WO2019054246A1 - 配線回路基板およびその製造方法 - Google Patents

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良広 河邨
周作 柴田
隼人 高倉
伊藤　正樹
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Definitions

  • the present invention relates to a printed circuit board and a method of manufacturing the same.
  • the ground layer is filled in the lower ground layer and the opening of the insulating layer, disposed on the upper surface of the side ground wiring in contact with the lower ground layer, and on the upper surface of the insulating layer, and integrally with the side ground wiring. And an upper ground wiring formed on the The upper ground layer is electrically connected to the lower ground wiring through the side ground wiring and acts as a shield layer.
  • the side ground wiring and the upper ground wiring have a substantially T-shaped cross section, and the upper surface of the upper ground wiring has a flat shape. Therefore, the ground layer has excellent strength and is excellent in shape retention even if stress is applied to the ground layer. Therefore, the adhesion of the ground layer to the insulating layer is unlikely to be reduced.
  • the upper surface of the upper ground wiring may have a recess that is recessed downward corresponding to the opening of the insulating layer.
  • the strength of the ground layer is low due to the recess, and therefore, when stress is applied to the ground layer, the upper ground wiring is easily expanded and contracted in the surface direction, and hence the adhesion of the upper ground wiring to the insulating layer
  • the adhesion of the side ground wiring to the lower ground wiring is also reduced.
  • the inventor of the present application has intensively studied the printed circuit board in which the adhesion of the shield layer is improved even if the shield layer has a recess, and the shield layer includes the adhesion layer and the main body layer, Furthermore, it has been found that if the ratio (Tb / Ta) of the thickness Tb of the main body layer to the thickness Ta of the adhesion layer is 4 or more, the adhesion of the shield layer can be improved.
  • the present invention (1) comprises a conductor layer, an insulating layer, and a shield layer in this order toward one side in the thickness direction, the insulating layer covering the conductor layer, and a part of the conductor layer
  • the insulating layer has an insulating opening that exposes one surface in the thickness direction
  • the shield layer has a recess that is disposed in the insulating opening and that is recessed toward the other side in the thickness direction so as to contact the conductor layer.
  • the shield layer includes an adhesion layer and a main body layer sequentially toward the one side in the thickness direction, and the ratio (Tb / Ta) of the thickness Tb of the main body layer to the thickness Ta of the adhesion layer is 4 or more.
  • the shield layer has a recess, and stress is applied to the shield layer, and even if the shield layer expands and contracts, the shield layer includes the adhesion layer and the main layer in order toward one side in the thickness direction. Since the ratio (Tb / Ta) of the thickness Tb of the main body layer to the thickness Ta of the layer is 4 or more, the decrease in adhesion to the insulating layer can be suppressed, and further, the decrease in adhesion to a part of the conductor layer It can be suppressed.
  • the present invention (2) includes the wired circuit board according to (1), wherein the shield layer has a shield opening that exposes the one surface in the thickness direction of a part of the insulating layer.
  • the shield layer since the shield layer has a shield opening, the shield opening can be provided in a portion where the shielding of the electromagnetic wave is unnecessary, and the electromagnetic wave can be shielded by the shield layer in other portions.
  • the material of the insulating layer is polyimide
  • the material of the adhesion layer is chromium
  • the material of the main body layer is copper, according to (1) or (2). Including a printed circuit board.
  • the adhesion layer can more effectively suppress the decrease in the adhesion of the main body layer to the insulating layer.
  • the present invention (4) includes the wired circuit board according to any one of (1) to (3), which is a wired circuit board for an imaging device.
  • the printed circuit board is a printed circuit board for an imaging device, an imaging device having excellent reliability can be manufactured.
  • the present invention (5) comprises a conductor layer, an insulating layer, and a shield layer in this order toward one side in the thickness direction, and the shield layer is a shield that exposes the one surface in the thickness direction of a part of the insulating layer. It includes a printed circuit board having an opening.
  • the shield layer since the shield layer has a shield opening, the shield opening can be provided in a portion where the shielding of the electromagnetic wave is unnecessary, and the electromagnetic wave can be shielded by the shield layer in other portions.
  • the present invention (6) comprises a first step of providing a conductor layer, and an insulating layer covering the conductor layer and having an insulating opening that exposes the one surface in the thickness direction of a part of the conductor layer.
  • the adhesion layer is formed by the thickness direction one surface of the insulating layer, the inner side surface of the insulating layer facing the insulating opening, and the thickness of the conductive layer exposed from the insulating opening
  • Ta) is 4 or more, made of wired circuit board It includes
  • the shield layer has a recess, stress is applied to the shield layer, and even if the shield layer expands and contracts, the shield layer includes the adhesion layer and the main layer in this order toward one side in the thickness direction. Since the ratio (Tb / Ta) of the thickness Tb of the main body layer to the thickness Ta of the adhesion layer is 4 or more, the decrease in adhesion to the insulating layer can be suppressed, and further, the adhesion to a part of the conductor layer Can be suppressed.
  • the adhesion layer and the insulating layer have different coefficients of thermal expansion, the adhesion layer is likely to be damaged, such as cracks, due to the difference in coefficient of thermal expansion due to heating in the subsequent steps. .
  • the present invention (7) is characterized in that, in the third step, the shield layer is provided with a shield opening that exposes the one surface in the thickness direction of a part of the insulating layer. Including the method.
  • the insulating layer is formed of polyimide
  • the adhesion layer is formed of chromium
  • the main layer is formed of The manufacturing method of the printed circuit board as described in (6) or (7) formed from copper is included.
  • the adhesion layer can more effectively suppress the reduction in the adhesion of the main body layer to the insulating layer.
  • the thermal expansion coefficient of polyimide is similar to that of copper, it is significantly different from that of chromium. Therefore, the adhesion layer can not follow the elongation of the insulating layer and the main body layer by heating in the subsequent step, and the adhesion layer is likely to be damaged such as a crack.
  • the ratio (Tb / Ta) of the thickness Tb of the main body layer to the thickness Ta of the adhesion layer is 4 or more, it is possible to secure good adhesion of the shield layer to the insulating layer. it can.
  • the present invention (9) includes the method for producing a wired circuit board according to any one of (6) to (8), which is a method for producing a wired circuit board for an imaging device.
  • this manufacturing method is a method of manufacturing a printed circuit board for an imaging device, an imaging device having excellent reliability can be manufactured from the obtained printed circuit board.
  • the present invention (10) comprises a first step of providing a conductor layer, a second step of providing an insulating layer so as to cover the conductor layer, and a third step of providing a shield layer on one surface of the insulating layer in the thickness direction.
  • the third step includes the method of manufacturing a printed circuit board, wherein the shield layer is provided with a shield opening that exposes the one surface in the thickness direction of the part of the insulating layer.
  • the shield layer has a shield opening
  • the shield opening can be provided in a portion where shielding of electromagnetic waves is unnecessary.
  • the shield opening can be provided in a portion where the shielding of the electromagnetic wave is unnecessary.
  • FIGS. 3D to 3E are process drawings for explaining the method of manufacturing the printed circuit board shown in FIG. 1B following FIG. 2C, and FIG.
  • FIG. 3D is a third step of providing a shield layer
  • FIG. 3E is a cover insulating layer. It shows the process of providing.
  • FIG. 4 shows a modification of the printed circuit board shown in FIG. 1B.
  • FIG. 5 shows a modification of the printed circuit board shown in FIG. 1B.
  • FIG. 6 shows a modification of the printed circuit board shown in the enlarged view of FIG. 1B.
  • the left-right direction in the drawing shows the left-right direction (first direction).
  • the vertical direction of the drawing shows the vertical direction (an example of the thickness direction) (second direction orthogonal to the first direction)
  • the upper side of the drawing is the upper side (an example of one side in the thickness direction) (second direction one side)
  • the lower side of the drawing shows the lower side (the other side in the thickness direction) (the other side in the second direction).
  • the up and down direction on the drawing indicates the front-rear direction (a third direction orthogonal to the first direction and the second direction).
  • the direction conforms to the direction arrow in each figure.
  • the cover insulating layer 6 (described later) is omitted to clearly show the arrangement and shape of the shield layer 5 (described later).
  • the printed circuit board 1 has a sheet shape having a predetermined thickness T and extending in the surface direction (both in the left-right direction and in the front-rear direction).
  • the wired circuit board 1 is a wired circuit board for an imaging device to be electrically connected to an imaging element (not shown) disposed on the lower side and provided (embedded) in an imaging device (not shown). is there.
  • the printed circuit board 1 includes a base insulating layer 2, a conductor layer 3, an intermediate insulating layer 4 as an example of an insulating layer, a shield layer 5, and a cover insulating layer 6 in order from the upper side.
  • the base insulating layer 2 has a sheet shape extending in the surface direction.
  • the base insulating layer 2 forms the lower surface of the printed circuit board 1.
  • the base insulating layer 2 has a base opening 11 penetrating in the thickness direction.
  • the material of the base insulating layer 2 is an insulating material.
  • the insulating material include synthetic resins such as polyimide, polyamide imide, acrylic, polyether nitrile, polyether sulfone, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyvinyl chloride and the like.
  • a polyimide etc. are mentioned.
  • the thermal expansion coefficient of the base insulating layer 2 is, for example, 10 (ppm / K) or more, preferably 15 (ppm / K) or more, and for example, 50 (ppm / K) or less.
