WO2016129352A1 - エッチング液及びエッチング方法 - Google Patents

エッチング液及びエッチング方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2016129352A1
WO2016129352A1 PCT/JP2016/051690 JP2016051690W WO2016129352A1 WO 2016129352 A1 WO2016129352 A1 WO 2016129352A1 JP 2016051690 W JP2016051690 W JP 2016051690W WO 2016129352 A1 WO2016129352 A1 WO 2016129352A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
acid
etching
etching solution
group
titanium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2016/051690
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
悠貴 荻野
真美 東嶋
将大 林崎
王谷　稔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
MEC Co Ltd
Original Assignee
MEC Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by MEC Co Ltd filed Critical MEC Co Ltd
Priority to KR1020177023507A priority Critical patent/KR102442989B1/ko
Priority to EP16748997.0A priority patent/EP3257969B1/en
Priority to US15/550,752 priority patent/US20180044801A1/en
Priority to CN201680007726.5A priority patent/CN107208280B/zh
Publication of WO2016129352A1 publication Critical patent/WO2016129352A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Priority to US16/707,387 priority patent/US20200109475A1/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/26—Acidic compositions for etching refractory metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/44—Compositions for etching metallic material from a metallic material substrate of different composition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/26—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials
    • H10P50/264—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/108—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by semi-additive methods; masks therefor

