WO2016102584A1 - Optoelektronische baugruppe und verfahren zum herstellen einer optoelektronischen baugruppe - Google Patents

Optoelektronische baugruppe und verfahren zum herstellen einer optoelektronischen baugruppe Download PDF

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WO2016102584A1
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layer
transparent
optoelectronic assembly
physical contact
electrode layer
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PCT/EP2015/081005
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English (en)
French (fr)
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Michael Popp
Johannes Rosenberger
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Osram Oled GmbH
Original Assignee
Osram Oled GmbH
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    • H10K50/80—Constructional details
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes

Definitions

  • the invention relates to an optoelectronic assembly and a method for producing an optoelectronic
  • a conventional organic optoelectronic assembly for example an OLED, has on a support an anode, an organically functional layer system on the anode and a cathode on the organic functional layer system.
  • the organically functional layer system has one or more emitter layer (s) with one
  • Optoelectronic assembly may be arranged in the so-called bottom-emitter structure, in which the cathode is formed of a highly reflective material and the light is emitted through a transparent anode and a transparent support.
  • Optoelectronic assembly be set up in the so-called top emitter construction, in which the anode is formed of a highly reflective material and the light is emitted through the transparent cathode.
  • the maximum reflectivity of such an electrode is at most 95%.
  • a thin film encapsulation layer which prevents the ingress of water and / or oxygen into the organic Optoelectronic assembly is set up and formed on the highly reflective cathode, on the cathode has a low adhesion and tends to delamination.
  • the thin film encapsulation layer has high adhesion to the cathode, so that the
  • Thin-film encapsulation layer delaminated by tensions together with the cathode.
  • the object of the invention is to provide a surface light source with an increased efficiency, for example, without causing delamination.
  • an optoelectronic assembly having a transparent electrode layer on a mirror structure.
  • Mirror structure is arranged in physical contact on a support.
  • the mirror structure has at least a first layer and a second layer.
  • the first layer is arranged in physical contact on the second layer.
  • the second layer comprises a metal or a metal alloy.
  • the first layer is electrically non-conductive and transparent to a light.
  • the electrode layer is a transparent to the light electrode layer.
  • the transparent electrode layer is arranged in physical contact on the first layer.
  • the mirror structure is to one
  • Reflecting is formed by at least a portion of the light, which is transmitted through the transparent electrode layer to the mirror structure.
  • Structures that are in physical contact with each other have a common interface.
  • the optoelectronic assembly may be formed in the so-called top emitter design, in which light is not emitted by the carrier, but the carrier
  • mirroring effect and power line of a conventional lower electrode of an optoelectronic assemblies in a mirror structure and a transparent electrode allows a highly reflective assembly side with a reflectivity for visible light, which is greater than the reflectivity of silver, for example, greater than 95%.
  • reflecting assembly side can be achieved in the entire visible range of the light spectrum. This allows independent optimization of reflectivity and
  • Power line characteristic for example, for large-scale, optoelectronic module structures.
  • the functional separation allows a reflective
  • the carrier is also editable analogously to conventional methods.
  • the mirror structure is also against environmental influences
  • the mirror structure can be formed as a barrier structure, for example, for an organic
  • Electrode layer with respect to a diffusion of a harmful substance in the organic functional layer structure from the side of the wearer In a conventional
  • the barrier effect of the mirror structure can be independent of the electrical Properties and the encapsulation properties of the
  • the barrier effect of the mirror structure can be determined, for example, by means of the number of layers, the thickness of the (partial) layers and the processes used to form the layer
  • the first layer is a stack of layers, i. a layer stack, however, is synonymously referred to as the first layer.
  • the first layer is a
  • Bragg mirror formed for at least a portion of visible light. This allows erasing at least one color region of the light. For example, by means of a Bragg mirror, off-states of color regions of the light can be set, the off-states being the
  • the first layer has at least a first partial layer and a second partial layer.
  • the first sub-layer is arranged in physical contact with the second sub-layer on the second sub-layer.
  • the first sub-layer is in physical contact with the transparent electrode layer. This allows to optimize the
  • the first layer has a
  • Layer sequence of the first part-layer and the second part-layer In the layer sequence, two or more stacks of the first partial layer and the second partial layer are stacked on top of each other. This allows deletion of at least one Color range of the light and / or optimizing the
  • the first layer has at least the first partial layer, the second partial layer and a third partial layer.
  • the second sub-layer is arranged in physical contact on the third sub-layer.
  • the first layer is formed as a single layer. This easily enables a functional separation of reflective effect at the common interface of first layer and second layer and the power line in the transparent
  • the common boundary surface of the first layer and the second layer is set up in the
  • the mirror structure has an optically functional structuring in the common interface of the first layer with the second layer.
  • the optically functional structuring is, for example, a microlens field, a scattering structure or an optical one
  • the second layer is in
  • the optoelectronic assembly is designed as a surface light source.
  • Optoelectronic assembly is for example as a
  • the optoelectronic assembly is an organic optoelectronic assembly.
  • the optoelectronic assembly further has a further transparent to the light electrode layer, which in physical and electrical contact on the
  • organically functional layered structure is arranged.
  • the transparent electrode layer, the organic functional layer structure, and the other transparent electrode layer are stacked over the mirror structure.
  • the object is achieved according to a further aspect of the invention by a method for producing a
  • Electrode layer is formed on a mirror structure.
  • the method comprises forming a mirror structure in physical contact on a support.
  • Mirror structure is formed with at least a first layer and a second layer.
  • the first layer is in formed physical contact on the second layer.
  • the second layer comprises or is formed from a metal or metal alloy.
  • the first layer is electrically non-conductive and transparent to a light or is formed.
  • the formation of the electrode layer is a formation of a transparent to the light
  • the transparent electrode layer is formed in physical contact on the first layer.
  • the mirror structure is formed to reflect at least a portion of the light transmitted through the transparent electrode layer to the mirror structure.
  • Power line allows fabrication of the mirror structure prior to forming sensitive structures on the
  • Electrode layer not necessary.
  • the optoelectronic assembly formed as a surface light source.
  • the optoelectronic assembly is formed, for example, as a general lighting or a display.
  • the method further comprises forming an organic functional layer structure.
  • the organically functional layer structure is formed in physical and electrical contact with the transparent electrode layer.
  • the method comprises forming a further, transparent to the light electrode layer.
  • the other, transparent electrode layer is formed in physical and electrical contact arranged on the organically functional layer structure.
  • FIG. 1 is a sectional view of a
  • Figures 2A and 2B are sectional views of a
  • Figure 3 is a sectional view of a
  • Figure 4 is a sectional view of a
  • Figure 5 is a sectional view of a
  • Figure 6 is a diagram of the reflectivity of optoelectronic assemblies of an embodiment
  • Figure 7 is a sectional view of a
  • FIG. 8 is a flowchart of a
  • An optoelectronic assembly may have one, two or more optoelectronic assemblies.
  • a Optoelectronic assembly also one, two or more
  • Component may have, for example, an active and / or a passive assembly.
  • a passive electronic assembly may for example have a computing, control and / or 'control unit and / or a transistor.
  • a passive electronic assembly may include, for example, a capacitor, a resistor, a diode or a coil.
  • An optoelectronic assembly may be or may comprise an electromagnetic radiation emitting assembly or an electromagnetic radiation absorbing assembly.
  • An electromagnetic radiation absorbing assembly may be, for example, a solar cell or a photodetector.
  • Be semiconductor device and / or as a
  • electromagnetic radiation emitting diode as a diode emitting organic electromagnetic radiation, as a transistor emitting electromagnetic radiation or as organic electromagnetic radiation
  • the radiation which is also referred to as light, may for example be light in the visible range, UV light and / or infrared light.
  • the electromagnetic radiation emitting assembly for example, as a light emitting diode (light emitting diode, LED) as organic
  • OLED light emitting diode
  • Then be formed light-emitting transistor.
  • light emitting assembly can be in different
  • Embodiments be part of an integrated circuit. Furthermore, a plurality of light-emitting
  • Assemblies may be provided, for example housed in a common housing.
  • the term "translucent” or “ translucent layer” can be understood in various embodiments that a layer is permeable to light
  • the light generated by the light emitting device for example one or more
  • Wavelength ranges for example, for light in one
  • Wavelength range of the visible light for example, at least in a partial region of the wavelength range of 380 nm to 780 nm.
  • the term "translucent layer” in various embodiments is to be understood to mean that substantially all of them are in one
  • Quantity of light is also coupled out of the structure (for example, layer), wherein a portion of the light can be scattered in this case
  • transparent * or transparent layer * can be understood in various embodiments that a layer is transparent to light
  • Wavelength range from 380 nm to 780 nm), wherein light coupled into a structure (for example a layer) is also coupled out of the structure (for example layer) substantially without scattering or light conversion,
  • FIO.l shows a sectional view of a
  • Embodiment of an optoelectronic assembly Embodiment of an optoelectronic assembly.
  • the optoelectronic assembly 100 has a mirror structure 104 on a carrier 102.
  • the mirror structure 104 has a first layer 116 and a second layer 114.
  • the second layer 114 is disposed on or above the carrier 102.
  • the first layer 116 is disposed on the second layer 114.
  • the second layer 114 is in one
  • the first layer 116 is electrically nonconductive and transparent to a light 124.
  • the first layer 116 is thus an electrical one
  • the second layer 114 comprises or is formed from a metal or a metal alloy.
  • a transparent to a light 124 electrode layer 106 is formed.
  • transparent electrode layer 106 may also be the first
  • Electrode layer are called.
  • the first layer 116 is in physical contact with the first one
  • Electrode layer 106 is arranged.
  • Scattering of the light 124 i. the reflectivity in the optoelectronic assembly 100 on the side of the carrier 102, regardless of the electrical properties of the first electrode layer 116 can be adjusted. This allows greater freedom of design in the design of the optoelectronic assembly 100.
  • the optoelectronic assembly 100 has an organically functional layer structure 108; another, transparent to the light
  • the further transparent electrode layer 110 may also be referred to as the second electrode layer.
  • the organic functional layer structure 106 is electrically conductive and electrically conductively coupled to the first Electrode layer 106 and the second electrode layer 110 is formed.
  • the first electrode layer 106, the organic functional layer structure 108 and the second electrode layer 110 form an electrically active region 118 of FIG.
  • Region 118 is configured to emit electromagnetic radiation from a provided electrical energy. Alternatively or additionally, the electrically active region 118 is for generating an electrical
  • the optoelectronic assembly 100 may as a
  • the optoelectronic assembly is formed, for example, to emit a light 126, wherein the light is generated in the organically functional layer structure 108.
  • a first portion 120 of the emitted light 126 is directly emanatable through the second electrode layer 110 and the encapsulation structure 112.
  • a second portion 124 of the emitted light 126 is indirectly or indirectly emanated by the second electrode layer 110 and the encapsulation structure 112, by the second part 124 first of the organically functional
  • Layer structure 108 is emitted in the direction of the carrier 102 and at the common interface 122 of the first
  • Encapsulation structure 112 deflected, scattered or
  • the carrier 102 is formed as a foil or a metal sheet. Alternatively or in addition the carrier 102 comprises or is formed from a glass or plastic.
  • the carrier 102 may be electrically conductive, for example as a metal foil or a glass or plastic carrier having a conductor structure.
  • the carrier 102 comprises glass, quartz, a ceramic and / or a
  • the carrier 102 comprises or is formed from a plastic film or a laminate with one or more plastic films.
  • the carrier 102 may be transparent with respect to that of the
  • Optoelectronic assembly 100 absorbed and / or emitted light 124th
  • the carrier 102 is configured as a foil or a metal sheet. Alternatively or additionally, the carrier 102 has at least one mechanically rigid, non-flexible region.
  • the carrier 102 is intransparent in at least one wavelength range of the visible light. In various developments, the carrier 102 is intransparent to visible light.
