed in the interlayer insulating film 9.
  • the opening of the edge cover 10, that is, the portion where the first electrode 11 is exposed substantially constitutes the light emitting region of the organic EL element 4, and emits one of RGB color lights as described above.
  • the organic EL display device 1 of the present embodiment is configured so that full color display can be performed.
  • the organic EL display device 1 of the present embodiment constitutes an active matrix display device having TFTs (thin film transistors) 7.
  • an organic EL layer 12 and a second electrode 13 are formed on the first electrode 11, and the first electrode 11, the organic EL layer 12, and the second electrode 13
  • the organic EL element 4 is configured. That is, the organic EL element 4 is a light emitting element that can emit light with high luminance by, for example, low-voltage direct current driving, and includes a first electrode 11, an organic EL layer 12, and a second electrode 13.
  • the organic EL layer 12 when the first electrode 11 is an anode, the organic EL layer 12 includes a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like from the first electrode 11 side. Laminated (not shown), and further, a second electrode 13 as a cathode is formed. In addition to this description, a single layer may have two or more functions such as a hole injection layer / hole transport layer. In the organic EL layer 12, a carrier blocking layer or the like may be appropriately inserted.
  • the layer order in the organic EL layer 12 is reversed from the above.
  • the organic EL display device 1 is a bottom emission type in which light is emitted from the TFT substrate 2 side. . That is, in the bottom emission type organic EL display device 1, the surface of the first electrode 11 on the TFT substrate 2 side constitutes a substantial light emitting surface of the organic EL element 4, and emits light to the outside. ing.
  • the organic EL display device 1 is a top emission type that emits light from the sealing film 14. Become. That is, in the top emission type organic EL display device 1, the surface of the first electrode 11 on the sealing layer 14 side constitutes a substantial light emitting surface of the organic EL element 4 and emits light to the outside. It has become.
  • the organic EL element 4 is sealed by the sealing layer 14, and moisture, oxygen, or the like permeates (enters) from the outside by the sealing layer 14. ) To prevent the organic EL element 4 from deteriorating.
  • the sealing layer 14 is configured by a plurality of, for example, three sealing films.
  • the sealing layer 14 includes a first sealing film 14 a provided on the organic EL element 4 and a second sealing film provided on the first sealing film 14 a. 14b and a third sealing film 14c provided on the second sealing film 14b.
  • the first sealing film 14a is made of an inorganic film such as SiN, SiON, or Al 2 O 3 .
  • the second sealing film 14b is composed of an octamethylcyclotetrasiloxane (OMCTS) film.
  • OCTS octamethylcyclotetrasiloxane
  • the third sealing film 14a is made of an inorganic film such as SiN, SiON, or Al 2 O 3 , similarly to the first sealing film 14a.
  • the film thickness of the first sealing film 14 a is the smallest in the sealing layer 14.
  • the film thickness of the second sealing film 14b (that is, the film thickness of the octamethylcyclotetrasiloxane film) is larger than the film thickness of the first sealing film 14a.
  • the film thickness of the second sealing film 14b is set to, for example, 50 nm or more, preferably 10 ⁇ m or less.
  • a plurality of inorganic films can be easily provided on the second sealing film 14b, and as a result, the barrier property against the organic EL element 4 can be easily increased.
  • the second sealing film 14b can easily function as a planarizing film, and an inorganic film can be easily stacked.
  • the film thickness of the 2nd sealing film 14b is less than 50 nm, it becomes difficult to make the said 2nd sealing film 14b function as a planarization film
  • the thickness of the second sealing film 14b is larger than 10 ⁇ m, it is difficult to easily provide a plurality of inorganic films on the second sealing film 14b.
  • the first sealing film 14a is made of Al 2 O 3 with a film thickness of, for example, 10 nm.
  • the second sealing film 14b is formed with a film thickness of, for example, 50 nm.
  • the third sealing film 14c is made of SiN with a film thickness of 50 nm, for example.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining main manufacturing steps of the organic EL display device, and FIGS. 2 (a) to 2 (d) show a series of main manufacturing steps.
  • FIG. 3 is a flowchart showing main manufacturing steps of the organic EL display device.
  • FIGS. 4A to 4C are views for explaining masks used in the first to third sealing film forming steps shown in FIG. 3, respectively.
  • the organic EL element 4 is formed on the TFT substrate 2. Thereafter, the first sealing film forming process, the second sealing film forming process, and the third sealing film forming process shown in steps S1 to S3 in FIG. A sealing layer 14 for sealing the organic EL element 4 is provided on the organic EL element 4.
  • the first sealing film forming step is performed.
  • the first sealing film 14a is formed so as to cover the organic EL element 4 by using, for example, sputtering or CVD, and the first sealing film 14a can be formed accurately and easily.
  • the first mask M1 having the first opening M1a is used, and the first sealing film 14a is formed through the first opening M1a. A material for this is supplied onto the organic EL element 4.
  • a second sealing film forming step is performed.
  • the second sealing film 14b is formed so as to cover the first sealing film 14a by using, for example, a CVD method such as a high-frequency plasma CVD method.
  • the second sealing film 14b can be formed accurately and easily.
  • the second mask M2 having the second opening M2a is used, and the second sealing film 14b is formed through the second opening M2a. A material for this purpose is supplied onto the first sealing film 14a.
  • a third sealing film forming step is performed.
  • the third sealing film 14c is formed so as to cover the second sealing film 14b by using, for example, a sputtering method or a CVD method.
  • the sealing film 14c can be formed accurately and easily.
  • the third mask M3 having the third opening M3a is used, and the third sealing film 14c is formed through the third opening M3a. A material for this purpose is supplied onto the second sealing film 14b.
  • the openings M1a to M3a are enlarged in this order.
  • the first to third sealing films 14a to 14c can be formed appropriately and easily.
  • the first, Second and third sealing films 14a, 14b, and 14c are provided in the sealing layer 14 that seals the organic EL element (electroluminescence element) 4.
  • the first and third sealing films 14a and 14c are made of an inorganic film
  • the second sealing film 14b is made of an octamethylcyclotetrasiloxane film.
  • the second sealing film 14b made of a film can suppress pinholes, cracks, etc. generated in the first sealing film 14a and interface peeling of the first sealing film 14a. A decrease in barrier properties can be prevented.
  • the first to third sealing films 14a to 14c of the sealing layer 14 are formed without using a laser. Therefore, the TFT provided with the organic EL element 4
  • the sealing layer 14 can be formed on the substrate 2 in a state where adverse effects due to heat are suppressed.
