WO2016192704A1 - Bauelement mit einer transparenten leitfähigen nitridschicht - Google Patents

Bauelement mit einer transparenten leitfähigen nitridschicht Download PDF

Info

Publication number
WO2016192704A1
WO2016192704A1 PCT/DE2016/000237 DE2016000237W WO2016192704A1 WO 2016192704 A1 WO2016192704 A1 WO 2016192704A1 DE 2016000237 W DE2016000237 W DE 2016000237W WO 2016192704 A1 WO2016192704 A1 WO 2016192704A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
component
transparent conductive
nitride layer
conductive nitride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/DE2016/000237
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Armin Dadgar
Axel Hoffmann
Christian NENSTIEL
Andre Strittmatter
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Otto Von Guericke Universitaet Magdeburg
Original Assignee
Otto Von Guericke Universitaet Magdeburg
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Otto Von Guericke Universitaet Magdeburg filed Critical Otto Von Guericke Universitaet Magdeburg
Priority to US15/577,741 priority Critical patent/US20180130927A1/en
Priority to DE112016002458.4T priority patent/DE112016002458A5/de
Publication of WO2016192704A1 publication Critical patent/WO2016192704A1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/832—Electrodes characterised by their material
    • H10H20/833—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/8215—Bodies characterised by crystalline imperfections, e.g. dislocations; characterised by the distribution of dopants, e.g. delta-doping
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/81—Electrodes
    • H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes

