WO2017145505A1

WO2017145505A1 - 無線ｉｃデバイスおよび無線ｉｃデバイスの製造方法

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Publication number: WO2017145505A1
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Authority: WO
Inventors: 加藤　登
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
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Filing date: 2016-12-19
Publication date: 2017-08-31
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Abstract

本発明の無線（ＩＣ）デバイス（１０１）は、第１面（ＶＳ１）を有する樹脂本体（１０）、ヘリカル状コイル、ヘリカル状コイルに接続されるＲＦＩＣ（４）を備える。ヘリカル状コイルは、大径ループおよび小径ループを備える。大径ループは、樹脂本体（１０）に埋設される第１大径柱状導体（３１）等および第２大径柱状導体（４１）等と、第１面（ＶＳ１）に形成される第１大径導体パターン（Ｂｐ１１，Ｂｐ１２）等とで構成される。小径ループは、樹脂本体（１０）に埋設される第１小径柱状導体（１４）等および第２小径柱状導体等と、第１面（ＶＳ１）に形成される第１小径導体パターン（Ｓｐ１３，Ｓｐ１４）等とで構成される。少なくとも第１大径導体パターン（Ｂｐ１１，Ｂｐ１２）等と第１小径導体パターン（Ｓｐ１３，Ｓｐ１４）等とが重なる部分には、第１絶縁層（１）が挟まれる。

Description

無線ＩＣデバイスおよび無線ＩＣデバイスの製造方法

　本発明は、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）タグをはじめとする近距離無線通信装置等に用いられるヘリカル状コイルを備える無線ＩＣデバイスに関する発明である。

　ＨＦ帯のＲＦＩＤタグはカードサイズのものが一般的であるが、商品管理等に用いるために、占有面積の小さな小型のＲＦＩＤタグが求められることがある。小型のＨＦ帯ＲＦＩＤタグとしては、特許文献１，２に示されるような形状のＲＦＩＤタグが知られている。これら小型のＲＦＩＤタグは、いわゆるシート積層工法を利用したＲＦＩＤタグであり、積層型のヘリカル状コイル（コイルアンテナ）を多層基板に内蔵し、ＲＦＩＣチップを多層基板に搭載したものである。

特開２００７－１０２３４８号公報国際公開第２０１１／１０８３４０号

　発明者は、上記小型のＲＦＩＤタグを開発する過程で、特許文献１，２に示されるようなＲＦＩＤタグにおいては、次のような課題があることを見いだした。

（ａ）特許文献１，２に示されるＲＦＩＤタグは、ＲＦＩＣチップの主面がヘリカル状コイルの中心軸と交差する位置に配置されたものである。そのため、ＲＦＩＣチップを実装するための電極（ランドパターン）がヘリカル状コイルの巻回軸と交差する。その結果、ＲＦＩＣチップ実装用電極およびＲＦＩＣチップが、ヘリカル状コイルによる磁界の形成を妨げてしまう傾向にある。なお、ＲＦＩＣチップをコイル開口の外側に配置すれば、磁界の形成を妨げにくくなるが、体積が大きくなってしまう。

（ｂ）特に、ヘリカル状コイルをシート積層工法で製造する場合に、シートの積みずれ（積層位置精度）や積層体の平坦性を考慮する必要があり、シートの積層数の増加やコイルパターンの厚膜化には限界がある。そのため、得られるインダクタンス値には制限があり、特に直流抵抗（ＤＣＲ：ｄｉｒｅｃｔ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）の小さなヘリカル状コイルを得ることは難しい。なお、シートの面方向にコイル巻回軸が向くようにコイルパターンを形成することは可能であるが、この場合には上記シートの積層数の限界により、コイル開口面積を大きくすることは困難であり、直流抵抗の小さなヘリカル状コイルを得ることは難しい。

　本発明の目的は、所望のインダクタンス値を有し、且つ、優れた電気特性を有する、特に直流抵抗の低減が可能な小型のヘリカル状コイルを備える無線ＩＣデバイスを提供することにある。また、上記無線ＩＣデバイスの製造方法を提供することにある。

（１）本発明の無線ＩＣデバイス（１０１）は、
　第１面（ＶＳ１）および前記第１面（ＶＳ１）に対向する第２面（ＶＳ２）を有する樹脂本体（１０）と、
　前記樹脂本体（１０）に埋設される第１部分と、前記樹脂本体（１０）の表面にパターニングされる第２部分とを有し、且つ、前記第１面（ＶＳ１）に沿った巻回軸（ＡＸ）を有するヘリカル状コイル（ＨＣ１）と、
　第１絶縁層（１）と、
　前記ヘリカル状コイル（ＨＣ１）に接続されるＲＦＩＣ（４）と、
　を備え、
　　前記ヘリカル状コイル（ＨＣ１）は、
　　　大径ループ（ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４）と、
　　　前記大径ループ（ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４）に導通し、前記巻回軸（ＡＸ）方向（Ｙ軸方向）から視て、前記大径ループ（ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４）の外径の内側に配置される小径ループ（ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４）と、
　　を備え、
　　前記第１部分は、前記小径ループ（ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４）の一部を構成する第１小径柱状導体（１１，１２，１３，１４）および第２小径柱状導体（２１，２２，２３，２４）、ならびに前記大径ループ（ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４）の一部を構成する第１大径柱状導体（３１，３２，３３，３４）および第２大径柱状導体（４１，４２，４３，４４）を含み、
　　前記第２部分は、前記第１面（ＶＳ１）に形成され、前記大径ループ（ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４）の一部を構成する第１大径導体パターン（Ｂｐ１１，Ｂｐ１２，Ｂｐ１３，Ｂｐ１４）と、前記第１面（ＶＳ１）に形成され、前記小径ループ（ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４）の一部を構成する第１小径導体パターン（Ｓｐ１１，Ｓｐ１２，Ｓｐ１３，Ｓｐ１４）とを含み、
　　少なくとも前記第１大径導体パターン（Ｂｐ１１，Ｂｐ１２，Ｂｐ１３，Ｂｐ１４）と前記第１小径導体パターン（Ｓｐ１１，Ｓｐ１２，Ｓｐ１３，Ｓｐ１４）とが重なる部分には、第１絶縁層（１）が挟まれることを特徴とする。

　この構成では、小径導体パターンと大径導体パターンとが同一平面上に形成されておらず、小径導体パターンと大径導体パターンとが重なる部分に絶縁層が介在するため、小径導体パターンと大径導体パターンとが接触（線間ショート）する可能性は低い。したがって、ジャンパーチップ等の接続部材を別途設けることなく、大径導体パターンと小径導体パターンとの絶縁が確保される。そのため、大径ループおよび小径ループを、巻回軸方向に狭いピッチで配列することができ、所期のターン数・所期のインダクタンス値を有するヘリカル状コイルを得やすくなる。また、この構成では、第１面に直交する方向から視て、小径導体パターンと大径導体パターンとが一部重なるため、小径導体パターンおよび大径導体パターンの線幅を容易に太くでき、ヘリカル状コイルのＤＣＲをさらに低減できる。

　また、本実施形態では、ヘリカル状コイルを構成する大径ループおよび小径ループの少なくとも一部が、金属部材（柱状導体）で構成されている。そのため、導電性ペーストの焼成による焼結金属体や、導電性薄膜のエッチングによる薄膜金属体等で構成する場合に比べて大径ループおよび小径ループのＤＣＲを小さくできるので、Ｑ値が高く、低損失のヘリカル状コイルが得られる。また、ヘリカル状コイル全体の低抵抗化が可能となるため、高感度の無線ＩＣデバイス、または高感度の割に小型の無線ＩＣデバイスが得られる。

（２）上記（１）において、前記第２部分は、前記第２面に形成され、前記小径ループの一部を構成する第２小径導体パターンと、前記第２面に形成され、前記大径ループの一部を構成する第２大径導体パターンとを含んでいてもよい。

（３）上記（２）において、少なくとも前記第２大径導体パターンと前記第２小径導体パターンとが重なる部分には、第２絶縁層が挟まれることが好ましい。この構成では、第１面に直交する方向から視て、小径導体パターンと大径導体パターンとが一部重なるため、小径導体パターンおよび大径導体パターンの線幅を容易に太くでき、ヘリカル状コイルのＤＣＲをさらに低減できる。

（４）本発明の無線ＩＣデバイスは、
　第１面（ＶＳ１）および前記第１面（ＶＳ１）に対向する第２面（ＶＳ２）を有する樹脂本体（１０）と、
　前記樹脂本体（１０）に埋設される第１部分と、前記樹脂本体（１０）の表面にパターニングされる第２部分とを有し、且つ、前記第１面（ＶＳ１）に沿った巻回軸（ＡＸ）を有するヘリカル状コイル（ＨＣ１）と、
　前記ヘリカル状コイル（ＨＣ１）に接続されるＲＦＩＣ（４）と、
　を備え、
　　前記ヘリカル状コイル（ＨＣ１）は、
　　　大径ループ（ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４）と、
　　　前記大径ループ（ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４）に導通し、前記巻回軸方向（Ｙ軸方向）から視て、前記大径ループ（ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４）の外径の内側に配置される小径ループ（ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４）と、
　　を備え、
　前記第１部分は、前記大径ループ（ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４）の一部を構成する一連の金属部材である大径Ｕ字状導体（Ｂｂ１等）と、前記小径ループ（ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４）の一部を構成する一連の金属部材である小径Ｕ字状導体（Ｓｂ４等）とを含む、
　　前記第２部分は、前記第１面（ＶＳ１）に形成され、前記大径ループ（ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４）の一部を構成する第１大径導体パターン（Ｂｐ１１，Ｂｐ１２等）と、前記第１面に形成され、前記小径ループ（ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４）の一部を構成する第１小径導体パターン（Ｓｐ１３，Ｓｐ１４等）とを含み、
　　少なくとも前記第１大径導体パターン（Ｂｐ１１，Ｂｐ１２等）と前記第１小径導体パターン（Ｓｐ１３，Ｓｐ１４等）とが重なる部分には、第１絶縁層（１）が挟まれることを特徴とする。

　この構成では、ヘリカル状コイルを構成する大径ループおよび小径ループの少なくとも一部が、金属部材（Ｕ字状導体）で構成されている。そのため、導電性ペーストの焼成による焼結金属体や、導電性薄膜のエッチングによる薄膜金属体等で構成する場合に比べて大径ループおよび小径ループのＤＣＲを小さくできるので、Ｑ値が高く、低損失のヘリカル状コイルが得られる。また、ヘリカル状コイル全体の低抵抗化が可能となるため、高感度の無線ＩＣデバイス、または高感度の割に小型の無線ＩＣデバイスが得られる。

（５）上記（１）から（４）のいずれかにおいて、第１主面および第２主面を有する配線板をさらに備え、前記配線板は、前記第２主面が前記樹脂本体の内側に埋設し、前記第１主面が前記樹脂本体から露出するように配置され、前記ＲＦＩＣは、前記第２主面に実装され、少なくとも一部が前記樹脂本体に埋設されていてもよい。

（６）上記（１）から（５）のいずれかにおいて、前記大径ループおよび前記小径ループは、前記第２面を平面視して、前記巻回軸方向に沿って隙間なく配列されることが好ましい。この構成により、ヘリカル状コイルに発生した磁束、互いに隣接する大径ループと小径ループとの間隙から漏れ難い。そのため、高いインダクタンス値を有するヘリカル状コイルを構成できる。

（７）上記（１）から（６）のいずれかにおいて、前記大径ループおよび前記小径ループは、前記第１面に平行な方向、且つ前記巻回軸方向に直交する方向から視て、前記巻回軸方向に沿って隙間なく配列されることが好ましい。この構成により、ヘリカル状コイルに発生した磁束が、互いに隣接する大径ループと小径ループとの間隙から漏れ難い。そのため、高いインダクタンス値を有するヘリカル状コイルを構成できる。

（８）上記（１）から（７）のいずれかにおいて、前記ヘリカル状コイルは、前記大径ループおよび前記小径ループが、前記巻回軸方向に交互に順次配列され、且つ、交互に順次接続されて構成されることが好ましい。この構成により、ターン数の割に占有面積（特に巻回軸方向の寸法）が小さなヘリカル状コイルを実現できる。また、この構成により、インダクタンスに寄与しない導体を短くできるため、ヘリカル状コイルのＤＣＲをさらに低減できる。

（９）上記（１）から（８）のいずれかにおいて、前記大径ループの数および前記小径ループの数は複数であり、複数の前記大径ループは、互いに接続されてヘリカル状の大径コイルを構成し、複数の前記小径ループは、互いに接続されてヘリカル状の小径コイルを構成し、前記ヘリカル状コイルは、前記大径コイルに前記小径コイルが接続されて構成されることが好ましい。この構成により、小型の割にターン数の多いヘリカル状コイルを容易に構成できる。

（１０）上記（９）において、前記巻回軸方向における前記大径コイルの第１端から第２端へ向かう延伸方向は、前記巻回軸方向における前記小径コイルの第１端から第２端へ向かう延伸方向とは逆方向であり、前記大径コイルの前記第２端は、前記小径コイルの前記第１端に接続され、前記巻回軸方向における大径コイルの形成領域の少なくとも一部は、前記巻回軸方向における小径コイルの形成領域に重なることが好ましい。この構成により、インダクタンスに寄与しない導体を短くできるため、ヘリカル状コイルのＤＣＲをさらに低減できる。

（１１）第１面および前記第１面に対向する第２面を有する樹脂本体と、
　第１小径柱状導体、第２小径柱状導体、第１小径導体パターンおよび第２小径導体パターンで構成される小径ループと、第１大径柱状導体、第２大径柱状導体、第１大径導体パターンおよび第２大径導体パターンで構成される大径ループとを有するヘリカル状コイルと、
　前記ヘリカル状コイルに接続されるＲＦＩＣと、
　を備え、
　少なくとも前記第１大径導体パターンと前記第１小径導体パターンとが重なる部分には、第１絶縁層が挟まれ、
　少なくとも前記第２大径導体パターンと前記第２小径導体パターンとが重なる部分には、第２絶縁層が挟まれる、本発明の無線ＩＣデバイスの製造方法は、
　支持台に前記ＲＦＩＣを実装する第１工程と、
　前記支持台に、前記第１小径柱状導体、前記第２小径柱状導体、前記第１大径柱状導体および前記第２大径柱状導体の各々の第１端側を立てる第２工程と、
　前記第１工程および前記第２工程の後に、前記支持台に、前記ＲＦＩＣ、前記第１小径柱状導体、前記第２小径柱状導体、前記第１大径柱状導体および前記第２大径柱状導体の各々の少なくとも一部が埋設する高さまで前記樹脂本体を被覆する第３工程と、
　前記第３工程の後に、前記第２面に、前記第１小径柱状導体の第２端と前記第２小径柱状導体との間を接続する前記第２小径導体パターンを形成する第４工程と、
　前記第４工程の後に、少なくとも前記第２小径導体パターンの表面の一部に、前記第２絶縁層を形成する第５工程と、
　前記第５工程の後に、前記第２面および前記第２絶縁層の表面に、前記第１大径柱状導体の第２端と前記第２大径柱状導体の第２端との間を接続する前記第２大径導体パターンを形成する第６工程と、
　前記第３工程の後に、前記樹脂本体から前記支持台を取り除く第７工程と、
　前記第７工程の後に、前記第１面に、前記第１小径柱状導体の第１端または前記第２小径柱状導体の第１端の少なくとも一方に接続される前記第１小径導体パターンを形成する第８工程と、
　前記第８工程の後に、少なくとも前記第１小径導体パターンの表面の一部に、前記第１絶縁層を形成する第９工程と、
　前記第９工程の後に、前記第１面および前記第１絶縁層の表面に、前記第１大径柱状導体の第１端または前記第２大径柱状導体の第１端の少なくとも一方に接続される前記第１大径導体パターンを形成する第１０工程と、
　を備えることを特徴とする。