  • the thickness of the second sealing film (octamethylcyclotetrasiloxane film) 14b is 50 nm or more, a plurality of inorganic films can be easily formed on the second sealing film 14b.
  • the barrier property to the organic EL element 4 can be easily enhanced, and the second sealing film 14b can easily function as a planarizing film, and an inorganic film is easily laminated. Is possible.
  • the film thickness of the second sealing film 14b is larger than the film thickness of the first sealing film 14a, the TFT substrate (substrate) that exists below the first sealing film 14a. ) Even if there is an uneven step on the surface on the second side, the influence of the step can be suppressed by the second sealing film 14b, and the barrier property can be easily improved.
  • the thickness of the first sealing film 14a is the smallest in the sealing layer 14, the surface on the TFT substrate 2 side present below the first sealing film 14a. Even if the uneven step is formed on the surface, the first sealing film 14a can reduce the stress due to the step and can easily improve the barrier property.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a cross section of an organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
  • the main difference between the present embodiment and the first embodiment is that a fourth sealing film composed of an octamethylcyclotetrasiloxane film on the third sealing film, and an inorganic film.
  • the fifth sealing film thus configured is provided sequentially.
  • symbol is attached
  • the fourth sealing film 14d is provided so as to cover the third sealing film 14c, and the fifth sealing film 14e is formed. It is provided so as to cover the fourth sealing film 14d.
  • the fourth sealing film 14d is composed of an octamethylcyclotetrasiloxane film, like the second sealing film 14b. Further, the film thickness of the fourth sealing film 14d is, for example, 50 nm, like the second sealing film 14b.
  • the fifth sealing film 14e is made of an inorganic film such as SiN, SiON, or Al 2 O 3 . The film thickness of the fifth sealing film 14e is, for example, 50 nm, like the third sealing film 14c.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining a main manufacturing process of the organic EL display device shown in FIG. 5.
  • FIGS. 6A to 6B are diagrams after the manufacturing process shown in FIG. A series of main manufacturing steps to be performed is described.
  • FIG. 7 is a flowchart showing main manufacturing steps of the organic EL display device shown in FIG.
  • FIGS. 8A to 8B are diagrams for explaining masks used in the fourth to fifth sealing film forming steps shown in FIG. 7, respectively.
  • the fourth sealing film formation shown in steps S4 and S5 in FIG. is sequentially performed, and the sealing layer 14 for sealing the organic EL element 4 is provided on the organic EL element 4.
  • the fourth sealing film forming step is performed.
  • the fourth sealing film 14d is formed so as to cover the third sealing film 14c by using a CVD method such as a high-frequency plasma CVD method.
  • the fourth sealing film 14d can be formed accurately and easily.
  • the fourth mask M4 having the fourth opening M4a is used, and the fourth sealing film 14d is formed through the fourth opening M4a. A material for this purpose is supplied onto the third sealing film 14c.
  • a fifth sealing film forming step is performed.
  • the fifth sealing film 14e is formed so as to cover the fourth sealing film 14d by using, for example, a sputtering method or a CVD method.
  • the sealing film 14e can be formed accurately and easily.
  • the fifth mask M5 having the third opening M5a is used, and the fifth sealing film 14e is formed through the fifth opening M5a. A material for this purpose is supplied onto the fourth sealing film 14d.
  • the openings M4a and M5a are enlarged in this order.
  • the opening M4a has a larger opening than the opening M3a of the third mask M3 shown in FIG.
  • the first to fifth sealing films 14a to 14e can be appropriately and easily formed.
  • the present embodiment can achieve the same operations and effects as the first embodiment.
  • the fourth and fifth sealing films 14d and 14e are sequentially stacked on the third sealing film 13c.
  • the fourth sealing film 14d is composed of an octamethylcyclotetrasiloxane film
  • the fifth sealing film 14e is composed of an inorganic film.
  • FIG. 9 is a sectional view showing a section of an organic EL display device according to the third embodiment of the present invention.
  • the main difference between this embodiment and the first embodiment is that on the organic EL element side, the organic EL element is disposed between the counter substrate facing the TFT substrate and between the TFT substrate and the counter substrate. This is the point of providing a frame-shaped sealing material to be sealed.
  • symbol is attached
  • the organic EL element 4 includes a TFT substrate 2, a counter substrate 3 provided so as to face the TFT substrate 2, and a TFT substrate 2.
  • a frame-shaped sealing material 5 provided between the substrate 3 and the substrate 3 is enclosed.
  • the counter substrate 3 is provided with a color filter 17 on the surface on the organic EL element 4 side so as to improve the light emission characteristics such as the light emission quality of each of the RGB sub-pixels.
  • the sealing material 5 is composed of, for example, a resin such as an epoxy resin in which a spacer that defines a cell gap between the TFT substrate 2 and the counter substrate 3 and inorganic particles are dispersed, as shown in FIG. As described above, the sealing material 5 is formed in a frame shape around the pixel area PA. Moreover, in the sealing material 5, moisture permeability can be further reduced by dispersing inorganic particles.
  • the filler layer 16 is provided so as to cover the organic EL element 4 between the TFT substrate 2, the counter substrate 3, and the sealing material 5.
  • a metal oxide such as aluminum hydroxide or calcium oxide or activated carbon dispersed in a resin is used.
  • FIG. 10 is a diagram for explaining the main manufacturing process of the organic EL display device shown in FIG. 9.
  • FIGS. 10 (a) to 10 (b) are diagrams after the manufacturing process shown in FIG. 2 (d). A series of main manufacturing steps to be performed is described.
  • FIG. 11 is a flowchart showing main manufacturing steps of the organic EL display device shown in FIG.
  • the organic EL element 4 and the sealing layer 14 are formed on the TFT substrate 2.
  • the sealing material 5 ′ is provided in a frame shape so as to surround the organic EL element 4, and the filler layer 16 ′ is placed on the sealing layer 14.
  • the color filter 17 is formed on the surface of the organic EL element 4 side.
  • step S6 of FIG. 11 a bonding process for bonding the TFT substrate 2 and the counter substrate 3 is performed.
  • the TFT substrate 2 is bonded to the counter substrate 3 in a vacuum atmosphere (for example, 100 Pa or less).
  • a vacuum atmosphere for example, 100 Pa or less.
  • the present embodiment can achieve the same operations and effects as the first embodiment.