  • the mirror structure 104 is designed to reflect electromagnetic radiation 124.
  • the mirror structure 104 in various developments on optically functional layers or structures, for example in the common
  • the mirror structure 104 may, for example, for beam shaping of the emitted light 126 or for generating an angle-dependent off-state of the emitted light 126.
  • the mirror structure 104 may, for example
  • the mirror structure 104 can, for example, as the first layer 116, a dielectric layer or a dielectric
  • the mirror structure 104 as a barrier to chemical contaminants or
  • the mirror structure 104 is designed in such a way that it can not be penetrated by OLED-damaging substances such as water, oxygen or solvents, or at most only very small amounts.
  • the mirror structure 104 is formed substantially on the entire surface of one side of the carrier 102.
  • the optoelectronic assembly 100 has an optically active region and an optically inactive region with respect to a main emission direction of the emitted light 126 on the carrier 102.
  • the mirror structure 104 is in the optically active region
  • the optically inactive region is free of mirror structure 104.
  • the first layer 116 is completely or partially permeable to electromagnetic radiation of a first
  • Wavelength range of the light 124 Wavelength range of the light 124.
  • the first layer 116 is complete or
  • partially reflective designed for electromagnetic radiation of a second wavelength range of the light 124, for example as a partially transparent mirror structure 104, for example as a dichroic mirror.
  • Semitransparent first layer 116 is, for example, a splitter mirror and / or a disposable mirror.
  • the first layer 116 may include a first portion of it reflect incident electromagnetic radiation 124. A second part of the incident electromagnetic
  • Radiation 124 passes through the partially transmissive first layer 116 and is reflected at the common interface 122.
  • the first layer 116 or the individual sub-layers of the first layer 116, as described in more detail in the following figures, may be made according to various embodiments
  • the first layer 116 (or the individual partial layers of the first layer 116) may be made of a translucent or transparent material (or a
  • the first layer 116 or the individual partial layers of the first layer 116 are formed according to various development as an electrically non-conductive layer / s.
  • the first layer 116 (or the individual sub-layers of the first layer 116) is / are formed of a dielectric material (or combination of materials that is electrically nonconductive).
  • the first layer 116 may be formed as a single layer (in other words, as a single layer), for example illustrated in FIG. In other words, in various developments, the first layer 116 is formed as a single layer.
  • the first layer 116 may have a plurality of partial layers formed on one another. In other words: in different
  • the first layer 116 is formed as a stack of layers (stack), as illustrated in more detail in FIG. 3 to FIG. 6, for example.
  • the first layer 116 is a Bragg mirror for at least a portion of
  • first layer 116 As a
  • Dichroic mirror for at least part of
  • the first layer 116 or at least one sub-layer of the first layer can according to a development of a
  • Layer thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm for example, a layer thickness of about 10 nm to about 100 nm according to a development, for example, about 40 nm according to a development.
  • all partial layers can have the same layer thickness.
  • Partial layers of the first layer 116 different
  • Partial layers one or more of the partial layers of the first layer 116 comprise or be formed from one of the following materials: aluminum oxide, zinc oxide,
  • Silicon oxynitride indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, and mixtures and alloys
  • the first layer 116 or (in the case of a layer stack having a plurality of sub-layers) one or more of the sub-layers of the first layer 116, one or more high refractive index materials, in other words, one or more high refractive index materials, for example having a refractive index of at least 2.
  • the second layer 114 is formed in physical contact on the carrier 102.
  • the carrier 102 and the second layer 114 differ in at least one
  • Property for example, the materials from which they are formed.
  • the common interface 122 may be in different
  • Interface 122 of first layer 116 and second layer 114 is configured to reflect substantially all of the light 124 that is transmitted through the first layer 116 to the second layer 114.
  • the mirror structure 104 has an optically functional structuring in the interface 122 of the first layer 116 with the second layer 114, for example a microlens field, a scattering structure or an optical grating. In various developments is the first
  • Electrode layer 106 is formed transparent to the emitted and / or absorbed by the organic functional layer structure 108 light 124. In various developments, the first
  • Electrode layer 106 is a transparent electrically
  • the first electrode layer 106 comprises or is formed from an electrically conductive polymer or an electrically conductive polymer mixture.
  • Electrode layer 106 made of a metal or a
  • Metal alloy formed and has a layer thickness to less than about 100 nm.
  • the first electrode layer 106 has an electrical
  • conductive material such as a metal
  • the first electrode layer 106 comprises a transparent conductive oxide of one of the following materials: for example metal oxides: for example zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide or indium tin oxide (ITO).
  • the first electrode layer has a layer thickness in the range from a monolayer to 500 nm, for example from less than 25 nm to 250 nm,
  • the organic functional layer structure 108 is for emitting a light from one provided
  • the organic functional layer structure 108 is configured to generate an electrical energy from an absorbed light.
  • Layer structure 108 has a hole injection layer, a hole transport layer, an emitter layer, a
  • the layers of the organic functional layer structure 108 are arranged between the electrode layers 106, 110 such that in operation electrical charge carriers from the first
  • Electrode layer 110 can flow, and vice versa.
  • the second electrode layer 110 is transparent with respect to the light 126 emitted and / or absorbed by the organic functional layer structure 108.
  • the first electrode layer 106 and the second electrode 106 are identical to each other.
  • Electrode layer 110 may be the same or different.
  • the second electrode layer 110 is an anode, ie a hole-injecting electrode layer
  • the electrically active region 118 is hermetically sealed by means of the encapsulation structure 112 with respect to an inward diffusion of at least one substance which is harmful to the electrically active region 118, for example water, sulfur, oxygen and / or their compound.
  • a hermetically water and / or oxygen-tight encapsulation structure 112 is one in the
  • a hermetically sealed structure may have a diffusion rate with respect to water and / or oxygen of less than about 10 g / (md), a hermetically sealed cover, and / or a hermetically sealed support 102 may include a diffusion rate with respect to water and / or oxygen smaller than about 10 -4 g / (m 2 d), for example, in a range of about 10 -4 g / (m 2 d) to about 10 -10 g / (m 2 d), for example, in a range of about 10 -4 g / (m 2 d) to about 10 -6 g / (m 2 d).
  • FIGS. 2A and 2B are sectional views of FIG.
  • Example embodiments 200, 210 of a part of a Optoelectronic assembly for example, largely the embodiment shown in Figure 1 a
  • Optoelectronic module 100 may correspond.
  • the first layer 116 may be formed as a single layer (in other words, as a single layer), for example illustrated in FIG. 2A and FIG. 2B. In other words: in different
  • the first layer 116 is formed as a single layer.
  • the mirror structure 104 and / or the electrically active region 118 has a multiplicity of electrical through contacts 202, 206, for example illustrated in FIG. 2A and FIG. 2B.
  • the vias 202, 204 comprise an electrically conductive material.
  • Vias 202, 204 may be formed by a conventional patterning and / or coating process.
  • the vias 202, 204 may electrically connect one or both electrode layers 106, 110 to the carrier 102 and / or the second layer 114. As a result, for example, a contacting of the first
  • Electrode layer 106 and / or the second electrode layer 110 carried by the carrier 102, which simplifies the contacting of the optoelectronic assembly 100.
  • the first electrode layer 106 is electrically connected to the second layer 114 by means of a multiplicity of vias 202, for example illustrated in FIG.
  • the second electrode layer is electrically connected to the second layer 114 by means of a plurality of through contacts 204, for example as illustrated in FIG.
  • the plurality of vias 202, 204 or a part of the plurality of vias 202, 204 may mean one electrically non-conductive structure 206 of an electrically conductive structure or layer to be electrically insulated when an electrical connection with this layer or structure is not predetermined.
  • the electrically non-conductive structure 206 may be a resist, for example,
  • first layer 116 of electrically non-conductive material for example, a polyiraid.
  • an electrically non-conductive structure 206 in the first layer 116 is not necessary.
  • the second layer 114 has a layer thickness in a range of about 100 nm to 1 ⁇ m, and is formed of silver.
  • the first layer 116 has a layer thickness in a range of about 20 nm to 1 ⁇ m, for example, in a range of about 50 nm to 1 ⁇ m, and is formed of ⁇ 10 x , ⁇ iO x , ZrO x , or a similar material, for example, one
  • Execution example 300 of an optoelectronic assembly for example, largely the one shown above
  • Embodiments of an optoelectronic assembly can correspond.
  • the first layer 116 has at least one first partial layer 302 and a second one
  • Partial layer 304 for example, illustrated in FIG.
  • the first sub-layer 302 is disposed in physical contact with the second sub-layer 304 on the second sub-layer 304.
  • the first sub-layer 302 is in physical contact with the electrode layer 106.
  • At least one of the following materials is or is / is formed from: a polymer, a metal oxide, a metal nitride, a metal carbide or a metal oxynitride.
  • the second layer 114 has a layer thickness in a range of about 100 nm to 1 ⁇ m, and is formed of silver.
  • the first layer 116 has a first sub-layer 302 and a second sub-layer 304.
  • the first sub-layer 302 is formed with a layer thickness in a range of about 50 nm to 1 ⁇ m and ⁇ .
  • the second sub-layer 304 is provided with a
  • Layer thickness in a range of about 20 nm to 1 ⁇ m formed from TiO x , ZrO x or a similar material,
  • a transparent non-conductive oxide for example, a transparent non-conductive oxide. 4 shows a sectional view of a transparent non-conductive oxide.
  • Embodiment Example 400 of a part of an optoelectronic assembly for example, largely one of the above examples of an optoelectronic
  • the first layer 116 has a layer sequence of first partial layer 402 and second partial layer 404, for example illustrated in FIG.
  • the layer sequence two or more stacks (stacks 1 to n, with n of a natural number) of first sub-layer 402 and second sub-layer 404 are stacked one above the other; see also FIG.6.
  • the partial layers of the first layer 116 may be according to one of the described
  • Formations of the first layer 116 may be formed.
  • the second layer 114 has a layer thickness in a range of about 100 nm to 1 ⁇ m, and is formed of silver.
  • the first layer 116 has a stack of layers with n stacks each
  • the first sub-layer 402 is formed with a layer thickness in a range of about 50 nm to 1 ⁇ m and ⁇ .
  • the second sub-layer 404 is formed with a layer thickness in a range of about 20 nm to 1 ⁇ m of TiOx, ZrOx or a similar material,
  • a transparent non-conductive oxide for example, a transparent non-conductive oxide.
  • Embodiment 500 of a part of an optoelectronic assembly for example, largely one of the above examples of an optoelectronic
  • the first layer 116 has at least one third sub-layer 506 in addition to the first sub-layer 502 and the second sub-layer 504, wherein the second sub-layer 504 is arranged in physical contact on the third sub-layer 506, for example illustrated in FIG.
  • the third sub-layer 506 is formed equal to the first sub-layer 502.
  • the third sub-layer 506 is formed at least in a property different from the first sub-layer 502, for example with regard to the material and / or the thickness of the sub-layers.
  • the first layer 116 has a stack with a first one Partial layer 302 and a second sub-layer 304 (see also FIG.3).
  • Partial layer 404 wherein the stacks are stacked on top of each other (see also FIG.4).
  • Partial layer 404 wherein the stacks are stacked.
  • the first sub-layer 302, 402 has a layer thickness of approximately 66 nm in the developments 606, 608, 610, 612 and is formed from TiO 2.
  • the second sub-layer 304, 404 has in the developments 606, 608, 610, 612 a
  • the second layer 114 has a layer thickness of approximately 200 nm in the developments 606, 608, 610, 612 and is formed from Ag.