Definitions

  • the invention relates to a component or module with a transparent conductive nitride layer.
  • Transparent conductive layers are used in a variety of applications
  • ITO Indium Tin Oxide
  • solar cells can be used as an electrically conductive cover layer.
  • the main problem of the currently used ITO is the limited availability of indium, which is why recycling this material
  • ZnO which, doped with a group III element, allows for very high electron concentrations up to 10 21 carriers per cm 3 and thus high electrical conductivities, but ZnO is chemically quite unstable and settable It also etches its material properties under atmospheric influence.
  • the group III nitrides are nowadays mainly used for LED applications in the blue-green-white color space.
  • ITO has hitherto been used as a conductive, transparent material in order to achieve an optimum current distribution over the p-doped region of the pn diode structure.
  • the p-doped layer of the pn structure generally has a low conductivity in nitride semiconductors, which severely impairs current transport over several micrometers. So far, this problem is circumvented by full-area contact with a highly reflective in the visible spectral region, conductive metal (usually silver or aluminum) or by a transparent, conductive oxide layer, usually ITO.
  • the ITO can be deposited as amorphous or polycrystalline material only in a second process step, which on the one hand costs arise and on the other hand only sub-optimal electrical and optical properties of the ITO can be achieved. It is now necessary to realize an improved contacting layer, which is less expensive and chemically more stable than previously used layers.
  • a component is proposed with a transparent conductive nitride layer, characterized by a layer in the AIGalnN system and doping with a shallow donor above a concentration of 5 ⁇ 10 19 cm -3 .
  • a component is understood in the present invention as follows:
  • a light transmissive device each with a transparent conductive nitride layer.
  • the doping of the device should be carried out with a suitable group IV or group VI element such as a doping with germanium, tin, lead, sulfur and / or tellurium.
  • the doping of 5 ⁇ 10 19 cm -3 is to be seen as the lower limit, ideally a doping above 1x10 20 cm -3 . This makes it possible to achieve an ITO-like layer in terms of conductivity and transparency.
  • This layer requires for contacting usually only simple and not necessarily flat, but usually only small metal contacts, for a small
  • contact resistance need not be alloyed.
  • the layer can also be contacted directly without contact metal with a suitable bonding wire or other conductive material.
  • An embodiment of the invention provides that the contacting of the component by a transparent conductive nitride layer thereby takes place on at least one electrical connection of a component or a component of a component module.
  • the layer according to the invention is chemically and thermally very stable and thus also allows applications in which the surface is unprotected and z. B. is exposed to aggressive media or, depending on the material, at temperatures of up to 700 ° C in the system Al x Gai. x N with 0 ⁇ x ⁇ 1 or in the case of systems containing L a little below, but still significantly above 200 ° C is exposed.
  • this layer is biocompatible when using the GalnN system, making it interesting as a contact layer to cells in biomedical research and for applications arising therefrom.
  • Another embodiment of the invention provides a device which is characterized by a tunnel contact between the transparent conductive nitride layer and a p-type device layer.
  • the group HI nitrides with a hole concentration of at least 3x10 17 cm -3 , more preferably 5x10 17 cm -3 and ideally of 9x10 17 cm -3 or above.
  • the doping of the layer according to the invention is at least 5 ⁇ 10 19 cm -3 and ideally above 1 ⁇ 10 20 cm -3 .
  • the device may be applied to a group III nitride layer according to another embodiment of the invention.
  • the transparent conductive nitride layers are process compatible with the epitaxial processes for the production of LED structures, when applied to a group III nitride layer as in GaN based LEDs eliminates additional process steps such.
  • B sputtering of ITO or ZnO.
  • this layer is particularly long-term stable, since no or only small additional voltages are introduced into the device.
  • a component module which has at least one of the aforementioned components.
  • FIGS. 1 and 2 schematically show an LED structure in each case.
  • a simple LED structure consists of a substrate 100, 200, an optional seed and buffer layer 101, 201, an n-type layer 102, 202, which is ideally highly conductive, another n-type Layer, one or more light-emitting layers 104, 204, shown here schematically three.
  • an electron injection barrier not shown, in group III nitrides doped with Mg and typically having an Al concentration of between 5-30% and a thickness between 5-25 nm.
  • the p-type layer 105, 205 is followed by the layer 106, 206 according to the invention, which can lead to a tunnel junction 107, 207 at the interface of the layers 105-106 and 205-206, respectively.
  • the component is then introduced via metallizations 208 and 210 usually with wires 209, 21 1 in a circuit.
  • the metallizations 208 and 210 may be identical. For other materials, this is not necessarily the case.
  • the structure of the layers or of the p-n junction can also be reversed, and the preferred light emission can also take place upwards through a substrate.
  • the transparency of the upper layer plays only a role in that one can put a highly reflective layer behind it and still one
  • the layer 106, 206 can be applied to any p-type layer of an LED, so also LEDs made of materials other than a group III nitride, but also on n-type layers and generally in all types of components that must be contacted, also Solar cells and sensors. This is generally advantageous for layers which require an optically transparent highly conductive cover layer.
  • GaN is used as a transparent conductive nitride, optical transparency in the visible to far beyond the infrared region is given.
  • Wavelength range must be transparent.
  • Dotier damastyrene be applied by epitaxial methods or sputtering. Either a structuring with z. B. one
  • the layer is anschmanend structured and wet or dry chemical separated into individual lines. Ideal is the combination on a monolithic on a substrate such.
  • the layer according to the invention is applied and patterned in a second step either at the end of the growth process or, in particular in multicolored design.
  • full-color LED displays based on Group III nitride can be produced by the lattice-matched growth of the layer according to the invention and their high resistance to environmental influences have great advantages in terms of life.

Landscapes

  • Led Devices (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Bauelement mit einer transparenten leitfähigen Nitridschicht, gekennzeichnet durch eine Schicht im System AIGalnN und eine Dotierung mit einem flachen Donator oberhalb einer Konzentration von 5x1019cm-3.