  • the counter substrate 3 facing the TFT substrate 2 and the frame-shaped sealing material 5 enclosing the organic EL element 4 between the TFT substrate 2 and the counter substrate 3 are provided. It has. Thereby, in this embodiment, deterioration of the organic EL element 4 can be prevented more reliably.
  • the filler layer 16 is provided between the TFT substrate 2, the counter substrate 3, and the sealing material 5, the barrier property against the organic EL element 4 can be further improved.
  • an organic EL element is used as an electroluminescence element.
  • the present invention is not limited to this, and for example, an inorganic EL element having an inorganic compound may be used.
  • the present invention includes a substrate, an electrical element provided on the substrate, and a sealing layer for sealing the electrical element, and the sealing layer includes first, first, and second layers sequentially stacked from the electrical element side. 2 and the third sealing film are provided, the first and third sealing films are made of an inorganic film, and the second sealing film is made of an octamethylcyclotetrasiloxane film. There is no limitation as long as it is.
  • the present invention is applied to an active matrix type organic EL display device having a TFT (thin film transistor) 7 .
  • TFT thin film transistor
  • the present invention is not limited to this, and a passive device without a thin film transistor is provided.
  • the present invention can also be applied to a matrix type organic EL display device.
  • the present invention is not limited to this, and can be applied to an illumination device such as a backlight device.
  • first and third embodiments a configuration in which the first to third sealing films are provided in the sealing layer will be described.
  • the first to third sealing films are provided in the sealing layer.
  • the structure provided with the fifth sealing film has been described.
  • the present invention is not limited to this, and a first sealing film composed of an inorganic film is formed on the electric element (organic EL element), and the first sealing film is formed on the first sealing film.
  • a second sealing film made of an octamethylcyclotetrasiloxane film is formed, and a sealing film in which at least a third sealing film made of an inorganic film is provided on the second sealing film. Any material having a stop layer may be used.
  • the present invention is useful for an electroluminescence device that is inexpensive and has an excellent barrier property that is easy to manufacture, and a method for manufacturing the same.
  • Organic EL display device TFT substrate (substrate) 3 Counter substrate 4 Organic EL device (electroluminescence device) 5 sealing material 14 sealing layer 14a first sealing film 14b second sealing film 14c third sealing film 14d fourth sealing film 14e fifth sealing film 16 filler layer M1 first Mask M2 second mask M3 third mask

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Abstract

　ＴＦＴ基板（基板）（２）と、ＴＦＴ基板（２）上に設けられた有機ＥＬ素子（エレクトロルミネッセンス素子）（４）を具備した有機ＥＬ表示装置（エレクトロルミネッセンス装置）（１）において、有機ＥＬ素子（４）を封止する封止層（１４）を備えている。封止層（１４）には、有機ＥＬ素子（４）側から順次積層された第１、第２、及び第３の封止膜（１４ａ）、（１４ｂ）、及び（１４ｃ）が設けられ、第１及び第３の封止膜（１４ａ）及び（１４ｃ）は、無機膜によって構成され、第２の封止膜（１４ｂ）は、オクタメチルシクロテトラシロキサン膜によって構成されている。

Description

エレクトロルミネッセンス装置、及び製造方法
　本発明は、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を有するエレクトロルミネッセンス装置、及びその製造方法に関する。
　近年、様々な商品や分野でフラットパネルディスプレイが活用されており、フラットパネルディスプレイのさらなる大型化、高画質化、低消費電力化が求められている。
　そのような状況下、有機材料の電界発光（Electro Luminescence）を利用した有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を備えた有機ＥＬ表示装置は、全固体型で、低電圧駆動可能、高速応答性、自発光性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとして、高い注目を浴びている。