  • the mirror structure 104 has a mean reflectivity: in the first embodiment 606 of approximately 97.70%; at the second
  • Silver has an average reflectivity of about 95%. It can thus be seen from the diagram 600 that the mirror layer 104 with the first layer 116 increases the reflectivity of a simple silver layer, as is conventionally also used as a reflective electrode. 7 shows a sectional view of a
  • Embodiment of an optoelectronic assembly 700 for example, largely one of the above
  • Embodiments of an optoelectronic assembly can correspond.
  • the encapsulation structure 112 has different
  • barrier thin film 716 Further developments a barrier thin film 716, a
  • Decoupling layer for example, a bonding layer 718, a getter and / or a cover 720; for example
  • the encapsulation structure 112 surrounds the electrically active region 118 at least
  • the barrier film 716 comprises or is formed from one of the following materials: alumina,
  • Silicon oxynitride indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, poly (p-phenylene terephthalamide), nylon 66, and mixtures and alloys thereof.
  • the input / outcoupling layer has a matrix and therein
  • the average refractive index of the input / outcoupling layer is greater or less than the average refractive index of the layer from which the electromagnetic radiation is provided.
  • one or more antireflection coatings may be provided in the organic optoelectronic assembly.
  • the bonding layer 718 is formed of an adhesive or a varnish. In a further development, a
  • Connecting layer 718 made of a transparent material
  • the connecting layer 718 acts as a scattering layer, resulting in a
  • Electrode layer 110 and the connection layer 718 still an electrically insulating layer (not shown) formed, for example, SiN, for example, with a layer thickness in a range of about 300 nm to
  • the layer of getter comprises or is formed from a material that absorbs and binds substances that are detrimental to the electrically active region, such as water vapor and / or oxygen.
  • the layer with getter has one
  • the cover 720 is formed or arranged.
  • the cover 720 is connected to the electrically active region 118 by means of the connection layer 718 and protects it from harmful substances.
  • the cover 720 is, for example, a
  • the glass cover is, for example, connected by means of a frit bonding (glass frit bonding / glass soldering / seal glass bonding) by means of a conventional glass solder in the geometric edge regions of the organic optoelectronic component.
  • contact surfaces 724, 728 by means of which the optoelectronic assembly 700 can be connected to an assembly-external electrical energy source (not illustrated).
  • the contact surfaces 724, 728 are outside the encapsulation structure 112
  • the electrically conductive connection layers 722, 726 for example, transparent or non-transparent.
  • the electrically conductive connection layers 722, 726 have, for example, a layer sequence, for example: Mo / Al / Mo; Cr / Al / Cr or Ag / Mg; or are formed of a single layer, for example AI.
  • the contact surfaces 724, 728 may be configured according to a conventional embodiment,
  • ACF-PCB film or have.
  • Electrode layer 106 is connected, is a first
  • the first electric potential can be applied.
  • the first electric potential can be applied.
  • assembly-external electrical energy source such as a
  • the first electrical potential is applied to an electrically conductive carrier 102 and the first electrode layer 106 through the carrier 102, the mirror structure 104 and the
  • the first electrical potential is, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.
  • Electrode layer 110 is connected, is a second
  • the second electrical potential can be applied.
  • the second electrical potential can be applied.
  • the second electrical potential is different from the first electrical potential.
  • the second electrical potential points
  • a value such that the difference from the first electric potential has a value in a range of about 1.5V to about 20V, for example, a value in a range of about 2.5V to about 15V, for example, one Value in a range of about 3 V to about 12 V.
  • the insulating structure 714 has, for example, a resist or is formed therefrom, for example a
  • Polyimide. PIO.8 shows a flowchart of an exemplary embodiment of a method 800 for producing an optoelectronic assembly, which, for example, can largely correspond to one of the exemplary embodiments shown above.
  • the method 800 for producing an optoelectronic assembly comprises forming 802 a mirror structure in physical contact on a carrier 102.
  • Mirror structure is formed with at least a first layer and a second layer.
  • the first layer 116 is in physical contact on the second layer 114
  • the second layer 114 comprises a metal or a metal alloy.
  • the first layer 116 is
  • the formation of the mirror structure takes place in a prefabrication, for example
  • Vacuum for example, in an integrated process before forming the electrically active region of the
  • the method also includes forming 804 a transparent to the light electrode layer.
  • the transparent electrode layer is formed in physical contact on the first layer 116.
  • the mirror structure is formed to reflect at least a portion of the light passing through the first electrode layer to the first electrode layer
  • the optoelectronic assembly is formed as a surface light source.
  • the optoelectronic assembly is formed, for example, as a general lighting or a display.
  • the method further comprises forming an organic functional layer structure.
  • the organically functional layer structure is formed in physical and electrical contact with the transparent electrode layer.
  • the method comprises forming a further, transparent to the light electrode layer.
  • transparent electrode layer is in the physical and electrical contact on the organically functional
  • Layer 116 or one or more sub-layers of the first layer 116 may be formed by means of a suitable deposition method, e.g. by means of a
  • ALD Atomic layer deposition
  • PEALD plasma enhanced atomic layer deposition
  • PECVD plasma-enhanced plasma vapor deposition
  • PECVD plasma-less plasma-enhanced vapor deposition
  • PLCVD Chemical Vapor Deposition
  • all partial layers can be formed by means of an atomic layer deposition method.
  • a first layer 116 which has a plurality of partial layers, one or more
  • Partial layers of the first layer 116 are deposited by means of a different deposition method than an atomic layer deposition method, for example by means of a
  • the optoelectronic assembly may be formed as a solar cell or a photodetector.

Landscapes

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Abstract

In verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen wird eine optoelektronische Baugruppe (100) bereitgestellt, Die optoelektronische Baugruppe (100) weist eine Spiegeistruktur (104) im körperlichen Kontakt auf einem Träger (102) angeordnet auf, wobei die Spiegelstruktur (104) wenigstens eine erste Schicht (116) und eine zweite Schicht (114) aufweist, wobei die erste Schicht (116) im körperlichen Kontakt auf der zweiten Schicht (114) angeordnet ist, und wobei die zweite Schicht (114) ein Metall oder eine Metalllegierung aufweist, und die erste Schicht (116) elektrisch nicht -leitend und transparent für ein Licht ist; und eine für das Licht transparente Elektrodenschicht (106), wobei die transparente Elektrodenschicht (106) im körperlichen Kontakt auf der ersten Schicht (116) angeordnet ist, und wobei die Spiegelstruktur (104) zu einem Reflektieren von wenigstens einem Teil (124) des Lichts ausgebildet ist, das durch die transparente Elektrodenschicht (106) zu der Spiegelstruktur (104) transmittiert wird.

Description

OPTOELEKTRONISCHE BAUGRUPPE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER OPTOELEKTRONISCHEN BAUGRUPPE
Beschreibung
Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Baugruppe und ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen
Baugruppe . Eine herkömmliche organisch optoelektronische Baugruppe, beispielsweise eine OLED, weist auf einem Träger eine Anode, ein organisch funktionelles Schichtensystem auf der Anode und eine Kathode auf dem organisch funktionellen Schichtensystem auf. Das organisch funktionelle Schichtensystem weist eine oder mehrere Emitterschicht/en mit einem
elektrolumineszierenden Material auf. Die organisch
optoelektronische Baugruppe kann in der sogenannten Bottom- Emitter-Bauweise eingerichtet sein, bei der die Kathode aus einem hochreflektiven Material gebildet ist und das Licht durch eine transparente Anode und einen transparenten Träger emittiert wird. Alternativ kann die organisch
optoelektronische Baugruppe in der sogenannten Top-Emitter- Bauweise eingerichtet sein, bei der die Anode aus einem hochreflektiven Material gebildet ist und das Licht durch die transparente Kathode emittiert wird.
Als hochreflektive Elektrode sind Mischstrukturen aus
Ag/Mg/Al bekannt, beispielsweise auch in mehreren Lagen mit einer Schichtdicke in einem Bereich von 2 nm bis 200 nm. Das Ausbilden dieser Mischstruktur ist jedoch aufwendig im
Prozess und ein gleichmäßiges Ausbilden einer solchen
Mischstruktur ist im Beschichtungsprozess schwierig. Zudem ist die maximale Reflektivität einer derartigen Elektrode maximal 95 %.
In der Bottom-Emitter-Bauweise besteht das Problem, dass eine Dünnfilmverkapselungsschicht, die zu einem Verhindern einer Eindiffusion von Wasser und/oder Sauerstoff in die organisch optoelektronische Baugruppe eingerichtet ist und auf der hochreflektiven Kathode ausgebildet ist, auf der Kathode eine geringe Haftung (Adhäsion) aufweist und zur Delamination neigt. Alternativ weist die Dünnfilraverkapselungsschicht eine hohe Haftung mit der Kathode auf, so dass die
Dünnfilmverkapselungsschicht durch Verspannungen zusammen mit der Kathode delaminiert .
Die Aufgabe der Erfindung ist es, eine Flächenlichtquelle mit einer gesteigerten Effizienz bereitzustellen, beispielsweise ohne dass es zu Delamination kommt.
Die Aufgabe wird gemäß einem Aspekt der Erfindung gelöst durch eine optoelektronische Baugruppe, die eine transparente Elektrodenschicht auf einer Spiegelstruktur aufweist. Die
Spiegelstruktur ist im körperlichen Kontakt auf einem Träger angeordnet. Die Spiegelstruktur weist wenigstens eine erste Schicht und eine zweite Schicht auf. Die erste Schicht ist im körperlichen Kontakt auf der zweiten Schicht angeordnet. Die zweite Schicht weist ein Metall oder eine Metalllegierung auf. Die erste Schicht ist elektrisch nicht-leitend und transparent für ein Licht. Die Elektrodenschicht ist eine für das Licht transparente Elektrodenschicht. Die transparente Elektrodenschicht ist im körperlichen Kontakt auf der ersten Schicht angeordnet. Die Spiegelstruktur ist zu einem
Reflektieren von wenigstens einem Teil des Lichts ausgebildet ist, das durch die transparente Elektrodenschicht zu der Spiegelstruktur transmittiert wird. In verschiedenen Weiterbildungen weisen Schichten bzw.
Strukturen, die miteinander im Körperlichen Kontakt sind, eine gemeinsame Grenzfläche auf.
Die optoelektronische Baugruppe kann in der sogenannten Top- Emitter-Bauweise ausgebildet sein, bei der Licht nicht durch den Träger emittiert wird, sondern der dem Träger
gegenüberliegenden Seite der Baugruppe. Das funktionale Auftrennen (funktionale Trennung) von
spiegelnder Wirkung und Stromleitung einer herkömmlichen unteren Elektrode einer optoelektronischen Baugruppen in eine Spiegelstruktur und eine transparente Elektrode ermöglicht eine hochreflektive Baugruppenseite mit einer Reflektivität für sichtbares Licht, die größer ist als die Reflektivität von Silber, beispielsweise größer als 95%.
Mit anderen Worten: es kann durch die funktionale Trennung der Eigenschaften der elektrischen Stromleitung und der
Reflexion von Licht eine extrem hohe Reflexion der
spiegelnden Baugruppenseite im gesamten sichtbaren Bereich des Lichtspektrums erreicht werden. Dies ermöglicht eine unabhängige Optimierung von Reflektivität und
Stromleitungeeigenschaft, beispielsweise für großflächige, optoelektronische Baugruppen-Strukturen.
Die funktionale Trennung ermöglicht eine spiegelnde
Baugruppenseite, die im Wesentlichen unabhängig von den
Eigenschaften des Trägere eingestellt werden kann. Dadurch können für die optoelektronische Baugruppe
unterschiedlichste Materialien verwendet werden,
beispielsweise Metall, Glas, Kunststofffolien. Der Träger ist zudem analog zu herkömmlichen Verfahren bearbeitbar.