  • the thermal expansion coefficient of the base insulating layer 2 is a linear thermal expansion coefficient in the surface direction, and can be measured, for example, by thermal mechanical analysis under the conditions of JIS K7197.
  • the thickness of the base insulating layer 2 is, for example, 1 ⁇ m or more, preferably 5 ⁇ m or more, and for example, 30 ⁇ m or less, preferably 10 ⁇ m or less.
  • the conductor layer 3 is disposed on the base insulating layer 2.
  • the conductor layer 3 has a plurality of patterns spaced apart from one another in the surface direction.
  • the conductor layer 3 independently includes a signal layer 12 electrically connected to an imaging element (not shown) and a ground layer 13.
  • a plurality of signal layers 12 are arranged on the upper surface of the base insulating layer 2 at intervals in the surface direction.
  • the signal layer 12 is electrically connected to an imaging device (described later, not shown).
  • the ground layer 13 integrally includes a ground contact portion 14 and an extension portion 16 extending in the surface direction from the ground contact portion 14.
  • the ground contact portion 14 is positioned in the base opening 11 when projected in the thickness direction, and extends in the vertical direction.
  • the ground contact portion 14 includes a ground lower portion 19 filled in the base opening 11 and a ground upper portion 20 continuously provided on the upper side of the ground lower portion 19.
  • the extension portion 16 is integrally formed with the upper ground portion 20.
  • the extension portion 16 is disposed adjacent to the ground contact portion 14 when projected in the thickness direction.
  • the material of the conductor layer 3 examples include metal materials such as copper, silver, gold, nickel or alloys containing them, and solder. Preferably, copper is mentioned.
  • the thickness of the conductor layer 3 is 1 ⁇ m or more, preferably 3 ⁇ m or more, and for example, 15 ⁇ m or less, preferably 10 ⁇ m or less.
  • the intermediate insulating layer 4 has a sheet shape extending in the surface direction.
  • the intermediate insulating layer 4 is disposed on the upper surface of the base insulating layer 2 so as to cover the conductor layer 3. Specifically, the intermediate insulating layer 4 covers the signal layer 12, the ground upper portion 20 and the extension portion 16.
  • the intermediate insulating layer 4 has an intermediate opening 15 as an example of an insulating opening that exposes the upper surface of a part of the extension 16.
  • the intermediate opening 15 penetrates the intermediate insulating layer 4 (in the upper portion with respect to the extending portion 16) in the thickness direction.
  • the intermediate opening 15 has a tapered shape in which the opening cross-sectional area (opening cross-sectional area when cut along the surface direction) becomes smaller toward the lower side.
  • the inner side surface 10 of the intermediate insulating layer 4 partitioning the intermediate opening 15 has a cylindrical shape extending along the thickness direction, and more specifically, when cut along the thickness direction and the left and right direction ), Which are tapered surfaces (inclined surfaces) opposed to each other in the left-right direction, and the opposing distances thereof become smaller toward the lower side. That is, the intermediate opening 15 has a substantially frusto-conical shape whose diameter decreases downward.
  • the material of the intermediate insulating layer 4 is the same as the material of the base insulating layer 2.
  • the thickness of the intermediate insulating layer 4 is a distance between the upper surface of the base insulating layer 2 and the upper surface of the intermediate insulating layer 4 and is, for example, 1 ⁇ m or more, preferably 5 ⁇ m or more, and for example, 30 ⁇ m or less, preferably Is 10 ⁇ m or less.
  • the maximum length (maximum diameter) of the upper end edge of the intermediate opening 15 is, for example, 10 ⁇ m or more, preferably 50 ⁇ m or more, and for example, 2000 ⁇ m or less, preferably 1500 ⁇ m or less.
  • the maximum length (maximum diameter) of the lower end edge of the intermediate opening 15 is, for example, 10 ⁇ m or more, preferably 50 ⁇ m or more, and for example, 2000 ⁇ m or less, preferably 1500 ⁇ m or less.
  • An angle ⁇ between the inner side surface 10 and the upper surface of the extension 16 exposed from the intermediate opening 15 is, for example, 90 degrees or more, preferably 120 degrees or more, and for example, 170 degrees or less, preferably , Less than 160 degrees.
  • the shield layer 5 is a layer that shields electromagnetic waves from the outside.
  • the shield layer 5 is disposed on the upper side with respect to the conductor layer 3.
  • the shield layer 5 has a sheet shape extending in the front-rear direction. Specifically, a plurality of shield layers 5 are arranged at intervals in the left-right direction. Thus, shield openings 27 are provided between the adjacent shield layers 5.
  • a plurality of shield openings 27 are provided at intervals in the left-right direction, and each shield opening 27 exposes the upper surface of a part of the intermediate insulating layer 4. Further, the shield layer 5 is provided with the above-described shield opening 27 and has a pattern including the intermediate opening 15.
  • the area ratio of the shield opening 27 in the shield layer 5 is, for example, 1% or more, preferably 10% or more, and for example, 90% or less, preferably 70% or less.
  • the shield layer 5 includes a flat portion 21 and a recess 22.
  • the flat portion 21 is disposed on the upper surface of the intermediate insulating layer 4.
  • the flat portion 21 also has a pattern surrounding the intermediate opening 15.
  • the flat portion 21 has a predetermined thickness and has a sheet shape extending in the surface direction.
  • the recess 22 is disposed in the middle opening 15 and has a shape that is recessed downward from the inner edge of the flat portion 21 around the middle opening 15.
  • the recess 22 has a substantially U-shaped cross section which is disposed continuously with the inner surface 10 and the upper surface of the extension 16 exposed from the intermediate opening 15.
  • the recess 22 integrally includes the side wall 23 and the second flat portion 24.
  • the side wall 23 is an inclined wall which is inclined downward (specifically, obliquely downward and inward) from the inner edge of the recess 22 around the middle opening 15.
  • the side wall 23 has a substantially truncated cone shape (a truncated cone whose inside is hollow) whose diameter decreases downward.
  • the side wall 23 covers the inner surface 10.
  • the second flat portion 24 is a bottom wall connecting the lower end edge of the side wall 23.
  • the second flat portion 24 is in contact with the upper surface of the extension 16 exposed from the intermediate opening 15.
  • the second flat portion 24 has a shape corresponding to the lower end edge of the inner side surface 10, specifically, a substantially circular shape in plan view.
  • the thickness of the flat portion 21, the thickness of the side wall 23, and the thickness of the second flat portion 24 are substantially the same, which is the thickness Ts of the shield layer 5.
  • the shield layer 5 includes the adhesion layer 8 and the main body layer 9 in order from the upper side.
  • the shield layer 5 is a laminate of the adhesion layer 8 and the main body layer 9.
  • the shield layer 5 comprises only the adhesion layer 8 and the main body layer 9.
  • each of the flat portion 21 and the recess 22 includes the adhesion layer 8 and the main body layer 9.
  • the main body layer 9 adheres to the upper surface of the intermediate insulating layer 4 via the adhesive layer 8.
  • the main body layer 9 is in close contact with the inner side surface 10 of the intermediate insulating layer 4 via the adhesion layer 8 and in close contact with the upper surface of the extension 16 exposed from the intermediate opening 15.
  • the adhesion of the adhesion layer 8 to the intermediate insulation layer 4 and the adhesion of the adhesion layer 8 to the main layer 9 are larger than the adhesion of the main layer 9 to the intermediate insulation layer 4.
  • chromium, nickel, etc. are mentioned, for example, Preferably, chromium is mentioned. If the material of the adhesion layer 8 is chromium, the adhesion of the main body layer 9 to the intermediate insulating layer 4 and the adhesion of the main body layer 9 to the extension 16 exposed from the intermediate opening 15 are further enhanced. Can.
  • the thermal expansion coefficient of the adhesion layer 8 is different from, for example, the thermal expansion coefficient of the intermediate insulating layer 4. Specifically, the thermal expansion coefficient of the adhesion layer 8 is smaller than the thermal expansion coefficient of the intermediate insulating layer 4, and more specifically, for example, 90% of the thermal expansion coefficient of the intermediate insulating layer 4
  • the content is preferably 75% or less, more preferably 50% or less, and even more preferably 45% or less, and for example, 10% or more, preferably 20% or more.
  • the adhesive layer 8 stretches in the surface direction of the intermediate insulating layer 4 by heating in the manufacturing process described later. It is difficult to follow, and the crack in the adhesion layer 8 is likely to be damaged.
  • the ratio (Tb / Ta) of the thickness Tb of the main body layer 9 to the thickness Ta of the adhesion layer 8 is 4 or more. 8 damage can be suppressed.
  • the thermal expansion coefficient of the adhesion layer 8 is, for example, less than 10 (ppm / K), preferably 9 (ppm / K) or less, more preferably 8 (ppm / K) or less, For example, it is 1 (ppm / K) or more.
  • the thickness Ta of the adhesion layer 8 is set to satisfy a ratio (Tb / Ta) described later to the thickness Ta of the adhesion layer 8 of the thickness Tb of the main body layer 9, and specifically, for example, less than 100 nm, preferably 50 nm or less, more preferably 40 nm or less, still more preferably 30 nm or less, and for example, 2 nm or more.
  • the material of the main body layer 9 is selected so that the adhesion of the adhesion layer 8 to the main body layer 9 is larger than the adhesion of the main body layer 9 to the intermediate insulating layer 4.