　例えばアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置では、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が設けられた基板上に薄膜状の有機ＥＬ素子が設けられている。有機ＥＬ素子では、一対の電極の間に発光層を含む有機ＥＬ層が積層されている。一対の電極の一方にＴＦＴが接続されている。そして、一対の電極間に電圧を印加して発光層を発光させることにより画像表示が行われる。
　また、上記のような従来の有機ＥＬ表示装置では、水分や酸素による有機ＥＬ素子の劣化を防止するために、当該有機ＥＬ素子を封止することが提案されている。
　具体的にいえば、上記のような従来の有機ＥＬ表示装置では、例えば下記特許文献１に記載されているように、有機ＥＬ素子と、この有機ＥＬ素子が設けられた基板と、この基板に対向するように封止基板とが設けられている。そして、この従来の有機ＥＬ表示装置では、基板と封止基板との間に、有機ＥＬ素子を囲むように枠状のガラスフリットを設けることにより、有機ＥＬ素子を封止可能とされていた。
特開２００７－２００８９０号公報
　しかしながら、上記のような従来の有機ＥＬ表示装置（エレクトロルミネッセンス装置）では、有機ＥＬ素子のバリア性を高めるために、レーザーを用いて、ガラスフリットを設置していたので、製造プロセスが複雑になるとともに、製造歩留まりが低下して、コストアップを招くという問題点を生じた。
　上記の課題を鑑み、本発明は、コスト安価で、製造簡単なバリア性に優れたエレクトロルミネッセンス装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。
　上記の目的を達成するために、本発明にかかるエレクトロルミネッセンス装置は、基板と、前記基板上に設けられたエレクトロルミネッセンス素子を備えたエレクトロルミネッセンス装置であって、
　前記エレクトロルミネッセンス素子を封止する封止層を備え、
　前記封止層には、前記エレクトロルミネッセンス素子側から順次積層された第１、第２、及び第３の封止膜が少なくとも設けられ、
　前記第１及び第３の封止膜は、無機膜によって構成され、
　前記第２の封止膜は、オクタメチルシクロテトラシロキサン膜によって構成されていることを特徴とするものである。
　上記のように構成されたエレクトロルミネッセンス装置では、エレクトロルミネッセンス素子を封止する封止層において、エレクトロルミネッセンス素子側から順次積層された第１、第２、及び第３の封止膜が少なくとも設けられている。また、第１及び第３の封止膜は、無機膜によって構成されるとともに、第２の封止膜は、オクタメチルシクロテトラシロキサン膜によって構成されている。これにより、上記従来例と異なり、コスト安価で、製造簡単なバリア性に優れたエレクトロルミネッセンス装置を構成することができる。
　また、上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記封止層において、第３の封止膜上に、第４及び第５の封止膜が順次積層され、
　前記第４の封止膜は、オクタメチルシクロテトラシロキサン膜によって構成され、
　前記第５の封止膜は、無機膜によって構成されてもよい。
　この場合、エレクトロルミネッセンス素子に対するバリア性を容易に高めることができ、よりバリア性に優れたエレクトロルミネッセンス装置を構成することができる。
　また、上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記エレクトロルミネッセンス素子側で、前記基板に対向する対向基板と、
　前記基板と前記対向基板との間で、前記エレクトロルミネッセンス素子を封入する枠状のシール材を備えてもよい。
　この場合、エレクトロルミネッセンス素子の劣化をより確実に防止することができる。
　また、上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記基板、前記対向基板、及び前記シール材の間には、充填材層が設けられていることが好ましい。
　この場合、エレクトロルミネッセンス素子に対するバリア性をさらに高めることができる。
　また、上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記オクタメチルシクロテトラシロキサン膜の膜厚は、５０ｎｍ以上であることが好ましい。
　この場合、当該オクタメチルシクロテトラシロキサン膜上に複数の無機膜を容易に設けることができ、ひいてはエレクトロルミネッセンス素子に対するバリア性を容易に高めることが可能となるとともに、当該オクタメチルシクロテトラシロキサン膜を平坦化膜として機能させ易くなって無機膜を容易に積層することが可能となる。
　また、上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記オクタメチルシクロテトラシロキサン膜の膜厚は、前記第１の封止膜の膜厚よりも大きいことが好ましい。
　この場合、第１の封止膜の下方に存在する基板側の表面に凹凸状の段差が生じていたとしても、オクタメチルシクロテトラシロキサン膜により、その段差の影響を抑制することができ、バリア性を容易に向上させることができる。
　また、上記エレクトロルミネッセンス装置では、前記封止層において、前記第１の封止膜の膜厚が、最も小さくされていることが好ましい。
　この場合、第１の封止膜の下方に存在する基板側の表面に凹凸状の段差が生じていたとしても、当該第１の封止膜により、段差による応力を小さくすることができ、バリア性を容易に向上させることができる。
　また、本発明のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、基板と、前記基板上に設けられたエレクトロルミネッセンス素子を備えたエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
　無機膜によって構成するとともに、前記エレクトロルミネッセンス素子上に設けて、当該エレクトロルミネッセンス素子を封止する、第１の封止膜を形成する第１の封止膜形成工程と、
　オクタメチルシクロテトラシロキサン膜によって構成するとともに、前記第１の封止膜上に設けて、前記エレクトロルミネッセンス素子を封止する、第２の封止膜を形成する第２の封止膜形成工程と、
　無機膜によって構成するとともに、前記第２の封止膜上に設けて、前記エレクトロルミネッセンス素子を封止する、第３の封止膜を形成する第３の封止膜形成工程とを具備することを特徴とするものである。
　上記のように構成されたエレクトロルミネッセンス装置の製造方法では、無機膜によって構成された第１の封止膜がエレクトロルミネッセンス素子上に設けられている。また、オクタメチルシクロテトラシロキサン膜によって構成された第２の封止膜が、第１の封止膜上に設けられ、無機膜によって構成された第１の封止膜が、オクタメチルシクロテトラシロキサン膜上に設けられている。これにより、上記従来例と異なり、コスト安価で、製造簡単なバリア性に優れたエレクトロルミネッセンス装置を構成することができる。
　また、上記エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記第１及び第３の封止膜は、スパッタ法またはＣＶＤ法を用いて、形成されてもよい。
　この場合、第１及び第３の封止膜を精度よく、かつ、容易に形成することができる。
　また、上記エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記第２の封止膜は、ＣＶＤ法を用いて、形成されてもよい。
　この場合、第２の封止膜を精度よく、かつ、容易に形成することができる。
　また、上記エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記第１、第２、及び第３の封止膜形成工程では、第１、第２、及び第３のマスクがそれぞれ用いられるとともに、
　前記第１、第２、及び第３のマスクには、それぞれ第１、第２、及び第３の封止膜を形成するための第１、第２、及び第３の開口部が設けられ、かつ、