Description

Bauelement mit einer transparenten leitfähigen Nitridschicht
Die Erfindung betrifft ein Bauelement oder Bauelementmodul mit einer transparenten leitfähigen Nitridschicht.
Transparente leitfähige Schichten sind für eine Vielzahl von Anwendungen in der
Mikroelektronik unersetzlich. So wird in großem Maßstab Indium-Zinn-Oxid (ITO) in der Displayherstellung eingesetzt. Aber auch in Solarzellen können sie als stromleitende Deckschicht verwendet werden. Hauptproblem des derzeit eingesetzten ITO ist die limitierte Verfügbarkeit von Indium, weswegen Recycling dieses Materials aus
gebrauchten Produkten erforderlich ist, um den Jahresbedarf an diesem Rohstoff sicherzustellen. Ein weiteres Material das alternativ zur Verfügung steht ist ZnO, welches, mit einem Gruppe-Ill-Element dotiert, sehr hohe Elektronenkonzentrationen bis zu 1021 Ladungsträger pro cm"3 und dadurch hohe elektrische Leitfähigkeiten ermöglicht. ZnO ist jedoch chemisch recht instabil und lässt sich leicht ätzen. Weiterhin verändert es seine stofflichen Eigenschaften unter atmosphärischem Einfluss.
Die Gruppe-Ill-Nitride werden heutzutage hauptsächlich für LED Anwendungen im blau- grün-weißen Farbraum eingesetzt. Auch für diese Anwendung wird bisher ITO als leitfähiges, transparentes Material eingesetzt, um eine optimale Stromverteilung über dem p-dotierten Bereich der pn-Diodenstruktur zu erreichen. Die p-dotierte Schicht der pn- Struktur weist in Nitrid-Halbleitern generell eine geringe Leifähigkeit auf, die einen Stromtransport über mehrere Mikrometer stark beeinträchtigt. Bisher wird dieses Problem umgangen durch ganzflächige Kontaktierung mit einem im sichtbaren Spektralbereich hochreflektierenden, leitfähigen Metall (in der Regel Silber oder Aluminium) oder durch eine transparent, leitfähige Oxidschicht, in der Regel ITO.
Beide Lösungen sind nachteilig, da im ersten Fall die Wahlmöglichkeit des Kontaktmetalls eingeschränkt wird, wodurch erhöhte Kontaktwiderstände am Übergang Metall/Halbleiter auftreten. Im zweiten Fall kann das ITO nur in einem zweiten Prozessschritt als amorphes oder polykristallines Material abgeschieden werden, wodurch einerseits Kosten entstehen und andererseits nur sub-optimale elektrische und optische Eigenschaften des ITO erreicht werden. Es gilt nun eine verbesserte Kontaktierungsschicht zu realisieren, die kostengünstiger und chemisch stabiler als bislang verwendete Schichten ist.
Gelöst wird diese Aufgabe mit einem Bauelement nach Anspruch 1 und einem Bauelementemodul nach Anspruch 6 sowie den Ausführungsformen der Unteransprüche.
Vorgeschlagen wird ein Bauelement mit einer transparenten leitfähigen Nitridschicht, gekennzeichnet durch eine Schicht im System AIGalnN und eine Dotierung mit einem flachen Donator oberhalb einer Konzentration von 5x1019 cm"3.
Unter einem Bauelement wird in der vorliegenden Erfindung folgendes verstanden:
- ein Licht emittierendes Bauelement oder
- ein lichtabscrbierendes Bauelement oder
- ein lichttransmittierendes Bauelement, jeweils mit einer transparenten leitfähigen Nitridschicht.
Die Dotierung des Bauelements sollte dabei mit einem geeigneten Gruppe-IV oder Gruppe-Vl Element erfolgen wie eine Dotierung mit Germanium, Zinn, Blei, Schwefel und/oder Tellur.
Dabei ist zur Erhöhung der Leitfähigkeit ausdrücklich auch die gleichzeitige Dotierung mit mehreren Dotanden möglich, um die jeweiligen Löslichkeitsgrenzen zu umgehen. Dabei ist die Dotierung von 5x1019 cm"3 als untere Grenze zu sehen, ideal ist eine Dotierung oberhalb von 1x1020 cm"3. Damit lässt sich eine dem ITO ähnliche Schicht in Bezug auf Leitfähigkeit und Transparenz erzielen.
Diese Schicht benötigt zur Kontaktierung in der Regel nur einfache und nicht zwingend flächige, sondern meist nur kleine Metallkontakte, die für einen geringen