Definitions

  • the present invention relates to an etching solution for selectively etching titanium in the presence of copper and an etching method using the same.
  • an etchant containing hydrofluoric acid or hydrogen peroxide has been used for etching titanium.
  • an etching solution for etching titanium in the presence of copper or aluminum is 10 to 40 wt% hydrogen peroxide, 0.05 to 5 wt% phosphoric acid, 0.001
  • the etching solution containing hydrofluoric acid has a problem of high toxicity, and the etching solution containing hydrogen peroxide has a problem of poor storage stability.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and can etch titanium selectively in the presence of copper, and has low toxicity and excellent storage stability, and etching using the same It aims to provide a method.
  • the etching solution of the present invention is used for selectively etching titanium in the presence of copper, It includes at least one acid selected from the group consisting of sulfuric acid, hydrochloric acid, and trichloroacetic acid, and at least one organic sulfur compound selected from the group consisting of thioketone compounds and thioether compounds.
  • the thioketone compound is preferably at least one selected from the group consisting of thiourea, diethylthiourea, and trimethylthiourea.
  • the thioether compound is preferably at least one selected from the group consisting of methionine, ethionine, and 3- (methylthio) propionic acid.
  • the etching solution of the present invention preferably further contains ⁇ -hydroxycarboxylic acid and / or a salt thereof.
  • the ⁇ -hydroxycarboxylic acid is preferably at least one selected from the group consisting of tartaric acid, malic acid, citric acid, lactic acid, and glyceric acid.
  • the concentration of the acid is preferably 20 to 70% by weight, and the concentration of the organic sulfur compound is preferably 0.01 to 10% by weight.
  • the concentration of the ⁇ -hydroxycarboxylic acid and / or salt thereof is preferably 0.2 to 5% by weight.
  • the present invention also relates to an etching method for selectively etching titanium in the presence of copper using the etching solution.
  • the etching solution of the present invention can selectively etch titanium in the presence of copper. Moreover, since the etching liquid of the present invention does not substantially contain hydrofluoric acid and hydrogen peroxide, it has low toxicity and excellent storage stability.
  • the etching solution of the present invention comprises at least one acid selected from the group consisting of sulfuric acid, hydrochloric acid, and trichloroacetic acid, and at least one organic sulfur compound selected from the group consisting of thioketone compounds and thioether compounds.
  • sulfuric acid is preferred from the viewpoint of etching rate stability and low acid volatility.
  • the acid concentration is not particularly limited, but is preferably 20 to 70% by weight, more preferably 30 to 60% by weight. When the acid concentration is less than 20% by weight, a sufficient titanium etching rate tends not to be obtained, and when it exceeds 70% by weight, the safety of the etching solution tends to be a problem.
  • the organic sulfur compound has an effect as a reducing agent and a chelating agent.
  • Examples of the thioketone compound include thiourea, N-alkylthiourea, N, N-dialkylthiourea, N, N′-dialkylthiourea, N, N, N′-trialkylthiourea, N, N, N Examples include ', N'-tetraalkylthiourea, N-phenylthiourea, N, N-diphenylthiourea, N, N'-diphenylthiourea, and ethylenethiourea.
  • the alkyl group of the alkylthiourea is not particularly limited, but an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is preferable.
  • thiourea diethylthiourea, and trimethylthiourea, which are excellent as a reducing agent or chelating agent and have excellent water solubility.
  • Examples of the thioether compound include methionine, methionine alkyl ester hydrochloride, ethionine, 2-hydroxy-4- (alkylthio) butyric acid, and 3- (alkylthio) propionic acid.
  • the carbon number of the alkyl group is not particularly limited, but is preferably 1 to 4 carbon atoms.
  • a part of these compounds may be substituted with another group such as a hydrogen atom, a hydroxy group, or an amino group.
  • the concentration of the organic sulfur compound is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 10% by weight, more preferably 0.2 to 5% by weight. When the concentration of the organic sulfur compound is less than 0.01% by weight, sufficient reducing property and chelate effect cannot be obtained, and the etching rate of titanium tends to be insufficient. It tends to be.
  • the etching solution may contain ⁇ -hydroxycarboxylic acid and / or a salt thereof.
  • ⁇ -Hydroxycarboxylic acid and its salt have an effect as a chelating agent for titanium, and can suppress the precipitation of titanium in the etching solution.
  • examples of the ⁇ -hydroxycarboxylic acid include tartaric acid, malic acid, citric acid, lactic acid, and glyceric acid.
  • the concentration of ⁇ -hydroxycarboxylic acid and / or a salt thereof is not particularly limited, but is preferably 0.2 to 5% by weight, more preferably 0.5 to 2% by weight from the viewpoint of chelating effect and solubility. It is.
  • the etching solution may contain sulfurous acid and / or a salt thereof.
  • Sulfurous acid and its salt have an effect as a reducing agent, and can improve the etching rate of titanium.
  • the concentration of sulfurous acid and / or a salt thereof is not particularly limited, but is preferably 0.02 to 0.5% by weight, more preferably 0.05 to 0.2% by weight from the viewpoint of reducing property and odor. is there.
  • other components may be added to the etching solution to the extent that the effects of the present invention are not hindered.
  • examples of other components include surfactants, component stabilizers, and antifoaming agents.
  • Etching solution can be easily prepared by dissolving the above-described components in water.
  • water water from which ionic substances and impurities have been removed is preferable.
  • ion-exchanged water, pure water, ultrapure water, and the like are preferable.
  • Etching solution may be blended so that each component has a predetermined concentration when used, or a concentrated solution may be prepared and diluted immediately before use.
  • the titanium etching method using the etching solution of the present invention is not particularly limited.
  • the treatment temperature is not particularly limited, but is preferably 40 to 70 ° C., more preferably 45 to 55 ° C. from the viewpoint of etching rate and safety.
  • the treatment time varies depending on the surface state and shape of the object, but is usually about 30 to 120 seconds.
  • Etching solutions having the compositions shown in Tables 1 and 2 were prepared, and an etching test and an etching solution stability test were performed under the following conditions.
  • the balance is ion exchange water.
  • concentration of hydrochloric acid shown in Table 1 and 2 is a density
  • the etching solution of the present invention can selectively etch titanium without etching copper.
  • the etching solution of the present invention has excellent storage stability and can selectively etch titanium stably even when stored for a long time.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

本発明は、銅の存在下でチタンを選択的にエッチングすることができ、しかも毒性が低く、保存安定性に優れるエッチング液、及びそれを用いたエッチング方法を提供することを目的とする。本発明のエッチング液は、硫酸、塩酸、及びトリクロロ酢酸からなる群より選択される少なくとも１種の酸と、チオケトン系化合物及びチオエーテル系化合物からなる群より選択される少なくとも１種の有機硫黄化合物とを含むものであり、銅の存在下でチタンを選択的にエッチングすることができる。