　前記第１、第２、及び第３の開口部では、この順番で開口が大きくされていることが好ましい。
　この場合、第１～第３の各封止膜を適切に、かつ、容易に形成することができる。
　本発明によれば、コスト安価で、製造簡単なバリア性に優れたエレクトロルミネッセンス装置、及びその製造方法を提供することが可能となる。
図１は、本発明の第１の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の断面を示す断面図である。 図２は、上記有機ＥＬ表示装置の主な製造工程を説明する図であり、図２（ａ）～図２（ｄ）は、一連の主な製造工程を説明している。 図３は、上記有機ＥＬ表示装置の主な製造工程を示すフローチャートである。 図４（ａ）～図４（ｃ）は、それぞれ図３に示した第１～第３の封止膜形成工程で用いられるマスクを説明する図である。 図５は、本発明の第２の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の断面を示す断面図である。 図６は、図５に示した有機ＥＬ表示装置の主な製造工程を説明する図であり、図６（ａ）～図６（ｂ）は、図２（ｄ）に示した製造工程の後に行われる一連の主な製造工程を説明している。 図７は、図５に示した有機ＥＬ表示装置の主な製造工程を示すフローチャートである。 図８（ａ）～図８（ｂ）は、それぞれ図７に示した第４～第５の封止膜形成工程で用いられるマスクを説明する図である。 図９は、本発明の第３の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の断面を示す断面図である。 図１０は、図９に示した有機ＥＬ表示装置の主な製造工程を説明する図であり、図１０（ａ）～図１０（ｂ）は、図２（ｄ）に示した製造工程の後に行われる一連の主な製造工程を説明している。 図１１は、図９に示した有機ＥＬ表示装置の主な製造工程を示すフローチャートである。
　以下、本発明のエレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法を示す好ましい実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明では、本発明を有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例示して説明する。また、各図中の構成部材の寸法は、実際の構成部材の寸法及び各構成部材の寸法比率等を忠実に表したものではない。
　［第１の実施形態］
　図１は、本発明の第１の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の断面を示す断面図である。図１において、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、基板としてのＴＦＴ基板２、及びこのＴＦＴ基板２上に設けられたエレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence）素子としての有機ＥＬ素子４を備えている。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、有機ＥＬ素子４が複数の画素（複数の副画素を含む。）を有する矩形状の画素領域ＰＡを構成しており、この有機ＥＬ素子４は封止層１４によって封止されている。また、上記画素領域ＰＡは、有機ＥＬ表示装置１の表示部を構成しており、情報表示を行うようになっている。すなわち、この画素領域ＰＡでは、複数の画素（複数の副画素）がマトリクス状に配置されており、有機ＥＬ素子４が副画素毎に発光することにより、情報表示を行うよう構成されている。
　また、図１において、ＴＦＴ基板２は、例えばガラス材、またはフレキシブル性（屈曲性）を有するフィルムなどにより、構成されている。また、ＴＦＴ基板２には、その全面を覆うように下地膜（絶縁膜）６が設けられている。また、図１に例示するように、有機ＥＬ表示装置１の発光領域では、下地膜６上に、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）７が画素領域ＰＡの副画素毎に設けられている。また、下地膜６上には、マトリクス状に設けられた複数のソース線（信号線）及び複数のゲート線を含んだ配線８が形成されている。ソース線及びゲート線には、それぞれソースドライバ及びゲートドライバが接続されており（図示せず）、外部から入力された画像信号に応じて、副画素毎のＴＦＴ７を駆動するようになっている。また、ＴＦＴ７は、対応する副画素の発光を制御するスイッチング素子として機能するものであり、有機ＥＬ素子４によって構成された赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）のいずれかの色の副画素での発光を制御するようになっている。
　なお、下地膜６は、ＴＦＴ基板２からＴＦＴ７への不純物拡散によりＴＦＴ７の特性が劣化するのを防止するためのものであり、そのような劣化が懸念されないのであれば、設置を省略することができる。
　また、図１に示すように、ＴＦＴ基板２上には、層間絶縁膜９、エッジカバー１０、及び有機ＥＬ素子４の第一電極１１が形成されている。層間絶縁膜９は、平坦化膜としても機能するものであり、ＴＦＴ７及び配線８を覆うように下地膜６上に設けられている。エッジカバー１０は、層間絶縁膜９上に、第一電極１１のパターン端部を被覆するように形成されている。また、エッジカバー１０は、第一電極１１と後述の第二電極１３との短絡を防止するための絶縁層としても機能するようになっている。また、第一電極１１は、層間絶縁膜９に形成されたコンタクトホールを介してＴＦＴ７に接続されている。
　また、エッジカバー１０の開口部、つまり第一電極１１が露出した部分が、有機ＥＬ素子４の発光領域を実質的に構成しており、上述したように、ＲＧＢのいずれかの色光を発光して、フルカラー表示が行えるように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は構成されている。また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）７を有するアクティブマトリクス型の表示装置を構成している。
　また、図１に示すように、第一電極１１上には、有機ＥＬ層１２及び第二電極１３が形成されており、これらの第一電極１１、有機ＥＬ層１２、及び第二電極１３により、有機ＥＬ素子４が構成されている。すなわち、有機ＥＬ素子４は、例えば低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第一電極１１、有機ＥＬ層１２、及び第二電極１３を備えている。
　具体的にいえば、第一電極１１が陽極である場合、第一電極１１側より、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等が有機ＥＬ層１２として積層され（図示せず）、さらに陰極としての第二電極１３が形成される。また、この説明以外に、正孔注入層兼正孔輸送層などのように、単一の層が２つ以上の機能を有する構成でもよい。また、有機ＥＬ層１２において、キャリアブロッキング層などを適宜挿入してもよい。
　一方、第二電極１３が陽極である場合には、有機ＥＬ層１２での層順が上述のものと逆転したものとなる。
　また、第一電極１１を透過電極あるいは半透過電極にて構成し、第二電極１３を反射電極にて構成した場合、有機ＥＬ表示装置１はＴＦＴ基板２側から光出射するボトムエミッション型となる。すなわち、このボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置１では、第一電極１１のＴＦＴ基板２側の表面が有機ＥＬ素子４の実質的な発光面を構成して、外部に光を出射するようになっている。