　上記製造方法によれば、所望のインダクタンス値を有し、且つ、優れた電気特性を有する、特に直流抵抗の低減が可能な小型のヘリカル状コイルを備える無線ＩＣデバイスを容易に製造できる。

（１２）第１面および前記第１面に対向する第２面を有する樹脂本体と、
　小径Ｕ字状導体および第１小径導体パターンで構成される小径ループと、大径Ｕ字状導体および第１大径導体パターンで構成される大径ループとを有するヘリカル状コイルと、
　前記ヘリカル状コイルに接続されるＲＦＩＣと、
　を備え、
　少なくとも前記第１大径導体パターンと前記第１小径導体パターンとが重なる部分には、第１絶縁層が挟まれる、本発明の無線ＩＣデバイスの製造方法は、
　支持台に前記ＲＦＩＣを実装する第１工程と、
　前記支持台に、一連の金属部材である前記大径Ｕ字状導体および前記小径Ｕ字状導体の各々の両端を立てる第１１工程と、
　前記第１工程および前記第１１工程の後に、前記支持台に、前記ＲＦＩＣ、前記大径Ｕ字状導体および前記小径Ｕ字状導体の各々の少なくとも一部が埋設する高さまで前記樹脂本体を被覆する第１２工程と、
　前記第１２工程の後に、前記樹脂本体から前記支持台を取り除く第１３工程と、
　前記第１３工程の後に、前記第１面に、前記小径Ｕ字状導体の一端に接続される前記第１小径導体パターンを形成する第１４工程と、
　前記第１４工程の後に、少なくとも前記第１小径導体パターンの表面の一部に、前記第１絶縁層を形成する第１５工程と、
　前記第１５工程の後に、前記第１面および前記第１絶縁層の表面に、前記大径Ｕ字状導体の一端に接続される前記第１大径導体パターンを形成する第１６工程と、
　を備えることを特徴とする。

　上記製造方法によれば、所望のインダクタンス値を有し、且つ、さらに優れた電気特性を有する、特に直流抵抗の低減が可能な小型のヘリカル状コイルを備える無線ＩＣデバイスを容易に製造できる。

（１３）上記（１２）において、前記無線ＩＣデバイスは、前記第１小径柱状導体、前記第２小径柱状導体、前記第１大径柱状導体および前記第２大径柱状導体が埋設された樹脂ブロックをさらに備え、前記第２工程は、前記支持台に前記樹脂ブロックを実装する工程をさらに有することが好ましい。上記製造方法によれば、予め柱状導体が埋設された樹脂ブロックを用いるため、柱状導体を支持台に建てる際に、隣接する柱状導体同士の接触を考える必要がない。したがって、隣接する柱状導体同士の間隙が小さい無線ＩＣデバイスを容易に実現できる。

（１４）上記（１１）から（１３）のいずれかにおいて、前記第１工程は、第１主面および前記第１主面に対向する第２主面を有する配線板の前記第２主面に、前記ＲＦＩＣを実装する工程と、第１主面側を前記支持台に実装する工程と、をさらに有していてもよい。

（１５）上記（１４）において、前記支持台は主面に粘着層を有し、前記第１工程は、前記配線板の第１主面側を前記粘着層側にして固着する工程をさらに有していてもよい。

（１６）上記（１１）において、前記支持台は主面に粘着層を有し、前記第２工程は、前記第１小径柱状導体、前記第２小径柱状導体、前記第１大径柱状導体および前記第２大径柱状導体の各々の第１端側を、前記粘着層側にして固着する工程をさらに有することが好ましい。上記製造方法によれば、粘着層を有する支持台を用いることにより、柱状導体を強固に固定することできる。そのため、小径の柱状導体もヘリカル状コイルの製造に使用することができ、巻回数が多く、インダクタンスの高いヘリカル状コイルを製造することができる。

（１７）上記（１２）において、前記支持台が主面に粘着層を有し、前記第１１工程は、前記大径Ｕ字状導体および前記小径Ｕ字状導体の各々の両端を、前記粘着層側にして固着する工程をさらに有することが好ましい。上記製造方法によれば、粘着層を有する支持台を用いることにより、大径Ｕ字状導体および小径Ｕ字状導体を強固に固定することできる。そのため、小径のＵ字状導体もヘリカル状コイルの製造に使用することができ、巻回数が多く、インダクタンスの高いヘリカル状コイルを製造することができる。

　本発明によれば、所望のインダクタンス値を有し、且つ、優れた電気特性を有する、特に直流抵抗の低減が可能な小型のヘリカル状コイルを備える無線ＩＣデバイスを実現できる。

　本発明の無線ＩＣデバイスの製造方法によれば、所望のインダクタンス値を有し、且つ、優れた電気特性を有する、特に直流抵抗の低減が可能な小型のヘリカル状コイルを備える無線ＩＣデバイスを容易に製造できる。

図１は第１の実施形態に係る無線ＩＣデバイス１０１の斜視図である。図２（Ａ）は無線ＩＣデバイス１０１の平面図であり、図２（Ｂ）は無線ＩＣデバイス１０１の右側面図であり、図２（Ｃ）は無線ＩＣデバイス１０１の底面図である。図３（Ａ）は無線ＩＣデバイス１０１の断面図であり、図３（Ｂ）は無線ＩＣデバイス１０１の異なる部分の断面図である。図４は、無線ＩＣデバイス１０１が備えるヘリカル状コイルＨＣ１の各導体部分を模式的に示した斜視図である。図５（Ａ）は、ヘリカル状コイルＨＣ１が備える大径ループの導体部分を模式的に示した斜視図であり、図５（Ｂ）はヘリカル状コイルＨＣ１が備える小径ループの導体部分を模式的に示した斜視図である。図６は無線ＩＣデバイス１０１の回路図である。図７（Ａ）図２（Ａ）におけるＤＰ１部の拡大図であり、図７（Ｂ）は図７（Ａ）におけるＡ－Ａ断面詳細図である。図８は無線ＩＣデバイス１０１の製造工程を順に示す断面図である。図９は無線ＩＣデバイス１０１の製造工程を順に示す断面図である。図１０（Ａ）は第２の実施形態に係る無線ＩＣデバイス１０２の断面図であり、図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）におけるＢ－Ｂ部分での無線ＩＣデバイス１０２の断面図である。図１１は無線ＩＣデバイス１０２の製造工程の一部を順に示す断面図である。図１２は第３の実施形態に係る無線ＩＣデバイス１０３の断面図である。図１３は無線ＩＣデバイス１０３の製造工程を順に示す断面図である。図１４は無線ＩＣデバイス１０３の製造工程を順に示す断面図である。図１５は無線ＩＣデバイス１０３の製造工程を順に示す断面図である。図１６は第４の実施形態に係る無線ＩＣデバイス１０４の断面図である。図１７は第５の実施形態に係るヘリカル状コイルＨＣ５の各導体部分を模式的に示した斜視図である。図１８（Ａ）は、ヘリカル状コイルＨＣ５が備える大径ループの導体部分を模式的に示した斜視図であり、図１８（Ｂ）は、ヘリカル状コイルＨＣ５が備える小径ループの導体部分を模式的に示した斜視図である。図１９は第６の実施形態に係る無線ＩＣデバイス１０６の断面図である。図２０は無線ＩＣデバイス１０６の製造工程を順に示す断面図である。図２１は無線ＩＣデバイス１０６の製造工程を順に示す断面図である。図２２は第７の実施形態に係る無線ＩＣデバイス１０７の断面図である。

　以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

　以降に示す幾つかの実施形態に係るヘリカル状コイルは、例えば磁束の放射素子としてＨＦ帯やＬＦ帯、ＵＨＦ帯、ＳＨＦ帯等で使用することのできるコイルアンテナである。また、上記ヘリカル状コイルはインダクタ素子として使用することもできる。そのため、特に説明がない場合、以降に示す幾つかの実施形態に係るヘリカル状コイルはコイルアンテナおよびインダクタ素子の両方についての例示である。また、以降に示す幾つかの実施形態に係る無線ＩＣデバイスは、ＲＦＩＣと樹脂本体とヘリカル状コイルとを備え、例えば管理対象の物品に設けられるチップ状のＲＦＩＤタグ等のＲＦＩＤ通信用デバイスである。上記ＲＦＩＤタグが付される物品とは、例えば玩具や携帯電話等の携帯型情報端末、足場材のような建材、ガスボンベ等の産業材である。

《第１の実施形態》
　図１は第１の実施形態に係る無線ＩＣデバイス１０１の斜視図である。図２（Ａ）は無線ＩＣデバイス１０１の平面図であり、図２（Ｂ）は無線ＩＣデバイス１０１の右側面図であり、図２（Ｃ）は無線ＩＣデバイス１０１の底面図である。図３（Ａ）は無線ＩＣデバイス１０１の断面図であり、図３（Ｂ）は無線ＩＣデバイス１０１の異なる部分の断面図である。なお、図２（Ａ）および図２（Ｃ）では、構造を分かりやすくするために、第１絶縁層１および第２絶縁層２をハッチングして図示している。図３（Ａ）および図３（Ｂ）において、一部の厚みは誇張して図示している。以降の各実施形態における断面図についても同様である。また、図１、図２（Ａ）、図２（Ｂ）および図２（Ｃ）では、構造を分かりやすくするため、保護層６２の図示を省略している。

　無線ＩＣデバイス１０１は、長手方向がＸ軸方向に一致する直方体状であり、樹脂本体１０、ヘリカル状コイル（後に詳述する）、第１絶縁層１、第２絶縁層２、配線板３、ＲＦＩＣ４、保護層６１，６２を備える。

　樹脂本体１０は長手方向がＸ軸方向に一致する直方体状であり、第１面ＶＳ１、および第１面ＶＳ１に対向する第２面ＶＳ２を有する。樹脂本体１０は例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂である。

　図４は、無線ＩＣデバイス１０１が備えるヘリカル状コイルＨＣ１の各導体部分を模式的に示した斜視図である。図５（Ａ）は、ヘリカル状コイルＨＣ１が備える大径ループの導体部分を模式的に示した斜視図であり、図５（Ｂ）はヘリカル状コイルＨＣ１が備える小径ループの導体部分を模式的に示した斜視図である。図４では、ヘリカル状コイルＨＣ１の構造を解りやすくするため、小径ループを破線で図示している。

　ヘリカル状コイルＨＣ１は、樹脂本体１０の第１面ＶＳ１に沿った巻回軸ＡＸを有し、複数の大径ループＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４、複数の小径ループＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４を備える。ヘリカル状コイルＨＣ１は、樹脂本体１０に埋設される第１部分（後に詳述する）と、樹脂本体１０の表面にパターニングされる第２部分（後に詳述する）とを有する。本実施形態に係るヘリカル状コイルＨＣ１の巻回軸ＡＸは、Ｙ軸方向に平行である。

　複数の小径ループＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４は、後に詳述するように、Ｙ軸方向（本発明における「巻回軸方向」に相当する）から視て、大径ループＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４の外径の内側に配置される。本実施形態では、小径ループＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４の各々が略同形状であり、樹脂本体１０の第１面ＶＳ１に対して垂直である。

　複数の小径ループＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４は、第１小径柱状導体１１，１２，１３，１４、第２小径柱状導体２１，２２，２３，２４、第１小径導体パターンＳｐ１１，Ｓｐ１２，Ｓｐ１３，Ｓｐ１４および第２小径導体パターンＳｐ２１，Ｓｐ２２，Ｓｐ２３，Ｓｐ２４で構成される。具体的には、小径ループＳＬ１は、第１小径柱状導体１１、第２小径柱状導体、第１小径導体パターンＳｐ１１および第２小径導体パターンＳｐ２１で構成される。小径ループＳＬ２は、第１小径柱状導体１２、第２小径柱状導体２２、第１小径導体パターンＳｐ１２および第２小径導体パターンＳｐ２２で構成される。小径ループＳＬ３は、第１小径柱状導体１３、第２小径柱状導体２３、第１小径導体パターンＳｐ１３および第２小径導体パターンＳｐ２３で構成される。小径ループＳＬ４は、第１小径柱状導体１４、第２小径柱状導体、第１小径導体パターンＳｐ１４および第２小径導体パターンＳｐ２４で構成される。

　第１小径柱状導体１１，１２，１３，１４および第２小径柱状導体２１，２２，２３，２４は、Ｚ軸方向（本発明における樹脂本体の「第１面に直交する方向」に相当する）に延伸し、且つ、Ｙ軸方向に配列される柱状の金属体である。第１小径柱状導体１１，１２，１３，１４および第２小径柱状導体２１，２２，２３，２４は、各々の第１端および第２端以外が樹脂本体１０に埋設されている。第１小径柱状導体１１，１２，１３，１４および第２小径柱状導体２１，２２，２３，２４は、いずれも例えば円柱状のＣｕ製ピンであり、例えば、断面円形のＣｕワイヤーを所定長単位で切断することで得られる。なお、この断面形状は矩形や多角形等であってもよい。

　本実施形態では、これら第１小径柱状導体１１，１２，１３，１４および第２小径柱状導体２１，２２，２３，２４が、樹脂本体１０に埋設されるヘリカル状コイルＨＣ１の「第１部分」に相当する。

　第１小径導体パターンＳｐ１１，Ｓｐ１２，Ｓｐ１３，Ｓｐ１４は、図２（Ａ）および図２（Ｂ）に示すように、樹脂本体１０の第１面ＶＳ１に形成される導体パターンであり、柱状導体（第１小径柱状導体または第２小径柱状導体）の第１端に接続される。本実施形態では、第１小径導体パターンＳｐ１１が、第１小径柱状導体１２第１端と第２小径柱状導体２１の第１端とを接続する。第１小径導体パターンＳｐ１２は、第１小径柱状導体１３の第１端と第２小径柱状導体２２の第１端とを接続する。第１小径導体パターンＳｐ１３は、第１小径柱状導体１４の第１端と第２小径柱状導体２３の第１端とを接続する。第１小径導体パターンＳｐ１４は、第２小径柱状導体２４の第１端とＲＦＩＣとを接続する。第１小径導体パターンＳｐ１１，Ｓｐ１２，Ｓｐ１３，Ｓｐ１４は例えばＡｇペーストの印刷により形成した導体パターンにＣｕ等のめっき膜を被覆したものである。

　第２小径導体パターンＳｐ２１，Ｓｐ２２，Ｓｐ２３，Ｓｐ２４は、図２（Ａ）および図２（Ｂ）に示すように、樹脂本体１０の第２面ＶＳ２に形成される導体パターンであり、柱状導体（第１小径柱状導体および第２小径柱状導体）の第２端に接続される。本実施形態では、第２小径導体パターンＳｐ２１が、第１小径柱状導体１１の第２端と第２小径柱状導体２１の第２端との間を接続する。第２小径導体パターンＳｐ２２は、第１小径柱状導体１２の第２端と第２小径柱状導体２２の第２端との間を接続する。第２小径導体パターンＳｐ２３は、第１小径柱状導体１３の第２端と第２小径柱状導体２３の第２端との間を接続する。第２小径導体パターンＳｐ２４は、第１小径柱状導体１４の第２端と第２小径柱状導体２４の第２端との間を接続する。第２小径導体パターンＳｐ２１，Ｓｐ２２，Ｓｐ２３，Ｓｐ２４は例えばＡｇペーストの印刷により形成した導体パターンにＣｕ等のめっき膜を被覆したものである。