  • the material of the main body layer 9 may be, for example, the same as or different from the material of the adhesion layer 8, and preferably different.
  • examples of the material of the main body layer 9 include metals such as copper, chromium, nickel, gold, silver, platinum, palladium, titanium, tantalum, solder, or alloys thereof, preferably copper, Nickel, more preferably copper.
  • the thermal expansion coefficient of the main body layer 9 approximates, for example, the thermal expansion coefficient of the intermediate insulating layer 4.
  • the thermal expansion coefficient of the main body layer 9 is, for example, 70% or more, preferably 80% or more, more preferably 90% or more, preferably 95% or more, relative to the thermal expansion coefficient of the intermediate insulating layer 4 Also, for example, it is 110% or less, preferably 100% or less.
  • the thermal expansion coefficient of the main layer 9 is the thermal expansion coefficient of the intermediate insulating layer 4 Similar to the above, even if the thermal expansion coefficient of the adhesive layer 8 is significantly different from the thermal expansion coefficient of the intermediate insulating layer 4, the elongation of the intermediate insulating layer 4 and the elongation of the adhesive layer 8 in heating in the manufacturing process described later It can be made to match and damage to adhesion layer 8 can be controlled.
  • the thermal expansion coefficient of the main layer 9 is, for example, 10 (ppm / K) or more, preferably 13 (ppm / K) or more, more preferably 15 (ppm / K) or more, For example, it is 20 (ppm / K) or less.
  • the thickness Tb of the main body layer 9 is set to satisfy a ratio (Tb / Ta) described later, and specifically, for example, 50 nm or more, preferably 100 nm or more, more preferably 110 nm or more, For example, it is 250 nm or less, preferably 200 nm or less.
  • the ratio (Tb / Ta) of the thickness Tb of the main body layer 9 to the thickness Ta of the adhesion layer 8 is 4 or more, preferably 5 or more, and for example, 20 or less, preferably 10 or less.
  • the ratio (Tb / Ta) is less than the above-described lower limit, the adhesion of the shield layer 5 can not be improved.
  • the ratio (Tb / Ta) is equal to or more than the above-described lower limit, so that the adhesion of the shield layer 5 can be improved.
  • ratio (Tb / Ta) is more than the above-mentioned lower limit, adhesion layer 8 will be thin enough compared with body layer 9. Therefore, the adhesion layer 8 can follow the intermediate insulating layer 4 and the main body layer 9, and the damage in the adhesion layer 8 can be suppressed. Further, when the ratio (Tb / Ta) is equal to or more than the above-described lower limit, the main body layer 9 is sufficiently thicker than the adhesion layer 8. Therefore, the main body layer 9 can sufficiently press the adhesion layer 8, so that damage in the adhesion layer 8 can be suppressed.
  • the thickness Ts of the shield layer 5 is, for example, 60 nm or more, preferably 100 nm or more, and for example, 3000 nm or less, preferably 1000 nm or less.
  • the thickness Ts of the shield layer 5 is the sum (Ta + Tb) of the thickness Ta of the adhesion layer 8 and the thickness Tb of the main body layer 9.
  • the cover insulating layer 6 has a sheet shape extending in the surface direction.
  • the cover insulating layer 6 forms the upper surface of the printed circuit board 1.
  • the cover insulating layer 6 is disposed on the upper surface of the intermediate insulating layer 4 so as to cover the shield layer 5.
  • the cover insulating layer 6 is also filled in the recess 22.
  • the cover insulating layer 6 is the same as the material of the base insulating layer 2.
  • the thermal expansion coefficient of the cover insulating layer 6 is the same as the thermal expansion coefficient of the base insulating layer 2.
  • the thickness of the cover insulating layer 6 is not particularly limited, and is, for example, 1 ⁇ m or more, preferably 5 ⁇ m or more, and for example, 30 ⁇ m or less, preferably 10 ⁇ m or less.
  • the thickness T of the printed circuit board 1 is the sum of the thicknesses of the base insulating layer 2, the intermediate insulating layer 4 and the cover insulating layer 6. Specifically, the lower surface of the base insulating layer 2 and the upper surface of the cover insulating layer 6 Distance. Specifically, the thickness T of the printed circuit board 1 is, for example, 5 ⁇ m or more, preferably 10 ⁇ m or more, and for example, 100 ⁇ m or less, preferably 50 ⁇ m or less.
  • the steps of providing the base insulating layer 2 on the support substrate 25, the first step of providing the conductor layer 3, and the intermediate insulating layer 4 A second step of providing, a third step of providing the shield layer 5, a step of providing the cover insulating layer 6, and a step of removing the support substrate 25 are sequentially provided.
  • the support substrate 25 is prepared.
  • the support substrate 25 has a sheet shape extending in the surface direction and having a flat upper surface.
  • Examples of the material of the support substrate 25 include metals such as stainless steel, 42 alloy, and aluminum, for example, resins, for example, ceramics, and the like, with preference given to metals.
  • the thickness of the support substrate 25 is, for example, 5 ⁇ m or more, preferably 10 ⁇ m or more, and for example, 50 ⁇ m or less, preferably 30 ⁇ m or less.
  • the base insulating layer 2 having the base opening 11 is formed on the upper surface of the support substrate 25 from an insulating material by photo processing, for example.
  • the base insulating layer 2 in which the base opening 11 is formed is disposed (placed) on the upper surface of the support substrate 25 in advance.
  • the insulating base layer 2 is provided on the upper surface of the support substrate 25.
  • the conductor layer 3 is provided on the base insulating layer 2.
  • the conductor layer 3 is formed from the signal layer 12 and the ground layer 13 by a patterning method such as, for example, an additive method or a subtractive method.
  • the intermediate insulating layer 4 covers the conductor layer 3 and has an intermediate opening 15 that exposes the upper surface of a part of the extension 16. Set up.
  • an intermediate insulating layer 4 having an intermediate opening 15 is formed from the insulating material on the entire top surface of the base insulating layer 2 and the top and side surfaces of the conductor layer 3 by photo processing.
  • the intermediate insulating layer 4 in which the intermediate opening 15 is formed is arranged (mounted) in advance on the base insulating layer 2 and the conductor layer 3.
  • the intermediate insulating layer 4 is provided so as to cover the conductor layer 3 (excluding a part of the extension 16) and to have the intermediate opening 15.
  • the shield layer 5 is provided on the upper surface of the intermediate insulating layer 4 so as to have a recess 22 which is disposed in the intermediate opening 15 and is recessed downward.
  • the adhesion layer 8 is formed by a thin film forming method such as sputtering or plating (electroless plating) (fourth step), and then the main body layer 9 is formed (fifth step)
  • the shield layer 5 is formed from the adhesion layer 8 and the main body layer 9.
  • the shield layer 5 is formed by sputtering. In the case of sputtering, it is possible to form a shield layer 5 of uniform thickness (specifically, an adhesion layer 8 of uniform thickness and a body layer 9 of uniform thickness).
  • the method of forming the adhesion layer 8 and the method of forming the main body layer 9 may be the same as or different from each other, and are preferably the same.
  • each of the adhesion layer 8 and the main body layer 9 is formed by sputtering. That is, the adhesion layer 8 is formed by sputtering (fourth step), and subsequently, the main body layer 9 is formed by sputtering on the upper surface of the adhesion layer 8 (fifth step).
  • the shield opening 27 is formed in the shield layer 5 by, for example, a thin film removal method such as etching (dry etching, wet etching).
  • the cover insulating layer 6 is provided on the upper surface of the intermediate insulating layer 4 and the upper surface and the side surface of the shield layer 5.
  • the cover insulating layer 6 is provided by photo processing. Specifically, in photo processing, first, a photosensitive insulating composition containing a photosensitive component and an insulating material is prepared, and then, the photosensitive insulating composition is formed on the upper surface of the intermediate insulating layer 4 and the upper surface of the shield layer 5 Apply to the side and then dry if necessary to form a film. Then, the film is exposed through a photomask and developed to form a cover insulating layer 6. Thereafter, the cover insulating layer 6 is heated (heating after exposure).
  • the heating conditions are, for example, conditions under which the insulating material can be sufficiently cured (specifically, imidization and the like). Specifically, the temperature is, for example, 250 ° C. or more, preferably 300 ° C. or more, Also, for example, the temperature is 400 ° C. or less, and the time is, for example, 10 minutes or more, preferably 30 minutes or more, and for example, 100 minutes or less.
  • the cover insulating layer 6 formed in a predetermined pattern in advance is disposed (placed) on the intermediate insulating layer 4 and the shield layer 5.
  • photo processing is used from the viewpoint of reliable patterning and arrangement.
  • the support substrate 25 is then removed from the lower surface of the insulating base layer 2 and the lower surface of the lower ground portion 19 by, for example, peeling.
  • the lower surface of the base insulating layer 2 and the lower surface of the lower ground portion 19 are exposed to the lower side.
  • an imaging element (not shown) is prepared under the printed circuit board 1, and the imaging element (not shown) is electrically connected to the signal layer 12. Further, the ground contact portion 14 is electrically connected to a ground contact (not shown) to ground the ground layer 13.
  • the imaging device 30 provided with the printed circuit board 1 and an imaging element (not shown) is obtained.