　逆に、第一電極１１を反射電極にて構成し、第二電極１３を透過電極あるいは半透過電極にて構成した場合、有機ＥＬ表示装置１は封止膜１４から光出射するトップエミッション型となる。すなわち、このトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置１では、第一電極１１の封止層１４側の表面が有機ＥＬ素子４の実質的な発光面を構成して、外部に光を出射するようになっている。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、上述したように、有機ＥＬ素子４は封止層１４によって封止されており、封止層１４によって、水分や酸素などが外部から浸透（浸入）するのを防いで、有機ＥＬ素子４の劣化するのを防止するように構成されている。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、封止層１４は、複数、例えば３つの封止膜によって構成されている。具体的にいえば、封止層１４には、有機ＥＬ素子４上に設けられた第１の封止膜１４ａと、この第１の封止膜１４ａ上に設けられた第２の封止膜１４ｂと、この第２の封止膜１４ｂ上に設けられた第３の封止膜１４ｃとが含まれている。
　第１の封止膜１４ａは、例えばＳｉＮ、ＳｉＯＮ、あるいはＡｌ2Ｏ3などの無機膜によって構成されている。また、第２の封止膜１４ｂは、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）膜によって構成されている。また、第３の封止膜１４ａは、第１の封止膜１４ａと同様に、例えばＳｉＮ、ＳｉＯＮ、あるいはＡｌ2Ｏ3などの無機膜によって構成されている。
　また、第１の封止膜１４ａの膜厚は、封止層１４において、最も小さくされている。また、第２の封止膜１４ｂの膜厚（つまり、オクタメチルシクロテトラシロキサン膜の膜厚）は、第１の封止膜１４ａの膜厚よりも大きくされている。
　さらに、第２の封止膜１４ｂの膜厚は、例えば５０ｎｍ以上、好ましくは１０μｍ以下に設定されている。これにより、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、第２の封止膜１４ｂに複数の無機膜を容易に設けることができ、ひいては有機ＥＬ素子４に対するバリア性を容易に高めることが可能となる。さらには、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、第２の封止膜１４ｂを平坦化膜として機能させ易くなって無機膜を容易に積層することが可能となる。
　なお、第２の封止膜１４ｂの膜厚を５０ｎｍ未満とした場合には、当該第２の封止膜１４ｂを平坦化膜として機能させ難くなり、無機膜を積層し難くなる。
　一方、第２の封止膜１４ｂの膜厚を１０μｍよりも大きくした場合には、当該第２の封止膜１４ｂ上に、複数の無機膜を容易に設けることが難しくなる。
　具体的にいえば、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１の封止層１４では、第１の封止膜１４ａが、例えば膜厚１０ｎｍで、Ａｌ2Ｏ3によって構成されている。また、第２の封止膜１４ｂが、例えば膜厚５０ｎｍで構成されている。また、第３の封止膜１４ｃが、例えば膜厚５０ｎｍで、ＳｉＮによって構成されている。
　次に、図２乃至図４を参照して、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１の製造工程について具体的に説明する。尚、以下の説明では、封止層１４の製造工程について主に説明する。
　図２は、上記有機ＥＬ表示装置の主な製造工程を説明する図であり、図２（ａ）～図２（ｄ）は、一連の主な製造工程を説明している。図３は、上記有機ＥＬ表示装置の主な製造工程を示すフローチャートである。図４（ａ）～図４（ｃ）は、それぞれ図３に示した第１～第３の封止膜形成工程で用いられるマスクを説明する図である。
　図２（ａ）に示すように、有機ＥＬ素子４が、ＴＦＴ基板２上に形成される。その後、図３にステップＳ１～Ｓ３にそれぞれ示す、第１の封止膜形成工程、第２の封止膜形成工程、及び第３の封止膜形成工程が順次行われて、有機ＥＬ素子４を封止する封止層１４が、当該有機ＥＬ素子４上に設けられる。
　つまり、図２（ｂ）に示すように、第１の封止膜形成工程が、行われる。この第１の封止膜形成工程では、例えばスパッタ法またはＣＶＤ法を用いて、第１の封止膜１４ａが、有機ＥＬ素子４を覆うように形成されており、当該第１の封止膜１４ａを精度よく、かつ、容易に形成することができるようになっている。また、この第１の封止膜形成工程では、第１の開口部Ｍ１ａを有する第１のマスクＭ１が、用いられており、第１の開口部Ｍ１ａを通して、第１の封止膜１４ａを形成するための材料が、有機ＥＬ素子４上に供給される。
　次に、図２（ｃ）に示すように、第２の封止膜形成工程が、行われる。この第２の封止膜形成工程では、例えば高周波プラズマＣＶＤ法などのＣＶＤ法を用いて、第２の封止膜１４ｂが、第１の封止膜１４ａを覆うように形成されており、当該第２の封止膜１４ｂを精度よく、かつ、容易に形成することができるようになっている。また、この第２の封止膜形成工程では、第２の開口部Ｍ２ａを有する第２のマスクＭ２が、用いられており、第２の開口部Ｍ２ａを通して、第２の封止膜１４ｂを形成するための材料が、第１の封止膜１４ａ上に供給される。
　続いて、図２（ｄ）に示すように、第３の封止膜形成工程が、行われる。この第３の封止膜形成工程では、例えばスパッタ法またはＣＶＤ法を用いて、第３の封止膜１４ｃが、第２の封止膜１４ｂを覆うように形成されており、当該第３の封止膜１４ｃを精度よく、かつ、容易に形成することができるようになっている。また、この第３の封止膜形成工程では、第３の開口部Ｍ３ａを有する第３のマスクＭ３が、用いられており、第３の開口部Ｍ３ａを通して、第３の封止膜１４ｃを形成するための材料が、第２の封止膜１４ｂ上に供給される。
　また、図４（ａ）乃至図４（ｃ）にそれぞれ示すように、上記第１～第３のマスクＭ１～Ｍ３では、その開口部Ｍ１ａ～Ｍ３ａがこの順番で開口が大きくされている。これにより、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、第１～第３の各封止膜１４ａ～１４ｃを適切に、かつ、容易に形成することができるようになっている。
　以上のように構成された本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、有機ＥＬ素子（エレクトロルミネッセンス素子）４を封止する封止層１４において、有機ＥＬ素子４側から順次積層された第１、第２、及び第３の封止膜１４ａ、１４ｂ、及び１４ｃが設けられている。また、第１及び第３の封止膜１４ａ及び１４ｃは、無機膜によって構成されるとともに、第２の封止膜１４ｂは、オクタメチルシクロテトラシロキサン膜によって構成されている。これにより、たとえ第１の封止膜１４ａにピンホールやクラックなどが生じていたり、当該第１の封止膜１４ａでの膜応力によって界面剥離が発生したりしたとしても、オクタメチルシクロテトラシロキサン膜からなる第２の封止膜１４ｂにより、第１の封止膜１４ａで生じたピンホールやクラックなどや第１の封止膜１４ａの界面剥離を抑制することができ、有機ＥＬ素子４に対するバリア性の低下を防ぐことができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、レーザーを用いることなく、封止層１４の第１～第３の各封止膜１４ａ～１４ｃを形成するので、有機ＥＬ素子４を設けたＴＦＴ基板２に対して、熱による悪影響を抑えた状態で封止層１４を形成することができる。これにより、本実施形態では、上記従来例と異なり、コスト安価で、製造簡単なバリア性に優れた有機ＥＬ表示装置１を構成することができる。
　また、本実施形態では、第２の封止膜（オクタメチルシクロテトラシロキサン膜）１４ｂの膜厚は、５０ｎｍ以上であるので、当該第２の封止膜１４ｂ上に複数の無機膜を容易に設けることができ、ひいては有機ＥＬ素子４に対するバリア性を容易に高めることが可能となるとともに、当該第２の封止膜１４ｂを平坦化膜として機能させ易くなって無機膜を容易に積層することが可能となる。
　また、本実施形態では、第２の封止膜１４ｂの膜厚は、第１の封止膜１４ａの膜厚よりも大きいので、第１の封止膜１４ａの下方に存在するＴＦＴ基板（基板）２側の表面に凹凸状の段差が生じていたとしても、第２の封止膜１４ｂにより、その段差の影響を抑制することができ、バリア性を容易に向上させることができる。
　また、本実施形態では、封止層１４において、第１の封止膜１４ａの膜厚が、最も小さくされているので、第１の封止膜１４ａの下方に存在するＴＦＴ基板２側の表面に凹凸状の段差が生じていたとしても、当該第１の封止膜１４ａにより、段差による応力を小さくすることができ、バリア性を容易に向上させることができる。