　本実施形態では、これら第１小径導体パターンＳｐ１１，Ｓｐ１２，Ｓｐ１３，Ｓｐ１４および第２小径導体パターンＳｐ２１，Ｓｐ２２，Ｓｐ２３，Ｓｐ２４が、樹脂本体１０の表面にパターニングされるヘリカル状コイルＨＣ１の「第２部分」に相当する。

　樹脂本体１０の第１面ＶＳ１および第１小径導体パターンＳｐ１１，Ｓｐ１２，Ｓｐ１３，Ｓｐ１４の表面には、第１絶縁層１が形成されている。第１絶縁層１は、少なくとも第１小径導体パターンＳｐ１１，Ｓｐ１２，Ｓｐ１３，Ｓｐ１４の表面の一部を被覆する絶縁体膜である。本実施形態では、図２（Ａ）、図２（Ｂ）および図３（Ｃ）等に示すように、第１絶縁層１が第１小径導体パターンＳｐ１１，Ｓｐ１２，Ｓｐ１３，Ｓｐ１４全体を被覆する。第１絶縁層１は例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂である。

　図２（Ｃ）、図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示すように、少なくとも第１小径導体パターンＳｐ１１，Ｓｐ１２，Ｓｐ１３，Ｓｐ１４と第１大径導体パターンＢｐ１１，Ｂｐ１２，Ｂｐ１３，Ｂｐ１４（後に詳述する）とが重なる部分には、第１絶縁層１が挟まれる。

　樹脂本体１０の第２面ＶＳ２および第２小径導体パターンＳｐ２１，Ｓｐ２２，Ｓｐ２３，Ｓｐ２４の表面には、第２絶縁層２が形成されている。第２絶縁層２は、少なくとも第２小径導体パターンＳｐ２１，Ｓｐ２２，Ｓｐ２３，Ｓｐ２４の表面の一部を被覆する絶縁体膜である。本実施形態では、図２（Ａ）、図２（Ｂ）および図３（Ａ）等に示すように、第２絶縁層２が第２小径導体パターンＳｐ２１，Ｓｐ２２，Ｓｐ２３，Ｓｐ２４全体を被覆する。第２絶縁層２は例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂である。

　図２（Ａ）、図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示すように、少なくとも第２小径導体パターンＳｐ２１，Ｓｐ２２，Ｓｐ２３，Ｓｐ２４と第２大径導体パターンＢｐ２１，Ｂｐ２２，Ｂｐ２３，Ｂｐ２４（後に詳述する）とが重なる部分には、第２絶縁層２が挟まれる。

本実施形態では、大径ループＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４の各々が略同形状であり、樹脂本体１０の第１面ＶＳ１に対して垂直である。

　複数の大径ループＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４は、第１大径柱状導体３１，３２，３３，３４、第２大径柱状導体４１，４２，４３，４４、第１大径導体パターンＢｐ１１，Ｂｐ１２，Ｂｐ１３，Ｂｐ１４，Ｂｐ１５および第２大径導体パターンＢｐ２１，Ｂｐ２２，Ｂｐ２３，Ｂｐ２４で構成される。具体的には、大径ループＢＬ１は、第１大径柱状導体３１、第２大径柱状導体４１、第１大径導体パターンＢｐ１１および第２大径導体パターンＢｐ２１で構成される。大径ループＢＬ２は、第１大径柱状導体３２、第２大径柱状導体４２、第１大径導体パターンＢｐ１２および第２大径導体パターンＢｐ２２で構成される。大径ループＢＬ３は、第１大径柱状導体３３、第２大径柱状導体４３、第１大径導体パターンＢｐ１３および第２大径導体パターンＢｐ２３で構成される。大径ループＢＬ４は、第１大径柱状導体３４、第２大径柱状導体４４、第１大径導体パターンＢｐ１４，Ｂｐ１５および第２大径導体パターンＢｐ２４で構成される。

　第１大径柱状導体３１，３２，３３，３４および第２大径柱状導体４１，４２，４３，４４は、Ｚ軸方向に延伸し、且つ、Ｙ軸方向に配列される柱状の金属体である。第１大径柱状導体３１，３２，３３，３４および第２大径柱状導体４１，４２，４３，４４は、各々の第１端および第２端以外が樹脂本体１０に埋設されている。第１大径柱状導体３１，３２，３３，３４および第２大径柱状導体４１，４２，４３，４４は、いずれも例えば円柱状のＣｕ製ピンであり、例えば、断面円形のＣｕワイヤーを所定長単位で切断することで得られる。なお、この断面形状は矩形や多角形等であってもよい。

　本実施形態では、これら第１大径柱状導体３１，３２，３３，３４および第２大径柱状導体４１，４２，４３，４４が、樹脂本体１０に埋設されるヘリカル状コイルＨＣ１の「第１部分」に相当する。

　第１大径導体パターンＢｐ１１，Ｂｐ１２，Ｂｐ１３，Ｂｐ１４，Ｂｐ１５は、図２（Ａ）および図２（Ｂ）に示すように、樹脂本体１０の第１面ＶＳ１および第１絶縁層１の表面に亘って形成される導体パターンであり、柱状導体（第１大径柱状導体または第２大径柱状導体）第１端に接続される。本実施形態では、第１大径導体パターンＢｐ１１が、ＲＦＩＣと第１大径柱状導体３１の第１端とを接続する。第１大径導体パターンＢｐ１２は、第１大径柱状導体３２の第１端と第２大径柱状導体４１の第１端とを接続する。第１大径導体パターンＢｐ１３は、第１大径柱状導体３３の第１端と第２大径柱状導体４２の第１端とを接続する。第１大径導体パターンＢｐ１４は、第１大径柱状導体３４の第１端と第２大径柱状導体４３の第１端とを接続する。第１大径導体パターンＢｐ１５は、第２大径柱状導体の第１端と上述した第１小径柱状導体１１の第１端とを接続する。第１大径導体パターンＢｐ１１，Ｂｐ１２，Ｂｐ１３，Ｂｐ１４，Ｂｐ１５は例えばＡｇペーストの印刷により形成した導体パターンにＣｕ等のめっき膜を被覆したものである。

　第２大径導体パターンＢｐ２１，Ｂｐ２２，Ｂｐ２３，Ｂｐ２４は、図２（Ａ）および図２（Ｂ）に示すように、樹脂本体１０の第２面ＶＳ２および第２絶縁層２に亘って形成される導体パターンであり、柱状導体（第１大径柱状導体および第２大径柱状導体）の第２端に接続される。本実施形態では、第２大径導体パターンＢｐ２１が、第１大径柱状導体３１の第２端と第２大径柱状導体４１の第２端との間を接続する。第２大径導体パターンＢｐ２２は、第１大径柱状導体３２の第２端と第２大径柱状導体４２の第２端との間を接続する。第２大径導体パターンＢｐ２３は、第１大径柱状導体３３の第２端と第２大径柱状導体４３の第２端との間を接続する。第２大径導体パターンＢｐ２４は、第１大径柱状導体３４の第２端と第２大径柱状導体４４の第２端との間を接続する。第２大径導体パターンＢｐ２１，Ｂｐ２２，Ｂｐ２３，Ｂｐ２４は例えばＡｇペーストの印刷により形成した導体パターンにＣｕ等のめっき膜を被覆したものである。

　本実施形態では、これら第１大径導体パターンＢｐ１１，Ｂｐ１２，Ｂｐ１３，Ｂｐ１４，Ｂｐ１５および第２大径導体パターンＢｐ２１，Ｂｐ２２，Ｂｐ２３，Ｂｐ２４が、樹脂本体１０の表面にパターニングされるヘリカル状コイルＨＣ１の「第２部分」に相当する。

　これら小径ループＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４の外径寸法は、Ｙ軸方向から視て、大径ループＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４の外径寸法よりも小さい。また、小径ループＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４の内径寸法は、Ｙ軸方向から視て、大径ループＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４の内径寸法よりも小さい。そして、小径ループＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４は、Ｙ軸方向から視て、大径ループＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４の外径の内側に配置される。なお、本実施形態では、小径ループＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４が、Ｙ軸方向から視て、大径ループＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４の内径の内側に配置されている。

　複数の大径ループＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４は、互いに接続されて約４ターンのヘリカル状の大径コイルＢＣを構成し、複数の小径ループＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４は、互いに接続されて約４ターンのヘリカル状の小径コイルＳＣを構成する。大径コイルＢＣの第２端Ｂｅ２が小径コイルＳＣの第１端Ｓｅ１に接続されてヘリカル状コイルＨＣ１を構成する。

　図４に示すように、Ｙ軸方向における大径コイルＢＣの第１端Ｂｅ１から第２端Ｂｅ２へ向かう延伸方向（＋Ｙ方向）は、Ｙ軸方向における小径コイルＳＣの第１端Ｓｅ１から第２端Ｓｅ２へ向かう延伸方向（－Ｙ方向）とは逆方向である。また、図４に示すように、Ｙ軸方向における大径ループの形成領域ＢＦＥの少なくとも一部は、Ｙ軸方向における小径ループの形成領域ＳＦＥに重なる。

　また、図２（Ａ）に示すように、本実施形態では、複数の第２大径導体パターンＢｐ２１，Ｂｐ２２，Ｂｐ２３，Ｂｐ２４および複数の第２小径導体パターンＳｐ２１，Ｓｐ２２，Ｓｐ２３，Ｓｐ２４が、Ｙ軸方向に対してそれぞれ交互に順次配列される。そして、大径ループおよび小径ループは、Ｚ軸方向から視て（本発明の樹脂本体の「第２面を平面視して」に相当する）、Ｙ軸方向に沿って隙間なく配列されている。

　また、図２（Ｂ）に示すように、本実施形態では、複数の第２小径柱状導体２１，２２，２３，２４および複数の第２大径柱状導体４１，４２，４３，４４が、Ｙ軸方向に対してそれぞれ交互に配列される。また、図示は省略するが、複数の第１小径柱状導体１１，１２，１３，１４および複数の第１大径柱状導体３１，３２，３３，３４が、Ｙ軸方向に対してそれぞれ交互に配列される。そして、大径ループおよび小径ループは、Ｘ軸方向（本発明のおける「第１面に平行な方向、且つ巻回軸方向に直交する方向」に相当する）から視て、Ｙ軸方向に沿って隙間なく配列されている。

　配線板３は、第１主面ＰＳ１および第１主面ＰＳ１に対向する第２主面ＰＳ２を有する、平面形状が矩形状の平板である。配線板３は、実装用電極８１，８２および層間接続導体Ｖ１，Ｖ２等を有する。実装用電極８１，８２はＲＦＩＣ４を実装するための電極であり、配線板３の第２主面ＰＳ２に形成されている。配線板３は例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性のプリント配線板であり、代表的には両面スルーホール基板である。但し、配線板３はこれに限定されるものではなく、ポリイミド樹脂等の熱可塑性樹脂を基材とするプリント配線板やセラミック基板であってもよい。また、配線板３は単層基板でもよく、多層基板でもよい。

　配線板３は、第２主面ＰＳ２が樹脂本体１０の内側に埋設され、第１主面ＰＳ１が樹脂本体１０から露出するように配置される。本実施形態では、配線板３の第１主面ＰＳ１と樹脂本体１０の第１面ＶＳ１とが同一面になるように、配線板３が樹脂本体１０に埋設されている。また、本実施形態では、配線板３の第１主面ＰＳ１および第２主面ＰＳ２がＸ軸方向およびＹ軸方向に平行となるように配置される。すなわち、第１主面ＰＳ１および第２主面ＰＳ２は、ヘリカル状コイルＨＣ１の巻回軸に平行となるように配置される。配線板３は、Ｙ軸方向から視て、大径ループＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４および小径ループＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４の内側に配置される。

　ＲＦＩＣ４は、図１および図２（Ａ）に示すように、配線板３の第２主面ＰＳ２に実装され、樹脂本体１０に埋設される。ＲＦＩＣ４のアンテナポートは、配線板３の第２主面ＰＳ２に形成される実装用電極８１，８２にそれぞれ接続される。これら実装用電極８１，８２は、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２を介して、図４に示すヘリカル状コイルＨＣ１の第１端Ｅ１および第２端Ｅ２にそれぞれ接続される。すなわち、ＲＦＩＣ４は、ヘリカル状コイルＨＣ１の第１端および第２端にそれぞれ接続される。ＲＦＩＣ４は例えばパッケージングされたＲＦＩＣである。なお、ＲＦＩＣ４は、ベアチップ状のＲＦＩＣチップであってもよい。ＲＦＩＣチップと実装用電極８１，８２（ランドパターン）とがワイヤーで接続されていてもよい。

　保護層６１，６２は、樹脂本体１０の第１面ＶＳ１および第２面ＶＳ２に形成され、導体パターン（第１大径導体パターン、第２大径導体パターン、第１小径導体パターン、第２小径導体パターン）の形成面を被覆する。保護層６１，６２は、導体パターンの酸化防止、耐熱性の向上、金属異物による導体間のショートの防止を目的として設けられる樹脂膜であり、例えばソルダーレジスト膜等である。なお、保護層６１，６２は必須ではない。

　図６は無線ＩＣデバイス１０１の回路図である。

　無線ＩＣデバイス１０１は、ＨＦ帯ＲＦＩＤシステム用の例えばＨＦ帯のＲＦＩＣを備える。ＲＦＩＣ４に上記ヘリカル状コイルＨＣ１が接続され、上記ヘリカル状コイルＨＣ１とＲＦＩＣ４が有する容量成分とでＬＣ共振回路が構成される。その共振周波数はＲＦＩＤシステムの通信周波数に実質的に等しい。通信周波数帯域は例えば１３．５６ＭＨｚ帯である。

　なお、「無線ＩＣデバイス」は、ヘリカル状コイルＨＣ１とＲＦＩＣチップとで構成されていてもよいし、ヘリカル状コイルＨＣ１と、整合回路等を設けた基板にＲＦＩＣチップを搭載し、一体化したモジュールとで構成されていてもよい。また、「ＲＦＩＤタグ」は、ＲＦＩＣとＲＦＩＣに接続されたヘリカル状コイルとを有したものであって、電波（電磁波）または磁界を用いて、内蔵したメモリのデータを非接触で読み書きする情報媒体と定義する。つまり、本実施形態の無線ＩＣデバイスはＲＦＩＤタグとして構成される。

　次に、第１大径導体パターン、第２大径導体パターン、第１小径導体パターンおよび第２小径導体パターンの構造について、図を参照して説明する。図７（Ａ）は図２（Ａ）におけるＤＰ１部の拡大図であり、図７（Ｂ）は図７（Ａ）におけるＡ－Ａ断面詳細図である。また、図７（Ａ）および図７（Ｂ）では、構造を分かりやすくするため、保護層６２の図示を省略している。

　大径導体パターンおよび小径導体パターンは、樹脂本体１０の表面に形成される下地電極層と、下地電極層に積層されるめっき電極層とを備える。例えば、図７（Ａ）に示す第２大径導体パターンＢｐ２１を例として説明すると、第２大径導体パターンＢｐ２１は、下地電極層ＢＡ１とめっき電極層ＢＣ１とを備え、下地電極層ＢＡ１は端部の線幅が、第２大径柱状導体４１の上端面の直径より小さい。すなわち、下地電極層ＢＡ１の端部は、第２大径柱状導体４１の上端面の一部を被覆するように形成される。そして、めっき電極層ＢＣ１は、下地電極層ＢＡ１に被覆されていない第２大径柱状導体４１の上端面と下地電極層ＢＡ１とを被覆するように形成される。下地電極層は例えばＡｇ等の導電性ペーストをスクリーン印刷することにより形成する。めっき電極層は例えばＣｕ等のめっきによって、下地電極層や柱状導体の上端面を被覆するめっき膜である。