Description

エッチング液及びエッチング方法
　本発明は、銅の存在下でチタンを選択的にエッチングするためのエッチング液、及びそれを用いたエッチング方法に関する。
　従来、チタンのエッチングには、フッ化水素酸又は過酸化水素を含むエッチング液が用いられていた。例えば、特許文献１では、銅またはアルミニウムの存在下でチタンをエッチングするためのエッチング液であって、１０～４０重量％の過酸化水素、０．０５～５重量％のリン酸、０．００１～０．１重量％のホスホン酸系化合物およびアンモニアからなる水溶液で、ｐＨが７～９に調整されていることを特徴とするチタンのエッチング液が提案されている。
　しかし、フッ化水素酸を含むエッチング液は毒性が高いという問題があり、過酸化水素を含むエッチング液は保存安定性に乏しいという問題があった。
特許第４４７１０９４号明細書
　本発明は、前記実情に鑑みてなされたものであり、銅の存在下でチタンを選択的にエッチングすることができ、しかも毒性が低く、保存安定性に優れるエッチング液、及びそれを用いたエッチング方法を提供することを目的とする。
　本発明のエッチング液は、銅の存在下でチタンを選択的にエッチングするために用いられるものであり、
　硫酸、塩酸、及びトリクロロ酢酸からなる群より選択される少なくとも１種の酸、及び
　チオケトン系化合物及びチオエーテル系化合物からなる群より選択される少なくとも１種の有機硫黄化合物を含むことを特徴とする。
　前記チオケトン系化合物は、チオ尿素、ジエチルチオ尿素、及びトリメチルチオ尿素からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。
　前記チオエーテル系化合物は、メチオニン、エチオニン、及び３－（メチルチオ）プロピオン酸からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。
　本発明のエッチング液は、α－ヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩をさらに含むことが好ましい。
　前記α－ヒドロキシカルボン酸は、酒石酸、リンゴ酸、クエン酸、乳酸、及びグリセリン酸からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。
　前記酸の濃度は２０～７０重量％であり、前記有機硫黄化合物の濃度は０．０１～１０重量％であることが好ましい。また、前記α－ヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩の濃度は０．２～５重量％であることが好ましい。
　また、本発明は、前記エッチング液を用いて、銅の存在下でチタンを選択的にエッチングするエッチング方法、に関する。
　本発明のエッチング液は、銅の存在下でチタンを選択的にエッチングすることができる。また、本発明のエッチング液は、フッ化水素酸及び過酸化水素を実質的に含まないため、毒性が低く、保存安定性に優れるものである。
　本発明のエッチング液は、硫酸、塩酸、及びトリクロロ酢酸からなる群より選択される少なくとも１種の酸と、チオケトン系化合物及びチオエーテル系化合物からなる群より選択される少なくとも１種の有機硫黄化合物とを含む水溶液である。
　前記酸の中では、エッチング速度の安定性、及び酸の低揮発性の観点から、硫酸が好ましい。
　酸の濃度は特に制限されないが、２０～７０重量％であることが好ましく、より好ましくは３０～６０重量％である。酸の濃度が２０重量％未満の場合は、十分なチタンのエッチング速度が得られない傾向にあり、７０重量％を超える場合は、エッチング液の安全性が問題となる傾向にある。
　前記有機硫黄化合物は、還元剤及びキレート剤としての効果を有する。
　前記チオケトン系化合物としては、例えば、チオ尿素、Ｎ－アルキルチオ尿素、Ｎ,Ｎ－ジアルキルチオ尿素、Ｎ,Ｎ’－ジアルキルチオ尿素、Ｎ,Ｎ,Ｎ’－トリアルキルチオ尿素、Ｎ,Ｎ,Ｎ’,Ｎ’－テトラアルキルチオ尿素、Ｎ－フェニルチオ尿素、Ｎ,Ｎ－ジフェニルチオ尿素、Ｎ,Ｎ’－ジフェニルチオ尿素、及びエチレンチオ尿素などが挙げられる。アルキルチオ尿素のアルキル基は特に制限されないが、炭素数１～４のアルキル基が好ましい。これらのうち、還元剤又はキレート剤としての効果と水溶性に優れるチオ尿素、ジエチルチオ尿素、及びトリメチルチオ尿素からなる群より選択される少なくとも１種を用いることが好ましい。