　［第２の実施形態］
　図５は、本発明の第２の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の断面を示す断面図である。
　図において、本実施形態と上記第１の実施形態との主な相違点は、第３の封止膜上に、オクタメチルシクロテトラシロキサン膜によって構成した第４の封止膜と、無機膜によって構成した第５の封止膜を順次設けた点である。なお、上記第１の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
　つまり、図５に示すように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、第４の封止膜１４ｄが第３の封止膜１４ｃを覆うように設けられ、第５の封止膜１４ｅが第４の封止膜１４ｄを覆うように設けられている。
　第４の封止膜１４ｄは、第２の封止膜１４ｂと同様に、オクタメチルシクロテトラシロキサン膜によって構成されている。また、この第４の封止膜１４ｄの膜厚は、第２の封止膜１４ｂと同様に、例えば５０ｎｍとされている。
また、第５の封止膜１４ｅは、第１及び第３の封止膜１４ａ及び１４ｃと同様に、例えばＳｉＮ、ＳｉＯＮ、あるいはＡｌ2Ｏ3などの無機膜によって構成されている。また、この第５の封止膜１４ｅの膜厚は、第３の封止膜１４ｃと同様に、例えば５０ｎｍとされている。
　次に、図６乃至図８を参照して、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１の製造工程について具体的に説明する。尚、以下の説明では、第４及び第５の封止膜１４ｄ及び１４ｅの製造工程について主に説明する。
　図６は、図５に示した有機ＥＬ表示装置の主な製造工程を説明する図であり、図６（ａ）～図６（ｂ）は、図２（ｄ）に示した製造工程の後に行われる一連の主な製造工程を説明している。図７は、図５に示した有機ＥＬ表示装置の主な製造工程を示すフローチャートである。図８（ａ）～図８（ｂ）は、それぞれ図７に示した第４～第５の封止膜形成工程で用いられるマスクを説明する図である。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、図２（ｄ）に示した第３の封止膜１４ｃの形成工程の後に、図７にステップＳ４及びＳ５にそれぞれ示す、第４の封止膜形成工程及び第５の封止膜形成工程が順次行われて、有機ＥＬ素子４を封止する封止層１４が、当該有機ＥＬ素子４上に設けられる。
　つまり、図６（ａ）に示すように、第４の封止膜形成工程が、行われる。この第４の封止膜形成工程では、例えば高周波プラズマＣＶＤ法などのＣＶＤ法を用いて、第４の封止膜１４ｄが、第３の封止膜１４ｃを覆うように形成されており、当該第４の封止膜１４ｄを精度よく、かつ、容易に形成することができるようになっている。また、この第４の封止膜形成工程では、第４の開口部Ｍ４ａを有する第４のマスクＭ４が、用いられており、第４の開口部Ｍ４ａを通して、第４の封止膜１４ｄを形成するための材料が、第３の封止膜１４ｃ上に供給される。
　続いて、図６（ｂ）に示すように、第５の封止膜形成工程が、行われる。この第５の封止膜形成工程では、例えばスパッタ法またはＣＶＤ法を用いて、第５の封止膜１４ｅが、第４の封止膜１４ｄを覆うように形成されており、当該第５の封止膜１４ｅを精度よく、かつ、容易に形成することができるようになっている。また、この第５の封止膜形成工程では、第３の開口部Ｍ５ａを有する第５のマスクＭ５が、用いられており、第５の開口部Ｍ５ａを通して、第５の封止膜１４ｅを形成するための材料が、第４の封止膜１４ｄ上に供給される。
　また、図８（ａ）及び図８（ｂ）にそれぞれ示すように、上記第４及び第５のマスクＭ４及びＭ５では、その開口部Ｍ４ａ及びＭ５ａがこの順番で開口が大きくされている。また、開口部Ｍ４ａは、図４（ｃ）に示した第３のマスクＭ３の開口部Ｍ３ａよりも開口が大きく構成されている。これにより、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、第１～第５の各封止膜１４ａ～１４ｅを適切に、かつ、容易に形成することができるようになっている。
　以上の構成により、本実施形態では、上記第１の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。また、本実施形態では、封止層１４において、第３の封止膜１３ｃ上に、第４及び第５の封止膜１４ｄ及び１４ｅが順次積層されている。また、第４の封止膜１４ｄは、オクタメチルシクロテトラシロキサン膜によって構成され、第５の封止膜１４ｅは、無機膜によって構成されている。これにより、本実施形態では、有機ＥＬ素子４に対するバリア性を容易に高めることができ、よりバリア性に優れた有機ＥＬ表示装置１を構成することができる。
　［第３の実施形態］
　図９は、本発明の第３の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の断面を示す断面図である。
　図において、本実施形態と上記第１の実施形態との主な相違点は、有機ＥＬ素子側で、ＴＦＴ基板に対向する対向基板と、ＴＦＴ基板と対向基板との間で、有機ＥＬ素子を封入する枠状のシール材を設けた点である。なお、上記第１の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
　すなわち、図９において、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、有機ＥＬ素子４は、ＴＦＴ基板２と、このＴＦＴ基板２に対向するように設けられた対向基板３と、ＴＦＴ基板２と対向基板３との間に設けられた枠状のシール材５とによって封入されている。
　また、対向基板３には、ＴＦＴ基板２と同様に、例えばガラス材、またはフレキシブル性（屈曲性）を有するフィルムなどが用いられている。また、この対向基板３では、その有機ＥＬ素子４側の表面にカラーフィルタ１７が、設けられており、上述のＲＧＢの各副画素の発光品位などの発光特性を向上させるようになっている。
　上記シール材５は、例えばエポキシ樹脂などの樹脂に、ＴＦＴ基板２と対向基板３との間のセルギャップを規定するスペーサ、および無機粒子が分散されたものより構成されており、図９に示したように、シール材５は、画素領域ＰＡの周囲に枠状に形成されている。また、シール材５では、無機粒子を分散させることで、透湿性をより低下させることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、充填材層１６が、ＴＦＴ基板２、対向基板３、及びシール材５の間で、有機ＥＬ素子４を覆うように設けられている。この充填材層１５には、例えば水酸化アルミニウムや酸化カルシウムなどの金属酸化物や活性炭が樹脂内に分散されたものが用いられている。
　次に、図１０及び図１１を参照して、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１の製造工程について具体的に説明する。尚、以下の説明では、ＴＦＴ基板２と対向基板３との貼り合せ工程について主に説明する。
　図１０は、図９に示した有機ＥＬ表示装置の主な製造工程を説明する図であり、図１０（ａ）～図１０（ｂ）は、図２（ｄ）に示した製造工程の後に行われる一連の主な製造工程を説明している。図１１は、図９に示した有機ＥＬ表示装置の主な製造工程を示すフローチャートである。
　図１０（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板２では、有機ＥＬ素子４及び封止層１４が当該ＴＦＴ基板２上に形成されている。また、ＴＦＴ基板２では、シール材５’が有機ＥＬ素子４を囲むように枠状に設けられるとともに、封止層１４上には充填材層１６’が載置されている。
　一方、対向基板３では、その有機ＥＬ素子４側の表面にカラーフィルタ１７が形成されている。
　そして、図１１のステップＳ６に示すように、ＴＦＴ基板２と対向基板３とを貼り合せる貼り合せ工程が行われる。この貼り合せ工程では、図１０（ｂ）に示すように、真空雰囲気下（例えば、１００Ｐａ以下）で、対向基板３に対して、ＴＦＴ基板２を貼り合せる。これにより、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１が、完成される。