　このように、大径導体パターンおよび小径導体パターンは、全てＣｕめっき膜を形成することにより、膜厚を厚くできる。そのため、ヘリカル状コイルのＤＣＲをさらに低減できる。

　また、本実施形態では、柱状導体がＣｕ製ピンであり、Ｃｕめっき膜であるめっき電極層が下地電極層だけでなく、下地電極層に被覆されていない柱状導体の上端面を被覆するように形成される。そのため、この構成により、Ａｇの導体パターンである下地電極層をＣｕ製ピンである柱状導体の上端面全体に被覆した場合に比べて、大径導体パターンおよび小径導体パターンと柱状導体との接合強度を高くできる。

　本実施形態に係る無線ＩＣデバイス１０１によれば、次のような効果を奏する。

（ａ）本実施形態では、少なくとも小径導体パターン（第１小径導体パターン、第２小径導体パターン）と大径導体パターン（第１大径導体パターン、第２大径導体パターン）とが重なる部分に、絶縁層（第１絶縁層、第２絶縁層）が挟まれる。この構成では、小径導体パターンと大径導体パターンとが同一平面上に形成されておらず、小径導体パターンと大径導体パターンとが重なる部分に絶縁層が介在するため、小径導体パターンと大径導体パターンとが接触（線間ショート）する可能性は低い。したがって、ジャンパーチップ等の接続部材を別途設けることなく、大径導体パターンと小径導体パターンとの絶縁が確保される。そのため、大径ループおよび小径ループを、Ｙ軸方向に狭いピッチで配列することができ、所期のターン数・所期のインダクタンス値を有するヘリカル状コイルを得やすくなる。また、この構成では、Ｚ軸方向から視て、小径導体パターンと大径導体パターンとが一部重なるため、小径導体パターンおよび大径導体パターンの線幅を容易に太くでき、ヘリカル状コイルＨＣ１のＤＣＲをさらに低減できる。

（ｂ）また、本実施形態では、ヘリカル状コイルＨＣ１を構成する大径ループＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４および小径ループＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４の少なくとも一部が、柱状導体で構成されている。そのため、導電性ペーストの焼成による焼結金属体や、導電性薄膜のエッチングによる薄膜金属体等で構成する場合に比べて大径ループおよび小径ループのＤＣＲを小さくできるので、Ｑ値が高く、低損失のヘリカル状コイルが得られる。また、ヘリカル状コイル全体の低抵抗化が可能となるため、高感度の無線ＩＣデバイス、または高感度の割に小型の無線ＩＣデバイスが得られる。

（ｃ）また、本実施形態では、図２（Ａ）および図２（Ｃ）等に示すように、第１小径柱状導体と第１大径柱状導体、および第２小径柱状導体と第２大径柱状導体とが、それぞれＹ軸方向に配列され、且つ、Ｚ軸方向から視て千鳥状に配置されている。また、本実施形態では、上述したように、ジャンパーチップ等の接続部材を別途設けることなく、隣接する大径導体パターンと小径導体パターンとの絶縁が確保される。そのため、大径ループと小径ループをＹ軸方向に狭いピッチで配列することができる。

（ｄ）本実施形態では、大径ループの一部および小径ループの一部に柱状導体を利用する構造であるため、多層基板にコイルを形成する必要がなく、複雑な配線を引き回す必要もない。そのため、コイル開口サイズの設計上の自由度に優れたコイル構造を容易に実現できる。さらに、比較的大きな高さ寸法を持った部分を柱状導体によって形成できるので、たとえば層間導体を有する複数の基材層を積層して高さ方向の接続部を形成する場合に比べて、接続箇所を減らすことができ、ヘリカル状コイルの電気的信頼性が高まる。

（ｅ）本実施形態では、大径ループの一部および小径ループの一部に利用される大径導体パターン（第１大径導体パターンおよび第２大径導体パターン）および小径導体パターン（第１小径導体パターンおよび第２小径導体パターン）が、ワイヤ等ではなく、ともに樹脂本体１０の表面等に形成される導体パターンである。そのため、隣接する大径導体パターン同士、または隣接する小径導体パターン同士の接触（線間ショート）の可能性は低いため、Ｙ軸方向に配列される大径導体パターン同士の間隙を容易に小さくでき、Ｙ軸方向に配列される小径導体パターン同士の間隙を容易に小さくできる。また、大径導体パターン同士の間隙や小径導体パターン同士の間隙を選定することにより、占有面積（Ｙ軸方向の寸法）が同じであっても、所期のターン数・所期のインダクタンス値を有するヘリカル状コイルを得やすくなる。

（ｆ）本実施形態では、ＲＦＩＣ４が実装された配線板３の第２主面ＰＳ２が、Ｙ軸方向（ヘリカル状コイルＨＣ１の巻回軸ＡＸ）に平行であるため、ＲＦＩＣ４の実装用電極８１，８２（ランドパターン）等がヘリカル状コイルＨＣ１の磁界の形成を妨げにくい。また、ヘリカル状コイルＨＣ１の磁界によるＲＦＩＣ４への悪影響（誤動作や不安定動作等）は小さい。さらに、ＲＦＩＣ４のデジタル回路部から発生するノイズによるヘリカル状コイルへの悪影響（受信感度の低下・送信信号の受信回路への回り込み等）は小さい。

（ｇ）無線ＩＣデバイス１０１は、ＲＦＩＣ４がヘリカル状コイルの内側に配置されている。そのため、ＲＦＩＣ４の保護機能が高い。また、ＲＦＩＣ４が無線ＩＣデバイス１０１の外方へ露出しないため、ＲＦＩＣ４をヘリカル状コイルの外部に搭載することによる大型化が避けられる。

（ｈ）無線ＩＣデバイス１０１は、ＲＦＩＣ４等の表面実装部品、大径ループの一部（第１大径柱状導体、第２大径柱状導体）および小径ループの一部（第１小径柱状導体、第２小径柱状導体）が樹脂本体１０で保護されるため、無線ＩＣデバイス全体が堅牢である。特に、この無線ＩＣデバイスを樹脂成型物品に埋設する際、射出成型時に流動する高温の樹脂（例えば３００℃以上の高温樹脂）に対して上記表面実装チップ部品のはんだ接続部が保護される。つまり、ＲＦＩＣ４は、ヘリカル状コイルＨＣ１を構成する大径ループＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４、小径ループＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４、第１大径導体パターンＢｐ１１，Ｂｐ１２，Ｂｐ１３，Ｂｐ１４，Ｂｐ１５、第２大径導体パターンＢｐ２１，Ｂｐ２２，Ｂｐ２３，Ｂｐ２４、第１小径導体パターンＳｐ１１，Ｓｐ１２，Ｓｐ１３，Ｓｐ１４および第２小径導体パターンＳｐ２１，Ｓｐ２２，Ｓｐ２３，Ｓｐ２４等によって囲まれたエリアに配置され、且つ、樹脂本体１０および配線板３によって囲まれている。この構成により、ＲＦＩＣ４と実装用電極８１，８２との間の接続部やＲＦＩＣ４に、大きな熱的負荷が加わり難くなる。そのため、無線ＩＣデバイス１０１を樹脂成型物品（玩具や容器等）に埋め込んだ場合でも、ＲＦＩＣ４の動作信頼性を確保でき、ＲＦＩＣ４と実装用電極との間の接続部の信頼性を高めることができる。すなわち、樹脂成型体に内蔵可能な、つまり、射出成型時の高温下にも耐えられる、高耐熱性の無線ＩＣデバイスを実現できる。また、はんだ接合部は高温化で一旦溶融する場合でも、樹脂本体１０と配線板３は樹脂同士の接合により接着しており、表面実装部品や小径ループが外れたり変形したりしないので、冷却後、はんだ接合部の接合状態は正常に戻る。また、そのため、ヘリカル状コイルのインダクタンス値を維持できる。

（ｉ）無線ＩＣデバイス１０１は、大径ループを構成する大径導体パターン（第１大径導体パターンＢｐ１１，Ｂｐ１２，Ｂｐ１３，Ｂｐ１４，Ｂｐ１５および第２大径導体パターンＢｐ２１，Ｂｐ２２，Ｂｐ２３，Ｂｐ２４）が、樹脂本体１０の表面および絶縁層（第１絶縁層１および第２絶縁層２）の表面に亘って形成されている。そのため、ヘリカル状コイルＨＣ１の実質的な開口径は大きい。よって、チップ状の無線ＩＣデバイス１０１のサイズと略同等のサイズを持ったヘリカル状コイル（コイルアンテナ）を構成することができ、小型のチップ状部品であるにも関わらず、大きな通信距離を確保することができ、また、通信相手のアンテナに対して相対的に広い位置関係で通信できる。

（ｊ）本実施形態では、パターニングによって樹脂本体１０の表面に第１小径導体パターンＳｐ１１，Ｓｐ１２，Ｓｐ１３，Ｓｐ１４および第２小径導体パターンＳｐ２１，Ｓｐ２２，Ｓｐ２３，Ｓｐ２４を形成する。そのため、第１小径柱状導体１１，１２，１３，１４の第１端と第２小径柱状導体２１，２２，２３，２４の第１端との接続、および第１小径柱状導体１１，１２，１３，１４の第２端と第２小径柱状導体２１，２２，２３，２４の第２端との接続が容易になる。

（ｋ）また、本実施形態では、パターニングによって、樹脂本体１０の表面および絶縁層の表面に亘って第１大径導体パターンＢｐ１１，Ｂｐ１２，Ｂｐ１３，Ｂｐ１４，Ｂｐ１５および第２大径導体パターンＢｐ２１，Ｂｐ２２，Ｂｐ２３，Ｂｐ２４を形成する。そのため、第１大径柱状導体３１，３２，３３，３４の第１端と第２大径柱状導体４１，４２，４３，４４の第１端との接続、および第１大径柱状導体３１，３２，３３，３４の第２端と第２大径柱状導体４１，４２，４３，４４の第２端との接続が容易になる。

（ｌ）大径ループおよび小径ループを構成するパターンのうち、Ｘ軸方向に延伸する第１大径導体パターンＢｐ１１，Ｂｐ１２，Ｂｐ１３，Ｂｐ１４，Ｂｐ１５、第２大径導体パターンＢｐ２１，Ｂｐ２２，Ｂｐ２３，Ｂｐ２４、第１小径導体パターンＳｐ１１，Ｓｐ１２，Ｓｐ１３，Ｓｐ１４および第２小径導体パターンＳｐ２１，Ｓｐ２２，Ｓｐ２３，Ｓｐ２４は、全てＣｕ等のめっき膜を形成することにより、膜厚を厚くできる。そのため、ヘリカル状コイルのＤＣＲをさらに低減できる。

（ｍ）本実施形態に係るヘリカル状コイルＨＣ１は、Ｙ軸方向における大径コイルＢＣの第１端Ｂｅ１から第２端Ｂｅ２へ向かう延伸方向（＋Ｙ方向）は、Ｙ軸方向における小径コイルＳＣの第１端Ｓｅ１から第２端Ｓｅ２へ向かう延伸方向（－Ｙ方向）とは逆方向である。また、Ｙ軸方向における大径ループの形成領域ＢＦＥの少なくとも一部は、Ｙ軸方向における小径ループの形成領域ＳＦＥに重なる。この構成により、小型の割にターン数の多いヘリカル状コイルを容易に構成できる。また、ターン数の割に占有面積（特にＹ軸方向の寸法）が小さなヘリカル状コイルを実現できる。また、この構成により、インダクタンスに寄与しない導体を短くできるため、ヘリカル状コイルのＤＣＲをさらに低減できる。

（ｎ）無線ＩＣデバイス１０１は、配線板３の第１主面ＰＳ１と樹脂本体１０の第１面ＶＳ１とが同一面になるように配線板３を樹脂本体１０に埋設した構造である。この構成により、第１面ＶＳ１および第１主面ＰＳ１に亘って形成される第１小径導体パターンや第１大径導体パターン等がパターニングにより容易に形成できるため、ヘリカル状コイルＨＣ１の第１端および第２端とＲＦＩＣ４との接続が容易となる。

（ｏ）本実施形態では、大径ループＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４および小径ループＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４が、Ｚ軸方向から視て、Ｙ軸方向に沿って隙間なく配列されている。この構成により、ヘリカル状コイルに発生した磁束が、互いに隣接する大径ループと小径ループとの間隙から漏れ難い。そのため、高いインダクタンス値を有するヘリカル状コイルを構成できる。また、ヘリカル状コイルをコイルアンテナとして利用した場合には、通信相手側のコイルアンテナに対して相対的に広い位置関係で磁界結合できる。なお、互いに隣接する大径ループと小径ループとの間隙から磁束がより漏れ難くするため、Ｚ軸方向から視て、大径ループのＹ軸方向における縁端部と小径ループのＹ軸方向における縁端部とが、一部重なることが好ましい（図２（Ａ）を参照）。

（ｐ）また、本実施形態では、大径ループＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４および小径ループＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４が、Ｘ軸方向から視て、Ｙ軸方向に沿って隙間なく配列されている。上述した通り、この構成により、高いインダクタンス値を有するヘリカル状コイルを構成できる。また、ヘリカル状コイルをコイルアンテナとして利用した場合には、通信相手側のコイルアンテナに対して相対的に広い位置関係で磁界結合できる。なお、互いに隣接する大径ループと小径ループとの間隙から磁束がより漏れ難くするため、Ｘ軸方向から視て、大径ループのＹ軸方向における縁端部と小径ループのＹ軸方向における縁端部とが、一部重なることが好ましい（図２（Ｂ）を参照）。

　また、本実施形態では、約４ターンの大径コイルＢＣと約４ターンの小径コイルＳＣとを備えるヘリカル状コイルＨＣ１を示したが、これに限定されるものではない。大径コイルＢＣのターン数および小径コイルのターン数は、１よりも大きければ適宜変更可能である。また、本実施形態では、１つの大径コイルＢＣと１つの小径コイルＳＣとを接続した構成を示したが、これに限定されるものではない。複数の大径コイルおよび複数の小径コイルが、交互に順次接続される構成であってもよい。また、大径コイルの数と小径コイルの数が同数である必要はない。複数の大径コイルのターン数がそれぞれ異なっていてもよく、複数の小径コイルのターン数がそれぞれ異なっていてもよい。

　本実施形態に係る無線ＩＣデバイス１０１は、例えば次の工程で製造される。図８および図９は無線ＩＣデバイス１０１の製造工程を順に示す断面図である。

　まず、図８中の（１）に示すように、ＲＦＩＣ４を実装した配線板３を準備する。具体的には、第１主面ＰＳ１および第１主面ＰＳ１に対向する第２主面ＰＳ２を有する配線板３の第２主面ＰＳ２に、ＲＦＩＣ４を実装するための実装用電極８１，８２（ランドパターン）等を形成する。さらに、配線板３の厚み方向には、配線板３の内部に形成され、実装用電極８１，８２に接続される層間接続導体Ｖ１，Ｖ２を形成する。

　その後、ＲＦＩＣ４を実装するための実装用電極８１，８２等に、はんだペースト等の導電性接合材５を形成する。このとき、配線板３の第１主面ＰＳ１側に導体パターンは形成されていない。