　前記チオエーテル系化合物としては、例えば、メチオニン、メチオニンアルキルエステル塩酸塩、エチオニン、２－ヒドロキシ－４－（アルキルチオ）酪酸、及び３－（アルキルチオ）プロピオン酸などが挙げられる。アルキル基の炭素数は特に制限されないが、炭素数１～４であることが好ましい。また、これらの化合物の一部が水素原子、ヒドロキシ基、又はアミノ基等の他の基に置換されたものであってもよい。これらのうち、還元剤又はキレート剤としての効果に優れるメチオニン、エチオニン、及び３－（メチルチオ）プロピオン酸からなる群より選択される少なくとも１種を用いることが好ましい。
　有機硫黄化合物の濃度は特に制限されないが、０．０１～１０重量％であることが好ましく、より好ましくは０．２～５重量％である。有機硫黄化合物の濃度が０．０１重量％未満の場合には、十分な還元性及びキレート効果が得られず、チタンのエッチング速度が不十分になる傾向にあり、１０重量％を超えると溶解限界となる傾向にある。
　エッチング液は、α－ヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩を含んでいてもよい。α－ヒドロキシカルボン酸及びその塩は、チタンのキレート剤としての効果を有しており、エッチング液中にチタンの沈殿が生じることを抑制できる。前記α－ヒドロキシカルボン酸としては、例えば、酒石酸、リンゴ酸、クエン酸、乳酸、及びグリセリン酸などが挙げられる。
　α－ヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩の濃度は特に制限されないが、キレート効果及び溶解性の観点から、０．２～５重量％であることが好ましく、より好ましくは０．５～２重量％である。
　また、エッチング液は、亜硫酸及び／又はその塩を含んでいてもよい。亜硫酸及びその塩は、還元剤としての効果を有しており、チタンのエッチング速度を向上させることができる。
　亜硫酸及び／又はその塩の濃度は特に制限されないが、還元性及び臭気の観点から、０．０２～０．５重量％であることが好ましく、より好ましくは０．０５～０．２重量％である。
　エッチング液には、上述した成分以外にも、本発明の効果を妨げない程度に他の成分を添加してもよい。他の成分としては、例えば、界面活性剤、成分安定剤、及び消泡剤などが挙げられる。
　エッチング液は、前記の各成分を水に溶解させることにより、容易に調製することができる。前記水としては、イオン性物質及び不純物を除去した水が好ましく、例えばイオン交換水、純水、超純水などが好ましい。
　エッチング液は、各成分を使用時に所定の濃度になるように配合してもよく、濃縮液を調製しておき使用直前に希釈して使用してもよい。
　本発明のエッチング液を用いたチタンのエッチング方法は特に制限されず、例えば、銅及びチタンを含む対象物にエッチング液を塗布又はスプレーする方法、銅及びチタンを含む対象物をエッチング液中に浸漬する方法などが挙げられる。処理温度は特に制限されないが、エッチング速度及び安全性の観点から、４０～７０℃であることが好ましく、より好ましくは４５～５５℃である。処理時間は対象物の表面状態及び形状等により変わるが、通常３０～１２０秒程度である。
　次に、本発明の実施例について比較例と併せて説明する。なお、本発明は下記の実施例に限定して解釈されるものではない。
　表１及び２に示す組成の各エッチング液を調製し、下記条件でエッチング試験、及びエッチング液の安定性試験を行った。なお、表１及び２に示す組成の各エッチング液において、残部はイオン交換水である。また、表１及び２に示す塩酸の濃度は、塩化水素としての濃度である。
　（エッチング試験）
　樹脂上にスパッタ法でチタン膜を５０ｎｍ、次いで銅膜を２００ｎｍ成膜し、さらにその上に電解銅めっきでパターンを形成した基板を試料として用いた。銅のエッチング液を用いて、試料のスパッタ銅膜を溶解してチタン膜を露出させた。その後、実施例１～１２及び比較例１～３のエッチング液に試料を浸漬してエッチング実験を行った。その結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示すように、本発明のエッチング液は、銅をエッチングせず、チタンを選択的にエッチングすることができる。
　（エッチング液の安定性試験）
　実施例１、７、１２及び比較例４のエッチング液を室温下で２日間放置した後、前記エッチング試験を行い、放置前後におけるエッチング速度を比較した。その結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２に示すように、本発明のエッチング液は、保存安定性に優れており、長期保存した場合でも安定してチタンを選択的にエッチングすることができる。
 