　以上の構成により、本実施形態では、上記第１の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。
　また、本実施形態では、有機ＥＬ素子４側で、ＴＦＴ基板２に対向する対向基板３と、ＴＦＴ基板２と対向基板３との間で、有機ＥＬ素子４を封入する枠状のシール材５を備えている。これにより、本実施形態では、有機ＥＬ素子４の劣化をより確実に防止することができる。
　また、本実施形態では、ＴＦＴ基板２、対向基板３、及びシール材５の間には、充填材層１６が設けられているので、有機ＥＬ素子４に対するバリア性をさらに高めることができる。
　尚、上記の実施形態はすべて例示であって制限的なものではない。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって規定され、そこに記載された構成と均等の範囲内のすべての変更も本発明の技術的範囲に含まれる。
　例えば、上記の説明では、エレクトロルミネッセンス素子として有機ＥＬ素子を用いた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば無機化合物を有する無機ＥＬ素子を用いたものでもよい。
　さらに、本発明は、基板と、基板上に設けられた電気素子と、この電気素子を封止する封止層を備え、封止層には、電気素子側から順次積層された第１、第２、及び第３の封止膜が少なくとも設けられ、第１及び第３の封止膜は、無機膜によって構成され、かつ、第２の封止膜は、オクタメチルシクロテトラシロキサン膜によって構成されているものであれば何等限定されない。
　また、上記の説明では、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）７を有するアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置に適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、薄膜トランジスタが設けられていないパッシブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記の説明では、有機ＥＬ表示装置に適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばバックライト装置等の照明装置にも適用することができる。
　また、上記第１及び第３の実施形態では、封止層に、第１～第３の封止膜を設けた構成について説明し、第２の実施形態では、封止層に、第１～第５の封止膜を設けた構成について説明した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、電気素子（有機ＥＬ素子）上に対して、無機膜によって構成した第１の封止膜を形成し、この第１の封止膜上に対して、オクタメチルシクロテトラシロキサン膜によって構成した第２の封止膜を形成し、この第２の封止膜上に対して、無機膜によって構成した第３の封止膜を少なくとも設けた封止層を有するものであればよい。
　また、上記の説明以外に、上記第２及び第３の実施形態を適宜組み合わせたものでもよい。
　本発明は、コスト安価で、製造簡単なバリア性に優れたエレクトロルミネッセンス装置、及びその製造方法に対して有用である。
　１　有機ＥＬ表示装置
　２　ＴＦＴ基板（基板）
　３　対向基板
　４　有機ＥＬ素子（エレクトロルミネッセンス素子）
　５　シール材
　１４　封止層
　１４ａ　第１の封止膜
　１４ｂ　第２の封止膜
　１４ｃ　第３の封止膜
　１４ｄ　第４の封止膜
　１４ｅ　第５の封止膜
　１６　充填材層
　Ｍ１　第１のマスク
　Ｍ２　第２のマスク
　Ｍ３　第３のマスク

Claims (11)

  1. 　基板と、前記基板上に設けられたエレクトロルミネッセンス素子を備えたエレクトロルミネッセンス装置であって、
    　前記エレクトロルミネッセンス素子を封止する封止層を備え、
    　前記封止層には、前記エレクトロルミネッセンス素子側から順次積層された第１、第２、及び第３の封止膜が少なくとも設けられ、
    　前記第１及び第３の封止膜は、無機膜によって構成され、
    　前記第２の封止膜は、オクタメチルシクロテトラシロキサン膜によって構成されている、
    　ことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
  2. 　前記封止層において、第３の封止膜上に、第４及び第５の封止膜が順次積層され、
    　前記第４の封止膜は、オクタメチルシクロテトラシロキサン膜によって構成され、
    　前記第５の封止膜は、無機膜によって構成されている請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
  3. 　前記エレクトロルミネッセンス素子側で、前記基板に対向する対向基板と、
    　前記基板と前記対向基板との間で、前記エレクトロルミネッセンス素子を封入する枠状のシール材を備えている請求項１または２に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
  4. 　前記基板、前記対向基板、及び前記シール材の間には、充填材層が設けられている請求項３に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
  5. 　前記オクタメチルシクロテトラシロキサン膜の膜厚は、５０ｎｍ以上である請求項１～４のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
  6. 　前記オクタメチルシクロテトラシロキサン膜の膜厚は、前記第１の封止膜の膜厚よりも大きい請求項１～５のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
  7. 　前記封止層において、前記第１の封止膜の膜厚が、最も小さくされている請求項１～６のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
  8. 　基板と、前記基板上に設けられたエレクトロルミネッセンス素子を備えたエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
    　無機膜によって構成するとともに、前記エレクトロルミネッセンス素子上に設けて、当該エレクトロルミネッセンス素子を封止する、第１の封止膜を形成する第１の封止膜形成工程と、
    　オクタメチルシクロテトラシロキサン膜によって構成するとともに、前記第１の封止膜上に設けて、前記エレクトロルミネッセンス素子を封止する、第２の封止膜を形成する第２の封止膜形成工程と、
    　無機膜によって構成するとともに、前記第２の封止膜上に設けて、前記エレクトロルミネッセンス素子を封止する、第３の封止膜を形成する第３の封止膜形成工程と
    　を具備することを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
  9. 　前記第１及び第３の封止膜は、スパッタ法またはＣＶＤ法を用いて、形成されている請求項８に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
  10. 　前記第２の封止膜は、ＣＶＤ法を用いて、形成されている請求項８または９に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
  11. 　前記第１、第２、及び第３の封止膜形成工程では、第１、第２、及び第３のマスクがそれぞれ用いられるとともに、
    　前記第１、第２、及び第３のマスクには、それぞれ第１、第２、及び第３の封止膜を形成するための第１、第２、及び第３の開口部が設けられ、かつ、
    　前記第１、第２、及び第３の開口部では、この順番で開口が大きくされている請求項８～１０のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
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