Kontaktwiderstand zudem nicht legiert sein müssen. Je nach Dotierhöhe kann die Schicht auch ohne Kontaktmetall direkt mit einem geeigneten Bonddraht oder einem anderen leitfähigem Material kontaktiert werden.
Eine Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass die Kontaktierung des Bauelements durch eine transparente leitfähige Nitridschicht dabei an mindestens einen elektrischen Anschluss eines Bauelements oder eines Bauelements eines Bauelementmoduls erfolgt. Insbesondere ist die erfindungsgemäße Schicht chemisch und thermisch sehr stabil und ermöglicht damit auch Anwendungen bei denen die Oberfläche ungeschützt ist und z. B. aggressiven Medien ausgesetzt wird oder, je nach Material, bei Temperaturen von bis zu 700 °C im System AlxGai.xN mit 0<x<1 bzw. bei ln-haltigen Systemen etwas darunter, aber noch deutlich über 200 °C ausgesetzt ist. Auch ist diese Schicht, bei Verwendung des Systems GalnN biokompatibel, was sie als Kontaktschicht zu Zellen in der biomedizinischen Forschung und für daraus entstehende Anwendungen interessant macht.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht ein Bauelement vor, welches gekennzeichnet ist, durch einen Tunnelkontakt zwischen der transparenten leitfähigen Nitridschicht und einer p-leitenden Bauelementschicht.
Bei LEDs ermöglicht sie die Herstellung eines Tunnelkontakts zwischen der transparenten leitfähigen Nitridschicht und einer p-leitenden Bauelementschicht, der somit den Einsatz von ITO oder anderen aufwendigen Kontaktierungsmethoden überflüssig macht und für eine gute Stromverteilung sorgt. Entscheidend für einen niederohmigen Tunnelkontakt ist hierbei eine möglichst hohe Dotierung der p- und der n-leitenden Seite, also der p-Schicht des Bauelements, das kontaktiert werden soll.
Im Fall der Gruppe-HI-Nitride mit einer Löcherkonzentration von mindestens 3x1017 cm'3, besser 5x1017 cm"3 und idealerweise von 9x1017 cm"3 oder darüber. Die Dotierung der erfindungsgemäßen Schicht beträgt dabei mindestens 5x1019 cm"3 und ideal über 1x1020 cm"3.
Das Bauelement kann nach einer weiteren Ausführungsform der Erfindung auf eine Gruppe-Ill-Nitrid Schicht aufgebracht sein.
Da die transparent leitfähigen Nitridschichten prozesskompatibel mit den epitaktischen Verfahren zur Herstellung von LED Strukturen sind, entfallen beim Aufbringen auf eine Gruppe-Ill-Nitrid Schicht wie bei GaN basierten LEDs zusätzliche Prozessschritte wie z. B: Sputtern von ITO oder ZnO. Zudem ist durch die gute thermische und geringe bis fehlende Gitterfehlanpassung diese Schicht besonders langzeitstabil, da keine oder nur geringe zusätzlichen Spannungen in das Bauelement eingebracht werden. Zur Abscheidung der transparent leitfähigen Gruppe-Ill-Nitridschicht kommen
grundsätzlich alle geeigneten Abscheideverfahren wie z. B., Plasmaverfahren und Verdampfungs erfahren in Betracht. Epitaktische Methoden sind vorzugsweise zu verwenden, da hierdurch eine defektarme Materialqualität erreicht wird, die vorteilhaft für eine hohe Leitfähigkeit ist.
Mit dem bislang gebräuchlichen Dotanden Silizium ist solch eine hohe elektrisch aktive Dotierung nur mit wenigen Verfahren wie der MBE möglich, insbesondere bildet sich im gebräuchlichsten Verfahren der metallorganischen Gasphasenepitaxie eine raue
Oberfläche aus. Mit den erfindungsgemäßen Dotanden wird dort häufig sogar eine leichte Glättung der Oberfläche ermöglicht, was für viele Anwendungen vorteilhaft ist.
Zudem wird ein Bauelementemodul vorgeschlagen, welches zumindest eines der zuvor genannten Bauelemente aufweist.
Die Erfindung wird nachfolgend beispielhaft anhand von Ausführungsbeispielen und Figuren dargestellt.
Es zeigen:
Fig. 1 : schematisch eine LED Struktur im Querschnitt,
Fig. 2: schematisch ein LED-Struktur mit elektrischen Anschlüssen im Querschnitt