Claims (8)

  1. 　銅の存在下でチタンを選択的にエッチングするためのエッチング液であって、
    　硫酸、塩酸、及びトリクロロ酢酸からなる群より選択される少なくとも１種の酸、及び
    　チオケトン系化合物及びチオエーテル系化合物からなる群より選択される少なくとも１種の有機硫黄化合物を含むことを特徴とするエッチング液。
  2. 　前記チオケトン系化合物が、チオ尿素、ジエチルチオ尿素、及びトリメチルチオ尿素からなる群より選択される少なくとも１種である請求項１記載のエッチング液。
  3. 　前記チオエーテル系化合物が、メチオニン、エチオニン、及び３－（メチルチオ）プロピオン酸からなる群より選択される少なくとも１種である請求項１又は２記載のエッチング液。
  4. 　α－ヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩をさらに含む請求項１～３のいずれかに記載のエッチング液。
  5. 　前記α－ヒドロキシカルボン酸が、酒石酸、リンゴ酸、クエン酸、乳酸、及びグリセリン酸からなる群より選択される少なくとも１種である請求項４記載のエッチング液。
  6. 　前記酸の濃度が、２０～７０重量％であり、
    　前記有機硫黄化合物の濃度が、０．０１～１０重量％である請求項１～５のいずれかに記載のエッチング液。
  7. 　前記α－ヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩の濃度が、０．２～５重量％である請求項４～６のいずれかに記載のエッチング液。
  8. 　請求項１～７のいずれかに記載のエッチング液を用いて、銅の存在下でチタンを選択的にエッチングするエッチング方法。
PCT/JP2016/051690 2015-02-12 2016-01-21 エッチング液及びエッチング方法 Ceased WO2016129352A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020177023507A KR102442989B1 (ko) 2015-02-12 2016-01-21 에칭액 및 에칭 방법
EP16748997.0A EP3257969B1 (en) 2015-02-12 2016-01-21 Etching liquid and etching method
US15/550,752 US20180044801A1 (en) 2015-02-12 2016-01-21 Etching liquid and etching method
CN201680007726.5A CN107208280B (zh) 2015-02-12 2016-01-21 蚀刻液及蚀刻方法
US16/707,387 US20200109475A1 (en) 2015-02-12 2019-12-09 Etching method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015025385A JP6429079B2 (ja) 2015-02-12 2015-02-12 エッチング液及びエッチング方法
JP2015-025385 2015-02-12

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US15/550,752 A-371-Of-International US20180044801A1 (en) 2015-02-12 2016-01-21 Etching liquid and etching method
US16/707,387 Division US20200109475A1 (en) 2015-02-12 2019-12-09 Etching method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016129352A1 true WO2016129352A1 (ja) 2016-08-18