  • shield layer 5 has crevice 22, and even if stress F shown in arrow F of Drawing 1B is applied to shield layer 5 and it is going to expand and contract, shield layer 5 is an adhesion layer. 8, and the ratio (Tb / Ta) of the thickness Tb of the main body layer 9 to the thickness Ta of the adhesion layer 8 is 4 or more, so that the intermediate insulating layer 4 is provided. It is possible to suppress the decrease in the adhesion to the surface, and to suppress the decrease in the adhesion to a part of the extension portion 16.
  • the shield opening 27 is provided in a portion where the shielding of the electromagnetic wave is unnecessary, and the electromagnetic wave is shielded by the shield layer 5 in other portions. can do.
  • the main body layer 9 is formed of the adhesion layer 8. The reduction in adhesion to the intermediate insulating layer 4 can be more effectively suppressed.
  • the printed circuit board 1 is a printed circuit board for an imaging device, the imaging device 30 excellent in reliability can be manufactured.
  • the adhesion layer 8 and the intermediate insulating layer 4 have different coefficients of thermal expansion, heating of the cover insulating layer 6 shown in FIG. 3E (heating after exposure) As a result, due to the difference in thermal expansion coefficient between the adhesion layer 8 and the intermediate insulating layer 4, the adhesion layer 8 is likely to be damaged such as a crack.
  • the ratio (Tb / Ta) of the thickness Tb of the main body layer 9 to the thickness Ta of the adhesive layer 8 is 4 or more. Damage can be suppressed.
  • the thermal expansion coefficient (17 (ppm / K)) of polyimide is similar to the thermal expansion coefficient (16.8 (ppm / K)) of copper, the thermal expansion coefficient of chromium (6.8 (ppm / K) It differs significantly from)). Therefore, the adhesion layer 8 can not follow the elongation of the intermediate insulation layer 4 and the main body layer 9 by heating (heating after exposure) of the cover insulating layer 6 shown in FIG. 3E, and damage such as cracks occurs in the adhesion layer 8 easy.
  • the imaging device 30 which is excellent in reliability can be manufactured.
  • the printed circuit board 1 has been described as a printed circuit board for an imaging device, but the application is not limited to this, and for example, a test board (anisotropic conductive sheet), a flexible printed circuit board, etc. It can be used.
  • middle opening part 15 exposes the upper surface of a part of the extension part 16, although it does not show in figure, for example, it replaces with this or
  • the upper surface of (the part or all of) the upper ground portion 20 can be exposed.
  • the second flat portion 24 of the recess 22 contacts the upper surface of the upper ground portion 20.
  • the shield opening 27 is formed in the shield layer 5.
  • the shield layer 5 not having the shield opening 27 may be formed from the entire upper surface of the intermediate insulating layer 4, the inner side surface 10 and the intermediate opening 15. It can also be continuously formed on the exposed upper surface of the extending portion 16.
  • a shield opening 27 is formed in the shield layer 5.
  • the shield opening 27 is not formed in the shield layer 5
  • the gas from the intermediate insulating layer 4 water vapor derived from the moisture absorbed by the intermediate insulating layer 4 is obtained by heating in the step shown in FIG. Even if G) is generated, the shield layer 5 shields the gas G, which causes damage such as deformation of the intermediate insulating layer 4, and as a result, the adhesion of the adhesive layer 8 to the intermediate insulating layer 4 descend.
  • the gas G described above can be efficiently released from the shield opening 27. Therefore, the adhesion of the shield layer 5 to the intermediate insulating layer 4 can be further improved.
  • the shield layer 5 can be configured without providing the recess 22.
  • the shield layer 5 continuously has the flat portion 21 and the filling portion 28 with which the intermediate opening 15 is filled, and their upper surface has a flat shape.
  • the upper surface of the shield layer 5 is parallel to the upper surface of the intermediate insulating layer 4.
  • the filling portion 28 is solid and has a flat upper surface.
  • the inner surface 10 has a tapered shape, but may have a straight shape along the thickness direction, for example, as shown in FIG.
  • blending ratios content ratios
  • physical property values parameters, etc. used in the following description are the blending ratios (content ratios) corresponding to those described in the above-mentioned “embodiments for carrying out the invention” ), Physical property values, parameters, etc. may be substituted for the upper limit (numerical values defined as “below”, “less than”) or lower limit (numerical values defined as “above”, “exceed”), etc. it can.
  • Example 1 As shown in FIG. 2A, the base insulating layer 2 made of polyimide was formed by photo processing on the upper surface of the support substrate 25 made of stainless steel.
  • a conductor layer 3 comprising a signal layer 12 and a ground layer 13 independently and made of copper was formed on the upper surface of the base insulating layer 2 by an additive method (first step).