In Figuren 1 und 2 ist schematisch jeweils eine LED Struktur dargestellt.
Eine einfache LED Struktur besteht wie in Figuren 1 bzw. 2 gezeigt aus einem Substrat 100, 200, einer optionalen Ankeim- und Pufferschicht 101 , 201 , einer n-leitenden Schicht 102, 202, die idealerweise hoch leitfähig ist, einer weiteren n-leitenden Schicht, einer oder mehrere lichtemittierender Schichten 104, 204, hier schematisch drei eingezeichnet. Darauf folgt optional eine nicht gezeigte Elektroneninjektionsbarriere, bei Gruppe-Ill- Nitriden aus AIGaN die mit Mg dotiert ist und typischerweise eine AI-Konzentration zwischen 5-30 % und eine Dicke zwischen 5-25 nm aufweist.
Die p-leitende Schicht 105, 205 wird gefolgt von der erfindungsgemäßen Schicht 106, 206 was zu einem Tunnelübergang 107, 207 an der Grenzfläche der Schichten 105-106 bzw. 205-206 führen kann. Das Bauelement wird dann über Metallisierungen 208 und 210 meist mit Drähten 209, 21 1 in einen Stromkreis eingebracht. Bei einem Gruppe-HI- Nitridbauelement können die Metallisierungen 208 und 210 identisch sein. Bei anderen Materialien ist dies nicht zwingend der Fall.
Der Aufbau der Schichten bzw. des p-n-Übergangs kann auch umgekehrt sein, auch kann die bevorzugte Lichtemission statt nach oben nach unten durch ein Substrat erfolgen. In letzterem Fall spielt die Transparenz der oberen Schicht nur insofern eine Rolle, dass man eine hochreflektierende Schicht dahinter setzen kann und trotzdem eine
hervorragende Stromverteilung und Kontaktierung erzielt. Prinzipiell kann die Schicht 106, 206 auf jeder p-leitenden Schicht einer LED aufgebracht werden, also auch LEDs aus anderen Materialen als einem Gruppe-Ill-Nitrid, aber auch auf n-leitenden Schichten und generell bei allen Bauelementtypen die kontaktiert werden müssen, auch Solarzellen und Sensoren. Vorteilhaft ist dies generell bei Schichten die eine optisch transparente hoch leitfähige Deckschicht erfordern. Bei Verwendung von GaN als transparentes leitfähiges Nitrid ist eine optische Transparenz im sichtbaren bis weit über den infraroten Bereich gegeben. Durch Zugabe von AI bis in den UV-Bereich, wobei hier die Leitfähigkeit mit
zunehmendem AI-Gehalt in der Regel geringer wird und ein Tunnelkontakt schwerer realisierbar ist.
Ein anderes Ausführungsbeispiel insbesondere für Bauelementmodule sind Displays. Hier müssen elektrische Kontaktierungen aufgebracht werden, die im sichtbaren
Wellenlängenbereich transparent sein müssen. Dazu kann eine entsprechende Schicht aus z. B. GaN und einem erfindungsgemäßen Dotanden in erfindungsgemäßer
Dotierhöhe mittels epitaktischer Methoden oder Zerstäubungsverfahren aufgebracht werden. Entweder war vor dem Aufbringen eine Strukturierung mit z. B. einem
anschließenden Lift off vorgesehen oder die Schicht wird anschießend strukturiert und naß- oder trockenchemisch in einzelne Leitungen separiert. Ideal ist die Kombination auf einem monolithisch auf einem Substrat wie z. B. Saphir aufgewachsenen LED Display.
Auf der gewachsenen Struktur wird entweder am Ende des Wachstumsprozesses oder, insbesondere bei mehrfarbiger Auslegung, in einem zweiten Schritt die erfindungsgemäße Schicht aufgebracht und strukturiert. Dadurch lassen sich prinzipiell Vollfarb-LED Displays auf Gruppe-Ill-Nitrid Basis herstellen die durch das gitterangepasste Wachstum der erfindungsgemäßen Schicht und deren hohe Widerstandskraft gegenüber Umwelteinflüssen große Vorteile in Bezug auf die Lebensdauer aufweisen.
Die genannten Beispiele können beliebig kombiniert werden und beziehen sich auf alle Herstellungsverfahren mit denen sich dotierte Gruppe-Ill-Nitridschichten herstellen lassen und auf alle Bauelementtypen die transparente leitfähige Schichten benötigen bzw. die für deren Eigenschaften vorteilhaft eingesetzt werden können.