　配線板３は、例えばガラスエポキシ基板やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を基材とするプリント配線板であるが、ポリイミド樹脂等の熱可塑性樹脂を基材とする基板やセラミック基板に厚膜パターンを形成したものであってもよい。また、配線板３は、単層基板でも多層基板でもよい。実装用電極８１，８２は例えばＣｕやＡｇ等の比抵抗の小さな金属箔をパターンニングしたものであるが、配線板３の第２主面ＰＳ２にめっき膜をパターニングしたものや、導体ペーストをパターニングしたものであってもよい。例えば、実装用電極８１，８２の断面寸法は、１８μｍ×１００μｍである。これらのパターンニングを行った後に、Ｃｕ等のめっきを施してトータル膜厚を４０～５０μｍに厚くすることが好ましい。層間接続導体Ｖ１，Ｖ２は、例えば配線板３を貫通する貫通孔の内壁にめっき膜を付与したスルーホールである。

　その後、配線板３の第２主面ＰＳ２に、ＲＦＩＣ４をはんだ等の導電性接合材５を介して実装する。具体的には、配線板３の第２主面ＰＳ２にＲＦＩＣ４等の部品をマウンターで実装した後、これら部品をリフロープロセスではんだ付けする。この工程により、ＲＦＩＣ４を配線板３に電気的に導通させ、且つ構造的に接合する。

　ＲＦＩＣ４はＲＦＩＤタグ用のＲＦＩＣをパッケージングしたものである。また、ＲＦＩＣ４は、ベアチップ状のＲＦＩＣチップであってもよい。

　次に、図８中の（２）に示すように、主面に粘着層を有する支持台６を準備し、ＲＦＩＣ４が実装された配線板３を支持台６に実装する。具体的には、配線板３の第１主面ＰＳ１側を支持台６の粘着層側にして固着する。支持台６が有する粘着層は、例えば粘着性を有する樹脂等である。この工程により、ＲＦＩＣ４が配線板３および粘着層を介して支持台６に強固に固定した状態で実装される。

　支持台６にＲＦＩＣ４を実装するこの工程が、本発明における「第１工程」の例である。

　次に、図８中の（３）に示すように、支持台６に第１小径柱状導体１４等、第２小径柱状導体２４等、第１大径柱状導体３１等および第２大径柱状導体４１等を立てる。具体的には、柱状導体（第１小径柱状導体１４等、第２小径柱状導体２４等、第１大径柱状導体３１等および第２大径柱状導体４１等）の各々の第１端側を、支持台６の粘着層側にして固着して立てる。これにより、柱状導体の各々の第１端側が粘着層を介して支持台６に強固に固定した状態で実装される。柱状導体は、それぞれＣｕ製の円柱状のポストである。柱状導体は、Ｃｕを主成分としたものに限定されるわけではないが、導電性や加工性の点でＣｕを主成分としたものが好ましい。

　支持台６に、第１小径柱状導体、第２小径柱状導体、第１大径柱状導体および第２大径柱状導体の各々の第１端側を立てるこの工程が、本発明における「第２工程」の例である。

　次に、図８中の（４）および図９中の（５）に示すように、支持台６に、柱状導体と同じ高さ（少なくともＲＦＩＣ４および柱状導体の一部が埋設する高さ）まで樹脂本体１０を形成（樹脂を被覆）する。具体的には、支持台６上に、エポキシ樹脂等を所定高さ（少なくとも柱状導体の高さ以上）に塗付した樹脂本体１０を柱状導体ごと、図８中の（４）に示した研削線ＰＬ１まで平面的に研削（または切削、研磨）することで、樹脂本体１０の第２面ＶＳ２から柱状導体の第２端を露出させる。なお、エポキシ樹脂等を所定高さ（柱状導体の高さ以下）に塗布し、その後、樹脂本体１０を柱状導体ごと平面的に研削（または切削、研磨）することで、樹脂本体１０の第２面ＶＳ２に柱状導体の第２端を露出させてもよい。なお、樹脂本体１０は、液状樹脂の塗布により設けてもよいし、半硬化シート状樹脂の積層によって設けてもよい。

　第１工程および第２工程の後に、支持台６に、ＲＦＩＣ４、第１小径柱状導体１４等、第２小径柱状導体２４等、第１大径柱状導体３１等および第２大径柱状導体４１等の各々の少なくとも一部が埋設する高さまで樹脂本体１０を被覆するこの工程が、本発明における「第３工程」の一例である。

　また、図８中の（４）および図９中の（５）に示すように、樹脂本体１０から支持台６を取り除き、柱状導体の第１端および層間接続導体Ｖ１，Ｖ２等を、樹脂本体１０の第１面ＶＳ１および配線板３の第１主面ＰＳ１から露出させる。具体的には、樹脂本体１０を支持台６、配線板３および柱状導体ごと、図９中の（５）に示した研削線ＰＬ２まで平面的に研削（または切削、研磨）していくことで、柱状導体の第１端および層間接続導体Ｖ１，Ｖ２を、樹脂本体１０の第１面ＶＳ１および配線板３の第１主面ＰＳ１から露出させる。

　第３工程の後に、樹脂本体１０から支持台６を取り除くこの工程が、本発明における「第７工程」の一例である。

　次に、図９中の（５）に示すように、樹脂本体１０の第２面ＶＳ２に、第１小径柱状導体１４等の第２端と第２小径柱状導体２４等の第２端との間を接続する第２小径導体パターンＳｐ２４等を形成する。具体的には、第１小径柱状導体１４等の第２端および第２小径柱状導体２４等の第２端が露出する樹脂本体１０の第２面ＶＳ２にＡｇ等の導電性ペーストをスクリーン印刷することによって、第２小径導体パターンＳｐ２４等を形成する。

　なお、その後、Ｃｕ等のめっきによって、第２小径導体パターンＳｐ２４等にめっき膜を形成することが好ましい。Ｃｕめっき膜の場合は、Ｃｕ等のめっき膜の表面にＡｕめっき膜をさらに形成してもよい。これらのことで、第２小径導体パターンＳｐ２４等の膜厚が厚くなり、それらのＤＣＲが小さくなって、導体損失が低減できる。これにより、第１小径柱状導体１４等および第２小径柱状導体２４等のＤＣＲと同等程度にまで、第２小径導体パターンＳｐ２４等のＤＣＲを小さくできる。すなわち、この段階では、樹脂本体１０の外表面に第２小径導体パターンＳｐ２４等が露出したものであるため、この樹脂本体１０をめっき液に浸漬することにより、第２小径導体パターンＳｐ２４等の厚みを選択的に厚くすることができる。

　第３工程の後に、第２面ＶＳ２に、第１小径柱状導体１４等の第２端と第２小径柱状導体２４等の第２端との間を接続する第２小径導体パターンＳｐ２４等を形成するこの工程が、本発明における「第４工程」の一例である。

　また、図９中の（５）に示すように、樹脂本体１０の第１面ＶＳ１に、第１小径柱状導体１４等の第１端と第２小径柱状導体の第１端の少なくとも一方に接続される第１小径導体パターンＳｐ１３，Ｓｐ１４等を形成する。第１小径導体パターンＳｐ１４は、第２小径柱状導体２４と配線板３に設けられた層間接続導体Ｖ２とを接続する。具体的には、第１小径柱状導体１４等の第１端および第２小径柱状導体２４等の第１端が露出する樹脂本体１０の第１面ＶＳ１にＡｇ等の導電性ペーストをスクリーン印刷することによって、第１小径導体パターンＳｐ１３，Ｓｐ１４等を形成する。

　なお、その後、Ｃｕ等のめっきによって、第１小径導体パターンＳｐ１３，Ｓｐ１４等にめっき膜を形成することが好ましい。Ｃｕめっき膜の場合は、Ｃｕ等のめっき膜の表面にＡｕめっき膜をさらに形成してもよい。これらのことで、第１小径導体パターンＳｐ１３，Ｓｐ１４等の膜厚が厚くなり、それらのＤＣＲが小さくなって、導体損失が低減できる。これにより、第１小径柱状導体１４等および第２小径柱状導体２４等のＤＣＲと同等程度にまで、第１小径導体パターンＳｐ１３，Ｓｐ１４等のＤＣＲを小さくできる。すなわち、この段階では、樹脂本体１０の外表面に第１小径導体パターンＳｐ１３，Ｓｐ１４等が露出したものであるため、この樹脂本体１０をめっき液に浸漬することにより、第１小径導体パターンＳｐ１３，Ｓｐ１４等の厚みを選択的に厚くすることができる。

　第７工程の後に、第１面ＶＳ１に、第１小径柱状導体１４等の第１端と第２小径柱状導体等の第１端の少なくとも一方に接続される第１小径導体パターンＳｐ１４等を形成するこの工程が、本発明における「第８工程」の一例である。

　次に、図９中の（６）に示すように、少なくとも第２小径導体パターンＳｐ２４等の表面の一部に、第２絶縁層２を形成する。第２絶縁層２は、第２小径導体パターンＳｐ２４等の表面等を被覆する絶縁体膜であり、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂である。

　第４工程の後に、少なくとも第２小径導体パターンＳｐ２４等の表面の一部に、第２絶縁層２を形成するこの工程が、本発明における「第５工程」の一例である。

　また、図９中の（６）に示すように、少なくとも第１小径導体パターンＳｐ１４等の表面の一部に、第１絶縁層１を形成する。第１絶縁層１は、第１小径導体パターンＳｐ１４等の表面等を被覆する絶縁体膜であり、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂である。

　第８工程の後に、少なくとも第１小径導体パターンＳｐ１４等の表面の一部に、第１絶縁層１を形成するこの工程が、本発明における「第９工程」の一例である。

　次に、図９中の（７）に示すように、樹脂本体１０の第２面ＶＳ２および第２絶縁層２の表面に、第１大径柱状導体３１等の第２端と第２大径柱状導体４１等の第２端との間を接続する第２大径導体パターンＢｐ２１等を形成する。具体的には、第１大径柱状導体３１等の第２端および第２大径柱状導体４１等の第２端が露出する第２面ＶＳ２および第２絶縁層２の表面に、Ａｇ等の導電性ペーストをスクリーン印刷することによって、第２大径導体パターンＢｐ２１等を形成する。

　なお、その後、Ｃｕ等のめっきによって、第２大径導体パターンＢｐ２１等にめっき膜を形成することが好ましい。Ｃｕめっき膜の場合は、Ｃｕ等のめっき膜の表面にＡｕめっき膜をさらに形成してもよい。これらのことで、第２大径導体パターンＢｐ２１等の膜厚が厚くなり、それらのＤＣＲが小さくなって、導体損失が低減できる。これにより、第１大径柱状導体３１等および第２大径柱状導体４１等のＤＣＲと同等程度にまで、第２大径導体パターンＢｐ２１等のＤＣＲを小さくできる。すなわち、この段階では、樹脂本体１０の外表面に第２大径導体パターンが露出したものであるため、この樹脂本体１０をめっき液に浸漬することにより、第２大径導体パターンの厚みを選択的に厚くすることができる。

　第５工程の後に、第２面ＶＳ２および第２絶縁層２の表面に、第１大径柱状導体３１等の第２端と第２大径柱状導体４１等の第２端との間を接続する第２大径導体パターンＢｐ２１等を形成するこの工程が、本発明における「第６工程」の一例である。

　また、図９中の（７）に示すように、樹脂本体１０の第１面ＶＳ１および第１絶縁層１の表面に、第１大径柱状導体３１等の第１端および第２大径柱状導体４１等の第１端の少なくとも一方に接続される第１大径導体パターンＢｐ１１等を形成する。また、第１面ＶＳ１および第１絶縁層１の表面に、第１大径柱状導体３１と配線板３に設けられた層間接続導体Ｖ１とを接続する接続導体７１を形成する。具体的には、第１大径柱状導体３１等の第１端および第２大径柱状導体４１等の第１端が露出する第１面ＶＳ１および第１絶縁層１の表面に、Ａｇ等の導電性ペーストをスクリーン印刷することによって、第１大径導体パターンＢｐ１１，Ｂｐ１２等を形成する。

　なお、その後、Ｃｕ等のめっきによって、第１大径導体パターンＢｐ１１，Ｂｐ１２等にめっき膜を形成することが好ましい。Ｃｕめっき膜の場合は、Ｃｕ等のめっき膜の表面にＡｕめっき膜をさらに形成してもよい。これらのことで、第１大径導体パターンＢｐ１１，Ｂｐ１２等の膜厚が厚くなり、それらのＤＣＲが小さくなって、導体損失が低減できる。これにより、第１大径柱状導体３１等および第２大径柱状導体４１等のＤＣＲと同等程度にまで、第１大径導体パターンＢｐ１１，Ｂｐ１２等のＤＣＲを小さくできる。すなわち、この段階では、樹脂本体１０の外表面に第１大径導体パターンＢｐ１１，Ｂｐ１２等が露出したものであるため、この樹脂本体１０をめっき液に浸漬することにより、第１大径導体パターンＢｐ１１，Ｂｐ１２等の厚みを選択的に厚くすることができる。

　第９工程の後に、第１面ＶＳ１および第１絶縁層１の表面に、第１大径柱状導体３１等の第１端および第２大径柱状導体４１等の第１端の少なくとも一方に接続される第１大径導体パターンＢｐ１１等を形成するこの工程が、本発明における「第１０工程」の一例である。

　その後、必要に応じて、樹脂本体１０のうち、導体パターン（第１大径導体パターンＢｐ１１等、第２大径導体パターンＢｐ２１等、第１小径導体パターンＳｐ１３，Ｓｐ１４等、第２小径導体パターンＳｐ２４等）の形成面（第１面ＶＳ１や第２面ＶＳ２）に保護層６１，６２を形成する。保護層６１，６２は例えば酸化防止用の保護用樹脂膜（ソルダーレジスト膜等）である。

　なお、上記の工程は、マザー基板状態のまま処理される。上記の工程の後、マザー基板を個々の無線ＩＣデバイス１０１（個片）に分離する。

　上記製造方法によれば、所望のインダクタンス値を有し、且つ、優れた電気特性を有する、特に直流抵抗の低減が可能な小型のヘリカル状コイルを備える無線ＩＣデバイス１０１を容易に製造できる。

　また、上記製造方法では、粘着層を有する支持台６を用いて柱状導体を強固に固定することできる。そのため、径の小さな柱状導体もヘリカル状コイルの製造に使用することができ、巻回数が多く、インダクタンスの高いヘリカル状コイルを製造することができる。

《第２の実施形態》
　第２の実施形態では、樹脂ブロック７Ａ，７Ｂおよび樹脂層１０Ｅを備える無線ＩＣデバイス１０２について示す。その他の構成については無線ＩＣデバイス１０１と実質的に同じである。

　図１０（Ａ）は第２の実施形態に係る無線ＩＣデバイス１０２の断面図であり、図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）におけるＢ－Ｂ部分での無線ＩＣデバイス１０２の断面図である。

　本実施形態に係る樹脂本体１０は、樹脂ブロック７Ａ，７Ｂおよび樹脂層１０Ｅを有する。

　樹脂ブロック７Ａは、長手方向がＺ軸方向に一致する直方体状であり、絶縁体が被覆された第１小径柱状導体１４等および第１大径柱状導体３１等が埋設されている。樹脂ブロック７Ａに埋設された第１小径柱状導体１４等および第１大径柱状導体３１等は、Ｚ軸方向に延伸するように配置され、各々の第１端および第２端が樹脂ブロック７Ａの長手方向の面から露出している。