  • an intermediate insulating layer 4 having an intermediate opening 15 and made of polyimide (coefficient of thermal expansion 17 (ppm / K)) is coated with the conductor layer 3 on the upper surface of the base insulating layer 2. As a result, it was formed by photo processing (second step).
  • the thickness of the intermediate insulating layer 4 was 10 ⁇ m.
  • the adhesion layer 8 is formed of chromium (thermal expansion coefficient 6.8 (ppm / K)) and has a thickness Ta of 30 ⁇ m by sputtering (fourth step)
  • a main body layer 9 made of copper (thermal expansion coefficient 16.8 (ppm / K)) and having a thickness Tb of 120 ⁇ m was formed by a sputtering method (fifth step).
  • the shield layer 5 having the flat portion 21 and the concave portion 22 was formed.
  • Shield layer 5 does not have shield opening 27 yet, that is, adhesion layer 8 is formed from the entire upper surface of intermediate insulating layer 4, inner side surface 10 of shield layer 5, and intermediate opening 15. It formed continuously with the upper surface of the extension part 16 to expose, and formed the main layer 9 in the whole upper surface of the contact
  • the shield layer 5 was formed into a pattern having the shield opening 27 by wet etching (third step).
  • a cover insulating layer 6 was formed on the upper surface of the intermediate insulating layer 4 so as to cover the shield layer 5 by photo processing. Specifically, a photosensitive polyimide composition is applied to the upper surface of the intermediate insulating layer 4 and the upper and side surfaces of the shield layer 5 and then dried to form a film, and then through a photomask. The film was exposed and developed to form a cover insulating layer 6. Thereafter, the cover insulating layer 6 was post-exposure heated at 325 ° C. for 20 minutes.
  • the support substrate 25 was removed by peeling.
  • the printed circuit board 1 was manufactured.
  • Example 2 to Comparative Example 2 A printed circuit board 1 was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the thickness Ta of the adhesion layer 8 and the thickness Tb of the main body layer 9 were changed according to Table 1.
  • the wired circuit board is used for an imaging device.
  • Wiring circuit board (wiring circuit board for imaging device) Reference Signs List 3 conductor layer 4 intermediate insulating layer 5 shield layer 8 adhesion layer 9 main body layer 15 intermediate opening 22 concave portion 30 thickness of imaging device Ta adhesion layer thickness of Tb main body layer

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Abstract

配線回路基板は、導体層と、絶縁層と、シールド層とを厚み方向一方側に向かって順に備える。絶縁層は、導体層を被覆しており、導体層の一部の前記厚み方向一方面を露出する絶縁開口部を有し、シールド層は、絶縁開口部内に配置され、導体層に接触するように、厚み方向他方側に向かって凹む凹部を有する。シールド層は、密着層と、本体層とを厚み方向一方側に向かって順に備える。密着層の厚みＴａに対する本体層の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）が、４以上である。

Description

配線回路基板およびその製造方法
　本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
　従来、グランド層と、絶縁層とを備える配線回路基板が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
　特許文献１では、グランド層は、下部グランド層と、絶縁層の開口部に充填され、下部グランド層に接触する側部グランド配線と、絶縁層の上面に配置され、側部グランド配線と一体的に形成される上部グランド配線とを備える。上部グランド層は、側部グランド配線を介して下部グランド配線と電気的に接続されており、シールド層として作用している。
特開２００８－９１６３５号公報
　特許文献１では、側部グランド配線および上部グランド配線は、断面略Ｔ字形状を有しており、上部グランド配線の上面は、平坦形状を有する。そのため、グランド層は、優れた強度を有し、グランド層に応力が付与されても、形状維持性に優れる。従って、グランド層の絶縁層に対する密着性が低下しにくい。
　一方、配線回路基板の用途および目的によっては、上部グランド配線の上面が、絶縁層の開口部に対応して下側に向かって凹む凹部を有する場合がある。その場合には、凹部に起因して、グランド層の強度が低く、そのため、グランド層に応力がかかると、上部グランド配線が面方向に伸縮し易く、そのため、上部グランド配線の絶縁層に対する密着性、さらには、側部グランド配線の下部グランド配線に対する密着性も低下するという不具合がある。
　そこで、本願発明者は、シールド層が凹部を有していても、シールド層の密着性が向上された配線回路基板を鋭意検討したところ、シールド層が、密着層と、本体層とを備え、さらに、密着層の厚みＴａに対する本体層の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）が、４以上であれば、シールド層の密着性を向上させることができるという知見を見出した。
　本発明（１）は、導体層と、絶縁層と、シールド層とを厚み方向一方側に向かって順に備え、前記絶縁層は、前記導体層を被覆しており、前記導体層の一部の前記厚み方向一方面を露出する絶縁開口部を有し、前記シールド層は、前記絶縁開口部内に配置され、前記導体層に接触するように、前記厚み方向他方側に向かって凹む凹部を有し、前記シールド層は、密着層と、本体層とを前記厚み方向一方側に向かって順に備え、前記密着層の厚みＴａに対する前記本体層の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）が、４以上である、配線回路基板を含む。
　この配線回路基板では、シールド層は、凹部を有し、シールド層に応力がかかり、伸縮しても、シールド層は、密着層と、本体層とを厚み方向一方側に向かって順に備え、密着層の厚みＴａに対する本体層の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）が、４以上であるので、絶縁層に対する密着性の低下を抑制でき、さらには、導体層の一部に対する密着性の低下を抑制することができる。
　本発明（２）は、前記シールド層は、前記絶縁層の一部の前記厚み方向一方面を露出するシールド開口部を有する、（１）に記載の配線回路基板を含む。
　また、この配線回路基板では、シールド層がシールド開口部を有するので、電磁波の遮蔽を不要とする部分にシールド開口部を設け、それ以外の部分において、シールド層によって電磁波を遮蔽することができる。
　本発明（３）は、前記絶縁層の材料が、ポリイミドであり、前記密着層の材料が、クロムであり、前記本体層の材料が、銅である、（１）または（２）に記載の配線回路基板を含む。
　この配線回路基板では、密着層により、本体層の絶縁層に対する密着性の低下をより一層有効に抑制することができる。
　本発明（４）は、撮像装置用配線回路基板である、（１）～（３）のいずれか一項に記載の配線回路基板を含む。
　この配線回路基板は、撮像装置用配線回路基板であるので、信頼性に優れる撮像装置を製造することができる。
　本発明（５）は、導体層と、絶縁層と、シールド層とを厚み方向一方側に向かって順に備え、前記シールド層は、前記絶縁層の一部の前記厚み方向一方面を露出するシールド開口部を有する、配線回路基板を含む。
　また、この配線回路基板では、シールド層がシールド開口部を有するので、電磁波の遮蔽を不要とする部分にシールド開口部を設け、それ以外の部分において、シールド層によって電磁波を遮蔽することができる。
　本発明（６）は、導体層を設ける第１工程と、絶縁層を、前記導体層を被覆し、かつ、前記導体層の一部の前記厚み方向一方面を露出する絶縁開口部を有するように、設ける第２工程と、シールド層を、前記絶縁開口部内に配置され、前記厚み方向他方側に向かって凹む凹部を有するように、前記絶縁層の前記厚み方向一面に設ける第３工程とを備え、前記第３工程は、密着層を、前記絶縁層の前記厚み方向一方面、前記絶縁開口部に臨む前記絶縁層の内側面、および、前記絶縁開口部から露出する前記導体層の前記厚み方向一方面に設ける第４工程と、本体層を、前記密着層の前記厚み方向一方面に設ける第５工程とを備え、前記密着層の厚みＴａに対する前記本体層の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）が、４以上である、配線回路基板の製造方法を含む。