Family

ID=56615169

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2016/051690 Ceased WO2016129352A1 (ja) 2015-02-12 2016-01-21 エッチング液及びエッチング方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US20180044801A1 (ja)
EP (1) EP3257969B1 (ja)
JP (1) JP6429079B2 (ja)
KR (1) KR102442989B1 (ja)
CN (1) CN107208280B (ja)
TW (1) TWI680210B (ja)
WO (1) WO2016129352A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021041323A (ja) * 2019-09-10 2021-03-18 Ｄｏｗａテクノロジー株式会社 洗浄液、洗浄液の製造方法及び設備の洗浄方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019122055A1 (en) * 2017-12-22 2019-06-27 Atotech Deutschland Gmbh A method and treatment composition for selective removal of palladium
CN114196956B (zh) * 2020-09-18 2024-03-12 珠海市丹尼尔电子科技有限公司 一种用于钛的蚀刻液
CN115491677B (zh) * 2022-09-22 2023-10-13 易安爱富(武汉)科技有限公司 一种钛铝钛复合膜层的酸性蚀刻液及制备方法
CN116083910A (zh) * 2022-12-28 2023-05-09 湖北兴福电子材料股份有限公司 一种钛或钛合金的蚀刻液
CN117448823A (zh) * 2023-07-06 2024-01-26 江西斯坦德电极科技有限公司 一种钛阳极表面处理蚀刻液
CN117107241A (zh) * 2023-10-11 2023-11-24 中南大学 一种混酸刻蚀钛基体表面的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009512194A (ja) * 2005-10-05 2009-03-19 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド ポストエッチング残渣を除去するための酸化性水性洗浄剤
JP2013135039A (ja) * 2011-12-26 2013-07-08 Mec Co Ltd 配線形成方法およびエッチング液
JP2014103179A (ja) * 2012-11-16 2014-06-05 Fujifilm Corp 半導体基板のエッチング液、これを用いたエッチング方法及び半導体素子の製造方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3888778A (en) * 1973-03-13 1975-06-10 Merton Beckwith Bright dip composition for tin/lead
US4004956A (en) * 1974-08-14 1977-01-25 Enthone, Incorporated Selectively stripping tin or tin-lead alloys from copper substrates
US4180469A (en) * 1977-12-30 1979-12-25 Amchem Products, Inc. Dithiocarbamate sulfonium salt inhibitor composition
US4588471A (en) * 1985-03-25 1986-05-13 International Business Machines Corporation Process for etching composite chrome layers
JPS61266582A (ja) * 1985-05-22 1986-11-26 Okuno Seiyaku Kogyo Kk 錫又は錫合金の剥離液
US4657632A (en) * 1985-08-29 1987-04-14 Techno Instruments Investments 1983 Ltd. Use of immersion tin coating as etch resist
JPS63161178A (ja) * 1986-12-23 1988-07-04 Metsuku Kk スズまたはスズ合金の剥離液
JPH06280056A (ja) * 1993-03-30 1994-10-04 Okuno Chem Ind Co Ltd スズ又はスズ合金皮膜用剥離剤
US6103627A (en) * 1996-02-21 2000-08-15 Micron Technology, Inc. Treatment of a surface having an exposed silicon/silica interface
US6284309B1 (en) * 1997-12-19 2001-09-04 Atotech Deutschland Gmbh Method of producing copper surfaces for improved bonding, compositions used therein and articles made therefrom
JP4401550B2 (ja) * 2000-08-31 2010-01-20 株式会社大和化成研究所 パラジウム又はパラジウム化合物の溶解処理方法
US6841084B2 (en) * 2002-02-11 2005-01-11 Nikko Materials Usa, Inc. Etching solution for forming an embedded resistor
JP4267331B2 (ja) * 2003-01-14 2009-05-27 株式会社荏原製作所 基板の処理方法及びエッチング液
JP4471094B2 (ja) 2004-05-11 2010-06-02 三菱瓦斯化学株式会社 チタンまたはチタン合金のエッチング液
KR20060108436A (ko) * 2005-04-13 2006-10-18 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자 세정용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의세정 방법
KR100734274B1 (ko) * 2005-09-05 2007-07-02 삼성전자주식회사 기판 세정용 조성물을 이용한 게이트 형성 방법
TW200831710A (en) * 2006-09-25 2008-08-01 Mec Co Ltd Metal removing solution and metal removing method using the same
CN100588757C (zh) * 2006-12-29 2010-02-10 佛山市顺德区汉达精密电子科技有限公司 一种不锈钢电解蚀刻工艺
US9831088B2 (en) * 2010-10-06 2017-11-28 Entegris, Inc. Composition and process for selectively etching metal nitrides
US9121101B2 (en) * 2011-06-30 2015-09-01 Asahi Kasei E-Materials Corporation Etchant and etching method using the same
JP5933950B2 (ja) * 2011-09-30 2016-06-15 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 銅または銅合金用エッチング液
SG11201405737VA (en) * 2012-03-18 2014-10-30 Entegris Inc Post-cmp formulation having improved barrier layer compatibility and cleaning performance
JP6290206B2 (ja) * 2013-06-18 2018-03-07 株式会社Ｊｃｕ 無電解金属めっきのブリッジ防止液およびこれを用いたプリント配線板の製造方法
CN103789779A (zh) * 2014-02-24 2014-05-14 昆山苏杭电路板有限公司 化学镀金板非沉铜孔内防金沉积工艺及其除钯处理液