　樹脂ブロック７Ｂは、長手方向がＺ軸方向に一致する直方体状であり、絶縁体が被覆された第２小径柱状導体２４等および第２大径柱状導体４１等が埋設されている。樹脂ブロック７Ｂに埋設された第２小径柱状導体２４等および第２大径柱状導体４１等は、Ｚ軸方向に延伸するように配置され、各々の第１端および第２端が樹脂ブロック７Ｂの長手方向の面から露出している。

　樹脂層１０Ｅは、長手方向がＺ軸方向に一致する直方体状である。

　樹脂ブロック７Ａ，７Ｂおよび樹脂層１０Ｅは例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂であり、柱状導体に被覆された絶縁体は例えばポリウレタンである。

　本実施形態に係る無線ＩＣデバイス１０２によれば、第１の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。

（ｑ）本実施形態に係る無線ＩＣデバイス１０２では、柱状導体が埋設された樹脂ブロック７Ａ，７Ｂを備えるため、後に詳述するように、第１の実施形態に係る無線ＩＣデバイス１０１よりも、隣接する柱状導体同士の間隙を小さくできる。したがって、この構成により、ターン数の割にはコイルの占有面積（Ｘ軸方向およびＹ軸方向の寸法）をさらに小さくできる。また、この構成により、ヘリカル状コイルのコイル開口が大きな無線ＩＣデバイスを容易に形成できる。なお、樹脂ブロック７Ａ，７Ｂに埋設された柱状導体には、絶縁体が被覆されているため、隣接する柱状導体同士が接触しても電気的にショートする可能性は低い。すなわち、本実施形態では、樹脂ブロック７Ａ，７Ｂに埋設される柱状導体が束ねられ、互いに接触していてもよい。

　本実施形態に係る無線ＩＣデバイス１０２は、例えば次の工程で製造される。図１１は、無線ＩＣデバイス１０２の製造工程の一部を順に示す断面図である。

　図１１中の（１）に示すように、主面に粘着層を有する支持台６に、第２主面ＰＳ２にＲＦＩＣ４を実装した配線板３、樹脂ブロック７Ａ，７Ｂを実装する。樹脂ブロック７Ａ，７Ｂには、絶縁体で被覆された柱状導体（第１小径柱状導体１４等、第２小径柱状導体２４等、第１大径柱状導体３１等および第２大径柱状導体４１等）が埋設されている。具体的には、配線板３の第１主面ＰＳ１側を支持台６の粘着層側にして固着し、柱状導体の各々の第１端側を支持台６の粘着層側にして立てる（本発明における「第１工程」および「第２工程」に相当する）。

　樹脂ブロック７Ａ，７Ｂは、ポリウレタン等の絶縁体で被覆されたＣｕワイヤーをエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂に埋設し、それを所定長単位で切断することで得られる。

　次に、図１１中の（２）および（３）に示すように、支持台６に、柱状導体の高さと同じ高さまで樹脂層１０Ｅを形成する。具体的には、支持台６上の樹脂ブロック７Ａ，７Ｂ以外の部分に、エポキシ樹脂等を所定高さ（少なくともＲＦＩＣ４および樹脂ブロック７Ａ，７Ｂの一部が埋設する高さ）まで塗付して樹脂層１０Ｅを形成する。その後、樹脂ブロック７Ａ，７Ｂおよび樹脂層１０Ｅごと、図１１中の（２）に示した研削線ＰＬ１まで平面的に研削（または切削、研磨）することで、樹脂本体１０の第２面ＶＳ２から柱状導体の第２端を露出させる（本発明における「第３工程」に相当する）。

　また、図１１中の（２）および（３）に示すように、樹脂本体１０から支持台６を取り除き、柱状導体の第１端および層間接続導体Ｖ１，Ｖ２等を、樹脂本体１０の第１面ＶＳ１および配線板３の第１主面ＰＳ１から露出させる。具体的には、樹脂ブロック７Ａ，７Ｂおよび樹脂層１０Ｅを支持台６、配線板３および柱状導体ごと、図１１中の（２）に示した研削線ＰＬ２まで平面的に研削（または切削、研磨）していくことで、柱状導体の第１端および層間接続導体Ｖ１，Ｖ２を、樹脂本体１０の第１面ＶＳ１および配線板３の第１主面ＰＳ１から露出させる（本発明における「第７工程」に相当する）。

　その後の製造工程は、第１の実施形態において図９（５）から（７）で示した内容と同様である。

　上記製造方法では、予め柱状導体が埋設された樹脂ブロック７Ａ，７Ｂを用いるため、柱状導体を支持台６に立てる際に、隣接する柱状導体同士の接触を考える必要がない。なお、樹脂ブロック７Ａ，７Ｂに埋設された柱状導体には、絶縁体が被覆されているため、隣接する柱状導体同士が接触しても電気的にショートする可能性は低い。したがって、上記製造方法により、隣接する柱状導体同士の間隙が小さい無線ＩＣデバイスを容易に実現できる。

　また、上記製造方法では、予め柱状導体が埋設された樹脂ブロック７Ａ，７Ｂを用いるため、第１の実施形態で示した無線ＩＣデバイス１０１の製造方法よりも、柱状導体を支持台６に容易に立てることができる。また、粘着層を有する支持台６に柱状導体をさらに強固に固定することできる。

《第３の実施形態》
　第３の実施形態では、磁性体コア８を備える無線ＩＣデバイス１０３について示す。その他の構成については無線ＩＣデバイス１０１と実質的に同じである。

　図１２は第３の実施形態に係る無線ＩＣデバイス１０３の断面図である。

　本実施形態に係る樹脂本体１０は、内部にヘリカル状コイルに対する磁芯として作用するフェライト焼結体等の焼結体系の磁性体コア８を有する。また、樹脂本体１０は非磁性体である樹脂層１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃを有する。

　本実施形態に係る無線ＩＣデバイス１０３によれば、第１の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。

（ｒ）磁性体コア８を備えるため、ヘリカル状コイルを大型化することなく、所期のインダクタンス値を有するヘリカル状コイルを備える無線ＩＣデバイスが得られる。また、無線ＩＣデバイスを低背にしても所期のインダクタンス値を得ることができる。

（ｓ）磁性体コア８の集磁効果により、通信相手のアンテナとの磁界結合を高めることができる。

　本実施形態に係る無線ＩＣデバイス１０３は、例えば次の工程で製造される。図１３、図１４および図１５は、無線ＩＣデバイス１０３の製造工程を順に示す断面図である。

　図１３中の（１）に示すように、主面に粘着層を有する支持台６に、第２主面ＰＳ２にＲＦＩＣ４を実装した配線板３、柱状導体（第１小径柱状導体１４等、第２小径柱状導体２４等、第１大径柱状導体３１等および第２大径柱状導体４１等）を実装する。具体的には、配線板３の第１主面ＰＳ１側を支持台６の粘着層側にして固着し、柱状導体の各々の第１端側を支持台６の粘着層側にして立てる（本発明における「第１工程」および「第２工程」に相当する）。

　次に、図１３中の（２）に示すように、支持台６に非磁性体の樹脂層１０Ａを形成する。具体的には、支持台６上に、エポキシ樹脂等を所定高さ（少なくともＲＦＩＣ４および柱状導体の一部が埋設する高さ）まで樹脂層１０Ａを形成（樹脂を被覆）する。これにより、ＲＦＩＣ４が樹脂層１０Ａに埋設される。

　次に、図１３中の（３）に示すように、樹脂層１０Ａの硬化後、直方体形状の磁性体コア８を載置する。この磁性体コア８は、小型で高い透磁率（例えば比透磁率５０以上３００以下程度）を有するフェライト焼結体であることが好ましい。磁性体コア８の載置は、樹脂層１０Ａの硬化前であってもよい。

　次に、図１４中の（４）に示すように、磁性体コア８の厚みまでエポキシ樹脂等の樹脂層１０Ｂを被覆する。

　続いて、図１４中の（５）に示すように、柱状導体の高さと同じ高さまで樹脂層１０Ｃを形成（樹脂を被覆）する。具体的には、エポキシ樹脂等を所定高さ（少なくとも柱状導体の高さ以上）に塗付した樹脂層１０Ｃを柱状導体ごと、図１４中の（５）に示した研削線ＰＬ１まで平面的に研削（または切削、研磨）することで、樹脂本体１０の第２面ＶＳ２から柱状導体の第２端を露出させる（本発明における「第３工程」に相当する）。

　また、図１４中の（５）に示すように、樹脂本体１０から支持台６を取り除き、柱状導体の第１端および層間接続導体Ｖ１，Ｖ２等を、樹脂本体１０の第１面ＶＳ１および配線板３の第１主面ＰＳ１から露出させる。具体的には、樹脂層１０Ａを支持台６、配線板３および柱状導体ごと、図１４中の（５）に示した研削線ＰＬ２まで平面的に研削（または切削、研磨）していくことで、柱状導体の第１端および層間接続導体Ｖ１，Ｖ２を、樹脂本体１０の第１面ＶＳ１および配線板３の第１主面ＰＳ１から露出させる（本発明における「第７工程」に相当する）。

　次に、図１４中の（６）に示すように、樹脂本体１０の第２面ＶＳ２に、第１小径柱状導体１４等の第２端と第２小径柱状導体２４等の第２端との間を接続する第２小径導体パターンＳｐ２１等を形成する（本発明における「第４工程」に相当する）。

　また、図１４中の（６）に示すように、樹脂本体１０の第１面ＶＳ１に、第１小径柱状導体１４等の第１端と第２小径柱状導体２４等の第１端の少なくとも一方に接続される第１小径導体パターンＳｐ１３，Ｓｐ１４等を形成する（本発明における「第８工程」に相当する）。

　次に、図１５中の（７）に示すように、少なくとも第２小径導体パターンＳｐ２１等の表面の一部に、第２絶縁層２を形成する（本発明における「第５工程」に相当する）。

　また、図１５中の（７）に示すように、少なくとも第１小径導体パターンＳｐ１３等の表面の一部に、第１絶縁層１を形成する（本発明における「第９工程」に相当する）。

　次に、図１５中の（８）に示すように、樹脂本体１０の第２面ＶＳ２および第２絶縁層２の表面に、第１大径柱状導体３１等の第２端と第２大径柱状導体４１等の第２端との間を接続する第２大径導体パターンＢｐ２１等を形成する（本発明における「第６工程」に相当する）。

　また、図１５中の（８）に示すように、樹脂本体１０の第１面ＶＳ１および第１絶縁層１の表面に、第１大径柱状導体３１等の第１端および第２大径柱状導体４１等の第１端の少なくとも一方に接続される第１大径導体パターンＢｐ１１，Ｂｐ１２等を形成する（本発明における「第１０工程」に相当する）。

　その後、必要に応じて、樹脂本体１０のうち導体パターン（第１大径導体パターンＢｐ１１等、第２大径導体パターンＢｐ２１等、第１小径導体パターンＳｐ１３，Ｓｐ１４等、第２小径導体パターンＳｐ２４等）の形成面（第１面ＶＳ１や第２面ＶＳ２）に保護層６１，６２を形成する。保護層６１，６２は例えば酸化防止用の保護用樹脂膜（ソルダーレジスト膜等）である。

　なお、上記の工程は、マザー基板状態のまま処理される。上記の工程の後、マザー基板を個々の無線ＩＣデバイス１０３（個片）に分離する。

《第４の実施形態》
　第４の実施形態では、樹脂本体１０Ｄの長手方向がＺ軸方向に一致する樹脂本体１０Ｄを備えた無線ＩＣデバイス１０４について示す。その他の構成については、無線ＩＣデバイス１０１と実質的に同じである。

　図１６は第４の実施形態に係る無線ＩＣデバイス１０４の断面図である。

　本実施形態では、柱状導体（第１小径柱状導体１１等、第２小径柱状導体２１等、第１大径柱状導体３１等および第２大径柱状導体４１等）の高さ寸法（Ｚ軸方向の高さ）が第１の実施形態に比べて大きい。すなわち、本実施形態に係る柱状導体は、第１の実施形態と比べて、アスペクト比（高さ／底面の直径）が大きい。したがって、本実施形態に係るヘリカル状コイルのコイル開口は、図１６に示すように、長手方向がＺ軸方向に一致する矩形状である。

　また、本実施形態に係る無線ＩＣデバイス１０４本体は、長手方向がＺ軸方向に一致する直方体状である。なお、本実施形態に係る樹脂本体１０Ｄの第１面ＶＳ１（または第２面ＶＳ２）の面積は、第１の実施形態に係る樹脂本体１０の第１面ＶＳ１（または第２面ＶＳ２）の面積と、略同じである。

　本実施形態に係る無線ＩＣデバイス１０４によれば、第１の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。

（ｔ）本実施形態では、ヘリカル状コイルに対して柱状導体が占める割合が大きい。そのため、本実施形態に係るヘリカル状コイルのコイル開口面積が、第１の実施形態に係るヘリカル状コイルＨＣ１と同じ場合には、ヘリカル状コイル全体のＤＣＲをヘリカル状コイルＨＣ１よりも小さくでき、Ｑ値が高い（低損失の）ヘリカル状コイルを得ることができる。換言すると、本実施形態に係るヘリカル状コイル全体のＤＣＲがヘリカル状コイルＨＣ１と同じ場合には、ヘリカル状コイルＨＣ１に比べて、本実施形態に係るヘリカル状コイルのコイル開口面積は大きい。そのため、通信相手のアンテナに対して相対的に広い位置関係で通信できる。

（ｕ）上述したように、本実施形態に係る樹脂本体１０Ｄの第１面ＶＳ１の面積は、第１の実施形態に係る樹脂本体１０の第１面ＶＳ１の面積と、略同じである。すなわち、第１の実施形態に係る無線ＩＣデバイス１０１と同じ個数の無線ＩＣデバイス１０４を、マザー基板から分離することができる。換言すると、本実施形態では、無線ＩＣデバイス１０１に比べて、樹脂本体１０Ｄの第１面ＶＳ１の面積が小さくても、無線ＩＣデバイス１０１と略同じ大きさのコイル開口面積を有する無線ＩＣデバイスを製造できる。したがって、本実施形態では、無線ＩＣデバイス１０１と略同じ大きさのコイル開口面積を有する無線ＩＣデバイスを同じ面積（ＸＹ平面上の面積）のマザー基板から、より多く分離することができる。

　以上に示したように、無線ＩＣデバイスのＺ軸方向の長さは、Ｘ軸方向の長さと同じか、それよりも長いことが好ましい。この構成により、上記（ｕ）で記載したように、同じ面積のマザー基板からの無線ＩＣデバイスの取り個数を多くできる。また、この構成により、大径ループおよび小径ループのＺ軸方向の長さが長くなるため、上記（ｔ）で記載したように、ヘリカル状コイル（大径ループや小径ループ）に対する柱状導体の割合が多くなり、ヘリカル状コイルのＤＣＲをさらに低減できる。

《第５の実施形態》
　第５の実施形態では、複数の大径ループと複数の小径ループとの接続関係が、第１の実施形態に係るヘリカル状コイルＨＣ１とは異なる例を示す。その他の構成についてはヘリカル状コイルＨＣ１と実質的に同じである。

　図１７は第５の実施形態に係るヘリカル状コイルＨＣ５の各導体部分を模式的に示した斜視図である。図１８（Ａ）は、ヘリカル状コイルＨＣ５が備える大径ループの導体部分を模式的に示した斜視図であり、図１８（Ｂ）は、ヘリカル状コイルＨＣ５が備える小径ループの導体部分を模式的に示した斜視図である。図１７では、ヘリカル状コイルＨＣ５の構造を解りやすくするため、小径ループを破線で図示している。