Die Spiegelstruktur ist zudem vor Umgebungseinflüssen
geschützt, so dass die Reflektivität der Spiegelstruktur nicht in dem Maße der Alterung bzw. Oxidation unterliegt, wie beispielsweise bei einer herkömmlichen Elektrode aus Silber. Zudem kann die Spiegelstruktur als eine Barrierestruktur ausgebildet werden, beispielsweise für eine organisch
funktionelle Schichtenstruktur auf der transparenten
Elektrodenschicht bezüglich einer Diffusion eines schädlichen Stoffes in die organisch funktionelle Schichtenstruktur von der Seite des Trägers her. Bei einer herkömmlichen
spiegelnden Elektrode besteht die Gefahr der Delamination. Mittels der funktionalen Trennung kann die Barrierewirkung der Spiegelstruktur unabhängig von den elektrischen Eigenschaften und den Verkapselungseigenschaften der
transparenten Elektrodenschicht optimiert werden. Die
Barrierewirkung der Spiegelstruktur kann beispielsweise mittels der Schichtenanzahl, der Dicke der (Teil-) Schichten und der verwendeten Prozesse zum Ausbilden der
(Teil-) Schichten optimiert werden. Dadurch kann die
Barrierewirkung dieser Baugruppenseite bei gleichzeitig geringerer Delaminationsgefahr optimiert werden. In verschiedenen Weiterbildungen ist die erste Schicht ein Stapel von Schichten, d.h. ein Schichtenstapel, wird jedoch synonym als erste Schicht bezeichnet.
Gemäß einer Weiterbildung ist die erste Schicht als ein
Bragg-Spiegel für wenigstens einen Teil von sichtbarem Licht ausgebildet. Dies ermöglicht ein Löschen von wenigstens einem Farbbereich des Lichte. Beispielsweise können mittele eines Bragg-Spiegels Aus-Zustande (off-state) von Farbbereichen des Lichts eingestellt werden, wobei die Aus-Zustände die
abhängig vom Blickwinkel auf die optoelektronische Baugruppe sind.
Gemäß einer Weiterbildung weist die erste Schicht wenigstens eine erste Teilschicht und eine zweite Teilschicht auf. Die erste Teilschicht ist im körperlichen Kontakt mit der zweiten Teilschicht auf der zweiten Teilschicht angeordnet. Die erste Teilschicht ist im körperlichen Kontakt mit der transparenten Elektrodenschicht. Dies ermöglicht ein Optimieren der
Barrierewirkung und der Reflektivität der Spiegelstruktur unabhängig von der transparenten Elektrodenschicht oder der zweiten Schicht.
Gemäß einer Weiterbildung weist die erste Schicht eine
Schichtenfolge von erster Teilschicht und zweiter Teilschicht auf. In der Schichtenfolge sind zwei oder mehr Stapel aus erster Teilschicht und zweiter Teilschicht übereinander gestapelt. Dies ermöglicht ein Löschen von wenigstens einem Farbbereich des Lichte und/oder ein Optimieren der
Barrierewirkung der Spiegeletruktur.
Gemäß einer Weiterbildung weist die erste Schicht wenigstens die erste Teilschicht, die zweite Teilschicht und eine dritte Teilschicht auf. Die zweite Teilschicht ist im körperlichen Kontakt auf der dritten Teilschicht angeordnet. Dies
ermöglicht ein Optimieren der Barrierewirkung und der
Reflektivität der Spiegelstruktur unabhängig von der
transparenten Elektrodenschicht oder der zweiten Schicht.
Gemäß einer Weiterbildung ist die erste Schicht als eine einzige Schicht ausgebildet. Dies ermöglicht auf einfache Weise eine funktionale Trennung von spiegelnder Wirkung an der gemeinsamen Grenzfläche von erster Schicht und zweiter Schicht und der Stromleitung in der transparenten
Elektrodenschicht .
Gemäß einer Weiterbildung ist die gemeinsame Grenzfläche von erster Schicht und zweiter Schicht eingerichtet, im
Wesentlichen das gesamte Licht zu reflektieren, das durch die erste Schicht zu der zweiten Schicht transmittiert wird. Dies ermöglicht eine funktionale Trennung von spiegelnder Wirkung an der gemeinsamen Grenzfläche von erster Schicht und zweiter Schicht und der Stromleitung in der transparenten
Elektrodenschicht. Zudem können dadurch die Reflektivität der Spiegelstruktur mittels der Eigenschaften der gemeinsamen Grenzfläche und der ersten Schicht optimiert werden. Gemäß einer Weiterbildung weist die Spiegelstruktur in der gemeinsamen Grenzfläche der ersten Schicht mit der zweiten Schicht eine optisch funktionale Strukturierung auf. Die optisch funktionale Strukturierung ist beispielsweise ein Mikrolinsenfeld, eine Streustruktur oder ein optisches
Gitter. Dies ermöglicht eine funktionale Trennung von
Strahlformung des einfallenden und reflektierbaren Lichts, und der Stromleitung in der transparenten Elektrodenschicht. Gemäß einer Weiterbildung ist die zweite Schicht im
körperlichen Kontakt auf dem Träger angeordnet. Dies
ermöglicht eine unmittelbare elektrische Verbindung der zweiten Schicht bei einem elektrisch leitfähigen Träger; oder ein Verkapseln eines Trägere, der hermetisch nicht dicht ist, mittels der zweiten Schicht beispielsweise einer
Kunststofffolie.
Gemäß einer Weiterbildung ist die optoelektronische Baugruppe als eine Flächenlichtquelle ausgebildet. Die
optoelektronische Baugruppe ist beispielsweise als eine
Allgemeinbeleuchtung oder ein Display ausgebildet.
Gemäß einer Weiterbildung ist die optoelektronische Baugruppe eine organisch optoelektronische Baugruppe.
Gemäß einer Weiterbildung weist die optoelektronische
Baugruppe ferner eine organisch funktionelle
Schichtenstruktur auf, die im körperlichen und elektrischen Kontakt auf der transparenten Elektrodenschicht angeordnet ist. Die optoelektronische Baugruppe weist ferner eine weitere, für das Licht transparente Elektrodenschicht auf, die im körperlichen und elektrischen Kontakt auf der
organisch funktionellen Schichtenstruktur angeordnet ist.
Mit anderen Worten: die transparente Elektrodenschicht, die organisch funktionelle Schichtenstruktur und die weitere, transparente Elektrodenschicht sind über der Spiegelstruktur übereinander gestapelt angeordnet.
Die Aufgabe wird gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen einer
optoelektronische Baugruppe, bei dem eine transparente
Elektrodenschicht auf einer Spiegelstruktur ausgebildet wird. Das Verfahren weist ein Ausbilden einer Spiegelstruktur im körperlichen Kontakt auf einem Träger auf. Die
Spiegelstruktur wird mit wenigstens einer ersten Schicht und einer zweiten Schicht ausgebildet. Die erste Schicht wird im körperlichen Kontakt auf der zweiten Schicht ausgebildet. Die zweite Schicht weist ein Metall oder eine Metalllegierung auf oder wird daraus gebildet. Die erste Schicht ist elektrisch nicht-leitend und transparent für ein Licht oder wird derart ausgebildet. Das Ausbilden der Elektrodenschicht ist ein Ausbilden einer für das Licht transparenten
Elektrodenschicht. Die transparente Elektrodenschicht wird im körperlichen Kontakt auf der ersten Schicht ausgebildet. Die Spiegelstruktur wird zu einem Reflektieren von wenigstens einem Teil des Lichts ausgebildet, das durch die transparente Elektrodenschicht zu der Spiegelstruktur transmittiert wird.
Die funktionale Trennung von spiegelnder Wirkung und
Stromleitung ermöglicht eine Fertigung der Spiegelstruktur vor dem Ausbilden empfindlicher Strukturen auf der
Spiegelstruktur. Eine derartige empfindliche ist
beispielsweise eine organisch funktionelle
Schichtenstruktur auf der transparenten Elektrodenschicht. Dies ermöglicht, dass der Träger mit Spiegelstruktur
kompatibel zu herkömmlichen Herstellungsverfahren ist.
Dadurch ist eine Rücksichtnahme bezüglich der
Verfahrensbedingung beim Ausbilden der Spiegelstruktur auf die Verfahrensbedingung beim Ausbilden einer organisch funktionellen Schichtenstruktur auf der transparenten
Elektrodenschicht nicht notwendig.
Gemäß einer Weiterbildung wird die optoelektronische
Baugruppe als eine Flächenlichtquelle ausgebildet. Die optoelektronische Baugruppe wird beispielsweise als eine Allgemeinbeleuchtung oder ein Display ausgebildet.
Gemäß einer Weiterbildung weist das Verfahren ferner ein Ausbilden einer organisch funktionellen Schichtenstruktur auf. Die organisch funktionelle Schichtenstruktur wird im körperlichen und elektrischen Kontakt auf der transparenten Elektrodenschicht angeordnet ausgebildet. Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden einer weiteren, für das Licht transparenten Elektrodenschicht auf. Die weitere, transparente Elektrodenschicht wird im körperlichen und elektrischen Kontakt auf der organisch funktionellen Schichtenstruktur angeordnet ausgebildet.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeigen: Figur 1 eine Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels einer
optoelektronischen Baugruppe;
Figuren 2A und 2B Schnittdarstellungen eines
Ausführungsbeispiels einer
optoelektronischen Baugruppe
Figur 3 eine Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels einer
optoelektronischen Baugruppe;
Figur 4 eine Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels einer
optoelektronischen Baugruppe;
Figur 5 eine Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels einer
optoelektronischen Baugruppe; Figur 6 ein Diagramm zur Reflektivität von optoelektronischen Baugruppen eines Ausführungsbeispiels;
Figur 7 eine Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels einer
optoelektronischen Baugruppe; und Figur 8 ein Ablaufdiagramm eines
Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen
Baugruppe .
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser
Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben*, „unten*, „vorne*, „hinten", „vorderes*, „hinteres*, usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da
Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Aueführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert .
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Kontaktflächen sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Eine optoelektronische Baugruppe kann ein, zwei oder mehr optoelektronische Baugruppen aufweisen. Optional kann eine optoelektronische Baugruppe auch ein, zwei oder mehr
elektronische Baugruppen aufweisen. Ein elektronisches
Bauelement kann beispielsweise eine aktive und/oder eine passive Baugruppe aufweisen. Eine aktive elektronische
Baugruppe kann beispielsweise eine Rechen-, Steuer- und/oder' Regeleinheit und/oder einen Transistor aufweisen. Eine passive elektronische Baugruppe kann beispielsweise einen Kondensator, einen Widerstand, eine Diode oder eine Spule aufweisen.
Eine optoelektronische Baugruppe kann eine elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe oder eine elektromagnetische Strahlung absorbierende Baugruppe sein oder aufweisen. Eine elektromagnetische Strahlung absorbierende Baugruppe kann beispielsweise eine Solarzelle oder ein Fotodetektor sein.
Eine elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe kann in verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen eine
elektromagnetische Strahlung emittierende
Halbleiter-Baugruppe sein und/oder als eine
elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organisch elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organisch elektromagnetische Strahlung
emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung, die auch als Licht bezeichnet wird, kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. In diesem Zusammenhang kann die elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe beispielsweise als lichtemittierende Diode (light emitting diode, LED) als organisch
lichtemittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als lichtemittierender Transistor oder als organisch
lichtemittierender Transistor ausgebildet sein. Die
lichtemittierende Baugruppe kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von lichtemittierenden
Baugruppen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse. Unter dem Begriff „transluzent" bzw. "transluzente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist,
beispielsweise für das von dem Lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer
Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem
Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine
Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte
Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kann
Unter dem Begriff „transparent* oder „transparente Schicht* kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist
(beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des
Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird,
FIO.l zeigt eine Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe.