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009512194A (ja) * 2005-10-05 2009-03-19 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド ポストエッチング残渣を除去するための酸化性水性洗浄剤
JP2013135039A (ja) * 2011-12-26 2013-07-08 Mec Co Ltd 配線形成方法およびエッチング液
JP2014103179A (ja) * 2012-11-16 2014-06-05 Fujifilm Corp 半導体基板のエッチング液、これを用いたエッチング方法及び半導体素子の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3257969A4 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021041323A (ja) * 2019-09-10 2021-03-18 Ｄｏｗａテクノロジー株式会社 洗浄液、洗浄液の製造方法及び設備の洗浄方法
JP7486294B2 (ja) 2019-09-10 2024-05-17 Ｄｏｗａテクノロジー株式会社 洗浄液、洗浄液の製造方法及び設備の洗浄方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6429079B2 (ja) 2018-11-28
EP3257969B1 (en) 2020-04-22
JP2016148081A (ja) 2016-08-18
KR20170117434A (ko) 2017-10-23
TW201634753A (zh) 2016-10-01
US20200109475A1 (en) 2020-04-09
CN107208280A (zh) 2017-09-26
KR102442989B1 (ko) 2022-09-14
TWI680210B (zh) 2019-12-21
CN107208280B (zh) 2019-06-07
EP3257969A1 (en) 2017-12-20
US20180044801A1 (en) 2018-02-15
EP3257969A4 (en) 2018-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6429079B2 (ja) エッチング液及びエッチング方法
CN107227463B (zh) 铜/钼膜或铜/钼合金膜的蚀刻液组合物
US5939336A (en) Aqueous solutions of ammonium fluoride in propylene glycol and their use in the removal of etch residues from silicon substrates
EP2922086B1 (en) Composition, system, and process for TiNxOy removal
JP2013010987A (ja) さび除去剤水溶液
CN102560497A (zh) 蚀刻剂及使用它的蚀刻方法
CN104562009A (zh) 金属配线蚀刻液组合物及利用其的金属配线形成方法
KR102517903B1 (ko) 식각액 조성물, 및 식각액 조성물을 이용한 식각 방법
TWI460311B (zh) 用於撓性配線基板之鎳－鉻合金剝離劑
TWI841746B (zh) 過氧化氫分解抑制劑
JP5435251B2 (ja) 化成処理剤
TWI503401B (zh) Etching composition
WO2017195453A1 (ja) レジストの剥離液
TWI779028B (zh) 蝕刻液組成物及蝕刻方法
JP2005116542A (ja) エッチング液組成物
KR102336933B1 (ko) 비시안계 Au-Sn 합금 도금액
TWI797093B (zh) 蝕刻液組成物及蝕刻方法
TWI749287B (zh) 酸性過氧化氫水溶液組成物
CN107012465A (zh) 一种铜蚀刻液及其应用
KR20210056768A (ko) 금속막 식각액 조성물
JP4577095B2 (ja) 金属チタンのエッチング用組成物及びそれを用いたエッチング方法
KR102758151B1 (ko) 금속막의 식각방법
JPH0429743B2 (ja)
JPH10101310A (ja) 鉄を含む酸性過酸化水素水溶液の安定化方法
JPWO2020079977A1 (ja) 表面処理液及びニッケル含有材料の表面処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16748997

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2016748997

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15550752

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20177023507

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A