　ヘリカル状コイルＨＣ５は、複数の大径ループＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４、複数の小径ループＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４を備える。ヘリカル状コイルＨＣ５は、図１７に示すように、複数の大径ループＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４および複数の小径ループＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４が、Ｙ軸方向に交互に順次交互に配列され、且つ、交互に順次接続されて導通する。

　この構成により、第１の実施形態に係るヘリカル状コイルＨＣ１と同様の作用・効果を奏することができる。

　なお、本実施形態では、４つの大径ループと４つの小径ループを備える構成例を示したが、これに限定されるものではない。大径ループの数と小径ループの数が同数である必要はない。大径ループの数と小径ループの数が１であり、１つの大径ループと１つの小径ループとを接続して２ターンのヘリカル状のコイルを構成してもよい。また、１つの大径ループに１つの小径ループを接続してスパイラル状のコイルを構成してもよい。

　また、第１の実施形態では、大径コイルと小径コイルとを備えるヘリカル状コイルＨＣ１を示し、本実施形態では、大径ループと小径ループとを備えるヘリカル状コイルＨＣ４を示したが、これに限定されるものではない。本発明におけるヘリカル状コイルは、大径ループ、小径ループ、大径コイルおよび小径コイルの２つ以上を組み合わせる構成であればよい。なお、大径ループ、小径ループ、大径コイルおよび小径コイルの２つ以上を組み合わせる場合、それらを接続する順序についても適宜変更が可能である。

《第６の実施形態》
　第６の実施形態では、大径ループおよび小径ループの構造が、第１の実施形態に係る無線ＩＣデバイス１０１とは異なる例を示す。その他の構成については無線ＩＣデバイス１０１と実質的に同じである。

　図１９は第６の実施形態に係る無線ＩＣデバイス１０６の断面図である。

　本実施形態に係る大径ループ（図１９では、大径ループＢＬ１が表れている）は、大径Ｕ字状導体および第１大径導体パターンで構成される。大径Ｕ字状導体Ｂｂ１等は、それぞれ一連の金属部材であり、Ｘ軸方向およびＺ軸方向に延伸し、且つ、Ｙ軸方向に配列されるコの字（または逆Ｕ字状）の金属体である。本実施形態では、大径Ｕ字状導体全体が、いずれも樹脂本体１０に埋設される。本実施形態に係る大径Ｕ字状導体は、例えば断面円形のＣｕワイヤーを逆Ｕ字状に屈曲させた後、切断することで得られる。なお、この断面形状は矩形や多角形等であってもよい。

　本実施形態に係る小径ループ（図１９では、小径ループＳＬ４が表れている）は、小径Ｕ字状導体Ｓｂ４等および第１小径導体パターンで構成される。小径Ｕ字状導体Ｓｂ４等は、それぞれ一連の金属部材であり、Ｘ軸方向およびＺ軸方向に延伸し、且つ、Ｙ軸方向に配列されるコの字（または逆Ｕ字状）の金属体である。本実施形態では、小径Ｕ字状導体全体が、いずれも樹脂本体１０に埋設される。また、本実施形態では、図１９に示すように、小径Ｕ字状導体が、Ｙ軸方向から視て、大径Ｕ字状導体の内側に配置される。本実施形態に係る小径Ｕ字状導体は、例えば断面円形のＣｕワイヤーを逆Ｕ字状に屈曲させた後、切断することで得られる。なお、この断面形状は矩形や多角形等であってもよい。

　本実施形態では、これら大径Ｕ字状導体Ｂｂ１等および小径Ｕ字状導体Ｓｂ４等が、樹脂本体１０に埋設されるヘリカル状コイルＨＣ１の「第１部分」に相当する。

　本実施形態に係る無線ＩＣデバイス１０６によれば、第１の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。

（ｖ）本実施形態では、大径Ｕ字状導体が一連の金属部材であり、小径Ｕ字状導体が一連の金属部材である。この構成により、導電性ペーストの焼成による焼結金属体や、導電性薄膜のエッチングによる薄膜金属体等で構成する場合に比べて大径Ｕ字状導体および小径Ｕ字状導体のＤＣＲを十分に小さくできるので、さらにＱ値が高く、低損失のヘリカル状コイルが得られる。

（ｗ）また、本実施形態では、大径Ｕ字状導体および小径Ｕ字状導体に一連の金属部材を利用する構造であるため、多層基板にヘリカル状コイルを形成する必要がなく、複雑な配線を引回す必要もない。そのため、コイル開口サイズの設計上の自由度に優れたコイル構造を容易に実現できる。また、この構成により、層間導体を有する複数の基材層を積層して高さ方向の接続部を形成する場合に比べて、接続箇所を減らすことができるため、ヘリカル状コイルの電気的信頼性がさらに高まる。

　なお、本実施形態では、大径Ｕ字状導体および小径Ｕ字状導体がどちらも一連の金属部材である例を示したが、この構成に限定されるものではない。大径Ｕ字状導体または小径Ｕ字状導体のいずれか一方が、一連の金属部材であってもよい。

　本実施形態に係る無線ＩＣデバイス１０６は、例えば次の工程で製造される。図２０および図２１は無線ＩＣデバイス１０６の製造工程を順に示す断面図である。

　まず、図２０中の（１）に示すように、主面に粘着層を有する支持台６に、第２主面ＰＳ２にＲＦＩＣ４を実装された配線板３を実装する。具体的には、ＲＦＩＣ４が実装された配線板３の第１主面ＰＳ１側を、支持台６の粘着層側にして固着する（本実施形態に係る「第１工程」に相当する）。

　次に、図２０中の（２）に示すように、支持台６に、一連の金属部材である小径Ｕ字状導体Ｓｂ４等および一連の金属部材である大径Ｕ字状導体Ｂｂ１等の各々の両端を立てる。具体的には、大径Ｕ字状導体Ｂｂ１等および小径Ｕ字状導体Ｓｂ４等の各々の両端を、支持台６の粘着層側にして固着する。これにより、大径Ｕ字状導体Ｂｂ１等および小径Ｕ字状導体Ｓｂ４等の各々の両端が粘着層を介して支持台６に強固に固定した状態で実装される。大径Ｕ字状導体Ｂｂ１等および小径Ｕ字状導体Ｓｂ４等は一連の金属部材であり、例えば逆Ｕ字状に屈曲させた断面円形のＣｕワイヤーである。大径Ｕ字状導体および小径Ｕ字状導体は、Ｃｕを主成分としたものに限定されるわけではないが、導電率や加工性の点でＣｕを主成分としたものが好ましい。

　支持台６に、一連の金属部材である大径Ｕ字状導体Ｂｂ１等、および一連の金属部材である小径Ｕ字状導体Ｓｂ４等の各々の両端を立てるこの工程が、本発明における「第１１工程」の一例である。

　次に、図２０中の（３）に示すように、支持台６に、ＲＦＩＣ４、大径Ｕ字状導体Ｂｂ１等および小径Ｕ字状導体Ｓｂ４等の各々の少なくとも一部が埋設する高さまで、樹脂本体１０を形成（樹脂を被覆）する。具体的には、支持台６上に、エポキシ樹脂等を所定高さ（ＲＦＩＣ４、大径Ｕ字状導体Ｂｂ１等および小径Ｕ字状導体Ｓｂ４等の高さ以上）に塗布する。

　第１工程および第１１工程の後に、支持台６に、ＲＦＩＣ４、大径Ｕ字状導体Ｂｂ１等および小径Ｕ字状導体Ｓｂ４等の各々の少なくとも一部が埋設する高さまで、樹脂本体１０を被覆するこの工程が、本発明における「第１２工程」の一例である。

　次に、図２０中の（３）および図２１中の（４）に示すように、樹脂本体１０から支持台６を取り除き、大径Ｕ字状導体Ｂｂ１等の両端、小径Ｕ字状導体Ｓｂ４等の両端および層間接続導体Ｖ１，Ｖ２を、樹脂本体１０の第１面ＶＳ１および配線板３の第１主面ＰＳ１から露出させる。具体的には、樹脂本体１０を支持台６、配線板３、大径Ｕ字状導体Ｂｂ１等および小径Ｕ字状導体Ｓｂ１等ごと、図２０中の（３）に示した研削線ＰＬ２まで平面的に研削（または切削、研磨）していくことで、大径Ｕ字状導体Ｂｂ１等の両端、小径Ｕ字状導体Ｓｂ４等の両端および層間接続導体Ｖ１，Ｖ２を、第１面ＶＳ１および第１主面ＰＳ１から露出させる。

　第１２工程の後に、樹脂本体１０から支持台６を取り除くこの工程が、本発明における「第１３工程」の一例である。

　続いて、図２１中の（４）に示すように、樹脂本体１０の第１面ＶＳ１に、小径Ｕ字状導体Ｓｂ４等の一端に接続される第１小径導体パターンＳｐ１３，Ｓｐ１４等を形成する。

　第１３工程の後に、第１面ＶＳ１に、小径Ｕ字状導体Ｓｂ４等の一端に接続される第１小径導体パターンＳｐ１３等を形成するこの工程が、本発明における「第１４工程」の一例である。

　次に、図２１中の（５）に示すように、少なくとも第１小径導体パターンＳｐ１３等の表面の一部に、第１絶縁層１を形成する。第１絶縁層１は、第１小径導体パターンＳｐ１３等の表面等を被覆する絶縁体膜である。

　第１４工程の後に、第１面ＶＳ１および第１小径導体パターンＳｐ１３等の表面に、第１絶縁層１を形成するこの工程が、本発明における「第１５工程」の一例である。

　次に、図２１中の（６）に示すように、樹脂本体１０の第１面ＶＳ１および第１絶縁層１の表面に、大径Ｕ字状導体Ｂｂ１等の一端に接続される第１大径導体パターンＢｐ１１，Ｂｐ１２等を形成する。

　第１５工程の後に、第１面ＶＳ１および第１絶縁層１の表面に、大径Ｕ字状導体Ｂｂ１等の一端に接続される第１大径導体パターンＢｐ１１を形成するこの工程が、本発明における「第１６工程」の一例である。

　その後、必要に応じて、樹脂本体１０のうち導体パターン（第１大径導体パターンＢｐ１１，Ｂｐ１２等、第１小径導体パターンＳｐ１３，Ｓｐ１４等）の形成面（第１面ＶＳ１）に保護層６１を形成する。保護層６１は例えば酸化防止用の保護用樹脂膜（ソルダーレジスト膜等）である。

　なお、上記の工程は、マザー基板状態のまま処理される。上記の工程の後、マザー基板を個々の無線ＩＣデバイス１０６（個片）に分離する。

　上記製造方法によれば、所望のインダクタンス値を有し、且つ、さらに優れた電気特性を有する、特に直流抵抗の低減が可能な小型のヘリカル状コイルを備える無線ＩＣデバイス１０６を容易に製造できる。

《第７の実施形態》
　第７の実施形態では、大径Ｕ字状導体および小径Ｕ字状導体の構造が、第６の実施形態に係る無線ＩＣデバイス１０６とは異なる例を示す。その他の構成については無線ＩＣデバイス１０６と実質的に同じである。

　図２２は第７の実施形態に係る無線ＩＣデバイス１０７の断面図である。

　図２２に示すように、大径Ｕ字状導体（図２２では、大径Ｕ字状導体Ｂｂ１が表れている）および小径Ｕ字状導体（図２２では、小径Ｕ字状導体Ｓｂ４が表れている）は、円弧状（または逆Ｕ字状）の導体である。

　このような構成であっても、無線ＩＣデバイス１０７の基本的な構成は、第６の実施形態に係る無線ＩＣデバイス１０６と同様であり、無線ＩＣデバイス１０６と同様の作用・効果を奏する。

《その他の実施形態》
　以上に示した各実施形態では、大径Ｕ字状導体Ｂｂ１，Ｂｂ２，Ｂｂ３，Ｂｂ４および小径Ｕ字状導体Ｓｂ１，Ｓｂ２，Ｓｂ３，Ｓｂ４が、樹脂本体１０の第１面ＶＳ１に対して垂直である構成を示したが、これに限定されるものではない。大径Ｕ字状導体Ｂｂ１，Ｂｂ２，Ｂｂ３，Ｂｂ４および小径Ｕ字状導体Ｓｂ１，Ｓｂ２，Ｓｂ３，Ｓｂ４は、樹脂本体１０の第１面ＶＳ１に対して非平行であればよく、樹脂本体１０の第１面ＶＳ１との間の成す角度が０°を超え、且つ、９０未満であればよい。

　また、以上に示した第１から第４の各実施形態では、柱状導体（第１大径柱状導体、第２大径柱状導体、第１小径柱状導体および第２小径柱状導体）がＣｕ製ピンである例を示したが、この構成に限定されるものではない。柱状導体は、例えば樹脂本体１０に貫通孔を形成し、めっき処理により形成したスルーホール型の導体であってもよい。また、柱状導体は、樹脂本体１０に貫通孔を形成し、ここに導電性ペースト等を充填してなるビアホール型の導体であってもよい。

　以上に示した各実施形態では、ヘリカル状コイルの巻回軸ＡＸが、Ｙ軸方向に平行である例を示したが、この構成に限定されるものではない。ヘリカル状コイルの巻回軸ＡＸは、樹脂本体１０の第１面ＶＳ１に沿っていればよく、例えばＸ軸方向に平行であってもよい。なお、ヘリカル状コイルの巻回軸ＡＸが第１面ＶＳ１に完全に平行である必要はない。本発明における第１面ＶＳ１に「沿った」状態とは、例えばヘリカル状コイルの巻回軸ＡＸが第１面ＶＳ１（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向またはＺ軸方向）に対して０°から±４５°未満の範囲内をいう。

　また、以上に示した各実施形態では、配線板３を備える無線ＩＣデバイス１０１を示したが、本発明の無線ＩＣデバイスにおいて、配線板３は必須ではない。ＲＦＩＣ４のアンテナポートが、大径導体パターンまたは小径導体パターン等を介してヘリカル状コイルＨＣ１の第１端および第２端に直接接続される構造であってもよい。

　また、以上に示した各実施形態では、小径Ｕ字状導体が、Ｙ軸方向から視て、大径Ｕ字状導体の内側に配置されている構成例を示したが、これに限定されるものではない。小径Ｕ字状導体の内外径寸法が、Ｙ軸方向から視て、大径Ｕ字状導体の内外径寸法よりも小さければよく、小径Ｕ字状導体の一部が、Ｙ軸方向から視て、大径Ｕ字状導体に重なっていてもよい。

　以上に示した各実施形態では、ＲＦＩＣ４が配線板３の第２主面ＰＳ２に実装（搭載）されている構成について示したが、これに限定されるものではない。ＲＦＩＣ４は、例えば配線板３に内蔵されていてもよい。また、配線板３の第１主面ＰＳ１または第２主面ＰＳ２のいずれかにキャビティが形成され、このキャビティ内にＲＦＩＣ４が収容される構成であってもよい。

　また、以上に示した各実施形態では、複数の大径Ｕ字状導体Ｂｂ１，Ｂｂ２，Ｂｂ３，Ｂｂ４のそれぞれが略同形状であり、複数の小径Ｕ字状導体Ｓｂ１，Ｓｂ２，Ｓｂ３，Ｓｂ４のそれぞれが略同形状である構成例を示したが、これに限定されるものではない。本発明の作用・効果を奏する範囲において、複数の大径Ｕ字状導体はそれぞれが異なる形状でもよく、複数の小径Ｕ字状導体はそれぞれが異なる形状でもよい。なお、ヘリカル状コイルＨＣ１の製造の容易性等の観点から、複数の大径Ｕ字状導体はそれぞれが略同形状であることが好ましく、複数の小径Ｕ字状導体はそれぞれが略同形状であることが好ましい。