Die optoelektronische Baugruppe 100 weist auf einem Träger 102 eine Spiegelstruktur 104 auf. Die Spiegelstruktur 104 weist eine erste Schicht 116 und eine zweite Schicht 114 auf. Die zweite Schicht 114 ist auf oder über dem Träger 102 angeordnet. Die erste Schicht 116 ist auf der zweiten Schicht 114 angeordnet. Die zweite Schicht 114 ist in einem
körperlichen Kontakt mit der ersten Schicht 116 angeordnet, d.h. die erste Schicht 116 und die zweite Schicht 114 weisen eine gemeinsame Grenzfläche 122 auf. Die erste Schicht 116 ist elektrisch nicht-leitend und transparent für ein Licht 124. Die erste Schicht 116 ist somit ein elektrischer
Isolator gegenüber der Umwelt, beispieleweise gleichzeitig zu der Wirkung als Teil der Spiegelstruktur 104. Die zweite Schicht 114 weist ein Metall oder eine Metalllegierung auf oder ist daraus gebildet.
Direkt auf der Spiegelstruktur 104 ist eine für ein Licht 124 transparente Elektrodenschicht 106 ausgebildet. Die
transparente Elektrodenschicht 106 kann auch als erste
Elektrodenschicht bezeichnet werden. Die erste Schicht 116 ist in einem körperlichen Kontakt mit der ersten
Elektrodenschicht 106 angeordnet.
Ein Licht 124, das durch die erste Elektrodenschicht 106 und die erste Schicht 116 auf die gemeinsame Grenzfläche 122 auftrifft, wird an der gemeinsamen Grenzfläche 122
reflektiert, gestreut oder gespiegelt.
Mittels der ersten Schicht 116 der Spiegelstruktur 104 kann der Grad der Umlenkung, Reflektivität, Spiegelung oder
Streuung des Lichts 124, d.h. die Reflektivität in der optoelektronischen Baugruppe 100 an der Seite des Träger 102, unabhängig von den elektrischen Eigenschaften der ersten Elektrodenschicht 116 eingestellt werden. Dies ermöglicht eine höhere Gestaltungsfreiheit bei der Ausgestaltung der optoelektronischen Baugruppe 100.
In verschiedenen Weiterbildungen weist die optoelektronische Baugruppe 100 eine organisch funktionelle Schichtenstruktur 108; ein weitere, für das Licht transparente
Elektrodenschicht 110 und eine Verkapselungsstruktur 112, wie nachfolgend ausführlicher beschrieben wird.
Die weitere, transparente Elektrodenschicht 110 kann auch als zweite Elektrodenschicht bezeichnet werden. Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 106 ist elektrisch leitfähig und elektrisch leitend gekoppelt mit der ersten Elektrodenschicht 106 und der zweiten Elektrodenschicht 110 ausgebildet .
Die erste Elektrodenschicht 106, die organisch funktionelle Schichtenstruktur 108 und die zweite Elektrodenschicht 110 bilden einen elektrisch aktiven Bereich 118 der
optoelektronischen Baugruppe 100. Der elektrisch aktive
Bereich 118 ist zu einem Emittieren einer elektromagnetischen Strahlung aus einer bereitgestellten elektrischen Energie ausgebildet. Alternativ oder zusätzlich ist der elektrisch aktive Bereich 118 zu einem Erzeugen eines elektrischen
Stromes und/oder einer elektrischen Spannung aus einer bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung ausgebildet.
Die optoelektronische Baugruppe 100 kann als ein
Flächenbauelement ausgebildet sein, beispielsweise als eine Flächenlichtquelle und/oder ein Display. Die optoelektronische Baugruppe ist beispielsweise zu einem Emittieren eines Lichtes 126 ausgebildet, wobei das Licht in der organisch funktionellen Schichtenstruktur 108 erzeugt wird. Ein erster Teil 120 des emittierten Lichts 126 ist direkt bzw. unmittelbar durch die zweite Elektrodenschicht 110 und die Verkapselungsstruktur 112 emittierbar. Ein zweiter Teil 124 des emittierten Lichts 126 ist indirekt bzw. mittelbar durch die zweite Elektrodenschicht 110 und die Verkapselungsstruktur 112 emittierbar, indem der zweite Teil 124 zunächst aus der organisch funktionellen
Schichtenstruktur 108 in Richtung des Trägers 102 emittiert wird und an der gemeinsamen Grenzfläche 122 von erster
Schicht 116 und zweiter Schicht 114 der Spiegelstruktur 104 in Richtung der zweiten Elektrodenschicht 110 und/oder
Verkapselungsstruktur 112 umgelenkt, gestreut oder
reflektiert wird.
In verschiedenen Weiterbildungen ist der Träger 102 als eine Folie oder ein Blech ausgebildet. Alternativ oder zusätzlich weist der Träger 102 ein Glas oder einen Kunststoff auf oder ist daraus gebildet. Der Träger 102 kann elektrisch leitfähig ausgebildet sein, beispielsweise als eine Metallfolie oder ein Glas- oder Kunststoffträger mit einer Leiterstruktur. Der Träger 102 weist Glas, Quarz, eine Keramik und/oder ein
Halbleitermaterial auf oder ist daraus gebildet. Alternativ oder zusätzlich weist der Träger 102 eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien auf oder ist daraus gebildet sein. Der Träger 102 kann transparent ausgebildet sein bezüglich des von der
optoelektronischen Baugruppe 100 absorbierten und/oder emittierten Lichte 124.
In verschiedenen Weiterbildungen ist der Träger 102
mechanisch flexibel ausgebildet, beispielsweise biegbar, knickbar oder formbar. Beispielsweise ist der Träger 102 als eine Folie oder ein Blech eingerichtet. Alternativ oder zusätzlich weist der Träger 102 wenigstens einen mechanisch rigiden, nicht-flexiblen Bereich auf.
In verschiedenen Weiterbildungen ist der Träger 102 in wenigstens einem Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts intransparent ist. In verschiedenen Weiterbildungen ist der Träger 102 intransparent ist für sichtbares Licht.
In verschiedenen Weiterbildungen ist die Spiegelstruktur 104 zu einem Reflektieren von elektromagnetischer Strahlung 124 ausgebildet. Zusätzlich weist die Spiegelstruktur 104 in verschiedenen Weiterbildungen optisch funktionelle Schichten bzw. Strukturen auf, beispielsweise in der gemeinsamen
Grenzfläche oder der ersten Schicht 116, beispielsweise zur Strahlformung des emittierten Lichts 126 oder zum Erzeugen eines winkelabhängigen Aus-Zustandes des emittierten Lichts 126. Die Spiegelstruktur 104 kann beispielsweise ein
optisches Gitter, einen metallischen Spiegel bzw. Spiegel, einen photonischen Kristall oder eine totalreflektierende Grenzfläche aufweisen. Die Spiegelstruktur 104 kann beispielsweise als erste Schicht 116 eine dielektrische Schicht oder ein dielektrisches
Schichtensystem und als zweite Schicht 114 eine
Metallbeschichtung aufweisen.
In verschiedenen Weiterbildungen ist die Spiegelstruktur 104 als Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw.
atmosphärischen Stoffen, beispielsweise gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff ausgebildet. Mit anderen
Worten: die Spiegelstruktur 104 ist derart ausgebildet, dass sie von OLED-schädigenden Stoffen wie Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann. In verschiedenen Weiterbildungen ist die Spiegelstruktur 104 im Wesentlichen auf der ganzen Oberfläche einer Seite des Trägers 102 ausgebildet.
In verschiedenen Weiterbildungen weist die optoelektronische Baugruppe 100 bezüglich einer Hauptemissionsrichtung des emittierten Lichts 126 auf dem Träger 102 einen optisch aktiven Bereich und einen optisch inaktiven Bereich auf. Die Spiegelstruktur 104 ist im optisch aktiven Bereich
ausgebildet. Mit anderen Worten: der optisch inaktive Bereich ist frei von Spiegelstruktur 104.
In verschiedenen Weiterbildungen ist die erste Schicht 116 vollständig oder teilweise durchlässig ausgebildet für elektromagnetische Strahlung eines ersten
Wellenlängenbereiches des Lichts 124. Alternativ oder
zusätzlich ist die erste Schicht 116 vollständig oder
teilweise reflektierend ausgebildet für elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereiches des Lichts 124, beispielsweise als eine teildurchlässige Spiegelstruktur 104, beispielsweise als ein dichroitischer Spiegel. Die
teildurchlässige erste Schicht 116 ist beispielsweise ein Teilerspiegel und/oder ein Einweg-Spiegel. Die erste Schicht 116 kann beispielsweise einen ersten Teil der auf sie einfallenden elektromagnetischen Strahlung 124 reflektieren. Ein zweiter Teil der einfallenden elektromagnetischen
Strahlung 124 tritt durch die teildurchlässige erste Schicht 116 hindurch und wird an der gemeinsamen Grenzfläche 122 reflektiert .
Mit anderen Worten:
Die erste Schicht 116 oder die einzelnen Teilschichten der ersten Schicht 116, wie ausführlicher in den nachfolgenden Figuren beschrieben wird, können gemäß verschiedener
Weiterbildung als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein. Die erste Schicht 116 (oder die einzelnen Teilschichten der ersten Schicht 116) können aus einem transluzenten oder transparenten Material (oder einer
Materialkombination, die transluzent oder transparent ist) bestehen.
Die erste Schicht 116 oder die einzelnen Teilschichten der ersten Schicht 116 sind gemäß verschiedener Weiterbildung als elektrisch nicht-leitende Schicht/en ausgebildet.
Beispielsweise sind/ist die erste Schicht 116 (oder die einzelnen Teilschichten der erste Schicht 116) aus einem dielektrischen Material (oder einer Materialkombination, die elektrisch nicht-leitend ist) gebildet.
Gemäß einer Weiterbildung kann die erste Schicht 116 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt, als Einzelschicht) ausgebildet sein, beispielsweise veranschaulicht in FIG.2. Mit anderen Worten: In verschiedenen Weiterbildungen ist die erste Schicht 116 als eine einzige Schicht ausgebildet.
Gemäß einer alternativen Weiterbildung kann die erste Schicht 116 eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen. Mit anderen Worten: In verschiedenen
Weiterbildungen ist die erste Schicht 116 als Schichtenstapel (Stack) ausgebildet, wie beispielsweise ausführlicher in FIG.3 bis FIG.6 veranschaulicht ist. In verschiedenen Weiterbildungen ist die erste Schicht 116 als ein Bragg-Spiegel für wenigstens einen Teil von
sichtbarem Licht ausgebildet. In verschiedenen
Weiterbildungen ist die erste Schicht 116 als ein
dichroitischer Spiegel für wenigstens einen Teil von
sichtbarem Licht ausgebildet.
Die erste Schicht 116 oder wenigstens eine Teilschicht der ersten Schicht kann gemäß einer Weiterbildung eine
Schichtdicke von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Weiterbildung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Weiterbildung. Gemäß einer Weiterbildung, bei der die erste Schicht 116 mehrere Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen.
Gemäß einer anderen Weiterbildung können die einzelnen
Teilschichten der ersten Schicht 116 unterschiedliche
Schichtdicken aufweisen. Mit anderen Worten kann mindestens eine der Teilschichten eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichten. Gemäß einer Weiterbildung kann die erste Schicht 116 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von
Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der ersten Schicht 116 eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid,
Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid
Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid,
Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminiumdotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen
derselben.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Schicht 116 oder (im Falle eines Schichtenstapele mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der ersten Schicht 116 ein oder mehrere hochbrechende Materialien aufweisen, anders ausgedrückt ein oder mehrere Materialien mit einem hohen Brechungeindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.
In verschiedenen Weiterbildungen ist die zweite Schicht 114 im körperlichen Kontakt auf dem Träger 102 ausgebildet. In verschiedenen Weiterbildungen unterscheiden sich der Träger 102 und die zweite Schicht 114 in wenigstens einer
Eigenschaft, beispielsweise den Materialien aus denen sie gebildet sind.