　この配線回路基板の製造方法では、シールド層は、凹部を有し、シールド層に応力がかかり、伸縮しても、シールド層は、密着層と、本体層とを厚み方向一方側に向かって順に備え、密着層の厚みＴａに対する本体層の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）が、４以上であるので、絶縁層に対する密着性の低下を抑制でき、さらには、導体層の一部に対する密着性の低下を抑制することができる。
　また、密着層と、絶縁層とは、熱膨張率が相違する場合には、その後の工程の加熱によって、それらの熱膨張率の相違に起因して、密着層にクラックなどの損傷を生じ易い。
　しかし、この配線回路基板の製造方法では、密着層の厚みＴａに対する本体層の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）が、４以上であるので、熱膨張率の相違に起因する上記した損傷を抑制することができる。
　本発明（７）は、前記第３工程では、前記シールド層に、前記絶縁層の一部の前記厚み方向一方面を露出するシールド開口部を設ける、（６）に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
　この製造方法によれば、その後の工程の加熱によって、絶縁層からガスが発生しても、かかるガスを効率よくシールド開口部から放出することができる。そのため、シールド層の絶縁層に対する密着性をより一層向上させることができる。
　本発明（８）は、前記第２工程において、前記絶縁層を、ポリイミドから形成し、前記第４工程において、前記密着層を、クロムから形成し、前記第５工程において、前記本体層を、銅から形成する、（６）または（７）に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
　この配線回路基板の製造方法では、密着層により、本体層の絶縁層に対する密着性の低下をより一層有効に抑制することができる。
　また、ポリイミドの熱膨張係数は、銅の熱膨張係数に類似する一方、クロムの熱膨張係数と顕著に相違する。そのため、密着層が、その後の工程の加熱によって、絶縁層および本体層の伸びに追従できず、密着層にクラックなどの損傷を生じ易い。
　しかし、この製造方法によれば、密着層の厚みＴａに対する本体層の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）が、４以上であるので、シールド層の絶縁層に対する良好な密着性を確保することができる。
　本発明（９）は、撮像装置用配線回路基板の製造方法である、（６）～（８）のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
　この製造方法は、撮像装置用配線回路基板の製造方法であるので、得られた配線回路基板から、信頼性に優れる撮像装置を製造することができる。
　本発明（１０）は、導体層を設ける第１工程と、絶縁層を前記導体層を被覆するように設ける第２工程と、シールド層を前記絶縁層の前記厚み方向一面に設ける第３工程とを備え、前記第３工程では、前記シールド層に、前記絶縁層の一部の前記厚み方向一方面を露出するシールド開口部を設ける、配線回路基板の製造方法を含む。
　この配線回路基板の製造方法では、シールド層がシールド開口部を有するので、電磁波の遮蔽を不要とする部分にシールド開口部を設けることができる。
　さらに、この製造方法によれば、その後の工程の加熱によって、絶縁層からガスが発生しても、かかるガスを効率よくシールド開口部から放出することができる。そのため、シールド層の絶縁層に対する密着性をより一層向上させることができる。
　本発明の配線回路基板およびその製造方法では、絶縁層に対する密着性の低下を抑制できる。
　本発明の配線回路基板およびその製造方法では、電磁波の遮蔽を不要とする部分にシールド開口部を設けることができる。
図１Ａおよび図１Ｂは、本発明の配線回路基板の一実施形態を示し、図１Ａが、一部拡大平面図、図１Ｂが、図１ＡのＡ－Ａ線に沿う断面図（なお、丸囲みは、部分拡大図）を示す。 図２Ａ～図２Ｃは、図１Ｂに示す配線回路基板の製造方法を説明する工程図であり、図２Ａが、ベース絶縁層を設ける工程、図２Ｂが、導体層を設ける第１工程、図２Ｃが、中間絶縁層を設ける第２工程を示す。 図３Ｄ～図３Ｅは、図２Ｃに引き続き、図１Ｂに示す配線回路基板の製造方法を説明する工程図であり、図３Ｄが、シールド層を設ける第３工程、図３Ｅが、カバー絶縁層を設ける工程を示す。 図４は、図１Ｂに示す配線回路基板の変形例を示す。 図５は、図１Ｂに示す配線回路基板の変形例を示す。 図６は、図１Ｂの拡大図に示す配線回路基板の変形例を示す。
　［配線回路基板およびその製造方法の一実施形態］
　図１Ａおよび図１Ｂにおいて、紙面左右方向は、左右方向（第１方向）を示す。図１Ｂにおいて、紙面上下方向は、上下方向（厚み方向の一例）（第１方向に直交する第２方向）を示し、紙面上側が上側（厚み方向一方側の一例）（第２方向一方側）、紙面下側が下側（厚み方向他方側）（第２方向他方側）を示す。図１Ａにおいて、紙面上下方向は、前後方向（第１方向および第２方向に直交する第３方向）を示す。
　具体的には、方向は、各図の方向矢印に準拠する。
　これらの方向の定義により、配線回路基板１および撮像装置３０（後述）の製造時および使用時の向きを限定する意図はない。
　なお、図１Ａにおいて、カバー絶縁層６（後述）は、シールド層５（後述）の配置および形状を明確に示すために、省略している。
　また、以降の各図は、各部材の角度、寸法などが、本願発明を容易に理解するために誇張して描画されており、正確に表されていない場合を含む。
　図１Ａおよび図１Ｂに示すように、配線回路基板１は、所定の厚みＴを有し、面方向（左右方向および前後方向の両方）に延びるシート形状を有する。配線回路基板１は、下側に配置される撮像素子（図示せず）と電気的に接続されて、撮像装置（図示せず）に備えられる（組み込まれる）ための撮像装置用配線回路基板である。
　配線回路基板１は、ベース絶縁層２と、導体層３と、絶縁層の一例としての中間絶縁層４と、シールド層５と、カバー絶縁層６とを上側に向かって順に備える。
　ベース絶縁層２は、面方向に延びるシート形状を有する。ベース絶縁層２は、配線回路基板１の下面を形成する。ベース絶縁層２は、厚み方向を貫通するベース開口部１１を有する。
　ベース絶縁層２の材料は、絶縁材料である。絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂などが挙げられる。好ましくは、ポリイミドなどが挙げられる。
　ベース絶縁層２の熱膨張率は、例えば、１０（ｐｐｍ／Ｋ）以上、好ましくは、１５（ｐｐｍ／Ｋ）以上であり、また、例えば、５０（ｐｐｍ／Ｋ）以下である。ベース絶縁層２の熱膨張率は、面方向の線熱膨張係数であって、例えば、熱機械分析により、ＪＩＳＫ７１９７の条件にて測定することができる。
　ベース絶縁層２の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。
　導体層３は、ベース絶縁層２の上に配置されている。導体層３は、面方向に互いに間隔を隔てて配置される複数のパターンを有する。具体的には、導体層３は、撮像素子（図示せず）と電気的に接続される信号層１２と、グランド層１３とを、独立して備える。
　信号層１２は、ベース絶縁層２の上面において、面方向に互いに間隔を隔てて複数配置されている。信号層１２は、撮像素子（後述、図示せず）と電気的に接続される。
　グランド層１３は、グランド接点部１４と、グランド接点部１４から面方向に延びる延出部１６とを一体的に備える。
　グランド接点部１４は、厚み方向に投影したときに、ベース開口部１１内に位置しており、上下方向に延びる。グランド接点部１４は、ベース開口部１１内に充填されるグランド下部１９と、グランド下部１９の上側に連続して設けられるグランド上部２０とを備える。
　延出部１６は、グランド上部２０と一体的に形成されている。なお、延出部１６は、厚み方向に投影したときに、グランド接点部１４と隣接して配置される。
　導体層３の材料としては、例えば、銅、銀、金、ニッケルまたはそれらを含む合金、半田などの金属材料が挙げられる。好ましくは、銅が挙げられる。導体層３の厚みは、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、１５μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。
　中間絶縁層４は、面方向に延びるシート形状を有する。中間絶縁層４は、ベース絶縁層２の上面に、導体層３を被覆するように配置されている。具体的には、中間絶縁層４は、信号層１２と、グランド上部２０および延出部１６とを被覆する。中間絶縁層４は、延出部１６の一部の上面を露出する絶縁開口部の一例としての中間開口部１５を有する。
　中間開口部１５は、中間絶縁層４（における延出部１６に対する上側部分）を厚み方向に貫通する。中間開口部１５は、その開口断面積（面方向に沿って切断したときの開口断面積）が下側に向かうに従って小さくなるテーパ形状を有する。また、中間開口部１５を仕切る中間絶縁層４の内側面１０は、厚み方向に沿って延びる円筒形状を有し、詳しくは、正断面視において（厚み方向および左右方向に沿って切断したときに）、左右方向において互いに対向するテーパ面（傾斜面）であって、下側に向かうに従ってそれらの対向距離が小さくなるように、形成されている。つまり、中間開口部１５は、下方に向かって縮径する略円錐台形状を有する。
　中間絶縁層４の材料は、ベース絶縁層２の材料と同一である。中間絶縁層４の厚みは、ベース絶縁層２の上面と、中間絶縁層４の上面との距離であって、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。
　中間開口部１５の上端縁の最大長さ（最大径）は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１５００μｍ以下である。中間開口部１５の下端縁の最大長さ（最大径）は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１５００μｍ以下である。内側面１０と、中間開口部１５から露出する延出部１６の上面との成す角度αは、例えば、９０度以上、好ましくは、１２０度以上であり、また、例えば、１７０度以下、好ましくは、１６０度以下である。
　シールド層５は、外部からの電磁波を遮蔽する層である。シールド層５は、導体層３に対して上側に配置されている。シールド層５は、前後方向に延びるシート形状を有する。
具体的には、シールド層５は、左右方向に間隔を隔てて複数配置されている。これにより、隣接するシールド層５間には、シールド開口部２７が設けられる。シールド開口部２７は、左右方向に間隔を隔てて複数設けられており、各シールド開口部２７は、中間絶縁層４の一部の上面を露出する。また、シールド層５は、上記したシールド開口部２７が設けられ、かつ、中間開口部１５を含むパターンを有する。
　シールド層５におけるシールド開口部２７の面積割合は、例えば、１％以上、好ましくは、１０％以上であり、また、例えば、９０％以下、好ましくは、７０％以下である。
　シールド層５は、平坦部２１と、凹部２２とを備える。
　平坦部２１は、中間絶縁層４の上面に配置されている。また、平坦部２１は、中間開口部１５を囲むパターンを有する。平坦部２１は、所定の厚みを有し、面方向に延びるシート形状を有する。
　凹部２２は、中間開口部１５内に配置されており、中間開口部１５の周囲における平坦部２１の内端縁から下側に向かって凹む形状を有する。凹部２２は、内側面１０と、中間開口部１５から露出する延出部１６の上面とに連続して配置される断面略Ｕ字形状を有する。凹部２２は、側壁２３と、第２平坦部２４とを一体的に備える。
　側壁２３は、中間開口部１５の周囲の凹部２２の内端縁から下方（具体的には、下方斜め内側）に向かって傾斜する傾斜壁である。側壁２３は、下方に向かって縮径する略円錐台筒（内部が空洞である円錐台）形状を有する。側壁２３は、内側面１０を被覆する。