Claims

Patentansprüche
1. Bauelement mit einer transparenten leitfähigen Nitridschicht, gekennzeichnet durch eine Schicht im System AIGalnN und eine Dotierung mit einem flachen Donator oberhalb einer Konzentration von 5x1019 cm"3.
2. Bauelement nach Anspruch 1 , gekennzeichnet durch
Dotierung mit Germanium, Zinn, Blei, Schwefel und/oder Tellur.
3. Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch die Kontaktierung mindestens eines elektrischen Anschlusses eines
Bauelements oder eines Bauelements eines Bauelementmoduls durch eine transparente leitfähige Nitridschicht.
4. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch das Aufbringen auf eine Gruppe-I Il-Nitrid Schicht.
5. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch einen Tunnelkontakt zwischen der transparenten leitfähigen Nitridschicht und einer p-leitenden Bauelementschicht.
6. Bauelementemodul, umfassend zumindest ein Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche.
PCT/DE2016/000237 2015-06-04 2016-06-04 Bauelement mit einer transparenten leitfähigen nitridschicht Ceased WO2016192704A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/577,741 US20180130927A1 (en) 2015-06-04 2016-06-04 Component having a transparent conductive nitride layer
DE112016002458.4T DE112016002458A5 (de) 2015-06-04 2016-06-04 Bauelement mit einer transparenten leitfähigen Nitridschicht

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015108875.4 2015-06-04
DE102015108875.4A DE102015108875B4 (de) 2015-06-04 2015-06-04 Bauelement mit einer transparenten leitfähigen Nitridschicht

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016192704A1 true WO2016192704A1 (de) 2016-12-08

Family

ID=56615801

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/DE2016/000237 Ceased WO2016192704A1 (de) 2015-06-04 2016-06-04 Bauelement mit einer transparenten leitfähigen nitridschicht

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20180130927A1 (de)
DE (2) DE102015108875B4 (de)
WO (1) WO2016192704A1 (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3206237B1 (de) * 2016-02-12 2026-04-15 indie Technologies Switzerland AG Herstellungsverfahren für ein halbleiterbasiertes licht-emittierendes bauelement
DE102016103852A1 (de) 2016-03-03 2017-09-07 Otto-Von-Guericke-Universität Magdeburg Bauelement im System AlGaInN mit einem Tunnelübergang
DE102018105208B4 (de) 2018-03-07 2022-05-19 Otto-Von-Guericke-Universität Magdeburg Halbleiterschichtenfolge und ein darauf basierendes Halbleiterbauelement

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0703631A1 (de) * 1994-09-20 1996-03-27 Toyoda Gosei Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung aus einer Nitridverbindung der Gruppe III
US20050173724A1 (en) * 2004-02-11 2005-08-11 Heng Liu Group III-nitride based LED having a transparent current spreading layer
DE102008027045A1 (de) * 2008-02-29 2009-09-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterleuchtdiode und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterleuchtdiode
CN104425669A (zh) * 2013-08-23 2015-03-18 上海蓝光科技有限公司 发光二极管及其制作方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100580634B1 (ko) * 2003-12-24 2006-05-16 삼성전자주식회사 질화물계 발광소자 및 그 제조방법
KR20050093319A (ko) * 2004-03-18 2005-09-23 삼성전기주식회사 발광효율이 개선된 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
DE102005035722B9 (de) * 2005-07-29 2021-11-18 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
US7910935B2 (en) * 2005-12-27 2011-03-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Group-III nitride-based light emitting device
KR20120044545A (ko) * 2010-10-28 2012-05-08 삼성엘이디 주식회사 반도체 발광 소자
DE102010056409A1 (de) * 2010-12-26 2012-06-28 Azzurro Semiconductors Ag Gruppe-III-Nitrid basierte Schichtenfolge, Halbleiterbauelement, umfassend eine Gruppe-III-Nitrid basierte Schichtenfolge und Verfahren zur Herstellung
WO2013104289A1 (zh) * 2012-01-09 2013-07-18 林秀成 发光二极管及制作方法
US9419194B2 (en) * 2013-08-13 2016-08-16 Palo Alto Research Center Incorporated Transparent electron blocking hole transporting layer