Die gemeinsame Grenzfläche 122 kann in verschiedenen
Weiterbildungen ein optisches Gitter, einen metallischen Spiegel bzw. Spiegel oder eine totalreflektierende
Grenzfläche aufweisen.
In verschiedenen Weiterbildungen ist die gemeinsame
Grenzfläche 122 von erster Schicht 116 und zweiter Schicht 114 eingerichtet, im Wesentlichen das gesamte Licht 124 zu reflektieren, dass durch die erste Schicht 116 zu der zweiten Schicht 114 transmittiert wird.
In verschiedenen Weiterbildungen weist die Spiegelstruktur 104 in der Grenzfläche 122 der ersten Schicht 116 mit der zweiten Schicht 114 eine optisch funktionale Strukturierung auf, beispielsweise ein Mikrolinsenfeld, eine Streustruktur oder ein optisches Gitter. In verschiedenen Weiterbildungen ist die erste
Elektrodenschicht 106 transparent bezüglich des von der organisch funktionellen Schichtenstruktur 108 emittierten und/oder absorbierten Lichts 124 ausgebildet. In verschiedenen Weiterbildungen weist die erste
Elektrodenschicht 106 ein transparentes elektrisch
leitfähiges Oxid auf oder ist daraus gebildet. In verschiedenen Weiterbildungen weist die erste Elektrodenschicht 106 ein elektrisch leitfähiges Polymer oder eine elektrisch leitfähige Polymermischung auf oder ist daraus gebildet.
In verschiedenen Weiterbildungen ist die erste
Elektrodenschicht 106 aus einem Metall oder einer
Metalllegierung gebildet und weist eine Schichtdicke auf die kleiner als ungefähr 100 nm ist.
Mit anderen Worten:
Die erste Elektrodenschicht 106 weist ein elektrisch
leitfähiges Material auf, beispielsweise ein Metall.
Alternativ oder zusätzlich weist die erste Elektrodenschicht 106 ein transparentes leitfähiges Oxid eines der folgenden Materialien auf: beispielsweise Metalloxide: beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO) . Die erste Elektrodenschicht weist eine Schichtdicke auf in einem Bereich von einer Monolage bis 500 nm, beispielsweise von kleiner 25 nm bis 250 nm,
beispielsweise von 50 nm bis 100 nm.
Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 108 ist zu einem Emittieren eines Lichts aus einer bereitgestellten
elektrischen Energie ausgebildet. Alternativ oder zusätzlich ist die organisch funktionelle Schichtenstruktur 108 zu einem Erzeugen einer elektrischen Energie aus einem absorbierten Licht ausgebildet. Die organisch funktionelle
Schichtenstruktur 108 weist eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Emitterschicht, eine
Elektronentransportschicht und eine
Elektroneninjektionsschicht aufweisen. Die Schichten der organisch funktionellen Schichtenstruktur 108 sind zwischen den Elektrodenschichten 106, 110 derart angeordnet, dass im Betrieb elektrische Ladungsträger von der ersten
Elektrodenschicht 106 durch die organisch funktionelle Schichtenstruktur 108 hindurch in die zweite
Elektrodenschicht 110 fließen können, und umgekehrt.
Die zweite Elektrodenschicht 110 ist transparent bezüglich des von der organisch funktionellen Schichtenstruktur 108 emittierten und/oder absorbierten Lichts 126 ausgebildet.
Die erste Elektrodenschicht 106 und die zweite
Elektrodenschicht 110 können gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein. Die zweite Elektrodenschicht 110 ist als Anode, also als löcherinjizierende Elektrodenschicht
ausgebildet oder als Kathode, also als eine
elektroneninjizierende Elektrode. In verschiedenen Weiterbildungen ist der elektrisch aktive Bereich 118 mittels der Verkapselungsstruktur 112 hermetisch abgedichtet bezüglich einer Eindiffusion von wenigstens einem Stoff, der für den elektrisch aktiven Bereich 118 schädlich ist, beispielsweise Wasser, Schwefel, Sauerstoff und/oder deren Verbindung. Eine hermetisch bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff dichte Verkapselungsstruktur 112 ist eine im
Wesentlichen hermetisch dichte Struktur. Eine hermetisch dichte Struktur kann beispielsweise eine Diffusionsrate bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff von kleiner ungefähr 10 g/(m d) aufweisen, eine hermetisch dichte Abdeckung und/oder ein hermetisch dichter Träger 102 kann/können beispielsweise eine Diffusionsrate bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff von kleiner ungefähr 10-4 g/ (m2d) aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10-4 g/(m2d) bis ungefähr 10-10 g/ (m2d) , beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10-4 g/ (m2d) bis ungefähr 10-6 g/ (m2d) .
Weiterbildungen der Verkapselungsstruktur 112 sind in FIG.7 noch ausführlicher beschrieben.
FIG.2A und 2B zeigen Schnittdarstellungen von
Aueführungsbeispielen 200, 210 eines Teils einer optoelektronischen Baugruppe, die beispielsweise weitgehend dem in Figur 1 gezeigten Ausführungsbeispiel einer
optoelektronischen Baugruppe 100 entsprechen kann. Gemäß einer Weiterbildung kann die erste Schicht 116 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt, als Einzelschicht) ausgebildet sein, beispielsweise veranschaulicht in FIG.2A und FIG.2B. Mit anderen Worten: In verschiedenen
Weiterbildungen ist die erste Schicht 116 als eine einzige Schicht ausgebildet.
In verschiedenen Weiterbildungen weist die Spiegelstruktur 104 und/oder der elektrisch aktive Bereich 118 eine Vielzahl elektrischer Durchkontakte 202, 206 auf, beispielsweise veranschaulicht in FIG.2A und FIG.2B. Die Durchkontakte 202, 204 weisen ein elektrisch leitfähiges Material auf. Die
Durchkontakte 202, 204 können mittels eines herkömmlichen Strukturierungs- und/oder Beschichtungsverfahren ausgebildet werden. Die Durchkontakte 202, 204 können eine oder beide Elektrodenschichten 106, 110 elektrisch mit dem Träger 102 und/oder der zweiten Schicht 114 verbinden. Dadurch kann beispielsweise eine Kontaktierung der ersten
Elektrodenschicht 106 und/oder der zweiten Elektrodenschicht 110 durch den Träger 102 erfolgen, was die Kontaktierung der optoelektronischen Baugruppe 100 vereinfacht.
Beispielsweise ist die erste Elektrodenschicht 106 mittels einer Vielzahl an Durchkontakten 202 mit der zweiten Schicht 114 elektrisch verbunden, beispielsweise veranschaulicht in FIG.2A.
Beispielsweise ist die zweite Elektrodenschicht mittels einer Vielzahl an Durchkontakten 204 mit der zweiten Schicht 114 elektrisch verbunden, beispielsweise veranschaulicht in
FIG.2B.
Die Vielzahl an Durchkontakte 202 ,204 oder ein Teil der Vielzahl an Durchkontakten 202, 204 kann mittele einer elektrisch nicht-leitenden Struktur 206 von einer elektrisch leitfähigen Struktur oder Schicht elektrisch isoliert sein, wenn eine elektrische Verbindung mit dieser Schicht oder Struktur nicht vorgegeben ist. Die elektrisch nicht-leitende Struktur 206 kann beispielswiese ein Resist sein,
beispielsweise ein Polyiraid. Im Fall einer einzelnen, ersten Schicht 116 aus einem elektrisch nicht-leitenden Material ist eine elektrisch nicht-leitenden Struktur 206 in der ersten Schicht 116 nicht notwendig.
In einem Ausführungsbeispiel weist die zweite Schicht 114 eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis 1 um auf und ist aus Silber gebildet. Die erste Schicht 116 weist eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis 1 um auf, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis 1 um auf, und ist aus Α10x, ΤiOx, ZrOx oder einem ähnlichen Material gebildet, beispielsweise einem
transparenten nichtleitenden Oxid. FIG.3 zeigt eine Schnittdarstellung eines
Ausführungebeispiels 300 einer optoelektronischen Baugruppe, die beispielsweise weitgehend einem der oben gezeigten
Ausführungsbeispiele einer optoelektronischen Baugruppe entsprechen kann.
In verschiedenen Weiterbildungen weist die erste Schicht 116 wenigstens eine erste Teilschicht 302 und eine zweite
Teilschicht 304 auf, beispielsweise veranschaulicht in FIG.3. Die erste Teilschicht 302 ist im körperlichen Kontakt mit der zweiten Teilschicht 304 auf der zweiten Teilschicht 304 angeordnet. Die erste Teilschicht 302 ist im körperlichen Kontakt mit der Elektrodenschicht 106.
In verschiedenen Weiterbildungen weisen/weist die erste
Teilschicht 302 und/oder die zweite Teilschicht 304
wenigstens eines der folgenden Materialien auf oder sind/ist daraus gebildet: ein Polymer, ein Metalloxid, ein Metallnitrid, ein Metallcarbid oder ein Metalloxinitrid.
In einem Ausführungsbeispiel weist die zweite Schicht 114 eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis 1 um auf und ist aus Silber gebildet. Die erste Schicht 116 weist eine erste Teilschicht 302 und eine zweite Teilschicht 304 auf. Die erste Teilschicht 302 ist mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis 1 um und aus ΑΙΟχ gebildet. Die zweite Teilschicht 304 ist mit einer
Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis 1 um aus TiOx, ZrOx oder einem ähnlichen Material gebildet,
beispielsweise einem transparenten nichtleitenden Oxid. FIG.4 zeigt eine Schnittdarstellung eines
Ausführungebeispiels 400 eines Teils einer optoelektronischen Baugruppe, die beispielsweise weitgehend einem der oben gezeigten Ausführungebeispiele einer optoelektronischen
Baugruppe entsprechen kann.
In verschiedenen Weiterbildungen weist die erste Schicht 116 eine Schichtenfolge von erster Teilschicht 402 und zweiter Teilschicht 404 auf, beispielsweise veranschaulicht in FIG.4. In der Schichtenfolge sind zwei oder mehr Stapel (Stapel 1 bis n, mit n einer natürlichen Zahl) aus erster Teilschicht 402 und zweiter Teilschicht 404 übereinander gestapelt; siehe auch FIG.6.
In verschiedenen Weiterbildungen können die Teilschichten der ersten Schicht 116 gemäß einer der beschriebenen
Weiterbildungen der ersten Schicht 116 ausgebildet sein.
In einem Ausführungsbeispiel weist die zweite Schicht 114 eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis 1 um auf und ist aus Silber gebildet. Die erste Schicht 116 weist einen Schichtenstapel mit n Stapeln mit jeweils
wenigstens einer ersten Teilschicht 402 und einer zweiten Teilschicht 404 auf. Die erste Teilschicht 402 ist mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis 1 um und aus ΑΙΟχ gebildet. Die zweite Teilschicht 404 ist mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis 1 um aus TiOx, ZrOx oder einem ähnlichen Material gebildet,
beispielsweise einem transparenten nichtleitenden Oxid.
FIG.5 zeigt eine Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels 500 eines Teils einer optoelektronischen Baugruppe, die beispielsweise weitgehend einem der oben gezeigten Ausführungebeispiele einer optoelektronischen
Baugruppe entsprechen kann.
In verschiedenen Weiterbildungen weist die erste Schicht 116 zusätzlich zu der ersten Teilschicht 502 und der zweiten Teilschicht 504 wenigstens eine dritte Teilschicht 506 auf, wobei die zweite Teilschicht 504 im körperlichen Kontakt auf der dritten Teilschicht 506 angeordnet ist, beispielsweise veranschaulicht in FIG.5.
In verschiedenen Weiterbildungen ist die dritte Teilschicht 506 gleich zu der ersten Teilschicht 502 ausgebildet.