　第２平坦部２４は、側壁２３の下端縁を連結する底壁である。第２平坦部２４は、中間開口部１５から露出する延出部１６の上面に接触している。第２平坦部２４は、内側面１０の下端縁に対応する形状、具体的には、平面視略円形状を有する。
　平坦部２１の厚みと、側壁２３の厚みと、第２平坦部２４の厚みとは、略同一であり、シールド層５の厚みＴｓである。
　また、シールド層５は、密着層８と、本体層９とを上側に向かって順に備える。シールド層５は、密着層８と、本体層９との積層体である。好ましくは、シールド層５は、密着層８と本体層９とのみからなる。詳しくは、シールド層５において、平坦部２１と、凹部２２（側壁２３および第２平坦部２４））とのそれぞれは、密着層８と本体層９とのそれぞれを備える。
　平坦部２１において、本体層９は、密着層８を介して、中間絶縁層４の上面に密着する。
　凹部２２において、本体層９は、密着層８を介して、中間絶縁層４の内側面１０に密着するとともに、中間開口部１５から露出する延出部１６の上面に密着する。
　密着層８の材料としては、本体層９の中間絶縁層４に対する密着力に比べて、密着層８の中間絶縁層４に対する密着力、および、密着層８の本体層９に対する密着力が大きくなるように、選択される。密着層８の材料としては、例えば、クロム、ニッケルなどが挙げられ、好ましくは、クロムが挙げられる。密着層８の材料がクロムであれば、本体層９の中間絶縁層４に対する密着性、および、本体層９の、中間開口部１５から露出する延出部１６に対する密着性を、より一層高めることができる。
　密着層８の熱膨張率は、例えば、中間絶縁層４の熱膨張率と相違する。密着層８の熱膨張率は、具体的には、中間絶縁層４の熱膨張率に比べて、小さく、より具体的には、中間絶縁層４の熱膨張率に対して、例えば、９０％以下、好ましくは、７５％以下、より好ましくは、５０％以下、さらに好ましくは、４５％以下であり、また、例えば、１０％以上、好ましくは、２０％以上である。
　密着層８の熱膨張率の、中間絶縁層４の熱膨張率に対する百分率が上記した上限以下であれば、後述する製造工程における加熱によって、密着層８が、中間絶縁層４の面方向に伸びに対して追従し難く、密着層８におけるクラックの損傷を生じ易い。しかし、この配線回路基板１の製造方法（後述）では、後述するように、密着層８の厚みＴａに対する本体層９の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）が、４以上であるので、密着層８の損傷を抑制することができる。
　具体的には、密着層８の熱膨張率は、例えば、１０（ｐｐｍ／Ｋ）未満、好ましくは、９（ｐｐｍ／Ｋ）以下、より好ましくは、８（ｐｐｍ／Ｋ）以下であり、また、例えば、１（ｐｐｍ／Ｋ）以上である。
　密着層８の厚みＴａは、本体層９の厚みＴｂの密着層８の厚みＴａに対する後述する比（Ｔｂ／Ｔａ）を満足するように設定され、具体的には、例えば、１００ｎｍ未満、好ましくは、５０ｎｍ以下、より好ましくは、４０ｎｍ以下、さらに好ましくは、３０ｎｍ以下であり、また、例えば、２ｎｍ以上である。
　本体層９の材料としては、本体層９の中間絶縁層４に対する密着力に比べて、密着層８の本体層９に対する密着力が大きくなるように、選択される。また、本体層９の材料は、例えば、密着層８の材料と同一または相異なっていてもよく、好ましくは、相異なる。具体的には、本体層９の材料としては例えば、銅、クロム、ニッケル、金、銀、白金、パラジウム、チタン、タンタル、はんだ、またはこれらの合金などの金属が挙げられ、好ましくは、銅、ニッケル、より好ましくは、銅が挙げられる。
　本体層９の熱膨張率は、例えば、中間絶縁層４の熱膨張率に近似する。本体層９の熱膨張率は、中間絶縁層４の熱膨張率に対して、例えば、７０％以上、好ましくは、８０％以上、より好ましくは、９０％以上、好ましくは、９５％以上であり、また、例えば、１１０％以下、好ましくは、１００％以下である。
　本体層９の熱膨張率の、中間絶縁層４の熱膨張率に対する百分率が上記した上限以下、上記した下限以上であれば、本体層９の熱膨張率が中間絶縁層４の熱膨張率と近似するので、密着層８の熱膨張率が中間絶縁層４の熱膨張率と顕著に相違しても、後述する製造工程における加熱において、中間絶縁層４の伸びと密着層８の伸びとを合致させて、密着層８の損傷を抑制することができる。
　具体的には、本体層９の熱膨張率は、例えば、１０（ｐｐｍ／Ｋ）以上、好ましくは、１３（ｐｐｍ／Ｋ）以上、より好ましくは、１５（ｐｐｍ／Ｋ）以上であり、また、例えば、２０（ｐｐｍ／Ｋ）以下である。
　本体層９の厚みＴｂは、後述する比（Ｔｂ／Ｔａ）を満足するように設定され、具体的には、例えば、５０ｎｍ以上、好ましくは、１００ｎｍ以上、より好ましくは、１１０ｎｍ以上であり、また、例えば、２５０ｎｍ以下、好ましくは、２００ｎｍ以下である。
　そして、密着層８の厚みＴａに対する本体層９の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）は、４以上、好ましくは、５以上であり、また、例えば、２０以下、好ましくは、１０以下である。
　比（Ｔｂ／Ｔａ）が上記した下限未満であれば、シールド層５の密着性を向上させることができない。換言すれば、この一実施形態では、比（Ｔｂ／Ｔａ）が上記した下限以上であるので、シールド層５の密着性を向上させることができる。
　詳説すれば、比（Ｔｂ／Ｔａ）が上記した下限以上であるということは、密着層８が本体層９に比べて、十分に薄い。そのため、密着層８が中間絶縁層４および本体層９に追従でき、密着層８における損傷を抑制することができる。また、比（Ｔｂ／Ｔａ）が上記した下限以上であるということは、本体層９が密着層８に比べて十分に厚い。そのため、本体層９が密着層８を十分に押さえ付けることができるので、密着層８における損傷を抑制することができる。
　シールド層５の厚みＴｓは、例えば、６０ｎｍ以上、好ましくは、１００ｎｍ以上であり、また、例えば、３０００ｎｍ以下、好ましくは、１０００ｎｍ以下である。なお、シールド層５の厚みＴｓは、密着層８の厚みＴａと、本体層９の厚みＴｂとの総和（Ｔａ＋Ｔｂ）である。
　カバー絶縁層６は、面方向に延びるシート形状を有する。カバー絶縁層６は、配線回路基板１の上面を形成する。カバー絶縁層６は、シールド層５を被覆するように、中間絶縁層４の上面に配置されている。また、カバー絶縁層６は、凹部２２にも充填されている。
カバー絶縁層６は、ベース絶縁層２の材料と同一である。カバー絶縁層６の熱膨張率は、ベース絶縁層２の熱膨張率と同一である。カバー絶縁層６の厚みは、特に限定されず、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。
　配線回路基板１の厚みＴは、ベース絶縁層２、中間絶縁層４およびカバー絶縁層６の厚みの総和であり、具体的には、ベース絶縁層２の下面と、カバー絶縁層６の上面との距離である。具体的には、配線回路基板１の厚みＴは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。
　次に、配線回路基板１の製造方法を説明する。
　配線回路基板１の製造方法は、図２Ａ～図３Ｅおよび図１Ｂに示すように、ベース絶縁層２を支持基板２５に設ける工程と、導体層３を設ける第１工程と、中間絶縁層４を設ける第２工程と、シールド層５を設ける第３工程と、カバー絶縁層６を設ける工程と、支持基板２５を除去する工程とを順に備える。
　図２Ａに示すように、ベース絶縁層２を設ける工程では、まず、支持基板２５を準備する。
　支持基板２５は、面方向に延び、平坦な上面を有するシート形状を有する。支持基板２５の材料としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウムなどの金属、例えば、樹脂、例えば、セラミックスなどが挙げられ、好ましくは、金属が挙げられる。支持基板２５の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。
　ベース絶縁層２を支持基板２５に設けるには、例えば、フォト加工により、絶縁材料から、ベース開口部１１を有するベース絶縁層２を、支持基板２５の上面に形成する。あるいは、予め、ベース開口部１１が形成されたベース絶縁層２を、支持基板２５の上面に配置（載置）する。
　これにより、ベース絶縁層２を支持基板２５の上面に設ける。
　図２Ｂに示すように、次いで、第１工程では、導体層３を、ベース絶縁層２の上に設ける。具体的には、導体層３を、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などのパターン形成法によって、信号層１２およびグランド層１３から形成する。
　図２Ｃに示すように、次いで、第２工程では、中間絶縁層４を、導体層３を被覆し、かつ、延出部１６の一部の上面を露出する中間開口部１５を有するように、設ける。
　例えば、フォト加工により、絶縁材料から、中間開口部１５を有する中間絶縁層４を、ベース絶縁層２の上面全面、および、導体層３の上面および側面に、形成する。あるいは、予め、中間開口部１５が形成された中間絶縁層４を、ベース絶縁層２および導体層３に対して配置（載置）する。
　これにより、第２工程では、中間絶縁層４を、導体層３（延出部１６の一部を除く）を被覆し、かつ、中間開口部１５を有するように、設ける。
　図３Ｄに示すように、第３工程では、シールド層５を、中間開口部１５内に配置され、下側に向かって凹む凹部２２を有するように、中間絶縁層４の上面に設ける。
　第３工程では、例えば、スパッタリング、めっき（無電解めっきなど）などの薄膜形成方法により、密着層８を形成し（第４工程）、続いて、本体層９を形成すること（第５工程）により、密着層８および本体層９から、シールド層５を形成する。好ましくは、スパッタリングにより、シールド層５を形成する。スパッタリングであれば、均一な厚みのシールド層５（具体的には、均一な厚みの密着層８および均一な厚みの本体層９）を形成することができる。
　密着層８の形成方法、および、本体層９の形成方法は、互いに同一または相異なっていてもよく、好ましくは、同一である。
　好ましくは、密着層８および本体層９のそれぞれを、スパッタリングにより形成する。つまり、密着層８をスパッタリングで形成し（第４工程）、続いて、本体層９を密着層８の上面にスパッタリングで形成する（第５工程）。
　その後、例えば、エッチング（ドライエッチング、ウエットエッチング）などの薄膜除去方法により、シールド層５にシールド開口部２７を形成する。
　図３Ｅに示すように、次いで、カバー絶縁層６を、中間絶縁層４の上面と、シールド層５の上面および側面とに、設ける。
　例えば、フォト加工により、カバー絶縁層６を設ける。具体的には、フォト加工では、まず、感光成分および絶縁材料を含有する感光絶縁組成物を調製し、続いて、感光絶縁組成物を、中間絶縁層４の上面、および、シールド層５の上面および側面に塗布し、その後、必要により乾燥して、皮膜を形成する。次いで、フォトマスクを介して皮膜を露光し、現像して、カバー絶縁層６を形成する。その後、カバー絶縁層６を加熱（露光後加熱）する。加熱条件は、例えば、絶縁材料が十分に硬化（具体的には、イミド化など）できる条件であり、具体的には、温度が、例えば、２５０℃以上、好ましくは、３００℃以上であり、また、例えば、４００℃以下であり、また、時間が、例えば、１０分以上、好ましくは、３０分以上であり、また、例えば、１００分以下である。
　あるいは、予め所定パターンに形成されたカバー絶縁層６を、中間絶縁層４およびシールド層５に対して配置（載置）する。
　好ましくは、確実なパターン形成および配置の観点から、フォト加工が用いられる。
　図１Ｂに示すように、その後、支持基板２５を、ベース絶縁層２の下面、および、グランド下部１９の下面から、例えば、剥離などによって、除去する。ベース絶縁層２の下面、および、グランド下部１９の下面を、下側に露出させる。
　これにより、配線回路基板１を製造する。
　その後、配線回路基板１の下側に、撮像素子（図示せず）を準備し、撮像素子（図示せず）を信号層１２と電気的に接続する。また、グランド接点部１４をアース接点（図示せず）と電気的に接続して、グランド層１３を接地する。