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0703631A1 (de) * 1994-09-20 1996-03-27 Toyoda Gosei Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung aus einer Nitridverbindung der Gruppe III
US20050173724A1 (en) * 2004-02-11 2005-08-11 Heng Liu Group III-nitride based LED having a transparent current spreading layer
DE102008027045A1 (de) * 2008-02-29 2009-09-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterleuchtdiode und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterleuchtdiode
CN104425669A (zh) * 2013-08-23 2015-03-18 上海蓝光科技有限公司 发光二极管及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE102015108875A1 (de) 2016-12-08
US20180130927A1 (en) 2018-05-10
DE112016002458A5 (de) 2018-06-14
DE102015108875B4 (de) 2016-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2193555B1 (de) Optoelektronischer halbleiterkörper
DE102016111923B4 (de) Lichtemissionsvorrichtungen
DE69315832T2 (de) Epitaktischer ohmscher Kontakt für integrierte Heterostruktur von II-VI-Halbleitermaterialien und Verfahren zu seiner Herstellung
EP2289115A1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelementes und ein optoelektronisches bauelement
DE112017003307T5 (de) Verfahren zur Herstellung einer optischen Halbleitervorrichtung und optische Halbleitervorrichtung
DE102019209331A1 (de) Leuchtdiodenchip vom flip-chip-typ und lichtemittierende vorrichtung mit einem solchen chip
US11695095B2 (en) Integration of III-Nitride nanowire on transparent conductive substrates for optoelectronic and electronic devices
WO2017158113A1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips und optoelektronischer halbleiterchip
US12501748B2 (en) Light-emitting device and production method thereof
EP2446484B1 (de) Transparente gleichrichtende metall-metalloxid-halbleiterkontaktstruktur und verfahren zu ihrer herstellung und verwendung
WO2018138081A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip
DE102015108875B4 (de) Bauelement mit einer transparenten leitfähigen Nitridschicht
DE112014001385T5 (de) Halbleiterlichtemitterstruktur mit einem aktiven Gebiet, das InGaN enthält, und Verfahren für seine Herstellung
DE102014205350A1 (de) Photoaktives Halbleiterbauelement sowie Verfahren zum Herstellen eines photoaktiven Halbleiterbauelementes
DE102010035966A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
EP1929552B1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit stromaufweitungsschicht
DE10203809A1 (de) Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
DE102008054217A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
WO2018172205A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zu dessen herstellung
DE19926958B4 (de) Lichtemissions-Halbleiterdiode auf der Basis von Ga (In, AL) P-Verbindungen mit ZnO-Fensterschicht
WO2019145216A1 (de) Verfahren zur herstellung eines nitrid-verbindungshalbleiter-bauelements
DE112015002477B4 (de) Elektrische Kontaktstruktur für ein Halbleiterbauelement und Halbleiterbauelement
DE112023000394T5 (de) Mikrohalbleiter-leuchtdioden-struktur und verfahren zu deren herstellung
DE102012204987B4 (de) Licht-emittierende Halbleiterstruktur und opto-elektronisches Bauelement daraus
EP2619807A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zu dessen herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16748257

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15577741

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 112016002458

Country of ref document: DE

REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R225

Ref document number: 112016002458

Country of ref document: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 16748257

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1