In verschiedenen Weiterbildungen ist die dritte Teilschicht 506 wenigstens in einer Eigenschaft unterschiedlich zu der ersten Teilschicht 502 ausgebildet, beispielsweise bezüglich des Materials und/oder der Dicke der Teilschichten.
FIG.6 zeigt ein Diagramm 600 zur simulierten Reflektivität 602 als Funktion der Wellenlänge 604 für einfallendes Licht von optoelektronischen Baugruppen eines Ausführungsbeispiels, das beispielsweise weitgehend einem in FIG.3 bzw. FIG.4 gezeigten Ausführungsbeispiel entsprechen kann. In einer ersten Weiterbildung 606 der Spiegelstruktur 104 weist die erste Schicht 116 einen Stapel mit einer ersten Teilschicht 302 und einer zweiten Teilschicht 304 auf (siehe auch FIG.3) .
In einer zweiten Weiterbildung 608 der Spiegelstruktur 104 weist die erste Schicht 116 zwei Stapel (n = 2 - siehe auch FIG.4) mit jeweils einer ersten Teilschicht 402 und einer zweiten Teilschicht 404 auf, wobei die Stapel übereinander gestapelt sind. In einer dritten Weiterbildung 610 der Spiegelstruktur 104 weist die erste Schicht 116 drei Stapel (n = 3 - siehe auch FIG.4) aus jeweils erster Teilschicht 402 und zweiter
Teilschicht 404 auf, wobei die Stapel übereinander gestapelt sind (siehe auch FIG.4) .
In einer vierten Weiterbildung 612 der Spiegelstruktur 104 weist die erste Schicht 116 vier Stapel (n = 4 - siehe auch FIG.4) aus jeweils erster Teilschicht 402 und zweiter
Teilschicht 404 auf, wobei die Stapel übereinander gestapelt sind.
Die erste Teilschicht 302, 402 weist in den Weiterbildungen 606, 608, 610, 612 eine Schichtdicke von ungefähr 66 nm auf und ist aus Ti02 gebildet. Die zweite Teilschicht 304, 404 weist in den Weiterbildungen 606, 608, 610, 612 eine
Schichtdicke von ungefähr 60 nm auf und ist aus AI2O3
gebildet. Die zweite Schicht 114 weist in den Weiterbildungen 606, 608, 610, 612 eine Schichtdicke von ungefähr 200 nm auf und ist aus Ag gebildet.
Aus dem Diagramm 600 ist ersichtlich, dass im
Wellenlängenbereich von 450 nm bis 650 nm, d.h. ungefähr im sichtbaren Wellenlängenbereich von Licht, die Spiegelstruktur 104 eine mittlere Reflektivität aufweist: bei der ersten Weiterbildung 606 von ungefähr 97,70 %; bei der zweiten
Weiterbildung 608 von ungefähr 98,50 %; bei der dritten Weiterbildung 610 von ungefähr 98,70 %; und bei der vierten Weiterbildung 612 von ungefähr 98,10 %.
Silber weist eine mittlere Reflektivität von ungefähr 95 % auf. Aus dem Diagramm 600 ist somit ersichtlich, dass die Spiegelstruktur 104 mit erster Schicht 116 die Reflektivität einer einfachen Silberschicht, wie sie herkömmlich auch als spiegelnde Elektrode verwendet wird, erhöht. FIG.7 zeigt eine Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe 700, die beispielsweise weitgehend einem der oben gezeigten
Ausführungsbeispiele einer optoelektronischen Baugruppe entsprechen kann.
Die Verkapselungsstruktur 112 weist in verschiedenen
Weiterbildungen eine Barrieredünnschicht 716, eine
Auskoppelschicht, eine Verbindungsschicht 718, einen Getter und/oder eine Abdeckung 720 auf; beispielsweise
veranschaulicht in FIG.7. Die Verkapselungsstruktur 112 umgibt den elektrisch aktiven Bereich 118 wenigstens
teilweise .
Die Barrieredünnschicht 716 weist eines der nachfolgenden Materialien auf oder ist daraus gebildet: Aluminiumoxid,
Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid, Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid,
Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminiumdotiertes Zinkoxid, Poly(p-phenylenterephthalamid) , Nylon 66, sowie Mischungen und Legierungen derselben.
Die Ein-/Auskoppelschicht weist eine Matrix und darin
verteilt Streuzentren bezüglich der elektromagnetischen
Strahlung auf, wobei der mittlere Brechungsindex der Ein- /Auskoppelschicht größer oder kleiner ist als der mittlere Brechungsindex der Schicht, aus der die elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird. Ferner können zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten (beispielsweise kombiniert mit der zweiten Barrieredünnschicht) in der organisch optoelektronischen Baugruppe vorgesehen sein.
Die Verbindungsschicht 718 ist aus einem Klebstoff oder einem Lack gebildet. In einer Weiterbildung weist eine
Verbindungsschicht 718 aus einem transparenten Material
Partikel auf, die elektromagnetische Strahlung streuen, beispielsweise lichtstreuende Partikel. Dadurch wirkt die Verbindungsschicht 718 als Streuschicht, was zu einer
Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der Auskoppeleffizienz führt.
In einer Weiterbildung ist zwischen der zweiten
Elektrodenschicht 110 und der Verbindungsschicht 718 noch eine elektrisch isolierende Schicht (nicht dargestellt) ausgebildet, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis
ungefähr 1,5 um, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 um, um elektrisch instabile Materialien zu schützen, beispielsweise während eines nasschemischen Prozesses.
Die Schicht mit Getter weist ein Material auf oder ist daraus gebildet, dass Stoffe, die schädlich für den elektrisch aktiven Bereich sind, absorbiert und bindet, beispielsweise Wasserdampf und/oder Sauerstoff. Ein Getter weist
beispielsweise ein Zeolith-Derivat auf oder ist daraus gebildet sein. Die Schicht mit Getter- weist eine
Schichtdicke von größer als ungefähr 1 um auf, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren um.
Auf oder über der Verbindungsschicht 718 ist die Abdeckung 720 ausgebildet oder angeordnet. Die Abdeckung 720 wird mittels der Verbindungsschicht 718 mit dem elektrisch aktiven Bereich 118 verbunden und schützt diesen vor schädlichen Stoffen. Die Abdeckung 720 ist beispielsweise eine
Glasabdeckung, eine Metallfolienabdeckung oder eine
abgedichtete Kunststofffolien-Abdeckung. Die Glasabdeckung ist beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung (engl, glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des organisch optoelektronischen Bauelementes verbunden.
Weiterhin veranschaulicht in FIG.7 sind Kontaktflächen 724, 728 mittels derer die optoelektronische Baugruppe 700 mit einer Baugruppen-externen elektrischen Energiequelle (nicht veranschaulicht) verbunden werden kann. Die Kontaktflächen 724, 728 sind außerhalb der Verkapselungsstruktur 112
angeordnet und durch die Verkapselungsstruktur 112 mit den Elektrodenschichten 106, 110 elektrisch verbunden,
beispielsweise mittele elektrisch leitfähiger und elektrisch leitender Verbindungsschichten 722, 726. Die elektrisch leitenden Verbindungsschichten 722, 726 sind beispielsweise transparent oder auch intransparent. Die elektrisch leitenden Verbindungsschichten 722, 726 weisen beispielsweise eine Schichtenfolge auf, beispielsweise: Mo/AI/Mo; Cr/AI/Cr oder Ag/Mg; oder sind aus einer einzelnen Schicht gebildet, beispielsweise AI. Die Kontaktflächen 724, 728 können gemäß einer herkömmlichen Ausgestaltung eingerichtet sein,
beispielsweise eine herkömmliche, sogenannte ACF-PCB Folie sein oder aufweisen.
An der ersten Kontaktfläche 728, die mit der ersten
Elektrodenschicht 106 verbunden ist, ist ein erstes
elektrisches Potential anlegbar. Das erste elektrische
Potential wird von der Baugruppen-externen elektrischen Energiequelle bereitgestellt, beispielsweise einer
Stromquelle oder einer Spannungsquelle. Alternativ wird das erste elektrische Potential an einen elektrisch leitfähigen Träger 102 angelegt und der ersten Elektrodenschicht 106 durch den Träger 102, die Spiegelstruktur 104 und die
Durchkontakte 202 mittelbar elektrisch zugeführt. Das erste elektrische Potential ist beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential. An der zweiten Kontaktfläche 724, die mit der zweiten
Elektrodenschicht 110 verbunden ist, ist ein zweites
elektrisches Potential anlegbar. Das zweite elektrische
Potential wird von der gleichen oder einer anderen
Baugruppen-externen elektrischen Energiequelle bereitgestellt wie das erste elektrische Potential. Das zweite elektrische Potential ist unterschiedlich zu dem ersten elektrischen Potential. Das zweite elektrische Potential weist
beispielsweise einen Wert auf derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V.
In verschiedenen Weiterbildungen sind einzelne elektrisch leitfähige Schichten, die nicht unmittelbar einen
körperlichen Kontakt aufweisen sollen, aber mittelbar
elektrisch miteinander verbunden sein sollen, mittele einer elektrischen Isolierstruktur 714 körperlich voneinander getrennt. Die Isolierstruktur 714 weist beispielsweise ein Resist auf oder ist daraus gebildet, beispielsweise ein
Polyimid. PIO.8 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Aueführungebeispiels eines Verfahrene 800 zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe, die beispielsweise weitgehend einem der oben gezeigten Ausführungsbeispiele entsprechen kann. Das Verfahren 800 zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe weist ein Ausbilden 802 einer Spiegelstruktur im körperlichen Kontakt auf einem Träger 102 auf. Die
Spiegelstruktur wird mit wenigstens einer ersten Schicht und einer zweiten Schicht ausgebildet. Die erste Schicht 116 wird im körperlichen Kontakt auf der zweiten Schicht 114
ausgebildet. Die zweite Schicht 114 weist ein Metall oder eine Metalllegierung auf. Die erste Schicht 116 ist
elektrisch nicht-leitend und transparent für ein Licht. In verschiedenen Weiterbildungen erfolgt das Ausbilden der Spiegelstruktur in einer Vorfertigung, beispielsweise
außerhalb von Vakuum, beispielsweise bei Normaldruck. Alternativ erfolgt das Ausbilden der Spiegelstruktur in
Vakuum, beispielsweise in einem integrierten Prozess vor dem Ausbilden des elektrisch aktiven Bereiches der
optoelektronischen Baugruppe. Das Verfahren weist zudem ein Ausbilden 804 einer für das Licht transparenten Elektrodenschicht auf. Die transparente Elektrodenschicht wird im körperlichen Kontakt auf der ersten Schicht 116 ausgebildet. Die Spiegelstruktur wird zu einem Reflektieren von wenigstens einem Teil des Lichts ausgebildet wird, das durch die erste Elektrodenschicht zu der
Spiegelstruktur transmittiert wird.
In verschiedenen Weiterbildungen wird die optoelektronische Baugruppe als eine Flächenlichtquelle ausgebildet. Die optoelektronische Baugruppe wird beispielsweise als eine Allgemeinbeleuchtung oder ein Display ausgebildet.
In verschiedenen Weiterbildungen weist das Verfahren ferner ein Ausbilden einer organisch funktionellen Schichtenstruktur auf. Die organisch funktionelle Schichtenstruktur wird im körperlichen und elektrischen Kontakt auf der transparenten Elektrodenschicht angeordnet ausgebildet. Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden einer weiteren, für das Licht transparenten Elektrodenschicht auf. Die weitere,
transparente Elektrodenschicht wird im körperlichen und elektrischen Kontakt auf der organisch funktionellen
Schichtenstruktur angeordnet ausgebildet.