　これにより、配線回路基板１と、撮像素子（図示せず）とを備える撮像装置３０を得る。
　そして、この配線回路基板１１では、シールド層５は、凹部２２を有しており、図１Ｂの矢印Ｆに示す応力Ｆがシールド層５にかかり、伸縮しようとしても、シールド層５は、密着層８と、本体層９とを厚み方向一方側に向かって順に備え、密着層８の厚みＴａに対する本体層９の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）が、４以上であるので、中間絶縁層４に対する密着性の低下を抑制でき、さらには、延出部１６の一部に対する密着性の低下を抑制することができる。
　また、この配線回路基板１では、シールド層５がシールド開口部２７を有するので、電磁波の遮蔽を不要とする部分にシールド開口部２７を設け、それ以外の部分において、シールド層５によって電磁波を遮蔽することができる。
　この配線回路基板１では、中間絶縁層４の材料が、ポリイミドであり、密着層８の材料が、クロムであり、本体層９の材料が、銅であれば、密着層８により、本体層９の中間絶縁層４に対する密着性の低下をより一層有効に抑制することができる。
　この配線回路基板１は、撮像装置用配線回路基板であるので、信頼性に優れる撮像装置３０を製造することができる。
　この配線回路基板１の製造方法によれば、密着層８と、中間絶縁層４とは、熱膨張率が相違する場合には、図３Ｅに示す、カバー絶縁層６の加熱（露光後加熱）によって、密着層８と中間絶縁層４との熱膨張率の相違に起因して、密着層８にクラックなどの損傷を生じ易い。
　しかし、この配線回路基板１の製造方法では、密着層８の厚みＴａに対する本体層９の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）が、４以上であるので、熱膨張率の相違に起因する上記した損傷を抑制することができる。
　また、ポリイミドの熱膨張係数（１７（ｐｐｍ／Ｋ））は、銅の熱膨張係数（１６．８（ｐｐｍ／Ｋ））に類似する一方、クロムの熱膨張係数（６．８（ｐｐｍ／Ｋ））と顕著に相違する。そのため、密着層８が、図３Ｅに示す、カバー絶縁層６の加熱（露光後加熱）によって、中間絶縁層４および本体層９の伸びに追従できず、密着層８にクラックなどの損傷を生じ易い。
　しかし、この製造方法によれば、密着層８の厚みＴａに対する本体層９の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）が、４以上であるので、シールド層５の中間絶縁層４に対する良好な密着性を確保することができる。
　この製造方法では、撮像装置用配線回路基板であるので、信頼性に優れる撮像装置３０を製造することができる。
［変形例］
　一実施形態では、配線回路基板１は、撮像装置用配線回路基板として説明したが、その用途はこれに限定されず、例えば、検査用基板（異方導電性シート）、フレキシブル配線回路基板などに用いることができる。
　また、一実施形態では、図１Ｂに示すように、中間開口部１５は、延出部１６の一部の上面を露出しているが、例えば、図示しないが、これに代えて、あるいは、これとともに、グランド上部２０（の一部または全部）の上面を露出することもできる。この場合には、凹部２２の第２平坦部２４は、グランド上部２０の上面に接触する。
　また、一実施形態では、シールド層５に、シールド開口部２７を形成している。
　しかし、例えば、図４に示すように、シールド開口部２７（図１Ａおよび図１Ｂ）を有さないシールド層５を、中間絶縁層４の上面全面、内側面１０、および、中間開口部１５から露出する延出部１６の上面とに、連続して形成することもできる。
　好ましくは、図１Ｂに示すように、シールド層５にシールド開口部２７を形成する。
　図４に示すように、シールド層５にシールド開口部２７を形成しない場合には、図３Ｅに示す工程の加熱によって、中間絶縁層４からガス（中間絶縁層４が吸湿した水分に由来する水蒸気など）Ｇが発生しても、シールド層５がガスＧを遮蔽してしまい、そのため、中間絶縁層４の変形などの損傷を生じ、その結果、密着層８の中間絶縁層４に対する密着性が低下する。
　しかし、図１Ｂに示すように、シールド層５にシールド開口部２７を形成すれば、上記したガスＧを効率よくシールド開口部２７から放出することができる。そのため、シールド層５の中間絶縁層４に対する密着性をより一層向上させることができる。
　また、図５に示すように、例えば、凹部２２を設けず、シールド層５を構成することもできる。この場合には、シールド層５は、平坦部２１と、中間開口部１５に充填される充填部２８とを連続して有し、それらの上面は、平坦形状を有する。シールド層５の上面は、中間絶縁層４の上面に対して平行する。充填部２８は、中実であり、平坦な上面を有する。
　この構成であれば、上記したガスＧをシールド開口部２７を介して効率よく放出することができる。
　一実施形態では、図１Ｂに示すように、内側面１０は、テーパ形状を有するが、例えば、図６に示すように、厚み方向に沿うストレート形状を有することもできる。
　以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
　　実施例１
　図２Ａに示すように、ステンレスからなる支持基板２５の上面に、ポリイミドからなるベース絶縁層２をフォト加工により形成した。
　図２Ｂに示すように、次いで、信号層１２およびグランド層１３を独立して備え、銅からなる導体層３を、アディティブ法により、ベース絶縁層２の上面に形成した（第１工程）。
　図２Ｃに示すように、次いで、中間開口部１５を有し、ポリイミド（熱膨張係数１７（ｐｐｍ／Ｋ））からなる中間絶縁層４を、ベース絶縁層２の上面に、導体層３を被覆するように、フォト加工により、形成した（第２工程）。中間絶縁層４の厚みは、１０μｍであった。
　図３Ｄの実線および仮想線で示すように、次いで、クロム（熱膨張係数６．８（ｐｐｍ／Ｋ））からなり、厚みＴａが３０μｍである密着層８をスパッタリング法により形成し（第４工程）、続いて、銅（熱膨張係数１６．８（ｐｐｍ／Ｋ））からなり、厚みＴｂが１２０μｍである本体層９をスパッタリング法により形成した（第５工程）。これにより、平坦部２１および凹部２２を有するシールド層５を形成した。なお、シールド層５は、まだ、シールド開口部２７を有しておらず、つまり、密着層８を、中間絶縁層４の上面全面と、シールド層５の内側面１０と、中間開口部１５から露出する延出部１６の上面とに、連続して形成し、また、本体層９を、密着層８の上面全面に形成した。
　図３Ｄの実線で示すように、続いて、ウエットエッチングにより、シールド層５を、シールド開口部２７を有するパターンに形成した（第３工程）。
　図３Ｆに示すように、その後、フォト加工により、カバー絶縁層６を、中間絶縁層４の上面に、シールド層５を被覆するように、形成した。具体的には、感光性ポリイミド組成物を、中間絶縁層４の上面、および、シールド層５の上面および側面に塗布し、その後、乾燥して、皮膜を形成し、次いで、フォトマスクを介して皮膜を露光し、現像して、カバー絶縁層６を形成した。その後、カバー絶縁層６を、３２５℃で、２０分間、露光後加熱した。
　図１Ｂに示すように、その後、支持基板２５を剥離により除去した。
　これにより、配線回路基板１を製造した。
　　実施例２～比較例２
　密着層８の厚みＴａおよび本体層９の厚みＴｂを、表１に従って変更した以外は、実施例１と同様に処理して、配線回路基板１を製造した。
　［密着層のクラック観察］
　密着層８のクラックの発生の有無を光学顕微鏡により観察した。その結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　なお、上記説明は、本発明の例示の実施形態として提供したが、これは単なる例示に過ぎず、限定的に解釈してはならない。当該技術分野の当業者によって明らかな本発明の変形例は後記の請求の範囲に含まれる。
　配線回路基板は、撮像装置に用いられる。
１ 配線回路基板（撮像装置用配線回路基板）
３ 導体層
４ 中間絶縁層
５ シールド層
８ 密着層
９ 本体層
１５ 中間開口部
２２ 凹部
３０ 撮像装置
Ｔａ密着層の厚み
Ｔｂ本体層の厚み

Claims (10)

  1. 　導体層と、絶縁層と、シールド層とを厚み方向一方側に向かって順に備え、
    　前記絶縁層は、前記導体層を被覆しており、前記導体層の一部の前記厚み方向一方面を露出する絶縁開口部を有し、
    　前記シールド層は、前記絶縁開口部内に配置され、前記導体層に接触するように、前記厚み方向他方側に向かって凹む凹部を有し、
    　前記シールド層は、密着層と、本体層とを前記厚み方向一方側に向かって順に備え、
    　前記密着層の厚みＴａに対する前記本体層の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）が、４以上であることを特徴とする、配線回路基板。
  2. 　前記シールド層は、前記絶縁層の一部の前記厚み方向一方面を露出するシールド開口部を有することを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
  3. 　前記絶縁層の材料が、ポリイミドであり、
    　前記密着層の材料が、クロムであり、
    　前記本体層の材料が、銅であることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
  4. 　撮像装置用配線回路基板であることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
  5. 　導体層と、絶縁層と、シールド層とを厚み方向一方側に向かって順に備え、
    　前記シールド層は、前記絶縁層の一部の前記厚み方向一方面を露出するシールド開口部を有することを特徴とする、配線回路基板。
  6. 　導体層を設ける第１工程と、
    　絶縁層を、前記導体層を被覆し、かつ、前記導体層の一部の前記厚み方向一方面を露出する絶縁開口部を有するように、設ける第２工程と、
    　シールド層を、前記絶縁開口部内に配置され、前記厚み方向他方側に向かって凹む凹部を有するように、前記絶縁層の前記厚み方向一面に設ける第３工程と
    を備え、
    　前記第３工程は、
    　　密着層を、前記絶縁層の前記厚み方向一方面、前記絶縁開口部に臨む前記絶縁層の内側面、および、前記絶縁開口部から露出する前記導体層の前記厚み方向一方面に設ける第４工程と、
    　　本体層を、前記密着層の前記厚み方向一方面に設ける第５工程とを備え、
    　前記密着層の厚みＴａに対する前記本体層の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）が、４以上であることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
  7. 　前記第３工程では、前記シールド層に、前記絶縁層の一部の前記厚み方向一方面を露出するシールド開口部を設けることを特徴とする、請求項６に記載の配線回路基板の製造方法。
  8. 　前記第２工程において、前記絶縁層を、ポリイミドから形成し、
    　前記第４工程において、前記密着層を、クロムから形成し、
    　前記第５工程において、前記本体層を、銅から形成する
    ことを特徴とする、請求項６に記載の配線回路基板の製造方法。
  9. 　撮像装置用配線回路基板の製造方法であることを特徴とする、請求項６に記載の配線回路基板の製造方法。
  10. 　導体層を設ける第１工程と、
    　絶縁層を前記導体層を被覆するように設ける第２工程と、
    　シールド層を前記絶縁層の前記厚み方向一面に設ける第３工程と
    を備え、
    　前記第３工程では、前記シールド層に、前記絶縁層の一部の前記厚み方向一方面を露出するシールド開口部を設けることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
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