　以上に示した各実施形態では、第１絶縁層１が樹脂本体１０の第１面ＶＳ１の一部に形成され、第１小径導体パターンＳｐ１１，Ｓｐ１２，Ｓｐ１３，Ｓｐ１４全体を被覆する例を示したが、この構成に限定されるものではない。第１絶縁層１は樹脂本体１０の第１面ＶＳ１の略全面に形成されていてもよい。なお、第１絶縁層１は、少なくとも第１小径導体パターンＳｐ１１，Ｓｐ１２，Ｓｐ１３，Ｓｐ１４と第１大径導体パターンＢｐ１１，Ｂｐ１２，Ｂｐ１３，Ｂｐ１４との間に介在するように形成されていればよい。

　また、以上に示した各実施形態では、第２絶縁層２が樹脂本体１０の第２面ＶＳ２の一部に形成され、第２小径導体パターンＳｐ２１，Ｓｐ２２，Ｓｐ２３，Ｓｐ２４全体を被覆する例を示したが、この構成に限定されるものではない。第２絶縁層２は樹脂本体１０の第２面ＶＳ２の略全面に形成されていてもよい。なお、第２絶縁層２は、少なくとも第２小径導体パターンＳｐ２１，Ｓｐ２２，Ｓｐ２３，Ｓｐ２４と第２大径導体パターンＢｐ２１，Ｂｐ２２，Ｂｐ２３，Ｂｐ２４との間に介在するように形成されていればよい。

　また、以上に示した各実施形態では、大径ループと小径ループとを備え、Ｙ軸方向から視て、二重巻きのヘリカル状コイルの例を示したが、この構成に限定されるものではない。本発明におけるヘリカル状コイルは、複数のループ（複数種の内外径を有したループ）を備え、Ｙ軸方向から視て、三重巻き以上であってもよい。

　さらに、以上に示した各実施形態では、ＲＦＩＣ４とヘリカル状コイルとを備える無線ＩＣデバイスを示したが、この構成に限定されるものではない。例えば、チップキャパシタおよびＤＣ／ＤＣコンバータ用集積回路素子を、無線ＩＣデバイス内に設けることによってＤＣ／ＤＣコンバータモジュールを構成することもできる。

　最後に、本発明の範囲は、以上に示した各実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内で各実施形態からの変更が含まれる。

ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４…大径ループ
ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４…小径ループ
ＡＸ…ヘリカル状コイルの巻回軸
ＢＣ…大径コイル
Ｂｅ１…大径コイルの第１端
Ｂｅ２…大径コイルの第２端
ＢＦＥ…大径コイルの形成領域
ＳＣ…小径コイル
Ｓｅ１…小径コイルの第１端
Ｓｅ２…小径コイルの第２端
ＳＦＥ…小径コイルの形成領域
Ｂｐ１１，Ｂｐ１２，Ｂｐ１３，Ｂｐ１４，Ｂｐ１５…第１大径導体パターン（ヘリカル状コイルの第２部分）
Ｂｐ２１，Ｂｐ２２，Ｂｐ２３，Ｂｐ２４…第２大径導体パターン（ヘリカル状コイルの第２部分）
Ｓｐ１１，Ｓｐ１２，Ｓｐ１３，Ｓｐ１４…第１小径導体パターン（ヘリカル状コイルの第２部分）
Ｓｐ２１，Ｓｐ２２，Ｓｐ２３，Ｓｐ２４…第２小径導体パターン（ヘリカル状コイルの第２部分）
１１，１２，１３，１４…第１小径柱状導体（ヘリカル状コイルの第１部分）
２１，２２，２３，２４…第２小径柱状導体（ヘリカル状コイルの第１部分）
３１，３２，３３，３４…第１大径柱状導体（ヘリカル状コイルの第１部分）
４１，４２，４３，４４…第２大径柱状導体（ヘリカル状コイルの第１部分）
Ｂｂ１，Ｂｂ２，Ｂｂ３，Ｂｂ４…大径Ｕ字状導体（ヘリカル状コイルの第１部分）
Ｓｂ１，Ｓｂ２，Ｓｂ３，Ｓｂ４…小径Ｕ字状導体（ヘリカル状コイルの第１部分）
ＨＣ１，ＨＣ５…ヘリカル状コイル
Ｅ１…ヘリカル状コイルの第１端
Ｅ２…ヘリカル状コイルの第２端
ＰＬ１，ＰＬ２…研削線
Ｖ１，Ｖ２…層間接続導体
１…第１絶縁層
２…第２絶縁層
３…配線板
ＰＳ１…配線板の第１主面
ＰＳ２…配線板の第２主面
４…ＲＦＩＣ
５…導電性接合材
６…支持台
７Ａ，７Ｂ…樹脂ブロック
８…磁性体コア
１０，１０Ｄ…樹脂本体
ＶＳ１…樹脂本体の第１面
ＶＳ２…樹脂本体の第２面
１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｅ…樹脂層
６１，６２…保護層
８１，８２…実装用電極
１０１，１０２，１０３，１０４，１０６，１０７…無線ＩＣデバイス

Claims

　第１面および前記第１面に対向する第２面を有する樹脂本体と、
　前記樹脂本体に埋設される第１部分と、前記樹脂本体の表面にパターニングされる第２部分とを有し、且つ、前記第１面に沿った巻回軸を有するヘリカル状コイルと、
　前記ヘリカル状コイルに接続されるＲＦＩＣと、
　を備え、
　　前記ヘリカル状コイルは、
　　　大径ループと、
　　　前記大径ループに導通し、前記巻回軸方向から視て、前記大径ループの外径の内側に配置される小径ループと、
　　を備え、
　前記第１部分は、前記小径ループの一部を構成する第１小径柱状導体および第２小径柱状導体、ならびに前記大径ループの一部を構成する第１大径柱状導体および第２大径柱状導体を含み、
　　前記第２部分は、前記第１面に形成され、前記大径ループの一部を構成する第１大径導体パターンと、前記第１面に形成され、前記小径ループの一部を構成する第１小径導体パターンとを含み、
　　少なくとも前記第１大径導体パターンと前記第１小径導体パターンとが重なる部分には、第１絶縁層が挟まれることを特徴とする、無線ＩＣデバイス。
　前記第２部分は、前記第２面に形成され、前記小径ループの一部を構成する第２小径導体パターンと、前記第２面に形成され、前記大径ループの一部を構成する第２大径導体パターンとを含む、請求項１に記載の無線ＩＣデバイス。
　少なくとも前記第２大径導体パターンと前記第２小径導体パターンとが重なる部分には、第２絶縁層が挟まれる、請求項２に記載の無線ＩＣデバイス。
　第１面および前記第１面に対向する第２面を有する樹脂本体と、
　前記樹脂本体に埋設される第１部分と、前記樹脂本体の表面にパターニングされる第２部分とを有し、且つ、前記第１面に沿った巻回軸を有するヘリカル状コイルと、
　前記ヘリカル状コイルに接続されるＲＦＩＣと、
　を備え、
　　前記ヘリカル状コイルは、
　　　大径ループと、
　　　前記大径ループに導通し、前記巻回軸方向から視て、前記大径ループの外径の内側に配置される小径ループと、
　　を備え、
　前記第１部分は、前記大径ループの一部を構成する一連の金属部材である大径Ｕ字状導体と、前記小径ループの一部を構成する一連の金属部材である小径Ｕ字状導体とを含む、
　　前記第２部分は、前記第１面に形成され、前記大径ループの一部を構成する第１大径導体パターンと、前記第１面に形成され、前記小径ループの一部を構成する第１小径導体パターンとを含み、
　　少なくとも前記第１大径導体パターンと前記第１小径導体パターンとが重なる部分には、第１絶縁層が挟まれることを特徴とする、無線ＩＣデバイス。
　第１主面および前記第１主面に対向する第２主面を有する配線板を備え、
　前記配線板は、前記第２主面が前記樹脂本体の内側に埋設し、前記第１主面が前記樹脂本体から露出するように配置され、
　前記ＲＦＩＣは、前記第２主面に実装され、少なくとも一部が前記樹脂本体に埋設される、請求項１から４のいずれかに記載の無線ＩＣデバイス。
　前記大径ループおよび前記小径ループは、前記第２面を平面視して、前記巻回軸に沿って隙間なく配列される、請求項１から５のいずれかに記載の無線ＩＣデバイス。
　前記大径ループおよび前記小径ループは、前記第１面に平行な方向、且つ前記巻回軸方向に直交する方向から視て、前記巻回軸方向に沿って隙間なく配列される、請求項１から６のいずれかに記載の無線ＩＣデバイス。
　前記ヘリカル状コイルは、前記大径ループおよび前記小径ループが、前記巻回軸方向に交互に順次配列され、且つ、交互に順次接続されて構成される、請求項１から７のいずれかに記載の無線ＩＣデバイス。
　前記大径ループの数および前記小径ループの数は複数であり、
　複数の前記大径ループは、互いに接続されてヘリカル状の大径コイルを構成し、
　複数の前記小径ループは、互いに接続されてヘリカル状の小径コイルを構成し、
　前記ヘリカル状コイルは、前記大径コイルに前記小径コイルが接続されて構成される、請求項１から７のいずれかに記載の無線ＩＣデバイス。
　前記巻回軸方向における前記大径コイルの前記第１端から第２端へ向かう延伸方向は、前記巻回軸方向における前記小径コイルの第１端から第２端へ向かう延伸方向とは逆方向であり、
　前記大径コイルの前記第２端は、前記小径コイルの前記第１端に接続され、
　前記巻回軸方向における大径コイルの形成領域の少なくとも一部は、前記巻回軸方向における小径コイルの形成領域に重なる、請求項９に記載の無線ＩＣデバイス。
　第１面および前記第１面に対向する第２面を有する樹脂本体と、
　第１小径柱状導体、第２小径柱状導体、第１小径導体パターンおよび第２小径導体パターンで構成される小径ループと、第１大径柱状導体、第２大径柱状導体、第１大径導体パターンおよび第２大径導体パターンで構成される大径ループとを有するヘリカル状コイルと、
　前記ヘリカル状コイルに接続されるＲＦＩＣと、
　を備え、
　少なくとも前記第１大径導体パターンと前記第１小径導体パターンとが重なる部分には、第１絶縁層が挟まれ、
　少なくとも前記第２大径導体パターンと前記第２小径導体パターンとが重なる部分には、第２絶縁層が挟まれることを特徴とする無線ＩＣデバイスの製造方法であって、
　支持台に前記ＲＦＩＣを実装する第１工程と、
　前記支持台に、前記第１小径柱状導体、前記第２小径柱状導体、前記第１大径柱状導体および前記第２大径柱状導体の各々の第１端側を立てる第２工程と、
　前記第１工程および前記第２工程の後に、前記支持台に、前記ＲＦＩＣ、前記第１小径柱状導体、前記第２小径柱状導体、前記第１大径柱状導体および前記第２大径柱状導体の各々の少なくとも一部が埋設する高さまで前記樹脂本体を被覆する第３工程と、
　前記第３工程の後に、前記第２面に、前記第１小径柱状導体の第２端と前記第２小径柱状導体との間を接続する前記第２小径導体パターンを形成する第４工程と、
　前記第４工程の後に、少なくとも第２小径導体パターンの表面の一部に、前記第２絶縁層を形成する第５工程と、
　前記第５工程の後に、前記第２面および前記第２絶縁層の表面に、前記第１大径柱状導体の第２端と前記第２大径柱状導体の第２端との間を接続する前記第２大径導体パターンを形成する第６工程と、
　前記第３工程の後に、前記樹脂本体から前記支持台を取り除く第７工程と、
　前記第７工程の後に、前記第１面に、前記第１小径柱状導体の第１端または前記第２小径柱状導体の第１端の少なくとも一方に接続される前記第１小径導体パターンを形成する第８工程と、
　前記第８工程の後に、少なくとも前記第１小径導体パターンの表面の一部に、前記第１絶縁層を形成する第９工程と、
　前記第９工程の後に、前記第１面および前記第１絶縁層の表面に、前記第１大径柱状導体の第１端または前記第２大径柱状導体の第１端の少なくとも一方に接続される前記第１大径導体パターンを形成する第１０工程と、
　を備える無線ＩＣデバイスの製造方法。
　第１面および前記第１面に対向する第２面を有する樹脂本体と、
　小径Ｕ字状導体および第１小径導体パターンで構成される小径ループと、大径Ｕ字状導体および第１大径導体パターンで構成される大径ループとを有するヘリカル状コイルと、
　前記ヘリカル状コイルに接続されるＲＦＩＣと、
　を備え、
　少なくとも前記第１大径導体パターンと前記第１小径導体パターンとが重なる部分には、第１絶縁層が挟まれることを特徴とする無線ＩＣデバイスの製造方法であって、
　支持台にＲＦＩＣを実装する第１工程と、
　前記支持台に、一連の金属部材である大径Ｕ字状導体および小径Ｕ字状導体の各々の両端を立てる第１１工程と、
　前記第１工程および前記第１１工程の後に、前記支持台に、前記ＲＦＩＣ、前記大径Ｕ字状導体および前記小径Ｕ字状導体の各々が埋設する高さまで樹脂本体を被覆する第１２工程と、
　前記第１２工程の後に、前記樹脂本体から前記支持台を取り除く第１３工程と、
　前記第１３工程の後に、前記第１面に、前記小径Ｕ字状導体の一端に接続される第１小径導体パターンを形成する第１４工程と、
　前記第１４工程の後に、少なくとも前記第１小径導体パターンの表面の一部に、第１絶縁層を形成する第１５工程と、
　前記第１５工程の後に、前記第１面および前記第１絶縁層の表面に、前記大径Ｕ字状導体の一端に接続される第１大径導体パターンを形成する第１６工程と、
　を備える無線ＩＣデバイスの製造方法。
　前記無線ＩＣデバイスは、
　前記第１小径柱状導体、前記第２小径柱状導体、前記第１大径柱状導体および前記第２大径柱状導体が埋設された樹脂ブロックをさらに備え、
　前記第２工程は、
　前記支持台に前記樹脂ブロックを実装する工程をさらに有する、請求項１１に記載の無線ＩＣデバイスの製造方法。
　前記第１工程は、
　第１主面および前記第１主面に対向する第２主面を有する配線板の前記第２主面に、前記ＲＦＩＣを実装する工程と、
　第１主面側を前記支持台に実装する工程と、
　をさらに有する、請求項１１から１３のいずれかに記載の無線ＩＣデバイスの製造方法。
　前記支持台は主面に粘着層を有し、
　前記第１工程は、前記配線板の第１主面側を前記粘着層側にして固着する工程をさらに有する、請求項１４に記載の無線ＩＣデバイスの製造方法。
　前記支持台は主面に粘着層を有し、
　前記第２工程は、
　前記第１小径柱状導体、前記第２小径柱状導体、前記第１大径柱状導体および前記第２大径柱状導体の各々の第１端側を、前記粘着層側にして固着する工程をさらに有する、請求項１１に記載の無線ＩＣデバイスの製造方法。
　前記支持台は主面に粘着層を有し、
　前記第１１工程は、
　前記大径Ｕ字状導体および前記小径Ｕ字状導体の各々の両端を、前記粘着層側にして固着する工程をさらに有する、請求項１２に記載の無線ＩＣデバイスの製造方法。