In verschiedenen Weiterbildungen können/kann die erste
Schicht 116 oder eine oder mehrere Teilschichten der ersten Schicht 116 mittele eines geeigneten Abscheideverfahrene gebildet werden, z.B. mittels eines
Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) gemäß einer Weiterbildung, z.B. eines plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder eines plasmalosen
Atomlageabscheideverfahrens (Plasma-less Atomic Layer
Deposition (PLALD) ) , oder mittels eines chemischen
Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition
(CVD) ) gemäß einer anderen Weiterbildung, z.B. eines
plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) } oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma-less
Chemical Vapor Deposition (PLCVD) ) , oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren. Gemäß einer
Weiterbildung können bei einer ersten Schicht 116, die mehrere Teilschichten aufweist, alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine
Schichtenfolge, die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat* bezeichnet werden. Gemäß einer alternativen Weiterbildung können bei einer ersten Schicht 116, die mehrere Teilschichten aufweist, eine oder mehrere
Teilschichten der ersten Schicht 116 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden, beispielsweise mittels eines
Gasphasenabscheideverfahrens . Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen
Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise kann die optoelektronische Baugruppe als eine Solarzelle oder ein Fotodetektor ausgebildet werden.
BEZÜGSZEICHENLISTE
100, 200, 210, 300, 400, 500, 700 optoelektronische
Baugruppe
102 Träger
104 Spiegelstruktur
106 erste Elektrodenschicht
108 organisch funktionelle Schichtstruktur
110 zweite Elektrodenschicht
112 Verkapselungsstruktur
114 zweite Schicht
116 erste Schicht
118 elektrisch aktiver Bereich
120, 124, 126 Licht
122 gemeinsame Grenzfläche
202, 204 Durchkontakte
206 elektrisch nicht-leitenden Struktur
302, 402-1/n, 502 erste Teilschicht
304, 404-1/n, 504 zweite Teilschicht
506 dritte Teilschicht
600 Diagramm
602 Reflektivität
604 Wellenlänge
606, 608, 610, 612 Weiterbildungen
714 Isolierstruktur
716 Barrieredünnschicht
718 Verbindungeschicht
720 Abdeckung
722, 726 elektrisch leitende Verbindungsschichten 724, 728 Kontaktflächen
800 Verfahren
802, 804 Verfahrensschritte

Claims

PATENTANSPRÜCHE 1. Optoelektronische Baugruppe (100) , aufweisend:
eine Spiegelstruktur (104) im körperlichen Kontakt auf einem Träger (102) angeordnet,
wobei die Spiegelstruktur (104) wenigstens eine erste Schicht (116) und eine zweite Schicht (114) aufweist, wobei die erste Schicht (116) im körperlichen Kontakt auf der zweiten Schicht (114) angeordnet ist, und wobei die zweite Schicht (114) ein Metall oder eine Metalllegierung aufweist, und
die erste Schicht (116) elektrisch nicht-leitend und transparent für ein Licht ist; und
eine für das Licht transparente erste Elektrodenschicht (106),
wobei die transparente erste Elektrodenschicht (106) im körperlichen Kontakt auf der ersten Schicht (116) angeordnet ist, und
wobei die Spiegelstruktur (104) zu einem Reflektieren von wenigstens einem Teil (124) des Lichts ausgebildet ist, das durch die transparente Elektrodenschicht (106) zu der Spiegelstruktur (104) transmittiert wird;
elektrische Durchkontakte (202) , welche den Träger (102) und/oder die zweite Schicht (114) mit der ersten
Elektrodenschicht (106) elektrisch verbinden, wobei die Durchkontakte (202) durch die erste Schicht (116) verlaufen.
2. Optoelektronische Baugruppe (100) , aufweisend:
eine Spiegelstruktur (104) im körperlichen Kontakt auf einem Träger (102) angeordnet,
wobei die Spiegelstruktur (104) wenigstens eine erste Schicht (116) und eine zweite Schicht (114) aufweist, wobei die erste Schicht (116) im körperlichen Kontakt auf der zweiten Schicht (114) angeordnet ist, und wobei die zweite Schicht (114) ein Metall oder eine Metalllegierung aufweist, und die erste Schicht (116) elektrisch nicht-leitend und transparent für ein Licht ist; und
eine für das Licht transparente erste Elektrodenschicht (106) , wobei die transparente erste Elektrodenschicht (106) im körperlichen Kontakt auf der ersten Schicht (116) angeordnet ist, und
wobei die Spiegelstruktur (104) zu einem Reflektieren von wenigstens einem Teil (124) des Lichts ausgebildet ist, das durch die transparente Elektrodenschicht (106) zu der Spiegelstruktur (104) transmittiert wird;
eine organisch funktionelle Schichtstruktur (108) , welcher im körperlichen Kontakt auf der ersten
Elektrodenschicht (106) angeordnet ist;
eine zweite Elektrodenschicht (110) , welche im
körperlichen Kontakt auf der organisch funktionellen Schichtstruktur (108) angeordnet ist;
elektrische Durchkontakte (202) , welche den Träger (102) und/oder die zweite Schicht (114) mit der ersten
Elektrodenschicht (106) elektrisch verbinden, wobei die Durchkontakte (202) durch die erste Schicht (116) verlaufen; und/oder
elektrische Durchkontakte (204) , welche den Träger (102) und/oder die zweite Schicht (114) mit der zweiten
Elektrodenschicht (110) elektrisch verbinden, wobei die Durchkontakte (204) durch die erste Schicht (116) , die erste Elektrodenschicht (106) und die organisch
funktionellen Schichtstruktur (108) verlaufen.
3. Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß Anspruch 1 oder 2,
wobei die erste Schicht (116) als ein Bragg-Spiegel für wenigstens einen Teil von sichtbarem Licht ausgebildet ist.
4. Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß Anspruch 1 bis 3 wobei die erste Schicht (116) wenigstens eine erste Teilschicht (302, 402, 502) und eine zweite Teilschicht (304, 404, 504) aufweist, wobei die erste Teilschicht (302, 402, 502) im körperlichen Kontakt mit der zweiten Teilschicht (304, 404, 504) auf der zweiten Teilschicht (304, 404, 504) angeordnet ist und die erste Teilschicht (302, 402, 502) im körperlichen Kontakt mit der
transparenten Elektrodenschicht (106) ist.
5. Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß Anspruch 1
bis 4,
wobei die erste Schicht (116) eine Schichtenfolge von erster Teilschicht (402-n) und zweiter Teilschicht (404- n) aufweist, wobei in der Schichtenfolge zwei oder mehr Stapel aus erster Teilschicht (402-n) und zweiter
Teilschicht (404-n) übereinander gestapelt sind.
6. Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß Anspruch 4
oder 5,
wobei die erste Schicht (116) wenigstens eine dritte Teilschicht (506) aufweist, wobei die zweite Teilschicht (504) im körperlichen Kontakt auf der dritten
Teilschicht (506) angeordnet ist.
7. Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß Anspruch 1 oder 2,
wobei die erste Schicht (116) als eine einzige Schicht ausgebildet ist.
8. Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß Anspruch 1
bis 7,
wobei die gemeinsame Grenzfläche (122) von erster
Schicht (116) und zweiter Schicht (114) eingerichtet ist, im Wesentlichen das gesamte Licht zu reflektieren, das durch die erste Schicht (116) zu der zweiten Schicht (114) transmittiert wird.
9. Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß Anspruch 1
bis 8, wobei die Spiegelstruktur (104) in der gemeinsamen
Grenzfläche (122) der ersten Schicht (116) mit der zweiten Schicht (114) eine optisch funktionale
Strukturierung aufweist, vorzugsweise ein
Mikrolinsenfeld, eine Streustruktur oder ein optisches
Gitter.
10. Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß Anspruch 1
bis 9,
wobei die zweite Schicht (114) im körperlichen Kontakt auf dem Träger (102) angeordnet ist.
11. Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß Anspruch 1
bis 10,
wobei die optoelektronische Baugruppe (100) als eine Flächenlichtquelle ausgebildet ist, vorzugsweise als eine Allgemeinbeleuchtung oder ein Display.
12. Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß Anspruch 1
bis 11,
wobei die optoelektronische Baugruppe (100) eine
organisch optoelektronische Baugruppe (100) ist.
13. Verfahren (800) zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe (100) , das Verfahren (800) mit den Schritten: Ausbilden (802) einer Spiegelstruktur (104) im
körperlichen Kontakt auf einem Träger (102) ,
wobei die Spiegelstruktur (104) mit wenigstens einer ersten Schicht (116) und einer zweiten Schicht (114) ausgebildet wird,
wobei die erste Schicht (116) im körperlichen Kontakt auf der zweiten Schicht (114) ausgebildet wird, und wobei die zweite Schicht (114) aus einem Metall oder einer Metalllegierung gebildet wird, und
die erste Schicht (116) elektrisch nicht-leitend und transparent ausgebildet wird; und
Ausbilden (804) einer für das Licht transparenten ersten Elektrodenschicht (106) , wobei die transparente erste Elektrodenschicht (106) im körperlichen Kontakt auf der ersten Schicht (116) ausgebildet wird; und
wobei die Spiegelstruktur (104) zu einem Reflektieren von wenigstens einem Teil des Lichts ausgebildet wird, das durch die transparente Elektrodenschicht (106) zu der Spiegelstruktur (104) transmittiert wird; und
Ausbilden von elektrischen Durchkontakten (202) , welche den Träger (102) und/oder die zweite Schicht (114) mit der ersten Elektrodenschicht (106) elektrisch verbinden, wobei die Durchkontakte (202) durch die erste Schicht
(116) verlaufen.
14. Verfahren (800) zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe (100) , das Verfahren (800) mit den Schritten: Ausbilden (802) einer Spiegelstruktur (104) im
körperlichen Kontakt auf einem Träger (102) ,
wobei die Spiegelstruktur (104) mit wenigstens einer ersten Schicht (116) und einer zweiten Schicht (114) ausgebildet wird,
wobei die erste Schicht (116) im körperlichen Kontakt auf der zweiten Schicht (114) ausgebildet wird, und wobei die zweite Schicht (114) aus einem Metall oder einer Metalllegierung gebildet wird, und
die erste Schicht (116) elektrisch nicht-leitend und transparent ausgebildet wird; und
Ausbilden (804) einer für das Licht transparenten ersten Elektrodenschicht (106) , wobei die transparente erste Elektrodenschicht (106) im körperlichen Kontakt auf der ersten Schicht (116) ausgebildet wird; und
wobei die Spiegelstruktur (104) zu einem Reflektieren von wenigstens einem Teil des Lichts ausgebildet wird, das durch die transparente erste Elektrodenschicht (106) zu der Spiegelstruktur (104) transmittiert wird;
Ausbilden einer organisch funktionellen Schichtstruktur (108) , welcher im körperlichen Kontakt auf der ersten Elektrodenschicht (106) angeordnet ist; Ausbilden einer zweiten Elektrodenschicht (110) , welche im körperlichen Kontakt auf der organisch funktionellen Schichtstruktur (108) angeordnet ist;
Ausbilden von elektrische Durchkontakte (202) , welche den Träger (102) und/oder die zweite Schicht (114) mit der ersten Elektrodenschicht (106) elektrisch verbinden, wobei die Durchkontakte (202) durch die erste Schicht (116) verlaufen und/oder
Ausbilden von elektrischen Durchkontakten (204) , welche den Träger (102) und/oder die zweite Schicht (114) mit der zweiten Elektrodenschicht (110) elektrisch
verbinden, wobei die Durchkontakte (204) durch die erste Schicht (116) , die erste Elektrodenschicht (106) und die organisch funktionellen Schichtstruktur (108) verlaufen.
15. Verfahren (800) gemäß Anspruch 13 oder 14,
wobei die optoelektronische Baugruppe (100) als eine Flächenlichtquelle ausgebildet wird, vorzugsweise als eine Allgemeinbeleuchtung oder ein Display.
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